KR20110007507A - A gas injector and an apparatus having it - Google Patents

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KR20110007507A
KR20110007507A KR1020090065057A KR20090065057A KR20110007507A KR 20110007507 A KR20110007507 A KR 20110007507A KR 1020090065057 A KR1020090065057 A KR 1020090065057A KR 20090065057 A KR20090065057 A KR 20090065057A KR 20110007507 A KR20110007507 A KR 20110007507A
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes

Abstract

PURPOSE: A gas injector and a substrate processing device thereof are provided to uniformly supply gas on a substrate inside a processing chamber by appropriately arranging a spray nozzle. CONSTITUTION: A gas injector(200) sprays source gas into a processing chamber inside a substrate processing device. A gas injection hole(210) receives the source gas from a supply source part. A gas transfer part(220) is arranged on the girth of a substrate laminating part inside the processing chamber. The gas transfer part receives the source gas from the gas injection hole.

Description

가스 인젝터 및 이를 구비한 기판 처리 장치{A gas injector and an apparatus having it}A gas injector and an apparatus having the same

본 발명은 가스 인젝터 및 이를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 균일한 가스가 공정챔버로 공급되도록 하는 가스 인젝터 및 이를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injector and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a gas injector for supplying a uniform gas to the process chamber and a substrate processing apparatus having the same.

일반적으로 반도체 소자, 평판 디스플레이, 포토 마스크용 글라스 등에 사용되는 기판에 대하여 식각, 현상, 증착, 에싱 등의 공정이 반복적으로 이루어진다. In general, processes such as etching, developing, deposition, and ashing are repeatedly performed on substrates used for semiconductor devices, flat panel displays, photomask glasses, and the like.

예를 들어, 반도체 공정에는 소정의 기판 표면에 절연막, 금속막, 유기막 등의 박막을 형성시키는 방법으로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)이라는 방법이 있다. 이러한 화학 기상 증착은 반응성 가스를 진공 챔버 내에 주입하여 적당한 활성 및 열 에너지를 기하여 화학 반응을 유도함으로써 기판 표면에 원하는 박막을 증착시키는 기법이다.For example, a semiconductor process includes a method called chemical vapor deposition (CVD) as a method of forming a thin film of an insulating film, a metal film, an organic film, or the like on a predetermined substrate surface. Such chemical vapor deposition is a technique of depositing a desired thin film on the surface of a substrate by injecting a reactive gas into a vacuum chamber to induce a chemical reaction with suitable active and thermal energy.

화학 기상 증착은 증착 환경 및 추가 주입 소스에 따라 다양한 종류의 응용 증착 기술이 개발되고 있으며, 대표적으로 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure CVD), APCVD(Atmoshperic Pressure CVD) 등이 있 다.Chemical vapor deposition has been developed with various types of applied deposition technologies depending on the deposition environment and additional injection sources.Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Low Pressure CVD (LPCVD), and Atmospheric Pressure CVD (APCVD) All.

이러한 화학 기상 증착에 있어서는 소스 가스를 분사하여 기판 상에 증착하는 것으로서, 기판 상에 박막을 균일하게 증착하는 기법이 필요하다.In such chemical vapor deposition, a source gas is injected and deposited on a substrate, and a technique for uniformly depositing a thin film on the substrate is required.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 균일한 가스가 공정챔버로 공급되도록 하는 가스 인젝터 및 이를 구비한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a gas injector for supplying a uniform gas to the process chamber and a substrate processing apparatus having the same.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 가스 인젝터의 구조 및 형상을 조정하여 균일한 가스 공급이 이루어지도록 하는 가스 인젝터 및 이를 구비한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a gas injector and a substrate processing apparatus having the same to adjust the structure and shape of the gas injector to achieve a uniform gas supply.

