KR20110028384A - 다수의 능동 채널 층들을 이용하는 박막 트랜지스터들 - Google Patents
다수의 능동 채널 층들을 이용하는 박막 트랜지스터들 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110028384A KR20110028384A KR1020117002854A KR20117002854A KR20110028384A KR 20110028384 A KR20110028384 A KR 20110028384A KR 1020117002854 A KR1020117002854 A KR 1020117002854A KR 20117002854 A KR20117002854 A KR 20117002854A KR 20110028384 A KR20110028384 A KR 20110028384A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layers
- layer
- control layers
- back channel
- channel interface
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 58
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 39
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 349
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
본원에서 개시되는 실시예들은 일반적으로 TFT들 및 TFT들을 제조하는 방법들에 관한 것이다. TFT들에서, 능동 채널은 소스 및 드레인 전극들 사이에서 전류를 전달한다. 능동 채널의 조성을 조정함으로써, 전류가 제어될 수 있다. 능동 채널은 게이트 제어 층, 벌크 층, 및 계면 제어 층의 3개의 층들로 분할될 수 있다. 개별 층들은 상이한 조성들을 가질 수 있다. 게이트 제어, 벌크 및 계면 제어 층들 각각은 상이한 조성들을 가질 수 있는 다수의 층들을 추가적으로 포함할 수 있다. 능동 채널의 다양한 층들의 조성은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함할 수 있다. 층들 사이의 조성을 변화시킴으로써, 요구되는 특성들을 갖는 TFT를 제조하기 위해 다양한 층들의 이동도, 캐리어 농도 및 도전율이 제어될 수 있다.
Description
본원에서 개시되는 실시예들은 일반적으로 박막 트랜지스터(TFT)들 및 TFT들을 제조하는 방법들에 관한 것이다.
TFT 어레이들에 대한 현재의 관심이 특히 높은데 이는 이러한 소자들이 때때로 컴퓨터 및 텔레비젼 평면 패널들 용도로 이용되는 종류의 능동 매트릭스 액정 디스플레이(LCD)들에서 이용될 수 있기 때문이다. LCD들은 또한 백 라이팅을 위해 발광 다이오드(LED)들을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드(OLED)들은 능동 매트릭스 디스플레이들을 위해 이용되어 왔고, 이러한 OLED들은 디스플레이들의 동작(activity)을 다루기 위해 TFT들을 필요로 한다.
비정질 실리콘으로 제조된 TFT들은 평면 패널 디스플레이 산업의 중요 부문들이다. 불운하게도 비정질 실리콘은 낮은 이동도(mobility)와 같은 제한들을 가진다. OLED들을 위해 요구되는 이동도는 비정질 실리콘으로 획득될 수 있는 것보다 적어도 10배 높다. 부가적으로, OLED 디스플레이는 전류 구동 소자이기 때문에 Vth 시프트에 보다 민감하다. 높은 전류 또는 높은 바이어스 전압 하의 비정질 실리콘 TFT들의 Vth 시프트는 다루어져야 할 이슈이다. 한편, 폴리실리콘은 비정질 실리콘보다 높은 이동도를 가진다. 폴리실리콘은 결정질이고, 이는 양호하지 않은 국소 비-균일성을 유발한다. 폴리실리콘 막을 제조하기 위한 복잡한 어닐링 공정의 요구사항에 기인하여, 비정질 실리콘과는 대조적으로 폴리실리콘을 이용하여 대면적 디스플레이를 제조하는 것이 더 어렵고 비용이 많이 든다. 비정질 실리콘의 제한들에 기인하여, OLED 진보는 빠르지 않다.
최근, 아연 산화물이 능동 채널 층으로 이용되는 투명 TFT들이 제조되었다. 아연 산화물은 유리 및 플라스틱과 같은 다양한 기판들 상에 비교적 낮은 증착 온도들로 결정질 물질로서 성장될 수 있는 화합물 반도체이다.
따라서, 높은 이동도를 갖는 비정질 또는 비-결정질 능동 채널들을 갖는 TFT들을 위한 기술이 필요하다.
본원에서 개시되는 실시예들은 일반적으로 TFT들에 관한 것이고 TFT들을 제조하는 방법들에 관한 것이다. TFT들에서, 능동 채널 층은 소스 및 드레인 전극들 사이에서 전류를 전달한다. 능동 채널의 조성을 조정함으로써, 전류가 제어될 수 있다. 능동 채널은 게이트 제어 층, 벌크 층, 및 백 채널 계면 제어 층의 3개의 층들로 분할될 수 있다. 게이트 제어 층은 능동 채널과 게이트 유전체 층 사이의 계면에 가장 가까운 층 또는 층들의 그룹이다. 백 채널 계면 제어 층은 능동 채널과 패시베이션 또는 에칭 스탑 층 사이의 계면에 가장 가까운 층 또는 층들의 그룹이다. 벌크 층은 게이트 제어 층과 백 채널 계면 제어 층 사이의 층 또는 층들의 그룹이다. 개별 층들은 상이한 조성들을 가질 수 있다. 게이트 제어, 벌크 및 백 채널 계면 제어 층들 각각은 상이한 조성들을 가질 수 있는 다수의 층들을 추가적으로 포함할 수 있다. 능동 채널의 다양한 층들의 조성은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함할 수 있다. 층들 사이의 조성을 변화시킴으로써, 요구되는 특성들을 갖는 TFT를 제조하기 위해 다양한 층들의 이동도, 캐리어 농도 및 도전율이 제어될 수 있다. 부가적으로, 층들 사이의 조성을 변화시킴으로써, 요구되는 특성들을 갖는 TFT를 생성하기 위해, 층들 사이의 밴드 갭 또는 전기장뿐만 아니라 층들 사이의 계면들 및 게이트 유전체 및 패시베이션 또는 캡핑 층들과의 계면들도 제어될 수 있다.
일 실시예에서, TFT는 게이트 전극 및 기판 위에 배치된 게이트 유전체 층 및 기판에 대향하여 게이트 유전체 층에 결합된 능동 채널을 포함한다. 능동 채널은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함하는 하나 이상의 게이트 제어 층들을 포함한다. 하나 이상의 게이트 제어 층들은 제 1 조성을 가진다. 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나는 게이트 유전체 층과 접촉한다. 능동 채널은 또한 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 하나 이상의 벌크 층들을 포함한다. 하나 이상의 벌크 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함한다. 하나 이상의 벌크 층들은 제 1 조성과는 상이한 제 2 조성을 가진다. 능동 채널은 또한 하나 이상의 벌크 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들을 포함한다. 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함한다. 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 제 1 조성 및 제 2 조성 중 하나 이상과는 상이한 제 3 조성을 가진다. TFT는 또한 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들 중 적어도 하나에 결합된 소스 및 드레인 전극들을 포함한다.
다른 실시예에서, TFT 제조 방법이 개시된다. 상기 방법은 게이트 전극 및 기판 위에 게이트 유전체 층을 증착하는 단계 및 게이트 유전체 층 위에 능동 채널을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 형성하는 단계는 상기 게이트 유전체 층 위에 제 1 조성을 갖는, 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함하는 하나 이상의 게이트 제어 층들을 증착하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나는 게이트 유전체 층과 접촉한다. 상기 형성하는 단계는 또한 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 하나 이상의 벌크 층들을 증착하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 벌크 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함한다. 하나 이상의 벌크 층들은 제 1 조성과는 상이한 제 2 조성을 가진다. 상기 형성하는 단계는 또한 하나 이상의 벌크 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들을 증착하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함한다. 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 제 1 조성 및 제 2 조성 중 하나 이상과는 상이한 제 3 조성을 가진다. 상기 방법은 또한 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들의 최상부 층 상에 도전성 층을 증착하는 단계 및 소스 및 드레인 전극들을 규정하고 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들의 최상부 층을 노출시키기 위해서 상기 도전성 층을 패터닝하는 단계를 포함한다.
본 발명의 상기 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에서 간단히 요약된 본 발명에 대한 보다 구체적인 설명은 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있고, 이들 중 몇몇은 첨부된 도면들에 도시된다. 그러나 본 발명은 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 인정할 수 있기 때문에 첨부된 도면들은 단지 본 발명의 전형적인 실시예들을 예시하는 것이고 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1a 내지 도 1g는 다양한 제조 스테이지들에서 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT(100)의 개략적인 단면도들이다.
도 2는 일 실시예에 따른 능동 채널(200)의 개략적 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 능동 채널(300)의 개략적 단면도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 엘리먼트들이 특별한 언급 없이 다른 실시예들에 대해서도 유용하게 활용될 수 있음이 예상된다.
도 1a 내지 도 1g는 다양한 제조 스테이지들에서 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT(100)의 개략적인 단면도들이다.
도 2는 일 실시예에 따른 능동 채널(200)의 개략적 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 능동 채널(300)의 개략적 단면도이다.
이해를 돕기 위해서, 가능한 경우 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 엘리먼트들이 특별한 언급 없이 다른 실시예들에 대해서도 유용하게 활용될 수 있음이 예상된다.
본원에서 논의되는 실시예들은 캘리포니아 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc.의 자회사, AKT America에 의해 제조되고 판매되는 물리적 기상 증착(PVD) 장치에서 수행될 수 있다. 본원에서 기술되는 방법들은 다른 제조자들에 의해 제조되고 판매되는 것들을 포함하는 다른 장치에서 수행될 수 있음을 이해해야 한다. 그러나 본원에서 논의되는 실시예들은 PVD로 제한되어서는 안 되고, 오히려 다른 증착 방법들― 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 CVD(PECVD), 펄스형 레이저 증착, 스핀-온 졸-겔(sol-gel) 증착, 및 원자층 증착(ALD)을 포함하나 이에 제한되지 않음 ―을 이용하여 실시될 수 있다.
도 1a 내지 도 1g는 다양한 제조 스테이지들에서 본 발명의 일 실시예에 따른 TFT(100)의 개략적 단면도들이다. TFT는 기판(102)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(102)은 유리를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 기판(102)은 폴리머를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 기판(102)은 플라스틱을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 기판(102)은 금속을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 기판(102)은 스테인리스강 시트를 포함할 수 있다.
기판 위에, 게이트 전극(104)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(104)은 TFT 내에서 전하 캐리어들의 이동을 제어하는 전기적 도전성 층을 포함할 수 있다. 게이트 전극(104)은 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 탄탈, 또는 이들의 조합물들과 같은 금속을 포함할 수 있다. 게이트 전극(104)은 스퍼터링, 리소그래피, 및 에칭을 포함하는 기존 증착 기술들을 이용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극(104)은 기판(102) 위에 도전성 층을 블랭킷(blanket) 증착함으로써 형성될 수 있다. 도전성 층은 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다. 그 후, 포토레지스트 층이 도전성 층 위에 증착될 수 있다. 포토레지스트 층은 마스크를 형성하도록 패터닝될 수 있다. 게이트 전극(104)은 기판(102) 상에 게이트 전극(104)을 남겨 놓도록 도전성 층의 마스킹되지 않은 부분들을 에칭함으로써 형성될 수 있다.
게이트 전극(104) 위에, 게이트 유전체 층(106)이 증착될 수 있다. 게이트 유전체 층(106)은 TFT의 서브 임계 스윙(sub threshold swing) 또는 기울기 및 임계 전압에 영향을 준다. 실리콘 기반 TFT들(즉, 비정질 실리콘과 같은 실리콘 기반 반도체 층을 갖는 TFT들)에 대해서, 게이트 유전체 층(106)은 실리콘 산화물을 포함할 수 없는데 이는 Vth가 TFT로 하여금 양호하지 못한 성능을 갖도록 하는 게이트 전압의 영 전압들과는 멀리 떨어져 있기 때문이다. 그러나 금속 산화물 TFT들에 대해서, 실리콘 산화물은 효과적인 게이트 유전체 층(106)으로 기능할 수 있음이 발견되었다. 실리콘 산화물 내의 산소는 금속 산화물 층을 유해하게 변경시키지 않을 수 있어 TFT는 손상되지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 Al2O3를 포함할 수 있다. 게이트 유전체 층(106)은 PECVD를 포함하여 공지된 증착 기술들에 의해 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 PVD에 의해 증착될 수 있다.
게이트 유전체 층(106)이 증착된 후, 게이트 유전체 층(106)이 처리될 수 있다. 이러한 기술들 중 하나는 게이트 유전체 층(106)의 표면을 패시베이션하기 위해 게이트 유전체 층(106)을 플라즈마(108)에 노출시키는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 N2O 또는 O2와 같은 산소 함유 가스를 포함하는 플라즈마에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 산소 함유 플라즈마에 노출된 후 H2, Ar, N2 또는 PH3를 포함하는 플라즈마에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 플라즈마 없이 N2O 또는 O2와 같은 산소 함유 가스에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 유전체 층(106)은 산소 함유 가스에 노출된 후 산소 함유 플라즈마에 노출될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 실리콘 산화물 층은 게이트 유전체 층(106)의 처리에 부가하여 또는 이러한 처리 대신에 게이트 유전체 층(106) 위에 증착될 수 있다.
게이트 유전체 층(106)을 처리한 후, 반도체 층(110)이 그 위에 증착될 수 있다. 반도체 층(110)은 최종 TFT 구조 내에 능동 채널을 포함하는 물질일 것이다. 반도체 층(110)은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨 및 이들의 조합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 반도체 층(110)은 산소, 질소, 및 채워진 s 오비탈 및 채워진 d 오비탈을 갖는 하나 이상의 원소들을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 반도체 층(110)은 산소, 질소, 및 채워진 f 오비탈을 갖는 하나 이상의 원소들을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 반도체 층(110)은 산소, 질소, 및 하나 이상의 2가(divalent) 원소들을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 반도체 층(110)은 산소, 질소, 및 하나 이상의 3가(trivalent) 원소들을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 반도체 층은 산소, 질소, 및 하나 이상의 4가(tetravalent) 원소들을 포함할 수 있다. 반도체 층(110)은 비정질 층, 결정질 층 또는 이들의 조합들로 증착될 수 있다.
반도체 층(110)은 도펀트를 또한 포함할 수 있다. 이용될 수 있는 적합한 도펀트들은 Al, Sn, Ga, Ca, Si, Ti, Cu, Ge, In, Ni, Mn, Cr, V, Mg, SixNy, AlxOy, 및 SiC을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도펀트는 알루미늄을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 도펀트는 주석을 포함한다.
반도체 층(110)의 예들은 다음을 포함한다: ZnOxNy, SnOxNy, InOxNy, CdOxNy, GaOxNy, ZnSnOxNy, ZnInOxNy, ZnCdOxNy, ZnGaOxNy, SnInOxNy, SnCdOxNy, SnGaOxNy, InCdOxNy, InGaOxNy, CdGaOxNy, ZnSnInOxNy, ZnSnCdOxNy, ZnSnGaOxNy, ZnInCdOxNy, ZnInGaOxNy, ZnCdGaOxNy, SnInCdOxNy, SnInGaOxNy, SnCdGaOxNy, InCdGaOxNy, ZnSnInCdOxNy, ZnSnInGaOxNy, ZnInCdGaOxNy, 및 SnInCdGaOxNy. 반도체 층(110)의 예들은 다음의 도핑된 물질들을 포함한다: ZnOxNy:Al, ZnOxNy:Sn, SnOxNy:Al, InOxNy:Al, InOxNy:Sn, CdOxNy:Al, CdOxNy:Sn, GaOxNy:Al, GaOxNy:Sn, ZnSnOxNy:Al, ZnInOxNy:Al, ZnInOxNy:Sn, ZnCdOxNy:Al, ZnCdOxNy:Sn, ZnGaOxNy:Al, ZnGaOxNy:Sn, SnInOxNy:Al, SnCdOxNy:Al, SnGaOxNy:Al, InCdOxNy:Al, InCdOxNy:Sn, InGaOxNy:Al, InGaOxNy:Sn, CdGaOxNy:Al, CdGaOxNy:Sn, ZnSnInOxNy:Al, ZnSnCdOxNy:Al, ZnSnGaOxNy:Al, ZnInCdOxNy:Al, ZnInCdOxNy:Sn, ZnInGaOxNy:Al, ZnInGaOxNy:Sn, ZnCdGaOxNy:Al, ZnCdGaOxNy:Sn, SnInCdOxNy:Al, SnInGaOxNy:Al, SnCdGaOxNy:Al, InCdGaOxNy:Al, InCdGaOxNy:Sn, ZnSnInCdOxNy:Al, ZnSnInGaOxNy:Al, ZnInCdGaOxNy:Al, ZnInCdGaOxNy:Sn, 및 SnInCdGaOxNy:Al.
반도체 층(110)은 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 스퍼터링 타겟은 아연, 갈륨, 주석, 카드뮴, 인듐, 또는 이들의 조합물들과 같은 금속을 포함한다. 스퍼터링 타겟은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 산소 함유 가스 및 질소 함유 가스는 반응성 스퍼터링에 의해 반도체 층(110)을 증착하도록 챔버 내로 유입된다. 일 실시예에서, 질소 함유 가스는 N2를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 질소 함유 가스는 N2O, NH3, 또는 이들의 조합물들을 포함한다. 일 실시예에서, 산소 함유 가스는 O2를 포함한다. 다른 실시예에서, 산소 함유 가스는 N2O를 포함한다. 질소 함유 가스 중 질소 및 산소 함유 가스 중 산소는 스퍼터링 타겟으로부터의 금속과 반응하여 금속, 산소, 질소, 및 선택적으로 기판 상의 도펀트를 포함하는 반도체 물질을 형성한다. 일 실시예에서, 질소 함유 가스 및 산소 함유 가스는 별개의 가스들이다. 다른 실시예에서, 질소 함유 가스 및 산소 함유 가스는 동일한 가스를 포함한다. B2H6, CO2, CO, CH4 및 이들의 조합물들과 같은 추가적인 첨가물 또한 스퍼터링 동안 챔버에 제공될 수 있다.
반도체 층(110)이 증착된 후, 도전성 층(112)이 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 도전성 층(112)은 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 탄탈, 및 이들의 조합물들과 같은 금속을 포함할 수 있다. 도전성 층(112)은 PVD를 이용함으로써 증착될 수 있다.
