KR20110010601A - Multilayer uv-curable adhesive film - Google Patents

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KR20110010601A
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Abstract

본 발명은, (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는 접착 필름이다. 추가적인 구현예는, 다발로 된 웨이퍼 적층 필름, 부착된 다중층 접착 필름이 있는 반도체 웨이퍼, 반도체 다이를 기판에 부착시키기 위한 프로세스, 및 개별 다이싱된 다이들이 서로 들러붙는 것을 방지하는 방법을 포함한다.The present invention provides a composition comprising: (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) an underlayer that is substantially not UV-curable. Additional embodiments include bundle wafer stack films, semiconductor wafers with attached multilayer adhesive films, processes for attaching semiconductor dies to a substrate, and methods of preventing individual diced dies from sticking together. .

Description

다중층 UV-경화성 접착 필름{MULTILAYER UV-CURABLE ADHESIVE FILM} Multi-layer heat-curable adhesive film {MULTILAYER UV-CURABLE ADHESIVE FILM}

본 발명은 반도체 패키지에서의 용도를 위한 다중층 접착 필름, 상기 필름의 사용 방법, 및 상기 필름으로 어셈블된 반도체 패키지에 관한 것이다. 본 발명의 필름은, 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 프로세스에 이용되는 경우, 개별 다이들이 다이싱 후 함께 들러붙게 하지 않는다.The present invention relates to a multilayer adhesive film for use in a semiconductor package, a method of using the film, and a semiconductor package assembled into the film. The film of the present invention, when used in a bundled wafer backside lamination process, does not allow individual dies to stick together after dicing.

접착 필름은 종종, 예를 들어 규소 반도체 다이를 기판에 부착시킴에 있어서, 반도체 패키지의 집적에 이용된다. 일반적으로, 상기 필름은 캐리어에 적용된 후, 조성물을 필름 형테로 부분적으로 경화 또는 건조시키는 B-스테이지화된다. 이어서, 필름은 다이싱 테이프에 적용될 수 있고, 캐리어를 제거하고, 필름의 노출된 면을 반도체 웨이퍼의 이면에 적용시킴으로써, 접착 필름이 웨이퍼의 이면 및 다이싱 테이프 사이에 끼게 한다. 이는 웨이퍼로 하여금 접착 필름이 부착되어 있는 개별 다이로 다이싱되도록 할 수 있고, 다중층 필름을 포함하는 필름과 다이의 조합을 이후 다이 구조체로 지칭한다. 이어서, 상기 다이 구조체는 다이싱 테이프로부터 픽업되어, 기판 부근의 접착 필름과 함께 기판에 정치시킨다. 접착 필름은, 경화시, 일반적으로 열 적용을 이용해, 다이를 기판에 결합시킨다. 조작 고려사항으로 인해, 웨이퍼를 개별 다이에 다이싱하고 기판으로의 결합을 위해 다이를 픽업하는 사이에 시간 지연이 필요할 수 있다. 상기의 경우, 개별 다이의 이면 상의 접착 필름이 종종 근접 다이의 이면 상의 접착 필름과 들러붙어, 캐리어 또는 다이싱 테이프로부터 하나 이상의 다이가 제거되도록 한다는 것이 발견되었다. 이는 문제가 되며, 다이싱 후, 그리고 다이 부착 전에 다이가 함께 들러붙는 것을 야기하지 않는 접착 필름을 수득하는 것이 바람직하다.Adhesive films are often used for the integration of semiconductor packages, for example in attaching silicon semiconductor dies to a substrate. Generally, the film is applied to a carrier and then B-staged to partially cure or dry the composition into a film form. The film can then be applied to the dicing tape, removing the carrier and applying the exposed side of the film to the back side of the semiconductor wafer, thereby sandwiching the adhesive film between the back side of the wafer and the dicing tape. This allows the wafer to be diced into individual dies to which an adhesive film is attached, and the combination of film and die comprising a multilayer film is hereinafter referred to as die structure. The die structure is then picked up from the dicing tape and left on the substrate together with the adhesive film near the substrate. The adhesive film, upon curing, generally uses heat application to bond the die to the substrate. Due to operational considerations, a time delay may be required between dicing the wafer into individual dies and picking up the die for bonding to the substrate. In this case, it has been found that the adhesive film on the back side of an individual die often sticks to the adhesive film on the back side of the adjacent die, causing one or more die to be removed from the carrier or dicing tape. This is a problem and it is desirable to obtain an adhesive film that does not cause the dies to stick together after dicing and before die attach.

다이싱 후, 그리고 다이 부착 전에 다이가 함께 들러붙는 것을 야기하지 않는 접착 필름을 수득하는 것이 바람직하다. It is desirable to obtain an adhesive film that does not cause the dies to stick together after dicing and before die attach.

본 발명은, (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는 접착 필름이다. The present invention provides a composition comprising: (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) an underlayer that is substantially not UV-curable.

또다른 구현예에서, 본 발명은, 지지 테이프 상에 적층된 접착 필름이고, 여기서 상기 접착 필름은 (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함한다. In another embodiment, the present invention provides an adhesive film laminated on a support tape, wherein the adhesive film comprises: (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or lower; And (b) a lower layer that is not substantially UV-curable.

추가 구현예에서, 본 발명은 접착 필름에 결합된 반도체 웨이퍼이고, 여기서 상기 접착 필름은 (a) 반도체 웨이퍼에 결합되어 있고, 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함한다.In a further embodiment, the invention is a semiconductor wafer bonded to an adhesive film, wherein the adhesive film is (a) an upper layer bonded to the semiconductor wafer, substantially UV curable, and having a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) a lower layer that is not substantially UV-curable.

또다른 구현예에서, 본 발명은 하기 단계를 포함하는, 반도체 다이를 기판에 부착시키기 위한 프로세스이다: In another embodiment, the present invention is a process for attaching a semiconductor die to a substrate, comprising:

1. (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는 접착 필름을 제공하는 단계;1. (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) providing an adhesive film comprising an underlayer that is not substantially UV-curable;

2. 이면측 및 접착측이 있는 지지 테이프를 제공하는 단계;2. providing a support tape having a back side and an adhesive side;

3. 접착 필름의 하층과 지지 테이프의 접착측을 접촉시켜 접착 필름을 지지 테이프에 부착시킴으로써, 접착 필름의 상층을 노출시키고, 그로써 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 형성하는 단계;3. attaching the adhesive film to the supporting tape by contacting the lower layer of the adhesive film with the adhesive side of the supporting tape, thereby exposing the upper layer of the adhesive film, thereby forming a bundled wafer backside laminated film;

4. 활성측 및 불활성측이 있는 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계;4. providing a semiconductor wafer having an active side and an inactive side;

5. 접착 필름의 상층을 반도체 웨이퍼의 불활성측과 접촉시켜 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 반도체 웨이퍼에 부착시키는 단계;5. attaching the bundled wafer backside laminated film to the semiconductor wafer by contacting the top layer of the adhesive film with the inactive side of the semiconductor wafer;

6. 상층을 전진시키는 단계;6. advancing the upper layer;

7. 반도체 웨이퍼 및 부착된 다중층 접착 필름을 여러개의 개별 다이 구조체로 다이싱하는 단계;7. Dicing the semiconductor wafer and the attached multilayer adhesive film into several individual die structures;

8. 선택된 개별 다이 구조체를 픽업하는 단계 ;8. picking up the selected individual die structure;

9. 기판을 제공하는 단계;9. providing a substrate;

10. 접착 필름이 다이의 이면측과 기판 사이에 배치되도록, 선택된 개별 다이 구조체를 기판에 정치시키는 단계; 및10. placing the selected individual die structures on the substrate such that the adhesive film is disposed between the back side of the die and the substrate; And

11. 열을 이용하여 상기 개별 다이 구조체를 기판에 부착시키는 단계.11. Attaching the individual die structures to the substrate using heat.

또다른 구현예에서, 본 발명은 개별적으로 다이싱된 다이가 서로 들러붙는 것을 방지하는 방법이다. 상기 방법은 하기 단계를 포함한다:In another embodiment, the present invention is a method for preventing the individually diced dies from sticking together. The method comprises the following steps:

1. (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는 접착 필름을 제공하는 단계;1. (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) providing an adhesive film comprising an underlayer that is not substantially UV-curable;

2. 이면측 및 접착측이 있는 지지 테이프를 제공하는 단계;2. providing a support tape having a back side and an adhesive side;

3. 접착 필름의 하층과 지지 테이프의 접착측을 접촉시켜 지지 테이프에 접착 필름을 부착시킴으로써, 접착 필름의 상층을 노출시키고, 이로써 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 형성하는 단계;3. attaching the adhesive film to the support tape by contacting the lower layer of the adhesive film with the adhesive side of the support tape, thereby exposing the top layer of the adhesive film, thereby forming a bundled wafer backside laminated film;

4. 활성측 및 불활성측이 있는 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계;4. providing a semiconductor wafer having an active side and an inactive side;

5. 접착 필름의 상층과 반도체 웨이퍼의 불활성측을 접촉시켜, 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 반도체 웨이퍼에 부착시키는 단계;5. attaching the bundled wafer backside laminated film to the semiconductor wafer by bringing the upper layer of the adhesive film into contact with the inactive side of the semiconductor wafer;

6. 상층을 전진시키는 단계;6. advancing the upper layer;

7. 반도체 웨이퍼 및 부착된 다중층 접착 필름을 여러개의 개별 다이 구조체로 다이싱하는 단계; 및7. Dicing the semiconductor wafer and the attached multilayer adhesive film into several individual die structures; And

8. 선택된 개별 다이 구조체를 픽업하는 단계.8. Picking up the selected individual die structure.

도면의 간단한 설명Brief description of the drawings

본 발명은 첨부하는 다음과 같은 도면을 참고하여, 하기의 발명의 상세한 설명을 읽음으로써 더욱 완전하게 이해될 수 있다:The invention may be more fully understood by reading the following detailed description of the invention, with reference to the accompanying drawings in which:

도 1 은 본 발명의 다중층 필름의 단면도이다; 1 is a cross-sectional view of a multilayer film of the present invention;

도 2 는 본 발명의 다중층 접착 필름이 그에 부착되어 있는 반도체 웨이퍼의 단면도이다;2 is a cross-sectional view of a semiconductor wafer to which the multilayer adhesive film of the present invention is attached;

도 3 은 본 발명의 다발로 된 웨이퍼 적층 필름의 단면도이다;3 is a cross-sectional view of the bundled wafer laminate film of the present invention;

도 4 는 본 발명의 다발로 된 웨이퍼 적층 필름이 그에 부착되어 있는 반도체 웨이퍼의 단면도이다;4 is a cross-sectional view of a semiconductor wafer to which the bundled wafer laminate film of the present invention is attached;

도 5 는 본 발명에 따른 개별 다이 구조체에 다이싱된 웨이퍼의 단면도이다;5 is a cross-sectional view of a wafer diced into individual die structures in accordance with the present invention;

도 6 은 본 발명에 따른 기판에 부착된 반도체 다이의 단면도이다;6 is a cross-sectional view of a semiconductor die attached to a substrate in accordance with the present invention;

도 7 선행 기술은 선행 기술 접착 필름으로 경험하는 재부착 문제점의 단면도를 도시한다. 7 prior art illustrates a cross-sectional view of reattachment problems experienced with prior art adhesive films.

정의Justice

용어 "알킬" 은 1 내지 24 개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형 포화 탄화수소기, 예컨대 메틸 ("Me"), 에틸 ("Et"), n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, 옥틸, 데실 등을 지칭한다.The term "alkyl" refers to a branched or unbranched saturated hydrocarbon group of 1 to 24 carbon atoms, such as methyl ("Me"), ethyl ("Et"), n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, octyl, decyl and the like.

용어 "전진 (advancing)" 은 경화 또는 부분 경화를 의미한다.The term "advancing" means cure or partial cure.

용어, 화합물, 생성물 또는 조성물의 "유효량" 은 원하는 결과를 제공하기에 충분한 화합물, 생성물 또는 조성물의 양을 의미한다. 정확히 필요한 양은 사용되는 특정 화합물, 생성물 또는 조성물, 그의 투여 방식 등에 따라 패키지마다 다를 것이다. 따라서, 정확한 양을 언제나 구체적으로 하는 것은 가능하지 않으나; 유효량은 오직 일상적 실험을 이용하여 당업자에 의해 결정될 수 있다.The term "effective amount" of a compound, product, or composition means an amount of the compound, product, or composition sufficient to provide the desired result. The exact amount required will vary from package to package depending on the particular compound, product or composition used, the mode of administration thereof and the like. Thus, it is not always possible to specify the exact amount; Effective amounts can only be determined by one skilled in the art using routine experimentation.

용어 "적합한" 은 서술된 목적을 위해 본원에 제공되는 화합물, 생성물 또는 조성물과 상용성인 부분을 지칭한다. 서술된 목적에 대한 적합성은 오직 일상적 실험을 이용하여 당업자에 의해 결정될 수 있다. The term “suitable” refers to moieties that are compatible with the compounds, products, or compositions provided herein for the purposes described. Suitability for the stated purpose can only be determined by one skilled in the art using routine experimentation.

용어 "치환된" 은, 일반적으로 제거되어 또다른 부분으로 교체되는 수소 원자 또는 기타 원자를 가진 탄소 또는 적합한 헤테로원자를 지칭한다. 더욱이, "치환된" 은 본 발명의 해당되는 화합물, 생성물 또는 조성물의 기본적이며 신규한 유용성을 변경하지 않는 치환기를 지칭하는 것을 의도로 한다.The term “substituted” generally refers to carbon or a suitable heteroatom having a hydrogen atom or other atom that is removed and replaced by another moiety. Moreover, "substituted" is intended to refer to substituents that do not alter the basic and novel usefulness of the corresponding compounds, products or compositions of the invention.

용어 "B-스테이지화 (B-staging)" (및 그의 활용형) 는, 재료가 용매에 용해 또는 분산되는 경우, 용매를 해당 재료의 부분적 경화의 존재 또는 부재 하에 증발시키거나, 또는 해당 재료를 용매없이 순수하게 사용하는 경우, 해당 재료를 끈끈하거나 또는 더욱 경화된 상태로 부분적으로 경화시키기 위해, 열 또는 조사에 의해 재료를 가공하는 것을 지칭하기 위해 이용된다. 해당 재료가 유동성 접착제인 경우, B-스테이지화는 완전경화없이 극히 저급한 유동을 제공하여, 한 성형물을 다른 것에 결합시키기 위해 접착제를 사용한 후 추가적인 경화가 수행될 수 있도록 할 수 있다. 유동성 감소는 용매의 증발, 수지 또는 중합체, 또는 이들 두가지 모두의 부분적인 전진 또는 경화에 의해 달성될 수 있다.The term “B-staging” (and utility thereof) refers to evaporating the solvent in the presence or absence of partial cure of the material or dissolving the material when the material is dissolved or dispersed in the solvent. When used purely without, it is used to refer to the processing of a material by heat or irradiation to partially cure the material in a sticky or more cured state. If the material is a flowable adhesive, B-stageization can provide extremely low flow without complete curing, allowing additional curing to be performed after using the adhesive to bond one molding to the other. Fluidity reduction can be achieved by partial evaporation or curing of the solvent, evaporation of the resin or polymer, or both.

