KR20070034511A - 서멀 프린트 헤드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20070034511A
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시노부 오바따
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Abstract

서멀 프린트 헤드(A1)는 전극(3a 내지 3c) 중 적어도 저항체(4)가 포개어져 있는 부분은 글레이즈층(2)에 대해 침하된 구성으로 되어 있다. 바람직하게는, 전극(3a 내지 3c) 중 저항체(4)가 포개어져 있는 부분은 그 표면이 글레이즈층(2)의 표면과 같은 높이가 되는 깊이로 침하되어 있다. 이에 의해, 저항체(4)의 발열부(40)로부터 감열 기록 매체로의 열전달 효율을 높게 하여, 감열지를 원활하게 반송하는 것이 가능하다.
서멀 프린트 헤드, 저항체, 글레이즈층, 발열부, 보호층

Description

서멀 프린트 헤드 및 그 제조 방법{THERMAL PRINT HEAD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 서멀 프린트 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

도30 및 도31은 종래의 서멀 프린트 헤드를 예시하고 있다. 도30에 도시하는 서멀 프린트 헤드(X1)는 절연 기판(90), 글레이즈층(91), 저항체(92), 전극(93a, 93b) 및 보호층(94)이 차례로 적층되어 형성된 구성으로 되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1을 참조). 저항체(92) 중 전극(93a, 93b) 사이에 위치하는 부분은 발열부(92a)가 된다. 이 발열부(92a)의 발열 작용에 의해 감열 기록 매체로의 인쇄가 가능하다.

그런데, 서멀 프린트 헤드(X1)를 제조하는 경우에는 저항체(92)의 형성 후에 전극(93a, 93b)을 형성하게 된다. 전극(93a, 93b)의 형성은, 예를 들어 레지네이트 금 페이스트를 저항체(92) 상에 인쇄한 후 소성함으로써 행한다. 이 소성을 위한 가열에 기인하여 저항체(92)가 산화되어 변질될 우려가 있었다.

이에 대해, 도31에 도시하는 서멀 프린트 헤드(X2)에 있어서는, 저항체(92)와 전극(93a, 93b)의 적층 순서가 도30에 도시하는 서멀 프린트 헤드(X1)와는 반대로 되어 있다. 이와 같은 구성에 따르면, 전극(93a, 93b)을 형성하는 단계에 있어 서는, 아직 저항체(92)가 형성되어 있지 않다. 이에 의해, 전극(93a, 93b)의 소성에 기인하여 저항체(92)가 산화되는 등의 문제점이 해소된다.

그러나, 도31에 도시하는 서멀 프린트 헤드(X2)에 있어서는, 다음에 개시하는 바와 같이 아직 개선해야 할 점이 있었다.

첫째로, 전극(93a, 93b)은 글레이즈층(91)의 표면에 대해, 전극(93a, 93b)의 두께에 상당하는 단차(H)가 생겨 있다. 저항체(92)는 단차(H)가 생겨 있는 부분에 있어서는 급격한 각도로 굴곡되어 있다. 급격한 각도로 굴곡하도록 저항체(92)를 적절하게 형성하는 것은 곤란하다. 또한, 저항체(92)는 상기 굴곡 부분에 있어서 단선이 생기기 쉽게 되어 있었다.

둘째로, 저항체(92)의 발열부(92a)는 전극(93a, 93b) 사이에 가라앉아 있다. 따라서, 감열 기록 매체를 보호층(94) 상에 배치시켜 인쇄를 행하는 경우에, 이 감열 기록 매체와 발열부(92a) 사이의 거리가 비교적 커진다. 이에 의해, 발열부(92a)로부터 감열 기록 매체로의 열전달 효율이 낮아진다. 이와 같은 것에서는, 인쇄 농도가 낮아져 고화질 인쇄가 곤란해진다. 또한, 고속 인쇄에도 부적합하다.

셋째로, 보호층(94)의 표면에는 전극(93a, 93b) 및 저항체(92)에 대응한 단차가 생긴다. 이 단차 부분에는 감열 기록용 잉크 리본의 잉크 성분이나, 감열지의 종이 칩 성분 등이 퇴적되기 쉽다. 또한, 감열 기록 매체를 보호층(94)의 표면에 접촉시키면서 반송할 때의 원활함도 뒤떨어지는 것이 된다.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2001-246770호 공보

본 발명은 이와 같은 사정을 기초로 고안된 것이며, 저항체에 단선이 발생할 우려를 적게 하는 동시에, 저항체의 발열부로부터 감열 기록 매체로의 열전달 효율이 높고, 감열지를 원활하게 반송하는 것이 가능한 서멀 프린트 헤드 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하고 있다.

