KR20110065454A - 자외선 흡수제 조성물 - Google Patents

Abstract

자외선 흡수제 조성물은 자외선 흡수제 (A)와 규소 화합물을 포함한다. 자외선 흡수제 (A)의 극대 흡수 파장은 350 nm 내지 400 nm 이고, 반값폭은 55 nm 이하이고, 그 극대 흡수 파장에서의 몰 흡광 계수는 20,000 이상이다.

Description

자외선 흡수제 조성물 {ULTRAVIOLET ABSORBING AGENT COMPOSITION}

본 발명은, 자외선 흡수제 조성물에 관한 것이다. 특히는, 본 발명은 장파 자외선 흡수능이 우수하고, 또한 황색 (yellow tint)의 정도 및 경화시 착색이 적고, 상기 흡수능을 장기간 유지해 광 견뢰도 (light fastness)가 뛰어난 피막을 형성할 수 있는 조성물에 관한 것이다.

자외선 흡수제를 여러 가지의 수지 등과 공용해 재료에 자외선 흡수성을 부여하는 것이 행해지고 있다. 자외선 흡수제로서 무기 자외선 흡수제와 유기 자외선 흡수제를 사용할 수 있다. 무기 자외선 흡수제(예를 들어, 특허 문헌 1~3 등을 참조)는 내후성 및 내열성과 같은 내구성이 우수하다. 그러나, 흡수 파장이 화합물의 밴드 갭에 의해 결정되기 때문에 화합물 선택의 자유도가 적다. 이런 이유로, 320 내지 400 nm의 장파 자외선(UV-A) 영역에서 흡광할 수 있는 이용가능한 무기 흡수제는 존재하지 않는다. 또한, 장파 자외선을 흡수하는 것은 가시광선 영역에서도 흡수하기 때문에 착색된다.

대조적으로, 유기 자외선 흡수제는, 흡수제의 구조 설계의 자유도가 높고, 이에 따라 흡수제의 구조를 설계함으로써 여러가지 흡수 파장을 갖는 흡수제를 얻을 수 있다.

여러가지 유기 자외선 흡수제가 연구되어 왔다. 장파 자외선 영역까지 흡수하는 경우에는, 극대 흡수 파장이 장파 자외선 영역에 있는 흡수제를 사용하거나, 흡수제의 농도를 높게 하는 방법이 생각될 수 있다. 예를 들어 특허 문헌 4 및 5 에 기재된 흡수제는 극대 흡수 파장이 장파 자외선 영역에 있지만, 이들은, 광 견뢰도가 나쁘고, 이들의 흡수능이 시간의 경과에 따라 감소하게 된다는 결점을 가진다.

대조적으로, 벤조페논계나 벤조트리아졸 계의 자외선 흡수제는 비교적 광 견뢰도가 우수하고, 농도나 막두께를 크게 하면 장파장 영역까지 비교적 완벽한 광 차단을 할 수 있다 (예를 들어 특허 문헌 6 및 7 을 참조). 그러나, 이들의 자외선 흡수제를 수지 등과 혼합해 도포되는 경우, 막 두께는 약 수십 μm 이하가 한계이다. 상기한 막 두께로 장파장 영역까지 광 차단하기 위해서는, 고농도로 자외선 흡수제를 첨가할 필요가 있다. 그러나, 이와 같은 경우, 자외선 흡수제의 석출 및 장기 사용시 블리드-아웃 (bleed-out)이 생기는 문제가 있다. 또한, 벤조페논계 및 벤조트리아졸계의 자외선 흡수제 중에서, 피부 자극성이나 생체내 축적성의 염려가 있는 일부 흡수제가 있다. 특허 문헌 8,9 및 10 에는 황 원자를 2개 함유하는, 5-원 고리 화합물이 기재되어 있다.

다른 한편, 실리카 피막은, 내열성, 내마모성, 내식성, 절연성 등이 뛰어난 피막으로서 여러가지 용도로 이용되고 있다. 실리카의 피막을 형성하는 방법으로서는, 졸-겔법, 폴리 실라잔과 같은 전구체 중합체를 코팅 (coating) 및 경화시키는 방법 등이 알려져 있다 (예를 들어 특허 문헌 11~14 을 참조). 이들 실리카의 피막에 자외선 흡수 특성을 부여하는 방법으로서는, 예를 들어, 폴리실라잔에 자외선 흡수제를 첨가해 경화 피막을 얻는 방법이 알려져 있다 (예를 들어 특허 문헌 15를 참조). 그러나, 조성물의 안정성이 불충분하고, 또 경화물의 투명성 등이 불충분한 문제가 있다.

다른 한편, 자외선 흡수제로서 유기 자외선 흡수제를 사용한 경우에는, 조성물의 안정성에 관한 문제는 없고, 또한 경화물에 헤이즈 (haze)는 발생하지 않는다. 그러나, 예를 들어 벤조페논계 자외선 흡수제 또는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제를 이용해 자외선 장파장 영역까지 자외선을 차단하고자 하는 경우, 자외선 흡수제가 다량으로 필요하게 되어, 그 영향으로 경화시 조성물의 착색이 눈에 띄게 된다는 문제가 있다. 또한, 상기 특허 문헌 14 에서 이용되고 있는 트리아진계 자외선 흡수제를 사용하는 것에 의해 착색과 관련된 문제는 회피할 수 있지만, 이 경우에는 장파장 영역의 자외선 흡수 성능이 충분하다고는 여겨질 수 없고, 따라서 개선이 요구되어 왔다.

특허 문헌 1: JP-A-5-339033 ("JP-A" 는 미심사된 공개된 일본 특허 출원을 의미함)

특허 문헌 2: JP-A-5-345639

특허 문헌 3: JP-A-6-56466

특허 문헌 4: JP-A-6-145387

특허 문헌 5: JP-A-2003-177235

특허 문헌 6: JP-T-2005-517787 ("JP-T" 는 PCT 국제 출원의 공개된 일본 번역문을 의미함)

특허 문헌 7: JP-A-7-285927

특허 문헌 8: JP-A-2007-304287

특허 문헌 9: JP-A-60-170842

특허 문헌 10: JP-B-49-11155 ("JP-B"는 심사된 일본 특허 공보를 의미함)

특허 문헌 11: JP-A-6-299118

특허 문헌 12: JP-A-2004-246872

특허 문헌 13: JP-A-2008-37671

특허 문헌 14: WO01/044371 팜플렛

특허 문헌 15: JP-A-7-252425

본 발명은, 장파 자외선 흡수능이 우수하고, 또한 황색의 정도 및 경화시 착색도 적고, 상기 흡수능을 장기간 유지해 광 견뢰도가 뛰어난 피막을 형성할 수 있는 재료를 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 특정의 구조를 갖는 자외선 흡수제와 규소 매트릭스를 형성할 수 있는 재료를 포함한 조성물에 의해 상기 목적이 달성될 수 있음을 밝혀냈다. 또한, 특정의 흡수 파형 또는 구조를 가지는 자외선 흡수제 및/또는 특정의 화합물을 한층 더 조합함으로써, 보다 광 견뢰도를 향상시킬 수 있는 것을 밝혀내고, 또한 경화시 착색의 문제도 발생하지 않는 것을 밝혀냈다. 이들 특정 화합물끼리의 조합은, 화합물의 성질 등의 관점에서도 당업자가 용이하게 상기할 수 있는 것은 아니다.

본 발명에 의해 하기의 수단이 제공된다:

[1] 자외선 흡수제 A와 규소 화합물을 포함한 자외선 흡수제 조성물로서, 자외선 흡수제 A 의 극대 흡수 파장이 350 nm 내지 400 nm 이고, 그 극대 흡수 파장이 55 nm 이하의 반값폭 (half value width)을 갖는 피크로 나타내어지고, 자외선 흡수제 A 의 몰 흡광 계수가 극대 흡수 파장에서 20000 이상인 자외선 흡수제 조성물.

[2] 상기 [1] 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 의 극대 흡수 파장이 350 nm 내지 385 nm 이고, 그 극대 흡수 파장이 40 nm 이하의 반값폭을 갖는 피크로 나타내어지는 자외선 흡수제 조성물.

[3] 상기 [1] 항 또는 [2] 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 가 하기 식 (2)로 표현되는 화합물을 포함하는 자외선 흡수제 조성물:

[식 중, A₂₁ 및 A₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 및 탄소 원자 이외의 원자를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 중 적어도 하나는 0.2 이상의 Hammett 치환기 상수 σp 값을 갖는 치환기를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; (Q₂) 는 5- 또는 6-원 고리를 A₂₁, A₂₂ 및 탄소 원자와 함께 형성하는데 필요한 원자 군을 나타냄].

[4] 상기 [3] 항에 있어서, 식 (2)로 표현되는 화합물이 하기 식 (3)으로 표현되는 화합물인 자외선 흡수제 조성물:

[식 중, A₃₁ 및 A₃₂ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 질소 원자, 및 황 원자로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 중 적어도 하나는 0.2 이상의 Hammett 치환기 상수 σp 값을 갖는 치환기를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; (Q₃) 는 5- 또는 6-원 고리를 탄소 원자와 함께 형성하는데 필요한 원자군을 나타냄].

[5] 상기 [4] 항에 있어서, 식 (3)으로 표현되는 화합물이 하기 식 (4)로 표현되는 화합물인 자외선 흡수제 조성물:

[식 중, Y₄₁ 및 Y₄₂ 는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고; Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나는 시아노 기를 나타내고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기를 나타내고; V₄₁ 및 V₄₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타냄].

[6] 상기 [1] 항 또는 [2] 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 가 하기 식 (5)로 표현되는 화합물을 포함하는 자외선 흡수제 조성물:

[식 중, R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; R^B5 및 R^B6 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 는 각각 독립적으로 헤테로 원자를 나타냄].

[7] 상기 [6] 항에 있어서, 식 (5)로 표현되는 화합물이 하기 식 (5a)로 표현되는 화합물인 자외선 흡수제 조성물:

[식 중, R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고; R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 중 적어도 하나는 시아노 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일 기, 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기를 나타내고;

R^Ba5 및 R^Ba6 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시 기, 치환 또는 비치환된 아실옥시 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐옥시 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐옥시 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일옥시 기, 치환 또는 비치환된 아미노 기, 치환 또는 비치환된 아실아미노 기, 또는 치환 또는 비치환된 카르바모일아미노 기를 나타냄].

[8] 상기 [7] 항에 있어서, R^Ba2 와 R^Ba1 의 조합 및 R^Ba4 와 R^Ba3 의 조합 중 적어도 하나는 고리를 형성하지 않는 자외선 흡수제 조성물.

[9] 상기 [7] 항에 있어서, R^Ba2 와 R^Ba1 의 조합 및 R^Ba4 와 R^Ba3 의 조합 모두 고리를 형성하지 않는 자외선 흡수제 조성물.

[10] 상기 [1] 항 내지 [9] 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 자외선 흡수제 B, 및 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물 C 중 어느 하나 또는 모두를 추가로 포함하는 자외선 흡수제 조성물로서, 자외선 흡수제 B 에 있어서 320 nm 에서의 흡광도가 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 이상이고, 극대 흡수 파장이 350 nm 이하인 자외선 흡수제 조성물,

[식 (TS-I) 중, R₉₁ 은 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 헤테로시클릭 기, 아실 기, 알킬옥시카르보닐 기, 알케닐옥시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 알킬 설포닐 기, 아릴설포닐 기, 포스피노톨릴 기, 포스피닐 기, 또는 -Si(R₉₇)(R₉₈)(R₉₉)를 나타내고, 이때 R₉₇, R₉₈, 및 R₉₉ 는, 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 알콕시 기, 알케닐옥시 기, 또는 아릴옥시 기를 나타내고; -X₉₁- 은 -O-, -S-, 또는 -N(-R₁₀₀)- 를 나타내고, 이때 R₁₀₀ 은 R₉₁ 과 동일한 의미를 갖고; R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅ 및 R₉₆ 은 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R₉₁ 과 R₉₂, R₁₀₀ 과 R₉₆, 및 R₉₁ 과 R₁₀₀ 은 각각 서로 결합하여 5-원 고리, 6-원 고리, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고; R₉₂ 와 R₉₃, 및 R₉₃ 과 R₉₄ 은 각각 서로 함께 결합하여 5-원 고리, 6-원 고리, 7-원 고리, 스피로 고리, 또는 바이시클로 고리를 형성할 수 있고; R₉₁, R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅, R₉₆ 및 R₁₀₀ 은 모두 동시에 수소 원자를 나타낼 수 없고, 총 탄소수는 10 이상이고;

식 (TS-II) 중, R₁₀₁, R₁₀₂, R₁₀₃, 및 R₁₀₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기를 나타내고; R₁₀₁ 과 R₁₀₂, 및 R₁₀₃ 과 R₁₀₄ 는 각각 서로 결합하여 5- 내지 7-원 고리를 형성할 수 있고; X₁₀₁ 은 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기, 알킬옥시 기, 알케닐옥시 기, 알킬옥시카르보닐 기, 알케닐옥시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 아실 기, 아실옥시 기, 알킬옥시카르보닐옥시 기, 알케닐옥시카르보닐옥시 기, 아릴옥시카르보닐옥시 기, 알킬설포닐 기, 알케닐설포닐 기, 아릴설포닐 기, 알킬설피닐 기, 알케닐설피닐 기, 아릴설피닐 기, 설파모일 기, 카르바모일 기, 히드록시 기, 또는 옥시 라디칼 기를 나타내고; X₁₀₂ 는 5-원 고리, 6-원 고리, 또는 7-원 고리를 형성하는데 필요한 비금속 원자군을 나타내고;

식 (TS-III) 중, R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 지방족 기, 아실 기, 지방족 옥시카르보닐 기, 방향족 옥시카르보닐 기, 지방족 설포닐 기, 또는 방향족 설포닐 기를 나타내고; R₁₀₇ 은 지방족 기, 지방족 옥시 기, 방향족 옥시 기, 지방족 티오 기, 방향족 티오 기, 아실옥시 기, 지방족 옥시카르보닐옥시 기, 방향족 옥시카르보닐옥시 기, 치환된 아미노 기, 헤테로시클릭 기, 또는 히드록실 기를 나타내고; R₁₀₅ 과 R₁₀₆, R₁₀₆ 과 R₁₀₇, 및 R₁₀₅ 와 R₁₀₇ 은 각각 함께 조합하여 2,2,6,6-테트라알킬피페리딘 골격을 제외한 5-원 고리, 6-원 고리, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고; R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 모두 동시에 수소 원자가 아니고, 총 탄소수는 7 이상이고;

식 (TS-IV) 중, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 각각 독립적으로 지방족 기를 나타내고; R₁₁₁ 과 R₁₁₂ 는 함께 결합하여 5- 원 고리, 6- 원 고리, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고; n 은 0, 1 또는 2 를 나타내고; R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 의 총 탄소수는 10 이상이고,

식 (TS-V) 중, R₁₂₁ 및 R₁₂₂ 는 각각 독립적으로 지방족 옥시 기 또는 방향족 옥시 기; R₁₂₃ 은 지방족 기, 방향족 기, 지방족 옥시 기, 또는 방향족 옥시 기를 나타내고; m 은 0 또는 1 을 나타내고; R₁₂₁ 과 R₁₂₂, 및 R₁₂₁ 과 R₁₂₃ 은 각각 함께 조합하여 5- 내지 8-원 고리 중 어느 하나를 형성할 수 있고; R₁₂₁, R₁₂₂ 및 R₁₂₃ 의 총 탄소수는 10 이상임].

[11] 상기 [10] 항에 있어서, 자외선 흡수제 B 가 극대 흡수 파장이 320 nm 미만인 자외선 흡수제인 자외선 흡수제 조성물.

[12] 상기 [10] 항에 있어서, 자외선 흡수제 B 가 극대 흡수 파장이 320 nm 내지 350 nm 인 자외선 흡수제인 자외선 흡수제 조성물.

[13] 상기 [10] 항 내지 [12] 항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 및 자외선 흡수제 B 의 몰비가 1:15 내지 15:1 범위 내인 자외선 흡수제 조성물.

[14] 상기 [10] 항 내지 [13] 항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 의 몰수 및 자외선 흡수제 B 의 몰수 중 보다 적은 값이 1 로 설정된 경우, 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물 C 의 몰비가 0.01 내지 10 인 자외선 흡수제 조성물.

[15] 상기 [1] 항 내지 [14] 항 중 어느 한 항에 있어서, 규소 화합물이 산화 규소 겔을 형성할 수 있는 화합물인 자외선 흡수제 조성물.

[16] 상기 [1] 항 내지 [15] 항 중 어느 한 항에 기재된 자외선 흡수제 조성물에 의해 형성된 피막을 갖는 재료.

[17] 상기 [16] 항에 있어서, 피막이 상기 [1] 항 내지 [15] 항 중 어느 한 항에 기재된 자외선 흡수제 조성물을 경화시킴으로써 형성되는 재료.

[18] 상기 [16] 항 또는 [17] 항에 있어서, 피막이 상기 [1] 항 내지 [15] 항 중 어느 한 항에 기재된 자외선 흡수제 조성물을 300℃ 이하의 온도에서 경화시킴으로써 형성되는 재료.

본 발명의 자외선 흡수제 조성물은, 장파 자외선 흡수능이 우수하고, 또한 황색의 정도 및 경화시 착색이 적고, 상기 흡수능을 장기간 유지해 광 견뢰도가 뛰어난 피막을 형성할 수 있다.

본 발명의 추가의 다른 특징 및 이점은, 첨부한 도면을 참조해, 하기의 기재로부터 보다 완전히 밝혀질 것이다.

도 1 은 본 발명에서 사용되는 자외선 흡수제 A 및 B 의 흡광 스펙트럼의 바람직한 구현예를 나타낸다.

구현예의 설명

본 발명의 자외선 흡수제 조성물은 특정 구조를 갖는 자외선 흡수제 A 와 규소 화합물을 포함하는 조성물이다. 상기 규소 화합물은 바람직하게 산화 규소 겔을 형성할 수 있는 화합물이다. 본 발명의 자외선 흡수제 조성물은 특정 흡수 스펙트럼 형상을 갖는 자외선 흡수제 B 를 추가로 포함할 수 있고, 더욱이 특정 구조를 갖는 화합물 C 를 함유할 수 있다.

본 발명의 자외선 흡수제 조성물에서, 자외선 흡수제 B 또는 화합물 C 가 포함되어 있는 경우, 이들의 혼합비는 임의의 비율일 수 있다. 자외선 흡수제 A 대 자외선 흡수제 B 의 비 (A:B)는 0:1 과 1:0 을 제외한 임의의 것일 수 있다. 이는 바람직하게 1:15 내지 15:1, 더욱 바람직하게 10:1 내지 1:10, 특히 바람직하게 6:1 내지 1:4, 가장 바람직하게 4:1 내지 1:1 이다. 본 발명의 혼합비는 몰비로 표현되어 있다. 자외선 흡수제의 분자량이 공지된 경우 몰비를 질량비로 전환하는 것이 가능하여, 당업자는 질량비를 기준으로 성분을 혼합할 수 있다.

본 발명의 조성물 중 화합물 C 의 함량은 자외선 흡수제 A 의 몰수 및 자외선 흡수제 B 의 몰수 중 보다 적은 값이 1 (표준 값)로 설정된 경우, 화합물 C 의 몰수 비에 관하여 바람직하게 0.01 내지 10, 더욱 바람직하게 0.02 내지 7, 더 더욱 바람직하게 0.02 내지 5, 가장 바람직하게 0.02 내지 2 이다.

본 발명에 따른 자외선 흡수제 조성물은 바람직하게 2종 이하의 자외선 흡수제 A, 특히 바람직하게 1종의 자외선 흡수제 A 를 포함한다. 자외선 흡수제 조성물은 바람직하게 3 종 이하의 자외선 흡수제 B, 더욱 바람직하게 2종 이하의 자외선 흡수제 B, 특히 바람직하게 1종의 자외선 흡수제 B 를 포함한다. 많은 종류의 화합물 C 가 포함될 수 있다.

본 발명에서 특정 흡수 스펙트럼 형상을 갖는 자외선 흡수제는 하기 기재될 것이다.

자외선 흡수제 A 는, 특징적으로 극대 흡수 파장이 350 nm 내지 400 nm 이고, 반값폭이 55 nm 이하이다. 자외선 흡수제 B 는 특징적으로 320 nm 에서의 흡광도가 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 이상이고, 극대 흡수 파장이 350 nm 이하인 자외선 흡수제를 나타낸다. 특히는, 320 nm 에서의 자외선 흡수제 B 의 흡광도는 바람직하게 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 50% 이상이다.

자외선 흡수제 B 는 320 nm 에서의 흡광도가 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 이상이고, 극대 흡수 파장이 350 nm 이하인 자외선 흡수제를 나타낸다. 예를 들어, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 자외선 흡수제는 극대 흡수 파장이 320 nm 미만인 자외선 흡수제 (B-(1)) 및 극대 흡수 파장이 320 nm 내지 350 nm 인 자외선 흡수제 (B-(2))로 분류될 수 있다. 도 1 은 본 발명에서 사용되는 자외선 흡수제 A 및 자외선 흡수제 B 의 바람직한 흡광 스펙트럼을 나타낸다.

[흡수 파장의 측정]

본 발명에서, 분광 흡수 극대 파장의 측정용 자외선 흡수제 A 와 B 및 화합물 C 의 농도는 극대 분광 흡수 파장을 측정할 수 있는 농도일 수 있다. 바람직하게, 이는 1×10^-7 내지 1×10^-2 mol/L 범위 내이다. 측정 온도는 특정적으로 한정되지 않지만, 바람직하게는 0℃ 내지 80℃ 이다.

분광 흡수 측정 기구는 특별히 한정되지 않는다. 통상적인 분광 흡수 측정 기구 (예를 들어, U-4100 분광광도계, 상품명, Hitachi High-Technologies Corp. 제조)가 사용될 수 있다.