용어 "경화제" 는 조성물의 경화를 개시, 전파 또는 가속하는 임의의 재료 또는 재료들의 배합물을 지칭하기 위해 사용되며, 이에 제한되지 않으나, 가속화제, 촉매, 개시제 및 경화제가 포함된다.The term “curing agent” is used to refer to any material or combination of materials that initiates, propagates or accelerates the curing of a composition, including but not limited to accelerators, catalysts, initiators and curing agents.

용어 "UV-경화성" 은 자외선 조사의 적용에 의해 중합 및/또는 가교되는 임의의 수지를 지칭하기 위해 사용된다.The term “UV-curable” is used to refer to any resin that is polymerized and / or crosslinked by the application of ultraviolet radiation.

용어 "Tg" 또는 "유리 전이 온도" 는 유리질 상태에서 고무질 상태로의 재료 전이가 있는 온도를 지칭하기 위해 사용된다.The term "Tg" or "glass transition temperature" is used to refer to the temperature at which there is a material transition from the glassy state to the rubbery state.

발명의 상세한 설명Detailed description of the invention

본 발명은 본 발명의 각종 구현예를 설명하는 도면을 참조하여 더욱 상세하게 기재될 것이다. 도면은 도식적인 것으로, 본 발명의 특징 및 기타 특징 및 구조에 대한 그의 관련성을 보여주며, 비율에 맞춰 제작되지 않았다. 제시된 것의 명확성을 개선하기 위해, 다른 도면들에서 나타낸 요소들에 해당되는 요소들은, 모든 도면에서 전부 쉽게 구별되더라도, 특별히 다시 표시하지는 않았다.The invention will be described in more detail with reference to the drawings illustrating various embodiments of the invention. The drawings are schematic and show features of the invention and its relevance to other features and structures and are not to scale. In order to improve the clarity of what is presented, the elements corresponding to the elements shown in the other figures, although all of them are easily distinguished in all the figures, have not been shown again in particular.

한 구현예에서, 본 발명은 다중층 접착 필름이다. 상기 필름은 적어도 상층 및 하층을 갖는다. 도 1 은 상층 및 하층만을 갖는, 본 발명의 필름의 한 구현예의 단면도이다. In one embodiment, the invention is a multilayer adhesive film. The film has at least an upper layer and a lower layer. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a film of the present invention having only an upper layer and a lower layer.

임의로는, 접착 필름에 추가적인 원하는 성능을 부여하는 것이 필요한 경우, 상층 및 하층 사이에 추가적인 층들 (나타내지 않음) 이 있을 수 있다. 상층의 유리 전이 온도는 50℃ 이하이고, 실질적으로 UV 경화성이다. 하층은 실질적으로 비 UV-경화성이다.Optionally, if it is necessary to give the adhesive film additional desired performance, there may be additional layers (not shown) between the upper and lower layers. The glass transition temperature of the upper layer is 50 degrees C or less, and is substantially UV curable. The bottom layer is substantially non UV-curable.

도 2 는 상기 언급한 다중층 접착 필름이 반도체 웨이퍼의 이면측에 부착되어 있는 본 발명의 한 구현예의 단면도를 보여준다. 반도체 웨이퍼는 활성측 및 활성측의 반대편에 이면측을 갖는다. 도 2 에서 설명되는 구현예에서, 다중층 접착 필름은, 필름의 상층이 반도체 웨이퍼의 이면측에 직접 접촉하도록, 반도체 웨이퍼에 적용된다. 또다른 구현예에서 (나타내지 않음), 다중층 접착 필름은 반도체 웨이퍼의 전면 또는 활성측에 적용된다.2 shows a cross-sectional view of one embodiment of the present invention wherein the above-mentioned multilayer adhesive film is attached to the back side of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer has a back side on the active side and on the opposite side of the active side. In the embodiment described in FIG. 2, a multilayer adhesive film is applied to a semiconductor wafer such that the top layer of the film is in direct contact with the backside side of the semiconductor wafer. In another embodiment (not shown), the multilayer adhesive film is applied to the front side or active side of the semiconductor wafer.

또다른 구현예에서, 본 발명은 지지 테이프 상에 적층된 상기 기재된 다중층 접착 필름이다. 상기 구현예의 한 실시예에서, 다발로 된 웨이퍼 적층 (BWL) 필름은, 도 3 에서 설명된다. 상기 구현예에서, 지지 테이프는 다이싱 테이프이고, 상기 기재된 다중층 접착 필름은, 필름의 하층이 다이싱 테이프의 접착측에 직접 접촉되도록, 다이싱 테이프에 부착된다. 이어서, BWL 필름은 반도체 웨이퍼에 부착되어 도 4 에서 설명되는 본 발명의 또다른 구현예를 형성할 수 있다. 상기 구현예에서, 다중층 접착 필름은, 필름의 상층이 반도체 웨이퍼의 불활성측 또는 이면측에 접촉하거나, 또는 필름의 하층이 다이싱 테이프에 접촉되도록, 반도체 웨이퍼 및 다이싱 테이프 사이에 끼어 있게 된다. 상기 구현예에서, BWL 필름은 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 (BWBL) 필름으로 지칭될 수 있다. 또다른 구현예에서 (나타내지는 않음), 다중층 접착 필름은, 필름의 상층이 반도체 웨이퍼의 활성측에 접하고, 필름의 하층이 다이싱 테이프에 접하도록 반도체 웨이퍼와 다이싱 테이프 사이에 끼어 있다. In another embodiment, the present invention is the multilayer adhesive film described above laminated on a support tape. In one embodiment of this embodiment, a bundled wafer stack (BWL) film is described in FIG. 3. In this embodiment, the support tape is a dicing tape and the multilayer adhesive film described above is attached to the dicing tape such that the lower layer of the film is in direct contact with the adhesive side of the dicing tape. The BWL film may then be attached to the semiconductor wafer to form another embodiment of the present invention described in FIG. 4. In this embodiment, the multilayer adhesive film is sandwiched between the semiconductor wafer and the dicing tape such that the upper layer of the film contacts the inactive side or the back side of the semiconductor wafer, or the lower layer of the film contacts the dicing tape. . In this embodiment, the BWL film may be referred to as a bundled wafer backside lamination (BWBL) film. In another embodiment (not shown), the multilayer adhesive film is sandwiched between the semiconductor wafer and the dicing tape so that the top layer of the film abuts the active side of the semiconductor wafer and the bottom layer of the film abuts the dicing tape.

본 발명의 또다른 구현예는, 반도체 다이를 기판에 부착하기 위한 프로세스이다. 먼저, BWBL 필름을 상기 기재된 바와 같이 다중층 접착 필름을 다이싱 테이프에 부착하여 형성시킨다. 이어서, BWBL 필름을, 필름의 상층이 웨이퍼의 이면측에 직접 접촉하도록 반도체 웨이퍼에 부착한다. 이어서, 다중층 접착 필름의 상층을 자외선 조사의 적용을 통해 전진시킨다. 상층의 전진은, 다이 픽업 동안 다이의 접착을 방지하기 위한 경화량이 충분하기만 하면, 부분적 또는 완전 경화를 수반할 수 있다. 이어서, 반도체 웨이퍼는, 그에 부착된 다중층 접착 필름과 함께, 다이싱되어 도 5 에 도시한 바와 같이 여러개의 개별 다이 구조체를 형성한다. 이어서, 선택한 개별 다이 구조체를 픽업하고, 접착 필름이 다이와 기판 사이에 함침되도록 기판 상에 정치시킨다. 최종적으로, 다중층 접착 필름의 하층을 경화하기 위해 열을 적용함으로써 다이를 기판에 부착시킨다. 도 6 은 상기 프로세스를 이용하여 기판에 부착된 다이의 단면도를 보여준다.Another embodiment of the invention is a process for attaching a semiconductor die to a substrate. First, a BWBL film is formed by attaching a multilayer adhesive film to a dicing tape as described above. The BWBL film is then attached to the semiconductor wafer so that the upper layer of the film is in direct contact with the backside side of the wafer. The upper layer of the multilayer adhesive film is then advanced through the application of ultraviolet radiation. Advancement of the upper layer may involve partial or complete cure as long as the amount of cure to prevent adhesion of the die during die pickup is sufficient. The semiconductor wafer is then diced, with the multilayer adhesive film attached thereto, to form several individual die structures as shown in FIG. 5. The selected individual die structures are then picked up and left on the substrate so that the adhesive film is impregnated between the die and the substrate. Finally, the die is attached to the substrate by applying heat to cure the underlayer of the multilayer adhesive film. 6 shows a cross-sectional view of a die attached to a substrate using the above process.

다중층 접착 필름의 상층의 유리 전이 온도 (Tg) 는 50℃ 이하이고, 실질적으로 UV-경화성이다. 한 구현예에서, 상기 상층은 (i) UV-경화성 수지 및 (ii) 광개시제를 함유한다. Tg 는, 필름이 형성된 후 (즉, 조성물이 B-스테이지화되거나 또는 건조되어 필름을 형성한 후), 필름의 UV 경화 전에 측정된다. 낮은 Tg 는 필름으로 하여금, 상대적으로 낮은 온도에서 반도체 웨이퍼에 대한 부착에 충분하게 유동하게끔 한다. 한 구현예에서, 상층의 Tg 는 20℃ 미만이다. 또다른 구현예에서, 상층의 Tg 는 0 내지 20℃ 이다. UV-경화성 수지 및 광개시제는, 상층으로 하여금 반도체 웨이퍼에 대한 부착 후 전진되도록 하여, 다이싱 후 근접 다이의 들러붙음을 방지한다. 필름은 일반적으로 적층과 같은 열적 프로세스를 이용하여 반도체 웨이퍼에 적용된다. 80℃ 미만의 적층 온도를 갖는 것이 일반적으로 바람직하며, 때때로 65℃ 미만이 필요하다. 낮은 적층 온도는 두가지 이유로 필요하다. 먼저, 고온에서의 적층은 접착 필름 내 수지를 전진 (부분적으로 경화) 시키는 경향이 있다. 이는 필름의 작업수명을 제한할 수 있고, 이는 또한 유동을 방해하여, 이후 기판에 대한 다이의 결합을 방해할 수 있다. 두번째로는, 더욱 고온에서의 적층은 반도체 웨이퍼를 뒤틀리게 할 수 있다. 이는, 반도체 산업이 더 얇은 웨이퍼를 추구하므로 특히 문제가 되며, 내재적으로 뒤틀림 발생을 더욱 조장한다. 불운하게도, 저온에서 그것이 적층되도록 하는 상층의 낮은 Tg 는 또한 필름으로 하여금 실온에서 약하게 유동하도록 할 수 있다. 따라서, 필름이 웨이퍼에 적층되고 개별 다이로 다이싱된 후에, 다이가 즉시 픽업되어 기판에 위치하지 않는다면, 근접 다이 상의 접착 필름은 서로 접촉하게 되기에 충분히 유동하게 되는 경향이 있다. 상층에 사용되는 수지는 종종 끈적하여 웨이퍼에 대한 적층을 촉진하므로, 상기 유동은 다이로 하여금 서로 들러붙게 하거나 또는 "재접착" 되도록 할 수 있다. 이러한 문제점은 도 7 에 도시되어 있는데, 이는 다이싱 후 유동하여 재접착을 유도하는 선행기술 접착 필름을 보여준다. 본 발명에서는, UV-경화성 수지 및 광개시제는, 필름을 웨이퍼에 적층시킨 후, 필름의 상층이 실질적으로 전진 또는 경화될 수 있게 하기 위한 필요조건이다. 이는 분자량을 증가시키고, 이로써 상층의 용융 점도를 상승시켜, 저장 중에 겪게 되는 것과 같은, 주변 조건에서의 접착제의 유동을 방지하는 것을 보조한다. 이는 들러붙음 또는 재접착 문제를 완화시킨다.The glass transition temperature (Tg) of the upper layer of the multilayer adhesive film is 50 ° C. or less, and is substantially UV-curable. In one embodiment, the top layer contains (i) a UV-curable resin and (ii) a photoinitiator. Tg is measured after the film is formed (ie, after the composition has been B-staged or dried to form a film) and before UV curing of the film. Low Tg causes the film to flow sufficiently for adhesion to the semiconductor wafer at relatively low temperatures. In one embodiment, the Tg of the upper layer is less than 20 ° C. In another embodiment, the Tg of the upper layer is 0-20 ° C. UV-curable resins and photoinitiators allow the top layer to advance after attachment to the semiconductor wafer, thereby preventing the sticking of the adjacent die after dicing. Films are generally applied to semiconductor wafers using thermal processes such as lamination. It is generally desirable to have a lamination temperature of less than 80 ° C., and sometimes less than 65 ° C. is required. Low lamination temperatures are necessary for two reasons. First, lamination at high temperatures tends to advance (partially cure) the resin in the adhesive film. This can limit the working life of the film, which can also impede flow, which in turn can interfere with the bonding of the die to the substrate. Secondly, stacking at higher temperatures can distort the semiconductor wafer. This is particularly problematic as the semiconductor industry seeks thinner wafers, and inherently further encourages warping. Unfortunately, the low Tg of the top layer, which causes it to stack at low temperatures, can also cause the film to flow weakly at room temperature. Thus, after the film is laminated to the wafer and diced into individual dies, if the dies are not immediately picked up and placed on the substrate, the adhesive films on the adjacent dies tend to flow sufficiently to come into contact with each other. Since the resin used in the upper layer is often sticky to facilitate lamination to the wafer, the flow can cause the dies to stick together or "re-bond". This problem is illustrated in FIG. 7, which shows a prior art adhesive film that flows after dicing to induce re-adhesion. In the present invention, the UV-curable resin and the photoinitiator are requirements for allowing the upper layer of the film to be substantially advanced or cured after laminating the film to the wafer. This increases the molecular weight, thereby raising the melt viscosity of the upper layer, which helps to prevent the flow of the adhesive at ambient conditions, such as would be experienced during storage. This alleviates the sticking or re-adhesion problem.

다중층 접착 필름의 상층 중의 UV 경화성 수지는 자외선의 존재 하에 반응, 전진, 가교 또는 중합될 수 있는 임의의 것일 수 있다. 임의의 UV 경화성 수지가 사용된다고 해도, 적합한 UV 경화성 수지의 비제한적 예시에는, 말레이미드, 아크릴레이트, 비닐 에테르 및 스티렌이 포함된다. UV 경화성 수지는, 필러 함량을 제외하고, 일반적으로 상층 조성물의 5 내지 100 중량% 인 유효량으로 존재한다.The UV curable resin in the upper layer of the multilayer adhesive film can be any that can be reacted, advanced, crosslinked or polymerized in the presence of ultraviolet light. Even if any UV curable resin is used, non-limiting examples of suitable UV curable resins include maleimide, acrylate, vinyl ether and styrene. The UV curable resin is generally present in an effective amount of 5-100% by weight of the top layer composition, excluding the filler content.

한 구현예에서, UV 경화성 수지는 고체 방향족 비스말레이미드 (BMI) 수지이다. 적합한 고체 BMI 수지는 하기의 일반 구조를 가진 것이다:In one embodiment, the UV curable resin is a solid aromatic bismaleimide (BMI) resin. Suitable solid BMI resins have the following general structure:

Figure pct00001
Figure pct00001

식 중, X 는 방향족 기이고; 예시 방향족 기에는 하기의 것이 포함된다:Wherein X is an aromatic group; Exemplary aromatic groups include the following:

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

Figure pct00004
Figure pct00004

식 중, n 은 1 내지 3 임;Wherein n is 1 to 3;

Figure pct00005
Figure pct00005
And

Figure pct00006
Figure pct00006

상기 X 가교기를 가진 비스말레이미드 수지는 시판되어 이용가능하며, 예를 들어 Sartomer (USA) 또는 HOS-Technic GmbH (오스트리아) 로부터 입수할 수 있다.Bismaleimide resins having the X crosslinking groups are commercially available and can be obtained, for example, from Sartomer (USA) or HOS-Technic GmbH (Austria).

또다른 구현예에서, UV-경화성 수지는 하기의 일반 구조를 가진 말레이미드 수지이다:In another embodiment, the UV-curable resin is a maleimide resin having the following general structure:

Figure pct00007
Figure pct00007

식 중, n 은 1 내지 3 이고, X1 은 지방족 또는 방향족 기이다. 예시 X1 부분에는, 폴리(부타디엔), 폴리(카르보네이트), 폴리(우레탄), 폴리(에테르), 폴리(에스테르), 단순 탄화수소, 및 관능기, 예컨대 카르보닐, 카르복실, 아미드, 카르바메이트, 우레아 또는 에테르를 포함하는 단순 탄화수소가 포함된다. 이러한 유형의 수지는 시판되어 입수가능하며, 예를 들어 National Starch and Chemical Company 및 Dainippon Ink and Chemical, Inc. 로부터 입수할 수 있다. Wherein n is 1 to 3 and X 1 is an aliphatic or aromatic group. Example X 1 moiety includes poly (butadiene), poly (carbonate), poly (urethane), poly (ether), poly (ester), simple hydrocarbons, and functional groups such as carbonyl, carboxyl, amide, carba Simple hydrocarbons including mate, urea or ethers are included. Resins of this type are commercially available and are available, for example, from National Starch and Chemical Company and Dainippon Ink and Chemical, Inc. It is available from.

한 구현예에서, UV-경화성 수지는 페놀 노볼락 폴리아미드이다:In one embodiment, the UV-curable resin is a phenol novolac polyamide:

Figure pct00008
Figure pct00008

또다른 구현예에서, UV-경화성 수지는 3-말레이미도프로피온산/디메틸옥타놀 부가물이다.In another embodiment, the UV-curable resin is a 3-maleimidopropionic acid / dimethyloctanol adduct.

추가 구현예에서, UV-경화성 수지는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 말레이미드 수지이다:In further embodiments, the UV-curable resin is a maleimide resin selected from the group consisting of:

Figure pct00009
Figure pct00009

식 중, C36 은 36 개 탄소 원자의 선형 또는 분지형 사슬 (환형 부분이 존재 또는 부재) 이다.Wherein C 36 is a linear or branched chain of 36 carbon atoms (with or without cyclic moiety).

Figure pct00010
Figure pct00010

한 구현예에서, UV-경화성 수지는 아닐린-1,4-비스(클로로메틸)벤젠 중합체와의 말레이미드 2,5-푸란디온 반응 생성물이다. In one embodiment, the UV-curable resin is a maleimide 2,5-furandione reaction product with aniline-1,4-bis (chloromethyl) benzene polymer.

적합한 아크릴레이트 수지의 예시에는 하기 일반 구조를 가진 것이 포함된다: Examples of suitable acrylate resins include those having the following general structure:

Figure pct00011
Figure pct00011

식 중, n 은 1 내지 6 이고, R1 은 -H 또는 -CH3 이고, X2 는 방향족 또는 지방족 기이다. 예시 X2 부분에는, 이에 제한되지 않으나, 폴리(부타디엔), 폴리(카르보네이트), 폴리(우레탄), 폴리(에테르), 폴리(에스테르), 단순 탄화수소, 및 관능기, 예컨대 카르보닐, 카르복실, 아미드, 카르바메이트, 우레아, 또는 에테르를 포함하는 단순 탄화수소가 포함된다. 시판되어 입수가능한 물질에는, Kyoeisha Chemical Co., LTD 로부터 입수가능한, 부틸 (메트)아크릴레이트, 이소부틸 (메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올 디아크릴레이트, 2-에틸 헥실 (메트)아크릴레이트, 이소데실 (메트)아크릴레이트, n-라우릴 (메트)아크릴레이트, 알킬 (메트)아크릴레이트, 트리데실 (메트)아크릴레이트, n-스테아릴 (메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)-아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 2-페녹시 에틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메트)아크릴레이트, 퍼플루오로옥티테틸-(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올 디(메트)아크릴레이트, 노닐페놀 폴리페놀 폴리프로폭실레이트 (메트)아크릴레이트, 및 폴리펜톡실레이트 테트라히드로푸르푸릴 아크릴레이트; Sartomer Company, Inc 로부터 입수가능한, 폴리부타디엔 우레탄 디메타크릴레이트 (CN302, NTX6513) 및 폴리부타디엔 디메타크릴레이트 (CN301, NTX6039, PRO6270); Negami Chemical Industries Co., LTD 로부터 입수가능한 폴리카르보네이트 우레탄 디아크릴레이트 (ArtResin UN9200A); Radcure Specialities, Inc 로부터 입수가능한, 아크릴레이트화 지방족 우레탄 올리고머 (Ebecryl 230, 264, 265, 270,284, 4830, 4833, 4834, 4835, 4866, 4881, 4883, 8402, 8800-20R, 8803, 8804); Radcure Speciafities, Inc. 로부터 입수가능한, 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머 (Ebecryl 657, 770, 810, 830, 1657, 1810, 1830); 및 Sartomer Company, Inc. 로부터 입수가능한, 에폭시 아크릴레이트 수지 (CN104, 111, 112, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 124, 136) 가 포함된다. 한 구현예에서, 아크릴레이트 수지는 이소보르닐 아크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 라우릴 메타크릴레이트, 아크릴레이트 관능성이 있는 폴리(부타디엔) 및 메타크릴레이트 관능성이 있는 폴리(부타디엔) 로 이루어지는 군으로부터 선택된다. Wherein n is 1 to 6, R 1 is —H or —CH 3 and X 2 is an aromatic or aliphatic group. Example X 2 moieties include, but are not limited to, poly (butadiene), poly (carbonate), poly (urethane), poly (ether), poly (ester), simple hydrocarbons, and functional groups such as carbonyl, carboxyl Simple hydrocarbons, including amides, carbamates, ureas, or ethers. Commercially available materials include butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tricyclodecanedimethanol diacrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, available from Kyoeisha Chemical Co., LTD. , Isodecyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, n-stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth)- Acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-phenoxy ethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexane Diol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, perfluorooctytetyl- (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, nonylphenol polyphenol Polypropoxylate (meth) acrylate, and Polypentoxylate tetrahydrofurfuryl acrylate; Polybutadiene urethane dimethacrylate (CN302, NTX6513) and polybutadiene dimethacrylate (CN301, NTX6039, PRO6270), available from Sartomer Company, Inc; Polycarbonate urethane diacrylate (ArtResin UN9200A) available from Negami Chemical Industries Co., LTD; Acrylated aliphatic urethane oligomers (Ebecryl 230, 264, 265, 270, 284, 4830, 4833, 4834, 4835, 4866, 4881, 4883, 8402, 8800-20R, 8803, 8804) available from Radcure Specialties, Inc; Radcure Speciafities, Inc. Polyester acrylate oligomers available from Ebecryl 657, 770, 810, 830, 1657, 1810, 1830; And Sartomer Company, Inc. Epoxy acrylate resins (CN104, 111, 112, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 124, 136) available from. In one embodiment, the acrylate resin is isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, lauryl acrylate, lauryl methacrylate, acrylate functional poly (butadiene) and methacrylate functionalities. Selected from the group consisting of poly (butadiene).

한 구현예에서, UV 경화성 수지는 이소보르닐 아크릴레이트, 이소보르닐 메타크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 라우릴 메타크릴레이트, 아크릴레이트 관능성이 있는 폴리(부타디엔) 및 메타크릴레이트 관능성이 있는 폴리(부타디엔) 으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. In one embodiment, the UV curable resin has isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, lauryl acrylate, lauryl methacrylate, acrylate functional poly (butadiene) and methacrylate functionalities. Selected from the group consisting of poly (butadiene).

적합한 비닐 에테르 수지의 예시에는 하기의 일반 구조를 가진 것이 포함된다: Examples of suitable vinyl ether resins include those having the following general structure:

Figure pct00012
Figure pct00012

식 중, n 은 1 내지 6 이고, X3 은 방향족 또는 지방족 기이다. 예시 X3 부분에는, 이에 제한되지 않으나, 폴리(부타디엔), 폴리(카르보네이트), 폴리(우레탄), 폴리(에테르), 폴리(에스테르), 단순 탄화수소, 및 관능기, 예컨대 카르보닐, 카르복실, 카르바메이트, 우레아 또는 에테르를 포함하는 단순 탄화수소가 포함된다. 시판되어 이용가능한 비닐 에테르 수지에는, 시클로헤난-디메탄올 디비닐에테르; 도데실비닐에테르; 시클로헥실 비닐에테르; 2-에틸헥실 비닐에테르; 디프로필렌글리콜 디비닐에테르; 헥산디올 디비닐에테르; 옥타데실비닐에테르; 부탄디올 디비닐에테르; International Specialty Products (ISP) 로부터 입수가능한 부탄디올 디비닐에테르; Sigma-Aldrich, Inc. 로부터 입수가능한 Vectomer 4010, 4020, 4030, 4040, 4051, 4210, 4220, 4230, 4060, 및 5015 가 포함된다. Wherein n is 1 to 6 and X 3 is an aromatic or aliphatic group. Example X 3 moieties include, but are not limited to, poly (butadiene), poly (carbonate), poly (urethane), poly (ether), poly (ester), simple hydrocarbons, and functional groups such as carbonyl, carboxyl Simple hydrocarbons, including carbamate, urea or ethers. Commercially available vinyl ether resins include cyclohenan- dimethanol divinyl ether; Dodecyl vinyl ether; Cyclohexyl vinyl ether; 2-ethylhexyl vinyl ether; Dipropylene glycol divinyl ether; Hexanediol divinyl ether; Octadecyl vinyl ether; Butanediol divinyl ether; Butanediol divinylether available from International Specialty Products (ISP); Sigma-Aldrich, Inc. Vectomer 4010, 4020, 4030, 4040, 4051, 4210, 4220, 4230, 4060, and 5015 available from.

적합한 스티렌 수지에는, 하기 일반 구조를 가진 수지가 포함된다:Suitable styrene resins include resins having the following general structure:

Figure pct00013
Figure pct00013

식 중, n 은 1 이상이고, R4 는 -H 또는 -CH3 이고, X6 는 지방족 기이다. X6 부분의 예시에는, 폴리(부타디엔), 폴리(카르보네이트), 폴리(우레탄), 폴리(에테르), 폴리(에스테르), 단순 탄화수소, 및 관능기, 예컨대 카르보닐, 카르복실, 카르바메이트, 우레아 또는 에테르를 포함하는 단순 탄화수소가 포함된다. 상기 수지는 시판되어 입수가능하며, 예를 들어 National Starch and Chemical Company 또는 Sigma-Aldrich Co. 로부터 입수가능하다. Wherein n is at least 1, R 4 is —H or —CH 3 , and X 6 is an aliphatic group. Examples of the X 6 moiety include poly (butadiene), poly (carbonate), poly (urethane), poly (ether), poly (ester), simple hydrocarbons, and functional groups such as carbonyl, carboxyl, carbamate Simple hydrocarbons, including urea or ethers. Such resins are commercially available and are available, for example, from National Starch and Chemical Company or Sigma-Aldrich Co. Available from.

다중층 접착 필름의 상층 중의 광개시제는, UV 조사에 노출시 UV 경화성 수지의 경화를 개시, 촉진 또는 진행시키는 임의의 것일 수 있다. 광개시제는 B-스테이지화 전에, 용매 함량을 제외하고, 일반적으로 상층의 조성물의 0.1 내지 10 중량% 인 유효량으로 존재한다. 적합한 광개시제에는, 이에 제한되지 않으나, 다음의 것이 포함된다: Ciba Specialty Chemicals 로부터 입수가능한, 1-히드록시-시클로헥실-페닐 케톤, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-(4-모르폴리닐)-1-프로파논, (2,2-디메톡시-1,2-디페닐-에탄-1-온), 2-히드록시-2-메톡시-1-페닐-프로판-1-온, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥시드, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 및 1-[4-{2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메톡시-1-프로판-1-온, 및 이들의 블렌드; Sartomer Company Ltd. 로부터 입수가능한, 벤조인 노르말 부틸 에테르, 에틸 4-(디메틸아미노)벤조에이트, 이소프로필 티옥산톤, 벤질 디메틸 케탈, 올리고(2-히드록시-2-메틸-1-4(1-메틸-비닐)페닐 프로판, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로판, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐 프로파논, 및 이들의 블렌드의 혼합물이 포함된다.The photoinitiator in the upper layer of the multilayer adhesive film may be any that initiates, promotes or advances the curing of the UV curable resin upon exposure to UV radiation. The photoinitiator is present in an effective amount, generally 0.1-10% by weight, of the composition of the upper layer, excluding the solvent content, before B-staging. Suitable photoinitiators include, but are not limited to, the following: 1-hydroxycyclohexyl-phenyl ketone, 2-benzyl-2- (dimethylamino) -1- [4- (available from Ciba Specialty Chemicals. 4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2- (4-morpholinyl) -1-propanone, (2,2- Dimethoxy-1,2-diphenyl-ethan-1-one), 2-hydroxy-2-methoxy-1-phenyl-propane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2 -Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphineoxide, 1-hydroxycyclohexyl-phenyl -Ketones, and 1- [4- {2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methoxy-1-propan-1-one, and blends thereof; Sartomer Company Ltd. Benzoin normal butyl ether, ethyl 4- (dimethylamino) benzoate, isopropyl thioxanthone, benzyl dimethyl ketal, oligo (2-hydroxy-2-methyl-1-4 (1-methyl-vinyl) ) Phenyl propane, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propane, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl propane, and mixtures thereof.

하나 이상의 UV-경화성 수지에 추가하여, 상층은 실질적으로 UV-경화성이 아닌, 즉 자외선에 대한 노출시 실질적으로 전진, 가교 또는 중합되지 않는 하나 이상의 추가적인 수지를 포함할 수 있다. 상층 내의 임의의 추가적인 수지는, 필러 함량을 제외하고, 일반적으로 상층 조성물의 5 내지 95 중량% 인 유효량으로 존재한다. 추가적인 수지의 양 및 유형은, UV 조사로 전진시 상기 상층이 들러붙지 않게 되는 능력을 방해하지 않도록 선택되어야 한다. In addition to the one or more UV-curable resins, the top layer may comprise one or more additional resins that are not substantially UV-curable, ie that are not substantially advanced, crosslinked or polymerized upon exposure to ultraviolet light. Any additional resin in the top layer is generally present in an effective amount that is 5 to 95% by weight of the top layer composition, excluding the filler content. The amount and type of additional resin should be chosen so as not to interfere with the ability of the upper layer to stick to it when advancing with UV irradiation.

다중층 접착 필름의 상층은 특정 반도체 포장에 필요한 임의의 두께일 수 있고, 일반적으로 5 내지 60 μm 이다. 한 구현예에서, 상층은 5 내지 30 μm 두께이다. 상층은 하층과 동일한 두께일 수 있거나, 또는 상이한 두께일 수 있다. The top layer of the multilayer adhesive film can be any thickness needed for a particular semiconductor package and is generally 5 to 60 μm. In one embodiment, the top layer is 5-30 μm thick. The upper layer can be the same thickness as the lower layer or can be a different thickness.