본 발명의 제1 측면에 의해 제공되는 서멀 프린트 헤드는, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 글레이즈층과, 상기 글레이즈층 상에 서로 간격을 두고 설치된 복수의 전극과, 상기 복수의 전극에 걸치도록 하고 이들 복수의 전극 상 및 상기 글레이즈층 상에 포개어 형성된 저항체를 구비하고 있는 서멀 프린트 헤드이며, 상기 각 전극 중 적어도 상기 저항체가 포개어져 있는 부분은 상기 글레이즈층에 대해 침하된 구성으로 되어 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 각 전극 중 상기 저항체가 포개어져 있는 부분은 그 표면이 상기 글레이즈층의 표면과 같은 높이가 되는 깊이로 침하되어 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 복수의 전극 및 상기 저항체를 덮는 보호층을 더 갖고 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 복수의 전극은 상기 글레이즈층의 연화 온도보다도 융점이 높고, 또한 상기 글레이즈층보다도 비중이 큰 금속에 의해 구성되어 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 저항체의 폭은 상기 각 전극 중 상기 저항체가 포개어져 있는 부분의 폭보다도 작다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 저항체는 주주사 방향으로 연장되는 띠형이고, 상기 복수의 전극은 복수의 개별 전극과 적어도 1 이상의 공통 전극을 포함하고 있고, 상기 공통 전극은 상기 저항체에 대해 부주사 방향에 있어서 이격되고, 또한 주주사 방향으로 연장되는 적어도 1 이상의 띠형부와, 상기 띠형부로부터 상기 저항체를 가로질러 부주사 방향으로 연장되어 있고, 또한 부주사 방향에 있어서 늘어서는 복수의 가지부를 갖고 있고, 상기 복수의 개별 전극은 각각이 상기 저항체를 가로질러 부주사 방향으로 두르는 띠형부를 포함하고, 또한 상기 공통 전극의 상기 복수의 가지부와 주주사 방향에 있어서 교대로 늘어서 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 공통 전극은 상기 저항체를 사이에 두고 부주사 방향에 있어서 이격되는 한 쌍의 상기 띠형부를 갖는다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 적어도 1 이상의 상기 가지부는 상기 한 쌍의 띠형부를 연결하고 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 복수의 전극에는 와이어 본딩을 위한 본딩 패드가 형성되어 있고, 각 본딩 패드는 상기 글레이즈층으로부터 돌출되어 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 본딩 패드의 상기 글레이즈층으로부터의 돌출 높이는 1 ㎛ 이상이다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 본딩 패드는 상기 각 전극 중 상기 본딩 패드 이외의 부분보다도 두께가 두껍다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 본딩 패드는 그 표면이 상기 글레이즈층의 표면과 같은 높이가 된 본체층과, 이 본체층 상에 형성된 추가층을 포함한다.

본 발명의 제2 측면에 의해 제공되는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법은 기판 상에 형성된 글레이즈층 상에 서로 간격을 두고 복수의 전극을 형성하는 공정과, 저항체를 상기 복수의 전극에 걸치도록 하고 상기 글레이즈층 및 상기 복수의 전극 상에 포개어 형성하는 공정을 갖고 있는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법이며, 상기 복수의 전극을 형성한 후, 상기 저항체를 형성하기 전에 있어서, 상기 글레이즈층 중 적어도 일부분을 가열하여 연화시킴으로써, 상기 각 전극 중 적어도 일부씩을 상기 글레이즈층에 대해 침하시키는 전극 침하 공정을 갖고 있다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 저항체를 형성하는 공정은 저항체 재료의 막을 형성한 후에, 이 막에 대해 드라이 에칭을 실시함으로써 행한다. 여기서, 드라이 에칭이라 함은, 이온화된 가스의 물리적 에너지에 의한 에칭, 또는 이온화되어 활성화된 반응성 가스의 물리적 에너지와 화학적 작용을 병용한 에칭 등을 말하고, 예를 들어 스패터 에칭, 이온 빔 에칭(이온 빔 스패터링), 플라즈마 애싱, 플라스마 에칭, RIE(리액티브 이온 에칭) 등이 포함된다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 전극 침하 공정 전에 상기 각 전극의 일부에 추가층을 형성하는 공정을 더 갖는다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서는, 상기 전극 침하 공정 후에, 상기 각 전극 중 적어도 일부에 포개는 추가층을 형성하는 공정을 더 갖는다.

본 발명의 그 밖의 이점 및 특징에 대해서는, 이하에 행하는 발명의 실시 형태의 설명으로부터 보다 명백해질 것이다.

도1은 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 제1 실시 형태를 나타내는 주요부 평면도이다.

도2는 도1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따르는 주요부 단면도이다.

도3은 도1 및 도2에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 글레이즈층을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 평면도이다.

도4는 도3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따르는 주요부 단면도이다.

도5는 도1 및 도2에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 전극을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 평면도이다.

도6은 도5의 Ⅵ-Ⅵ선을 따르는 주요부 단면도이다.

도7은 도1 및 도2에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서의 전극 침하 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도8은 도1 및 도2에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 저항체 재료의 막을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 평면도이다.

도9는 도8의 Ⅸ-Ⅸ선을 따르는 주요부 단면도이다.

도10은 도1 및 도2에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 저항체를 형성하는 공정을 도시하는 주요부 평면도이다.

도11은 도10의 XI-XI선을 따르는 주요부 단면도이다.

도12는 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 제2 실시 형태를 나타내는 주요부 평면도이다.

도13은 도12의 XⅢ-XⅢ선을 따르는 주요부 단면도이다.

도14는 도12의 XIV-XIV선을 따르는 주요부 단면도이다.

도15는 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 글레이즈층을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도16은 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 금의 박막을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도17은 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 금의 박막을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 평면도이다.

도18은 도17의 XVⅢ-XVⅢ선을 따르는 주요부 단면도이다.

도19는 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 전극을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 평면도이다.

도20은 도19의 XX-XX선을 따르는 주요부 단면도이다.

도21은 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서의 전극 침하 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도22는 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 저항체 재료의 박막을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도23은 도12 내지 도14에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 저항체 및 보호층을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도24는 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 제3 실시 형태를 나타내는 주요부 평면도이다.

도25는 도24의 XXV-XXV선을 따르는 주요부 단면도이다.

도26은 도24 및 도25에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 전극을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도27은 도24 및 도25에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서의 전극 침하 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도28은 도24 및 도25에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 금의 박막을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도29는 도24 및 도25에 나타내는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법의 일 예에 있어서, 전극을 형성하는 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

도30은 종래의 서멀 프린트 헤드의 일 예를 나타내는 주요부 단면도이다.

도31은 종래의 서멀 프린트 헤드의 다른 예를 나타내는 주요부 단면도이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.