본 발명에서 명시된 극대 흡수 파장 및 반값폭은 당업자에 의해 용이하게 측정될 수 있다. 측정 방법은, 예를 들어 [Chemical Society of Japan Ed., "Experimental Chemistry Lecture, Chapter 7 Spectroscopy II", 4판., (Maruzen, 1992), p. 180 ~ 186]에 기재되어 있다. 구체적으로, 이들은 샘플을 적합한 용매에 용해시키고, 샘플용 및 대조용 2 개의 석영 또는 유리 셀을 이용해 분광광도계에서 측정함으로써 결정된다. 사용되는 용매는 예를 들어, 샘플을 용해시킬 수 있는 것, 측정 파장 범위에서 흡수되지 않는 것, 용해된 분자와의 상호작용이 보다 적은 것, 및 비교적 휘발성이 적은 것이 요구된다. 임의 용매가 상기 조건을 만족시키는 한, 사용될 수 있다. 본 발명에서, 용매로서 에틸 아세테이트 (EtOAc)를 사용함으로써 측정된다.

본 발명에서 분광 극대 흡수 파장의 측정용 용액이 설명된다. 분광 극대 흡수 파장의 측정용 용액은 상기 자외선 흡수제 A, 상기 자외선 흡수제 B, 및 상기 화합물 C 를 유기 또는 무기 용매 또는 물에, 단독으로 또는 혼합물로서 용해시켜 수득된다.

유기 용매의 예는 아미드 계열 용매 (예를 들어, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 및 1-메틸-2-피롤리돈), 설폰 계열 용매 (예를 들어, 설포란), 설폭시드 계열 용매 (예를 들어, 디메틸 설폭시드), 우레이도 계열 용매 (예를 들어, 테트라메틸우레아), 에테르 계열 용매 (예를 들어, 디옥산, 테트라히드로푸란, 및 시클로펜틸 메틸 에테르), 케톤 계열 용매 (예를 들어, 아세톤 및 시클로헥사논), 탄화수소 계열 용매 (예를 들어, 톨루엔, 자일렌, 및 n-데칸), 할로겐 함유 용매 (예를 들어, 테트라클로로에탄, 클로로벤젠, 및 클로로나프탈렌), 알코올 계열 용매 (예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 에틸렌 글리콜, 시클로헥산올, 및 페놀), 피리딘 계열 용매 (예를 들어, 피리딘, γ-피콜린, 및 2,6-루티딘), 에스테르 계열 용매 (예를 들어, 에틸 아세테이트 및 부틸 아세테이트), 카르복실산 계열 용매 (예를 들어, 아세트산 및 프로피온산), 니트릴 계열 용매 (예를 들어, 아세토니트릴), 설폰산 계열 용매 (예를 들어, 메탄설폰산), 및 아민 계열 용매 (예를 들어, 트리에틸아민 및 트리부틸아민)를 포함한다. 무기 용매의 예는 황산 및 인산을 포함한다.

이들 중에서, 아미드 계열 용매, 설폰 계열 용매, 설폭시드 계열 용매, 우레이도 계열 용매, 에테르 계열 용매, 케톤 계열 용매, 할로겐 함유 용매, 알코올 계열 용매, 에스테르 계열 용매, 및 니트릴 계열 용매가 자외선 흡수제의 용해성 관점에서 바람직하다.

본 발명에서 염료의 극대 흡수 파장 및 반값폭은 달리 명시되지 않는 한 용매로서 에틸 아세테이트에 용액을 대략 5×10^-5 mol·dm^{- 3} 의 농도로 제조하고, 광로 길이 (optical path length)가 10 mm 인 석영 셀을 사용해 측정함으로써 결정된다.

스펙트럼의 반값폭은 예를 들어, [Chemical Society of Japan Ed., "Experimental Chemistry Lecture, Chapter 3 Basic Operation III", 4판, (Maruzen, 1991), p. 154]에 기재되어 있다. 반값폭은 가로축으로서 파수눈금을 이용하여 상기 문헌에 설명되어 있으나, 본 발명에서 반값폭은 파장 눈금에 대해 그래프로 그려져서, 이에 따라 반값폭의 단위는 nm 이다. 구체적으로, 이는 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 1/2 에서 흡수대의 폭으로서 정의되고, 흡수 스펙트럼의 형상을 나타내는 값으로서 사용된다. 반값폭이 좁은 스펙트럼은 샤프한 (sharp) 스펙트럼인 반면, 반값폭이 큰 스펙트럼은 브로드 (broad)한 스펙트럼이다. 브로드한 스펙트럼을 제공하는 자외선 흡수제는 극대 흡수 파장으로부터 장파 쪽까지 광범위하게 흡수한다. 이러한 이유로, 황색의 착색 없이 효과적으로 장파 자외선 영역에서 광을 차폐하기 위해서는, 반값폭이 좁은 스펙트럼을 나타내는 자외선 흡수제가 바람직하다.

Sumio Tokita, "Chemistry Seminar 9, Color Chemistry ", (Maruzen, 1982), pp. 154 ~ 155 에 기재된 바와 같이, 진동자 강도인 흡광 강도는 몰 흡광 계수의 적분에 비례한다. 흡수 스펙트럼이 적절히 대칭으로 된 경우, 진동자 강도는 극대 흡수 파장에서의 흡광도와 반값폭의 곱에 비례한다 (상기 경우, 반값폭은 파장 눈금으로 표현된 값임). 이는 전이 모멘트 값이 일정한 경우, 반값폭이 작은 스펙트럼을 가진 화합물이 극대 흡수 파장에서 보다 큰 흡광도를 가짐을 의미한다. 상기 자외선 흡수제는 소량 사용될지라도 극대 흡수 파장 주위의 범위에서 광을 효과적으로 차폐가능하다는 장점을 갖지만, 파장이 극대 흡수 파장으로부터 약간 이동함에 따라 흡광도가 급격히 떨어지기 때문에, 상기 자외선 흡수제는 광을 차폐할 수 없다.

[자외선 흡수제 A]

본 발명에서 자외선 흡수제 A 는 특징적으로 극대 흡수 파장이 350 nm 내지 400 nm 이고, 반값폭이 55 nm 이하이다. 자외선 흡수제 B 와 조합하여 상기한 파장 범위에서 흡수하는 자외선 흡수제 A 를 이용하는 것은 자외선 흡수 범위를 가리는데 적합하다. 그러나, 조성물에 황색 착색이 된다는 위험이 있기 때문에, 당업자는 상기 자외선 흡수제의 조합을 생산할 수 없다.

이하, 본 발명에서 사용된 자외선 흡수제 A 가 설명될 것이다.

자외선 흡수제 A 는 특징적으로 극대 흡수 파장이 350 nm 내지 400 nm 이고, 반값폭이 55 nm 이하이고, 극대 흡수 파장에서의 몰 흡광 계수가 20,000 이상이다. 자외선 흡수제 A 는 바람직하게 반값폭이 40 nm 이하이고, 극대 흡수 파장이 360 nm 내지 385 nm 이다. 반값폭의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 반값폭이 100 nm 이하인 것이 실제적이다. 상기 바람직한 극대 흡수 파장을 갖는 자외선 흡수제 A 가 자외선 흡수제 B 와 조합하여 사용되는 경우, 착색의 위험성이 적고 전체 UV-A 범위 350 nm 내지 400 nm 를 가리는 것이 가능하다. 극대 흡수 파장에서의 몰 흡광 계수는 바람직하게 30,000 이상, 더욱 바람직하게 40,000 이상, 특히 바람직하게 50,000 이상이다. 흡광도가 너무 작은 경우, 질량 당 자외선 흡수제의 흡수 효율이 나빠지게 된다. 이에 따라, 자외선 영역을 완전히 흡수하기 위해서는 다량의 자외선 흡수제가 사용되어야 한다. 이는 바람직하지 않은데, 작업 효율이 나빠지고, 블리드 아웃의 위험성이 발생하기 때문이다. 극대 흡수 파장에서의 몰 흡광 계수가 50,000 이상 정도로 더 커질수록, 반값폭은 더 좁아지게 되고, 이에 따라 착색의 위험성은 덜하게 될 수 있음이 밝혀졌다. 따라서, 몰 흡광 계수는 50,000 미만인 것이 실제적이다. 몰 흡광 계수는 예를 들어, [Chemical Society of Japan Ed., "New Experimental Chemistry Lecture, Chapter 9 Analytical Chemistry [II]", (Maruzen, 1977), p. 244]에 정의되어 있고, 극대 흡수 파장 및 상기 반값폭과 함께 결정될 수 있다.

자외선 흡수제 A 는 상기 조건을 만족시키는 한, 임의 구조를 가질 수 있다. 이들의 예는 트리아진계, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 시아닌계, 디벤조일 메탄계, 신남산계, p-아미노벤조산계, 벤조에이트계, 시아노아크릴레이트계, 인돌계 화합물, 벤잘말로네이트계, 살리실산계, 아닐리드 옥살레이트계, 포름아미딘계 및 벤조디티올계 자외선 흡수 구조를 포함한다. 이들 중에서, 반값폭이 비교적 좁고 장파 자외선 흡수능이 우수한 인돌계 및 벤조디티올계 구조가 바람직하다.

상기 구조 중, 하기 식 (2)로 표현되는 화합물이 극대 흡수 파장 및 좁은 반값폭의 관점에서 특히 바람직하다. 이하, 하기 식 (2)로 표현되는 화합물이 설명된다.

(식 (2) 중, A₂₁ 및 A₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 및 탄소 원자 이외의 원자를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 중 적어도 하나는 Hammett 치환기 상수 σp 값 0.2 이상의 치환기를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; (Q₂) 는 5- 또는 6-원 고리를 A₂₁, A₂₂ 및 탄소 원자와 함께 형성하는데 필요한 원자 군을 나타냄)

A₂₁ 및 A₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 및 탄소 원자 이외의 원자를 나타낸다. A₂₁ 및 A₂₂ 의 예는 붕소, 질소, 산소, 불소, 규소, 인, 황 및 셀레늄 원자를 포함한다.

A₂₁ 및 A₂₂ 의 바람직한 예는 질소, 산소 및 황을 포함한다. 이들 원자 중에서, 황 원자가 특별히 바람직하다. A₂₁ 및 A₂₂ 의 바람직한 조합은 산소-질소, 질소-황, 질소-질소 또는 황-황이다. 특별히 바람직한 조합은 황-황이다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타낸다. 1가의 치환기의 예는 시아노 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일 기, 치환 또는 비치환된 설파모일 기, 니트로 기, 치환 또는 비치환된 아실 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설피닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설피닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 기를 포함한다. 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는, 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 본 경우에 있어서, 치환기는 상기한 1가의 치환기이다. 또한, 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 의 구체예는 시아노 기, 탄소수 1 내지 10, 바람직하게 탄소수 2 내지 8, 더욱 바람직하게 탄소수 2 내지 5 의 카르바모일 기 (예를 들어, 메틸카르바모일, 에틸카르바모일, 모르폴리노카르보닐), 탄소수 0 내지 10, 바람직하게 탄소수 2 내지 8, 더욱 바람직하게 탄소수 2 내지 5 의 설파모일 기 (예를 들어, 메틸설파모일, 에틸설파모일, 피페리딜설포닐), 니트로 기, 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 1 내지 12, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 아실 기(예를 들어, 포르밀, 아세틸, 벤조일, 트리클로로아세틸), 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 알킬설포닐 기, 탄소수 6 내지 20, 바람직하게 탄소수 6 내지 10 의 아릴설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐, 에탄설포닐, 벤젠설포닐), 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 알킬설피닐 기, 탄소수 6 내지 20, 바람직하게 탄소수 6 내지 10 의 아릴설피닐 기 (예를 들어, 메탄설피닐, 벤젠설피닐), 탄소수 2 내지 20, 바람직하게 탄소수 2 내지 12, 더욱 바람직하게 탄소수 2 내지 8 의 알콕시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 벤질옥시카르보닐), 탄소수 6 내지 20, 바람직하게 탄소수 6 내지 12, 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 8 의 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐),

탄소수 1 내지 18, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 5 의 비치환된 알킬 기 (예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸), 탄소수 1 내지 18, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 5 의 치환된 알킬 기 (예를 들어, 히드록시메틸, 트리플루오로메틸, 벤질, 카르복시에틸, 에톡시카르보닐메틸, 아세틸아미노메틸), 탄소수 6 내지 20, 바람직하게 탄소수 6 내지 15, 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 10 의 치환 또는 비치환된 아릴 기 (예를 들어, 페닐, 나프틸, p-카르복시페닐, p-니트로페닐, 3,5-디클로로페닐, p-시아노페닐, m-플루오로페닐, p-톨릴, p-브로모페닐), 및 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 2 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 4 내지 6 의 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 피리딜, 5-메틸피리딜, 티에닐, 푸릴, 모르폴리노, 테트라히드로푸르푸릴)를 포함한다. 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 본 경우에 있어서, 치환기는 상기한 치환기이다. 또한 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 로서, Y₂₁ 및 Y₂₂ 중 적어도 하나는 0.2 이상의 Hammett 치환기 상수 σp 값을 가지는 것이 바람직하다.

본원에서 사용되는 표현 "Hammett 치환기 상수 σ 값"이 기재될 것이다. Hammett 법칙은 벤젠 유도체의 반응 또는 평형에 미치는 치환기의 영향을 정량적으로 논하기 위해 1935 에 L. P. Hammett 가 주장한 경험 법칙이고, 이의 타당성이 광범위하게 인정되고 있다. Hammett 법칙으로 결정된 치환기 상수는 σ_p 값 및 σ_m 값을 포함한다. 상기 값은 다수의 일반 출판물에서 찾을 수 있고, 예를 들어, J. A. Dean 편저 "Lange's Handbook of Chemistry" 12판, 1979 (Mc Graw-Hill), "Region of Chemistry (Kagaku no Ryoiki)" 특별호, 122 호, pp. 96 ~ 103, 1979 (Nankodo) 및 [Chem. Rev., 91권, pp. 165 ~ 195, 1991]에 상세화되어 있다. 본 발명에서 Hammett 치환기 상수 σp 값이 0.2 이상인 치환기는 전자구인 기를 나타낸다. σp 값은 바람직하게 0.25 이상, 더욱 바람직하게 0.3 이상, 특히 바람직하게 0.35 이상이다. σp 값의 상한은 특히 한정되지 않으나, σp 값이 2 이하인 것이 실제적이다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 의 구체예는 시아노 기 (0.66), 카르복실 기 (-COOH: 0.45), 알콕시카르보닐 기 (예를 들어 -COOMe: 0.45), 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어 -COOPh: 0.44), 카르바모일 기 (-CONH₂: 0.36), 알킬카르보닐 기 (예를 들어 -COMe: 0.50), 아릴카르보닐 기 (예를 들어 -COPh: 0.43), 알킬설포닐 기 (예를 들어 -SO₂Me: 0.72), 아릴설포닐 기 (예를 들어 -SO₂Ph: 0.68) 등을 포함한다. 본 명세서에서, "Me" 는 메틸 기를 나타내고, "Ph" 는 페닐 기를 나타낸다. 괄호 안의 값은 일반적인 치환기의 σp 값이고, 이는 [Chem. Rev., 1991, 91권, pp. 165 ~ 195]에서 발췌한 것이다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 고리가 Y₂₁ 및 Y₂₂ 에 의해 형성된 경우 Y₂₁ 및 Y₂₂ 의 σp 값은 명시될 수 없다. 그러나, 부분 고리 구조가 본 발명에서 각각 Y₂₁ 및 Y₂₂ 로 치환되는 것으로 가정한다면 고리가 형성된 경우에 이의 σp 값은 정의된다. 예를 들어, 1,3-인단디온 고리가 형성된 경우에, 벤조일 기는 각각 Y₂₁ 및 Y₂₂ 로 치환된 것으로 여겨진다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 의 바람직한 예는 각각 독립적으로 시아노 기, 알킬카르보닐 기, 아릴카르보닐 기, 알콕시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 카르바모일 기, 설피닐 기, 설포닐 기, 및 설파모일 기를 포함한다.

Y₂₁ 및 Y₂₂ 중 적어도 하나가 시아노 기이고, 다른 하나가 알킬카르보닐 기, 아릴카르보닐 기, 헤테로시클릭 카르보닐 기, 알킬설포닐 기, 또는 아릴설포닐 기인 것이 특별히 바람직하다. Y₂₁ 및 Y₂₂ 가 서로 결합하여 어떤 고리도 형성하지 않는 것이 바람직하다.

(Q₂) 는 A₂₁, A₂₂ 및 탄소 원자에 의해 형성된 고리를 나타낸다.

A₂₁, A₂₂ 및 탄소 원자를 결합함으로써 형성된 고리 (Q₂)로서는, 5- 또는 6-원 고리가 바람직하다. 구체적으로, 고리의 예는 피리미딘 고리, 이미다졸리딘 고리, 이미다졸린 고리, 옥사졸린 고리, 티아졸린 고리, 및 디티올 고리를 포함한다. 이들 고리는 1가의 치환기를 가질 수 있다. 추가로, 이들 고리는 방향족 고리 등과 축합 고리 구조를 형성할 수 있다.

(Q₂)에 의해 형성된 고리로서, 이미다졸린 고리, 옥사졸린 고리, 티아졸린 고리, 디티올 고리, 또는 이들의 벤조-축합 고리가 바람직하다. 더욱 바람직한 고리는 벤조디티올 고리, 벤족사졸린 고리, 벤조티아졸린 고리, 또는 벤조이미다졸린 고리이다. 특별히 바람직한 고리는 벤조디티올 고리이다.

식 (2) 중 치환기의 바람직한 조합은 Y₂₁ 및 Y₂₂ 중 적어도 하나가 시아노 기이고, 다른 하나가 알킬카르보닐 기, 아릴카르보닐 기, 헤테로시클릭 카르보닐 기, 알킬설포닐 기, 또는 아릴설포닐 기이고; A₂₁ 및 A₂₂ 가 모두 황 원자이고; (Q₂)에 의해 형성된 고리가 벤조디티올 고리인 조합이다.

식 (2)로 표현되는 화합물은 바람직하게 하기 식 (3)으로 표현되는 화합물이다. 이하에, 식 (3)으로 표현되는 화합물은 기재될 것이다.

(식 (3) 중, A₃₁ 및 A₃₂ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 질소 원자 및 황 원자로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 중 적어도 하나는 Hammett 치환기 상수 σp 값 0.2 이상의 치환기를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; (Q₃)은 탄소 원자와 5- 또는 6-원 고리를 형성하는데 필요한 원자군을 나타냄)

A₃₁ 및 A₃₂ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 질소 원자 및 황 원자로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자; 바람직하게 황 원자를 나타낸다. 바람직한 A₃₁ 및 A₃₂ 의 조합은 산소-질소, 질소-황, 질소-질소 또는 황-황이다. 특별히 바람직한 조합은 황-황이다.

Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타낸다. 1가의 치환기의 예는 시아노 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일 기, 치환 또는 비치환된 설파모일 기, 니트로 기, 치환 또는 비치환된 아실 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설피닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설피닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 기를 포함한다. 본원에서, Y₃₁ 및 Y₃₂ 중 적어도 하나는 Hammett 치환기 상수 σp 값 0.2 이상의 치환기를 나타낸다. Hammett 치환기 상수 σp 값 0.2 이상의 치환기의 예는 시아노 기, 알킬카르보닐 기, 아릴카르보닐 기, 알콕시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 카르바모일 기, 설피닐 기, 설포닐 기 및 설파모일 기를 포함한다.

Y₃₁ 및 Y₃₂ 중 적어도 하나는 시아노 기이고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기인 것이 특별히 바람직하다.

고리 (Q₃)는 탄소 원자와 5- 또는 6-원 고리를 형성하는데 필요한 원자군을 나타낸다.

고리 (Q₃)의 구체예는 시클로알칸, 예컨대 시클로헥산 및 시클로펜탄; 아릴, 예컨대 벤젠; 및 헤테로사이클, 예컨대 피리딘 고리, 피롤 고리, 티오펜 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 및 피라졸 고리, 및 이들의 벤조-축합 고리를 포함한다. 더욱 바람직하게는, 고리는 벤젠 고리이다.

식 (3) 중 치환기의 바람직한 조합은 Y₃₁ 및 Y₃₂ 중 적어도 하나가 시아노 기이고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기이고; A₃₁ 및 A₃₂ 는 둘다 황 원자이고; 고리 (Q₃)는 벤젠 고리여서 이로써 A₃₁ 및 A₃₂ 과 벤조디티올 고리를 형성하는 조합이다.

식 (3)으로 표현되는 화합물은 바람직하게 하기 식 (4)로 표현되는 화합물이다. 이하에 식 (4)로 표현되는 화합물이 기재될 것이다.

(식 (4) 중, Y₄₁ 및 Y₄₂ 는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고; Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나는 시아노 기를 나타내고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기를 나타냄)

Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나는 시아노 기이고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기인 것이 바람직하다. Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나는 시아노 기이고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기인 것이 특별히 바람직하다. 추가로, Y₄₁ 및 Y₄₂ 는 서로 결합하여 다른 원자와 어떤 고리도 형성하지 않는 것이 바람직하다. Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나는 시아노 기이고, 다른 하나는 탄소수 3 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 또는 탄소수 7 내지 18 의 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기인 것이 더 나아가 바람직하다.

Y₄₁ 및 Y₄₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타낸다. 1가의 치환기의 예는 할로겐 원자, 머캅토 기, 시아노 기, 카르복실 기, 인산 기, 설포 기, 히드록시 기, 카르바모일 기, 설파모일 기, 니트로 기, 알콕시 기, 아릴옥시 기, 아실 기, 아실옥시 기, 아실아미노 기, 설포닐 기, 설피닐 기, 설포닐아미노 기, 아미노 기, 치환된 아미노 기, 암모늄 기, 히드라지노 기, 우레이도 기, 이미도 기, 알킬- 또는 아릴-티오 기, 치환 또는 비치환된 알케닐티오 기, 알콕시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 비치환된 알킬 기, 치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 기를 포함한다. 이들 치환기의 구체예는 Y₄₁ 및 Y₄₂ 의 예로서 언급된 상기 기를 포함한다. 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는, 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 본 경우에서, 치환기는 상기한 치환기이다. 또한 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.

V₄₁ 및 V₄₂ 는 각각 독립적으로 바람직하게 시아노 기, 니트로 기, 히드록실 기, 알콕시 기, 아릴옥시 기, 또는 아실옥시 기; 특히 바람직하게 알콕시 기, 아릴옥시 기, 또는 아실옥시 기이다.

식 (4) 중 치환기의 바람직한 조합은 Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나가 시아노 기이고, 다른 하나가 탄소수 3 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 또는 탄소수 7 내지 18 의 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기이고; Y₄₁ 및 Y₄₂ 가 모두 알콕시 기, 아릴옥시 기, 또는 아실옥시 기인 조합이다.

본 발명에서 식 (2) 내지 (4) 중 어느 하나로 표현되는 화합물이 [Journal of Chemical Crystallography, 27, 1997, p. 516, 오른쪽 단, 3행 ~ p. 520, 오른쪽 단, 15행]; [Liebigs Annalen der Chemie, 726, p. 106, 15행 ~ p. 109, 37행]; JP-A-49-1115, p. 3, 왼쪽 단, 7행 ~ p. 5, 왼쪽 단, 8행; [Bioorganic & Medicinal Chemistry Letters, 7, 1997, p. 652, 9 ~ 19행]; [Journal of Organic Chemistry, 43, 1978, p. 2153, 왼쪽 단, 2 ~ 12행]; JP-A-4-338759, p. 4, 왼쪽 단, 2행 ~ p. 5, 왼쪽 단, 2행; JP-A-3-54566, p. 7, 왼쪽 단, 6행 ~ p. 8, 왼쪽 단, 10행; Synthesis, 1986, p. 968, 왼쪽 단, 1 ~ 22행에 인용 또는 기재된 방법 중 어느 한 방법, 또는 이와 유사한 방법에 따라 합성될 수 있다.

이하, 본 발명에서 사용될 수 있는 식 (2) 내지 (4) 중 어느 하나로 표현되는 화합물의 일반적인 예는 하기 기재될 것이나, 이로써 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

[식 (4)로 표현되는 화합물에 해당하는 화합물의 예]

[식 (4)가 아닌 식 (3)으로 표현되는 화합물에 해당하는 화합물의 예]

[식 (3)이 아닌 식 (2)로 표현되는 화합물에 해당하는 화합물의 예]

다음으로, 하기 식 (5)로 표현되는 화합물이 기재될 것이다.

(식 (5) 중, R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; R^B5 및 R^B6 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 는 각각 독립적으로 헤테로 원자를 나타냄)

식 (5) 중, R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타낸다. 1가의 치환기의 예는 상기 설명된 식 (2) 중 1 가의 치환기를 포함한다. 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 또한, 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.

R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 의 1가의 치환기의 예는 시아노 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일 기, 치환 또는 비치환된 설파모일 기, 니트로 기, 치환 또는 비치환된 아실 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설피닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설피닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 기를 포함한다. 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 본 경우에서, 치환기는 상기한 1가의 치환기이다. 또한, 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.

R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 의 예는 시아노 기, 탄소수 1 내지 10, 바람직하게 탄소수 2 내지 8, 더욱 바람직하게 탄소수 2 내지 5 의 카르바모일 기 (예를 들어, 메틸카르바모일, 에틸카르바모일, 모르폴리노카르보닐), 탄소수 0 내지 10, 바람직하게 탄소수 2 내지 8, 더욱 바람직하게 탄소수 2 내지 5 의 설파모일 기 (예를 들어, 메틸설파모일, 에틸설파모일, 피페리딜설포닐), 니트로 기, 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 1 내지 12, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 아실 기 (예를 들어, 포르밀, 아세틸, 벤조일, 트리클로로아세틸), 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 알킬설포닐 기 , 아릴설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐, 에탄설포닐, 벤젠설포닐), 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 알킬설피닐 기, 아릴설피닐 기 (예를 들어, 메탄설피닐, 벤젠설피닐), 탄소수 2 내지 20, 바람직하게 탄소수 2 내지 12, 더욱 바람직하게 탄소수 2 내지 8 의 알콕시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 벤질옥시카르보닐), 탄소수 6 내지 20, 바람직하게 탄소수 6 내지 12, 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 8 의 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐),

탄소수 1 내지 18, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 5 의 비치환된 알킬 기 (예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸), 탄소수 1 내지 18, 바람직하게 탄소수 1 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 5 의 치환된 알킬 기 (예를 들어, 히드록시메틸, 트리플루오로메틸, 벤질, 카르복시에틸, 에톡시카르보닐메틸, 아세틸아미노메틸), 탄소수 6 내지 20, 바람직하게 탄소수 6 내지 15, 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 10 의 치환 또는 비치환된 아릴 기 (예를 들어, 페닐, 나프틸, p-카르복시페닐, p-니트로페닐, 3,5-디클로로페닐, p-시아노페닐, m-플루오로페닐, p-톨릴, p-브로모페닐), 및 탄소수 1 내지 20, 바람직하게 탄소수 2 내지 10, 더욱 바람직하게 탄소수 4 내지 6 의 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 피리딜, 5-메틸피리딜, 티에닐, 푸릴, 모르폴리노, 테트라히드로푸르푸릴)를 포함한다. 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 본 경우에서, 치환기는 상기한 치환기이다. 또한, 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.

R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 중 적어도 하나가 Hammett 치환기 상수 σp 값 0.2 이상의 치환기를 나타내는 것이 특별히 바람직하다.

R^B1 과 R^B2, 및 R^B3 과 R^B4 는 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 고리가 이들 멤버로 형성된 경우의 R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 각각의 σp 값으로서 식 (2)에서 설명된 바와 동일한 방식이 적용된다.

R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 중 적어도 하나는 Hammett 치환기 상수 σp 값 0.2 이상의 치환기를 나타낸다. R^B1 과 R^B2의 조합 및 R^B3 과 R^B4 의 조합 중 적어도 하나에서 각각의 기는 바람직하게 상기 치환기이다. 더욱 바람직하게, R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 중 3개의 기는 상기 치환기이다. 특히 바람직하게, 모든 R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 는 상기 치환기이다.

R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 중 적어도 하나는 더욱 바람직하게 -CN, -COOR^B8, -CONR^B9R^B10, -COR^B11 또는 -SO₂R^B12 (이때, R^B8, R^B9, R^B10, R^B11 및 R^B12 은 각각 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타냄); 더욱 바람직하게, -CN, -COOR^B8, -COR^B11 또는 -SO₂R^B12; 더 더욱 바람직하게 -CN 또는 -COOR^B8; 특히 바람직하게 -CN 이다.

R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 중 적어도 하나는 더 더욱 바람직하게 탄소수 6 이상의 알콕시카르보닐 기, 더 더욱 바람직하게 탄소수 6 이상 20 이하의 알콕실카르보닐 기, 더 더욱 바람직하게 탄소수 6 이상 12 이하의 알콕실카르보닐 기이다. 알콕시 기는 임의의 위치에서 임의의 치환기를 가질 수 있다. 치환기의 예는 상기한 것들을 포함한다. 알콕시카르보닐 기 중 알콕시 기의 예는 헥실옥시 기, 2-에틸헥실옥시 기, 옥틸옥시 기, 데실옥시 기, 및 도데실옥시 기를 포함한다.

R^B1 과 R^B2의 조합 및 R^B3 과 R^B4 의 조합은 상기 기재된 조건을 만족하는 한 임의의 것일 수 있으나, R^B1 과 R^B2의 조합 및 R^B3 과 R^B4 의 조합은 바람직하게는 서로 동일하다.

R^B1 과 R^B2, 및 R^B3 과 R^B4 는 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 형성된 고리는 포화 또는 불포화된 탄화수소 또는 헤테로 고리일 수 있다. 그러나, 형성된 고리는 디티올 또는 디티올란 고리가 아니다. 식 (5) 에 정의된 R^B1 및 R^B2 에 의해 형성된 탄소 원자 함유 고리의 예는 시클로프로판 고리, 시클로부탄 고리, 시클로펜탄 고리, 시클로헥산 고리, 시클로헵탄 고리, 피롤리딘 고리, 테트라히드로푸란 고리, 테트라히드로티오펜 고리, 옥사졸린 고리, 티아졸린 고리, 피롤린 고리, 피라졸리딘 고리, 피라졸린 고리, 이미다졸리딘 고리, 이미다졸린 고리, 피페리딘 고리, 피페라진 고리, 및 피란 고리를 포함한다. 게다가 각각의 고리는 임의의 위치에서 치환될 수 있다. 치환기는 예를 들어, 상기 1가의 치환기이다. 2가의 치환기의 예는 카르보닐 기 및 이미노 기를 포함한다. 다수의 치환기는 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 치환기는 서로 결합하여 축합 고리 또는 스피로 고리를 형성할 수 있다.

R^B1 과 R^B2의 조합 또는 R^B3 과 R^B4 의 조합의 바람직한 구체예는 하기 표 1 에 제시되지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 Et 는 에틸 기를 나타내고, Bu 은 부틸 기를 나타낸다. 표의 굴곡진 선은 식 (5)에서 나타내어진 헤테로사이클 상의 결합 부위를 가리킨다.

R^B5 및 R^B6 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타낸다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다.

특히는, R^B5 및 R^B6 은 바람직하게 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬 기, 아릴 기, 시아노 기, 카르복실 기, 알콕시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 카르바모일 기, 알킬카르보닐 기, 아릴카르보닐 기, 니트로 기, 아미노 기, 아실아미노 기, 설폰아미도 기, 히드록시 기, 알콕시 기, 아릴옥시 기, 아실옥시 기, 알킬설포닐옥시 기, 아릴설포닐옥시 기, 설포 기, 알킬티오 기, 또는 아릴티오 기이다. R^B5 및 R^B6 은 더욱 바람직하게 수소 원자, 할로겐 원자, 아미노 기, 아실아미노 기, 히드록시 기, 알콕시 기, 아릴옥시 기, 아실옥시 기, 알킬티오 기 또는 아릴티오 기이다. R^B5 및 R^B6 은 더 나아가 바람직하게 알콕시 기, 아릴옥시 기, 아실옥시 기, 알콕시카르보닐옥시 기, 아릴옥시카르보닐옥시 기, 아실아미노 기, 카르바모일옥시 기, 또는 카르바모일아미노 기이다. R^B5 및 R^B6 은 특히 바람직하게 알콕시 기, 아릴옥시 기 또는 아실옥시 기이다. R^B5 및 R^B6 은 더 더욱 바람직하게 탄소수 2 이상의 알콕시 기이다.

알콕시 기 중 알킬 기는 바람직하게 탄소수 1 내지 20 의 알킬 기, 예컨대 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 및 옥틸 기이다. 알킬 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 임의의 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 알콕시 기 중 알킬 기는 바람직하게 탄소수 3 내지 20 의 알킬 기, 더욱 바람직하게 탄소수 5 내지 18 의 알킬 기, 특히 바람직하게 탄소수 6 내지 12 의 알킬 기이다.

아릴옥시 기 중 아릴 기는 바람직하게 탄소수 6 내지 20 의 아릴 기, 예컨대 페닐 기 및 나프틸 기이다. 아릴 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 임의의 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 아릴옥시 기 중 아릴 기는 바람직하게 탄소수 6 내지 14 의 아릴 기, 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 10 의 아릴 기, 특히 바람직하게 페닐 기이다.

아실옥시 기 중 아실 기는 바람직하게 탄소수 1 내지 20 의 아실 기, 예컨대 아세틸 기, 프로피오닐 기, 부타노일 기, 헥사노일 기, 옥타노일 기, 벤조일 기, 및 나프토일 기이다. 아실 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 임의의 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 아실옥시 기 중 아실 기는 바람직하게 탄소수 1 내지 15 의 아실 기, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 10 의 아실 기, 특히 바람직하게 탄소수 4 내지 8 의 아실 기이다.

알콕시카르보닐옥시 기 중 알킬 기는 바람직하게 탄소수 1 내지 20 의 알킬 기, 예컨대 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 및 옥틸 기이다. 알킬 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 임의의 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 알콕시카르보닐옥시 기 중 알킬 기는 바람직하게 탄소수 3 내지 20 의 알킬 기, 더욱 바람직하게 탄소수 5 내지 18 의 알킬 기, 특히 바람직하게 탄소수 6 내지 12 의 알킬 기이다.

아릴옥시카르보닐옥시 기 중 아릴 기는 바람직하게 탄소수 6 내지 20 의 아릴 기, 예컨대 페닐 기 및 나프틸 기이다. 아릴 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 임의의 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 아릴옥시카르보닐옥시 기 중 아릴 기는 바람직하게 탄소수 6 내지 14 의 아릴 기, 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 10 의 아릴 기, 특히 바람직하게 페닐 기이다.

아실아미노 기 중 아실 기는 바람직하게 탄소수 1 내지 20 의 아실 기, 예컨대 아세틸 기, 프로피오닐 기, 부타노일 기, 헥사노일 기, 옥타노일 기, 벤조일 기, 및 나프토일 기이다. 아실 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 임의의 치환기는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. 아실아미노 기 중 아실 기는 바람직하게 탄소수 1 내지 15 의 아실 기, 더욱 바람직하게 탄소수 1 내지 10 의 아실 기, 특히 바람직하게 탄소수 4 내지 8 의 아실 기이다.

카르바모일옥시 기 중 질소 원자 상의 치환기는 바람직하게 수소 원자, 탄소수 1 내지 20 의 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 20 의 아릴 기이다. 이들의 예는 수소 원자, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 옥틸 기, 페닐 기, 및 나프틸 기를 포함한다. 알킬 기 및 아릴 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 카르바모일옥시 기 중 알킬 기 및 아릴 기는 바람직하게 각각, 탄소수 3 내지 20 의 알킬 기 및 탄소수 6 내지 14 의 아릴 기, 더욱 바람직하게 각각, 탄소수 6 내지 12 의 알킬 기 및 탄소수 6 내지 10 의 아릴 기이다.

카르바모일아미노 기 중 질소 원자 상의 치환기는 바람직하게 수소 원자, 탄소수 1 내지 20 의 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 20 의 아릴 기이다. 이들의 예는 수소 원자, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 옥틸 기, 페닐 기, 및 나프틸 기를 포함한다. 알킬 기 및 아릴 기는 임의의 위치에서 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. 카르바모일아미노 기 중 알킬 기 및 아릴 기는 바람직하게 각각 탄소수 3 내지 20 의 알킬 기 및 탄소수 6 내지 14 의 아릴 기, 더욱 바람직하게 각각 탄소수 6 내지 12 의 알킬 기 및 탄소수 6 내지 10 의 아릴 기이다.

R^B5 및 R^B6 는 상이할 수 있으나, 바람직하게는 상동하다.

R^B5 및 R^B6 의 바람직한 구체예는 하기 표 2 에 제시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 표의 굴곡진 선은 식 (5)에서 나타내어진 벤젠 고리 상의 결합 부위를 가리킨다.

X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 는 각각 독립적으로 헤테로 원자를 나타낸다. 헤테로 원자의 예는 붕소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 규소 원자, 인 원자, 황 원자, 셀레늄 원자, 및 텔루륨 원자를 포함한다. X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 는 각각 바람직하게 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자; 더욱 바람직하게 질소 원자 또는 황 원자; 특히 바람직하게 황 원자이다.

X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 는 상이할 수 있으나, X^B1 과 X^B2 의 조합 및 X^B3 과 X^B4 의 조합은 바람직하게 상동하다. 가장 바람직하게, 모든 기 각각은 황 원자를 나타낸다.

X^B1 과 X^B2 의 조합 및 X^B3 과 X^B4 의 조합의 바람직한 구체예는 하기 표 3 에 제시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서 Ac 는 아세틸 기를 나타낸다. 표의 굴곡진 선은 R^B1 과 R^B2 또는 R^B3 과 R^B4 가 결합한 식 (5)의 탄소 원자 상의 결합 부위를 가리킨다.

식 (5)로 표현되는 화합물은 바람직하게 하기 식 (5a)로 표현되는 화합물이다.

식 (5a) 중, R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타낸다. R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 중 적어도 하나는 시아노 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시카르보닐 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시카르보닐 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 카르바모일 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬카르보닐 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴카르보닐 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬설포닐 기 또는 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴설포닐 기를 나타낸다.

R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 는, 각각 (R^Ba1, R^Ba2)의 조합 및 (R^Ba3, R^Ba4)의 조합 중 적어도 하나가 고리를 형성하지 않는 1가의 치환기인 것이 바람직하다.

각각의 R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 는, (R^Ba1, R^Ba2)의 조합 또는 (R^Ba3, R^Ba4)의 조합이 고리를 형성하지 않는 1가의 치환기인 것이 특별히 바람직하다.

고리가 형성되지 않은 경우, 자외선 흡수제의 장파 자외선 흡수능이 우수하고 또한 자외선 흡수제 자체에 대한 황색의 착색이 억제될 수 있다는 이점이 있다. 또한, 고리를 형성하는 경우에 비해, 고리를 형성하지 않는 경우는 용매에 대한 용해성 및 중합체와의 상용성 모두에서 우수하다는 이점을 갖는다.

본 명세서에서, 어떤 고리도 형성하지 않는 1가의 치환기의 예는 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기 (예를 들어, 메틸, 에틸), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴 기 (예를 들어, 페닐, 나프틸), 시아노 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 치환 또는 비치환된 카르바모일 기 (예를 들어, 카르바모일, N-페닐카르바모일, N,N-디메틸카르바모일), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬카르보닐 기 (예를 들어, 아세틸), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴카르보닐 기 (예를 들어, 벤조일), 니트로 기, 탄소수 0 내지 20 (바람직하게 탄소수 0 내지 10)의 치환 또는 비치환된 설파모일 기 (예를 들어, 설파모일, N-페닐설파모일), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴설포닐 기 (예를 들어, 벤젠설포닐), 및 4- 내지 7-원 (바람직하게 5- 내지 6-원) 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 피리딜, 모르폴리노)를 포함한다. 상기 치환기는 추가로 치환될 수 있고, 다수의 치환기는 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다.

본원에서, 1가의 치환기 R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 중 적어도 하나는 시아노 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시카르보닐 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시카르보닐 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 카르바모일 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬카르보닐 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴카르보닐 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬설포닐 기 또는 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴설포닐 기이다.

R^1a, R^2a, R^3a 및 R^4a 는 각각 특히 바람직하게 시아노 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시카르보닐 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시카르보닐 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 카르바모일 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬카르보닐 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴카르보닐 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬설포닐 기 및 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴설포닐 기에서 선택된다. R^1a 과 R^2a 의 조합 및 R^3a 과 R^4a 의 조합이 각각 각 쌍의 멤버의 조합에 관하여 동일한 것이 더욱 바람직하다.

R^Ba5 및 R^Ba6 은 각각 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 아실옥시 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시카르보닐옥시 기, 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시카르보닐옥시 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 카르바모일옥시 기, 탄소수 0 내지 20 (바람직하게 탄소수 0 내지 10)의 아미노 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 아실아미노 기, 또는 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 카르바모일아미노 기를 나타낸다.

R^Ba5 및 R^Ba6 은 추가로 치환기를 가질 수 있다. 치환기의 예는 상기한 1가의 치환기를 포함한다. 2가의 치환기의 예는 카르보닐 기 및 이미노 기를 포함한다. 다수의 치환기는, 존재하는 경우 상동하거나 상이할 수 있다. 치환기는 서로 결합하여, 축합 고리 또는 스피로 고리를 형성할 수 있다.

이하, 본 발명에서 사용될 수 있는 식 (5) 또는 (5a)로 표현되는 화합물의 구체예는 기재될 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

식 (5) 또는 (5a)로 표현되는 화합물은 임의의 방법에 의해 합성될 수 있다. 예를 들어, 상기 화합물은, 의도된 치환기를 식 (5) (식 중, R^B5 및 R^B6 는 각각 히드록시 기임)로 표현되는 화합물의 합성 중간체로 혼입하고, 알킬화 또는 아실화하는 것에 의해 합성될 수 있다.

예를 들어, X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 가 각각 황 원자인 경우, 식 (5) (식 중, R^B5 및 R^B6 은 각각 히드록시 기임)로 표현되는 합성 중간체는 공지된 특허 문헌 및 비특허 문헌 중 어느 하나, 예를 들어, JP-A-63-225382, p. 3, 오른쪽 상단, 1행 ~ 왼쪽 하단, 1행 참고예; 및 [Liebigs Ann. Chem., 1969, 726권, pp. 103-109, 5 ~ 12행, p. 109]의 방법에 따라 합성될 수 있다.

또한, 식 (5) 또는 (5a)로 표현되는 화합물은 예를 들어, [Journal of Organic Chemistry, 1990, 55권, pp. 5347-5350, p. 5349, 오른쪽 단, 27행의 실험 섹션]; [Journal of Organic Chemistry, 1994, 59권, pp. 3077-3081, p. 3081, 11 ~ 16행]; [Tetrahedron Letters, 1991, 32권, pp. 4897-4900, p. 4897, 9행 ~ p. 4899, 3행]; [Tetrahedron Letters, 1977, 26권, p. 2225, 표 1]; [Tetrahedron, 1993, 49권, pp. 3035-3042, p. 3037, 11 ~ 20행 및p. 3040, 22 ~ 38행]; [Journal of the American Chemical Society, 1958, 80권, pp. 1662-1664, p. 1664, 오른쪽 단, 6 ~ 15행]; [Journal of the American Chemical Society, 1995, 117권, pp. 9995-10002, p. 9996, 오른쪽 단, 12행 ~ p. 9997, 왼쪽 단, 46행; JP-A-6-80672, p. 4, 왼쪽 단, 43행 ~ 오른쪽 단, 45행; [Phosphorus, Sulfur, and Silicon, 1997, 120 & 121권, pp. 121-143, p. 123, 18행 ~ p. 124, 3행]; [Chem. Commun., 2004, pp. 1758-1759, p. 1758, 왼쪽 단, 44행 ~ 54행]; 독일 특허 제 3728452 호, p. 4, 46행 ~ p. 5, 16행; JP-A-51-100097, p. 3, 왼쪽 상단, 3행 ~ p. 4, 왼쪽 하단, 4행; 및 JP-T-5-506428, p. 12, 오른쪽 하단, 1행 ~ p. 35, 오른쪽 하단, 1행에 기재되어 있는 유사한 화합물의 제조를 위한 합성 경로에 따라 합성될 수 있다.