필름의 상층은 웨이퍼에 대한 부착 후 UV 조사에 노출시 실질적으로 경화된다; 대조적으로, 하층은 UV 조사에 노출시 실질적으로 경화하지 않는다. 이는 수지로 하여금 하층에 존재하는 대부분 기판의 거친 표면을 유동하고 웨트-아웃되며, 이어서 다이 부착 동안 열 적용시 경화하도록 한다. 따라서, 다중층 접착 필름은, 픽업 및 정치 후 열 경화 조작을 통해 다이를 기판에 결합시킬 수 있다. 하층의 Tg 는 다이 부착 동안 원하는 유동 및 원하는 웨트-아웃을 제공하는 임의의 것일 수 있다. 한 구현예에서, 하층의 Tg 는 -30℃ 내지 90℃ 이다. 또다른 구현예에서, 하층의 Tg 는 0℃ 내지 20℃ 이다. 하층의 Tg 가 실온 미만인 경우, 하층을 포함하는 수지는 점착성이 아닐 것이다. 그러한 방식으로, 근접 다이 상의 접착 필름의 하층이 서로 접촉하게 되는 경우, 이들은 서로 붙게 되지 않을 것이며, 이는 들러붙거나 또는 재부착되는 일이 일어나지 않게 할 것이다. 상층의 수지와는 대조적으로, 하층에 사용되는 임의의 수지는 일반적으로 점착성이 아닌데, 이는 그것이 다이싱 테이프에 강력하게 접착하기 위한 필요조건이 아니기 때문이다. The upper layer of film is substantially cured upon exposure to UV radiation after adhesion to the wafer; In contrast, the underlayer does not substantially cure upon exposure to UV radiation. This allows the resin to flow and wet out the rough surface of most substrates present in the underlying layer and then to cure upon heat application during die attachment. Thus, the multilayer adhesive film can bond the die to the substrate through pick-up and post-set heat curing operations. The underlying Tg can be anything that provides the desired flow and the desired wet-out during die attach. In one embodiment, the Tg of the lower layer is -30 ° C to 90 ° C. In another embodiment, the Tg of the lower layer is 0 ° C to 20 ° C. If the Tg of the lower layer is less than room temperature, the resin containing the lower layer will not be tacky. In that way, when the lower layers of the adhesive film on the proximal die come into contact with each other, they will not stick to each other, which will prevent sticking or reattaching. In contrast to the resin of the upper layer, any resin used in the lower layer is generally not tacky because it is not a requirement for strong adhesion to the dicing tape.

한 구현예에서, 다중층 접착 필름의 하층은 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하나 이상의 수지를 포함하는데, 즉 이들은 자외선에 대한 노출시 실질적으로 전진성, 가교성 또는 중합성이 아니다.In one embodiment, the underlayer of the multilayer adhesive film comprises one or more resins that are not substantially UV-curable, ie they are not substantially forward, crosslinkable or polymerizable upon exposure to ultraviolet light.

또다른 구현예에서, 다중층 접착 필름의 하층은 광개시제의 존재 하에 UV-경화성인 하나 이상의 수지를 함유한다. 상기 구현예에서, 광개시제는 하층에 존재하지 않으며, 그 결과 하층은 UV-경화성이 아니고, UV 광에 대한 노출시 실질적으로 전진 또는 경화하지 않는다. 하층이 (UV-광개시제는 포함하지 않고) 하나 이상의 UV-경화성 수지를 함유하는 경우, UV-경화성 다이싱 테이프와 함께 접착 필름은 사용하지 않는 것이 바람직한데, 이는 다이싱 테이프에서 개시제와의 접촉은 UV 조사에 노출시 접착 필름의 하층에서 경화를 개시하여, 다이싱 테이프에 너무 강력하게 접착하여 잠재적으로는 다이 픽업 문제를 일으킬 수 있기 때문이다.In another embodiment, the underlayer of the multilayer adhesive film contains at least one resin that is UV-curable in the presence of a photoinitiator. In this embodiment, the photoinitiator is not present in the underlayer, so that the underlayer is not UV-curable and does not substantially advance or cure upon exposure to UV light. If the underlayer contains one or more UV-curable resins (without UV-photoinitiator), it is preferred not to use an adhesive film with the UV-curable dicing tape, which means that contact with the initiator in the dicing tape This is because when exposed to UV irradiation, curing can be initiated in the lower layer of the adhesive film, adhered too strongly to the dicing tape and potentially cause die picking problems.

하층은 단 한가지의 수지를 함유할 수 있거나 또는 여러 수지들의 배합물을 함유할 수 있다. 사용되는 임의의 수지가 실온에서 고체 또는 액체일 수 있고, 한가지를 초과하는 수지가 사용되는 경우, 이들은 액체 및 고체의 임의의 배합물일 수 있다. 한 구현예에서, 하층은 하나 이상의 에폭시 수지를 함유한다. The lower layer may contain only one resin or may contain a combination of several resins. Any resin used may be solid or liquid at room temperature, and when more than one resin is used, they may be any combination of liquid and solid. In one embodiment, the underlayer contains one or more epoxy resins.

하층은 특이적 반도체 패키지에 필요한 임의의 두께일 수 있고, 일반적으로 20 내지 150 μm 두께이다. 하층은 상층과 동일한 두께일 수 있거나, 또는 상이한 두께일 수 있다.The underlayer can be any thickness required for the specific semiconductor package and is generally 20 to 150 μm thick. The lower layer can be the same thickness as the upper layer or can be a different thickness.

실질적으로 UV-경화성이 아니고, 접착 필름의 상층 또는 하층으로의 봉입에 적합한 수지들의 예시에는, 에폭시, 폴리에스테르, 폴리(부타디엔), 폴리이미드, 벤조시클로부텐, 실리콘처리 올레핀, 실리콘 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 열경화성 고무, 폴리올레핀, 실록산 또는 디페닐옥시드 올리고머가 포함된다.Examples of resins that are not substantially UV-curable and suitable for encapsulation into the upper or lower layers of the adhesive film include epoxy, polyester, poly (butadiene), polyimide, benzocyclobutene, silicone olefins, silicone resins, cyanates Ester resins, thermosetting rubbers, polyolefins, siloxanes or diphenyloxide oligomers.

적합한 에폭시 수지에는, 비스페놀, 나프탈렌 및 지방족 유형 에폭시드가 포함된다. 시판되어 입수가능한 재료에는, Dainippon Ink & Chemicals, Inc. 로부터 입수가능한 비스페놀 타입 에폭시 수지 (Epiclon 830LVP, 830CRP, 835LV, 850CRP); Dainippon Ink & Chemicals, Inc. 로부터 입수가능한 나프탈렌 타입 에폭시 (Epiclon HP4032); Ciba Specialty Chemicals 로부터 입수가능한 지방족 에폭시 수지 (Araldite CY179, 184, 192, 175, 179), Union Carbide Corporation 로부터 입수가능한 것 (Epoxy 1234, 249, 206), 및 Daicel Chemical Industries, Ltd. 로부터 입수가능한 것 (EHPE-3150) 이 포함된다. 기타 적합한 에폭시 수지에는 지환족 에폭시 수지, 비스페놀-A 타입 에폭시 수지, 비스페놀-F 타입 에폭시 수지, 에폭시 노볼락 수지, 비페닐 타입 에폭시 수지, 나프탈렌 타입 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔-페놀 타입 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 반응성 에폭시 희석제, 및 이들의 혼합물이 포함된다. 한 구현예에서, 에폭시 수지는 디시클로펜타디엔 및 페놀의 다중첨가 화합물로부터 유도되는 다관능성 에폭시 수지이다. 한 구현예에서, 에폭시 수지는 고무변성 에폭시이다.Suitable epoxy resins include bisphenols, naphthalenes and aliphatic type epoxides. Commercially available materials include Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Bisphenol type epoxy resins available from Epiclon 830LVP, 830CRP, 835LV, 850CRP; Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Naphthalene type epoxy (Epiclon HP4032) available from; Aliphatic epoxy resins available from Ciba Specialty Chemicals (Araldite CY179, 184, 192, 175, 179), those available from Union Carbide Corporation (Epoxy 1234, 249, 206), and Daicel Chemical Industries, Ltd. Available from EHPE-3150. Other suitable epoxy resins include alicyclic epoxy resins, bisphenol-A type epoxy resins, bisphenol-F type epoxy resins, epoxy novolac resins, biphenyl type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene-phenol type epoxy resins, Cresol novolac epoxy resins, reactive epoxy diluents, and mixtures thereof. In one embodiment, the epoxy resin is a multifunctional epoxy resin derived from polyaddition compounds of dicyclopentadiene and phenol. In one embodiment, the epoxy resin is a rubber modified epoxy.

적합한 실리콘처리 올레핀 수지는 하기 일반 구조식을 가진 디비닐 물질과 실리콘의 선별적인 규소화 반응에 의해 수득된다:Suitable siliconized olefin resins are obtained by selective siliconation of silicon with divinyl materials having the general structure:

Figure pct00014
Figure pct00014

식 중, n1 은 2 이상이고, n2 는 1 이상이고, n1>n2 임. 상기 재료는 시판되어 입수가능하며, 예를 들어 National Starch and Chemical Company 로부터 입수가능하다.Wherein n 1 is 2 or more, n 2 is 1 or more, and n 1 > n 2 . Such materials are commercially available and are available, for example, from the National Starch and Chemical Company.

적합한 실리콘 수지에는, 하기 구조식을 가진 반응성 실리콘 수지가 포함된다:Suitable silicone resins include reactive silicone resins having the structure:

Figure pct00015
Figure pct00015

식 중, n 은 0 또는 임의의 정수이고, X4 및 X5 는 수소, 메틸, 아민, 에폭시, 카르복실, 히드록시, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 메르캅토, 페놀, 또는 비닐 관능기이고, R2 및 R3 은 -H, -CH3, 비닐, 페닐, 또는 2 개 이상의 탄소가 있는 임의의 탄화수소 구조일 수 있음. 시판되어 입수가능한 재료에는, Shin-Etsu Silicone International Trading (Shanghai) Co., Ltd 로부터 입수가능한 KF8012, KF8002, KF8003, KF-1001, X-22-3710, KF6001, X-22-164C, KF2001, X-22-170DX, X-22-173DX, X-22-174DX X-22-176DX, KF-857, KF862, KF8001, X-22-3367, 및 X-22-3939A 가 포함된다. Wherein n is 0 or any integer, X 4 and X 5 are hydrogen, methyl, amine, epoxy, carboxyl, hydroxy, acrylate, methacrylate, mercapto, phenol, or vinyl functional group, R 2 and R 3 may be —H, —CH 3 , vinyl, phenyl, or any hydrocarbon structure with two or more carbons. Commercially available materials include KF8012, KF8002, KF8003, KF-1001, X-22-3710, KF6001, X-22-164C, KF2001, X available from Shin-Etsu Silicone International Trading (Shanghai) Co., Ltd. -22-170DX, X-22-173DX, X-22-174DX X-22-176DX, KF-857, KF862, KF8001, X-22-3367, and X-22-3939A.

적합한 시아네이트 에스테르 수지에는 하기 일반 구조를 가진 것이 포함된다:Suitable cyanate ester resins include those having the following general structure:

Figure pct00016
Figure pct00016

식 중, n 은 1 이상이고, X7 은 탄화수소기인 일반 구조식을 가진 것이다. 예시 X7 부분에는, 비스페놀, 페놀 또는 크레졸 노볼락, 디시클로펜타디엔, 폴리부타디엔, 폴리카르보네이트, 폴리우레탄, 폴리에테르, 또는 폴리에스테르가 포함된다. 시판되어 입수가능한 재료에는 하기한 것이 포함된다: Huntsman LLC 로부터 입수가능한 AroCy L-10, AroCy XU366, AroCy XU371, AroCy XU378, XU71787.02L, 및 XU 71787.07L; Lonza Group Limited 로부터 입수가능한 Primaset PT30, Primaset PT30 S75, Primaset PT60, Primaset PT60S, Primaset BADCY1 Primaset DA230S, Primaset MethylCy, 및 Primaset LECY; Oakwood Products, Inc. 로부터 입수가능한 2-알릴페놀 시아네이트 에스테르, 4-메톡시페놀 시아네이트 에스테르, 2,2-비스(4-시아나토페놀)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 비스페놀 A 시아네이트 에스테르, 디알릴비스페놀 A 시아네이트 에스테르, 4-페닐페놀 시아네이트 에스테르, 1,1,1-트리스(4-시아나토페닐)에탄, 4-쿠밀페놀 시아네이트 에스테르, 1,1-비스(4-시아나토페닐)에탄, 2,2,3,4,4,5,5,6,6,7,7-도데카플루오로옥탄디올 디시아네이트 에스테르, 및 4,4'-비스페놀 시아네이트 에스테르.In formula, n is 1 or more, and X <7> has a general structural formula which is a hydrocarbon group. Example X 7 moieties include bisphenol, phenol or cresol novolac, dicyclopentadiene, polybutadiene, polycarbonate, polyurethane, polyether, or polyester. Commercially available materials include the following: AroCy L-10, AroCy XU366, AroCy XU371, AroCy XU378, XU71787.02L, and XU 71787.07L available from Huntsman LLC; Primaset PT30, Primaset PT30 S75, Primaset PT60, Primaset PT60S, Primaset BADCY1 Primaset DA230S, Primaset MethylCy, and Primaset LECY available from Lonza Group Limited; Oakwood Products, Inc. 2-allylphenol cyanate ester, 4-methoxyphenol cyanate ester, 2,2-bis (4-cyanatophenol) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, available from Bisphenol A cyanate ester, diallyl bisphenol A cyanate ester, 4-phenylphenol cyanate ester, 1,1,1-tris (4-cyanatophenyl) ethane, 4-cumylphenol cyanate ester, 1,1- Bis (4-cyanatophenyl) ethane, 2,2,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluorooctanediol dicyanate ester, and 4,4'-bisphenol Cyanate esters.

적합한 열경화성 고무의 예시에는, 카르복시 말단처리 부타디엔-니트릴 (CTBN) 고무, 카르복시 말단처리 부타디엔-니트릴 (CTBN)/에폭시 부가물, 아크릴레이트 고무, 비닐-말단처리 부타디엔 고무, 및 니트릴 부타디엔 고무 (NBR) 가 포함된다. 한 구현예에서, CTBN 에폭시 부가물은 약 20 내지 80 중량% CTBN 및 약 20 내지 80 중량% 디글리시딜 에테르 비스페놀 A: 비스페놀 A 에폭시 (DGEBA) 로 이루어진다. 각종 CTBN 재료들이 Noveon Inc. 로부터 입수가능하고, 각종 비스페놀 A 에폭시 재료들이 Dainippon Ink and Chemicals, Inc. 및 Shell Chemicals 로부터 입수가능하다. NBR 고무는 Zeon Corporation 로부터 시판되어 입수가능하다.Examples of suitable thermoset rubbers include carboxy terminated butadiene-nitrile (CTBN) rubber, carboxy terminated butadiene-nitrile (CTBN) / epoxy adduct, acrylate rubber, vinyl-terminated butadiene rubber, and nitrile butadiene rubber (NBR) Included. In one embodiment, the CTBN epoxy adduct consists of about 20 to 80 wt% CTBN and about 20 to 80 wt% diglycidyl ether bisphenol A: bisphenol A epoxy (DGEBA). Various CTBN materials are available from Noveon Inc. Various bisphenol A epoxy materials are available from Dainippon Ink and Chemicals, Inc. And Shell Chemicals. NBR rubber is commercially available from Zeon Corporation.

