KR20100110734A - Glass substrate for an electronic device and method for manufacturing an electronic device - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는, 유리 모재(母材)(GL)의 표리면 중, 표면 전체에 반사 방지막을 형성하는 성막(成膜) 공정(ST1)과, 반사 방지막을 형성한 유리 모재의 표면 전체에, 내불산성의 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST2)과, 레이저광 또는 커터날에 의해, 유리 모재의 표면으로부터, 관통하지 않는 구획 라인(GV)을 형성하여, 유리 모재를 복수의 사용 영역으로 구획하는 구획 공정(ST3)과, 구획 공정을 거친 유리 모재를 화학 연마하여, 유리 모재를 이면측으로부터 박육화(薄肉化)하고, 구획 라인(GV)을 표면측으로부터 심화시키는 에칭 공정(ST4)을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조한다.
본 발명에 따르면, 유리의 장점을 유효하게 활용할 수 있도록 한 전자 장치용 유리 기판을 제공할 수 있다.In the present invention, in the front and back surfaces of the glass base material (GL), the film formation step (ST1) of forming the antireflection film on the entire surface and the entire surface of the glass base material on which the antireflection film is formed. The resist process (ST2) which forms an acidic resist layer, and the laser beam or the cutter blade form the partition line GV which does not penetrate from the surface of a glass base material, and divides a glass base material into several use area | region. The etching process (ST4) which chemically grinds the partitioning process (ST3) and the glass base material which passed through the partitioning process, thins a glass base material from the back surface side, and deepens the partition line (GV) from the surface side, A plurality of glass substrates for electronic devices are manufactured from one glass base material.
According to the present invention, it is possible to provide a glass substrate for an electronic device that can effectively utilize the advantages of glass.

Figure P1020100027919
Figure P1020100027919

Description

전자 장치용 유리 기판 및 전자 장치의 제조 방법{GLASS SUBSTRATE FOR AN ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE}Glass substrate for electronic device and manufacturing method of electronic device {GLASS SUBSTRATE FOR AN ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은, 표시 장치 등의 전자 장치의 노출부에 사용되는 유리 기판의 제조 방법과, 그러한 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of the glass substrate used for the exposed part of electronic devices, such as a display apparatus, and the manufacturing method of such an electronic device.

표시 장치 등의 노출부에는, 파손이나 오염을 방지하는 투명한 피복 부재를 마련할 필요가 있다. 여기서, 피복 부재로서는, 플라스틱이 가장 간이적이지만, 플라스틱에 비해서, 시인성, 내구성, 내산성, 내열성 등이 우수한 유리의 사용도 제안되어 있다(특허 문헌 1).In exposed portions such as display devices, it is necessary to provide a transparent covering member that prevents damage or contamination. Here, as a covering member, although plastic is the simplest, use of glass excellent in visibility, durability, acid resistance, heat resistance, etc. compared with plastic is proposed (patent document 1).

또한, 터치 패널 일체형의 액정 디스플레이의 터치 패널에 대해서도, PET(Polyethylene terephthalate) 등의 필름재를 대신하여 유리를 사용하는 편이, 제조 공정상의 제약이 적고, 또한 상기한 유리의 이점을 활용할 수 있는 점에서 우수하다.In addition, in the case of a touch panel of a touch panel-integrated liquid crystal display, using glass instead of a film material such as polyethylene terephthalate (PET) has less constraints in the manufacturing process, and the advantage of the above-described glass can be utilized. Excellent at

일본 특허 공개 제2007-241179호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-241179

그러나, 전자 장치의 노출부에 유리를 사용하는 경우에는, 전자 장치의 제조시나 사용시에, 터치 패널이나 커버 유리가 파손되지 않기 위한 만전의 대책이 필요하다. 또한, 반사에 의한 유리면에의 비침의 대책도 중요하다.However, when glass is used in the exposed portion of the electronic device, it is necessary to make sure that the touch panel and the cover glass are not damaged during the manufacture or use of the electronic device. In addition, countermeasures against reflection on the glass surface due to reflection are also important.

본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 제조 비용을 특별히 올리지 않고서, 유리의 취약함을 물리적으로 개선하고, 유리의 장점을 유효 활용할 수 있도록 한 전자 장치용 유리 기판을 제공하는 것과, 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a glass substrate for an electronic device that can physically improve the fragility of glass and effectively utilize the advantages of glass without raising the manufacturing cost in particular, and an electronic device. The purpose is to provide.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 따른 유리 기판의 제조 방법에서는, 유리 모재(母材)의 표리면 중 표면측에, 내불산성의 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST2)과, 레이저광 또는 커터날에 의해, 유리 모재의 표면측으로부터, 유리 모재를 관통하지 않는 구획 라인을 형성하여, 유리 모재를 복수의 사용 영역으로 구획하는 구획 공정(ST3)과, 구획 공정을 거친 유리 모재를 에칭하여, 유리 모재를 이면측으로부터 박육화(薄肉化)하고, 상기 구획 라인을 심화(深化)시키는 에칭 공정(ST4)을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조한다.In order to achieve the said objective, in the manufacturing method of the glass substrate which concerns on Claim 1, the resist process (ST2) which forms a hydrofluoric acid resistant resist layer in the front and back surface of a glass base material, a laser beam, or The cutter blade forms a partition line which does not penetrate the glass base material from the surface side of the glass base material, and etches the glass base material that has undergone the partitioning step (ST3) and the partitioning step that partitions the glass base material into a plurality of use regions. The glass base material is thinned from the back surface side, and has the etching process (ST4) which deepens the said division line, and manufactures several glass substrate for electronic devices from one glass base material.

본 발명의 에칭 공정에서는, 바람직하게는, 이면측을 상면으로 한 유리 모재를 수평 상태로 유지하여 에칭 처리가 실행된다. 또한, 에칭 공정에서는, 유리 모재의 표리면에, 화학 연마액을 분사하는 것이 바람직하다.In the etching process of this invention, Preferably, the etching process is performed, maintaining the glass base material which made the back surface side into the upper surface horizontal. Moreover, in an etching process, it is preferable to spray a chemical polishing liquid to the front and back surface of a glass base material.

청구항 2에 따른 유리 기판의 제조 방법에서는, 유리 모재의 표리면 중 표면측에, 내불산성의 표면 레지스트층을 이산적(離散的)으로 형성하는 한편, 유리 모재의 이면측에도, 표면 레지스트층에 대응하는 위치에, 내불산성의 이면 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST11∼ST13)과, 유리 모재에 있어서 레지스트층을 형성하고 있지 않은 부분을 에칭하여, 유리 모재를 관통하지 않는 구획 라인을 형성해서, 유리 모재를 복수의 사용 영역으로 구획하는 구획 공정(ST14)과, 표면 레지스트층 및 이면 레지스트층을 박리한 상태에서, 유리 모재 전체를 에칭하여, 상기 유리 모재를 박육화하고, 상기 구획 라인을 심화시키는 에칭 공정(ST16)을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조한다.In the method for manufacturing a glass substrate according to claim 2, the hydrofluoric acid resistant surface resist layer is formed discretely on the front and back surfaces of the glass base material, while the back surface side of the glass base material also corresponds to the surface resist layer. At the position where the hydrofluoric acid-resistant back surface resist layer is formed, a resist line (ST11 to ST13) and a portion where the resist layer is not formed in the glass base material are etched to form a partition line that does not penetrate the glass base material. Compartment process (ST14) which divides a glass base material into a some use area | region, and the whole glass base material is etched in the state which peeled the surface resist layer and the back surface resist layer, thinning the said glass base material and deepening the said division line. It has an etching process (ST16) and manufactures several glass substrates for electronic devices from one glass base material.

청구항 3에 따른 유리 기판의 제조 방법에서는, 유리 모재의 표리면 중 표면측에, 내불산성의 표면 레지스트층을 이산적으로 형성하는 한편, 유리 모재의 이면측에도, 표면 레지스트층에 대응하는 위치에, 내불산성의 이면 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST21∼ST23)과, 유리 모재에 있어서 레지스트층을 형성하고 있지 않은 부분을 에칭하여, 유리 모재를 유리 기판의 사용 영역별로 분리하는 분리 공정(ST24)과, 상기 유리 기판의 단부면을 더 에칭하여, 유리 단부면에 있어서 판 두께 중심 영역을 원호면으로 변형하는 변형 공정(ST25)을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조한다.In the method for manufacturing a glass substrate according to claim 3, the hydrofluoric acid resistant surface resist layer is discretely formed on the front and back surfaces of the glass base material, while the rear surface side of the glass base material is also positioned at a position corresponding to the surface resist layer. Resist steps (ST21 to ST23) for forming a hydrofluoric acid-resistant backside resist layer, and a separation step (ST24) for etching a portion of the glass base material that does not form a resist layer to separate the glass base material for each use region of the glass substrate. And the end surface of the said glass substrate is further etched, and it has a deformation | transformation process (ST25) which deform | transforms a plate thickness center area | region to an arc surface in a glass end surface, and is made from several sheets of glass base materials, Manufacture.

청구항 9에 따른 전자 장치의 제조 방법에서는, 상기 유리 기판을, 사용자에게 접하는 커버 유리로서 전자 장치에 포함시키는 공정을 갖는다. 여기서, 사용자에게 접한다고 하는 것은, 직접 접촉과 간접 접촉을 포함하는 개념이지만, 어느 경우라도, 이 커버 유리는 인위적으로 압박될 가능성이 있다.The manufacturing method of the electronic device of Claim 9 has the process of including the said glass substrate in an electronic device as a cover glass which contacts a user. Here, contact with the user is a concept including direct contact and indirect contact, but in any case, the cover glass may be artificially pressed.

또한, 청구항 10에 따른 전자 장치의 제조 방법에서는, 상기 유리 기판을, 터치 패널 일체형의 표시 장치의 터치 패널에 있어서, 사용자측의 부재로서 전자 장치에 포함시키는 공정을 갖는다. 또한, 이 사용자측의 부재도, 인위적으로 압박 가능하다.Moreover, the manufacturing method of the electronic device of Claim 10 has the process of including the said glass substrate in an electronic device as a member of a user side in the touchscreen of a touchscreen integrated display device. In addition, the member on the user side can also be pressed artificially.

상기한 어느 발명에서도, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 유리 기판이 제조되지만, 유리 기판의 둘레 가장자리는, 이것이 물리적으로 절단되는 일이 없기 때문에, 크랙 등이 발생하지 않고, 기계적인 강도가 대폭으로 개선된다. 즉, 유리는, 특히, 그 둘레 가장자리에 존재하는 크랙이 파손의 기점이 되는 경우가 많은데, 본 발명에서 제조된 유리 기판의 둘레 가장자리에는 크랙이 존재하지 않기 때문에, 유리의 취약함이 대폭으로 개선된다.In any of the above inventions, a plurality of glass substrates are manufactured from one glass base material, but since the edges of the glass substrates are not physically cut, no cracks or the like occur and the mechanical strength is greatly increased. Is improved. That is, in particular, the glass is often a starting point of breakage of the cracks present at the peripheral edge thereof, and since the cracks do not exist at the peripheral edge of the glass substrate manufactured in the present invention, the fragility of the glass is greatly improved. do.

또한, 청구항 1 또는 청구항 2에 따른 발명에서는, 에칭 공정을 마련하여, 유리 모재의 이면, 또는 유리 모재의 표면 및 이면을 박육화하기 때문에, 유리 기판의 둘레 가장자리 뿐만 아니라, 적어도, 그 이면에는 크랙이 남지 않는다. 인위적인 외부 압력은, 반사 방지막을 갖는 유리 기판의 표면측으로부터 가해지기 때문에, 이면측의 크랙이 잔존하면, 거기를 기점으로 유리가 깨질 우려가 있으나, 본 발명의 유리 기판의 이면에는 크랙이 남지 않기 때문에, 유리 기판의 물리적 강도를 높일 수 있다. 따라서, 예컨대 표시 장치의 커버 유리로서 사용해도 우수한 강도를 발휘한다. 또한, 터치 패널에 사용되는 필름재의 대체품으로서, 본 발명의 유리 기판을 유효하게 활용할 수도 있다.In addition, in the invention according to claim 1 or 2, an etching step is provided to thin the back surface of the glass base material, or the front surface and the back surface of the glass base material. Not left. Since artificial external pressure is applied from the surface side of the glass substrate having the antireflection film, if cracks on the back side remain, there is a possibility that the glass will be broken from there, but no cracks remain on the back side of the glass substrate of the present invention. Therefore, the physical strength of a glass substrate can be raised. Therefore, even if it uses, for example as a cover glass of a display apparatus, it exhibits the outstanding strength. Moreover, the glass substrate of this invention can also be utilized effectively as a substitute of the film material used for a touchscreen.

또한, 본 발명에서는, 에칭 공정을 마련하기 때문에, 구획 공정에 있어서, 가령, 둘레 가장자리부에 예리하게 각진 부분이 생겨도, 이 각진 부분은, 에칭 공정에서 둥글고 매끄러운 면으로 된다. 그 때문에, 그 후의 제조 공정에서, 유리 둘레 가장자리에 무엇인가가 접촉한 경우라도, 새로운 크랙이 발생할 가능성이 크게 저감된다.Moreover, in this invention, since an etching process is provided, even if a sharply angled part arises in a peripheral part in a partition process, this angled part becomes a round smooth surface in an etching process. Therefore, in the subsequent manufacturing process, even if something contacts the glass circumferential edge, the possibility of new cracking is greatly reduced.

또한, 본 발명에서는, 에칭 공정에 있어서, 반드시, 구획 라인을 관통시킬 필요는 없으나, 구획 라인을 관통시킴으로써, 유리 기판의 기계적 강도를 극한적으로 높일 수 있다. 한편, 구획 라인이 관통하지 않은 단계에서 에칭 공정을 종료하는 실시형태를 채용하는 경우에는, 레지스트층을 제거하는 박리 처리가 용이하면서도 확실하다. 즉, 유리 모재는, 구획 라인을 갖지만, 전체적으로 일체로서 박리 처리를 실행할 수 있기 때문에, 제조 효율을 떨어뜨리지 않는다. 이에 비하여, 개개의 유리 기판으로 분리한 후에, 피막층을 제거하는 경우에는, 개개의 유리 기판을 정렬시키는 작업이 필요해진다.In addition, in this invention, in an etching process, although it does not necessarily need to penetrate a partition line, the mechanical strength of a glass substrate can be raised ultimately by penetrating a partition line. On the other hand, in the case where the embodiment in which the etching process is completed at the stage where the partition line does not penetrate is adopted, the peeling process for removing the resist layer is easy and sure. That is, although a glass base material has a partition line, since a peeling process can be performed as a whole as a whole, it does not reduce manufacturing efficiency. On the other hand, after separating into individual glass substrates, when removing a coating layer, the operation which aligns an individual glass substrate is needed.

유리 모재의 표면에만 레지스트층을 형성하는 청구항 1에 따른 발명의 경우에는, 유리 모재에 접착한 드라이 필름 레지스트층을 감광시켜 레지스트층을 형성하는 것이 바람직하다. 한편, 유리 모재의 표면 및 이면에 레지스트층을 형성하는 청구항 2나 청구항 3에 따른 발명의 경우에는, 상기한 방법에 한정되지 않고, 마스킹제에 유리 모재를 침지함으로써 유리 모재를 마스킹할 수도 있다.In the case of the invention according to claim 1 in which the resist layer is formed only on the surface of the glass base material, it is preferable to form a resist layer by exposing the dry film resist layer adhered to the glass base material. On the other hand, in the case of the invention according to claim 2 or claim 3, wherein the resist layer is formed on the front and back surfaces of the glass base material, the glass base material can be masked by dipping the glass base material into the masking agent.

반사 방지막은, 전형적으로는, 박막 표면에서의 반사광과 박막 이면에서의 반사광의 위상차에 의해 반사파를 소멸시키는 것이며, 바람직하게는, SiO2층과, TiO2층과, SiO2층과, TiO2층과, SiO2층이, 스퍼터링 처리에 의해, 이 순서로 유리 표면에 적층되어 구성된다. 또한, 산화티탄 TiO2층을 대신하여, 산화인듐주석 ITO층을 형성해도 되고, 또한 5층 구조를 대신하여, SiO2층, TiO2층, SiO2층, TiO2층에 의한 4층 구조로 해도 된다.The anti-reflection film typically dissipates reflected waves by the phase difference between the reflected light on the thin film surface and the reflected light on the back surface of the thin film. Preferably, the SiO 2 layer, the TiO 2 layer, the SiO 2 layer, and the TiO 2 The layer and the SiO 2 layer are laminated on the glass surface in this order by sputtering treatment and are configured. In place of the titanium oxide TiO 2 layer, an indium tin oxide ITO layer may be formed, and in place of the five-layer structure, a four-layer structure of SiO 2 layer, TiO 2 layer, SiO 2 layer, and TiO 2 layer is used. You may also

또한, 상기 유리 모재는, 바람직하게는, 알칼리 유리여야 한다. 알칼리 유리는 저렴하기 때문에, 전자 장치의 커버 유리 등으로서 효과적이며, 아크릴판 등보다 우수한 투과율을 발휘한다. 또한, 시인성 뿐만 아니라, 내산성이나 내열성을 포함한 내구성에 대해서도 아크릴판 등보다 우수하다.In addition, the glass base material, preferably, should be alkali glass. Since alkali glass is inexpensive, it is effective as a cover glass of an electronic device, etc., and shows the transmittance | permeability superior to an acryl plate etc. Moreover, it is superior to an acryl plate etc. not only in visibility but also durability including acid resistance and heat resistance.

