KR20100087740A - A method for adsorption of nano-structure and adsorption matter using solid thin film mask - Google Patents

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KR20100087740A
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홍승훈
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재단법인서울대학교산학협력재단
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Abstract

PURPOSE: An adsorption method of a nanostructure and an absorbate using a solid thin film mask is provided to evaporate the nanostructure and the absorbate to the tip of a probe microscope without transforming the tip. CONSTITUTION: An adsorption method of a nanostructure and an absorbate using a solid thin film mask comprises the following steps: evaporating the thin solid film mask(100) on the entire surface of a probe microscope tip(T)(a); rubbing the end of the tip to the solid surface to remove only the thin solid film mask(b); evaporating a linker molecular-film(30) on the entire surface of the tip(c); dipping the probe microscope tip into a nanostructure solution(d); and removing the thin solid film mask(e).

Description

고체 박막 마스크를 이용한 나노 구조물 및 흡착물질의 흡착방법{A METHOD FOR ADSORPTION OF NANO-STRUCTURE AND ADSORPTION MATTER USING SOLID THIN FILM MASK}Adsorption method of nano structure and adsorption material using solid thin film mask {A METHOD FOR ADSORPTION OF NANO-STRUCTURE AND ADSORPTION MATTER USING SOLID THIN FILM MASK}

본 발명은 탐침 현미경 팁에 나노 구조물 및 흡착물질을 흡착시키는 기술에 관한 것으로서, 고체 박막 마스크를 이용하여 탐침 현미경 팁을 변형시키지 않고, 흡착가능한 나노 구조물과 흡착물질의 특성에 관계없이, 또한, 탐침 현미경 팁의 표면에 따른 흡착성 물질의 특성에 관계없이, 탐침 현미경 팁의 끝부분에만 나노 구조물 및 흡착물질을 증착시키기 위한 고체 박막 마스크를 이용한 나노 구조물 및 흡착물질의 흡착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for adsorbing nanostructures and adsorbents on a probe microscope tip, without deforming the probe microscope tip using a solid thin film mask, and irrespective of the properties of the adsorbable nanostructures and adsorbents. Irrespective of the characteristics of the adsorbent material along the surface of the microscope tip, the present invention relates to a method for adsorbing nanostructures and adsorbent materials using a solid thin film mask to deposit nanostructures and adsorbent materials only at the tip of the probe microscope tip.

최근 탐침 현미경의 급격한 발달은 물질계를 나노미터 해상도로 측정하게 되었다. 상기 탐침 현미경의 해상도를 결정하는 가장 중요한 부분은 탐침의 가장 끝부분인 팁이다. 현재 가장 널리 이용되는 탐침은 Si3N4나 Si 등의 물질로 만들어지고 끝부분의 반지름이 10nm 이하까지 이르고 있다. 하지만 현재까지의 기술로는 가장 중요한 탐침 끝부분의 모양이나 성질을 조절하는 것은 매우 어려운 상황이다.Recent rapid advances in probe microscopy have enabled the measurement of material systems at nanometer resolution. The most important part of determining the resolution of the probe microscope is the tip, the tip of the probe. At present, the most widely used probe is made of materials such as Si 3 N 4 or Si and the radius of the tip reaches less than 10 nm. However, to date, it is very difficult to control the shape or properties of the tip of the probe which is most important.

다른 한편으로, 최근 나노 과학의 급격한 발달로, 다양한 물질로 이루어진 균일한 형태의 나노 구조물들이 많이 개발되었다. 그 예로는 Au, CdSe, Ag 등으로 이루어진 나노 입자, 각종 나노선 등을 들 수 있는데, 이들의 광학적 전기적 성질이나 모양 크기 등은 매우 정확하게 조절이 가능하다. 이러한 모양과 성질이 정확히 조절되는 나노 구조물 또는 다양한 흡착물질을 탐침현미경 끝에만 흡착시키는 것이 가능하다면, 기존의 탐침 현미경의 특성을 현격하게 향상시킬 수 있다. 또한 이는 새로운 종류의 탐침 현미경의 개발도 가능할 뿐만 아니라 nano-FRET이나 nano-SERS 등의 나노광학측정 방식의 개발이 가능해지고, 균일한 모양을 가진 나노 구조물이 흡착된 팁은 기존 나노 스케일의 힘을 측정함에 있어 훨씬 더 신뢰성 있게 측정할 수 있게 된다.On the other hand, with the recent rapid development of nanoscience, many nanostructures of uniform shape made of various materials have been developed. Examples thereof include nanoparticles made of Au, CdSe, Ag, various nanowires, and the like, and their optical electrical properties and shape sizes can be controlled very accurately. If it is possible to adsorb nanostructures or various adsorbents whose shape and properties are precisely controlled only at the tip of the probe microscope, the characteristics of the conventional probe microscope can be significantly improved. It also enables the development of new types of probe microscopes, as well as the development of nano-optical measuring methods such as nano-FRET and nano-SERS. In measuring, it becomes much more reliable.

따라서, 나노 구조물 및 흡착물질을 탐침 현미경 팁에 흡착시키는 기술이 개발되고 있다. 현재에는 탐침 표면 전체에 나노 구조물을 코팅시키는 방법과 반 흡착성 분자막을 이용하여 나노 구조물을 흡착 시키는 방법이 널리 사용되고 있다.Accordingly, techniques for adsorbing nanostructures and adsorbents on the probe microscope tip have been developed. Currently, a method of coating nanostructures on the entire surface of a probe and a method of adsorbing nanostructures using a semi-adsorbable molecular membrane are widely used.