도전성 층(112)이 증착된 후, 소스 전극(114), 드레인 전극(116), 및 능동 채널(118)이 도전성 층(112)의 일부들을 에칭함으로써 규정될 수 있다. 반도체 층(110)의 부분들 또한 에칭에 의해 제거될 수 있다. 도시되지 않았지만, 캡핑 층(또는 에칭 스탑 층)이 도전성 층을 증착하기 전에 반도체 층(110) 위에 증착될 수 있다. 에칭 스탑 층은 에칭 동안 과도한 플라즈마 노출로부터 능동 채널(118)을 보호하도록 기능한다.
반도체 층(110) 위에 그리고 능동 채널(118) 내에, 제 1 캡핑 층(120)이 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 PECVD에 의해 증착될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 CVD에 의해 증착될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 실리콘 탄화물을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 비정질 탄소를 포함할 수 있다.
제 1 캡핑 층(120)을 증착하기 위해서, 실리콘 함유 가스가 처리 챔버 내로 유입될 수 있다. 일 실시예에서, 실리콘 함유 가스는 SiH4를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 실리콘 함유 가스는 TEOS를 포함할 수 있다. 실리콘 함유 가스에 부가하여, N2O, NO, NO2, O2, CO, CO2, NH3, 및 이들의 조합물들도 유입될 수 있다. N2O 및 실리콘 함유 가스들은 약 20:1 내지 약 40:1의 N2O 대 실리콘 함유 가스의 유속 비율로 유입될 수 있다. 실리콘 기반 TFT들(즉, 실리콘 함유 반도체 층들)에서 이용되는 전통적인 실리콘 질화물 캡핑 층 내의 수소 및 질소는 TFT에 대한 수소 및 질소 효과를 밸런싱하기에 충분한 산소를 가지지 않을 수 있고 따라서 임계 전압에 있어서 음의 시프트를 유발할 수 있다. 제 1 캡핑 층(120) 내의 산소 함유량은 SiH4 대 N2O의 비율을 제어함으로써 조정될 수 있다. 산소 함유량은 너무 높아서는 안 된다. 제 1 캡핑 층(120) 내의 산소 함유량이 너무 높은 경우, 온-전류(on-current)(Ion) 또는 이동도가 상당히 감소될 수 있다. 높은 산소 함유량은 전기장 하에서의 전자 이동에 영향을 줄 수 있는 상부 층 상의 강한 양의 전하의 소스-드레인 패터닝 동안 손상되는 반도체 층의 영역을 늘릴 수 있다. 실리콘 함유 가스 및 N2O 가스에 부가하여, 질소 가스(N2)도 유입될 수 있다.
실리콘 함유 가스 및 N2O 가스에 부가하여, PH3 가스가 유입될 수 있다. 수소는 TFT의 이동도를 증가시킨다. 따라서, PH3 가스는 PH3 가스에 존재하는 수소에 기인하여 TFT의 이동도를 증가시킬 수 있다. 그러나 수소는 TFT의 임계 전압이 시프트되어 더 음수가 되도록 할 수 있다. 따라서, 제 1 캡핑 층(120) 증착 동안 챔버에 존재하는 수소의 양은 사용자의 필요에 맞도록 밸런싱될 필요가 있다. 예를 들어, 사용자가 임계 전압을 희생할 의도가 있는 경우, 보다 높은 이동도가 성취될 수 있다. 일 실시예에서, 처리 챔버 내로 유입된 가스들 중 PH3 가스 대 총 수소 함유량의 비율은 약 1:190 내지 약 1:200 일 수 있다. 탄소 함유 제 1 캡핑 층(120)을 증착할 때, 유입될 수 있는 가스들은 N2, H2, 및 C2H2와 같은 탄소 함유 가스들을 포함한다.
제 1 캡핑 층(120)이 증착된 후, 제 1 캡핑 층(120)은 처리될 수 있다. 이러한 기술들 중 하나는 제 1 캡핑 층(120)의 표면을 패시베이션하기 위해 제 1 캡핑 층(120)을 플라즈마에 노출시키는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 N2O 또는 O2와 같은 산소 함유 가스를 포함하는 플라즈마에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 산소 함유 플라즈마에 대한 노출 이후 제 1 캡핑 층(120)은 H2, Ar, N2, 또는 PH3를 포함하는 플라즈마에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 플라즈마 없이 N2O, He, H2, N2, O2, 또는 이들의 조합물들과 같은 산소 함유 가스에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)은 산소 함유 가스에 대한 노출 이후 산소 함유 플라즈마에 노출될 수 있다.
제 2 캡핑 층(122)은 제 1 캡핑 층(120) 위에 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 캡핑 층(122)은 제 1 캡핑 층(120)과 상이한 조성을 가진다. 다른 실시예에서, 제 2 캡핑 층(122)은 제 1 캡핑 층(120)과 동일한 조성을 가진다. 제 1 캡핑 층(120) 및 제 2 캡핑 층(122)이 동일한 조성을 가지는 경우, 제 1 캡핑 층(120) 및 제 2 캡핑 층(122)은 단일 증착 단계에서 증착될 수 있다. 일 실시예에서 제 1 캡핑 층(120) 및 제 2 캡핑 층(122)은, 능동 채널(118)에서 반도체 층(110)과의 계면에서의 산소 함유량이 층의 나머지를 통한 산소 함유량보다 높도록 층을 통해 변화하는 조성 구배(gradient)로 단일 처리 단계에서 증착된 단일 층을 포함한다. 제 1 캡핑 층(120) 및 제 2 캡핑 층(122)의 집합적인 두께 중에서, 제 1 캡핑 층은 전체 두께의 약 5 퍼센트 내지 약 20 퍼센트를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 캡핑 층(120)의 두께는 약 75 Å 내지 약 125 Å 일 수 있다.
제 2 캡핑 층(122)이 증착된 후, 제 2 캡핑 층(122)은 처리될 수 있다. 이러한 기술들 중 하나는 제 2 캡핑 층(122)의 표면을 패시베이션하기 위해서 제 2 캡핑 층(122)을 플라즈마에 노출시키는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 제 2 캡핑 층(122)은 N2O 또는 O2와 같은 산소 함유 가스를 포함하는 플라즈마에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 산소 함유 플라즈마에 대한 노출 이후 제 2 캡핑 층(122)은 H2, Ar, N2, 또는 PH3를 포함하는 플라즈마에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 제 2 캡핑 층(122)은 플라즈마 없이 N2O 또는 O2와 같은 산소 함유 가스에 노출될 수 있다. 다른 실시예에서, 제 2 캡핑 층(122)은 산소 함유 가스에 대한 노출 이후 산소 함유 플라즈마에 노출될 수 있다.
도 1g에 도시된 것처럼, 능동 채널(118)은 게이트 유전체 층(106), 제 1 캡핑 층(120), 소스 전극(114) 및 드레인 전극(116)과 접한다. 따라서 다양한 층들의 상이한 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 도전율, 등에 기인하여 능동 채널(118)은 매우 가변적(versatile)일 필요가 있다. 능동 채널이 실리콘 기반인 경우, 고도로 도핑된 실리콘이 단순한 실리콘 대신에 능동 채널과 금속 전극 사이의 접촉 저항을 개선시키는데 이용된다.
놀랍게도, 능동 채널이 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함하는 경우 능동 채널의 특성들은 사용자의 필요에 맞추어 조정될 수 있음이 발견되었다. 예를 들어, 단지 하나의 층보다는, 능동 채널은 다수의 층들을 포함할 수 있고, 이러한 층들은 각각 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 카드뮴, 주석, 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함할 수 있지만 이러한 각각의 층은 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 도전율, 및 조성과 같은 상이한 반도체 특성들을 가진다. 일 실시예에서, 능동 층에 대한 다수의 층들은 상이한 원소들을 포함할 수도 있다. 다수의 층들의 목적은 능동 층과 게이트 유전체 층 간의 계면 및 능동 층과 캡핑 층 간의 계면을 수용하기 위함이다. 다수의 층들은 최상의 가능한 성능을 성취하기 위해서 능동 층들에서 생성된 전위를 조정한다. 다수의 능동 층들은 원치 않는 종의 확산을 막거나 원치 않는 공정 조건들로부터의 부착을 막기 위한 장벽을 생성하는데 이용될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 능동 채널(200)의 개략적 단면도이다. 능동 채널(200)은 3개의 층들, 즉 게이트 유전체 층에 인접하는 게이트 제어 층(202), 벌크 층(204), 및 소스 전극, 드레인 전극, 및 캡핑 층에 인접하는 백 채널 계면 제어 층(206)을 포함한다. 게이트 제어 층(202), 벌크 층(204) 및 백 채널 계면 제어 층(206) 각각은 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 결정 배향, 결정 프랙션(crystal fraction) 또는 화학적 조성과 같은 상이한 반도체 특성들을 가질 수 있다. 층들 간의 특성들의 변화는 갑작스럽거나 점진적일 수 있다. 부가적으로 층들의 두께는 일 실시예에서 균일하지 않을 수 있다.
