KR20110073318A - 유기 el 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 및 점등 검사 방법, 유기 el 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치 및 결함 검사 수정 방법, 유기 el 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법 및 유기 el 디스플레이 제조 시스템 및 제조 방법 - Google Patents

유기 el 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 및 점등 검사 방법, 유기 el 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치 및 결함 검사 수정 방법, 유기 el 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법 및 유기 el 디스플레이 제조 시스템 및 제조 방법 Download PDF

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후미오 가따오까
히로야스 마쯔우라
야스히로 요시따께
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가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
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Abstract

본 발명의 과제는, 최종 패널 형태가 수지 밀봉 구조라도 화소 결함의 수복이 가능하여, 결함 수정 후의 화소의 신뢰성이 높고, 또는 검사 수정의 처리 시간이 짧고, 혹은 결함 수정의 성공률이 높고, 자동화가 가능하여 생산성이 높은 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 또는 점등 검사 방법, 상기 기판의 결함 검사 수정 장치 또는 그 방법 혹은 유기 EL 디스플레이 제조 시스템 또는 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 유기 EL 소자의 각 화소를 점등시키는 점등 검사용 전용 배선 및 전용 전극 패드를 갖는 머더 기판의 상기 전용 전극 패드에 급전하여 상기 각 화소를 점등시키고, 상기 점등 결과에 기초하여 상기 각 화소 중 점등되어 있지 않은 결함 화소와 그 위치를 검출한다. 그리고 밀봉 전에 상기 결함 화소의 이물질에 레이저 광을 조사하여 결함을 수복할 때에, 상기 결함의 위치 정보와 크기에 기초하여 상기 레이저 광을 투과시키는 광 투과 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 상기 결함의 위치에 조사한다.

Description

유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 및 점등 검사 방법, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치 및 결함 검사 수정 방법, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법 및 유기 EL 디스플레이 제조 시스템 및 제조 방법 {LIGHTING INSPECTION EQUIPMENT AND METHOD OF ORGANIC EL DISPLAY SUBSTRATE, DEFECT INSPECTION CORRECTION APPARATUS AND METHOD OF ORGANIC EL DISPLAY SUBSTRATE, ORGANIC EL DISPLAY PANEL CORRECTION EQUIPMENT AND METHOD, AND ORGANIC EL DISPLAY MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD}
본 발명은, 유기 EL 패널의 표시 불량의 자동 검출과 선별 및 흑점(결함)의 자동 수정을 머더 기판 단위로 실시하는 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 및 점등 검사 방법, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치 및 결함 검사 수정 방법, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법 및 유기 EL 디스플레이 제조 시스템 및 제조 방법에 관한 것이다.
유기 EL(디스플레이) 패널은 액정 패널에 비해 표색 범위가 넓고, 휘도가 높고, 응답이 빠르고, 시야각이 넓은 등의 우수한 표시 성능에 더하여, 소비 전력이 낮고 박형 경량화를 도모하기 쉬우므로, 휴대 전화나 DSC(디지털 스틸 카메라), PMP(포터블 멀티미디어 플레이어) 등의 2 내지 4인치급의 소형 패널 분야로 급속하게 보급 확대가 진행되고 있다. 한편, 최근 노트북 PC, 모니터, 대형 TV 등의 대형 패널을 필요로 하는 디지털 제품에의 응용 전개의 기운이 높아져, 디스플레이 관련 학회나 전시회에서는 액티브형 대형 유기 EL 패널의 시험 제작 발표가 잇따르고, Yang Wan Kim et.al., SID '09 Digest, p.85(2009)(비특허 문헌 1)의 보고에 보여지는 바와 같이 최대 대각(對角) 40인치의 유기 EL 패널의 시험 제작품이 발표되는 것에 이르렀다. 그러나 금후의 양산화에 있어서는 몇 개의 허들이 있고, 그 중에서도 대형화에 수반되는 수율 저하가 큰 우려 사항으로서 현저화되어 있다. 즉, 패널 면적이 커지면 패널 단가는 높아지는 한편, 결함 확률이 증대되어 수율이 저감되므로 큰 손실이 된다. 이로 인해, Tsujimura et.al., IDW '08 Proceedings p.145(2008)(비특허 문헌 2)의 보고에서도 지적되어 있는 바와 같이, 결함에 의한 수율 저감을 극복하기 위해, 대형 패널에 있어서는 소형 패널과는 다른 고수율 전략이 중요해진다. 그 해결책의 중요한 어프로치 중 하나로서, 결함을 검출하여 수정하고, 불량 패널을 양품 패널로 하는 공업적으로 합리적인 수정 기술이 강하게 요구되고 있다.
액티브형 유기 EL 패널의 제조 공정은, 일반적으로 도 1에 도시하는 바와 같이 머더 기판 상에 박막 TFT를 형성하는 백플레인 공정, 유기 EL 박막층, 상부 전극층, 하부 전극층, 배리어층 등을 형성하는 유기 EL막 형성 공정, 수분이나 활성 산소에 의한 수명 저하를 억제하기 위해, 상기 공정에서 TFT와 유기 EL 소자가 조립된 머더 기판을 커버 유리로 기밀 밀봉하는 밀봉 공정, 패널 단위로 절단하는 절단 공정, 패널의 양부를 판정하는 점등 검사 공정, 외장형 LSI를 탑재하는 실장 공정, LSI 탑재 후의 패널 양부를 판정하는 최종 점등 검사 공정으로 구성된다. 이들 공정 중에서, 백플레인 공정과 유기 EL막 형성 공정은, 액정의 TFT 공정이나 반도체의 웨이퍼 공정과 마찬가지로 이물질 기인의 결함에 의해 표시 불량을 야기하는 포텐셜이 매우 높다. 특히, 유기 EL막 형성 공정에서는, 유기 EL 박막층의 총 막 두께는 100㎚ 전후로 매우 얇고, 상부 전극과 하부 전극 사이에 유기 EL 박막층의 두께를 초과하는 도전성 이물질이 존재하면, 상하 전극이 전기적으로 단락되어 통전되어도 점등되지 않는 결함 화소가 된다(후술 도 2).
유기 EL 디스플레이의 결함 화소의 수정 기술로서는, 지금까지 특허 문헌 1, 2에 기재된 기술이 알려져 있다.
특허 문헌 1에 기재된 기술에 따르면, 단순 매트릭스 구동되는 패시브형 유기 EL 디스플레이에서, 결함 화소에 대응하는 금속 전극으로부터, 단락 등의 발생 영역을 레이저로 제거함으로써, 금속 전극과 투명 전극 사이의 단락이 해소되어, 부분적으로 제거된 금속 전극과 투명 전극 사이의 유기 발광층이 발광 가능해지므로 결함 화소가 수복된다.
특허 문헌 2에서는, 유기 발광층과 이것을 사이에 끼우는 상하의 전극으로 이루어지는 유기 EL 표시 장치에 있어서, 유기 EL막이 발광하는지 여부를 검사하고, 발광하지 않는 경우에 투명 전극측으로부터 이물질을 검출하여, 이 이물질을 둘러싸는 띠 형상의 영역을 투명 전극측으로부터 레이저 조사함으로써, 대향하는 불투명 전극 박막을 띠 형상으로 제거함으로써 상하 전극의 단락을 해소하는 결함 화소 수복 방법이 개시되어 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2001-118684호 공보 [특허 문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2005-276600호 공보
[비특허 문헌 1] Yang Wan Kim et.al., SID '09 Digest, p.85(2009) [비특허 문헌 2] Tsujimura et.al., IDW '08 Proceedings p.145(2008)
액티브형 유기 EL 디스플레이는, 발광 광의 취출 방향의 차이에 따라 2종류로 크게 구별된다. 하나는 유기 EL 화소의 베이스가 되는 머더 기판을 통과하여 광이 취출되는 보텀 에미션형, 다른 하나는 유기 EL 화소의 상방으로 광을 취출하는 톱 에미션형이며, 발광 수명의 열화 원인이 되는 수분을 방지하기 위해 흡습재와 함께 커버 유리로 기밀 밀봉되어 있다. 어떠한 경우도 유기 발광층을 사이에 끼우는 상하의 전극 박막의 한쪽은 머더 기판측에 배치되고, 다른 쪽의 전극 박막(또는 전극 박막과 무기 박막으로 이루어지는 박막층)은 고체 구속되어 있지 않고, 건조 기체에 접하고 있다. 이로 인해, 결함 화소 수복을 위한 레이저 조사 처리에서는, 레이저 조사부의 물질은 건조 기체 공간으로 비산하여, 박막층을 원하는 형상으로 제거 가공할 수 있다(후술 도 3). 상기 특허 문헌 1, 2에서는, 한쪽의 전극면 공간이 고체 구속되어 있지 않은 구조이므로, 레이저의 국소 조사에 의해 상하 전극의 단락 원인을 해소하여, 결함 화소를 수복할 수 있었다.
그런데, 이이다 다까후미「유기 EL용 밀봉 재료」 : 크린 테크놀로지, 2007(No6), p46에 보고되어 있는 바와 같이, 유기 EL 패널의 대형화나 저비용화의 과제에 대응하기 위해, 새로운 밀봉 기술로서, 상기와 같은 중공 구조가 아닌 소자 전체를 유기 수지로 덮는 구조가 제안되어, 현재 주류 기술로서 보급되고 있다. 이 구조에서는 소자 표면이 수지로 덮여 있으므로 레이저 조사부의 물질이 비산될 공간이 없어, 이물질이나 전극의 국소 제거에 의한 상하 전극의 단락 해소가 잘 되지 않는다(후술 도 4). 이로 인해, 레이저 조사에 의한 결함 화소 수복이 불가능한 경우가 많고, 또한 화소 수복을 할 수 있었다고 해도 프로세스 마진이 현저하게 저하된다.
