KR20100024872A - 클리닝장치 및 클리닝방법 - Google Patents

클리닝장치 및 클리닝방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100024872A
KR20100024872A KR1020080095364A KR20080095364A KR20100024872A KR 20100024872 A KR20100024872 A KR 20100024872A KR 1020080095364 A KR1020080095364 A KR 1020080095364A KR 20080095364 A KR20080095364 A KR 20080095364A KR 20100024872 A KR20100024872 A KR 20100024872A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive sheet
pressure
cleaning
sensitive adhesive
sheet
Prior art date
Application number
KR1020080095364A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101071368B1 (ko
Inventor
가즈유키 이케나가
츠토무 데츠카
무네오 후루세
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Publication of KR20100024872A publication Critical patent/KR20100024872A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101071368B1 publication Critical patent/KR101071368B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Abstract

본 발명은 진공처리장치의 금속 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 있는 이물을 제거하는 클리닝장치를 제공하는 것이다.
기재(51)와 점착면(52)을 가지는 점착 시트(5)와, 기재(51)에 접하는 도전성 시트(7)와, 도전성 시트(7)를 점착 시트(5)에 가압하는 가압부재(11)를 구비하고, 도전성 시트(7)에 양 또는 음의 전압을 인가하는 전압 인가기구(9)와, 점착 시트(5)를 진공처리장치의 곡면(10)에 가압하는 가압력 조정기구(8)를 가지고, 가압부재(11)가 가압력 조정기구(8)로 조정된 가압력에 의해 도전성 시트(7)와 점착 시트(5)를 가압하여 점착 시트(5)의 점착면(52)과 절연체(10)의 곡면을 밀착시킴으로써 절연체(10)에 부착된 이물을 제거함과 동시에, 도전성 시트(7)에 양 또는 음의 전압을 인가함으로써 생기는 정전 흡인력에 의해 절연체(10)에 부착된 이물을 흡착하여 제거한다.

Description

클리닝장치 및 클리닝방법{CLEANING APPARATUS AND CLEANING METHOD}
본 발명은, 반도체 디바이스, 플랫 패널 디스플레이용 기판 등의 제조에 사용되는 진공처리장치 및 반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이용 기판 등의 검사에 사용되는 진공처리장치로 이루어지는 검사장치의 클리닝장치 및 클리닝방법에 관한 것이다.
최근, 플라즈마를 사용한 진공처리장치는, 반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이의 제조공정에서 널리 사용되고 있다. 플라즈마 진공처리장치에서는, 진공용기 내에 도입한 반응성 가스나 성막재료 가스를 마이크로파나 고주파로 방전시켜, 스테이지에 탑재한 피처리 시료를 가공한다. 플라즈마 진공처리장치를 구성하는 부품으로서, 금속부품 외에, 부품 자체의 재질이 절연체인 것이나 금속부품의 표면에 절연체를 코팅하도록 표면처리가 이루어진 것이 있다.
이들 부품에 부착된 이물의 제거방법으로서는, 유기용제를 적신 섬유체를 사용하여 수작업으로 닦아내는 방법이나 초음파에 의한 세정방법, 클리닝 시트를 이용한 세정방법, 드라이아이스(CO2)를 분사하는 세정방법, 고압수를 분사하는 세정방 법, 기체와 유체를 혼합한 것을 분사하는 세정방법이 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 세정매체를 초음파 세정 노즐로부터 분사함으로써 피세정물을 세정하는 방법이 있다. 또, 특허문헌 2에 기재된 종래 기술은, 도전성의 수지가 실시된 웨이퍼를 스테이지 상에 설치한 후에, 스테이지에 전압을 인가함으로써 웨이퍼를 스테이지에 가압하여, 스테이지 상의 이물을 제거하는 세정방법이다.
[특허문헌 1]
일본국 특개2004-82038호 공보
[특허문헌 2]
일본국 특개2007-19443호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 방법으로 금속부품의 표면에 코팅된 절연체를 세정하는 경우, 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 초음파가 닿지 않기 때문에, 미소한 요철 사이에 있는 이물을 제거하는 것은 곤란하다.
또한, 종래기술로서 분말형상의 드라이아이스를 피세정물에 분사하는 세정방법(예를 들면, 일본국 특개2007-117838호 공보 참조), 세정액체 중에 피세정물을 침지하고, 고압력을 가한 액체를 노즐로부터 안개화시킨 상태에서 피세정물에 내뿜는 세정방법(예를 들면, 일본국 특개2000-21832호 공보 참조), 기체와 액체를 혼합하여, 혼합한 세정액을 피세정물에 분사하는 세정방법(예를 들면, 일본국 특개2008-141049호 공보 참조) 등이 제안되어 있다.
상기한, 분말형상의 드라이아이스, 안개화한 액체, 기체와 액체를 혼합한 세정액을 분사하는 세정방법에서는, 금속부품의 표면에 코팅된 절연체를 세정하는 경우에는, 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 분사한 세정액 등이 닿지 않기 때문에, 미소한 요철 사이에 있는 이물을 제거하는 것은 곤란하다.
또한, 다른 종래기술로서, 웨이퍼에 클리닝 시트를 부착하고, 클리닝 시트가 부착된 면을, 피처리 시료를 탑재하는 스테이지에 반송함으로써, 반송 아암이나 스테이지 상을 클리닝하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 특개2002-192084호 공보 참조). 이 클리닝방법에서는, 피처리 시료를 반송하기 위한 반송 아암이 나 피처리 시료를 탑재하는 스테이지라는 평탄한 부품만에 밖에 적용할 수 없고, 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 있는 이물이나 플라즈마 진공처리장치를 구성하는 부품의 곡면에 부착된 이물을 제거하는 것은 곤란하다.
따라서, 충분히 세정이 이루어져 있지 않은 상태의 부품을 사용하여 플라즈마처리를 개시하면, 진공처리장치의 곡면에 있는 이물이나 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 있는 이물이, 피처리 시료의 위에 부착됨으로써, 반도체 디바이스의 결함이 되어 불량을 야기하는 것이 염려된다. 또, 피처리 시료의 위에 부착된 이물에 의하여 오염량도 증가하게 된다. 그리고, 이들 미세한 이물은, 지름이 작아질수록 수가 증가하여, 진공처리장치의 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 있는 미세한 이물을 유체에 의한 방법으로 제거하는 것은 점점 곤란하다. 또한, 상기 절연체 표면의 코팅은 절연재료가 예를 들면 용사에 의하여 형성되기 때문에, 미세한 요철을 가지고 있고, 이 요철은 지나친 압력이 가해지면 찌그러져, 이물발생의 원인이 될 염려가 있다.
본 발명은, 이와 같은 종래기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 진공처리장치의 곡면에 부착된 이물이나 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철 사이에 있는 이물을 제거할 수 있는 클리닝장치 및 클리닝방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 관점에 의한 클리닝장치는, 교환 가능한 점착 시트와, 상기 점착 시트의 점착면의 반대측에 가요성을 가지는 도전성 시트를 구비하고, 또한 이 도전성 시트에 양 또는 음의 전압을 인가하는 전압 인가기구와, 상기 도전성 시트의 위에서 점착 시트를 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 가압하기 위한 가압력 조정기구를 가진 가압부재를 구비하고, 상기 가압부재는 클리닝 대상 부분의 형상과 서로 비슷한 형상을 가지고 있고, 상기 가압부재가 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의해 상기 도전성 시트와 상기 점착 시트를 가압하고, 상기점착 시트의 점착면과 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키고, 상기 전압 인가기구에 의하여 상기 도전성의 시트에 양 또는 음의 전압을 인가한다.
본 발명의 제 2 관점에 의한 클리닝장치는, 가요성을 가지는 도전성 시트와, 상기 도전성 시트에 양 또는 음의 전압을 인가하는 전압 인가기구와, 상기 도전성 시트의 위에서 진공처리장치의 곡면에 부착한 점착 시트를 가압하기 위한 가압력 조정기구를 가진 가압부재를 구비하고, 상기 가압부재는 클리닝 대상 부분의 형상과 서로 비슷한 형상을 가지고 있고, 상기 가압부재가 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의해 상기 도전성 시트와, 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착한 점착 시트를 가압하고, 상기 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키고, 전압 인가기구에 의해 도전성의 시트에 양 또는 음의 전압을 인가한다.
본 발명의 제 3 관점에 의한 클리닝장치는, 점착 시트의 점착면이 항상 새로운 상태에서 공급되도록, 상기 점착 시트가 롤형상으로 구성되고, 한 번 사용된 점 착면을 다시 사용하지 않도록, 점착 시트를 롤형상으로 회수하는 기구를 구비하고, 가압력을 조정하기 위한 가압력 조정기구를 가진 탄력성이 있는 구조체와, 상기 구조체의 적어도 표면이 도전성이며, 상기 점착 시트의 점착면의 반대측에서, 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력으로 상기 구조체를 가압하고, 상기 구조체의 밑에 위치하는 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키고, 상기 구조체가 회전함으로써, 클리닝장치를 이동시키면서 상기 전압 인가기구에 의해 상기 구조체의 도전성의 부분에 양 또는 음의 전압을 인가한다.
본 발명의 제 4 관점에 의한 클리닝장치는, 가압력을 조정하기 위한 가압력 조정기구를 가진 탄력성이 있는 구조체와, 상기 구조체의 적어도 표면이 도전성이고, 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착한 점착 시트를 가압하기 위하여, 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력으로 상기 구조체를 가압하고, 상기 구조체의 밑에 위치하는 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키고, 상기 구조체가 회전함으로써, 클리닝장치를 이동시키면서 상기전압 인가기구에 의하여 상기 구조체의 도전성의 부분에 양 또는 음의 전압을 인가한다.
이하, 도 1 내지 도 17을 사용하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 본 발명은, 반도체 디바이스의 제조나 검사분야에 한정되는 것은 아니고, 플랫 디스플레이의 제조나 각종 플라즈마 표면처리 등, 여러가지 분야에 적용이 가능하나, 여기서는, 반도체 디바이스 제조용의 플라즈마 에칭장치를 예로 들어, 실시예를 나타내 기로 한다. 도 17에 본 발명을 적용하는 플라즈마 진공처리장치의 측면의 일부를 잘라낸 도면을 나타낸다.
플라즈마 진공처리장치에 있어서, 플라즈마를 생성하여 처리를 행하는 처리실(25)은, 측면(1)과 천정판(19)과 바닥판(23)을 가지고 있다. 바닥판(23)에는, 처리실(25)을 진공 배기하기 위한 배기포트(231)가 설치되어 있다. 처리실(25)의 아래쪽에는 피처리 시료인 웨이퍼(24)가 정전척(18)에 의해 정전력으로 유지되어 있고, 플라즈마처리 중에 웨이퍼(24)에 고주파를 인가하는 고주파 전원(22)이 접속되어 있다. 처리실(25)의 윗쪽에는 플라즈마 생성용 고주파를 도입하기 위한 유전체제의 천정판(19)이 설치되어 있다. 천정판(19)의 위에는 상부 전극(20)이 있고, 상부 전극(20)에 고주파를 인가하는 고주파 전원(21)이 접속되어 있다. 처리실(25)의 측면(1)은 곡면을 가지고 있고, 알루미늄 등의 금속재료로 이루어져 있다. 또한 측면(1)의 내면의 알루미늄 표면에는 알루미나나 이트륨의 산화물 등의 절연체(10)가 50 ㎛ 내지 수백 ㎛의 두께로 예를 들면 용사에 의해 코팅되어 있다. 처리실(25)의 측면(1)은, 접지되어 있다.
(실시예 1)
도 1 내지 도 7을 이용하여, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 클리닝장치 및 클리닝방법을 설명한다. 본 발명은, 도 17에서 설명한 플라즈마 진공처리장치의 처리실(25)이 대기(大氣)상태일 때에 사용한다.
도 1(a) 및 도 1(b)에 의하여 본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)의 구조에 대하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 예를 사용하여 설명한다.
클리닝장치(30)는, 기재(51)와 점착면(52)을 가지는 점착 시트(5)의 점착면(52)의 반대측에 가요성을 가지는 도전성 시트(7)가 배치되어 구성된다. 점착 시트(5)는, 교환 가능한 부재로 구성된다. 점착면(52)은, 카본계 불소수지 등 점착면을 구성하는 물질이 절연체(10)의 표면에 잔류하여도 웨이퍼 등에 악영향(불순물 오염 등)을 미치지 않는 점착성의 재료로 구성된다. 도전성 시트(7)는, 카본을 첨가한 수지 등, 가요성을 가지는 도전성 물질이 사용된다. 도전성 시트(7)를 구성하는 상기 이외의 도전성 물질로서, 알루미늄 등의 가요성을 고려한 도전성 박막을 기재(51)나 가압판(11)의 표면에 부착하거나, 또는 코팅하여도 된다. 기재(51)는, 경우에 따라 절연성을 가지는 재료 또는 도전성을 가지는 재료의 것을 사용한다. 예를 들면, 클리닝 대상이 되는 부품의 표면에 코팅된 절연체(10)가 수 ㎛ 정도로 얇은 경우, 기재(51)가 도전성을 가진 재료에서는, 전압을 인가하였을 때에, 절연체(10)가 절연 파괴될 염려가 있다. 이것을 피하기 위해서는, 기재(51)가 절연성을 가지는 재료이면 된다. 한편, 절연체(10)가 수십 ㎛로 두꺼운 경우, 전압을 인가하여도 절연체(10)가 절연 파괴될 염려는 없다. 이 경우, 기재(51)가 절연성을 가지는 재료이어도 되나, 점착면(52)에 발생시키는 정전 흡인력을 크게 하기 위해서는, 기재(51)가 도전성을 가진 재료의 쪽이 바람직하다. 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 점착 시트(5)는 고정구(12)에 의하여 클리닝장치(30)에 설치되어 있고, 점착 시트(5)를 교환할 때는, 고정구(12)를 떼어내어 교환하면 된다.
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면은, 수 ㎛ 내지 수 십 ㎛의 요철이 형성되어 있기 때문에, 점착면(52)의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 인 것이 바람직하다.
도전성 시트(7)의 밑에 위치하는 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시키기 위하여, 도전성 시트(7)의 상부에 가압력 조정기구(8)를 가진, 예를 들면 스펀지나 고무 등으로 이루어지는 탄성을 가지는 가압판(11)이 배치되어 있다.
점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시키기 위하여, 가압판(11)은 피클리닝 대상인 처리실(25)의 측면(1)의 내면의 곡률과 대략 동일한 곡률을 가지는 것이 바람직하다. 즉, 가압판(11)의 반경은, 피클리닝 대상인 처리실(25)의 측면(1)의 내면의 반경으로부터 점착 시트의 두께에 대략 같은 값을 뺀 값으로 하는 것이 바람직하고, 가압판의 형상은 클리닝 대상 부분의 형상과 동일하거나 또는 서로 비슷한 형상이 된다.
도전성 시트(7)에는 양 또는 음의 직류전압을 인가하기 위한 전압 인가기구(9)가 접속되어 있다. 전압 인가기구(9)는, 한쪽 끝이 접지되어 있다. 전압 인가기구(9)는, 양 또는 음의 직류전압 중 어느 하나, 또는 시간적으로 극성을 바꾸어 전압을 도전성 시트(7)에 인가하는 것이 가능하게 구성된다. 또한, 전압은, 이물을 흡인하는 데 적합한 임의의 전압으로 조정할 수 있는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의하여 처리실(25)의 측면의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 방법에 대하여 설명한다.
점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연 체(10)에 접촉시키고, 도전성 시트(7)의 상부에 구비한 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 가압판(11)을 도전성 시트(7)의 위에서 점착 시트(5)에 가압함으로써, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시킨다. 이 상태에서, 전압 인가기구(9)로부터 도전성 시트(7)에 양 또는 음의 직류전압을 인가함으로써, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 것이 가능해진다. 도전성 시트(7)에 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
도 2 및 도 3을 사용하여, 본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 존재하는 이물을 제거하는 개념을 설명한다.
도 2에, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면을 확대한 도면을 나타낸다. 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)표면은 수 ㎛내지 수십 ㎛의 요철이 형성되어 있고, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 볼록부와 오목부에 이물(3, 4)이 존재하고 있다.
도 3에, 도전성 시트(7)의 상부에 구비한 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 가압판(11)을 도전성 시트(7)의 위에서 점착 시트(5)에 가압함으로써, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시켜, 전압 인가기구(9)에 의해 도전성 시트(7)에 직류전압을 인가한 상태를 나타낸 도면을 나타낸다.
도 3의 상부 도면에서는, 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅 된 절연체(10)의 표면에 밀착시킴으로써, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 볼록부에 있는 이물(3)은, 점착면(52)에 흡착된다[이물 (3a)]. 이때, 가압력 조정기구(8)로 조정하는 가압력은, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 파괴를 방지하기 위하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 강도(경도)보다 작게 하는 것이 바람직하다.
도 3의 하부 도면에서는, 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시킨 상태에서 전압 인가기구(9)에 의해 도전성 시트(7)에 직류전압을 인가한다. 이에 의하여, 점착면(52)에 정전 흡인력이 발생하고, 이 정전 흡인력에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 오목부에 있는 이물(4)은 점착면(52)에 끌어 당겨져 흡착된다[이물(4a)]. 일반적으로, 이물은 그 성분(성질)에 의하여 양 또는 음으로 차지업되어 있으나, 전압 인가기구(9)에 의해 인가하는 직류전압의 극성을 변경함으로써, 어느 쪽의 이물도 제거하는 것이 가능하다. 전압 인가기구(9)에 의해 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
한번, 이물이 점착면(52)에 흡착되면, 전압 인가기구(9)의 전압을 오프로 한 상태에서 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)으로부터 떨어트려도, 점착면(52)에 흡착한 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 볼록부와 오목부의 이물(3a, 4a)은, 점착면(52)으로부터 떨어지는 일은 없고, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면으로부터 제거된다.
다음에, 본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의하여, 처리실(25)의 측면(1)의 선단부분에 코팅된 절연체(10)를 클리닝하는 방법을 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다.
도 4에 나타내는 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1a)는, O링 홈(26)에 설치되는 O링을 거쳐 천정판(19)과 접촉하는 부분이다. 일반적으로, 금속부품의 표면에 절연체(10)를 코팅하는 경우, 코팅하는 부분이 각진 형상에서는, 각진 부 부근의 코팅의 막두께가 불균일해지는 것이나, 코팅에 균열이 들어 가는 일이 있기 때문에, 각진 형상을 곡면형상(27)으로 가공하고 있다. 본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의한, 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1a)의 곡면형상(27)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 클리닝은, 가압판(11)의 형상을 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1a)의 곡면형상(27)과 동일, 또는 서로 비슷한 형상으로 하여, 도전성 시트(7)의 상부에 구비한 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 가압판(11)을 도전성 시트(7)의 위에서 점착 시트(5)에 가압함으로써, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1a)의 곡면형상(27)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시켜, 전압 인가기구(9)에 의해 도전성 시트(7)에 양 또는 음의 직류전압을 인가함으로써 가능해진다. 전압 인가기구(9)에 의해 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
도 5는, 예를 들면, 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1a)의 반대측의 선단부 (1b)이다. 도 4에서 설명한 이유로부터, 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1b)는, 각진 형상이 아닌 곡면형상(28)으로 가공되어 있다. 본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의한, 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1b)의 곡면형상(28)의 표 면에 코팅된 절연체(10)의 클리닝은, 가압판(11)의 형상을 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1b)의 곡면형상(28)과 같은(서로 비슷한) 형상으로 하여, 도전성 시트(7)의 상부에 구비한 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 가압판(11)을 도전성 시트(7)의 위에서 점착 시트(5)를 가압함으로써, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 선단부(1b)의 곡면형상(28)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시켜, 전압 인가기구(9)에 의해 도전성 시트(7)에 양 또는 음의 직류전압을 인가함으로써 가능해진다. 전압 인가기구(9)에 의해 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의해 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 방법에 대하여, 도 6 및 도 7을 사용하여 설명한다.
제 1 방법에서는, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이 클리닝장치(30)를 복수개 조합시켜 설치하여 대응하는 부분의 클리닝을 행하고, 그 후, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 복수개 조합시킨 클리닝장치(30)를 파선으로 나타낸 부분으로 회전 이동시킴으로써, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 것이 가능해진다. 클리닝장치(30)를 회전 이동시키는 경우, 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력을 한번 해제하고, 새로운 클리닝 부분으로 회전 이동시킨 후에, 다시 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력에 의해, 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시킨다. 바람직하게는 한번 처리실(25)의 측면(1)에 밀착시킨 점착 시트(5)는 새로운 점착 시트와 교환한다. 이것에 의하여, 클리닝 부분을 이동하였을 때에, 점착면(52)에 부착된 이물이, 클리닝 부분을 이동한 상기한 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 재부착되는 역오염을 방지할 수 있다.
제 2 방법으로서, 도 7에 나타내는 바와 같이 클리닝장치(30)를 구성하는 점착 시트(5)와, 점착면(52)의 반대측에 배치된 도전성 시트(7)와, 도전성 시트(7)의 상부에 배치한 가압력 조정기구(8)를 가진 가압판(11)을, 처리실(25)의 측면(1)의 사이즈(높이, 곡률)와 같은 사이즈로 함으로써, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 것이 가능해진다.
도 6 및 도 7에 나타낸, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 제 1 및 제 2 방법에 있어서, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 있는 이물은 큰 입자지름의 것부터 제거되어 가기 때문에, 클리닝효과를 올리기 위해서는, 동일한 부분을 복수회 클리닝하는 것이 바람직하다. 또, 클리닝을 행할 때마다 점착 시트(5)를 교환하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 점착면(52)에 부착된 이물이, 클리닝 부분을 이동한 상기한 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 재부착되는 역오염을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시형태인 클리닝장치(30)에 의한, 도 4 및 도 5에 나타낸 처리실(25)의 측면(1)의 선단부분에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 방법은, 도 6 및 도 7에서 설명한 장치구성을 기초로, 가압판(11)을 도 4 및 도 5에서 나타낸 선단부분의 형상에 맞춤으로써 가능해진다.
(실시예 2)
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 예를 나타내는 도 8을 이용하여, 본 발명의 제 2 실시형태인 클리닝장치(31)의 구조에 대하여 설명한다. 본 발명은 도 17에서 설명한 플라즈마 진공처리장치의 처리실(25)이 대기상태일 때에 사용한다.
도전성 시트(7)의 상부에 가압력 조정기구(8)를 가진 가압판(11)이 배치되어 있다. 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시키기 위하여, 가압판(11)은 피클리닝 대상인 처리실(25)의 측면(1)의 내면의 곡률과 대략 동일한 곡률을 가지는 것이 바람직하다. 도전성 시트(7)에는 양 또는 음의 직류전압을 인가하기 위한 전압 인가기구(9)가 접속되어 있다. 전압 인가기구(9)는, 실시예 1과 동일하게 구성된다. 점착 시트(5) 및 도전성 시트(7)는, 실시예 1과 동일한 재료로 구성되어 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 실시형태인 클리닝장치(31)에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 방법에 대하여 설명한다. 처음에 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)의 표면에 점착 시트(5)를 부착한다. 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면은, 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 요철이 형성되어 있기 때문에, 점착면(52)의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다.
점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시키기 위하여, 도전성 시트(7)와 점착 시트(5)를 접촉시켜, 도전성 시트(7)의 상부에 구비한 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 가압판(11)을 도전성 시트(7)의 위에서 점착 시트(5)에 가압하여, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시킨다. 이 상태에서 전압 인가기구(9)에 의해 도전성 시트(7)에 양 또는 음의 직류전압을 인가함으로써, 정전 흡인력에 의하여 도 3에 나타낸 것과 마찬가지로, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 깊이의 오목부에 있는 이물(4)을, 점착면(52)으로 끌어 당겨 흡착할 수 있고, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 것이 가능해진다. 도전성 시트(7)에 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
본 발명의 제 2 실시형태인 클리닝장치(31)에 의하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 존재하는 이물을 제거하는 개념은 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 같다.
본 발명의 제 2 실시형태인 클리닝장치(31)에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 경우, 처음에 점착 시트(5)를 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10) 전체에 부착한다. 이 상태에서 도 6 및 도 7에서 설명한 바와 같은 클리닝장치를 복수개 조합시키는 방법이나, 도전성 시트(7)의 상부에 배치한 가압력 조정기구(8)를 가진 가압판(11)을, 처리실(25)의 측면(1)의 사이즈(높이, 곡률)와 동일한 사이즈로 하는 방법에 의하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 것이 가능해진다.
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 있는 이물은 큰 입자 지름의 것부터 제거되어 가기 때문에, 클리닝 효과를 올리기 위해서는, 동일한 부분을 복수회 클리닝하는 것이 바람직하다. 또, 클리닝을 행할 때마다, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)의 표면에 부착한 점착 시트(5)를 교환하는 것이 바람직하다.
(실시예 3)
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 예를 나타내는 도 9를 이용하여, 본 발명의 제 3 실시형태인 클리닝장치(32)의 구조에 대하여 설명한다. 본 발명은 도 17에서 설명한 플라즈마 진공처리장치의 처리실(25)이 대기상태일 때에 사용한다.
점착 시트(5)의 점착면(52)이 미사용의 상태에서 공급되어, 한번 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시킨 점착면(52)을 다시 사용하지 않도록, 점착 시트(5)가 롤형상으로 회수되도록, 공급용 점착롤(14)과 회수용 점착롤(15)이 처리실(25)의 측면(1)에 접촉하지 않게 배치되어 있다. 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면은, 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 요철이 형성되어 있기 때문에, 점착면(52)의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다. 점착 시트(5)는, 실시예 1과 동일한 재료로 구성되어 있다. 가압력을 조정하기 위한 가압력 조정기구(8)를 가진 탄력성이 있는 구조체(13)의 적어도 표면은 도전성의 부분(17)을 가지고 있고, 공급용 점착롤(14)과 회수용 점착롤(15)의 사이에 배치되고, 또, 점착 시트(5)의 점착면(52)의 반대측에 배치되어 있다. 예를 들면, 도전성의 부분(17)은, 실시예 1과 동일한 물질로 구성되어 있다. 구조체(13)의 밑에 위치하는 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 밀착시키기 위하여, 구조체(13)가 가지고 있는 탄성도는, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 강도(경도)보다 작게 하는 것이 바람직하다.
도전성의 부분(17)에 양 또는 음의 직류전압을 인가하기 위한 전압 인가기구(9)가 접속되어 있다. 전압 인가기구(9)는, 실시예 1과 동일하게 구성된다.
본 발명의 제 3 실시형태인 클리닝장치(32)에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 방법에 대하여, 도 10을 이용하여 설명한다.
구조체(13)를 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 점착 시트(5)의 위에서 가압함으로써, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시킨다. 이 상태에서 전압 인가기구(9)에 의해 도전성의 부분(17)에 양 또는 음의 직류전압을 인가한다. 이에 의하여, 점착 시트(5)의 점착면(52)과 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면이 밀착한 부분이 클리닝된다. 전압 인가기구(9)에 의해 도전성의 부분(17)에 양 또는 음의 직류전압을 인가한 채로 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력을 일정하게 유지한 상태에서, 구조체(13)를 회전시키면서, 클리닝장치(32)와 구조체(13)를 처리실(25)의 측면(1)의 곡면을 따라 움직인다. 동시에, 공급용 점착롤(14)로부터 점착 시트(5)를 공급하고, 점착 시트(5)의 점착면(52)과 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면이 밀착한 점착 시트(5)를 회수용 점착롤(15)에 의하여 회수하고, 점착 시트(5)의 점착면(52)에 부착된 이물이, 클리닝 부분을 이동한 상기한 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 부착되는 역오염을 방지한다. 이에 의하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면의 클리닝이 가능해진다. 전압 인가기구(9)에 의해 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 있는 이물은 큰 입자지름의 것부터 제거되어 가기 때문에, 클리닝 효과를 올리기 위해서는, 동일한 부분을 복수회 클리닝하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 실시형태인 클리닝장치(32)에 의하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 존재하는 이물을 제거하는 개념은, 도 2 및 도 3에서 설명한 것과 동일하다.
(실시예 4)
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 예를 나타내는 도 11을 사용하여, 본 발명의 제 4 실시형태인 클리닝장치(33)의 구조에 대하여 설명한다. 본 발명은 도 17에서 설명한 플라즈마 진공처리장치의 처리실(25)이 대기상태일 때 사용한다.
가압력을 조정하기 위한 가압력 조정기구(8)를 가진 탄력성이 있는 구조체(13)의 적어도 표면은 도전성의 부분(17)을 가지고 있다. 예를 들면, 도전성의 부분(17)은, 실시예 1과 동일한 물질로 구성되어 있다. 도전성의 부분(17)에 양 또는 음의 직류전압을 인가하기 위한 전압 인가기구(9)가 접속되어 있다. 전압 인 가기구(9)는, 실시예 1과 동일하게 구성된다. 구조체(13)가 가지고 있는 탄성의 정도는, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 강도(경도)보다 작게 하는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 제 4 실시형태인 클리닝장치(33)에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)의 전면을 클리닝하는 방법에 대하여, 도 12를 이용하여 설명한다.
처음에 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)의 표면에 점착 시트(5)를 부착한다. 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면은, 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 요철이 형성되어 있기 때문에, 점착면(52)의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다. 점착 시트(5)는, 실시예 1과 동일한 재료로 구성되어 있다.
구조체(13)를 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력으로 점착 시트(5)의 위에서 가압함으로써, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시킨다. 이 상태에서 전압 인가기구(9)에 의해 도전성의 부분(17)에 양 또는 음의 직류전압을 인가한다. 이에 의하여, 점착 시트(5)의 점착면(52)과 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면이 밀착한 부분이 클리닝된다. 전압 인가기구(9)에 의해 도전성의 부분(17)에 양 또는 음의 직류전압을 인가한 채로 가압력 조정기구(8)로 조정한 가압력을 일정하게 유지한 상태에서, 구조체(13)를 회전시키면서, 클리닝장치(33)와 구조체(13)를 처리실(25)의 측면(1)의 곡면을 따라 움직인다. 이에 의하여, 처리실(25)의 측면(1) 의 표면에 코팅된 절연체(10)의 전면의 클리닝이 가능해진다. 전압 인가기구(9)에 의해 인가하는 음양의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 있는 이물은 큰 입자지름의 것부터 제거되어 가기 때문에, 클리닝 효과를 올리기 위해서는, 동일한 부분을 복수회 클리닝하는 것이 바람직하다. 또, 클리닝을 행할 때마다, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)의 표면에 부착한 점착 시트(5)를 교환하는 것이 바람직하다. 이것에 의하여, 점착면(52)에 부착된 이물이, 클리닝 부분을 이동한 상기한 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 재부착되는 역오염을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 4 실시형태인 클리닝장치(33)에 의하여, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 존재하는 이물을 제거하는 개념은, 도 2 및 도 3에서 설명한 것과 동일하다.
(실시예 5)
도 16에 본 발명의 제 5 실시형태인 도전 테이프(40)의 구조를 나타낸다. 도전 테이프(40)는, 도전성 시트(41)에 점착층(42)을 구비하고 있다. 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면은, 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 요철이 형성되어 있기 때문에, 점착층(42)의 두께는, 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다. 또, 점착층(42)이 도전성을 가지고 있는 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명의 제 5 실시형태인 도전 테이프(40)에 의하여 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 방법에 대하여 설명한다. 본 발명은 도 17에서 설명한 플라즈마 진공처리장치의 처리실(25)이 대기상태일 때 사용한다. 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)의 표면에 도전 테이프(40)을 부착한다. 도전 테이프(40)는, 도전성 시트(41)에 점착층(42)을 구비하고 있기 때문에, 도전성 시트(41)에 양 또는 음의 직류전압을 인가함으로써, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅한 절연체(10)를 클리닝하는 것이 가능하게 된다. 도전성 시트(7)에 인가하는 양 또는 음의 전압은, 시간적으로 변화시켜도 된다.
도 13 내지 도 15를 사용하여 본 발명의 실시형태에서의 클리닝 효과를 설명한다. 도 13은, 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 인가하는 전압을 바꾸었을 때의 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 부착되는 이물의 제거수를 나타낸다. 이 도면으로부터 인가 전압을 높게 하면, 점착 시트(5)의 점착면(52)에 발생하는 정전 흡인력이 커지기 때문에, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 부착되는 이물을 제거하는 효과가 높아지는 것을 알 수 있다.
도 14는, 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 전압을 인가하여 점착 시트(5)의 점착면(52)에 정전 흡인력을 발생시킨 경우와, 점착 시트(5)만을 사용한 경우에 있어서, 클리닝 회수와 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 부착되어 있는 이물수와의 관계를 나타낸다. 이 도면으로부터, 클리닝 회수 1회째 및 2회째는, 점착 시트(5)만을 사용한 경우에 비하여, 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 전압을 인가하여 점착 시트(5)의 점착면(52)에 정전 흡인력을 발생시킨 경우의 이물이 많은 것을 알 수 있다. 이것은, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 오목부에 있던 이물이, 전압 인가에 의하여 점착면(52)으로 끌어 당겨졌기 때문이다. 따라서, 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 전압을 인가하여 점착 시트(5)의 점착면(52)에 정전 흡인력을 발생시켜, 클리닝 회수를 늘림으로써 이물이 대폭으로 감소하여 간다. 한편, 점착 시트(5)만을 사용한 경우에서는, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 오목부에 있는 이물을 제거할 수 없기 때문에, 이물의 감소 폭이 작아, 클리닝 회수를 증가하지 않으면 안된다.
점착 시트(5)의 점착면(52)을 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 표면에 밀착시켜 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 전압을 인가하여 점착 시트(5)의 점착면(52)에 정전 흡인력을 발생시킨 경우와 점착 시트(5)를 밀착시키지 않고 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 전압을 인가하여 점착 시트(5)의 점착면(52)에 정전 흡인력을 발생시킨 경우에 있어서의 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)에 부착되어 있는 이물의 제거수의 관계를 도 15에 나타낸다. 이 도면으로부터, 점착 시트 + 전압 인가방식에서도, 점착 시트(5)의 점착면(52)이 밀착하고 있지 않은 경우, 이물을 제거하는 효과는 낮은 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 점착 시트(5)의 점착면(52)을 밀착시켜 도전성 시트(7) 또는 도전성의 부분(17)에 전압을 인가하여 점착 시트(5)의 점착면(52)에 정전 흡인력을 발생함으로써, 처리실(25)의 측면(1)의 표면에 코팅된 절연체(10)의 요철부에 있는 이물을 제거하는 것이 가능하다.
이상과 같이, 본 발명은, 특히 반도체 제조에 사용하는 플라즈마처리장치나 검사장치에 있어서, 장치 내의 금속 표면에 절연체를 코팅하는 표면처리를 실시한 부품에 부착된 이물을 제거하기 위한 클리닝장치, 클리닝방법으로서 유용하다.
본 발명의 클리닝장치에 의하면, 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물이나 금속부품의 표면에 코팅된 절연체 표면의 미소한 요철의 사이에 있는 이물을 제거할 수 있기 때문에, 플라즈마처리를 개시하여도, 피처리 시료의 위에 이물이 부착되는 일이 없고, 오염량도 증가하지 않기 때문에, 반도체 디바이스의 결함을 억제할 수 있고 불량을 저감하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에서의 클리닝장치의 구성을 설명하는 개략도,
도 2는 본 발명에 관한 금속 표면에 코팅된 절연체의 표면을 확대한 단면도,
도 3은 본 발명의 제 1 및 제 4 실시예에서의 클리닝장치에 의한 이물제거의 상태를 설명하는 개념도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에서의 곡면형상을 가진 부분의 클리닝방법을 설명하는 도,
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에서의 곡면형상을 가진 부분의 클리닝방법을 설명하는 도,
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에서의 처리실 측면의 전면을 클리닝하는 방법을 설명하는 도,
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에서의 처리실 측면의 전면을 클리닝하는 다른 방법을 설명하는 도,
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에서의 클리닝장치의 구성을 설명하는 개략도,
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에서의 클리닝장치의 구성을 설명하는 개략도,
도 10은 본 발명의 제 3 실시예에서의 처리실 측면의 전면을 클리닝하는 방법을 설명하는 도,
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에서의 클리닝장치의 구성을 설명하는 개략도,
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에서의 처리실 측면의 전면을 클리닝하는 방 법을 설명하는 도,
도 13은 본 발명의 제 1 내지 제 4 실시예에서의 이물수와 인가 전압의 관계를 설명하는 도,
도 14는 본 발명의 제 1 및 제 4 실시예에서의 이물수와 인가 전압의 유무의 관계를 설명하는 도,
도 15는 본 발명의 제 1 및 제 4 실시예에서의 이물수와 점착 시트의 밀착성의 관계를 설명하는 도,
도 16은 본 발명의 제 2 실시예에서의 도전 테이프의 구성을 설명하는 개략도,
도 17은 플라즈마 진공처리장치의 구성을 설명하는 개략도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 처리실의 측면 1a : 처리실 측면의 선단
1b : 처리실 측면의 선단 3 : 절연체 볼록부의 이물
3a : 제거된 절연체 볼록부의 이물 4 : 절연체의 오목부 이물
4a : 제거된 절연체 오목부의 이물 5 : 점착 시트
51 : 점착 시트 기재 52 : 점착 시트의 점착면
7 : 도전성 시트 8 : 가압력 조정기구
9 : 전압 인가기구 10 : 금속 표면에 코팅된 절연체
11 : 가압판 12 : 고정구
13 : 표면에 도전성의 부분이 있고 탄력성이 있는 구조체
14 : 공급용 점착롤 15 : 회수용 점착롤
17 : 탄력성이 있는 구조체의 도전성의 부분
18 : 정전척 19 : 천정판
20 : 상부 전극 21 : 고주파 전원
22 : 고주파 전원 23 : 바닥판
231 : 배기포트 24 : 웨이퍼
25 : 처리실 26 : O링 홈
27, 28 : 선단의 곡면형상
30 : 본 발명의 제 1 실시예에서의 클리닝장치
31 : 본 발명의 제 2 실시예에서의 클리닝장치
32 : 본 발명의 제 3 실시예에서의 클리닝장치
33 : 본 발명의 제 4 실시예에서의 클리닝장치
40 : 본 발명의 제 5 실시예에서의 도전 테이프
41 : 도전성 시트 42 : 점착층

Claims (7)

  1. 기재와 점착면을 가지는 점착 시트와, 상기 점착 시트의 기재에 접하는 가요성을 가지는 도전성 시트와, 상기 도전성 시트를 상기 점착 시트에 가압하는 가압부재를 구비하고, 상기 가압부재가 상기 도전성 시트에 양 또는 음의 전압을 인가하는 전압 인가기구 및 상기 도전성 시트의 위에서 상기 점착 시트를 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 가압하기 위한 가압력 조정기구를 가진 클리닝장치에 있어서,
    상기 가압부재는 피클리닝 대상 부분의 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면형상과 서로 비슷한 형상을 가지고 있고,
    상기 가압부재가 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의해 상기 도전성 시트와 점착 시트를 가압하여 상기 점착 시트의 점착면과 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시킴으로써 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 제거함과 동시에, 상기 전압 인가기구가 도전성의 시트에 양 또는 음의 전압을 인가함으로써 생기는 정전 흡인력에 의해 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 클리닝장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 점착 시트와, 상기 도전성 시트 및 상기 가압부재를 일체로 구성함과 동시에,
    상기 일체로 구성된 상기 점착 시트 및 도전성 시트와, 상기 가압부재의 상기 점착면이, 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면의 곡률과 동일한 곡률의 곡면을 가지는 것을 특징으로 하는 클리닝장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 점착 시트와, 상기 도전성 시트 및 상기 가압부재를 각각 따로 구성하고,
    상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착한 상기 점착 시트에, 상기 가압부재가 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의해 도전성 시트를 가압하여 상기 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시켜 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 제거함과 동시에, 상기 전압 인가기구에 의해 상기 도전성의 시트에 양 또는 음의 전압을 인가함으로써 생기는 정전 흡인력에 의하여, 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 클리닝장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 점착 시트의 점착면이 항상 새로운 상태로 공급되도록, 상기 점착 시트가 롤형상으로 구성됨과 동시에, 점착 시트를 롤형상으로 회수하는 기구를 구비하고,
    상기 가압부재가, 상기 점착 시트의 기재에 접하는 가요성을 가지는 도전성 시트를 표면에 배치한 탄성재료로 구성된 롤러형상의 가압부재로서 구성되고,
    상기 점착 시트의 점착면의 반대측으로부터, 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력으로 상기 롤러형상의 가압부재를 가압하고, 상기 롤러형상의 가압부재의 밑에 위치하는 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키고, 상기 롤러형상의 가압부재가 회전함으로써, 상기 가압부재가 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의해 도전성 시트를 가압하여 상기 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시켜 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 제거함과 동시에, 클리닝장치를 이동시키면서 상기 전압 인가기구에 의하여 상기 롤러부재의 도전성 시트에 양 또는 음의 전압을 인가함으로써 생기는 정전 흡인력에 의하여, 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착한 이물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 클리닝장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 점착 시트와, 상기 도전성 시트 및 상기 가압부재를 각각 따로 구성하고,
    상기 가압부재가, 상기 점착 시트의 기재에 접하는 가요성을 가지는 도전성 시트를 표면에 배치한 탄성재료로 구성된 롤러형상의 가압부재로 구성되고,
    상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착한 상기 점착 시트에, 상기 롤러형상의 가압부재의 밑에 위치하는 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키고, 상기 롤러형상의 가압부재가 회전함으로써, 상기 가압부재가 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의해 도전성 시트를 가압하여, 상기 점착 시트의 점착면과 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시켜 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 제거함과 동시에, 상기 전압 인가기구에 의하여 상기 도전성의 시트에 양 또는 음의 전압을 인가함으로써 생기는 정전 흡인력에 의하여, 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 클리닝장치.
  6. 기재와 점착면을 가지는 점착 시트와, 상기 점착 시트의 기재에 접하는 가요성을 가지는 도전성 시트와, 상기 도전성 시트를 상기 점착 시트에 가압하는 가압부재를 구비하고, 상기 가압부재가 상기 도전성 시트에 양 또는 음의 전압을 인가하는 전압 인가기구 및 상기 도전성 시트의 위에서 상기 점착 시트를 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 가압하기 위한 가압력 조정기구를 가지는 클리닝장치를 사용한 클리닝방법에 있어서,
    상기 가압부재를 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의하여 상기 도전성 시트와 점착 시트를 가압하여 상기 점착 시트의 점착면과 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키는 제 1 공정과,
    상기 전압 인가기구가 상기 도전성의 시트에 양 또는 음의 직류전압 또는 시간적으로 극성을 바꾸어 전압을 인가하는 제 2 공정을 가지고,
    상기 제 1 공정에 의하여 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 제거함과 동시에, 상기 제 2 공정에 의하여 생기는 정전 흡인력에 의하여 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 이물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 클리닝방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 2 공정을, 양 또는 음의 어느 한쪽의 직류전압을 인가하는 공정 또는, 시간적으로 극성을 바꾸어 전압을 인가하는 공정으로 하고,
    상기 제 2 공정 후, 상기 점착 시트를 벗기는 제 3 공정과,
    상기 가압부재를 상기 가압력 조정기구로 조정한 가압력에 의하여 상기 도전성 시트와 새로운 점착 시트를 가압하여 상기 새로운 점착 시트의 점착면과 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면을 밀착시키는 제 4 공정과,
    상기 전압 인가기구가 상기 도전성의 시트에 상기 제 2 공정에서 직류전압을 인가한 경우에는 직류전압의 극성과 다른 극성의 직류전압을 인가하는 제 5 공정을 가지고,
    상기 제 5 공정에 의하여 생기는 정전 흡인력에 의하여 상기 진공처리장치의 클리닝 대상 부분의 곡면에 부착된 상기 제 2 공정에서 흡착 제거한 이물과 반대의 극성으로 대전한 이물을 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 클리닝방법.
KR1020080095364A 2008-08-26 2008-09-29 클리닝장치 및 클리닝방법 KR101071368B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008216343A JP5038259B2 (ja) 2008-08-26 2008-08-26 クリーニング装置およびクリーニング方法
JPJP-P-2008-00216343 2008-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100024872A true KR20100024872A (ko) 2010-03-08
KR101071368B1 KR101071368B1 (ko) 2011-10-07

Family

ID=41723171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080095364A KR101071368B1 (ko) 2008-08-26 2008-09-29 클리닝장치 및 클리닝방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8006340B2 (ko)
JP (1) JP5038259B2 (ko)
KR (1) KR101071368B1 (ko)
TW (1) TWI409110B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220367159A1 (en) * 2019-11-01 2022-11-17 Lam Research Corporation Systems and methods for cleaning a showerhead

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9289520B2 (en) * 2014-02-27 2016-03-22 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method and system to clean microorganisms without chemicals
DE102014109349A1 (de) * 2014-07-04 2016-01-21 Aixtron Se Vorrichtung zum Reinigen einer Gasaustrittsfläche eines Gaseinlassorgans eines CVD-Reaktors
JP6812264B2 (ja) * 2017-02-16 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、及びメンテナンス装置
WO2019219163A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-21 Applied Materials, Inc. Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device
CN108937745B (zh) * 2018-07-25 2021-01-01 来斯奥集成家居股份有限公司 一种用于瓷砖地板的贴纸用水清除机构
CN111822420B (zh) * 2020-07-15 2022-06-24 郑州龙华机电工程有限公司 一种基于物联网的电力设备检修系统
CN114308907B (zh) * 2022-02-23 2023-11-28 深圳市震华等离子体智造有限公司 一种用于精密分析仪器的等离子清洗装置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3201904A (en) * 1961-11-09 1965-08-24 Corning Glass Works Apparatus for finishing glass surfaces
US3654654A (en) * 1969-11-14 1972-04-11 Xerox Corp Cleaning apparatus
US4313284A (en) * 1980-03-27 1982-02-02 Monsanto Company Apparatus for improving flatness of polished wafers
JP3313505B2 (ja) * 1994-04-14 2002-08-12 株式会社日立製作所 研磨加工法
US5671476A (en) * 1995-02-02 1997-09-23 Mita Industrial Co., Ltd. Image forming machine with cleaning drum brush driven by rotating drum
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
JP3561070B2 (ja) * 1996-02-01 2004-09-02 彰 水野 除塵方法及び除塵シ−ト
JP4427826B2 (ja) * 1997-01-24 2010-03-10 日東電工株式会社 除塵方法
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US6769969B1 (en) * 1997-03-06 2004-08-03 Keltech Engineering, Inc. Raised island abrasive, method of use and lapping apparatus
JPH10321604A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Nec Kyushu Ltd プラズマ処理装置
US5931719A (en) * 1997-08-25 1999-08-03 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using pressure differentials through a polishing pad to improve performance in chemical mechanical polishing
JP2000021832A (ja) 1998-07-03 2000-01-21 Asahi Sunac Corp ワーク洗浄方法及び装置
US6439967B2 (en) * 1998-09-01 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate assembly planarizing machines and methods of mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6227955B1 (en) * 1999-04-20 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
JP4718667B2 (ja) * 1999-11-09 2011-07-06 日東電工株式会社 クリーニングシ―ト
US7066800B2 (en) * 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6991528B2 (en) * 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6848970B2 (en) * 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US6991526B2 (en) * 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US6962524B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20040020789A1 (en) * 2000-02-17 2004-02-05 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6979248B2 (en) * 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7141146B2 (en) * 2000-02-23 2006-11-28 Asm Nutool, Inc. Means to improve center to edge uniformity of electrochemical mechanical processing of workpiece surface
US6581276B2 (en) * 2000-04-04 2003-06-24 Amerasia International Technology, Inc. Fine-pitch flexible connector, and method for making same
EP2266717A2 (en) 2000-06-06 2010-12-29 Nitto Denko Corporation Cleaning member
JP2002192084A (ja) 2000-12-27 2002-07-10 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト、及びこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
US7520800B2 (en) * 2003-04-16 2009-04-21 Duescher Wayne O Raised island abrasive, lapping apparatus and method of use
JP2004520705A (ja) * 2000-11-21 2004-07-08 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニ 半導体ウエハ、研磨装置及び方法
US20040192172A1 (en) * 2001-06-14 2004-09-30 Dan Towery Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US6776693B2 (en) * 2001-12-19 2004-08-17 Applied Materials Inc. Method and apparatus for face-up substrate polishing
JP2004082038A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 Seiko Epson Corp 超音波洗浄方法、超音波洗浄装置および、超音波洗浄ノズルのノズル部の製造方法
US7289759B2 (en) * 2004-08-27 2007-10-30 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus
KR101202228B1 (ko) * 2005-02-04 2012-11-16 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 수지 조성물 및 그것을 이용한 경화물 그리고 시트
JP2007019443A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Creative Technology:Kk 導電性ウエハ
TWI420579B (zh) * 2005-07-12 2013-12-21 Creative Tech Corp And a foreign matter removing method for a substrate
JP4817293B2 (ja) 2005-10-26 2011-11-16 旭サナック株式会社 ワーク洗浄方法及びワーク洗浄システム
JP2007277631A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体の製造方法、ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US7880371B2 (en) * 2006-11-03 2011-02-01 Danfoss A/S Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite
JP2008141049A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Sharp Corp 洗浄装置および洗浄方法
JP2008172038A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20080176018A1 (en) * 2007-01-20 2008-07-24 Enniss James P Film having an electrically conductive coating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220367159A1 (en) * 2019-11-01 2022-11-17 Lam Research Corporation Systems and methods for cleaning a showerhead

Also Published As

Publication number Publication date
TWI409110B (zh) 2013-09-21
US20100050349A1 (en) 2010-03-04
US20100294315A1 (en) 2010-11-25
JP5038259B2 (ja) 2012-10-03
TW201008670A (en) 2010-03-01
KR101071368B1 (ko) 2011-10-07
JP2010056113A (ja) 2010-03-11
US8006340B2 (en) 2011-08-30
US8024831B2 (en) 2011-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101071368B1 (ko) 클리닝장치 및 클리닝방법
KR100978957B1 (ko) 기판 탑재대 및 기판 처리 장치
CN101473404B (zh) 对玻璃表面,涂有金属氧化物的玻璃表面,和其他SiO2涂覆材料的表面进行清洗、蚀刻、活化和后续处理的装置和方法
TWI411033B (zh) 粘接之矽電極的清理
TWI532118B (zh) Electrostatic adsorption electrode and manufacturing method thereof, and substrate processing device
JP2007324154A (ja) プラズマ処理装置
US11864464B2 (en) Method for polarizing piezoelectric film
JP5570900B2 (ja) 基板載置面に樹脂突起物層を形成する方法及び樹脂突起物層転写部材
JP2009117440A (ja) クリーニングウエハ
CN106660078B (zh) 用于清洁物体的系统和方法
JP5390657B2 (ja) 基板載置台及び基板処理装置
JP2004105848A (ja) 基板洗浄装置とその洗浄方法
JP2004266089A (ja) 清掃装置および清掃方法
KR20070000003A (ko) 정전척 제조방법
JP2009136728A (ja) 基板洗浄装置及び洗浄方法
JP3022290B2 (ja) 液晶表示パネルの製法およびそれに用いる装置
US20240079197A1 (en) Method and system for cleaning a field emission cathode device
JP4117338B1 (ja) 真空貼り合わせ装置及び真空貼り合わせ方法
JP4792324B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
KR101636062B1 (ko) 기판 고정유닛을 구비한 충진장치
US20010002594A1 (en) Method and device for removing deposits from the ends of contacting needles of semiconductor test devices and use of a substrate for this purpose
JP2007160207A (ja) 塗布装置
JP2004097966A (ja) 洗浄処理方法
JP2002175759A (ja) 陰極線管の管面洗浄方法および管面洗浄装置
JP2006352033A (ja) 成膜装置および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140902

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150827

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160831

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170830

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180920

Year of fee payment: 8