게이트 제어 층(202)은 이상적으로 대부분의 전류가 흐를 층이다. 따라서 게이트 제어 층(202)을 통하는 전류는 벌크 층(204) 및 백 채널 계면 제어 층(206)을 통하는 전류보다 훨씬 크다. 일 실시예에서, 게이트 제어 층(202)은 약 10 Å 내지 약 100 Å의 두께를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 게이트 제어 층(202)은 약 50 Å 내지 약 100 Å의 두께를 가질 수 있다. 게이트 유전체 층과의 계면에 기인하여, 게이트 제어 층(202)은 벌크 층(204) 및 계면 제어 층(206)에 비해 높은 이동도를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 제어 층(202)은 단일 층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 단일 게이트 제어 층(202)은 조성, 농도, 이동도, 밴드 갭, 결정 배향 또는 결정 프랙션이 층을 통해 변하도록 층들에 걸쳐 그레이드화(grade)될 수 있다. 이러한 변화는 게이트 제어 층(202)의 증착 동안 상이한 가스 첨가물들을 이용하거나 게이트 제어 층(202)의 증착 동안 상이한 양의 다양한 처리 가스들을 이용한 결과로서 발생할 수 있다.
다른 실시예에서, 게이트 제어 층(202)은 다수의 층들로 분해될 수 있다. 다수의 층들은 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 결정 배향, 결정 프랙션 또는 화학적 조성과 같은 상이한 반도체 특성들, 및 상이한 두께도 가질 수 있다. 높거나 낮은 도전율 층이 다중-층 게이트 제어 층(202)의 층들 중 하나로서 이용될 수 있다. 높거나 낮은 캐리어 농도를 갖는 층이 다중-층 게이트 제어 층(202)의 층들 중 하나로서 이용될 수 있다. 상이한 밴드 갭을 갖는 층이 다중-층 게이트 제어 층(202)의 층들 중 하나로서 이용될 수 있다.
단일 층 또는 다중-층 구조로서 게이트 제어 층(202)을 증착하기 이전에, 스퍼터링 타겟이 일정 시간 기간 동안 시즈닝(season)될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 시간 기간은 약 30 초일 수 있다. 타겟은 아르곤, 질소 및 암모니아와 같은 처리 가스들을 공급하면서 미리 결정된 시간 기간 동안 타겟에 DC 전력을 전달함으로써 시즈닝될 수 있다. 일 실시예에서, 아르곤 대 암모니아의 비율은 약 12:1일 수 있다. 다른 실시예에서, 질소 대 암모니아의 비율은 약 50:1일 수 있다. 다른 실시예에서, 아르곤 대 질소의 비율은 약 12:5 일 수 있다. 처리 챔버는 약 섭씨 100 도 내지 약 300 도의 온도로 유지될 수 있다. 다른 실시예에서, 처리 챔버는 섭씨 180 도 내지 약 200 도의 온도로 유지될 수 있다.
게이트 제어 층(202)을 증착한 후, 벌크 층(204)이 증착될 수 있다. 벌크 층(204)은 소스 전극과 드레인 전극 간의 채널을 따라 낮은 도전율을 가질 수 있고 게이트 제어 층과 소스 및 드레인 전극들 사이에서는 높은 도전율을 가질 수 있다. 벌크 층(204)에는 낮은 국소 전하 트랩핑(trapping)이 있을 수 있다. 벌크 층(204)은 단일 층으로 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 벌크 층(204)은 층을 통해 이동도, 조성, 캐리어 농도, 도전율 또는 밴드 갭의 변화와 함께 그레이드화(grade)될 수 있다. 다른 실시예에서, 벌크 층(204)은 다수의 층들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 다중-층 벌크 층의 층들 중 하나는 다중-층 벌크 층이 높은 도전율과 낮은 도전율 사이에서 교호(alternate)하도록(즉, 높고-낮고-높은 또는 낮고-높고-낮은 도전성 층들) 높거나 낮은 도전율을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 다중-층 벌크 층의 층들 중 하나는 높거나 낮은 캐리어 농도를 가질 수 있다(즉, 높고-낮고-높은 또는 낮고-높고-낮은 캐리어 농도 층들). 다른 실시예에서, 다중-층 벌크 층의 층들 중 하나는 상이한 밴드 갭을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 벌크 층(204)은 약 200 Å 내지 약 300 Å의 전체 두께를 가질 수 있다. 벌크 층(204)이 다수의 층들을 포함하는 경우, 다수의 층들은 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 결정 배향, 결정 프랙션 또는 화학적 조성과 같은 상이한 반도체 특성들, 및 상이한 두께도 가질 수 있다.
벌크 층(204)의 증착에 뒤이어, 백 채널 계면 제어 층(206)이 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 백 채널 계면 제어 층(206)은 약 50 Å 내지 약 200 Å의 두께를 가질 수 있다. 백 채널 계면 제어 층(206)은 채널 물질과 패시베이션 또는 캡핑 층 간의 더 적은 트랩핑을 유발할 수 있다. 백 채널 계면 제어 층(206)의 낮은 도전율은 결과적으로 소스 전극과 드레인 전극 사이의 낮은 도전율 및 게이트 제어 층(202)과 소스 및 드레인 전극들 사이의 높은 도전율을 낳는다. 더 낮은 국소 전하 트랩핑이 백 채널 계면 제어 층(206)에서, 그리고 계면 제어 층(206)과 벌크 층(204) 사이에서 발생할 수 있다. 백 채널 계면 제어 층(206)은 또한 임의의 원치 않는 종들의 확산으로부터 벌크 층(204) 및 게이트 제어 층(202)을 보호한다.
백 채널 계면 제어 층(206)은 단일 층을 포함할 수 있다. 백 채널 계면 제어 층(206)이 단일 층인 경우, 층은 그레이드화될 수 있다. 일 실시예에서, 백 채널 계면 제어 층(206)은 다수의 층들을 포함할 수 있다. 다수의 층들은 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 결정 배향, 결정 프랙션 또는 화학적 조성과 같은 상이한 반도체 특성들, 및 상이한 두께도 가질 수 있다. 다수의 층들이 이용될 때, 높거나 낮은 도전율 층이 삽입될 수 있거나 높거나 낮은 캐리어 농도를 갖는 층 또는 상이한 밴드 갭을 갖는 층이 백 채널 계면 제어 층(206)의 다중-층 구조 내로 삽입될 수 있다. (다중-층으로 증착될 때) 다중-층 백 채널 계면 제어 층(206)의 마지막 층은 벌크 층(204) 또는 게이트 제어 층(202)을 위해 이용되는 것과는 상이한 가스 첨가물들을 이용하여 증착될 수 있다. 마지막 층은 높거나 낮은 도전율, 캐리어 농도, 또는 밴드 갭을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 백 채널 계면 제어 층(206)은 소스 및 드레인 전극들과 접촉하는 영역에 비하여 능동 채널의 영역에서 상이한 막 특성들을 가지도록 부분적으로 또는 완전히 변환될 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 능동 채널(300)의 개략적 단면도이다. 도 3에 도시된 능동 채널(300)은 게이트 제어 층을 포함하는 3개의 층들(302, 304, 306), 벌크 층을 포함하는 3개의 층들(308, 310, 312), 및 백 채널 계면 제어 층을 포함하는 3개의 층들(314, 316, 318)을 가진다. 3개의 층들이 게이트 제어 층, 벌크 층 및 백 채널 계면 제어 층 각각에 대해 도시되었지만 보다 많거나 적은 층들이 존재할 수 있음이 이해되어야 한다. 두께, 캐리어 농도, 이동도, 밴드 갭, 결정 배향, 결정 프랙션 또는 화학 조성은 층들 사이에서 상이할 수 있다.
시간 기간 | 전력 | 시간 | Ar | N2 | N2O | NH3 |
W | 초 | sccm | sccm | sccm | sccm | |
A | 500 | 30 | 120 | 500 | 0 | 10 |
B | 10 | 12 | 120 | 500 | 0 | 0 |
1 | 500 | 30 | 120 | 500 | 0 | 0 |
2 | 500 | 36 | 120 | 500 | 40 | 0 |
3 | 500 | 24 | 120 | 500 | 0 | 0 |
4 | 500 | 30 | 120 | 500 | 30 | 0 |
5 | 500 | 24 | 120 | 500 | 0 | 0 |
6 | 500 | 300 | 120 | 500 | 30 | 0 |
7 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 30 | 0 |
8 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 40 | 0 |
9 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 50 | 0 |
표 1은 일 실시예에 따라 다중-층 능동 채널을 형성하기 위한 처리 조건들을 도시한다. 모든 층들은 약 70,000 세제곱 센티미터의 부피를 갖는 챔버에서 약 4650 제곱 센티미터의 면적을 갖고 2.2 원자 퍼센트 Sn으로 도핑된 아연 타겟을 DC 스퍼터링함으로써 증착될 수 있었다. 시간 기간 A에서, 스퍼터링 타겟은 시즈닝된다. 시간 기간 B에서, 가스는 시즈닝 단계로부터 게이트 제어 층을 증착하기 위한 증착 단계로 전이(transition)된다. 시간 기간들 1 내지 5는 게이트 제어 층들의 증착을 위한 것이다. 시간 기간 6은 벌크 층을 위한 것이고 시간 기간들 7 내지 9는 백 채널 계면 제어 층들을 위한 것이다.
시간 기간 1에서, 게이트 제어 층의 최초 층이 증착된다. 그 후 시간 기간 2에서, 질소 및 아르곤 가스들에 부가하여 아산화질소를 유입시킴으로써 높은 산화 층이 증착된다. 그 후, 시간 기간 3에서, 아산화질소는 중단되고 아르곤 및 질소가 계속 유입된다. 시간 기간 4에서, 아산화질소가 다시 유입되지만, 시간 기간 3에서보다 낮은 유속으로 유입된다. 따라서, 시간 기간 4에서 증착된 층은 시간 기간들 1 및 3에서 증착된 층보다 높은 산화를 가지는 한편, 시간 기간 2에서보다 낮은 산화를 가진다. 시간 기간 5에서 벌크 층으로 전이하기 위해 전이 층이 증착된다.
벌크 층이 증착된 후, 백 채널 계면 제어 층들이 증착된다. 백 채널 계면 제어 층들의 증착 동안, 제공되는 아산화질소는 층들을 통해 산화 구배를 생성하기 위해 점진적으로 증가한다. 부가적으로, 인가된 전력은 게이트 제어 및 벌크 층 증착들 동안 인가된 전력의 2배이다.
시간 기간 | 전력 | 시간 | Ar | N2 | N2O | NH3 |
W | 초 | sccm | sccm | sccm | sccm | |
1 | 500 | 30 | 120 | 500 | 0 | 0 |
2 | 500 | 36 | 120 | 500 | 13 | 0 |
3 | 500 | 18 | 120 | 500 | 0 | 0 |
4 | 500 | 18 | 120 | 500 | 30 | 0 |
5 | 1500 | 12 | 120 | 500 | 30 | 0 |
6 | 800 | 18 | 120 | 500 | 30 | 0 |
7 | 500 | 300 | 120 | 500 | 30 | 0 |
8 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 30 | 0 |
9 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 40 | 0 |
10 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 50 | 0 |
11 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 60 | 0 |
12 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 70 | 0 |
13 | 500 | 60 | 120 | 500 | 0 | 0 |
표 2는 다른 실시예에 따라 다중-층 능동 채널을 형성하기 위한 처리 조건들을 도시한다. 모든 층들은 약 70,000 세제곱 센티미터의 부피를 갖는 챔버에서 약 4650 제곱 센티미터의 면적을 갖고 2.2 원자 퍼센트 Sn으로 도핑된 아연 타겟을 DC 스퍼터링함으로써 증착될 수 있었다. 시간 기간들 1 내지 6은 게이트 제어 층들의 증착을 위한 것이다. 시간 기간 7은 벌크 층을 위한 것이고 시간 기간들 8 내지 13은 백 채널 계면 제어 층들을 위한 것이다.
시간 기간 1에서, 게이트 제어 층의 최초 층이 증착된다. 그 후 시간 기간 2에서, 적은 양의 아산화질소를 유입시킴으로써 낮은 산화 층이 증착된다. 그 후, 시간 기간 3에서, 아산화질소는 중단된다. 시간 기간 4에서, 아산화질소를 다시 유입시키지만 시간 기간 3에서보다 낮은 유속으로 유입시킴으로써 높은 산화 층이 증착된다. 시간 기간 5에서, 아산화질소가 계속해서 유입되는 동안 전력은 램프 업(ramp up)된다. 그 후 시간 기간 6에서, 게이트 제어로부터 벌크 층으로 전이하기 위해 전이 층이 증착된다.
벌크 층이 증착된 후, 백 채널 계면 제어 층들이 증착된다. 계면 제어 층들이 그레이드화되도록 아산화질소의 양은 점진적으로 램프 업 되는 한편 아르곤, 질소, 및 전력은 일정하게 유지된다. 백 채널 계면 제어 층들의 최종 층은 종단(termination) 층이고 아산화질소 없이 보다 낮은 전력으로 증착된다.
시간 기간 | 전력 | 시간 | Ar | N2 | N2O | NH3 |
W | 초 | sccm | sccm | sccm | sccm | |
A | 500 | 30 | 120 | 500 | 0 | 10 |
1 | 2300 | 30 | 120 | 500 | 30 | 0 |
2 | 500 | 18 | 120 | 500 | 0 | 0 |
3 | 800 | 30 | 120 | 500 | 30 | 0 |
4 | 1800 | 24 | 120 | 500 | 30 | 0 |
5 | 500 | 30 | 120 | 500 | 30 | 0 |
6 | 1500 | 24 | 120 | 500 | 30 | 0 |
7 | 500 | 30 | 120 | 500 | 30 | 0 |
8 | 1000 | 18 | 120 | 500 | 30 | 0 |
9 | 500 | 240 | 120 | 500 | 30 | 0 |
10 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 30 | 0 |
11 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 40 | 0 |
12 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 50 | 0 |
13 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 60 | 0 |
14 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 70 | 0 |
15 | 1000 | 24 | 120 | 500 | 80 | 0 |
표 3은 또 다른 실시예에 따라 다중-층 능동 채널을 형성하기 위한 처리 조건들을 도시한다. 모든 층들은 약 70,000 세제곱 센티미터의 부피를 갖는 챔버에서 약 4650 제곱 센티미터의 면적을 갖고 2.2 원자 퍼센트 Sn으로 도핑된 아연 타겟을 DC 스퍼터링함으로써 증착될 수 있었다. 시간 기간 A에서, 스퍼터링 타겟은 시즈닝된다. 시간 기간들 1 내지 7은 게이트 제어 층들의 증착을 위한 것이다. 시간 기간 8-10은 벌크 층을 위한 것이고 시간 기간들 11 내지 15는 백 채널 계면 제어 층들을 위한 것이다.
시간 기간 1 동안, 타겟 시즈닝으로부터 암모니아가 중단되고, 게이트 제어 층들의 최초 층을 증착하기 위해 아산화질소가 유입되며 전력이 램프 업된다. 그 후 시간 기간 2에서, 아산화질소는 중단되고 전력 레벨은 떨어진다. 그 후 시간 기간 3에서, 아산화질소가 다시 유입되고 전력은 약간 램프 업된다. 시간 기간들 4 내지 7에서, 전력이 변하는 동안 아산화질소는 동일한 속도로 지속된다. 시간 기간 3에서, 낮은 도전율 층이 증착된다. 그 후 시간 기간 4에서, 층이 보다 높은 전력 레벨에서 증착된다. 그 후 시간 기간 5에서, 또 다른 낮은 도전율 층이 증착되고 이후 또 다른 층이 시간 기간 6에서 보다 높은 전력 레벨로 증착된다. 시간 기간 7에서, 게이트 제어로부터 벌크 층들로 전이하도록 전이 층이 증착된다.
시간 기간 8에서, 제 1 벌크 층이 증착된다. 본질적으로 증착 조건들인, 시간 기간 8 내지 시간 기간 10에서, 층이 보다 낮은 전력으로 증착된다. 벌크 층들의 증착에 이어, 백 채널 계면 제어 층들이 증착된다. 백 채널 계면 제어 증착 동안, 아산화질소가 시간 기간들 11 내지 15 동안 점진적으로 증가된다.
단일 층 대신에 다수의 층들을 증착함으로써, 능동 채널이 사용자의 필요에 맞추어 조정되고 보다 안정된 TFT가 제조될 수 있다.