또한, 액티브형 유기 EL 디스플레이의 경우, 결함 화소 검사는, 머더 기판 단위로 기밀 밀봉한 후에 패널 절단하고, 접속 단자가 노출된 후의 급전 가능한 형태로 한 상태에서 개개의 패널마다 행해지고 있으므로, 유기 수지 밀봉 구조의 유기 EL 패널의 결함 화소를 수복하려고 하면, 특허 문헌 1, 2의 경우와는 달리, 유기 발광층과 이것을 사이에 끼우는 상하의 전극은 양면 모두 고체 구속되므로 레이저 조사에 의한 수복은 극히 곤란해진다.
현재 양산되고 있는 휴대 전화 등의 제품은, 2 내지 3인치 정도로 패널 사이즈가 작기 때문에 화소 수복을 하지 않아도 수율이 확보되므로 큰 문제로는 되어 있지 않지만, 상기한 바와 같이 유기 수지 밀봉 구조의 유기 EL 패널에 대해서는 유효한 결함 화소 수복 수단이 없어, 금후 양산화가 개시되는 대화면 유기 EL 디스플레이에 대해서는, 공업적으로 합리적인, 혹은 생산성이 높은 새로운 결함 화소 수복 수단이 강하게 요구되고 있다.
생산성이 높은 결함 화소 수복 수단을 실현하기 위한 키 포인트로서는, 결함의 원인이 되는 이물질의 크기가 매우 미소해도 높은 확률로 검출할 수 있는 것과, 수복 성공률이 높아, 인라인 완전 자동화에 대응할 수 있는 안정된 결함 수복 수단을 발견하는 것이 과제가 된다. 전술한 바와 같이, 유기 EL 발광층의 총 막 두께는 100㎚ 전후로 매우 얇고, 따라서 결함 원인이 되는 이물질은 100㎚ 정도의 미소한 크기인 것도 문제가 되어, 이물질을 검출하는 관찰계로서는, 이 크기에 대응할 수 있는 고감도의 수단이 요구된다. 또한, 특히 톱 에미션 구조의 유기 EL 디바이스에서는, 유기 EL 발광층의 하층에 TFT 패턴이 형성되는 경우가 많으므로, 미소 이물질은 이 패턴의 영향에 의해 검출하기 어려워진다. 레이저 조사에 의한 화소 수복에서는, 제거해야 할 이물질의 크기, 형상, 재질의 차이에 따라 에너지 흡수의 차이가 발생하여 제거성에 큰 편차가 발생하여, 결함 화소 수복의 성공률이 저하된다고 하는 과제가 있다. 이물질의 크기마다 빔 직경을 변화시키는 방법이나, 빔을 주사하여 원하는 형상으로 제거하는 방법은 복잡한 수순이 필요해져, 설비의 인라인 완전 자동화에는 큰 장해가 되게 된다. 따라서, 공업적으로 합리적인 결함 화소 수복 수단을 얻기 위해서는, 미소한 결함을 검출할 수 있고, 결함 수복 성공률이나 안정성이 높고, 파라미터 설정이 용이하고 양산성이 높은 결함 화소 수복 설비가 강하게 요구되고 있다.
결함 화소 수복이 가능한 패널 내부 구조가 중공 구조인 패널에 있어서도, 레이저 조사에 의해 수복한 화소에서는 레이저 조사부에서 유기 EL막이 노출되므로, 패널 내부에 체류하는 레이저 조사 비산물의 오염에 의해 상기 화소의 발광 수명이 저하되는 문제가 있다.
또한, 액티브형 유기 EL 디스플레이의 대형 패널 구조에 적합한 다른 하나의 후보로서, 백색 유기 EL 디바이스와 컬러 필터의 조합이 있지만, 이 구조에서는, 레이저 광을 컬러 필터의 색 패턴을 통해 조사할 필요가 있으므로, 컬러 필터의 색 패턴에 의한 레이저 광 흡수로 인해 이물질 제거가 어려워져 화소 수복은 불가능해진다.
결함 화소 검사 기술 단독에 대해서도 이하의 과제가 있다. 즉, 결함 화소 검사는 패널 단위로 행해지고 있으므로, 다양한 제품 사이즈에 대응한 검사 장치나 검사 지그가 필요하고 또한 생산성 향상을 위한 자동화가 어려웠다. 또한, 인라인화되어 있지 않으므로 결함 화소 검출시에 동시에 실시되는 화질 검사의 결과를 앞의 공정으로 피드백하는 데 시간이 걸려 수율 향상 대책에의 대응에 시간이 걸리고 있었다.
따라서 본 발명의 제1 목적은, 최종 패널 형태가 수지 밀봉 구조라도 화소 결함의 수복이 가능하고, 결함 수정 후의 화소의 신뢰성이 높고, 또는 검사 수정의 처리 시간이 짧고, 혹은 결함 수정의 성공률이 높고, 자동화가 가능하여 생산성이 높은 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 또는 점등 검사 방법, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치 또는 결함 검사 수정 방법 혹은 유기 EL 디스플레이 제조 시스템 또는 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 제2 목적은, 미소한 결함을 검출할 수 있고 또는/및 화소 수복의 성공률이 높고, 혹은/및 자동화가 용이하여 생산성이 높은 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 유기 EL 소자의 각 화소를 점등시키는 점등 검사용 전용 배선 및 전용 전극 패드를 갖는 머더 기판의 상기 전용 전극 패드에 급전하여 상기 각 화소를 점등시키는 점등 수단과, 상기 점등 결과에 기초하여 상기 각 화소 중 점등되어 있지 않은 결함 화소와 그 위치를 검출하는 결함 화소 검출 수단을 갖는 것을 제1 특징으로 한다.
제1 본 발명에 따르면, 유기 EL 소자나 배선이 형성된 머더 기판 상의 유기 EL 패널에 대해, 전용 배선에 의해 각 패널의 화소에 급전함으로써 점등 검사가 가능해져, 비점등(결함) 화소의 검출을 할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제1 특징에 더하여, 상기 결함 화소의 이물질의 위치를 광학적으로 검출하는 이물질 위치 검출 수단과 상기 검출된 이물질의 위치에 레이저 광을 조사하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 수단을 구비하는 결함 수정 설비를 갖는 것을 제2 특징으로 한다.
제2 본 발명에 따르면, 상기 화소 내의 결함 부위를 레이저로 제거함으로써 수복할 수 있으므로, 최종 패널 형태가 수지 밀봉 구조나 컬러 필터를 조합한 구조라도 화소 결함을 수복할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제2 특징에 더하여, 상기 결함 화소의 수정 후에 적어도 상기 결함 화소에 급전하여, 화소가 점등되는지 여부를 판정하는 판정 수단을 갖는 것을 제3 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제2 특징에 더하여, 상기 결함 화소의 수정과 함께 제거된 배리어막을 재형성하는 배리어막 형성 설비를 갖는 것을 특징으로 한다.
적합한 배리어막 형성 방법으로서는, H.Lifka et.al., SID '04 Digest, p.1384(2004)에 개시되어 있다. 더욱 바람직하게는, 레이저 제거에 의해 발생된 오목부를 저온으로 또한 단차 피복성이 높게 평탄화 성막할 수 있는 유기 규소계 원료를 사용한 진공 자외광 CVD법을 들 수 있지만, 보호 기능을 갖는 성막 방법이면 좋고, 이들에 한정되지 않는다.
또한 본 발명은, 상기한 목적을 달성하기 위해, 제2 특징에 더하여, 상기 점등 검사 설비, 결함 수정 설비를 저습도 분위기로 제어하는 저습도 분위기 유지 수단을 갖는 것을 제4 특징으로 한다.
제4 본 발명에 따르면, 저습도 분위기로 유지함으로써 유기 EL 패널의 발광 수명을 확보할 수 있다. 저습도 분위기 유지 수단으로서는 수분 제거 기구 또는 불활성 건조 가스에 의해 유지하는 구조를 생각할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 진공 분위기 중에서 머더(유리) 기판에 유기 EL 소자 형성 재료를 성막하는 유기 EL막 형성 설비를 구비하는 성막 클러스터, 상기 성막 클러스터의 후단에 설치되고 상기 머더 기판의 화소를 점등하고 점등 상태를 검사하여 결함 화소를 검출하는 점등 검사 설비와 상기 점등 검사 설비의 검사 결과에 기초하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 설비를 구비하는 결함 수정 설비를 갖는 점등 검사 수정 클러스터, 상기 점등 검사 수정 클러스터의 후단에 설치되고 상기 머더 기판의 1면을 커버 유리로 밀봉하는 밀봉 설비를 갖는 밀봉 클러스터와, 상기 성막 클러스터와 상기 점등 검사 수정 클러스터 사이에 설치되고 상기 머더 기판의 전달을 행하는 제1 전달 설비와, 점등 검사 수정 클러스터와 상기 점등 검사 수정 클러스터 사이에 설치되고 상기 머더 기판의 전달을 행하는 제2 전달 설비와, 상기 머더 기판을 반송하는 반송 설비를 갖는 것을 제5 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 진공 분위기 중에서 머더(유리) 기판에 유기 EL 소자 형성 재료를 성막하는 성막 단계와, 상기 머더 기판의 각 화소에 급전하여 상기 각 화소를 점등시키는 점등 단계와, 상기 점등 결과에 기초하여 상기 각 화소 중 점등되어 있지 않은 결함 화소와 그 위치를 검출하는 결함 화소 검출 단계와, 상기 결함 화소 내의 이물질을 검출하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 단계와, 상기 결함 수정 후 상기 머더 기판의 1면을 밀봉하는 밀봉 단계를 갖는 것을 제6 특징으로 한다.
제5, 제6 본 발명에 따르면, 화소의 점등 검사ㆍ수정은 밀봉 공정 전에 실시되므로, 패널의 밀봉 구조에 상관없이 검사ㆍ수정이 가능해진다. 또한, 머더 기판 단위로 검사ㆍ수정할 수 있으므로 종래의 패널 단위로 검사ㆍ수정하는 방법에서 필요했던 패널 사이즈마다의 설비나 지그를 불필요하게 할 수 있다. 또한, 유기 EL 디바이스 형성 공정으로부터 밀봉 공정까지를 머더 기판 단위로 처리할 수 있으므로, 라인 전체를 자동화하기 쉬워 생산성이 향상된다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제5 특징에 더하여, 상기 점등 검사 수정 클러스터 외에, 상기 밀봉 클러스터, 상기 제1 전달 설비, 상기 제2 전달 설비 및 상기 반송 설비를 저습도 분위기로 제어하는 전체 저습도 분위기 유지 수단을 설치하는 것을 제7 특징으로 한다.
제7 본 발명에 따르면, 저습도로 분위기 제어한 기판 반송 설비에서 유기 EL 디바이스 형성 공정, 검사 수정 공정, 밀봉 공정을 연결하여 전체 공정을 저습도로 분위기 제어할 수 있으므로, 패널 발광 수명에 영향을 미치는 습도의 영향을 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 EL 디스플레이 제조 시스템에서 사용되는 유기 EL막 성막 설비의 적합한 예로서는 진공 성막 설비, 도포 건조 설비, 기상 성막 설비, 레이저 전사 성막 설비 등을 들 수 있고, 진공 성막 설비의 구체예는 Hae Won Kim et.al., SID '09 Digest, p.1359(2009)에, 도포 건조 설비의 구체예로서는 잉크젯법이 Shuichi Takei et.al., SID '09 Digest, p.1351에, 노즐 프린터를 사용하는 방법이 Reid J. Chesterfield et.al., SID '09 Digest, p.954(2009)에, 유기 EL 재료를 불활성 기류에 실어 기판 상에 퇴적시키는 기상 성막법의 구체예는 Markus Schwambera et.al., IMID '09 Digest, 1140(2009)에, 지지체에 성막된 유기 EL막을 레이저 전사에 의해 기판 상에 성막하는 레이저 전사법의 구체예로서는 LIPS법이 Takashi Hirano et.al., SID '07 Digest, p1592(2007)에, LITI법이 Seong Taek Lee et.al., SID '07 Digest, p1588(2007)에 각각 개시되어 있지만, 유기 EL막 형성 수단이면 되며, 성막 방법에 특별히 한정되지 않는다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제2 또는 제5 혹은 제6 특징에 더하여, 상기 각 화소에 급전하여 점등된 상태를 화상으로 포착하고, 상기 화상에 기초하여 상기 패널 단위로 선 결함, 불균일 불량, 화소 내 색상 차이 중 적어도 하나의 불량을 검사하여 양품 불량품의 판정을 하고, 상기 결함 수정은 상기 결함 화소만 불량인 상기 패널을 선별하여 상기 결함 화소를 수정하는 것을 제8 특징으로 한다.
제8 본 발명에 따르면, 비점등 화소 이외의 불량을 포함하는 패널을 제외한 후, 화소 결함의 수복을 행하기 위해 수정해야 할 패널을 줄일 수 있어 생산성이 향상된다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제5 또는 제6 특징에 더하여, 머더 기판 상의 하층 TFT 패턴과 유기 발광층 패턴의 패턴 어긋남을 평가하고, 상기 유기 EL막 형성 설비의 화소 패턴 위치 정렬에 오프셋값으로서 피드백하는 수단을 갖는 것을 제9 특징으로 한다.
예를 들어, 진공 성막 설비에서는 적색, 청색, 녹색의 각 화소를 분리하여 패터닝하기 위해, 색마다 섀도우 마스크로 나누어 도포하고 있지만, 고정세 마스크 혹은 대형 마스크로 됨에 따라, 섀도우 마스크의 위치 정렬 어긋남으로 인해 색이 혼색될 가능성이 증가한다. 유기 EL 디스플레이 기판의 검사 수정에 있어서, 백플레인 형성 공정에서 제작한 패턴과 유기막 패턴의 어긋남을 계측하고, 이 어긋남량을 오프셋값으로 하여 진공 성막 설비로 피드백함으로써 섀도우 마스크 위치 정렬시의 어긋남을 방지하고, 이에 의해 수율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제1 목적을 달성하기 위해, 제2 또는 제5 특징에 더하여, 상기 결함 수정 설비는, 상기 머더 기판을 저습도 분위기 중에 적재하고, 상기 레이저를 투명창을 통해 상기 이물질에 조사하는 것을 제10 특징으로 한다.
본 발명의 유기 EL 디스플레이 검사 수정 설비에서는, 유기 EL 패널의 발광 수명 확보를 위해, 상기 검사 수정 설비 내도 수분 제거 기구 또는 불활성 건조 가스에 의해 검사 분위기 및 레이저 가공 분위기를 저습도로 제어한 구조를 갖는 것이 바람직하지만, 더욱 바람직하게는 불활성 건조 가스의 사용량 저감이나 결로점 관리를 위해 내용적을 저감시킨 구조로 하는 것이 바람직하다. 즉, 기판을 보유 지지하는 스테이지는, 수분 제거 기구 또는 불활성 건조 가스에 의해 저습도로 제어된 구조체 중에 있고, 상기 구조체에는 검사에 필요한 광이나 레이저를 투과하는 유리제의 창이 설치되고, 점등 검사의 검출계, 화소 내 결함의 검출계, 수정용 레이저 광 조사계가 상기 구조체의 외부에 있고, 상기 유리제의 창을 통해 검사 수정하는 유기 EL 디스플레이 검사 수정 설비 및 유기 EL 디스플레이 제조 시스템으로 함으로써, 불활성 건조 가스를 필요로 하는 내용적을 현저하게 저감시킬 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 유기 EL 소자에 의한 화소가 형성된 머더 기판 상의 화소의 결함에 레이저 광을 조사하여 수정할 때에, 상기 결함의 위치 정보와 크기에 기초하여 상기 레이저 광을 투과시키는 광 투과 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 상기 결함의 위치에 조사하는 것을 제11 특징으로 한다.
본 발명의 제11 특징에 따르면, 검출된 이물질의 불량 화소 내의 위치와 크기에 기초하여, 포토마스크의 투과 패턴에 의해 확실하게 흑점 등의 결함을 수정할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 제11 특징에 더하여, 비점등 불량 화소의 화상과 정상 화소의 화상을 비교하여 비점등 불량 화소 내의 상기 결함의 위치와 크기를 검출하는 것을 제12 특징으로 한다.
본 발명의 제12 특징에 따르면, 본 발명에 의한 수정 설비의 관찰계에 있어서의 미소한 결함의 검출은, 비점등 불량 화소의 화상과 인접하는 동일 색의 정상 화소의 화상의 차화상을 취함으로써, 백그라운드 신호가 소거되어 예를 들어 이물질의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 또한, 톱 에미션 구조와 같이, 유기 발광층의 하층에 TFT 패턴이 있어도 차화상에서는 이들이 소거되어 이물질만 강조되므로 검출이 용이해진다. 검출된 이물질은, 불량 화소 내의 위치와 크기를 측정할 수 있으므로, 위치 정보와 크기 정보를 취득할 수 있고, 또한 크기 정보는 레이저 조사시의 파라미터로서 크기별로 분류하여 데이터 저장한다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 제11 특징에 더하여, 상기 광 투과 패턴은 상기 결함의 주위를 둘러싸고 띠 형상으로 제거할 수 있는 패턴인 것을 제13 특징으로 한다.
본 발명의 제13 특징에 따르면, 결함의 주위를 띠 형상으로 둘러싸는 광 투과 패턴이 설치된 포토마스크를 통해 레이저 조사함으로써 결함 수복 성공률을 향상시킬 수 있다. 전술한 바와 같이, 이물질을 포함한 영역을 레이저 제거하려고 하면, 제거해야 할 이물질의 크기, 형상, 재질의 차이에 따라 에너지 흡수의 차이가 발생하여 제거성에 큰 편차가 발생하여, 결함 화소 수복의 성공률이 저감된다. 이물질에 레이저 광을 조사하지 않고, 그 주변을 제거하면 전기적 단락 상황을 해소할 수 있으므로 화소는 수복된다. 따라서, 결함의 주위를 둘러싸고 띠 형상으로 제거할 수 있는 광 투과 패턴의 레이저 광을 조사하면, 항상 동질인 물질을 제거할 수 있으므로 이물질의 물성에 영향을 받을 일이 없다. 또한, 포토마스크에 의해 띠 형상으로 제거할 수 있는 광 투과 패턴으로 빔을 생성하면, 이물질 직경에 따라 레이저 광의 크기나 강도를 조정할 필요가 없고, 또한 레이저 광을 이물질의 주위로 스캔하는 복잡함이 해소된다.
또한 본 발명은, 상기한 제2 목적을 달성하기 위해, 제11 특징에 더하여, 상기 광 투과 패턴은 상기 결함보다 큰 직경의 투과 패턴인 것을 제14 특징으로 한다.
본 발명의 제14 특징에 따르면, 이물질 등의 결함의 직경을 충분히 상회하는 큰 빔의 조사를 사용하여, 이물질의 크기 정보에 따라서, 이물질 직경보다 크고 또한 제거 범위를 작게 할 수 있는 포토마스크 패턴을 사용하여, 이것을 통해 이물질 위치에 레이저 조사함으로써 화소를 수복할 수 있다. 이때, 미리 빔 내 강도 균일성을 높여 둔 레이저 광을 사용함으로써, 항상 균일성이 높은 레이저 광을 조사할 수 있으므로, 제거 안정성을 높게 할 수 있다. 또한, 광 투과 패턴의 직경을 필요 최소한으로 함으로써, 가공부 면적을 억제할 수 있어, 회복 후의 화소의 휘도 저감을 억제할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기한 제2 목적을 달성하기 위해, 제13 또는 제14 특징에 더하여, 상기 포토마스크는 크기를 바꾼 상기 투과 패턴을 복수개 갖고, 상기 결함의 크기에 맞추어 상기 투과 패턴을 선택하는 것을 제15 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 제13 또는 제14 특징에 더하여, 상기 포토마스크는 상기 투과 패턴의 크기를 바꾸어 복수개 갖고, 상기 결함의 크기에 맞추어 상기 포토마스크를 선택하는 것을 제16 특징으로 한다.
본 발명의 제15 또는 제16 특징에 따르면, 이물질의 크기 정보에 따라서, 이물질 직경보다 크고 또한 제거 범위를 작게 할 수 있는 포토마스크 패턴을 선택하고, 이것을 통해 이물질 위치에 레이저 조사함으로써 결함을 수정할 수 있다. 조사 직경을 작게 억제함으로써 가공부 면적을 억제할 수 있어, 회복 후의 화소의 휘도 저감을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 제13 특징과 본 발명의 제15 또는 제16 특징에 따르면, 광 투과 패턴이 결함의 주위를 둘러싸고 띠 형상으로 제거할 수 있는 광 투과 패턴이며, 상기 광 투과 패턴의 크기를 바꾸어 복수개 설치한 포토마스크를 구비하고, 결함의 크기에 맞추어 제거 영역을 최소한으로 하는 광 투과 패턴을 선택하여 레이저 조사하는 기구로 함으로써, 레이저 조사에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 즉, 관찰계의 이물질 정보에 의해, 복수 형성한 광 투과 패턴 중으로부터 최적인 것을 선택하고, 이물질 바로 위로 포토마스크를 이동시켜 레이저 조사하므로 설비 동작이 적다. 따라서, 화소 수복 시간을 단축시킬 수 있어, 생산성이 향상된다. 특히 다수의 화소를 수복해야 하는 수정 설비에서는 처리 시간의 단축이 불가결하고, 본 발명에 의한 수정 설비는 이 점에 유효한 구성으로 되어 있으므로 인라인화에 유리하다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 제13 내지 제14 중 어느 하나의 특징에 더하여, 상기 머더 기판을 보유 지지하는 스테이지와 상기 레이저 조사계 및 상기 관찰계를 내부에 갖는 구조체를 구비하고, 상기 구조체의 내부를 수분 제거 기구 또는 불활성 건조 가스에 의해 저습도로 제어하는 것을 제17 특징으로 한다.
본 발명의 제17 특징에 따르면, 유기 EL 디스플레이 패널의 발광 수명 확보를 할 수 있다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 제13 내지 제14 중 어느 하나의 특징에 더하여, 상기 머더 기판을 보유 지지하는 스테이지를 내부에 적재하는 구조체를 구비하고, 상기 레이저 광 조사하는 레이저 발진기는 상기 구조체의 외부에 설치되고, 상기 구조체에 설치된 투과창을 통해 상기 레이저 광을 조사하는 것을 제18 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 제2 목적을 달성하기 위해, 제13 내지 제14 중 어느 하나의 특징에 더하여, 상기 머더 기판을 보유 지지하는 스테이지를 내부에 적재하는 구조체를 구비하고, 상기 관찰계는 상기 구조체의 외부에 설치되고, 상기 구조체에 설치된 투과창을 통해 상기 결함의 위치와 크기를 검출하는 것을 제19 특징으로 한다.
본 발명의 제18 또는 제19 특징에 따르면, 불활성 건조 가스의 사용량 저감이나 결로점 관리를 위해, 내용적을 저감시킨 구조로 할 수 있다. 즉, 기판을 보유 지지하는 스테이지는, 수분 제거 기구 또는 불활성 건조 가스에 의해 저습도로 제어된 구조체 내에 있고, 상기 구조체에는 검사에 필요한 광이나 레이저를 투과하는 유리제의 창이 설치되고, 화소 내 결함의 관찰계, 수정용 레이저 광 조사계가 상기 구조체의 외부에 있고, 상기 유리제의 창을 통해 수정하는 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비로 함으로써, 불활성 건조 가스를 필요로 하는 내용적을 현저하게 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명과 관련되는 비점등 불량 화소의 위치를 검출하는 수단의 예로서는, 머더 기판 상의 유기 EL 디스플레이 패널에 대해, 백플레인 공정에서 각 패널에 급전하는 점등 검사 전용 배선 및 전극을 설치하고, 이 머더 기판에 대해 전용 프로버를 사용하여 급전하여 전체 화소를 발광시켜, 비점등 화소를 검출하는 방법을 들 수 있다. 최종 패널 형태가 수지 밀봉 구조나 컬러 필터를 조합한 구조라도 화소 결함을 수복할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 EL 디스플레이 검사 수정 설비에서는, 기판은 통상 수평으로 보유 지지하여 처리되지만, 설비 점유 면적 저감을 위해 기판을 세로로 보유 지지하는 기구로 해도 지장 없다.
본 발명에 따르면, 최종 패널 형태가 수지 밀봉 구조라도, 결함 수정 후의 화소의 신뢰성이 높고 또는 검사 수정의 처리 시간이 짧고, 혹은 결함 수정의 성공률이 높고, 자동화가 가능하여 생산성이 높은 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비 또는 점등 검사 방법, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치 또는 결함 검사 수정 방법 혹은 유기 EL 디스플레이 제조 시스템 또는 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 미소한 결함을 검출할 수 있고 또는/및 화소 수복의 성공률이 높고, 혹은/및 자동화가 용이하여 생산성이 높은 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비 및 수정 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 액티브형 유기 EL 패널의 제조 공정의 예를 나타내는 도면.
도 2는 화소 결함의 원인을 도시하는 개념도.
도 3은 화소 결함의 수복 메카니즘을 도시하는 개념도.
도 4는 화소 결함을 수복할 수 없는 원인을 도시하는 개념도.
도 5는 평가한 보텀 에미션 중공 밀봉의 소자 단면도.
도 6은 평가한 보텀 에미션 수지 밀봉의 소자 단면도.
도 7은 평가한 톱 에미션 중공 밀봉의 소자 단면도.
도 8a는 평가한 톱 에미션 수지 밀봉의 소자 단면도.
도 8b는 비점등 결함 화소의 레이저 수복 구조 의존성의 비교 평가를 나타내는 표.
도 9는 화소 급전용 전용 배선과 전극 패드를 형성한 머더 기판의 평면도.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태인 점등 검사 설비의 구성을 도시하는 도면.
도 11은 점등 검사 설비에 의해 검출된 화소 결함의 좌표를 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태인 레이저에 의한 결함 수정 설비의 구성을 도시하는 도면.
도 13은 수정해야 할 화소와 화소 내 결함의 상황을 도시하는 도면.
도 14a는 포토마스크를 사용한 화소 내 쇼트의 수복의 예를 도시하는 도면.
도 14b는 포토마스크를 사용한 화소 내 쇼트의 수복의 다른 예를 도시하는 도면.
도 15는 결함 수정 처리 전후의 화소의 상황을 도시하는 도면.
도 16은 본 발명의 일 실시 형태인 점등 검사 정비, 결함 수정 설비를 사용한 경우의 액티브형 유기 EL 패널의 제조 공정의 예를 도시하는 도면.
도 17은 본 발명의 일 실시 형태인 유기 EL 디스플레이 제조 시스템의 구성의 예를 도시하는 도면.
도 18은 불활성 건조 가스를 채우는 공간을 저감시키는 점등 검사 설비의 예를 도시하는 도면.
도 19는 불활성 건조 가스를 채우는 공간을 저감시키는 결함 수정 장치의 예를 도시하는 도면.
도 20은 하층 TFT 패턴과 유기 발광층 패턴의 어긋남에 대해 설명하는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면에 따라서 설명한다. 그러나 이러한 실시 형태가 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다.
우선, 통전해도 발광되지 않는 결함 화소의 원인을 도 2의 톱 에미션 액티브형 유기 EL 디스플레이의 단면 개념도를 사용하여 설명한다. 이 디바이스는, 우선 백플레인 공정에서 단순한 유리 기판의 상태에 있는 머더 기판(108) 상에 TFT 소자(110), 배선층(109), 절연층(107, 105), 유기 EL부의 제1 전극(106) 등을, 박막 프로세스를 사용하여 형성한다. 유기 발광층[120(120a, 120b)]의 패턴은 제1 전극(106)의 패턴 상에 섀도우 마스크를 사용하여 진공 증착되고, 또한 진공을 깨지 않고 연속적으로 제2 전극(104), 배리어막(103)을 형성하여 유기 EL 소자가 형성된다. 수분에 의한 수명 저하나 기계적 보호를 위해 커버 유리(101)로 밀봉하여 디바이스는 완성되지만, 커버 유리와 유기 EL 소자측 기판과의 사이는 방식의 차이에 따라 수지층 또는 중공층(102)이 된다.
유기 발광층(120)의 두께는 100㎚ 전후로 매우 얇고, 제1 전극(106)과 제2 전극(104) 사이에 이 두께를 뚫는 크기의 도전성 이물질 도전(130)이 있으면, 제1 전극(106)과 제2 전극(104)이 전기적으로 단락되어, 발광되지 않는 결함 화소(100a)가 된다. 이물질이 도전성이 아니어도, 이물질과 유기 발광층의 계면으로부터의 미소 누설에 의해 전기적 단락이 발생하는 경우도 있다.
커버 유리와 유기 EL 소자측 기판 사이가 중공층인 경우와 수지층인 경우에서, 레이저 조사에 의한 결함 수복 효과에 차이가 있고, 중공층(구조)인 경우는 결함 수복이 용이하다. 도 3은 중공층(160)인 경우의 화소 결함의 수복 메카니즘을 도시하는 개념도이다. 이물질이 있는 장소에 펄스 레이저 광(140)의 빔을 조사하면, 조사부의 제2 전극(104), 유기 발광층(120b), 도전성 이물질(130)이 레이저의 열충격에 의해 비산되어, 개구부(170)가 발생한다. 개방되지 않은 나머지 화소는, 전기적 단락으로부터 개방되어 발광이 회복된 화소(100c)가 된다. 전체 화소 면적에 대해, 레이저 조사에 의해 생성된 개구부(170)의 면적이 작으면 실용상 문제가 없는 화소로서 기능한다.
한편, 커버 유리와 유기 EL 소자측 기판 사이가 수지층(구조)(180)인 경우 수복이 어렵다. 도 4는 화소 결함을 수복할 수 없는 원인을 도시하는 개념도이다. 이물질이 있는 장소에 펄스 레이저 광(140)의 빔을 조사해도, 수지로 밀폐되어 있으므로 레이저의 열충격에 의해 발생되는 분해물이 비산되는 공간이 없어, 조사부(190)가 소손될 뿐이며 발광은 회복되지 않는다(100d).
이것을 실험적으로 확인하기 위해, 톱 에미션 구조와 보텀 에미션 구조의 양쪽에 대해, 기밀 밀봉 후의 패널 내부 구조가 중공 구조인 것과 소자 전체를 유기 수지로 덮는 구조에 대해 레이저의 국소 조사에 의한 결함 화소 수복 가능성을 평가하였다. 평가한 액티브형 유기 EL 패널의 단면 개념도를 도 5 내지 도 8에 도시한다. 도 5는 보텀 에미션 중공 밀봉, 도 6은 보텀 에미션 수지 밀봉, 도 7은 톱 에미션 중공 밀봉, 도 8a는 톱 에미션 수지 밀봉의 소자 단면도이다. 평가 패널의 비점등 결함 화소는 녹색의 서브 픽셀(서브 화소), 이물질 직경은 0.5 내지 2㎛, 레이저는 532㎚ 펄스 레이저, 빔 직경은 10㎛로 플루언스를 적절하게 바꾸어 레이저 조사한 후, 점등 검사 장치에 의해 비점등 결함 화소의 수복 상태를 평가하였다. 평가 결과를 도 8b에 도시한다. 톱 에미션 구조와 보텀 에미션 구조 중 어느 것에 있어서도 중공 구조(도 5, 도 7)에서는 결함 화소의 수복이 성공하였지만, 유기 수지 밀봉 구조(도 6, 도 8a)에서는 레이저 조건을 바꾸어 조사해도 결함 화소는 수복되지 않았다. 이상의 결과로부터, 수지 밀봉 구조에서는 레이저 조사에 의한 화소 수복이 어려운 것을 확인하였다.
상기한 검증 결과를 배경으로 하여 얻어진 본 발명의 실시예에 대해 이하에 설명한다.
[제1 실시예]
도 9는 본 발명의 실시 형태에 영향을 미치는 화소 급전용 전용 배선과 전극 패드를 형성한 머더 기판의 평면도이다. 백플레인 공정에서 TFT나 배선이 조립된 머더 기판(320)을 제조할 때에, 머더 기판 단위로 일괄 급전을 가능하게 하기 위해 기판의 양변에 게이트부 급전용 전극 패드(305), 게이트부 급전 배선(306), 소스부 급전용 전극 패드(307), 소스부 급전 배선(308), EL 소자 제2 전극용 급전 패드(309), EL 소자 제2 전극 급전 배선(310)을 동시에 조립한다. 패널 점등에 필요한 이 밖의 배선도 동시에 조립한다. 또한, 본 실시예에서는 머더 기판의 양변으로부터 급전하는 구조를 취하고 있지만, 한 변으로부터 급전하는 구조로 해도 지장 없다.
상세한 것은 기재되어 있지 않지만, 게이트부 급전 배선(306) 및 소스부 급전 배선(308)은 또한 각각 게이트 LSI 탑재 영역(303)과 소스 LSI 탑재 영역(304)에서 분기되어, 표시부 영역(302)의 각 화소에 도달한다. 유기 EL막 형성 공정이 완료되면 EL 소자 제2 전극에도 급전 가능한 상태로 되므로, 이들 급전용 전용 배선으로부터 전압 인가함으로써 머더 기판 상의 전체 화소가 점등 가능해진다. 점등 검사 후에 불필요해지는 이들 전용 전극 패드나 배선 영역은, 패널 절단 공정에서 표시부 영역(302)을 갖는 패널 영역(301)로부터 분리되어 기각되어, 제품 패널에는 남지 않는다.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 의한 점등 검사 설비의 구성을 도시하는 도면이다. 본 장치는, 스테이지(321), 게이트부 및 유기 EL 소자 제2 전극 급전용 프로버(322), 소스부 급전용 프로버(323), 가동 기구를 갖는 리니어 센서(324) 및 화상 처리용 외부 기억 장치(325)를 포함한다. 스테이지 상에 놓인 전용 급전 배선 부착 머더 기판(320)(도 9)은, 프로버 단자를 전극 패드에 촉침하여, 급전됨으로써 전체 화소가 점등된다. 머더 기판(320) 상에 배치된 리니어 센서(324)는 점등 기판 상을 스위프하여, 점등 화상을 촬상한다. 리니어 센서의 총 화소는, 머더 기판(320) 상의 전체 화소보다도 많은 화소수를 가질 필요가 있어, 1대의 총 화소가 이것에 충족되지 않는 경우는, 복수의 리니어 센서에서 분담하여 데이터 취득한다. 리니어 센서 외에, TDI 센서, 에어리어 센서(TV 카메라)를 사용할 수도 있다.
도 11은 점등 검사 설비에 의해 검출된 화소 결함의 좌표를 도시하는 도면이다. 상기에서 촬상한 화상으로부터, 도면에 도시하는 바와 같이 발광되지 않는 결함 화소(흑점)(330)를 검출하여, 패널마다 그 좌표를 결정한다. 이 좌표점은, 후술하는 결함 수정 설비와 좌표를 공유하여, 수정에 필요한 불량 화소 위치로의 안내에 사용된다.
또한, 하기 알고리즘에 의해, 수정해야 할 기판과 수정 불가능한 기판의 구분을 할 수 있다. 즉, 패널마다의 결함 화소의 수를 산출하고, 라인 택트 내에서 전부 수정할 수 없는 수의 흑점이 검출되면, 불량 기판이라 판정하여 결함 수정 설비로 반출하지 않는다. 점등 검사에서는, 흑점 검출과 함께 수정 불가능한 단선이나 레벨이 좋지 않은 화상 불균일도 동시에 검출할 수 있지만, 이 경우도 불량 기판이라 판정하여 결함 수정 설비로 반출하지 않는다. 화상 불균일의 원인은, 백플레인 공정의 폴리실리콘 형성시에 발생하는 엑시머 레이저 어닐 불균일이나 화소 내 유기 EL 패턴의 어긋남에 의한 화소 어긋남 기인의 불균일 등을 들 수 있다. 이에 의해, 수정해야 할 기판만을 수정할 수 있어, 불필요한 작업이 발생하지 않는다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 의한 결함 수정 설비의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 수순은 이하와 같다. 즉, 점등 검사 설비에서 추출한 결함 화소의 좌표 데이터로부터, 결함 화소가 레이저 조사계의 바로 아래에 위치하도록 스테이지(321)에 의해 머더 기판(320)을 이동한다. 결함 화소 내의 이물질의 위치 검출은, 관찰계(450)에서 촬상한 화소의 화상으로부터 검출하여, 레이저 조사계(460)에서 레이저 조사한다. 또한, 레이저 조사계(460)를 결함 화소의 위치로 이동시켜도 좋고, 이미 알고 있는 광학 수단에 의해 광로를 주사해도 좋다.
결함 수정 설비의 구성에 대해 설명한다. 광원(417)으로부터 출사된 투영 광(420)은 콜리메이트 렌즈(416)에 의해 콜리메이트 광으로 되고, 하프 미러(412, 410)를 거쳐서 머더 기판(320)에 투영된다. 기판으로부터의 반사광을 하프 미러(410)에 의해 유도하고, 결상 렌즈(415)를 거쳐서 촬상 소자(413)에서 머더 기판(320) 상의 화소 화상을 촬상한다. 화상은 화상 처리부(414)에 의해 처리되고, 이물질의 위치를 산출하여 마스크 스테이지(408) 상에 배치된 마스크(407)를 이물질의 위치까지 정밀하게 이동시킨다.
레이저 발진기(400)로부터 조사된 레이저 광(401)을 빔 익스팬더(402)에 의해 소정의 빔 직경으로 넓히고, 호모지나이저(403)에 의해 레이저 조사 영역 전체면에서의 레이저 강도의 균일성을 확보한다. 정형한 레이저 광을 마스크 스테이지(408) 상에 설치된 마스크(407)를 통과시키고, 다시 결상 렌즈(409)와 대물 렌즈(411)를 통과시킨 후, 기판 스테이지(321)에 적재된 머더 기판(320) 상의 수정 개소에 레이저 조사한다.
결상 렌즈(409)와 대물 렌즈(411)는 마스크(407)의 이미지를 머더 기판(320) 상에 투영하도록 배치되어 있고, 결상 렌즈(409)와 대물 렌즈(411)의 초점 거리의 비배의 크기로 머더 기판(320) 상에 마스크 이미지를 투영한다. 이 광학계 구성에 의해, 마스크(407)의 투과 부분을 축소한 영역에 레이저 광 조사할 수 있다.
조사하는 레이저 광의 파장은, 200 내지 1100㎚의 범위로부터 선택할 수 있다. 전형적인 파장으로서는 266㎚, 532㎚, 1064㎚ 등의 파장을 들 수 있지만, 유기 발광층의 광 흡수 특성에 맞추어 선택한다.
도 13은 수정해야 할 화소와 화소 주변의 확대도를 도시하고 있다. 하나의 화소는 적색 서브 화소(501R), 녹색 서브 화소(501G), 청색 서브 화소(501B)의 3개의 서브 화소로 성립되어 있고, 크기 형상은 동일한 경우나 다른 경우가 있다. 비점등 결함 서브 화소 내에 있는 이물질의 검출은, 정상적인 서브 화소와 결함 서브 화소의 차화상을 취함으로써, 이물질의 콘트라스트를 높일 수 있다. 이에 의해, 100㎚ 오더로부터 서브 마이크로미터 오더의 이물질의 위치 검출을 할 수 있다. 예를 들어, 결함 화소(500R)와 인접하는 동일한 색의 정상 화소(501R)의 차화상을 취함으로써 미소 이물질(502)을 명료한 이미지로 검출할 수 있으므로, 미소 이물질의 화소 내 위치를 검출할 수 있다.
도 14a, 도 14b는 포토마스크를 사용한 화소 내 쇼트 수복의 예를 도시하는 도면이다. 차광부(601)와 이미지면에서 이물질(600)보다 큰 직경이 되도록 설정된 링 형상의 개구부(602)를 갖는 마스크(407)를, 이물질 검출의 위치 정보에 따라서 이물질(130) 상으로 이동시켜, 레이저 조사함으로써 결함 화소(330) 내의 이물질 주변을 둘러싸도록 제2 전극막(104), 배리어막(103)이나 유기 발광막(120b)을 제거하여 쇼트 상태를 해소한다. 이물질을 포함하는 직경의 레이저 광을 조사하여 이물질을 제거함으로써 쇼트 상태를 해소하는 것도 가능하지만, 이물질(130)은 제2 전극막(104), 배리어막(103)이나 유기 발광막(120b)의 광 흡수 특성이나 물성이 다르므로, 제거에 필요한 에너지량이 이물질의 종류나 크기마다 다르다. 이로 인해 제거성의 마진이 좁아져 제거 성공률이 저하되지만, 이물질의 주변을 둘러싸도록 레이저 조사하면 항상 동일 성상의 물질을 제거하게 되므로, 제거성의 마진이 넓어진다. 개구부 링의 직경은, 화소의 휘도 저감이 허용되는 면적을 상한으로 하여, 이물질의 계(系)보다도 충분히 커지도록 미리 설정해 둘 수 있다.
또한, 도 14b에 도시하는 포토마스크(407A)에 도시하는 바와 같이, 링 직경이 다른 복수의 패턴을 준비해 두고, 관찰계(450)(도 12 참조)의 이물질 정보에 기초하여, 이물질보다 크고 또한 제거 면적이 최소가 되도록 이물질의 크기에 맞추어 구분하여 사용할 수 있다. 이에 의해, 수복 화소의 휘도 저감을 최소로 억제할 수 있다. 이물질을 둘러싸도록 주변을 제거하는 레이저의 조사 방법으로서는, 여기에 나타내는 포토마스크에 의한 방법이, 처리 시간이 짧고, 수복 수율이 우수하고, 안정성이 우수하다. 즉, 빔 생성 조건은 미리 정해져 있고, 포토마스크 이동 시간이 처리 시간의 대부분을 차지하므로, 고속 처리할 수 있다.
도 15는 결함 수정 처리 전후의 화소의 상황을 도시하는 도면이다. 결함 화소(500R)의 이물질(502)에 레이저 조사하여 쇼트 상태를 해소하고, 점등을 회복한 화소(510R)에서는 레이저 조사부(520)는 비발광부가 된다. 이 부분의 면적이 잔여 발광부에 비해 작으면, 패널 전체를 점등하였을 때에는 사람의 눈에는 거의 시인되지 않는다. 정상 화소(501R)와 점등을 회복한 화소(510R)의 휘도비는 발광부 면적에 비례하므로, 비발광부, 즉 마스크(407)의 링 형상의 개구부(602)의 직경은, 설계자의 비발광 허용률로부터 규정할 수 있다. 예를 들어, 200㎛×80㎛의 발광 면적에서 비발광 허용률이 5%이면, 최대 16㎛의 직경을 허용할 수 있다. 유기 EL막 형성 공정에서 문제가 되는 이물질 직경은 100㎚ 오더로부터 커도 수 마이크로미터 오더이므로, 위치 정렬 어긋남 등의 정밀도를 고려해도 마진 폭 넓게 레이저 가공할 수 있다.
또한, 화소 내에 제거해야 할 복수의 결함 후보가 있는 경우는, 비발광 허용 면적의 범위 내에서, 복수의 결함을 수정할 수 있다.
이상의 실시예에서는, 도 1에 도시하는 공정에서 머더 기판의 상태에서 결함을 검출하여 수정하는 예를 설명하였지만, 유기 EL 디스플레이 패널의 구조에 따라서는 도 1에 도시하는 바와 같이 패널 단위로 실시해도 좋다.
[제2 실시예]
도 16은 본 발명의 실시 형태에 의한 점등 검사 수정 장치를 사용한 경우의 액티브형 유기 EL 패널의 제조 공정의 예를 도시하는 도면이다. 도 1에 나타낸 종래 공정에서는 점등 검사 공정은 패널 단위로 처리되는 것과 비교하여, 점등 검사 공정은 밀봉 공정이 처리되어 있지 않은 머더 기판 단위로 처리되므로 자동화하기 쉽고, 또한 패널의 밀봉 구조에 관계없이 화소 결함을 수정할 수 있는 수정 공정을 도입할 수 있었으므로, 대형 패널에서 필요한 수지 밀봉 구조의 패널의 수율 향상에 크게 기여할 수 있다.
도 17은 본 발명의 실시 형태에 의한 유기 EL 디스플레이 제조 시스템의 구성의 예를 도시하는 도면이다. 여기서는 유기 EL막 형성 공정을 진공 성막으로 형성하는 예에 대해 설명한다. 유기 EL 디스플레이 제조 시스템(10)은, 진공 성막 설비에 의한 유기 EL막 형성 설비의 클러스터(20), 머더 기판 단위로 화소의 점등 검사 수정 설비의 클러스터(30), 밀봉 설비의 클러스터(40)로 구성된다. 유기 EL막 형성 설비의 클러스터(20)는 전체의 일부에 대해 기재되어 있고, 상류에 또한 필요한 수의 성막 설비를 갖는 클러스터로 연결되어 있다. 상류의 클러스터에서 유기막 성막되어 온 기판(45)은, 전달 설비(50)를 경유하여, 진공 트랜스퍼 챔버(51) 중에서 트랜스퍼 로봇(90)에 의해 유기 EL막 형성 설비(701, 702, 703), 제2 전극막 형성 설비(704, 705), 배리어막 형성 설비(706)로 전달되어 성막된다. 챔버의 수는 성막 설비의 능력에 따라 증감시킨다.
점등 검사 수정 설비의 클러스터(30)는, 클러스터(20)와의 사이의 기판을 전달과 함께, 진공과 불활성 건조 가스의 분위기를 치환시키는 기능을 갖는 전달 설비(60)로 연결되어 있다. 상류로부터 보내져 온 기판(45)은, 불활성 건조 가스의 분위기하, 트랜스퍼 챔버(52) 중에서 트랜스퍼 로봇(90)에 의해 프로세스순으로 각 설비에 전달된다. 우선, 점등 검사 설비(710)에서 결함 화소를 검출하고, 그 후 결함 수정 설비(712, 713, 714, 715)로 보내진다. 결함 수정 설비는 여기서는 4대 기재하고 있지만, 설비의 능력에 따라서 증감시킬 수 있다. 결함 수정 후에, 신뢰성 확보의 목적으로 또한 배리어막을 형성하는 경우에는, 클러스터(20)로 복귀시켜 배리어막 형성 설비(706)에 의해 막 형성해도 좋고, 점등 검사 수정 설비 클러스터(30)에 배리어막 형성 설비를 부가하여 막 형성하는 구성으로 할 수 있다. 수정이 완료된 기판은 점등 검사 설비(711)에서 수정 결과를 확인한 후, 전달 설비(70)를 통해 밀봉 설비 클러스터(40)로 보내, 불활성 건조 가스의 분위기하, ODF(One Drop Fill) 등의 밀봉 설비(721)로 기밀 밀봉한다. 완성된 기판은 전달 설비(80)를 거쳐 후공정으로 반출된다.
상기와 같이, 모든 공정을 머더 기판 단위로 처리할 수 있으므로 자동화하기 쉬워 생산성이 높다.
[제3 실시예]
유기 EL 패널의 발광 수명 확보를 위해, 본 발명의 실시 형태에 의한 검사 수정 설비 내는 건조 질소 가스 등의 불활성 건조 가스에 의해 이슬점 -70℃ 이하에서 관리하지만, 이슬점 관리의 용이성이나 불활성 건조 가스의 소비 절감을 위해 검사 수정 설비 내의 공간을 최소한으로 저감시키는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에 의한 검사 수정 설비는 광학을 응용한 설비이므로, 유리판을 창으로 하여 사용한 하우징 구조를 취하고, 검출계나 레이저 조사계를 유리판의 외부에 배치함으로써 불활성 건조 가스의 공간을 크게 저감시킬 수 있다.
도 18은 불활성 건조 가스를 채우는 공간(801)을 저감시키는 점등 검사 장치의 예를 도시하는 도면이다. 점등 검사 장치(806)의 스테이지(805), 머더 기판(320) 및 프로버(802)는, 트랜스퍼 챔버(804)와 연결하고, 유리창(800)을 구비한 구조체(803) 내에 있고, 리니어 센서(324)는 유리창의 외부에 있어 있어서 점등 기판 상을 스위프하여, 점등 화상을 촬상한다.
도 19는 불활성 건조 가스를 채우는 공간(811)을 저감시키는 수정 장치의 예를 도시하는 도면이다. 레이저 수정 장치(815)의 스테이지(812), 머더 기판(320)은, 트랜스퍼 챔버(816)와 연결하고, 유리창(810)을 구비한 구조체(813) 내에 있고, 검출계나 레이저 조사계(820)는 유리창의 외부에 있어 머더 기판 상 결함 화소의 이물질의 수정을 행한다. 이상의 설비 구성에 의해, 불활성 건조 가스로 채우는 공간을 크게 저감시킬 수 있다.
[제4 실시예]
본 발명의 실시 형태에서는 레이저 수정 장치의 조명계에 의해 촬상되는 화상을 사용하여, 하층 TFT 패턴과 유기 발광층 패턴의 패턴 어긋남을 평가하고, 유기 EL막 성막 설비의 화소 패턴 위치 정렬에 오프셋값으로서 피드백할 수 있다.
도 20은 하층 TFT 패턴과 유기 발광층 패턴의 어긋남에 대해, 그 일례를 설명하는 도면이다. 게이트선(901)과 데이터선(902)은 백플레인 형성 공정에서 작성되고, 유기 발광층(910, 920)은 진공 증착 공정에서 형성된다. 데이터선(902)과 게이트선(901)의 패턴 단부면을 각각 x방향, y방향의 기준으로 하여, 정상적인 유기 발광층 패턴(910)의 단부면과의 거리 x1과 y1을 미리 산출해 둔다. 서로 이격된 복수의 화소에 대해, 촬상한 유기 발광층 패턴(920)의 기준선으로부터의 위치 x2와 y2를 측정하여, 어긋남량 Δx, Δy를 산출한다. 이 값을, 유기 발광층 성막 공정에 있어서의 섀도우 마스크의 위치 정렬에 오프셋값으로서 피드백함으로써 유기 발광층 패턴의 어긋남을 억제할 수 있다. 유기 EL막 성막 공정과 어긋남을 계측하는 검사 수정 공정은 연속된 공정이므로, 측정 결과는 바로 피드백할 수 있어, 화소 어긋남 불량의 조립을 억제할 수 있다.
상기한 실시 형태에서는 기판은 통상 수평으로 보유 지지하여 처리되어 있지만, 설비 점유 면적 저감을 위해 기판을 세로로 보유 지지하는 기구로 해도 지장 없다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 유기 EL 소자나 배선이 형성된 머더 기판 상의 유기 EL 패널에 대해, 전용 배선에 의해 각 패널의 화소에 급전함으로써 점등 검사가 가능해지고, 비점등 화소의 검출 및 상기 화소 내의 결함 부위를 레이저로 제거함으로써 수복할 수 있으므로, 최종 패널 형태가 수지 밀봉 구조라도 화소 결함을 수복할 수 있다. 또한, 검사 수정의 처리 시간이 짧고, 결함 수정의 성공률이 높고, 자동화에 의한 생산성 향상이 가능한 검사 수정 설비 및 시스템을 제공할 수 있으므로, 금후 보급이 예상되는 대형 유기 EL 디스플레이의 수율 향상이나 생산성 향상에 크게 기여할 수 있다.
또한, 이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비에서는, 미소한 결함을 검출할 수 있고, 화소 수복의 성공률이 높고, 자동화가 용이하여 생산성이 높은 유기 EL 디스플레이 패널의 수정 설비를 제공할 수 있으므로, 금후 보급이 예상되는 대형 유기 EL 디스플레이 패널의 수율 향상에 크게 기여할 수 있다.
10 : 유기 EL 디스플레이 제조 시스템
20 : 유기 EL막 형성 설비의 클러스터
30 : 머더 기판 단위로 화소의 점등 검사 수정 설비의 클러스터
40 : 밀봉 설비의 클러스터
45 : 기판
50, 60, 80 : 전달 설비
51 : 진공 트랜스퍼 챔버
52 : 트랜스퍼 챔버
90 : 트랜스퍼 로봇
100a : 결함 화소
100b : 정상 화소
100c : 발광이 회복된 화소
100d : 레이저 조사에 의해 수복되지 않은 화소
101 : 커버 유리
102 : 수지층 또는 중공층
103 : 배리어막
104 : 제2 전극
105, 107 : 절연층
106 : 제1 전극
108 : 유리 기판의 상태에 있는 머더 기판
109 : 배선층
110 : TFT 소자
120, 120a, 120b : 유기 발광층(막)
130 : 도전성 이물질
140 : 펄스 레이저 광
150 : 레이저 광에 의한 비산물
160 : 중공층
170 : 레이저 조사에 의해 생성된 개구부
180 : 수지층
190 : 레이저 광에 의한 소손부
200 : 제2 전극(불투명)
301 : 패널 영역
302 : 표시부 영역
303 : 게이트 LSI 탑재 영역
304 : 소스 LSI 탑재 영역
305 : 게이트부 급전용 전극 패드
306 : 게이트부 급전 배선
307 : 소스부 급전용 전극 패드
308 : 소스부 급전 배선
309 : 제2 전극용 급전 패드
310 : 제2 전극 급전 배선
320 : 머더 기판(전용 급전 배선 부착 : 도 9)
321, 803 : 스테이지
322 : 게이트부 급전용 프로버
323 : 소스부 급전용 프로버
324 : 라인 센서
330 : 결함 화소
400 : 레이저 발진기
401 : 레이저 광
402 : 빔 익스팬더
403 : 호모지나이저
407, 407A : 마스크
408 : 마스크 스테이지
409 : 결상 렌즈
410, 412 : 하프 미러
411 : 대물 렌즈
413 : 촬상 소자
414 : 화상 처리부
415 : 결상 렌즈
416 : 콜리메이트 렌즈
417 : 광원
420 : 투영광
450 : 관찰계
460 : 레이저 조사계
501R : 적색 서브 화소
501G : 녹색 서브 화소
501B : 적색 서브 화소
500R : 결함 화소
510R : 점등을 회복한 화소
520 : 레이저 조사부
600 : 레이저 제거부
601 : 차광부
602 : 개구부
701, 702, 703 : 유기 EL막 형성 설비
704, 705 : 제2 전극막 형성 설비
706 : 배리어막 형성 설비
710, 711, 806 : 점등 검사 설비
712, 713, 714, 715 : 결함 수정 설비
721 : 밀봉 설비
800 : 유리창
802 : 프로버
803, 813 : 구조체
804, 816 : 트랜스퍼 챔버
805, 812 : 스테이지
810 : 유리창
815 : 레이저 수정 장치
820 : 레이저 조사계
901 : 게이트선
902 : 데이터선
910 : 유기 발광층

Claims (43)

  1. 유기 EL 소자의 각 화소를 점등시키는 점등 검사용 전용 배선 및 전용 전극 패드를 갖는 머더 기판의 상기 전용 전극 패드에 급전하여 상기 각 화소를 점등시키는 점등 수단과, 상기 점등 결과에 기초하여 상기 각 화소 중 점등되어 있지 않은 결함 화소와 그 위치를 검출하는 결함 화소 검출 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전용 전극 패드는 상기 머더 기판의 적어도 한 변에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비.
  3. 제1항에 있어서, 상기 머더 기판은 적어도 1매의 패널을 갖고, 상기 점등 수단은 적어도 패널 단위로 상기 각 화소에 일괄 급전이 가능한 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비.
  4. 제1항에 기재된 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비와, 상기 결함 화소의 이물질의 위치를 광학적으로 검출하는 이물질 위치 검출 수단과 상기 검출한 이물질의 위치에 레이저 광을 조사하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 수단을 구비하는 결함 수정 설비를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이물질 위치 검출 수단은 결함 화소의 화상을 포착하고, 정상 화소의 화상과 비교하여 화소 내의 결함과 그 위치를 검출하는 수단인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 결함 화소의 수정과 함께 제거된 배리어막을 재형성하는 배리어막 형성 설비를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 결함 화소의 수정 후에 적어도 상기 결함 화소에 급전하여, 화소가 점등되는지 여부를 판정하는 판정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 점등 검사 설비, 상기 결함 수정 설비는 저습도 분위기로 제어하는 저습도 분위기 유지 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 저습도 분위기 유지 수단은 수분을 제거하는 수분 제거 수단 또는 불활성 건조 가스 분위기로 유지하는 수단인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  10. 제4항에 있어서, 상기 결함 수정 설비는, 상기 머더 기판을 저습도 분위기 중에 적재하고, 상기 레이저 광을 투명창을 통해 상기 이물질에 조사하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  11. 제4항에 있어서, 상기 결함 화소 검출 수단은 상기 화소에 급전하여 점등된 상태를 화상으로 포착하고, 상기 화상을 처리하여 상기 결함 화소를 검출하는 수단이며, 상기 점등 검사 설비는 상기 화상에 기초하여 상기 패널 단위로 선 결함, 불균일 불량, 화소 내 색상 차이 중 적어도 하나의 불량을 검사하여 양품 불량품의 판정을 행하는 판정 수단을 구비하고, 상기 결함 수정 설비는 상기 결함 화소만 불량인 상기 패널을 선별하여 상기 결함 화소를 수정하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  12. 제4항에 있어서, 상기 결함 화소 검출 수단은 상기 점등된 상태를 화상으로 포착하고, 상기 화상을 처리하여 상기 결함 화소를 검출하는 수단이며, 상기 머더 기판은 적어도 1매의 패널을 갖고, 상기 결함 수정 수단은 상기 패널 내의 상기 결함 화소가 소정의 개수 내일 때에 상기 패널의 상기 결함 화소를 수정하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치.
  13. 유기 EL 소자의 각 화소를 점등시키는 점등 검사용 전용 배선 및 전용 전극 패드를 갖는 머더 기판의 상기 전용 전극 패드에 급전하여 상기 각 화소를 점등시키는 점등 단계와, 상기 점등 결과에 기초하여 상기 각 화소 중 점등되어 있지 않은 결함 화소와 그 위치를 검출하는 결함 화소 검출 단계를 갖는, 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 머더 기판은 적어도 1매의 패널을 갖고, 상기 점등 단계는 적어도 패널 단위로 상기 화소에 일괄 급전이 가능한 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 방법.
  15. 제13항에 기재된 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 방법이 갖는 단계에 더하여, 상기 결함 화소의 이물질의 위치를 광학적으로 검출하는 이물질 위치 검출 단계와, 상기 검출한 이물질의 위치에 레이저 광을 조사하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 단계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 이물질 위치 검출 단계는 결함 화소의 화상을 포착하고, 정상 화소의 화상과 비교하여 화소 내의 결함과 그 위치를 검출하는 단계인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 결함 화소의 수정과 함께 제거된 배리어막을 재형성하는 배리어막 재형성 단계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 결함 화소의 수정 후에 적어도 상기 결함 화소에 급전하여, 상기 결함 화소가 점등되는지 여부를 판정하는 판정 단계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 결함 화소 검출 단계는 상기 각 화소에 급전하여 점등된 상태를 화상으로 포착하고, 상기 점등 검사 방법은 상기 화상에 기초하여 상기 패널 단위로 선 결함, 불균일 불량, 화소 내 색상 차이 중 적어도 하나의 불량을 검사하여 양품 불량품의 판정을 행하는 판정 단계를 구비하고, 상기 결함 수정 단계는 상기 결함 화소만 불량인 상기 패널을 선별하여 상기 결함 화소를 수정하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 방법.
  20. 머더 기판에 유기 EL 소자 형성 재료를 성막하는 유기 EL막 형성 설비를 구비하는 성막 클러스터, 상기 성막 클러스터의 후단에 설치되고 상기 머더 기판의 화소를 점등하고 점등 상태를 검사하여 결함 화소를 검출하는 점등 검사 설비와 상기 점등 검사 설비의 검사 결과에 기초하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 설비를 구비하는 점등 검사 수정 클러스터, 상기 점등 검사 수정 클러스터의 후단에 설치되고 상기 머더 기판의 1면을 커버 유리로 밀봉하는 밀봉 설비를 갖는 밀봉 클러스터와, 상기 성막 클러스터와 상기 점등 검사 수정 클러스터 사이에 설치되고 상기 머더 기판의 전달을 행하는 제1 전달 설비와, 상기 점등 검사 수정 클러스터와 상기 밀봉 클러스터 사이에 설치되고 상기 머더 기판의 전달을 행하는 제2 전달 설비와, 상기 머더 기판을 반송하는 기판 반송 설비를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 시스템.
  21. 제20항에 있어서, 상기 점등 검사 수정 클러스터는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 유기 EL 디스플레이 기판의 점등 검사 설비를 갖는 것을 특징 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 시스템.
  22. 제20항에 있어서, 상기 점등 검사 수정 클러스터는 제4항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 유기 EL 디스플레이 기판의 결함 검사 수정 장치를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 시스템.
  23. 제20항에 있어서, 상기 점등 검사 수정 클러스터 외에, 상기 밀봉 클러스터, 상기 제1 전달 설비, 상기 제2 전달 설비 및 상기 기판 반송 설비를 저습도 분위기로 제어하는 전체 저습도 분위기 유지 수단을 설치하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 시스템.
  24. 제20항에 있어서, 머더 기판 상의 하층 TFT 패턴과 유기 발광층 패턴의 패턴 어긋남을 평가하고, 상기 유기 EL막 형성 설비의 화소 패턴 위치 정렬에 오프셋값으로서 피드백하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 시스템.
  25. 제20항에 있어서, 상기 점등 검사 수정 클러스터는 저습도 분위기로 제어하는 저습도 분위기 유지 수단을 갖고, 상기 제1 전달 설비는 진공 분위기로부터 저습도 분위기로 전환하는 분위기 전환 수단을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 시스템.
  26. 머더 기판에 유기 EL 소자 형성 재료를 성막하는 성막 단계와, 상기 머더 기판의 각 화소에 급전하여 상기 각 화소를 점등시키는 점등 단계와, 상기 점등 결과에 기초하여 상기 각 화소 중 점등되어 있지 않은 결함 화소와 그 위치를 검출하는 결함 화소 검출 단계와, 상기 결함 화소 내의 이물질을 검출하여 상기 결함 화소를 수정하는 결함 수정 단계와, 상기 결함 수정 후 상기 머더 기판의 1면을 밀봉하는 밀봉 단계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 급전은 상기 머더 기판에 설치된 점등 검사용 전용 배선 및 전용 전극 패드를 통해 행해지는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서, 머더 기판 상의 하층 TFT 패턴과 유기 발광층 패턴의 패턴 어긋남을 평가하고, 상기 유기 EL막 형성 설비의 화소 패턴 위치 정렬에 오프셋값으로서 피드백하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 제조 방법.
  29. 유기 EL 소자에 의한 화소가 형성된 머더 기판 상의 상기 화소의 결함을 레이저 광을 조사하여 수정하는 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비에 있어서,
    상기 결함의 위치 정보와 크기에 기초하여 상기 레이저 광을 투과시키는 광 투과 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 상기 결함의 위치에 조사하는 레이저 조사계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  30. 제29항에 있어서, 비점등 불량 화소의 화상과 정상 화소의 화상을 비교하여 비점등 불량 화소 내의 상기 결함의 위치와 크기를 검출하는 관찰계를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  31. 제29항에 있어서, 상기 광 투과 패턴은 상기 결함의 주위를 둘러싸고 띠 형상으로 제거할 수 있는 패턴인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  32. 제29항에 있어서, 상기 광 투과 패턴은 상기 결함보다 큰 직경의 투과 패턴인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  33. 제31항 또는 제32항에 있어서, 크기가 다른 상기 투과 패턴을 복수개 갖는 상기 포토마스크를 갖고, 상기 결함의 크기에 맞추어 상기 투과 패턴을 선택하는 선택 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  34. 제31항 또는 제32항에 있어서, 상기 투과 패턴의 크기를 바꾼 상기 포토마스크를 복수 갖고, 상기 결함의 크기에 맞추어 상기 포토마스크를 선택하는 선택 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  35. 제29항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 머더 기판을 보유 지지하는 스테이지와 상기 레이저 조사계 및 상기 관찰계를 내부에 갖는 구조체를 구비하고, 상기 구조체의 내부를 수분 제거 기구 또는 불활성 건조 가스에 의해 저습도로 제어하는 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  36. 제29항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 머더 기판을 보유 지지하는 스테이지를 내부에 적재하는 구조체를 구비하고, 상기 레이저 광을 조사하는 레이저 발진기는 상기 구조체의 외부에 설치되고, 상기 구조체에 설치된 투과창을 통해 상기 레이저 광을 조사하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  37. 제30항에 있어서, 상기 머더 기판을 보유 지지하는 스테이지를 내부에 적재하는 구조체를 구비하고, 상기 관찰계는 상기 구조체의 외부에 설치되고, 상기 구조체에 설치된 투과창을 통해 상기 결함의 위치와 크기를 검출하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 설비.
  38. 유기 EL 소자에 의한 화소가 형성된 머더 기판 상의 화소의 결함을 레이저 광을 조사하여 수정하는 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법에 있어서,
    상기 결함의 위치 정보와 크기에 기초하여 상기 레이저 광을 투과시키는 광 투과 패턴을 갖는 포토마스크를 통해 상기 결함의 위치에 조사하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법.
  39. 제38항에 있어서, 비점등 불량 화소의 화상과 정상 화소의 화상을 비교하여 비점등 불량 화소 내의 상기 결함의 위치와 크기를 검출하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법.
  40. 제38항에 있어서, 상기 광 투과 패턴은 상기 결함의 주위를 둘러싸고 띠 형상으로 제거할 수 있는 패턴인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법.
  41. 제38항에 있어서, 상기 광 투과 패턴은 상기 결함보다 큰 직경을 갖는 투과 패턴인 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법.
  42. 제40항 또는 제41항에 있어서, 상기 포토마스크는 크기를 바꾼 상기 투과 패턴을 복수개 갖고, 상기 결함의 크기에 맞추어 상기 투과 패턴을 선택하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법.
  43. 제40항 또는 제41항에 있어서, 상기 투과 패턴의 크기가 다른 상기 포토마스크를 복수개 갖고, 상기 결함의 크기에 맞추어 상기 포토마스크를 선택하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 디스플레이 패널 수정 방법.
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