KR20120021472A - Light emitting device and fabrication method thereof - Google Patents

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KR20120021472A
KR20120021472A KR20100074736A KR20100074736A KR20120021472A KR 20120021472 A KR20120021472 A KR 20120021472A KR 20100074736 A KR20100074736 A KR 20100074736A KR 20100074736 A KR20100074736 A KR 20100074736A KR 20120021472 A KR20120021472 A KR 20120021472A
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박덕현
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엘지이노텍 주식회사
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    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies

Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to form white light of high efficiency by widen an activating area of a fluorescent substance which is included in a light emitting device package. CONSTITUTION: A first electrode layer(120) is formed on a first side of a supporting substrate(110). A protective layer(130) is arranged on the first electrode layer. A light emitting structure(150) is arranged on the first electrode layer and the protective layer. The light emitting structure comprises a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer. The active layer is formed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.

Description

발광소자 및 그 제조방법{Light emitting device and fabrication method thereof} Light emitting device and a method of manufacturing {Light emitting device and fabrication method thereof}

실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. Embodiment relates to a light emitting device and a method of manufacturing the same.

발광소자(Light Emitting Device, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다. Light-emitting element (Light Emitting Device, LED) is a device which uses the characteristics of compound semiconductors convert electrical signals in the form of infrared rays, visible rays or light, is used for home appliances, remote controls, electronic board, display, various automated devices, increasingly a trend that is wider working range of the LED.

발광소자 패키지는 발광소자를 실장하고, 발광소자에서 발생하는 광과 발광소자에서 발생하는 광의 종류에 따라 선택된 형광체의 여기 광과의 혼합에 의해 백색광을 구현할 수 있다. A light emitting device may implement white light by mixing the excitation light of the phosphor selected, depending on the type of light generated in the light and the light-emitting device that occurs in the light emitting element, and mounting the light emitting element.

발광소자 패키지에 실장되는 발광소자는 수평형, 수직형, 플립형 등일 수 있으나, 특히 수직형 발광소자의 경우는, 발광소자에서 발생한 광이 수직방향으로 방출되기 때문에 형광체 여기 광이 발광소자의 상부에 집중될 수 있다. A light emitting device mounted on the light emitting device package, the horizontal type, but the like normal-type, flip-up, especially in the case of a vertical-type light emitting device, since the light generated in the light emitting element is emitted in the vertical direction on top of the fluorescent light from the light emitting element here It may be concentrated.

형광체가 여기 되는 면적을 넓힘으로써 고효율 백색광 구현이 가능한 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다. Is a high-efficiency white light implementing a light-emitting device and a method of manufacturing the phosphor to provide as a widening the area to be excited.

실시예에 따른 발광소자는, 지지기판, 지지기판의 제1 면 상에 제1 전극층, 제1 전극층 위주부에 위치하는 보호층 및 제1 전극층 및 보호층 상에 배치되고, 제1 도전성 반도체층, 제2 도전성 반도체층 및 제1 도전성 반도체층과 제2 도전성 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조물을 포함하고, 지지기판은 투광성 지지기판이며, 지지기판의 밴드갭은 2.0eV 내지 4.0eV일 수 있다. A light emitting device according to the embodiment, the support substrate, on a first surface of the supporting substrate a first electrode layer, a is disposed on the protective layer and the first electrode layer and a protective layer located on the periphery above the first electrode layer, the first conductive semiconductor layer a second conductive semiconductor layer and the first comprises a light emitting structure comprising a conductive semiconductor layer and the active layer between the second conductive semiconductor layer, the supporting substrate is a light transmitting supporting substrate, the band gap of the supporting substrate is 2.0eV to 4.0eV work can.

또한, 지지기판의 굴절율은 1.5 내지 2.3일 수 있다. The refractive index of the support substrate may be from 1.5 to 2.3 days.

또한, 지지기판은 지지기판의 제1 면과 반대편에 위치하는 제2 면을 포함하고, 지지기판의 제2 면으로부터 지지기판의 제1 면까지 관통하는 홀을 적어도 하나 포함할 수 있다. Further, the support substrate may include at least one hole and a second surface which is located on the first side and the other side of the support substrate, and the through from the second side of the support substrate to the first surface of the support substrate.

또한, 지지기판의 제2 면에 제2 전극층을 포함하고, 제1 전극층은 적어도 홀의 내부 벽면으로 연장되어, 제2 전극층과 접속할 수 있다. Further, a second electrode layer on the second surface of the supporting substrate, and the first electrode layer extends into the at least inner wall surfaces of holes, it is possible to connect the second electrode layer.

또한, 실시예에 따른 발광소자 제조방법은, 기판상에 적어도 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계, 발광 구조물 상에 보호층과 제1 전극층을 형성하는 단계 및 제1 전극층 및 보호층 상에 지지기판을 형성하는 단계를 포함하고, 지지기판은 투광성 지지기판이며, 지지기판의 굴절율은 2.0eV 내지 4.0eV일 수 있다. Further, the method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment, at least a first conductive semiconductor layer, an active layer and forming a light emitting structure 2 includes a conductive semiconductor layer, a protective layer and a first electrode layer on the light emitting structure on a substrate a step of forming and the step of forming a supporting substrate on the first electrode layer and the protective layer, the supporting substrate is a light transmitting supporting substrate, the refractive index of the support substrate can be 2.0eV to 4.0eV.

또한, 지지기판에 적어도 하나의 홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. It may also include the step of forming at least one hole in the support substrate.

또한, 홀의 적어도 내측 벽면에 도전층을 형성하는 단계 및 지지기판상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 제2 전극층은 제1 전극층과 접속할 수 있다. In addition, the second electrode layer, and a step and forming a second electrode layer on the supporting substrate to form at least a conductive layer on the inner wall of holes can be connected to the first electrode layer.

실시예의 발광소자는 형광체가 여기 되는 면적을 향상시킬 수 있게 되어, 고효율 백색광 구현이 가능하다. Embodiment of the light emitting element is possible to improve the area which is where the phosphor, it is possible to implement high-efficiency white light.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면을 도시한 단면도, Figure 1 is a cross-sectional view showing a cross-section of a light emitting device according to the embodiment,
도 2 내지 도 5는 도 1의 발광 소자의 제조방법을 도시한 도, 그리고 A 2 to 5 show a method of manufacturing the light emitting device of FIG. 1, and
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 도시한 단면도이다. Figure 6 is a sectional view showing a cross-section of a light emitting device package according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of the embodiments, each layer (or film), region, pattern or structure is referred to, which is established for each layer (film), a region, of the pads or patterns, "above (on)", or "below (under)" in in the case that is described as, "above (on)" and "down (under)" may include all that "by interposing another layer (indirectly)" "directly (directly)" or forming. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In addition, based on a position of the layer has been described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. The thickness and size of each layer shown in the drawings may be exaggerated, omitted or schematically drawn for the purpose of convenience or clarity. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The size of each component does not utterly reflect an actual size.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter reference to the drawings in more details an example.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면을 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a cross-section of a light emitting device according to an embodiment.

도 1의 발광소자(100)는 지지기판(110), 지지기판(110)의 제1 면 상에 제1 전극층(120), 제1 전극층(120) 위주부에 위치하는 보호층(130) 및 제1 전극층(120) 및 보호층(130) 상에 발광 구조물(150)을 포함할 수 있다. A light emitting device 100 of Figure 1 is support substrate 110, a first electrode layer 120, a first electrode layer a protective layer 130 which is located in 120, upper periphery on a first surface of the support substrate 110 and the the may include a light emitting structure 150 on the first electrode layer 120 and the protection layer 130.

먼저, 발광구조물(150)은 적어도 제1 도전성 반도체층(151), 활성층(152) 및 제2 도전성 반도체층(153)을 포함할 수 있고, 제1 도전성 반도체층(151)과 제2 도전성 반도체층(153) 사이에 활성층(152)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다. First, the light emitting structure 150 includes at least a first conductive semiconductor layer 151, active layer 152 and the second may comprise a conductive semiconductor layer 153, the first conductive semiconductor layer 151 and the second conductive semiconductor between the layer 153 may be formed of a configuration of the active layer 152 is sandwiched. 또한, 발광 구조물 상에는 요철(154)이 형성될 수 있으며, 전극패드(160)를 포함할 수 있다. In addition, there is a concave-convex section 154 formed on the light emitting structure can be formed, it may include the electrode pad (160).

제1 도전성 반도체층(151)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, n형 반도체층은 GaN층, AlGaN층, InGAN층 등과 같은 GaN계 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first conductive semiconductor layer 151 may be implemented as an n-type semiconductor layer, n-type semiconductor layer may be formed by any of the semiconductor GaN based compound, such as GaN layer, AlGaN layer, InGAN layer, Si, Ge, Sn a n-type dopant, such as may be doped.

제1 도전성 반도체층(151) 상부에는 니켈(Ni) 등으로 이루어지는 전극패드(160)가 위치할 수 있고, 전극패드(160)가 형성되지 않은 제1 도전성 반도체층(151)의 표면 일부 영역 또는 전체 영역에 대해 PEC(photo electro chemical) 등의 방법으로 광 추출효율을 향상시키기 위한 요철(154)을 형성해 줄 수 있다. The first conductive semiconductor layer 151, the upper part of nickel (Ni) such as made of electrode pads 160 may be located, the electrode pad 160 is not formed, the first conductive surface portion of the semiconductor layer 151 or It irregularities 154 to improve the light extraction efficiency, for example by PEC (photo electro chemical) for the whole region can have formed.

제1 도전성 반도체층(151)의 아래에는 활성층(152)이 위치할 수 있다. Under the first conductive semiconductor layer 151 may be the position the active layer 152. 활성층(152)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. The active layer 152 is a region where the electron-hole recombination, and transitions to a lower energy level as the electron-hole recombination, may produce light having a wavelength corresponding thereto.

활성층(152)은 예를 들어, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. An active layer 152, e.g., including a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) It can be formed, and a single quantum well structure or a multiple quantum well structure: can be formed of (MQW multi quantum well).

따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. Accordingly, the more electrons are gathered at a low energy level of the quantum well layer increases as a result, recombination probability of electrons and holes can be improved the luminescence effects. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다. In addition, the quantum wire may also include (Quantum wire) structure or a quantum dot (Quantum dot) structure.

활성층(152) 아래에는 제2 도전성 반도체층(153)이 위치할 수 있다. Under the active layer 152 may be the second conductive semiconductor layer 153 is located. 제2 도전성 반도체층(153)은 p형 반도체층으로 구현되어, 활성층(152)에 정공을 주입할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 153 is implemented as a p-type semiconductor layer, it is possible to inject holes into the active layer 152. 예를 들어 p형 반도체층은 In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. For example, p-type semiconductor layer contains a semiconductor material, for example, having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) It may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba may be doped.

또한 제2 도전성 반도체층(153)의 아래에는 제3 도전성 반도체층(미도시)을 형성할 수도 있다. In addition, under the second conductive semiconductor layer 153, there may be formed a third conductive semiconductor layer (not shown). 여기서 제3 도전성 반도체층은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. The third conductive semiconductor layer may be implemented as an n-type semiconductor layer.

상술한 제1 도전성 반도체층(151), 활성층(152) 및 제2 도전성 반도체층(153)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The above-described first conductive semiconductor layer 151, active layer 152 and the second conductive semiconductor layer 153 is a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), chemical vapor deposition (CVD; Chemical Vapor Deposition), plasma It is formed using a method such as; (hydride vapor Phase epitaxy HVPE), sputtering (sputtering) chemical vapor deposition (PECVD;; Plasma-Enhanced chemical vapor deposition), a molecular beam epitaxy method (MBE Molecular Beam epitaxy), a hydride vapor deposition method It may be, but is not limited thereto.

또한, 상술한 바와는 달리 실시예에서 제1 도전성 반도체층(151)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제2 도전성 반도체층(153)이 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. In addition, the above described is implemented in a first conductive semiconductor layer a semiconductor layer 151, a p-type in different embodiments, the second conductive semiconductor layer 153 and may be implemented as an n-type semiconductor layer, but not always limited thereto .

지지기판(110)은 투광성 기판일 수 있으며, 이에 따라 활성층(152)에서 발생한 광은 발광소자(100)의 수직방향뿐 아니라, 지지기판(110)을 통한 측방향으로도 방출이 가능하다, 따라서, 발광소자(100)가 실장 되는 발광소자패키지(미도시)에 포함될 수 있는 형광체(미도시)의 여기 면적이 넓어져 발광소자패키지(미도시)는 고효율의 백색광 구현이 가능할 수 있다. The support substrate 110 is also possible to emit the light transmitting be a substrate, and thus, as well as the vertical direction of the light emission device 100 generated in the active layer 152, the supporting substrate 110 side through direction, and therefore , the light emitting element 100 is widened in the area where the phosphor (not shown) that may be included in the light emitting device package (not shown) is mounted a light emitting device package (not shown) may be a white light of high-efficiency implementation. 이에 관하여서는 도 6을 참조하여 후술한다. This will be described later with reference to FIG standing about.

지지기판(110)의 밴드갭은 2.0eV 이상일 수 있다. The band gap of the support substrate 110 may be at least 2.0eV. 지지기판(110)의 밴드갭이 2.0eV보다 작은 경우는 활성층(152)에서 발생할 수 있는 적색(R, 618nm), 녹색(G, 520nm), 청색(B, 460nm) 및 자외선(UV, 365nm) 광을 모두 흡수하여 광효율이 저하될 수 있다. If the band gap of the supporting substrate (110) is less than 2.0eV is red (R, 618nm) that may occur in the active layer 152, the green (G, 520nm), blue (B, 460nm) and the ultraviolet (UV, 365nm) to absorb all of the light can be light efficiency is lowered. 또한, 지지기판(110)의 밴드갭이 4.0eV보다 큰 경우는 지지기판(110)의 부도체의 성질이 커지므로, 지지기판(110)의 밴드갭은 2.0eV 내지 4.0eV인 것이 바람직하다. Further, when the band gap of the supporting substrate 110 is greater than 4.0eV is because the increase of the non-conductive nature of the support substrate 110, the band gap of the supporting substrate 110 is preferably from 2.0eV to 4.0eV. 다만, 후술하는 바와 같이 지지기판(110)이 4.0eV을 초과하는 밴드갭을 가져, 절연성에 가까운 경우는 지지기판(110)에 홀(170)을 형성하여 제2 도전성 반도체층(153)과 외부 전극(미도시)을 전기적으로 연결시 킬 수 있다. However, the support substrate, as described below 110 take a bandgap in excess of 4.0eV, if close to the dielectric by forming a hole 170 on the support substrate 110. The second conductive semiconductor layer 153 and the outer an electrode (not shown) can kill when electrically connected.

또한, 지지기판(110)은 제2도전성 반도체층(153)에서 지지기판(110) 방향으로 빛이 이동될 수 있도록 제2도전성 반도체층(153) 봉지재(미도시) 사이의 굴절율인 1.5 ? The support substrate 110 is the refractive index between the second conductive semiconductor layer 153, the support substrate 110 is the direction to the second conductive semiconductor layer so that the light can be moved (153) sealing material (not shown) at 1.5? 2.3일 수 있다. 2.3 may be. 따라서, 제2도전성 반도체층(153)의 큰 굴절율에서 기인한 광의 트랩현상을 방지할 수 있다. Therefore, it is possible to prevent a second light trap phenomenon due to the large refractive index of the conductive semiconductor layer 153.

이러한 지지기판(110)은 SiO, Al 2 O 3 , TiO 2 , TiO, Ti 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , CeO 2 , Gd 2 O 3 , Sm 2 O 3 , MgO, ZnO, NiO, CeF 3 , BaTiO 3 , PrTiO 3 , Zn 1 - x Mg x O, Zn 1 - y BeO, Zn 1 -xy Mg x Be y O, Zn 1 - z Cd z O, ITO, SiNx, MgAl 2 O 4 , AlON, PbF 2 및 LaF 3 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다. The support substrate 110 is SiO, Al 2 O 3, TiO 2, TiO, Ti 2 O 3, HfO 2, Ta 2 O 5, ZrO 2, Y 2 O 3, CeO 2, Gd 2 O 3, Sm 2 O 3, MgO, ZnO, NiO , CeF 3, BaTiO 3, PrTiO 3, Zn 1 - x Mg x O, Zn 1 - y BeO, Zn 1 -xy Mg x Be y O, Zn 1 - z Cd z O, of ITO, SiNx, MgAl 2 O 4 , AlON, PbF 2 and LaF 3 can be formed by at least includes any one.

한편, 지지기판(110)의 두께(T 1 )는 1㎛ ? The thickness of the supporting substrate (110) (T 1) is 1㎛? 1000㎛으로 형성될 수 있다. It may be formed in 1000㎛. 지지기판(110)의 두께(T 1 )가 1㎛보다 얇은 경우는 빛의 산란효과가 감소하고, 발광소자(100)의 제조과정 중 충분한 지지를 할 수 없다. When the thickness (T 1) of the support substrate 110 is thinner than 1㎛ may not be a sufficient support during the manufacturing process of reducing the scattering effect of the light, and the light emitting element 100. The 또한, 지지기판(110)의 두께가 두꺼워질수록 빛의 산란 효과가 증가하나, 이에 따라 하부 전도층(150)과 하부 컨택트층(120)의 거리가 증가하므로, 1㎛ ? In addition, The more the thickness of the support substrate 110 is thickened so one increases the scattering effect of the light, and thus the distance between the bottom conductive layer 150 and a lower contact layer 120 increases, 1㎛? 1000㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. It is formed to a thickness of 1000㎛ preferred.

지지기판(110)과 발광구조물(150) 사이에는 제1 전극층(120) 및 제1 전극층(120) 위주부에 위치하는 보호층(130)이 위치할 수 있다. Between the support substrate 110 and the light emitting structure 150 may be a first electrode layer a protective layer 130 which is located on the upper periphery 120 and the first electrode layer 120 is located.

제1 전극층(120) 및 보호층(130)과 지지기판(110)은 접착층(111)에 의해 부착될 수 있다. The first electrode layer 120 and the protection layer 130 and supporting substrate 110 may be attached by an adhesive layer 111. The 접착층(111)은 SOG(spin on glass) 또는 고온 분위기에서 접착성이 유지되고 용융되지 않도록 고온용 폴리머접착체일 수 있다. The adhesive layer 111 can cheil for high temperature polymer adhesive so as not to melt the adhesive and held in a SOG (spin on glass) or high temperature.

제1 전극층(120)은 투광성을 가질 수 있으며, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. A first electrode layer 120 may have a light-transmitting, ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO ), it may be formed, including the IrOx, RuOx, at least one of RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au and Ni / IrOx / Au / ITO.

보호층(130)은 일 예로 DBR(Distributed Bragg Reflector)층 일 수 있다. The protective layer 130 may be an example (Distributed Bragg Reflector) layer DBR days. 따라서, 활성층(152)에서 발생하고 하부 측 방향으로 이동하는 광이 보호층(130)에서 반사되어 발광소자(100)의 상부로 향할 수 있으므로 광 추출효율이 향상될 수 있다. Accordingly, the light extraction efficiency can be improved because the light moving in the generation and the lower-side direction on the active layer 152 can be directed to the upper portion of the protective layer is reflected by the 130 light-emitting element 100.

다시 도 1을 참조하면, 고온용 폴리머접착체 등에 의해 제1 전극층(120) 및 보호층(130)과 접착하는 지지기판(110)은 지지기판(110)의 제1 면으로부터 지지기판(110)의 제1 면과 반대편에 위치하는 지지기판(110)의 제2 면까지 관통하는 홀(170)을 적어도 하나 포함할 수 있으며, 홀(170)의 적어도 내측벽면에는 도전층(180)이 형성될 수 있다. Again, the support substrate 110 from the first side of the 1, by a polymer adhesive agent for hot first electrode layer 120 and the protective layer 130 and bonding the supporting substrate 110, which is the support substrate (110) of the first surface and may include at least one hole 170 extending through to a second surface of the support substrate 110, and which is located on the other side, at least the inner wall surface of the hole 170, the conductive layer 180 is to be formed can.

또한, 전극층(120)과 접착되는 지지기판(110)의 제1 면과 대향하는 지지기판(110)의 제2 면에는 제2 전극층(190)이 위치할 수 있다. Further, in the second surface of the first surface and the opposite support substrate 110 of the support substrate 110 is bonded to the electrode layer 120 may be the second electrode layer 190 is located.

도전층(180)은 제1 전극층(120)과 동일한 재질, 즉 투광성 물질로 형성될 수 있고, 도전층(180)에 의해 제1 전극층(120)과 제2 전극층(190)은 전기적으로 접속할 수 있다. Conductive layer 180 is the same material as the first electrode layer 120, or may be formed of a translucent material, the first electrode layer 120 and the second electrode layer 190 by the conductive layer 180 is electrically connected have. 다시 말해, 제1 전극층(120)은 적어도 홀(170)의 내측 벽면으로 연장되어 도전층(180)을 이루며, 제2 전극층(190)과 접속할 수 있다. In other words, the first electrode layer 120 may extend to the inside wall surface of the at least hole 170 forms a conductive layer 180, connected to the second electrode layer (190). 이에 의해, 외부의 전극(미도시)과 제2 도전성 반도체층(153)은 전기적으로 도통할 수 있게 된다. As a result, (not shown) of the external electrode and the second conductive semiconductor layer 153 is able to be electrically connected to.

제2 전극층(190)은 제1 전극층(120)과 같이 투광성 재질로 형성될 수 있을 뿐만 아니라, 발광 구조물(150)의 활성층(152)에서 발생한 광 중 일부가 지지기판(110)을 투과하여 하부로 진행한 경우, 이를 반사하여 발광소자(100)의 광 추출효율을 향상시킬 수 있도록 광반사도가 높은 재질로도 형성할 수 있다. A second electrode layer lower by 190 is transmitted through the active layer 152. Some of the the support substrate 110, generated in the first electrode layer, but also may be formed of a translucent material, such as 120, the light emitting structure 150 If one goes to, may also be made of a material with high light reflectivity so that it is reflected to improve light extraction efficiency of the light emitting device 100. the 이러한 제2 전극층은 Ag, Al ,Pt ,Ni, Au, Pd 및 Rh 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. This second electrode layer may include at least any one of Ag, Al, Pt, Ni, Au, Pd and Rh.

도 2 내지 도 5는 도 1의 발광소자의 제조방법을 도시한 도이다. 2 to 5 is a diagram showing a method of manufacturing a light emitting device of FIG.

도 2를 참조하면, 기판(101) 상에 발광 구조물(150) 및 보호층(130)을 형성한다. 2, to form a light emitting structure 150 and the protective layer 130 on the substrate 101.

기판(101)은 사파이어 기판(Al 2 0 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 도면에 도시하지는 않았으나 기판(101)과 발광 구조물(150) 사이에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. The substrate 101 is a sapphire substrate (Al 2 0 3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, and may be selected from the group consisting of GaAs or the like, although not shown in the drawing the substrate 101 and the light emitting structure between 150 may be formed of a buffer layer (not shown).

버퍼층(미도시)은 3족과 5족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도펀트가 도핑될 수도 있다. A buffer layer (not shown), and group III and group V elements are combined form, or may be made by any one from among GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, may be the dopant is doped.

이러한 기판(101) 또는 버퍼층(미도시) 위에는 언도프드 반도체(미도시)층이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)과 언도프드 반도체층(미도시) 중 어느 한 층 또는 두 층 모두 형성하거나 형성하지 않을 수도 있으며, 이러한 구조에 대해 한정되지는 않는다. The substrate 101 or the buffer layer (not shown) on top of an undoped and a semiconductor (not shown) layer may be formed, a buffer layer (not shown) and an undoped forming all semiconductor layers (not shown) of any one layer or two layers or It may not be formed, but is not limited to these structures.

발광 구조물(150)은 적어도 제1 도전성 반도체층(151), 활성층(152) 및 제2 도전성 반도체층(153)을 포함할 수 있으며, 이는 도 1에서 상술한 바와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. A light emitting structure 150 is at least a can 1 including the conductive semiconductor layer 151, active layer 152 and the second conductive semiconductor layer 153, which it is also the same as described above in 1, detailed description thereof will be omitted.

보호층(130)은 발광 구조물(150) 상에 굴절율이 상이한 복수의 층을 교번적으로 반복 적층하여 형성할 수 있다. The protective layer 130 may be formed by repeatedly laminating a plurality of layers of different refractive index on the light emitting structure 150 alternately. 즉, 저굴절율을 가지는 층과 고굴절율을 가지는 층을 교대로 반복 적층하여 특정 파장대의 광에서 95% 이상의 반사율을 얻을 수 있는 반도체 적층 구조로 이루어질 수 있다. That is, the high and low refractive index layer having a repeated layer having the refractive index are alternately laminated may be formed of a semiconductor laminated structure to obtain a 95% reflectance in a specific wavelength band light. 따라서, 활성층(152)에서 발생한 광을 직접적으로 반사하여 발광소자(100)의 광추출효율을 향상시킬 수 있다. Therefore, it is possible to improve the extraction efficiency of the light emitting device 100 to reflect the light generated in the active layer 152 directly.

이어서 도 3과 같이, 보호층(130) 사이에 제1 전극층(120)을 형성한다. Then to form the first electrode layer 120 in between as shown in Figure 3, the protection layer 130. 제1 전극층(120)은 투과성 재질로 형성될 수 있음은 도 1에서 설명한 바와 같다. The may be formed of a transparent material is first electrode layer 120 are the same as described in FIG. 한편, 상술한 보호층(130) 및 제1 전극층(120)의 형성 순서는 서로 바뀌어도 무방하다. On the other hand, the formation order of the above-mentioned protective layer 130 and the first electrode layer 120 but may bakkwieodo each other.

제1 전극층(120) 및 보호층(130)을 형성한 후에는 제1 전극층(120) 및 보호층(130) 위에 지지기판(110)을 형성할 수 있다. After forming the first electrode layer 120 and protective layer 130 may be formed in the support substrate 110 on the first electrode layer 120 and the protection layer 130. 지지기판(110)은 고온용 폴리머접착체 등으로 형성될 수 있는 접착층(111)에 의해 접착할 수 있다. The support substrate 110 may be bonded by an adhesive layer 111 that can be formed with polymer such as adhesive agent for a high temperature. 지지기판(110)은 투광성 기판으로 형성될 수 있어, 광은 발광소자(100)의 수직방향뿐 아니라, 지지기판(110)을 통한 측방향으로도 방출이 가능하다. The supporting substrate 110 can be formed in the transparent substrate, the light also can be released to the side through not only the vertical direction of the light emitting element 100, a support substrate (110) direction.

다음, 도 4를 참조하면, 지지기판(110)에 적어도 하나의 홀(170)을 형성할 수 있다. Referring to Figure 4, it is possible to form at least one hole 170 on the support substrate 110. The 홀(170)은 지지기판(110)과 접착층(111)을 관통하여 형성되며, 도 4에서 도시하는 바와 같이 도전층(180)이 형성될 수 있다. Hole 170 is formed through the support substrate 110 and the adhesion layer 111, may be a conductive layer 180 is formed as shown in FIG. 도전층(180)은 적어도 홀(170)의 내측 벽면에 형성될 수 있으며, 도전층(180)은 제1 전극층(120)과 동일한 재질로 형성되어 투광성을 가질 수 있다. Conductive layer 180 may be formed on the inner wall surface of the hole at least 170, conductive layer 180 may have a light transmitting property is formed from the same material as the first electrode layer 120.

홀(170)이 형성되고, 홀(170)의 적어도 내측 벽면에 도전층(180)이 형성된 지지기판(110)의 상에는 제2 전극층(190)이 형성될 수 있다. A hole the second electrode layer 190 formed on the supporting substrate 110, 170 is formed and the conductive layer 180 is formed on at least the inner wall surface of the hole 170 can be formed. 제2 전극층(190)과 제1 전극층(120)은 도전층(180)에 의해 전기적으로 접속할 수 있다. A second electrode layer 190 and the first electrode layer 120 may be electrically connected by the conductive layer 180. 또한, 제2 전극층(190)은 Ag, Al, Pt, Rh 등의 광반사도가 높은 재질로 형성할 수 있다. In addition, the second electrode layer 190 may be formed of a material with high light reflectivity, such as Ag, Al, Pt, Rh.

한편, 지지기판(110)이 형성되면, 상술한 기판(101)을 제거하게 된다. On the other hand, when the support substrate 110 is formed, thereby removing the above-mentioned substrate 101. 여기서, 기판(101)은 물리적 또는/및 화학적 방법으로 제거할 수 있으며, 물리적 방법은 일 예로 LLO(laser lift off) 방식으로 제거할 수 있다. Here, the substrate 101 may be removed by physical and / or chemical methods, a physical method may be for example removing the LLO (laser lift off) scheme. 도시하지는 않았으나, 기판(101)의 제거 후 발광 구조물(150)의 위에 배치된 버퍼층(미도시)을 제거해 줄 수 있다. After removal of not Although the substrate 101 shown can have removed the buffer layer (not shown) disposed over the light emitting structure 150. 이때 버퍼층(미도시)은 건식 또는 습식 식각 방법, 또는 연마 공정을 통해 제거할 수 있다. The buffer layer (not shown) can be removed through a dry or wet etching method, or the polishing process.

다음으로 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 구조물(150)의 외곽부 영역에 에칭을 수행하여 보호층(130)의 일부가 드러나도록 할 수 있다. As next shown in Figure 5, it is possible to perform etching so that the outer frame unit area of ​​the light emitting structure 150 to expose a portion of the protection layer 130. 이때 보호층(130)은 상술한 바와 같이 활성층(152)에서 발생한 광을 직접적으로 반사할 뿐만 아니라, 발광 구조물(150)의 에칭시 에칭 스탑층의 역할도 할 수 있다. The protection layer 130 may be to act as etch stop layer during etching of not only reflecting the light directly, the light emitting structure 150 generated in the active layer 152 as described above.

이어서, 제1 도전성 반도체층(151)의 표면 일부 영역 또는 전체 영역에 대해 PEC(photo electro chemical) 등의 소정의 식각 방법으로 요철(154)을 형성해 줄 수 있으며, 이러한 제1 도전성 반도체층(151)의 표면에 전극패드(160)를 형성할 수 있다. Then, the first, and can form a concave-convex section 154 by a predetermined etching method such as PEC (photo electro chemical) to the surface, some areas or the entire area of ​​the first conductive semiconductor layer 151, such a first conductive semiconductor layer (151 on the surface of a) to form an electrode pad (160). 여기서 요철(154) 구조는 반드시 형성하지 않을 수도 있으나, 형성하는 경우는 도 5에서 도시한 구조로 한정하지는 않는다. Here, the embodiment is not limited to the concave-convex section 154, but the structure may not be formed, and forming the structure shown in Figure 5, if applicable.

도 6은 실시예에 따른 발광소자패키지의 단면을 도시한 단면도이다. Figure 6 is a sectional view showing a cross-section of a light emitting device package according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)의 바닥면에 실장된 광원부(320) 및 캐비티에 충진되는 봉지재(330)를 포함할 수 있고, 봉지재(330)는 형광체(340)를 포함할 수 있다. 6, the light emitting device package 300 according to the embodiment may include a light source 320 and the encapsulant 330 filled in the cavity mounted in the bottom surface of the body 310, body 310, a cavity formed It may include, encapsulation material 330 may include a phosphor 340.

몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al 2 O 3 ), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. Body 310 includes a polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide) resin material such as, silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), a liquid crystal polymer (PSG, photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T ), new geo-isotactic polystyrene (SPS), metal materials, sapphire (Al 2 O 3), beryllium oxide (BeO), is a printed circuit board (PCB, printed circuit board), it may be formed of at least one of ceramic. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. Body 310 can be formed by injection molding, etching process, but the embodiment is not limited thereto.

몸체(310)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. The inner surface of the body 310 may be inclined surface is formed. 이러한 경사면의 각도에 따라 광원부(320)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The angle of this inclined surface and the reflection angle of light emitted from the light source 320 may vary, and thus may adjust the beam angle of light emitted to the outside.

몸체(310)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. Shape when viewed a cavity formed in the body 310 from above, but is not be a circle, square, and may be a shape of a polygon, an ellipse or the like, particularly the corner curved shape is not limited thereto.

광원부(320)는 몸체(310)의 바닥면에 실장되며, 일 예로 광원부(320)는 도 1 내지 도 5에서 도시하고 설명한 발광 소자일 수 있다. The light source 320 is mounted on the bottom surface of body 310, In one embodiment the light source 320 may be a light-emitting device shown and described in 1 to 5 degrees. 발광 소자는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. A light emitting element, for example, red, green, blue, and may be a UV (Ultra Violet) light emitting element that emits ultraviolet light or colored light emitting device that emits light, such as white, but the embodiment is not limited thereto. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다. Further, the light emitting devices can be mounted above one.

발광소자는 도 1 내지 도 5에서 상술한 바와 같이, 투광성 기판과 기판 상의 발광구조물을 포함할 수 있다. The light emitting device can be, it includes a light emitting structure on the light-transmitting substrate and the substrate as described above in 1 to 5 degrees. 따라서, 발광구조물의 활성층에서 발생한 광은 발광소자의 상측방향 뿐 아니라, 기판의 측 방향으로도 광의 방출이 가능해지며, 이에 따라, 특히 광원부(320)의 측면에 위치하는 형광체(340)에 의한 여기 광이 증가할 수 있다. Accordingly, light generated in the active layer of the light emitting structure, as well as an upward direction of the light emitting element, becomes also enables the emission of light in the lateral direction of the substrate, so that, here in particular by the phosphor 340, which is located on the side of the light source 320, the light can be increased. 따라서, 실시예에 따른 발광소자패키지(300)는 고효율 백색광 구현이 가능할 수 있다. Thus, the light emitting device package 300 according to the embodiment may be a high-efficiency white light implementation.

한편, 몸체(310)는 제1 전극(352) 및 제2 전극(354)을 포함할 수 있다. Meanwhile, the body 310 may include a first electrode 352 and second electrode 354. 제1 전극(352) 및 제2 전극(354)은 광원부(320)와 전기적으로 연결되어 광원부(320)에 전원을 공급할 수 있다. The first electrode 352 and second electrode 354 may supply power to the light source 320 and is electrically connected to the light source 320.

제1 전극(352) 및 제2 전극(354)은 서로 전기적으로 분리되며, 광원부(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 광원부(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다. The first electrode 352 and second electrode 354 are electrically separated from each other, by reflecting the light emitted from the light source unit 320 may increase the light efficiency, and also outside the heat generated from the light source 320, as can be discharged.

도 6에는 광원부(320)가 제2 전극(354) 상에 설치되고, 제1 전극(352)에는 와이어로 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정되지 않으며, 광원부(320)와 제1 전극(352) 및 제2 전극(354)은 와이어 본딩 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 6 shows the light source 320 is installed on the second electrode 354, the first electrode 352 is one showing that the bonding of a wire, is not limited to this, the light source 320 and the first electrode 352 and a second electrode 354 may be electrically connected by any one of a wire bonding method, a flip chip scheme or a die bonding scheme.

이러한 제1 전극(352) 및 제2 전극(354)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. The first electrode 352 and second electrode 354 is a metal material, e.g., titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chrome (Cr), tantalum ( Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (in), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium ( Ge), hafnium (Hf), ruthenium (may include at least one material or an alloy from Ru), iron (Fe). 또한, 제1 전극(352) 및 제2 전극(354)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. In addition, the first electrode 352 and second electrode 354 may be formed to have a single-layer or multi-layer structure, but the embodiment is not limited thereto.

봉지재(330)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(340)를 포함할 수 있다. Encapsulation material 330 may be filled in the cavity and may include a fluorescent material 340. The 봉지재(330)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. Encapsulation material 330 may be formed of a transparent silicone, epoxy, and other resin materials, and then filled in the cavity, it may be formed in a manner that ultraviolet rays or heat curing.

형광체(340)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. Phosphor 340 is the type is selected according to the wavelength of light emitted from the light source 320 may be a light emitting device package 300 is to implement the white light.

봉지재(330)에 포함되어 있는 형광체(340)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. Sealing the phosphor 340 contained in the material 330 is a blue light-emitting phosphor according to the wavelength of light emitted from the light source unit 320, a cyan-emitting phosphor, green light-emitting fluorescent substance, a yellow green light-emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, a yellow-red light-emitting fluorescent substance, It has one of the orange-emitting phosphor, and red light-emitting phosphor can be applied.

즉, 형광체(340)는 광원부(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. That is, the phosphor 340 is excited by the light having the first light emitted from the light source unit 320 may generate a second light. 예를 들어, 광원부(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(340)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다. For example, the light source 320 is a blue LED and the phosphor 340 is a yellow phosphor which case, the yellow phosphor is excited by the blue light can emit yellow light, blue light, and a blue light generated from the blue light emitting diode a light emitting device as the yellow light by a mixed color occurs here, the package 300 may provide white light.

이와 유사하게, 광원부(320)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(340)를 혼용하는 경우, 광원부(320)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다. Similarly, the light source unit 320 when the green light emitting diode if the mixing of the phosphor 340 of the magenta phosphor or a blue and red, the light source 320 when the red light emitting diode is a Cyan phosphor or the blue and green phosphor there may be mentioned a case of mixing an example.

이러한 형광체(340)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다. The phosphor 340 may be known, such as YAG-based, TAG-based, sulfide-based, silicate-based, aluminate-based, nitride-based, carbide-based, nitrido silicate-based, borate-based, fluoride-based, phosphate-based.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(300)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(300)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. Exemplary light emitting device package 300 according to the embodiment may be a plurality are arrayed on a substrate, it is disposed an optical member of the light guide plate, prism sheet, diffusion sheet and the like on the optical path of the light emitting device package 300.

이러한 발광소자 패키지(300), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. The light emitting device package 300, a substrate, and optical members may function as a light unit. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(300)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. Another embodiment may be implemented in a display device, indication device, an illumination system including a light emitting device 100 or light emitting device package 300 according to examples of the above-described embodiments, for example, the illumination system lamp, street light the can be included.

실시예에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다. A light emitting device and a light emitting device package according to the embodiment may include all or a portion of the embodiment, rather than with the configuration and method of the embodiments described as above can be applied to limited, are the respective embodiments so that various modifications may be made optionally in combination it may be constructed.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다. In been shown and described with respect to preferred embodiments above, the present invention is to be understood shall not be limited to the examples of the above-mentioned specific, Field of the art without departing from the subject matter of the present invention invention claimed in the claims It is possible that various modifications carried out by those well, this modified embodiment would not restricted to individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.

100 : 발광소자 101 : 기판 100: light emitting device 101: substrate
110 : 지지기판 120 : 제1 전극층 110: support substrate 120: first electrode layer
130 : 보호층 170 : 홀 130: Protective layer 170: hole
180 : 도전층 190 : 제2 전극층 180: conductive layer 190: second electrode layer

Claims (15)

  1. 지지기판; A support substrate;
    상기 지지기판의 제1 면 상에 제1 전극층; A first electrode layer on the first surface of the supporting substrate;
    상기 제1 전극층 위주부에 위치하는 보호층; The protective layer which is located above the periphery of the first electrode layer; And
    상기 제1 전극층 및 상기 보호층 상에 배치되고, 제1 도전성 반도체층, 제2 도전성 반도체층 및 상기 제1 도전성 반도체층과 상기 제2 도전성 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광 구조물;을 포함하고, Includes; a light emitting structure including an active layer between the first electrode layer and being disposed on the protective layer, the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer ,
    상기 지지기판은 투광성 지지기판이며, 상기 지지기판의 밴드갭은 2.0eV 내지 4.0eV인 발광소자. The light emitting device wherein the supporting substrate is a light transmitting supporting substrate, and the bandgap of the supporting substrate is 2.0eV to 4.0eV.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 지지기판의 굴절율은 1.5 내지 2.3인 발광소자. The light emitting device refractive index of the supporting substrate is from 1.5 to 2.3.
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 지지기판은 상기 지지기판의 제1 면과 반대편에 위치하는 제2 면을 포함하고, 상기 지지기판의 제2 면으로부터 상기 지지기판의 제1 면까지 관통하는 홀을 적어도 하나 포함하는 발광소자. It said support substrate is a light emitting element to the support includes at least one hole penetrating through the first surface of the substrate from the second side of the supporting substrate, and a second surface which is located on the first side and the other side of the supporting substrate.
  4. 제3항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 지지기판의 제2 면에 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 적어도 상기 홀의 내부 벽면으로 연장되어, 상기 제2 전극층과 접속하는 발광소자. The support is a second electrode layer on the second surface of the substrate, and extend the first electrode layer is at least in the hole inner wall surface, a light emitting device connected with the second electrode layer.
  5. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 지지기판은 SiO, Al 2 O 3 , TiO 2 , TiO, Ti 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , CeO 2 , Gd 2 O 3 , Sm 2 O 3 , MgO, ZnO, NiO, CeF 3 , BaTiO 3 , PrTiO 3 , Zn 1 - x Mg x O, Zn 1 - y BeO, Zn 1 -xy Mg x Be y O, Zn 1 - z Cd z O, ITO, SiNx, MgAl 2 O 4 , AlON, PbF 2 및 LaF 3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자. The support substrate is SiO, Al 2 O 3, TiO 2, TiO, Ti 2 O 3, HfO 2, Ta 2 O 5, ZrO 2, Y 2 O 3, CeO 2, Gd 2 O 3, Sm 2 O 3, MgO, ZnO, NiO, CeF 3 , BaTiO 3, PrTiO 3, Zn 1 - x Mg x O, Zn 1 - y BeO, Zn 1 -xy Mg x Be y O, Zn 1 - z Cd z O, ITO, SiNx a light emitting element including at least any one of MgAl 2 O 4, AlON, PbF 2 , and LaF 3.
  6. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 지지기판의 두께는 1 내지 1000㎛인 발광소자. The light emitting device thickness of the supporting substrate 1 to 1000㎛.
  7. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    제2 전극층은 Ag, Al ,Pt ,Ni, Au, Pd 및 Rh 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자. A second electrode layer is a light emitting device includes at least one of Ag, Al, Pt, Ni, Au, Pd and Rh.
  8. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 보호층은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층인 발광소자. The protective layer is a light emitting element layer (Distributed Bragg Reflector) DBR.
  9. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 발광 구조물의 상면은 요철구조를 포함하는 발광소자. The upper surface of the light emitting structure is a light emitting device comprising a concave-convex structure.
  10. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1 전극층은 투광성 전극층인 발광소자. The light emitting device wherein the first electrode is the transparent electrode layer.
  11. 기판상에 적어도 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계; Forming a light emitting structure including at least a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer on a substrate;
    상기 발광 구조물 상에 보호층과 제1 전극층을 형성하는 단계; Forming a protective layer and a first electrode layer on the light emitting structure; And
    상기 제1 전극층 및 상기 보호층 상에 지지기판을 형성하는 단계;를 포함하고, Includes; said first electrode layer, and forming a support substrate on the protective layer
    상기 지지기판은 투광성 지지기판이며, 상기 지지기판의 굴절율은 2.0eV 내지 4.0eV인 발광소자 제조방법. Said support substrate is a light transmitting supporting substrate, the refractive index of the supporting substrate is 2.0eV to 4.0eV of the light emitting device manufacturing method.
  12. 제11항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 지지기판에 적어도 하나의 홀을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법. A light emitting device manufacturing method including, forming at least one hole in the support substrate.
  13. 제12항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 홀의 적어도 내측 벽면에 도전층을 형성하는 단계; Forming a hole at least a conductive layer on the inner wall surface; And
    상기 지지기판상에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고, Includes,; and forming a second electrode layer on the support substrate
    상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층과 접속하는 발광소자 제조방법. The second electrode production method for a light emitting device connected with the first electrode layer.
  14. 제13항에 있어서, 14. The method of claim 13,
    상기 기판을 제거하는 단계; Removing the substrate;
    상기 보호층이 드러나도록 상기 발광 구조물의 외곽부 영역을 에칭하는 단계; Etching the outer frame unit area of ​​the light emitting structure to expose the protective layer; And
    상기 발광 구조물의 상기 제1 도전성 반도체층에 요철을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법. A light emitting device manufacturing method including, forming the unevenness on the first conductive semiconductor layer of the light emitting structure.
  15. 제11항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 지지기판의 굴절율은 1.5 내지 2.3인 발광소자 제조방법. The refractive index of the supporting substrate is from 1.5 to 2.3, a light emitting device manufacturing method.
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