KR20080033118A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 서로 나란한 제 1 전극과 제 2 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 검출하여 온도 정보 신호를 출력하는 온도 측정부, 온도 측정부로부터 온도 정보 신호를 입력받아 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 제 1 서스테인 신호를 제1 클램핑 시점에서 클램핑하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높으면 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 제 2 서스테인 신호를 제1 클램핑 시점과 다른 제2 클램핑 시점에서 클램핑하는 구동부를 포함한다.
벽전하, 플라즈마, 클램핑, 서스테인 전압
Description
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 장치는 전극이 형성된 플라즈마 디스플레이 패널과, 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하는 구동부를 포함할 수 있다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널에는 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형광체 층이 형성되고, 아울러 복수의 전극(Electrode)이 형성된다.
그리고 구동부는 전극을 통해 방전 셀로 구동 신호를 공급한다.
그러면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 자외선(Ultraviolet rays) 등의 광을 발생하고, 이러한 자외선 등의 광이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명의 일실시예는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도와 관련하여 서스테인 기간에서 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 서스테인 신호를 변경하여 온도에 따른 오방전의 발생을 억제하는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 서로 나란한 제 1 전극과 제 2 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 검출하여 온도 정보 신호를 출력하는 온도 측정부, 온도 측정부로부터 온도 정보 신호를 입력받아 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 제 1 서스테인 신호를 제1 클램핑 시점에서 클램핑하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높으면 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 제 2 서스테인 신호를 제1 클램핑 시점과 다른 제2 클램핑 시점에서 클램핑하는 구동부를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도와 관련하여 서스테인 신호의 전압을 조절하여 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따른 오방전의 발생을 억제하는 효과가 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100), 온도 측정부(110) 및 구동부(120)를 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 제 1 전극(Y1-Yn) 및 제 2 전극(Z1-Zn)을 포함하고, 제 1 전극(Y1-Yn) 및 제 2 전극(Z1-Zn)과 교차하는 제 3 전극(X1-Xm)을 포함한다.
온도 측정부(110)는 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 온도를 검출하여 온도 정보 신호를 출력한다.
구동부(120)는 온도 측정부(110)로부터 온도 정보 신호를 입력받아 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 온도가 기준 온도보다 낮으면 제 1 전극(Y1-Yn) 및 제 2 전극(Z1-Zn) 중 적어도 하나에 공급되는 제 1 서스테인 신호를 제1 클램핑 시점에서 클램핑하고, 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 온도가 기준 온도보다 높으면 제 1 전극(Y1-Yn) 및 제 2 전극(Z1-Zn) 중 적어도 하나에 공급되는 제 2 서스테인 신 호를 제1 클램핑 시점과 다른 제2 클램핑 시점에서 클램핑한다.
이 때, 제1 서스테인 펄스는 제1 전압에서 클램핑되고, 제2 서스테인 펄스는 제1 전압보다 높은 제2 전압에서 클램핑될 수 있다.
제 1 서스테인 신호와 제 2 서스테인 신호가 공급되는 기간은 전압 상승 기간 및 전압 유지 기간을 포함한다. 제 1 서스테인 신호의 전압 상승 기간은 기준 전압에서 제1 서스테인 전압까지 상승하는데 걸리는 시간이다. 제2 서스테인 신호의 전압 상승 기간은 기준 전압에서 제2 서스테인 전압까지 상승하는데 걸리는 시간이다. 기준 전압은 그라운드 레벨의 전압일 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 나란한 제 1 전극(202)과 제 2 전극(203)이 배치되는 전면 기판(201)과, 제 1 전극(202) 및 제 2 전극(203)과 교차하는 제 3 전극(213)이 배치되는 후면 기판(211)을 포함한다.
전면 기판(201)의 상부에는 제 1 전극(202, Y)과 제 2 전극(203, Z)을 덮는 상부 유전체 층(204)이 위치한다. 상부 유전체 층(204)은 제 1 전극(202) 및 제 2 전극(203)의 방전 전류를 제한하며 제 1 전극(202)과 제 2 전극(203) 간을 절연시킨다.
상부 유전체 층(204) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(205)이 배치된다. 보호 층(205)은 산화마그네슘(MgO) 등을 상부 유전체 층(204) 상부에 증착함으로써 형성된다.
한편, 제 3 전극(213, X)이 배치된 후면 기판(211)의 상부에는 제 3 전 극(213)을 덮는 하부 유전체 층(215)이 배치된다. 하부 유전체 층(215)은 제 3 전극(213, X)을 절연시킨다.
하부 유전체 층(215)의 상부에는 방전 셀을 구획하기 위한 격벽(212)이 배치된다. 격벽(212)에 의하여 구획된 방전 셀은 적색빛을 내는 방전 셀(R), 녹색빛을 내는 방전 셀(G) 및 청색빛을 내는 방전 셀 (B)을 포함할 수 있다.
또한, 적색빛을 내는 방전 셀(R), 녹색빛을 내는 방전 셀(G) 및 청색빛을 내는 방전 셀 (B) 이외에 백색빛 또는 황색빛을 내는 방전 셀이 더 형성될 수도 있다.
적색빛을 내는 방전 셀(R), 녹색빛을 내는 방전 셀(G) 및 청색빛을 내는 방전 셀 (B) 각각의 피치(Pitch)는 실질적으로 동일할 수도 있지만, 색 온도를 맞추기 위해 적색빛을 내는 방전 셀(R), 녹색빛을 내는 방전 셀(G) 및 청색빛을 내는 방전 셀 (B) 중 적어도 하나의 피치는 나머지 방전 셀이 피치와 다를 수 있다.
본 발명의 실시예에서 도 2에 도시된 격벽(212)의 구조뿐만 아니라, 다양한 격벽의 구조도 가능하다. 예컨대, 격벽(212)은 제 1 격벽(212b)과 제 2 격벽(212a)을 포함하고, 제 1 격벽(212b)의 높이와 제 2 격벽(212a)의 높이가 서로 다른 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 배기 통로로 사용 가능한 채널(Channel)이 위치하는 채널형 격벽 구조, 제 1 격벽(212b) 또는 제 2 격벽(212a) 중 하나 이상에 홈(Hollow)이 형성된 홈형 격벽 구조 등이 가능하다.
도 2에서는 적색빛을 내는 방전 셀(R), 녹색빛을 내는 방전 셀(G) 및 청색빛을 내는 방전 셀(B) 각각이 동일한 선상에 배열되나 적색빛을 내는 방전 셀(R), 녹 색빛을 내는 방전 셀(G) 및 청색빛을 내는 방전 셀 (B)이 삼각형 형상으로 배열될 수 있다.
격벽(212) 사이에 가시 광을 방출하는 형광체 층(214)이 배치된다. 형광체층은 적색 형광체층, 녹색 형광체층, 청색 형광체층을 포함할 수 있으며, 백색 형광체층 또는 황색 형광체층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
또한, 적색 형광체층, 녹색 형광체층, 청색 형광체층의 두께는 실질적으로 동일할 수 있다. 또한 적색 형광체층, 녹색 형광체층, 청색 형광체층 중 적어도 하나의 두께는 나머지 형광체의 두께와 다를 수 있다.
한편, 도 2의 상부 유전체 층(204) 및 하부 유전체 층(215)은 하나의 층만을 포함하나, 복수의 층을 포함할 수 있다. 격벽(번호 212)으로부터 반사되는 외부 광을 방지하기 위하여 격벽(212)의 상부에 외부 광을 흡수하는 블랙 층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 또한, 격벽(212)과 대응되는 전면 기판(201) 상의 특정 위치에 블랙 층(미도시)이 배치될 수도 있다.
또한, 후면 기판(211) 상에 형성되는 제 3 전극(213)은 폭이나 두께가 실질적으로 일정할 수도 있지만, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 폭이나 두께와 다를 수도 있을 것이다. 예컨대, 방전 셀 내부에서의 폭이나 두께가 방전 셀 외부에서의 그것보다 더 넓거나 두꺼울 수 있을 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(202) 또는 제 2 전극(203) 중 적어도 하나는 복수의 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 전극(202) 또는 제 2 전극(203) 중 적어도 하나는 버스 전극(202b, 203b)과 투명 전극(202a, 203a)을 포함 할 수 있다. 제 1 전극(202)과 제 2 전극(203)이 투명 전극(202a, 203a)을 포함하면, 방전 셀 내에서 발생한 가시 광이 플라즈마 디스플레이 패널의 외부로 효과적으로 방출될 수 있다.
버스 전극(202b, 203b)은 투명 전극(202a, 203a)의 전기 전도도가 상대적으로 낮기 때문에 투명 전극(202a, 203a)의 낮은 전기 전도도를 보상할 수 있다.
버스 전극(202b, 203b)에 의한 외부 광의 반사를 방지하기 위해 투명 전극(202a, 203a)과 버스 전극(202b, 203b)의 사이에 블랙 층(Black Layer : 320, 321)이 배치될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(202) 및 제 2 전극(203)은 도 3에서 투명 전극(202a, 203a)이 생략되어 버스 전극(202b, 203b)만을 포함할 수 있다. 버스 전극(202b, 203b)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등으로 이루어질 수 있다.
제 1 전극(202, Y) 또는 제 2 전극(203, Z) 중 적어도 하나가 단일 층을 포함할 경우, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정이 단순해지고 제조 비용이 감소한다.
제 1 전극(202, Y) 및 제 2 전극(203, Z)과 전면 기판(201) 사이에는 전면 기판(201)의 변색을 방지하는 블랙 층(400a, 400b)이 배치될 수 있다. 블랙 층(400a, 400b)은 제 1 전극(202) 또는 제 2 전극(203) 중 적어도 어느 하나보다 더 어두운 색을 갖을 수 있다. 블랙 층(400a, 400b)은 루테늄(Ru)으로 이루어질 수 있다.
전면 기판(201)과 제 1 전극(202, Y) 및 제 2 전극(203, Z)의 사이에 블랙 층(400a, 400b)이 배치되면, 제 1 전극(202, Y)과 제 2 전극(203, Z)으로부터 광이 반사되는 것이 방지된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 영상 프레임은 발광횟수가 다른 복수의 서브필드(SF1-SF8)를 포함할 수 있다. 서브필드는 방전 셀을 초기화시키기 위한 리셋 기간, 방전될 방전 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간을 포함한다.
서스테인 기간에 공급되는 서스테인 신호의 개수에 따라 각 서브필드의 계조 가중치가 설정된다. 예를 들면, 각 서브필드의 계조 가중치는 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가되도록 설정될 수 있다.
도 5에서는 하나의 영상 프레임이 8개의 서브필드를 포함하나 8개 이상의 서브필드를 포함할 수도 있다. 또한, 도 5에서는 계조 가중치의 크기가 증가하는 순서에 따라 서브필드들이 배열되었지만, 서브필드들이 계조 가중치가 감소하는 순서에 따라 배열될 수도 있고, 계조 가중치에 관계없이 서브필드들이 배열될 수도 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 리셋 기간 이전의 프리 리셋 기간에서 제 1 전극(Y)에 부극성 전압(V10)까지 점진적으로 하강하는 제 1 하강 램프 신호가 공급된다. 제 1 전극(Y)에 제 1 하강 램프 신호가 공급되는 동안 정극성 전압(Vpz)까지 상승하는 프리 서스테인 신호가 제 2 전극(Z)에 공급된다. 프리 서스테인 전압(Vpz)은 서스테인 기간에서 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 대략 동일하다.
프리 리셋 기간에서 제 1 전극(Y)에 제 1 하강 램프 신호가 공급되고 제 2 전극(Z)에 프리 서스테인 신호가 공급되면, 제 1 전극(Y) 상에 벽 전하(Wall Charge)가 쌓이고, 제 2 전극(Z) 상에는 제 1 전극(Y)과 반대 극성의 벽 전하들이 쌓인다. 이에 따라, 리셋 기간에서 셋업 방전이 안정적으로 일어날 수 있으므로 리셋 기간에서 제 1 전극(Y)으로 공급되는 상승 램프 신호(Ramp-Up)의 최고 전압이 작아질 수 있다.
영상 프레임의 서브필드 중에서 시간상 가장 먼저 배열되는 서브필드만 프리 리셋 기간을 포함함으로써 다른 서브필드의 리셋 기간, 어드레스 기간 또는 서스테인 기간이 증가할 수 있다. 또한 영상 프레임의 서브필드 중 2개 또는 3개의 서브필드가 프리 리셋 기간을 포함할 수 있다. 프리 리셋 기간은 모든 서브필드에서 생략될 수 있다.
프리 리셋 기간 이후 리셋 기간의 셋업(Set-Up) 기간에서는 제 1 전극(Y)으로 상승 램프(Ramp-Up) 신호가 공급된다. 상승 램프 신호의 제 1 상승 램프 신호는 전압(V20)부터 전압(V30)까지 제 1 기울기로 점진적으로 상승한다. 상승 램프 신호의 제 2 상승 램프 신호는 전압(V30)부터 전압(V40)까지 제 2 기울기로 상승한다.
상승 램프 신호에 의해 방전 셀 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)인 셋업 방전이 일어난다. 제 2 상승 램프 신호의 제 2 기울기는 제 1 기울기보다 작을 수 있다. 제 2 기울기가 제 1 기울기보다 작으면, 셋업 방전이 발생하기 이전까지 전압이 빠르게 상승하고 셋업 방전이 발생하는 동안에는 전압이 느리게 상승하므로 셋업 방전에 의해 발생하는 광의 양이 저감되고, 콘트라스트(Contrast) 특성이 개선된다.
셋업 기간 이후의 셋다운 기간에서는 제 2 하강 램프 신호가 제 1 전극(Y)에 공급된다. 제 2 하강 램프 신호는 전압(V20)부터 전압(V50)까지 점진적으로 하강한다. 제 2 하강 램프 신호의 공급에 따라 방전 셀 내에서 미약한 소거 방전, 즉 셋다운 방전이 발생한다. 이 셋다운 방전에 의해 방전 셀 내에는 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 균일하게 잔류된다.
리셋 기간 이후의 어드레스 기간에서는 제 2 하강 램프 신호의 전압(V50)보다는 높은 전압을 실질적으로 유지하는 스캔 바이어스 신호가 제 1 전극(Y)에 공급된다. 또한 스캔 바이어스 신호로부터 스캔 전압(ΔVy)만큼 하강하는 스캔 신호(Scan)가 제 1 전극(Y)에 공급된다.
서브필드 단위로 스캔 신호(Scan)의 폭(W)은 가변적일 수 있다. 즉, 적어도 하나의 서브필드에서 스캔 신호(Scan)의 폭은 다른 서브필드에서의 스캔 신호(Scan)의 폭과 다를 수 있다. 스캔 신호(Scan)가 제 1 전극(Y)으로 공급될 때, 스캔 신호에 대응되게 제 3 전극(X)에 데이터 전압 (Vd)까지 상승하는 데이터 신호가 공급된다. 스캔 신호(Scan)와 데이터 신호(Data)가 동시에 공급된 방전셀에 어드레스 방전이 발생된다.
어드레스 기간에서 제 2 전극(Z)의 간섭에 의해 어드레스 방전이 불안정해지는 것을 방지하기 위해 제 2 전극(Z)에 서스테인 바이어스 전압(Vz)이 공급된다.
영상 표시를 위한 서스테인 기간에서는 제 1 전극(Y) 및 제 2 전극(Z)에 중 적어도 하나에 서스테인 신호(SUS)가 공급된다. 예를 들면, 제 1 전극(Y)과 제 2 전극(Z)에 교호적으로 서스테인 신호(SUS)가 공급될 수 있다.
서스테인 신호(SUS)가 공급되면, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전 셀은 방전 셀에서 서스테인 방전이 일어나고 빛이 방출된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 도 1의 구동부(120)는 영상 프레임의 서스테인 기간에서 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref)보다 낮을 경우 제 1 전극 또는 제 2 전극 중 적어도 하나로 제 1 서스테인 신호를 공급한다. 또한 구동부(120)는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref) 보다 높을 경우에는 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나로 제 2 서스테인 신호를 한다.
제 1 서스테인 신호와 제 2 서스테인 신호의 공급 기간은 각각 전압 상승 기간, 전압 유지 기간 및 전압 하강 기간을 포함한다. 구동부(120)는 제1 클램핑 시점(tc1) 및 제2 클램핑 시점(tc2)에서 그라운드 레벨의 전압(GND)부터 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)까지 점진적으로 상승하는 제1 서스테인 신호 및 제2 서스테인 신호를 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급한다. 제1 클램핑 시점(tc1) 및 제2 클램핑 시점(tc2)은 공진에 의하여 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나의 전압이 점진적으로 상승하는 전압 상승 기간이 끝나는 시점일 수 있다. 또한 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)은 공진에 의하여 형성되는 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나의 전압의 최대값일 수 있다.
이 때, 제2 전압(V2)은 제1 전압(V1)보다 높다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 높을수록 클램핑 시점에서의 전극의 전압은 증가한다. 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 높을 경우 클램핑 시점에서의 전극의 전압이 증가하는 이유는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 상승으로 인한 벽전하의 부족을 보상 하기 위해서이다.
즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 셀 내에는 벽 전하(Wall Charge)와 공간 전하들이 분포한다. 벽 전하는 서스테인 방전에 참여하는 전하이고, 공간 전하는 서스테인 방전에 참여하지 않는다. 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상승하면, 벽 전하와 공간 전하가 전기적으로 결합하여 중화(Neutralization)됨으로써, 방전 셀 내에서 벽 전하의 양이 부족해질 수 있다. 이에 따라, 서스테인 신호가 공급될 때, 서스테인 방전의 세기가 약해지거나 서스테인 방전이 발생하지 않을 수 있다. 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 높은 경우에 공진에 의하여 형성되는 전극의 전압이 높아지면 방전 셀 내에서 부족해질 수 있는 벽 전하가 충분히 확보됨으로써 안정적인 서스테인 방전이 일어날 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면, 제2 서스테인 신호의 제2 전압(V2)이 제1 서스테인 신호의 제1 전압(V1)보다 높다. 따라서, 구동부(120)는 제1 전압 상승 기간을 지닌 제1 서스테인 신호를 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높으면 제1 전압 상승 기간보다 큰 제2 전압 상승 기간을 지닌 제2 서스테인 신호를 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급한다.
또한, 도 1의 구동부(120)는 온도 측정부(110)로부터 온도 정보 신호를 입력받아 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref)보다 낮으면 제1 전압(V1)보다 높은 제1 서스테인 전압(Vs1)을 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급할 수 있다. 또한 구동부(120)는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref)보다 높으면 제1 서스테인 전압(Vs1)보다 높은 제2 서스테인 전압(Vs2)을 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급할 수 있다.
제1 서스테인 전압(Vs1) 및 제2 서스테인 전압(Vs2)은 제 1 서스테인 신호 및 제2 서스테인 신호의 전압 유지 기간 동안 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급된다. 즉, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 높을수록 서스테인 전압은 증가할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 높을 경우 서스테인 전압이 증가하는 이유 역시 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 상승으로 인한 벽전하의 부족을 보상하기 위해서이다. 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 높은 경우 서스테인 전압이 커지면 방전 셀 내에서 부족해질 수 있는 벽 전하가 충분히 확보되어 안정적인 서스테인 방전이 일어날 수 있다.
도 7에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 높을수록 서스테인 전압이 증가하였으나, 도 8에 도시된 바와 같이 제1 서스테인 전압(Vs1)과 제2 서스테인 전압(Vs2)이 실질적으로 같을 수 있다. 즉, 구동부(120)는 제1 전압(V1)보다 높은 제1 서스테인 전압(Vs1)을 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 공급하고, 제1 서스테인 전압(Vs1)과 실질적으로 같은 제2 서스테인 전압(Vs2)을 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 공급할 수 있다.
제1 전압 상승 기간 및 제2 전압 상승 기간 동안 전극의 전압은 공진에 의하여 형성된다. 따라서 도 9에 도시된 바와 같이 제1 전압 상승 기간 및 제2 전압 상승 기간이 증가하면, 전극의 전압은 점진적으로 상승한 후 점진적으로 하강한다. 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref)보다 낮으면 제1 서스테인 신호는 점진적으로 상승한 후 점진적으로 제1 전압(V1)까지 하강한다. 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref)보다 높으면 제2 서스테인 신호는 점진적으로 상승한 후 점진적으로 제2 전압(V2)까지 하강한다. 이 때 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)은 제1 클램핑 시점(tc1) 및 제2 클램핑 시점(tc2)의 전극 전압이며, 제2 전압(V2)은 제1 전압(V1)보다 높다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 상승에 따른 벽전하 감소가 보상될 수 있다.
도 7 내지 도 9에서 제1 전압 상승 기간에 대한 제2 전압 상승 기간의 비는 1.3 이상 1.7 이하일 경우, 서스테인 마진을 확보하면서도 플라즈마 디스플레이 패널의 온도 상승으로 인한 벽전하의 감소를 보상할 수 있다. 적정 서스테인 마진이 SM1과 SM2 사이일 경우, 도 14에 도시된 바와 같이 제1 전압 상승 기간에 대한 제2 전압 상승 기간의 비가 1.3 이상 1.7 이하일 때 서스테인 전압이 180 V 이상 210 V 이하임을 알 수 있다. 즉, 서스테인 전압이 180 V 이상 210 V 이하이면, 안정적인 서스테인 방전이 일어날 수 있으므로 제1 전압 상승 기간에 대한 제2 전압 상승 기간의 비가 1.3 이상 1.7 이하일 때 서스테인 마진의 확보 및 안정적인 서스테인 방전이 일어날 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 도 1의 구동부(120)는 에너지 저장부(800)와, 에너지 공급부(801), 에너지 회수부(802), 제1 전압 공급부(804), 제2 전압 공급부(805), 제 1 인덕터부(803)와, 제 2 인덕터부(806), 콘트롤러(807) 및 서스테인 전압 공급부(810)를 포함한다.
에너지 저장부(800)는 제1 전극 또는 제2 전극으로 공급되거나 제1 전극 또는 제2 전극으로부터 회수되는 에너지를 저장한다. 에너지의 저장을 위하여 에너지 저장부(800)는 캐패시터(C)를 포함한다.
에너지 공급부(801)는 에너지 저장부(800)의 전압이 제 1 전극 또는 제 2 전극으로 공급되도록 한다. 즉, 에너지 공급부(801)는 에너지 저장부(800)의 전압에 해당하는 에너지를 제 1 전극 또는 제 2 전극으로 공급한다. 에너지 공급부(801)는 제1 스위치(S1)를 포함한다. 제1 스위치(S1)가 턴온되면, 에너지 저장부(800)의 전압이 플라즈마 디스플레이 패널의 제 1 전극 또는 제 2 전극으로 공급된다.
에너지 회수부(802)는 제1 전극 또는 제2 전극으로부터 에너지 저장부(800)로 에너지가 회수되도록 한다. 에너지 회수부(802)는 제2 스위치(S2)를 포함하고, 제2 스위치(S2)가 턴온되면 플라즈마 디스플레이 패널의 제 1 전극 또는 제 2 전극으로부터 에너지가 에너지 저장부(800)로 회수된다.
제 1 인덕터부(803)는 에너지 공급부(801)가 에너지 저장부(800)의 에너지가 공급되도록 할 때, 플라즈마 디스플레이 패널과 공진을 형성한다. 즉, 에너지 공급부(801)의제1 스위치(S1)이 턴온되면, 제 1 인덕터(L1)와 플라즈마 디스플레이 패널의 제1 전극 또는 제2 전극이 전기적으로 연결되고 에너지 저장부(800)의 전압이 제1 전극 또는 제2 전극으로 공급된다.
제 2 인덕터부(806)는 에너지 회수부(802)가 제1 전극 또는 제2 전극으로부터 에너지 저장부(800)로 에너지가 회수되도록 할 때, 공진을 형성한다. 즉, 에너지 회수부(802)의 제2 스위치(S2)가 턴온되면, 제 2 인덕터(L2)와 플라즈마 디스플 레이 패널의 제1 전극 또는 제2 전극이 전기적으로 연결되고 제1 전극 또는 제2 전극으로부터 에너지 저장부(800)로 에너지가 회수된다.
콘트롤러(807)는 온도 측정부(110)로부터 입력받은 온도 정보 신호에 해당하는 플라즈마 디스플레인 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 제1 제어 신호를 출력하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높으면 제2 제어 신호를 출력한다.
서스테인 전압 공급부(810)는 도 1의 온도 측정부(110)로부터 입력받은 온도 정보 신호에 해당하는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 제1 서스테인 전압을 공급하고 기준 온도보다 높으면 제1 서스테인 전압보다 높은 제2 서스테인 전압을 공급한다.
제1 전압 공급부(804)는 콘트롤러(807)로부터 제1 제어 신호를 입력받으면 도 7 내지 도 9의 제1 클램핑 시점(tc1)에서 턴온되고 제2 제어 신호를 입력받으면 도 7 내지 도 9의 제2 클램핑 시점(tc2)에서 턴온될 수 있다. 제1 전압 공급부(804)가 턴온되면, 제1 서스테인 신호 및 제2 서스테인 신호의 전압 유지 기간이 시간된다. 제1 전압 공급부(804)의 제3 스위치(S3)를 포함한다. 제3 스위치(S3)는 제1 제어 신호 및 제2 제어 신호에 의하여 턴온된다.
또한 제1 전압 공급부(804)는 제1 서스테인 전압 또는 제2 서스테인 전압을 제1 전극 또는 제2 전극으로 공급할 수 있다. 즉, 서스테인 전압 공급부(810)는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 따라 제1 서스테인 전압 또는 제2 서스테인 전압을 공급한다. 이에 따라 제1 전압 공급부(804)가 턴온하면 제1 서스테인 전압 또는 제2 서스테인 전압이 전극에 공급된다.
제2 전압 공급부(805)는 기저 전압(GND)을 제1 전극 또는 제2 전극으로 공급한다. 제1 전압 공급부(804)의 제4 스위치(S4)를 포함한다. 제4 스위치(S4)가 턴온되면, 기저 전압이 제1 전극 또는 제2 전극으로 공급된다.
도 11는 도 10의 서스테인 전압 공급부를 나타낸 것이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 도 10의 전압 공급부(810)는 온도 비교부(815), 제 1 전압 조절용 스위치(Sa), 제 2 전압 조절용 스위치(Sb)와, 제 1 내지 4 전압 분배용 저항(Ra, Rb, Rc, Rd)을 포함할 수 있다.
온도 비교부(815)는 입력된 온도 정보 신호에 해당하는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도와 기준 온도를 비교하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높은 경우 해당 스위칭 제어 신호를 출력한다. 이 때, 기준 온도는 하나 이상이 될 수 있다. 즉, 기준 온도가 Ta 및 Tb(Tb> Ta)인 경우, 온도 비교부(815)는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 기준 온도 Ta 및 Tb와 비교할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 Ta보다 낮은 경우, 제1 및 제2 전압 조절용 스위치(Sa, Sb)를 턴온시키기 위한 스위칭 제어 신호 Tc1 및 Tc2를 출력한다. 제 1 및 제2 전압 조절용 스위치(Sa, Sb)가 턴온되면, 제 4 전압 분배용 저항(Rd)에 걸리는 전압(Vs1)은 Rd/(Ra+Rd)×V가 된다.
플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 Ta보다 높고 Tb 보다 낮은 경우, 제 1 전압 조절용 스위치(Sa)를 턴-온 시키고, 제 2 전압 조절용 스위치(Sb)를 턴-오프(Turn-Off)시키기 위한 스위칭 제어 신호 Tc1 및 Tc2를 출력한다. 제 1 전압 조 절용 스위치(Sa)가 턴온되고, 제 2 전압 조절용 스위치(Sb)가 턴오프되면, 제 3 전압 분배용 저항(Rc)과 제 4 전압 분배용 저항(Rd)에 걸리는 전압(Vs2)은 (Rd+Rc)/(Ra+Rc+Rd)×V가 되며, 전압(Vs2)은 전압(Vs1)보다 크다.
플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 Tb 보다 높은 경우, 제 1 및 제2 전압 조절용 스위치(Sa, Sb)를 턴오프시키기 위한 스위칭 제어 신호 Tc1 및 Tc2를 출력한다. 제 1 및 제2 전압 조절용 스위치(Sa, Sb)가 턴오프되면, 제 2 내지 제4 전압 분배용 저항(Rb, Rc, Rd)에 걸리는 전압(Vs3)은 (Rb + Rc +Rd)/(Ra+ Rb + Rc +Rd)×V가 되고, 전압(Vs3)은 전압(Vs2)보다 크다.
즉, 서스테인 전압 공급부(810)는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 증가할수록 서스테인 전압을 증가시킨다.
도 11의 서스테인 전압 공급부(810) 이외에도 DC/DC 컨버터도 가능하다.
도 10 및 도 12을 참조하여 구동부의 동작을 상세히 설명한다.
전압 상승 기간에서는 제1 스위치(S1)가 턴온되고, 제2 내지 제4 스위치(S4)가 턴오프된다. 이에 따라 에너지 저장부(800)의 에너지가 제 1 노드(n1), 제1 스위치(S1), 제 1 인덕터부(803), 제 2 노드(n2)를 경유하여 제1 전극 또는 제2 전극을 공급된다. 이에 따라, 제 1 인덕터(L1)에 의한 LC 공진이 형성되고, 제1 전극 또는 제2 전극의 전압은 기전 전압(GND)으로부터 점진적으로 상승한다.
전압 유지 기간에서는 제1 스위치(S1) 및 제3 스위치(S3)가 턴온되고, 제2 스위치(S2) 및 제4 스위치(S4)가 턴오프된다. 이에 따라 서스테인 전압 공급부(810)로부터 출력된 서스테인 전압이 제1 전극 또는 제2 전극으로 공급된다. 이 때, 서스테인 전압은 제1 내지 제3 서스테인 전압(Vs1-Vs3) 중 하나이다. 이에 따라, 제 1 전극 또는 제 2 전극의 전압이 제1 내지 제3 서스테인 전압(Vs1, Vs2, Vs3) 중 하나로 일정하게 유지된다.
전압 하강 기간에서는 제2 스위치(S2)가 턴온되고, 제1 스위치(S1), 제3 스위치(S3) 및 제4 스위치(S4)가 턴온된다. 이에 따라 제1 전극 또는 제2 전극으로부터 에너지 저장부(800)로 에너지가 회수된다. 또한 제2 인덕터부(806)가 LC 공진을 형성하므로 제1 전극 또는 제2 전극의 전압은 기저 전압(GND)으로 점진적으로 하강한다.
전압 상승 기간, 전압 유지 기간, 전압 하강 기간 이외의 기간에 제4 스위치(S4)가 턴온되고, 제1 내지 제3 스위치(S1-S3)가 턴오프되면, 제 1 전극 또는 제 2 전극에 기저 전압(GND)이 공급된다.
도 7의 제1 및 제2 서스테인 신호는 제1 클램핑 시점(tc1) 및 제2 클램핑 시점(tc2)까지 제1 전극 또는 제2 전극의 전압(V1, V2)이 서로 다른다. 반면에 도 13의 제1 및 제2 서스테인 신호는 전압 유지 기간 이전까지 상승하는 제1 전극 또는 제2 전극의 전압(V1)이 서로 같을 수도 있다.
도 7 및 도 13의 제1 스위치(S1)의 턴온 기간이 크면 전압 상승 기간도 증가한다. 따라서 도 7의 제2 서스테인 신호의 전압 상승 기간이 도 7의 제1 서스테인 신호의 전압 상승 기간보다 크면, 전압 유지 기간 이전에서 점진적으로 상승하는 제1 전극 또는 제2 전극의 전압 또한 증가한다. 또한 도 12의 제2 서스테인 신호의 전압 상승 기간이 도 7의 제1 서스테인 신호의 전압 상승 기간과 같으면, 전압 유 지 기간 이전에서 점진적으로 상승하는 제1 전극 또는 제2 전극의 전압 또한 같다.
도 7의 제1 서스테인 신호 및 제2 서스테인 신호는 플라즈마 디스플레이 패널의 온도(Tp)가 기준 온도(Tref) 이상일 때 Vs2가 Vs1보다 크고, V2가 V1보다 크므로 패널 온도(Tp) 상승에 따른 벽전하의 감소를 용이하게 보상할 수 있다.
또한 도 13의 제1 및 제2 서스테인 신호와 같이 전압 유지 기간 이전까지 상승하는 제1 전극 또는 제2 전극의 전압(V1)이 서로 같으면, 도 10의 제1 스위치(S1)의 타이밍 제어가 용이하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 것이다.
도 3은 도 2의 제 1 전극 또는 제 2 전극의 구조를 나타낸 것이다.
도 4는 제 1 전극 또는 제 2 전극의 다른 구조를 나타낸 것이다.
도 5는 도 1의 플라즈마 디스플레이 장치에서 영상의 계조를 구현하는 방법을 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 신호를 나타낸 것이다.
도 7은 도 6의 서스테인 신호를 상세히 나타낸 것이다.
도 8은 도 6의 서스테인 신호의 다른 실시예이다.
도 9는 도 6의 서스테인 신호의 또다른 실시예이다.
도 10은 도 1의 구동부를 나타낸 것이다.
도 11은 도 10의 서스테인 전압 공급부의 일실시예를 나타낸 것이다.
도 12는 도 10의 구동부의 스위칭 타이밍도이다.
도 13은 플라즈마 디스플레이 패널의 온도에 관련하여 서스테인 신호를 공급하는 다른 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 14는 제1 전압 상승 기간에 대한 제2 전압 상승 기간의 비, 서스테인 마진 및 서스테인 전압의 관계를 나타낸 그래프이다.
Claims (9)
- 서로 나란한 제 1 전극과 제 2 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널;상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도를 검출하여 온도 정보 신호를 출력하는 온도 측정부;상기 온도 측정부로부터 상기 온도 정보 신호를 입력받아 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 제 1 서스테인 신호를 제1 클램핑 시점에서 클램핑하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상기 기준 온도보다 높으면 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나에 공급되는 제 2 서스테인 신호를 상기 제1 클램핑 시점과 다른 제2 클램핑 시점에서 클램핑하는 구동부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 서스테인 펄스는 제1 전압에서 클램핑되고, 상기 제2 서스테인 펄스는 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압에서 클램핑되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 구동부는상기 온도 측정부로부터 상기 온도 정보 신호를 입력받아 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 상기 제1 전압보다 높은 제1 서스테인 전압을 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 공급하고 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높으면 상기 제1 서스테인 전압보다 높은 제2 서스테인 전압을 상기 제1 전극또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 구동부는상기 제1 전압보다 높은 제1 서스테인 전압을 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 공급하고,상기 제1 서스테인 전압과 실질적으로 같은 제2 서스테인 전압을 상기 제1 전극또는 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 구동부는상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급되거나 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로부터 회수되는 에너지를 저장하는 에너지 저장부,상기 에너지 저장부의 전압이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급되 도록 하는 에너지 공급부,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로부터 상기 에너지 저장부로 상기 에너지가 회수되로록 하는 에너지 회수부,상기 에너지 공급부가 상기 에너지 저장부의 에너지가 공급되도록 할 때 공진을 형성하는 제1 인덕터부,상기 에너지 회수부가 상기 에너지 저장부로 상기 에너지가 회수되록 할 때 공진을 형성하는 제2 인덕터부,상기 온도 측정부로부터 입력받은 상기 온도 정보 신호에 해당하는 상기 플라즈마 디스플레인 패널의 온도가 상기 기준 온도보다 낮으면 제1 제어 신호를 출력하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 상기 기준 온도보다 높으면 제2 제어 신호를 출력하는 콘트롤러,상기 제1 제어 신호를 입력받으면 상기 제1 클램핑 시점에서 턴온되고 상기 제2 제어 신호를 입력받으면 상기 제2 클램핑 시점에서 턴온되는 제1 전압 공급부, 및기저 전압을 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급하는 제2 전압 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 구동부는상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급되거나 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로부터 회수되는 에너지를 저장하는 에너지 저장부,상기 에너지가 상기 에너지 저장부로부터 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급되도록 하는 에너지 공급부,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로부터 상기 에너지 저장부로 상기 에너지가 회수되로록 하는 에너지 회수부,상기 에너지가 공급될 때 공진을 형성하는 제1 인덕터부,상기 에너지가 회수될 때 공진을 형성하는 제2 인덕터부,상기 플라즈마 디스플레인 패널의 온도가 기준 온도보다 낮으면 상기 온도 정보 신호를 입력받아 상기 제1 서스테인 전압을 공급하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높으면 상기 제2 서스테인 전압을 공급하는 서스테인 전압 공급부,상기 제1 서스테인 전압 또는 상기 제2 서스테인 전압을 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급하는 제1 전압 공급부, 및기저 전압을 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극으로 공급하는 제2 전압 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 서스테인 전압 공급부는상기 온도 정보 신호에 해당하는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도와 기준 온도를 비교하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 온도가 기준 온도보다 높은 경우 스위칭 제어 신호를 출력하는 온도 비교부,상기 스위칭 제어 신호에 따라 스위칭되는 전압 조절용 스위치,상기 전압 조절용 스위치의 스위칭에 따라 상기 제2 서스테인 전압을 형성하는 복수의 전압 분배용 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제7항에 있어서,상기 기준 온도는 복수 개인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 서스테인 신호의 전압 상승 기간에 대한 상기 제2 서스테인 신호의 전압 상승 기간의 비는 1.3 이상 1.7 이하일 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
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