KR20080073944A - Hybrid organic electroluminescence device and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20080073944A
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김희정
장재원
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엘지전자 주식회사
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Abstract

A hybrid organic electroluminescence device and a method for manufacturing the same are provided to obtain a high brightness by minimizing a leakage current. A hybrid organic electroluminescence device includes a first transparent substrate(201), a second transparent substrate(214), a gate line, a data line, a power supply line, an organic thin film transistor, an oxide thin film transistor(206), a protection layer(211), an organic electroluminescence layer(212), and an electrode layer(213). The first and second transparent substrates are opposite to be apart from each other, and have a plurality of pixels. The gate line is arranged on the first transparent substrate in series. The data line and the power supply line are perpendicular to the gate line and are apart from each other at a predetermined interval. The organic thin film transistor is formed at a cross point of the gate line and the data line, and turns on the pixels. The oxide thin film transistor is formed at the cross point of the gate line and the data line, and drives the pixels. The protection layer covers the organic thin film transistor and the oxide thin film transistor. The organic electroluminescence layer and the electrode layer are formed on the pixel.

Description

하이브리드 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법{Hybrid organic electroluminescence device and manufacturing method thereof} Hybrid organic light emitting device and a method of manufacturing {Hybrid organic electroluminescence device and manufacturing method thereof}

도1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광소자의 등가회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of the organic EL device according to the prior art.

도2는 본 발명에 따른 하이브리드 유기전계 발광소자의 평면도이다. 2 is a plan view of a hybrid organic EL device according to the present invention.

도3a 내지 도3h는 본 발명에 따른 하이브리드 유기전계 발광소자의 제조방법을 나타내는 단면도이다. Figure 3a to Figure 3h is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a hybrid organic EL device according to the present invention.

도4는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 등가회로에 대한 회로도이다. 4 is a circuit diagram of the equivalent circuit of the organic EL device according to the present invention.

도5a 및 도5b는 각각 종래 기술과 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 게이트 신호와 데이터 신호 관계를 나타내는 타이밍도이다. Figures 5a and 5b are timing diagrams showing the prior art and the gate signal and the data signal of the organic EL device according to the related invention.

※도면의 주요 부분에 대한 설명※ ※ Description of the drawings ※

201 : 제1 투명기판 202 : 픽셀 전극 201: a first transparent substrate 202: pixel electrode

203 : 제1 게이트 전극 204 : 제2 게이트 전극 203: a first gate electrode 204: a second gate electrode

205 : 게이트 절연막 206 : 산화물 반도체층 205: Gate insulating film 206: oxide semiconductor layer

207 : 콘택홀 208 : 소스 및 드레인 전극 207: contact hole 208: source and drain electrodes

210 : 유기 반도체층 211 : 보호막 210: 211. The organic semiconductor layer: protective layer

212 : 유기 전계 발광층 213 : 전극 212: 213, organic light emitting layer: electrode

214 : 제2 투명 기판 214: second transparent substrate

본 발명은 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

보다 구체적으로, 본 발명은 스위칭 트랜지스터로는 유기 박막 트랜지스터를, 구동 트랜지스터로는 산화물 트랜지스터를 사용함으로써 각 트랜지스터의 장점을 살려서, 스위칭 트랜지스터의 누설전류는 최소로 하고, 구동 트랜지스터의 구동 능력은 최대로 할 수 있는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. A More specifically, it relates to the switching transistor is an organic thin film transistor, a driving transistor is by taking advantage of the respective transistors by using an oxide transistor, leakage current is minimized and the driving ability of the driving transistors of the switching transistor is a maximum It relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same can.

플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해서는 플렉서블 기판과 최상의 결합성을 지닌 트랜지스터는 필수적이다. To implement a flexible display having a flexible transistor substrate and the best-binding is essential. 일반적으로 유기전계 발광소자를 이용하는 플렉서블 디스플레이는 도1에 도시된 바와 같이, 스위치 역할을 하는 스위칭 트랜지스터(11)와 플렉서블 발광소자에 전류원을 공급하는 구동 트랜지스터(12), 데이터 저장을 위한 스토리지 캐패시터(13) 및 발광소자(14)로 이루어진다. In general storage for the driving for supplying a current source to the switching transistor 11 and the flexible light-emitting device configured to switch roles transistor 12, the data stored as shown in the flexible display 1 also using an organic electroluminescent element capacitor ( 13) and made of a light-emitting element (14).

이러한 화소의 구성요소들은 대면적 및 고해상도에 해당하는 계조를 구현하기 위해서 충분한 전류구동능력과 데이터의 왜곡이 없는 누설에 강한 장점을 지녀야 한다. Components of these pixels should have a strong advantage of the leak it does not have sufficient current-driven distortion of the power and data to implement the gray level corresponding to a large-area and high resolution.

현재까지 플렉서블 디스플레이의 백플레인으로서 최상의 결합을 지닌 유기 트랜지스터의 경우 대면적 및 고해상도에 맞는 구동능력을 보이지 못하고 있다. If with the best combination as the backplane of the flexible display to the current organic transistor it is not visible the driving capability for large area and high resolution. 이는 쉐도우 마스크 공정을 사용함으로써 패널 설계 시 채널의 폭과 길이 같은 구조적 제약을 받게 된다. Which it is subjected to structural constraints, such as width and length of the channel during the design panel by using the shadow mask process. 따라서 유기 트랜지스터의 경우 소자 구동능력의 향상이 반드시 필요하다. Therefore, for an organic transistor improves the drivability of the element is necessary.

반면, 플렉서블 디스플레이의 또 다른 백플레인 대안인 산화물 트랜지스터의 경우 포토리소그래피로 패턴을 형성하는 것이 가능함으로 인해 충분히 높은 해상도를 얻을 수 있으며 또한 상대적으로 낮은 구동 전압에서 높은 전류를 얻을 수 있다. On the other hand, to obtain a sufficiently high resolution, due to the case of another alternative the backplane of the flexible display oxide transistors to form a pattern by photolithography is possible, and it is possible to obtain a high current at relatively low driving voltage. 그러나 산화물 트랜지스터의 경우 높은 누설전류로 인해 스위치 트랜지스터로 사용하기에는 문제가 많다. However, the oxide transistor is problematic for use as the switch transistor due to the high leak current. 따라서 본 발명에서는 유기 트랜지스터와 산화물 트랜지스터의 장점을 살리고 단점은 최소화한 하이브리드 소자를 제공하고자 한다. In this invention Raise the benefits of the organic transistor and a transistor oxide disadvantage is to provide a hybrid device minimized.

본 발명은 유기 및 무기 트랜지스터의 단점은 최소화하고 장점을 최대화하여 최상의 특성을 발휘하는 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an organic EL device exhibiting excellent characteristics to minimize the disadvantages of organic and inorganic transistor and to maximize the benefits.

본 발명은 누설전류의 크기와 이동도 특성이 중요한 인자인 스위치 트랜지스터는 유기 트랜지스터로, 구동 능력이 중요한 인자인 구동 트랜지스터는 산화물 트랜지스터로 설계함으로써, 누설전류를 최소로 하여 디스플레이 구동시 오프 시에는 완전히 꺼지게 하고, 온 동작 시에는 많은 전류를 흘려 높은 휘도를 얻을 수 있는 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has completely when the switch transistor characteristic is an important factor the size and movement of the leakage current of the organic transistor, the driving capability is an important factor of the drive transistor by designing an oxide transistor, and off when the display driving by the leakage current to a minimum It switched off, and an object thereof is to provide an organic electroluminescent device that can obtain high luminance flowing a large current at the time of on operation.

본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 유기전계 발광소자는, 서로 이격되어 대향합착되며, 다수의 픽셀이 형성된 제1,2 투명 기판; First and second transparent substrates hybrid organic EL device according to an embodiment of the invention, spaced opposite one another are attached to each other, having a plurality of pixels; 상기 제1 투명 기판 상에 일렬로 배열된 게이트 배선; The first arranged in a line on a transparent substrate a gate interconnection; 상기 게이트 배선에 수직 교차하며 일정간격으로 서로 이격되는 데이터 배선 및 전력 공급선; And a vertical cross data line, the power supply line to be spaced apart from each other at regular intervals on the gate wiring; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 형성되어 상기 픽셀을 턴온 시키는 유기 박막 트랜지스터; It is formed at the intersection of the gate line and data line, the organic thin film transistor to turn on the pixel; 상기 게이트 배선과 전력 공급선의 교차지점에 형성되어 상기 픽셀을 구동하는 산화물 박막 트랜지스터; It is formed at the intersection of the gate line and the power supply line oxide thin film transistor for driving the pixel; 상기 유기 박막 트랜지스터와 상기 산화물 박막 트랜지스터를 덮는 보호막; A protective film covering the organic thin film transistor and the oxide thin film transistor; 및 상기 픽셀 상에 형성된 유기 전계 발광층 및 전극층을 포함한다. And an organic light emitting layer and an electrode layer formed on said pixel.

본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 유기전계 발광소자 제조방법은, 제1 투명기판에 픽셀 전극을 형성하는 단계; Hybrid organic light emitting device manufacturing method in accordance with one embodiment of the present invention, the method comprising: forming a pixel electrode on the first transparent substrate; 상기 제1 투명기판에 게이트 배선을 형성하는 단계; Forming a gate wiring on the first transparent substrate; 게이트 절연막을 형성하는 단계; Forming a gate insulating film; 산화물로 반도체층, 유기 반도체층 및 소스 드레인 전극을 형성하는 단계; An oxide semiconductor layer, forming an organic semiconductor layer and source and drain electrodes; 보호막을 도포하는 단계; Applying a protective film; 유기 전계 발광층 및 전극층을 형성하는 단계; Forming an organic electroluminescent layer and the electrode layer; 및 제2 투명기판을 합착하는 단계를 포함한다. And a step of laminating the second transparent substrate.

펜타센을 반도체층으로 하는 유기 트랜지스터는 p 타입 트랜지스터로서 누설전류가 작고 전자 이동도가 크며, 반면 ZnO 등의 산화물 반도체를 반도체층으로 사용하는 산화물 트랜지스터는 n 타입으로 온 전류(on current)가 크다. Organic transistor of pentacene in the semiconductor layer are large in the leakage current is small electron mobility as a p-type transistors, also, while the oxide transistor using an oxide semiconductor of ZnO, such as a semiconductor layer is greater the on-current (on current) to the n-type .

본 발명에서는 누설전류의 크기와 이동도 특성이 중요한 인자인 스위치 트랜 지스터는 유기 트랜지스터로, 구동 능력이 중요한 인자인 구동 트랜지스터는 산화물 트랜지스터로 설계하였다. In the present invention, the size and mobility characteristics are an important factor of the switch transistor is an organic transistor of the leakage current, a driving transistor driving capability is an important factor, it designed an oxide transistor. 따라서 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에서는, 누설전류를 최소로 하여 디스플레이 구동시, 오프 시에는 완전히 꺼지게 하고 온 동작시에는 높은 휘도를 얻을 수 있다. Therefore, the organic EL device according to the present invention, there can be obtained a high luminance when the display when driven by the leakage current to a minimum, is completely turned off during off-and-on operation.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명한다. Reference to the accompanying drawings, the present will be described in detail an embodiment of the invention.

도2는 본 발명에 따른 하이브리드 유기전계 발광소자의 평면도이고, 도3a 내지 도3h는 본 발명에 따른 하이브리드 유기전계 발광소자의 제조방법을 나타내는 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing method of a hybrid organic EL device according to the present invention, a plan view, and is also to Figure 3a 3h of the hybrid organic EL device according to the present invention.

도2 및 도3a 내지 도3h를 참조하여, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 설명한다. 2 by reference to Figures 3a to 3h, illustrates the preparation of the organic EL device according to the present invention.

우선 도3a와 같이 유리 또는 플라스틱 등의 제1 투명기판(201)에 픽셀 전극(202)을 형성한다. First, forming a pixel electrode 202 on the first transparent substrate 201 such as glass or plastic as shown in Figure 3a. 픽셀 전극(202)으로는 ITO, IZO 등 산화 인듐 계열의 투명 전극이 사용될 수 있다. The pixel electrode 202 may be a transparent electrode of indium-based, such as ITO, IZO.

AB 영역은 스위칭 트랜지스터가 형성되는 영역이고, BC는 구동 트랜지스터가 형성되는 영역이며, CD는 픽셀 전극 영역에 해당한다. AB region is a region formed in the switching transistor, BC is a region formed by the driver transistor, CD corresponds to a pixel electrode region.

도3b와 같이 제1 게이트 전극(203)과 제2 게이트 전극(204)을 형성한다. To form a first gate electrode 203 and the second gate electrode 204 as shown in Figure 3b. 제1 게이트 전극(203)은 스위칭 트랜지스터용 게이트 전극이고, 제2 게이트 전극(204)은 구동 트랜지스터용 게이트 전극 및 스토리지 전극의 역할을 동시에 하는 전극이다. A first gate electrode 203 is the gate electrode for the switching transistor, the second gate electrode 204 is an electrode which serves as a gate electrode and a storage electrode driving transistor at the same time.

그리고 나서, 도3c와 같이 기판 전면에 게이트 절연막(205)을 도포한다. Then, the application of the gate insulating film 205 over the entire surface of the substrate as shown in Figure 3c.

도3d와 같이, 산화물 반도체층(206)을 형성하고, 게이트 절연막(205)에 콘택홀(207)을 형성한다. As it is shown in FIG. 3d, the oxide semiconductor layer to form a contact hole 207 formed in the unit 206, and the gate insulating film 205. 산화물 반도체층(206)은 구동 트랜지스터용 반도체층이다. The oxide semiconductor layer 206 is a semiconductor layer for the driving transistor. 산화물 반도체층(206)으로는 ZnO, ZnSnO, ZnInO, ZnGaInO 등을 사용할 수 있다. The oxide semiconductor layer 206 and the like may be used ZnO, ZnSnO, ZnInO, ZnGaInO.

도3e에서, 소스 및 드레인 전극(208)을 형성한다. In Figure 3e, to form a source and a drain electrode 208. 구동 트랜지스터용 제2 게이트 전극(204)의 드레인 전극은 픽셀 전극(202)과 연결된다. The drain electrode of the second gate electrode 204, the driving transistor is connected to the pixel electrode 202.

도3f에서, 스위칭 트랜지스터용 소스 및 드레인 전극(208) 사이에 유기 반도체층(210)을 형성한다. In Figure 3f, and between the switching transistor source and drain electrode 208 form the organic semiconductor layer 210. 유기 반도체층(210)으로는 펜타센 등을 사용할 수 있다. The organic semiconductor layer 210 may be used as the pentacene.

위와 같은 공정을 통해 스위칭 트랜지스터부(AB)에는 바텀 콘택 구조의 유기 박막 트랜지스터가 형성되고, 구동 트랜지스터부(BC)에는 탑 콘택 구조의 산화물 박막 트랜지스터가 형성된다. Through the above process, the transistor switching unit (AB) is formed in the organic thin film transistor of a bottom-contact structure, the driving transistor section (BC) is formed with an oxide thin film transistor of the top contact structure.

스위칭 트랜지스터부(AB)는 p타입 트랜지스터이고, 산화물 트랜지스터부(BC)는 n타입 트랜지스터이다. A switching transistor part (AB) is a p-type transistor, the oxide transistor section (BC) is the n-type transistors.

본 실시예에서는 구동 트랜지스터부(BC)의 산화물 반도체층(206)을 형성하고, 소스 드레인 전극(208)을 형성한 다음 스위칭 트랜지스터부(AB)의 유기 반도체층(210)을 형성하였지만, 그 순서를 바꾸어 산화물 반도체층(206)과 유기 반도체층(210)을 차례로 형성한 다음 소스 드레인 전극(208)을 형성할 수도 있다. In this embodiment, although to form an organic semiconductor layer 210 of the formation of the oxide semiconductor layer 206 of the driving transistor section (BC), and forming a source and drain electrode 208, and then the switching transistor unit (AB), in that order the alternating formation of the oxide semiconductor layer 206 and the organic semiconductor layer 210 in turn may be formed and then the source-drain electrode 208. 이 경우는 스위칭 트랜지스터부(AB)와 구동 트랜지스터부(BC) 모두 탑 콘택 구조가 될 것이다. In this case, the switching transistor section (AB) and the driving transistor section (BC) will be the top contact structure.

또한, 실시예에 따라서는, 소스 드레인 전극(208)을 형성하고 나서, 유기 반 도체층(210)과 산화물 반도체층(206)을 형성할 수도 있다. Further, depending upon the embodiment, after forming the source and drain electrode 208, it is also possible to form the organic semiconductor layer 210 and the oxide semiconductor layer 206. 이 경우는 스위칭 트랜지스터부(AB)와 구동 트랜지스터부(BC) 모두 바텀 콘택 구조가 될 것이다. In this case, the switching transistor section (AB) and the driving transistor section (BC) will be a bottom-contact structure.

그리고 나서, 도3g와 같이 기판 전면에 보호막(211)을 적층하고, 보호막(211) 중 픽셀 전극(202)에 해당하는 부분에 콘택홀(207)을 형성한다. Then, also form a contact hole 207 in the portion corresponding to the pixel electrode 202 of the laminated protective film 211 on the front substrate such as 3g, and a protective film 211.

보호막(211)으로는 파릴린, MgO 계열 재료 또는 페릴린 등의 유기 재료나, SiO2, SiNx 등의 무기 재료를 사용할 수 있다. A protective film 211, as may be used an inorganic material such as paril Lin, MgO-based material or an organic material such as Fe or Lilin, SiO2, SiNx.

그리고 나서, 도3h와 같이 픽셀 전극(202) 상부에 유기 전계 발광층(212) 및 전극(213)을 형성하고, 그 위에 제2 투명 기판(214)을 합착한다. Then, also forming a pixel electrode 202, the organic electroluminescent layer 212 and the electrode 213 on the top as shown in 3h, and cemented to the second transparent substrate 214 thereon.

유기 전계 발광층(212)은 도3h에 단일층으로 도시되어 있으나, 실제로는 유기 전계층(EL층), 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL)으로 구성된다. The organic electroluminescent layer 212 also are illustrated as a single layer to 3h, is actually made up of the organic layer before (EL layer), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL).

전극(213)은 픽셀 전극(213)과 대응되는 전극으로서, 픽셀 전극(213)과 함께 유기 전계 발광층(213)에 전압을 걸어주게 된다. Electrode 213 is a voltage is applied as an electrode corresponding to the pixel electrode 213, the pixel electrode 213, the organic electroluminescent layer 213, with.

실시예에 따라서는, 제2 투명 기판(214)의 하부에는 습기 방지를 위한 흡습제가 부착될 수 있다. Depending upon the embodiment, the lower part of the second transparent substrate 214 may be an absorbent for the moisture-proof attachment.

도4는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 등가회로에 대한 회로도이다. 4 is a circuit diagram of the equivalent circuit of the organic EL device according to the present invention.

도4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 등가회로는 p타입의 스위칭 트랜지스터(21)와 n 타입의 구동 트랜지스터(22)로 구성된다. 4, the equivalent circuit of the organic EL device according to the present invention includes a switching transistor 21 and the n-th driving transistors 22 of the type of the p-type. 발광 다이오드(24)는 도3h의 유기 전계 발광층(212)에 해당한다. A light emitting diode (24) corresponds to the organic light emitting layer 212 of Figure 3h.

스토리지 캐패시터(23)는 도3h의 제2 게이트 전극(204)과 전극(213)에 의해 형성된다. Storage capacitor 23 is also formed by the second gate electrode 204 and the electrode 213 of 3h.

도5a 및 도5b는 각각 종래 기술과 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 게이트 신호와 데이터 신호 관계를 나타내는 타이밍도이다. Figures 5a and 5b are timing diagrams showing the prior art and the gate signal and the data signal of the organic EL device according to the related invention.

도5a에서는, 스위칭 트랜지스터의 게이트 신호가 로우(low)일 때, 데이터가 활성화되며, 구동 트랜지스터에 따라 Black, Gray, White 등의 계조를 나타낸다. In Figure 5a, when the gate signal of the switching transistor low (low), the data is enabled, according to the driving transistor shown, such as a gray scale Black, Gray, White.

도5b에서는 도5a와 동일한 게이트 신호와 데이터 신호가 각각 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터에 입력된다고 할 때, 게이트 신호가 로우일 때 데이터가 활성화되지만, 도5a와는 반대로 Black에 해당하는 White 계조로, White에 해당하는 신호는 Black 계조로 나타나게 된다. Suppose that Figure 5b in Fig., The same gate signals and data signals and 5a input to each switching transistor and the driving transistor, the gate signal, but the data is active when low, as White gray-scale corresponding to the other hand in the Black than Figure 5a, in White that the signals are displayed as a gray scale Black.

본 발명의 하이브리드 유기전계 발광소자에 따르면, 유기 및 무기 트랜지스터의 단점은 최소화하고 장점을 최대화하여 최상의 특성을 발휘하는 유기전계 발광소자를 제조할 수 있다. According to the hybrid organic EL device of the present invention, it is possible to obtain an organic EL device exhibiting excellent characteristics to minimize the disadvantages of organic and inorganic transistor and to maximize the benefits.

본 발명의 하이브리드 유기전계 발광소자에 따르면, 누설전류의 크기와 이동도 특성이 중요한 인자인 스위치 트랜지스터는 유기 트랜지스터로, 구동 능력이 중요한 인자인 구동 트랜지스터는 산화물 트랜지스터로 설계함으로써, 누설전류를 최소로 하여 디스플레이 구동시 오프 시에는 완전히 꺼지게 하고, 온 동작 시에는 많 은 전류를 흘려 높은 휘도를 얻을 수 있다. According to the hybrid organic EL device of the present invention, the size and the movement of the leakage current characteristic is an important factor of the switching transistor is in the organic transistor, the driving capability of the drive transistor is an important factor is to minimize the leakage current by designing an oxide transistor and when there is completely turned off, the on-off operation when the display when driving it has many possible to obtain a high flowing a current brightness.

Claims (6)

  1. 서로 이격되어 대향합착되며, 다수의 픽셀이 형성된 제1,2 투명 기판; Are spaced apart from each other and attached to each other facing, first and second transparent substrates are formed of a plurality of pixels;
    상기 제1 투명 기판 상에 일렬로 배열된 게이트 배선; The first arranged in a line on a transparent substrate a gate interconnection;
    상기 게이트 배선에 수직 교차하며 일정간격으로 서로 이격되는 데이터 배선 및 전력 공급선; And a vertical cross data line, the power supply line to be spaced apart from each other at regular intervals on the gate wiring;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 형성되어 상기 픽셀을 턴온 시키는 유기 박막 트랜지스터; It is formed at the intersection of the gate line and data line, the organic thin film transistor to turn on the pixel;
    상기 게이트 배선과 전력 공급선의 교차지점에 형성되어 상기 픽셀을 구동하는 산화물 박막 트랜지스터; It is formed at the intersection of the gate line and the power supply line oxide thin film transistor for driving the pixel;
    상기 유기 박막 트랜지스터와 상기 산화물 박막 트랜지스터를 덮는 보호막; A protective film covering the organic thin film transistor and the oxide thin film transistor; And
    상기 픽셀 상에 형성된 유기 전계 발광층 및 전극층 Organic light emitting layer and an electrode layer formed on the pixel
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 유기전계 발광소자. Hybrid organic electroluminescent device comprising a.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유기 박막 트랜지스터의 반도체층은 펜타센으로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드 유기전계 발광소자. Hybrid organic light emitting device semiconductor layer of the organic thin film transistor is characterized by consisting of pentacene.
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 산화물 박막 트랜지스터의 반도체층은 ZnO, ZnSnO, ZnInO, ZnGaInO 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 하이브리드 유기전계 발광소자. Hybrid organic light emitting device of the semiconductor layer of the oxide thin film transistor is characterized by consisting of one of ZnO, ZnSnO, ZnInO, ZnGaInO.
  4. 제1 투명기판에 픽셀 전극을 형성하는 단계; Forming a pixel electrode on the first transparent substrate;
    상기 제1 투명기판에 게이트 배선을 형성하는 단계; Forming a gate wiring on the first transparent substrate;
    게이트 절연막을 형성하는 단계; Forming a gate insulating film;
    산화물로 반도체층, 유기 반도체층 및 소스 드레인 전극을 형성하는 단계; An oxide semiconductor layer, forming an organic semiconductor layer and source and drain electrodes;
    보호막을 도포하는 단계; Applying a protective film;
    유기 전계 발광층 및 전극층을 형성하는 단계; Forming an organic electroluminescent layer and the electrode layer; And
    제2 투명기판을 합착하는 단계; Comprising the steps of: laminating a second transparent substrate;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 유기전계 발광소자 제조방법. Method of manufacturing a hybrid organic electroluminescent device comprising: a.
  5. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 산화물로 반도체층, 유기 반도체층 및 소스 드레인 전극을 형성하는 단계는, Forming a semiconductor layer, an organic semiconductor layer and source-drain electrodes to the oxide,
    산화물층으로 구성된 반도체층을 형성하는 단계; Forming a semiconductor layer composed of an oxide layer;
    소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; Forming source and drain electrodes; And
    유기물로 구성된 반도체층을 형성하는 단계; Forming a semiconductor layer composed of an organic substance;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 유기전계 발광소자 제조방법. Method of manufacturing a hybrid organic electroluminescent device comprising: a.
  6. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 산화물로 반도체층, 유기 반도체층 및 소스 드레인 전극을 형성하는 단계는, Forming a semiconductor layer, an organic semiconductor layer and source-drain electrodes to the oxide,
    산화물층으로 구성된 반도체층을 형성하는 단계; Forming a semiconductor layer composed of an oxide layer;
    유기물로 반도체층을 형성하는 단계; Forming a semiconductor layer of an organic substance; And
    소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; Forming source and drain electrodes;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 유기전계 발광소자 제조방법. Method of manufacturing a hybrid organic electroluminescent device comprising: a.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010093119A3 (en) * 2009-02-16 2010-10-07 네오뷰코오롱 주식회사 Pixel circuit of oled panel, display device using the same and method for driving the oled panel
US7923735B2 (en) 2009-01-12 2011-04-12 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
KR101048965B1 (en) * 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 The organic light emitting display device
US8134152B2 (en) 2009-01-13 2012-03-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. CMOS thin film transistor, method of fabricating the same and organic light emitting display device having laminated PMOS poly-silicon thin film transistor with a top gate configuration and a NMOS oxide thin film transistor with an inverted staggered bottom gate configuration
US9214508B2 (en) 2014-02-24 2015-12-15 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US9691799B2 (en) 2014-02-24 2017-06-27 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9721973B2 (en) 2014-02-24 2017-08-01 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
JP2017199941A (en) * 2009-04-10 2017-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US9881986B2 (en) 2014-02-24 2018-01-30 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10186528B2 (en) 2014-02-24 2019-01-22 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10325937B2 (en) 2014-02-24 2019-06-18 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7923735B2 (en) 2009-01-12 2011-04-12 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
KR101064470B1 (en) * 2009-01-12 2011-09-15 삼성모바일디스플레이주식회사 Thin Film Transistor and fabrication method thereof
US8134152B2 (en) 2009-01-13 2012-03-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. CMOS thin film transistor, method of fabricating the same and organic light emitting display device having laminated PMOS poly-silicon thin film transistor with a top gate configuration and a NMOS oxide thin film transistor with an inverted staggered bottom gate configuration
KR101048965B1 (en) * 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 The organic light emitting display device
WO2010093119A3 (en) * 2009-02-16 2010-10-07 네오뷰코오롱 주식회사 Pixel circuit of oled panel, display device using the same and method for driving the oled panel
CN102714018B (en) * 2009-02-16 2015-06-03 娜我比可隆株式会社 Pixel circuit of OLED panel, display device using the same and method for driving the OLED panel
JP2017199941A (en) * 2009-04-10 2017-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US9455279B2 (en) 2014-02-24 2016-09-27 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9691799B2 (en) 2014-02-24 2017-06-27 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9721973B2 (en) 2014-02-24 2017-08-01 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9214508B2 (en) 2014-02-24 2015-12-15 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US9881986B2 (en) 2014-02-24 2018-01-30 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10186528B2 (en) 2014-02-24 2019-01-22 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10325937B2 (en) 2014-02-24 2019-06-18 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same

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