KR20110127318A - Manufacturing method of led bare chip - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an LED bare chip is provided to reduce manufacturing costs by manufacturing a thermoelectric element and a light emitting device in one manufacturing process. CONSTITUTION: A thermoelectric element is formed(S1). A light emitting device, which emits light, is formed after the thermoelectric element is formed(S2). The thermoelectric element and the light emitting device are welded(S3). The thermoelectric element and the light emitting device are welded by a TSV(Through Silicon Via) or a solder ball. A welded thermoelectric element and light emitting device are bonded with the substrate of the light emitting device by a wire.

Description

엘이디 베어칩 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF LED BARE CHIP}MANUFACTURING METHOD OF LED BARE CHIP}

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 펠티어 효과를 이용하여 반도체 발광소자에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하는 LED 베어칩을 제조하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a technology for manufacturing an LED bare chip using the Peltier effect to efficiently emit heat generated in the semiconductor light emitting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode;이하 LED라 함)는 화합물반도체 박막을 기판상에 증착하여 전계 효과로 발광을 실현하는 소자로서, 최근 조명용, 통신용 및 각종 전자기기의 표시부로 활발히 사용되고 있는 소자이다.Light emitting diodes (hereinafter referred to as LEDs) are devices that realize light emission by electric field effect by depositing a compound semiconductor thin film on a substrate, and have recently been actively used as displays for lighting, communication, and various electronic devices.

LED의 다양한 응용분야 중 LCD와 같은 박막형 TV에 사용되는 백라이트 유닛(Back Light Unit;BLU)과 형광등을 대체할 수 있는 조명용 분야에 대한 각 연구자들의 노력이 매우 활발하게 진행되고 있다. 이들의 응용분야에 LED가 적용되기 위하여 LED의 구조, 재료, 패키지(package)에 대한 연구가 매우 활발히 진행중이다. LED의 기능발현은 전자와 정공이 주입되고 이들이 결합, 해리 시 에너지를 빛의 형태로 발산하는 과정이다. 이때 다수의 에너지는 열로서 방출되는데 발생되는 열은 패키지 제조시 적절한 히트 싱크(heat sink)에 의해 완화될 수 있다. 그러나 근본적으로 LED 칩 내부에서의 발열을 억제하는 장치는 현재 없는 실정이고, 다만 이를 위해 배치와 구조 변화를 통하여 이를 해결하면서 고출력을 얻고자 하는 시도가 진행되고 있다. 이와 같은 발열 저감 장치가 완벽하지 못할 경우 LED 출력이 제한되고 패키지 설계의 자유도가 감소하며 각종 구조에 의해 발광 및 추출 효율이 감소되는 악영향을 미치기도 한다.
Among various applications of LED, each researcher's efforts are very active in the field of back light unit (BLU) used in thin-film TV such as LCD and lighting field that can replace fluorescent lamp. In order to apply LEDs to these applications, studies on LED structures, materials, and packages are being actively conducted. The function expression of LED is the process of injecting electrons and holes and dissipating energy in the form of light when they are combined and dissociated. Multiple energy is then released as heat and the heat generated can be alleviated by a suitable heat sink in the manufacture of the package. However, there is currently no device for suppressing heat generation inside the LED chip, but for this purpose, an attempt is made to obtain high power while solving this through a change in arrangement and structure. If the heat reduction device is not perfect, the LED output is limited, the freedom of package design is reduced, and the light emission and extraction efficiency may be reduced by various structures.

열전소자와 발광소자를 접합시켜 일체화하여 발광소자에서 발생하는 열을 발광소자를 통해 방출하는 LED 베어 칩 제조방법이 제안된다.There is proposed a method of manufacturing an LED bare chip in which a thermoelectric element and a light emitting element are bonded to each other to emit heat generated from the light emitting element through the light emitting element.

본 발명의 일 양상에 따른 LED 베어 칩 제조방법은, 열전 소자를 형성하는 과정; 상기 열전 소자가 형성된 후 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정; 및 상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정을 포함한다.LED bare chip manufacturing method according to an aspect of the present invention, forming a thermoelectric element; Forming a light emitting device emitting light after the thermoelectric device is formed; And bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element.

상기 열전 소자를 형성하는 과정은, 제 1 기판 위에, 실리콘 메탈 또는 세라믹을 증착하여 바닥 배선 패턴 증착층을 형성하는 과정; 상기 형성된 바닥 배선 패턴 증착층의 일부를 제거하여, 바닥 배선 패턴을 형성하는 과정; 상기 바닥 배선 패턴 위에 제 1 반도체 층을 증착하는 과정; 상기 제 1 반도체 층의 증착이 완료되면 제 1 반도체 층 위에 제 1 반도체 포토 레지스트 패턴을 형성하는 과정; 상기 형성된 제 1 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 제 1 반도체 층의 일부를 제거하여, 제 1 반도체를 형성하는 과정; 상기 바닥 배선 패턴 위에 제 2 반도체 층을 증착하는 과정; 상기 제 2 반도체 층의 증착이 완료되면 제 2 반도체 층 위에 제 2 반도체 포토 레지스트 패턴을 형성하는 과정; 상기 형성된 제 2 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 제 2 반도체 층의 일부를 제거하여, 제 2 반도체를 형성하는 과정; 상기 형성된 제 1 반도체 및 제 2 반도체 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 상부 배선 패턴 증착층을 형성하는 과정; 상기 형성된 상부 배선 패턴 증착층의 일부를 제거하여, 상부 배선 패턴을 형성하는 과정; 및 상기 상부 배선 패턴 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 제 2 기판을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.The forming of the thermoelectric element may include forming a bottom wiring pattern deposition layer by depositing silicon metal or ceramic on a first substrate; Removing a portion of the formed bottom wiring pattern deposition layer to form a bottom wiring pattern; Depositing a first semiconductor layer on the bottom wiring pattern; Forming a first semiconductor photoresist pattern on the first semiconductor layer when the deposition of the first semiconductor layer is completed; Removing a portion of the first semiconductor layer according to the formed first semiconductor photoresist pattern to form a first semiconductor; Depositing a second semiconductor layer on the bottom wiring pattern; Forming a second semiconductor photoresist pattern on the second semiconductor layer when the deposition of the second semiconductor layer is completed; Removing a portion of the second semiconductor layer according to the formed second semiconductor photoresist pattern to form a second semiconductor; Forming an upper wiring pattern deposition layer by depositing any one of silicon, metal, and ceramic on the formed first and second semiconductors; Removing a portion of the formed upper wiring pattern deposition layer to form an upper wiring pattern; And depositing any one of silicon, metal, and ceramic on the upper wiring pattern to form a second substrate.

상기 열전 소자가 형성된 후 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정은, 제 3 기판 위에 제 1 금속층을 증착하는 과정; 상기 증착된 제 1 금속층 위에 제 3 반도체층 형성을 위한 제 3 반도체 패턴을 형성하는 과정; 상기 형성된 제 3 반도체 패턴 위에 제 3 반도체 층을 증착하는 과정; 상기 증착된 제 3 반도체 층 위에 발광층 패턴을 형성하는 과정; 상기 형성된 발광층 패턴 위에 발광층을 증착하는 과정; 상기 증착된 발광층 위에 제 4 반도체층 형성을 위한 제 4 반도체 패턴을 형성하는 과정; 및 상기 형성된 제 4 반도체 패턴 위에 제 4 반도체를 증착하는 과정을 포함할 수 있다.Forming a light emitting device that emits light after the thermoelectric element is formed may include: depositing a first metal layer on a third substrate; Forming a third semiconductor pattern for forming a third semiconductor layer on the deposited first metal layer; Depositing a third semiconductor layer on the formed third semiconductor pattern; Forming a light emitting layer pattern on the deposited third semiconductor layer; Depositing a light emitting layer on the formed light emitting layer pattern; Forming a fourth semiconductor pattern for forming a fourth semiconductor layer on the deposited light emitting layer; And depositing a fourth semiconductor on the formed fourth semiconductor pattern.

상기 제 3 기판은 샤파이어 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다.The third substrate may be a sapphire substrate or a silicon substrate.

상기 제 3 반도체 층이 P형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 N형 반도체 층이고, 제 3 반도체 층이 N형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 P형 반도체 층일 수 있다. When the third semiconductor layer is a P-type semiconductor layer, the fourth semiconductor layer may be an N-type semiconductor layer, and when the third semiconductor layer is an N-type semiconductor layer, the fourth semiconductor layer may be a P-type semiconductor layer.

상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정은, 상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV(Through Silicon Via) 또는 솔더 볼(Solder Ball)로 접합하는 과정; 과 상기 접합된 열전 소자 및 발광 소자를 와이어로 발광 소자의 기판에 본딩하는 과정을 포함할 수 있다. The bonding of the formed thermoelectric element and the light emitting element may include: bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element with a TSV (Through Silicon Via) or a solder ball; And bonding the bonded thermoelectric element and the light emitting element to a substrate of the light emitting element with a wire.

상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정은, 상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 접합하는 과정; 과 상기 접합된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 발광 소자의 기판에 접합하는 과정을 포함할 수 있다. The process of bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element may include: bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element with TSV or solder balls; And bonding the bonded thermoelectric element and the light emitting element to a substrate of the light emitting element with TSV or solder balls.

본 발명의 다른 양상에 따른 LED 베어칩 제조방법은, 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정; 상기 발광 소자가 형성된 후 열전 소자를 형성하는 과정; 및 상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정을 포함한다.
LED bare chip manufacturing method according to another aspect of the present invention, forming a light emitting device for emitting light; Forming a thermoelectric element after the light emitting element is formed; And bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element.

본 발명의 실시예에 따른 LED 베어 칩 방법에 따르면, 발광소자와 발광소자 구동 시 발생하는 열을 방출하는 열전 소자를 하나의 제조 공정에서 제조함으로써, 발광소자와 열전소자를 각각 별개로 제조하는 경우보다 제조 공정을 줄여 제조 원가를 줄일 수 있다.According to the LED bare chip method according to an embodiment of the present invention, when the light emitting device and the thermoelectric device for manufacturing the light emitting device and the thermoelectric device separately by manufacturing a thermoelectric device that emits heat generated when driving the light emitting device in one manufacturing process, respectively Further manufacturing costs can be reduced by reducing the manufacturing process.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 베어 칩 제조방법에 대한 플로차트이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자 형성과정을 나타낸 도면이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a LED bare chip according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a process of forming a thermoelectric device according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 후술 되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intention or custom of a user or an operator. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 베어 칩 제조공정에 대한 흐름도이다. 1 is a flowchart illustrating an LED bare chip manufacturing process according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 베어 칩 제조공정은 열전 소자를 형성하고(S1), 열전 소자가 형성된 후 광을 방출하는 발광소자를 형성하고(S2), 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정(S3)으로 이루어질 수 있다. As shown, the LED bare chip manufacturing process according to an embodiment of the present invention is to form a thermoelectric element (S1), after the thermoelectric element is formed to form a light emitting element that emits light (S2), the formed thermoelectric element and The process may be performed by bonding the light emitting devices (S3).

이때 열전 소자의 형성 과정을 도 2를 참조하여 살펴보기로 한다. At this time, the formation process of the thermoelectric element will be described with reference to FIG. 2.

먼저, 도 2의 (a)에 도시된 제 1 기판(1) 위에, 실리콘 메탈 또는 세라믹을 증착하여 도 2의 (b)에 도시된 바닥 배선 패턴 증착층(2)을 형성한다. 이때, 제 1 기판(1)은 실리콘 기판, 메탈 기판, 세라믹 기판 중 어느 하나일 수 있다. 이렇게 형성된 바닥 배선 패턴 증착층(2)의 일부를 제거하여, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 바닥 배선 패턴(3)을 형성한다. First, a silicon metal or ceramic is deposited on the first substrate 1 shown in FIG. 2A to form the bottom wiring pattern deposition layer 2 shown in FIG. 2B. In this case, the first substrate 1 may be any one of a silicon substrate, a metal substrate, and a ceramic substrate. A part of the bottom wiring pattern deposition layer 2 thus formed is removed to form the bottom wiring pattern 3 as shown in FIG.

바닥 배선 패턴(3)에 도 2의 (d)와 같이 P형 반도체 층(4)을 증착한다. P형 반도체 층(4)의 증착이 완료되면 P형 반도체 생성을 위한 P형 반도체 포토 레지스트 패턴(미도시)을 형성하고, 형성된 P형 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 P형 반도체 층(4)의 일부를 제거하여, 도 2의 (e)와 같이 P형 반도체(5)를 형성한다. The P-type semiconductor layer 4 is deposited on the bottom wiring pattern 3 as shown in FIG. When the deposition of the P-type semiconductor layer 4 is completed, a P-type semiconductor photoresist pattern (not shown) for generating a P-type semiconductor is formed, and a portion of the P-type semiconductor layer 4 is formed according to the formed P-type semiconductor photoresist pattern. Is removed to form the P-type semiconductor 5 as shown in FIG.

이후 바닥 배선 패턴(3)에 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이 N형 반도체 층(6)을 증착한다. N형 반도체 층(6)의 증착이 완료되면 N형 반도체 생성을 위한 N형 반도체 포토 레지스트 패턴(미도시)을 형성하고, 형성된 N형 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 N형 반도체 층(6)의 일부를 제거하여, 도 2의 (g)에 도시된 바와 같이 N형 반도체(7)를 형성한다. Thereafter, an N-type semiconductor layer 6 is deposited on the bottom wiring pattern 3 as shown in FIG. When the deposition of the N-type semiconductor layer 6 is completed, an N-type semiconductor photoresist pattern (not shown) for generating an N-type semiconductor is formed, and a portion of the N-type semiconductor layer 6 is formed according to the formed N-type semiconductor photoresist pattern. Is removed to form the N-type semiconductor 7 as shown in Fig. 2G.

이후, 형성된 P형 반도체(5) 및 N형 반도체(7) 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 도 2의 (h)에 도시된 바와 같이 상부 배선 패턴 증착층(8)을 형성한다. 이렇게 형성된 상부 배선 패턴 증착층(8)의 일부를 제거하여, 도 2의 (i)에 도시된 바와 같이 상부 배선 패턴(9)을 형성한다. 상부 배선 패턴(9) 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 도 2의 (j)에 도시된 바와 같이 제 2 기판(10)을 형성한다. 이러한 과정을 통하여 열전 소자가 형성된다. 그리고 P형 반도체 및 N형 반도체는 상호 이격 되어 π형으로 결합 될 수 있다.
Thereafter, any one of silicon, metal, and ceramic is deposited on the formed P-type semiconductor 5 and the N-type semiconductor 7, thereby forming the upper wiring pattern deposition layer 8 as shown in FIG. do. A portion of the upper wiring pattern deposition layer 8 thus formed is removed to form the upper wiring pattern 9 as shown in FIG. One of silicon, metal, and ceramic is deposited on the upper wiring pattern 9 to form the second substrate 10 as shown in FIG. Through this process, a thermoelectric element is formed. The P-type semiconductor and the N-type semiconductor may be spaced apart from each other and combined in a π-type.

한편, 발광 소자는, 제 3 기판 위에 제 1 금속층을 증착하고, 증착된 제 1 금속층 위에 제 3 반도체 형성을 위한 제 3 반도체 패턴을 형성하고, 형성된 제 3 반도체 패턴 위에 제 3 반도체 층을 증착하고, 증착된 제 3 반도체 층 위에 발광층 패턴을 형성하고, 형성된 발광층 패턴 위에 발광층을 증착하고, 증착된 발광층 위에 제 4 반도체 형성을 위한 제 4 반도체 패턴을 형성하고, 형성된 제 4 반도체 패턴 위에 제 4 반도체를 증착하는 과정으로 형성될 수 있다. 이때 제 2 기판은 샤파이어 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다. 그리고 제 3 반도체 층이 P형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 N형 반도체 층일 수 있고, 제 3 반도체 층이 N형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 P형 반도체 층일 수 있다. Meanwhile, the light emitting device deposits a first metal layer on a third substrate, forms a third semiconductor pattern for forming a third semiconductor on the deposited first metal layer, and deposits a third semiconductor layer on the formed third semiconductor pattern. Forming a light emitting layer pattern on the deposited third semiconductor layer, depositing a light emitting layer on the formed light emitting layer pattern, forming a fourth semiconductor pattern for forming a fourth semiconductor on the deposited light emitting layer, and forming a fourth semiconductor on the formed fourth semiconductor pattern It may be formed by a process of depositing. In this case, the second substrate may be a sapphire substrate or a silicon substrate. When the third semiconductor layer is a P-type semiconductor layer, the fourth semiconductor layer may be an N-type semiconductor layer, and when the third semiconductor layer is an N-type semiconductor layer, the fourth semiconductor layer may be a P-type semiconductor layer.

나아가, 형성된 열전 소자 및 발광 소자는 TSV(Through Silicon Via) 또는 솔더 볼(Solder Ball)로 접합 되고, 접합된 열전 소자 및 발광 소자는 와이어 본딩을 통하여 발광 소자의 기판에 본딩될 수 있다. 또한, 형성된 열전 소자 및 발광 소자는 TSV 또는 솔더 볼로 접합 되고, 접합된 열전 소자 및 발광 소자는 TSV 또는 솔더 볼로 발광 소자의 기판에 본딩될 수 있다.
In addition, the formed thermoelectric element and the light emitting element may be bonded to a through silicon via (TSV) or a solder ball, and the bonded thermoelectric element and the light emitting element may be bonded to the substrate of the light emitting element through wire bonding. In addition, the formed thermoelectric element and the light emitting element may be bonded by TSV or solder balls, and the bonded thermoelectric element and the light emitting element may be bonded to the substrate of the light emitting element by TSV or solder balls.

본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 베어 칩 제조공정은, 광을 방출하는 발광소자를 형성하고, 발광 소자를 형성한 후 열전 소자를 형성하고, 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정의 순서로 이루어질 수 있다. 이때, 발광 소자 및 열전 소자의 형성과 열전 소자 및 발광 소자의 접합에 대한 설명은 상술하였으므로 생략하기로 한다.The LED bare chip manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in the order of forming a light emitting device for emitting light, after forming a light emitting device to form a thermoelectric element, and bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element Can be done. In this case, since the description of the formation of the light emitting device and the thermoelectric element and the bonding of the thermoelectric element and the light emitting device has been described above, a description thereof will be omitted.

이제까지 본 발명에 대하여 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 따라서 본 발명의 범위는 전술한 실시예에 한정되지 않고 특허청구범위에 기재된 내용 및 그와 동등한 범위 내에 있는 다양한 실시 형태가 포함되도록 해석되어야 할 것이다.
So far, the present invention has been described with reference to the embodiments. Those skilled in the art will understand that the present invention may be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described examples, but should be construed to include various embodiments within the scope and equivalents of the claims.

Claims (14)

열전 소자를 형성하는 과정;
상기 열전 소자가 형성된 후 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정; 및
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.Forming a thermoelectric element;
Forming a light emitting device emitting light after the thermoelectric device is formed; And
Comprising the step of bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element, LED bare chip manufacturing method. 제 1 항에 있어서,
상기 열전 소자를 형성하는 과정은,
제 1 기판 위에, 실리콘 메탈 또는 세라믹을 증착하여 바닥 배선 패턴 증착층을 형성하는 과정;
상기 형성된 바닥 배선 패턴 증착층의 일부를 제거하여, 바닥 배선 패턴을 형성하는 과정;
상기 바닥 배선 패턴 위에 제 1 반도체 층을 증착하는 과정;
상기 제 1 반도체 층의 증착이 완료되면 제 1 반도체 층 위에 제 1 반도체 포토 레지스트 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 제 1 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 제 1 반도체 층의 일부를 제거하여, 제 1 반도체를 형성하는 과정;
상기 바닥 배선 패턴 위에 제 2 반도체 층을 증착하는 과정;
상기 제 2 반도체 층의 증착이 완료되면 제 2 반도체 층 위에 제 2 반도체 포토 레지스트 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 제 2 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 제 2 반도체 층의 일부를 제거하여, 제 2 반도체를 형성하는 과정;
상기 형성된 제 1 반도체 및 제 2 반도체 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 상부 배선 패턴 증착층을 형성하는 과정;
상기 형성된 상부 배선 패턴 증착층의 일부를 제거하여, 상부 배선 패턴을 형성하는 과정; 및
상기 상부 배선 패턴 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 제 2 기판을 형성하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 1,
Forming the thermoelectric element is,
Depositing a silicon metal or ceramic on the first substrate to form a bottom wiring pattern deposition layer;
Removing a portion of the formed bottom wiring pattern deposition layer to form a bottom wiring pattern;
Depositing a first semiconductor layer on the bottom wiring pattern;
Forming a first semiconductor photoresist pattern on the first semiconductor layer when the deposition of the first semiconductor layer is completed;
Removing a portion of the first semiconductor layer according to the formed first semiconductor photoresist pattern to form a first semiconductor;
Depositing a second semiconductor layer on the bottom wiring pattern;
Forming a second semiconductor photoresist pattern on the second semiconductor layer when the deposition of the second semiconductor layer is completed;
Removing a portion of the second semiconductor layer according to the formed second semiconductor photoresist pattern to form a second semiconductor;
Forming an upper wiring pattern deposition layer by depositing any one of silicon, metal, and ceramic on the formed first and second semiconductors;
Removing a portion of the formed upper wiring pattern deposition layer to form an upper wiring pattern; And
And depositing any one of silicon, metal, and ceramic on the upper wiring pattern to form a second substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 열전 소자가 형성된 후 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정은,
제 3 기판 위에 제 1 금속층을 증착하는 과정;
상기 증착된 제 1 금속층 위에 제 3 반도체층 형성을 위한 제 3 반도체 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 제 3 반도체 패턴 위에 제 3 반도체 층을 증착하는 과정;
상기 증착된 제 3 반도체 층 위에 발광층 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 발광층 패턴 위에 발광층을 증착하는 과정;
상기 증착된 발광층 위에 제 4 반도체층 형성을 위한 제 4 반도체 패턴을 형성하는 과정; 및
상기 형성된 제 4 반도체 패턴 위에 제 4 반도체를 증착하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 1,
Forming a light emitting device for emitting light after the thermoelectric element is formed,
Depositing a first metal layer on a third substrate;
Forming a third semiconductor pattern for forming a third semiconductor layer on the deposited first metal layer;
Depositing a third semiconductor layer on the formed third semiconductor pattern;
Forming a light emitting layer pattern on the deposited third semiconductor layer;
Depositing a light emitting layer on the formed light emitting layer pattern;
Forming a fourth semiconductor pattern for forming a fourth semiconductor layer on the deposited light emitting layer; And
And depositing a fourth semiconductor on the formed fourth semiconductor pattern. 제 3 항에 있어서,
상기 제 3 기판은 샤파이어 기판 또는 실리콘 기판인, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 3, wherein
And the third substrate is a sapphire substrate or a silicon substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 제 3 반도체 층이 P형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 N형 반도체 층이고, 제 3 반도체 층이 N형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 P형 반도체 층인, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 3, wherein
The fourth semiconductor layer is an N-type semiconductor layer when the third semiconductor layer is a P-type semiconductor layer, and the fourth semiconductor layer is a P-type semiconductor layer when the third semiconductor layer is an N-type semiconductor layer. 제 1 항에 있어서,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정은,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV(Through Silicon Via) 또는 솔더 볼(Solder Ball)로 접합하는 과정; 과
상기 접합된 열전 소자 및 발광 소자를 와이어로 발광 소자의 기판에 본딩하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 1,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element to a through silicon via (TSV) or a solder ball; and
Bonding the bonded thermoelectric element and the light emitting element to a substrate of the light emitting element with a wire; 제 1 항에 있어서,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정은,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 접합하는 과정; 과
상기 접합된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 발광 소자의 기판에 접합하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 1,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element to TSV or solder balls; and
And bonding the bonded thermoelectric element and the light emitting element to a substrate of the light emitting element using TSV or solder balls. 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정;
상기 발광 소자가 형성된 후 열전 소자를 형성하는 과정; 및
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.Forming a light emitting device emitting light;
Forming a thermoelectric element after the light emitting element is formed; And
Comprising the step of bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element, LED bare chip manufacturing method. 제 8 항에 있어서,
상기 광을 방출하는 발광소자를 형성하는 과정은,
제 3 기판 위에 제 1 금속층을 증착하는 과정;
상기 증착된 제 1 금속층 위에 제 3 반도체층 형성을 위한 제 3 반도체 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 제 3 반도체 패턴 위에 제 3 반도체 층을 증착하는 과정;
상기 증착된 제 3 반도체 층 위에 발광층 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 발광층 패턴 위에 발광층을 증착하는 과정;
상기 증착된 발광층 위에 제 4 반도체층 형성을 위한 제 4 반도체 패턴을 형성하는 과정; 및
상기 형성된 제 4 반도체 패턴 위에 제 4 반도체를 증착하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 8,
Forming the light emitting device for emitting the light,
Depositing a first metal layer on a third substrate;
Forming a third semiconductor pattern for forming a third semiconductor layer on the deposited first metal layer;
Depositing a third semiconductor layer on the formed third semiconductor pattern;
Forming a light emitting layer pattern on the deposited third semiconductor layer;
Depositing a light emitting layer on the formed light emitting layer pattern;
Forming a fourth semiconductor pattern for forming a fourth semiconductor layer on the deposited light emitting layer; And
And depositing a fourth semiconductor on the formed fourth semiconductor pattern. 제 9 항에 있어서,
상기 제 3 기판은 샤파이어 기판 또는 실리콘 기판인, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 9,
And the third substrate is a sapphire substrate or a silicon substrate. 제 9 항에 있어서,
상기 제 3 반도체 층이 P형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 N형 반도체 층이고, 제 3 반도체 층이 N형 반도체 층인 경우 제 4 반도체 층은 P형 반도체 층인, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 9,
The fourth semiconductor layer is an N-type semiconductor layer when the third semiconductor layer is a P-type semiconductor layer, and the fourth semiconductor layer is a P-type semiconductor layer when the third semiconductor layer is an N-type semiconductor layer. 제 8 항에 있어서,
상기 열전 소자를 형성하는 과정은,
제 1 기판 위에, 실리콘 메탈 또는 세라믹을 증착하여 바닥 배선 패턴 증착층을 형성하는 과정;
상기 형성된 바닥 배선 패턴 증착층의 일부를 제거하여, 바닥 배선 패턴을 형성하는 과정;
상기 바닥 배선 패턴 위에 제 1 반도체 층을 증착하는 과정;
상기 제 1 반도체 층의 증착이 완료되면 제 1 반도체 층 위에 제 1 반도체 포토 레지스트 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 제 1 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 제 1 반도체 층의 일부를 제거하여, 제 1 반도체를 형성하는 과정;
상기 바닥 배선 패턴 위에 제 2 반도체 층을 증착하는 과정;
상기 제 2 반도체 층의 증착이 완료되면 제 2 반도체 층 위에 제 2 반도체 포토 레지스트 패턴을 형성하는 과정;
상기 형성된 제 2 반도체 포토 레지스트 패턴에 따라 제 2 반도체 층의 일부를 제거하여, 제 2 반도체를 형성하는 과정;
상기 형성된 제 1 반도체 및 제 2 반도체 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 상부 배선 패턴 증착층을 형성하는 과정;
상기 형성된 상부 배선 패턴 증착층의 일부를 제거하여, 상부 배선 패턴을 형성하는 과정; 및
상기 상부 배선 패턴 위에 실리콘, 메탈, 세라믹 중 어느 하나를 증착하여, 제 2 기판을 형성하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 8,
Forming the thermoelectric element is,
Depositing a silicon metal or ceramic on the first substrate to form a bottom wiring pattern deposition layer;
Removing a portion of the formed bottom wiring pattern deposition layer to form a bottom wiring pattern;
Depositing a first semiconductor layer on the bottom wiring pattern;
Forming a first semiconductor photoresist pattern on the first semiconductor layer when the deposition of the first semiconductor layer is completed;
Removing a portion of the first semiconductor layer according to the formed first semiconductor photoresist pattern to form a first semiconductor;
Depositing a second semiconductor layer on the bottom wiring pattern;
Forming a second semiconductor photoresist pattern on the second semiconductor layer when the deposition of the second semiconductor layer is completed;
Removing a portion of the second semiconductor layer according to the formed second semiconductor photoresist pattern to form a second semiconductor;
Forming an upper wiring pattern deposition layer by depositing any one of silicon, metal, and ceramic on the formed first and second semiconductors;
Removing a portion of the formed upper wiring pattern deposition layer to form an upper wiring pattern; And
And depositing any one of silicon, metal, and ceramic on the upper wiring pattern to form a second substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정은,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 접합하는 과정; 과
상기 접합된 열전 소자 및 발광 소자를 와이어로 발광 소자의 기판에 본딩하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.The method of claim 8,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element to TSV or solder balls; and
Bonding the bonded thermoelectric element and the light emitting element to a substrate of the light emitting element with a wire; 제 8 항에 있어서,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 접합하는 과정은,
상기 형성된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 접합하는 과정; 과
상기 접합된 열전 소자 및 발광 소자를 TSV 또는 솔더 볼로 발광 소자의 기판에 접합하는 과정을 포함하는, LED 베어칩 제조방법.
The method of claim 8,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element,
Bonding the formed thermoelectric element and the light emitting element to TSV or solder balls; and
And bonding the bonded thermoelectric element and the light emitting element to a substrate of the light emitting element using TSV or solder balls.
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