KR20080027322A - Ｌｅｄ 조립체 및 모듈 - Google Patents

Ｌｅｄ 조립체 및 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20080027322A
KR20080027322A KR1020087000031A KR20087000031A KR20080027322A KR 20080027322 A KR20080027322 A KR 20080027322A KR 1020087000031 A KR1020087000031 A KR 1020087000031A KR 20087000031 A KR20087000031 A KR 20087000031A KR 20080027322 A KR20080027322 A KR 20080027322A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
impedance
array
conductive
substrate
Prior art date
Application number
KR1020087000031A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101256392B1 (ko
Inventor
로버트 에이. 에르하르디트
Original Assignee
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Publication of KR20080027322A publication Critical patent/KR20080027322A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101256392B1 publication Critical patent/KR101256392B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • H05B45/28—Controlling the colour of the light using temperature feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/42—Antiparallel configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

발광 다이오드(LED) 조립체 및 모듈은, 대향하는 제1 및 제2 측(50, 52)을 갖는 기판(48)과, 기판(48)의 제1 및 제2 측(50, 52)에 각각 인접하게 배치된 제1 및 제2 도전판(44, 46)을 갖는 커패시터(32)와, 기판(48)에 열적 결합되고 제1 도전판(44)에 전기적으로 접속된 역평행 LED 구조(34)를 포함한다.
역평행 LED 구조, 도전판, 임피던스 어레이, LED 조립체

Description

ＬＥＤ 조립체 및 모듈{LED ASSEMBLY AND MODULE}
본 발명은 일반적으로 발광 다이오드(LED)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, LED 조립체 및 모듈에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 교통 신호 및 신호계와 같이 다양한 응용 분야에서 널리 사용되고 있다. LED는, 가까운 미래에 자동차 분야에서 백열 램프를 대체하고 수 년 내에 많은 일반적인 조명 응용 분야에서 백열 램프, 할로겐 램프, 형광 램프를 대체할 것으로 예상된다. LED는 고 효율의 밝은 조명을 제공한다.
그러나, LED에는 동작 특성 및 제조 한계 사항으로 인해 일부 문제점들이 존재한다. LED에서는, 전압 변화는 작으면서 전류 변화가 크게 나타나며, 이에 따라 LED 드라이버는 LED에 대한 전류를 제어해야 한다. 저항기를 LED들과 직렬로 배치함으로써 전류를 제한하는 해결책이 있기는 하지만, 이러한 해결책으로는 특정한 응용 분야들에서 특정 LED들의 효율 요구 사항 및 기능성을 최적화할 수 없다. 저항기는 LED 조립체의 크기 및 비용을 증가시킨다. 또한, 저항기는 열을 발생시키며, 이 열은 LED 자체로부터의 열과 함께 제거되어야 한다.
LED 제조시 많은 프로세스 변동들로 인해, 동작 특성에 많은 변동들이 발생한다. 제조자는, 동작 특성 변동을 고려하여, 동작 특성들을 샘플링하고, LED들을 유사한 동작 특성들을 갖는, 빈(bin)이라 칭하는 배치(batch)들로 정렬한다. 빈의 예로는, 전압 차이를 고려하는 전압 빈, 소정의 구동 전류에서의 광 출력 차이를 고려하는 플럭스 빈, 색 차이를 고려하는 컬러 빈이 있다. 동작 특성 변동을 보상하는 LED 드라이버는 복잡하고 비용이 많이 든다. 다수의 색 LED들이 LED 조립체에서 사용되는 경우, 다수의 출력을 갖는 단일 드라이버, 또는 다수의 드라이버가 필요하고, 이러한 단일 드라이버에서는 복잡성이 증가하고 다수의 드라이버에서는 비용이 증가한다.
전술한 단점들을 극복하는 모듈 및 LED 조립체를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태는, 대향하는 제1 측 및 제2 측을 갖는 기판과, 기판의 제1 측 및 제2 측에 각각 근접하여 배치된 제1 도전판 및 제2 도전판을 갖는 커패시터와, 제1 도전판에 전기적으로 접속되고 기판에 열적으로 결합된 역평행(anti-parallel) LED 구조를 포함하는 발광 다이오드(LED) 조립체를 제공한다.
본 발명의 다른 일 양태는, LED 드라이버와, LED 드라이버에 전기적으로 병렬 접속된 적어도 하나의 LED 조립체를 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드(adjustable output LED) 모듈을 제공하고, 이 LED 조립체는 LED 어레이와 스위칭가능 임피던스 어레이를 구비한다. LED 어레이는 적어도 하나의 역평행 LED 구조를 포함하고, 스위칭가능 임피던스 어레이는 병렬로 접속된 다수의 임피던스 회로를 포함한다. 다수의 임피던스 회로 각각은 스위치에 직렬로 접속된 커패시터를 포함한다.
본 발명의 또다른 일 양태는, LED 드라이버와, LED 드라이버에 전기적으로 병렬 접속된 적어도 하나의 LED 조립체 - 이 LED 조립체는 LED 어레이와 스위칭가능 임피던스 어레이를 구비하고, LED 어레이는 적어도 하나의 LED 구조를 포함하고, 스위칭가능 임피던스 어레이는 병렬로 접속된 다수의 임피던스 회로를 포함하며, 다수의 임피던스 회로 각각은 스위치에 직렬로 접속된 저항기를 포함함 - 와, 스위칭가능 임피던스 어레이에 동작가능하게 접속되고 다수의 임피던스 회로의 스위치들을 기동시키는 컨트롤러 - 이 컨트롤러는 온도 신호에 응답함 - 와, LED 어레이에 열적으로 접속되고 온도 신호를 발생시키는 온도 센서를 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드(LED) 모듈을 제공한다.
본 발명의 또다른 일 양태는, 역평행 LED 구조와, 역평행 LED 구조에 전기적으로 직렬 접속된 임피던스 어레이와, 역평행 LED 구조에 교류를 제공하기 위한 수단과, 임피던스 어레이의 임피던스를 스위칭하기 위한 수단을 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드(LED) 시스템을 제공한다.
본 발명의 전술한 특징들 및 이점들 및 다른 특징들 및 이점들은, 첨부 도면과 함께 바람직한 실시예의 다음에 따르는 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다. 상세한 설명 및 도면은 본 발명을 제한하는 것이 아니라 예시하는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 청구 범위 및 그 등가물에 의해 한정된다. 유사한 요소들은 도면 전체에 걸쳐 유사한 참조 번호들을 공유한다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 LED 조립체의 개략적인 도면이다.
도 2A 및 2B는 본 발명에 따라 제조된 LED 조립체의 도면이다.
도 3A 내지 3C는, 본 발명에 따라 제조된, 커패시턴스 판들을 갖는 LED 조립체의 방향에 따른 도면이다.
도 4는, 본 발명에 따라 제조된, 선택가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 개략적인 도면이다.
도 5A 내지 5D는, 본 발명에 따라 제조된, 선택가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 방향에 따른 도면이다.
도 6은, 본 발명에 따라 제조된, 스위칭가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 개략적인 도면이다.
도 7A 내지 7E는, 본 발명에 따라 제조된, 스위칭가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 방향에 따른 도면이다.
도 8은 본 발명에 따라 제조된 출력 조절가능 LED 모듈의 개략적인 도면이다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 발광 다이오드(LED) 조립체의 개략적인 도면이다. LED 조립체(30)는, 커패시터(32), 및 제1 접속부(36)와 제2 접속부(38) 사이에 직렬로 접속된 역평행 LED 구조(34)를 포함한다. 역평행 LED 구조(34)는 역평행 방식으로 접속된 제1 LED(40) 및 제2 LED(42)를 포함하며, 즉, 제1 LED(40)와 제2 LED(42)가 서로 대향 분극을 갖는 상태로 접속된다. 일실시예에서, 역평행 LED 구조(34) 및 커패시터(32)는, 역평행 LED 구조(34)의 동작 특성들을 보상하도 록 매칭된다. LED 조립체(30)는, 미국 특허번호 제6,853,150호에 개시되어 있으며 그 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는 바와 같이, 교류를 발생시키는 LED 드라이버로 구동될 수 있다. 당업자라면, 역평행 LED 구조(34)가 LED들의 단일 쌍으로 한정되지 않고, 필요에 따라 직렬, 병렬, 및/또는 다른 어레이 구성으로 접속된 다수의 LED를 포함할 수 있다는 점을 인식할 것이다.
도 2A 및 2B는 각각 본 발명에 따라 제조된 LED 조립체의 상면도 및 측면도이다. 커패시터(32)는 제1 도전판(44) 및 제2 도전판(46)을 포함한다. 제2 측(52)에 대향하는 제1 측(50)을 갖는 기판(48)은, 제1 도전판(44) 및 제2 도전판(46) 사이에 배치되고, 여기서 제1 도전판 및 제2 도전판은 각각 기판(48)의 제1 측 및 제2 측에 근접하게 배치된다. 제1 접속부(36) 및 제2 접속부(38)는, 인쇄 회로 기판 또는 추가 전기적 컴포넌트들에 접속되는 데 이용될 수 있다. 제1 접속부(36)는 역평행 LED 구조(34)에 전기적으로 접속되고, 이 구조는 커넥터(54)에 의해 제1 도전판(44)에 전기적으로 접속된다. 제2 접속부(38)는 제2 도전판(46)에 전기적으로 접속된다. 역평행 LED 구조(34)는 기판(48)에 열적 결합된다. 일실시예에서, 역평행 LED 구조(34)는 제1 도전판(44) 상에 장착된다. 다른 일실시예에서, 역평행 LED 구조(34)는 기판(48) 상에 장착된다.
기판(48)은, 다층 세라믹 커패시터들에서 이용되는 유전 물질과 같이, 커패시터(32)를 위해 필요한 커패시턴스를 제공하는 임의의 적합한 유전 물질로 형성될 수 있다. 일실시예에서, 기판(48)은 온도에 응답하는 유전 상수를 갖는다. 예를 들어, 기판(48)은 100℃와 같은 소정의 온도에서 피크값을 갖는 유전 상수를 가질 수 있다. 역평행 LED 구조(34)가 소정의 온도 미만에서 기판(48)의 온도를 증가시키는 경우, 기판(48)의 유전 상수가 증가하게 되어, 커패시터(32)의 커패시턴스가 증가하고, 역평행 LED 구조(34)를 통한 전류가 증가하며, 역평행 LED 구조(34)의 광 출력을 유지하게 된다. 역평행 LED 구조(34)가 기판(48)의 온도를 증가시켜 소정의 온도를 초과하는 경우, 기판(48)의 유전 상수가 감소하게 되어, 역평행 LED 구조(34)를 통한 전류가 감소되고, 온도가 제한되며 열폭주(thermal runaway)가 방지된다. 온도 계수는, 기판 상에 장착된 다른 역평행 LED 구조들보다 서로 다른 동작 특성들을 갖는 하나 이상의 역평행 LED 구조를 보상할 수 있어서, 모든 역평행 LED 구조들을 위한 광 출력의 균형을 맞춘다.
도 3A 내지 3C는 각각 본 발명에 따라 제조된 커패시턴스 판들을 구비하는 LED 조립체의 상면도, 길이방향의 단면도, 측 단면도이다. 개략적인 도면은 도 1과 동일하다. 이 실시예에서, 커패시터의 제1 도전판 및 제2 도전판은 실질적으로 평행한 커패시턴스 판들의 2개 그룹이며, 여기서 기판은 커패시터의 커패시턴스를 증가시키도록 그 커패시턴스 판들 사이에 배치된다. 각 커넥터는, LED 조립체에서 내부 접속을 이루고, LED 조립체와의 외부 접속을 이루며, LED 조립체를 조립하는 데 사용될 수 있다.
도 3A 내지 3C를 참조해 보면, LED 조립체(130)는 도 1의 제1 접속부(36)에 대응하는 제1 에지 커넥터(60)와, 도 1의 제1 접속부(36)에 대응하는 제2 에지 커넥터(62)와, 제3 에지 커넥터(64)를 포함한다. 제2 에지 커넥터(62)는 제1 커넥터 부분(66) 및 제2 커넥터 부분(68)을 구비한다. 다른 일실시예에서, 제1 커넥터 부 분(66) 및 제2 커넥터 부분(68)은 별도의 부분들일 수 있다. 제1 에지 커넥터(60)는 제1 커넥터(80)에 의해 역평행 LED 구조(34)에 전기적으로 접속되고, 역평행 LED 구조(34)는 제2 커넥터(82)에 의해 제3 에지 커넥터(64)에 전기적으로 접속된다.
제1 도전판 및 제2 도전판은 다수의 제1 커패시턴스 판(70) 및 다수의 제2 커패시턴스 판(72)을 각각 포함한다. 제1 커패시턴스 판(70)들은 제2 커패시턴스 판(72)들과 함께 산재(intersperse)되고 이 제2 커패시턴스 판들에 대략 평행하게 배열된다. 인접하는 커패시턴스 판들은 제1 커패시턴스 판(70)들 및 제2 커패시턴스 판(72)들 사이에서 ABABA 패턴으로 교번된다. 기판(48)은 제1 커패시턴스 판(70) 및 제2 커패시턴스 판(72) 사이에 배치된다.
제1 커패시턴스 판(70)들은 제3 에지 커넥터(64)에 전기적으로 접속되고, 제2 커패시턴스 판(72)들은 제1 커넥터 부분(66)에 전기적으로 접속된다. 커패시턴스 판들은 LED 조립체(130)의 폭보다 짧고 이에 따라 제1 커패시턴스 판(70)들은 제1 커넥터 부분(66)과 접촉하지 않으며 제2 커패시턴스 판(72)들은 제3 에지 커넥터(64)와 접촉하지 않는다. 커패시턴스 판들은 제1 에지 커넥터(60) 및 제2 커넥터 부분(68)과의 접촉을 피하기 위해 LED 조립체(130)의 길이보다 짧으며, 이러한 제1 에지 커넥터 및 제2 커넥터 부분은 절연체(76)에 의해 기판(48)으로부터 각각 절연된다. 역평행 LED 구조(34)를 수용하는 LED 조립체(130)의 일부는, 필요에 따라 최외 커패시턴스 판, 또는 기판(48)의 일부일 수 있다.
도 4는, 본 발명에 따라 제조된, 선택가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 개략적인 도면이다. LED 조립체(230)는, 제1 접속부(92)와 제2 접속부(94) 사이에 병렬로 접속된, 도 1의 LED 조립체(30)에 대응하는 다수의 LED 회로(90)를 포함한다. 다수의 LED 회로(90)의 각각은, 제1 접속부(92)와 제2 접속부(94) 사이에 직렬로 접속된, 커패시터(32) 및 역평행 LED 구조(34)를 포함한다. 역평행 LED 구조(34)는 서로 역평행한 방식으로 제1 LED(40) 및 제2 LED(42)를 포함하며, 즉, 제1 LED(40) 및 제2 LED(42)가 서로 대향하는 분극으로 접속된다. LED 조립체(30)는, 미국 특허번호 제6,853,150호에 개시되어 있으며 그 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는 바와 같이, 교류를 발생시키는 LED 드라이버로 구동될 수 있다.
도 5A 내지 5D는, 각각, 본 발명에 따라 제조된, 선택가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 상세한 상면도, 저면도, 측면도이다. 이 실시예에서는, LED 회로들에 다수의 역평행 LED 구조가 제공되어 발광이 이루어진다. 각 LED 회로에서 각 커패시터의 하나의 도전판은 도전성 아일랜드(island)이다. 각 도전성 아일랜드의 면적은, LED 회로 및 관련된 역평행 LED 구조에 대하여 필요한 커패시턴스를 제공하도록 선택될 수 있다.
LED 조립체(230)는, 제2 측(52)에 대향하는 제1 측(50)을 갖는 기판(48)을 포함한다. 하나의 공통 커넥터(96) 및 다수의 도전성 아일랜드(100)가 제1 측(50) 상에 배치된다. 각 도전성 아일랜드(100)의 면적은, LED 회로 및 관련된 역평행 LED 구조(34)에 대하여 필요한 커패시턴스를 제공하도록 선택될 수 있다. 역평행 LED 구조(34) 및 커패시터(32)의 이러한 매칭은, 역평행 LED 구조(34)의 동작 특성을 보상할 수 있다. 서로 다른 도전성 아일랜드들은 서로 다른 면적들을 가질 수 있다. 역평행 LED 구조(34)는 도전성 아일랜드(100) 상에 배치되고 기판(48)에 열적 결합된다. 다른 일실시예에서, 역평행 LED 구조(34)는 기판(48) 상에 직접 배치된다. 제1 커넥터(98)들은 공통 커넥터(96)를 각 역평행 LED 구조(34)에 전기적으로 접속하고 제2 커넥터(102)들은 각 역평행 LED 구조(34)를 각 도전성 아일랜드(100)에 전기적으로 접속한다. 제2 도전판(46)은 기판(48)의 제2 측(52) 상에 배치된다. 일실시예에서, 공통 커넥터(96) 및/또는 제2 도전판(46)은 기판(48)의 에지 주위를 둘러싼다. 공통 커넥터(96) 및 제2 도전판(46)은 대향하는 에지들 주위를 둘러싸서 LED 조립체(230)에 대한 외부 접속부들을 분리시킬 수 있다. 당업자라면, 제2 도전판(46)이 도전성 아일랜드(100)들과 마찬가지로 기판(48)의 제2 측(52) 상에서 제2 도전성 아일랜드들로 분리될 수 있고, 여기서, 제2 도전성 아일랜드들의 각각은 특정한 회로 구성을 위해 필요에 따라 도전성 아일랜드(100)들 중 하나 이상에 대향한다는 것을 인식할 것이다.
도 6은, 본 발명에 따라 제조된, 스위칭가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 개략적인 도면이다. LED 조립체(330)는, 제1 접속부(96) 및 제2 접속부(94) 사이에서 스위칭가능 커패시턴스 어레이(108)와 전기적으로 직렬 접속된 LED 어레이(106)를 포함한다. LED 어레이(106)는 병렬로 접속된 하나 이상의 역평행 LED 구조(34)를 포함한다. 역평행 LED 구조(34)는 역평행 방식으로 접속된 제1 LED(4) 및 제2 LED(42)를 포함하며, 즉, 제1 LED(40) 및 제2 LED(42)가 서로 대향하는 분극으로 접속된다. 당업자라면, 역평행 LED 구조(34)가 LED들의 단일 쌍으로 한정되지 않으며, 필요에 따라 직렬, 병렬, 및/또는 다른 어레이 구성으로 접속된 다수 의 LED를 포함할 수 있다는 것을 인식할 것이다. 스위치가능 커패시터 어레이(108)는 병렬로 접속된 하나 이상의 커패시턴스 회로(110)를 포함한다. 각 커패시턴스 회로(110)는, 직렬로 접속된, 커패시터(32) 및 스위치(120)를 포함한다. LED 조립체(330)는, 미국 특허번호 제6,853,150호에 개시되어 있으며 그 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는 바와 같이, 교류를 발생시키는 LED 드라이버로 구동될 수 있다.
도 7A 내지 7E는, 각각, 본 발명에 따라 제조된, 스위칭가능 커패시턴스를 갖는 LED 조립체의 상면도, 상세한 상면도, 저면도, 상세한 저면도, 측면도이다. 이 실시예에서, 역평행 LED 구조들은, 자신들을 통한 전류를 제어하도록 스위칭가능 커패시턴스를 제공하는 스위치들에 직렬로 제공된다.
LED 조립체(330)는, 제2 측(52)에 대향하는 제1 측(50)을 갖는 기판(48)을 포함한다. 공통 커넥터(96) 및 다수의 도전판(114)은 제1 측(50) 상에 배치된다. 역평행 LED 구조(34)는 도전판(114)들 상에 배치되고 기판(48)에 열적 결합된다. 다른 일실시예에서, 역평행 LED 구조(34)는 기판(48) 상에 직접 배치된다. 제1 커넥터(98)는 공통 커넥터(96)를 각 역평행 LED 구조(34)에 접속하고, 제2 커넥터(102)는 각 역평행 LED 구조(34)를 도전판(114)에 전기적으로 접속한다. 도전성 아일랜드(116)들은 기판(48)의 제2 측(52) 상에 배치된다. 스위치(120)들은 도전성 아일랜드(116)들 상에 배치된다. 또다른 일실시예에서, 스위치(120)들은 기판(48) 상에 직접 배치된다. 제3 커넥터(118)들은 도전성 아일래드(116)들을 스위치(120)들에 전기적으로 접속하고, 제4 커넥터(122)들은 스위치(120)들을 공통 커 넥터(125)에 전기적으로 접속한다. 일실시예에서, 공통 커넥터(96) 및/또는 공통 커넥터(124)는 기판(48)의 에지 주위를 둘러싼다. 공통 커넥터(96) 및 공통 커넥터(124)는 LED 조립체(330)에 대한 외부 접속부들을 분리하도록 대향하는 에지들 주위를 둘러쌀 수 있다.
스위치(120)는, DIP 스위치, 구동 멀티플렉싱(driven multiplexed) 스위치, 막 저항 스위치 등일 수 있다. 일실시예에서, 스위치(120)는, 동작 중 역평행 LED 구조(34)를 통한 스위칭가능 커패시턴스 및 전류를 스위칭하기 위한 컨트롤러로부터의 스위치 제어 신호와 같은 스위치 제어 신호에 응답할 수 있다. 다수의 LED 조립체(330)는 출력 조절가능 LED 모듈을 제공하도록 LED 드라이버에 병렬로 접속될 수 있다.
도 8은 본 발명에 따라 제조된 출력 조절가능 LED 모듈의 개략적인 도면이다. LED 어레이들과 직렬 상태에 있는 스위칭가능 임피던스 어레이들은, LED 어레이들을 통한 전류를 제어한다. 전류 제어는, LED에서의 동작 특성 변동을 고려할 수 있고, 온도에 따른 광 출력 변화를 보상할 수 있으며, LED 온도를 제한할 수 있고, 필요한 광의 색 및/또는 강도를 발생시킬 수 있는 등의 제어를 행할 수 있다.
출력 조절가능발광 다이오드(LED) 모듈(400)은, LED 드라이버(152) 및 LED 드라이버(152)에 전기적으로 병렬 접속된 적어도 하나의 LED 조립체(148)를 포함한다. LED 조립체(148)는 적어도 하나의 LED 구조를 갖는 LED 어레이(150) 및 스위칭가능 임피던스 어레이(154)를 구비한다. 스위칭가능 임피던스 어레이(154)는, 병렬로 접속된 다수의 임피던스 회로(156)를 포함하고, 다수의 임피던스 회로(156) 의 각각은 스위치(160)에 직렬로 접속된 임피던스 장치(158)를 포함한다. LED 드라이버(152)가 교류를 발생시키는 LED 드라이버인 경우, LED 구조는 역평행 LED 구조이고 임피던스 장치(158)는 커패시터이다. LED 드라이버(152)가 직류를 발생시키는 LED 드라이버인 경우, LED 구조는 단일 극성의 LED 구조이며, 즉, 모든 LED들이 동일한 분극으로 접속되어 있는 구조이며, 임피던스 장치(158)는 저항기이다.
스위치(160)는, DIP 스위치, 구동 멀티플렉싱 스위치, 막 저항 스위치 등과 같은 수동 또는 제어 스위치일 수 있다. 막 저항 스위치는, 레이저 트리밍에 의해 제조시 설정될 수 있으며, 임피던스 장치(158)의 임피던스의 일부 또는 전부를 제공할 수 있다. 일실시예에서, 스위치(160)는, 스위치(160)를 기동하도록 스위칭가능 임피던스 어레이(154)에 동작가능하게 접속된 선택 사항인 컨트롤러(162)로부터의 스위치 제어 신호(170)에 응답한다. 또한, 출력 조절가능 LED 모듈(400)은 온도 신호(168)를 발생시키도록 LED 어레이(150)에 열적 접속된 온도 센서(164)를 포함할 수 있고, 여기서 컨트롤러(162)는 온도 신호(168)에 응답한다. 컨트롤러(162)는 온도 신호(168)를 이용하여, 이 온도 신호가 온도 한계를 초과할 때 LED 어레이(150)를 통한 전류를 줄일 수 있으며, 그리고/또는 LED 어레이(150)의 온도에 상관없이 LED 어레이(150)로부터의 일정한 광 출력을 유지할 수 있다. 컨트롤러(162)는, 마이크로프로세서일 수 있으며, 룩업 테이블을 이용하여 특정한 온도 신호(168)에 대하여 필요한 스위치 위치를 결정할 수 있다.
스위칭가능 임피던스 어레이(154)의 임피던스 값은 특별한 효과를 얻도록 선택될 수 있다. 일실시예에서, 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 하나의 스위 칭가능 임피던스 어레이에 있는 임피던스 장치(158)들의 각각의 임피던스 값은, 동일한 그 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이(154)에 있는 다른 임피던스 장치(158)들의 임피던스 값들과 서로 다르다. 다른 일실시예에서, 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 임피던스 장치(158)들의 임피던스 값들의 패턴은 1:2:4:8,...2(n-1)이고, 여기서 n은 스위칭가능 임피던스 어레이(154)에 있는 임피던스 장치(158)들의 개수이다. 스위칭가능 임피던스 어레이(154)에 4개의 서로 다른 임피던스 장치(158)가 존재하는 경우, 스위치(160)들의 서로 다른 조합들에 의해 16개의 서로 다른 임피던스 값들이 존재할 수 있다.
LED 조립체(148)들은 각각이 서로 다른 색의 광을 발생시키도록 선택될 수 있고, 이에 따라 서로 다른 강도들을 갖는 서로 다른 색의 광들의 조합이 서로 다르게 지각되는 색들을 발생시킨다. 예를 들어, 3개의 LED 조립체(148)는 RGB 혼합 광원을 형성하도록 적색, 녹색, 청색 LED 조립체일 수 있고, 또는, 4개의 LED 조립체(148)는 RGBY 혼합 광원을 형성하도록 적색, 녹색, 청색, 노란색 LED 조립체일 수 있다.
본 명세서에서 설명하는 본 발명의 실시예들은 바람직한 것이라 고려되고 있지만, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변경 및 수정을 행할 수 있다. 설명한 역평행 LED 구조는 LED들의 단일 쌍으로 한정되지 않으며, 필요에 따라 직렬, 병렬, 및/또는 다른 어레이 구성으로 접속된 다수의 LED를 포함할 수 있다. 당업자라면, 도 1 내지 도 8에서 설명한 실시예들이 예시적일 뿐이며 특정한 응용 분야의 필요에 따라 다른 회로들을 이용할 수 있다는 것을 인식할 것이다. 본 발명의 범위는, 청구범위에 나타나 있으며, 등가물의 의미 및 범위 내에 속하는 모든 변경은 그 청구범위 내에 속하는 것이다.

Claims (29)

  1. 대향하는 제1 및 제2 측(50, 52)을 갖는 기판(48)과,
    상기 기판(48)의 제1 및 제2 측(50, 52)에 각각 근접하게 배치된 제1 및 제2 도전판(44, 46)을 갖는 커패시터(32)와,
    상기 제1 도전판(44)에 전기적으로 접속되고 상기 기판(48)에 열적 결합된 역평행(anti-parallel) LED 구조(34)
    를 포함하는 발광 다이오드(LED) 조립체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 역평행 LED 구조(34)는 제1 커패시턴스 판(28) 상에 배치되는 발광 다이오드 조립체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판(48)은 온도에 응답하는 유전 상수를 갖는 발광 다이오드 조립체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판(48)은 소정의 온도에서 피크를 이루는 유전 상수를 갖는 발광 다이오드 조립체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 역평행 LED 구조(34) 및 상기 커패시터(32)는, 상기 역평행 LED 구조(34)의 동작 특성을 보상하도록 매칭되는 발광 다이오드 조립체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전판(44)은 다수의 제1 커패시턴스 판을 포함하고,
    상기 제2 도전판(46)은 다수의 제2 커패시턴스 판을 포함하며,
    상기 다수의 제1 커패시턴스 판은, 상기 다수의 제2 커패시턴스 판과 함께 산재(interspersed)되고 상기 다수의 제2 커패시턴스 판에 대략 평행하게 배열되며,
    상기 기판(48)은 상기 다수의 제1 커패시턴스 판 및 상기 다수의 제2 커패시턴스 판 사이에 배치되는 발광 다이오드 조립체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터(32)는 제1 커패시터이고, 상기 제1 도전판(44)은 상기 기판(48)의 제1 측에 근접하게 배치된 제1 도전성 아일랜드이며, 상기 역평행 LED 구조(34)는 상기 제1 도전성 아일랜드에 전기적으로 접속된 제1 역평행 LED 구조이고,
    상기 기판(48)의 제2 측에 근접하게 배치된 제2 도전판 및 상기 기판(48)의 제1 측에 근접하게 배치된 제2 도전성 아일랜드를 갖는 제2 커패시터와,
    상기 제2 도전성 아일랜드에 전기적으로 접속된 제2 역평행 LED 구조와,
    상기 제1 및 제2 도전성 아일랜드에 각각 대향하는 상기 제1 및 제2 역평행 LED 구조에 전기적으로 접속된 공통 커넥터
    를 더 포함하는 발광 다이오드 조립체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 도전성 아일랜드 및 상기 제2 도전성 아일랜드는 서로 다른 면적들을 갖는 발광 다이오드 조립체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터(32)는 제1 커패시터이고, 상기 제1 도전판(44)은 상기 기판(48)의 제1 측에 근접하게 배치된 제1 도전성 평면이며, 상기 제2 도전판(46)은 상기 제1 도전성 평면에 대향하는 제2 도전성 아일랜드이고, 상기 역평행 LED 구조(34)는 상기 제1 도전성 평면에 전기적으로 접속된 제1 역평행 LED 구조이고,
    상기 제2 도전성 아일랜드에 전기적으로 접속된 제1 스위치와,
    상기 기판(48)의 제1 측에 근접하게 배치된 제1 도전성 평면 및 상기 기판(48)의 제2 측에 근접하게 배치된 상기 제1 도전성 평면에 대향하는 제3 도전성 아일랜드를 갖는 제2 커패시터와,
    상기 제1 도전성 평면에 전기적으로 접속된 제2 역평행 LED 구조와,
    상기 제3 도전성 아일랜드에 전기적으로 접속된 제2 스위치
    를 더 포함하는 발광 다이오드 조립체.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 도전성 평면에 각각 대향하는 상기 제1 및 제2 역평행 LED 구조에 전기적으로 접속된 공통 커넥터
    를 더 포함하는 발광 다이오드 조립체.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 및 제3 도전성 아일랜드에 각각 대향하는 상기 제1 및 제2 스위치에 전기적으로 접속된 공통 커넥터
    를 더 포함하는 발광 다이오드 조립체.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 스위치는, DIP 스위치, 구동 멀티플렉싱(driven multiplexed) 스위치, 막 저항 스위치로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 발광 다이오드 조립체.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 스위치는 스위치 제어 신호에 응답하는 발광 다이오드 조립체.
  14. LED 드라이버(152)와,
    상기 LED 드라이버(152)에 전기적으로 병렬 접속된 적어도 하나의 LED 조립체(148)를 포함하고,
    상기 LED 조립체는 LED 어레이(150) 및 스위칭가능 임피던스 어레이(154)를 구비하며, 상기 LED 어레이(150)는, 적어도 하나의 역평행 LED 구조를 포함하고, 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)는 병렬로 접속된 다수의 임피던스 회로(156)를 포함하며, 상기 다수의 임피던스 회로(156)의 각각은 스위치(160)에 직렬로 접속된 커패시터를 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드(LED) 모듈.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 다수의 임피던스 회로(156)에 있는 상기 스위치(160)를 기동하도록 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)에 동작가능하게 접속된 컨트롤러(162)
    를 더 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 LED 어레이(150)에 열적 접속되어 온도 신호(168)를 발생시키는 온도 센서(164)를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러(162)는 상기 온도 신호(168)에 응답하는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 컨트롤러(162)는, 상기 온도 신호가 온도 제한값을 초과할 때, 상기 LED 어레이(150)를 통한 전류를 줄이도록 상기 온도 신호(168)에 응답하는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 컨트롤러(162)는, 상기 LED 어레이(150)로부터의 광 출력을 일정하게 유지하도록 상기 온도 신호(168)에 응답하는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 커패시터들의 각각의 커패시턴스는, 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 상기 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 다른 커패시터들의 커패시턴스들과 서로 다른 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 커패시터들을 위한 커패시턴스들의 패턴은, 1:2:4:8...2(n-1)이며, 여기서, n은 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 상기 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 커패시터들의 개수인 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  21. 제14항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 LED 조립체(148)는 다수의 LED 조립체(148)를 포함하고,
    상기 다수의 LED 조립체(148)의 각각은, 상기 다수의 LED 조립체(148) 중 다른 LED 조립체들과 서로 다른 색의 광을 발생시키는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  22. LED 드라이버와,
    LED 어레이(150) 및 스위칭가능 임피던스 어레이(154)를 구비하며, 상기 LED 드라이버에 전기적으로 병렬 접속된 적어도 하나의 LED 조립체 - 상기 LED 어레이(150)는 적어도 하나의 LED 구조를 갖고, 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)는 병렬로 접속된 다수의 임피던스 회로(156)를 갖고, 상기 다수의 임피던스 회로(156)의 각각은 스위치(160)에 직렬로 접속된 저항기를 포함함 - 와,
    상기 다수의 임피던스 회로(156)에 있는 스위치(160)를 기동하도록, 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)에 동작가능하게 접속된 컨트롤러(162) - 상기 컨트롤러(162)는 온도 신호(168)에 응답함 - 와,
    상기 온도 신호(168)를 발생시키도록 상기 LED 어레이(150)에 열적 접속된 온도 센서(164)
    를 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드(LED) 모듈.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 컨트롤러(162)는, 상기 온도 신호가 온도 제한값을 초과할 때, 상기 LED 어레이(150)를 통한 전류를 줄이도록 상기 온도 신호(168)에 응답하는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 컨트롤러(162)는 상기 LED 어레이(150)로부터의 광 출력을 일정하게 유지하도록 상기 온도 신호(168)에 응답하는 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 저항기들을 위한 저항값들의 패턴은 1:2:4:8...2(n-1)이며, 여기서, n은 상기 스위칭가능 임피던스 어레이(154)들 중 상기 하나의 스위칭가능 임피던스 어레이에 있는 저항기들의 개수인 출력 조절가능 발광 다이오드 모듈.
  26. 제22항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 LED 조립체(148)는 다수의 LED 조립체(148)를 포함하고,
    상기 다수의 LED 조립체(148)의 각각은 상기 다수의 LED 조립체(148) 중 나머지 LED 조립체들과 서로 다른 색의 광을 발생시키는 출력 조절가능 발광 다이오 드 모듈.
  27. 역평행 LED 구조와,
    상기 역평행 LED 구조에 전기적으로 직렬 접속된 임피던스 어레이와,
    상기 역평행 LED 구조에 교류를 제공하기 위한 수단과,
    상기 임피던스 어레이의 임피던스를 스위칭하기 위한 수단
    을 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드 시스템.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 임피던스를 스위칭하기 위한 수단을 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드 시스템.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제어 수단에 동작가능하게 접속된 역평행 LED 구조의 온도를 감지하기 위한 수단을 더 포함하는 출력 조절가능 발광 다이오드 시스템.
KR1020087000031A 2005-06-02 2006-06-01 Ｌｅｄ 조립체 및 모듈 KR101256392B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68681205P 2005-06-02 2005-06-02
US60/686,812 2005-06-02
PCT/IB2006/051765 WO2006129291A2 (en) 2005-06-02 2006-06-01 Led assembly and module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080027322A true KR20080027322A (ko) 2008-03-26
KR101256392B1 KR101256392B1 (ko) 2013-04-25

Family

ID=37037057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087000031A KR101256392B1 (ko) 2005-06-02 2006-06-01 Ｌｅｄ 조립체 및 모듈

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7830095B2 (ko)
EP (1) EP1891685B1 (ko)
JP (2) JP2008543075A (ko)
KR (1) KR101256392B1 (ko)
CN (1) CN101189736B (ko)
BR (1) BRPI0611190A2 (ko)
MY (1) MY147397A (ko)
TW (1) TW200702824A (ko)
WO (1) WO2006129291A2 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8164273B1 (en) * 2007-04-27 2012-04-24 Harrington Richard H Light emitting diode circuits for general lighting
US8896228B2 (en) 2007-04-27 2014-11-25 Rtc Inc. Light emitting diode circuits for general lighting
US7714334B2 (en) * 2007-08-16 2010-05-11 Lin Peter P W Polarless surface mounting light emitting diode
RU2499331C2 (ru) * 2008-06-17 2013-11-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство, выполненное с возможностью приведения в действие переменным током
KR101618583B1 (ko) * 2008-10-02 2016-05-09 코닌클리케 필립스 엔.브이. 플리커 성능이 개선된 ｌｅｄ 회로 장치
CN102340904B (zh) * 2010-07-14 2015-06-17 通用电气公司 发光二极管驱动装置及其驱动方法
TWI434599B (zh) * 2010-07-23 2014-04-11 Advanced Connectek Inc A light-emitting element driving circuit
US9443834B2 (en) 2010-09-02 2016-09-13 Micron Technology, Inc. Back-to-back solid state lighting devices and associated methods
DE102010047450A1 (de) 2010-10-04 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung
US8384294B2 (en) 2010-10-05 2013-02-26 Electronic Theatre Controls, Inc. System and method for color creation and matching
CN101969726B (zh) * 2010-10-15 2013-10-30 赵熙 一种led驱动回路
US8723450B2 (en) 2011-01-12 2014-05-13 Electronics Theatre Controls, Inc. System and method for controlling the spectral content of an output of a light fixture
US8593074B2 (en) 2011-01-12 2013-11-26 Electronic Theater Controls, Inc. Systems and methods for controlling an output of a light fixture
JP6019045B2 (ja) * 2011-03-07 2016-11-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． エレクトロルミネセント装置
JP2013225629A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Panasonic Corp 点灯回路およびスイッチ
US9543925B2 (en) * 2012-09-03 2017-01-10 Techno Resources Hk Voltage controlled impedance synthesizer
CN104718621A (zh) * 2012-10-15 2015-06-17 皇家飞利浦有限公司 具有电容耦合的led封装
TWI512229B (zh) 2012-12-07 2015-12-11 Ind Tech Res Inst 照明裝置
ITMI20130061A1 (it) * 2013-01-17 2014-07-18 St Microelectronics Srl Driver di corrente per un array di diodi led.
EP2962531B1 (en) 2013-02-28 2017-08-30 Philips Lighting Holding B.V. Simple led package suitable for capacitive driving
US20140368125A1 (en) * 2013-06-09 2014-12-18 Q Technology, Inc. Lighting panel with distributed capacitance
US20150048747A1 (en) * 2013-08-15 2015-02-19 Mei-Ling Peng Structure of color mixing circuit of led light string
US8957590B1 (en) * 2013-08-15 2015-02-17 Mei-Ling Peng Structure of color mixture synchronization circuit of LED light string
DE102013110041B4 (de) * 2013-09-12 2023-09-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Bauelement
US8841856B1 (en) * 2013-10-03 2014-09-23 Robertson Transformer Co. Capacitive ladder feed for AC LED
ITBA20130071A1 (it) * 2013-10-25 2015-04-26 Matteo Console Alimentatore e driver per turbo led t8 dimensioni (60cm, 90cm, 120cm, 150cm) a reattanza capacitiva variabile.
EP3105996B1 (en) 2014-02-12 2018-04-04 Philips Lighting Holding B.V. Illumination system comprising an array of leds
KR102292640B1 (ko) * 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
EP3099141B1 (en) * 2015-05-26 2019-12-18 OSRAM GmbH A lighting device and corresponding method
BR112018012650A2 (pt) * 2015-12-23 2018-12-04 Koninklijke Philips Nv disposição de carga, disposição de potência elétrica, sistema, estrutura marinha e uso de uma disposição de carga
DE102017104908A1 (de) 2017-03-08 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zum Betreiben strahlungsemittierender Bauelemente, Verfahren zur Herstellung der Anordnung und Ausgleichsstruktur
EP3376828A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-19 Valeo Iluminacion Lighting module with configurable electrical network for driving light source thereof
KR102331650B1 (ko) * 2019-09-25 2021-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛
TWM597022U (zh) * 2020-03-23 2020-06-11 柏友照明科技股份有限公司 發光二極體照明裝置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2197583B1 (ko) * 1972-09-07 1975-10-17 Rhone Poulenc Ind
JPS4985064U (ko) * 1972-11-10 1974-07-23
JPS5961917A (ja) * 1982-10-01 1984-04-09 松下電器産業株式会社 複合電子部品
FR2568042B1 (fr) * 1984-07-17 1986-09-05 Radiotechnique Compelec Voyant lumineux bicolore indiquant l'etat de fonctionnement d'un circuit d'utilisation
JPH0241649Y2 (ko) * 1985-08-30 1990-11-06
JP2622291B2 (ja) * 1989-10-06 1997-06-18 アルプス電気株式会社 誘電体ペースト
DE4129059A1 (de) * 1991-09-02 1993-03-04 Vdo Schindling Leuchtdiodenschaltung
JP2976625B2 (ja) * 1991-10-04 1999-11-10 松下電器産業株式会社 積層セラミックコンデンサ
KR930015139A (ko) 1991-12-18 1993-07-23 이헌조 빛세기 변화 가능용 발광다이오드의 제조방법
JPH05318825A (ja) * 1992-05-25 1993-12-03 Toray Ind Inc 発光ダイオードアレイ装置
JP3249582B2 (ja) * 1992-07-24 2002-01-21 シャープ株式会社 発光装置
JP3063412B2 (ja) * 1992-08-21 2000-07-12 富士電機株式会社 可変コンデンサ
US5289112A (en) * 1992-09-21 1994-02-22 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode array current power supply including switched cascode transistors
JP3499255B2 (ja) * 1993-05-21 2004-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 複合集積回路部品の作製方法
US5463280A (en) * 1994-03-03 1995-10-31 National Service Industries, Inc. Light emitting diode retrofit lamp
JPH07273371A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード駆動回路
JPH08137429A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Seibu Electric & Mach Co Ltd 表示装置
JPH08162360A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コンデンサ
JPH08250771A (ja) 1995-03-08 1996-09-27 Hiyoshi Denshi Kk 発光色可変ｌｅｄ装置およびｌｅｄ発光色制御装置
DE59913341D1 (de) * 1998-03-11 2006-05-24 Siemens Ag Leuchtdiode
AUPP536198A0 (en) 1998-08-20 1998-09-10 Hybrid Electronics Australia Pty Ltd Colour-correction of light-emitting diode pixel modules
US20040201988A1 (en) * 1999-02-12 2004-10-14 Fiber Optic Designs, Inc. LED light string and arrays with improved harmonics and optimized power utilization
US6078148A (en) * 1998-10-09 2000-06-20 Relume Corporation Transformer tap switching power supply for LED traffic signal
DE20024002U1 (de) 2000-03-17 2009-03-26 Tridonicatco Gmbh & Co. Kg Spannungsversorgung von Leuchtdioden (LEDs)
US6636027B1 (en) * 2000-10-24 2003-10-21 General Electric Company LED power source
JP2003139712A (ja) 2001-10-31 2003-05-14 Ccs Inc Ｌｅｄ照明装置
US6853150B2 (en) 2001-12-28 2005-02-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode driver
US7095053B2 (en) 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US6897622B2 (en) 2003-06-30 2005-05-24 Mattel, Inc. Incremental color blending illumination system using LEDs
JP2005045112A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品内蔵フレキシブル回路基板およびその製造方法
JP2005067457A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Denso Corp 車両用照明制御装置
US7296913B2 (en) * 2004-07-16 2007-11-20 Technology Assessment Group Light emitting diode replacement lamp

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012182486A (ja) 2012-09-20
WO2006129291A2 (en) 2006-12-07
CN101189736B (zh) 2010-05-19
EP1891685A2 (en) 2008-02-27
TW200702824A (en) 2007-01-16
JP5438799B2 (ja) 2014-03-12
US20080218095A1 (en) 2008-09-11
EP1891685B1 (en) 2016-11-30
KR101256392B1 (ko) 2013-04-25
WO2006129291A3 (en) 2007-04-26
JP2008543075A (ja) 2008-11-27
US7830095B2 (en) 2010-11-09
CN101189736A (zh) 2008-05-28
BRPI0611190A2 (pt) 2011-02-22
MY147397A (en) 2012-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101256392B1 (ko) Ｌｅｄ 조립체 및 모듈
KR100956305B1 (ko) 발광 다이오드 드라이버
EP2471346B1 (en) Solid state lighting apparatus with configurable shunts
JP5433068B2 (ja) 可変電圧ブースト電流源を有する固体照明パネル
US8282238B2 (en) Light emitting apparatus including independently driven light emitting portions
US9265100B2 (en) Driving circuit of semiconductor-type light source for vehicle lighting device and a vehicle lighting device
US20110037082A1 (en) Smart Integrated Semiconductor Light Emitting System Including Light Emitting Diodes And Application Specific Integrated Circuits (ASIC)
JP2015534703A5 (ko)
WO1999057945A1 (en) A lamp employing a monolithic led device
CN110944428B (zh) 发光二极管模块、发光二极管驱动器和照明设备
EP2158080A1 (en) Light output device
JP5389800B2 (ja) 光出力装置
US20150289326A1 (en) Led package with capacitive couplings
US10986714B2 (en) Lighting system having two or more LED packages having a specified separation distance
CN102763218A (zh) 用于发光模块的基板和发光模块
US20160341394A1 (en) Lighting device
CN217591143U (zh) 一种多功能led驱动电路
US20230389156A1 (en) Led circuits and assemblies
US11761613B1 (en) Lamp
CN210136890U (zh) 单晶、多晶共享型导线架及其发光装置
US10117305B2 (en) Driving system and method for planar organic electroluminescent device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160406

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee