KR20080102541A - A switch contoller, a control method of the switch, and a converter using the switch controller - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 정상 상태에서, 일반적인 컨버터의 메인 스위치의 온/오프 동작 시의 Ids 변화의 일례를 도시한 도면이다. FIG. 1 is a diagram showing an example of a change in Ids during on / off operation of a main switch of a general converter in a steady state.
도 2는 컨버터 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때에, 일반적인 컨버터의 메인 스위치의 온/오프 동작 시의 Ids 변화의 일례를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing an example of a change in Ids during on / off operation of a main switch of a general converter when the converter output terminal is in an overloaded or shorted state.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 전체 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 3 is a view schematically showing the overall configuration of a converter according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)를 개략적으로 도시한 도면이다. 4 is a diagram schematically showing a
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 신호 생성부(5164)가 생성하는 제1 신호를 도시한 도면이다. 5 is a diagram illustrating a first signal generated by the
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제1 신호 생성부(5164)가 생성하는 제1 신호의 하강 기간의 변동을 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a variation in a falling period of a first signal generated by the
도 7은 본 발명의 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)에 포함되는 LEE 신호 생성부(516)가 생성하는 LEE 신호를 도시한 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating an LEE signal generated by the
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500')를 개략적으로 도시한 도면이다. 8 is a view schematically showing a switch control device 500 'according to a second embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 LEE 신호 생성부(517')가 생성하는 LEE 신호를 도시한 도면이다.9 is a diagram illustrating an LEE signal generated by the LEE signal generator 517 'according to an embodiment of the present invention.
도 10는 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때에, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 감지 신호(Vsense)의 최대값(Vpeak)과 일반적인 컨버터의 감지 신호(Vsense)의 최대값(Vpeak)을 비교 도시한 도면이다.FIG. 10 shows a comparison between the maximum value Vpeak of the sensed signal Vsense of the converter and the maximum value Vpeak of the sensed signal Vsense of a typical converter when the output terminal is overloaded or shorted. One drawing.
도 11은 일반적인 컨버터의 출력단이 단락되는 경우에, 일반적인 컨버터의 출력 전압(Vo), 피드백 전압(Vfb), 피드백 신호(Vf), Ids 및 Is의 변화를 도시한 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating changes in the output voltage Vo, the feedback voltage Vfb, the feedback signal Vf, Ids, and Is of the general converter when the output terminal of the general converter is short-circuited.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 출력단이 단락되는 경우에, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 출력 전압(Vo), 피드백 전압(Vfb), 피드백 신호(Vf), Ids 및 Is의 변화를 도시한 도면이다.12 illustrates the output voltage Vo, the feedback voltage Vfb, the feedback signal Vf, Ids, and Is of the converter according to the embodiment of the present invention when the output terminal of the converter is short-circuited. It is a figure which shows a change.
본 발명은 LEC로 인한 오동작을 방지하는 스위치 제어 장치, 스위치 제어 방법 및 이를 이용하는 컨버터에 관한 것이다. The present invention relates to a switch control device for preventing malfunction due to the LEC, a switch control method and a converter using the same.
컨버터는 교류와 직류 신호를 변환하는 전원장치로서 교류를 직류로 변환하는 AC/DC 컨버터, 직류를 직류로 변환하는 DC/DC 컨버터 및 직류를 교류로 변환하 는 인버터를 포함하며, 스위칭 모드 파워 서플라이(Switching Mode Power Supply; SMPS) 등에 사용된다.The converter is a power supply unit that converts AC and DC signals, and includes an AC / DC converter that converts AC to DC, a DC / DC converter that converts DC to DC, and an inverter that converts DC to AC. (Switching Mode Power Supply; SMPS).
일반적으로 컨버터는 출력단 부하의 크기에 대응되는 출력 전압 정보를 이용하여 메인 스위치의 턴 오프 시점을 제어하여 메인 스위치에 흐르는 전류량(이하, Ids라 칭함)을 조절함으로써 출력 전압의 크기를 일정하게 유지한다. 컨버터는 메인 스위치가 출력단의 과부하 또는 단락(Short)으로 인해 파손되는 것을 방지하기 위해 최대 제한 전류(Maximum Current limit; ILIM)를 설정하고, 출력단 과부하 또는 단락으로 인해 Ids가 최대 제한 전류(ILIM)에 도달하면 메인 스위치를 턴 오프 시킨다. 이때, 메인 스위치는 Ids가 최대 제한 전류(ILIM)에 도달하는 시점으로부터 컨버터에 필연적으로 존재하는 각종 소자들의 지연시간(Current Limit Delay Time; 이하, TCLD라 칭함) 이후에 턴 오프 된다. TCLD는 메인 스위치의 온/오프를 제어하는 제어부의 내부 전파 지연시간(Propagation Delay Time) 및 메인 스위치의 턴오프 지연 시간으로 인한 것이다. In general, the converter controls the turn-off time of the main switch by using the output voltage information corresponding to the size of the output stage load to adjust the amount of current flowing through the main switch (hereinafter referred to as Ids) to maintain a constant magnitude of the output voltage. . The converter sets the maximum current limit (I LIM ) to prevent the main switch from breaking due to overload or short at the output stage, and Ids sets the maximum limit current (I LIM) due to output overload or short. ), Turn off the main switch. At this time, the main switch Ids the maximum limit current (I LIM), the delay time of the various elements present in the converter from the time inevitably reaching; is turned off after the (Current Delay Time Limit or less, T CLD quot;). The T CLD is due to an internal propagation delay time of the control unit controlling the on / off of the main switch and a turn off delay time of the main switch.
한편, 메인 스위치는 트랜스포머 및 스위치 등의 기생 커패시터 성분으로 인해 턴 온 시 Ids가 순간적으로 급격하게 상승하였다가 하강하는 리딩 에지 커런트(Leading Edge Current; 이하, LEC라 칭함)를 발생시킨다. 일반적인 컨버터는 LEC로 인한 오동작을 방지하기 위해, 리딩 에지 블랭킹(Leading Edge Blanking, 이하, LEB라 칭함) 회로를 포함한다. LEB 회로는 LEC가 발생하는 기간, 즉 LEB 기간(LEB Time) 동안에는 Ids를 센싱하지 않도록 하는 LEB 동작을 수행한다. 또한, 일반적인 컨버터는 LEB 기간(LEB Time)동안 발생할 수 있는 과도한 전류를 감지하여 메인 스위치를 턴 오프 시키기 위한 이상 과전류 보호(Abnormal Over Current Protection; 이하, AOCP) 회로를 포함한다. On the other hand, due to parasitic capacitor components such as transformers and switches, the main switch generates a leading edge current (hereinafter referred to as LEC) in which the Ids instantly rises and falls rapidly at turn-on. Typical converters include leading edge blanking (LEB) circuitry to prevent malfunction due to LEC. The LEB circuit performs an LEB operation that does not sense Ids during a period during which LEC occurs, that is, during a LEB time. In addition, a typical converter includes an Abnormal Over Current Protection (AOCP) circuit for turning off the main switch by detecting excessive current that may occur during the LEB time.
그러나, LEB 회로를 이용하면, 메인 스위치가 턴 온 되는 시점으로부터 LEB 기간만큼 시간이 경과한 이후에야 비로서 Ids를 센싱할 수 있으므로, 메인 스위치의 최소 턴 온 상태 유지 시간(이하, Tmin.on이라 칭함)은 TCLD와 LEB 기간을 합한 시간이 된다. 즉, LEB 회로를 이용함에 따라 LEB 회로를 이용하지 않는 경우에 비해 Tmin.on이 LEB 기간만큼 길어지게 된다. 이하, Tmin.on이 길어짐에 따라 발생하는 문제점을 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.However, when the LEB circuit is used, the Ids can be sensed only after a time elapses for the LEB period from the time when the main switch is turned on, so the minimum turn-on holding time of the main switch (hereinafter referred to as Tmin.on). ) Is the sum of the T CLD and LEB periods. That is, as the LEB circuit is used, Tmin.on becomes longer by the LEB period than when the LEB circuit is not used. Hereinafter, a problem occurring as the Tmin.on becomes longer will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
도 1은 정상 상태에서, 일반적인 컨버터의 메인 스위치의 온/오프 동작 시의 Ids 변화의 일례를 도시한 도면이다. 여기에서, 정상 상태란 컨버터 출력단이 과부하 또는 단락 상태가 아닌 경우를 의미한다.FIG. 1 is a diagram showing an example of a change in Ids during on / off operation of a main switch of a general converter in a steady state. Here, the steady state means that the converter output stage is not overloaded or shorted.
도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 컨버터의 메인 스위치는 턴 온 되는 T1 시점에 LEC가 발생한다. 이후, LEB 회로의 LEB 동작에 따라 컨버터의 제어부는 T1 시점부터 T2 시점까지의 LEB 기간(LEB Time) 동안 Ids를 센싱하지 않는다. 정상 상태에서 컨버터의 제어부는 피드백 정보의 신호 레벨과 Ids를 비교하고, Ids가 피드백 정보의 신호 레벨에 도달함을 감지하면, 메인 스위치를 턴 오프 시키게끔 동작한다. LEB 기간이 종료되는 T2 시점에, Ids가 피드백 정보를 초과하였음을 감지한 제어부는 메인 스위치를 턴 오프 시키려고 동작하고, 이로인해 T2 시점으로부터 TCLD만큼 지연된 T3 시점에 메인 스위치가 턴 오프 되고, Ids는 메인 스위치가 턴 오프 되는 T3 시점에 최대값(IPEAK)을 가진다. 한편, LEB 기간 이후의 Ids는 컨버터로 입력되는 전압의 크기가 커질수록 높은 기울기로 증가하므로, 입력 전압이 커질수록 IDIFF가 커지게 되고, 이로 인해 기존의 컨버터는 Ids를 제대로 제어할 수 없는 심각한 문제가 발생하는데, 이를 도 2에 나타내었다. As shown in FIG. 1, the main switch of the general converter generates LEC at a time T1 when the converter is turned on. Thereafter, according to the LEB operation of the LEB circuit, the controller of the converter does not sense Ids during the LEB time (LEB Time) from the time point T1 to the time point T2. In the normal state, the control unit of the converter compares the signal level of the feedback information with Ids, and detects that the Ids reaches the signal level of the feedback information, and operates to turn off the main switch. At the time T2 at the end of the LEB period, the controller, which detects that the Ids has exceeded the feedback information, operates to turn off the main switch, whereby the main switch is turned off at the time T3 delayed by T CLD from the time T2, and the Ids Has a maximum value I PEAK at time T3 when the main switch is turned off. On the other hand, since the Ids after the LEB period increases with a higher slope as the voltage input to the converter increases, the I DIFF increases as the input voltage increases, which causes the conventional converter to be unable to control the Ids properly. Problems arise, which are shown in FIG.
도 2는 컨버터 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때에, 일반적인 컨버터의 메인 스위치의 온/오프 동작 시의 Ids 변화의 일례를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing an example of a change in Ids during on / off operation of a main switch of a general converter when the converter output terminal is in an overloaded or shorted state.
도 2에 도시한 바와 같이, 컨버터의 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때에는, LEC가 발생한 이후의 Ids가 도 1로 나타낸 정상 상태의 Ids 보다 매우 크게 나타난다. 그러나, 일반적인 컨버터는 Tmin.on 동안에는 메인 스위치를 턴 오프 시킬 수 없고, 이로 인해 Ids의 최대값(IPEAK)이 최대 제한 전류(ILIM)를 초과하게 되어 메인 스위치가 파손될 수 있다는 문제점이 있다. As shown in Fig. 2, when the output terminal of the converter is in an overloaded or shorted state, the Ids after the LEC is generated are much larger than the Ids in the steady state shown in Fig. 1. However, the general converter cannot turn off the main switch during Tmin.on, which causes the maximum value I PEAK of the Ids to exceed the maximum limit current I LIM , which may cause the main switch to be broken.
최근, 컨버터 및 컨버터 제어부의 소형화 및 저가화를 위한 연구가 활발하다. 그러나, 일반적인 컨버터는 LEC로 인한 오동작 방지를 위해 LEB 회로 및 AOCP 회로를 포함하고, 이는 컨버터 및 컨버터 제어부의 소형화 및 저가화를 어렵게 하는 중요한 요인이 되어 문제가 되어 왔다.Recently, researches for miniaturization and low cost of converters and converter control units have been actively conducted. However, a general converter includes an LEB circuit and an AOCP circuit to prevent malfunction due to the LEC, which has become an important factor that makes it difficult to miniaturize and reduce the cost of the converter and the converter controller.
본 발명은 LEC로 인한 오동작을 효과적으로 방지함은 물론, 컨버터 및 컨버터 제어부의 소형화 및 저가화를 구현할 수 있는 스위치 제어 장치, 스위치 제어 방법 및 이를 이용하는 컨버터를 제공한다.The present invention provides a switch control apparatus, a switch control method, and a converter using the same, which can effectively prevent malfunction due to the LEC, as well as miniaturization and cost reduction of the converter and the converter controller.
본 발명의 특징에 따른 스위치 제어 장치는, 스위치의 스위칭 동작에 따라 입력 신호를 출력 신호로 변환하는 컨버터의 스위치 제어 장치로서, 상기 스위치가 턴 온 되는 제1 시점부터 제1 기간 동안 제1 레벨을 유지하고, 제2 기간 동안 상기 제1 레벨에서 제2 레벨까지 점진적으로 하강하는 제1 신호를 생성하는 제1 신호 생성부, 상기 출력 신호에 대응하는 피드백 신호와 상기 제1 신호 중 레벨이 높은 신호를 선택적으로 출력하는 제2 신호 생성부 및 상기 스위치에 흐르는 전류에 대응하는 제3 신호와 상기 제2 신호 생성부의 출력 신호를 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 PWM 제어부를 포함한다.A switch control device according to a feature of the present invention is a switch control device of a converter that converts an input signal into an output signal according to a switching operation of a switch, wherein the switch control device is configured to increase a first level from a first time point at which the switch is turned on. A first signal generator which maintains and generates a first signal that gradually descends from the first level to a second level during a second period; a signal having a higher level among a feedback signal corresponding to the output signal and the first signal; A PWM control unit for comparing the output signal of the second signal generation unit and the second signal generating unit and a second signal generation unit for selectively outputting the current flowing through the switch, and controls the switching operation of the switch according to the comparison result It includes.
또한, 본 발명의 특징에 따른 스위치 제어 장치는, 스위치의 스위칭 동작에 따라 입력 신호를 출력 신호로 변환하는 컨버터의 스위치 제어 장치로서, 상기 스위치가 턴 온 되는 제1 시점부터 제1 기간 동안 제1 레벨을 유지하고, 제2 기간 동안 상기 제1 레벨에서 제2 레벨까지 점진적으로 하강하는 제1 신호를 생성하는 제1 신호 생성부, 상기 제1 레벨보다 낮고 상기 제2 레벨보다 높은 제3 레벨 신호와 상기 제1 신호 중 높은 신호를 선택적으로 출력하는 제2 신호 생성부 및 상기 스위치에 흐르는 전류에 대응하는 제3 신호와 상기 제2 신호 생성부의 출력 신호의 비교 결과에 따라 상기 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 PWM 제어부를 포함한다.In addition, the switch control device according to an aspect of the present invention, a switch control device of a converter for converting an input signal into an output signal in accordance with the switching operation of the switch, a first period from the first time the switch is turned on for a first period A first signal generator for maintaining a level and generating a first signal gradually descending from the first level to a second level during a second period, a third level signal lower than the first level and higher than the second level And a switching operation of the switch according to a comparison result of a second signal generator selectively outputting a higher signal among the first signals and a third signal corresponding to a current flowing through the switch and an output signal of the second signal generator. And a PWM control unit for controlling.
또한, 본 발명의 특징에 따른 스위치 제어 방법은, 스위치의 스위칭 동작에 따라 입력 신호를 출력 신호로 변환하는 컨버터의 스위치 제어 방법으로서, 상기 스위치가 턴 온 되는 제1 시점부터 제1 기간 동안 제1 레벨을 유지하고, 제2 기간 동안 상기 제1 레벨에서 제2 레벨로 점진적으로 하강하는 제1 신호 및 상기 출력 신호에 대응하는 피드백 신호 중 레벨이 높은 신호를 선택하여 제2 신호를 생성하는 단계, 상기 스위치에 흐르는 전류에 대응하는 제3 신호와 상기 제2 신호를 비교하는 단계 및 상기 비교 결과에 따라 상기 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 단계를 포함한다.In addition, a switch control method according to an aspect of the present invention, a switch control method of a converter for converting an input signal into an output signal in accordance with the switching operation of the switch, the first time from the first time the switch is turned on for a first period Maintaining a level and selecting a signal having a high level from a first signal gradually descending from the first level to a second level and a feedback signal corresponding to the output signal during a second period of time to generate a second signal; Comparing the second signal and the third signal corresponding to the current flowing through the switch and controlling the switching operation of the switch in accordance with the comparison result.
또한, 본 발명의 특징에 따른 스위치 제어 방법은, 스위치의 스위칭 동작에 따라 입력 신호를 출력 신호로 변환하는 컨버터의 스위치 제어 방법으로서, 상기 스위치가 턴 온 되는 제1 시점부터 제1 기간 동안 제1 레벨을 유지하고, 제2 기간 동안 상기 제1 레벨에서 제2 레벨로 점진적으로 하강하는 제1 신호 및 상기 제1 레벨보다 낮고 상기 제2 레벨보다 높은 제3 레벨 신호 중 레벨이 높은 신호를 선택하여 제2 신호를 생성하는 단계, 상기 스위치에 흐르는 전류에 대응하는 제3 신호와 상기 제2 신호를 비교하는 단계 및 상기 비교 결과에 따라 상기 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 단계를 포함한다.In addition, a switch control method according to an aspect of the present invention, a switch control method of a converter for converting an input signal into an output signal in accordance with the switching operation of the switch, the first time from the first time the switch is turned on for a first period Maintains a level and selects a signal having a higher level from a first signal gradually descending from the first level to a second level and a third level signal lower than the first level and higher than the second level for a second period; Generating a second signal, comparing a third signal corresponding to a current flowing through the switch with the second signal, and controlling a switching operation of the switch according to the comparison result.
또한, 본 발명의 특징에 따른 컨버터는, 스위치, 상기 스위치의 스위칭 동작에 따라 입력 에너지를 출력 에너지로 변환하는 에너지 전달 소자 및 상기 출력 에너지에 대응하는 피드백 신호를 이용하여, 상기 스위치가 턴 온 되는 제1 시점부터 제1 기간 동안 제1 레벨을 유지하고, 제2 기간 동안 상기 제1 레벨에서 상기 피드백 신호까지 점진적으로 하강하는 제1 신호를 생성하고, 상기 스위치에 흐르는 전류에 대응하는 제2 신호 및 상기 제1 신호를 이용하여 상기 스위치의 스위칭 동작 을 제어하는 스위치 제어 장치를 포함한다.In addition, the converter according to an aspect of the present invention, the switch is turned on by using a switch, an energy transfer element for converting input energy into output energy according to the switching operation of the switch and a feedback signal corresponding to the output energy. A second signal that maintains a first level for a first period from a first time point, generates a first signal that gradually descends from the first level to the feedback signal for a second period, and corresponds to a current flowing through the switch And a switch control device that controls the switching operation of the switch using the first signal.
또한, 본 발명의 특징에 따른 컨버터는, 스위치, 상기 스위치의 스위칭 동작에 따라 입력 에너지를 출력 에너지로 변환하는 에너지 전달 소자 및 상기 스위치가 턴 온 되는 제1 시점부터 제1 기간 동안 제1 레벨을 유지하고, 제2 기간 동안 상기 제1 레벨에서 제2 레벨까지 점진적으로 하강하는 제1 신호를 생성하고, 상기 스위치에 흐르는 전류에 대응하는 제2 신호와 상기 제1 신호를 이용하여 상기 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 스위치 제어 장치를 포함한다.In addition, the converter according to an aspect of the present invention, the switch, an energy transfer element for converting the input energy into the output energy in accordance with the switching operation of the switch, and the first level for a first period from the first time the switch is turned on Maintains, generates a first signal that gradually descends from the first level to the second level for a second period, and switches the switch using the first signal and the second signal corresponding to the current flowing through the switch; And a switch control device for controlling the operation.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, which means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치, 스위치 제어 방법 및 이를 이용하는 컨버터에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a switch control device, a switch control method, and a converter using the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 전체 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 3 is a view schematically showing the overall configuration of a converter according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터는 전력 공급부(100), 출력부(200), 바이어스 전압 공급부(300), 피드백 회로부(400) 및 스위치 제어 장치(500)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the converter according to the embodiment of the present invention includes a
전력 공급부(100)는 교류 입력(AC)을 정류하는 브리지 다이오드(BD), 정류된 전압을 평활하기 위한 커패시터(Cin) 및 커패시터(Cin)에 일단이 연결되는 트랜스포머의 1차 코일(L1)을 포함한다.The
출력부(200)는 트랜스포머의 2차 코일(L2), 트랜스포머의 2차 코일(L2)의 일단에 애노드가 연결되는 다이오드(D1), 다이오드(D1)의 캐소드와 접지 사이에 연결되는 커패시터(C1), 다이오드(D1)의 캐소드에 일단이 연결되는 저항(R1), 애노드가 저항(R1)의 타단에 연결되는 포토 다이오드(PD) 및 캐소드가 포토 다이오드(PD)의 캐소드에 연결되고 애노드가 접지단에 연결되는 제너 다이오드(ZD)를 포함한다. 여기에서, 커패시터(C1)의 양단에 걸리는 전압이 출력 전압(Vo)이며, 포토 다이오드(PD)로 흐르는 전류량은 출력 전압(Vo)의 크기에 따라 변경된다. 포토 다이오드(PD)는 피드백 회로부(400)의 포토 트랜지스터(PT)와 함께 포토 커플러(Photocoupler)를 이루며, 피드백 회로부(400)로 출력 전압(Vo)에 대응하는 정보를 제공한다. The
바이어스 전압 공급부(300)는 스위치 제어 장치(500)의 바이어스 전압 입력 단자(I/O #4)와 접지단 사이에 연결되는 커패시터(C2)를 포함하고, 커패시터(C2)에 충전되는 바이어스 전압(Vcc)을 스위치 제어 장치(500)의 바이어스 전압 입력 단자(I/O #4)로 공급한다.The bias
피드백 회로부(400)는 출력부(200)의 포토 다이오드(PD)와 함께 포토 커플러(Photocoupler)를 이루는 포토 트랜지스터(PT) 및 포토 트랜지스터(PT)에 병렬로 연결되는 커패시터(Cfb)를 포함하고, 커패시터(Cfb)에 충전되는 피드백 전압(Vfb)을 스위치 제어 장치(500)의 피드백 전압 입력 단자(I/O #3)로 공급한다. 포토 트랜지스터(PT)는 출력부(200)의 포토 다이오드(PD)를 통해 흐르는 전류를 전달받아 구동되고, 이로 인해 출력 전압(Vo)이 높아지면 커패시터(Cfb)에 충전되는 피드백 전압(Vfb)이 낮아지고, 출력 전압(Vo)이 낮아지면 커패시터(Cfb)에 충전되는 피드백 전압(Vfb)이 높아진다.The
스위치 제어 장치(500)는 스위칭 제어부(510) 및 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 포함하고, 드레인(Drain) 단자(I/O #1), 접지(GND) 단자(I/O #2), 피드백 전압(Vfb) 입력 단자(I/O #3), 바이어스 전압 입력 단자(I/O #4) 및 스타트 전압(Vstr) 입력 단자(I/O #5)의 5 개의 입출력 단자를 가진다. 드레인(Drain) 단자(I/O #1)는 트랜스포머의 1차 코일(L1)의 타단에 연결되고, 접지(GND) 단자(I/O #2)는 접지단과 연결된다. 피드백 전압(Vfb) 입력 단자(I/O #3)는 포토 트랜지스터(PT) 및 커패시터(Cfb)의 접점에 연결되고, 바이어스 전압 입력 단자(I/O #4)는 커패시터(C2)의 일단에 연결된다. 또한, 스타트 전압(Vstr) 입력 단자(I/O #5)는 커패시터(Cin) 및 트랜스포머의 1차 코일(L1)의 접점에 연결된다.The
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)를 개략적으로 도시한 도면이다. 4 is a diagram schematically showing a
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)는 스위칭 제어부(510) 및 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 포함한다. As shown in FIG. 4, the
스위칭 제어부(510)는 고전압 레귤레이터(High Voltage Regulator, 이하 HV/REG라 함)(512), 저전압 차단부(Under Voltage LockOut; 이하, UVLO라 함)(514), 리딩 에지 인벨롭(Leading Edge Envelope; 이하, LEE) 신호 생성부(516) 및 PWM 제어부(518)를 포함한다. The switching
HV/REG(512)는 스타트 전압(Vstr) 입력 단자(I/O #5)를 통해 입력되는 전압에 대응하는 전류를 바이어스 전압 입력 단자(I/O #4)를 통해 바이어스 전압 공급부(300)의 커패시터(C2)로 전달하고, 이를 통해 바이어스 전압(Vcc)을 생성한다. The HV /
UVLO(514)는 바이어스 전압의 전압 레벨을 감지하여 바이어스 전압이 기 설정된 전압 레벨보다 낮아지면, 스위칭 제어부(510)의 구동을 중지시킨다. 바이어스 전압은 스위칭 제어부(510)의 구동을 위한 전원 전압으로 이용되므로, 바이어스 전압이 일정 레벨 이하로 하강하면, 스위칭 제어부(510)의 오동작의 원인이 된다. 따라서, UVLO(514)는 바이어스 전압이 기 설정된 전압 레벨보다 낮아지면 스위칭 제어부(510)의 구동을 중지시킴으로써, 스위칭 제어부(510)의 오동작을 방지한다.The
LEE 신호 생성부(516)는 피드백 신호 생성부(5162), 제1 신호 생성부(5164), 다이오드(D4) 및 저항(R2, R3)을 포함한다. 다이오드(D4)의 애노드는 제1 신호 생성부(5164)의 출력단에 연결되고 캐소드는 피드백 신호 생성부(5162)의 출력단과 저항(R2)의 접점에 연결된다. 저항(R2)의 일단은 피드백 신호 생성부(5162)의 출 력단과 다이오드(D4)의 캐소드의 접점에 연결되고 타단은 PWM 제어부(518)의 비교기(5181)의 반전 입력단(-)에 연결된다. 그리고, 저항(R3)은 일단이 저항(R2)의 타단에 연결되고 타단이 접지단에 연결된다. 이하에서는 저항(R2)과 저항(R3)의 접점을 노드(Nb)라고 명명한다.The
한편, LEE 신호 생성부(516)에서, 피드백 신호 생성부(5162)의 출력단, 다이오드(D4) 및 저항(R2, R3)의 연결 관계는 도 4에 도시한 것과는 다르게 형성될 수도 있다. 즉, 다이오드(D4)의 캐소드가 피드백 신호 생성부(5162)의 출력단과 저항(R2)의 접점에 연결되는 대신 노드(Nb)에 직접적으로 연결되고, 저항(R2)의 일단은 피드백 신호 생성부(5162)의 출력단과 다이오드(D4)의 캐소드의 접점에 연결되는 대신 피드백 신호 생성부(5162)의 출력단과 연결되도록 형성될 수 있다.Meanwhile, in the
피드백 신호 생성부(5162)는 전류원(Idelay, Ifb) 및 다이오드(D2, D3)를 포함한다.The feedback signal generator 5602 includes current sources Idelay and Ifb and diodes D2 and D3.
전류원(Idelay)은 Vcc1 전압을 공급하는 전원(Vcc1)과 피드백 전압(Vfb) 입력 단자(I/O #3) 사이에 연결되고, 피드백 회로부(400)로 전류를 공급한다. 전류원(Ifb)은 다이오드(D2)의 애노드 및 다이오드(D3)의 애노드의 접점(이하, 노드(Na)라 칭함)과 Vcc2 전압을 공급하는 전원(Vcc2) 사이에 연결되고, 피드백 회로부(400) 및 저항(R2, R3)으로 전류를 공급한다. 여기에서, 다이오드(D3)의 캐소드가 피드백 신호 생성부(5162)의 출력단이고, 피드백 신호(Vf)는 피드백 신호 생성부(5162)로부터 저항(R2, R3)으로 출력되는 전류의 양(If)에 따라 노드(Nb)에 인가되는 전압이다.The current source Idelay is connected between the power supply Vcc1 supplying the Vcc1 voltage and the feedback voltage Vfb input terminal I /
피드백 전압(Vfb)이 낮은 경우, 즉, 노드(Na)의 전압이 피드백 전압(Vfb)에 다이오드(D2)의 문턱 전압을 합한 전압보다 높으면, 전류원(Ifb)으로부터 공급되는 전류는 다이오드(D2, D3)를 통해 피드백 회로부(400) 및 저항(R2, R3)으로 흐른다. When the feedback voltage Vfb is low, that is, when the voltage at the node Na is higher than the voltage obtained by adding the threshold voltage of the diode D2 to the feedback voltage Vfb, the current supplied from the current source Ifb is the diode D2,. D3) flows into the
한편, 피드백 전압(Vfb)이 상승하여, 노드(Na)의 전압이 피드백 전압(Vfb)에 다이오드(D2)의 문턱 전압을 합한 전압보다 높지 않으면, 다이오드(D2)는 턴 오프 되고, 전류원(Ifb)으로부터 공급되는 전류는 다이오드(D3)를 통해 저항(R2, R3)으로 흐른다. 이로 인해, 출력부(200)의 출력단이 과부하 또는 단락 상태가 되어 피드백 전압(Vfb)이 계속해서 상승하더라도 피드백 신호(Vf)는 일정한 전압으로 유지된다. On the other hand, when the feedback voltage Vfb rises and the voltage at the node Na is not higher than the voltage obtained by adding the threshold voltage of the diode D2 to the feedback voltage Vfb, the diode D2 is turned off and the current source Ifb The current supplied from NF flows through the diode D3 to the resistors R2 and R3. Therefore, even when the output terminal of the
제1 신호 생성부(5164)는 PWM 제어부(518)로부터 출력되어 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하는 게이트 제어신호(Vgs)를 입력받아 제1 신호를 생성하는데, 이를 도 5를 참조하여 설명한다.The
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 신호 생성부(5164)가 생성하는 제1 신호를 도시한 도면이다. 5 is a diagram illustrating a first signal generated by the
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 제1 신호 생성부(5164)가 생성하는 제1 신호는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 턴 온 시 LEC가 발생하는 시간 동안, LEC에 대응되는 감지 신호(Vsense)의 레벨에 비해 높은 신호 레벨을 갖는다. As illustrated in FIG. 5, the first signal generated by the
제1 신호는 T11 시점에 기준 전압(도 5에는 0V)에서 VL 전압으로 급격히 상 승하여 T12 시점까지 VL 전압을 유지하다가, T12 시점부터 T13 시점까지 VL 전압에서 기준 전압으로 점진적으로 하강한다. 여기에서, T11 시점은 게이트 제어신호(Vgs)가 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 온 시키는 레벨로 변경되는 시점이다. The first signal is a reference voltage from, V L voltage from T12 point to T13 point while the reference voltage to the T11 time of the rapidly with V L voltage (Fig. 5, 0V) w maintain the V L voltage to the T12 time gradually drops do. Here, the time point T11 is a time point at which the gate control signal Vgs is changed to a level at which the switching transistor Qsw is turned on.
여기에서, LEC는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 제어 전극으로 입력되는 게이트 구동 전류의 레벨에 따라 달라진다. 즉, 게이트 구동 전류가 높아지면, LEC의 신호 레벨이 높아지는 대신 LEC가 발생하는 기간은 짧아진다. 반면에, 게이트 구동 전류가 낮아지면, LEC의 신호 레벨이 낮아지는 대신 LEC가 발생하는 기간은 길어진다. 한편, 게이트 구동 전류를 일정 수준 이상 상승시키면, 전자기파 장해(ElectroMagnetic Interference; EMI)가 발생하며 이를 저감하기 위한 부품의 용량 및 개수가 증가하게 된다. 이를 방지하기 위해, 게이트 구동 전류의 레벨은 소정 레벨 이하의 범위 내에서만 제어되도록 설정되고, 이를 기반으로 제1 신호의 VL 전압이 설정된다.Here, the LEC depends on the level of the gate driving current input to the control electrode of the switching transistor Qsw. In other words, when the gate driving current increases, the period during which the LEC occurs is shortened instead of the signal level of the LEC increases. On the other hand, when the gate driving current is lowered, the period during which the LEC occurs is longer instead of lowering the signal level of the LEC. On the other hand, if the gate drive current is raised above a certain level, electromagnetic interference (Electromagnetic interference) occurs and the capacity and the number of components to reduce the increase. To prevent this, the level of the gate driving current is set to be controlled only within a range below a predetermined level, and the V L voltage of the first signal is set based on this.
한편, 제1 신호 생성부(5164)는 PWM 제어부(518)의 오실레이터(5182)로부터 출력되는 펄스 신호의 라이징 에지(Rising Edge) 또는 폴링 에지(Falling Edge)에 동기되어 제1 신호를 생성하도록 구현될 수도 있다. 만약, 제1 신호 생성부(5164)가 오실레이터(5182)의 출력 신호의 라이징 에지(Rising Edge)에 동기되어 동작한다면, 도 5에서, T11 시점은 오실레이터(5182)의 출력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변경되는 시점이 됨은 물론이다.Meanwhile, the
제1 신호 생성부(5164)는 게이트 구동 전류의 레벨에 따라, T12 시점부터 T13 시점까지, 제1 신호가 VL 전압에서 기준 전압으로 하강하는 파형의 기울기를 가변시키는데, 이를 도 6을 참조하여 설명한다. According to the level of the gate driving current, the
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 제1 신호 생성부(5164)가 생성하는 제1 신호의 하강 기간의 변동을 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a variation in a falling period of a first signal generated by the
도 6에서, a는 게이트 구동 전류의 레벨이 높을 때의 제1 신호의 하강 파형이고, b는 게이트 구동 전류의 레벨이 낮을 때의 제1 신호의 하강 파형이다. 제1 신호 생성부(5164)는 게이트 구동 전류의 레벨이 높으면, 제1 신호가 VL 전압에서 기준 전압으로 하강하는 기울기를 가파르게 제어하고, 이로 인해 제1 신호가 T13' 시점에 기준 전압에 도달한다. 반면에, 제1 신호 생성부(5164)는 게이트 구동 전류의 레벨이 낮으면, 제1 신호가 VL 전압에서 기준 전압으로 하강하는 기울기가 완만해지도록 제어하고, 이로 인해 제1 신호가 T13' 시점보다 늦은 T13'' 시점에 기준 전압에 도달한다.In Fig. 6, a is a falling waveform of the first signal when the level of the gate driving current is high, and b is a falling waveform of the first signal when the level of the gate driving current is low. When the level of the gate driving current is high, the
제1 신호의 하강 파형의 기울기를 게이트 구동 전류의 레벨에 따라 변동시키는 이유는 게이트 구동 전류의 레벨이 높을 때, 즉 LEC의 발생 기간이 짧을 때에, LEC 이후의 감지 신호(Vsense)의 레벨을 조금 더 빠르게 센싱하기 위한 것이다. 특히, LEC는 컨버터가 구동되기 시작하는 초기 동작(Start-up) 시 매우 높은 레벨로 나타나고, 이로 인해 LEC가 발생하는 기간이 매우 짧아지게 되므로 제1 신호의 하강 기울기를 조절함으로써 LEC 이후의 감지 신호(Vsense)의 레벨을 빠르게 센싱하여 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 오동작을 방지할 수 있다는 장점이 있다.The reason for changing the slope of the falling waveform of the first signal according to the level of the gate driving current is that the level of the sensing signal Vsense after LEC is slightly changed when the level of the gate driving current is high, that is, when the generation period of the LEC is short. To sense faster. In particular, the LEC is displayed at a very high level during the initial start-up when the converter starts to be driven, and thus the period during which the LEC occurs is very short, so that the sensing signal after the LEC is controlled by adjusting the falling slope of the first signal. By quickly sensing the level of Vsense, a malfunction of the switching transistor Qsw can be prevented.
한편, T12 시점부터 T13 시점까지 VL 전압에서 기준 전압으로 하강하는 파형은 아날로그(Analog) 신호는 물론, 계단 파형으로 점진적으로 하강하는 디지털(Digital) 신호로 구현될 수 있음은 물론이다.On the other hand, the waveform falling from the V L voltage to the reference voltage from the time point T12 to the time point T13 may be implemented as an analog signal, as well as a digital signal gradually falling into a step waveform.
LEE 신호 생성부(516)는 피드백 신호 생성부(5162)에서 출력되는 피드백 신호(Vf)와 제1 신호 생성부(5164)에서 출력되는 제1 신호 중 레벨이 높은 신호를 선택하여 LEE 신호를 생성하는데, 이를 도 7을 참조하여 설명한다.The
도 7은 본 발명의 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)에 포함되는 LEE 신호 생성부(516)가 생성하는 LEE(Leading Edge Envelope) 신호를 도시한 도면이다. 여기에서, LEE 신호는 피드백 신호 생성부(5162) 및 제1 신호 생성부(5164)의 출력 신호에 대응하여 노드(Nb)에 인가되는 전압이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a leading edge envelope (LEE) signal generated by the
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LEE 신호 생성부(516)가 생성하는 LEE 신호는 T11 시점에 Vf 전압에서 VL 전압으로 급격히 상승하여 T12 시점까지 VL 전압을 유지하다가 T12 시점부터 T13 시점까지 VL 전압에서 기준 전압으로 점진적으로 하강한다.As shown in FIG. 7, the LEE signal generated by the
PWM 제어부(518)는 비교기(5181), 오실레이터(5182), SR 플립플롭(SR Flip-Flop, 5183), NOR 게이트(5184) 및 게이트 드라이버(5185)를 포함한다.The
비교기(5181)는 반전 입력단(-)을 통해 입력되는 LEE 신호와 비반전 입력단(+)을 통해 입력되는 감지 신호(Vsense)의 신호 레벨을 비교하여 LEE 신호의 레벨이 감지 신호(Vsense)의 레벨보다 높으면 로우 레벨 신호를 출력하고, LEE 신호 의 레벨이 감지 신호(Vsense)의 레벨보다 낮으면 하이 레벨 신호를 출력한다.The comparator 551 compares the signal level of the LEE signal input through the inverting input terminal (-) and the sensing signal Vsense input through the non-inverting input terminal (+), so that the level of the LEE signal is the level of the sensing signal Vsense. If it is higher, it outputs a low level signal. If the level of the LEE signal is lower than that of the sensing signal Vsense, it outputs a high level signal.
오실레이터(5182)는 소정의 주파수로 일정하게 토글링되는 펄스 신호를 생성한다.Oscillator 5802 generates a pulse signal that is constantly toggled at a predetermined frequency.
SR 플립플롭(5183)은 셋 단(S)으로 입력되는 오실레이터(5182)의 출력 신호 및 리셋 단(R)으로 입력되는 비교기(5181)의 출력 신호에 대응하여 반전 출력단(/Q)으로 출력되는 하이 레벨 또는 로우 레벨 신호를 NOR 게이트(5184)로 전달한다.The SR flip-flop 5103 is output to the inverted output terminal (/ Q) in response to the output signal of the oscillator 5502 input to the set stage S and the output signal of the comparator 5801 input to the reset stage R. The high level or low level signal is passed to the NOR gate 5518.
NOR 게이트(5184)는 두 개의 신호 입력단 중 하나의 신호 입력단(이하, A 입력단)으로 입력되는 오실레이터(5182)의 출력 신호 및 다른 하나의 신호 입력단(이하, B 입력단)으로 입력되는 SR 플립플롭(5183) 반전 출력단(/Q)의 출력 신호를 논리 연산하여 하이 레벨 또는 로우 레벨 신호를 게이트 드라이버(5185)로 전달한다.The NOR gate 5204 is an SR flip-flop input to an output signal of an oscillator 5802 which is input to one signal input terminal (hereinafter, A input terminal) of two signal input terminals, and to another signal input terminal (hereinafter, B input terminal). 5183) The output signal of the inverted output terminal (/ Q) is logically operated to transfer a high level or low level signal to the
게이트 드라이버(5185)는 NOR 게이트(5184)의 출력 신호에 대응하여 NOR 게이트(5184)의 출력 신호가 하이 레벨이면 하이 레벨, NOR 게이트(5184)의 출력 신호가 로우 레벨이면 로우 레벨이 되는 게이트 제어 신호(Vgs)를 생성하고, 생성된 게이트 제어 신호(Vgs)를 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 제어 전극으로 전달함으로써 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어한다.The
만약, 감지 신호(Vsense)가 LEE 신호보다 크면, 비교기(5181)는 하이 레벨 신호를 출력하고, 이로 인해 SR 플립플롭(5183)의 반전 출력단(/Q)의 출력 신호는 하이 레벨로 변경된다. SR 플립플롭(5183)의 반전 출력단(/Q)의 출력 신호가 하이 레벨로 변경됨에 따라 NOR 게이트(5184)의 출력 신호는 로우 레벨이 되고, 이로 인 해 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 턴 오프 된다.If the sense signal Vsense is greater than the LEE signal, the comparator 5801 outputs a high level signal, thereby changing the output signal of the inverted output terminal / Q of the SR flip-flop 5103 to a high level. As the output signal of the inverted output terminal / Q of the SR flip-flop 5803 is changed to a high level, the output signal of the NOR gate 5204 becomes a low level, and thus the switching transistor Qsw is turned off.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500')를 개략적으로 도시한 도면이다. 8 is a view schematically showing a switch control device 500 'according to a second embodiment of the present invention.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500')는 스위칭 제어부(510') 및 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 포함한다. As shown in FIG. 8, the
스위칭 제어부(510')는 HV/REG(512), UVLO(514), 피드백 신호 생성부(516'), LEE 신호 생성부(517'), PWM 제어부(518') 및 비교기(519')를 포함한다. 여기에서, HV/REG(512) 및 UVLO(514)는 각각 도 4에 나타낸 스위칭 제어부(510)의 HV/REG(512) 및 UVLO(514)와 동일하게 동작하므로 동일한 부호로 나타내었으며, 부연 설명은 생략한다.The switching
피드백 신호 생성부(516')는 제1 신호 생성부(5164) 및 다이오드(D4)를 제외하고는 도 4에 나타낸 LEE 신호 생성부(516)와 동일하게 형성되므로, 피드백 신호 생성부(516')에 포함되는 회로 소자들은 LEE 신호 생성부(516)에 포함되는 회로 소자들과 동일한 부호로 나타내었다. 또한, 피드백 신호 생성부(516')는 도 4에 나타낸 피드백 신호 생성부(5162)와 동일하게 동작하므로, 피드백 신호 생성부(516')의 동작에 대하여 부연하여 설명하지 않는다.Since the feedback signal generator 516 'is formed in the same manner as the
LEE 신호 생성부(517')는 제1 신호 생성부(5172'), 다이오드(D5, D6) 및 전원(Vth)을 포함한다.The LEE signal generator 517 'includes a first signal generator 5502', diodes D5 and D6, and a power supply Vth.
제1 신호 생성부(5172')는 PWM 제어부(518)로부터 출력되어 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어하는 게이트 제어신호(Vgs)를 입력받아 제1 신호를 생성 한다. 제1 신호 생성부(5172')가 생성하는 제1 신호는 도 5에 나타낸 제1 신호 생성부(5164)가 생성하는 제1 신호와 동일하므로, 부연 설명은 생략한다.The first signal generator 5152 ′ receives the gate control signal Vgs output from the
한편, 제1 신호 생성부(5172')는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)에 포함되는 제1 신호 생성부(5164)와 유사하게 PWM 제어부(518')의 오실레이터(5181')의 출력 신호에 대응하여 동작하도록 구현될 수 있음은 물론이다. 즉, 제1 신호 생성부(5172')는 PWM 제어부(518')의 오실레이터(5181')의 출력 신호의 라이징 에지(Rising Edge) 또는 폴링 에지(Falling Edge)에 동기되어 제1 신호를 생성하도록 구현될 수도 있다. 만약, 제1 신호 생성부(5172')가 오실레이터(5181')의 출력 신호의 라이징 에지(Rising Edge)에 동기되어 동작한다면, 도 5에서, T11 시점은 오실레이터(5181')의 출력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변경되는 시점이 됨은 물론이다.Meanwhile, the first signal generator 5152 ′ is an oscillator of the
LEE 신호 생성부(517')는 제1 신호 생성부(5172')에서 출력되는 제1 신호와 전원(Vth)에서 출력되는 신호(Vth) 중 레벨이 높은 신호를 선택하여 LEE 신호를 생성하는데, 이를 도 8을 참조하여 설명한다. The
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 LEE 신호 생성부(517')가 생성하는 LEE 신호를 도시한 도면이다.9 is a diagram illustrating an LEE signal generated by the LEE signal generator 517 'according to an embodiment of the present invention.
도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LEE 신호 생성부(517')가 생성하는 LEE 신호는 게이트 제어신호(Vgs)가 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 온 시키는 레벨로 변경되는 T11 시점에, Vth 전압에서 VL 전압으로 급격히 상승하여 T12 시점까지 VL 전압을 유지한다. 그리고, T12 시점부터 T13 시점까지 VL 전압에서 Vth 전압으로 점진적으로 하강한다.As shown in FIG. 9, the LEE signal generated by the
비교기(519')는 반전 입력단(-)으로 입력되는 LEE 신호 및 비반전 입력단(+)으로 입력되는 감지 신호(Vsense)의 신호 레벨을 비교하고, LEE 신호의 레벨이 감지 신호(Vsense)의 레벨보다 높으면 로우 레벨 신호를 출력하고, LEE 신호의 레벨이 감지 신호(Vsense)의 레벨보다 낮으면 하이 레벨 신호를 출력한다. The comparator 519 'compares the signal level of the LEE signal input to the inverting input terminal (-) and the sensing signal Vsense input to the non-inverting input terminal (+), and the level of the LEE signal is the level of the sensing signal Vsense. If it is higher, the output signal is a low level, and if the level of the LEE signal is lower than that of the sensing signal Vsense, the output is a high level signal.
PWM 제어부(518')는 오실레이터(5181'), 비교기(5182'), OR 게이트(5183'), SR 플립플롭(SR Flip-Flop, 5184'), NOR 게이트(5185') 및 게이트 드라이버(5186')를 포함한다. PWM controller 518 'includes oscillator 5181', comparator 5802 ', OR gate 5103', SR flip-flop 5184 ', NOR gate 5185', and
오실레이터(5181')는 소정의 주파수로 일정하게 토글링되는 펄스 신호 및 톱니파 신호(Sawtooth Pulse)를 생성한다.
비교기(5182')는 반전 입력단(-)으로 입력되는 피드백 신호(Vf) 및 비반전 입력단(+)으로 입력되는 톱니파 신호의 신호 레벨을 비교하고, 피드백 신호(Vf)의 레벨이 톱니파 신호의 레벨보다 높으면 로우 레벨 신호를 출력하고, 피드백 신호(Vf)의 레벨이 톱니파 신호의 레벨보다 낮으면 하이 레벨 신호를 출력한다. The comparator 5802 'compares the signal levels of the feedback signal Vf input to the inverting input terminal (-) and the sawtooth signal input to the non-inverting input terminal (+), and the level of the feedback signal Vf is the level of the sawtooth signal. If it is higher, the low level signal is output. If the level of the feedback signal Vf is lower than the level of the sawtooth signal, the high level signal is output.
OR 게이트(5183')는 두 개의 신호 입력단 중 하나의 신호 입력단(이하, A 입력단)으로 입력되는 비교기(5182')의 출력 신호 및 다른 하나의 신호 입력단(이하, B 입력단)으로 입력되는 비교기(519')의 출력 신호를 논리 연산하여 하이 레벨 또는 로우 레벨 신호를 SR 플립플롭(5184')의 리셋 단(R)으로 전달한다.The OR gate 5103 'is an output signal of the comparator 5202' input to one of the two signal input terminals (hereinafter, A input terminal) and a comparator input to the other signal input terminal (hereinafter, B input terminal) The output signal of 519 'is logically operated to transfer a high level or low level signal to the reset stage R of the SR flip-flop 5518'.
SR 플립플롭(5184')은 셋 단(S)으로 입력되는 오실레이터(5181')의 출력 신호 및 리셋 단(R)으로 입력되는 OR 게이트(5183')의 출력 신호에 대응하여 반전 출력단(/Q)으로 출력되는 하이 레벨 또는 로우 레벨 신호를 NOR 게이트(5185')로 전달한다.The SR flip-flop 5204 'corresponds to the output signal of the oscillator 581' input to the set stage S and the output signal of the OR gate 5103 'input to the reset stage R (/ Q). ) Is transferred to the NOR gate 5185 '.
NOR 게이트(5185')는 두 개의 신호 입력단 중 하나의 신호 입력단(이하, A 입력단)으로 입력되는 오실레이터(5181')의 출력 신호 및 다른 하나의 신호 입력단(이하, B 입력단)으로 입력되는 SR 플립플롭(5184') 반전 출력단(/Q)의 출력 신호를 논리 연산하여 하이 레벨 또는 로우 레벨 신호를 게이트 드라이버(5186')로 전달한다.The NOR gate 5185 'is an SR flip input to the output signal of the oscillator 5181' input to one of the two signal input terminals (hereinafter, A input terminal) and the other signal input terminal (hereinafter, B input terminal). The output signal of the inverted output terminal / Q of the flop 5204 'is logically operated to transmit a high level or low level signal to the gate driver 5186'.
게이트 드라이버(5186')는 NOR 게이트(5185')의 출력 신호에 대응하여 NOR 게이트(5185')의 출력 신호가 하이 레벨이면 하이 레벨, NOR 게이트(5185')의 출력 신호가 로우 레벨이면 로우 레벨이 되는 게이트 제어 신호(Vgs)를 생성하고, 생성된 게이트 제어 신호(Vgs)를 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 제어 전극으로 전달함으로써 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 온/오프를 제어한다.The gate driver 5186 'corresponds to the output signal of the NOR gate 5185' and is high level if the output signal of the NOR gate 5185 'is high level, and low level if the output signal of the NOR gate 5185' is low level. The gate control signal Vgs is generated and the generated gate control signal Vgs is transferred to the control electrode of the switching transistor Qsw to control on / off of the switching transistor Qsw.
만약, 감지 신호(Vsense)가 LEE 신호보다 크면, 비교기(519')는 하이 레벨 신호를 출력하고, 이로 인해 OR 게이트(5183')의 출력 신호가 하이 레벨로 변경된다. OR 게이트(5183')의 출력 신호가 하이 레벨로 변경됨에 따라 SR 플립플롭(5184')의 반전 출력단(/Q)의 출력 신호는 하이 레벨로 변경된다. SR 플립플롭(5184')의 반전 출력단(/Q)의 출력 신호가 하이 레벨로 변경됨에 따라 NOR 게이트(5185')의 출력 신호는 로우 레벨이 되고, 이로 인해 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 턴 오프 된다.If the sense signal Vsense is greater than the LEE signal, the comparator 519 'outputs a high level signal, thereby changing the output signal of the OR gate 5103' to the high level. As the output signal of the OR gate 5103 'is changed to the high level, the output signal of the inverted output terminal / Q of the SR flip-flop 5518' changes to the high level. As the output signal of the inverted output terminal (/ Q) of the SR flip-flop 5518 'is changed to the high level, the output signal of the NOR gate 5185' becomes low level, which causes the switching transistor Qsw to be turned off. .
한편, 도 4 및 도 8에 나타낸 스위칭 트랜지스터(Qsw)는 N 타입전계 효과 트랜지스터(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor; 이하 "MOSFET"이라 칭함)로, 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 소스단으로 흐르는 전류에 대응되는 전류가 흐르는 제2 소스단을 갖는 일종의 센스 FET(Sense Field Effect Transistor)로 형성된다. 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 제어 전극인 게이트 전극은 스위칭 제어부(510, 518')의 게이트 드라이버(5185, 5186')의 출력단에 연결되어 게이트 드라이버(5185, 5186')로부터 출력되는 게이트 제어 신호(Vgs)에 의해 온/오프 구동된다. 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 드레인은 드레인(Drain) 단자(I/O #1)에 연결되고, 소스는 접지(GND) 단자(I/O #2)에 연결되며, 제2 소스단은 저항(Rsense)을 통해 접지단과 연결되고, 저항(Rsense)을 통해 감지되는 감지 신호(Vsense)를 스위칭 제어부(510, 610)로 전달한다. Meanwhile, the switching transistor Qsw illustrated in FIGS. 4 and 8 is an N-type field effect transistor (hereinafter referred to as a “MOSFET”), and a current flowing to the source terminal of the switching transistor Qsw. It is formed of a kind of sense field effect transistor (FET) having a second source terminal through which a current corresponding to the current flows. The gate electrode, which is a control electrode of the switching transistor Qsw, is connected to the output terminal of the gate drivers 5185 'and 5186' of the switching
참고로, 도 4 및 도 8에서는 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 N 타입 MOSFET으로 나타내었으나, P 타입 MOSFET은 물론 이와 유사한 구조를 가지고, 동일한 동작을 수행할 수 있는 다른 스위치로 대체될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 4 및 도 7에서는 스위칭 제어부(510, 510') 및 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 하나의 칩(Chip)으로 구현되는 것으로 나타내었으나, 이와는 다르게 형성될 수도 있다. 예로서, 스위칭 제어부(510, 510')와 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 각각 별도의 칩으로 형성하고, 두 개의 칩을 하나의 패키지(Package) 또는 각기 별도의 패키지로 형성할 수 있음은 물론이다.For reference, in FIG. 4 and FIG. 8, the switching transistor Qsw is represented as an N-type MOSFET, but the P-type MOSFET may have a similar structure as well, and may be replaced with another switch capable of performing the same operation. . 4 and 7 illustrate that the switching
도 4 및 도 8로 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')는 일반적인 컨버터의 제어부에 포함되는 LEB 회로를 포함하지 않는 대신, LEE 신호 생성부(516, 517')에서 생성되는 LEE 신호를 이용함으로써 스위칭 트랜지스터 (Qsw)의 턴 온 시에 발생하는 LEC로 인한 오동작을 방지한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')는 LEE 신호를 이용하여 LEC의 신호 레벨이 VL 전압을 초과하면 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 오프 시키므로, 일반적인 컨버터의 제어부와는 달리 AOCP를 포함하지 않는다. 4 and 8 do not include the LEB circuit included in the control unit of the general converter, but instead of the
즉, 일반적인 컨버터의 제어부는 LEB 기간 동안 Ids를 감지하지 않다가 LEB 기간이 종료되는 시점부터 Ids를 감지하고, Ids에 대응되는 감지 신호(Vsense)가 소정 레벨, 즉 도 4의 피드백 신호(Vf) 또는 도 7의 Vth 보다 크면, 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 오프시킨다. 반면, 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')는 LEB 동작을 수행하지 않고, LEE 신호 생성부(516, 517')에서 생성되는 LEE 신호를 Ids에 대응되는 감지 신호(Vsense)와 비교하여, Ids 보다 감지 신호(Vsense)가 크면 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 오프시킨다. That is, the controller of the general converter does not detect Ids during the LEB period, but detects the Ids from the end of the LEB period, and the detection signal Vsense corresponding to the Ids has a predetermined level, that is, the feedback signal Vf of FIG. 4. If greater than Vth in FIG. 7, the switching transistor Qsw is turned off. On the other hand, the
이로 인해, 컨버터의 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때에, 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')는 일반적인 컨버터의 제어부에 비해 Ids의 최대값(IPEAK)을 크게 줄일 수 있는데, 이를 도 10에 나타내었다.As a result, when the output terminal of the converter is overloaded or short-circuited, the
도 10는 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때에, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 감지 신호(Vsense)의 최대값(Vpeak)과 일반적인 컨버터의 감지 신 호(Vsense)의 최대값(Vpeak)을 비교 도시한 도면이다. 여기에서, 감지 신호(Vsense)의 최대값(Vpeak)은 Ids가 최대값(IPEAK)에 도달하였을 때의 감지 신호(Vsense)의 신호 레벨을 의미한다. FIG. 10 compares the maximum value Vpeak of the sensed signal Vsense of the converter and the maximum value Vpeak of the sensed signal Vsense of a typical converter when the output terminal is overloaded or short-circuited. Figure is shown. Here, the maximum value Vpeak of the sensing signal Vsense means a signal level of the sensing signal Vsense when Ids reaches the maximum value I PEAK .
도 10에 도시한 바와 같이, 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때, 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')는 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 턴 온 되는 시점으로부터 감지 신호(Vsense)의 레벨을 센싱하여 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 오프 시키는 시간, 즉 Tmin.on이 일반적인 컨버터의 제어부에 비해 짧다. 이로 인해, 감지 신호(Vsense)의 최대값(Vpeak)은 소정 레벨 이상 높아지지 않는다. 여기에서, 감지 신호(Vsense)는 Ids에 비례하므로, 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')는 Ids가 소정 레벨 이상 증가하지 않도록 제어한다. 이로 인해 출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때, Ids의 증가량이 적어지고, 이에 따라 Ids가 최대 제한 전류(ILIM) 이상으로 증가하는 양도 작아지는데, 이를 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다.As shown in FIG. 10, when the output terminal is overloaded or short-circuited, the
참고로, 아래에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500)의 스위칭 제어부(510)에서 제1 신호 생성부(5164) 및 다이오드(D4)를 포함하지 않는 컨버터 제어부를 가지는 컨버터를 일반적인 컨버터로 가정한다.For reference, below, a converter having a converter controller which does not include the
도 11은 일반적인 컨버터의 출력단이 단락되는 경우에, 일반적인 컨버터의 출력 전압(Vo), 피드백 전압(Vfb), 피드백 신호(Vf), Ids 및 Is의 변화를 도시한 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating changes in the output voltage Vo, the feedback voltage Vfb, the feedback signal Vf, Ids, and Is of the general converter when the output terminal of the general converter is short-circuited.
일반적인 컨버터의 출력단이 단락 상태가 되는 T21 시점에, 컨버터의 출력 전압(Vo)이 급격히 하강하여 0V까지 하강한다. T21 시점에, 출력 전압(Vo)이 급격히 하강함에 따라, 피드백 전압(Vfb) 및 피드백 신호(Vf)가 증가하여 T22 시점에 포화 피드백 전압(Vfsat)까지 증가한다. 포화 피드백 전압(Vfsat)은 피드백 신호 생성부(5162)가 출력할 수 있는 최대 전압이다. 즉, 피드백 전압(Vfb)이 포화 피드백 전압(Vfsat) 보다 더 높은 레벨로 증가하더라도 피드백 신호 생성부(5132)는 포화 피드백 전압(Vfsat)보다 높은 전압을 출력하지 못하도록 설계되어 있다. 여기에서, 포화 피드백 전압(Vfsat)은 다이오드(D2)가 차단되어, 전류원(Ifb)의 전류가 모두 저항(R2, R3)으로 전달될 때의 노드(Nb)의 전압이다. 단락 상태에서, 포화 피드백 전압(Vfsat)은 Ids의 최대 제한 전류(ILIM)를 결정한다. 구체적으로, 포화 피드백 전압(Vfsat)은 다이오드(D2)가 차단되어, 전류원(Ifb)의 전류가 모두 저항(R2, R3)으로 전달될 때의 피드백 신호 생성부(5162)의 출력 전압이다. 단락 상태에서, 포화 피드백 전압(Vfsat)은 Ids의 최대 제한 전류(ILIM)를 결정한다. 즉, 감지 신호(Vsense)가 포화 피드백 전압(Vfsat)에 도달하면, 컨버터 제어부는 스위칭 트랜지스터(Qsw)를 턴 오프 시키므로, Ids의 최대 제한 전류(ILIM)는 포화 피드백 전압(Vfsat)에 따라 결정된다. At the time T21 when the output stage of a typical converter is short-circuited, the output voltage Vo of the converter drops rapidly to 0V. At the time T21, as the output voltage Vo drops rapidly, the feedback voltage Vfb and the feedback signal Vf increase to increase the saturation feedback voltage Vfsat at the time T22. The saturation feedback voltage Vfsat is the maximum voltage that the feedback signal generator 5602 can output. That is, even if the feedback voltage Vfb increases to a level higher than the saturation feedback voltage Vfsat, the feedback signal generator 5152 is designed not to output a voltage higher than the saturation feedback voltage Vfsat. Here, the saturation feedback voltage Vfsat is the voltage of the node Nb when the diode D2 is blocked so that the current of the current source Ifb is all delivered to the resistors R2 and R3. In the shorted state, the saturation feedback voltage Vfsat determines the maximum limiting current I LIM of Ids. Specifically, the saturation feedback voltage Vfsat is an output voltage of the feedback signal generator 5516 when the diode D2 is cut off so that the current of the current source Ifb is transmitted to the resistors R2 and R3. In the shorted state, the saturation feedback voltage Vfsat determines the maximum limiting current I LIM of Ids. That is, when the sensing signal Vsense reaches the saturation feedback voltage Vfsat, the converter controller turns off the switching transistor Qsw, so that the maximum limit current I LIM of Ids is determined according to the saturation feedback voltage Vfsat. do.
한편, 단락 상태가 계속됨에 따라 Ids 및 출력부(200)의 다이오드(D1)를 흐르는 전류(이하, Is라 칭함)는 지속적으로 증가한다. 이때, Tmin.on은 스위칭 트랜지스터(Qsw)가 온/오프될 때마다 Ids 및 Is의 증가량을 결정하는 주된 요인이 된 다.On the other hand, as the short circuit condition continues, the current flowing through the Ids and the diode D1 of the output unit 200 (hereinafter, referred to as “Is”) continuously increases. At this time, Tmin.on is a major factor that determines the increase amount of Ids and Is whenever the switching transistor Qsw is turned on / off.
출력단이 과부하 또는 단락 상태일 때, 본 발명의 실시예에 따른 본 발명의 실시예에 따른 스위치 제어 장치(500, 500')의 스위칭 제어부(510, 510')는 일반적인 컨버터의 제어부에 비해 Tmin.on이 짧아지도록 제어하고, 이로 인해 Ids의 증가 속도가 낮아지는데, 이를 도 12에 나타내었다.When the output stage is overloaded or short-circuited, the switching
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 출력단이 단락되는 경우에, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터의 출력 전압(Vo), 피드백 전압(Vfb), 피드백 신호(Vf), Ids 및 Is의 변화를 도시한 도면이다.12 illustrates the output voltage Vo, the feedback voltage Vfb, the feedback signal Vf, Ids, and Is of the converter according to the embodiment of the present invention when the output terminal of the converter is short-circuited. It is a figure which shows a change.
도 12에 도시한 바와 같이, 출력단 단락 상태에서, 본 발명의 실시예에 따른 본 발명의 실시예에 따른 컨버터는 Tmin.on이 짧아짐에 따라 Ids 및 Is의 증가 속도가 일반적인 컨버터의 Ids 및 Is의 증가 속도에 비해 낮아진다.As shown in FIG. 12, in the output short-circuit state, the converter according to the embodiment of the present invention has an increase rate of Ids and Is as Tmin.on becomes shorter. It is lower than the increase rate.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터는 도 3에 나타낸 플라이 백(Flyback) 타입의 SMPS에 국한되지 않으며, 트랜스포머를 포함하지 않는 타입의 SMPS 등 모든 종류의 컨버터에 적용될 수 있음은 물론이다.On the other hand, the converter according to an embodiment of the present invention is not limited to the flyback type SMPS shown in Figure 3, it can be applied to all kinds of converters, such as SMPS of the type that does not include a transformer.
상술한 본 발명의 실시예에 따른 컨버터는 LEE 신호를 생성하고, 이를 이용하여 스위칭 트랜지스터 (Qsw)의 턴 온 시에 발생하는 LEC로 인한 오동작을 방지함은 물론, LEC 이후에 감지 신호(Vsense)의 레벨을 빠르게 센싱할 수 있어 출력단 과부하 또는 단락 상태에서 Tmin.on을 짧게 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 LEE 신호 생성부(516, 517')는 스위칭 트랜지스터(Qsw)의 제어 전극으로 입력되는 게이트 구동 전류의 레벨에 따라 LEE 신호를 가변시킴으로써, 컨버터 가 구동되기 시작하는 초기 동작(Start-up) 시 발생 가능한 스위칭 트랜지스터 (Qsw)의 오동작을 방지할 수 있다. 그리고, 일반적인 컨버터는 LEC로 인한 오동작 방지를 위해 LEB 회로 및 AOCP 회로를 포함하는데 비해, 본 발명의 실시예에 따른 컨버터는 LEE 신호 생성부(516, 517')만으로 LEC로 인한 오동작을 방지할 수 있어 컨버터 및 컨버터 제어부의 소형화 및 저가화를 구현할 수 있다.The converter according to the embodiment of the present invention generates the LEE signal, and prevents the malfunction due to the LEC generated when the switching transistor Qsw is turned on by using the LEE signal, as well as the detection signal Vsense after the LEC. It can quickly sense the level of Tmin.on in the event of an output overload or short circuit. In addition, the
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
본원 발명에 따르면, LEC로 인한 오동작을 효과적으로 방지하고, LEC 이후에 감지 신호(Vsense)의 레벨을 빠르게 센싱할 수 있어 출력단 과부하 또는 단락 상태에서 Tmin.on을 짧게 구현할 수 있는 컨버터를 구현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to effectively prevent a malfunction due to the LEC, and to quickly sense the level of the sense signal (Vsense) after the LEC, it is possible to implement a converter that can implement a short Tmin.on in the output overload or short-circuit state.
또한, LEE 신호 생성부(516, 517')만으로 LEC로 인한 오동작을 방지할 수 있어 컨버터 및 컨버터 제어부의 소형화 및 저가화를 구현할 수 있다.In addition, since only the
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