본 발명의 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 가스 인젝터의 일 양태(Aspect)는 기판 처리 장치에서의 공정챔버 내로 소스 가스를 분사하는 가스 인젝터에 있어서, 공급원으로부터 상기 소스 가스를 공급 받는 가스 주입구; 상기 공정챔버 내의 기판 적층부의 테두리 상에 배치되며, 상기 가스 주입구로부터 상기 소스 가스를 전달 받는 가스 전달부; 및 상기 가스 전달부 상에 수직으로 세워지며, 각각 서로 이격되어 상기 전달 받은 소스 가스를 상기 공정챔버 내로 공급하는 복수의 가스 분배부를 포함한다.An aspect of a gas injector of the present invention for solving the above technical problem is a gas injector for injecting a source gas into a process chamber in a substrate processing apparatus, the gas inlet receiving the source gas from a source; A gas delivery part disposed on an edge of the substrate stacking part in the process chamber and receiving the source gas from the gas injection hole; And a plurality of gas distribution units vertically mounted on the gas delivery unit and spaced apart from each other to supply the received source gas into the process chamber.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 가스 인젝터 구비한 기판 처리 장치의 일 양태(Aspect)는 소정의 공정이 수행되는 공정챔버; 상기 공정챔버 내 에서 복수의 기판을 소정 간격으로 적층된 상태로 유지시키는 기판 적층부; 및 상기 기판 적층부의 테두리 상에서 상기 공정챔버 내부로 소스 가스를 분사하는 가스 인젝터를 포함하며, 상기 가스 인젝터는 공급원으로부터 상기 소스 가스를 공급 받는 가스 주입구; 상기 기판 적층부의 테두리 상에 배치되며, 상기 가스 주입구로부터 상기 소스 가스를 전달 받는 가스 전달부; 및 상기 가스 전달부 상에 수직으로 세워지며, 각각 서로 이격되어 상기 전달 받은 소스 가스를 상기 적층된 기판의 위치하는 방향으로 분사하는 복수의 가스 분배부를 포함한다.One aspect of the substrate processing apparatus with a gas injector of the present invention for solving the above technical problem is a process chamber in which a predetermined process is performed; A substrate stacking unit for maintaining a plurality of substrates stacked at predetermined intervals in the process chamber; And a gas injector for injecting a source gas into the process chamber on the edge of the substrate stack, wherein the gas injector receives the source gas from a source; A gas delivery part disposed on an edge of the substrate stacking part and receiving the source gas from the gas injection hole; And a plurality of gas distribution units that are vertically mounted on the gas delivery unit, each spaced apart from each other to inject the received source gas in a direction in which the stacked substrates are positioned.

본 발명의 일 실시예에 따를 경우, 가스 인젝터의 구조 및 분사 노즐의 적절한 배치로 인하여, 공정챔버 내의 기판 상에 균일한 가스 공급이 이루어지도록 할 수 있다.According to one embodiment of the invention, due to the structure of the gas injector and the proper arrangement of the injection nozzle, it is possible to ensure a uniform gas supply on the substrate in the process chamber.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상 의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to a component, step, operation and / or element that is one or more of the other components, steps, operations and / or elements. It does not exclude existence or addition.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 인젝터를 구비한 기판 처리 장치의 단면도를 보여준다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정챔버(10), 기판 적층부(50), 지지부(40), 지지부 구동부(45) 및 가스공급부(30)를 포함할 수 있다.1 shows a cross-sectional view of a substrate processing apparatus with a typical injector. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus may include a process chamber 10, a substrate stacking unit 50, a support unit 40, a support unit driver 45, and a gas supply unit 30.

공정챔버(10)는 소정의 박막이 증착되는 공간을 제공하는 챔버 역할을 하며, 예를 들어 노(Furnace)와 같은 역할을 할 수 있다. 기판 적층부(50)는 기판(W)이 복수로 적층되어, 한꺼번에 복수의 기판에 대한 공정이 진행될 수 있도록 기판을 소정의 간격으로 적층시켜 지지하는 역할을 한다. 지지부(40)는 기판 적층부(50)의 하단에 위치하여 기판 적층부(50)를 지지하는 역할을 한다. 공정챔버(10)는 공정챔버(10)를 가열하여 내부 온도를 공정 수행 온도로 조정하는 가열부(미도시)를 더 포함할 수 있다.The process chamber 10 may serve as a chamber that provides a space in which a predetermined thin film is deposited, and may serve as, for example, a furnace. The substrate stacking unit 50 stacks and supports a plurality of substrates W at a predetermined interval so that a plurality of substrates may be stacked at a time. The support 40 is positioned at the lower end of the substrate stack 50 to support the substrate stack 50. The process chamber 10 may further include a heating unit (not shown) for heating the process chamber 10 to adjust an internal temperature to a process execution temperature.

지지부 구동부(45)는 지지부(40)를 상하로 이동시키는 역할을 한다. 지지부 구동부(45)는 기판 적층부(50)를 적재한 지지부(40)를 상하로 이동시켜, 공정챔 버(10)에서 기판 적층부(50)를 끄집어 내거나, 기판 적층부(50)를 공정챔버(10)에 안착되도록 할 수 있다. 지지부 구동부(45)는 동력을 발생시키는 구동원(70) 및 상기 발생된 동력에 의해 상하 이동을 유도하는 상하이동부(65)를 포함할 수 있다.The support driver 45 serves to move the support 40 up and down. The support part driver 45 moves the support part 40 on which the substrate stack part 50 is loaded up and down to take out the substrate stack part 50 from the process chamber 10 or to process the substrate stack part 50. It may be to be seated in the chamber (10). The support part driver 45 may include a driving source 70 generating power and a shanghai east part 65 inducing vertical movement by the generated power.

가스 공급부(30)는 공정챔버(10) 내로 박막 증착에 필요한 소스 가스를 공급하는 역할을 한다. 가스 공급부(30)는 소스 가스를 전달 받아, 복수의 분사 노즐(30)을 통하여 공정챔버(10) 내로 소스 가스를 분사할 수 있다.The gas supply unit 30 serves to supply a source gas for thin film deposition into the process chamber 10. The gas supply unit 30 may receive the source gas and inject the source gas into the process chamber 10 through the plurality of injection nozzles 30.

상기와 같이, 일반적인 가스 공급부(30)에 의하여는 복수의 분사 노즐(30)을 통하 소스 가스의 공급이 부분적으로 공정챔버(10) 내로 공급되면서, 기판이 위치하는 부분에 따라 증착되는 박막의 두께가 달라질 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐(30)이 위치하는 부분에는 소스 가스의 공급이 과도하여 층착되는 박막의 두께가 두껍고, 분사 노즐(30)로부터 상대적으로 먼 거리에 있는 기판 상의 부분에서는 증착되는 박막의 두께가 얇을 수 있다.As described above, the supply of the source gas through the plurality of injection nozzles 30 is partially supplied into the process chamber 10 by the general gas supply unit 30, and thus the thickness of the thin film deposited according to the portion where the substrate is located. May vary. For example, in the portion where the injection nozzle 30 is located, the thickness of the thin film deposited due to excessive supply of source gas is thick, and the thickness of the thin film deposited in the portion on the substrate that is relatively far from the injection nozzle 30. Can be thin.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 인젝터의 사시도를 보여주며, 도 3은 도 2의 가스 인젝터의 가스 분배부의 사시도를 보여준다.2 shows a perspective view of a gas injector according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows a perspective view of a gas distribution part of the gas injector of FIG. 2.

도 2 및 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 인젝터(200)는 가스 주입구(210), 가스 전달부(220) 및 가스 분배부(230)를 포함할 수 있다.2 and 3, the gas injector 200 according to the exemplary embodiment may include a gas inlet 210, a gas delivery unit 220, and a gas distribution unit 230.

가스 인젝터(200)는 도 1에서의 공정챔버(10) 내에 소스 가스를 공급하는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 인젝터(200)는 공정챔버(10) 내의 적층되어 있는 기판 상에 균일한 소스 가스를 공급하는 역할을 한다. 여기서, 소스 가스는 일반적인 화학 기상 증착(CVD)에 사용되는 절연막 가스(예를 들어, SiO2, Si3N4), 금속막(예를 들어, W, Al), 유기막용 가스, 산화막용 가스 등이 사용될 수 있다. 이와 함께, 유기 금속(Metal Organic 또는 Oraganic Metal) 막을 위한 소스 가스가 사용될 수 있으며, 차후 개발될 다양한 소스 가스가 적용될 수 있다. 이와 함께, 소스 가스 공급에 있어 캐리어 가스로서 아르곤, 헬륨 등의 비활성 가스를 혼합하여 적용할 수도 있다. 한편, 소스 가스는 증착용 가스뿐만 아니라 증 착된 막을 제거하거나 일부 제거하는 막 제거용 가스(Clean gas) 등이 사용될 수도 있다.The gas injector 200 serves to supply a source gas into the process chamber 10 of FIG. 1. The gas injector 200 according to the exemplary embodiment of the present invention serves to supply a uniform source gas onto a substrate stacked in the process chamber 10. Here, the source gas may be an insulating film gas (for example, SiO 2 , Si 3 N 4 ), a metal film (for example, W, Al), an organic film gas, or an oxide film gas used in general chemical vapor deposition (CVD). And the like can be used. In addition, a source gas for an organic metal (Metal Organic or Oraganic Metal) film may be used, and various source gases to be developed later may be applied. In addition, in the source gas supply, an inert gas such as argon or helium may be mixed and applied as a carrier gas. On the other hand, the source gas may be a film removal gas (Clean gas) for removing or partially removing the deposited film as well as the deposition gas.

가스 주입구(210)는 소스 가스를 공급하는 공급원(미도시)으로부터 전달된 소스 가스가 가스 인젝터(200)로 주입되는 입구 역할을 한다. The gas inlet 210 serves as an inlet through which a source gas delivered from a source (not shown) supplying a source gas is injected into the gas injector 200.

가스 전달부(220)는 가스 주입구(210)로부터 전달된 소스 가스를 소정의 형상에 따라 전달하는 역할을 한다. 가스 전달부(220)는 공정챔버(10) 내의 기판 적층부의 테두리 상에 배치되며, 가스 주입구(210)로부터 소스 가스를 전달 받는다. 예를 들어, 도 2에서와 같이 가스 전달부(220)는 기판 적층부(50)의 테두리 형상에 따라 원형 관으로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 가스 전달부(220)는 도 1의 기판 적층부(50)의 외부를 감싸도록 배치되어, 사각형 등의 다각형 형상이 될 수도 있다. The gas delivery unit 220 serves to deliver the source gas delivered from the gas injection port 210 according to a predetermined shape. The gas delivery part 220 is disposed on the edge of the substrate stacking part in the process chamber 10, and receives the source gas from the gas injection hole 210. For example, as shown in FIG. 2, the gas delivery part 220 may be formed as a circular tube according to the edge shape of the substrate stacking part 50. As such, the gas delivery part 220 may be disposed to surround the outside of the substrate stacking part 50 of FIG. 1, and may have a polygonal shape such as a quadrangle.

가스 분배부(230)는 가스 전달부(220)로부터 전달된 소스 가스를 공정챔버(10) 내로 공급하는 역할을 한다. 가스 분배부(230)는 가스 전달부(220) 상에 수 직으로 세워지며, 각각 서로 이격되어 전달 받은 소스 가스를 공정챔버(10) 내로 공급한다. 가스 분배부(230)는 소정의 통로를 형성하는 분배체(235) 및 상기 분배체(235)의 측면에 복수개로 형성된 분사홀(240)을 포함할 수 있다.The gas distribution unit 230 serves to supply the source gas delivered from the gas delivery unit 220 into the process chamber 10. The gas distribution unit 230 is vertically erected on the gas delivery unit 220, and supplies the source gas received to be spaced apart from each other into the process chamber 10. The gas distribution unit 230 may include a distribution body 235 forming a predetermined passage and a plurality of injection holes 240 formed on a side surface of the distribution body 235.

분배체(235)는 기판 적층부(50)의 높이 방향을 따라 기둥 형상으로 이루어져, 기판 적층부(50) 상에 복수로 적층되어 있는 기판에 대응한 높이에 근접하게 세워질 수 있다. 분배체(235)는 가스 전달부(220)의 경로 상에 복수로 형성되어, 기판 적층부(50) 상에 복수로 적층되어 있는 기판들에 소스 가스를 공급하는 역할을 한다.The distribution body 235 may have a columnar shape along the height direction of the substrate stacking unit 50, and may be erected close to a height corresponding to a plurality of substrates stacked on the substrate stacking unit 50. The distributor 235 is formed in plural on the path of the gas delivery unit 220, and supplies source gas to the substrates stacked on the substrate stack 50.

