KR20120023451A - 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120023451A
KR20120023451A KR1020100086650A KR20100086650A KR20120023451A KR 20120023451 A KR20120023451 A KR 20120023451A KR 1020100086650 A KR1020100086650 A KR 1020100086650A KR 20100086650 A KR20100086650 A KR 20100086650A KR 20120023451 A KR20120023451 A KR 20120023451A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
layer
electrode
ground
contact hole
Prior art date
Application number
KR1020100086650A
Other languages
English (en)
Inventor
고성곤
송지원
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100086650A priority Critical patent/KR20120023451A/ko
Publication of KR20120023451A publication Critical patent/KR20120023451A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

본 발명은 화소영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 표시영역에 위치하며 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선에 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 비표시영역에 위치하며 상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터와 플로팅된 그라운드 배선과; 상기 화소영역에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극과; 액정분자의 초기 배향을 결정하며, 상기 화소전극을 덮고 상기 비표시영역에서 상기 그라운드 배선과 연결되는 배향막을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.

Description

액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법{Array substrate for liquid crystal display device and Method of fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 배향막 내 잔류 전압을 제거하여 잔상의 발생을 방지할 수 있는 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 평판표시장치로서 액정표시장치가 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 대체하고 있다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역을 보여주는 개략적인 도면이다.
도시된 바와 같이, 액정표시장치용 어레이 기판은 다수의 화소영역(P)을 포함하여 영상을 표시하기 위한 표시영역을 갖는다.
상기 다수의 화소영역(P)은 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선(2)과 상기 게이트 배선(2)과 교차하면서 제 2 방향으로 연장된 데이터 배선(4)에 의해 정의된다. 상기 다수의 화소영역(P) 각각에는 상기 게이트 배선(2) 및 상기 데이터 배선(4)에 연결된 박막트랜지스터(Tr)와, 상기 박막트랜지스터(Tr)에 연결된 스토리지 캐패시터(Cst) 및 액정 캐패시터(Clc)가 위치하고 있다.
일반적인 액정표시장치용 어레이 기판의 단면도인 도 2를 참조하면, 투명한 절연기판(9) 상에 화소영역(P)에 게이트 전극(10)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(10) 상부로 전면에 게이트 절연막(18)이 형성되어 있다. 또한 상기 게이트 절연막(18) 위로 상기 게이트 전극(10)에 대응하여 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(20a)과, 불순물을 포함하는 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(20b)으로 구성된 반도체층(20)이 형성되어 있다. 상기 오믹콘택층(20b)은 상기 액티브층(20a)의 중앙 일부를 노출시킨다.
또한, 상기 오믹콘택층(20b) 위로는 각각 상기 오믹콘택층(20b)과 접촉하며 서로 이격하여 상기 게이트 전극(10)에 대응하는 액티브층(20a)을 노출시키는 소스 전극(26) 및 드레인 전극(28)이 형성되어 있다.
상기 기판(9) 위로 순차 적층된 상기 게이트 전극(10)과 게이트 절연막(18)과 반도체층(20)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(26, 28)은 박막트랜지스터(Tr)를 이루고 있다.　
이러한 구조를 갖는 박막트랜지스터(Tr) 위로는 전면에 상기 드레인 전극(28) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(30)을 갖는 보호층(36)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(36) 상부에는 각 화소영역(P) 별로 상기 드레인 콘택홀(30)을 통해 상기 드레인 전극(28)과 접촉하는 화소전극(38)이 형성되고 있다. 또한, 상기 게이트 전극(10)이 형성된 동일한 층에 상기 게이트 전극(10)과 연결되는 게이트 배선(도 1의 2)과, 상기 소스 및 드레인 전극(26, 28)이 형성된 동일한 층에 상기 소스 전극(26)과 연결되는 데이터 배선(도 1의 4)이 형성된다. 상기 게이트 배선 및 데이터 배선(2, 4)은 서로 교차하여 상기 화소영역(P)을 정의한다.