도1 및 도2는 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 제1 실시 형태를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 서멀 프린트 헤드(A1)는 기판(1), 글레이즈층(2), 복수의 전극(3a 내지 3c), 복수의 저항체(4) 및 보호층(5)을 구비하고 있다. 또한, 도1에 있어서는 보호층(5)을 생략하고 있다.

기판(1)은 주주사 방향(y)으로 연장된 평면에서 볼 때 직사각형인 평판형이고, 예를 들어 세라믹제의 절연 기판이다. 글레이즈층(2)은, 예를 들어 비정질 유리 페이스트를 인쇄 및 소성함으로써 기판(1) 상에 형성된 것이고, 축열성을 양호하게 하는 역할이나, 복수의 전극(3a 내지 3c)이 형성되는 면을 평활하게 하는 역할을 발휘한다. 이 글레이즈층(2)은 표면이 볼록형인 곡면을 이루는 융기부(20)를 갖고 있다. 이 융기부(20)는 보호층(5) 중 후술하는 발열부(40)에 대응하는 부분과 잉크 리본이나 감열지 등의 감열 기록 매체와의 접촉압을 높이는 데에도 유용하다.

복수의 전극(3a 내지 3c)은, 예를 들어 레지네이트 금 페이스트를 인쇄 및 소성함으로써 형성된 것이고, 글레이즈층(2) 상에 형성되어 있다. 각 전극(3b)은 2개의 단부를 갖는 역ㄷ자형이고, 기판(1)의 일측 모서리부 근방이며, 도2에 도시한 바와 같이 글레이즈층(2)의 융기부(20) 상에 위치하고 있다.

전극(3a, 3c)은, 도1에 도시한 바와 같이 부주사 방향(x)으로 연장되어 있다. 전극(3a)의 일단부는 전극(3b)의 일단부에 대해 간격을 두고 위치하고 있다. 전극(3a)의 타단부에는 통전 제어용 구동 IC(도시 생략)가 접속되어 있다. 전극(3c)의 일단부는 두 갈래형으로 분기되어 있고, 전극(3b)의 타단부와 간격을 두고 위치하고 있다. 전극(3c)의 타단부는 공통 라인(도시 생략)에 접속되어 있다. 상기 구동 IC가 온이 되면, 전류는 상기 공통 라인으로부터 전극(3c)을 경유하여 저항체(4) 및 전극(3b, 3a)을 흐른다.

도2에 도시한 바와 같이, 복수의 전극(3a 내지 3c)은 글레이즈층(2) 내에 침하되어 있다. 이 침하에 의해, 복수의 전극(3a 내지 3c)의 표면과 글레이즈층(2)의 표면은 대략 같은 높이로 되어 있다. 즉, 복수의 전극(3a 내지 3c)의 표면과 글레이즈층(2)의 표면과의 단차는 제로 또는 거의 제로에 가까운 것으로 되어 있다.

복수의 저항체(4)는 전극(3b)의 양단부와 전극(3a, 3c)의 일단부의 각각에 걸치도록 하고, 글레이즈층(2)과 전극(3a 내지 3c)에 포개어 형성되어 있고, 주주사 방향(y)에 늘어서 있다. 저항체(4)의 재질은, 예를 들어 TaSiO2이다. 각 저항체(4)는 그 폭(W4)이 전극(3a 내지 3c) 중 각 저항체(4)와 포개어져 있는 부분의 폭(W3)보다도 작은 것으로 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는 W3이 25 ㎛ 정도, W4가 23 ㎛ 정도가 된다.

보호층(5)은 글레이즈층(2), 전극(3a 내지 3c) 및 저항체(4)를 덮도록 형성되어 있다. 보호층(5)은, 예를 들어 글레이즈층(2)과 마찬가지로 유리 페이스트를 인쇄 및 소성함으로써 형성된 것이다. 보호층(5)은 전극(3a 내지 3c) 및 저항체(4) 등이 상기 감열 기록 매체에 직접 접촉하는 것이나, 화학적 또는 전기적으로 침지되는 것으로부터 보호하기 위한 것이다. 또한, 보호층(5)은 표면 평활성을 높이기 위한 것이기도 하다. 표면 평활성이 높아지면, 보호층(5)과 상기 감열 기록 매체의 인쇄 시에 있어서의 마찰이 경감되므로, 보다 원활한 인쇄를 행하는 것이 가능해진다.

다음에, 서멀 프린트 헤드(A1)의 작용에 대해 설명한다.

본 실시 형태의 서멀 프린트 헤드(A1)는 글레이즈층(2)의 표면과 전극(3a 내지 3c)의 표면과의 단차가 제로 또는 거의 제로에 가까운 상태이고, 저항체(4)에는 급격한 각도로 크게 굴곡된 부분이 형성되지 않는다. 따라서, 저항체(4)에는 단선이 발생하기 어렵다. 또한, 저항체(4)에 있어서의 발열부(40)는 전극(3a, 3c)과 전극(3b) 사이에 크게 가라앉은 모습이 되지 않으므로, 발열부(40)와 상기 감열 기록 매체 사이의 거리는 도30 및 도31에 도시한 종래의 서멀 프린트 헤드(X1, X2)에 비해 작아진다. 따라서, 발열부(40)로부터 상기 감열 기록 매체로의 열전달 효율이 높아지고, 인쇄 농도가 짙어진다. 이에 의해, 고화질 인쇄 및 고속 인쇄가 가능해진다. 또한, 글레이즈층(2)이나 전극(3a 내지 3c)을 덮는 보호층(5)의 표면의 단차도 작아진다. 따라서, 보호층(5)의 표면의 단차 부분에, 예를 들어 잉크 리본의 잉크 성분이 퇴적되는 등의 것을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 상기 감열 기록 매체로서의 감열지를 보호층(5)의 표면에 접촉시키면서 원활하게 반송할 수 있다.

