KR20090098192A - Method for processing optical proximity correction - Google Patents

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    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
    • G03F7/70441Optical proximity correction

Abstract

A method for processing optical proximity correction is provided to correct the optical proximity effect quickly by forming an exposure mask as a test pattern having identical pitch and size to a layout of the exposure mask. The exposure mask in which a plurality of test patterns is inserted is prepared(S100). The database of the layout in which the optical proximity effect correction is made is analyzed(S200). The test pattern coinciding with data obtained to the analyzed result of database among a plurality of test patterns is classified(S300). The calibration data is secured about the classified test pattern(S400). The optical proximity effect correction of layout is performed by using calibration data(S500). The exposure mask comprises the phase inversion layer.

Description

광 근접 효과 보정 방법{Method for processing optical proximity correction} Optical proximity correction method {Method for processing optical proximity correction}

본 발명은 광 근접 효과 보정 방법에 관한 것으로, 광 근접 효과 보정을 위한 캘리브레이션 데이터의 확보를 위하여 광 근접 효과 보정이 요구되는 노광 마스크의 레이아웃과 동일한 모양, 피치 및 사이즈를 갖는 테스트 패턴을 갖는 노광 마스크를 이용한 광 근접 효과 보정 방법에 관한 것이다. The present invention an exposure mask having a test pattern having the same shape, pitch and size and layout of the exposure mask is required optical proximity correction that, in order to obtain the calibration data for the optical proximity effect correction on the optical proximity correction method the present invention relates to an optical proximity correction method.

반도체 소자의 패턴 형성은 광학 렌즈를 통하여 포토 마스크에 형성된 패턴을 웨이퍼에 전사하는 방식을 통하여 이루어진다. Pattern formation of semiconductor devices is made through a method for transferring a pattern formed on the photomask through an optical lens on a wafer.

하지만 반도체 소자의 고집적화로 웨이퍼 상에 구현되는 패턴들의 크기가 점차 미세해지고 있기 때문에 마스크 패턴의 크기가 광원의 파장에 근접하고 있으며 리소그래피(lithography)기술에서 빛의 회절,간섭에 의한 영향이 크게 증가하고 있다. However, and because the size of the pattern to be implemented on a wafer with high integration of semiconductor devices becomes increasingly fine, the size of the mask pattern approaches the wavelength of the light source is affected by the diffraction and interference of light, significant increase in lithography (lithography) technology, have.

상기와 같은 영향으로 패턴이 왜곡된 형태로 발생하기 때문에 해상력을 증가시켜야 하는 기술들이 요구되고 있고, 마스크 패턴의 고의적인 모양 변경을 통하여 왜곡되어 구현되는 패턴들을 보정하는 광 근접 효과 보정의 방법이 필요하다. Above because it occurs by the pattern is distorted effects have been described to have to increase the resolving power is required, such as a can, a need for a method of optical proximity correction for correcting the pattern to be implemented is distorted through a deliberate shape change of the mask pattern Do.

광 근접 효과 보정은 실제 설계된 패턴에 추가적인 시뮬레이션을 통하여 패턴의 크기를 보정하여 실제 설계된 패턴이 왜곡된 현상없이 구현될 수 있도록 하는 것인데, 규칙 위주 방법(rule-based method)와 모델 위주 방법(model-based method)이 있다. Optical proximity correction is to make the actual pattern to correct the size of the simulation via the additional pattern to the designed physical design pattern may be implemented without the distortion, the rule based method (rule-based method) and a model based method (model- It has based method).

규칙 위주 방법은 목표 이미지에 대하여 보조 패턴을 추가하거나 패턴의 경계 부분의 선을 이동하는 등의 규칙을 미리 정하여 이를 마스크 설계에 반영하는데, 규칙에 따라 마스크 패턴을 변경하기 때문에 보정시간이 짧아 작업속도가 향상되는 이점이 있다. Rule based method is adding a second pattern with respect to the target image or appointed in advance the rules, such as moving the line of the boundary of the pattern to reflect them in the mask design, the correction time shorter working rate because it changes a mask pattern according to the rule the advantage is improved.

모델 위주 방법은 공정 조건에 따른 시뮬레이션을 통해 공간 이미지를 반복적으로 계산하여 최적의 조건을 찾는 방법을 말하는데 이는 반복적 계산을 통해 처리 시간이 긴 대신에 패턴의 모양에 관계없이 최적의 광 근접 효과 보정 결과를 도출해 낼 수 있다. Model-driven methods telling how to find the optimal conditions through simulation according to the process conditions by calculating the spatial image repeatedly, which, regardless of the shape of the pattern, instead of the processing time is long through an iterative calculation the optimal optical proximity correction result the can derive.

이때, 모델 위주 방법에서는 광 근접 효과를 정확하게 파악하기 위하여 다양한 형태의 테스트 패턴이 형성된 노광 마스크를 이용하여 반도체 기판 상에 형성된 결과를 측정하게 된다. In this case, the model-driven approach, using an exposure mask formed with a variety of test patterns to pinpoint the optical proximity effect is to measure the resulting formed on a semiconductor substrate.

도 1은 종래의 광 근접 효과 보정용 노광 마스크 패턴을 도시한 도면으로서, 폭이 60nm 스페이스가 60nm인 패턴을 형성하는데 요구되는 일반적인 테스트 패턴들이다. 1 is a view showing a conventional optical proximity exposure effect correction mask pattern width are typical test patterns required to form the pattern space is 60nm 60nm.

상기의 노광 마스크를 이용하여 반도체 기판상에 형성되는 테스트 패턴들을 측정하여 캘리브레이션 데이터를 확보하게 되는데 이때, 상기 반도체 기판에 형성 된 모든 테스트 패턴에 대하여 측정하여야 하는 번거로움이 있고 측정하는데 시간도 오래 걸리는 문제가 있다. Using an exposure mask for the measuring of the test pattern formed on a semiconductor substrate, there is secured a calibration data In this case, to have a hassle measurement to be measured for all the test patterns formed on the semiconductor substrate, the time it takes even longer there is a problem.

상기 노광 마스크에 형성된 테스트 패턴들은 실제 광 근접 효과 보정해야할 모든 패턴들에 대하여 100% 보정될 수 없는데, 이는 실제 광 근접 효과 보정해야할 패턴들에 대한 분석이 정확하게 이루어지지 않은 상태에서 상기 노광 마스크에 형성된 테스트 패턴들에 대한 보정 데이터를 확보하여 이를 적용하기 때문이다. Just it can not be corrected 100% for all the patterns do test pattern are corrected actual optical proximity effect formed on the exposure mask, which is in a state in which the analysis of the pattern need correction proximity actual optical effect is not made accurately formed in the exposure mask to obtain the correction data for a test pattern is due to take effect.

이로 인하여 상기 노광 마스크에 형성된 테스트 패턴들에 대해서만 광 근접 효과 보정이 이루어지기 때문에 실제 광 근접 효과 보정이 요구되는 노광 마스크의 패턴들 전체에 대한 광 근접 효과 보정이 정확하게 이루어지지 않는 문제점이 있다. Due to this there is only the optical proximity effect correction is performed, since the optical proximity correction for the pattern of the exposure mask, the entire required the actual optical proximity correction does not occur accurately issue the test pattern formed on the exposure mask.

본 발명은 종래의 노광 마스크에 형성된 모든 테스트 패턴에 대해 분석해야하는 시간을 줄이고 광 근접 효과 보정이 이루어져야 하는 레이아웃에 대해서만 캘리브레이션 데이터를 확보하여 단시간동안 정확한 데이터를 얻을 수 있는 광 근접 효과 보정 방법을 제공하는 것이다. The present invention provides an optical proximity correction methods can reduce the time need to analyze for all the test patterns to obtain the calibration data only for the layout to be made the optical proximity effect correction to obtain accurate data for a short period of time formed in the conventional exposure mask will be.

본 발명의 광 근접 효과 보정 방법은 다양한 테스트 패턴들이 삽입된 노광 마스크를 준비하는 단계, 광 근접 효과 보정이 이루어질 레이아웃의 데이터베이스를 분석하는 단계, 상기 데이터베이스의 분석 결과로 얻어진 데이터와 일치하는 상기 노광 마스크의 테스트 패턴을 분류하는 단계, 상기 테스트 패턴을 분류하는 단계에서 얻어진 분류된 테스트 패턴의 데이터를 측정하여 캘리브레이션 데이터를 확보하는 단계 및 상기 캘리브레이션 데이터를 이용하여 상기 레이아웃의 광 근접 효과 보정을 수행하는 단계를 포함한다. Optical proximity correction method of the present invention comprises a step of analyzing a database of a layout made this step, the optical proximity correction preparing an exposure mask insert various test patterns, the exposure mask to match the data obtained by the analysis of the database step of classifying the test pattern, comprising: by the test pattern measurement data of a test pattern classification obtained in the classifying using the step and the calibration data to obtain the calibration data to perform the optical proximity correction of the layout, It includes.

이때, 상기 노광 마스크에는 광 근접 효과 보정을 위한 사이즈, 피치 및 모양 중 어느 한가지 또는 두 가지가 고정되고 나머지는 변화되도록 배열되는 다수개의 테스트 패턴이 삽입된 것을 특징으로 한다. In this case, the exposure mask is any one or both of the size, pitch and shape for optical proximity correction is fixed and the rest is characterized in that a plurality of test patterns are arranged to change the insert.

그리고, 상기 노광 마스크에는 위상 반전층을 포함하는 것을 특징으로 한다. And, it characterized in that it includes a phase shift layer and the exposure mask.

또한, 상기 테스트 패턴은 라인 엔드 타입 및 라인 앤 스페이스 타입 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 한다. Further, the test pattern is characterized by comprising any one or a combination of the line-end-type and line-and-space type.

그리고, 상기 데이터베이스는 상기 광 근접 효과 보정이 이루어질 레이아웃이 사이즈, 피치 및 모양을 기준으로 분석되는 것을 특징으로 한다. In addition, the database is characterized in that the layout be made wherein the optical proximity effect correction to be analyzed by size, based on the pitch and shape.

그리고, 상기 분류된 테스트 패턴은 상기 노광 마스크에 구비된 다수개의 테스트 패턴이 사이즈, 피치 및 모양을 기준으로 정리된 좌표를 이용하여 분류되는 것을 특징으로 한다. In addition, the classification of a test pattern is characterized in that a plurality of test pattern provided in the exposure mask to be classified by using the coordinates organized by the size, pitch and shape.

본 발명은 광 근접 효과 보정이 이루어져야 하는 모든 레이아웃의 모양, 피치, 사이즈에 대하여 광 근접 효과 보정이 정확하게 이루어질 수 있도록, 상기 레이아웃에 해당되는 테스트 패턴들이 구비된 노광 마스크의 좌표를 이용하여 캘리브레이션 데이터를 확보함으로써 종래의 노광 마스크에 형성된 테스트 패턴을 일일이 분석해야 하는 번거로움을 없애고 광 근접 효과 보정이 빠르고 정확하게 이루어질 수 있도록 하여 반도체 기판상으로 정확하게 패턴을 구현할 수 있어 공정 수율을 상승시킬 수 있는 이점이 있다. The present invention for the calibration data by using the coordinates of the exposure mask so that the can be made exactly the optical proximity effect correction on the shape, pitch and size of all of the layout, provided that the test pattern corresponding to the layout to be made optical proximity correction obtained by eliminating the trouble of having to analyze the test patterns formed in the conventional exposure mask to be formed quickly and accurately the optical proximity correction can accurately implement the pattern onto the semiconductor substrate, there is an advantage that can increase the process yield .

이하에서는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter will be described in detail with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 광 근접 효과 보정 방법을 나타낸 순서도이다. 2 is a flowchart showing a correction method of the present invention the optical proximity effect.

도 2를 참조하면, 광 근접 효과 보정이 이루어져야 하는 모든 레이아웃에 대한 정확한 캘리브레이션 데이터를 확보하기 위하여 상기 레이아웃에 해당하는 테스트 패턴들이 구비된 노광 마스크를 준비한다.(S100) 2, the prepared mask the exposed test patterns are provided corresponding to the layout to ensure accurate calibration data for all the layout of the optical proximity effect correction should be made. (S100)

이때, 상기 노광 마스크에는 광 근접 효과 보정을 위한 다양한 테스트 패턴들이 구비되는데, 새로운 기술이 반영되어 설계된 레이아웃의 모든 패턴들이 정확하게 광 근접 효과 보정될 수 있는 테스트 패턴들이 구비된다. In this case, the exposure mask, there is provided a variety of test patterns for optical proximity correction, a new technology designed to reflect all of the pattern layout are provided to the test pattern can be corrected accurately the optical proximity effect.

예를 들면, 상기 테스트 패턴은 사이즈, 피치 및 모양에 따라 배열될 수 있는데 이때 사이즈, 피치 및 모양 중 어느 한가지 또는 두 가지가 고정되고 그 나머지는 변화되도록 배열될 수 있다. For example, the test pattern size, and may be arranged according to the pitch and shape The size, shape and pitch of any one or both of the fixed and the rest may be arranged to be changed.

그리고, 상기 테스트 패턴의 모양은 일반적으로 라인 엔드 타입(line end type), 라인 앤 스페이스 타입(line and space type)의 형태 등으로 형성되나 이에 한정되는 것은 아니다. Then, the appearance of the test pattern generally line end type (line end type), line-and-space type, but formed in a shape such as the (line and space type) is not limited thereto.

그 다음으로, 광 근접 효과 보정이 이루어져야 될 레이아웃에 대하여 데이터베이스를 분석하는데, 이때 상기 데이터베이스는 상기 레이아웃의 사이즈, 피치 및 모양을 기준으로 하여 얻어지고 이를 분석함으로써 실제로 광 근접 효과 보정이 이루어져야 하는 레이아웃의 정보를 얻는 것이다.(S200) To the next, the optical proximity correction analyze the database with respect to a layout to be made, in which the database of the layout is obtained on the basis of size, pitch and shape of the layout should be made is actually the optical proximity effect correction by analyzing them to obtain the information. (S200)

그 다음으로, 상기 데이터베이스의 분석으로 얻어진 정보를 가지고 상기 노광 마스크의 테스트 패턴을 분류한다.(S300) Next, with the information obtained by the analysis of the database classifies the test pattern of the exposure mask. (S300)

이때, 상기 노광 마스크에는 실제 광 근접 효과 보정이 이루어져야 할 레이아웃의 패턴과 동일한 테스트 패턴들을 포함하는 다수의 테스트 패턴들이 구비되어 있다. In this case, the exposure mask has a plurality of test patterns are provided that include the same test pattern to the pattern layout can be made of the actual optical proximity correction.

이때, 분류된 패턴들의 위치를 보다 빠르게 파악하기 위하여 노광 마스크 상에서의 분류된 패턴들의 좌표를 사용하는 것이 바람직하다. In this case, it is preferable to use the coordinates of the classification pattern on the exposure mask in order to more quickly identify the location of the classified patterns.

그 다음으로, 상기 분류된 테스트 패턴을 측정하여 캘리브레이션 데이터를 확보한다.(S400) Next, measures to ensure the calibration data for the test pattern, the classification. (S400)

이때, 상기 노광 마스크로부터 분류된 테스트 패턴을 측정하여 얻어지는 데이터는 광 근접 효과 보정이 이루어져야 할 레이아웃을 구성하는 패턴의 모든 사이즈, 피치 및 모양을 대변하게 되며, 상기 레이아웃을 광 근접 효과 보정 하기 위한 캘리브레이션 데이터가 된다. At this time, the data obtained by measuring the test pattern classification from the exposure mask is to represent any dimension, pitch and shape of the pattern constituting the layout can be made correcting the optical proximity effect, calibration for correcting the layout optical proximity effect It is the data.

그 다음으로, 상기 분류된 테스트 패턴을 측정함으로써 확보된 캘리브레이션 데이터를 이용하여 상기 레이아웃에 대해 광 근접 효과 보정한다.(S500) Next, by using the calibration data obtained by measuring the classification of a test pattern, the optical proximity correction for the layout. (S500)

이때, 상기 분류된 테스트 패턴으로부터 확보된 캘리브레이션 데이터를 이용하여 광 근접 효과 보정하는데, 상기 레이아웃의 패턴과 동일한 상기 노광 마스크로부터 분류된 테스트 패턴을 측정함으로써 얻어진 캘리브레이션 데이터를 이용하여 광 근접 효과 보정이 정확하게 이루어질 수 있게 한다. At this time, to effect optical proximity correction using the calibration data obtained from the above classification test pattern, using the calibration data obtained by measuring a test pattern classification from the same the exposure mask and the pattern of the layout exactly the optical proximity effect correction be able to be made.

도 1은 종래의 광 근접 효과 보정용 노광 마스크 패턴을 도시한 도면. Figure 1 is a conventional optical proximity effect correction diagram showing the exposure mask pattern.

도 2는 본 발명의 광 근접 효과 보정 방법을 나타낸 순서도. 2 is a flowchart showing a correction method of the present invention the optical proximity effect.

Claims (6)

  1. 다수의 테스트 패턴들이 삽입된 노광 마스크를 준비하는 단계; Preparing a plurality of the exposure mask, the test patterns are inserted;
    광 근접 효과 보정이 이루어질 레이아웃의 데이터베이스를 분석하는 단계; Analyzing a database made of optical proximity correction layout;
    상기 다수의 테스트 패턴들 중에서 상기 데이터베이스의 분석 결과로 얻어진 데이터와 일치하는 테스트 패턴을 분류하는 단계; Classifying a test pattern which is consistent with the data obtained by the analysis of the database from the plurality of test patterns;
    상기 분류된 테스트 패턴에 대하여 캘리브레이션 데이터를 확보하는 단계; Step of obtaining the calibration data with respect to the said classification test pattern; And
    상기 캘리브레이션 데이터를 이용하여 상기 레이아웃의 광 근접 효과 보정을 수행하는 단계를 포함하는 광 근접 효과 보정 방법. Optical proximity correction method of using the calibration data comprises the step of performing optical proximity correction of the layout.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 테스트 패턴들은 사이즈, 피치 및 모양 중 어느 한가지 또는 두 가지가 고정되고 나머지는 변화되도록 상기 노광 마스크에 배열된 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정 방법. The method of claim 1, wherein the plurality of test patterns are the optical proximity correction method, characterized in that arranged on the exposure mask so that the size, shape and pitch of any one or both of the fixed and the others are changed.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 노광 마스크는 위상 반전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정 방법. The method of claim 1, wherein the exposure mask is an optical proximity correction method comprising a phase shift layer.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 테스트 패턴은 라인 엔드 타입, 라인 앤 스페이스 타입 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정 방법. The method of claim 1, wherein the plurality of test patterns are line-end type, line-and-space type, and optical proximity correction method comprising the any of the combinations thereof.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 데이터베이스는 상기 광 근접 효과 보정이 이루어질 레이아웃에 포함된 패턴의 사이즈, 피치 및 모양을 기준으로 분석되는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정 방법. The method of claim 1 wherein the database is an optical proximity correction method characterized in that the analysis based on the size, pitch and shape of a pattern included in the layout correction optical proximity effects take place.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 분류된 테스트 패턴은 상기 노광 마스크 상에서의 좌표와 매칭되는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정 방법. The method of claim 1, wherein the classification of the test pattern is an optical proximity correction method characterized in that the matching with the coordinates on the exposure mask.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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