분배체(235)의 측면에서는 소스 가스가 공정챔버(10) 내로 분사될 수 있도록 복수의 분사홀(240) 또는 분사 노즐(미도시)을 구비할 수 있다. 복수의 분사홀(240)은 기판이 위치하는 방향으로 향하면서, 분배체(235)의 측면에 소정의 높이 간격으로 형성될 수 있다. 따라서, 기판 적층부(50) 상에 복수로 적층되어 있는 기판에 대하여 소정의 간격으로 형성된 분사홀(240) 또는 분사 노즐(미도시)에 의하여 기판 상의 소스 가스를 상대적으로 균일하게 공급할 수 있다.A side of the distributor 235 may be provided with a plurality of injection holes 240 or injection nozzles (not shown) so that the source gas can be injected into the process chamber 10. The plurality of injection holes 240 may be formed at predetermined height intervals on the side surfaces of the distribution body 235 while facing the direction in which the substrate is located. Therefore, the source gas on the substrate may be relatively uniformly supplied by the injection holes 240 or the injection nozzles (not shown) formed at predetermined intervals with respect to the substrate stacked on the substrate stacking part 50.

도 3에서와 같이, 분사홀(240)은 분배체(235)의 측면에 간격을 달리하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 가스의 압력이 경로가 길어질 수록 낮아진다는 원리를 이용하여, 분배체(235)에 형성된 분사홀(240)의 높이가 높아질 수록 이웃하는 분사홀(240)과의 간격이 줄어들 수 있다. 다시 말하면, 분사홀(240)의 압력이 떨어지는 지점에서는 분사홀(240)의 개수를 증가시켜, 소스 가스의 분사되는 양을 보충할 수 있도록 한다.As shown in FIG. 3, the injection holes 240 may be formed with different intervals on the side surfaces of the distribution body 235. For example, by using a principle that the pressure of the source gas is lower as the path is longer, the height of the injection hole 240 formed in the distribution body 235 is increased, so that the distance from the neighboring injection hole 240 can be reduced. have. In other words, at the point where the pressure of the injection hole 240 falls, the number of injection holes 240 is increased to compensate for the amount of injection of the source gas.

상기와 같이, 소정 간격으로 적층된 복수의 기판에 대하여 이에 대응하여 세로로 형성된 복수의 가스 분배부(230)를 통하여 각각 기판의 테두리 상에 소스 가스를 공급하도록 함으로써, 기판 상에 균일한 소스 가스를 공급하여 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다. 이와 함께, 가스 분배부(230)의 분배체(235)에 형성되는 분사홀(240)의 간격을 적절히 조정함으로써 높이에 따라서도 소스 가스의 분사량을 균일하게 조정할 수 있다.As described above, the source gas is supplied on the edges of the substrate through the plurality of gas distribution units 230 vertically corresponding to the plurality of substrates stacked at predetermined intervals, thereby providing a uniform source gas on the substrate. The uniformity of the thin film formed by supplying can be improved. In addition, by appropriately adjusting the spacing of the injection holes 240 formed in the distribution body 235 of the gas distribution unit 230, the injection amount of the source gas can be uniformly adjusted according to the height.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 인젝터의 가스 분배부의 사시도를 보여준다. 도 4를 참조하면, 가스 분배부(260)는 분배체(255) 및 분사홀(240)을 포함할 수 있다.4 shows a perspective view of a gas distribution part of a gas injector according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the gas distributor 260 may include a distributor 255 and an injection hole 240.

분배체(255)는 높이에 따라 단면적을 달리하여, 소스 가스가 지나는 통로의 단면적을 달리할 수 있다. 예를 들어, 분배체(255)의 단면적이 높이가 높아질수록 좁아지도록 함으로써, 분사홀(240)의 간격을 줄이는 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이는, 단면적이 좁아질수록 소스 가스의 압력이 상대적으로 낮게 떨어져, 소스 가스의 분사력을 유지할 수 있기 때문이다.The distribution body 255 may have a different cross-sectional area depending on the height, and thus may have a different cross-sectional area of a passage through which the source gas passes. For example, by making the cross-sectional area of the distribution body 255 narrower as the height increases, the same effect as that of reducing the spacing of the injection holes 240 can be obtained. This is because the narrower the cross-sectional area, the lower the pressure of the source gas is, so that the injection force of the source gas can be maintained.

이와 같이, 가스 분배부(230)에서의 분배체(255)의 구조 및 형상을 조정하거나 또는 분배체(255)에 형성된 분사홀(240)의 간격을 조정함으로써 공정챔버(10) 내로 분사되는 소스 가스의 공간적 균일도를 높일 수 있다.As such, the source injected into the process chamber 10 by adjusting the structure and shape of the distribution body 255 in the gas distribution unit 230 or by adjusting the spacing of the injection holes 240 formed in the distribution body 255. The spatial uniformity of the gas can be increased.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터를 구비한 기판 처리 장치의 단면도를 보여준다. 5 shows a cross-sectional view of a substrate processing apparatus having an injector in accordance with one embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터를 구비한 기판 처리 장치는 공정챔버(10), 기판 적층부(50), 지지부(40), 지지부 구동부(45) 및 가스 인젝터를 포함할 수 있다. 공정챔버(10), 기판 적층부(50), 지지부(40) 및 지지부 구동부(45)에 대하여는 전술한 도 1에서 자세히 설명하였기에 생략하기로 한다.Referring to FIG. 5, a substrate processing apparatus having an injector according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 10, a substrate stacking unit 50, a support 40, a support driver 45, and a gas injector. can do. The process chamber 10, the substrate stacking unit 50, the support unit 40, and the support unit driver 45 are described in detail with reference to FIG. 1 and will be omitted.

가스 인젝터는 가스 주입구(210), 가스 전달부(220) 및 가스 분배부(230)를 포함하여 구성될 수 있다. 소스 가스는 가스 주입구(210)를 통하여 공급되며, 가스 전달부(220)로 전달된다. 가스 전달부(220)는 기판 적층부(50)의 하단을 둘러싸는 형상으로 배치되어, 소스 가스를 복수의 가스 분배부(230)로 전달한다. 가스 분배부(230)는 가스 전달부(220)에 소정의 간격으로 수직으로 세워져, 기판 적층부(50)에 적층된 기판(W)들에 가스를 분사하여 분배한다. 가스 분배부(230)는 높이에 따라 소정 간격 또는 다른 간격으로 배치되는 분사홀 또는 분사 노즐을 배치하여, 분사되는 소스 가스의 양을 높이에 따라 균일하게 조정할 수 있다.The gas injector may include a gas injection port 210, a gas delivery unit 220, and a gas distribution unit 230. The source gas is supplied through the gas inlet 210 and is delivered to the gas delivery unit 220. The gas delivery part 220 is disposed in a shape surrounding the lower end of the substrate stacking part 50, and transfers the source gas to the plurality of gas distribution parts 230. The gas distribution unit 230 is vertically placed at a predetermined interval on the gas delivery unit 220, and distributes the gas to the substrates W stacked on the substrate stack 50. The gas distribution unit 230 may arrange the injection holes or the injection nozzles disposed at predetermined intervals or other intervals according to the height, and uniformly adjust the amount of the source gas to be injected according to the height.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 적층부(50)의 하단에서 기판 적층부(50)의 외주면 상에 복수의 가스 분배부(230)를 배치하여, 기판 적층부(50)에 적층된 기판(W)들에 소스 가스를 분사함으로써 상대적으로 증착되는 막의 균일도를 높일 수 있다. 이와 함께, 높이에 따라서도 분사홀 또는 분사 노즐을 적절히 배치하여, 분사되는 소스 가스의 양을 높이에 따라 균일하게 조정할 수 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the plurality of gas distribution units 230 are disposed on the outer circumferential surface of the substrate stacking unit 50 at the lower end of the substrate stacking unit 50, and thus, the substrate stacking unit 50 is disposed. By spraying the source gas on the substrates W stacked on the substrate W, the uniformity of the deposited film can be increased. In addition, the injection hole or the injection nozzle may be appropriately disposed depending on the height, and the amount of source gas to be injected may be uniformly adjusted according to the height.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므 로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not limiting.

도 1은 일반적인 인젝터를 구비한 기판 처리 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus having a general injector.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 인젝터의 사시도이다.2 is a perspective view of a gas injector according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 가스 인젝터의 가스 분배부의 사시도이다.3 is a perspective view of a gas distribution part of the gas injector of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 인젝터의 가스 분배부의 사시도이다.4 is a perspective view of a gas distribution part of a gas injector according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터를 구비한 기판 처리 장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus having an injector according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 설명** Description of the main parts of the drawings *