또한, 서멀 프린트 헤드(A1)의 제조 공정에 있어서는 저항체(4) 및 전극(3a 내지 3c)이 이들 폭방향에 있어서 어긋난 상태로 형성되는 경우가 있다. 본 실시 형태와는 달리, 저항체(4)와 전극(3a 내지 3c)이 동일 폭이 된 구성에 있어서는, 상술한 폭방향 위치가 어긋난 만큼 저항체(4)와 전극(3a 내지 3c)이 중첩되는 부분의 폭이 작아진다. 이와 같은 것에서는 저항체(4) 중 전류가 흘러 발열되는 영역 의 크기가 고르지 않게 되어, 인쇄 도트의 크기에 편차가 생기게 된다. 본 실시 형태에 있어서는, 저항체(4)의 폭(W4)이 전극(3a 내지 3c) 중 저항체(4)와 포개어져 있는 부분의 폭(W3)보다도 작다. 이로 인해, 저항체(4) 또는 전극(3a 내지 3c)이 형성될 때에 이들 폭방향 위치에 어긋남이 생겨도 저항체(4)가 전극(3a 내지 3c)으로부터 부당하게 돌출되는 것을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 저항체(4)와 전극(3a 내지 3c)이 중첩되는 부분의 폭을 일정하게 하는 것이 가능하고, 인쇄 도트의 편차를 방지할 수 있다.

다음에, 서멀 프린트 헤드(A1)의 제조 방법의 일 예에 대해 도3 내지 도11을 참조하면서 설명한다. 도3 내지 도11은 본 실시 형태에 관한 서멀 프린트 헤드(A1)의 제조 방법에 있어서의 일련의 공정을 도시하는 주요부 평면도 및 주요부 단면도이다.

우선, 도3 및 도4에 도시한 바와 같이 기판(1)을 준비하고, 이 기판(1) 상에 글레이즈층(2)을 형성한다. 이 형성은 비정질 유리 페이스트의 인쇄 및 소성에 의해 행한다. 비정질 유리 페이스트의 유리 성분으로서는, 예를 들어 유리 전이점이 680 ℃이고, 유리 연화점이 865 ℃인 것을 이용할 수 있다.

계속해서, 도5 및 도6에 도시한 바와 같이, 글레이즈층(2)의 도면 중 상면에 전극(3a 내지 3c)을 형성한다. 이 형성은 레지네이트 금 페이스트를 인쇄 및 소성한 후에 패터닝을 실시함으로써 행한다.

전극(3a 내지 3c)을 형성한 후에는, 도7에 도시한 바와 같이 전극(3a 내지 3c)을 글레이즈층(2)에 침하시킨다. 이 처리는 글레이즈층(2)을, 예를 들어 그 유 리 성분의 유리 연화점으로부터 유리 전이점까지의 범위로 가열하고, 글레이즈층(2)을 연화시킴으로써 행한다. 글레이즈층(2)이 연화되면, 전극(3a 내지 3c)은 그 자중에 의해 글레이즈층(2) 내에 침하되게 된다. 이 침하량은 상기 가열의 온도나 시간을 조정함으로써 제어 가능하고, 전극(3a 내지 3c)의 표면이 글레이즈층(2)의 표면과 같은 높이가 된 시점 혹은 그 직전에 있어서 글레이즈층(2)의 연화 상태를 해소시키면 된다.

전극(3a 내지 3c)을 형성한 후에는 저항체(4)를 형성한다. 이 저항체(4)의 형성 시에는, 우선, 도8 및 도9에 도시한 바와 같이 전극(3a 내지 3c)을 덮도록 저항체막(4A)을 형성한다. 이 저항체막(4A)는, 예를 들어 TaSiO2에 의해 형성되어 있고, 후막 및 박막 중 어느 것이라도 좋다. 다음에, 이 저항체막(4A)에 대해 드라이 에칭을 실시함으로써, 도10 및 도11에 도시한 바와 같이 전극(3b)의 2개의 단부와 전극(3a, 3c)의 일단부의 각각의 사이에 걸치도록 하고 복수의 저항체(4)를 형성한다. 이때, 상술한 바와 같이 폭(W4)이 전극(3a 내지 3c) 중 저항체(4)와 포개어져 있는 부분의 폭(W3)보다도 작아지도록 저항체(4)를 형성한다.

이 후에는 유리 페이스트를 이용한 후막 인쇄 및 소성에 의해, 전극(3a 내지 3c) 및 저항체(4)를 덮도록 보호층(5)을 형성한다. 또는, SiO2, SiAlON 등을 이용한 스패터법에 의해 보호층(5)을 형성해도 좋다. 이와 같은 공정을 경유하여 도1 및 도2에 도시하는 서멀 프린트 헤드(A1)가 제조된다.

본 실시 형태에 관한 서멀 프린트 헤드(A1)의 제조 방법에 있어서는, 복수의 전극(3a 내지 3c)을 글레이즈층(2)에 대해 침하시키는 수단으로서, 글레이즈층(2)을 가열에 의해 연화시킨 상태에서 전극(3a 내지 3c)을 그 자중에 의해 침하시키는 수단을 채용하고 있다. 따라서, 예를 들어 글레이즈층(2)의 일부를 깎고, 그 깎은 부위에 전극(3a 내지 3c)을 형성하는 방법에 비해, 그 처리가 용이하다. 또한, 글레이즈층(2)의 가열 온도나 가열 시간을 제어함으로써, 글레이즈층(2)에 대한 전극(3a 내지 3c)의 침하량을 제어할 수 있는데 부가하여, 글레이즈층(2)과 전극(3a 내지 3c) 사이에 부당한 간극이 생기는 것도 회피할 수 있다.