상기한 본 발명에 따르면, 유리의 취약함을 개선한 유리 기판을 제조할 수 있고, 유리의 장점을 유효하게 활용한 전자 장치를 실현할 수 있다.According to the present invention described above, it is possible to manufacture a glass substrate having improved glass fragility, and to realize an electronic device effectively utilizing the advantages of glass.

도 1은 유리 기판의 제1 제조 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 2는 유리 기판의 제2 제조 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 3은 포토마스크의 구성을 예시하는 평면도이다.
도 4는 레지스트층을 형성한 유리 기판을 도시하는 평면도이다.
도 5는 유리 기판의 제3 제조 방법을 예시하는 흐름도이다.
도 6은 레지스트층을 형성한 유리 기판을 도시하는 평면도이다.1 is a flowchart illustrating a first method of manufacturing a glass substrate.
2 is a flowchart illustrating a second method of manufacturing a glass substrate.
3 is a plan view illustrating the configuration of a photomask.
It is a top view which shows the glass substrate in which the resist layer was formed.
5 is a flowchart illustrating a third method of manufacturing a glass substrate.
It is a top view which shows the glass substrate in which the resist layer was formed.

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail based on an Example.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 1은 제1 실시예에 따른 유리 기판의 제조 방법을 예시하는 흐름도이다. 여기서, 단계 ST1∼ST6의 공정을 거쳐 제조된 유리 기판은, 예컨대 휴대 전화기의 액정 디스플레이의 커버 유리로서 사용된다. 또한, 터치 패널 일체형의 액정 디스플레이를 구성하는 사용자측의 유리 기판으로서 사용할 수도 있다. 또한, 터치 패널 일체형의 액정 디스플레이에서는, 2장의 유리 기판 중 한쪽이, 터치 패널의 유리 기판을 겸하기 때문에, 액정 디스플레이를 구성하는 유리 기판에 대면하는 사용자측의 유리 기판으로서, 도 1의 공정에서 제조된 유리 기판이 활용된다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a glass substrate according to the first embodiment. Here, the glass substrate manufactured through the process of steps ST1-ST6 is used as a cover glass of the liquid crystal display of a mobile telephone, for example. Moreover, it can also be used as a glass substrate of the user side which comprises a touchscreen integrated liquid crystal display. In addition, in the liquid crystal display of a touch panel type | mold, since one of two glass substrates also serves as the glass substrate of a touch panel, it manufactures in the process of FIG. 1 as a glass substrate of the user side facing the glass substrate which comprises a liquid crystal display. Glass substrates are utilized.

이하, 도 1에 기초하여 설명한다. 이 실시예에서는, 400 ㎜×500 ㎜ 정도의 면적을 가지며, 1 ㎜ 이하(바람직하게는 0.7 ㎜ 정도)로 박형화된 알칼리 유리(GL)가 사용된다. 그리고, 처음에, 유리 모재(GL)의 표리면 중 한쪽 면(예컨대 표면측)에 반사 방지막을 형성한다(ST1). 구체적으로는, 스퍼터링법에 의해, 유리 모재(GL)에, 이산화규소 SiO2층과, 산화티탄 TiO2층을 반복해서 복수 회 적층한다.Hereinafter, it demonstrates based on FIG. In this embodiment, alkali glass GL having an area of about 400 mm x 500 mm and thinned to 1 mm or less (preferably about 0.7 mm) is used. First, an antireflection film is formed on one surface (for example, the surface side) of the front and back surfaces of the glass base material GL (ST1). Specifically, by the sputtering method, a silicon dioxide SiO 2 layer and a titanium oxide TiO 2 layer are repeatedly laminated on the glass base material GL a plurality of times.

특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는, 도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이, SiO2(Fa1층), TiO2(Fb1층), SiO2(Fa2층), TiO2(Fb2층) 및 SiO2(Fa3층)의 5층을 이 순서로 성막(成膜)한다. 그리고, 이 경우에는, Fa1층은 100 Å∼700 Å, Fb1층은 100 Å∼300 Å, Fa2층은 100 Å∼500 Å, Fb2층은 500 Å∼1500 Å, Fa3층은 100 Å∼1000Å 정도의 막 두께로 성막된다.As it is shown in not particularly limited, but preferably, as shown in FIG. 1 (a), SiO 2 ( Fa1 layer), TiO 2 (Fb1 layer), SiO 2 (Fa2 layer), TiO 2 (Fb2 layer) and Five layers of SiO 2 (Fa 3 layer) are formed in this order. In this case, the Fa1 layer is 100 kPa to 700 kPa, the Fb1 layer is 100 kPa to 300 kPa, the Fa2 layer is 100 kPa to 500 kPa, the Fb2 layer is 500 kPa to 1500 kPa and the Fa3 layer is about 100 kPa to 1000 kPa. Is formed into a film thickness.

계속해서, 반사 방지막을 덮도록, 유리 모재(GL)의 표면에 드라이 필름 레지스트를 접착하고, 자외선을 조사(照射)하여 내불산성의 레지스트층(RS)을 형성한다(ST2). 또한, 도 1의 (a)는, 유리 모재(GL)와 반사 방지막과 레지스트층(RS)의 적층 관계를 도시하고 있다.Subsequently, a dry film resist is adhered to the surface of the glass base material GL so as to cover the antireflection film, and ultraviolet rays are irradiated to form a hydrofluoric acid resistant resist layer RS (ST2). In addition, Fig.1 (a) has shown the lamination relationship of glass base material GL, an antireflection film, and the resist layer RS.

다음으로, 레지스트층(RS)의 상면으로부터 레이저광을 조사하여, 유리 모재(GL)를 구획 라인을 따라 변질시킨다(ST3). 레이저광에 의한 구획 라인은, 유리 모재를 관통시키지 않는 깊이로 형성되기 때문에, 단계 ST3의 처리 후에 있어서도, 유리 모재의 일체성이 유지된다. 또한, 통상은, 이 구획 라인에 의해, 유리 모재(GL)가, 40 ㎜×70 ㎜ 정도의 직사각형 형상으로 구획되지만, 대략 원형 등의 임의의 형상으로 구획해도 되는 것은 물론이다.Next, a laser beam is irradiated from the upper surface of the resist layer RS, and the glass base material GL is altered along the division line (ST3). Since the division line by a laser beam is formed in the depth which does not penetrate a glass base material, the unity of a glass base material is maintained even after the process of step ST3. In addition, although the glass base material GL is divided into rectangular shapes of about 40 mm x 70 mm by this division line normally, you may divide into arbitrary shapes, such as substantially circular, of course.

또한, 레이저광의 조사를 대신하여, 스크라이빙 머신을 사용해도 되며, 그 경우에는, 커터날에 의해 절삭홈(GV)인 구획 라인이 형성된다(ST3'). 도 1의 (b)는, 구획 라인(GV)이 형성된 유리 모재를 도시하고 있고, 이 경우에도 구획 라인(GV)은, 유리 모재(GL)를 관통시키지 않기 때문에, 유리 모재(GL)의 일체성이 유지된다.In addition, a scribing machine may be used instead of irradiation of a laser beam, and in that case, the partition line which is cutting groove | channel GV is formed by a cutter blade (ST3 '). FIG. 1 (b) shows the glass base material in which the division line GV was formed, and since the division line GV does not penetrate through the glass base material GL also in this case, it is integral with glass base material GL. The castle is maintained.

다음으로, 단계 ST3 또는 단계 ST3'의 처리를 거친 유리 모재(GL)를, 불산을 함유하는 화학 연마액에 의해 에칭한다(ST4). 화학 연마액으로서는, 불산 1 중량%∼10 중량%, 황산 20 중량%∼50 중량% 함유하는 것이 적합하다. 불산의 농도는, 바람직하게는, 1 중량%∼5 중량%, 더 바람직하게는, 1 중량%∼3 중량%이다. 또한, 이 연마액 중에 있어서의 황산의 농도는, 바람직하게는, 30 중량%∼45 중량%, 더 바람직하게는, 35 중량%∼42 중량%이다.Next, the glass base material GL which has undergone the processing of Step ST3 or Step ST3 'is etched with a chemical polishing liquid containing hydrofluoric acid (ST4). As the chemical polishing liquid, those containing 1 wt% to 10 wt% of hydrofluoric acid and 20 wt% to 50 wt% of sulfuric acid are suitable. The concentration of hydrofluoric acid is preferably 1% by weight to 5% by weight, more preferably 1% by weight to 3% by weight. The concentration of sulfuric acid in the polishing liquid is preferably 30% by weight to 45% by weight, more preferably 35% by weight to 42% by weight.

이 에칭 처리에 의해, 유리 모재(GL)의 레지스트층(RS)으로 피복되어 있지 않은 부분이 에칭되기 때문에, 구획 라인(GV)이 심화되고, 유리 모재(GL)도 이면측으로부터 박육화(薄肉化)된다. 그 결과, 구획 라인(GV)의 형성시나, 그 후의 반송시 등에, 가령 크랙이 발생하고 있어도, 이것을 소멸시킬 수 있다.By this etching process, since the part which is not coat | covered with the resist layer RS of the glass base material GL is etched, the division line GV deepens and the glass base material GL also becomes thin from the back surface side. )do. As a result, even when a crack generate | occur | produces, for example at the time of formation of the division line GV, subsequent conveyance, etc., it can be extinguished.

에칭량은 적절하게 설정되지만, 유리 모재(GL)의 판 두께가 0.7 ㎜ 정도이면, 단계 ST4의 처리를 거침으로써, 유리 모재(GL)는, 0.6 ㎜∼0.5 ㎜ 정도로 박형화되고, 그 결과, 구획 라인은, 사실상, 유리 모재(GL)를 관통한다. 이 정도까지 박형화된 유리 모재는, 90°이하의 각도까지 자유롭게 굴곡시킬 수 있으나, 본 실시예에서는, 유리 모재(GL)를 박형화하면서 구획 라인(GV)이 매끄러워지기 때문에, 유리 모재(GL)로부터 잘라내어지는 유리 기판의 단부면에, 크랙이 존재하지 않아, 우수한 깨짐 강도를 발휘한다.Although the etching amount is set suitably, if the plate | board thickness of glass base material GL is about 0.7 mm, the glass base material GL will be thinned about 0.6 mm-0.5 mm by processing of step ST4, As a result, a compartment The line actually penetrates through the glass base material GL. The glass base material thinned to this extent can be bent freely to an angle of 90 ° or less, but in this embodiment, since the partition line GV becomes smooth while thinning the glass base material GL, the glass base material GL is reduced. Cracks do not exist in the end surface of the glass substrate cut out from the surface, and exhibit excellent cracking strength.

그런데, 단계 ST4의 처리에서는, 레지스트층(RS)으로 피복되어 있지 않은 유리 모재(GL)의 이면측을 상면으로 하여, 수평 상태로 유지한 유리 모재(GL)의 표면과 이면으로부터, 화학 연마액을 샤워 형상으로 분무하는 것이 바람직하다. 유리 모재(GL)는, 예컨대 전용의 수납 케이스에 수용되지만, 수납 케이스의 하면을 메시(mesh) 형상으로 형성함으로써, 구획 라인(GV)에, 화학 연마액을 직접 닿게 할 수 있다. 또한, 구획 라인(GV)이 하방을 향하여 개구되기 때문에, 에칭 처리에 의한 반응 생성물이, 구획 라인(GV)에 잔존하여 부착되는 일도 없다.By the way, in the process of step ST4, the chemical polishing liquid is made from the surface and the back surface of the glass base material GL held in the horizontal state by making the back surface side of the glass base material GL which is not coat | covered with the resist layer RS into an upper surface. It is preferable to spray in the shower shape. Although the glass base material GL is accommodated in the exclusive storage case, for example, the chemical polishing liquid can be made to directly contact the division line GV by forming the lower surface of a storage case in mesh shape. In addition, since the division line GV opens downward, the reaction product by an etching process does not remain and adhere to the division line GV.

또한, 이러한 구성을 채용하면, 유리 모재(GL)가 수평 상태로 유지되기 때문에, 구획 라인(GV)이 심화되어도, 유리 모재(GL)로부터 분리한 유리 기판이, 뿔뿔이 분리되는 일이 없다. 한편, 유리 모재를 화학 연마조에 침지한 경우에는, 화학 연마액의 영향으로, 유리 모재가 구획 라인을 따라 용이하게 갈라져 유리 기판이 뿔뿔이 흩어져 버린다.Moreover, when such a structure is employ | adopted, since glass base material GL is maintained in a horizontal state, even if the division line GV deepens, the glass substrate isolate | separated from glass base material GL does not separate. On the other hand, when the glass base material is immersed in the chemical polishing tank, under the influence of the chemical polishing liquid, the glass base material easily splits along the division lines, and the glass substrate is scattered.

이상과 같이 하여 단계 ST4의 에칭 처리가 종료되면, 레지스트층(RS)을 박리함으로써, 표시 장치용 커버 유리가 완성된다(ST5).When the etching process of step ST4 is completed as mentioned above, the resist layer RS is peeled off, and the cover glass for display apparatuses is completed (ST5).

<제2 실시예>Second Embodiment

도 2는 제2 실시예에 따른 유리 기판의 제조 방법을 예시하는 흐름도이다. 이 유리 기판도, 예컨대 표시 장치의 커버 유리로서 활용된다. 또한, 터치 패널 일체형의 액정 디스플레이를 구성하는 사용자측의 유리 기판으로서 사용할 수도 있다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the glass substrate according to the second embodiment. This glass substrate is also utilized as a cover glass of a display apparatus, for example. Moreover, it can also be used as a glass substrate of the user side which comprises a touchscreen integrated liquid crystal display.

이 실시예에서도, 처음에, 유리 모재(GL)의 한쪽 면에 반사 방지막을 형성한다(ST10). 반사막의 구성은, 제1 실시예의 경우와 동일하며, 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, SiO2(Fa1층), TiO2(Fb1층), SiO2(Fa2층), TiO2(Fb2층) 및 SiO2(Fa3층)의 5층이 이 순서로 성막된다.Also in this embodiment, an antireflection film is first formed on one surface of the glass base material GL (ST10). Configuration of the reflective film, the same as in the case of the first embodiment, as shown in FIG.'S 2 (a), SiO 2 ( Fa1 layer), TiO 2 (Fb1 layer), SiO 2 (Fa2 layer), TiO 2 ( 5F Fb2 of the layer) and SiO 2 (Fa3 layer) is deposited in this order.

다음으로, 유리 모재(GL)의 표면과 이면에, 감광성 필름재(Fi)가 접착된다(ST11). 실시예에서 사용하는 감광성 필름재(Fi)는, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 투광성 베이스 필름(1)과, 감광층(2)과, 박리 필름(3)이 적층되어 구성되어 있다. 그리고, 이 감광성 필름재(Fi)로부터 박리 필름(3)을 박리한 후, 로터에 의해 유리 모재(GL)의 표면과 이면에 감광성 필름재(Fi)가 접착된다.Next, the photosensitive film material Fi is adhere | attached on the surface and back surface of glass base material GL (ST11). The photosensitive film material Fi used by the Example is comprised by laminating | stacking the translucent base film 1, the photosensitive layer 2, and the peeling film 3, as shown to Fig.2 (b). have. And after peeling the peeling film 3 from this photosensitive film material Fi, the photosensitive film material Fi is adhere | attached on the surface and back surface of glass base material GL by a rotor.

다음으로, 유리 모재(GL) 전체를, 40 ㎜×70 ㎜ 정도의 복수의 사용 영역으로 구획하기 위해서, 유리 모재(GL)에 포토마스크(4)를 씌운다. 도 3은 포토마스크(4)를 예시하는 평면도이며, 유리 기판으로서의 사용 영역(4B)의 둘레 가장자리 부분에, 선폭 1 ㎜∼5 ㎜ 정도의 비노광부(4A)(차광부)를 직사각형 링 형상으로 형성하고 있다. 또한, 도 2의 (c)는, 포토마스크(4)를 배치한 상태를 도시하는 단면도이다. 포토마스크(4)의 비노광부(4A)는, 에칭 처리에 있어서 연마 라인[구획 라인(GV)]을 특정하고 있다.Next, in order to divide the whole glass base material GL into several use area of about 40 mm x 70 mm, the photomask 4 is covered with glass base material GL. 3 is a plan view illustrating the photomask 4, wherein the non-exposed portion 4A (shielding portion) having a line width of about 1 mm to 5 mm is formed in a rectangular ring shape at the peripheral edge portion of the use region 4B as the glass substrate. Forming. 2C is a cross-sectional view showing a state in which the photomask 4 is disposed. The non-exposed part 4A of the photomask 4 specifies the polishing line (compartment line GV) in an etching process.

계속해서, 포토마스크(4)의 위로부터 자외선을 조사하여, 감광층(2)의 노광부(2B)를 광경화(光硬化)시킨다(ST12). 그리고, 이 상태의 유리 모재(GL)를 알칼리 용액으로 현상하여, 감광층(2)의 비노광부(2A)를 제거한다(ST13). 이상의 처리에 의해, 유리 모재(GL)의 표면과 이면은, 비노광부(2A)를 제외하고, 내불산성의 레지스트층(2B)으로 덮여진다. 도 4는 이 상태를 도시하는 평면도이며, 에칭되지 않은 레지스트층(2B)과, 에칭되는 구획 라인(GV)이 나타나 있다.Subsequently, ultraviolet rays are irradiated from above the photomask 4 to photocure the exposed portion 2B of the photosensitive layer 2 (ST12). And the glass base material GL in this state is developed by alkaline solution, and the non-exposed part 2A of the photosensitive layer 2 is removed (ST13). By the above process, the surface and back surface of glass base material GL are covered with the hydrofluoric acid resistant resist layer 2B except the non-exposed part 2A. FIG. 4 is a plan view showing this state, and the resist layer 2B which is not etched and the division line GV which are etched are shown.

다음으로, 레지스트층(2B)으로 덮여진 유리 모재(GL)를 화학 연마조에 침지하여, 화학 연마액에 의해 에칭(1차 에칭)한다(ST14). 화학 연마액으로서는, 불산 1 중량%∼10 중량%, 황산 20 중량%∼50 중량% 함유하는 것이 적합하다. 불산의 농도는, 바람직하게는, 1 중량%∼5 중량%, 더 바람직하게는, 1 중량%∼3 중량%이다. 또한, 이 연마액 중에서의 황산의 농도는, 바람직하게는, 30 중량%∼45 중량%, 더 바람직하게는, 35 중량%∼42 중량%이다.Next, the glass base material GL covered with the resist layer 2B is immersed in a chemical polishing tank, and is etched (primary etching) with a chemical polishing liquid (ST14). As the chemical polishing liquid, those containing 1 wt% to 10 wt% of hydrofluoric acid and 20 wt% to 50 wt% of sulfuric acid are suitable. The concentration of hydrofluoric acid is preferably 1% by weight to 5% by weight, more preferably 1% by weight to 3% by weight. The concentration of sulfuric acid in the polishing liquid is preferably 30% by weight to 45% by weight, more preferably 35% by weight to 42% by weight.

또한, 단계 ST14의 에칭 공정에서는, 유리 모재(GL)를 직립시키고, 유리 모재(GL)의 표면 및 이면을 따라 미세한 기포를 연속적으로 상승시키는 것이 적합하다. 이러한 구성을 채용하면, 레지스트층(2B)이 존재하지 않는 구획 라인(GV)에, 용출된 유리 성분(반응 생성물)이 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 이 실시예에서는, 구획 라인(GV)이 1 ㎜∼5 ㎜ 정도로 가늘기 때문에, 반응 생성물의 재부착을 방지하지 않으면, 연마 속도에 부분적인 변동이 발생하고, 그 결과 구획 라인(GV)의 에칭 깊이를 일정화할 수 없을 우려가 있다.Moreover, in the etching process of step ST14, it is suitable to make glass base material GL upright, and to raise a fine bubble continuously along the surface and back surface of glass base material GL. By adopting such a configuration, it is possible to prevent the eluted glass component (reaction product) from reattaching to the partition line GV in which the resist layer 2B does not exist. In this embodiment, since the partition line GV is as thin as about 1 mm to 5 mm, a partial fluctuation occurs in the polishing rate unless the reattachment of the reaction product is prevented, resulting in etching of the partition line GV. There is a fear that the depth cannot be constant.

이렇게 해서, 구획 라인(GV)을 심화시켜, 그 부분의 유리 모재(GL)의 판 두께가 100 ㎛∼300 ㎛ 정도에 이르는 타이밍에, 단계 ST14의 1차 에칭 처리를 종료시킨다. 또한, 도 2의 (e)는, 1차 에칭 종료시의 유리 모재(GL)를 도시하고 있고, 구획 라인(GV)의 상단에, 엣지각(ED)이 형성되어 있는 것이 나타나 있다. 또한, 이 엣지각은, 연마 속도가 빠를수록, 그 각도가 90도에 가까워지는 경향이 된다.In this way, the division line GV is deepened, and the primary etching process of step ST14 is complete | finished when the plate | board thickness of the glass base material GL of the part reaches about 100 micrometers-about 300 micrometers. In addition, FIG.2 (e) has shown the glass base material GL at the time of completion | finish of primary etching, and it is shown that the edge angle ED is formed in the upper end of the division line GV. The edge angle tends to be closer to 90 degrees as the polishing rate is faster.

그리고, 다음으로, 유리 모재(GL)를 박리조(剝離槽)에 침지하여 레지스트층(2B)을 제거한다(ST15). 계속해서, 유리 모재(GL)를 적당한 수납 유닛에 배치하고, 그 표면과 이면에, 화학 연마액을 샤워 형상으로 분무하여, 마무리 에칭 처리를 실행한다(ST16). 또한, 유리 모재(GL)는, 수납 유닛 내에 수평 자세로 배치되지만, 적당한 타이밍에 유리 모재의 표리면을 반전시켜도 된다.Next, the glass base material GL is immersed in a peeling tank, and the resist layer 2B is removed (ST15). Subsequently, the glass base material GL is disposed in a suitable storage unit, and the chemical polishing liquid is sprayed onto the surface and the rear surface in a shower shape to perform a finish etching process (ST16). In addition, although the glass base material GL is arrange | positioned in a horizontal attitude | position in a storage unit, you may invert the front and back surface of a glass base material at a suitable timing.

어떠한 경우에도, 이러한 에칭 처리를 실행하면, 구획 라인(GV)이 더 심화되고, 유리 표면과 이면도 에칭된다. 그 결과, 1차 에칭시(ST14)에, 구획 라인(GV)에 비교적 예리한 엣지각(ED)이 발생한 경우라도, 그 엣지각(ED)이 매끄러워진다. 또한, 유리 표면과 이면이 에칭되기 때문에, 만일, 유리 표리면에 미세한 크랙이 잔존하고 있어도, 이것을 소멸시킬 수 있다.In any case, when such an etching process is carried out, the partition line GV is further deepened, and the glass surface and the back surface are also etched. As a result, even when a relatively sharp edge angle ED occurs in the partition line GV during the primary etching time ST14, the edge angle ED becomes smooth. Moreover, since a glass surface and a back surface are etched, even if the minute crack remains on the glass front and back surface, this can be eliminated.

그리고, 상하 2개의 구획 라인(GV)이 관통한 단계에서 마무리 에칭 처리가 종료된다. 이와 같이, 본 실시예에서는, 구획 라인(GV)을 형성하는 1차 에칭(S14) 후에, 마무리 에칭(ST16)을 실행하기 때문에, 마무리 에칭에 의해 유리 기판의 분리 처리와, 매끄럽게 하는 처리가 실행되게 되어, 강고한 유리 기판을 생성할 수 있다.And finish etching process is complete | finished by the step which penetrated the two upper and lower division lines GV. As described above, in the present embodiment, since the final etching ST16 is performed after the primary etching S14 for forming the partition line GV, the separation processing of the glass substrate and the smoothing processing are performed by the final etching. It is possible to produce a rigid glass substrate.

또한, 유리 기판은, 최종적으로 0.5 ㎜ 정도 또는 그 이하까지 박형화되기 때문에, 플라스틱과 동등한 가요성을 발휘할 수 있다. 그 때문에, 예컨대 표시 장치의 제조 공정에 있어서, 내산성이나 내열성을 비롯한 유리의 장점을 유효하게 발휘한다. 또한, 커버 유리로서, 우수한 시인성이나 내구성을 발휘한다.Moreover, since a glass substrate finally thins to about 0.5 mm or less, it can exhibit flexibility equivalent to plastics. Therefore, for example, in the manufacturing process of a display apparatus, the advantage of glass, including acid resistance and heat resistance, is exhibited effectively. Moreover, it is excellent in visibility and durability as a cover glass.

또한, 마무리 에칭(ST16)에 이어서, 제3 실시예와 동일한 추가 에칭 처리(ST25)를 마련하면, 유리 기판의 단부면[판 두께 중심(O)으로부터 -αt∼+αt의 범위]을, 원호면으로 변형시킬 수 있어, 유리 강도를 더 높일 수 있다[도 5의 (b) 참조].In addition, after finish etching ST16, if the additional etching process ST25 similar to 3rd Example is provided, the end surface (range of-(alpha)-+ (alpha) from plate thickness center O) of a glass substrate will be rounded. It can be deformed into an arc surface, and glass strength can be raised further (refer FIG. 5 (b)).

원호면의 곡률 반경 R은, 판 두께 t의 유리 단부면의 전부(α=0.5) 또는 대부분(0.5＞α≥0.35)에 대해서, 바람직하게는, 0.4t 이상, 보다 바람직하게는, 0.5t 이상으로 해야 한다. 그 외에, 추가 에칭의 내용은, 제3 실시예의 2차 에칭(ST25)과 동일하며, 원호면으로 변형해야 할 범위(-αt∼+αt)나, 곡률 반경 R의 평가법도 제3 실시예와 동일하다.The curvature radius R of the circular arc surface is preferably 0.4t or more, more preferably 0.5t or more with respect to all (α = 0.5) or most (0.5> α≥0.35) of the glass end surface of the plate thickness t. Should be. In addition, the content of the additional etching is the same as that of the secondary etching (ST25) of the third embodiment, and the evaluation method of the range (-αt to + αt) and the radius of curvature R which should be deformed into an arc surface is also different from that of the third embodiment. same.

이상, 실시예에 대해서 상세히 설명하였으나, 구체적인 기재 내용은 특별히 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 특히, 마스킹 처리를 위해서 감광성 필름을 사용하는 실시예의 제법에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 제2 실시예의 경우, 마스킹재를 저류하는 액조(液槽)에, 유리 모재(GL)를 침지하여 피막층을 형성하는 것도 적합하다. 이러한 구성을 채용하면, 유리 모재의 둘레 가장자리도 포함하여, 피막층을 형성할 수 있다.As mentioned above, although the Example was described in detail, a specific description content does not specifically limit this invention. In particular, it is not limited to the manufacturing method of the Example which uses a photosensitive film for a masking process, For example, in the case of 2nd Example, a coating layer is formed by immersing glass base material GL in the liquid tank which stores a masking material. It is also appropriate. By adopting such a configuration, the film layer can be formed including the peripheral edge of the glass base material.

<제3 실시예>Third Embodiment

또한, 제2 실시예에서는, 레지스트층(2B)을 박리한 후에, 에칭 처리를 실행하였으나(ST15, ST16), 레지스트층(2B)을 남긴 상태에서 에칭 처리를 실행해도 된다. 단, 이 경우에는, 유리 모재(GL)가 박육화되지 않기 때문에, 미리 적절한 판 두께(바람직하게는, 0.4 ㎜∼0.6 ㎜ 정도 또는 그 이하)까지, 에칭 처리에 의해 박육화해 두는 것이 바람직하다.In the second embodiment, the etching process is performed after the resist layer 2B is peeled off (ST15 and ST16), but the etching process may be performed while the resist layer 2B is left. However, in this case, since the glass base material GL is not thinned, it is preferable to thin it by etching processing to an appropriate plate thickness (preferably about 0.4 mm-about 0.6 mm or less) beforehand.

도 5는 이 제3 실시예를 설명하기 위한 흐름도와 모식도이다. 제3 실시예에서 제조된 유리 기판은, 예컨대 휴대 전화기의 액정 디스플레이의 커버 유리로서 사용된다. 또한, 터치 패널 일체형의 액정 디스플레이를 구성하는 사용자측의 유리 기판으로서 사용할 수도 있다.5 is a flowchart and a schematic diagram for explaining the third embodiment. The glass substrate manufactured in the third embodiment is used as a cover glass of, for example, a liquid crystal display of a mobile phone. Moreover, it can also be used as a glass substrate of the user side which comprises a touchscreen integrated liquid crystal display.

제3 실시예에서는, 감광성 필름재를 접착하는 대신에, 디핑법에 의해 감광막을 형성하고 있다(ST21). 디핑법에서는, 유리 모재(GL)를, 수직 상태로 도포액(감광제)의 욕조에 침지하고, 도포액의 점성에 대응한 속도로 유리 모재(GL)를 끌어올려, 소정의 막 두께의 감광막을 형성한다. 또한, 단계 ST21의 처리에 선행하여, 유리 모재(GL)에, 반사 방지막을 형성해도 되고, 형성하지 않아도 된다.In the third embodiment, the photosensitive film is formed by the dipping method instead of bonding the photosensitive film material (ST21). In the dipping method, the glass base material GL is immersed in the bath of a coating liquid (photosensitive agent) in a perpendicular state, the glass base material GL is pulled up at a speed | rate corresponding to the viscosity of a coating liquid, and the photosensitive film of predetermined film thickness is taken out. Form. In addition, an antireflection film may or may not be formed on the glass base material GL prior to the process of step ST21.

이어서, 유리 모재(GL) 전체를, 복수의 사용 영역으로 구획하기 위해서, 유리 모재(GL)에 포토마스크(4)를 씌우고, 포토마스크(4)의 위로부터 자외선을 조사하여, 감광층(2)의 노광부(2B)를 광경화시킨다(ST22). 그리고, 이 상태의 유리 모재(GL)를 알칼리 용액으로 현상하여, 감광층(2)의 비노광부(2A)를 제거한다(ST23).Subsequently, in order to partition the whole glass base material GL into several use area | regions, the photomask 4 is covered by the glass base material GL, ultraviolet-ray is irradiated from the photomask 4, and the photosensitive layer 2 Photocuring of the exposed portion 2B of FIG. And the glass base material GL in this state is developed by alkaline solution, and the non-exposure part 2A of the photosensitive layer 2 is removed (ST23).

이상의 처리에 의해, 유리 모재(GL)의 표면과 이면은, 내불산성의 레지스트층(2B)으로 덮여진다. 도 6은 에칭되지 않은 레지스트층(2B)과, 에칭되는 구획 라인(GV) 및 개구창(HO)이 도시되어 있다. 도시하는 바와 같이, 구획 라인(GV)은, 유리 기판으로서의 사용 영역을 구획하여 종횡으로 형성되어 있다. 또한, 개구창(HO)은, 유리 기판으로서의 사용 영역의 내측에, 타원형으로 형성되어 있다. 이 개구창(HO)은, 단계 ST24의 1차 에칭 처리에 의해 관통 구멍이 된다.By the above process, the surface and back surface of glass base material GL are covered with the hydrofluoric acid resistant resist layer 2B. FIG. 6 shows the unetched resist layer 2B, the partition line GV and the aperture window HO which are etched. As shown, the partition line GV partitions the use area | region as a glass substrate, and is formed vertically and horizontally. In addition, the opening window HO is formed in elliptical shape inside the use area | region as a glass substrate. This opening window HO becomes a through hole by the primary etching process of step ST24.

다음으로, 레지스트층(2B)으로 덮여진 유리 모재(GL)를 화학 연마조에 침지하여, 화학 연마액에 의해 1차 에칭을 한다(ST24). 이 1차 에칭은, 구획 라인(GV)이나 개구창(HO)을, 유리 모재(GL)의 판 두께 방향으로 에칭하여, 유리 모재(GL)를 관통할 때까지 실행된다. 따라서, 1차 에칭 종료시에, 유리 모재(GL)는, 구획 라인(GV)에 의해 복수 개의 유리 기판(5…5)으로 분리된다.Next, the glass base material GL covered with the resist layer 2B is immersed in the chemical polishing tank, and primary etching is performed with the chemical polishing liquid (ST24). This primary etching is performed until the division line GV and the opening window HO are etched in the plate thickness direction of the glass base material GL, and penetrate through the glass base material GL. Therefore, at the end of the primary etching, the glass base material GL is separated into the plurality of glass substrates 5... 5 by the partition line GV.

이 1차 에칭(ST24)은, 각 유리 모재(GL)에 대해서, 그 구획 라인(GV)의 내측 영역(도 6의 실시예에서는 25구획)을, 각각 유지하여 실행된다. 바람직하게는, 1장의 유리 모재(GL)를 1개의 수납 케이스에 수용하고, 다수의 수납 케이스를 화학 연마조에 침지하여 실행된다.This primary etching ST24 is performed for each glass base material GL by holding the inner region (25 compartments in the example of FIG. 6) of the division line GV, respectively. Preferably, one glass base material GL is accommodated in one storage case, and many storage cases are immersed in a chemical polishing tank, and it is performed.

또한, 유리 모재(GL)의 연마 속도는, 바람직하게는 5 ㎛/min 이하, 보다 바람직하게는, 3 ㎛/min 정도가 된다. 이것은, 연마 속도가 지나치게 빠르면, 에칭된 구획 라인(GV)에, 유리 모재로부터 용출된 유리 성분(반응 생성물)이 재부착되어, 유리 단부면의 평탄성을 떨어뜨리기 때문이다. 또한, 화학 연마액의 조성은, 전술한 실시예의 경우와 동일하다.Moreover, the polishing rate of glass base material GL becomes like this. Preferably it is 5 micrometers / min or less, More preferably, it is about 3 micrometers / min. This is because, when the polishing rate is too high, the glass component (reaction product) eluted from the glass base material is reattached to the etched section line GV, thereby reducing the flatness of the glass end face. In addition, the composition of a chemical polishing liquid is the same as that of the Example mentioned above.

어떠한 경우에도, 1차 에칭 종료시에는, 유리 모재(GL)는, 복수 개의 유리 기판(5…5)으로 분리된다. 그리고, 각 유리 기판(5)의 단부면은, 도 5의 (b)와 같이, 약간 뾰족해져 예각을 형성한다. 그 때문에, 이 돌출부(PR)가, 유리 기판(5)의 사용시에, 크랙의 기점이 될 수도 있다. In any case, at the time of completion | finish of primary etching, glass base material GL is isolate | separated into several glass substrates 5 ... 5. And the end surface of each glass substrate 5 becomes a little sharp like FIG.5 (b), and forms an acute angle. Therefore, this protrusion part PR may be a starting point of a crack at the time of use of the glass substrate 5.

그래서, 제3 실시예에서는, 1차 에칭이 종료되면, 복수의 유리 기판(5…5)을 유지하는 수납 케이스를, 다른 화학 연마조로 이동시켜, 각 유리 기판(5)의 단부면을 더 에칭한다(ST25). 또한, 2차 에칭의 연마 속도는, 바람직하게는, 4 ㎛/min 이상, 보다 바람직하게는, 5 ㎛/min 정도이다. Therefore, in the third embodiment, when the primary etching is completed, the storage case holding the plurality of glass substrates 5... 5 is moved to another chemical polishing tank to further etch the end faces of the respective glass substrates 5. (ST25) Moreover, the polishing rate of secondary etching becomes like this. Preferably it is 4 micrometers / min or more, More preferably, it is about 5 micrometers / min.

이러한 2차 에칭의 결과, 구획 라인(GV)이나 개구창(HO)이, 더 에칭되어, 유리 기판의 단부면에 형성된 돌출부(PR)가, 곡률 반경 R의 원호 형상으로 변형된다.As a result of this secondary etching, the division line GV and the opening window HO are further etched, and the protrusion part PR formed in the end surface of the glass substrate is deform | transformed into the circular arc shape of curvature radius R. As shown in FIG.

도 5의 (c)는, 2차 에칭 종료시의 유리 기판(5)에 대해서, 그 단부면을 이상적으로 도시한 것이다. 또한, 유리 단부면이 원호 형상으로 변형되는 것은, 레지스트층(2B)의 종단부(TE)가, 유리 모재(GL)로부터 박리되어, 도시하는 수평 방향으로 에칭이 진행되기 때문이다. 다시 말해서, 제3 실시예에서는, 종단부(TE)가 에칭액에 의해 다소 박리될 정도의 접착력을 갖는 레지스트층(2B)이 형성되어 있다.FIG.5 (c) shows the edge surface ideally with respect to the glass substrate 5 at the time of completion | finish of secondary etching. In addition, the glass end surface deforms in an arc shape because the terminal TE of the resist layer 2B is peeled off from the glass base material GL, and etching proceeds in the horizontal direction shown. In other words, in the third embodiment, the resist layer 2B having an adhesive force such that the terminal TE is slightly peeled off by the etching liquid is formed.

단, 실제의 제조에서는, 반드시, 유리 기판(5)의 단부면 전체를, 완전한 원호면으로 변형시킬 필요는 없고, 돌출부(PR)의 예각 부분을, 원호 형상으로 변형하면 된다. 즉, 2차 에칭(ST25)에서는, 판 두께 t의 유리 기판(5)의 판 두께 중심(O)을 기준으로 하여, -αt∼+αt의 범위를, 곡률 반경 R의 원호면으로 변형하면 된다[도 5의 (d) 참조]. 여기서, 0.35≤α≤0.5이고, 2차 에칭(ST25)에 의해, 유리 기판(5)의 단부면의 전부(α=0.5) 또는 대부분(0.5＞α≥0.35)이, 곡률 반경 R의 원호면이 된다.However, in actual manufacture, it is not necessary to necessarily deform the whole end surface of the glass substrate 5 to a perfect circular arc surface, and just to deform the acute-angle part of the protrusion part PR to circular arc shape. That is, in secondary etching ST25, what is necessary is just to deform the range of-(alpha)-+ (alpha) to the circular arc surface of curvature radius R with respect to the plate | board thickness center O of the glass substrate 5 of plate | board thickness t. (See FIG. 5 (d)). Here, 0.35 ≦ α ≦ 0.5, and by secondary etching (ST25), all (α = 0.5) or most (0.5> α ≧ 0.35) of the end faces of the glass substrate 5 are circular arc surfaces of a radius of curvature R. Becomes

또한, 곡률 반경 R의 원호면이라고는 하지만, 실제의 유리 단부면을 현미경으로 관찰하면, 약간 물결치는 요철 형상이 된다. 그래서, 실제의 유리 단부면의 전부 또는 대부분이, 0.98R∼1.02R의 범위에 들어가는 경우에는, 본 명세서에서는, 유리 단부면의 곡률 반경이 R이라고 평가한다. 도 5의 (e)는, 곡률 반경 R의 원호면을 실선으로 나타내고, 곡률 반경 R+=1.02R의 원호면과, 곡률 반경 R-=0.98R의 원호면을 파선으로 나타내고 있다. 따라서, 실제의 유리 단부면의 전부 또는 대부분이, 도 5의 (e)의 파선으로 나타내는 영역 내에 위치하는 경우에는, 그 유리 단부면의 곡률 반경은 R이라고 평가된다.In addition, although it is an arc surface of curvature radius R, when a real glass end surface is observed under a microscope, it will become a wavy wave shape unevenly. Therefore, when all or most of the actual glass end surface falls in the range of 0.98R-1.02R, in this specification, the curvature radius of a glass end surface is evaluated as R. (E) of Figure 5, shows a circular arc of curvature radius R in a solid line, the curvature radius R = 1.02R + arc surface with a curvature radius R of the - represents the arc of a circle with a broken line = 0.98R. Therefore, when all or most of an actual glass end surface is located in the area | region shown by the broken line of FIG.5 (e), the radius of curvature of the glass end surface is evaluated as R. FIG.

그런데, 2차 에칭 종료시의 곡률 반경 R은, 판 두께 t의 유리 단부면의 전부 또는 대부분에 대해서, 바람직하게는, 0.4t 이상(R≥0.4t), 보다 바람직하게는, 0.5t 이상(R≥0.5t)이 되도록 연마 시간이 설정되어 있다. 또한, 제조 효율을 고려하면, 곡률 반경 R이, 0.4t≤R≤0.6t가 되도록 연마 시간이 설정되는 것이 바람직하다. By the way, the radius of curvature R at the end of the secondary etching is preferably 0.4t or more (R ≧ 0.4t), more preferably 0.5t or more (R) with respect to all or most of the glass end face of the plate thickness t. The polishing time is set to be 0.5t). In addition, in consideration of manufacturing efficiency, it is preferable that the polishing time is set such that the radius of curvature R is 0.4t ≦ R ≦ 0.6t.

이상과 같은 2차 에칭이 종료되면, 다음으로, 유리 기판(5)을 수용하는 수납 케이스를 박리조에 침지해 레지스트층(2B)을 제거하여 유리 기판(5)이 완성된다(ST26). 또한, 2차 에칭 처리에 선행하여 레지스트층(2B)을 제거해도 되며, 이 경우에는, 유리 기판을 박형화하면서, 유리 단부면을 원호면으로 변형시킬 수 있다.When the above secondary etching is complete | finished, the storage case which accommodates the glass substrate 5 is next immersed in a peeling tank, the resist layer 2B is removed, and the glass substrate 5 is completed (ST26). In addition, the resist layer 2B may be removed prior to the secondary etching treatment. In this case, the glass end face can be deformed into an arc surface while making the glass substrate thin.

이상과 같이, 제3 실시예에 의해서도, 유리의 취약함을 극복한 유리 기판을 제조할 수 있으며, 내산성이나 내열성을 비롯한 유리의 장점을 유효하게 발휘시킬 수 있다.
As mentioned above, also by the 3rd Example, the glass substrate which overcomes the weakness of glass can be manufactured, and the advantage of glass including acid resistance and heat resistance can be exhibited effectively.

Claims (10)

유리 모재(母材)의 표리면 중 표면측에, 내불산성의 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST2)과,
레이저광 또는 커터날에 의해, 유리 모재의 표면측으로부터, 유리 모재를 관통하지 않는 구획 라인을 형성하여, 유리 모재를 복수의 사용 영역으로 구획하는 구획 공정(ST3)과,
구획 공정을 거친 유리 모재를 에칭하여, 유리 모재를 이면측으로부터 박육화(薄肉化)하고, 상기 구획 라인을 심화(深化)시키는 에칭 공정(ST4)
을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조하는 유리 기판의 제조 방법.A resist step (ST2) of forming a hydrofluoric acid resistant resist layer on the front and back surfaces of the glass base material;
A partitioning step (ST3) for forming a partition line that does not penetrate the glass base material from the surface side of the glass base material by a laser beam or a cutter blade, and partitioning the glass base material into a plurality of use regions;
The etching process (ST4) which etches the glass base material which passed the division process, thins a glass base material from the back surface side, and deepens the said division line.
The manufacturing method of the glass substrate which manufactures the several glass substrates for electronic devices from one glass base material. 유리 모재의 표리면 중 표면측에, 내불산성의 표면 레지스트층을 이산적(離散的)으로 형성하는 한편, 유리 모재의 이면측에도, 표면 레지스트층에 대응하는 위치에, 내불산성의 이면 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST11∼ST13)과,
유리 모재에 있어서 레지스트층을 형성하고 있지 않은 부분을 에칭하여, 유리 모재를 관통하지 않는 구획 라인을 형성해, 유리 모재를 복수의 사용 영역으로 구획하는 구획 공정(ST14)과,
표면 레지스트층 및 이면 레지스트층을 박리한 상태에서, 유리 모재 전체를 에칭하여, 상기 유리 모재를 박육화하고, 상기 구획 라인을 심화시키는 에칭 공정(ST16)
을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조하는 유리 기판의 제조 방법.A hydrofluoric acid resistant surface resist layer is formed discretely on the front and back surfaces of the glass base material, and a hydrofluoric acid resistant back surface resist layer is also placed on the rear surface side of the glass base material at a position corresponding to the surface resist layer. A resist process (ST11 to ST13) to form;
A partitioning step (ST14) of etching a portion of the glass base material not forming a resist layer to form a partition line that does not penetrate the glass base material, and partitioning the glass base material into a plurality of use regions;
The etching process (ST16) which etches the whole glass base material, thins the said glass base material, and deepens the said division line in the state which peeled the surface resist layer and the back surface resist layer.
The manufacturing method of the glass substrate which manufactures the several glass substrates for electronic devices from one glass base material. 유리 모재의 표리면 중 표면측에, 내불산성의 표면 레지스트층을 이산적으로 형성하는 한편, 유리 모재의 이면측에도, 표면 레지스트층에 대응하는 위치에, 내불산성의 이면 레지스트층을 형성하는 레지스트 공정(ST21∼ST23)과,
유리 모재에 있어서 레지스트층을 형성하고 있지 않은 부분을 에칭하여, 유리 모재를 유리 기판의 사용 영역별로 분리하는 분리 공정(ST24)과,
상기 유리 기판의 단부면을 더 에칭하여, 유리 단부면에 있어서 판 두께 중심 영역을 원호면으로 변형하는 변형 공정(ST25)
을 가지고, 1장의 유리 모재로부터 복수 매의 전자 장치용 유리 기판을 제조하는 유리 기판의 제조 방법.A resist step of forming a hydrofluoric acid resistant surface resist layer discretely on the front and back surfaces of the glass base material, and forming a hydrofluoric acid resistant back surface resist layer at a position corresponding to the surface resist layer on the back surface of the glass base material as well. (ST21 to ST23),
A separation step (ST24) of etching a portion of the glass base material not forming a resist layer and separating the glass base material for each use region of the glass substrate;
Deformation process (ST25) which etches the end surface of the said glass substrate further, and deforms the plate thickness center area | region to circular arc surface in a glass end surface.
The manufacturing method of the glass substrate which manufactures the several glass substrates for electronic devices from one glass base material. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트 공정에 선행하여, 유리 모재의 표면측 전체에 반사 방지막을 형성하는 성막(成膜) 공정을 포함하는 것인 유리 기판의 제조 방법.The manufacturing method of the glass substrate of any one of Claims 1-3 containing the film-forming process of forming an anti-reflective film in the whole surface side of a glass base material prior to the said resist process. 제2항 또는 제3항에 있어서, 완성 상태의 유리 기판은, 유리 단부면의 판 두께 중심 영역이 원호면으로 변형되어 있고, 상기 원호면의 곡률 반경 R은, 유리 기판의 판 두께 t에 대하여 0.4t≤R≤0.6t인 것인 유리 기판의 제조 방법.In the glass substrate of a completed state, the plate | board thickness center area | region of the glass end surface deform | transforms into an arc surface, and the curvature radius R of the said arc surface is with respect to the plate | board thickness t of a glass substrate. A method for producing a glass substrate, wherein 0.4t ≦ R ≦ 0.6t. 제5항에 있어서, 상기 원호면은, 판 두께 t의 유리 기판의 판 두께 중심(O)을 기준으로 하여, -αt∼+αt(여기서, 0.35≤α≤0.5)의 범위에 형성되어 있는 것인 유리 기판의 제조 방법.The said circular arc surface is formed in the range of-(alpha)-+ (alpha) (here 0.35 <= (alpha) <0.5) with reference to the plate | board thickness center O of the glass substrate of plate | board thickness t. The manufacturing method of a phosphorus glass substrate. 제4항에 있어서, 상기 반사 방지막은, SiO2층과, TiO2층과, SiO2층과, TiO2층과, SiO2층이, 스퍼터링 처리에 의해, 이 순서로 유리 표면에 적층되어 구성되어 있는 것인 유리 기판의 제조 방법.The said anti-reflection film is a structure in which the SiO 2 layer, the TiO 2 layer, the SiO 2 layer, the TiO 2 layer, and the SiO 2 layer are laminated on the glass surface in this order by sputtering treatment. The manufacturing method of the glass substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리 모재는, 알칼리 유리인 것인 유리 기판의 제조 방법.The manufacturing method of the glass substrate of any one of Claims 1-3 whose said glass base material is alkali glass. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서의 유리 기판의 제조 방법으로 제조된 유리 기판을, 사용자에게 접하는 커버 유리로서 전자 장치에 포함시키는 공정을 갖는 것인 전자 장치의 제조 방법.The manufacturing method of the electronic device which has a process of including the glass substrate manufactured by the manufacturing method of the glass substrate as described in any one of Claims 1-3 in an electronic device as a cover glass which contacts a user. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서의 유리 기판의 제조 방법으로 제조된 상기 유리 기판을, 터치 패널 일체형의 표시 장치의 터치 패널에서의, 사용자측의 부재로서 전자 장치에 포함시키는 공정을 갖는 것인 전자 장치의 제조 방법.
The process of including the said glass substrate manufactured by the manufacturing method of the glass substrate as described in any one of Claims 1-3 in an electronic device as a member of a user side in the touchscreen of a touchscreen integrated display apparatus. The manufacturing method of an electronic device which has.
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