상기 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가적인 실시예들도 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범위는 뒤따르는 청구범위에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 박막 트랜지스터로서,
게이트 전극 및 기판 위에 배치되는 게이트 유전체 층;
상기 기판에 대향하여 상기 게이트 유전체 층에 결합되는 능동 채널; 및
하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들 중 적어도 하나에 결합되는 소스 및 드레인 전극들
을 포함하고, 상기 능동 채널은:
산소, 질소, 및 아연, 인듐, 주석, 카드뮴 및 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고 제 1 조성을 가진 하나 이상의 게이트 제어 층들 ― 상기 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나는 상기 게이트 유전체 층과 접촉함 ―;
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 하나 이상의 벌크 층들 ― 상기 하나 이상의 벌크 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 주석, 카드뮴 및 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고 상기 제 1 조성과는 상이한 제 2 조성을 가짐 ―; 및
상기 하나 이상의 벌크 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들 ― 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 주석, 카드뮴 및 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고 상기 제 1 조성 및 상기 제 2 조성 중 하나 이상과는 상이한 제 3 조성을 가짐―
을 포함하는, 박막 트랜지스터. - 제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 집합적으로 제 1 두께를 가지고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 집합적으로 제 2 두께를 가지며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 집합적으로 제 3 두께를 가지고, 상기 제 2 두께는 상기 제 3 두께보다 크고 상기 제 3 두께는 상기 제 1 두께보다 큰,
박막 트랜지스터. - 제 2 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 제 1 이동도(mobility)를 가지고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 제 2 이동도를 가지며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 제 3 이동도를 가지고, 상기 제 1 이동도, 상기 제 2 이동도, 및 상기 제 3 이동도는 상이하며, 상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 제 1 도전율을 가지고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 제 2 도전율을 가지며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 제 3 도전율을 가지고, 상기 제 1 도전율, 상기 제 2 도전율, 및 상기 제 3 도전율은 상이한,
박막 트랜지스터. - 제 1 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 다수의 층들을 포함하고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 다수의 층들을 포함하며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 다수의 층들을 포함하는,
박막 트랜지스터. - 박막 트랜지스터 제조 방법으로서,
게이트 전극 및 기판 위에 게이트 유전체 층을 증착하는 단계;
상기 게이트 유전체 층 위에 능동 채널을 형성하는 단계;
하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들의 최상부 층 상에 도전성 층을 증착하는 단계; 및
소스 및 드레인 전극들을 규정하고 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들의 최상부 층을 노출시키기 위해서 상기 도전성 층을 패터닝하는 단계
를 포함하고, 상기 형성하는 단계는:
산소, 질소, 및 아연, 인듐, 주석, 카드뮴 및 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고 제 1 조성을 가진 하나 이상의 게이트 제어 층들을 증착하는 단계 ― 상기 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나는 상기 게이트 유전체 층과 접촉함 ―;
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 하나 이상의 벌크 층들을 증착하는 단계 ― 상기 하나 이상의 벌크 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 주석, 카드뮴 및 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고 상기 제 1 조성과는 상이한 제 2 조성을 가짐 ―; 및
상기 하나 이상의 벌크 층들 중 적어도 하나와 접촉하는 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들을 증착하는 단계 ― 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 산소, 질소, 및 아연, 인듐, 주석, 카드뮴 및 갈륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고 상기 제 1 조성 및 상기 제 2 조성 중 하나 이상과는 상이한 제 3 조성을 가짐―
를 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 집합적으로 제 1 두께를 가지고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 집합적으로 제 2 두께를 가지며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 집합적으로 제 3 두께를 가지고, 상기 제 2 두께는 상기 제 3 두께보다 크고 상기 제 3 두께는 상기 제 1 두께보다 큰,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 제 1 이동도를 가지고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 제 2 이동도를 가지며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 제 3 이동도를 가지고, 상기 제 1 이동도, 상기 제 2 이동도, 및 상기 제 3 이동도는 상이한,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 제 1 도전율을 가지고, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 제 2 도전율을 가지며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 제 3 도전율을 가지고, 상기 제 1 도전율, 상기 제 2 도전율, 및 상기 제 3 도전율은 상이한,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 다수의 층들을 포함하고, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 다수의 층들을 포함하는,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
하나 이상의 게이트 층들을 증착하는 단계는 아르곤, 질소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 스퍼터링 챔버 내로 유입시키는 단계 및 아연 함유 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함하는,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 산소 함유 가스는 아산화질소를 포함하고, 상기 질소 함유 가스는 질소를 포함하며, 상기 하나 이상의 게이트 제어 층들은 다수의 층들을 포함하고, 상기 게이트 제어 층들 중 적어도 둘의 조성은 상이한,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
하나 이상의 벌크 층들을 증착하는 단계는 아르곤, 질소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 스퍼터링 챔버 내로 유입시키는 단계 및 아연 함유 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함하는,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 산소 함유 가스는 아산화질소를 포함하고, 상기 질소 함유 가스는 질소를 포함하며, 상기 하나 이상의 벌크 층들은 다수의 층들을 포함하고, 상기 벌크 층들 중 적어도 둘의 조성은 상이한,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들을 증착하는 단계는 아르곤, 질소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 스퍼터링 챔버 내로 유입시키는 단계 및 아연 함유 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함하는,
박막 트랜지스터 제조 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 산소 함유 가스는 아산화질소를 포함하고, 상기 질소 함유 가스는 질소를 포함하며, 상기 하나 이상의 백 채널 계면 제어 층들은 다수의 층들을 포함하고, 상기 백 채널 계면 제어 층들 중 적어도 둘의 조성은 상이한,
박막 트랜지스터 제조 방법.
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7783108P | 2008-07-02 | 2008-07-02 | |
US61/077,831 | 2008-07-02 | ||
US11774708P | 2008-11-25 | 2008-11-25 | |
US11774408P | 2008-11-25 | 2008-11-25 | |
US61/117,744 | 2008-11-25 | ||
US61/117,747 | 2008-11-25 | ||
US12/411,195 | 2009-03-25 | ||
US12/411,195 US8258511B2 (en) | 2008-07-02 | 2009-03-25 | Thin film transistors using multiple active channel layers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110028384A true KR20110028384A (ko) | 2011-03-17 |
KR101621840B1 KR101621840B1 (ko) | 2016-05-17 |
Family
ID=41463667
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117002854A KR101621840B1 (ko) | 2008-07-02 | 2009-06-19 | 다수의 능동 채널 층들을 이용하는 박막 트랜지스터들 |
KR1020117002862A KR101670425B1 (ko) | 2008-07-02 | 2009-06-29 | 금속 산질화물 tft들을 위한 캡핑 층들 |
KR1020117002859A KR101774520B1 (ko) | 2008-07-02 | 2009-06-29 | 고성능 금속 산화물 및 금속 산질화물 박막 트랜지스터들을 제조하기 위한 게이트 유전체의 처리 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117002862A KR101670425B1 (ko) | 2008-07-02 | 2009-06-29 | 금속 산질화물 tft들을 위한 캡핑 층들 |
KR1020117002859A KR101774520B1 (ko) | 2008-07-02 | 2009-06-29 | 고성능 금속 산화물 및 금속 산질화물 박막 트랜지스터들을 제조하기 위한 게이트 유전체의 처리 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US8258511B2 (ko) |
JP (3) | JP5744726B2 (ko) |
KR (3) | KR101621840B1 (ko) |
CN (4) | CN102124569B (ko) |
TW (3) | TWI394282B (ko) |
WO (3) | WO2010002608A2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130073712A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-07-03 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 소자 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070261951A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Yan Ye | Reactive sputtering zinc oxide transparent conductive oxides onto large area substrates |
TWI434420B (zh) | 2007-08-02 | 2014-04-11 | Applied Materials Inc | 使用薄膜半導體材料的薄膜式電晶體 |
US8980066B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Thin film metal oxynitride semiconductors |
WO2009117438A2 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer |
US8258511B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors using multiple active channel layers |
JP5345456B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101743164B1 (ko) * | 2009-03-12 | 2017-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101733718B1 (ko) | 2009-09-24 | 2017-05-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소스 및 드레인 금속 식각을 위해 습식 프로세스를 이용하여 금속 산화물 또는 금속 산질화물 tft들을 제조하는 방법들 |
US8840763B2 (en) | 2009-09-28 | 2014-09-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target |
CN102668062B (zh) * | 2009-10-21 | 2014-12-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
US8299466B2 (en) | 2009-11-03 | 2012-10-30 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors having multiple doped silicon layers |
KR101035357B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-05-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자 |
KR101701208B1 (ko) | 2010-01-15 | 2017-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
WO2011105184A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011132556A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101877377B1 (ko) | 2010-04-23 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5606787B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 |
US7976727B1 (en) * | 2010-08-25 | 2011-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Chromium-doped zinc-nitro-antimony-gallium-tellurium infrared phosphors |
US8883555B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target |
TWI405335B (zh) * | 2010-09-13 | 2013-08-11 | Au Optronics Corp | 半導體結構及其製造方法 |
US8338240B2 (en) * | 2010-10-01 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing transistor |
US9911857B2 (en) * | 2010-10-29 | 2018-03-06 | Cbrite Inc. | Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric |
TWI555205B (zh) | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
TWI654764B (zh) | 2010-11-11 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI471946B (zh) * | 2010-11-17 | 2015-02-01 | Innolux Corp | 薄膜電晶體 |
US8912536B2 (en) | 2010-11-19 | 2014-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistors, methods of manufacturing the same and electronic devices including transistors |
US20150108467A1 (en) * | 2010-12-20 | 2015-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display device |
CN103283029B (zh) * | 2010-12-27 | 2016-03-30 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP5897910B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8669552B2 (en) * | 2011-03-02 | 2014-03-11 | Applied Materials, Inc. | Offset electrode TFT structure |
TWI602249B (zh) | 2011-03-11 | 2017-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI455322B (zh) * | 2011-04-22 | 2014-10-01 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體及其製造方法 |
US9166055B2 (en) * | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9553195B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Method of IGZO and ZNO TFT fabrication with PECVD SiO2 passivation |
KR101459502B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2014-11-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 박막 트랜지스터 디바이스들을 제조하는 방법들 |
KR101912888B1 (ko) * | 2011-10-07 | 2018-12-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 아르곤 가스 희석으로 실리콘 함유 층을 증착하기 위한 방법들 |
KR101878731B1 (ko) | 2011-12-06 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
TWI470808B (zh) | 2011-12-28 | 2015-01-21 | Au Optronics Corp | 半導體元件及其製作方法 |
US9120111B2 (en) | 2012-02-24 | 2015-09-01 | Rain Bird Corporation | Arc adjustable rotary sprinkler having full-circle operation and automatic matched precipitation |
CN102593050B (zh) * | 2012-03-09 | 2014-08-20 | 深超光电(深圳)有限公司 | 一种液晶显示面板阵列基板的制作方法 |
CN104271797B (zh) * | 2012-03-09 | 2017-08-25 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 显示器件的阻隔材料 |
US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
KR20130117558A (ko) | 2012-04-18 | 2013-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
KR101980195B1 (ko) | 2012-05-16 | 2019-05-21 | 삼성전자주식회사 | 황 도핑 징크옥시 나이트라이드 채널층을 가진 트랜지스터 및 그 제조방법 |
TWI493726B (zh) * | 2012-06-05 | 2015-07-21 | E Ink Holdings Inc | 薄膜電晶體結構及其陣列基板 |
CN103474467B (zh) * | 2012-06-05 | 2016-04-13 | 元太科技工业股份有限公司 | 薄膜晶体管结构及其阵列基板 |
JP6002088B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2016-10-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
JP5972065B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
