KR20070078346A - 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치 - Google Patents

나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치 Download PDF

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KR20070078346A
KR20070078346A KR1020060008584A KR20060008584A KR20070078346A KR 20070078346 A KR20070078346 A KR 20070078346A KR 1020060008584 A KR1020060008584 A KR 1020060008584A KR 20060008584 A KR20060008584 A KR 20060008584A KR 20070078346 A KR20070078346 A KR 20070078346A
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삼성전자주식회사
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Abstract

나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치를 제공한다. 상기 웨이퍼 지지장치는 웨이퍼가 로딩되는 척을 구비한다. 상기 척의 측벽을 감싸는 인너 컵이 배치된다. 상기 척의 측벽을 감싸고 상기 인너 컵의 상부에 배치되며 제1 관통 홀을 갖는 나이프 에지 링을 구비한다. 상기 제1 관통 홀에 나사 결합되고 그 단부가 상기 인너 컵의 상부면에 접촉되는 제1 레벨 조절 볼트가 위치한다. 상기 제1 관통 홀에 나사 결합되고 상기 제1 레벨 조절 볼트의 상부에 배치되는 제2 레벨 조절 볼트를 구비한다.
웨이퍼 지지장치, 나이프 에지 링, 인너 컵, 레벨 조절 볼트

Description

나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치{Apparatus of supporting a wafer having knife edge ring}
도 1은 종래의 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 레벨 조절 볼트를 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 레벨 조절 볼트를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 특히 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치에 관한 것이다.
반도체소자는 사진(photolithography) 공정, 식각 공정, 박막 증착 공정 및 확산 공정 등과 같은 단위 공정들을 사용하여 제조된다.
상기 사진 공정은 반도체기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 코팅 단계, 상기 포토레지스트막의 소정 영역에 포토 마스크를 사용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광 단계, 및 상기 노광된 포토레지스트막을 선택적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상 단계를 포함한다.
상기 현상 단계는 상기 노광된 포토레지스트막을 갖는 웨이퍼 상에 현상액을 공급하여 상기 노광된 포토레지스트막을 선택적으로 제거함으로써 이루어진다. 이 경우에, 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지장치를 에워싸는 나이프 에지 링(knife edge ring)이 배치된다. 즉, 상기 웨이퍼가 웨이퍼 지지장치에 안착된 경우에, 상기 나이프 에지 링은 상기 웨이퍼 하부의 가장 자리 영역에 인접하여 위치한다. 이에 따라, 상기 나이프 에지 링은 상기 웨이퍼 상에 현상액이 공급되는 동안에 상기 현상액이 상기 웨이퍼의 저부면으로 유입되는 것을 억제하는 역할을 한다.
도 1은 종래의 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 지지장치는 웨이퍼(1)가 로딩되는 척(3)을 구비한다. 상기 척(3)의 주변에 제공되는 인너 컵(inner cup; 5)이 상기 척(3)을 에워싼다. 상기 인너 컵(5)상에 제공되는 나이프 에지 링(7)이 상기 척(3)을 에워싼다. 상기 척(3) 상에 웨이퍼가 로딩되는 경우에, 상기 나이프 에지 링(7)은 상기 웨이퍼(1) 하부의 가장자리 영역에 인접하여 배치된다. 즉, 상기 웨이퍼(1)와 상기 나이프 에지 링(7)은 이들 사이에 미세한 간격(t)의 틈을 유지한다.
상기 간격(t)은 상기 나이프 에지 링(7)을 관통하면서 나사 결합되고 그 단 부가 상기 인너 컵(5)의 상부면에 접촉하는 간격 조절 볼트(9)에 의해 조절된다. 예를 들면, 상기 간격 조절 볼트(9)를 하강시켜 그 단부가 상기 인너 컵(5)의 상부면을 압착하면 상기 인너 컵(5)에 대해 상대적으로 상기 나이프 에지 링(7)이 상승된다. 그 결과, 상기 웨이퍼(1)와 상기 나이프 에지 링(7) 사이의 상기 간격(t)이 좁아진다.
이와 같이 상기 간격(t)을 조절한 후, 상기 간격(t)이 지속적으로 유지되도록 상기 나이프 에지 링(7)과 상기 인너 컵(5)을 고정 볼트(11)에 의해 체결한다.
상기 간격 조절 볼트(9)에 형성되는 나사산들은 상기 고정 볼트(11)에 형성되는 나사산들의 폭 보다 작은 폭을 갖도록 형성된다. 이에 따라, 상기 간격 조절 볼트(9)는 상기 간격(t)을 미세하게 조절할 수 있다.
후속하여, 상기 웨이퍼(1)와 상기 나이프 에지 링(7) 사이에 미세한 간격을 유지한 상태에서 상기 웨이퍼(1) 상에 현상액을 공급하여 웨이퍼 상의 노광된 포토레지스트막을 선택적으로 제거한다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(1)의 저부면과 상기 나이프 에지 링(7)의 상부면 사이의 간격이 미세하기 때문에 그 간격을 통해 현상액이 유입되지 아니한다. 따라서, 상기 나이프 에지 링(7)은 상기 웨이퍼(1)의 저부면에 현상액이 유입되는 것을 억제하는 역할을 하게 된다.
그러나, 상술한 종래의 웨이퍼 지지장치는 수회에 걸쳐 사용하는 동안에 상기 인너 컵 또는 상기 나이프 에지 링의 진동으로 인하여 상기 간격 조절 볼트가 그 체결력을 유지하지 못하게 된다. 이에 따라, 상기 나이프 에지 링이 상기 인너 컵을 향해 하강하게 되어 상기 웨이퍼와 상기 하강된 나이프 에지 링 사이의 간격 이 상기 조절된 간격에 비해 증가하게 된다. 그 결과, 상기 증가된 간격을 통해 현상액이 유입되어 웨이퍼의 저부면에 잔류하게 된다. 상기 웨이퍼의 저부면에 잔류하는 현상액은 후속 공정에서 오염원으로 작용하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 소자 제조 공정의 신뢰도를 개선하는 데 적합한 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 나이프 에지 링을 갖는 웨이퍼 지지장치를 제공한다. 상기 웨이퍼 지지장치는 웨이퍼가 로딩되는 척을 포함한다. 상기 척의 측벽을 감싸는 인너 컵이 배치된다. 상기 척의 측벽을 감싸고 상기 인너 컵의 상부에 배치되며 제1 관통 홀을 갖는 나이프 에지 링을 구비한다. 상기 제1 관통 홀에 나사 결합되고 그 단부가 상기 인너 컵의 상부면에 접촉되는 제1 레벨 조절 볼트가 위치한다. 상기 제1 관통 홀에 나사 결합되고 상기 제1 레벨 조절 볼트의 상부에 배치되는 제2 레벨 조절 볼트를 구비한다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어, 상기 제1 레벨 조절 볼트는 상부면에 위치하는 제1 삽입홈을 포함하되, 상기 제2 레벨 조절 볼트의 하부 영역이 상기 제1 삽입홈에 결합될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어, 상기 나이프 에지 링은 그 내부에 위치하는 제2 관통 홀을 구비하고, 상기 인너 컵은 그 상부 영역 내에 위치하는 제2 삽입홈을 구비하되, 상기 제2 관통 홀 및 상기 제2 삽입홈에 나사 결합되는 고정 볼트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 제1 및 제2 레벨 조절 볼트들은 상기 나이프 에지 링의 레벨을 조절할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어, 상기 인너 컵은 그 상부면으로부터 돌출되고 경사진 측벽을 갖는 돌출부를 더 포함하되, 상기 인너 컵의 내부를 관통하는 제3 관통 홀이 상기 경사진 측벽을 통해 노출되도록 위치할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하에서 설명되어지는 실시예들에 한정하지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 설명의 편의를 위해 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 구성도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 레벨 조절 볼트를 설명하기 위한 분리 사시도이다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치의 레벨 조절 볼트를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 지지장치는 노광된 포토레지스트막을 갖는 웨이퍼의 현상공정을 수행하는 데 사용할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 지지장치는 웨이퍼(21)가 로딩되는 척(23)을 구비한다. 즉, 상기 척(23)의 상부에 웨이퍼가 안착될 수 있다. 상기 척 (23)은 그 내부를 관통하는 다수개의 관통 홀들(23h)을 구비할 수 있다. 상기 관통 홀들(23h)은 상기 척(23)의 상부면을 통해 노출될 수 있다. 상기 관통홀들(23h)의 내부에 위치하는 리프트 핀들(25)이 제공될 수 있다. 상기 리프트 핀들(25)은 상기 관통홀들(23h)을 따라 상하 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 상기 리프트 핀들(25)은 상기 척(23) 상에 로딩되는 웨이퍼를 가이드하는 역할을 할 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 이송 로봇의 블레이드(미도시)에 의해 웨이퍼가 상기 척(23)의 상부에 제공되는 경우에, 상기 리프트 핀들(25)이 상기 관통홀들(23h)을 통해 상승하여 상기 척(23)의 상부면으로부터 돌출된다. 상기 상승된 리프트 핀들 상에 웨이퍼가 안착된다. 후속하여, 상기 상승된 리프트 핀들(25)이 상기 관통홀들(23h)을 통해 하강함으로써 상기 척(23)의 상부면에 웨이퍼가 안착될 수 있다.
상기 리프트 핀들(25)은 핀 지지 플레이트(27) 상에 배치될 수 있다. 상기 핀 지지 플레이트(27)는 그 하부에 위치하는 구동축(29) 상에 배치될 수 있다. 상기 구동축(29)은 상하 이동 가능하다. 상기 구동축(29)이 상하 이동함으로써, 핀 지지 플레이트(27)가 상하 이동될 수 있다. 그 결과, 상기 리프트 핀들(25)이 상승 또는 하강된다. 상기 구동축(29)은 상기 구동축(29)을 구동하는 구동 모터(미도시)에 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 척(23)의 주변에 상기 척(23)의 측벽을 감싸는 인너 컵(inner cup; 31)이 배치된다. 이 경우에, 상기 인너 컵(31)은 상기 척(23)의 하부 영역의 측벽을 감싸도록 배치될 수 있다. 즉, 인너 컵(31)은 환형일 수 있다.
상기 인너 컵(31)의 상부에 나이프 에지 링(33)이 배치된다. 상기 인너 컵 (31)은 그 상부면이 상기 척(23)의 상부면의 레벨 보다 낮은 레벨을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 나이프 에지 링(33)은 상기 척(23)의 상부 영역의 측벽을 감싸도록 위치할 수 있다. 즉, 상기 나이프 에지 링(33)은 환형일 수 있다. 이 경우에, 상기 척(23)과 상기 나이프 에지 링(33)은 일정 거리 만큼 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 나이프 에지 링(33)은 그 내부를 관통하고 상기 인너 컵(31)의 상부면을 노출시키는 제1 관통홀들(33a)을 구비한다. 상기 제1 관통홀들(33a)의 측벽들에 나사산들이 위치한다. 상기 제1 관통홀들(33a)을 통해 삽입되어 나사결합되는 레벨 조절 볼트(35)가 제공된다. 상기 레벨 조절 볼트(35)는 상기 나이프 에지 링(33)의 레벨, 즉 상기 나이프 에지 링(33)의 높낮이를 조절하는 역할을 할 수 있다. 상기 레벨 조절 볼트(35)는 서로 분리되어 적층되는 다수개의 분리된 조절 볼트들로 이루어진다. 예를 들면, 상기 레벨 조절 볼트(35)가 두 개의 분리된 조절 볼트들로 이루어지는 경우에, 상기 레벨 조절 볼트(35)는 그 단부가 상기 인너 컵(31)의 상부면에 접촉되는 제1 조절 볼트(35a) 및 상기 제1 조절 볼트(35a) 상에 배치되는 제2 조절 볼트(35b)로 이루어질 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제2 조절 볼트(35b)는 몸체부(36)를 구비할 수 있다. 상기 몸체부(36)의 측벽에 나사산들이 형성될 수 있다. 또한, 상기 몸체부(36)의 상부면에 드라이버 결합 홈(37)이 위치할 수 있다. 상기 드라이버 결합 홈(37)에 드라이버를 결합시킨 상태에서 상기 몸체부(36)를 회전시킴으로써 상기 제2 조절 볼트(35b)를 상승 또는 하강시킬 수 있다. 상기 드라이버 결합 홈(37)을 대신하여 렌치 홈(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 렌치 홈은 육각형의 홈일 수 있 다.
상기 제2 조절 볼트(35b)는 상기 몸체부(36)의 하부면으로부터 연장되게 형성되는 다각형 연장부(38)를 구비할 수 있다. 상기 연장부(38)는 육각 기둥으로 형성될 수 있다. 상기 연장부(38)는 상기 몸체부(36)의 폭 보다 작은 폭을 갖도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 조절 볼트(35a)의 측벽에 나사산들이 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 제1 조절 볼트(35a)의 상부면에 제1 삽입홈(39)이 위치할 수 있다. 상기 제1 삽입홈(39)은 상기 연장부(38)에 대응하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연장부(38)가 육각 기둥인 경우에, 상기 제1 삽입홈(39)은 육각형 홈일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 삽입홈(39)에 상기 연장부(38)가 삽입됨으로써 상기 제1 및 제2 조절 볼트들(35a,35b)이 서로 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2 조절 볼트들(35a,35b)이 서로 결합된 상태에서 상기 제2 조절 볼트(35b)를 회전시키는 경우에, 상기 제1 조절 볼트(35a) 또한 회전될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 조절 볼트들(35a,35b)은 상기 제1 관통홀(33a)을 따라 상승 또는 하강될 수 있다.
다른 실시예로서, 도 2 및 도 4를 참조하면, 제2 조절 볼트(35b')의 연장부(38')의 측벽에 나사산들이 형성될 수도 있다. 이 경우에, 상기 연장부(38')는 원기둥형으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 그 측벽에 나사산들이 형성된 상기 연장부(38')에 대응하여 제1 조절 볼트(35a')의 제1 삽입홈(39')의 측벽에 나사산들이 형성될 수 있다. 나사산들이 형성된 상기 연장부(38')가 상기 제1 삽입홈(39')에 나사 결합됨으로써 제1 및 제2 조절 볼트들(35a',35b')이 서로 체결될 수 도 있다.
상기와 같이 레벨 조절 볼트를 다수개로 분리하여 설치함으로써 상기 인너 컵(31)으로부터 상기 제1 조절 볼트(35a)를 통해 상기 제2 조절 볼트(35b)로 직접적으로 전달되는 진동을 억제할 수 있다. 이에 따라, 상기 레벨 조절 볼트(35)의 체결력을 유지할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 상기와 같이 구성되는 상기 레벨 조절 볼트(35)를 하강시키는 경우에, 상기 레벨 조절 볼트(35)의 단부가 상기 인너 컵(31)의 상부면에 압착됨으로써 상기 나이프 에지 링(33)이 상승될 수 있다. 즉, 상기 레벨 조절 볼트(35)를 하강시킴으로써 상기 나이프 에지 링(33)의 레벨을 상승시킬 수 있다. 이 경우에, 상기 레벨 조절 볼트(35)와 상기 인너 컵(31) 사이의 간격이 확장될 수 있다. 이와 마찬가지로, 상기 레벨 조절 볼트(35)를 상승시킴으로써 상기 나이프 에지 링(33)의 레벨을 하강시킬 수 있다. 이 경우에, 상기 레벨 조절 볼트(35)와 상기 인너 컵(31) 사이의 간격이 좁아 질 수 있다.
상기와 같이 동작되는 상기 나이프 에지 링(33)은 상기 척(23) 상에 안착되는 웨이퍼로부터 미세한 거리 만큼 이격된다. 즉, 상기 나이프 에지 링(33)의 상부면이 상기 척(23)의 상부면의 레벨 보다 작은 레벨을 갖되, 레벨들 사이의 차이가 미세하도록 상기 나이프 에지 링이 배치된다. 이에 따라, 웨이퍼의 후면부와 상기 나이프 에지 링(33)의 상면부 사이에 미세한 간격을 유지시킴으로써 웨이퍼 상에 공급되는 현상액이 상기 미세한 간격을 통해 유입되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 상에 공급되는 현상액이 웨이퍼의 후면으로 유입되는 것을 억제할 수 있다.
이에 더하여, 상기와 같이 나이프 에지 링의 레벨을 조절한 후, 그 레벨을 지속적으로 유지하도록 고정 볼트(41)를 이용하여 상기 인너 컵(31)과 상기 나이프 에지 링(33)을 체결한다. 보다 구체적으로 설명하면, 상기 나이프 에지 링(33)은 그 내부를 관통하는 제2 관통홀들(33b)을 구비할 수 있다. 상기 제2 관통홀들(33b)의 측벽들에 나사산들이 위치할 수 있다. 상기 제2 관통홀들(33b)에 대응하여 상기 인너 컵(31)의 상부면에 제2 삽입홈들(31a)이 위치할 수 있다. 상기 제2 삽입홈들(31a)은 그 측벽들에 나사산들을 구비할 수 있다. 상기 제2 관통홀들(33b) 내에 상기 고정 볼트들(41)이 삽입되고, 상기 고정 볼트들(41)의 단부들은 상기 제2 삽입홈들(31a) 내에 삽입될 수 있다. 그 결과, 상기 인너 컵(31)과 상기 나이프 에지 링(33)은 서로 체결된다. 이 경우에, 상기 고정 볼트들(41)의 측벽들에 나사산들이 형성될 수 있다.
상기 고정 볼트들(41)의 나사산들은 상기 레벨 조절 볼트들(35)의 측벽에 위치하는 나사산들의 폭 보다 큰 폭을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 레벨 조절 볼트들(35)은 상기 나이프 에지 링(33)의 레벨을 미세하게 조절할 수 있다.
한편, 상기 인너 컵(31)은 그 상부면으로부터 연장된 돌출부(43)를 구비할 수 있다. 상기 돌출부(43)의 측벽은 경사지게 배치될 수 있다. 즉, 상기 돌출부(43)는 그 상부 영역이 그 하부 영역의 폭 보다 작은 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 인너 컵(31)은 그 내부를 관통하는 제3 관통홀들(43a)을 구비할 수 있다. 상기 제3 관통홀들(43a)을 통해 유입되는 세정액이 웨이퍼의 하부면에 공급될 수 있다. 이 경우에, 상기 제3 관통홀들(43a)은 상기 돌출부(43)의 경사진 측벽을 통해 노출될 수 있다. 그 결과, 상기 제3 관통홀들(43a)을 통해 유입되는 세정액이 웨이퍼 저부면의 가장 자리 영역으로 공급되게 할 수 있다. 상기 제3 관통홀들(43a)은 세정액 저장부(미도시)에 연결되도록 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이 구성되는 본 발명은, 인너 컵 상부에 위치하는 나이프 에지 링의 레벨을 조절하는 레벨 조절 볼트를 다수개로 분리하여 배치함으로써 상기 인너 컵의 진동이 상기 레벨 조절 볼트에 직접적으로 전달되는 것을 억제하여 상기 레벨 조절 볼트의 체결력을 지속적으로 유지할 수 있다. 이에 따라, 상기 나이프 에지 링의 레벨을 지속적으로 유지할 수 있다. 그 결과, 상기 나이프 에지 링과 웨이퍼 사이의 미세한 간격을 유지시킴으로써 웨이퍼 상에 공급되는 현상액이 웨이퍼의 저부면으로 유입되는 것을 억제할 수 있다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼가 로딩되는 척;
    상기 척의 측벽을 감싸는 인너 컵;
    상기 척의 측벽을 감싸고 상기 인너 컵의 상부에 배치되며 제1 관통 홀을 갖는 나이프 에지 링;
    상기 제1 관통 홀에 나사 결합되고 그 단부가 상기 인너 컵의 상부면에 접촉되는 제1 레벨 조절 볼트; 및
    상기 제1 관통 홀에 나사 결합되고 상기 제1 레벨 조절 볼트의 상부에 배치되는 제2 레벨 조절 볼트를 포함하는 웨이퍼 지지장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 레벨 조절 볼트는 상부면에 위치하는 제1 삽입홈을 포함하되, 상기 제2 레벨 조절 볼트의 하부 영역이 상기 제1 삽입홈에 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 나이프 에지 링은 그 내부에 위치하는 제2 관통 홀을 구비하고, 상기 인너 컵은 그 상부 영역 내에 위치하는 제2 삽입홈을 구비하되, 상기 제2 관통 홀 및 상기 제2 삽입홈에 나사 결합되는 고정 볼트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 레벨 조절 볼트들은 상기 나이프 에지 링의 레벨을 조절하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 인너 컵은 그 상부면으로부터 돌출되고 경사진 측벽을 갖는 돌출부를 더 포함하되, 상기 인너 컵의 내부를 관통하는 제3 관통 홀이 상기 경사진 측벽을 통해 노출되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107489688A (zh) * 2016-06-13 2017-12-19 睿励科学仪器（上海）有限公司 具有水平调整功能的吸盘装置以及安装方法
CN107768275A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 朗姆研究公司 利用可移动边缘环和气体注入调整控制晶片上cd均匀性

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