10: 공정챔버 30: 가스 공급부10: process chamber 30: gas supply unit

40: 지지부 45: 지지부 구동부40: support portion 45: support portion drive portion

50: 기판 적층부 200: 가스 인젝터50: substrate stacking part 200: gas injector

210: 가스 주입구 220: 가스 전달부210: gas inlet 220: gas delivery unit

230, 260: 가스 분배부 240: 분사홀230, 260: gas distribution unit 240: injection hole

235, 255: 분배체235, 255: distribution

Claims (6)

기판 처리 장치에서의 공정챔버 내로 소스 가스를 분사하는 가스 인젝터에 있어서,In the gas injector for injecting the source gas into the process chamber in the substrate processing apparatus, 공급원으로부터 상기 소스 가스를 공급 받는 가스 주입구;A gas inlet receiving the source gas from a source; 상기 공정챔버 내의 기판 적층부의 테두리 상에 배치되며, 상기 가스 주입구로부터 상기 소스 가스를 전달 받는 가스 전달부; 및A gas delivery part disposed on an edge of the substrate stacking part in the process chamber and receiving the source gas from the gas injection hole; And 상기 가스 전달부 상에 수직으로 세워지며, 각각 서로 이격되어 상기 전달 받은 소스 가스를 상기 공정챔버 내로 공급하는 복수의 가스 분배부를 포함하는, 가스 인젝터.A gas injector, which is vertically erected on the gas delivery part, includes a plurality of gas distribution parts that are spaced apart from each other and supply the delivered source gas into the process chamber. 제 1항에 있어서, 상기 가스 분배부는According to claim 1, wherein the gas distribution unit 상기 가스 전달부 상에 수직으로 세워지며 상기 소스 가스의 이동 통로를 제공하는 분배체; 및A distribution body standing vertically on the gas delivery part and providing a movement passage of the source gas; And 상기 분배체의 높이 방향으로 소정 간격으로 형성되어 상기 소스 가스를 상기 공정챔버 내로 분사하는 복수의 분사홀 또는 분사노즐을 포함하는, 가스 인젝터.And a plurality of injection holes or injection nozzles formed at predetermined intervals in the height direction of the distributor to inject the source gas into the process chamber. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 복수의 분사홀 또는 분사노즐은 상기 분사체의 높이가 높아질수록 간격 이 좁게 배치되도록 구성되는, 가스 인젝터.The plurality of injection holes or injection nozzles are configured such that the interval is narrower as the height of the injection body is higher, the gas injector. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 분배체는 높이 방향으로 상기 소스 가스가 통과하는 이동 통로의 단면적이 줄어드는, 가스 인젝터.The gas injector of which the cross-sectional area of the moving passage through which the source gas passes is reduced in the height direction. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 전달부는 상기 기판 적층부의 테두리를 감싸는 원형의 관 형상으로 이루어지는, 가스 인젝터.The gas injector is a gas injector made of a circular tubular shape surrounding the edge of the substrate stacking portion. 소정의 공정이 수행되는 공정챔버;A process chamber in which a predetermined process is performed; 상기 공정챔버 내에서 복수의 기판을 소정 간격으로 적층된 상태로 유지시키는 기판 적층부; 및A substrate stacking unit for maintaining a plurality of substrates stacked at predetermined intervals in the process chamber; And 상기 기판 적층부의 테두리 상에서 상기 공정챔버 내부로 소스 가스를 분사하는 가스 인젝터를 포함하며,A gas injector for injecting a source gas into the process chamber on an edge of the substrate stacking part, 상기 가스 인젝터는The gas injector is 공급원으로부터 상기 소스 가스를 공급 받는 가스 주입구; A gas inlet receiving the source gas from a source; 상기 기판 적층부의 테두리 상에 배치되며, 상기 가스 주입구로부터 상기 소스 가스를 전달 받는 가스 전달부; 및A gas delivery part disposed on an edge of the substrate stacking part and receiving the source gas from the gas injection hole; And 상기 가스 전달부 상에 수직으로 세워지며, 각각 서로 이격되어 상기 전달 받은 소스 가스를 상기 적층된 기판의 위치하는 방향으로 분사하는 복수의 가스 분배부를 포함하는, 가스 인젝터를 구비한 기판 처리 장치.Vertically erected on the gas delivery unit, each of the substrate processing apparatus having a gas injector, each spaced apart from each other comprising a plurality of gas distribution for injecting the received source gas in the direction of the position of the stacked substrate.
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