상기 탐침 현미경의 팁 표면 전체에 나노 구조물을 코팅시키는 방법은 도 1에 도시된 바와 같이, 탐침 현미경의 팁(T) 표면 전체를 CdSe 형광 나노 구조물(N)로 코팅을 한 후, 이를 이용하여 나노 프랫 (Nano-Fluorescent Resonance Energy Transfer) 이미징을 실현하였다. 그러나, 상기와 같은 방법의 경우, 나노 구조물(N)이 팁(T) 전체에 붙어 있어, 그 해상도가 급격히 감소하게 되는 문제점이 있다.The method of coating the nanostructures on the tip surface of the probe microscope as shown in Figure 1, after coating the entire tip (T) surface of the probe microscope with the CdSe fluorescent nanostructure (N), using the nano Pratt (Nano-Fluorescent Resonance Energy Transfer) imaging was realized. However, in the case of the above method, there is a problem that the nanostructure (N) is attached to the entire tip (T), the resolution is sharply reduced.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 반 흡착성 분자막을 이용하여 나노 구조물 및 흡착물질들의 선택적인 흡착력을 이용하는 방법이 제안되었다. 그 기본 공정을 살펴보면, 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 탐침 현미경 팁(T)의 표면 위를 Au막(10)과 나노 구조물(N)의 흡착도가 매우 낮은 반 흡착성 분자 막(20)을 증착시킨다. 그 후, 팁(T)의 끝부분에 증착된 상기 Au막(10)과 반 흡착성 분자막(20)을 제거하고, 상기 제거된 자리에 나노 구조물(N)의 흡착이 잘 되는 링커분자막 (30)을 증착시킨다. 나노 구조물(N)을 흡착시키게 되면, 상기 나노 구조물(N)은 상기 팁(T) 끝의 링커분자막(30)에만 선택적으로 흡착된다.In order to solve the above problems, a method using a selective adsorption force of nanostructures and adsorbents using a semi-adsorbable molecular membrane has been proposed. Referring to the basic process, as shown in FIG. 2, first, a semi-adsorbent molecular film 20 having a very low adsorption degree between the Au film 10 and the nanostructure N is placed on the surface of the probe microscope tip T. Deposit. Thereafter, the Au film 10 and the semi-adsorbable molecular film 20 deposited on the tip T are removed, and the linker molecule film (N) adsorbed well of the nanostructure N in the removed position ( 30) is deposited. When the nanostructure (N) is adsorbed, the nanostructure (N) is selectively adsorbed only to the linker molecule layer 30 at the tip (T).

하지만 상기와 같은 반 흡착성 분자막을 이용하는 방법은, 상기 나노 구조물의 흡착 방지를 위해 사용된 반 흡착성 박막과 같은 많은 유기물들이 영구히 현미경의 탐침에 존재한다. 따라서 이는 탐침 자체의 성질을 변형 시킬 수 있으며, 스퍼터링(sputtering) 또는 이배퍼레이터(evaporator)를 사용하여 흡착되는 물질들은 흡착시킬 수 없어 나노 구조물이나 흡착물질의 종류에 많은 제한을 받게 된다. 뿐만 아니라 상기 팁의 표면 재질 및 성질에 따라 제한적인 반 흡착성 분자막을 사용해야 되는 문제점 등이 있었다.However, in such a method using a semi-adsorbent molecular membrane, many organic substances such as semi-adsorbent thin film used to prevent the adsorption of the nanostructure is permanently present in the microscope probe. Therefore, this can modify the properties of the probe itself, and the materials adsorbed using sputtering or evaporator cannot be adsorbed, which results in many limitations on the type of nanostructure or adsorbent. In addition, there was a problem in that a semi-adsorbable molecular membrane should be used depending on the surface material and properties of the tip.

기술적 과제Technical challenge

본 발명은, 탐침 현미경 팁의 끝부분에만 나노구조물 또는 흡착물질을 흡착시키기 위한 것으로, 그 원리는 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 고체 박막 마스크를 증착시키고, 상기 표면 전체에 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체표면에 마찰시켜 상기 표면 전체에 증착된 고체 박막 마스크의 끝부분만을 제거하고, 상기 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 나노구조물 또는 흡착물질을 흡착(나노구조물의 경우, 링커분자를 흡착시킨 후 나노구조물 흡착)시키게 되면, 상기 나노구조물 또는 흡착물질은 상기 고체 박막 마스크의 표면과 상기 고체 박막 마스크가 제거된 표면 모두에 흡착된다. 이후, 고체 박막 마스크를 탐침 현미경 팁의 표면으로부터 제거하면, 상기 고체 박막 마스크의 표면에 흡착된 나노구조물 또는 흡착물질은 모두 제거되고, 상기 고체 박막 마스크가 증착되지 않고 제거되었던 표면에 흡착된 나노구조물 또는 흡착물질만이 남게 되도록 하는 것이다.The present invention is to adsorb a nanostructure or adsorbent material only at the tip of the probe microscope tip, the principle is that a solid thin film mask is deposited on the entire surface of the probe microscope tip, the solid thin film mask is deposited on the entire surface of the probe The tip of the microscope tip is rubbed against the solid surface to remove only the tip of the solid thin film mask deposited on the entire surface, and the nanostructure or the adsorbent material is adsorbed on the entire surface of the probe microscope tip (in the case of nanostructures, linker molecules After adsorbing the nanostructure, the nanostructure or the adsorbent material is adsorbed on both the surface of the solid thin film mask and the surface from which the solid thin film mask is removed. Thereafter, when the solid thin film mask is removed from the surface of the probe microscope tip, all of the nanostructures or adsorbents adsorbed on the surface of the solid thin film mask are removed, and the nanostructures adsorbed on the surface where the solid thin film mask has been removed without being deposited. Or so that only adsorbent material remains.

기술적 해결방법Technical solution

구체적으로 설명하면, 본 발명의 일 관점은, a)탐침 현미경 팁에 고체 박막 마스크를 증착시킨다. b)상기 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크 중 탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거한다. 그런 다음 c)상기 탐침 현미경 팁의 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁에 링커 분자막을 증착시킨다. d)상기 링커 분자막이 증착된 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 침지시켜 상기 링커 분자막에 나노구조물이 흡착되도록 한다. e)상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 제거한다.Specifically, in one aspect of the invention, a) a solid thin film mask is deposited on the probe microscope tip. b) rubbing the tip of the probe microscope tip on which the solid thin film mask is deposited to a solid surface to remove only the solid thin film mask deposited on the tip of the probe microscope tip of the deposited solid thin film mask. And c) depositing a linker molecular film on the probe microscope tip from which the solid thin film mask was removed only at the tip of the probe microscope tip. d) The probe microscope tip on which the linker molecular film is deposited is immersed in the nanostructure solution so that the nanostructure is adsorbed on the linker molecular film. e) Remove the solid thin film mask deposited on the probe microscope tip.

또한, 본 발명의 다른 관점은, a)탐침 현미경 팁에 고체 박막 마스크를 증착시킨다. b)상기 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크 중 탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거한다. 그런 다음 c')상기 탐침 현미경 팁의 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁에 흡착시키고자 하는 물질을 증착시킨다. d')상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 제거한다.In another aspect of the invention, a) a solid thin film mask is deposited on the probe microscope tip. b) rubbing the tip of the probe microscope tip on which the solid thin film mask is deposited to a solid surface to remove only the solid thin film mask deposited on the tip of the probe microscope tip of the deposited solid thin film mask. Then, c ') the material to be adsorbed is deposited on the probe microscope tip from which the solid thin film mask is removed only at the end of the probe microscope tip. d ') Remove the solid thin film mask deposited on the probe microscope tip.

상기 b)탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거하는 단계는, 상기 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 접촉시킨 후, 10nN ∼ 500nN의 힘을 이용하여 가로 10um, 세로 10um의 영역에 1초 ∼ 1일간 스캔한다.B) removing only the solid thin film mask deposited on the tip of the probe microscope tip, after contacting the tip of the probe microscope tip to the solid surface, using a force of 10nN to 500nN The area is scanned for 1 second to 1 day.

또한, 상기 b)탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거하는 단계는, 씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing)를 사용한다.In addition, b) removing only the solid thin film mask deposited on the tip of the probe microscope tip, CMP (Chemical Mechanical Polishing) is used.

또한, 상기 c)고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁에 링커 분자막을 증착시키는 단계는, 상기 탐침 현미경 팁을 링커분자 용액에 1초 ∼ 10일 동안 침지시킨 후, 무수헥산으로 씻어낸다.In addition, in the c) depositing the linker molecular film on the probe microscope tip from which the solid thin film mask is removed, the probe microscope tip is immersed in the linker molecule solution for 1 second to 10 days, and then washed with anhydrous hexane.

또한, 상기 c)고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁에 링커 분자막을 증착시키는 단계는, 밀폐된 용기 내에서 링커분자 용액을 가열하여 증기를 발생시키고, 상기 증기를 탐침 현미경 팁에 1초 ∼ 10일 동안 접촉시킨다.The c) depositing the linker molecular film on the probe microscope tip from which the solid thin film mask is removed may include generating a vapor by heating the linker molecule solution in an airtight container. Contact for 10 days.

또한, 상기 d)상기 링커 분자막이 증착된 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 침지시켜 상기 링커 분자에 나노구조물이 흡착되도록 하는 단계는, 상기 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 1시간 이상 침지시킨다.In addition, d) immersing the probe microscope tip on which the linker molecule film is deposited in a nanostructure solution to adsorb the nanostructure to the linker molecule, the probe microscope tip is immersed in the nanostructure solution for 1 hour or more.

또한, 상기 c')상기 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 흡착시키고자 하는 물질을 증착시키는 단계는, 상기 나노구조물을 스퍼터링(sputtering) 또는 이배퍼레이터(evaporator)를 사용하여 증착시킨다.In addition, the c ') depositing a material to be adsorbed on the entire surface of the probe microscope tip from which the solid thin film mask is removed only at the end portion, sputtering or evaporator of the nanostructures. To be deposited.

또한, 상기 고체 박막 마스크는 알루미늄(Al,aluminium)을 사용한다.In addition, the solid thin film mask uses aluminum (Al, aluminum).

또한, 상기 링커분자 용액은 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane) 용액을 사용한다.In addition, the linker molecule solution is used an aminopropyltriethoxysilane (aminopropyltriethoxysilane) solution.

도 1은 종래 기술에 따른 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 나노 구조물을 흡착시킨 상태를 개략적으로 나타낸 개략도 및 SEM 이미지.1 is a schematic view and SEM image showing a state in which the nanostructure is adsorbed on the entire surface of the probe microscope tip according to the prior art.

도 2는 종래의 다른 기술에 따른 반 흡착성 분자막을 이용하여 나노 구조물을 흡착시키는 공정을 개략적으로 나타낸 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing a process of adsorbing nanostructures using a semi-adsorbent molecular membrane according to another conventional technique.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 박막 마스크를 이용한 나노 구조물의 흡착공정을 개략적으로 나타낸 개략도.Figure 3 is a schematic diagram showing the adsorption process of the nanostructures using a solid thin film mask according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 방법에 따라 고체 박막 마스크의 제거 전, 후의 팁의 끝부분에 흡착된 나노 구조물의 상태를 나타내는 SEM 이미지.4 is a SEM image showing the state of the nanostructure adsorbed on the tip of the tip before and after the removal of the solid thin film mask according to the method of FIG.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 박막 마스크를 이용한 흡착물질의 흡착공정을 개략적으로 나타낸 개략도.Figure 5 is a schematic diagram showing an adsorption process of the adsorbent material using a solid thin film mask according to another embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 방법에 따라 고체 박막 마스크의 제거 후의 팁의 끝부분에 흡착된 흡착물질의 상태를 나타내는 SEM 이미지.6 is a SEM image showing the state of the adsorbed material adsorbed on the tip of the tip after the removal of the solid thin film mask according to the method of FIG.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고체 박막 마스크를 이용한 흡착물질의 흡착공정을 개략적으로 나타낸 개략도.Figure 7 is a schematic diagram showing the adsorption process of the adsorbent material using a solid thin film mask according to another embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 방법에 따라 고체 박막 마스크의 제거 후의 팁의 끝부분에 흡착된 흡착물질의 상태를 나타내는 SEM 이미지.8 is a SEM image showing the state of the adsorbed material adsorbed on the tip of the tip after the removal of the solid thin film mask according to the method of FIG.

발명의 실시를 위한 최선의 형태Best Mode for Carrying Out the Invention

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 그 작용 효과에 대해 설명 하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the configuration of the present invention and its effects.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 박막 마스크를 이용한 나노 구조물의 흡착공정을 개략적으로 나타낸 개략도이다. 도 4는 도 3의 방법에 따라 고체 박막 마스크의 제거 전, 후의 팁의 끝부분에 흡착된 나노 구조물의 상태를 나타내는 SEM(Scanning Electron Microscope; 주사(走

Figure 112010037418963-PCT00001
) 전자 현미경) 이미지이다.3 is a schematic diagram schematically showing an adsorption process of a nanostructure using a solid thin film mask according to an embodiment of the present invention. 4 is a SEM (Scanning Electron Microscope) showing the state of the nanostructure adsorbed on the tip of the tip before and after the removal of the solid thin film mask according to the method of FIG.
Figure 112010037418963-PCT00001
A) electron microscope) image.

본 발명의 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에 나노 구조물(N)을 흡착시키는 방법을 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이, a)탐침 현미경 팁(T)의 표면 전체에 고체 박막 마스크(100)를 증착시킨다. b)상기 고체 박막 마스크(100)가 증착된 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크(100) 중 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크(100)만을 제거한다. 그런 다음 c)상기 팁의 끝부분만 고체 박막 마스크(100)가 제거된 탐침 현미경 팁(T)의 표면 전체에 링커 분자막(30)을 증착시킨다. d)상기 링커 분자막(30)이 증착된 탐침 현미경 팁(T)을 나노 구조물용액에 침지시켜 상기 링커 분자막(30)에 나노 구조물(N)이 흡착되도록 한다(도 4의 (a)참조). e)상기 탐침 현미경 팁(T)에 증착된 고체 박막 마스크(100)를 제거한다. 이로 인해, 도 4의 (a),(b)에 도시된 바와 같이, 고체 박막 마스크(100) 제거 후, 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에만 나노 구조물(N)이 흡착된다.The method of adsorbing the nanostructures (N) at the ends of the probe microscope tip (T) of the present invention will be described. As shown in Figure 3, a) a solid thin film mask 100 is deposited on the entire surface of the probe microscope tip (T). b) a solid deposited on the tip of the probe microscope tip T of the deposited solid thin film mask 100 by rubbing the end of the probe microscope tip T on which the solid thin film mask 100 is deposited to a solid surface Only the thin film mask 100 is removed. Then, c) the linker molecular film 30 is deposited on the entire surface of the probe microscope tip T from which the solid thin film mask 100 is removed only at the tip of the tip. d) The probe microscope tip (T) on which the linker molecular film 30 is deposited is immersed in the nanostructure solution so that the nanostructure N is adsorbed to the linker molecular film 30 (see FIG. 4A). ). e) Remove the solid thin film mask 100 deposited on the probe microscope tip (T). Thus, as shown in (a) and (b) of FIG. 4, after removing the solid thin film mask 100, the nanostructure N is adsorbed only at the end of the probe microscope tip T.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 박막 마스크를 이용한 흡착물질의 흡착공정을 개략적으로 나타낸 개략도이다. 도 6은 도 5의 방법에 따라 고체 박막 마스크의 제거 후의 팁의 끝부분에 흡착된 흡착물질의 상태를 나타내는 SEM 이 미지이다.Figure 5 is a schematic diagram showing an adsorption process of the adsorbent material using a solid thin film mask according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is an SEM image showing a state of an adsorbent material adsorbed at the tip of the tip after the removal of the solid thin film mask according to the method of FIG. 5.

본 발명의 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에 흡착물질(M)을 흡착시키는 방법을 설명한다. 도 5에 도시된 바와 같이, a)탐침 현미경 팁(T)의 표면 전체에 고체 박막 마스크(100)를 증착시킨다. b)상기 고체 박막 마스크(100)가 증착된 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크(100) 중 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크(100)만을 제거한다. c')상기 끝부분만 고체 박막 마스크(100)가 제거된 탐침 현미경 팁(T)의 표면 전체에 흡착시키고자 하는 물질(M)을 증착시킨다. d')상기 탐침 현미경 팁(T)에 증착된 고체 박막 마스크(100)를 제거한다. 이로 인해, 도 6에 도시된 바와 같이, 고체 박막 마스크(100) 제거 후, 탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에만 흡착물질(M)이 흡착된다.The method of adsorbing the adsorbent material (M) to the tip of the probe microscope tip (T) of the present invention will be described. As shown in Figure 5, a) a solid thin film mask 100 is deposited on the entire surface of the probe microscope tip (T). b) a solid deposited on the tip of the probe microscope tip T of the deposited solid thin film mask 100 by rubbing the end of the probe microscope tip T on which the solid thin film mask 100 is deposited to a solid surface Only the thin film mask 100 is removed. c ') The material M to be adsorbed is deposited on the entire surface of the probe microscope tip T from which the solid thin film mask 100 is removed. d ') remove the solid thin film mask 100 deposited on the probe microscope tip (T). For this reason, as shown in FIG. 6, after the solid thin film mask 100 is removed, the adsorbent M is adsorbed only at the end of the probe microscope tip T. FIG.

한편, 상기와 같은 본 발명의 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법(도 3 내지 도 6)에서 고체 박막 마스크를 제거하는 또 다른 방법을 설명한다.On the other hand, another method for removing the solid thin film mask in the adsorption method (Figs. 3 to 6) of the nanostructure and the adsorption material using the solid thin film mask of the present invention as described above.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 고체 박막 마스크를 제거하기 위해 염기용액을 사용할 수 있다. 염기용액을 사용할 경우, 고체 박막 마스크를 완전히 제거할 수 있게 된다. 따라서, 본래 탐침 현미경에 표면 성질을 그대로 유지할 수 있게 된다.As shown in FIG. 7 and FIG. 8, a base solution may be used to remove the solid thin film mask. When the base solution is used, the solid thin film mask can be completely removed. Therefore, the surface properties of the probe microscope can be maintained as it is.

발명의 실시를 위한 형태DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

본 발명의 바람직한 실시예의 구성 및 그 작용 효과에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the configuration of the preferred embodiment of the present invention and the effects thereof in detail.

[실시형태 1]Embodiment 1

탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에 나노 구조물(N)을 흡착시키는 제 1실시방법First embodiment in which the nanostructure (N) is adsorbed on the tip of the probe microscope tip (T)

제 1실시방법은 나노 구조물로서 금(Au)나노 구조물을 사용하고, 고체 박막 마스크로서 알루미늄(Al)을 사용하고, 링커분자용액으로서 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane) 용액을 사용한다.In the first embodiment, gold (Au) nanostructures are used as nanostructures, aluminum (Al) is used as a solid thin film mask, and aminopropyltriethoxysilane solution is used as a linker molecule solution.

우선, 탐침 현미경 팁 표면에 10-100nm 두께의 알루미늄 고체 박막 마스크를 증착시키고, 탐침 현미경 팁을 탐침 현미경에 설치한다. 이후 이산화규소(SiO2)표면에 상기 탐침 현미경 팁을 접촉시키고 10-500nN정도의 힘을 이용하여 가로 10um, 세로 10um의 영역에 소정의 시간 동안 스캔하여 상기 팁 끝의 고체 박막 마스크를 제거시킨다. 이와 같은 공정을 통해, 마스크층이 제거된 팁의 첨단부 단면의 평균 직경은 30nm 내지 1000nm의 범위에 있을 수 있고, 연마 또는 CMP 공정의 조건은 위와 같은 직경의 범위가 달성될 수 있도록 제어될 수 있다.First, a 10-100 nm thick aluminum solid thin film mask is deposited on the probe microscope tip surface, and the probe microscope tip is installed in the probe microscope. Then, the probe microscope tip is brought into contact with the silicon dioxide (SiO 2 ) surface, and the solid thin film mask at the tip is removed by scanning the area of 10 μm and 10 μm for a predetermined time using a force of about 10-500 nN. Through such a process, the average diameter of the tip cross section of the tip from which the mask layer has been removed can be in the range of 30 nm to 1000 nm, and the conditions of the polishing or CMP process can be controlled such that the above range of diameters can be achieved. have.

상기 고체 박막 마스크로서, 알루미늄(Al)이외에 Al, Ti, SiO2, Tin Oxide, Co, Pd, Ag, Cr, Pb 등을 사용하는 것도 가능하다.As the solid thin film mask, in addition to aluminum (Al), it is also possible to use Al, Ti, SiO 2, Tin Oxide, Co, Pd, Ag, Cr, Pb and the like.

한편, 다수의 팁을 동시에 작업할 경우에는 반도체 원판 평탄화 작업에 사용되는 씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing)를 이용하거나 웨이퍼 스케일(Wafer Scale)의 팁들을 이산화규소(SiO2) 표면에 접촉하여 스캔할 수 있다.On the other hand, when working with multiple tips at the same time, using CMP (Chemical Mechanical Polishing), which is used to planarize semiconductor discs, or scanning tip of wafer scale by contacting silicon dioxide (SiO 2 ) surface can do.

상기와 같이 팁 끝의 고체 박막 마스크가 제거된 팁들을 무수 헥산에 녹아 있는 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane)용액에 30분정도 침 지시킨다. 이와 같이 하면, 팁 끝에 뿐만 아니라 알루미늄(Al)고체 박막 마스크의 표면에도 약간의 아미노프로필트리에톡시실란이 증착된다. 다른 방법으로는, 밀폐된 용기 내에서 아미노프로필트리에톡시실란 용액을 가열하여 증기를 발생시키고, 상기 증기를 탐침 현미경 팁에 소정의 시간 동안 접촉시켜 상기 알루미늄(Al)고체 박막 마스크의 표면에 아미노프로필트리에톡시실란을 증착시키는 것도 가능하다.As described above, the tips from which the solid thin film mask of the tip is removed are immersed in an aminopropyltriethoxysilane solution dissolved in anhydrous hexane for about 30 minutes. In this way, some aminopropyltriethoxysilane is deposited not only on the tip end but also on the surface of the aluminum (Al) solid thin film mask. Alternatively, the aminopropyltriethoxysilane solution is heated in an airtight container to generate steam, and the vapor is brought into contact with the probe microscope tip for a predetermined time to produce amino on the surface of the aluminum (Al) solid thin film mask. It is also possible to deposit propyltriethoxysilane.

상기 과정을 거친 팁을 50nm 지름의 금(Au)나노구조물 들어있는 용액에 1시간 이상 침지시키면 상기 나노 구조물이 아미노프로필트리에톡시실란이 증착되어 있는 탐침의 끝 부분과 상기 고체 박막 마스크 표면에 모두 흡착된다. 이 후, 상기 팁을 알루미늄 에천트 (Phosphoric Acid : Nitric Acid : Acentric Acid = 16 : 1: 1)에 담그면 고체 박막 마스크가 떨어져 나가면서 마스크 표면에 붙어있던 상기 나노 구조물들도 모두 제거되고, 최종적으로 팁 끝에만 선택적으로 상기 금(Au)나노입자가 흡착되어 남아있게 된다.The tip was immersed in a solution containing 50 nm gold (Au) nanostructures for at least 1 hour, and the nanostructures were formed on both the tip of the probe on which aminopropyltriethoxysilane was deposited and on the surface of the solid thin film mask. Is adsorbed. Subsequently, the tip is immersed in an aluminum etchant (Phosphoric Acid: Nitric Acid: Acentric Acid = 16: 1) to remove the solid thin film mask and remove all the nanostructures attached to the mask surface. The gold nanoparticles are selectively adsorbed and remain only at the tip end.

상기 고체 박막 마스크를 제거하기 위해 사용되는 알루미늄 에천트는 일 실시예로서 사용한 것이며. 고체 박막 마스크의 종류에 따라 베이직 솔루션(Basic Solution) 또는 에칭 솔루션(Etching Solution) 등 다양한 솔루션을 적용할 수 있다.The aluminum etchant used to remove the solid thin film mask is that used as an example. Depending on the type of solid thin film mask, various solutions such as a basic solution or an etching solution may be applied.

[실시형태 2]Embodiment 2

탐침 현미경 팁(T)의 끝부분에 흡착물질(M)을 흡착시키는 제 2실시방법A second embodiment for adsorbing the adsorbent material (M) to the tip of the probe microscope tip (T)

제 2방법에서는, 흡착물질로서 금속물질(Au)을 사용하고, 고체 박막 마스크로서 알루미늄(Al)을 사용한다.In the second method, a metal material (Au) is used as the adsorbent material and aluminum (Al) is used as the solid thin film mask.

우선, 탐침 현미경 팁 표면에 10-100nm 두께의 알루미늄 고체 박막 마스크를 증착하고, 탐침 현미경 팁을 탐침 현미경에 설치한다. 이후 이산화규소(SiO2)표면에 상기 탐침 현미경 팁을 접촉시키고, 가로 10um, 세로 10um의 영역에 소정의 시간 동안 10-500nN정도의 힘으로 스캔하여 상기 팁 끝의 고체 박막 마스크를 제거한다.First, a 10-100 nm thick aluminum solid thin film mask is deposited on the probe microscope tip surface, and the probe microscope tip is installed in the probe microscope. Then, the probe microscope tip is brought into contact with a silicon dioxide (SiO 2 ) surface, and the solid thin film mask at the tip end is removed by scanning with a force of about 10-500 nN for a predetermined time in a region of 10 μm horizontally and 10 μm vertically.

상기 고체 박막 마스크로서, 알루미늄(Al)이외에 Al, Ti, SiO2, Tin Oxide, Co, Pd, Ag, Cr, Pb 등을 사용하는 것도 가능하다. 상기 흡착물질로는 예시된 Au 외에 Ni, Ag, Ti, Cr, Pt, ZnO, Tin Oxide, Pb, CeO2, SiO2 를 포함하는 도체 나노입자, CdSe, CdS, ZnS, GaN, GaAs, PbSe, InAs, CdTe, PbS 를 포함하는 형광성 나노입자, Fe3O4, CoPt, Ni/NiO, FeAl, FePt, Co, CoO 를 포함하는 자성 나노입자, 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nano Tube), SAM(Self Assembled Monolayer), DNA, RNA, 프로테인(Protein), 항원, 항체, 세포(Cell) 등을 적용하는 것도 가능하다.As the solid thin film mask, in addition to aluminum (Al), it is also possible to use Al, Ti, SiO 2, Tin Oxide, Co, Pd, Ag, Cr, Pb and the like. Examples of the adsorbents include conductive nanoparticles including Ni, Ag, Ti, Cr, Pt, ZnO, Tin Oxide, Pb, CeO 2 , and SiO 2 in addition to Au, CdSe, CdS, ZnS, GaN, GaAs, PbSe, Fluorescent nanoparticles including InAs, CdTe, PbS, Fe 3 O 4 , CoPt, Ni / NiO, FeAl, FePt, Co, CoO including magnetic nanoparticles, carbon nanotubes (CNT: Carbon nanotube), SAM ( It is also possible to apply Self Assembled Monolayer, DNA, RNA, Protein, Antigen, Antibody, Cell and the like.

한편, 다수의 팁을 동시에 작업할 경우에는 반도체 원판 평탄화 작업에 사용되는 씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing)를 이용하거나 웨이퍼 스케일의 팁들을 이산화규소(SiO2)표면에 접촉하여 스캔할 수 있다.On the other hand, when simultaneously working a plurality of tips can be scanned using a CMP (Chem Mechanical Mechanical Polishing) (CMP) used in the semiconductor plate planarization work or by contacting the wafer-scale tips on the silicon dioxide (SiO 2 ) surface.

상기 과정을 거친 팁의 표면 전체에 금속물질(Au)을 스퍼터링(Sputtering) 또는 이배퍼레이터(Evaporator)를 사용하여 10-1000nm 두께로 증착시키면 상기 금속물질(Au)은 탐침의 끝 부분과 상기 고체 박막 마스크 표면에 모두 흡착돤다. 이 후, 상기 팁을 알루미늄 에천트 (Phosphoric Acid : Nitric Acid : Acentric Acid = 16 : 1: 1)에 담그면, 고체 박막 마스크가 떨어져 나가면서 마스크 표면에 붙어있던 상기 금속물질들도 모두 제거되고, 최종적으로 팁 끝에만 선택적으로 상기 금속물질이 고정되어 남아있게 된다.When the metal material Au is deposited to a thickness of 10-1000 nm using sputtering or an evaporator on the entire surface of the tip, the metal material Au is formed at the tip of the probe and the solid. All were adsorbed on the thin film mask surface. Subsequently, the tip is immersed in an aluminum etchant (Phosphoric Acid: Nitric Acid: Acentric Acid = 16: 1), and the solid thin film mask is removed to remove all of the metal materials on the mask surface. As a result, only the tip ends of the metal material remain fixed.

상기 고체 박막 마스크를 제거하기 위해 사용되는 알루미늄 에천트는 일실시예로서 사용한 것이며. 고체 박막 마스크의 종류에 따라 다양한 솔루션(Basic Solution or Etching Solution)을 적용할 수 있다.The aluminum etchant used to remove the solid thin film mask is used as an example. Various solutions (Basic Solution or Etching Solution) can be applied according to the type of solid thin film mask.

상기와 같은 실시예를 통해 상기 고체 박막 마스크 등의 각종 흡착물질이 상기 팁의 표면에서 완전히 제거됨으로서 팁의 성질변형을 방지하며, 나노구조물 및 흡착물질의 특성에 관계없이, 스퍼터링(Sputtering) 또는 이배퍼레이터(Evaporator)를 사용하여 흡착가능한 모든 물질을 팁의 끝부분에 흡착시킬 수 있다. 뿐만 아니라 상기 팁의 표면재질 및 성질에 관계없이 나노 구조물 및 흡착물질을 흡착시킬 수 있게 한다.Through such an embodiment, various adsorbents such as the solid thin film mask are completely removed from the surface of the tip to prevent deformation of the tip, and regardless of the characteristics of the nanostructure and the adsorbent, sputtering or doubled An evaporator can be used to adsorb all adsorbable material to the tip of the tip. In addition, regardless of the surface material and properties of the tip it is possible to adsorb the nanostructure and the adsorbent material.

한편, 상기와 같은 실시예를 통해 나노 구조물 또는 흡착물질이 흡착된 탐침 현미경 팁은 종래의 탐침 현미경 팁보다 수배의 해상도를 얻을 수 있게 되며, Nano-FRET, Nano-SERS 이미징, 자기력 탐침 현미경 등 다양한 분야에 적용 및 응용할 수 있게 된다.On the other hand, the probe microscope tip in which the nano-structure or the adsorbed material is adsorbed through the above embodiment can be obtained several times the resolution than the conventional probe microscope tip, and various nano-FRET, Nano-SERS imaging, magnetic force probe microscope It can be applied and applied to the field.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes within the scope not departing from the technical spirit of the present invention are common in the art. It will be apparent to those who have knowledge.

본 발명은 고체 박막 마스크를 이용하여 나노 구조물 및 흡착물질을 탐침 현미경 팁에 흡착시킨 후, 상기 고체 박막 마스크 등의 각종 흡착물질이 상기 팁의 표면에서 완전히 제거하는 공정을 통해 팁의 성질변형을 방지할 수 있다. 또한 나노 구조물 및 흡착물질의 특성에 관계없이, 열 기화(Thermal evaporation)법, DC 스퍼터링(DC sputtering)법, RF 스퍼터링(RF sputtering)법, 이온빔 스퍼터링(Ion Beam sputtering)법, 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Deposition)법 또는 분자빔 에피택시(Molecular Beam epitaxy)법과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition)법 또는 써멀 CVD(Thermal CVD)법, 저압 CVD(Low pressure CVD)법, 플라즈마 향상 CVD(Plasma enhanced CVD)법 또는 금속-유기 CVD(Metal-organic CVD)법과 같은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 사용하여 흡착가능한 모든 물질을 팁의 끝부분에 흡착시킬 수 있게 한다. 뿐만 아니라 상기 팁의 표면 재질 및 성질에 관계없이 나노 구조물 및 흡착물질을 흡착시킬 수 있게 한다.According to the present invention, after the nano structure and the adsorbent are adsorbed onto the probe microscope tip by using a solid thin film mask, various adsorbents such as the solid thin film mask are completely removed from the surface of the tip to prevent deformation of the tip. can do. In addition, regardless of the characteristics of the nanostructure and the adsorbent material, thermal evaporation method, DC sputtering method, RF sputtering method, ion beam sputtering method, ion beam sputtering method, pulsed laser deposition (Pulsed) PVD (Physical Vapor Deposition) method, such as Laser Deposition method or Molecular Beam epitaxy method, Thermal CVD method, Low pressure CVD method, Plasma enhanced CVD method Alternatively, chemical vapor deposition (CVD) methods, such as metal-organic CVD (metal-organic CVD) methods, can be used to adsorb all adsorbable material to the tip of the tip. In addition, regardless of the surface material and properties of the tip it is possible to adsorb the nanostructure and the adsorbent material.

아울러, 상기 고체 박막 마스크 등의 각종 흡착물질이 상기 팁의 표면에서 완전히 제거됨으로서 팁의 성질변형을 방지하며, 나노구조물 및 흡착물질의 제한없이, 스퍼터링 또는 이배퍼레이터를 사용하여 흡착가능한 모든 물질을 팁의 끝부분에 흡착시킬 수 있게 할 뿐만 아니라 상기 팁의 표면재질 및 성질에 관계없이 나노 구조물 및 흡착물질을 흡착시킬 수 있게 한다.In addition, the various adsorption materials such as the solid thin film mask is completely removed from the surface of the tip to prevent deformation of the tip properties, without limiting the nanostructure and the adsorption material, all materials that can be adsorbed using sputtering or evaporator In addition to being able to adsorb to the tip of the tip, it is possible to adsorb nanostructures and adsorbents regardless of the surface material and properties of the tip.

Claims (11)

a)탐침 현미경 팁의 표면 전체에 고체 박막 마스크를 증착시키고;a) depositing a solid thin film mask over the surface of the probe microscope tip; b)상기 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크 중 탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거하고;b) rubbing the tip of the probe microscope tip on which the solid thin film mask is deposited to a solid surface to remove only the solid thin film mask deposited on the tip of the probe microscope tip of the deposited solid thin film mask; c)상기 팁 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 링커 분자막을 증착시키고;c) depositing a linker molecular film over the entire surface of the probe microscope tip from which the solid thin film mask is removed only at the tip end; d)상기 링커 분자막이 증착된 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 침지시켜 상기 링커 분자에 나노구조물이 흡착되도록 하며;d) immersing the probe microscope tip in which the linker molecular film is deposited in a nanostructure solution to allow the nanostructure to adsorb to the linker molecule; e)상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 제거하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.e) adsorption method of nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask to remove the solid thin film mask deposited on the probe microscope tip. a)탐침 현미경 팁의 표면 전체에 고체 박막 마스크를 증착시키고;a) depositing a solid thin film mask over the surface of the probe microscope tip; b)상기 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크 중 탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거하고;b) rubbing the tip of the probe microscope tip on which the solid thin film mask is deposited to a solid surface to remove only the solid thin film mask deposited on the tip of the probe microscope tip of the deposited solid thin film mask; c')상기 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 흡착시키고자 하는 물질을 증착시키며;c ') depositing a substance to be adsorbed on the entire surface of the probe microscope tip from which the solid thin film mask is removed only at the end; d')상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 제거하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.d ') Adsorption method of nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask to remove the solid thin film mask deposited on the probe microscope tip. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 b)단계는Step b) is 상기 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 접촉시킨 후, 10nN ∼ 500nN의 힘을 이용하여 가로 10um, 세로 10um의 영역에 1초 ∼ 1일간 스캔하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.After contacting the tip of the probe microscope tip with the solid surface, the nanostructure and the adsorption material is adsorbed using a solid thin film mask that scans the area of 10 μm and 10 μm for 1 second to 1 day using a force of 10 nN to 500 nN. Way. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 b)단계는Step b) is 씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing)를 사용하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.Adsorption method of nanostructures and adsorbents using solid thin film mask using CMP (Chemical Mechanical Polishing). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 c)단계는Step c) 상기 탐침 현미경 팁을 링커분자 용액에 1초 ∼ 10일 동안 침지시킨 후, 무수헥산으로 씻어내는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.The probe microscope tip is immersed in a linker molecule solution for 1 second to 10 days, and then the adsorption method of nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask washed with anhydrous hexane. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 c)단계는Step c) 밀폐된 용기 내에서 링커분자 용액을 가열하여 증기를 발생시키고, 상기 증기를 탐침 현미경 팁에 1초 ∼ 10일 동안 접촉시키는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.A method of adsorbing nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask that heats the linker molecule solution in a closed vessel to generate steam and contacts the vapor to the probe microscope tip for 1 second to 10 days. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 d)단계는Step d) 상기 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 1시간 이상 침지시키는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.Adsorption method of nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask to immerse the probe microscope tip in the nanostructures solution for at least 1 hour. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 c')단계는Step c ') 상기 흡착물질을 스퍼터링(sputtering) 또는 이배퍼레이터(evaporator)를 사용하여 증착시키는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.A method of adsorbing nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask to deposit the adsorbents using sputtering or an evaporator. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 고체 박막 마스크는 Al, Ti, SiO2, Tin Oxide, Co, Pd, Ag, Cr, Pb 중 어느 하나인 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.The solid thin film mask is Al, Ti, SiO 2, Tin Oxide, Co, Pd, Ag, Cr, Pb adsorption method of the nanostructure and the adsorbent material using a solid thin film mask of any one. 제 5항 또는 제 6항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 링커분자 용액은 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane) 용액인 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.The linker molecule solution is a method for adsorbing nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask which is an aminopropyltriethoxysilane solution. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 염기용액을 이용하여 제거하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법.Adsorption method of nanostructures and adsorbents using a solid thin film mask to remove the solid thin film mask deposited on the probe microscope tip using a base solution.
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