상기 제조 방법에 있어서는, 전극(3a 내지 3c)의 재료로서, 금을 이용하고 있다. 금은 비교적 융점이 높고, 예를 들어 알루미늄에 비해 내식성이 우수하다. 또한, 금의 비중은 글레이즈층(2)을 구성하는 재료의 비중보다도 크다. 따라서, 가열에 의해 글레이즈층(2)을 연화시킬 때에 산화 등이 생기지 않고, 중력을 이용하여 신속하게 글레이즈층(2) 내에 침하시킬 수 있다.

또한, 저항체(4)의 형성을 드라이 에칭을 이용하여 행함으로써, 저항체(4)의 사이즈를 정확하게 마무리할 수 있다. 이로 인해, 저항체(4)의 폭(W4)을 전극(3a 내지 3c) 중 저항체(4)와 포개어져 있는 부분의 폭(W3)보다도 작은 치수로 하는 경우에 이들 폭의 차를 과도하게 크게 할 필요가 없다. 예를 들어, 전극(3a 내지 3c)을 침하시키는 공정에 있어서, 전극(3a 내지 3c)의 침하에 수반하여 폭방향에 상대적인 어긋남이 생기는 경우에, 폭(W3, W4)의 차를 이 어긋남량과 동등하게 하거나 혹은 이것보다도 적절하게 크게 해두는 등의 것이 가능하다. 따라서, 이와 같은 어긋남에 기인하여 인쇄 도트에 편차가 생기는 것을 적절하게 방지할 수 있 다.

도12 내지 도29는 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 다른 실시 형태 및 그 제조 방법을 나타내고 있다. 또한, 이들 도면에 있어서는, 상기 제1 실시 형태에 대해 앞서 서술한 요소와 동일하거나 또는 유사한 요소를 동일 부호로 나타내고, 그 설명을 적절하게 생략한다.

도12 내지 도14는 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 제2 실시 형태를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 서멀 프린트 헤드(A2)는 복수의 전극의 구성 및 저항체(4)의 형상이 상술한 제1 실시 형태와는 다르다. 또한, 도12에 있어서는 보호층(5)을 생략하고 있다.

도12에 도시한 바와 같이, 복수의 개별 전극(3d)은 주주사 방향(y)에 나란히 배치되어 있다. 개별 전극(3d)은 띠형부(31)와 본딩 패드(32)를 갖고 있다.

띠형부(31)는 부주사 방향(x)으로 연장되어 있고, 저항체(4)와 글레이즈층(2) 사이를 가로지르고 있다. 본딩 패드(32)는 와이어(W)를 본딩하기 위한 부분이고, 도13에 도시한 바와 같이 본체층(32a)과 추가층(32b)이 적층된 구조를 갖는다. 본체층(32a)은 띠형부(31)와 연결되어 있고, 예를 들어 레지네이트 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 형성되어 있다. 띠형부(31) 및 본체층(32a)은 그 두께가 0.6 ㎛로 되어 있고, 그 도면 중 상면이 글레이즈층(2)의 표면과 대략 같은 높이로 되어 있다. 추가층(32b)은 글레이즈층(2)으로부터 도면 중 상방으로 돌출되어 있고, 와이어(W)가 직접 본딩되는 부분이다.

추가층(32b)은, 예를 들어 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 형성 되어 있고, 그 두께가 1 ㎛ 정도가 된다. 여기서 말하는 금 페이스트라 함은, 레지네이트 금 페이스트와는 달리, 예를 들어 금의 입자가 바인더에 혼입된 페이스트를 말한다. 레지네이트 금 페이스트를 이용한 성막이, 비교적 두께가 얇고, 평활한 막을 형성하는 데에도 적합한 것에 반해, 금 페이스트를 이용한 성막은 비교적 두께가 두꺼운 막을 형성하는 데에도 적합하다. 또한, 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성 대신에, 예를 들어 금을 이용한 스패터링에 의해 추가층(32b)을 형성해도 좋다.

도12에 도시한 바와 같이, 공통 전극(3e)은 한 쌍의 띠형부(35, 36)와 복수의 가지부(37)를 갖고 있다. 한 쌍의 띠형부(35, 36)는 주주사 방향(y)으로 연장되는 띠형이고, 저항체(4)를 사이에 두고 부주사 방향(x)에 있어서 서로 이격되어 있다. 복수의 가지부(37)는 부주사 방향(x)으로 연장되는 띠형이고, 주주사 방향(y)에 있어서 복수의 개별 전극(3d)과 교대로 배열되어 있다. 한 쌍의 띠형부(35, 36)는 복수의 가지부(37)에 의해 연결되어 있다.

띠형부(35)는 그 일부가 와이어(W)를 본딩하기 위한 본딩 패드로서 이용되고 있다. 도13에 도시한 바와 같이, 띠형부(35)는 본체층(35a)과 추가층(35b)이 적층된 구조를 갖는다. 본체층(35a)은 복수의 가지부(37) 및 띠형부(36)와 연결되어 있고, 예를 들어 레지네이트 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 형성되어 있다. 본체층(35a), 복수의 가지부(37) 및 띠형부(36)는 그 두께가 0.6 ㎛로 되어 있고, 그 도면 중 상면이 글레이즈층(2)의 표면과 대략 같은 높이로 되어 있다. 추가층(35b)은 추가층(32)과 마찬가지로, 예를 들어 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 형성되어 있고, 그 두께가 1 ㎛ 정도가 된다.