상기 화소전극(38)과 상기 보호층(36)을 덮으며 기판(9) 전면에 배향막(40)이 형성된다. 상기 배향막(40)은 폴리이미드와 같은 고분자 물질로 이루어지며, 상기 배향막(40)에 의해 액정분자의 초기 배열이 결정된다.
상기 배향막(40)은 상기 기판(9) 전체에 형성되는데, 액정표시장치의 구동 시에 인가되는 전압이 방전(discharging)되지 못하고, 이에 의해 잔상이 발생하는 문제가 발생하고 있다. 즉, 배향막(40)에 잔류되는 전압에 의해 잔상이 발생하고, 이에 의해 표시품질이 저하된다.
본 발명은 액정표시장치의 배향막에서 잔류 전압을 효과적으로 제거하고자 한다.
이에 의해, 잔상 발생을 억제하여 고품질의 영상을 제공하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 화소영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 표시영역에 위치하며 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선에 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 비표시영역에 위치하며 상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터와 플로팅된 그라운드 배선과; 상기 화소영역에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극과; 액정분자의 초기 배향을 결정하며, 상기 화소전극을 덮고 상기 비표시영역에서 상기 그라운드 배선과 연결되는 배향막을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.
상기 그라운드 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 그라운드 배선의 일부를 노출시키는 그라운드 콘택홀과 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 포함하는 보호층을 포함하고, 상기 화소전극은 상기 보호층 상에 위치하며 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되고, 상기 배향막은 상기 보호층 상에 위치하며 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선과 접촉하는 것이 특징이다.
상기 그라운드 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 그라운드 배선의 일부를 노출시키는 그라운드 콘택홀과 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 포함하는 보호층과; 상기 보호층 상에 위치하며 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선과 접촉하는 연결패턴을 포함하고, 상기 화소전극은 상기 보호층 상에 위치하며 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되고, 상기 배향막은 상기 연결패턴과 접촉하는 것이 특징이다.
상기 연결패턴은 몰리브덴-티타늄 합금, 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드 중 어느 하나로 이루어지는 것이 특징이다.
상기 연결패턴은 상기 화소전극과 동일물질로 일루어지는 것이 특징이다.
상기 보호층은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어지는 것이 특징이다.
다른 관점에서, 본 발명은 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 기판 상에 제 1 방향으로 연장하는 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극과, 상기 비표시영역에 상기 게이트 배선 및 상기 게이트 배선과 플로팅된 그라운드 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선, 상기 게이트 전극 및 상기 그라운드 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 데이터 배선과, 상기 반도체층 상에서 서로 이격하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막, 상기 데이터 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층을 통해 상기 드레인 전극을 노출하는 드레인 콘택홀과, 상기 보호층 및 상기 게이트 절연막을 통해 상기 그라운드 배선을 노출시키는 그라운드 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 보호층 상에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 화소전극을 덮으며 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선에 연결되는 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장칭용 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
상기 화소전극을 형성하는 단계는 상기 비표시영역에 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선과 접촉하는 연결패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 배향막은 상기 연결패턴과 접촉하는 것이 특징이다.
상기 화소전극 및 연결패턴은 몰리브덴-티타늄 합금, 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드 중 어느 하나로 이루어지는 것이 특징이다.
상기 보호층은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어지는 것이 특징이다.
본 발명의 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법은 액정분자의 초기 배열을 위한 배향막을 그라운드 배선과 접촉하도록 하여 잔류 전압을 효과적으로 제거할 수 있다.
이에 의해, 잔상이 제거되며 고품질의 영상을 제공할 수 있다.
또한, 마스크 공정의 증가 없이 잔상의 발생을 제거할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 일반적인 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역을 보여주는 개략적인 도면이다.
도 2는 일반적인 액정표시장치용 어레이 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 V-V 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 화소영역에 대한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 그라운드 배선 부분에 대한 단면도이다.
도 8은 액정표시장치에 있어 배향막의 비저항과 방전되는 전압의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 9a 내지 9f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 화소영역에 대한 공정 단면도이다.
도 10a 내지 10f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 그라운드 배선 부분에 대한 공정 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 개략적인 평면도이다.
도시된 바와 같이, 액정표시장치용 어레이 기판은 다수의 화소영역(P)을 포함하여 영상을 표시하기 위한 표시영역(DA)과 상기 표시영역(DA) 주변의 비표시영역(NDA)이 정의되어 있는 기판(101)을 포함한다.
상기 다수의 화소영역(P)은 제 1 방향으로 연장된 게이트 배선(110)과 상기 게이트 배선(110)과 교차하면서 제 2 방향으로 연장된 데이터 배선(130)에 의해 정의된다. 상기 다수의 화소(P) 각각에는 상기 게이트 배선(110) 및 상기 데이터 배선(130)에 연결된 박막트랜지스터(Tr)와, 상기 박막트랜지스터(Tr)에 연결된 화소전극(140)이 위치하고 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(112)과, 상기 게이트 전극(112) 상부의 반도체층(미도시)과, 상기 반도체층(미도시) 상의 소스 전극(132) 및 드레인 전극(134)으로 이루어진다. 상기 게이트 전극(112)은 상기 게이트 배선(110)에 연결되며, 상기 소스 전극(132)은 상기 데이터 배선(130)에 연결된다.
또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 드레인 전극(1134)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)을 갖는 보호층(미도시)에 의해 덮여지고, 상기 화소전극(150)은 상기 보호층(미도시) 상에 위치하며 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 드레인 전극(134)에 연결된다.
또한, 상기 비표시영역(NDA)에는 상기 게이트 배선(110)과 평행하게 이격되어 있는 그라운드 배선(114)이 위치하고 있으며, 게이트 절연막(미도시) 및 보호층(미도시)이 상기 그라운드 배선(114)을 덮고 있다. 상기 게이트 절연막(미도시) 및 상기 보호층(미도시)은 상기 그라운드 배선(114)의 일부를 노출시키는 그라운드 콘택홀(144)을 포함한다. 도면에서 상기 그라운드 콘택홀(144)이 하나인 것이 보여지나, 상기 그라운드 콘택홀(144)은 두개 이상 형성될 수 있다. 즉, 상기 그라운드 콘택홀(144)은 적어도 하나 이상 형성된다.
도시하지 않았으나, 상기 비표시영역(NDA) 중 상기 그라운드 배선(144)가 형성된 영역과 이웃한 영역에는 상기 게이트 배선(110)의 일끝인 게이트 패드와, 상기 데이터 배선(130)의 일끝인 데이터 패드가 위치하며, 상기 화소전극(150)과 동일한 물질로 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 접촉하는 게이트 패드 전극 및 데이터 패드 전극이 위치한다. 상기 게이트 패드 전극은 상기 게이트 패드를 덮는 게이트 절연막과 보호층을 통해 형성된 게이트 패드 콘택홀을 통해 상기 게이트 패드와 연결되고, 상기 데이터 패드 전극은 상기 데이터 패드를 덮는 보호층을 통해 형성된 데이터 패드 콘택홀을 통해 상기 데이터 패드와 연결된다. 상기 게이트 패드 전극 및 상기 데이터 패드 전극은 각각 외부구동회로에 연결되어 상기 게이트 배선(110) 및 상기 데이터 배선(130)에 신호를 전달하게 된다.
상기 화소전극(150) 및 상기 보호층(미도시)을 덮으며 상기 기판(101) 전면에 대하여 액정분자(미도시)의 초기 배열을 결정하기 위한 배향막(미도시)이 위치한다. 상기 배향막(미도시)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 고분자 물질로 이루어진다. 본 발명에 있어, 상기 배향막(미도시)은 상기 그라운드 콘택홀(144)을 통해 상기 그라운드 배선(144)과 접촉하는 것이 특징이다.
이와 같이 상기 배향막(미도시)이 그라운드 배선(114)과 접지되어 있기 때문에, 상기 배향막(미도시)에 전압이 잔류하지 않게 된다. 따라서, 종래 액정표시장치에서 배향막에 잔류하는 전압에 의한 잔상 문제를 방지할 수 있다.
도 4는 도 3의 IV-IV 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 5는 도 3의 V-V 선을 따라 절단한 단면도이다.
도시된 바와 같이, 투명한 기판(101) 상에 게이트 배선(도 3의 110)과, 게이트 전극(112)과 그라운드 배선(114)이 위치하고 있다. 상기 게이트 배선(110) 및 상기 게이트 전극(112)은 상기 표시영역(도 3의 DA)에 위치하며, 상기 그라운드 배선(114)는 비표시영역(NDA)에 위치한다. 상기 게이트 전극(112)은 상기 게이트 배선(110)에 연결되며, 상기 그라운드 배선(114)은 플로팅(floating)되어 있다. 도시하지 않았으나, 상기 게이트 배선(110)의 일끝은 게이트 패드로 정의된다.
상기 게이트 배선(110), 상기 게이트 전극(112) 및 상기 그라운드 배선(114)을 덮으며, 게이트 절연막(116)이 위치한다.
상기 게이트 절연막(116) 상에는 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹콘택층(120b)을 포함하는 반도체층(120)이 위치한다. 상기 반도체층(120)은 상기 게이트 전극(112)과 중첩한다. 또한, 상기 반도체층(120) 상에는 서로 이격되어 있는 소스 전극(132) 및 드레인 전극(134)이 위치한다. 상기 게이트 전극(112), 상기 게이트 절연막(116), 상기 반도체층(120), 서로 이격하는 상기 소스 전극(132) 및 상기 드레인 전극(134)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
상기 게이트 절연막(116) 상에는 상기 소스 전극(132)과 연결된 데이터 배선(130)이 위치한다. 상기 데이터 배선(130)은 상기 게이트 배선(110)과 교차하여 상기 화소영역(P)을 정의한다.
상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 게이트 절연막(116)을 덮으며 보호층(140)이 위치하고 있다. 상기 보호층(140)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(134)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(140)과 상기 게이트 절연막(116)에는 상기 그라운드 배선(114)을 노출시키는 그라운드 콘택홀(144)이 형성되어 있다.
상기 보호층(140) 상에는 투명 도전성 물질로 이루어지는 화소전극(150)이 각 화소영역(P) 별로 위치하고 있다. 상기 화소전극(150)은 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(134)과 접촉하고 있다.
또한, 상기 보호층(140)과 상기 화소전극(150) 상에는 액정분자(미도시)의 초기 배열을 결정하는 배향막(160)이 위치한다. 예를 들어, 상기 배향막(160)은 폴리이미드로 이루어질 수 있다. 상기 배향막(160)은 상기 기판(101) 전면에 형성되며, 특히 상기 비표시영역(NDA)에서 상기 그라운드 콘택홀(144)을 통해 상기 게이트 배선(110), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)와 플로팅(floating)된 상기 그라운드 배선(114)과 접촉하는 것이 특징이다.
따라서, 상기 화소전극(150)에 인가되는 전압에 의해 상기 배향막(160)에 잔류되는 전압은 이와 접촉하는 상기 그라운드 배선(114)을 통해 방전(discharging)되며, 따라서 종래 액정표시장치에서 배향막에 잔류되는 전압에 의해 잔상이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
위와 같은 구성에서, 상기 그라운드 배선(114)은 상기 그라운드 콘택홀(144)이 형성된 후 상기 화소전극(150) 형성 공정 및 어레이 기판의 운송 공정에서 공기 중에 노출되게 되며, 이에 의해 상기 그라운드 배선(114)이 부식되는 문제가 발생하게 된다. 이러한 경우, 상기 그라운드 배선(114)의 비저항이 증가하게 되기 때문에, 상기 그라운드 배선(114)을 통한 배향막(160)에 잔류되는 전압의 방전에 한계가 발생하게 된다. 이는 상기 그라운드 배선(114)이 상기 게이트 배선(110)과 동일한 물질, 예를 들어 저저항 금속물질인 구리(Cu) 등으로 이루지는데, 공기 중에 노출되어 부식이 발생하게 된다.
본 발명의 제 2 실시예에 의해 위와 같은 문제를 해결하고자 한다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 화소영역에 대한 단면도이고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 그라운드 배선 부분에 대한 단면도이다.
도시된 바와 같이, 투명한 기판(201) 상에 게이트 배선(미도시)과, 게이트 전극(212)과 그라운드 배선(214)이 위치하고 있다. 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 게이트 전극(212)은 표시영역(도 3의 DA)에 위치하며, 상기 그라운드 배선(214)는 비표시영역(NDA)에 위치한다. 상기 게이트 전극(212)은 상기 게이트 배선(미도시)에 연결되며, 상기 그라운드 배선(214)은 플로팅(floating)되어 있다. 도시하지 않았으나, 상기 게이트 배선(미도시)의 일끝은 게이트 패드로 정의된다.
상기 게이트 배선(미도시), 상기 게이트 전극(212) 및 상기 그라운드 배선(214)을 덮으며, 게이트 절연막(216)이 위치한다.
상기 게이트 절연막(216) 상에는 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹콘택층(220b)을 포함하는 반도체층(220)이 위치한다. 상기 반도체층(220)은 상기 게이트 전극(212)과 중첩한다. 또한, 상기 반도체층(220) 상에는 서로 이격되어 있는 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)이 위치한다. 상기 게이트 전극(212), 상기 게이트 절연막(216), 상기 반도체층(220), 서로 이격하는 상기 소스 전극(232) 및 상기 드레인 전극(234)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
상기 게이트 절연막(216) 상에는 상기 소스 전극(232)과 연결된 데이터 배선(230)이 위치한다. 상기 데이터 배선(230)은 상기 게이트 배선(210)과 교차하여 상기 화소영역(P)을 정의한다.
상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 데이터 배선(230) 및 상기 게이트 절연막(216)을 덮으며 보호층(240)이 위치하고 있다. 상기 보호층(240)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(234)을 노출시키는 드레인 콘택홀(242)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(240)과 상기 게이트 절연막(216)에는 상기 그라운드 배선(214)을 노출시키는 그라운드 콘택홀(244)이 형성되어 있다.
상기 보호층(240) 상에는 투명 도전성 물질로 이루어지는 화소전극(250)이 각 화소영역(P) 별로 위치하고 있다. 상기 화소전극(250)은 상기 드레인 콘택홀(242)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(234)과 접촉하고 있다.
또한, 상기 비표시영역(NDA)의 상기 보호층(240) 상에는 상기 그라운드 콘택홀(244)을 통해 상기 그라운드 배선(214)과 접촉하는 연결패턴(252)이 위치하고 있다. 상기 연결패턴(252)은 상기 화소전극(250)과 동일층에 위치하며 동일물질로 이루어진다. 또한, 상기 연결패턴(252)은 상기 화소전극(250)과 플로팅되어 있다. 예를 들어, 상기 화소전극(250) 및 상기 연결패턴(252)은 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi), 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO), 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진다.
상기한 투명 도전성 물질은 상기 게이트 전극(212) 및 상기 그라운드 배선(214)을 이루는 금속물질, 예를 들어 구리(Cu)보다 강한 화학적 특성을 갖기 때문에, 추후 공정에서 상기 연결패턴(252)이 노출되더라도 부식의 문제가 발생하지 않는다. 즉, 본 발명의 제 1 실시예에서는 그라운드 배선(114)이 노출됨으로써 부식이 발생하여 저항 증가의 문제가 발생하지만, 본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 연결패턴(252)이 상기 그라운드 배선(214)을 덮고 있기 때문에 위와 같은 문제를 방지할 수 있다.
또한, 상기 보호층(240)과 상기 화소전극(250), 상기 연결패턴(252) 상에는 액정분자(미도시)의 초기 배열을 결정하는 배향막(260)이 위치한다. 예를 들어, 상기 배향막(260)은 폴리이미드로 이루어질 수 있다. 상기 배향막(260)은 상기 기판(201) 전면에 형성되며, 특히 상기 비표시영역(NDA)에서 상기 연결패턴(252)과 접촉함으로써 상기 게이트 배선(110), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 박막트랜지스터(Tr)와 플로팅(floating)된 상기 그라운드 배선(214)에 전기적으로 연결된다.
따라서, 상기 화소전극(250)에 인가되는 전압에 의해 상기 배향막(260)에 잔류되는 전압은 상기 연결패턴(252) 및 상기 그라운드 배선(214)을 통해 방전(discharging)되며, 따라서 종래 액정표시장치에서 배향막에 잔류되는 전압에 의해 잔상이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
도 8은 액정표시장치에 있어 배향막의 비저항과 방전되는 전압의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 8에서 그래프 A, B, C 각각은 배향막의 비저항을 달리한다. 그래프 B의 배향막의 비저항은 그래프 A의 배향막의 비저항보다 크고, 그래프C의 배향막의 비저항보다 작다.
-5V의 전압이 인가된 경우로, 비저항이 가장 작은 배향막에 대한 그래프A가 가장 빨리 방전(discharging)되며, 비저항이 가장 큰 배향막에 대한 그래프C가 가장 늦게 방전됨을 알 수 있다. 즉, 배향막의 비저항이 작은 경우 잔류 전압이 빨리 제거될 수 있음을 의미한다.
이러한 원리를 이용하여, 본 발명에서는 배향막을 그라운드 배선에 전기적으로 연결시킴으로써, 잔류 전압에 의한 잔상 문제를 해결한다.
이하, 도 9a 내지 9f 및 도 10a 내지 10f를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 공정을 설명한다.
도 9a 내지 9f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 화소영역에 대한 공정 단면도이고, 도 10a 내지 10f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 그라운드 배선 부분에 대한 공정 단면도이다.
도 9a 및 도 10a에 도시된 바와 같이, 기판(201) 상에 제 1 금속물질을 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고 제 1 마스크 공정에 의해 상기 제 1 금속층(미도시)을 패터닝함으로써, 상기 기판(201) 상에 제 1 방향으로 연장되는 게이트 배선(미도시)과, 상기 게이트 배선(미도시)에서 연장되는 게이트 전극(212)과, 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 게이트 전극(212)으로부터 플로팅되며 비표시영역(NDA)에 위치하는 그라운드 배선(214)을 형성한다. 도시하지 않았으나, 상기 게이트 배선(미도시)의 일끝에는 게이트 패드가 형성된다. 상기 제 1 금속물질은 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 구리(Cu), 구리합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어진다.
그리고, 상기 게이트 배선(미도시)과 상기 게이트 전극(212) 및 상기 그라운드배선(214)을 덮는 게이트 절연막(216)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(216)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
다음, 도 9b 및 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(216) 상에 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 순차적으로 증착함으로써 순수 비정질 실리콘 물질층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘 물질층(미도시)을 형성한 후, 상기 순수 비정질 실리콘 물질층과 상기 불순물 비정질 실리콘 물질층을 제 2 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 상기 게이트 절연막(216) 상에 위치하며 상기 게이트 전극(212)에 대응하는 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘 패턴(222)을 형성한다.
다음, 도 9c 및 도 10c에 도시한 바와 같이, 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 9b의 222)과 상기 게이트 절연막(216) 상에 제 2 금속물질을 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 제 3 마스크 공정에 의해 상기 제 2 금속층(미도시)을 패터닝함으로써, 데이터 배선(230)과, 소스 전극(232)과 상기 드레인 전극(234)을 형성한다. 상기 데이터 배선(230)은 제 2 방향으로 연장하여 상기 게이트 배선(210)과 교차함으로써 화소영역(P)을 정의하며, 상기 소스 전극(232)은 상기 데이터 배선(230)으로부터 연장된다. 상기 소스 및 드레인 전극(232, 234)은 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 9b의 222) 상에 위치하며 서로 이격됨으로써, 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 9b의 222)의 중앙부를 노출시킨다. 도시하지 않았으나, 상기 데이터 배선(230)의 일끝에는 데이터 패드가 형성된다. 상기 제 2 금속물질은 저저항 특성을 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금 중 어느 하나일 수 있다.
이후, 상기 이격되는 소스 및 드레인 전극(232, 234) 사이로 노출된 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 9b의 222)을 식각하여 제거함으로써, 서로 이격된 오믹콘택층(220b)을 형성하고, 상기 액티브층(220a)의 중앙을 노출시킨다. 상기 액티브층(220a)과 상기 오믹콘택층(220b)은 상기 반도체층(220)을 구성한다.
상기 게이트 전극(212), 상기 게이트 절연막(216), 상기 반도체층(220), 서로 이격하는 상기 소스 전극(232) 및 상기 드레인 전극(234)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
다음, 도 9d 및 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 배선(230), 상기 소스 전극(232), 상기 드레인 전극(234) 및 상기 게이트 절연막(216) 상에 상기 기판(201) 전체를 덮는 보호층(240)을 형성한다. 상기 보호층(240)은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 무기절연물질은 산화실리콘 또는 질화실리콘이며, 상기 유기절연물질은 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)이다.
이후, 상기 보호층(240)을 제 4 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 상기 드레인 전극(234)을 노출시키는 드레인 콘택홀(242)과 상기 데이터 패드(미도시)를 노출시키는 데이터 패드 콘택홀(미도시)을 형성한다. 또한, 상기 보호층(240) 및 그 하부의 상기 게이트 절연막(216)을 패터닝함으로써, 상기 그라운드 배선(214)을 노출시키는 그라운드 콘택홀(244) 및 상기 게이트 패드(미도시)를 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(미도시)을 형성한다.
다음, 도 9e 및 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 보호층(240) 상에 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성하고 제 5 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 상기 화소영역(P)에 화소전극(250)을 형성하고 상기 비표시영역(NDA)에 연결패턴(252)을 형성한다. 상기 투명 도전성 물질은 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi), 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO), 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide, IZO) 중 어느 하나일 수 있다. 상기 화소전극(250)은 상기 드레인 콘택홀(242)을 통해 상기 드레인 전극(234)에 연결되며, 상기 연결패턴(252)은 상기 그라운드 콘택홀(244)을 통해 상기 그라운드 배선(214)에 연결된다.
동시에, 상기 게이트 패드 콘택홀(미도시)을 통해 상기 게이트 패드(미도시)에 연결되는 게이트 패드 전극(미도시)과 상기 데이터 패드 콘택홀(미도시)을 통해 상기 데이터 패드(미도시)에 연결되는 데이터 패드 전극(미도시)을 형성한다.
다음, 도 9f 및 도 10f에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(250) 및 상기 연결패턴(252) 상에 배향막(260)을 형성한다. 예를 들어, 상기 배향막(260)은 폴리이미드로 이루어질 수 있다. 상기 배향막(260)은 액정분자의 초기 배열을 결정하게 되며, 상기 비표시영역(NDA)에서 상기 연결패턴(252)과 접촉함으로써 상기 그라운드 배선(214)에 전기적으로 연결된다.
이상에서, 화소영역 전체에 대응하여 화소전극이 위치하고 상기 기판과 마주하는 대응 기판(counter substrate)에 공통전극이 위치하여 전계를 형성하는 액정표시장치를 보여주고 있으나, 화소전극과 공통전극은 하나의 기판에 교대로 배열되도록 위치할 수도 있다.