CN107123688B (zh) * | 2012-06-29 | 2021-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR102099445B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101975929B1 (ko) | 2012-06-29 | 2019-05-09 | 삼성전자주식회사 | 질산화물 채널층을 구비한 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US9156043B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-10-13 | Rain Bird Corporation | Arc adjustable rotary sprinkler with automatic matched precipitation |
KR20140021118A (ko) | 2012-08-07 | 2014-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI533457B (zh) | 2012-09-11 | 2016-05-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 薄膜電晶體 |
KR20140043526A (ko) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN102891183B (zh) * | 2012-10-25 | 2015-09-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置 |
US20140117511A1 (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-01 | Infineon Technologies Ag | Passivation Layer and Method of Making a Passivation Layer |
TWI484559B (zh) * | 2013-01-07 | 2015-05-11 | Univ Nat Chiao Tung | 一種半導體元件製程 |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP6370048B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2018-08-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102044971B1 (ko) | 2013-02-12 | 2019-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
JP2016510171A (ja) * | 2013-03-01 | 2016-04-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 金属酸化物tftの安定性向上 |
JP2016514372A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 金属酸化物半導体tft用誘電体膜のピンホール評価方法 |
WO2014159033A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc. | Vth control method of multiple active layer metal oxide semiconductor tft |
CN105051907A (zh) * | 2013-03-19 | 2015-11-11 | 应用材料公司 | 多层钝化或蚀刻终止tft |
KR101995920B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102166272B1 (ko) | 2013-05-23 | 2020-10-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
WO2014196107A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置 |
KR20150025621A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR102115564B1 (ko) | 2013-09-24 | 2020-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널 |
CN103500710B (zh) * | 2013-10-11 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备 |
KR102149795B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2020-08-31 | 삼성전기주식회사 | 레지스트 필름 및 패턴 형성 방법 |
US9246013B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-01-26 | Intermolecular, Inc. | IGZO devices with composite channel layers and methods for forming the same |
US20150177311A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Intermolecular, Inc. | Methods and Systems for Evaluating IGZO with Respect to NBIS |
US9704888B2 (en) | 2014-01-08 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Display circuitry with reduced metal routing resistance |
US9530801B2 (en) | 2014-01-13 | 2016-12-27 | Apple Inc. | Display circuitry with improved transmittance and reduced coupling capacitance |
KR102163730B1 (ko) | 2014-03-25 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
CN104167449B (zh) * | 2014-08-05 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
CN104167448B (zh) * | 2014-08-05 | 2017-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
KR101636146B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2016-07-07 | 한양대학교 산학협력단 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP2016076599A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP6358595B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2018-07-18 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR20160065318A (ko) * | 2014-11-28 | 2016-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9887277B2 (en) * | 2015-01-23 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment on metal-oxide TFT |
US20160240563A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor device and method of fabricating the same |
CN104795449B (zh) * | 2015-04-16 | 2016-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 |
US20160308067A1 (en) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | Ishiang Shih | Metal oxynitride transistor devices |
WO2017045135A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and fabrication method thereof, and display device |
US9646886B1 (en) | 2015-12-30 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Tailored silicon layers for transistor multi-gate control |
KR101707039B1 (ko) * | 2016-03-21 | 2017-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
WO2018146569A1 (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
KR102556021B1 (ko) * | 2017-10-13 | 2023-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
WO2019132997A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Intel Corporation | Memory device with negative resistance materials |
KR102520541B1 (ko) * | 2018-02-14 | 2023-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막의 제조 장치와 제조 방법 및 그 산화물 박막을 포함하는 디스플레이 장치 |
TWI689096B (zh) * | 2018-08-24 | 2020-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 金屬氧化物結晶結構及具有此金屬氧化物結晶結構之顯示面板的電路結構及薄膜電晶體 |
CN109637923B (zh) * | 2018-11-14 | 2021-06-11 | 惠科股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 |
KR102657866B1 (ko) * | 2019-06-10 | 2024-04-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN110310985A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-08 | 山东大学 | 一种基于双有源层的铟铝锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
CN112376024B (zh) * | 2020-10-26 | 2022-08-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种氧化物薄膜的制备方法 |
US20220190121A1 (en) * | 2020-12-14 | 2022-06-16 | Intel Corporation | Transistor channel materials |
JP2022112246A (ja) * | 2021-01-21 | 2022-08-02 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR102654960B1 (ko) | 2021-06-17 | 2024-04-05 | 대한민국 | 살균 재배 장치 및 방법 |
Family Cites Families (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4331737A (en) * | 1978-04-01 | 1982-05-25 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Oxynitride film and its manufacturing method |
EP0030798B1 (en) * | 1979-12-17 | 1983-12-28 | Hughes Aircraft Company | Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition |
FR2579754B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-07-31 | Centre Nat Rech Scient | Nitrures et oxynitrures utiles comme detecteurs selectifs de gaz reducteurs dans l'atmosphere, et dispositif de detection les contenant |
US4759993A (en) | 1985-04-25 | 1988-07-26 | Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. | Plasma chemical vapor deposition SiO2-x coated articles and plasma assisted chemical vapor deposition method of applying the coating |
US4769291A (en) | 1987-02-02 | 1988-09-06 | The Boc Group, Inc. | Transparent coatings by reactive sputtering |
US4816082A (en) | 1987-08-19 | 1989-03-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film solar cell including a spatially modulated intrinsic layer |
FR2638527B1 (fr) * | 1988-11-02 | 1991-02-01 | Centre Nat Rech Scient | Nitrure et oxynitrures de gallium utiles comme detecteurs selectifs de gaz reducteurs dans l'atmosphere, procede pour leur preparation, et dispositif de detection les contenant |
CA2034118A1 (en) | 1990-02-09 | 1991-08-10 | Nang Tri Tran | Solid state radiation detector |
JP2999280B2 (ja) | 1991-02-22 | 2000-01-17 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
JP3255942B2 (ja) * | 1991-06-19 | 2002-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法 |
JP2885547B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1999-04-26 | 新日本製鐵株式会社 | 二酸化シリコン薄膜の製造方法 |
JP2994812B2 (ja) | 1991-09-26 | 1999-12-27 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
US5346601A (en) | 1993-05-11 | 1994-09-13 | Andrew Barada | Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution |
TW273067B (ko) | 1993-10-04 | 1996-03-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JPH07131030A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Sony Corp | 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法 |
JP3571785B2 (ja) | 1993-12-28 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
US5620523A (en) | 1994-04-11 | 1997-04-15 | Canon Sales Co., Inc. | Apparatus for forming film |
US5522934A (en) | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
US5668663A (en) | 1994-05-05 | 1997-09-16 | Donnelly Corporation | Electrochromic mirrors and devices |
US5700699A (en) | 1995-03-16 | 1997-12-23 | Lg Electronics Inc. | Method for fabricating a polycrystal silicon thin film transistor |
JP3306258B2 (ja) | 1995-03-27 | 2002-07-24 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3169337B2 (ja) | 1995-05-30 | 2001-05-21 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
US6969635B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
US5716480A (en) | 1995-07-13 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US5625199A (en) * | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
US6153013A (en) | 1996-02-16 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited-film-forming apparatus |
US6746959B2 (en) * | 1996-07-26 | 2004-06-08 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method |
KR100251070B1 (ko) | 1996-08-28 | 2000-04-15 | 미다라이 후지오 | 광기전력 소자 |
US6159763A (en) | 1996-09-12 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and device for forming semiconductor thin film, and method and device for forming photovoltaic element |
TW329558B (en) * | 1996-09-20 | 1998-04-11 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | The method & apparatus for manufacturing DRAM & SRAM on single semiconductor chip |
US5993594A (en) | 1996-09-30 | 1999-11-30 | Lam Research Corporation | Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
US6432203B1 (en) | 1997-03-17 | 2002-08-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Heated and cooled vacuum chamber shield |
US6238527B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same |
JP4208281B2 (ja) | 1998-02-26 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
US6388301B1 (en) | 1998-06-01 | 2002-05-14 | Kaneka Corporation | Silicon-based thin-film photoelectric device |
US6488824B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-12-03 | Raycom Technologies, Inc. | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
EP1006589B1 (en) | 1998-12-03 | 2012-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | MOS thin film transistor and method of fabricating same |
US20020084455A1 (en) | 1999-03-30 | 2002-07-04 | Jeffery T. Cheung | Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature |
US6426245B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
KR100590925B1 (ko) | 1999-07-30 | 2006-06-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법 |
US6228236B1 (en) | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Sputter magnetron having two rotation diameters |
JP4562835B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2010-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6953947B2 (en) | 1999-12-31 | 2005-10-11 | Lg Chem, Ltd. | Organic thin film transistor |
US6620719B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-16 | International Business Machines Corporation | Method of forming ohmic contacts using a self doping layer for thin-film transistors |
KR100679917B1 (ko) | 2000-09-09 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
WO2002043466A2 (en) | 2000-11-30 | 2002-06-06 | North Carolina State University | Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby |
JP2002252353A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
KR100491141B1 (ko) | 2001-03-02 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 이용한 액티브매트릭스형 표시소자 및 그의 제조방법 |
WO2002073313A1 (en) | 2001-03-13 | 2002-09-19 | University Of Utah | Structured organic materials and devices using low-energy particle beams |