저항체(4)는, 도12에 도시한 바와 같이 주주사 방향(y)으로 연장되는 띠형이고, 도13에 도시한 바와 같이 글레이즈층(2)의 융기부(20)의 도면 중 상방에 배치되어 있다. 도12 및 도14에 도시한 바와 같이, 저항체(4)는 복수의 개별 전극(3d)의 띠형부(31) 및 공통 전극(3e)의 가지부(37)와 포개어져 있다. 저항체(4) 중 띠형부(31)와 가지부(37)에 끼워진 부분이 발열부(40)로 되어 있다. 도14에 도시한 바와 같이, 띠형부(31) 및 가지부(37)와 글레이즈층(2)이 같은 높이인 것에 의해, 저항체(4)는 주주사 방향(y)에 있어서 단차를 거의 갖지 않는 평활한 형상으로 되어 있다.

서멀 프린트 헤드(A2)에 의한 인쇄에 있어서는, 도시하지 않은 구동 IC에 의해 와이어(W)를 거쳐서 임의의 개별 전극(3d)이 선택된다. 선택된 개별 전극(3d)과, 이 개별 전극(3d)을 사이에 두는 가지부(37) 사이에 통전이 이루어진다. 이에 의해, 발열부(40)가 발열된다. 이 열이 감열 기록 매체로 전달되어, 이 감열 기록 매체로의 인쇄가 이루어진다.

다음에, 서멀 프린트 헤드(A2)의 작용에 대해 설명한다.

본 실시 형태에 따르면, 도14에 도시한 바와 같이 저항체(4)가 주주사 방향(y)에 있어서 평활한 형상이므로, 보호층(5) 중 저항체(4)를 덮는 부분도 주주사 방향(y)에 있어서 평활한 형상이 된다. 이에 의해, 보호층(5) 중 저항체(4)를 덮는 부분은 감열 기록 매체와 밀착시키는 데에도 적합하다. 특히, 감열 기록 매체가 플라스틱 등의 비교적 경질인 재질에 의해 형성되어 있어도 보호층(5)과 감열 기록 매체를 적절하게 밀착시키는 것이 가능하다. 그렇게 하면, 저항체(4)의 발열부(40)로부터의 열이 감열 기록 매체로 전해지기 쉬워진다. 따라서, 서멀 프린트 헤드(A2)에 따르면, 선명한 인쇄가 가능하다. 특히, 고선명화가 도모된 경우에 소형이 된 각 인쇄 도트를 선명하게 인쇄하는 데에도 적합하다.

발열부(40)로의 통전은 한 쌍의 띠형부(35, 36)로 이루어진다. 한 쌍의 띠형부(35, 36)를 합계한 면적은 비교적 크기 때문에, 한 쌍의 띠형부(35, 36)에 있어서의 전압 저하를 억제하는 데에도 적합하다. 또한, 띠형부(36)를 비교적 좁은 폭으로 하는 것이 가능하다. 띠형부(36)가 좁은 폭이면, 저항체(4)를 기판(1)의 도면 중 우측 단부에 가깝게 할 수 있다. 따라서, 서멀 프린트 헤드(A2)를 저항체(4)가 기판(1)의 도면 중 우측 단부 근방에 배치된, 소위 니어 에지 타입으로서 구성하는 데에도 유리하다.

또한, 와이어(W)가 본딩되는 본딩 패드(32) 및 띠형부(35)는 글레이즈층(2)으로부터 돌출되어 있다. 이로 인해, 와이어(W)를 본딩하기 위한 본딩 툴의 선단부가, 예를 들어 본딩 패드(32)보다도 큰 경우라도 이 본딩 툴이 글레이즈층(2)과 부당하게 간섭하는 것을 회피 가능하다. 따라서, 와이어(W)의 본딩 작업을 적절하게 행할 수 있다. 또한, 본딩 패드(32) 및 띠형부(35)는 그 두께가 합계 1.6 ㎛ 정도로 비교적 두껍다. 이에 의해, 와이어(W)의 접합 강도를 높일 수 있다.

다음에, 서멀 프린트 헤드(A2)의 제조 방법의 일 예에 대해 도15 내지 도23을 참조하면서 설명한다. 도15 내지 도23은 본 실시 형태에 관한 서멀 프린트 헤드(A2)의 제조 방법에 있어서의 일련의 공정을 도시하는 주요부 평면도 및 주요부 단면도이다.

우선, 도15에 도시한 바와 같이 기판(1)을 준비하고, 기판(1) 상에 글레이즈층(2)을 형성한다. 글레이즈층(2)의 형성은 비정질 유리 페이스트를 이용한 후막 인쇄 및 소성에 의해 행한다.

다음에, 도16에 도시한 바와 같이 금의 박막(3A)을 형성한다. 금의 박막(3A)의 형성은, 예를 들어 레지네이트 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 행한다. 이때, 금의 박막(3A)의 두께를 0.6 ㎛ 정도로 한다.

계속해서, 도17 및 도18에 도시한 바와 같이 금의 박막(3A) 상에 금의 박막(3B)을 형성한다. 이때, 금의 박막(3B)의 두께를 1 ㎛ 정도로 한다. 또한, 금의 박막(3A) 중 도면 중 우측 부분을 금의 박막(3B)으로부터 노출시켜 둔다. 금의 박막(3B)의 형성은, 예를 들어 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 행한다. 또한, 본 실시 형태와는 달리, 레지네이트 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성을 복수회 반복함으로써 금의 박막(3B)을 형성해도 좋다. 혹은, 금을 이용한 스패터링에 의해 금의 박막(3B)을 형성해도 좋다.

금의 박막(3A, 3B)을 형성한 후에는 금의 박막(3A, 3B)에 대해 패터닝을 행함으로써, 도19 및 도20에 도시하는 복수의 개별 전극(3d) 및 공통 전극(3e)을 형성한다. 이 패터닝은, 예를 들어 습윤 에칭을 이용하여 행한다.

다음에, 도21에 도시한 바와 같이 복수의 개별 전극(3d) 및 공통 전극(3e)을 글레이즈층(2)에 대해 침하시킨다. 이 전극 침하 공정은 도7을 참조하여 설명한 수법과 마찬가지로 하여 행한다. 이에 의해, 띠형부(31), 가지부(37) 및 띠형 부(36)의 도면 중 상면을 글레이즈층(2)의 표면과 같은 높이로 한다. 한편, 본딩 패드(32) 및 띠형부(35)는 각각 추가층(32b, 35b)의 두께만큼 글레이즈층(2)으로부터 돌출시킨다.

전극 침하 공정의 후에는, 도22에 도시한 바와 같이 저항체막(4A)을 형성한다. 이 저항체막(4A)에 대해 패터닝을 실시함으로써, 도23에 도시하는 저항체(4)를 형성한다. 그리고, 저항체(4)와, 띠형부(36), 띠형부(31)의 일부 및 가지부(37)의 일부를 덮도록 보호층(5)을 형성한다. 이 후에는, 본딩 패드(32) 및 띠형부(35)에 와이어(W)를 본딩하는 공정 등을 경유하여 도12 내지 도14에 도시하는 서멀 프린트 헤드(A2)를 얻을 수 있다.

이와 같은 제조 방법에 따르면, 복수의 개별 전극(3d) 및 공통 전극(3e) 중 본딩 패드(32) 및 띠형부(35)만을 글레이즈층(2)으로부터 원하는 높이만큼 돌출되도록 형성할 수 있다. 이에 의해, 와이어(W)의 본딩 작업을 용이하게 행할 수 있다.

도24 및 도25는 본 발명에 관한 서멀 프린트 헤드의 제3 실시 형태를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 서멀 프린트 헤드(A3)는 주로 본딩 패드(32)의 적층 구조 및 공통 전극(3e)의 형상이 상술한 제2 실시 형태와 다르다. 또한, 도24에 있어서는 보호층(5)을 생략하고 있다.

도25에 도시한 바와 같이, 본딩 패드(32)는 본체층(32a)과 추가층(32b)의 일부가 포개어지는 구성으로 되어 있다. 본체층(32a)의 도면 중 상면이 글레이즈층(2)의 표면과 같은 높이인 점 및 추가층(32b)이 글레이즈층(2)으로부터 돌출되어 있는 점은 상술한 제2 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 공통 전극(3e)에는 1개의 띠형부(36)가 형성되어 있다.

이와 같은 구성에 의해서도 와이어(W)를 적절하게 본딩 가능하고, 와이어(W)와 본딩 패드(32)의 접합 강도를 높이는 효과를 기대할 수 있다. 또한, 본체층(32a)이 축소화되어 있음으로써, 금의 사용량을 삭감할 수 있다.

다음에, 서멀 프린트 헤드(A3)의 제조 방법의 일 예에 대해 도26 내지 도29를 참조하면서 설명한다. 도26 내지 도29는 본 실시 형태에 관한 서멀 프린트 헤드(A3)의 제조 방법에 있어서의 일련의 공정을 도시하는 주요부 단면도이다.

본 실시 형태의 제조 방법에 있어서는, 미리 도16을 참조하여 설명한 바와 같이, 기판(1) 상에 글레이즈층(2) 및 금의 박막(3A)을 형성해 둔다. 계속해서, 금의 박막(3A)에 대해 패터닝을 실시함으로써, 도26에 도시하는 전극(3Ad) 및 공통 전극(3e)을 형성한다.

다음에, 도27에 도시한 바와 같이 전극(3Ad) 및 공통 전극(3e)을 글레이즈층(2)에 대해 침하시킨다. 전극(3Ad)을 침하시킴으로써 전극(3Ad)의 표면과 글레이즈층(2)의 표면을 같은 높이로 한 후에, 도28에 도시한 바와 같이 금의 박막(3B)을 형성한다. 금의 박막(3B)의 형성은, 예를 들어 금 페이스트를 이용한 인쇄 및 소성에 의해 행한다. 이때, 금의 박막(3B)의 두께를 1 ㎛ 정도로 한다. 또한, 금의 박막(3B)의 도면 중 우측 단부를 본체층(32a)에 포개어 둔다. 이 금의 박막(3B)에 대해 패터닝을 실시함으로써, 도29에 도시하는 추가층(32b)을 형성한다. 이에 의해, 개별 전극(3d)이 형성된다. 이 후에는, 상술한 제2 실시 형태와 동일 한 공정을 경유함으로써, 서멀 프린트 헤드(A3)를 얻을 수 있다.

이와 같은 제조 방법에 따르면, 추가층(32b)을 본체층(32a) 및 글레이즈층(2) 상에 형성한 후에는 전극 침하 공정을 행하지 않는다. 따라서, 금의 박막(3B) 혹은 추가층(32b)의 두께만큼 본딩 패드(32)를 글레이즈층(2)으로부터 확실하게 돌출시키는 것이 가능하다. 따라서, 와이어 본딩 작업을 적절하게 행하는 데에도 사정이 좋다.

이상, 본 발명의 구체적인 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 발명의 사상으로부터 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.

예를 들어, 제1 실시 형태에 있어서는 전극(3a 내지 3c)의 표면과 글레이즈층(2)의 표면이 대략 같은 높이가 될 때까지 전극(3a 내지 3c)을 글레이즈층(2)에 침하시키고 있지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 예를 들어, 전극(3a 내지 3c)의 바닥부 근처의 일부분만이 글레이즈층(2) 내에 매몰되고, 다른 일부분이 글레이즈층(2) 상으로 돌출되어 있어도 상관없다. 이와 같은 구성에 있어서도, 전극(3a 내지 3c)의 표면과 글레이즈층(2)의 표면과의 단차가 작아져, 종래 기술과 비교하여 우수한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 제1 실시 형태에 있어서는, 전극(3a 내지 3c)의 전체를 글레이즈층(2)에 침하시키고 있지만, 이것으로는 한정되지 않는다. 전극(3a 내지 3c)의 각 부 중 적어도 저항체(4)가 포개어져 형성되는 부분이 침하되어 있으면 된다.