상기와 같은 구성의 액정표시장치용 어레이 기판에서는 상기 화소전극(250)에 인가되는 전압에 의해 상기 배향막(260)에 잔류되는 전압은 상기 연결패턴(252) 및 상기 그라운드 배선(214)을 통해 방전(discharging)되며, 따라서 종래 액정표시장치에서 배향막에 잔류되는 전압에 의해 잔상이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
101, 201: 기판
114, 214: 그라운드 배선
Tr: 박막트랜지스터
140, 240: 보호층
144, 244: 그라운드 콘택홀
150, 250: 화소전극
160, 260: 배향막
252: 연결패턴

Claims (10)

  1. 화소영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 기판과;
    상기 표시영역에 위치하며 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선에 연결되며 상기 화소영역에 위치하는 박막트랜지스터와;
    상기 비표시영역에 위치하며 상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터와 플로팅된 그라운드 배선과;
    상기 화소영역에 위치하며 상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극과;
    액정분자의 초기 배향을 결정하며, 상기 화소전극을 덮고 상기 비표시영역에서 상기 그라운드 배선과 연결되는 배향막
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 그라운드 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 그라운드 배선의 일부를 노출시키는 그라운드 콘택홀과 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 포함하는 보호층을 포함하고,
    상기 화소전극은 상기 보호층 상에 위치하며 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되고, 상기 배향막은 상기 보호층 상에 위치하며 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선과 접촉하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 그라운드 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 그라운드 배선의 일부를 노출시키는 그라운드 콘택홀과 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 포함하는 보호층과;
    상기 보호층 상에 위치하며 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선과 접촉하는 연결패턴을 포함하고,
    상기 화소전극은 상기 보호층 상에 위치하며 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되고, 상기 배향막은 상기 연결패턴과 접촉하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 연결패턴은 몰리브덴-티타늄 합금, 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드 중 어느 하나로 이루어지는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 연결패턴은 상기 화소전극과 동일물질로 일루어지는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 보호층은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어지는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판.
  7. 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역이 정의된 기판 상에 제 1 방향으로 연장하는 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극과, 상기 비표시영역에 상기 게이트 배선 및 상기 게이트 배선과 플로팅된 그라운드 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선, 상기 게이트 전극 및 상기 그라운드 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막 상에, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막 상에 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 데이터 배선과, 상기 반도체층 상에서 서로 이격하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막, 상기 데이터 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호층을 형성하는 단계와;
    상기 보호층을 통해 상기 드레인 전극을 노출하는 드레인 콘택홀과, 상기 보호층 및 상기 게이트 절연막을 통해 상기 그라운드 배선을 노출시키는 그라운드 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 보호층 상에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소전극을 덮으며 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선에 연결되는 배향막을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장칭용 어레이 기판의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 화소전극을 형성하는 단계는 상기 비표시영역에 상기 그라운드 콘택홀을 통해 상기 그라운드 배선과 접촉하는 연결패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 배향막은 상기 연결패턴과 접촉하는 것이 특징인 액정표시장칭용 어레이 기판의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 화소전극 및 연결패턴은 몰리브덴-티타늄 합금, 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드 중 어느 하나로 이루어지는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
  10. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 보호층은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어지는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR1020100086650A 2010-09-03 2010-09-03 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 KR20120023451A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100086650A KR20120023451A (ko) 2010-09-03 2010-09-03 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100086650A KR20120023451A (ko) 2010-09-03 2010-09-03 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120023451A true KR20120023451A (ko) 2012-03-13

Family

ID=46130938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100086650A KR20120023451A (ko) 2010-09-03 2010-09-03 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120023451A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180062517A (ko) * 2016-11-30 2018-06-11 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 이용한 표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180062517A (ko) * 2016-11-30 2018-06-11 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 이용한 표시장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101250319B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
US8148181B2 (en) Method for manufacturing flat display device
US8053802B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101274706B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101163576B1 (ko) 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이 기판 및그 제조 방법
US8592237B2 (en) Method of manufacturing a thin film transistor including forming bus line patterns in a substrate and filling with metal
KR101294237B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
US20060273316A1 (en) Array substrate having enhanced aperture ratio, method of manufacturing the same and display apparatus having the same
KR102374749B1 (ko) 저 저항 배선 구조를 갖는 초고밀도 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101622655B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20020005899A (ko) 횡전계 방식의 액정 표시장치 및 그 제조방법
KR101969568B1 (ko) 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102410616B1 (ko) 박막트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치
KR101307961B1 (ko) 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
KR20120015162A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20120023451A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101848496B1 (ko) 고투과 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100558717B1 (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR20080058036A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100558713B1 (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR101993282B1 (ko) 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR100637061B1 (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR101136207B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20090043213A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102113603B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination