KR20080057159A - Electrostatic chuck - Google Patents

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KR20080057159A
KR20080057159A KR1020070131954A KR20070131954A KR20080057159A KR 20080057159 A KR20080057159 A KR 20080057159A KR 1020070131954 A KR1020070131954 A KR 1020070131954A KR 20070131954 A KR20070131954 A KR 20070131954A KR 20080057159 A KR20080057159 A KR 20080057159A
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KR
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wiring pattern
plurality
wiring
electrostatic chuck
substrate
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Application number
KR1020070131954A
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Korean (ko)
Inventor
고키 다마가와
히로시 요네쿠라
나오토 하야시
Original Assignee
신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Abstract

An electrostatic chuck is provided to generate a strong gradient force by configuring an electrostatic electrode as the plural first wiring patterns which are extended toward a first direction, and the plural second wiring patterns which are installed on a floor different from the first wiring patterns and extended toward a second direction. A machine comprises a plane for mounting a substrate. An electrostatic chuck comprises an electrostatic electrode(12) built-in in the machine. The electrostatic electrode comprises the plural first wiring patterns(17,19) which are extended toward a first direction, and the plural second wiring patterns(23,25) which are installed on a floor different from the first wiring patterns, and extended toward a second direction different from the first direction. In the state looked in the plane, the first wiring patterns are crossed over the second wiring patterns.

Description

정전 척{Electrostatic Chuck} Electrostatic Chuck chuck {}

본 발명은 정전 척에 관한 것으로서, 특히 기체(基體) 상(上)에 탑재 배치된 기판을 흡착하는 정전 척에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic chuck to adsorb, in particular with a substrate disposed on the base body (基 體) phase (上) relates to an electrostatic chuck.

유리 기판이나 반도체 기판 등의 기판 상(上)에 막을 형성하는 성막 장치나, 기판 상에 형성된 막을 패터닝하는 에칭 장치 등의 제조 장치에는, 구배력(gradient force)에 의해 기판을 흡착시키는 정전 척(chuck)(도 1 및 도 2 참조)이 설치되어 있다. In the manufacturing apparatus, such as a glass substrate or an etching apparatus for patterning a substrate a film is formed on the film-forming apparatus or a substrate to form a film on the (上) such as a semiconductor substrate, an electrostatic chuck adsorbing the substrate by the gradient force (gradient force) ( chuck) (see FIGS. 1 and 2) are provided.

도 1은 종래의 정전 척의 평면도이다. 1 is a plan view of the conventional electrostatic chuck.

도 1을 참조하면, 종래의 정전 척(200)은 기체(基體)인 세라믹판(201)과, 정전 적극(210)과, 전원(208)을 갖는다. 1, the conventional electrostatic chuck 200 has a ceramic plate 201 and a positive electrostatic 210 and the power source 208, gas (基 體). 세라믹판(201)은 기판(도시 생략)이 탑재 배치되는 탑재 배치면(201A)을 갖는다. The ceramic plate (201) has a substrate surface (not shown) disposed with disposed with the (201A). 세라믹판(201)은 평면에서 본 상태에서, 사각형으로 되어 있다. Ceramic plate 201 is in this state in a plan view, is a square.

도 2는 도 1에 나타낸 종래의 정전 척의 FF선 방향의 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view of a conventional electrostatic chuck FF line direction shown in Fig.

도 1 및 도 2를 참조하면, 정전 전극(210)은 배선 패턴(202, 205)과, 제 1 배선 패턴(203)과, 제 2 배선 패턴(206)을 갖는다. 1 and 2, an electrostatic electrode 210 has a wiring pattern (202, 205), a first wiring pattern 203 and a second wiring pattern (206). 배선 패턴(202, 205), 제 1 배 선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)은 세라믹판(201)에 내장되어 있다. A wiring pattern (202, 205), the first wiring pattern 203, and a second wiring pattern 206 is embedded in the ceramic plate (201). 배선 패턴(202, 205), 제 1 배선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)은 동일한 평면 상에 배치되어 있다. A wiring pattern (202, 205), the first wiring pattern 203, and a second wiring pattern 206 is arranged on the same plane.

배선 패턴(202)은 세라믹판(201)의 측면(201B)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(201)에 내설되어 있다. A wiring pattern 202 is naeseol a ceramic plate 201 of a portion positioned in the vicinity of the side surface (201B) of the ceramic plate (201). 배선 패턴(202)은 X1, X1 방향으로 연장되는 패턴이다. Wiring pattern 202 is a pattern extending in the X1, X1 direction. 배선 패턴(202)은 전원(208)의 플러스 단자(208A)와 접속되어 있다. Wiring pattern 202 is connected to the plus terminal (208A) of the power source 208.

제 1 배선 패턴(203)은 Y1, Y1 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, 그 한쪽의 단부(端部)는 배선 패턴(202)과 접속되어 있다. A first wiring pattern 203 is Y1, and the wiring pattern extending in the Y1 direction, the end portion (端 部) of the one side is connected to the line pattern 202. 제 1 배선 패턴(203)은 X1, X1 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치되어 있다. A first wiring pattern 203 is arranged at a predetermined interval with respect to X1, X1 direction. 제 1 배선 패턴(203)의 폭(W11)은 예를 들어, 2㎜로 할 수 있다. The width (W11) of the first wiring pattern 203, for example, can be a 2㎜.

배선 패턴(205)은 세라믹판(201)의 측면(201C)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(201)에 내설되어 있다. A wiring pattern 205 is naeseol a ceramic plate 201 of a portion positioned in the vicinity of the side surface (201C) of the ceramic plate (201). 배선 패턴(205)은 X1, X1 방향으로 연장되는 패턴이다. A wiring pattern 205 is a pattern extending in the X1, X1 direction. 배선 패턴(205)은 전원(208)의 마이너스 단자(208B)와 접속되어 있다. Wiring pattern 205 is connected to the negative terminal (208B) of the power source 208.

제 2 배선 패턴(206)은 Y1, Y1 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, 그 한쪽의 단부는 배선 패턴(205)과 접속되어 있다. A second wiring pattern 206 is Y1, and the wiring pattern extending in the Y1 direction, the ends of the one side is connected to the line pattern 205. 제 1 배선 패턴(203) 및 제 2 배선 패턴(206)은 X1, X1 방향에 대하여 번갈아 배치되어 있다. A first wiring pattern 203 and the second wiring pattern 206 are alternately disposed with respect to X1, X1 direction. 제 2 배선 패턴(206)은 제 1 배선 패턴(203)과 전기적으로 절연되어 있다. Second wiring patterns 206 are insulated by the first wiring pattern 203 and electrically. 제 2 배선 패턴(206)의 폭은 예를 들어, 2㎜로 할 수 있다. The width of the second wiring pattern 206, for example, can be a 2㎜.

상기 구성으로 이루어진 정전 척(200)은 배선 패턴(202, 205), 제 1 배선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력에 의해, 세라믹판(201) 상에 탑재 배치된 기판(도시 생략)을 흡착한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). By the gradient force which the electrostatic chuck 200 is composed of the arrangement it is generated by applying a voltage to the wiring pattern (202, 205), the first wiring pattern 203, and a second wiring pattern (206), ceramic plate (201 ) adsorbs to the substrate (not shown) is disposed mounted on (for example, see Patent Document 1).

[특허문헌 1] 일본국 공개특허2001-308166호 공보 Patent Document 1: Japanese Laid-open Patent Publication 2001-308166 discloses

그러나, 종래의 정전 척(200)에서는, 정전 전극(210)의 흡착력(이 경우에는 구배력)이 약하기 때문에, 예를 들어 면적이 큰 기판(예를 들어, 액정에 사용되는 유리 기판)을 흡착할 경우, 기판의 하면(下面) 전체를 확실하게 흡착하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다. However, in the conventional electrostatic chuck 200, the attracting force of the electrostatic electrode 210 because of weak (in this case, the gradient force), for example, an area of ​​a large substrate adsorption (for example, a glass substrate used for liquid crystal) If, when the substrate (下面) there has been a problem that it is difficult to reliably adsorb whole.

또한, 배선 패턴(202, 205), 제 1 배선 패턴(203), 및 제 2 배선 패턴(206)에 높은 전압(예를 들어, 5000V 이상)을 인가하여, 정전 전극(210)의 흡착력을 강하게 하는 것을 생각할 수 있지만, 이 경우, 기판 상에 형성된 회로가 파괴되게 된다. Further, by applying a wiring pattern (202, 205), the first wiring pattern 203, and a second wiring pattern 206, a high voltage (e.g., more than 5000V), the stronger the attracting force of the electrostatic electrode 210 Although conceivable that, in this case, the circuit is to be formed on the substrate is broken.

그래서, 본 발명은 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있는 정전 척을 제공하는 것을 목적으로 한다. Therefore, an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck which can be securely adsorbed to the substrate disposed on the mounting base.

본 발명의 일 관점에 의하면, 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체(基體)와, 상기 기체에 내장된 정전(靜電) 전극을 구비한 정전 척(chuck)으로서, 상기 정전 전극은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 배선 패턴과, 상기 복수의 제 1 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 상기 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 배선 패턴을 갖고, 평면에서 본 상태에서, 상기 복수의 제 1 배선 패턴과 상기 복수의 제 2 배선 패턴을 교차시킨 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다. According to one aspect of the present invention, the gas (基 體) having an on-board placement surface on which the substrate is mounted arrangement, as an electrostatic chuck (chuck) having a power failure (靜電) electrode embedded in the base body, the electrostatic electrode is the and a plurality of first wiring patterns extending in the first direction, and the plurality of first wiring pattern is provided on the different layers, the first direction and has a plurality of the second wiring patterns extending in a second, different direction, in this state in a plane, the electrostatic chuck for a plurality of the first wiring pattern and the second plurality of wiring patterns, wherein that intersection is provided.

본 발명에 의하면, 정전 전극을, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 배선 패턴과, 복수의 제 1 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 배선 패턴을 구비한 구성으로 하는 동시에, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 1 배선 패턴과 복수의 제 2 배선 패턴을 교차 시킴으로써, 단층(單層)의 배선 패턴에 의해 구성된 종래의 정전 전극보다도 강한 구배력을 발생시키는 것이 가능해지기 때문에, 세라믹판 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다. According to the present invention, the plurality extending in an electrostatic electrode, a second plurality of the first wiring pattern, and is installed in the different layers and a plurality of the first wiring pattern, the first direction is different from the first direction extending in the first direction the second at the same time as a configuration provided with a wiring pattern, in this state in a plan view, the plurality of first wiring pattern and a plurality of second intersection by a wiring pattern, conventional electrostatic configured by a wiring pattern of the single layer (單層) since it is possible to generate a strong draft force than the electrode, it can be reliably adsorbed to the substrate disposed mounted on a ceramic plate.

또한, 복수의 제 1 배선 패턴과 복수의 제 2 배선 패턴을 교차시킴으로써, 정전 척이 다층 소성(燒成) 세라믹 기판일 경우, 소성 시에서의 세라믹판의 수축 편차를 작게 하는 것이 가능해지기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴의 치수 편차를 최소한으로 할 수 있다. In addition, since it is possible that by crossing a plurality of the first wiring pattern and the plurality of the second wiring pattern, reducing the shrinkage difference of the ceramic plate at the, time of firing when the electrostatic chuck is a multi-layer plastic (燒成) a ceramic substrate, the dimensional variations of the plurality of first and second wiring patterns can be minimized.

본 발명의 다른 관점에 의하면, 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체와, 상기 기체에 내장된 정전 전극을 구비한 정전 척으로서, 상기 정전 전극은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 배선 패턴과, 상기 복수의 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 상기 복수의 배선 패턴보다도 폭이 넓은 형상으로 된 적어도 2개 이상의 도체층을 갖고, 평면에서 본 상태에서, 상기 적어도 2개 이상의 도체층을 상기 복수의 배선 패턴과 중첩되도록 배치한 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다. According to another aspect of the present invention, as the electrostatic chuck provided with an electrostatic electrode embedded in the base body and the base body having a substrate mounting arrangement surface on which the substrate is mounted arrangement, wherein the electrostatic electrode is a plurality of wiring patterns extending in the first direction and is provided on the different layers, and the plurality of wiring patterns, having at least two or more conductor layers the widths of all the plurality of wiring patterns of a wide shape, in this state in a plan view, the at least two conductive layers the electrostatic chuck, characterized in that arranged so as to overlap with the plurality of wiring patterns are provided.

본 발명에 의하면, 정전 전극을, 제 1 방향으로 연장되는 복수의 배선 패턴과, 복수의 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 복수의 배선 패턴보다도 폭이 넓 은 형상으로 된 적어도 2개 이상의 도체층을 구비한 구성으로 하는 동시에, 평면에서 본 상태에서, 적어도 2개 이상의 도체층을 복수의 배선 패턴과 중첩되도록 배치함으로써, 복수의 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력과, 적어도 2개 이상의 도체층에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력(coulomb force)에 의해 기판을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다. According to the present invention, an electrostatic electrode, a and is installed in the different layers and a plurality of wiring patterns and a plurality of wiring patterns extending in the first direction, the at least two conductors of a plurality of the wiring pattern is more than a width of a wide shape while a configuration having a layer, in this state in a plan view, by arranging so that at least overlap the two or more conductor layers and a plurality of wiring patterns, the gradient force generated by applying a voltage to the plurality of wiring patterns, at least two since possible to adsorb the substrate by a Coulomb force (coulomb force) generated by applying a voltage over the conductor layer, it is possible to reliably adsorb a substrate disposed on the mounting base.

본 발명의 그 외의 관점에 의하면, 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체와, 상기 기체에 내장된 정전 전극을 구비한 정전 척으로서, 상기 정전 전극은 상기 기체의 중앙부에 배치된 제 1 배선 패턴과, 상기 제 1 배선 패턴의 외측(外側)에 배치된 제 2 배선 패턴을 갖고, 상기 제 1 배선 패턴의 폭을 0.5㎜∼2.0㎜로 하는 동시에, 상기 제 2 배선 패턴의 폭을 상기 제 1 배선 패턴의 폭보다도 넓게 한 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다. According to other aspect of the invention, the substrate is a substrate having a substrate mounting seating surface is arranged with, as an electrostatic chuck having an electrostatic electrode embedded in the base body, the electrostatic electrode is disposed at the central portion of the gas first having a second wiring pattern disposed on the outer side (外側) of the wiring pattern and the first wiring pattern, while the width of the first wiring pattern in the 0.5㎜~2.0㎜, wherein the width of the second wiring pattern the electrostatic chuck, characterized in that a wider than the width of the first wiring pattern is provided.

본 발명에 의하면, 정전 전극을, 기체의 중앙부에 배치된 제 1 배선 패턴과, 제 1 배선 패턴의 외측에 배치된 제 2 배선 패턴을 구비한 구성으로 하는 동시에, 제 1 배선 패턴의 폭을 0.5㎜∼2.0㎜로 하고, 또한 제 2 배선 패턴의 폭을 제 1 배선 패턴의 폭보다도 넓게함으로써, 기판의 면적이 작은 경우에는, 제 1 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력에 의해 기판을 흡착하고, 기판의 면적이 큰 경우에는, 상기 구배력과 제 2 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력에 의해 기판을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 기판의 면적(사이즈)에 의존하지 않고, 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다. According to the present invention, the electrostatic electrode, and at the same time as a configuration provided with a second wiring pattern disposed on the outer side of the first wiring pattern, a first wiring pattern disposed on the central portion of the base, the width of the first wiring pattern 0.5 by a ㎜~2.0㎜, and also wider than the width of the first wiring pattern of the width of the second wiring pattern, when the small area of ​​the substrate, the first substrate by the gradient force generated by applying a voltage to the first wiring pattern adsorption, and, in the case where the area of ​​the substrate is large, because it is possible to adsorb the substrate by a Coulomb force generated by applying the gradient force and the voltage on the second wiring pattern, without depending on the area (size) of the substrate, It can be reliably adsorbed to the substrate disposed on the mounting base.

본 발명에 의하면, 기체 상에 탑재 배치된 기판을 확실하게 흡착할 수 있다. According to the present invention, it is possible to reliably adsorb a substrate disposed on the mounting base.

다음으로, 도면에 의거하여 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. Next, a description will be given of an embodiment of the present invention on the basis of the drawings.

(제 1 실시예) (Example 1)

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 척(chuck)의 평면도이다. 3 is a plan view of the electrostatic chuck (chuck) of the first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 제 1 실시예의 정전 전극(10)은 기체(基體)인 세라믹판(11)과, 정전 전극(12)과, 전원(13, 14)을 갖는다. 3, the first embodiment of the electrostatic electrode 10 has a ceramic plate 11 and the electrostatic electrode 12 and the power source (13, 14) gas (基 體). 본 실시예에서는, 유전체인 세라믹층이 다층으로 적층된 세라믹판(11)의 내층(內層)에 정전 전극(12)을 갖는 구성으로 이루어진 정전 척(10)을 예로 들어 설명한다. In this embodiment, the dielectric ceramic layer is described as an inner layer configured electrostatic chuck 10 having an electrostatic electrode consisting of a 12 in (內層) of the ceramic plate 11 stacked in multiple layers as an example.

도 4는 도 3에 나타낸 정전 척의 AA선 방향의 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the AA line direction shown in Fig. 도 4에서는, 도 3에 도시하고 있지 않은 기판을 도시한다. In Figure 4, it shows a substrate that is not shown in Fig.

도 3 및 도 4를 참조하여, 세라믹판(11), 정전 전극(12), 및 전원(13, 14)을 차례로 설명한다. 3 and 4, description will now be a ceramic plate 11, the electrostatic electrode 12, and a power source (13, 14) in this order.

세라믹판(11)은 평면에서 보아 사각형으로 이루어져 있고, 기판(20)이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면(11A)을 갖는다. The ceramic plate (11) which are made up of square when viewed in plan, and has a substrate 20, a substrate mounting seating surface (11A) disposed with. 세라믹판(11)의 재료로서는, 예를 들어 Al 2 O 3 를 사용할 수 있다. As a material of the ceramic plate 11, for example, it can be used Al 2 O 3. 세라믹판(11)의 두께는 예를 들어, 2㎜로 할 수 있다. The thickness of the ceramic plate 11 may be, for example, by 2㎜. 기판(20)으로서는, 예를 들어 절연 기판을 사용할 수 있다. As the substrate 20, for example, it may be an insulating substrate. 절연 기판으로서는, 예를 들어 액정 패널에 사용되는 유리 기판을 사용할 수 있다. As the insulating substrate, for example, it may be a glass substrate used for a liquid crystal panel. 기판(20) 상에는, 도시하고 있지 않은 회로가 형성되어 있다. On the substrate 20, a circuit that is not shown is formed.

정전 전극(12)은 배선 패턴(16, 18, 22, 24)과, 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 제 2 배선 패턴(23, 25)을 갖는다. The electrostatic electrode 12 has a wiring pattern (16, 18, 22, 24), a first wiring pattern (17, 19) and a second wiring pattern (23, 25). 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)은 기판 탑재 배치면(11A)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내장되어 있다. A wiring pattern (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19) is embedded in the ceramic plate 11 of the portion positioned in the vicinity of the substrate mounting seating surface (11A). 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. A wiring pattern (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19) are arranged on the same plane in the ceramic plate 11,. 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 하방(下方)에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내장되어 있다. A wiring pattern (22, 24) and a second wiring pattern (23, 25) is a ceramic plate 11 of the portion which is located than the lower (下方), wiring patterns (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19) a built-in. 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. A wiring pattern (22, 24) and a second wiring pattern (23, 25) are arranged on the same plane in the ceramic plate 11,.

배선 패턴(16)은 세라믹판(11)의 측면(11E)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. A wiring pattern 16 is disposed in the ceramic plate 11 which is located in the vicinity of the side surface (11E) of the ceramic plate 11. 배선 패턴(16)은 Y, Y 방향으로 연장되어 있고, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다. A wiring pattern 16 extends in the Y, Y direction, and is electrically connected to the positive terminal (13A) of the power source 13.

제 1 배선 패턴(17)은 X, X 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, Y, Y 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치되어 있다. A first wiring pattern 17 is disposed at a predetermined interval, and the wiring pattern, with respect to Y, Y direction extending in a X, X direction. 즉, 제 1 배선 패턴(17)은 복수 설치되어 있다. That is, the first wiring pattern 17 are provided a plurality. 제 1 배선 패턴(17)은 그 한쪽의 단부가 배선 패턴(16)과 접속되어 있다. A first wiring pattern 17 has the end of its one side is connected to the wiring pattern 16.

배선 패턴(18)은 세라믹판(11)의 측면(11D)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. A wiring pattern 18 is disposed in the ceramic plate 11 which is located in the vicinity of the side surface (11D) of the ceramic plate 11. 배선 패턴(18)은 Y, Y 방향으로 연장되어 있고, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다. A wiring pattern 18 extends in the Y, Y direction, and is electrically connected to the negative terminal (13B) of the power source 13.

제 1 배선 패턴(19)은 X, X 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, Y, Y 방향에 대하여 복수 설치되어 있다. The first wiring pattern 19 is a wiring pattern, and the plurality of installation with respect to Y, Y direction extending in a X, X direction. 제 1 배선 패턴(19)은 제 1 배선 패턴(17)과 전기적 으로 절연되어 있다. The first wiring pattern 19 is electrically insulated from the first wiring pattern (17). 제 1 배선 패턴(17, 19)은 Y, Y 방향으로 번갈아 배치되어 있다. A first wiring pattern (17, 19) are alternately arranged in the Y, Y direction. 제 1 배선 패턴(19)의 한쪽의 단부는 배선 패턴(18)과 접속되어 있다. The end of one side of the first wiring pattern 19 is connected to the wiring pattern 18.

제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. The width (W1, W2) of the first wiring patterns 17 and 19 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜. 제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)을 0.5㎜보다도 작게 형성하는 것은 기술적으로 곤란하다. The first formed smaller than the width (W1, W2) of the first wiring pattern (17, 19) 0.5㎜ it is technically difficult to. 또한, 제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)이 2.0㎜보다도 크면 발생하는 구배력이 작아지기 때문에, 흡착력이 부족하게 된다. In addition, the first, since the smaller width (W1, W2) is larger than the gradient strength that occurs 2.0㎜ of the wiring patterns 17 and 19, the attraction force is short.

이와 같이, 제 1 배선 패턴(17, 19)의 폭(W1, W2)을 0.5㎜∼2.0㎜로 함으로써, 제 1 배선 패턴(17, 19)에 전압을 인가했을 때, 구배력을 발생시킬 수 있다. Thus, the width of the first wiring pattern (17, 19) when applying a voltage to the first wiring pattern (17, 19) by with the 0.5㎜~2.0㎜ (W1, W2), can generate a gradient force have.

제 1 배선 패턴(17, 19)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. The thickness of the first wiring patterns 17 and 19 may be, for example, by 10㎛. 또한, 제 1 배선 패턴(17)과 제 1 배선 패턴(19)의 간격(D1)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. In addition, the distance (D1) of the first wiring pattern 17 and the first wiring pattern 19 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜. 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 재료로서는, 예를 들어 텅스텐을 사용할 수 있다. As a material of the wiring pattern (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19), for example, it may be tungsten.

배선 패턴(22)은 세라믹판(11)의 측면(11B)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. A wiring pattern 22 is disposed in the ceramic plate 11 which is located in the vicinity of the side surface (11B) of the ceramic plate 11. 배선 패턴(22)은 X, X 방향으로 연장되어 있고, 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. A wiring pattern 22 is electrically connected to the positive terminal (14A) of the power supply 14, and extends in the X, X direction.

제 2 배선 패턴(23)은 Y, Y 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, X, X 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치되어 있다. The second wiring pattern 23 is a wiring pattern extending in the Y, Y direction, X, is arranged at a predetermined interval with respect to the X direction. 즉, 제 2 배선 패턴(23)은 평면에서 본 상태에서, 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차(본 실시예의 경우에는 직교)하도록 배치되어 있다. That is, the second wiring pattern 23 is disposed to the present state in the plane, the first wiring pattern (17, 19) and crossing (orthogonal example case of this embodiment). 제 2 배선 패턴(23)의 한쪽의 단부는 배선 패턴(22)과 접속되어 있다. The second end of one of the wiring pattern 23 is connected to the wiring pattern 22.

배선 패턴(24)은 세라믹판(11)의 측면(11C)의 근방에 위치하는 세라믹판(11) 내에 배치되어 있다. A wiring pattern 24 is disposed in the ceramic plate 11 which is located in the vicinity of the side surface (11C) of the ceramic plate 11. 배선 패턴(24)은 X, X 방향으로 연장되어 있고, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. A wiring pattern 24 is electrically connected to the negative terminal (14B) of the power supply 14, and extends in the X, X direction.

제 2 배선 패턴(25)은 Y, Y 방향으로 연장되는 배선 패턴이고, Y, Y 방향에 대하여 복수 설치되어 있다. The second wiring pattern 25 is a wiring pattern extending in the Y, Y direction, and is provided for the plurality of Y, Y direction. 제 2 배선 패턴(25)은 제 2 배선 패턴(23)과 전기적으로 절연되어 있다. The second wiring pattern 25 is insulated from the second wiring pattern 23 electrically. 제 2 배선 패턴(23, 25)은 X, X 방향으로 번갈아 배치되어 있다. A second wiring pattern (23, 25) are arranged alternately in X, X direction. 즉, 제 2 배선 패턴(25)은 평면에서 본 상태에서, 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차(본 실시예의 경우에는 직교)하도록 배치되어 있다. That is, the second wiring pattern 25 is arranged so that in this state in a plan view, a first wiring pattern (17, 19) and crossing (orthogonal example case of this embodiment). 제 2 배선 패턴(25)의 한쪽의 단부는 배선 패턴(24)과 접속되어 있다. The second end of one of the wiring pattern 25 is connected to the wiring pattern 24.

제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. The second width (W3, W4) of the wiring patterns 23 and 25 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜. 제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)을 0.5㎜보다도 작게 형성하는 것은 기술적으로 곤란하다. The first formed smaller than the width (W3, W4) of the second wiring pattern (23, 25) 0.5㎜ it is technically difficult to. 또한 제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)이 2.0㎜보다도 크면 발생하는 구배력이 작아지게 되기 때문에, 흡착력이 부족하게 된다. In addition, since the second width (W3, W4), a gradient force that is greater than the occurrence 2.0㎜ of the wiring pattern (23, 25) becomes smaller, the attraction force is short.

이와 같이, 제 2 배선 패턴(23, 25)의 폭(W3, W4)을 05㎜∼2.0㎜로 함으로써, 제 2 배선 패턴(23, 25)에 전압을 인가했을 때, 구배력을 발생시킬 수 있다. Thus, the when applying a voltage to the second wiring pattern (23, 25) by a second 05㎜~2.0㎜ the width (W3, W4) of the wiring pattern (23, 25), can generate a gradient force have.

제 2 배선 패턴(23, 25)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. The thickness of the second wiring patterns 23, 25 may be, for example, by 10㎛. 또한, 제 2 배선 패턴(23)과 제 2 배선 패턴(25)의 간격(D2)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. In addition, the distance (D2) of the second wiring pattern 23 and the second wiring pattern 25, for example, can be a 0.5㎜~2.0㎜. 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25)의 재료로서는, 예를 들어 텅스텐을 사용할 수 있다. As a material of the wiring pattern (22, 24) and a second wiring pattern (23, 25) and the like can be used, for example tungsten.

이와 같이, 정전 전극(12)을, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과는 상이한 층에 설치되고, 평면에서 본 상태에서 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차하는 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)을 갖는 구성으로함으로써, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가하여, 종래보다도 강한 구배력을 발생시키는 것이 가능해 지기 때문에, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치되는 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다. In this way, the electrostatic electrode 12, and is installed in the different layers and the plurality of first wiring pattern (17, 19) and a plurality of first wiring pattern (17, 19), a plurality of first in this state in a plan view a low voltage to the first wiring pattern (17, 19) and by having a plurality of second wiring patterns 23, 25 intersecting the configuration, the plurality of first and second wiring pattern (17, 19, 23, 25, for example, by applying 3000V), since it is possible to generate a strong draft force than the conventional, it is possible to reliably adsorb the substrate 20 is arranged mounted on a ceramic plate 11.

또한, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압이 낮기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압에 의해, 기판(20) 상에 형성된 회로(도시 생략)가 파괴되는 것을 방지할 수 있다. Further, the voltage to be applied to, because the plurality of first and second wiring patterns (17, 19, 23, 25), the voltage is low, to be applied to the plurality of first and second wiring pattern (17, 19, 23, 25) the result, it is possible to prevent the destruction of the circuit (not shown) formed on the substrate 20.

또한, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)과 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)을 교차시켜 배치함으로써, 정전 척(10)이 다층 소성 세라믹 기판으로 이루어질 경우, 소성 시에서의 세라믹판(11)의 수축 편차를 작게 하는 것이 가능해지기 때문에, 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)의 치수 편차를 최소한으로 할 수 있다. In addition, when in this state in a plan view, by by intersecting the plurality of first wiring pattern (17, 19) and a plurality of second wiring pattern (23, 25) arranged, the electrostatic chuck 10 is made of a multi-layer co-fired ceramic substrate , since it is possible to reduce the shrinkage variation of the ceramic plate 11 at the time of firing, it is possible to at least the dimensional variations of the first and second wiring patterns (17, 19, 23, 25).

전원(13)은 플러스 단자(13A)와, 마이너스 단자(13B)를 갖는다. Power source 13 has a positive terminal (13A) and minus terminals (13B). 플러스 단자(13A)는 배선 패턴(16)과 전기적으로 접속되어 있다. Positive terminal (13A) is electrically connected to the wiring pattern 16. 마이너스 단자(13B)는 배선 패턴(18)과 전기적으로 접속되어 있다. Negative terminal (13B) is electrically connected to the line pattern (18). 전원(13)은 배선 패턴(16, 18)을 통하여, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)에 전압을 인가하기 위한 것이다. Power source 13 is for applying a voltage to the plurality of first wiring pattern (17, 19) via wiring pattern (16, 18).

전원(14)은 플러스 단자(14A)와, 마이너스 단자(14B)를 갖는다. Power supply 14 has a positive terminal (14A) and minus terminals (14B). 플러스 단자(14A)는 배선 패턴(22)과 전기적으로 접속되어 있다. Positive terminal (14A) is electrically connected to the wiring pattern 22. 마이너스 단자(14B)는 배선 패턴(24)과 전기적으로 접속되어 있다. Negative terminal (14B) is electrically connected to the wiring pattern 24. 전원(14)은 배선 패턴(22, 24)을 통하여, 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)에 전압을 인가하기 위한 것이다. Power supply 14 is for applying a voltage to the plurality of the second wiring patterns 23 and 25 through the wiring pattern (22, 24).

본 실시예의 정전 척에 의하면, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)은 상이한 층에 설치되고, 평면에서 본 상태에서 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 교차하는 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)을 갖는 정전 전극(12)을 설치함으로써, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가하여, 종래보다도 강한 구배력을 발생시키는 것이 가능해지기 때문에, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치되는 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다. According to the embodiment the electrostatic chuck of the present embodiment, the plurality of first wiring pattern (17, 19) and a plurality of first wiring pattern (17, 19) is provided on the different layers, the plurality of first wiring pattern in this state in a plan view 17,19 and intersecting a plurality of second interconnection by providing the electrostatic electrode 12 having a pattern (23, 25), lower the plurality of first and second wiring patterns (17, 19, 23, 25) for voltage is applied (e.g., 3000V), since it is possible to generate a strong draft force than the conventional, it is possible to reliably adsorb the substrate 20 is arranged mounted on a ceramic plate 11.

또한, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압이 낮기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)에 인가하는 전압에 의해, 기판(20) 상에 형성된 회로(도시 생략)가 파괴되는 것을 방지할 수 있다. Further, the voltage to be applied to, because the plurality of first and second wiring patterns (17, 19, 23, 25), the voltage is low, to be applied to the plurality of first and second wiring pattern (17, 19, 23, 25) the result, it is possible to prevent the destruction of the circuit (not shown) formed on the substrate 20.

또한, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)과 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)을 교차시켜 배치함으로써, 정전 척(10)이 다층 소성 세라믹 기판으로 이루어질 경우, 소성 시에서의 세라믹판(11)의 수축 편차를 작게 하는 것이 가능해지기 때문에, 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)의 치수 편차를 최소한으로 할 수 있는다. In addition, when in this state in a plan view, by by intersecting the plurality of first wiring pattern (17, 19) and a plurality of second wiring pattern (23, 25) arranged, the electrostatic chuck 10 is made of a multi-layer co-fired ceramic substrate , since it is possible to reduce the shrinkage variation of the ceramic plate 11 at the time of firing, the can be a minimum of dimensional variations of the first and second wiring patterns (17, 19, 23, 25).

또한, 본 실시예에서는, 평면에서 본 상태에서, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)이 직교하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)은 교차하고 있으면 되고, 도 3에 나타낸 제 1 및 제 2 배선 패턴(17, 19, 23, 25)의 배치예에 한정되지 않는다. In this embodiment, in this state in a plan view, the plurality of first wiring pattern (17, 19) and a plurality of second wiring pattern (23, 25) has been described an example in which the orthogonal example, the plurality of first limited to the arrangement example of the wiring pattern (17, 19) and a plurality of second wiring patterns 23 and 25 are first and second wiring patterns (17, 19, 23, 25) shown in Fig. If the crossing is, 3 no.

또한, 배선 패턴(16, 18) 및 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)의 상방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에, 배선 패턴(22, 24) 및 복수의 제 2 배선 패턴(23, 25)을 내설(內設)할 수도 있다. In addition, the wiring pattern (16, 18) and a plurality of first wiring patterns 17 and 19 in the ceramic plate 11, a wiring pattern (22, 24) of a portion positioned above a and a plurality of second wiring patterns ( 23, 25) may be naeseol (內設). 이 경우에도, 본 실시예의 정전 척(10)과 동일한 효과를 얻을 수 있다. In this case as well, the same effect can be obtained with the embodiment the electrostatic chuck 10 of this embodiment.

또한, 세라믹판(11)의 형상은 평면에서 보아 사각형으로 한정되지 않는다. In addition, the shape of the ceramic plate 11 is not limited to a square when viewed in plan. 예를 들어, 평면에서 보아 원형의 세라믹판에 본 실시예에서 설명한 정전 전극(12)을 설치할 수도 있다. For example, the bore of the ceramic plate, circular in plan view may be provided to the electrostatic electrode 12 described in this embodiment.

(제 2 실시예) (Example 2)

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전 척의 평면도이다. Figure 5 is a plan view of the electrostatic chuck according to a second embodiment of the present invention. 도 5에 있어서, 제 1 실시예의 정전 척(10)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다. In Fig. 5, the same parts as the first embodiment of the electrostatic chuck 10 will be denoted by the same reference numerals.

도 5를 참조하면, 제 2 실시예의 정전 척(30)은 제 1 실시예의 정전 척(10)에 설치된 정전 전극(12) 대신에 정전 전극(31)을 설치한 이외에는 정전 척(10)과 동일하게 구성된다. 5, a second embodiment of the electrostatic chuck 30 is equal to the first embodiment of the electrostatic chuck electrostatic installed on 10 electrodes 12 instead of the electrostatic electrode 31, the electrostatic chuck 10 except that install it consists.

정전 전극(31)은 제 1 실시예에서 설명한 정전 전극(12)에 설치된 배선 패턴(22, 24) 및 제 2 배선 패턴(23, 25) 대신에, 도체층인 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)을 설치한 이외에는 정전 전극(12)과 동일하게 구성된다. The electrostatic electrode 31 in place of the wiring pattern is installed on the electrostatic electrode 12 described in the first embodiment (22 and 24) and a second wiring pattern (23, 25), the conductor layer is a metal layer (34, 36) and wiring except that the installation pattern 35 is configured in the same manner as in the electrostatic electrode 12.

도 6은 도 5에 나타낸 정전 척의 BB선 방향의 단면도이다. Figure 6 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the BB line direction shown in Fig.

도 5 및 도 6을 참조하여, 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)에 대해서 차례로 설명한다. 5 and 6, which in turn explains the metal layer (34, 36) and wiring patterns (35). 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layers 34, 36 and the wiring patterns 35 are naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19). 금속 층(34, 36) 및 배선 패턴(35)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. Metal layers 34 and 36 and wiring patterns 35 are arranged on the same plane in the ceramic plate 11,.

금속층(34)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상(베타 형상의 패턴)으로 되어 있다. Metal layer 34 is in a first wiring pattern (17, 19) are wide-shaped (a beta-shaped pattern) than the width. 금속층(34)의 상면(上面)은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 절반 정도의 면적을 갖는다. The upper surface of the metal layer (34) (上面) has a substantially half area of ​​the substrate mounting seating surface (11A). 금속층(34)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layer 34 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(34)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. Metal layer 34 is arranged such that in this state in a plan view, to overlap with the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(34)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 전기적으로 절연되어 있다. Metal layer 34 is insulated from the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19) electrically. 금속층(34)은 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. Metal layer 34 is electrically connected to the positive terminal (14A) of the power supply 14. 금속층(34)의 두께는 예를 들어, 1O㎛로 할 수 있다. The thickness of the metal layer 34 may be, for example, by 1O㎛.

배선 패턴(35)은 세라믹판(11)의 측면(11C)의 근방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Wiring patterns 35 are naeseol the ceramic plate 11 of the portion located in the vicinity of the side of the ceramic plate 11 (11C). 배선 패턴(35)은 X, X 방향으로 연장되는 배선 패턴이다. Wiring pattern 35 is a wiring pattern extending in the X, X direction. 배선 패턴(35)은 금속층(36)과 접속되는 동시에, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. Wiring patterns 35 are electrically connected to the negative terminal (14B) of which is connected at the same time the metal layer 36, a power supply 14.

금속층(36)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상(베타 형상의 패턴)으로 되어 있다. Metal layer 36 is in a first wiring pattern (17, 19) are wide-shaped (a beta-shaped pattern) than the width. 금속층(36)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 절반 정도의 면적을 갖는다. The upper surface of the metal layer 36 has a substantially half area of ​​the substrate mounting seating surface (11A). 금속층(36)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layer 36 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(36)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. Metal layer 36 is arranged such that in this state in a plan view, to overlap with the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(36)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 전기적으로 절연되 어 있다. Metal layer 36 may be air insulated from the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19) electrically. 금속층(36)은 배선 패턴(35)과 접속되어 있다. Metal layer 36 is connected to the wiring pattern 35. 금속층(36)은 배선 패턴(35)을 통하여, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. Metal layer 36 is electrically connected to the negative terminal (14B) of the power source 14 through a wiring pattern (35). 금속층(36)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. The thickness of the metal layer 36 may be, for example, by 10㎛. 또한, 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35)의 재료로서는, 예를 들어 텅스텐을 사용할 수 있다. Also, as the material of the metal layer (34, 36) and wiring pattern 35, and the like it can be used, for example tungsten.

이와 같이, 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 금속층(34, 36)을 설치함으로써, 금속층(34, 36)에 전압을 인가했을 때, 쿨롱력을 발생시킬 수 있다. In this manner, the first wiring pattern when a voltage is applied to a (17, 19) by installing all the metal layers (34, 36) into a large shape width, a metal layer (34, 36), can generate a Coulomb force.

본 실시예의 정전 척에 의하면, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과는 상이한 층에 설치되고, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 금속층(34, 36)을 갖는 정전 전극(31)을 설치하는 동시에, 평면에서 본 상태에서, 금속층(34, 36)을 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치함으로써, 복수의 제 1 배선 패턴(17, 19)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가함으로써 발생하는 구배력과, 금속층(34, 36)에 낮은 전압(예를 들어, 3000V)을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력을 이용하여 기판(20)을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치된 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다. According to the embodiment the electrostatic chuck of the present embodiment, the plurality of first wiring pattern (17, 19) and a plurality of first wiring pattern (17, 19) and is provided in the different layers, the plurality of first wiring pattern (17, 19, ) than at the same time to install the electrostatic electrode 31 having the metal layer (34, 36) with wide-like width, in this state in a plan view, the metal layer (34, 36) a plurality of first wiring pattern (17, 19) by arranging so as to overlap with, for low voltage (for example, a low voltage (e.g., 3000V) to gradient forces, and the metal layer (34, 36) generated by applying a plurality of first wiring pattern (17, 19), since 3000V) using a Coulomb force generated by applying it possible to adsorb the substrate 20, can be reliably adsorbed to the substrate 20 it is arranged mounted on a ceramic plate 11.

또한, 본 실시예에서는, 정전 전극(31)에 2개의 금속층(34, 36)을 설치한 경우를 예로 들어 설명했지만, 정전 전극(31)에 설치하는 금속층의 수는 적어도 2개 이상이면 된다. In this embodiment, the number of the metal layer provided on the electrostatic electrode 31, two metal layers 34 and 36 as an example, the electrostatic electrode 31 has been described a case where the installation of the is is at least two. 구체적으로는, 예를 들어 후술하는 도 7 및 도 8에 나타낸 정전 척(40)과 같이, 정전 전극(41)에 4개의 금속층(43, 45, 47, 49)을 설치할 수도 있 다. Specifically, it can also be installed to, for example, such as electrostatic chuck 40 shown in FIGS. 7 and 8, which will be described later, the electrostatic electrode 41 to the four metal layers (43, 45, 47, 49).

도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도이다. 7 is a plan view of the electrostatic chuck according to a second embodiment variant of the invention. 도 7에 있어서, 제 2 실시예의 정전 척(30)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다. 7, the first assigned the same reference numerals are the same component parts as the second embodiment the electrostatic chuck 30. The

도 7을 참조하면, 제 2 실시예의 변형예의 정전 척(40)은 제 2 실시예의 정전 척(30)에 설치된 정전 전극(31) 대신에 정전 전극(41)을 설치한 이외에는 정전 척(30)과 동일하게 구성된다. 7, the second embodiment variation of the electrostatic chuck 40 of the second embodiment power failure is installed on the chuck 30, the electrode 31 instead of the one other than the electrostatic chuck 30 is installed to the electrostatic electrode 41, and it is configured identically.

도 8은 도 7에 나타낸 정전 척의 CC선 방향의 단면도이다. Figure 8 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck CC line direction shown in Fig.

도 7 및 도 8을 참조하면, 정전 전극(41)은 제 2 실시예의 정전 전극(31)에 설치된 금속층(34, 36) 및 배선 패턴(35) 대신에, 도체층인 금속층(43, 45, 47, 49)과 배선 패턴(44, 48)을 설치한 이외에는 정전 척(30)과 동일하게 구성된다. 7 when and 8, the electrostatic electrode 41 is the second embodiment in place of the electrostatic electrode 31, the metal layer (34, 36) and wiring patterns (35) provided on the conductor layer is a metal layer (43, 45, 47, 49) and other than installing the wiring pattern (44, 48) is configured in the same manner as the electrostatic chuck 30.

금속층(43, 45, 47, 49) 및 배선 패턴(44, 48)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layers (43, 45, 47, 49) and wiring patterns (44, 48) is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19) It is. 금속층(43, 45, 47, 49) 및 배선 패턴(44, 48)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. Metal layers (43, 45, 47, 49) and wiring patterns (44, 48) are arranged on the same plane in the ceramic plate 11,. 금속층(43, 45, 47, 49) 및 배선 패턴(44, 48)은 배선 패턴(16, 18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 전기적으로 절연되어 있다. Metal layers (43, 45, 47, 49) and wiring patterns (44, 48) are insulated by a wiring pattern (16, 18) and a first wiring pattern (17, 19) electrically.

금속층(43)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. Metal layer 43 is shaped with a wide width than a first wiring pattern (17, 19). 금속층(43)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. The upper surface of the metal layer 43 has a substantially 1/4 area of ​​the substrate mounting seating surface (11A). 금속층(43)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layer 43 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(43)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. Metal layer 43 is arranged such that in this state in a plan view, to overlap with the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(43)은 X, X 방향에서 금속층(49)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(47)과 대향하고 있다. The metal layer 43 are opposite to the metal layer 47 in the X, opposite to the metal layer 49 in the X direction, and Y, Y direction. 금속층(43)은 배선 패턴(44)과 접속되는 동시에, 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. Metal layer 43 is electrically connected to the positive terminal (14A) at the same time being connected to the wiring pattern 44, a power supply 14. 금속층(43)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. The thickness of the metal layer 43 may be, for example, by 10㎛.

배선 패턴(44)은 세라믹판(11)의 외주부(外周部)에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Wiring pattern 44 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion positioned on the outer periphery (外 周 部) of the ceramic plate 11. 배선 패턴(44)은 그 한쪽의 단부가 금속층(43)과 접속되어 있고, 다른 쪽의 단부가 금속층(45)과 접속되어 있다. A wiring pattern 44 and the end portion of the one side is connected to the metal layer 43, the other end is connected to the metal layer (45).

금속층(45)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. Metal layer 45 is shaped with a wide width than a first wiring pattern (17, 19). 금속층(45)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. The upper surface of the metal layer (45) has a substantially 1/4 area of ​​the substrate mounting seating surface (11A). 금속층(45)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layer 45 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(45)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. Metal layer 45 is arranged such that in this state in a plan view, to overlap with the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(45)은 X, X 방향에서 금속층(47)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(49)과 대향하고 있다. The metal layer 45 are opposite to the metal layer 49 in the X, opposite to the metal layer 47 in the X direction, and Y, Y direction. 금속층(45)은 배선 패턴(44)과 접속되어 있다. A metal layer (45) is connected to the wiring pattern 44. 금속층(45)은 금속층(43) 및 배선 패턴(44)을 통하여, 전원(14)의 플러스 단자(14A)와 전기적으로 접속되어 있다. Metal layer 45 is electrically connected to the positive terminal (14A) through the metal layer 43 and the wiring pattern 44, a power supply 14. 금속층(45)의 두께는 예를 들어, 1O㎛로 할 수 있다. The thickness of the metal layer 45 may be, for example, by 1O㎛.

금속층(47)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. Metal layer 47 is shaped into a wide width than a first wiring pattern (17, 19). 금속층(47)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. The upper surface of the metal layer 47 has a substantially 1/4 area of ​​the substrate mounting seating surface (11A). 금속층(47)은 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layer 47 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(47)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(16) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. A metal layer (47) is arranged such that in this state in a plan view, to overlap with the wiring pattern 16 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(47)은 X, X 방향에서 금속층(45)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(43)과 대향하고 있다. Metal layer 47 is X, and opposed to the metal layer 45 in the X direction, and face the metal layer 43 in the Y, Y direction. 금속층(47)은 배선 패턴(48)과 접속되는 동시에, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. Metal layer 47 is electrically connected to the negative terminal (14B) at the same time being connected to the wiring pattern 48, a power supply 14. 금속층(47)의 두께는 예를 들어, 10㎛로 할 수 있다. The thickness of the metal layer 47 may be, for example, by 10㎛.

배선 패턴(48)은 세라믹판(11)의 중앙부에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Wiring pattern 48 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion positioned at a central portion of the ceramic plate 11. 배선 패턴(48)은 그 한쪽의 단부가 금속층(47)과 접속되어 있고, 다른 쪽의 단부가 금속층(49)과 접속되어 있다. A wiring pattern 48 and the end portion of the one side is connected to the metal layer 47, the other end is connected to the metal layer (49).

금속층(49)은 제 1 배선 패턴(17, 19)보다도 폭이 넓은 형상으로 되어 있다. Metal layer 49 is shaped with a wide width than a first wiring pattern (17, 19). 금속층(49)의 상면은 기판 탑재 배치면(11A)의 거의 1/4의 면적을 갖는다. The upper surface of the metal layer (49) has a substantially 1/4 area of ​​the substrate mounting seating surface (11A). 금속층(49)은 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)의 하방에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. Metal layer 49 is naeseol the ceramic plate 11 of the portion located below the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(49)은 평면에서 본 상태에서, 배선 패턴(18) 및 제 1 배선 패턴(17, 19)과 중첩되도록 배치되어 있다. Metal layer 49 is arranged such that in this state in a plan view, to overlap with the wiring pattern 18 and the first wiring pattern (17, 19). 금속층(49)은 X, X 방향에서 금속층(43)과 대향하고, Y, Y 방향에서 금속층(45)과 대향하고 있다. The metal layer 49 are opposite to the metal layer 45 in the X, opposite to the metal layer 43 in the X direction, and Y, Y direction. 금속층(49)은 배선 패턴(48)과 접속되어 있다. A metal layer (49) is connected to the wiring pattern (48). 금속층(49)은 배선 패턴(48) 및 금속층(47)을 통하여, 전원(14)의 마이너스 단자(14B)와 전기적으로 접속되어 있다. Metal layer 49 is electrically connected to the negative terminal (14B) of the power source 14 through a wiring pattern 48 and the metal layer (47). 금속층(49)의 두께는 예를 들어, 1O㎛로 할 수 있다. The thickness of the metal layer 49 may be, for example, by 1O㎛.

상기 구성으로 이루어진 정전 전극(41)을 구비한 정전 척(40)에서도, 제 2 실시예의 정전 척(30)과 동일한 효과를 얻을 수 있다. In the electrostatic chuck 40 having an electrostatic electrode 41 made of the above configuration can provide the same effect as the second embodiment of the electrostatic chuck 30.

(제 3 실시예) (Example 3)

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 정전 척의 평면도이다. Figure 9 is a plan view of the electrostatic chuck according to a third embodiment of the present invention. 도 9에 있어 서, 제 1 실시예의 정전 척(10)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다. Books in 9, in the same part as the first embodiment of the electrostatic chuck 10 will be denoted by the same reference numerals.

도 9를 참조하면, 제 3 실시예의 정전 척(50)은 제 1 실시예의 정전 척(10)에 설치된 정전 전극(12) 대신에 정전 전극(51)을 설치하는 동시에, 정전 척(10)에 설치된 전원(14)을 구성요소로부터 제거한 이외에는 정전 전극(10)과 동일하게 구성된다. 9, a third embodiment of the electrostatic chuck 50 at the same time installing the electrostatic electrode 51 in place of the electrostatic electrode 12 provided in the first embodiment of the electrostatic chuck 10, the electrostatic chuck 10 other than removal of the installed power source 14 from the components are configured in the same manner as in the electrostatic electrode 10.

도 10은 도 9에 나타낸 정전 척의 DD선 방향의 단면도이다. 10 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the DD line direction shown in Fig.

도 9 및 도 10을 참조하면, 정전 전극(51)은 제 1 배선 패턴(54, 55)과, 제 2 배선 패턴(56, 57)을 갖는다. 9 and 10, the electrostatic electrode 51 has a first wiring pattern (54, 55) and a second wiring pattern (56, 57). 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)은 세라믹판(11)에 내설되어 있다. First and second wiring patterns (54, 55, 56, 57) is naeseol the ceramic plate 11. 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)은 세라믹판(11) 내의 동일한 평면 상에 배치되어 있다. First and second wiring patterns (54, 55, 56, 57) are arranged on the same plane in the ceramic plate 11.

이와 같이, 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)을 동일한 평면 상에 배치함으로써, 예를 들어 인쇄법을 이용하여, 제 1 및 제 2 배선 패턴(54, 55, 56, 57)을 동시에 형성할 수 있다. In this manner, the first and second wiring pattern (54, 55, 56, 57) for placing on the same plane, for example, by using a printing method, the first and second wiring patterns (54, 55, 56, 57) at the same time it can be formed.

제 1 배선 패턴(54)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 세라믹판(11)의 중앙부에 배치되어 있다. The first wiring pattern 54 and the wiring pattern in a spiral shape, and is disposed in a central portion of the ceramic plate 11. 제 1 배선 패턴(54)은 제 2 배선 패턴(56, 57)보다도 폭이 좁은 배선 패턴이다. The first wiring pattern 54 has a width smaller than the second wiring pattern (56, 57) is a narrow wiring pattern. 제 1 배선 패턴(54)의 폭은 세라믹판(11)의 중심을 향함에 따라 좁아지도록 구성되어 있다. The width of the first wiring pattern 54 is configured to be narrower toward the center of the ceramic plate 11. 제 1 배선 패턴(54)의 폭은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. The width of the first wiring pattern 54 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜. 제 1 배선 패턴(54)은 제 2 배선 패턴(56)과 접속되어 있다. A first wiring pattern 54 is connected to the second wiring patterns 56. 제 1 배선 패턴(54)은 제 2 배선 패턴(56)을 통하여, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다. The first wiring pattern 54 is electrically connected to the positive terminal (13A), the power source 13 through the second wiring pattern (56).

제 1 배선 패턴(55)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되어 있다. A first wiring pattern 55 is a wiring pattern in a spiral shape, is naeseol the central portion of the ceramic plate 11. 제 1 배선 패턴(55)은 제 1 배선 패턴(54)과 전기적으로 절연되어 있다. A first wiring pattern 55 is electrically insulated from the first wiring pattern (54). 제 1 배선 패턴(54, 55)은 도 9에 나타낸 DD선 방향에서, 번갈아 배치되어 있다. First wiring patterns 54 and 55 are alternately arranged in the line direction DD shown in Fig. 제 1 배선 패턴(55)은 제 2 배선 패턴(56, 57)보다도 폭이 좁은 배선 패턴이다. A first wiring pattern 55 has a width smaller than the second wiring pattern (56, 57) is a narrow wiring pattern. 제 1 배선 패턴(55)의 폭은 세라믹판(11)의 중심을 향함에 따라 좁아지도록 구성되어 있다. The width of the first wiring pattern 55 is constructed so that narrower toward the center of the ceramic plate 11. 제 1 배선 패턴(55)의 폭은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. The width of the first wiring pattern 55 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜. 제 1 배선 패턴(55)은 제 2 배선 패턴(57)과 접속되어 있다. A first wiring pattern 55 is connected to the second wiring pattern (57). 제 1 배선 패턴(55)은 제 2 배선 패턴(57)을 통하여, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다. A first wiring pattern 55 is electrically connected to the negative terminal (13B), the power source 13 through the second wiring pattern (57).

상기 구성으로 이루어진 제 1 배선 패턴(54, 55)은 전압이 인가되었을 때, 구배력을 발생시킨다. First wiring patterns 54 and 55 made of the configuration and generates a, gradient force when voltage is applied.

이와 같이, 세라믹판(11)의 중앙부에, 폭이 0.5㎜∼2.0㎜로 이루어진 제 1 배선 패턴(54, 55)을 내설함으로써, 세라믹판(11)의 기판 탑재 배치면(11A)에 면적이 작은 기판(20)이 탑재 배치된 경우, 구배력에 의해 세라믹판(11) 상에 탑재 배치된 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다. The In this manner, the central portion of the ceramic plate 11, by naeseol a first wiring pattern (54, 55) is made of a 0.5㎜~2.0㎜ width, area disposed on the substrate mounting surface of the ceramic plate 11 (11A) If the small board 20 is disposed with, it is possible to reliably adsorbing the substrate 20 is arranged mounted on the ceramic board 11 by the gradient force.

제 2 배선 패턴(56)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. The second wiring pattern 56 is naeseol the ceramic plate 11 of the part than the position on the outside and a wiring pattern in a spiral shape, a first wiring pattern (54, 55). 제 2 배선 패턴(56)은 제 1 배선 패턴(54)과 접속되는 동시에, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다. The second wiring pattern 56 is electrically connected to the positive terminal (13A) at the same time being connected to the first wiring pattern 54, a power source 13. 제 2 배선 패턴(56)의 폭(W5)은 제 1 배선 패턴(54, 55)의 폭보다도 넓어지도록 구성되어 있다. Width (W5) of the second wiring pattern 56 is configured to be wider than the width of the first wiring pattern (54, 55). 제 2 배선 패턴(56)의 폭(W5)은 예를 들어, 5㎜ 이상으로 할 수 있다. Width (W5) of the second wiring pattern 56 may be, for example, to be not less than 5㎜.

제 2 배선 패턴(57)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되어 있다. The second wiring pattern 57 is naeseol the ceramic plate 11 of the part than the position on the outside and a wiring pattern in a spiral shape, a first wiring pattern (54, 55). 제 2 배선 패턴(56, 57)은 도 9에 나타낸 DD선 방향에서, 번갈아 배치되어 있다. A second wiring pattern in the direction of the line DD shown in (56, 57) is 9, are arranged alternately. 제 2 배선 패턴(57)은 제 1 배선 패턴(55)과 접속되는 동시에, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다. The second wiring pattern 57 is electrically connected to the negative terminal (13B) at the same time being connected to the first wiring pattern 55, a power source 13. 제 2 배선 패턴(57)의 폭(W6)은 제 1 배선 패턴(54, 55)의 폭보다도 넓어지도록 구성되어 있다. Width (W6) of the second wiring pattern (57) is configured to be wider than the width of the first wiring pattern (54, 55). 제 2 배선 패턴(57)의 폭(W6)은 예를 들어, 5㎜ 이상으로 할 수 있다. Width (W6) of the second wiring pattern 57 may be, for example, to be not less than 5㎜.

상기 구성으로 이루어진 제 2 배선 패턴(56, 57)은 전압이 인가된 때, 쿨롱력을 발생시킨다. A second wiring pattern (56, 57) consisting of the above configuration generates the time a voltage is applied, Coulomb force.

이와 같이, 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되고, 폭이 0.5㎜∼2.0㎜로 된 제 1 배선 패턴(54, 55)과, 제 1 배선 패턴(54, 55)의 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 제 2 배선 패턴(56, 57)을 구비한 정전 전극(51)을 설치함으로써, 세라믹판(11)의 기판 탑재 배치면(11A)에 면적이 큰 기판(20)이 탑재 배치된 경우, 구배력과 쿨롱력에 의해 면적이 큰 기판(20)을 확실하게 흡착할 수 있다. Thus, the naeseol the central portion of the ceramic plate 11, a portion of the width is positioned outside of the by 0.5㎜~2.0㎜ first wiring pattern (54, 55), a first wiring pattern (54, 55) and naeseol the ceramic plate 11, a first wiring pattern (54, 55) than by the installation of the electrostatic electrode 51, and a second wiring pattern (56, 57) in a wide shape width, a ceramic plate (11 If a) placing the substrate mounting surface (11A) area of ​​a large substrate 20 is mounted in place of, it is possible to reliably adsorb a large substrate 20 area by the gradient force and the Coulomb force.

본 실시예의 정전 척에 의하면, 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되고, 폭이 0.5㎜∼2.0㎜로 된 제 1 배선 패턴(54, 55)과, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 외측에 위치하는 부분의 세라믹판(11)에 내설되고, 제 1 배선 패턴(54, 55)보다도 폭이 넓은 형상으로 된 제 2 배선 패턴(56, 57)을 구비한 정전 전극(51)을 설치함으로 써, 세라믹판(11)의 기판 탑재 배치면(11A)에 탑재 배치되는 기판(20)의 면적(사이즈)이 작을 경우에는, 제 1 배선 패턴(54, 55)에 전압을 인가함으로써 발생하는 구배력에 의해 기판(20)을 흡착하고, 기판(20)의 면적(사이즈)이 클 경우에는, 상기 구배력과 제 2 배선 패턴에 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롱력에 의해, 기판(20)을 흡착하는 것이 가능해지기 때문에, 기판(20)의 면적(사이즈)에 의존하지 않고, 세라믹판(11) 상에 탑재 배치된 기판(20)을 확실하게 According to the present exemplary embodiment the electrostatic chuck, and naeseol the central portion of the ceramic plate 11, the outer side than the first wiring pattern (54, 55), a first wiring pattern (54, 55) to the width 0.5㎜~2.0㎜ and naeseol the ceramic plate 11 of the portion which is located in, first by the first wiring pattern (54, 55) than to install the second wiring patterns electrostatic electrode 51 is provided with a (56, 57) into a large shape width written, is small, the area (size) of the ceramic plate 11, the substrate board 20 is disposed with a seating surface (11A) mounted in there, the gradient generated by applying a voltage to the first wiring pattern (54, 55) when adsorbing the substrate 20 by a force, and the greater the area (size) of the substrate (20), the substrate 20, by the Coulomb force generated by applying the gradient force and the voltage on the second wiring patterns since it is possible to absorb, without depending on the area (size) of the substrate 20, to ensure the substrate 20 is arranged mounted on a ceramic plate 11 착할 수 있다. It can chakhal.

또한, 본 실시예에서는, 제 1 배선 패턴(54, 55)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을, 세라믹판(11) 내의 동일한 평면 상에 설치한 경우를 예로 들어 설명했지만, 제 1 배선 패턴(54, 55)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을 각각 세라믹판(11)의 상이한 층에 설치할 수도 있다. In this embodiment, the first wiring patterns 54 and 55 and the second wiring pattern (56, 57) has been described a case installed on the same plane in the ceramic plate 11, for example, first wiring a pattern (54, 55) and a second wiring pattern (56, 57) may be provided in different layers of each ceramic plate (11).

도 11은 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도이다. 11 is a plan view of the electrostatic chuck according to a third embodiment variant of the invention. 도 11에 있어서, 제 3 실시예의 정전 척(50)과 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여한다. In Figure 11, the same parts as the third embodiment of the electrostatic chuck 50 will be denoted by the same reference numerals.

도 11을 참조하면, 제 3 실시예의 변형예에 따른 정전 척(60)은 제 3 실시예의 정전 척(50)에 설치된 정전 전극(51) 대신에 정전 전극(61)을 설치한 이외에는 정전 척(50)과 동일하게 구성된다. 11, the electrostatic chuck 60 according to the third embodiment variation, the other than installing the third embodiment of the electrostatic chuck electrostatic electrode 51 instead of the electrostatic electrode 61 is provided on 50, the electrostatic chuck ( is configured in the same manner as in 50).

도 12는 도 11에 나타낸 정전 척의 EE선 방향의 단면도이다. 12 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the EE line direction shown in Fig.

도 11 및 도 12를 참조하면, 정전 전극(61)은 제 3 실시예에서 설명한 정전 전극(51)에 설치된 제 1 배선 패턴(54, 55) 대신에 제 1 배선 패턴(63, 64)을 설치한 이외에는 정전 전극(51)과 동일하게 구성된다. 11 and 12, the electrostatic electrode 61 is installed to the first wiring pattern (63, 64) in place of the third embodiment, the electrostatic electrode 51, the first wiring pattern (54, 55) installed in the described in one exception is configured in the same manner as in the electrostatic electrode 51.

제 1 배선 패턴(63, 64)은 세라믹판(11)의 중앙부에 내설되어 있다. A first wiring pattern (63, 64) is naeseol the central portion of the ceramic plate 11. 제 1 및 제 2 배선 패턴(63, 64, 56, 57)은 세라믹판(11) 내에서, 동일한 평면 상에 배치되어 있다. First and second wiring patterns (63, 64, 56, 57) are arranged on the same plane in the ceramic plate 11,.

이와 같이, 제 1 및 제 2 배선 패턴(63, 64, 56, 57)을 동일한 평면 상에 배치함으로써, 예를 들어 인쇄법을 이용하여, 제 1 및 제 2 배선 패턴(63, 64, 56, 57)을 동시에 형성할 수 있다. In this manner, the first and second wiring pattern (63, 64, 56, 57) for placing on the same plane, for example, by using a printing method, the first and second wiring patterns (63, 64, 56, 57) at the same time it can be formed.

제 1 배선 패턴(63)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이다. A first wiring pattern 63 is a wiring pattern in a spiral shape. 제 1 배선 패턴(63)은 제 2 배선 패턴(56)과 접속되어 있다. A first wiring pattern 63 is connected to the second wiring patterns 56. 제 1 배선 패턴(63)은 제 2 배선 패턴(56)을 통하여, 전원(13)의 플러스 단자(13A)와 전기적으로 접속되어 있다. The first wiring pattern 63 is electrically connected to the positive terminal (13A), the power source 13 through the second wiring pattern (56). 제 1 배선 패턴(63)의 폭(W7)은 제 2 배선 패턴(56, 57)의 폭(W5, W6)보다도 좁아지도록 구성되어 있다. Width (W7) of the first wiring pattern 63 is constructed so that narrower than the width (W5, W6) of the second wiring pattern (56, 57). 제 1 배선 패턴(63)의 폭(W7)은 거의 일정한 넓이로 되어 있다. Width (W7) of the first wiring pattern 63 is almost constant in width. 제 1 배선 패턴(63)의 폭(W7)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. Width (W7) of the first wiring pattern 63 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜.

제 1 배선 패턴(64)은 스파이럴 형상으로 된 배선 패턴이다. A first wiring pattern 64 is a wiring pattern in a spiral shape. 제 1 배선 패턴(63, 64)은 도 11에 나타낸 EE선 방향에서, 번갈아 배치되어 있다. First wiring patterns 63 and 64 are alternately arranged in the direction of line EE shown in Fig. 제 1 배선 패턴(64)은 제 2 배선 패턴(57)과 접속되어 있다. A first wiring pattern 64 is connected to the second wiring pattern (57). 제 1 배선 패턴(64)은 제 2 배선 패턴(57)을 통하여, 전원(13)의 마이너스 단자(13B)와 전기적으로 접속되어 있다. A first wiring pattern 64 is electrically connected to the negative terminal (13B), the power source 13 through the second wiring pattern (57). 제 1 배선 패턴(64)의 폭(W8)은 제 2 배선 패턴(56, 57)의 폭(W5, W6)보다도 좁아지도록 구성되어 있다. Width (W8) of the first wiring pattern 64 is constructed so that narrower than the width (W5, W6) of the second wiring pattern (56, 57). 제 1 배선 패턴(64)의 폭(W8)은 거의 일정한 크기로 되어 있다. Width (W8) of the first wiring pattern 64 is at a substantially constant size. 제 1 배선 패턴(64)의 폭(W8)은 예를 들어, 0.5㎜∼2.0㎜로 할 수 있다. Width (W8) of the first wiring pattern 64 may be, for example, be a 0.5㎜~2.0㎜.

이와 같이, 제 3 실시예에서 설명한 제 1 배선 패턴(54, 55) 대신에 거의 일정한 폭으로 된 제 1 배선 패턴(63, 64)과, 제 1 배선 패턴(63, 64)보다도 폭이 넓은 제 2 배선 패턴(56, 57)을 갖는 정전 전극(61)을 구비한 정전 척(60)에서도, 제 3 실시예의 정전 척(50)과 동일한 효과를 얻을 수 있다. Thus, the wide than the width of the third embodiment the first wiring pattern described in Examples 54 and 55, an almost constant width in place of the first wiring pattern (63, 64), a first wiring pattern (63, 64) of claim 2 in the wiring pattern (56, 57) and the electrostatic electrode 61, the electrostatic chuck 60 having a having, the same effect can be obtained with the third embodiment of the electrostatic chuck 50.

또한, 본 실시예에서는, 제 1 배선 패턴(63, 64)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을 세라믹판(11) 내의 동일한 평면 상에 설치한 경우를 예로 들어 설명했지만, 제 1 배선 패턴(63, 64)과 제 2 배선 패턴(56, 57)을 각각 세라믹판(11)의 상이한 층에 설치할 수도 있다. In this embodiment, the first wiring pattern (63, 64) and a second wiring pattern (56, 57) has been described a case installed on the same plane in the ceramic plate 11, for example, the first wiring pattern 63 and 64 and may be provided in different layers of the second wiring pattern (56, 57) of each ceramic plate (11).

이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시예에 한정되지 않고, 특허청구의 범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형·변경이 가능하다. Above has been described in detail with respect to preferred embodiments of the invention, the invention is not limited to this particular embodiment, within the scope of the gist of the invention defined in the claims, various modifications can be made, changes.

본 발명은 세라믹판 상에 탑재 배치된 기판을 흡착하는 정전 척에 적용할 수 있다. The present invention can be applied to the electrostatic chuck to adsorb a substrate disposed mounted on a ceramic plate.

도 1은 종래의 정전 척(chuck)의 평면도. 1 is a plan view of a conventional electrostatic chuck (chuck).

도 2는 도 1에 나타낸 종래의 정전 척의 FF선 방향의 단면도. Figure 2 is a cross-sectional view of a conventional electrostatic chuck FF line direction shown in Fig.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 정전 척의 평면도. Figure 3 is a plan view of the electrostatic chuck according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 나타낸 정전 척의 AA선 방향의 단면도. Figure 4 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the AA line direction shown in Fig.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 정전 척의 평면도. Figure 5 is a plan view of the electrostatic chuck according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 나타낸 정전 척의 BB선 방향의 단면도. Figure 6 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the BB line direction shown in Fig.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도. Figure 7 is a plan view of the electrostatic chuck according to a second embodiment variant of the invention.

도 8은 도 7에 나타낸 정전 척의 CC선 방향의 단면도. 8 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck CC line direction shown in Fig.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 정전 척의 평면도. Figure 9 is a plan view of the electrostatic chuck according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 도 9에 나타낸 정전 척의 DD선 방향의 단면도. Figure 10 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the DD line direction shown in Fig.

도 11은 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 정전 척의 평면도. Figure 11 is a plan view of the electrostatic chuck according to a third embodiment variant of the invention.

도 12는 도 11에 나타낸 정전 척의 EE선 방향의 단면도. 12 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck of the EE line direction shown in Fig.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 Description of the Related Art

10, 30, 40, 50, 60: 정전 척 10, 30, 40, 50, 60: chuck

11: 세라믹판 11: ceramic plate,

11A: 기판 탑재 배치면 11A: side-board arrangement

11B, 11C, 11D, 11E: 측면 11B, 11C, 11D, 11E: Side

12, 31, 41, 51, 61: 정전 전극 12, 31, 41, 51, 61: electrostatic electrode

13, 14: 전원 13, 14: Power

13A, 14A: 플러스 단자 13A, 14A: Plus terminal

13B, 14B: 마이너스 단자 13B, 14B: the negative terminal

16, 18, 22, 24, 35, 44, 48: 배선 패턴 16, 18, 22, 24, 35, 44, 48: wiring pattern

17, 19, 54, 55, 63, 64: 제 1 배선 패턴 17, 19, 54, 55, 63, 64: first wiring pattern

20: 기판 20: substrate

23, 25, 56, 57:제 2 배선 패턴 23, 25, 56, 57: second wiring patterns

34, 36, 43, 45, 47, 49: 금속층 34, 36, 43, 45, 47, 49: metal layer

D1, D2: 간격 D1, D2: distance

W1∼W8: 폭 W1~W8: width

Claims (6)

  1. 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체(基體)와, And gas (基 體) having a substrate mounting surface on which the substrate is disposed with disposed,
    상기 기체에 내장된 정전(靜電) 전극을 구비한 정전 척(chuck)으로서, As an electrostatic chuck (chuck) having a power failure (靜電) electrode embedded in the base body,
    상기 정전 전극은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 제 1 배선 패턴과, 상기 복수의 제 1 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 상기 제 1 방향과는 상이한 제 2 방향으로 연장되는 복수의 제 2 배선 패턴을 갖고, It said electrostatic electrode has a second plurality of which are provided a plurality of the first wiring pattern and the different layers and the plurality of first wiring pattern extending in the first direction is different from the first direction extending in the first direction having a wiring pattern,
    평면에서 본 상태에서, 상기 복수의 제 1 배선 패턴과 상기 복수의 제 2 배선 패턴을 교차시킨 것을 특징으로 하는 정전 척. In this state in a plane, an electrostatic chuck, characterized in that that cross the plurality of first wiring pattern and the plurality of the second wiring pattern.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴의 폭은 0.5㎜∼2.0㎜인 것을 특징으로 하는 정전 척. The width of the plurality of first and second wiring patterns is an electrostatic chuck, characterized in that 0.5㎜~2.0㎜.
  3. 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체와, And a gas having a substrate mounting surface on which the substrate is disposed with disposed,
    상기 기체에 내장된 정전 전극을 구비한 정전 척으로서, An electrostatic chuck having an electrostatic electrode embedded in the base body,
    상기 정전 전극은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 배선 패턴과, 상기 복수의 배선 패턴과는 상이한 층에 설치되고, 상기 복수의 배선 패턴보다도 폭이 넓은 형상으로 된 적어도 2개 이상의 도체층을 갖고, It said electrostatic electrode has a plurality of wiring patterns are provided on the different layers, and the plurality of wiring patterns, at least two or more conductor layers the widths of all the plurality of wiring patterns of a wide shape extending in a first direction,
    평면에서 본 상태에서, 상기 적어도 2개 이상의 도체층을 상기 복수의 배선 패턴과 중첩되도록 배치한 것을 특징으로 하는 정전 척. In this state in a plane, the electrostatic chuck to the at least two conductor layers, characterized in that the disposed so as to overlap with the plurality of wiring patterns.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 복수의 배선 패턴의 폭은 0.5㎜∼2.0㎜인 것을 특징으로 하는 정전 척. The width of the plurality of wiring patterns is an electrostatic chuck, characterized in that 0.5㎜~2.0㎜.
  5. 기판이 탑재 배치되는 기판 탑재 배치면을 갖는 기체와, And a gas having a substrate mounting surface on which the substrate is disposed with disposed,
    상기 기체에 내장된 정전 전극을 구비한 정전 척으로서, An electrostatic chuck having an electrostatic electrode embedded in the base body,
    상기 정전 전극은 상기 기체의 중앙부에 배치된 제 1 배선 패턴과, 상기 제 1 배선 패턴의 외측(外側)에 배치된 제 2 배선 패턴을 갖고, It said electrostatic electrode has a second wiring pattern disposed on the outer side (外側) of the first wiring pattern and the first wiring pattern disposed on the central portion of the base body,
    상기 제 1 배선 패턴의 폭을 0.5㎜∼2.0㎜로 하는 동시에, 상기 제 2 배선 패턴의 폭을 상기 제 1 배선 패턴의 폭보다도 넓게 한 것을 특징으로 하는 정전 척. The first, while the width of the wiring pattern in the 0.5㎜~2.0㎜, wherein the electrostatic chuck, characterized in that a wider than the width of the second wiring pattern width of the first wiring pattern.
  6. 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    제 1 및 제 2 배선 패턴을 동일한 평면 상에 설치한 것을 특징으로 하는 정전 척. The first and the electrostatic chuck, characterized in that a second wiring pattern on the same plane.
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