예를 들어, 예시된 화합물 (1)은 탄소 디설파이드 및 말로노니트릴을 소듐 히드록시드의 존재 하에 서로 반응하게 하여 디소듐 염을 수득하고, 그 디소듐 염을 클로라닐과 반응시킨 후, 생성된 생성물을 염기의 존재 하에 2-에틸헥사노일 클로라이드와 반응시키는 것에 의해 합성될 수 있다. 예시된 화합물 (2)는 탄소 디설파이드 및 말로노니트릴을 소듐 히드록시드의 존재 하에 서로 반응시켜 디소듐 염을 수득하고, 그 디소듐 염을 클로라닐과 반응시킨 후, 생성된 생성물을 염기의 존재 하에 2-에틸헥실 브로마이드와 반응시키는 것에 의해 합성될 수 있다.

예시된 화합물 (11)은 탄소 디설파이드 및 시아노에틸 아세테이트를 포타슘 히드록시드의 존재 하에 서로 반응시켜 디포타슘 염을 수득하고, 그 디포타슘 염을 클로라닐과 반응시켜 예시된 화합물 (72)를 수득하고, 예시된 화합물 (72)를 염기의 존재 하에 2-에틸헥사노일 클로라이드와 반응시키는 것에 의해 합성될 수 있다. 예시된 화합물 (12)는 예시된 화합물 (72)를 염기의 존재 하에 2-에틸헥실 브로마이드와 반응시키는 것에 의해 합성될 수 있다.

예시된 화합물 (59)는 탄소 디설파이드 및 시아노에틸 아세테이트를 포타슘 히드록시드의 존재 하에 서로 반응시켜 디포타슘 염을 수득하고 그 디포타슘 염을 헥사플루오로벤젠과 반응시키는 것에 의해 합성될 수 있다.

예시된 화합물 (51)은 예시된 화합물 (59)를 소듐 도데칸티올레이트와 반응시켜 합성될 수 있다.

R^B1 및 R^B2, R^B3 및 R^B4, X^B1 및 X^B2, X^B3 및 X^B4, 또는 R^B5 및 R^B6 가 상이한 경우, 식 (5)로 표현되는 화합물은 각각의 기가 교환되는 기하 이성질체를 가질 수 있다. 상기 기하 이성질체는 단지 하나의 기하 이성질체가 본 명세서에서 기재된 경우에도 본 발명에서 사용될 수 있는 식 (5)로 표현되는 화합물에 또한 포함된다. 또한, 기하 이성질체의 혼합물이 합성 또는 정제 공정으로 형성된 경우에도, 단지 하나의 일반적인 이성질체 구조만이 본 명세서에서 제시된다. 화합물이 기하 이성질체 혼합물인 경우, 존재비는 0:1 내지 1:0 에서 임의의 것일 수 있다.

본 발명에서 사용될 수 있는 식 (2), (3), (4), (5) 및 (5a) 중 어느 하나로 표현되는 화합물은 그 구조 및 화합물이 노출되어 있는 환경에 따라 호변이성질체를 가질 수 있다. 본 명세서에서, 단지 하나의 일반적인 호변이성질체가 기재되어 있으나, 본 명세서에서 기재된 바와 상이한 다른 호변이성질체도 본 발명에 사용될 수 있는 화합물에 포함된다.

본 발명에서 사용될 수 있는 식 (2), (3), (4), (5) 및 (5a) 중 어느 하나로 표현되는 화합물은 동위 원소 (예컨대 ²H, ³H, ¹³C, ¹⁵N, ¹⁷O, 또는 ¹⁸O)를 함유할 수 있다.

식 (2), (3), (4), (5) 및 (5a) 중 어느 하나로 표현되는 화합물의 구조를 자외선 흡수 기로서의 반복 단위로 가지는 중합체는 또한 본 발명에서 바람직하게 사용될 수 있다. 이하, 식 (2), (3), (4), (5) 및 (5a)로 표현되는 화합물의 구조를 함유한 반복 단위의 예는 제시될 것이다.

상기 중합체는 상기한 1종의 반복 단위를 가진 단독중합체 또는 2종 이상의 반복 단위를 가진 공중합체일 수 있다. 이는 게다가 다른 반복 단위를 가지는 공중합체일 수 있다. 이하, 다른 반복 단위의 예는 제시된다.

자외선 흡수제의 구조를 반복 단위로 가지는 중합체의 예는 예를 들어, JP-B-1-53455, 왼쪽 단, 39행 ~ p. 12, 오른쪽 단, 38행; JP-A-61-189530, p. 3, 오른쪽 상단, 8행 ~ p. 7, 왼쪽 하단, 15행; JP-A-62-260152, 오른쪽 하단, 3행 ~ p. 12, 오른쪽 상단, 10행; JP-A-63-53544, 왼쪽 상단, 1행 ~ p. 15, 오른쪽 하단, 19행; JP-A-63-56651, p. 2, 오른쪽 상단, 10행 ~ p. 14, 왼쪽 하단, 3행; EP 특허 제 27242 호, p. 4, 29행 ~ p. 16, 34행; 및 WO 2006/009451 팜플렛, p. 3, 28행 ~ p. 26, 1행에 기재되어 있다. 중합체는 상기 특허 문헌에 기재된 방법을 참고하여 제조될 수 있다.

[자외선 흡수제 B]

이하에, 본 발명에서 사용된 자외선 흡수제 B 가 설명된다.

자외선 흡수제 B 에서, 320nm 에서의 흡광도는 특징적으로 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 이상, 더욱 바람직하게 50% 이상을 나타낸다. 특별히 상한은 없으나, 이 비율은 100% 미만이다. 320 nm 에서의 흡광도가 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 미만인 경우, 자외선 흡수제 A 및 자외선 흡수제 B 모두에 의해 완전히 가리워질 수는 없는 파장 범위가 310 nm 내지 330 nm 영역에 생긴다. 자외선 흡수제 B 의 극대 흡수 파장은 바람직하게 350 nm 이하이다.

320nm 에서의 흡수가 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 이상이고 극대 흡수 파장이 350 nm 이하인 자외선 흡수제 B 로서, 두 유형의 자외선 흡수제, 즉 극대 흡수 파장 320 nm 이하의 자외선 흡수제 B-(1) 및 극대 흡수 파장 320 nm 내지 350 nm 의 자외선 흡수제 B-(2)가 상기 기재된 바와 같이 생각된다. 이들 자외선 흡수제는 이들의 용도에 따라 적절히 선택될 수 있다.

예를 들어, 자외선 흡수제 B-(1)는, 자외선 흡수제를 플라스틱 성형품 또는 중합체로 반죽할 때 단파 자외선을 흡수하는 임의 다른 요소가 존재하지 않는 경우에 사용되는 것이 특별히 바람직하다. 자외선 흡수제를 플라스틱 성형품 또는 중합체로 반죽할 때에 300 nm 이하의 단파 자외선을 흡수할 수 있는 임의 다른 요소가 존재하지 않기 때문에, 단파자외선 영역까지 효율적으로 흡광가능한 자외선 흡수제 B-(1)의 사용은 다른 단파자외선 영역 흡수 필터를 이용하지 않고, 플라스틱 성형품 그 자체 및 그 내용물을 자외선으로부터 방지하는 것을 가능하게 한다. 추가로, 자외선 흡수제 B-(1)을 본 발명에서 사용되는 자외선 흡수제 A 와 조합하여 사용함으로써 중합체에 대한 상용성 및 광 견뢰도가 모두 개선된다는 예상밖의 효과가 얻어진다.

자외선 흡수제 B-(2)는, 예를 들어, 자외선 흡수제를 유리 필름 위에 코팅하거나 자외선 흡수제를 중합체에 용해시켜 기판에 코팅할 때에 다른 단파 자외선 흡수 요소가 존재하는 경우 사용되는 것이 특별히 바람직하다. 자외선 흡수제 B-(2)는 320 nm 부근의 광 차폐 능력이 우수하고, 300 nm 이하의 단파 자외선 영역을 효과적으로 흡수하는 것이 가능하다. 그러나, 자외선 흡수제 B-(2)이 단파 자외선 영역을 흡수하는 것이 곤란한 경우도 있다. 따라서, 자외선 흡수제 B-(2)는 단파 자외선 영역을 차폐하는 것이 가능하고 필터로서 사용하는 것이 가능한 중합체 또는 유리 기판 위에 코팅되는 것이 바람직하다. 추가로, 용매 코팅 공정에서 자외선 흡수제 B-(2)를 본 발명에서 사용되는 자외선 흡수제 A 와 조합하여 사용함으로써, 피막이 사용된 경우의 용매 (예를 들어, 에틸 아세테이트, 메틸에틸 케톤, 톨루엔)에 대한 용해성 및 광 견뢰도가 둘다 개선되는 것이 예상밖으로 얻어진다.

자외선 흡수제 B 는 상기 조건이 만족된다면 임의 구조를 가질 수 있다. 이들의 예는 예를 들어, Yasuichi Okatsu 편집, "Development of Polymer Additives and Environmental Measures" (CMC 출판, 2003), 2장; 및 Toray Research Center Inc., Technical Survey Dept. 편집, "New Trend of Functional Polymer Additives" (Toray Research Center Inc., 1999), 2.3.1장에 기재되어 있는 것들을 포함한다. 이들의 예는 자외선 흡수 구조, 예컨대 트리아진계, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 시아닌계, 디벤조일메탄계, 신남산계, 아크릴레이트계, 벤조산 에스테르계, 및 옥살산 디아미드계 화합물을 포함한다. 이들의 구체예는 예를 들어, Fine Chemicals, 2004년, 5월, pp. 28 ~ 38; Toray Research Center Inc., Technical Survey Dept. 편집, "New Trend of Functional Polymer Additives" (Toray Research Center Inc., 1999), pp. 96 ~ 140; 및 Yasuichi Okatsu 편집, "Development of Polymer Additives and Environmental Measures" (CMC 출판, 2003), pp. 54 ~ 64 에 기재되어 있다.

320 nm에서의 몰 흡광 계수의 허용범위를 고려하면, 벤조트리아졸계, 벤조페논계, 살리실산계, 아크릴레이트계 및 트리아진계 화합물이 바람직하다. 이들 화합물 중에서, 각각 광 견뢰도가 우수한 벤조트리아졸계, 벤조페논계 및 트리아진계 화합물이 더욱 바람직하다. 이들 바람직한 자외선 흡수제 B 가 식 (2), (3), (4), (5) 및 (5a) 중 어느 하나로 표현되는 화합물로 이루어진 자외선 흡수제 A 와 조합하여 사용된 경우, 착색의 문제 없이 자외선 영역을 효과적으로 흡수하는 것이 가능하다.

벤조트리아졸계 화합물은 대략 270 내지 380 nm 의 유효 흡수 파장을 갖고, 바람직하게 하기 식 (IIa) 또는 (IIb)로 표현된다. 이하에, (IIa) 및 (IIb)가 상세히 기재된다.

[식 (IIa) 중,

R₁₁ 는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고;

R₁₂ 는 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고;

R₁₃ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 또는 -COOR₁₄ 기 (여기서, R₁₄ 는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타냄)를 나타냄]

[식 (IIb) 중,

T 는 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 알킬 기를 나타내고;

T₁ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 또는 치환 또는 비치환된 알콕시 기를 나타내고;

L 은 2가의 연결기 또는 단일 결합를 나타내고;

m 은 0 또는 1 을 나타내고;

n 은 1 내지 4 의 정수를 나타내고;

n 이 1 인 경우, T₂ 는 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고; n 이 2 인 경우, T₂ 는 2가의 치환기를 나타내고; n 이 3 인 경우, T₂ 는 3가 치환기를 나타내고; n 이 4 인 경우, T₂ 는 4가 치환기를 나타냄]

(식 (IIa))

R₁₁ 은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다.

R₁₁ 은 바람직하게 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 5 내지 18 의 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기; 특히 바람직하게 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기이다.

치환된 알킬 기, 치환된 시클로알킬 기 및 치환된 아릴 기는 각각 이들의 임의적인 위치에서 1가의 치환기를 갖는 알킬 기, 시클로알킬 기 및 아릴 기를 나타낸다. 1가의 치환기의 예는 할로겐 원자 (예를 들어, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 기 (예를 들어, 메틸, 에틸), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴 기 (예를 들어, 페닐, 나프틸), 시아노 기, 카르복실 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐), 탄소수 0 내지 20 (바람직하게 탄소수 0 내지 10)의 치환 또는 비치환된 카르바모일 기 (예를 들어, 카르바모일, N-페닐카르바모일, N,N-디메틸카르바모일), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬카르보닐 기 (예를 들어, 아세틸), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴카르보닐 기 (예를 들어, 벤조일), 니트로 기, 탄소수 0 내지 20 (바람직하게 탄소수 0 내지 10)의 치환 또는 비치환된 아미노 기 (예를 들어, 아미노, 디메틸아미노, 아닐리노), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 아실아미노 기 (예를 들어, 아세트아미도, 에톡시카르보닐아미노),

탄소수 0 내지 20 (바람직하게 탄소수 0 내지 10)의 설폰아미도 기 (예를 들어, 메탄설폰아미도), 탄소수 2 내지 20 (바람직하게 탄소수 2 내지 10)의 이미도 기 (예를 들어, 석신이미도, 프탈이미도), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 이미노 기 (예를 들어, 벤질리덴아미노), 히드록시 기, 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알콕시 기 (예를 들어, 메톡시), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴옥시 기 (예를 들어, 페녹시), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 아실옥시 기 (예를 들어, 아세톡시), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬설포닐옥시 기 (예를 들어, 메탄설포닐옥시), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴설포닐옥시 기 (예를 들어, 벤젠설포닐옥시), 설포 기, 탄소수 0 내지 20 (바람직하게 탄소수 0 내지 10)의 치환 또는 비치환된 설파모일 기 (예를 들어, 설파모일, N-페닐설파모일), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬티오 기 (예를 들어, 메틸티오), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴티오 기 (예를 들어, 페닐티오), 탄소수 1 내지 20 (바람직하게 탄소수 1 내지 10)의 알킬설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐), 탄소수 6 내지 20 (바람직하게 탄소수 6 내지 10)의 아릴설포닐 기 (예를 들어, 벤젠설포닐) 및 4- 내지 7-원 (바람직하게 5- 내지 6-원)의 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 피리딜, 모르폴리노)를 포함한다.

R₁₂ 는 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다. R₁₂ 는 바람직하게 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 5 내지 18 의 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기; 특히 바람직하게 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이다.

R₁₃ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기 또는 -COOR₁₄ 기 (여기서, R₁₄ 는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타냄)를 나타낸다. R₁₃ 은 바람직하게 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 또는 -COOR₁₄ 기 (여기서, R₁₄ 는 수소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타냄)이다.

R₁₁ 및 R₁₂ 는 벤젠 고리의 임의적 위치에 치환될 수 있다. 히드록실 기로 2- 또는 4- 위치에서 치환되는 것이 바람직하다.

(식 (IIb))

T 는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬 기를 나타낸다. T 는 바람직하게 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기이다.

T₁ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기 또는 치환 또는 비치환된 알콕시 기를 나타낸다. T₁ 은 바람직하게 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 아릴 기, 또는 탄소수 1 내지 18 의 알콕시 기이다.

-L- 은 2가의 연결기 또는 단일 결합을 나타낸다. m 은 0 또는 1 을 나타낸다.

m 이 0 (zero)인 경우는, T₂ 가 L 을 포함하지 않은 채, 벤젠 고리와 직접 결합하는 것, 즉 -L- 이 단일 결합을 나타내는 것을 의미한다.

2가 연결기 -L- 은 설명된다. -L- 은 하기 식 (a)로 표현되는 2가의 치환기이다.

식 (a)

-(L₁)_m1-(L₂)_m2-(L₃)_m3-(L₄)_m4-(L₅)_m5-

식 (a) 중, m1 내지 m5 는 각각 0 내지 2 의 정수를 나타낸다.

L₁ 내지 L₅ 는 각각 독립적으로 -CO-, -O-, -SO₂-, -SO-, -NR_L-, 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 치환 또는 비치환된 2가의 알케닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기를 나타낸다. R_L 은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다.

R_L 의 구체예는 수소 원자, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 옥틸 기, 페닐 기, 및 나프틸 기를 포함한다. 상기 기는 알킬 또는 아릴 기의 임의 위치에서 1가의 치환기 하나 이상으로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는, 예를 들어, 상기 기재한 1가의 치환기이다. R_L 은 바람직하게 탄소수 3 내지 20 의 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 탄소수 6 내지 14 의 치환 또는 비치환된 아릴 기; 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 12 의 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 탄소수 6 내지 10 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이다.

2가의 치환기 -L- 의 바람직한 예는 -O-CO-C₂H₄-CO-O-, -O-CO-C₃H₆-, -NH-CO-C₃H₆-CO-NH-, -NH-CO-C₄H₈-, -CH₂-, -C₂H₄-, -C₃H₆-, -C₄H₈-, -C₅H₁₀-, -C₈H₁₆-, -C₄H₈-CO-O-, -C₆H₄-C₆H₄- 및 -NH-SO₂-C₃H₆- 를 포함한다.

식 (IIb)에서, n 은 1 내지 4 의 정수를 나타낸다.

n 이 1 인 경우, T₂ 는 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다. n 이 1 인 경우, T₂ 는 바람직하게 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이다.

n 이 2 인 경우, T₂ 는 2가의 치환기를 나타낸다. n 이 2 인 경우, T₂ 의 구체예는 상기한 2가의 치환기 -L- 과 동일한 예를 포함한다. n 이 2 인 경우, T₂ 는 바람직하게 -CH₂-, -O-CO-C₂H₄-CO-O-, 또는 -NH-CO-C₃H₆-CO-NH- 이다.

n 이 3 인 경우, T₂ 는 3가 치환기를 나타낸다. 3가 치환기가 설명된다. 3가 치환기는 3가 알킬 기, 3가 아릴 기 또는 하기 식으로 표현되는 치환기이다.

3가 치환기는 바람직하게 탄소수 1 내지 8 의 3가 알킬 기, 탄소수 6 내지 14 의 3가 아릴 기 또는 하기 식으로 표현되는 치환기이다.

n 이 4 인 경우, T₂ 는 4가 치환기를 나타낸다. 4가 치환기는 설명된다. 4가 치환기는 4가 알킬 기 또는 4가 아릴 기이다. 4가 치환기 중에서, 탄소수 1 내지 8 의 4가 알킬 기 및 탄소수 6 내지 14 의 4가 아릴 기가 바람직하다.

식 (IIb)에서, n 이 1 또는 2 인 것이 특별히 바람직하다.

구체적으로, 식 (IIb)의 성분은 바람직하게는 하기와 같이 조합된다:

n 이 1 인 경우, T 는 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기이고; T₁ 은 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 또는 탄소수 1 내지 18 의 알콕시 기이고; L 은 -O-CO-C₃H₆-, -CH₂-, -C₃H₆-, -C₅H₁₀-, -C₈H₁₆-, -NH-CO-C₄H₈- 또는 단일 결합이고; T₂ 는 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이고;

n 이 2 인 경우, 바람직한 조합은 T 가 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기이고; T₁ 이 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 아릴 기, 또는 탄소수 1 내지 18 의 알콕시 기이고; L 은 -CH₂- 또는 단일 결합이고; T₂ 는 -CH₂-, -O-CO-C₂H₄-CO-O- 또는 NH-CO-C₃H₆-CO-NH- 인 것이고;

n 이 2 인 경우, 바람직한 조합은 m 은 0 이고 T 는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기이고; T₁ 은 수소 원자, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 6 내지 24 의 아릴 기 또는 탄소수 1 내지 18 의 알콕시기이고; T₂ 는 -CH₂-, -O-CO-C₂H₄-CO-O 또는 -NH-CO-C₃H₆-CO-NH- 인 것이다.

식 (IIa) 또는 (IIb)로 표현되는 화합물의 전형적인 예는 2-(2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-t-부틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-t-부틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-도데실-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-4'-옥틸옥시페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-(3,4,5,6-테트라히드로프탈리미딜메틸)-5'-메틸벤질)페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-sec-부틸-5'-t-부틸-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3',5'-비스-(α,α-디메틸벤질)-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-옥틸옥시카르보닐에틸)페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-5'-[2-(2-에틸헥실옥시)-카르보닐에틸]-2'-히드록시페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-메톡시카르보닐에틸)페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-메톡시카르보닐에틸)페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-옥틸옥시카르보닐에틸)페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-5'-[2-(2-에틸헥실옥시)카르보닐에틸]-2'-히드록시페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-도데실-2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(3'-t-부틸-2'-히드록시-5'-(2-이소옥틸옥시카르보닐에틸)페닐벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌-비스[4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-6-벤조트리아졸-2-일페놀], 2-[3'-t-부틸-5'-(2-메톡시카르보닐에틸)-2'-히드록시페닐]-2H-벤조트리아졸과 폴리에틸렌 글리콜 300 의 에스테르 교환 생성물; 및 하기 식으로 표현되는 화합물을 포함한다:

(식 중, R 은 3'-tert-부틸-4'-히드록시-5'-2H-벤조트리아졸-2-일페닐, 2-[2'-히드록시-3'-(α,α-디메틸벤질)-5'-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-페닐]벤조트리아졸; 2-[2'-히드록시-3'-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-5'-(α,α-디메틸벤질)-페닐]벤조트리아졸 등을 나타냄).

트리아진계 화합물은 바람직하게 하기 식 (III)로 표현되는, 유효 흡수 파장이 대략 270 내지 380 nm 인 화합물이다.

[식 (III) 중,

치환기 Y₁ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 또는 치환 또는 비치환된 알콕시 기를 나타내고;

Lf 는 2가의 연결기 또는 단일 결합을 나타내고;

u 는 1 또는 2 를 나타내고;

v 는 0 또는 1 를 나타내고;

r 는 1 내지 3 의 정수를 나타내고;

u 가 1 인 경우, Y₂ 는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고; u 가 2 인 경우, Y₂ 는 2가의 치환기를 나타냄].

Y₁ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴 기, 또는 치환 또는 비치환된 알콕시 기를 나타낸다. Y₁ 은 바람직하게 수소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 또는 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기이다.

Lf 는 2가의 연결기 또는 단일 결합을 나타낸다. u 는 1 또는 2 를 나타낸다. r 은 1 내지 3 의 정수를 나타낸다. v 는 0 또는 1 를 나타낸다. v 가 0 인 경우; Lf 는 단일 결합을 나타낸다.

2가 연결기 -Lf- 가 설명된다. 2가의 연결기 -Lf- 는 하기 식 (b)로 표현되는 2가의 치환기이다.

식 (b)

-(Lf₁)_mf1-(Lf₂)_mf2-(Lf₃)_mf3-(Lf₄)_mf4-(Lf₅)_mf5-

식 (b)에서, mf1 내지 mf5 는 각각 0 내지 2 의 정수를 나타낸다.

Lf₁, Lf₂, Lf₃, Lf₄ 및 Lf₅ 는 각각 독립적으로 -CO-, -O-, -SO₂-, -SO-, -NRf_L-, 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 치환 또는 비치환된 2가의 알케닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기를 나타낸다. Rf_L 은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다.

Rf_L 의 구체예는 수소 원자, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 옥틸 기, 페닐 기, 및 나프틸 기를 포함한다. 상기 기는 알킬 또는 아릴 기의 임의 위치에서 하나 이상의 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. Rf_L 은 바람직하게 탄소수 3 내지 20 의 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 탄소수 6 내지 14 의 치환 또는 비치환된 아릴 기; 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 12 의 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 탄소수 6 내지 10 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이다.

2가의 치환기 -Lf- 의 바람직한 예는 -O-CO-C₂H₄-CO-O-, -O-CO-C₃H₆-, -NH-CO-C₃H₆-CO-NH-, -NH-CO-C₄H₈-, -CH₂-, -C₂H₄-, -C₃H₆-, -C₄H₈-, -C₅H₁₀-, -C₈H₁₆-, -C₄H₈-CO-O-, -C₆H₄-C₆H₄- 및 -NH-SO₂-C₃H₆- 를 포함한다.

u 가 1 인 경우, Y₂ 는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다. u 가 1 인 경우, Y₂ 는 바람직하게 수소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이다.

u 가 2 인 경우, Y₂ 는 2가의 치환기를 나타낸다. 2가의 치환기의 예는 상기한 2가의 치환기 -L- 과 동일한 예를 포함한다. Y₂ 는 바람직하게 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 치환 또는 비치환된 2가의 알케닐 기, 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기, -CH₂CH(OH)CH₂-O-Y₁₁-OCH₂CH(OH)CH₂, -CO-Y₁₂-CO-, -CO-NH-Y₁₃-NH-CO-, 또는 -(CH₂)_t-CO₂-Y₁₄-OCO-(CH₂)_t 이다.

여기서, t 는 1, 2 또는 3 이고;

Y₁₁ 은 치환 또는 비치환된 알킬렌 기, 페닐렌 기, 또는 -페닐렌-M-페닐렌- (여기서, M 은 -O-, -S-, -SO₂-, -CH₂- 또는 -C(CH₃)₂-)를 나타내고;

Y₁₂ 는 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 치환 또는 비치환된 2가의 알케닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기를 나타내고;

Y₁₃ 은 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기를 나타내고;

Y₁₄ 는 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기를 나타낸다.

즉, u 가 2 인 경우, Y₂ 는 바람직하게 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기, -CH₂CH(OH)CH₂-O-CH₂-OCH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-O-C(CH₃)₂-OC₈H₁₆-, 또는 -(CH₂)₂-CO₂-C₂H₄-OCO-(CH₂)₂- 이다.

식 (III)으로 표현되는 화합물의 전형적인 예는 2-(4-부톡시-2-히드록시페닐)-4,6-디(4-부톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(4-부톡시-2-히드록시페닐)-4,6-디(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-디(4-부톡시-2-히드록시페닐)-6-(4-부톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-디(4-부톡시-2-히드록시페닐)-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(2-히드록시-4-옥틸옥시페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-옥틸옥시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(2-히드록시-4-프로필옥시페닐)-6-(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-옥틸옥시페닐)-4,6-비스(4-메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-도데실옥시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-트리데실옥시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-히드록시-4-(2-히드록시-3-부틸옥시프로폭시)페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-히드록시-4-(2-히드록시-3-옥틸옥시프로필옥시)페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[4-(도데실옥시/트리데실옥시-2-히드록시프로폭시)-2-히드록시페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-히드록시-4-(2-히드록시-3-도데실옥시프로폭시)페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-헥실옥시)페닐-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시-4-메톡시페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(2-히드록시-4-(3-부톡시-2-히드록시프로폭시)페닐)-1,3,5-트리아진, 2-(2-히드록시페닐)-4-(4-메톡시페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진, 2-{2-히드록시-4-[3-(2-에틸헥실-1-옥시)-2-히드록시-프로필옥시]페닐}-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진 및 2-(2-히드록시-4-(2-에틸헥실)옥시)페닐-4,6-디(4-페닐)페닐-1,3,5-트리아진을 포함한다.

벤조페논계 화합물은 바람직하게 하기 식 (IVa) 또는 (IVb)로 표현되는, 대략 270 내지 380 nm 의 유효 흡수 파장을 가지는 화합물이다.

[식 (IVa) 중, X₁ 및 X₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 페닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 설폰산 기, 치환 또는 비치환된 알킬옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기를 나타내고; s₁ 및 s₂ 는 각각 독립적으로 1 내지 3 의 정수를 나타냄]

[식 (IVb) 중, X₁ 는 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 페닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 설폰산 기, 치환 또는 비치환된 알킬옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기를 나타내고; s₁ 은 1 내지 3 의 정수를 나타내고;

Lg 는 2가의 치환기 또는 단일 결합을 나타내고; w 는 0 또는 1 을 나타내고;

tb 는 1 또는 2 를 나타내고; tb 가 1 인 경우, X₃ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 페닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 설폰산 기, 치환 또는 비치환된 알킬옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기를 나타내고; tb 가 2 인 경우, X₃ 는 2가의 치환기를 나타냄]

(식 (IVa))

X₁ 및 X₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 페닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 설폰산 기, 치환 또는 비치환된 알킬옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기를 나타낸다. X₁ 및 X₂ 는 각각 바람직하게 수소 원자, 염소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 탄소수 2 내지 18 의 알킬옥시카르보닐 기, 탄소수 7 내지 24 의 아릴옥시카르보닐 기, 탄소수 1 내지 16 의 설폰산 기 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기; 특히 바람직하게 수소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 탄소수 1 내지 16 의 설폰산 기 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기이다.

(식 (IVb))

tb 는 1 또는 2, w 는 0 또는 1, s1 은 1 내지 3 의 정수이다.

치환기 X₁ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 페닐 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 설폰산 기, 치환 또는 비치환된 알킬옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기를 나타낸다.

X₁ 은 바람직하게 수소 원자, 염소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 탄소수 2 내지 18 의 알킬옥시카르보닐 기, 탄소수 7 내지 24 의 아릴옥시카르보닐 기, 설폰산 기 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기; 특히 바람직하게 수소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 설폰산 기 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기이다.

-Lg- 는 2가의 연결기 또는 단일 결합을 나타낸다. w 는 0 또는 1 의 정수를 나타낸다. w 가 0 (zero)인 경우는 X₃ 이 Lg 를 수반하지 않은 채 벤젠 고리와 직접 결합하는 것, 즉, -Lg- 가 단일 결합을 나타내는 것을 의미한다.

2가 연결기 -Lg- 가 설명된다. 2가의 연결기 Lg 는 하기 식 (c)로 표현되는 2가의 치환기이다.

식 (c)

-(Lg₁)_mg1-(Lg₂)_mg2-(Lg₃)_mg3-(Lg₄)_mg4-(Lg₅)_mg5-

식 (c)에서, mg1 내지 mg5 는 각각 0 내지 2 의 정수를 나타낸다.

Lg₁ 내지 Lg₅ 는 각각 독립적으로 -CO-, -O-, -SO₂-, -SO-, -NRg_L-, 치환 또는 비치환된 2가의 알킬 기, 치환 또는 비치환된 2가의 알케닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 아릴 기를 나타낸다. Rg_L 은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬 기 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타낸다.

Rg_L 의 구체예는 수소 원자, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 헥실 기, 옥틸 기, 페닐 기 및 나프틸 기를 포함한다. 상기 기는 알킬 또는 아릴 기의 임의의 위치에서 하나 이상 1가의 치환기로 치환될 수 있다. 1가의 치환기는 예를 들어, 상기한 1가의 치환기이다. Rg_L 은 바람직하게 탄소수 3 내지 20 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 14 의 치환 또는 비치환된 아릴 기; 더욱 바람직하게 탄소수 6 내지 12 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 또는 탄소수 6 내지 10 의 치환 또는 비치환된 아릴 기이다.

즉, 2가의 치환기 -Lg- 의 바람직한 예는 -O-, -O-CO-C₂H₄-CO-O-, -O-C₄H₈-O-, -O-CO-C₃H₆-, -NH-CO-C₃H₆-CO-NH-, -NH-CO-C₄H₈-, -CH₂-, -C₂H₄-, -C₃H₆-, -C₄H₈-, -C₅H₁₀-, -C₈H₁₆-, -C₄H₈-CO-O-, -C₆H₄-C₆H₄-, 및 -NH-SO₂-C₃H₆- 를 포함한다.

tb 가 1 인 경우, X₃ 은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 페닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 설폰산 기, 치환 또는 비치환된 알킬옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기 또는 치환 또는 비치환된 아미노 기를 나타낸다.

tb 가 1 인 경우, X₃ 은 바람직하게 수소 원자, 히드록실 기, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 탄소수 2 내지 18 의 알킬옥시카르보닐 기, 탄소수 7 내지 24 의 아릴옥시카르보닐 기, 설폰산 기, 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기이다.

X₃ 은 특히 바람직하게 수소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 설폰산 기, 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기이다.

tb 가 2 인 경우, X₃ 은 2가의 치환기를 나타낸다.

tb 가 2 인 경우, X₃ 의 구체예는 상기한 2가의 치환기 -L- 과 동일한 예를 포함한다. tb 가 2 인 경우, X₃ 은 바람직하게 -CH₂-, -C₄H₈-, -O-C₄H₈-O-, -O-CO-C₂H₄-CO-O-, 또는 -NH-CO-C₃H₆-CO-NH- 이다.

식 (IVb)에서, tb 는 특히 바람직하게 1 이다.

즉, 식 (IVb)의 화합물은 바람직하게 다음과 같이 조합된다.

구체적으로, tb 가 1 인 경우, 바람직한 조합은,

X₁ 이 수소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 설폰산 기, 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기이고;

Lg 가 -O-, -O-CO-C₂H₄-CO-O-, -O-C₄H₈-O-, -O-CO-C₃H₆-, -NH-CO-C₃H₆-CO-NH-, -NH-CO-C₄H₈-, -CH₂-, -C₂H₄-, -C₃H₆-, -C₄H₈-, -C₅H₁₀-, -C₈H₁₆-, -C₄H₈-CO-O-, -C₆H₄-C₆H₄-, -NH-SO₂-C₃H₆-, 또는 단일 결합이고;

X₃ 이 수소 원자, 히드록실 기, 염소 원자, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 탄소수 6 내지 24 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 탄소수 2 내지 18 의 알킬옥시카르보닐 기, 탄소수 7 내지 24 의 아릴옥시카르보닐 기, 설폰산 기, 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기인 것이다.

tb 가 2 인 경우, 바람직한 조합은

X₁ 은 수소 원자, 히드록실 기, 탄소수 1 내지 18 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 설폰산 기, 또는 탄소수 1 내지 16 의 치환 또는 비치환된 아미노 기이고;

Lg 는 -O-, -O-CO-C₂H₄-CO-O-, -O-C₄H₈-O-, -O-CO-C₃H₆-, -NH-CO-C₃H₆-CO-NH-, -NH-CO-C₄H₈-, -CH₂-, -C₂H₄-, -C₃H₆-, -C₄H₈-, -C₅H₁₀-, -C₈H₁₆-, -C₄H₈-CO-O-, -C₆H₄-C₆H₄-, -NH-SO₂-C₃H₆-, 또는 단일 결합이고;

X₃ 은 -CH₂-, -C₄H₈-, -O-C₄H₈-O-, -O-CO-C₂H₄-CO-O-, 또는 -NH-CO-C₃H₆-CO-NH- 인 것이다.

벤조페논계 화합물의 전형적인 예는 2,4-디히드록시벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논, 2-히드록시-4-옥틸옥시벤조페논, 2-히드록시-4-데실옥시벤조페논, 2-히드록시-4-도데실옥시벤조페논, 2-히드록시-4-벤질옥시벤조페논, 2-히드록시-4-(2-히드록시-3-메타크릴옥시프로폭시)벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시-5-설포벤조페논, 2-히드록시-4-메톡시-5-설포벤조페논 트리하이드레이트, 2-히드록시-4-메톡시-2'-카르복시벤조페논, 2-히드록시-4-옥타데실옥시벤조페논, 2-히드록시-4-디에틸아미노-2'-헥실옥시카르보닐벤조페논, 2,2'-디히드록시-4-메톡시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,2'-디히드록시-4,4'-디메톡시벤조페논, 및 1,4-비스(4-벤질옥시-3-히드록시페녹시)부탄을 포함한다.

상기 살리실산계 화합물은 바람직하게 대략 290 내지 330 nm 의 유효 흡수 파장을 가지는 화합물이고, 이들의 전형적인 예는 페닐 살리실레이트, 4-t-부틸페닐 살리실레이트, 4-옥틸페닐 살리실레이트, 디벤조일레조르시놀, 비스(4-t-부틸벤조일)레조르시놀, 벤조일레조르시놀, 2,4-디-t-부틸페닐 3,5-디-t-부틸-4-히드록시살리실레이트, 및 헥사데실 3,5-디-t-부틸-4-히드록시살리실레이트를 포함한다.

상기 아크릴레이트계 화합물은 바람직하게 대략 270 내지 350 nm 의 유효 흡수 파장을 가지는 화합물이고, 이들의 전형적인 예는 2-에틸헥실 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트, 에틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트, 이소옥틸 2-시아노-3,3-디페닐아크릴레이트, 헥사데실 2-시아노-3-(4-메틸페닐)아크릴레이트, 메틸 2-시아노-3-메틸-3-(4-메톡시페닐)신나메이트, 부틸 2-시아노-3-메틸-3-(4-메톡시페닐)신나메이트, 메틸 2-카르보메톡시-3-(4-메톡시페닐)신나메이트 2-시아노-3-(4-메틸페닐)아크릴레이트 염, 1,3-비스(2'-시아노-3,3'-디페닐아크릴로일)옥시)-2,2-비스(((2'-시아노-3,3'-디페닐아크릴로일)옥시)메틸)프로판, 및 N-(2-카르보메톡시-2-시아노비닐)-2-메틸인돌린을 포함한다.

상기 옥살산 디아미드계 화합물은 바람직하게 대략 250 내지 350 nm 의 유효 흡수 파장을 갖는 화합물이고, 이들의 전형적인 예는 4,4'-디옥틸옥시옥사닐리드, 2,2'-디옥틸옥시-5,5'-디-t-부틸옥사닐리드, 2,2'-디도데실옥시-5,5'-디-t-부틸옥사닐리드, 2-에톡시-2'-에틸옥사닐리드, N,N'-비스(3-디메틸아미노프로필)옥사미드, 2-에톡시-5-t-부틸-2'-에틸옥사닐리드, 및 2-에톡시-2'-에틸-5,4'-디-t-부틸옥사닐리드를 포함한다.

자외선 흡수제 B 는 특히 바람직하게 하기 화합물 기 B 에서 선택되는 화합물이다.

화합물 기 B 는 하기 화합물 (II-1) 내지 (IV-6)을 포함한다.

[1] 상기 식 (IIa)로 표현되는 화합물

(II-1) 2-(2'-히드록시-3',5'-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸

(II-2) 2-(3-t-부틸-5-메틸-2-히드록시페닐)-5-클로로벤조트리아졸

(II-3) 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸

(II-4) 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐] 프로피오네이트

(II-5) 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸-페놀

(II-6) 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-3-t-부틸페놀

(II-7) 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1-3,3-테트라메틸부틸)페놀

(II-8) 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-3-메틸페놀

(II-9) 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸-페놀

[2] 상기한 식 (IIb)로 표현되는 화합물

(II-10) 2,2'-메틸렌-비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀]

[3] 상기한 식 (III)로 표현되는 화합물

(III-1) 2,4-비스(2-히드록시-4-부톡시페닐)-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진

(III-2) 2-[4-[(2-히드록시-3-(2'-에틸)헥실)옥시]-2-히드록시페닐]-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진

(III-3) 2-[4-[(2-히드록시-3-(2'-에틸)헥실)옥시]-2-히드록시페닐-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진

(III-4) 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-헥실옥시페놀

(III-5) 비스에틸헥실옥시페놀 메톡시페닐트리아진

[4] 상기한 식 (IV)로 표현되는 화합물

(IV-1) 헥실 2-(4-디에틸아미노-2-히드록시벤조일)벤조에이트

(IV-2) 2,2’-히드록시-4,4’-디메톡시벤조페논

(IV-3) 2-히드록시-4-메톡시벤조페논

(IV-4) 1,4-비스(4-벤조일-3-히드록시페녹시)부탄

(IV-5) 2-히드록시-4-옥톡시벤조페논

(IV-6) 2-히드록시-4-메톡시벤조페논-5-설폰산

(IV-7) 2,2’,4,4’-테트라히드록시벤조페논

화합물 (II-1)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 328 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-2)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 326 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-3)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 329 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-4)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 109 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-5)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 171 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-6)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin PS (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-7)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 928 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-8)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin P (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-9)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 234 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (II-10)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 360 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (III-1)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 460 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (III-2)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Cyasorb UV-116 (CYTEC Company Ltd. 제조)로 시판된다.

화합물 (III-3)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 405 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (III-4)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinuvin 1577 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (III-5)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Tinosorb S (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-1)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Uvinul A plus (BASF Japan Ltd. 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-2)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Uvinul 3049 (BASF Japan Ltd. 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-3)은 하기 구조를 가지고, 상품명 Visorb 110 (KYODO CHEMICAL CO., LTD. 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-4)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Seesorb 151 (SHIPRO KASEI KAISHA LTD. 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-5)는 하기 구조를 가지고, 상품명 Chimassorb 81 (Ciba Specialty Chemicals 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-6)은 하기 구조를 가지고, 상품명 Uvinul MS40 (BASF Japan Ltd. 제조)로 시판된다.

화합물 (IV-7)은 하기 구조를 가지고, 상품명 Uvinul 3050 (BASF Japan Ltd. 제조)로 시판된다.

본 발명에서 사용되는 자외선 흡수제 A 및 B 는 개별적으로 존재할 수 있거나, 미리 또는 조성물 중에서 서로 함께 결합함으로써 서로 연결될 수 있다. 추가로, 중합가능한 기를 각각의 자외선 흡수제 A 및 B 와 결합시켜 중합가능한 단량체를 형성한 다음, 이들 단량체를 중합시켜 자외선 흡수제 A 및 B 를 단위 구조로서 포함한 공중합체를 형성할 수 있다. 이들 단량체는 상기 자외선 흡수제 (A) 및 (B)를 함유하지 않은 다른 단량체와 함께 사용하여 공중합체를 형성할 수 있다. 바람직한 구현예는 조성물이 단량체로 구성되고, 공중합체는 의도한 단계에서 단량체의 중합에 의해 형성되는 것이다.

[화합물 C]

이하, 본 발명에서 사용된 화합물 C 가 설명된다. 화합물 C 는 하기 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현된다.

식 (TS-I)에서, R₉₁ 은 수소 원자, 알킬 기 (시클릭 알킬 기, 예컨대 시클로알킬 기, 바이시클로알킬 기 및 트리시클로알킬 기를 포함함), 알케닐 기 (시클릭 알케닐 기, 예컨대 시클로알케닐 기, 바이시클로알케닐 기 및 트리시클로알케닐 기를 포함함), 아릴 기, 헤테로시클릭 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 알킬 설포닐 기 (시클릭 알킬 설포닐 기, 예컨대 시클로알킬 설포닐 기, 바이시클로알킬 설포닐 기 및 트리시클로알킬 설포닐 기를 포함함), 아릴 설포닐 기, 포스피노 기, 포스피노톨릴 기, 포스피닐 기, 또는 -Si(R₉₇)(R₉₈)(R₉₉)를 나타낸다. 여기서, R₉₇, R₉₈, 및 R₉₉ 는 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 알콕시 기, 알케닐옥시 기, 또는 아릴옥시 기를 나타낸다. -X₉₁- 은 -O-, -S-, 또는 -N(-R₁₀₀)- 을 나타내고, 이때 R₁₀₀ 은 R₉₁ 과 동일한 의미를 가진다. R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅ 및 R₉₆ 은 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환기를 나타낸다. R₉₁ 과 R₉₂, R₁₀₀ 과 R₉₆, 및 R₉₁ 과 R₁₀₀ 은 서로 함께 결합하여, 5- 내지 7-원 고리를 형성할 수 있다. 추가로, R₉₂ 과 R₉₃, 및 R₉₃ 과 R₉₄ 는 각각 서로 결합하여, 5- 내지 7-원 고리, 스피로 고리, 또는 바이시클로 고리를 형성할 수 있다. 그러나, 모든 R₉₁, R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅, R₉₆ 및 R₁₀₀ 은 각각 동시에 수소 원자를 나타낼 수 없고, 총 탄소수는 10 이상이다.

본 명세서에서의 기가 지방족 부위를 함유한 경우, 지방족 부위는 직쇄형, 분지쇄형, 또는 시클릭 및 포화 또는 불포화일 수 있다. 지방족 부위의 예는 알킬, 알케닐, 시클로알킬, 및 시클로알케닐을 포함하고, 이들 각각은 비치환 또는 치환될 수 있다. 추가로, 기가 아릴 부위를 함유한 경우, 아릴 부위는 단일 고리 또는 축합 고리일 수 있고, 이들 각각은 비치환 또는 치환될 수 있다. 추가로, 상기 기가 헤테로시클릭 부위를 함유한 경우, 헤테로시클릭 부위는 고리 내에 헤테로 원자 (예를 들어, 질소 원자, 황 원자, 산소 원자)를 함유하고, 포화 고리, 또는 불포화 고리일 수 있고, 단독 고리 또는 축합 고리일 수 있고, 이들 각각은 비치환 또는 치환될 수 있다. 치환기는 고리 내의 헤테로 원자, 또는 탄소 원자와 결합될 수 있다.

본 발명에서 사용된 치환기는 대체가능한 기인 한, 특히는 한정되지 않는다. 이들의 예는 지방족 기, 아릴 기, 헤테로시클릭 기, 아실 기, 아실옥시 기, 아실 아미노 기, 지방족 옥시 기, 아릴옥시 기, 헤테로시클릭 옥시 기, 지방족 옥시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 헤테로시클릭 옥시카르보닐 기, 카르바모일 기, 지방족 설포닐 기, 아릴설포닐 기, 헤테로시클릭 설포닐 기, 지방족 설포닐옥시 기, 아릴설포닐옥시 기, 헤테로시클릭 설포닐옥시 기, 설파모일 기, 지방족 설폰아미도 기, 아릴설폰아미도 기, 헤테로시클릭 설폰아미도 기, 지방족 아미노 기, 아릴아미노 기, 헤테로시클릭 아미노 기, 지방족 옥시카르보닐아미노 기, 아릴옥시카르보닐아미노 기, 헤테로시클릭 옥시카르보닐아미노 기, 지방족 설피닐 기, 아릴설피닐 기, 지방족 티오 기, 아릴티오 기, 히드록시 기, 시아노 기, 설포 기, 카르복실 기, 지방족 옥시아미노 기, 아릴옥시아미노 기, 카르바모일아미노 기, 설파모일아미노 기, 할로겐 원자, 설파모일 카르바모일 기, 카르바모일 설파모일 기, 포스피닐 기, 및 포스포릴 기를 포함한다.

식 (TS-I)으로 표현되는 화합물은 하기 상세하게 기재되어 있다.

R₉₁ 은 수소 원자, 알킬 기 (시클로알킬 기, 바이시클로알킬 기 및 트리시클로알킬 기와 같은 시클릭 알킬 기, 예를 들어, 메틸 기, i-프로필 기, s-부틸 기, 도데실 기, 메톡시에톡시 기 및 벤질 기를 포함함), 알케닐 기 (시클로알케닐 기, 바이시클로알케닐 기와 같은 것, 예를 들어, 알릴 기를 포함함), 아릴 기 (예를 들어, 페닐 기, p-메톡시페닐 기), 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 2-테트라히드푸릴 기, 피라닐 기), 아실 기 (예를 들어, 아세틸 기, 피발로일 기, 벤조일 기, 아크릴로일 기), 알킬- 또는 알케닐-옥시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐 기, 헥사데실옥시카르보닐 기), 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐 기, p-메톡시페녹시 카르보닐 기), 알킬 설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐 기, 부탄설포닐 기), 아릴설포닐 기 (예를 들어, 벤젠 설포닐 기, p-톨루엔설포닐 기), 포스피노톨릴 기 (예를 들어, 디메톡시포스피노 기, 디페녹시포스피노 기), 포스피닐 기 (예를 들어, 디에틸포스피닐 기, 디페닐포스피닐 기), 또는 -Si(R₉₇)(R₉₈)(R₉₉)를 나타낸다. R₉₇, R₉₈, 및 R₉₉ 는 상동하거나 상이할 수 있다. R₉₇, R₉₈, 및 R₉₉ 는 각각 알킬 기 (예를 들어, 메틸 기, 에틸 기, t-부틸 기, 벤질 기), 알케닐 기 (예를 들어, 알릴 기), 아릴 기 (예를 들어, 페닐 기), 알콕시 기 (예를 들어, 메톡시 기, 부톡시 기), 알케닐옥시 기 (예를 들어, 알릴옥시 기) 또는 아릴옥시 기 (예를 들어, 페녹시 기)를 나타낸다.

-X₉₁- 은 -O-, -S- 또는 -N(-R₁₀₀)- 을 나타낸다. 본원에서, R₁₀₀ 은 R₉₁ 의 것과 동일한 의미를 가지고, 이들의 바람직한 범위은 또한 동일하다. R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅ 및 R₉₆ 은 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 치환기의 예는 수소 원자, 알킬 기 (시클로알킬 기, 바이시클로알킬 기 및 트리시클로알킬 기와 같은 시클릭 알킬 기를 포함함), 알케닐 기 (시클로알케닐 기, 바이시클로알케닐 기 및 트리시클로알케닐 기와 같은 시클릭 알케닐 기를 포함함), 알키닐 기, 아릴 기, 헤테로시클릭 기, 시아노 기, 히드록실 기, 니트로 기, 카르복실 기, 알콕시 기, 아릴옥시 기, 실릴옥시 기, 헤테로시클릭 옥시 기, 아실옥시 기, 카르바모일옥시 기, 알콕시카르보닐옥시 기, 아릴옥시카르보닐옥시, 아미노 기 (아닐리노 기를 포함함), 아실아미노 기, 아미노카르보닐아미노 기, 알콕시카르보닐아미노 기, 아릴옥시카르보닐아미노 기, 설파모일아미노 기, 알킬- 또는 아릴-설포닐아미노 기, 머캅토 기, 알킬티오 기, 아릴티오 기, 헤테로시클릭 티오 기, 설파모일 기, 설포 기, 알킬- 또는 아릴-설피닐 기, 알킬- 또는 아릴-설포닐 기, 아실 기, 아릴옥시카르보닐 기, 알콕시카르보닐 기, 카르바모일 기, 아릴- 또는 헤테로시클릭-아조 기, 이미도 기, 포스피노 기, 포스피닐 기, 포스피닐옥시 기, 포스피닐아미노 기 및 실릴 기를 포함한다.

이들 중에서, 치환기의 바람직한 예는 알킬 기 (예를 들어, 메틸 기, t-부틸 기, t-헥실 기, 벤질 기), 알케닐 기 (예를 들어, 알릴 기), 아릴 기 (예를 들어, 페닐 기), 알콕시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐 기, 도데실옥시카르보닐 기), 아릴 옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐 기), 알킬- 또는 알케닐-설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐 기, 부탄설포닐 기), 아릴설포닐 기 (예를 들어, 벤젠 설포닐 기, p-히드록시벤젠설포닐 기) 또는 -X₉₁-R₉₁ 을 포함한다.

R₉₁ 과 R₉₂, R₁₀₀ 과 R₉₆, 및 R₉₁ 과 R₁₀₀ 은 각각, 서로 함께 결합하여, 5- 내지 7-원 고리 (예를 들어, 크로만 고리, 모르폴린 고리)를 형성할 수 있다. 추가로, R₉₂ 와 R₉₃, 및 R₉₃ 과 R₉₄ 는 각각 서로 함께 결합하여, 5- 내지 7-원 고리 (예를 들어, 크로만 고리, 인단 고리), 스피로 고리 또는 바이시클로 고리를 형성할 수 있다. 그러나, 모든 R₉₁, R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅, R₉₆ 및 R₁₀₀ 은 동시에 수소 원자가 아니며; 총 탄소수는 10 이상, 바람직하게 16 이상이다.

본 발명에서 사용되는 식 (TS-I)로 표현되는 화합물은 예를 들어, JP-B-63-50691 의 식 (I), JP-B-2-37575 의 식 (IIIa), (IIIb), 또는 (IIIc), JP-B-2-50457 의 식, JP-B-5-67220 의 식, JP-B-5-70809 의 식 (IX), JP-B-6-19534 의 식, JP-A-62-227889 의 식 (I), JP-A-62-244046 의 식 (I) 또는 (II), JP-A-2-66541 의 식 (I) 또는 (II), JP-A-2-139544 의 식 (II) 또는 (III), JP-A-2-194062 의 식 (I), JP-A-2-212836 의 식 (B), (C) 또는 (D), JP-A-3-200758 의 식 (III), JP-A-3-48845 의 식 (II) 또는 (III), JP-A-3-266836 의 식 (B), (C) 또는 (D), JP-A-3-969440 의 식 (I), JP-A-4-330440 의 식 (I), JP-A-5-297541 의 식 (I), JP-A-6-130602 의 식, 국제 특허 출원 공개 WO 91/11749 팜플렛의 식 (1), (2) 또는 (3), 독일 특허 출원 DE 4,008,785A1 의 식 (I), 미국 특허 제 4,931,382 호의 식 (II), 유럽 특허 출원 제 203,746B1 호의 식 (a), 및 유럽 특허 제 264,730B1 호의 식 (I) 중 어느 하나로 표현되는 화합물을 포함한다.

식 (TS-I)으로 표현되는 화합물로서, 하기 식 (TS-IA) 내지 (TS-IG)로 표현되는 화합물이 예시된다. 본 발명에서, 이들 구조를 가지는 화합물이 바람직하다.

식 (TS-IA) 내지 (TS-IG)에서, R₉₁ 내지 R₉₇ 은 식 (TS-I)에 정의된 것들과 동일한 의미를 가지고, 이들의 바람직한 범위는 또한 동일하다. R_a1 내지 R_a4 는 각각 수소 원자 또는 지방족 기를 나타낸다. X₉₂ 및 X₉₃ 은 각각 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기의 예는 알킬렌 기, 옥시 기 및 설포닐 기를 포함한다. 식에서, 동일한 분자의 동일한 기호는 상동하거나 상이할 수 있다.

식 (TS-II)에서, R₁₀₁, R₁₀₂, R₁₀₃, 및 R₁₀₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬 기 (시클로알킬 기, 바이시클로알킬 기 및 트리시클로알킬 기와 같은 시클릭 알킬 기를 포함함), 또는 알케닐 기 (시클로알케닐 기, 바이시클로알케닐 기 및 트리시클로알케닐 기와 같은 시클릭 알케닐 기를 포함함); R₁₀₁ 과 R₁₀₂, 및 R₁₀₃ 과 R₁₀₄ 는 각각 서로 결합하여 5- 내지 7-원 고리를 형성할 수 있다.

X₁₀₁ 은 수소 원자, 알킬 기 (시클로알킬 기, 바이시클로알킬 기, 및 트리시클로알킬 기와 같은 시클릭 알킬 기를 포함함), 알케닐 기 (시클로알케닐 기, 바이시클로알케닐 기, 및 트리시클로알케닐 기와 같은 시클릭 알케닐 기를 포함함), 알콕시 기, 알케닐옥시 기, 알킬- 또는 알케닐-옥시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 아실 기, 아실옥시 기, 알킬옥시카르보닐옥시 기, 알케닐옥시카르보닐옥시 기, 아릴옥시카르보닐옥시 기, 알킬- 또는 알케닐-설포닐 기, 아릴설포닐 기, 알킬- 또는 알케닐-설피닐 기, 아릴설피닐 기, 설파모일 기, 카르바모일 기, 히드록시 기, 또는 옥시 라디칼 기를 나타낸다.

X₁₀₂ 는 5- 내지 7-원 고리를 형성하는데 필요한 비금속 원자군을 나타낸다.

식 (TS-II)로 표현되는 화합물은 하기 상세하게 기재되어 있다.

식 (TS-II)에서, R₁₀₁, R₁₀₂, R₁₀₃ 및 R₁₀₄ 는 각각 수소 원자, 알킬 기 (예를 들어, 메틸 기, 에틸 기), 또는 알케닐 기 (예를 들어, 알릴 기); 바람직하게 알킬 기이다.

X₁₀₁ 은 수소 원자, 알킬 기 (예를 들어, 메틸 기, 에틸 기), 알케닐 기 (예를 들어, 알릴 기), 알킬옥시 기 (예를 들어, 메톡시 기, 옥틸옥시 기, 시클로헥실옥시 기), 알케닐옥시 기 (예를 들어, 알릴옥시 기), 알킬옥시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐 기, 헥사데실옥시카르보닐 기), 알케닐옥시카르보닐 기 (예를 들어, 알릴옥시카르보닐 기), 아릴옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐 기, p-클로로페녹시카르보닐 기), 아실 기 (예를 들어, 아세틸 기, 피발로일 기, 메타크릴로일 기), 아실옥시 기 (예를 들어, 아세톡시 기, 벤조일옥시 기), 알킬옥시카르보닐옥시 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐옥시 기, 옥틸옥시카르보닐옥시 기), 알케닐옥시카르보닐옥시 기 (예를 들어, 알릴옥시카르보닐옥시 기), 아릴옥시카르보닐옥시 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐옥시 기), 알킬설포닐 기 (예를 들어, 메탄설포닐 기, 부탄설포닐 기), 알케닐설포닐 기 (예를 들어, 알릴설포닐 기), 아릴설포닐 기 (예를 들어, 벤젠 설포닐 기, p-톨루엔설포닐 기), 알킬설피닐 기 (예를 들어, 메탄설피닐 기, 옥탄설피닐 기), 알케닐설피닐 기 (예를 들어, 알릴설피닐 기), 아릴설피닐 기 (예를 들어, 벤젠설피닐 기, p-톨루엔설피닐 기), 설파모일 기 (예를 들어, 디메틸설파모일 기), 카르바모일 기 (예를 들어, 디메틸카르바모일 기, 디에틸카르바모일 기), 히드록시 기, 또는 옥시 라디칼 기를 나타낸다.

X₁₀₂ 는 5- 내지 7-원 고리 (예를 들어, 피페리딘 고리, 피페라진 고리)를 형성하는데 필요한 비금속 원자군을 나타낸다.

식 (TS-II)에서, R₁₀₃, R₁₀₄, R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 각각 탄소수 1 내지 3 의 알킬 기이고; X₁₀₁ 은 옥시 라디칼 기, 탄소수 1 내지 12 의 알킬 기, 탄소수 3 내지 12 의 알케닐 기, 탄소수 5 내지 12 의 시클로알킬 기, 탄소수 2 내지 14 의 아실 기, 또는 탄소수 6 내지 20 의 아릴 기이고; X₁₀₂ 는 시클로헥산 고리를 형성하는 것이 더 나아가 바람직하다.

식 (TS-II)로 표현되는 화합물은 특히 바람직하게 하기 식 (TS-IIa)로 표현되는 화합물이다.

식 (TS-IIa)에서, X₁₀₁ 은 식 (TS-II)의 X₁₀₁ 과 동일한 의미를 가지고, 이들의 바람직한 범위는 또한 동일하다. R₂₀₀ 은 1가의 치환기를 나타낸다. 1가의 치환기의 예는 1가의 치환기로서 상기 기재한 것들을 포함한다.

본 발명에서 사용되는 식 (TS-II)로 표현되는 화합물은 예를 들어, JP-B-2-32298 의 식 (I), JP-B-3-39296 의 식 (I), JP-B-3-40373 의 식, JP-A-2-49762 의 식 (I), JP-A-2-208653 의 식 (II), JP-A-2-217845 의 식 (III), 미국 특허 제 4,906,555 호의 식 (B), 유럽 특허 공보 EP309,400A2 의 식, 유럽 특허 공보 EP309,401A1 의 식, 및 유럽 특허 공보 EP309,402A1 의 식으로 표현된 화합물을 포함한다.

식 (TS-III)에서, R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 지방족 기, 아실 기, 지방족 옥시카르보닐 기, 방향족 옥시카르보닐 기, 지방족 설포닐 기, 또는 방향족 설포닐 기를 나타내고; R₁₀₇ 은 지방족 기, 지방족 옥시 기, 방향족 옥시 기, 지방족 티오 기, 방향족 티오 기, 아실옥시 기, 지방족 옥시카르보닐옥시 기, 방향족 옥시카르보닐옥시 기, 치환된 아미노 기, 헤테로시클릭 기, 또는 히드록실 기를 나타낸다. 가능하다면, R₁₀₅ 와 R₁₀₆, R₁₀₆ 과 R₁₀₇, 및 R₁₀₅ 와 R₁₀₇ 은 각각 서로 조합하여, 5- 내지 7-원 고리를 형성할 수 있으나, 이들은 결코 2,2,6,6-테트라알킬피페리딘 골격을 형성하지 않는다. 또한, R₁₀₅ 와 R₁₀₆ 둘다가 동시에 수소 원자는 아니며, 총 탄소수는 7 이상이다.

식 (TS-III)으로 표현되는 화합물은 하기 더욱 상세하게 기재되어 있다.

식 (TS-III)에서, R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 지방족 기 (예를 들어, 메틸 기, 에틸 기, t-부틸 기, 옥틸 기, 메톡시에톡시 기), 아실 기 (예를 들어, 아세틸 기, 피발로일 기, 메타크릴로일 기), 지방족 옥시카르보닐 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐 기, 헥사데실 옥시카르보닐 기), 방향족 옥시카르보닐 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐 기), 지방족 설포닐 기 (예를 들어, 메탄 설포닐 기, 부탄 설포닐 기), 또는 방향족 설포닐 기 (예를 들어, 페닐 설포닐 기)를 나타낸다. R₁₀₇ 은 지방족 기 (예를 들어, 메틸 기, 에틸 기, t-부틸 기, 옥틸 기, 메톡시에톡시 기), 지방족 옥시 기 (예를 들어, 메톡시 기, 옥틸옥시 기), 방향족 옥시 기 (예를 들어, 페녹시 기, p-메톡시페녹시 기), 지방족 티오 기 (예를 들어, 메틸티오 기, 옥틸티오 기), 방향족 티오 기 (예를 들어, 페닐티오 기, p-메톡시페닐티오 기), 아실옥시 기 (예를 들어, 아세톡시 기, 피발로일옥시 기), 지방족 옥시카르보닐옥시 기 (예를 들어, 메톡시카르보닐옥시 기, 옥틸옥시카르보닐옥시 기), 방향족 옥시카르보닐옥시 기 (예를 들어, 페녹시카르보닐 옥시 기), 치환된 아미노 기 (이 치환기는 치환될 수 있는 임의의 것, 예를 들어, 지방족 기, 방향족 기, 아실 기, 지방족 설포닐 기, 또는 방향족 설포닐 기와 같은 치환기로 치환된 아미노 기), 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 피페리딘 고리, 티오모르폴린 고리), 또는 히드록실 기를 나타낸다. 가능하다면, R₁₀₅ 와 R₁₀₆, R₁₀₆ 과 R₁₀₇, 및 R₁₀₅ 와 R₁₀₇ 은 각각 함께 조합하여, 5- 내지 7-원 고리 (예를 들어 피페리딘 고리 및 피라졸리딘 고리)를 형성할 수 있다. R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 둘다가 동시에 수소 원자는 아니며; 총 탄소수는 7 이상이다.

본 발명에서 사용되는 식 (TS-III)으로 표현되는 화합물은 예를 들어, JP-B-6-97332 의 식 (I), JP-B-6-97334 의 식 (I), JP-A-2-148037 의 식 (I), JP-A-2-150841 의 식 (I), JP-A-2-181145 의 식 (I), JP-A-3-266836 의 식 (I), JP-A-4-350854 의 식 (IV), 또는 JP-A-5-61166 의 식 (I)로 표현되는 화합물을 포함한다.

식 (TS-III)으로 표현되는 화합물의 예는 하기 식 (TS-IIIA) 내지 (TS-IIID) 중 어느 하나로 표현되는 화합물을 포함한다. 본 발명에서, 이들 구조 중 어느 하나를 가지는 화합물이 바람직하다.

식 (TS-IIIA) 내지 (TS-IIID)에서, R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 각각 식 (TS-III)에 정의된 것과 동일한 의미를 가지고, 바람직한 범위는 또한 동일하다. R_b1 내지 R_b3 은 각각 독립적으로 R₁₀₅ 의 것과 동일한 의미를 가지고, 바람직한 범위는 또한 동일하다. R_b4, R_b5 및 R_b6 은 각각 지방족 기를 나타낸다. X₁₀₃ 은 5- 내지 7-원 고리를 형성하는데 필요한 비금속 원자군을 나타낸다.

식 (TS-IV)에서, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 각각 독립적으로 지방족 기를 나타낸다. R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 서로 결합하여, 5- 내지 7-원 고리를 형성할 수 있다. n 는 0, 1 또는 2 를 나타낸다. 상기에서, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 의 총 탄소수는 10 이상이다.

식 (TS-IV)로 표현되는 화합물은 하기에서 보다 상세하게 기재된다.

식 (TS-IV)에서, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 각각 독립적으로 지방족 기 (예를 들어, 메틸 기, 메톡시카르보닐에틸 기, 도데실옥시카르보닐 에틸 기)를 나타낸다. R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 서로 결합하여, 5- 내지 7-원 고리 (예컨대, 테트라히드로티오펜 고리 및티오모르폴린 고리)를 형성할 수 있다. n 은 0, 1 또는 2 를 나타낸다. 상기에서, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 의 총 탄소수는 10 이상이다.

본 발명에서 사용되는 식 (TS-IV)로 표현되는 화합물은 예를 들어, JP-B-2-44052 의 식 (I), JP-A-3-48242 의 식 (T), JP-A-3-266836 의 식 (A), JP-A-5-323545 의 식 (I), (II) 또는 (III), JP-A-6-148837 의 식 (I), 또는 미국 특허 제 4,933,271 호의 식 (I)으로 표현되는 화합물을 포함한다.

식 (TS-V)에서, R₁₂₁ 및 R₁₂₂ 는 각각 독립적으로 지방족 옥시 기, 또는 방향족 옥시 기를 나타내고; R₁₂₃ 은 지방족 기, 방향족 옥시 기, 지방족 옥시 기, 또는 방향족 옥시 기를 나타내고; m 은 0 또는 1 을 나타낸다. R₁₂₁ 과 R₁₂₂, 및 R₁₂₁ 과 R₁₂₃ 은 각각, 서로 결합하여, 5- 내지 8-원 고리를 형성할 수 있다. R₁₂₁, R₁₂₂, 및 R₁₂₃ 의 총 탄소수는 10 이상이다.

식 (TS-V)로 표현되는 화합물은 이하에 보다 상세하게 기재된다.

식 (TS-V)에서, R₁₂₁ 및 R₁₂₂ 는 각각 독립적으로 지방족 옥시 기 (예를 들어, 메톡시 기, t-옥틸옥시 기), 또는 방향족 옥시 기 (예를 들어, 페녹시 기, 2,4-디-t-부틸페녹시 기)를 나타낸다. R₁₂₃ 은 지방족 기 (예를 들어, 메틸 기, 에틸 기, t-옥틸 기), 방향족 기 (예를 들어, 페닐 기, 4-t-부틸페닐 기), 지방족 옥시 기 (예를 들어, 메톡시 기, t-옥틸옥시 기), 또는 방향족 옥시 기 (예를 들어, 페녹시 기, 4- t-부틸페녹시 기)를 나타낸다. m 은 0 또는 1 을 나타낸다. R₁₂₁ 과 R₁₂₂, 및 R₁₂₁ 과 R₁₂₃ 은 각각, 서로 결합하여, 5- 내지 8-원 고리를 형성할 수 있다. R₁₂₁, R₁₂₂, 및 R₁₂₃ 의 총 탄소수는 10 이상이다.

본 발명에서 사용되는 식 (TS-V)로 표현되는 화합물은 예를 들어, JP-A-3-25437 의 식 (I), JP-A-3-142444 의 식 (I), 미국 특허 제 4,749,645 호의 식, 또는 미국 특허 제 4,980,275 호의 식으로 표현되는 화합물을 포함한다.

식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물은 바람직하게 식 (TS-I), (TS-II) 및 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물에서 선택되는 화합물; 더욱 바람직하게 식 (TS-I) 또는 (TS-II)로 표현되는 화합물에서 선택되는 화합물; 및 더 나아가 바람직하게 식 (TS-II)로 표현되는 화합물이다. 식 (TS-II)로 표현되는 화합물의 특히 바람직한 예는 2,2,6,6-테트라알킬피페리딘 골격을 가지는 화합물을 포함한다.

이하에, 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물의 구체예는 제시될 것이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. TI-1 내지 TI-56 은 식 (TS-I)에 해당하는 화합물에, TII-1 내지 TII-36 는 식 (TS-II)에 해당하는 화합물에, TIII-1 내지 TIII-13 은 식 (TS-III)에 해당하는 화합물에, TIV-1 내지 TIV-6 은 식 (TS-IV)에 해당하는 화합물에, TV-1 내지 TV-8 은 식 (TS-V)에 해당하는 화합물에, 각각 참조 번호로서 첨부되어 있다.

식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물 중에서, 식 (TS-I), (TS-II) 및 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물이 바람직하고; 식 (TS-I) 또는 (TS-II)로 표현되는 화합물이 더욱 바람직하고; 식 (TS-II)로 표현되는 화합물이 특히 바람직하다.

자외선 흡수제 조성물이 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물 2개 이상을 함유하는 경우, 그 2개 이상의 화합물은 동일한 패밀리로부터 선택될 수 있고 (예를 들어, 즉 식 (TS-II)로 표현되는 2개의 화합물이 사용되는 경우임), 또는 대안적으로 각각의 2개 이상의 화합물이 상이한 패밀리로부터 선택될 수 있다 (예를 들어, 즉 식 (TS-I)로 표현되는 하나의 화합물과 식 (TS-II)로 표현되는 다른 화합물이 조합하여 사용되는 경우임). 각각 상이한 패밀리로부터 선택되는 2개 이상의 화합물은 조합하여 사용되는 것이 바람직하다.

본 명세서에서, "지방족 기"는 알킬 기, 치환된 알킬 기, 알케닐 기, 치환된 알케닐 기, 알키닐 기, 치환된 알키닐 기, 아르알킬 기, 및 치환된 아르알킬 기를 의미한다. 상기 언급한 알킬 기는 분기를 가질 수 있거나 고리를 형성할 수 있다. 알킬 기의 탄소수는 바람직하게 1 내지 20, 더욱 바람직하게는 1 내지 18 이다. 상기한 치환된 알킬 기의 알킬 부위는 상기 언급한 알킬 기와 동일하다. 상기 언급한 알케닐 기는 분기를 가질 수 있거나 또는 고리를 형성할 수 있다. 알케닐 기의 탄소수는 바람직하게 2 내지 20, 더욱 바람직하게 2 내지 18 이다. 상기한 치환된 알케닐 기의 알케닐 부위는 상기 언급한 알케닐 기와 동일하다. 상기 언급한 알키닐 기는 분기를 가질 수 있거나 고리를 형성할 수 있다. 알키닐 기의 탄소수는 바람직하게 탄소수 2 내지 20, 더욱 바람직하게 2 내지 18 이다. 상기 치환된 알키닐 기의 알키닐 부위는 상기 언급한 알키닐 기와 동일하다. 상기 언급한 아르알킬 기 및 치환된 아르알킬 기의 알킬 부위는 상기 언급한 알킬 기와 동일하다. 상기 언급한 아르알킬 기 및 치환된 아르알킬 기의 아릴 부위는 하기 언급하는 아릴 기와 동일하다.

치환된 알킬 기, 치환된 알케닐 기, 치환된 알키닐 기 및 치환된 아르알킬 기에서의 알킬 부위의 치환기의 예는 할로겐 원자 (예를 들어 염소 원자, 브롬 원자, 또는 요오드 원자); 알킬 기 [이는 치환 또는 비치환된 선형, 분지쇄, 또는 시클릭 알킬 기를 나타내고, 알킬 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 알킬 기, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, t-부틸, n-옥틸, 에이코실, 2-클로로에틸, 2-시아노에틸, 또는 2-에틸헥실), 시클로알킬 기 (바람직하게 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 예를 들어 시클로헥실, 시클로펜틸, 또는 4-n-도데실시클로헥실), 바이시클로알킬 기 (바람직하게 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 비치환된 바이시클로알킬 기, 즉 탄소수 5 내지 30 의 바이시클로알칸에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 수득되는 1가의 기, 예를 들어 바이시클로[1,2,2]헵탄-2-일 또는 바이시클로[2,2,2]옥탄-3-일), 및 트리시클로 구조와 같은 3개 이상의 고리 구조를 가지는 치환기를 포함하고, 하기 기재되는 치환기 중 알킬 기 (예를 들어 알킬티오 기 중 알킬 기)는 이와 같은 상기 개념의 알킬 기를 나타냄];

알케닐 기 [이는 치환 또는 비치환된 선형, 분지쇄, 또는 시클릭 알케닐 기를 나타내고, 알케닐 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알케닐 기, 예를 들어 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 또는 올레일), 시클로알케닐 기 (바람직하게 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 비치환된 시클로알케닐 기, 즉 탄소수 3 내지 30 의 시클로알켄에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 수득되는 1가의 기, 예를 들어 2-시클로펜텐-1-일 또는 2-시클로헥센-1-일), 및 바이시클로알케닐 기 (이는 치환 또는 비치환된 바이시클로알케닐 기, 바람직하게 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 비치환된 바이시클로알케닐 기, 즉 하나의 이중 결합을 가진 바이시클로알켄에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 수득된 1가의 기, 예를 들어 바이시클로[2,2,1]헵트-2-엔-1-일 또는 바이시클로[2,2,2]옥트-2-엔-4-일)]; 알키닐 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알키닐 기, 예를 들어 에티닐, 프로파르길, 또는 트리메틸실릴에티닐 기);

아릴 기 (바람직하게 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴 기, 예를 들어 페닐, p-톨릴, 나프틸, m-클로로페닐, 또는 o-헥사데카노일아미노페닐); 헤테로시클릭 기 (바람직하게 치환 또는 비치환된 5- 또는 6-원 방향족 또는 비방향족 헤테로시클릭 화합물에서 하나의 수소 원자를 제거함으로써 수득되는 1가의 기, 더욱 바람직하게 탄소수 3 내지 30 의 5- 또는 6-원 방향족 헤테로시클릭 기, 예를 들어 2-푸릴, 2-티에닐, 2-피리미디닐, 2-벤조티아졸릴); 시아노 기; 히드록실 기; 니트로 기; 카르복실 기; 알콕시 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 예를 들어 메톡시, 에톡시, 이소프로폭시, t-부톡시, n-옥틸옥시, 또는 2-메톡시에톡시); 아릴옥시 기 (바람직하게 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴옥시 기, 예를 들어 페녹시, 2-메틸페녹시, 4-t-부틸페녹시, 3-니트로페녹시, 또는 2-테트라데카노일아미노페녹시);

실릴옥시 기 (바람직하게 탄소수 3 내지 20 의 실릴옥시 기, 예를 들어 트리메틸실릴옥시 또는 t-부틸디메틸실릴옥시); 헤테로시클릭 옥시 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 옥시 기, 예를 들어 1-페닐테트라졸-5-옥시 또는 2-테트라히드로피라닐옥시); 아실옥시 기 (바람직하게 포르밀옥시 기, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐옥시 기, 또는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐옥시 기, 예를 들어 포르밀옥시, 아세틸옥시, 피발로일옥시, 스테아로일옥시, 벤조일옥시, 또는 p-메톡시페닐카르보닐옥시); 카르바모일옥시 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 카르바모일옥시 기, 예를 들어 N,N-디메틸카르바모일옥시, N,N-디에틸카르바모일옥시, 모르폴리노카르보닐옥시, N,N-디-n-옥틸아미노카르보닐옥시, 또는 N-n-옥틸카르바모일옥시);

알콕시카르보닐옥시 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐옥시 기, 예를 들어 메톡시카르보닐옥시, 에톡시카르보닐옥시, t-부톡시카르보닐옥시, 또는 n-옥틸카르보닐옥시); 아릴옥시카르보닐옥시 기 (바람직하게 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐옥시 기, 예를 들어 페녹시카르보닐옥시, p-메톡시페녹시카르보닐옥시, 또는 p-n-헥사데실옥시페녹시카르보닐옥시); 아미노 기 (바람직하게 아미노 기, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬아미노 기, 또는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아닐리노 기, 예를 들어 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 아닐리노, N-메틸-아닐리노, 또는 디페닐아미노); 아실아미노 기 (바람직하게 포르밀아미노 기, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐아미노 기, 또는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐아미노 기, 예를 들어 포르밀아미노, 아세틸아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 벤조일아미노, 또는 3,4,5-트리-n-옥틸옥시페닐카르보닐아미노);

아미노카르보닐아미노 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아미노카르보닐아미노, 예를 들어 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르보닐아미노, 또는 모르폴리노카르보닐아미노); 알콕시카르보닐아미노 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐아미노 기, 예를 들어 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노, 또는 N-메틸-메톡시카르보닐아미노); 아릴옥시카르보닐아미노 기 (바람직하게 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐아미노 기, 예를 들어 페녹시카르보닐아미노, p-클로로페녹시카르보닐아미노, 또는 m-n-옥틸옥시페녹시카르보닐아미노); 설파모일아미노 기 (바람직하게 탄소수 0 내지 30 의 치환 또는 비치환된 설파모일아미노 기, 예를 들어 설파모일아미노, N,N-디메틸아미노설포닐아미노, 또는 N-n-옥틸아미노설포닐아미노);

알킬- 또는 아릴-설포닐아미노 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬설포닐아미노, 또는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴설포닐아미노, 예를 들어 메틸설포닐아미노, 부틸설포닐아미노, 페닐설포닐아미노, 2,3,5-트리클로로페닐설포닐아미노, 또는 p-메틸페닐설포닐아미노); 머캅토 기; 알킬티오 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬티오 기, 예를 들어 메틸티오, 에틸티오, 또는 n-헥사데실티오); 아릴티오 기 (바람직하게 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴티오, 예를 들어 페닐티오, p-클로로페닐티오, 또는 m-메톡시페닐티오); 헤테로시클릭 티오 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 티오 기, 예를 들어 2-벤조티아졸릴티오 또는 1-페닐테트라졸-5-일티오); 설파모일 기 (바람직하게 탄소수 0 내지 30 의 치환 또는 비치환된 설파모일 기, 예를 들어 N-에틸설파모일, N-(3-도데실옥시프로필)설파모일, N,N-디메틸설파모일, N-아세틸설파모일, N-벤조일설파모일, 또는 N-(N’-페닐카르바모일)설파모일); 설포 기;

알킬- 또는 아릴-설피닐 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬설피닐 기, 또는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴설피닐 기, 예를 들어 메틸설피닐, 에틸설피닐, 페닐설피닐, 또는 p-메틸페닐설피닐); 알킬- 또는 아릴-설포닐 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기, 예를 들어 메틸설포닐, 에틸설포닐, 페닐설포닐, 또는 p-메틸페닐설포닐); 아실 기 (바람직하게 포르밀 기, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 또는 탄소수 4 내지 30 의 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기 (이는 탄소 원자를 통해 상기 카르보닐 기와 결합되어 있음), 예를 들어 아세틸, 피발로일, 2-클로로아세틸, 스테아로일, 벤조일, p-n-옥틸옥시페닐카르보닐, 2-피리딜카르보닐, 또는 2-푸릴카르보닐);

아릴옥시카르보닐 기 (바람직하게 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 예를 들어 페녹시카르보닐, o-클로로페녹시카르보닐, m-니트로페녹시카르보닐, 또는 p-t-부틸페녹시카르보닐); 알콕시카르보닐 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐 기, 예를 들어 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, t-부톡시카르보닐, 또는 n-옥타데실옥시카르보닐); 카르바모일 기 (바람직하게 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 비치환된 카르바모일, 예를 들어 카르바모일, N-메틸카르바모일, N,N-디메틸카르바모일, N,N-디-n-옥틸카르바모일, 또는 N-(메틸설포닐)카르바모일); 아릴- 또는 헤테로시클릭-아조 기 (바람직하게 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 비치환된 아릴 아조 기, 또는 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 아조 기, 예를 들어 페닐아조, p-클로로페닐아조, 또는 5-에틸티오-1,3,4-티아디아졸-2-일아조); 이미도 기 (바람직하게 N-석신이미도 또는 N-프탈이미도);

포스피노 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 포스피노 기, 예를 들어 디메틸포스피노, 디페닐포스피노, 또는 메틸페녹시포스피노); 포스피닐 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 포스피닐 기, 예를 들어 포스피닐, 디옥틸옥시포스피닐, 또는 디에톡시포스피닐), 포스피닐옥시 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 포스피닐옥시 기, 예를 들어 디페녹시포스피닐옥시 또는 디옥틸옥시포스피닐옥시); 포스피닐아미노 기 (바람직하게 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 비치환된 포스피닐아미노 기, 예를 들어 디메톡시포스피닐아미노 또는 디메틸아미노포스피닐아미노); 및 실릴 기 (바람직하게 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 비치환된 실릴 기, 예를 들어 트리메틸실릴, t-부틸디메틸실릴, 또는 페닐디메틸실릴)를 포함한다.

관능기 중에서, 수소 원자를 갖는 것에 관해서, 수소 원자는 제거될 수 있고, 상기 언급한 치환기 중 어느 하나로 추가로 치환될 수 있다. 이의 예는 알킬카르보닐아미노설포닐 기, 아릴카르보닐아미노설포닐 기, 알킬설포닐아미노카르보닐 기, 및 아릴설포닐아미노카르보닐 기를 포함한다. 이의 예는 메틸설포닐아미노카르보닐 기, p-메틸페닐설포닐아미노카르보닐 기, 아세틸아미노설포닐 기, 및 벤조일아미노설포닐 기를 포함한다.

치환된 아르알킬 기 중 아릴 부위의 치환기의 예는 하기 언급되는 치환된 아릴 기의 치환기의 예와 유사하다.

본 명세서에서는, 용어 "방향족 기"는 아릴 기 및 치환된 아릴 기를 의미한다. 방향족 기에, 지방족 고리, 다른 방향족 고리, 또는 헤테로사이클이 축합될 수 있다. 방향족 기의 탄소수는 바람직하게 6 내지 40, 더욱 바람직하게 6 내지 30, 더 더욱 바람직하게 6 내지 20 이다. 이들 중에서, 페닐 또는 나프틸이 아릴 기로서 바람직하고, 페닐이 특히 바람직하다.

치환된 아릴 기의 아릴 부위는 상기 언급한 아릴 기와 유사하다. 치환된 아릴 기의 치환기의 예는 치환된 알킬 기, 치환된 알케닐 기, 치환된 알키닐 기, 및 치환된 아르알킬 기에서의 알킬 부위의 치환기의 상기 언급한 예와 유사하다.

본 명세서에서, 헤테로시클릭 기는 바람직하게 5-원 또는 6-원, 포화 또는 불포화 헤테로사이클을 함유한다. 헤테로사이클에, 지방족 고리, 방향족 고리, 또는 다른 헤테로사이클이 축합될 수 있다. 헤테로사이클의 헤테로원자의 예는 B, N, O, S, Se, 및 Te 를 포함한다. 헤테로원자로서, N, O, 및 S 가 바람직하다. 헤테로사이클의 탄소 원자가 자유 원자가 (1가)를 가지는 것이 바람직하다 (상기 헤테로시클릭 기는 바람직하게 이의 탄소 원자에 결합됨). 헤테로시클릭 기의 탄소수는 바람직하게 1 내지 40, 더욱 바람직하게 1 내지 30, 더 더욱 바람직하게 1 내지 20 이다. 포화 헤테로사이클의 예는 피롤리딘 고리, 모르폴린 고리, 2-보라-1,3-디옥솔란 고리, 및 1,3-티아졸리딘 고리를 포함한다. 불포화 헤테로사이클의 예는 이미다졸 고리, 티아졸 고리, 벤조티아졸 고리, 벤족사졸 고리, 벤조트리아졸 고리, 벤조셀렌아졸 고리, 피리딘 고리, 피리미딘 고리, 및 퀴놀린 고리를 포함한다. 헤테로시클릭 기는 치환기를 가질 수 있다. 치환기의 예는 치환된 알킬 기, 치환된 알케닐 기, 치환된 알키닐 기, 및 치환된 아르알킬 기에서의 알킬 부위의 치환기의 상기 언급한 예와 유사하다.

[규소 화합물]

본 발명에서 사용된 규소 화합물은 바람직하게 산화 규소 겔을 형성할 수 있는 화합물이다. 규소 화합물은 가열에 의해 실록산 결합을 갖는 산화 규소 매트릭스가 될 수 있는 성분이며, "실록산 매트릭스 재료"라고도 말한다.

본 발명에 사용되는 규소 화합물의 구체예는, 졸 겔법으로 이용되는 알콕시 실란 또는 그 부분 가수분해물 또는 부분 가수분해물의 축합물, 물유리, 실리콘을 포함한다. 또한, 산화 규소 매트릭스에 질소를 함유시키는 경우에는, 폴리실라잔, 질소 함유 실리콘 수지, 질소 함유 실란 커플링제 (예를 들어, 아미노 실란), 및 그 부분 가수분해물 등을 예로 들 수 있다. 그 중에서도 폴리 실라잔이 바람직하다. 일반적으로, 당업자는 상기 규소 화합물과 본 발명의 자외선 흡수제가 서로 조합된 경우의 경화시 착색에 대해 염려해 왔다. 그러나, 상기 규소 화합물과 본 발명의 자외선 흡수제가 서로 조합하여 실제로 사용되는 경우, 본 발명의 발명자는 착색 문제가 발생하지 않고, 장파 자외선이 효율적으로 차폐될 수 있음을 밝혀냈다.

폴리실라잔은 화학식: -SiR¹ ₂-NR²-SiR¹ ₂- (식 중, R¹ 및 R² 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄화수소 기를 나타냄)으로 표현되는 구조를 가진 선형 또는 시클릭 화합물의 총칭이다. 폴리실라잔은, 가열 또는 수분과의 반응에 의해 Si-NR²-Si 결합이 분해해 Si-O-Si 네트워크를 형성하는 재료이다. 폴리실라잔으로부터 얻어지는 산화 규소계 피막은, 테트라알콕시실란 등으로부터 얻어지는 산화 규소계 피막과 비교해, 보다 높은 기계적 내구성과 기체 장벽성 (barrier property)을 갖는다. 폴리 실라잔으로서는, 상기 화학식에 있어서의 R¹ 및 R²가 모두 수소 원자인 퍼히드로폴리실라잔, 상기 식에 있어서의 R¹ 이 메틸 기와 같은 탄화수소 기이며 R² 가 수소 원자인 부분 유기 폴리실라잔, 및 이들의 혼합물이 바람직하다. 상기식에 있어서, R¹ 및 R² 로 표현되는 탄화수소기의 탄소수는 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 적은 수가 바람직하고, 20 이하가 더욱 바람직하고, 4 이하가 특히 바람직하다.

상기 규소 화합물로서는, 시판품을 사용할 수 있거나 임의의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 졸 겔 법으로 이용되는 알콕시실란으로서는, JP-A-2007-246872 에 기재된 것을 사용할 수 있고, TSR127B (상품명, Momentive Performance Materials, Japan Inc. 제조)를 사용할 수 있다. 폴리실라잔으로서는, AQUAMICA NP-110AZ (상품명, Electronic Materials 제조; 퍼히드로폴리실라잔) 등을 사용할 수 있다. 질소 함유 실리콘 수지로서는, JP-A-2002-13077 에 기재된 것을 사용할 수 있다. 질소 함유 실란 커플링제로서는, JP-A-2004-124000 에 기재된 것을 사용할 수 있다.

본 발명의 조성물에 있어서의 자외선 흡수제 A의 함유량은, 규소 화합물 100 질량부에 대해, 0.01 내지 50 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 50 질량부인 것이 더욱 바람직하고, 1 내지 50질량부인 것이 더 더욱 바람직하다. 규소 화합물의 함유율은 특별히 한정되지 않지만, 조성물의 총량에 대해 1 내지 80질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 60질량%인 것이 더욱 바람직하다.

본 발명의 자외선 흡수제 조성물은, 필요에 따라 첨가제를 함유할 수 있다. 첨가제의 예는, 무기 자외선 흡수제, 광 안정화제, 산화 방지제, 열중합 방지제, 레벨링제 (leveling agent), 소포제, 증점제, 침강 방지제, 안료, 착색 염료, 적외선 흡수제, 형광 발광제, 분산제, 방오첨가제, 방수제, 전도성 미립자, 대전 방지제, 방담제, 계면활성제, 및 경화 촉매를 포함한다.

본 발명의 자외선 흡수제 조성물을 이용해 피막을 형성하는 방법이 설명될 것이다. 본 발명의 자외선 흡수제 조성물을 기판에 코팅 후, 가열 경화하는 것에 의해, 피막을 형성할 수 있다. 코팅 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 딥 코팅법 (dip coating method), 스핀 (spin) 코팅법, 스프레이 코팅법, 플렉소 인쇄법, 스크린 인쇄법, 그라비어 인쇄법, 롤 코팅법 (roll), 메니스커스 코팅법, 다이 (die) 코팅법에 의해 실시할 수 있다.

코팅 후, 200℃ 이하의 온도에서 피막을 건조하는 것이 바람직하다. 건조 단계의 주요 목적은 피막에 함유되어 있는 용매 성분 등을 제거하는 것이다. 그 때문에, 200℃를 초과하여 온도를 올려도, 큰 효과는 없고 경제적으로 비바람직하다. 건조 시간은, 대략 30초 내지 2시간이 바람직하다. 건조시의 분위기는, 대기하 또는, 비산화성 분위기일 수 있다. 그러나, 비산화성 분위기를 사용하는 것의 특정 이점은 없을 수도 있다. 또한, 이 건조 공정을 감압하에서 실시하는 일도 가능하다. 그 경우, 진공도는 대략 0.10 내지 10 kN/m² 인 것이 바람직하고, 처리 시간은 10초 내지 30분인 것이 바람직하다.

이 건조 단계를 거치지 않고 가열 경화 단계를 실시하는 것도 가능하고, 하기 기재되는 가열 경화 단계에 있어서, 경화와 동시에 피막을 건조시킬 수 있다.

상기 기재한 바와 같이 코팅층을 형성시킨 후, 기판의 온도가 300℃ 이하가 되는 온도로 가열해, 규소 화합물을 경화시켜 피막을 형성시킨다. 일반적으로, 경화 시간은 대략 30초 내지 10시간이다.

또, 규소 화합물로서 폴리실라잔을 사용한 경우에는, 가열 처리 이외에, 분위기 중의 함유된 수분에 의한 경화가 실시될 수 있다. 구체적으로, 대략 80%이상의 습도 하에 10분 내지 몇일 동안, 또는 40 내지 80%의 습도하에 몇일 내지 수 주일 동안 유지하는 것에 의해 경화가 진행되어, 충분한 강도를 가진 피막이 형성될 수 있다.

피막의 두께는 바람직하게 0.1 μm 내지 30 μm, 더욱 바람직하게 0.5 μm 내지 30 μm 이다.

본 발명으로 사용되는 기판은 특별히 한정되지 않고, 유리, 합성 수지, 세라믹, 금속과 같은 임의 재료를 사용할 수 있다. 합성 수지의 예로서는, 방향족 폴리카보네이트계 수지, 폴리메틸메타크릴레이트계 수지 (즉, 아크릴 수지), 폴리스티렌계 수지, 및 폴리에스테르계 수지를 사용할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명을 하기 실시예에 근거해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 있어서의 광 견뢰도 시험은, 예를 들어 JIS A 6909 및 JIS K 5600 을 기초로 실시할 수 있다.

실시예 1

(자외선 흡수제 조성물의 제조)

하기 표 4 및 5 에 제시되는 바와 같이, 자외선 흡수제 A 및 B 그리고 화합물 C를 함유한 샘플 1 내지 45 를 제조하였다. 하기 표 4 및 5 에서, 자외선 흡수제 A와 자외선 흡수제 B와 화합물 C 의 비율(A:B:C)은, 몰비로 나타내어 진다.

또한, 샘플 1 내지 45 의 제조에 사용한 각 화합물의 극대 흡수 파장, 반값폭, 극대 흡수 파장에서의 흡광도에 대한 320 nm 에서의 흡광도는, 각 화합물의 에틸 아세테이트 용액을 대략 5×10^-5 mol/dm^{- 3} 의 농도로 제조해, 1 cm 석영 셀에서 분광광도계 (UV-3600 (상품명), Shimazu Corporation 제조)를 이용해 용액의 UV 스펙트럼을 측정하는 것에 의해 결정하였다. 이로써 얻어진 스펙트럼 차트로부터 극대 흡수 파장, 반값폭, 극대 흡수 파장에서의 흡광도에 대한 320 nm 에서의 흡광도를 산출하였다. 그 결과를 하기 표 6 및 7 에 나타낸다.

샘플 1 내지 45 의 제조에 사용된 자외선 흡수제 A 의 화합물은 각각 극대 흡수 파장에서 몰 흡광 계수가 20,000 이상인 화합물이었다.

화합물(U-1)은, JP-A-2002-53824 에 기재된 장파 자외선 흡수제이다. 화합물 (U-2)은, 상기 신남산 에스테르계의 자외선 흡수제 B에 해당 한다. 화합물 (U-1) 및 화합물 (U-2) 각각의 극대 흡수 파장, 반값폭, 및 극대 흡수 파장에서의 흡광도에 대한 320 nm 에서의 흡광도의 결과를 하기 제시되는 표 8에 나타낸다.

(코팅액의 제조)

저온 경화성의 퍼히드로폴리실라잔 (상품명: AQUAMICA NP-110, AZ Electronic Materials 제조, 고형분 20 w%) 용액 10 g에, 상기 샘플 1 내지 45 를 각각 1.5 밀리몰 첨가하고, 이에 완전히 용해시켜, 코팅액 1-(1) 내지 1-(45)를 얻었다. 또한, 각각의 샘플 1 내지 45 를 포함하지 않는 액체를 코팅액 1-(46)으로서 제조하였다.

(유리 기판 위의 코팅액)

석영 유리 위에, 스핀 코팅법을 이용해 각각의 코팅액 1-(1) 내지 1-(46)을 코팅하고, 100℃로 10분 동안 건조시키고, 150℃에 유지한 오븐 내에서 30분 동안 경화시켰다. 상기 단계를 수회 반복하는 것으로, 유리 판상에 두께 12.5μm의 각각의 피막 1-(1) 내지 1-(46)을 형성시켰다.

(투과율 평가)

제조된 피막 1-(1) 내지 1-(46)에 대해, SHIMADZU Corporation 제조의 분광 광도계 UV-3600 (상품명)을 이용해 투과율을 측정했다. 390 nm 에서의 투과율이 1% 이하이고 육안으로 관찰시 황색이 눈에 보이지 않는 샘플을 "○", 390 nm 에서의 투과율이 1% 보다 크거나 육안으로 관찰시 황색이 눈에 보이는 샘플을 "×"로서 평가했다. 또, 용해성이 낮기 때문에 코팅액을 제조할 수 없었던 것을 "-" 라고 평가했다. 그 결과를 하기 표 9 및 10에 나타낸다.

(광 견뢰도 평가)

상기 제조된 피막 1-(1) 내지 1-(46) 에 대해, 크세논 램프를 이용해 조도 170,000 lux 로 광 조사를 실시하였다. 2000시간 조사 후, 시료를 관찰하였다. 조사전의 것 (즉, 새로운 것)과 동일한 샘플을 "○○", 현미경을 이용해 약간의 황변, 헤이즈 등이 처음 관찰된 샘플을 "○", 육안으로 관찰시 현저한 황변 또는 헤이즈 발생이 관찰된 샘플을 "×"로 평가하였다. 또, 용해성이 낮기 때문에 코팅액을 제조할 수 없었던 것을 "-" 라고 평가하였다. 그 결과를 하기 표 9 및 10 에 나타낸다.

주: 자외선 흡수제 B를 포함하지 않는 경우의 비교예. △는 ○과 × 사이의 범위 내의 평가를 나타낸다.

표 9 및 10 의 결과에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 자외선 흡수제 조성물로 제조된 피막은 초기 투과율 성능이 뛰어나다. 또한, 광 견뢰도 시험의 결과로서, 놀랍게도 본 발명의 자외선 흡수제 조성물로 제조된 피막에서, 피막에서의 황변 또는 헤이즈의 발생이 방지되어, 피막 자체의 광 견뢰도가 향상됨이 밝혀졌다 (피막 1-(1) 내지 1-(34) 및 피막 1-(41) 내지 1-(43)). 다른 한편, 자외선 흡수제 B 가 단독으로 사용되거나 2종 이상의 자외선 흡수제 B 가 조합하여 사용된 경우에서는, 초기 투과율 성능이 불량하고, 피막 자체의 광 견뢰도를 향상시키는 효과가 충분하지 않았다 (피막 1-(35) 내지 1-(40)). 또, 본 발명의 바람직한 구현예의 범위내에 있지 않은 자외선 흡수제 B를 사용한 경우 또는 본 발명의 자외선 흡수제 조성물을 포함하지 않는 경우에, 피막 자체의 광 견뢰도 향상 효과는 충분하지 않았다 (피막 1-(44) 내지 1-(46)) .

실시예 2

(코팅액의 제조)

퍼히드로폴리실라잔 용액을 시판되는 경화성 메틸 실리콘 수지 (상품명: TSR127B, Momentive Performance Materials, Japan 제조) 용액으로 변경하는 것 이외는, 실시예 1 의 코팅액의 제조와 동일한 방식으로 코팅액 2-(1) 내지 2-(45)를 수득하였다. 또는, 각각의 샘플 1 내지 45 를 함유하지 않는 액체를 코팅액 2-(46)으로서 제조하였다.

(도장판에서의 코팅)

도장 금속판에, 스핀 코팅법을 이용해 상기 코팅액 2-(1) 내지 2-(46)을 150℃에서 10분 동안 건조시키고, 250℃에서 유지된 오븐 내에서 30분 동안 경화시켰다. 상기 단계를 수회 반복하는 것에 의해, 도장 금속판에 두께 12.5μm의 피막 2-(1) 내지 2-(46)을 각각 형성시켰다.

(광 견뢰도 평가)

상기 제조한 피막 2-(1) 내지 2-(46)에 대해, 크세논 램프를 이용해 조도 170,000 lux 로 광 조사를 실시하였다. 2000 시간 조사 후에 샘플을 육안으로 관찰하였다. 조사전의 것(새로운 것)과 동일한 샘플을 "○○", 현미경을 사용하여 헤이즈가 처음 관찰된 샘플을 "○", 헤이즈 발생이 관찰된 샘플을 "×"로서 평가했다. 또, 용해성이 낮기 때문에 코팅액을 제조할 수 없었던 것을 "-" 라고 평가했다. 그 결과를 하기 표 11 및 12 에 나타낸다.

주: 자외선 흡수제 B 를 포함하지 않는 경우의 실시예. △ 는 ○ 과 × 사이의 범위 내의 평가를 나타낸다.

표 11 및 12 의 결과로부터 명백한 바과 같이, 본 발명의 자외선 흡수제 조성물로 제조된 피막은, 놀랍게도, 도장 금속판의 광 견뢰도를 현저하게 향상시키는 것이 밝혀졌다 (피막 2-(1) 내지 2-(34), 피막 2-(41) 내지 2-(43)). 다른 한편, 본 발명의 바람직한 구현예의 범위 내에 없는 조성물로 제조된 피막에 대해서는, 기판의 광 견뢰도를 향상시키는 효과가 충분하다고는 말할 수 없었다 (피막 2-(35) 내지 2-(40), 피막 2-(44) 내지 2-(46)) .

상기 언급한 바와 같이, 본 발명의 자외선 흡수제 조성물을 사용하는 것에 의해, 장파 자외선을 효과적으로 차단할 수 있고 황색이 거의 없는 피막을 제조할 수 있고, 또한 기판의 광 견뢰도를 현저하게 향상시킬 수 있다. 게다가 본 발명의 자외선 흡수제 조성물은, 피막 자체의 광 견뢰도를 향상시킬 수 있다. 상기 효과는 당업자가 예측할 수 있는 것은 아니다.

본 발명을 본 구현예와 관련하여 기재했지만, 달리 명시하지 않는 한 본 발명은 의도적으로 설명의 어느 세부사항으로도 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구 범위에 나타낸 발명의 의미와 범위 내에서 폭넓게 해석되는 것이다.

본 출원은 2008년 9월 1일에 일본에서 출원된 특허 출원 2008-223504 에 근거하는 우선권을 주장하는 것이고, 이는 전체적으로 본원에 참조로 포함되어 있다.

Claims (18)

1. 자외선 흡수제 A와 규소 화합물을 포함한 자외선 흡수제 조성물로서, 자외선 흡수제 A 의 극대 흡수 파장이 350 nm 내지 400 nm 이고, 그 극대 흡수 파장이 55 nm 이하의 반값폭 (half value width)을 갖는 피크로 나타내어지고, 자외선 흡수제 A 의 몰 흡광 계수가 극대 흡수 파장에서 20000 이상인 자외선 흡수제 조성물.
2. 제 1 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 의 극대 흡수 파장이 360 nm 내지 385 nm 이고, 그 극대 흡수 파장이 40 nm 이하의 반값폭을 갖는 피크로 나타내어지는 자외선 흡수제 조성물.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 가 하기 식 (2)로 표현되는 화합물을 포함하는 자외선 흡수제 조성물:
   

   

   
   [식 중, A₂₁ 및 A₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 및 탄소 원자 이외의 원자를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 중 적어도 하나는 0.2 이상의 Hammett 치환기 상수 σp 값을 갖는 치환기를 나타내고; Y₂₁ 및 Y₂₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; (Q₂) 는 5- 또는 6-원 고리를 A₂₁, A₂₂ 및 탄소 원자와 함께 형성하는데 필요한 원자 군을 나타냄].
4. 제 3 항에 있어서, 식 (2)로 표현되는 화합물이 하기 식 (3)으로 표현되는 화합물인 자외선 흡수제 조성물:
   

   

   
   [식 중, A₃₁ 및 A₃₂ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 질소 원자, 및 황 원자로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 중 적어도 하나는 0.2 이상의 Hammett 치환기 상수 σp 값을 갖는 치환기를 나타내고; Y₃₁ 및 Y₃₂ 는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; (Q₃) 는 5- 또는 6-원 고리를 탄소 원자와 함께 형성하는데 필요한 원자군을 나타냄].
5. 제 4 항에 있어서, 식 (3)으로 표현되는 화합물이 하기 식 (4)로 표현되는 화합물인 자외선 흡수제 조성물:
   

   

   
   [식 중, Y₄₁ 및 Y₄₂ 는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고; Y₄₁ 및 Y₄₂ 중 적어도 하나는 시아노 기를 나타내고, 다른 하나는 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭 카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기를 나타내고; V₄₁ 및 V₄₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타냄].
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 가 하기 식 (5)로 표현되는 화합물을 포함하는 자외선 흡수제 조성물:
   

   

   
   [식 중, R^B1, R^B2, R^B3 및 R^B4 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; R^B5 및 R^B6 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 치환기를 나타내고; X^B1, X^B2, X^B3 및 X^B4 는 각각 독립적으로 헤테로 원자를 나타냄].
7. 제 6 항에 있어서, 식 (5)로 표현되는 화합물이 하기 식 (5a)로 표현되는 화합물인 자외선 흡수제 조성물:
   

   

   
   [식 중, R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 는 각각 독립적으로 1가의 치환기를 나타내고; R^Ba1, R^Ba2, R^Ba3 및 R^Ba4 중 적어도 하나는 시아노 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일 기, 치환 또는 비치환된 알킬카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 아릴카르보닐 기, 치환 또는 비치환된 알킬설포닐 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴설포닐 기를 나타내고;
   R^Ba5 및 R^Ba6 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시 기, 치환 또는 비치환된 아실옥시 기, 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐옥시 기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시카르보닐옥시 기, 치환 또는 비치환된 카르바모일옥시 기, 치환 또는 비치환된 아미노 기, 치환 또는 비치환된 아실아미노 기, 또는 치환 또는 비치환된 카르바모일아미노 기를 나타냄].
8. 제 7 항에 있어서, R^Ba2 와 R^Ba1 의 조합 및 R^Ba4 와 R^Ba3 의 조합 중 적어도 하나는 고리를 형성하지 않는 자외선 흡수제 조성물.
9. 제 7 항에 있어서, R^Ba2 와 R^Ba1 의 조합 및 R^Ba4 와 R^Ba3 의 조합 모두 고리를 형성하지 않는 자외선 흡수제 조성물.
10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 자외선 흡수제 B, 및 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물 C 중 어느 하나 또는 모두를 추가로 포함하는 자외선 흡수제 조성물로서,
    자외선 흡수제 B 에 있어서 320 nm 에서의 흡광도가 극대 흡수 파장에서의 흡광도의 30% 이상이고, 극대 흡수 파장이 350 nm 이하인 자외선 흡수제 조성물,
    

    

    
    [식 (TS-I) 중, R₉₁ 은 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 헤테로시클릭 기, 아실 기, 알킬옥시카르보닐 기, 알케닐옥시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 알킬 설포닐 기, 아릴설포닐 기, 포스피노톨릴 기, 포스피닐 기, 또는 -Si(R₉₇)(R₉₈)(R₉₉)를 나타내고, 이때 R₉₇, R₉₈, 및 R₉₉ 는, 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 알콕시 기, 알케닐옥시 기, 또는 아릴옥시 기를 나타내고; -X₉₁- 은 -O-, -S-, 또는 -N(-R₁₀₀)- 를 나타내고, 이때 R₁₀₀ 은 R₉₁ 과 동일한 의미를 갖고; R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅ 및 R₉₆ 은 상동하거나 상이할 수 있고, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R₉₁ 과 R₉₂, R₁₀₀ 과 R₉₆, 및 R₉₁ 과 R₁₀₀ 은 각각 서로 결합하여 5-원 고리, 6-원 고리, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고; R₉₂ 와 R₉₃, 및 R₉₃ 과 R₉₄ 은 각각 함께 서로 결합하여 5-원 고리, 6-원 고리, 7-원 고리, 스피로 고리, 또는 바이시클로 고리를 형성할 수 있고; R₉₁, R₉₂, R₉₃, R₉₄, R₉₅, R₉₆ 및 R₁₀₀ 은 모두 동시에 수소 원자를 나타낼 수 없고, 총 탄소수는 10 이상이고;
    식 (TS-II) 중, R₁₀₁, R₁₀₂, R₁₀₃, 및 R₁₀₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기를 나타내고; R₁₀₁ 과 R₁₀₂, 및 R₁₀₃ 과 R₁₀₄ 는 각각 서로 결합하여 5- 내지 7-원 고리를 형성할 수 있고; X₁₀₁ 은 수소 원자, 알킬 기, 알케닐 기, 알킬옥시 기, 알케닐옥시 기, 알킬옥시카르보닐 기, 알케닐옥시카르보닐 기, 아릴옥시카르보닐 기, 아실 기, 아실옥시 기, 알킬옥시카르보닐옥시 기, 알케닐옥시카르보닐옥시 기, 아릴옥시카르보닐옥시 기, 알킬설포닐 기, 알케닐설포닐 기, 아릴설포닐 기, 알킬설피닐 기, 알케닐설피닐 기, 아릴설피닐 기, 설파모일 기, 카르바모일 기, 히드록시 기, 또는 옥시 라디칼 기를 나타내고; X₁₀₂ 는 5-원 고리, 6-원 고리, 또는 7-원 고리를 형성하는데 필요한 비금속 원자군을 나타내고;
    식 (TS-III) 중, R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 각각 독립적으로 수소 원자, 지방족 기, 아실 기, 지방족 옥시카르보닐 기, 방향족 옥시카르보닐 기, 지방족 설포닐 기, 또는 방향족 설포닐 기를 나타내고; R₁₀₇ 은 지방족 기, 지방족 옥시 기, 방향족 옥시 기, 지방족 티오 기, 방향족 티오 기, 아실옥시 기, 지방족 옥시카르보닐옥시 기, 방향족 옥시카르보닐옥시 기, 치환된 아미노 기, 헤테로시클릭 기, 또는 히드록실 기를 나타내고; R₁₀₅ 과 R₁₀₆, R₁₀₆ 과 R₁₀₇, 및 R₁₀₅ 와 R₁₀₇ 은 각각 함께 조합하여 2,2,6,6-테트라알킬피페리딘 골격을 제외한 5-원 고리, 6-원 고리, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고; R₁₀₅ 및 R₁₀₆ 은 모두 동시에 수소 원자가 아니고, 총 탄소수는 7 이상이고;
    식 (TS-IV) 중, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 각각 독립적으로 지방족 기를 나타내고; R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 함께 결합하여 5- 원 고리, 6- 원 고리, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고; n 은 0, 1 또는 2 를 나타내고; R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 의 총 탄소수는 10 이상이고,
    식 (TS-V) 중, R₁₂₁ 및 R₁₂₂ 는 각각 독립적으로 지방족 옥시 기 또는 방향족 옥시 기를 나타내고; R₁₂₃ 은 지방족 기, 방향족 기, 지방족 옥시 기, 또는 방향족 옥시 기를 나타내고; m 은 0 또는 1 을 나타내고; R₁₂₁ 과 R₁₂₂, 및 R₁₂₁ 과 R₁₂₃ 은 각각 함께 조합하여 5- 내지 8-원 고리 중 어느 하나를 형성할 수 있고; R₁₂₁, R₁₂₂ 및 R₁₂₃ 의 총 탄소수는 10 이상임].
11. 제 10 항에 있어서, 자외선 흡수제 B 가 극대 흡수 파장이 320 nm 미만인 자외선 흡수제인 자외선 흡수제 조성물.
12. 제 10 항에 있어서, 자외선 흡수제 B 가 극대 흡수 파장이 320 nm 내지 350 nm 인 자외선 흡수제인 자외선 흡수제 조성물.
13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 및 자외선 흡수제 B 의 몰비가 1:15 내지 15:1 범위 내인 자외선 흡수제 조성물.
14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 자외선 흡수제 A 의 몰수 및 자외선 흡수제 B 의 몰수 중 보다 적은 값이 1 로 설정된 경우, 식 (TS-I) 내지 (TS-V) 중 어느 하나로 표현되는 화합물 C 의 몰비가 0.01 내지 10 인 자외선 흡수제 조성물.
15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 규소 화합물이 산화 규소 겔을 형성할 수 있는 화합물인 자외선 흡수제 조성물.
16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 자외선 흡수제 조성물에 의해 형성된 피막을 갖는 재료.
17. 제 16 항에 있어서, 피막이 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 자외선 흡수제 조성물을 경화시킴으로써 형성되는 재료.
18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 피막이 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 자외선 흡수제 조성물을 300℃ 이하의 온도에서 경화시킴으로써 형성되는 재료.

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