US6740938B2 (en) * | 2001-04-16 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor provided with first and second gate electrodes with channel region therebetween |
JP4560245B2 (ja) | 2001-06-29 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
US20030049464A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Afg Industries, Inc. | Double silver low-emissivity and solar control coatings |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US20030207093A1 (en) | 2001-12-03 | 2003-11-06 | Toshio Tsuji | Transparent conductive layer forming method, transparent conductive layer formed by the method, and material comprising the layer |
JP3819793B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2006-09-13 | 三洋電機株式会社 | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
US6825134B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow |
KR100847487B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 가네카 | 탠덤형 박막 광전변환 장치의 제조방법 |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
US7189992B2 (en) * | 2002-05-21 | 2007-03-13 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures having a transparent channel |
SG130013A1 (en) | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating light emitting device |
TW571342B (en) * | 2002-12-18 | 2004-01-11 | Au Optronics Corp | Method of forming a thin film transistor |
ATE483040T1 (de) | 2002-12-31 | 2010-10-15 | Cardinal Cg Co | Beschichtungsgerät mit einem reinigungsgerät für substrat und beschichtungsverfahren, das ein solches beschichtungsgerät benutzt |
JP4417072B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2010-02-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
TWI227565B (en) * | 2003-04-16 | 2005-02-01 | Au Optronics Corp | Low temperature poly-Si thin film transistor and method of manufacturing the same |
JP2004363560A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP5068946B2 (ja) | 2003-05-13 | 2012-11-07 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
TWI222753B (en) * | 2003-05-20 | 2004-10-21 | Au Optronics Corp | Method for forming a thin film transistor of an organic light emitting display |
JP4344270B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TWI399580B (zh) * | 2003-07-14 | 2013-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及顯示裝置 |
US20050017244A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-27 | Randy Hoffman | Semiconductor device |
US7816863B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP4823478B2 (ja) | 2003-09-19 | 2011-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7520790B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
TWI224868B (en) * | 2003-10-07 | 2004-12-01 | Ind Tech Res Inst | Method of forming poly-silicon thin film transistor |
US7026713B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-04-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor device having a delafossite material |
CN102867855B (zh) | 2004-03-12 | 2015-07-15 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7122398B1 (en) | 2004-03-25 | 2006-10-17 | Nanosolar, Inc. | Manufacturing of optoelectronic devices |
US7125758B2 (en) * | 2004-04-20 | 2006-10-24 | Applied Materials, Inc. | Controlling the properties and uniformity of a silicon nitride film by controlling the film forming precursors |
US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US20050233092A1 (en) | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films |
KR101368748B1 (ko) | 2004-06-04 | 2014-03-05 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치 |
US7158208B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060011139A1 (en) | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support for chemical vapor deposition |
KR100721555B1 (ko) * | 2004-08-13 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US7378286B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor |
US7622338B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
CN1293606C (zh) | 2004-09-30 | 2007-01-03 | 浙江大学 | 两步法生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法 |
US7382421B2 (en) * | 2004-10-12 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film transistor with a passivation layer |
CA2708335A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
JP5138163B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
TWI251349B (en) * | 2004-11-22 | 2006-03-11 | Au Optronics Corp | Method of forming thin film transistor |
US7309895B2 (en) * | 2005-01-25 | 2007-12-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7691666B2 (en) * | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7381586B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-06-03 | Industrial Technology Research Institute | Methods for manufacturing thin film transistors that include selectively forming an active channel layer from a solution |
US7628896B2 (en) | 2005-07-05 | 2009-12-08 | Guardian Industries Corp. | Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same |
KR101167661B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2012-07-23 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법 |
US7829471B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
US20070030569A1 (en) | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Guardian Industries Corp. | Broad band antireflection coating and method of making same |
KR101188425B1 (ko) * | 2005-08-24 | 2012-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 식각 테이프 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이기판의 제조 방법 |
JP4968660B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-07-04 | スタンレー電気株式会社 | ZnO系化合物半導体結晶の製造方法、及び、ZnO系化合物半導体基板 |
JP4870404B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-02-08 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製法 |
JP2007073704A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 半導体薄膜 |
KR100729043B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
US20070068571A1 (en) | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Terra Solar Global | Shunt Passivation Method for Amorphous Silicon Thin Film Photovoltaic Modules |
EP1998374A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
US7727828B2 (en) * | 2005-10-20 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor |
JP5099740B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2012-12-19 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
KR100785038B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 비정질 ZnO계 TFT |
JP2007294709A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
JP4946156B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2012-06-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
US20090023959A1 (en) * | 2006-06-16 | 2009-01-22 | D Amore Michael B | Process for making dibutyl ethers from dry 1-butanol |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP5128792B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-23 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製法 |
KR101340514B1 (ko) * | 2007-01-24 | 2013-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR100851215B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US20080233718A1 (en) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | Jia-Xing Lin | Method of Semiconductor Thin Film Crystallization and Semiconductor Device Fabrication |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR100982395B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2010-09-14 | 주식회사 엘지화학 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
US7927713B2 (en) * | 2007-04-27 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases |
JP5215589B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置 |
US20080308411A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-18 | Energy Photovoltaics, Inc. | Method and process for deposition of textured zinc oxide thin films |
JP5241143B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US8372250B2 (en) * | 2007-07-23 | 2013-02-12 | National Science And Technology Development Agency | Gas-timing method for depositing oxynitride films by reactive R.F. magnetron sputtering |
TWI434420B (zh) * | 2007-08-02 | 2014-04-11 | Applied Materials Inc | 使用薄膜半導體材料的薄膜式電晶體 |
US20090212287A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-08-27 | Ignis Innovation Inc. | Thin film transistor and method for forming the same |
US8980066B2 (en) * | 2008-03-14 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Thin film metal oxynitride semiconductors |
WO2009117438A2 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Applied Materials, Inc. | Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer |
US7879698B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor |
US8258511B2 (en) | 2008-07-02 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors using multiple active channel layers |
EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8436350B2 (en) * | 2009-01-30 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters |
TWI489628B (zh) * | 2009-04-02 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
-
2009
- 2009-03-25 US US12/411,195 patent/US8258511B2/en active Active
- 2009-06-19 WO PCT/US2009/047966 patent/WO2010002608A2/en active Application Filing
- 2009-06-19 JP JP2011516475A patent/JP5744726B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-19 KR KR1020117002854A patent/KR101621840B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-19 CN CN2009801255240A patent/CN102124569B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 TW TW098121225A patent/TWI394282B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-06-29 WO PCT/US2009/049084 patent/WO2010002803A2/en active Application Filing
- 2009-06-29 CN CN2009801258889A patent/CN102077356A/zh active Pending
- 2009-06-29 WO PCT/US2009/049092 patent/WO2010002807A2/en active Application Filing
- 2009-06-29 CN CN2009801258893A patent/CN102084470B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-29 US US12/493,718 patent/US8012794B2/en active Active
- 2009-06-29 CN CN201510540494.7A patent/CN105097951B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-29 US US12/493,699 patent/US8101949B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-29 JP JP2011516775A patent/JP5677711B2/ja active Active
- 2009-06-29 KR KR1020117002862A patent/KR101670425B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-29 JP JP2011516778A patent/JP5677712B2/ja active Active
- 2009-06-29 KR KR1020117002859A patent/KR101774520B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-01 TW TW098122272A patent/TWI459474B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-07-02 TW TW098122449A patent/TWI385729B/zh active
-
2011
- 2011-08-22 US US13/215,013 patent/US8809132B2/en active Active
-
2012
- 2012-01-20 US US13/355,316 patent/US8435843B2/en active Active
- 2012-07-24 US US13/556,380 patent/US8349669B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130073712A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-07-03 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 소자 및 그 제조방법 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101621840B1 (ko) | 다수의 능동 채널 층들을 이용하는 박막 트랜지스터들 | |
TWI519659B (zh) | 薄膜金屬氮氧化半導體 | |
US20090261331A1 (en) | Low temperature thin film transistor process, device property, and device stability improvement | |
KR20070102969A (ko) | 비정질 ZnO계 TFT의 제조방법 | |
JP2010535431A5 (ko) | ||
KR101748787B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR20140018702A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR102308097B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR101275801B1 (ko) | 산화물 반도체 타겟 | |
CN103187307A (zh) | 使用多有源沟道层的薄膜晶体管 | |
KR20160092098A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190430 Year of fee payment: 4 |