적합한 폴리(부타디엔) 중합체에는, 폴리(부타디엔), 에폭시화 폴리(부타디엔), 말레산 폴리(부타디엔), 아크릴레이트화 폴리(부타디엔), 부타디엔-스티렌 공중합체, 니트릴-부타디엔 고무 (NBR), 및 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체, 예컨대 카르복실 말단처리 부타디엔-아크릴로니트릴 (CTBN) 고무가 포함된다. 시판되어 입수가능한 재료에는, Sartomer Company, Inc 로부터 입수가능한 단독중합체 부타디엔 (Ricon130, 131, 134, 142, 150, 152, 153, 154, 156, 157, P30D); Sartomer Company Inc. 로부터 입수가능한 부타디엔 및 스티렌의 랜덤 공중합체 (Ricon 100, 181, 184); Sartomer Company, Inc 로부터 입수가능한 말레인화 폴리(부타디엔) (Ricon 130MA8, 130MA13, 130MA20, 131MA5, 131MA10, 131MA17, 131 MA20, 156MA17); Sartomer Company, Inc 로부터 입수가능한 아크릴레이트화 폴리(부타디엔) (CN302, NTX6513, CN301, NTX6039, PRO6270, Ricacryl 3100, Ricacryl 3500); Sartomer Company, Inc. 로부터 입수가능한 에폭시화 폴리(부타디엔) (Polybd 600, 605) 및 Daicel Chemical Industries, Ltd. 로부터 입수가능한 Epolead PB3600; 및 Hanse Chemical 로부터 입수가능한 아크릴로니트릴 및 부타디엔 공중합체 (Hycar CTBN 시리즈, ATBN 시리즈, VTBN 시리즈 및 ETBN 시리즈) 가 포함된다.Suitable poly (butadiene) polymers include poly (butadiene), epoxidized poly (butadiene), maleic poly (butadiene), acrylated poly (butadiene), butadiene-styrene copolymers, nitrile-butadiene rubber (NBR), and Butadiene-acrylonitrile copolymers such as carboxyl terminated butadiene-acrylonitrile (CTBN) rubbers. Commercially available materials include homopolymer butadiene (Ricon130, 131, 134, 142, 150, 152, 153, 154, 156, 157, P30D) available from Sartomer Company, Inc; Sartomer Company Inc. Random copolymers of butadiene and styrene available from (Ricon 100, 181, 184); Maleated poly (butadiene) available from Sartomer Company, Inc (Ricon 130MA8, 130MA13, 130MA20, 131MA5, 131MA10, 131MA17, 131 MA20, 156MA17); Acrylated poly (butadiene) available from Sartomer Company, Inc (CN302, NTX6513, CN301, NTX6039, PRO6270, Ricacryl 3100, Ricacryl 3500); Sartomer Company, Inc. Epoxidized Poly (Butadiene) (Polybd 600, 605) available from Daicel Chemical Industries, Ltd. Epolead PB3600 available from; And acrylonitrile and butadiene copolymers (Hycar CTBN series, ATBN series, VTBN series and ETBN series) available from Hanse Chemical.

한 구현예에서, 다중층 접착 필름의 상층은 고무 공중합체, 예컨대 부타디엔, 아크릴로니트릴 및 아크릴산의 공중합체 (CTBN) 를 함유한다. 적합한 고무 공중합체에는, 예를 들어 Zeon Chemicals LP 로부터 입수가능한 NIPOL® 1072 가 포함된다. 고무 공중합체는 웨이퍼에 대한 적층에 필요한 낮은 Tg 및 유연성을 제공을 보조한다. In one embodiment, the upper layer of the multilayer adhesive film contains a rubber copolymer such as a copolymer of butadiene, acrylonitrile and acrylic acid (CTBN). Suitable rubber copolymers include, for example, NIPOL® 1072 available from Zeon Chemicals LP. The rubber copolymer aids in providing the low Tg and flexibility needed for lamination to the wafer.

접착 필름의 하층은 열 경화제를 함유한다. 접착 필름의 상층은 선택적으로는, 열 경화성 수지가 그의 조성물에 포함되는 경우, 열 경화제를 포함할 수 있다. 열 경화성 수지가 상층 중의 UV-경화성 수지와 동일하거나, 또는 상이할 수 있다. 예를 들어, 비스말레이미드 수지는 UV 또는 열 수단에 의해 개시할 수 있다. 비스말레이미드 수지가 광개시제 및 열 개시제의 두가지 모두의 존재 하에 사용되는 경우, 원래는 UV 노출 동안 (반도체 웨이퍼에 대한 적층 후) 경화할 것이다. 그러나, 상기 경화 단계 후에도 약간의 불포화 결합이 여전히 있을 수 있다. UV 개시제에 추가하여 열 개시제의 포함은 프로세서에서의 열 다운스트림의 적용시 (일반적으로 다이 부착 경화 동안) 수지의 더욱 완전한 경화를 가능케 한다. 하층 중의 열 개시제의 존재는, 가열시 하층의 경화 및 기판에 대한 부착을 가능케 한다.The lower layer of the adhesive film contains a thermosetting agent. The upper layer of the adhesive film may optionally include a thermosetting agent when the thermosetting resin is included in its composition. The thermosetting resin may be the same as or different from the UV-curable resin in the upper layer. For example, the bismaleimide resin can be initiated by UV or thermal means. If bismaleimide resins are used in the presence of both photoinitiators and thermal initiators, they will originally cure (after lamination to semiconductor wafers) during UV exposure. However, some unsaturated bonds may still be present after the curing step. The inclusion of a thermal initiator in addition to the UV initiator allows for more complete curing of the resin upon application of heat downstream in the processor (generally during die attach curing). The presence of the thermal initiator in the underlayer allows the underlayer to harden upon heating and adhere to the substrate.

열 경화제는, 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 전 하층 조성물의 일반적으로 10 중량% 이하인 유효량으로 존재한다. 상층에 사용되는 경우, 열 경화제는, 용매 함량을 제외하고, 일반적으로 B-스테이지화 전 상층 조성물의 10 중량% 이하인 유효량으로 존재한다. 열 경화제는, 각 층에 사용되는 특정 수지에 따라서, 이온성 또는 자유 라디칼일 수 있다. 적합한 이온 경화제의 예시에는, 방향족 아민, 지환족 아민, 지방족 아민, 3 차 포스핀, 트리아진, 금속 염, 방향족 히드록실 화합물, 디시안디아미드, 아디프산 디히드라자이드, BF3-아민 착물, 아민 염; 이미다졸, 예컨대 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실 이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-에틸 4-메틸 이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구아나미노에틸-2-메틸이미다졸, 이미다졸 및 트리멜리트산의 부가 생성물, 및 개질된 이미다졸 화합물; 아민 및 3 차 아민, 예컨대 N,N-디메틸 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, N,N-디메틸톨루이딘, N,N-디메틸-p-아니시딘, p-할로게노-N,N-디메틸아닐린, 2-N-에틸아닐리노 에탄올, 트리-p-부틸아민, 피리딘, 퀴놀린, N-메틸모르폴린, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸부탄디아민, N-메틸피페리딘, 및 4,4'-디아미노 디페닐 술폰; 페놀, 예컨대 페놀, 크레졸, 자일레놀, 레소르신, 및 플로로글루신; 유기 금속 염, 예컨대 납 나프테네이트, 납 스테아레이트, 아연 나프테네이트, 아연 옥톨레이트, 주석 올레에이트, 디부틸 주석 말레에이트, 망간 나프테네이트, 코발트 나프테네이트, 및 아세틸 아세톤 철; 무기 금속 염, 예컨대 염화주석, 염화아연 및 염화알루미늄; 디-t-부틸 디퍼프탈레이트; 산 수화물, 예컨대 카르복실산 수화물, 말레산 수화물, 프탈산 수화물, 라우르산 수화물, 피로멜리트산 수화물, 헥사히드로 프탈산 수화물; 헥사히드로 피로멜리트산 수화물 및 헥사히드로트리멜리트산 수화물이 포함된다. 적합한 자유 라디칼 경화제의 예시에는, 퍼옥시드 및 아조 화합물, 예컨대 벤조일 퍼옥시드, 라우로일 퍼옥시드, 3 차 부틸 퍼옥시드, 옥타노일 퍼옥시드, 아세틸 퍼옥시드, 파라-클로로벤조일 퍼옥시드, 부틸 퍼옥토에이트, 디쿠밀 퍼옥시드, 아조이소부틸로니트릴, 2,2'-아조비스프로판, 2,2'-아조비스(2-메틸-프로판니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸-프로판니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸-부탄니트릴), m,m'-아조시스티렌 및 히드로존이 포함된다.The thermal curing agent, except for the solvent content, is present in an effective amount of generally 10% by weight or less of the lower layer composition before B-staging. When used in the upper layer, the thermal curing agent, except for the solvent content, is generally present in an effective amount of up to 10% by weight of the upper layer composition before B-staging. Thermal curing agents can be ionic or free radicals, depending on the particular resin used in each layer. Examples of suitable ion curing agents include aromatic amines, cycloaliphatic amines, aliphatic amines, tertiary phosphines, triazines, metal salts, aromatic hydroxyl compounds, dicyandiamides, adipic acid dihydrazides, BF3-amine complexes, amines salt; Imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecyl imidazole, 2-phenylimidazole, 2-ethyl 4-methyl imidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl- Adducts of 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-guanaminoethyl-2-methylimidazole, imidazole and trimellitic acid, and modified imidazole compound; Amines and tertiary amines such as N, N-dimethyl benzylamine, N, N-dimethylaniline, N, N-dimethyltoluidine, N, N-dimethyl-p-anisidine, p-halogeno-N, N-dimethyl Aniline, 2-N-ethylanilino ethanol, tri-p-butylamine, pyridine, quinoline, N-methylmorpholine, triethanolamine, triethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethylbutanediamine, N-methylpiperidine, and 4,4'-diamino diphenyl sulfone; Phenols such as phenol, cresol, xylenol, resorcin, and phloroglucin; Organometallic salts such as lead naphthenate, lead stearate, zinc naphthenate, zinc octolate, tin oleate, dibutyl tin maleate, manganese naphthenate, cobalt naphthenate, and acetyl acetone iron; Inorganic metal salts such as tin chloride, zinc chloride and aluminum chloride; Di-t-butyl diperphthalate; Acid hydrates such as carboxylic acid hydrate, maleic acid hydrate, phthalic acid hydrate, lauric acid hydrate, pyromellitic acid hydrate, hexahydro phthalic acid hydrate; Hexahydro pyromellitic acid hydrate and hexahydrotrimellitic acid hydrate. Examples of suitable free radical curing agents include peroxides and azo compounds such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, tertiary butyl peroxide, octanoyl peroxide, acetyl peroxide, para-chlorobenzoyl peroxide, butyl perocto 8, dicumyl peroxide, azoisobutylonitrile, 2,2'-azobispropane, 2,2'-azobis (2-methyl-propanenitrile), 2,2'-azobis (2-methyl- Propanenitrile), 2,2'-azobis (2-methyl-butanenitrile), m, m'- azocystyrene and hydrozone.

경화제는 또한, 경화 가속제, 예컨대 에폭시 경화제용으로 사용되는 것일 수 있고, 트리페닐포스핀, 알킬-치환 이미다졸, 이미다졸륨 염, 오늄 염, 4 차 포스포늄 화합물, 오늄 보레이트, 금속 킬레이트, 및 1,8-디아자시클로[5.4.0]운덱스-7-엔으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.The curing agent may also be one used for a curing accelerator such as an epoxy curing agent and may be triphenylphosphine, alkyl-substituted imidazole, imidazolium salt, onium salt, quaternary phosphonium compound, onium borate, metal chelate, And 1,8-diazacyclo [5.4.0] undex-7-ene.

금속 화합물은 또한 시아네이트 에스테르 수지 시스템을 위한 경화제 또는 가속제로서 채용될 수 있고, 여기에는, 이에 제한되지 않으나, 금속 나프테네이트, 금속 아세틸아세토네이트 (킬레이트), 금속 옥토에이트, 금속 아세테이트, 금속 할라이드, 금속 이미다졸 착물 및 금속 아민 착물이 포함될 수 있다. Metal compounds may also be employed as hardeners or accelerators for cyanate ester resin systems, including but not limited to metal naphthenates, metal acetylacetonates (chelates), metal octoates, metal acetates, metals Halides, metal imidazole complexes and metal amine complexes may be included.

다중층 필름 제조를 위한 임의의 적합한 방법이 채용될 수 있다. 한 구현예에서, 상층 및 하층은 개별적으로 형성된 후, 함께 적층되어 다중층 접착 필름을 형성한다. 적합한 적층 온도는 특이적 필름의 Tg 에 따라 다양하며, 일반적인 범위는 50 내지 100℃ 이다. 적층 압력은 일반적으로 5 내지 60 psi 이다.Any suitable method for producing a multilayer film can be employed. In one embodiment, the upper and lower layers are formed separately and then laminated together to form a multilayer adhesive film. Suitable lamination temperatures vary depending on the Tg of the specific film, with a general range of 50 to 100 ° C. Lamination pressure is generally 5 to 60 psi.

실무자들은 특별한 반도체 패키지 또는 제조 프로세스에 맞추기 위해 필름 특성을 개별맞춤하기 위한 목적으로 다중층 접착 필름의 상층 또는 하층에 추가적인 구성요소들을 포함하도록 선택할 수 있다. 상기 구성요소들은, 이에 제한되지 않으나, 필러, 커플링제, 접착 촉진제, 계면활성제, 습윤화제, 유동 조절제, 공기 방출제, 점착부여 수지, 및 용매를 포함하는 당업계에 공지된 타입 및 양의 것이다. Practitioners may choose to include additional components on top or bottom of the multilayer adhesive film for the purpose of individualizing the film properties to suit a particular semiconductor package or manufacturing process. The components are of a type and amount known in the art including, but not limited to, fillers, coupling agents, adhesion promoters, surfactants, wetting agents, flow control agents, air release agents, tackifying resins, and solvents. .

