KR20110046130A - 액정 표시 패널 - Google Patents

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KR20110046130A
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장재수
윤성재
이혁진
박재홍
박홍조
홍성환
권오정
김병철
김희섭
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Abstract

본 발명은 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 위치하며, 전계 부재시에는 등방성 상태를 가지며, 전계가 인가되면 이방성 상태를 가지는 액정, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나의 내측면에 형성된 내부 편광층을 포함하는 액정 표시 장치에 대한 것으로, 플렉서블한 기판을 사용하여 기판이 휘더라도 보상 필름을 형성하지 않아도 되므로 표시 특성이 저하되지 않는 장점이 있다. 또한, 외부의 압력에 의하여 눌려도 셀갭으로 인한 위상 변화가 없어 표시 품질이 저하되지 않으며, 내부 편광층을 사용함으로써 PVA, TAC을 사용하는 편광판에 비하여 얇은 두께를 가질 수 있다.
Figure P1020090102984
내부 편광판, 청색상 액정, 횡전계,

Description

액정 표시 패널{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
표시 패널 중에서 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
최근 들어 표시 장치가 플렉서블하게 제작되는 추세가 있으며, 액정 표시 장치도 플렉서블한 표시 장치를 제조하고자 하지만, 셀갭의 변화로 인한 위상 지연값이 변하는 문제점, 기판의 외측면에 부착된 보상 필름의 보상 정도가 변하는 문제점, 및 편광판의 두께가 두꺼워 플렉서블한 기판의 변형이 발생되는 문제점 등이 있어 액정 표시 장치는 플렉서블한 표시 장치로 형성하는데 한계가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플렉서블한 액정 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 패널은 제1 기판, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 위치하는 청색상 액정, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나의 내측면에 형성된 내부 편광층을 포함한다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 플라스틱 등으로 플렉서블하게 형성될 수 있다.
상기 제1 기판의 내측면에는 상기 내부 편광층이 형성되어 있으며, 상기 제2 기판의 외측면에 부착된 편광판을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 기판의 내측에 형성되어 있는 색필터를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 기판의 내측에 형성되어 있으며, 상기 색필터가 형성되지 않은 영역에 형성되어 있는 차광 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 내측 중 적어도 하나에 형성되어 있는 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 스페이서는 제2 기판의 내측에 형성되어 있으며, 상기 스페이서는 상기 차광부재와 동일한 물질로 형성되어 있을 수 있다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 결합시키며, 상기 청색상 액정을 가둬두는 실부재를 더 포함하며, 상기 실부재는 자외선으로 경화되는 재료 또는 저온에서 경화되는 재료를 포함할 수 있다.
상기 제2 기판의 내측에는 화소 전극과 공통 전극이 형성되어 있을 수 있다.
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 적어도 하나의 선형 가지부를 가질 수 있다.
상기 공통 전극은 상기 화소 전극이 형성된 영역에서 연속적인 판상 구조를 가질 수 있다.
상기 선형 가지부는 상기 제2 기판의 가장자리에 대하여 비스듬하게 형성될 수 있다.
상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 각각 적어도 하나의 선형 가지부를 가지며, 상기 화소 전극의 선형 가지부와 상기 공통 전극의 선형 가지부는 서로 평행할 수 있다.
상기 화소 전극의 선형 가지부 및 상기 공통 전극의 선형 가지부는 상기 제2 기판의 가장자리에 대하여 비스듬하게 형성될 수 있다.
상기 화소 전극은 제1 선형 가지부 및 상기 제1 선형 가지부와 평행하지 않는 제2 선형 가지부를 가지며, 상기 공통 전극도 제1 선형 가지부 및 상기 공통 전극의 제1 선형 가지부와 평행하지 않는 제2 선형 가지부를 가질 수 있다.
상기 화소 전극의 제1 선형 가지부 및 제2 선형 가지부와 상기 공통 전극의 제1 선형 가지부 및 제2 선형 가지부는 상기 제2 기판의 가장자리에 대하여 비스듬하게 형성될 수 있다.
상기 스페이서는 제1 기판의 내측면과 상기 내부 편광층의 사이에 형성될 수 있다.
상기 색필터 및 상기 차광 부재의 상부에 형성되어 있는 캐핑막을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 내측 중 적어도 하나에 형성되어 있는 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 스페이서는 제1 기판의 내측면과 상기 내부 편광층의 사이에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 플렉서블한 기판을 사용하여 기판이 휘더라도 보상 필름을 형성하지 않아도 되므로 표시 특성이 저하되지 않는 장점이 있다. 또한, 외부의 압력에 의하여 눌려도 셀갭으로 인한 위상 변화가 없어 표시 품질이 저하되지 않으며, 내부 편광층을 사용함으로써 PVA, TAC을 사용하는 편광판에 비하여 얇은 두께를 가질 수 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였 다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하에서는 표시 패널의 대표적인 예인 액정 표시 패널을 중심으로 본 발명을 설명한다. 그러나 액정 표시 패널에 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정 표시 패널은 다음과 같은 특징을 가진다.
액정 표시 패널이 휘더라도 위상 지연값의 영향을 덜 받기 위하여 보상 필름을 사용하지 않으며, 액정으로는 전계 부재시에는 등방성 상태를 가지며, 전계가 인가되면 이방성 상태를 가지는 액정(이하 '청색상 액정'이라 함)을 사용한다.
또한, 청색상 액정을 제어하기 위하여 양 기판 중 하나의 기판에 공통 전극과 화소 전극을 모두 형성하여 횡전계를 이용하도록 한다. 또한, 색필터 및 차광 부재도 전극이 형성되어 있는 기판에 형성한다.