이에 제한되지 않으나, 유변성, 응력, 열팽창계수, 전기적 및/또는 열적 전도성 및 모듈러스를 포함하는 다수의 특성들을 조정하기 위해, 하나 이상의 필러가 포함될 수 있다. 특별한 타입의 필러가 본 발명에 중요한 것은 아니며, 특정 목표 용도의 필요에 맞춰 당업자에 의해 선별될 수 있다. 필러는 전도성이거나 또는 비전도성일 수 있다. 적합한 전도성 필러의 비제한적 예시에는, 카본 블랙, 흑연, 황금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄, 실리콘 카바이드, 질화붕소, 다이아몬드 및 알루미나가 포함된다. 적합한 비전도성 필러의 비제한적 예시에는, 알루미나, 수산화알루미늄, 실리카, 질석, 미카, 규회석, 칼슘 카르보네이트, 티타니아, 모래, 유리, 황산바륨, 지르코늄, 카본 블랙, 유기 필러 및 할로겐화 에틸렌 중합체, 예컨대 테트라플루오로에틸렌, 트리플루오로에틸렌, 비닐리덴 플루오라이드, 비닐 플루오라이드, 비닐리덴 클로라이드, 및 비닐 클로라이드가 포함된다. 필러 입자들은 나노 크기 내지 수 mil 의 범위의 임의의 적당한 크기의 것일 수 있다. 임의의 특별한 패키지 구조를 위한 상기 크기의 선택은 당업자의 재량이다. 필러는 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 전 필름층의 0 내지 95 중량% 의 양의 범위로 존재할 수 있다.One or more fillers may be included to adjust a number of properties including, but not limited to, rheology, stress, coefficient of thermal expansion, electrical and / or thermal conductivity, and modulus. No particular type of filler is important to the present invention and may be selected by those skilled in the art to suit the needs of a particular target application. The filler may be conductive or nonconductive. Non-limiting examples of suitable conductive fillers include carbon black, graphite, gold, silver, copper, platinum, palladium, nickel, aluminum, silicon carbide, boron nitride, diamond and alumina. Non-limiting examples of suitable nonconductive fillers include alumina, aluminum hydroxide, silica, vermiculite, mica, wollastonite, calcium carbonate, titania, sand, glass, barium sulfate, zirconium, carbon black, organic fillers and halogenated ethylene polymers such as Tetrafluoroethylene, trifluoroethylene, vinylidene fluoride, vinyl fluoride, vinylidene chloride, and vinyl chloride. The filler particles may be of any suitable size ranging from nano size to several mils. The choice of size for any particular package structure is at the discretion of the skilled person. The filler may be present in an amount ranging from 0 to 95% by weight of the film layer before B-staging, excluding the solvent content.

한 구현예에서, 커플링제 또는 접착 촉진제는 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 포함될 수 있다. 접착 촉진제 선택은 적용 필요조건 및 채용되는 특정 수지 화학에 좌우될 것이다. 접착 촉진제는, 사용되는 경우, 용매 함량을 제외하고, 일반적으로 B-스테이지화 전 필름층의 5 중량% 이하인 유효량으로 사용될 것이다. 적합한 접착 촉진제의 예시에는 하기한 것이 포함된다: 에폭시-타입 실란 커플링제, 아민-타입 실란 커플링제, 메르캅토-타입 실란 커플링제; 감마-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란; 글리시독시프로필 트리메톡시실란; Dow Corning 으로부터 입수가능한 Z6040 에폭시 실란, Z6030 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 또는 Z6020 아민 실란; OSI Silquest 로부터 입수가능한 A186 Silane, A187 Silane, A174 Silane, 또는 A1289; Degussa 로부터 입수가능한 Organosilane SI264; Johoku Chemical 로부터 입수가능한 Johoku Chemical CBT-1 카르보벤조트리아졸; 관능성 벤조트리아졸; 티아졸; 티타네이트; 및 지르코네이트.In one embodiment, the coupling agent or adhesion promoter may be included in the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. Adhesion promoter selection will depend on the application requirements and the particular resin chemistry employed. Adhesion promoters, if used, will be used in an effective amount, generally 5% by weight or less of the film layer before B-staging, except for the solvent content. Examples of suitable adhesion promoters include the following: epoxy-type silane coupling agents, amine-type silane coupling agents, mercapto-type silane coupling agents; Gamma-methacryloxypropyltrimethoxysilane; Glycidoxypropyl trimethoxysilane; Z6040 epoxy silane, Z6030 methacryloxypropyltrimethoxysilane or Z6020 amine silane available from Dow Corning; A186 Silane, A187 Silane, A174 Silane, or A1289 available from OSI Silquest; Organosilane SI264 available from Degussa; Johoku Chemical CBT-1 carbobenzotriazole available from Johoku Chemical; Functional benzotriazoles; Thiazole; Titanate; And zirconate.

추가 구현예에서, 계면활성제가 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 첨가될 수 있다. 적합한 계면활성제에는, 실리콘, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 블록 공중합체, 에틸렌 디아민 기재 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 블록 공중합체, 폴리올-기재 폴리옥시알킬렌, 지방 알콜-기재 폴리옥시알킬렌, 지방 알콜-기재 폴리옥시알킬렌 알킬 에테르가 포함된다. 계면활성제는, 사용되는 경우, 유효량으로 사용될 것이며; 전형적인 유효량은, 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 이전 필름층의 5 중량% 이하인 양이다. In further embodiments, surfactants may be added to the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. Suitable surfactants include silicones, polyethylene glycols, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, ethylene diamine based polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, polyol-based polyoxyalkylenes, fatty alcohol-based polyoxyalkyls Lene, fatty alcohol-based polyoxyalkylene alkyl ethers. If used, the surfactant will be used in an effective amount; Typical effective amounts are amounts of up to 5% by weight of the film layer before B-staging, excluding the solvent content.

또다른 구현예에서, 습윤제는 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 포함될 수 있다. 습윤제 선택은 적용 필요조건 및 사용되는 특이적 수지 화학에 좌우될 것이다. 습윤제는, 사용되는 경우, 유효량으로 사용된다: 일반적인 유효량은, 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 이전 필름층의 5 중량% 이하이다. 적합한 습윤제의 예시에는, 3M 으로부터 입수가능한 Fluorad FC-4430 Fluorosurfactant, Rhom and Haas 로부터 입수가능한 Clariant Fluowet OTN, BYK W-990, Surfynol 104 Surfactant, Crompton Sowet L-7280, Triton X100, 바람직하게는 Mw 가 240 을 초과하는 프로필렌 글리콜, 감마-부티로락톤, 평지유, 글리세린 또는 기타 지방산, 및 실란이 포함된다.In another embodiment, the wetting agent may be included in the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. Wetting agent selection will depend on the application requirements and the specific resin chemistry used. Wetting agents, if used, are used in an effective amount: A typical effective amount is 5% by weight or less of the film layer before B-staging, excluding the solvent content. Examples of suitable humectants include Fluorad FC-4430 Fluorosurfactant, available from 3M, Clariant Fluowet OTN, BYK W-990, Surfynol 104 Surfactant, Crompton Sowet L-7280, Triton X100, preferably Mw 240 available from Rhom and Haas. More than propylene glycol, gamma-butyrolactone, rapeseed oil, glycerin or other fatty acids, and silanes.

추가 구현예에서, 유동 조절제는 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 포함될 수 있다. 유동 조절제 선별은 적용 필용조건 및 채용되는 특이적 수지 화학에 좌우될 것이다. 유동 조절제는, 사용되는 경우, 유효량으로 존재할 것이다: 유효량은, 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 이전 필름층의 20 중량% 이하의 양이다. 적합한 유동 조절제의 예시에는, Cabot 으로부터 입수가능한 Cab-O-Sil TS720, Degussa 로부터 입수가능한 Aerosil R202 또는 R972, 발연 실리카, 발연 알루미나 또는 발연 금속 옥시드가 포함된다.In further embodiments, flow control agents may be included in the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. Flow regulator screening will depend on the application requirements and the specific resin chemistry employed. The flow control agent, if used, will be present in an effective amount: The effective amount is up to 20% by weight of the film layer before B-staging, excluding the solvent content. Examples of suitable flow regulators include Cab-O-Sil TS720, available from Cabot, Aerosil R202 or R972, available from Degussa, fumed silica, fumed alumina or fumed metal oxides.

추가 구현예에서, 공기 방출제 (소포제) 가 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 포함될 수 있다. 공기 방출제 선택은 적용 필요조건 및 채용되는 특이적 수지 화학에 좌우될 것이다. 공기 방출제는, 사용되는 경우, 유효량으로 사용될 것이다. 일반적인 유효량은, 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 이전 필름층의 5 중량% 이하이다. 적합한 공기 방출제의 예시에는 Dow Corning 로부터 입수가능한 Antifoam 1400, DuPont Modoflow, 및 BYK A-510 이 포함된다.In further embodiments, an air release agent (antifoam) can be included in the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. The air release agent selection will depend on the application requirements and the specific resin chemistry employed. Air release agents, if used, will be used in an effective amount. Typical effective amounts are 5% by weight or less of the film layer before B-staging, excluding solvent content. Examples of suitable air release agents include Antifoam 1400, DuPont Modoflow, and BYK A-510 available from Dow Corning.

일부 구현예에서, 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층은, 접착성 개선 및 점착성 도입을 위해 점착부여 수지와 함께 제형화되며; 점착부여 수지의 예시에는, 자연 발생 수지 및 개질된 자연 발생 수지; 폴리테르펜 수지; 페놀계 테르펜 수지; 쿠마론-인덴 수지; 지방족 및 방향족 석유 탄화수소 수지; 프탈레이트 에스테르; 수소첨가 탄화수소, 수소첨가 로진 및 수소첨가 로진 에스테르가 포함된다. 점착부여 수지는, 사용되는 경우, 유효량으로 사용된다. 일반적인 유효량은, 용매 함량을 제외하고, B-스테이지화 이전의 필름층의 5 중량% 이하이다.In some embodiments, the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film are formulated with tackifying resins for adhesion improvement and tack introduction; Examples of tackifying resins include naturally occurring resins and modified naturally occurring resins; Polyterpene resins; Phenolic terpene resins; Coumarone-indene resin; Aliphatic and aromatic petroleum hydrocarbon resins; Phthalate esters; Hydrogenated hydrocarbons, hydrogenated rosin and hydrogenated rosin esters. Tackifying resin, when used, is used in an effective amount. A typical effective amount is 5% by weight or less of the film layer before B-staging, excluding the solvent content.

일부 구현예에서, 기타 구성요소들, 예를 들어 희석제, 예컨대 액체 폴리부텐 또는 폴리프로필렌; 석유 왁스, 예컨대 파라핀 및 미세결정성 왁스, 폴리에틸렌 그리스, 수소첨가 동물, 어류 및 식물 지방, 미네랄 오일 및 합성 왁스, 나프텐 또는 파라핀 미네랄 오일이, 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 포함될 수 있다.In some embodiments, other components, such as diluents such as liquid polybutene or polypropylene; Petroleum waxes such as paraffin and microcrystalline waxes, polyethylene greases, hydrogenated animals, fish and plant fats, mineral oils and synthetic waxes, naphthenic or paraffin mineral oils may be included in the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. have.

당업자에게 공지된 타입 및 양의, 기타 첨가제, 예컨대 안정화제, 산화방지제, 충격 개질제, 및 착색제가 또한, 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 첨가될 수 있다.Other additives of the type and amount known to those skilled in the art, such as stabilizers, antioxidants, impact modifiers, and colorants, may also be added to the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film.

25℃ 내지 230℃ 범위의 적당한 융점을 가진 통상적인 용매가 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 첨가될 수 있다. 사용될 수 있는 적합한 용매의 예시에는, 케톤, 에스테르, 알콜, 에테르, 및 안정하며 조성물 내 경화성 수지를 용해시키는 기타 통상적인 용매가 포함된다. 적합한 용매에는, γ-부티로락톤, 프로필렌 글리콜 메틸 에틸 아세테이트 (PGMEA), 메틸 에틸 케톤 (MEK), 톨루엔, 에틸 아세테이트, 및 4-메틸-2-펜타논이 포함된다.Conventional solvents with suitable melting points in the range of 25 ° C. to 230 ° C. may be added to the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. Examples of suitable solvents that may be used include ketones, esters, alcohols, ethers, and other conventional solvents that are stable and dissolve the curable resin in the composition. Suitable solvents include γ-butyrolactone, propylene glycol methyl ethyl acetate (PGMEA), methyl ethyl ketone (MEK), toluene, ethyl acetate, and 4-methyl-2-pentanone.

하나 이상의 틈새 감소 화합물 (void reduction compound) 이 또한 다중층 접착 필름의 상층 및/또는 하층에 첨가될 수 있다. 적합한 틈새 감소 화합물에는, 이에 제한되지 않으나, 서로 연속하여 2 개 이상의 Si-O 결합 및 1 개 이상의 반응성 관능성을 가진 것이 포함된다. 상기 타입의 틈새 감소 화합물의 비제한적 예시에는 하기한 것이 포함된다: One or more void reduction compounds may also be added to the upper and / or lower layers of the multilayer adhesive film. Suitable gap reducing compounds include, but are not limited to, those having two or more Si—O bonds and one or more reactive functionalities in series with one another. Non-limiting examples of this type of gap reducing compound include the following:

(메타크릴옥시프로필트리스(트리메틸실록시)실란); (Methacryloxypropyltris (trimethylsiloxy) silane);

Figure pct00018
(비닐 말단처리 폴리디메틸실록산);
Figure pct00018
(Vinyl terminated polydimethylsiloxane);

Figure pct00019
Figure pct00019

(비닐 말단처리 (15 내지 17% 디페닐실록산)-디메틸실록산 공중합체);(Vinyl terminated (15-17% diphenylsiloxane) -dimethylsiloxane copolymer);

Figure pct00020
Figure pct00020

(에폭시프로폭시 프로필 말단처리 폴리디메틸실록산);(Epoxypropoxy propyl terminated polydimethylsiloxane);

Figure pct00021
Figure pct00021

((0.8 내지 1.2% 비닐메틸실록산)-디메틸실록산 공중합체, 트리메틸실록시 말단처리);((0.8-1.2% vinylmethylsiloxane) -dimethylsiloxane copolymer, trimethylsiloxy terminated);

Figure pct00022
Figure pct00022

(메타크릴옥시프로필 t-구조 실록산); 및 이들의 조합.(Methacryloxypropyl t-structure siloxane); And combinations thereof.

다중층 접착 필름의 각각의 층들은 당업계에 공지된 임의의 적합한 방식으로 집적된다. 개별 층들은 채용되는 특별한 제형 및 제조 환경을 위해 적당하게 상이한 방식으로 또는 동일한 방식으로 집적될 수 있다. 한가지 전형적인 프로세스에서, 필름층 조성물은 캐리어 상에 코팅되고, 얇고 균일한 층을 형성한다. 이어서, 조성물을 B-스테이지화하여 비-점착성의 균일한 접착 필름의 층을 생성한다. 접착 필름층의 경화는, 채용된 접착 제형물에 좌우되어 다수의 방식으로 달성될 수 있다.Each layer of the multilayer adhesive film is integrated in any suitable manner known in the art. The individual layers can be integrated in different ways or in the same manner as appropriate for the particular formulation and manufacturing environment employed. In one typical process, the film layer composition is coated on the carrier and forms a thin, uniform layer. The composition is then B-staged to produce a layer of non-tacky, uniform adhesive film. Curing of the adhesive film layer can be accomplished in a number of ways depending on the adhesive formulation employed.

한 구현예에서, 상층 및/또는 하층 조성물은 하나 이상의 액체 경화성 수지 및 용매를 함유한다. 상기 구현예에서, 접착제는, 조성물을 충분히 가열하여 용매를 증발시키고 경화성 수지 또는 수지들을 부분적으로 경화시킴으로써, 비점착성 또는 매우 느린 유동 상태로 경화된다. In one embodiment, the upper and / or lower layer composition contains one or more liquid curable resins and a solvent. In this embodiment, the adhesive is cured to a non-tacky or very slow flow state by heating the composition sufficiently to evaporate the solvent and partially cure the curable resin or resins.

또다른 구현예에서, 상층 및/또는 하층 조성물은 용매에 용해되는 고체 경화성 수지를 함유한다. 상기 구현예에서, 접착제는, 조성물을 충분히 가열하여 용매를 증발시키고, 비점착성 수지-기재 필름을 남겨 비점착성 또는 매우 느린 유동 상태로 경화시킨다. 상기 방법은, 다중층 접착 필름의 상층에 특히 잘 맞는데, 이는 비점착성 필름층 생성에는 수지의 전진이 필요하지 않아, UV-경화성 수지 시스템이 사용될 수 있기 때문이다.In another embodiment, the upper and / or lower layer composition contains a solid curable resin that is dissolved in a solvent. In this embodiment, the adhesive sufficiently heats the composition to evaporate the solvent and leaves a non-tacky resin-based film to cure to a non-tacky or very slow flow state. The method is particularly well suited to the upper layers of multilayer adhesive films, since the advancement of the resin is not necessary to produce a non-tacky film layer, since a UV-curable resin system can be used.

또다른 구현예에서, 상층 및/또는 하층 조성물은 하나 이상의 액체, 열경화성 수지를 함유한다. 상기 구현예에서, 조성물은, 접착제를 충분히 가열하여 경화성 수지가 비점착성 또는 매우 느린 유동 상태로 부분적으로 전진하도록 함으로써 비점착성 또는 매우 느린 유동 상태로 경화된다. In another embodiment, the upper and / or lower layer composition contains one or more liquid, thermosetting resins. In this embodiment, the composition is cured to a non-tacky or very slow flow state by heating the adhesive sufficiently to partially advance the curable resin into a non-tacky or very slow flow state.

개별 필름층 또는 다중층 접착 필름을 위한 담체는 개별 층 조성물이 박층에 적용될 수 있고, 필름으로의 B-스테이지화 동안 조성물을 유지할 임의의 것일 수 있다. 상기 담체는 또한 결합시킬 항목들에 대한 적용 및/또는 추가적인 프로세싱 단계, 예컨대 웨이퍼, 또다른 필름층 또는 다이싱 테이프에 대한 적층을 통해 필름을 유지할 수 있다. 한가지 특별히 적합한 담체는 방출 라이너이다. 적합한 방출 라이너의 예시에는, 폴리이미드 (Pl) 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 필름, 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름이 포함된다.The carrier for the individual film layer or multilayer adhesive film can be any of which the individual layer composition can be applied to the thin layer and which will retain the composition during B-stage to the film. The carrier may also hold the film through application to the items to be bonded and / or additional processing steps, such as lamination to a wafer, another film layer or dicing tape. One particularly suitable carrier is a release liner. Examples of suitable release liners include polyimide (Pl) films, polyethylenenaphthalate (PEN) films, and polyethyleneterephthalate (PET) films.

본 발명의 한 구현예에서, 상기에 기재된 다중층 접착 필름은, 다중층 접착 필름의 하층이 직접 다이싱 테이프에 접하도록 다이싱 테이프에 부착된다. 다중층 접착 필름은 일반적으로 적층을 통해 다이싱 테이프에 부착된다. 다이싱 테이프는 감압성 접착제 (PSA) 다이싱 테이프 또는 자외선 (UV)-경화성 다이싱 테이프일 수 있다. 일반적인 테이프는 70 내지 110 μm 두께인 폴리올레핀 또는 폴리비닐 클로라이드 (PVC) 담체 필름 상에 3 내지 30 μm 의 접착제 두께를 갖지만, 당업자는 이용될 특별한 공업 프로세스에 맞춰 상이한 구조를 가진 테이프가 선택될 수 있다는 것을 감안할 것이다. In one embodiment of the present invention, the multilayer adhesive film described above is attached to the dicing tape such that the lower layer of the multilayer adhesive film is in direct contact with the dicing tape. The multilayer adhesive film is generally attached to the dicing tape through lamination. The dicing tape can be a pressure sensitive adhesive (PSA) dicing tape or an ultraviolet (UV) -curable dicing tape. Typical tapes have an adhesive thickness of 3 to 30 μm on polyolefin or polyvinyl chloride (PVC) carrier films that are 70 to 110 μm thick, but those skilled in the art can choose tapes with different structures to suit the particular industrial process to be used. Will be taken into account.

본 발명의 또다른 구현예에서, 상기 기재된 BWBL 필름은, 다중층 접착 필름이 반도체 웨이퍼와 다이싱 테이프 사이에 끼어 있도록 반도체 웨이퍼에 부착된다. 상기 구축에서, 다중층 접착 필름의 상층은 반도체 웨이퍼의 이면 또는 불활성 측과 접하고, 다중층 접착 필름의 하층은 다이싱 테이프의 접착측에 접한다. BWBL 필름은 일반적으로 40 내지 100℃ 의 온도 및 5 내지 40 psi 의 압력에서의 적층 프로세스를 이용하여 반도체 웨이퍼에 부착된다. 한 구현예에서, 상기 필름은 50 내지 80℃ 의 온도 및 15 내지 30 psi 의 압력에서 반도체 웨이퍼에 적층된다.In another embodiment of the invention, the BWBL film described above is attached to the semiconductor wafer such that the multilayer adhesive film is sandwiched between the semiconductor wafer and the dicing tape. In this construction, the upper layer of the multilayer adhesive film is in contact with the back surface or inactive side of the semiconductor wafer, and the lower layer of the multilayer adhesive film is in contact with the adhesive side of the dicing tape. BWBL films are generally attached to a semiconductor wafer using a lamination process at a temperature of 40-100 ° C. and a pressure of 5-40 psi. In one embodiment, the film is laminated to the semiconductor wafer at a temperature of 50 to 80 ° C. and a pressure of 15 to 30 psi.

본 발명의 또다른 구현예는 반도체 다이를 기판에 부착하기 위한 프로세스이다. 먼저, BWBL 필름을 상기 기재된 바와 같이 다중층 접착 필름 및 다이싱 테이프를 이용하여 형성한다. 후속하여, BWBL 필름을, 필름의 상층이 상기 기재된 바와 같이 직접 반도체 웨이퍼의 이면 또는 불활성측에 접하도록 반도체 웨이퍼에 부착시킨다. 이어서, 상층 내 UV 경화성 수지를, 자외선 조사의 적용을 통해 전진시키거나 또는 실질적으로 경화시킨다. UV 조사는, 다이싱 테이프 및 다중층 접착 필름의 하층을 통해 지나가서 다중층 접착 필름의 상층 내의 UV-경화성 수지의 경화를 개시하도록, 반도체 웨이퍼의 이면측에 적용시킨다. UV 조사는 임의의 적합한 방식으로, 채용되는 특별한 제조 프로세스를 위한 투여량으로 제공될 수 있다. 일반적인 UV 조사 투여량은 50 내지 500 mJ/cm2 범위이다. 한 구현예에서, UV 조사는 100 내지 300 mJ/cm2 의 범위이다. 후속하여, 반도체 웨이퍼는, 그에 부착된 다중층 접착 필름을 따라, 다수의 개별 다이 구조체로 다이싱된다. 다이는 특별한 최종 용도에 적합한 임의의 크기 및 모양의 것일 수 있고, 다이싱은 임의의 공지된 당업계에서 실행되는 방법을 이용하여 수행될 수 있다. 이어서, 선택된 개별 다이 구조체는 픽업하고, 접착 필름이 다이의 이면측과 기판 사이에 삽입되도록 기판 상에 정치시킨다. 상기 "픽업 및 정치" 조작은 일반적으로 자동화된 다이 부착 장비를 이용하여 수행된다. 최종적으로, 다이를, 열을 적용함으로써 기판에 부착시킨다. 경화는 수 초 내지 수 시간 범위의 시간 내에 90 내지 180℃ 범위의 온도에서 수행할 수 있다. 경화는 1 개 단계 또는 여러 단계에서 수행될 수 있다.Another embodiment of the invention is a process for attaching a semiconductor die to a substrate. First, a BWBL film is formed using a multilayer adhesive film and dicing tape as described above. Subsequently, the BWBL film is attached to the semiconductor wafer such that the upper layer of the film is directly in contact with the backside or inactive side of the semiconductor wafer as described above. The UV curable resin in the upper layer is then advanced or substantially cured through the application of ultraviolet radiation. UV irradiation is applied to the back side of the semiconductor wafer to pass through the lower layer of the dicing tape and the multilayer adhesive film to initiate curing of the UV-curable resin in the upper layer of the multilayer adhesive film. UV radiation can be provided in any suitable manner and at a dosage for the particular manufacturing process employed. Typical UV radiation dosages range from 50 to 500 mJ / cm 2 . In one embodiment, the UV radiation ranges from 100 to 300 mJ / cm 2 . Subsequently, the semiconductor wafer is diced into a number of individual die structures along the multilayer adhesive film attached thereto. The die may be of any size and shape suitable for a particular end use, and the dicing may be performed using any known method in the art. The selected individual die structures are then picked up and left on the substrate so that the adhesive film is inserted between the back side of the die and the substrate. The "pickup and stationary" operation is generally performed using automated die attach equipment. Finally, the die is attached to the substrate by applying heat. Curing can be carried out at a temperature in the range from 90 to 180 ° C. within a time ranging from a few seconds to several hours. Curing can be carried out in one step or in several steps.

상기 기재된 프로세스 구현예에서, UV 경화는 다중층 접착 필름의 상층으로 하여금 실온에서 유동하는 것을 피하게 하기 위한 주안점이라는 점에 유의한다. 이는, 환언하면, 이웃하는 다이로 하여금, 개별 다이들을 다이싱 테이프에서 치울 때 다이싱 후 서로 들러붙는 것을 방지한다.It is noted that in the process embodiments described above, UV curing is the focus for making the upper layer of the multilayer adhesive film avoid flowing at room temperature. This, in other words, prevents neighboring dies from sticking together after dicing when removing the individual dies from the dicing tape.

실시예Example

상층 제형물을 다양하게 하면서 동일한 하층 필름 제형물을 이용해 세가지 예시 다중층 접착 필름을 제조했다. 용매를 제외한 층 조성을 표 1 에 구체적으로 제시한다.Three exemplary multilayer adhesive films were prepared using the same lower film formulation with varying top formulations. The layer composition excluding the solvent is shown in Table 1 in detail.

Figure pct00023
Figure pct00023

균질 혼합물이 수득될 때까지, 약 5000 rpm 에서의 고전단 혼합을 이용해 30 분 동안 모든 성분들을 혼합해 각 층을 제조했다. 상기 조성물에, 50 내지 80 중량% 메틸 에틸 케톤 (MEK) 용매를 첨가하여, 모든 고체 수지를 용해시키고, 상기 혼합물로 하여금 방출 라이너에 균일하게 적용될 수 있도록 했다. 혼합물을 진공 챔버에서 탈기시켜, 공기 방울이 방출되도록 했다. 이어서, 혼합물을 실리콘-코팅 방출 라이너에 코팅하고, 컨벡션 오븐에서 100℃ 로 3 분 동안 건조시켜 필름을 형성했다. 건조 (B-스테이지) 후 상층 필름이 약 20 μm 두께가 되고, 하층 필름이 약 40 μm 두께가 되도록 충분한 양으로 혼합물을 적용했다.Each layer was prepared by mixing all the components for 30 minutes using high shear mixing at about 5000 rpm until a homogeneous mixture was obtained. To the composition, 50-80% by weight methyl ethyl ketone (MEK) solvent was added to dissolve all solid resins and allow the mixture to be uniformly applied to the release liner. The mixture was degassed in a vacuum chamber to allow air bubbles to be released. The mixture was then coated on a silicone-coated release liner and dried at 100 ° C. for 3 minutes in a convection oven to form a film. After drying (B-stage) the mixture was applied in an amount sufficient to make the upper film about 20 μm thick and the lower film about 40 μm thick.

상층 필름의 시료들을 유량계를 이용해 시험해, UV 조사 전 용융 점도를 측정했다. 이어서, 상층 필름의 시료는 500 mJ/cm2 UV 조사에 노출시키고, 용융 점도에 대해 다시 시험했다. 상기 시험 결과는 표 2 에 나타낸다.Samples of the upper film were tested using a flow meter to determine the melt viscosity before UV irradiation. The sample of the upper film was then exposed to 500 mJ / cm 2 UV radiation and tested again for melt viscosity. The test results are shown in Table 2.

Figure pct00024
Figure pct00024

상층 필름의 시료들은 80℃ 에서 20 psi 압력 하에 롤 라미네이터를 이용하여 하층 필름에 적층시켜, 상응하는 다중층 접착 필름을 형성했다. 상층 필름 시료들은 하층 필름에 적층되어 다중층 접착 필름 시험 검체를 형성할 때까지는 조사하지 않음에 유의해야 한다. Samples of the upper film were laminated to the lower film using a roll laminator at 80 ° C. under 20 psi pressure to form a corresponding multilayer adhesive film. It should be noted that the upper film samples are not examined until they are laminated to the lower film to form a multilayer adhesive film test sample.

다중층 접착 필름은 다이 전단 강도, 중량 소실, 박리 강도, 재부착성 및 픽업 성능에 대해 시험했다. 검체들은, 실온에서 선택된 다중층 접착 필름을 다이싱 테이프에 적층시켜, 다이싱 테이프에 대항하여 다중층 접착 필름의 하층 및 노출되어 있는 다중층 접착 필름의 상층이 있는 BWBL 을 형성함으로써, 다이 전단 강도 시험에 대해 준비했다. 이어서, BWBL 필름을, 필름의 상층이 65℃ 및 20 psi 에서 웨이퍼의 이면측 또는 불활성측과 접하고 있는, 실리콘 웨이퍼에 적층시켰다. 이어서, 웨이퍼의 이면측 상의 필름을 200 mJ/cm2 의 UV 조사에 노출시켰다. 웨이퍼는 다중층 접착 필름이 부착되어 있는 개별 다이 구조체로 다이싱했다. 더 큰 실리콘 기판에 위치하고 있는 개별 다이 구조체를 픽업하고, 175℃ 에서 1 시간 동안 열경화시켰다. 다이 전단 강도는 실온 및 260℃ 에서 Dage 다이 전단 강도 테스터에서 시험했다. 5 개의 검체를 각 시료에 대해 시험했고, 산술 평균 값을 보고했다. 일반적으로, 260℃ 에서 100×100 mil 다이를 시험시 1.0 kgf/다이를 초과하는 다이 전단 강도가 필요하다. 상기 실시예를 목적으로 80 x 80 mil 다이가 채용되었음에 유의해야 한다. 다이가 작을수록 일반적으로 동등한 접착제로 더 낮은 전단 강도 검독값이 제공될 것으로 예측되므로, 80 x 80 mil 다이에서의 1.0 kgf/다이를 초과하는 검독값이 전형적인 필요조건을 초과하는 것으로 간주된다. Multilayer adhesive films were tested for die shear strength, weight loss, peel strength, re-adhesion, and pickup performance. The specimens were laminated at a room temperature with a multilayer adhesive film selected on a dicing tape to form a die shear strength by forming a BWBL with a lower layer of the multilayer adhesive film and an upper layer of the exposed multilayer adhesive film against the dicing tape. Prepared for the exam. Subsequently, the BWBL film was laminated to a silicon wafer whose upper layer was in contact with the back side or inactive side of the wafer at 65 ° C. and 20 psi. The film on the back side of the wafer was then exposed to UV irradiation of 200 mJ / cm 2 . The wafer was diced into individual die structures with a multilayer adhesive film attached. The individual die structures located on the larger silicon substrates were picked up and thermoset at 175 ° C. for 1 hour. Die shear strength was tested in a Dage die shear strength tester at room temperature and 260 ° C. Five specimens were tested for each sample and the arithmetic mean value was reported. In general, die shear strengths in excess of 1.0 kg f / die are required when testing 100 × 100 mil dies at 260 ° C. It should be noted that 80 x 80 mil dies were employed for the purposes of this embodiment. Smaller dies are generally expected to provide lower shear strength readings with equivalent adhesives, so readings above 1.0 kg f / die at 80 x 80 mil dies are considered to exceed typical requirements.

각종 온도에서의 중량 손실은 10℃/분의 증감율 (ramp rate) 로 Perkin-Elmer 열중량분석기 (TGA) 를 이용해 시험했다. 중량 소실은 일반적으로 접착 필름에서 시험하여, 최종 어셈블리에서 보이드 (void) 및 기타 성능 문제를 야기할 수도 있는 과도한 기체인입 (outgassing) 이 없음을 보장한다. 일반적으로, 150℃ 에서는 0.8% 미만의 중량 소실이 필요조건이다.Weight loss at various temperatures was tested using a Perkin-Elmer thermogravimetric analyzer (TGA) at a ramp rate of 10 ° C./min. Loss of weight is generally tested on the adhesive film to ensure that there is no excessive outgassing that may cause voids and other performance problems in the final assembly. In general, weight loss of less than 0.8% is a requirement at 150 ° C.

박리 강도는, 필름의 하층이 다이싱 테이프의 접착제 (PSA) 측과 접해 BWL 필름을 형성하도록, 실온에서 다중층 접착 필름을 PSA 다이싱 테이프에 적층시켜 평가했다. BWL 필름의 1 인치 너비 검체를 잘라냈다. 상기 BWL 필름 검체를 이중 측면 테이프를 이용해 (다중층 필름의 하층과 기판의 사이에서) 실리콘 기판에 적층시켜, 다이싱 테이프가 기판의 반대편에 노출되도록 했다. 이어서, 다이싱 테이프는 180°의 각도로 다중층 접착 필름에서 박리시켰다. 박리 강도를 시험해, 접착 필름이 다이싱 테이프에 너무 세게 들러붙지 않게 한다. 너무 높은 박리 강도는 접착 필름이 반도체 다이로부터 층간분리되도록 하여, 다이 픽업동안 다이싱 테이프에 남아 있는다. 일반적으로, 실온에서 0.2 N/cm 미만의 박리 강도가 필요하다.Peeling strength evaluated by laminating | stacking a multilayer adhesive film on PSA dicing tape at room temperature so that the lower layer of a film might contact the adhesive agent (PSA) side of a dicing tape, and form a BWL film. A 1 inch wide specimen of BWL film was cut out. The BWL film sample was laminated to a silicon substrate (between the lower layer of the multilayer film and the substrate) using a double sided tape so that the dicing tape was exposed on the opposite side of the substrate. The dicing tape was then peeled off the multilayer adhesive film at an angle of 180 °. Peel strength is tested to prevent the adhesive film from sticking too hard to the dicing tape. Too high peel strength causes the adhesive film to delaminate from the semiconductor die, remaining on the dicing tape during die pickup. In general, a peel strength of less than 0.2 N / cm at room temperature is required.

다이 재부착 및 픽업은, 다중층 접착 필름의 하층이 다이싱 테이프의 접착제 (PSA) 측에 맞서게 하여, BWBL 필름을 형성하도록, 다중층 접착 필름의 하층으로부터 방출 라이너를 제거하고, 그것을 실온에서 PSA 다이싱 테이프에 적층시켜 평가했다. 이어서, 방출 라이너는 BWBL 필름의 상층 (본래 다중층 접착 필름의 상층) 으로부터 제거하고, 웨이퍼의 이면측에 대해 BWBL 필름의 상층을 이용해, 100 μm 두께 실리콘 웨이퍼의 이면 또는 불활성측에 55DC 및 20 psi 압력으로 BWBL 필름을 적층했다. 이어서, 부착된 BWBL 가 있는 실리콘 웨이퍼의 이면측은 500 mJ/cm2 량의 조사에 노출시켜 다중층 접착 필름의 상층 내 UV-경화성 수지를 경화시켰다. 이어서, BWBL 가 부착되어 있는 웨이퍼는, 그의 이면측에 부착된 다중층 접착 필름이 있고 BWBL 필름의 다이싱 테이프로부터 움직이기 시작할 수 있는 개별 다이 구조체로 다이싱했다. 다이싱 직후, 다이싱된 웨이퍼로부터 여러개의 개별 다이 구조체들을 수동으로 픽업하고, 근접한 다이 구조체들 중 픽업된 것에 들러붙은 것이 있는지 여부에 유의했다. 임의의 근접 다이 구조체가 픽업한 것에 들러붙은 경우, 시료는 재부착된 것으로 표시하고, 픽업은 "열악" 으로 등급매긴다. 그러나, 근접 다이 구조체가 전혀 픽업되지 않은 경우, 시료는 재부착 "없음" 으로 표시하고, 픽업은 "양호" 로 등급매긴다. 이어서, 다이싱된 웨이퍼는 실온에서 3 시간 동안 정치되도록 하고, 픽업 시험 과정을 반복하여 다중층 접착 필름이 그 시간 내에 충분히 유동하여 재부착 문제가 발생되는지 여부를 결정했다. 다중층 접착 필름 시료의 시험 결과는 표 3 에 제시한다.Die reattachment and pickup removes the release liner from the underlayer of the multilayer adhesive film and causes it to be PSA at room temperature so that the underlayer of the multilayer adhesive film faces the adhesive (PSA) side of the dicing tape to form a BWBL film. It laminated | stacked on the dicing tape and evaluated. The release liner is then removed from the top layer of the BWBL film (top layer of the original multilayer adhesive film) and 55DC and 20 psi on the back or inactive side of the 100 μm thick silicon wafer, using the top layer of the BWBL film to the back side of the wafer. The BWBL film was laminated by pressure. The back side of the silicon wafer with attached BWBL was then exposed to 500 mJ / cm 2 radiation to cure the UV-curable resin in the upper layer of the multilayer adhesive film. Subsequently, the wafer to which the BWBL was attached was diced into individual die structures with a multilayer adhesive film attached to its back side and which could start moving from the dicing tape of the BWBL film. Immediately after dicing, several individual die structures were manually picked up from the diced wafer, and it was noted whether any of the adjacent die structures were stuck to the picked up one. If any proximity die structure sticks to the picked-up, the sample is marked as reattached and the pickup is rated "poor". However, if the near die structure was not picked up at all, the sample was marked as reattached "none" and the pickup was rated "good". The diced wafer was then allowed to stand at room temperature for 3 hours and the pickup test procedure was repeated to determine whether the multilayer adhesive film would flow sufficiently within that time to cause reattachment problems. The test results of the multilayer adhesive film sample are shown in Table 3.

Figure pct00025
Figure pct00025

본 발명의 많은 개질 및 변형이, 당업자에게 자명한 바와 같이, 그의 진의 및 범위를 벗어나지 않고도 가능하다. 본원에 기재된 구체적인 구현예는 오직 예시의 수단으로 제공되며, 본 발명은, 첨부되는 특허청구범위가 표방하는 등가물들의 전범위를 포함하여, 오직 상기 특허청구범위에 의해서만 제한된다. Many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope thereof, as will be apparent to those skilled in the art. The specific embodiments described herein are provided by way of illustration only, and the invention is limited only by the claims, including the full scope of equivalents to which the appended claims are entitled.

Claims (20)

(a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는, 접착 필름.(a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) an underlayer that is substantially not UV-curable. 제 1 항에 있어서, 상층이 아크릴레이트 및 비스말레이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 UV 경화성 수지를 함유하는 접착 필름.The adhesive film according to claim 1, wherein the upper layer contains a UV curable resin selected from the group consisting of acrylates and bismaleimide. 제 1 항에 있어서, 하층이 에폭시 수지를 함유하는 접착 필름.The adhesive film according to claim 1, wherein the lower layer contains an epoxy resin. 제 1 항에 있어서, 상층의 유리 전이 온도가 0 내지 20℃ 인 접착 필름.The adhesive film of Claim 1 whose glass transition temperature of an upper layer is 0-20 degreeC. 접착 필름이 (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는, 지지 테이프 상에 적층된 접착 필름.The adhesive film is (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or lower; And (b) an underlayer that is substantially not UV-curable. 제 5 항에 있어서, 상층이 아크릴레이트 및 비스말레이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 UV 경화성 수지를 함유하는 접착 필름.The adhesive film according to claim 5, wherein the upper layer contains a UV curable resin selected from the group consisting of acrylates and bismaleimide. 제 5 항에 있어서, 하층이 에폭시 수지를 함유하는 접착 필름.The adhesive film of Claim 5 in which an underlayer contains an epoxy resin. 제 5 항에 있어서, 지지 테이프가 PSA 다이싱 테이프 및 UV-경화성 다이싱 테이프로 이루어진 군으로부터 선택되는 다이싱 테이프인 접착 필름.The adhesive film of claim 5 wherein the support tape is a dicing tape selected from the group consisting of PSA dicing tapes and UV-curable dicing tapes. 접착 필름이 (a) 반도체 웨이퍼에 결합되어 있고, 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는, 접착 필름에 부착된 반도체 웨이퍼.The adhesive film is (a) an upper layer bonded to the semiconductor wafer, substantially UV curable, and having a glass transition temperature of 50 ° C. or lower; And (b) an underlayer that is substantially not UV-curable. 제 9 항에 있어서, 상층이 아크릴레이트 및 비스말레이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 UV 경화성 수지를 함유하는 반도체 웨이퍼.10. The semiconductor wafer according to claim 9, wherein the upper layer contains a UV curable resin selected from the group consisting of acrylates and bismaleimide. 제 9 항에 있어서, 하층이 에폭시 수지를 함유하는 반도체 웨이퍼. The semiconductor wafer according to claim 9, wherein the lower layer contains an epoxy resin. 하기 단계를 포함하는, 반도체 다이를 기판에 부착하는 프로세스:
a. (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는 접착 필름을 제공하는 단계;
b. 이면측 및 접착측이 있는 지지 테이프를 제공하는 단계;
c. 접착 필름의 하층과 지지 테이프의 접착측을 접촉시켜 접착 필름을 지지 테이프에 부착시킴으로써, 접착 필름의 상층을 노출시키고, 그로써 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 형성하는 단계;
d. 활성측 및 불활성측이 있는 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계;
e. 접착 필름 접촉의 상층을 반도체 웨이퍼의 불활성측과 접촉시켜 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 반도체 웨이퍼에 부착시키는 단계;
f. 상층을 전진시키는 단계;
g. 반도체 웨이퍼 및 부착된 다중층 접착 필름을 여러개의 개별 다이 구조체로 다이싱하는 단계;
h. 선택된 개별 다이 구조체를 픽업하는 단계;
i. 기판을 제공하는 단계;
j. 접착 필름이 다이의 이면측과 기판 사이에 배치되도록, 선택된 개별 다이 구조체를 기판에 정치시키는 단계; 및
k. 열을 이용하여 상기 개별 다이 구조체를 기판에 부착시키는 단계.
A process for attaching a semiconductor die to a substrate, comprising:
a. (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) providing an adhesive film comprising an underlayer that is not substantially UV-curable;
b. Providing a support tape having a back side and an adhesive side;
c. Contacting the lower layer of the adhesive film and the adhesive side of the support tape to attach the adhesive film to the support tape, thereby exposing the upper layer of the adhesive film, thereby forming a bundled wafer backside laminated film;
d. Providing a semiconductor wafer having an active side and an inactive side;
e. Attaching the bundled wafer backside laminated film to the semiconductor wafer by contacting an upper layer of adhesive film contact with an inactive side of the semiconductor wafer;
f. Advancing the upper layer;
g. Dicing the semiconductor wafer and the attached multilayer adhesive film into several individual die structures;
h. Picking up the selected individual die structure;
i. Providing a substrate;
j. Placing the selected individual die structures on the substrate such that the adhesive film is disposed between the back side of the die and the substrate; And
k. Attaching the individual die structures to the substrate using heat.
제 12 항에 있어서, 상층이 아크릴레이트 및 비스말레이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 UV 경화성 수지를 함유하는 프로세스. 13. The process of claim 12, wherein the top layer contains a UV curable resin selected from the group consisting of acrylates and bismaleimide. 제 12 항에 있어서, 하층이 에폭시 수지를 함유하는 프로세스.The process according to claim 12, wherein the lower layer contains an epoxy resin. 제 12 항에 있어서, 상층의 유리 전이 온도가 0 내지 20℃ 인 프로세스.13. The process of claim 12 wherein the glass transition temperature of the upper layer is from 0 to 20 ° C. 제 12 항에 있어서, 지지 테이프가 PSA 다이싱 테이프 및 UV-경화성 다이싱 테이프로 이루어진 군으로부터 선택되는 다이싱 테이프인 프로세스.13. The process of claim 12 wherein the support tape is a dicing tape selected from the group consisting of PSA dicing tapes and UV-curable dicing tapes. 하기 단계를 포함하는, 개별 다이싱된 다이가 서로 들러붙는 것을 방지하는 방법:
a) (a) 실질적으로 UV 경화성이고, 유리 전이 온도가 50℃ 이하인 상층; 및 (b) 실질적으로 UV-경화성이 아닌 하층을 포함하는 접착 필름을 제공하는 단계;
b) 이면측 및 접착측이 있는 지지 테이프를 제공하는 단계;
c) 접착 필름의 하층과 지지 테이프의 접착측을 접촉시켜 지지 테이프에 접착 필름을 부착시킴으로써, 접착 필름의 상층을 노출시키고, 이로써 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 형성하는 단계;
d) 활성측 및 불활성측이 있는 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계;
e) 접착 필름의 상층과 반도체 웨이퍼의 불활성측을 접촉시켜, 다발로 된 웨이퍼 이면 적층 필름을 반도체 웨이퍼에 부착시키는 단계;
f) 상층을 전진시키는 단계;
g) 반도체 웨이퍼 및 부착된 다중층 접착 필름을 여러개의 개별 다이 구조체로 다이싱하는 단계; 및
h) 선택된 개별 다이 구조체를 픽업하는 단계.
A method of preventing individual diced dies from sticking to each other, comprising the following steps:
a) (a) an upper layer that is substantially UV curable and has a glass transition temperature of 50 ° C. or less; And (b) providing an adhesive film comprising an underlayer that is not substantially UV-curable;
b) providing a support tape having a back side and an adhesive side;
c) attaching the adhesive film to the support tape by contacting the lower layer of the adhesive film with the adhesive side of the support tape, thereby exposing the top layer of the adhesive film, thereby forming a bundled wafer backside laminated film;
d) providing a semiconductor wafer having an active side and an inactive side;
e) attaching the bundled wafer backside laminated film to the semiconductor wafer by contacting the upper layer of the adhesive film with the inactive side of the semiconductor wafer;
f) advancing the upper layer;
g) dicing the semiconductor wafer and the attached multilayer adhesive film into several individual die structures; And
h) picking up the selected individual die structures.
제 17 항에 있어서, 상층이 아크릴레이트 및 비스말레이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 UV 경화성 수지를 함유하는 방법. 18. The method of claim 17, wherein the top layer contains a UV curable resin selected from the group consisting of acrylates and bismaleimide. 제 17 항에 있어서, 하층이 에폭시 수지를 함유하는 방법.18. The method of claim 17, wherein the lower layer contains an epoxy resin. 제 17 항에 있어서, 지지 테이프가 감압성 접착제 (PSA) 다이싱 테이프 및 UV-경화성 다이싱 테이프로 이루어진 군으로부터 선택되는 다이싱 테이프인 방법. 18. The method of claim 17, wherein the support tape is a dicing tape selected from the group consisting of pressure sensitive adhesive (PSA) dicing tapes and UV-curable dicing tapes.
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