그 결과 상부 기판에는 공통 전극, 색필터, 차광 부재없이 편광판이 형성되며, 편광판은 기판의 외측면에 부착되는 것이 아니고 내측면에 얇은 액정층을 포함하는 물질로 형성되며, 이하 내부 편광층이라 한다. 상부 기판에는 내부 편광층외에 스페이서가 형성될 수 있다.
이하 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 패널에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 II-II선에 대한 단면도이다.
먼저, 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 설명한다.
유리 또는 플라스틱 따위의 플렉서블한 물질로 형성된 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(121, 124, 124-1)과 유지 용량선(131)이 형성되어 있다.
게이트 배선(121, 124)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121)을 포함하며 게이트선(121)의 일부는 상측으로 돌출하여 게이트 전극(124, 124-1)을 이룬다. 게이트 전극(124, 124-1)은 도 1과 같이 하나의 화소 영역마다 2개의 게이트 전극(124, 124-1)이 형성되어 있다.
유지 용량선(131)은 게이트선(121)과 나란하게 형성되어 있고, 화소 영역 내에서 그 폭이 넓어져 유지 전극(134)을 이룬다.
게이트 배선(121, 124, 124-1)과 유지 용량선(131)은 게이트 절연막(140)으로 덮여 있고, 게이트 절연막(140) 위에는 비정질 규소로 이루어진 반도체층(154, 154-1)이 형성되어 있다. 반도체층(154, 154-1)은 게이트 전극(124, 124-1)과 중첩하여 박막 트랜지스터의 채널부를 형성한다. 반도체층(154, 154-1)의 위에는 인 등의 N형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항성 접촉층(163, 165, 163-1, 165-1)이 형성되어 있다.
접촉층(163, 165, 163-1, 165-1) 및 게이트 절연막(140) 위에는 데이터 배선(171, 173, 175, 171-1, 173-1, 175-1)이 형성되어 있다. 데이터 배선(171, 173, 175, 171-1, 173-1, 175-1)은 세로 방향으로 뻗은 2개의 데이터선(171, 171- 1)과 이에 각각 연결된 소스 전극(173, 173-1) 및 이들과 분리된 드레인 전극(175, 175-1)을 포함한다. 소스 전극(173, 173-1)은 게이트 전극(124, 124-1) 상부에서 데이터선(171, 171-1)으로부터 돌출해 있으며, U자 모양 또는 말굽 모양을 가진다. 드레인 전극(175, 175-1)은 소스 전극(173, 173-1)에 대향하며, 한쪽 끝은 소스 전극(173, 173-1)의 U자 모양 또는 말굽 모양의 내부에 위치하며, 다른 한쪽 끝은 연장되어 그 폭이 넓게 형성되어 있다.
여기에서, 저항성 접촉층(163, 165, 163-1, 165-1)은 반도체층(154, 154-1)과 데이터 배선(171, 173, 175, 171-1, 173-1, 175-1)이 중첩하는 부분에만 형성되어 있다. 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173), 드레인 전극(175)이 하나의 트랜지스터가 되며, 이에 대칭하는 게이트 전극(124-1), 반도체층(154-1), 소스 전극(173-1), 드레인 전극(175-1)이 또 다른 하나의 트랜지스터가 된다.
데이터 배선(171, 173, 175, 171-1, 173-1, 175-1)의 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 그리고 보호막의 위에는 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 게이트선(121), 데이터선(171, 171-1) 및 트랜지스터 상부에 형성되어 있다. 색필터(230)는 차광 부재(220)가 형성되지 않은 영역에 형성되며, 드레인 전극(175, 175-1)의 상부 및 유지 전극(134)의 상부에는 색필터(230)가 오픈된 개구부(185, 185-1, 187)가 형성되어 있다. 드레인 전극(175, 175-1)의 상부에 형성된 개구부(185, 185-1)는 보호막(180) 및 색필터(230)에 형성되어 드레인 전극(175, 175-1)이 노출된다. 이에 반하여 유지 전극(134)의 상부에 형성된 개구부(186)는 색필터(230)에만 형성되어 있고, 보호막(180)은 제거되지 않 는다.
색필터(230)의 위에는 돌기(225)가 형성되어 있으며, 차광 부재(220)의 위에는 높이 조절 부재(227)가 형성되어 있다. 본 실시예에서의 돌기는 종 모양의 단면을 가지고 있지만, 이와 달리 반원형, 반타원형, 삼각형 및 사다리꼴등의 다양한 단면을 가질 수 있다. 돌기(225)의 측면은 테이퍼 형상을 가지는 것이 바람직하다. 또한 높이 조절 부재(227)는 돌기(225)와 동일한 물질로 형성되며, 돌기의 높이에 준하는 높이를 가진다. 높이 조절 부재(227)는 후술할 스페이서(250)과 함께 형성되어 스페이서의 높이를 결정하는 역할을 한다.
돌기(225)위에는 제1 및 제2 화소 전극(190, 190-1)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 화소 전극(190, 190-1)은 개구부(185, 185-1)를 통하여 각각 드레인 전극(175, 175-1)과 전기적으로 연결되어 있다. 화소 전극은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전체로 형성되며, 게이트선(121) 및 데이터선(171, 171-1)에 대하여 사선 방향으로 뻗어 있는 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)을 가진다. 또한 제1 및 제2 화소 전극(190, 190-1) 중 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)은 모두 돌기(225)위에 형성되어 있다.
제1 화소 전극(190)의 구조를 설명하면 다음과 같다.
제1 화소 전극(190)은 제1 데이터선(171)을 따라서 형성되어 있는 몸통부를 가지며, 유지 전극(134)의 상부에는 유지 전극(134)에 대응하여 중첩하는 면전극(194)이 위치한다. 몸통부와 면전극(194)으로부터 제1 선형 전극(191)이 사선으로 뻗어나오며, 면전극(194)의 상부 영역에서는 우상 방향으로 제1 선형 전극(191) 이 연장되며, 면전극(194)의 하부 영역에서는 우하 방향으로 제1 선형 전극(191)이 연장된다. 제1 선형 전극(191)은 게이트선(121) 또는 데이터선(171, 171-1)에 대하여 45도의 각도를 이룰 수 있다.
한편, 제2 화소 전극(190-1)은 게이트선(121)에 평행하는 상측 및 하측 부분과 제2 데이터선(171-1)을 따라서 형성되는 측면 부분으로 구성되어 역ㄷ자 구조의 몸통부를 가진다. 역ㄷ자 구조의 몸통부에서 제2 선형 전극(191-1)이 뻗어 나오며, 면전극(194)의 상부 영역에서는 좌하 방향으로 제2 선형 전극(191-1)이 연장되며, 면전극의(194)의 하부 영역에서는 좌상 방향으로 제2 선형 전극(191-1)이 연장된다.
제1 선형 전극(191) 및 제2 선형 전극(191-1)은 돌기(225)위에 형성되어 있으며, 서로 평행하게 형성되어 있다. 제1 선형 전극(191)과 제2 선형 전극(191-1)에는 서로 다른 전압이 인가되며, 일측에는 데이터 전압이 인가되고, 타측에는 극성이 반대인 데이터 전압이 인가될 수도 있다. 이와 달리, 일측에는 공통 전압이 인가되고, 타측에는 데이터 전압이 인가될 수 있다. 공통 전압이 인가되는 화소 전극을 공통 전극이라고 하며, 공통 전극과 연결된 박막 트랜지스터 및 데이터선은 생략되고, 별도의 공통 전압 인가선(도시하지 않음)을 통화여 공통 전극에 공통 전압이 인가될 수도 있다.
한편, 높이 조절 부재(227)의 위에는 스페이서(250)가 형성된다. 스페이서(250)의 높이는 일반적으로 셀갭에 준하는 높이를 가져 상부 절연 기판(210)과 하부 기판(110)이 일정한 셀갭을 가지도록 할 수 있다. 뿐만 아니라, 도 1에서 도 시하고 있는 바와 같이 셀갭에 비하여 작은 높이를 가져 셀갭은 액정층(3)에 의하여 지지되며, 스페이서(250)는 외부 압력 또는 기판이 휘는 경우 양 기판(110, 210)이 최소 간격을 유지하도록 하는 높이만을 가질 수도 있다.
하부의 절연 기판(110)의 외측면에는 편광판(12)이 부착되어 있다. 편광판(12)은 PVA(Polyvinyl Alchohol) 및 TAC(Tri Acetate Cellulose)를 포함하는 구조를 가질 수 있으며, TAC의 두께로 인하여 약 200㎛의 두께를 가진다. 이와 같이 편광판(12)의 두께를 가지는 경우에는 하부의 절연 기판(110)은 플라스틱 따위로 형성된 플렉서블한 기판을 사용할 수도 있지만, 유리 등의 기판을 사용하여 편광판(12)을 지지할 수 있도록 할 수 있다. 일반적으로 플라스틱 따위로 형성된 플렉서블한 기판은 200㎛ 이하의 두께를 가지며, 유리 등의 기판은 700㎛ 이하의 두께를 가진다.
한편, 상부 표시판에는 내부 편광층외에는 형성되는 것이 없다. 이는 차광 부재(220), 색필터(230) 등이 모두 박막 트랜지스터 표시판에 형성되었기 때문이다.
상부 절연 기판(210)은 플라스틱 등으로 형성되어 플렉서블한 특성을 가진다. 상부 절연 기판(210)의 하부면에는 내부 편광층(22)이 형성되어 있다. 내부 편광층(22)은 박막 액정 필름(Thin Crystal Flim; TCF)의 액정이 일정 방향으로 배열되도록 하여 일정 방향의 편광을 가지는 빛만이 투과하도록 한다. 내부 편광층(22)에서도 액정이 있으므로 상부 절연 기판(210)과 박막 액정 필름(TCF)의 사이에 배향막을 형성하거나 상부 절연 기판(210)의 표면에 배향 특성을 가지도록 할 필요가 있다. 상부 절연 기판(210)의 표면에 배향 특성을 가지도록 하기 위하여 러빙하거나, 이온 빔 또는 플라즈마 빔을 특정 방향으로 조사할 수 있다.
내부 편광층(22)은 액정 물질로 형성되므로 고온의 열처리를 받는 경우에는 편광 특성이 깨어지는 문제가 발생할 수 있다. 이에 내부 편광층(22)이 형성되는 상부 절연 기판(210)에는 별도의 층을 형성하지 않을 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판 및 상부 표시판의 편광판(12) 및 내부 편광층(22)은 흡수하는 빛의 편광 방향을 나타내는 흡수축이 서로 수직한 방향을 가지도록 형성될 수도 있으며, 흡수축은 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)에 대하여 45도의 각도를 가질 수도 있다.
박막 트랜지스터 표시판 및 상부 표시판의 내측에는 배향막이 형성되어 있지 않으며, 그 사이에 주입된 액정층(3)에는 청색상 액정이 형성되어 있다. 청색상 액정은 5~15㎛의 셀갭을 가질 수 있어 일반적인 TN 모드 및 VA 모드의 액정에 비하여 큰 셀갭을 가진다. 청색상 액정은 액정이 무질서하게 배열되어 있어 일정한 셀갭 이상을 가지는 경우 등방성 특성을 가지며, 횡 전계에 의하여 액정이 특정 방향으로 배열하면서부터 위상 지연값을 가지게 된다. 즉, 청색상 액정은 전계 부재시 등방성 상태를 가지며, 전계가 인가되면 이방성 상태로 변하는 액정이다. 그러므로 청색상 액정은 셀갭에 따라서 위상 지연값이 변하지 않는 특징을 가져 플렉서블한 액정 표시 장치에 적합한 액정 물질이다. 한편, 청색상 액정은 전체적으로 광학적 등방성을 가지고, 전계에 의하여 일정 부분의 액정 분자만 회전하게 되면 광학적 이방성으로 변하므로 액정의 응답속도가 빠른 장점도 있다.
이상과 같이 도 1 및 도 2를 통하여 상부 절연 기판(210)에 내부 편광층(22)을 형성하고, 상부 절연 기판(210)은 플렉서블한 특성을 가지도록 형성하며, 액정층(3)으로는 청색상 액정을 사용하고, 차광 부재(220), 제1 및 제2 화소 전극(190, 190-1) 및 색필터(230)는 하부 절연 기판(110)상에 형성되며, 하부 절연 기판(110)의 외측면에는 편광판(12)이 형성되는 실시예를 살펴보았다.
이하에서는 도 3 및 도 4를 통하여 본 발명의 실시예에 따라서 변화된 단면 구조를 살펴본다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
먼저, 도 3은 도 2에 대응하는 도면으로 색필터(230) 및 차광 부재(220)의 위에 캐핑막(187)이 더 형성될 수 있음을 도시하고 있다.
캐핑막(187)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있으며, 색필터(230)와 차광 부재(220)위에 평탄한 면을 제공하여 그 위에 형성되는 층상 구조가 용이하게 형성되고 배열될 수 있도록 하는 역할을 수행한다.
캐핑막(187) 위로서 색필터(230)가 형성된 영역에서는 돌기(225) 및 제1 및 제2 화소 전극(190, 190-1)이 형성되며, 캐핑막(187) 위로서 차광 부재(220)가 형성된 영역에서는 높이 조절 부재(227) 및 스페이서(250)가 형성되어 있다.
도 3은 캐핑막이 도 2의 실시예에 비하여 더 추가될 뿐, 다른 구성은 동일하다.
한편, 도 4는 도 2에 대응하는 도면으로 스페이서(250)가 상부 절연 기 판(210)의 내측에 형성되는 실시예이다.
즉, 도 2의 실시예와 달리 높이 조절 부재(227)에 대응하는 위치의 상부 절연 기판(210) 내측면에 스페이서(250)가 형성된다. 스페이서(250)의 높이는 셀갭에 준하는 높이를 가질 수도 있고, 도 4에서 도시하고 있는 바와 같이 셀갭에 비하여 작은 높이를 가질 수도 있다.
스페이서(250) 및 상부 절연 기판(210)의 하측면에는 내부 편광층(22)이 형성되어 있다.
내부 편광층(22)은 액정 물질로 형성되므로 고온의 열처리를 받는 경우에는 편광 특성이 깨어지는 문제가 발생할 수 있다. 이에 내부 편광층(22)이 형성되는 상부 절연 기판(210)에는 별도의 층을 형성하지 않는 것이 일반적이나, 스페이서(250)는 내부 편광층(22)이 형성되기 전에 형성되며, 내부 편광층(22)의 편광 특성도 깨트리지 않으므로 상부 절연 기판(210)에 형성되더라도 문제가 없다.
이상에서는 도 3 및 도 4를 통하여 캐핑막(187)을 더 가지는 실시예 및 스페이서(250)가 상부 절연 기판(210)에 형성된 실시예를 살펴보았다.
이하의 도 5 및 도 6에서는 차광 부재(220)와 동일한 물질로 스페이서(250)를 형성하는 실시예에 대하여 살펴본다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로, 데이터선(171, 171-1)을 중심으로 단면을 자른 단면도이다. 도 2 내지 도 4와 단면을 자른 부분이 다르므로 단면 구조가 다르지만, 게이트선, 데이터선, 박막 트랜지스터, 화소 전극 등의 구조는 동일할 수 있다.
먼저, 도 5에 대하여 살펴보며, 도 5에서 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 우선 살펴본다.
유리 또는 플라스틱 따위의 플렉서블한 물질로 형성된 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(도시하지 않음)과 유지 용량선(도시하지 않음)이 형성되어 있다.
게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선을 포함하며 게이트선의 일부는 확장 또는 돌출하여 게이트 전극을 이룬다. 게이트 전극은 도 1과 같이 하나의 화소 영역마다 2개의 게이트 전극이 형성되어 있다.
유지 용량선은 게이트선과 나란하게 형성되어 있고, 화소 영역 내에서 그 폭이 넓어져 유지 전극을 이룬다.
게이트 배선과 유지 용량선은 게이트 절연막(140)으로 덮여 있고, 게이트 절연막(140) 위에는 비정질 규소로 이루어진 반도체층(151, 151-1)이 형성되어 있다. 반도체층 중 채널을 형성하는 반도체층(도시하지 않음)은 게이트 전극과 중첩하여 박막 트랜지스터의 채널부를 형성한다. 한편, 데이터선(171, 171-1)이 형성될 위치에는 데이터선(171, 171-1)과 같이 세로 방향으로 뻗은 반도체층(151, 151-1)이 형성되어 있다. 반도체층(151, 151-1)이 데이터선(171, 171-1)을 따라 그 하부에 형성되어 있는 이유는 반도체층(151, 151-1)과 데이터선(171, 171-1)이 동일한 마스크에 의하여 식각되기 때문이다. 반도체층(151, 151-1)의 위에는 인 등의 N형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항성 접촉층(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.
반도체층(151, 151-1) 위에는 데이터 배선(171, 171-1)이 형성되어 있다. 데이터 배선(171, 171-1)은 세로 방향으로 뻗은 2개의 데이터선(171, 171-1)과 이에 각각 연결된 소스 전극(도시하지 않음) 및 이들과 분리된 드레인 전극(도시하지 않음)을 포함한다. 소스 전극은 게이트 전극 상부에서 데이터선으로부터 돌출해 있으며, U자 모양 또는 말굽 모양을 가질 수 있다. 드레인 전극은 소스 전극에 대향하며, 한쪽 끝은 소스 전극의 U자 모양 또는 말굽 모양의 내부에 위치하며, 다른 한쪽 끝은 연장되어 그 폭이 넓게 형성되어 있을 수 있다.
여기에서, 저항성 접촉층은 반도체층(151, 151-1)과 데이터 배선(171, 171-1)이 중첩하는 부분에만 형성되어 있다. 게이트 전극, 게이트 전극 위의 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극이 하나의 트랜지스터가 되며, 이에 대칭하는 게이트 전극, 게이트 전극 위의 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극이 또 다른 하나의 트랜지스터가 된다.
데이터 배선(171, 171-1)의 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 그리고 보호막의 위에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 세 종류의 색필터(230R, 230G, 230B)를 포함할 수 있으며, 도 5에서는 이들 중 두 색필터(230R, 230B)만이 도시되어 있다. 색필터(230)는 한 쌍의 데이터선(171, 171-1)을 덮으며 형성된다. 도 5에서 도시하고 있는 바와 같이 색필터(230R, 230B)는 서로 중첩하지 않고 형성될 수 있다. 하지만, 실시예에 따라서는 도 5와 달리 색필터(230R, 230G, 230B)가 서로 중첩하면서 형성될 수도 있으며, 중첩하더라도 반대측의 데이터선(즉, 도 5에서 청색의 색필터(230B)는 좌측의 데이터선(171-1)이며, 적색의 색 필터(230R)는 우측의 데이터선(171))을 넘지 않는다.
색필터(230)는 색필터용 염료를 적층한 후 식각하여 형성한다.
색필터(230)위에는 캐핑막(187)가 형성되어 있다. 캐핑막(187)은 색필터(230)로 인하여 울퉁불퉁해진 표면을 덮어 일정 수준 이상으로 평탄화되도록 한다.
캐핑막(187) 위에는 화소 전극(190, 190-1)이 형성되어 있다. 화소 전극은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전체로 형성되며, 게이트선(121) 및 데이터선(171, 171-1)에 대하여 사선 방향으로 뻗어 있는 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)을 가진다. 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)은 교대로 형성된다. 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)의 구조는 도 1과 달리 다양한 구조를 가질 수 있다.
도 5에서는 도시하고 있지 않지만, 실시예에 따라서는 제1 및 제2 선형 전극(191, 191-1)은 도 2 내지 4와 같이 돌기(도시하지 않음)위에 형성될 수도 있다. 또한, 돌기와 동일한 물질로 형성된 높이 조절 부재(도시하지 않음)가 형성될 수도 있다.
화소 전극(190, 190-1)의 위에는 스페이서(250, 251)가 형성되며, 데이터선(171, 171-1)의 사이로 화상을 표시하지 않는 영역에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 본 실시예에서 스페이서(250, 251) 및 차광 부재(220)는 서로 동일한 물질로 형성되며, 함께 식각된다. 식각시 마스크의 광 투과량을 조절하면 동일 공정에서 높이가 다른 스페이서(250, 251)와 차광 부재(220)를 형성할 수 있다. 차광 부재(220) 및 스페이서(250, 251)는 크롬 등의 금속이나 이를 포함하는 착색 유기 물질로 형성될 수 있다.
도 5에서는 높이가 다른 스페이서를 도시하고 있다. 즉, 하나의 스페이서(250)는 상부 절연 기판(210)의 내측면에 형성되어 있는 내부 편광층(22)과 접하며, 다른 하나의 스페이서(251)는 내부 편광층(22)과 일정 거리를 두고 있다.
도 5의 스페이서는 도 2 내지 도 4의 실시예에서 도시한 스페이서와 달리 스페이서(250, 251)가 셀갭의 대부분에 대응하는 높이를 가진다.
그러므로 스페이서는 도 2 내지 도 5에서와 같이 다양한 높이를 가질 수 있으며, 실시예에 따라서 선택하여 형성할 수 있다.
도 2 내지 도 4의 실시예에서는 액정층(3)이 셀갭을 유지하는 역할을 하며, 외부 압력이나 기판이 휘는 경우에 보조적으로 스페이서가 일정 수준의 셀갭을 유지하도록 하지만, 도 5의 두 스페이서는 기본적으로 스페이서 자체적으로 셀갭을 유지하며, 액정층(3)은 셀갭 유지에 보조적인 역할을 수행하는 차이가 있다.
하부의 절연 기판(110)의 외측면에는 편광판(12)이 부착되어 있다. 편광판(12)은 PVA(Polyvinyl Alchohol) 및 TAC(Tri Acetate Cellulose)를 포함하는 구조를 가질 수 있다. TAC의 두께로 인하여 하부의 절연 기판(110)은 플라스틱 따위로 형성된 플렉서블한 기판을 사용할 수도 있지만, 유리 등의 기판을 사용하여 편광판(12)을 지지할 수 있도록 할 수 있다.
한편, 상부 표시판에는 상부 절연 기판(210) 및 내부 편광층(22)이 형성되어 있다.
상부 절연 기판(210)은 플라스틱 등으로 형성되어 플렉서블한 특성을 가진 다. 상부 절연 기판(210)의 하부면에는 내부 편광층(22)이 형성되어 있다. 내부 편광층(22)은 박막 액정 필름(Thin Crystal Flim; TCF)의 액정이 일정 방향으로 배열되도록 하여 일정 방향의 편광을 가지는 빛만이 투과하도록 한다.
상부 표시판에는 내부 편광층(22)외에는 형성되는 것이 없다. 이는 차광 부재(220), 색필터(230) 등이 모두 박막 트랜지스터 표시판에 형성되었기 때문이며, 내부 편광층(22)이 고온의 열처리를 받는 경우에 편광 특성이 깨어지기 때문이다.
박막 트랜지스터 표시판 및 상부 표시판의 내측에는 배향막이 형성되어 있지 않으며, 그 사이에 주입된 액정층(3)에는 청색상 액정이 형성되어 있다. 청색상 액정은 5~15㎛의 셀갭을 가질 수 있어 일반적인 TN 모드 및 VA 모드의 액정에 비하여 큰 셀갭을 가진다. 청색상 액정은 액정이 무질서하게 배열되어 있어 일정한 셀갭 이상을 가지는 경우 등방성 특성을 가지며, 횡 전계에 의하여 액정이 특정 방향으로 배열하면서부터 위상 지연값을 가지게 된다. 그러므로 청색상 액정은 셀갭에 따라서 위상 지연값이 변하지 않는 특징을 가져 플렉서블한 액정 표시 장치에 적합한 액정 물질이다.
이상과 같이 도 5를 통하여 박막 트랜지스터 표시판에 차광 부재(220)와 스페이서(250, 251)를 동일한 물질로 형성하는 실시예에 대하여 살펴보았다. 이 때, 색필터(230)는 염료를 적층한 후 이를 식각하여 형성하였다.
이하의 도 6에서는 색필터(230)가 잉크젯 방식으로 형성되는 실시예를 살펴본다. 도 6에서도 차광 부재(220)와 스페이서(250)는 동일한 물질로 형성된다.
또한, 도 6에서는 액정 표시 패널의 외각 부분인 실(seal) 영역 및 패드 영 역도 도시하고 있다.
먼저, 도 6에서 데이터선(171, 171-1)이 도시된 화소 영역을 살펴본다.
화소 영역은 도 5와 유사한 구조를 가진다. 다만, 색필터(230)를 잉크젯 방식으로 형성하기 때문에, 색필터(230)를 가두기 위한 격벽(215)이 화소 영역의 데이터선(171, 171-1) 외측에 형성되어 있다. 격벽(215)의 높이는 색필터(230)가 형성될 높이에 준하여 형성되며, 도 5의 공정에 비하여 격벽(215)을 형성하는 공정이 추가되지만, 색필터(230)를 형성함에 있어서 식각하지 않아도 되는 장점이 있다.
한편, 도 6의 왼쪽에 도시된 실(seal) 영역 및 패드 영역을 살펴보면 아래와 같다.
액정 표시 패널의 외각 부분에는 더미 화소와 하부 절연 기판(110)위에 실장된 구동 회로(예를 들면 게이트 구동 회로)가 위치할 수 있으며, 액정 표시 패널의 제조 후 테스트를 위한 배선도 형성되어 있을 수 있다. 한편, 배선을 연장하여 형성함에 있어서 필요한 경우에는 배선을 다른층의 배선으로 옮겨 연장시킬 수 있으며, 이는 배선들이 서로 교차할 때 서로 단선되지 않고 연장되도록 하기 위한 것이다. 이는 도 6의 129, 199를 통하여 도시하고 있다. 즉, 게이트선과 동일한 층에 형성된 129번 배선을 노출시킨 후 화소 전극과 동일한 층에 형성된 199번 배선으로 신호가 이동되고 연결되도록 하기 위한 것이다.
또한, 상부 절연 기판(210)과 하부 절연 기판(110)을 부착하여 고정시키고, 그 사이에 위치하는 액정층(3)이 외부로 흘러나가지 않도록 하기 위하여 실(seal) 부재 (330)가 형성된다.
실부재(330)는 하부 절연 기판(110)의 캐핑층(187) 또는 실시예에 따라서는 보호막(180) 등의 상부와 상부 절연 기판(210)의 내부 편광층(22)의 사이에 형성된다. 실부재(330)는 양 절연 기판(110, 210)의 사이에 위치시킨 후 경화 단계를 거치게 되는데, 경화시 고온의 열경화 단계를 거치게되면 내부 편광층(22)의 편광 특성이 변하는 문제가 발생할 수 있다. 그러므로 실부재(330)는 자외선으로만 경화되거나 저온도 경화가 가능한 재료를 사용하는 것이 바람직하며, 경화시에는 자외선을 조사하여 경화시키거나 저온에서 경화시키는 것이 바람직하다.
실부재(330)의 외각에는 외부로부터 신호를 인가받기 위한 패드부(128, 198)가 형성된다. 패드부는 해당 배선이 확장된 부분(128)과 접촉 특성을 향상시키기 위한 부분(198)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 격벽(215)과 동일한 물질로 액정 표시 패널의 외각 부분에 더미 격벽(215-1)을 더 형성할 수 있다. 더미 격벽(215-1)의 상부에는 차광 부재(22)와 동일한 물질로 형성된 외각부 차광 부재(226)가 형성되어 있다. 외각부 차광 부재(226)는 표시 영역의 차광 부재(220)와 높이가 다를 수 있으며, 도 6에서 도시하고 있는 바와 같이 외각부 차광 부재(226) 자체가 2 이상의 높이를 가질 수도 있다. 이 중 가장 높은 높이를 가지는 부분은 외각부에서 상하 기판의 간격을 지지하는 외각부 스페이서(228)의 역할을 수행할 수 있다. 더미 격벽(215-1)은 외각부 스페이서(228)에 대응하는 위치에 형성되어 외각부 스페이서(228)가 높게 형성되도록 하기 위하여 추가적으로 형성되는 구조물이다.
도 6의 실시예에서도 차광 부재(220), 스페이서(250), 외각부 차광 부 재(226) 및 외각부 스페이서(228)는 모두 동일한 물질로 형성되며, 동일한 공정에서 마스크의 광량을 조절하여 한꺼번에 식각될 수 있다.
도 6의 왼쪽에 도시된 패널의 외각 부분은 일 예를 도시한 것이므로 이와 다른 다양한 구성을 더 포함할 수 있다.
이상과 같이 도 5 및 도 6을 통하여 차광 부재(220)와 스페이서(250)가 동일한 물질로 형성되는 실시예를 살펴보았다.
이하의 도 7 및 도 8에서는 청색상 액정에 횡전계를 인가함에 있어서 하나의 전극은 선형 전극 구조를 가지며, 다른 하나의 전극은 판상 구조를 가지는 실시예에 대하여 살펴본다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 8은 도 7의 액정 표시 장치를 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 공통 전극선(125)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
공통 전극선(125)은 공통 전압을 전달하며, 게이트선(121)과 거의 평행하게 가로 방향으로 뻗어 있다. 공통 전극선(125)은 게이트선(121)과 동일한 층으로 이루어져 있는데, 이웃하는 두 게이트선(121) 사이에 위치하며, 누설되는 빛을 차단 하기 위해 아래위로 돌출한 확장부(도시하지 않음)를 가질 수 있다.
기판(110) 및 공통 전극선(125) 위에는 복수의 공통 전극(common electrode)(191)이 형성되어 있다. 공통 전극(191)은 공통 전극선(125)에 공통으로 연결되어 공통 전극선(125)으로부터 공통 전압을 인가 받는다. 공통 전극(191)은 직사각형 모양을 이루고 매트릭스 형태로 배열되어 게이트선(121) 사이의 공간을 거의 채우는 판상 구조를 가지고 있다.
공통 전극(191)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
게이트선(121), 공통 전극선(125) 및 공통 전극(191) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 섬형 반도체(154)가 형성되어 있다. 섬형 반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에 위치한다.
섬형 반도체(154) 위에는 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 섬형 저항성 접촉 부재(163, 165)는 쌍을 이루어 섬형 반도체(154) 위에 배치되어 있다.
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다.
저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 아래의 반도체(154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 섬형 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물로 만들어지며, 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체 부분에 해가 가 지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(180) 위에는 색필터(230) 및 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 화상을 표시하는 영역에 형성되며, 차광 부재(220)는 게이트선(121), 데이터선(171) 및 박막 트랜지스터의 위치에 형성된다.
색필터(230) 및 보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(185)이 형성되어 있다.
색필터(230)위에는 돌기(225)가 형성되어 있고, 돌기(225) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190), 특히 화소 전극(190)의 선형 전극(190-1)이 형성되어 있다. 이들은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다.
화소 전극(190)은 공통 전극(191)과 중첩하며, 서로 평행하게 배열되어 있는 복수의 선형 전극(190-1)과 이들을 공통으로 연결하는 연결부(193)를 포함한다.
선형 전극(190-1)은 게이트선(121) 또는 수평 방향에 대하여 소정의 각도로 기울어져 있다. 연결부(193)는 복수의 가지 전극(190-1)의 양단을 연결하는 세로 연결부와 선형 전극(190-1)의 상부 및 하부에 위치하는 가로 연결부를 포함한다.
화소 전극(190)의 경계를 정의하는 연결부(193)의 외곽 경계는 직사각형 모양이다.
화소 전극(190)에 데이터 전압이 인가되고 공통 전극(191)에 공통 전압이 인가되면 두 전압 사이의 전위차에 의해 전기장이 생성되며 도 8에 점선으로 전기력선을 표시하였다.
한편, 차광 부재(220)의 위에는 높이 조절 부재(227)가 형성되어 있다. 높이 조절 부재(227)는 돌기(225)와 동일한 물질로 형성되며, 돌기의 높이에 준하는 높이를 가진다.
높이 조절 부재(227)의 위에는 스페이서(250)가 형성되어 있다. 스페이서(250)는 높이 조절 부재와 함께 상부 절연 기판(210)과 하부 절연 기판(110)의 간격을 유지할 수 있도록 하는 역할을 수행한다.
한편, 하부 절연 기판(110)의 외측면에는 편광판(12)이 부착되어 있다.
그 다음, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(210) 내측면에 내부 편광층(22)이 형성되어 있다. 내부 편광층(22)은 박막 액정 필름(Thin Crystal Flim; TCF)의 액정이 일정 방향으로 배열되도록 하여 일정 방향의 편광을 가지는 빛만이 투과하도록 한다. 내부 편광층(22)에서도 액정이 있으므로 상부 절연 기판(210)과 박막 액정 필름(TCF)의 사이에 배향막을 형성하거나 상부 절연 기판(210)의 표면에 배향 특성을 가지도록 할 필요가 있다. 상부 절연 기판(210)의 표면에 배향 특성을 가지도록 하기 위하여 러빙하거나, 이온 빔 또는 플라즈마 빔을 특정 방향으로 조사할 수 있다.
내부 편광층(22)은 액정 물질로 형성되므로 고온의 열처리를 받는 경우에는 편광 특성이 깨어지는 문제가 발생할 수 있다. 이에 내부 편광층(22)이 형성되는 상부 절연 기판(210)에는 별도의 층을 형성하지 않을 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판 및 상부 표시판의 내측에는 배향막이 형성되어 있지 않으며, 그 사이에 주입된 액정층(3)에는 청색상 액정이 형성되어 있다. 청색상 액정은 5~15㎛의 셀갭을 가질 수 있어 일반적인 TN 모드 및 VA 모드의 액정에 비하여 큰 셀갭을 가진다. 청색상 액정은 액정이 무질서하게 배열되어 있어 일정한 셀갭 이상을 가지는 경우 등방성 특성을 가지며, 횡 전계에 의하여 액정이 특정 방향으로 배열하면서부터 위상 지연값을 가지게 된다. 즉, 청색상 액정은 전계 부재시 등방성 상태를 가지며, 전계가 인가되면 이방성 상태로 변하는 액정이다. 그러므로 청색상 액정은 셀갭에 따라서 위상 지연값이 변하지 않는 특징을 가져 플렉서블한 액정 표시 장치에 적합한 액정 물질이다. 한편, 청색상 액정은 전체적으로 광학적 등방성을 가지고, 전계에 의하여 일정 부분의 액정 분자만 회전하게 되면 광학적 이방성으로 변하므로 액정의 응답속도가 빠른 장점도 있다.
이상과 같이 도 7 및 도 8을 통하여 판상의 공통 전극과 선형 화소 전극을 통하여 청색상 액정을 제어하는 실시예를 살펴보았다.
도 1 내지 도 8은 각 도면에서 특징적으로 나타내고자 하는 점을 도시하고 언급하고자 제시된 실시예이다. 그 외의 특징은 실시예에 따라서 다양하게 형성될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 2는 도 1의 II-II선에 대한 단면도이고,
도 3 및 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이고,
도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이고,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,
도 8은 도 7의 액정 표시 장치를 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

Claims (20)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 위치하며, 전계 부재시에는 등방성 상태를 가지며, 전계가 인가되면 이방성 상태로 변하는 액정, 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나의 내측면에 형성된 내부 편광층을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나는 플라스틱 등으로 플렉서블하게 형성된 액정 표시 패널.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 기판의 내측면에는 상기 내부 편광층이 형성되어 있으며,
    상기 제2 기판의 외측면에 부착된 편광판을 더 포함하는 액정 표시 패널.
  4. 제3항에서,
    상기 제2 기판의 내측에 형성되어 있는 색필터를 더 포함하는 액정 표시 패널.
  5. 제4항에서,
    상기 제2 기판의 내측에 형성되어 있으며, 상기 색필터가 형성되지 않은 영역에 형성되어 있는 차광 부재를 더 포함하는 액정 표시 패널.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 내측 중 적어도 하나에 형성되어 있는 스페이서를 더 포함하는 액정 표시 패널.
  7. 제6항에서,
    상기 스페이서는 제2 기판의 내측에 형성되어 있으며, 상기 스페이서는 상기 차광부재와 동일한 물질로 형성되어 있는 액정 표시 패널.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 결합시키며, 상기 액정을 가둬두는 실부재를 더 포함하며, 상기 실부재는 자외선으로 경화되는 재료 또는 저온에서 경화되는 재료를 포함하는 액정 표시 패널.
  9. 제8항에서,
    상기 제2 기판의 내측에는 화소 전극과 공통 전극이 형성되어 있는 액정 표 시 패널.
  10. 제9항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나는 적어도 하나의 선형 가지부를 가지는 액정 표시 패널.
  11. 제10항에서,
    상기 공통 전극은 상기 화소 전극이 형성된 영역에서 연속적인 판상 구조를 가지는 액정 표시 패널.
  12. 제11항에서,
    상기 선형 가지부는 상기 제2 기판의 가장자리에 대하여 비스듬하게 형성되어 있는 액정 표시 패널.
  13. 제10항에서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 각각 적어도 하나의 선형 가지부를 가지며, 상기 화소 전극의 선형 가지부와 상기 공통 전극의 선형 가지부는 서로 평행하는 액정 표시 패널.
  14. 제13항에서,
    상기 화소 전극의 선형 가지부 및 상기 공통 전극의 선형 가지부는 상기 제2 기판의 가장자리에 대하여 비스듬하게 형성되어 있는 액정 표시 패널.
  15. 제13항에서,
    상기 화소 전극은 제1 선형 가지부 및 상기 제1 선형 가지부와 평행하지 않는 제2 선형 가지부를 가지며, 상기 공통 전극도 제1 선형 가지부 및 상기 공통 전극의 제1 선형 가지부와 평행하지 않는 제2 선형 가지부를 가지는 액정 표시 패널.
  16. 제15항에서,
    상기 화소 전극의 제1 선형 가지부 및 제2 선형 가지부와 상기 공통 전극의 제1 선형 가지부 및 제2 선형 가지부는 상기 제2 기판의 가장자리에 대하여 비스듬하게 형성되어 있는 액정 표시 패널.
  17. 제6항에서,
    상기 스페이서는 제1 기판의 내측면과 상기 내부 편광층의 사이에 형성되어 있는 액정 표시 패널.
  18. 제5항에서,
    상기 색필터 및 상기 차광 부재의 상부에 형성되어 있는 캐핑막을 더 포함하는 액정 표시 패널.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 내측 중 적어도 하나에 형성되어 있는 스페이서를 더 포함하는 액정 표시 패널.
  20. 제19항에서,
    상기 스페이서는 제1 기판의 내측면과 상기 내부 편광층의 사이에 형성되어 있는 액정 표시 패널.
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