전극(3a 내지 3c)을 글레이즈층(2)에 침하된 상태로 하는 방법은 본 실시 형 태의 방법으로 한정되지 않고, 예를 들어 글레이즈층에 있어서의 전극 형성 부위를 전극의 두께에 따라서 오목형으로 깎아내고, 이 깎아낸 오목형 부분에 전극을 후막 인쇄 등에 의해 형성하는 방법으로 해도 좋다.

제2 실시 형태의 제조 방법에 있어서는, 금의 박막(3A, 3B)을 적층시켰지만, 예를 들어 금의 박막(3A)을 1.6 ㎛ 정도의 두께로 성막하고, 이 박막(3A)에 대해 복수회의 에칭을 실시함으로써 본딩 패드(32)의 두께가 다른 부분보다도 두꺼운 개별 전극(3d)을 형성해도 좋다. 동일한 수법에 의해 공통 전극(3e)을 형성해도 좋다.

Claims (16)

  1. 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 글레이즈층과,
    상기 글레이즈층 상에 서로 간격을 두고 설치된 복수의 전극과,
    상기 복수의 전극에 걸치도록 하고 이들 복수의 전극 상 및 상기 글레이즈층 상에 포개어 형성된 저항체를 구비하고 있는 서멀 프린트 헤드이며,
    상기 각 전극 중 적어도 상기 저항체가 포개어져 있는 부분은 상기 글레이즈층에 대해 침하된 구성으로 되어 있는 서멀 프린트 헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 전극 중 상기 저항체가 포개어져 있는 부분은 그 표면이 상기 글레이즈층의 표면과 같은 높이가 되는 깊이로 침하되어 있는 서멀 프린트 헤드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 전극 및 상기 저항체를 덮는 보호층을 더 갖고 있는 서멀 프린트 헤드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 전극은 상기 글레이즈층의 연화 온도보다도 융점이 높고, 또한 상기 글레이즈층보다도 비중이 큰 금속에 의해 구성되어 있는 서멀 프린트 헤드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 저항체의 폭은 상기 각 전극 중 상기 저항체가 포개어져 있는 부분의 폭보다도 작은 서멀 프린트 헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저항체는 주주사 방향으로 연장되는 띠형이고,
    상기 복수의 전극은 복수의 개별 전극과 적어도 1 이상의 공통 전극을 포함하고 있고,
    상기 공통 전극은 상기 저항체에 대해 부주사 방향에 있어서 이격되고, 또한 주주사 방향으로 연장되는 적어도 1 이상의 띠형부와, 상기 띠형부로부터 상기 저항체를 가로질러 부주사 방향으로 연장되어 있고, 또한 부주사 방향에 있어서 늘어서는 복수의 가지부를 갖고 있고,
    상기 복수의 개별 전극은 각각이 상기 저항체를 가로질러 부주사 방향에 두르는 띠형부를 포함하고, 또한 상기 공통 전극의 상기 복수의 가지부와 주주사 방향에 있어서 교대로 늘어서 있는 서멀 프린트 헤드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 공통 전극은 상기 저항체를 사이에 두고 부주사 방향에 있어서 이격되는 한 쌍의 상기 띠형부를 갖는 서멀 프린트 헤드.
  8. 제7항에 있어서, 적어도 1 이상의 상기 가지부는 상기 한 쌍의 띠형부를 연하고 있는 서멀 프린트 헤드.
  9. 제1항에 있어서, 상기 복수의 전극에는 와이어 본딩을 위한 본딩 패드가 형성되어 있고,
    각 본딩 패드는 상기 글레이즈층으로부터 돌출되어 있는 서멀 프린트 헤드.
  10. 제9항에 있어서, 상기 본딩 패드의 상기 글레이즈층으로부터의 돌출 높이는 1 ㎛ 이상인 서멀 프린트 헤드.
  11. 제9항에 있어서, 상기 본딩 패드는 상기 각 전극 중 상기 본딩 패드 이외의 부분보다도 두께가 두꺼운 서멀 프린트 헤드.
  12. 제9항에 있어서, 상기 본딩 패드는 그 표면이 상기 글레이즈층의 표면과 같은 높이가 된 본체층과, 이 본체층 상에 형성된 추가층을 포함하는 서멀 프린트 헤드.
  13. 기판 상에 형성된 글레이즈층 상에 서로 간격을 두고 복수의 전극을 형성하는 공정과,
    저항체를 상기 복수의 전극에 걸치도록 하고 상기 글레이즈층 및 상기 복수의 전극 상에 포개어 형성하는 공정을 갖고 있는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법이 며,
    상기 복수의 전극을 형성한 후, 상기 저항체를 형성하기 전에 있어서, 상기 글레이즈층 중 적어도 일부분을 가열하여 연화시킴으로써, 상기 각 전극 중 적어도 일부씩을 상기 글레이즈층에 대해 침하시키는 전극 침하 공정을 갖고 있는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 저항체를 형성하는 공정은 저항체 재료의 막을 형성한 후에, 이 막에 대해 드라이 에칭을 실시함으로써 행하는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 전극 침하 공정 전에 상기 각 전극의 일부에 추가층을 형성하는 공정을 더 갖는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 전극 침하 공정 후에 상기 각 전극 중 적어도 일부에 포개는 추가층을 형성하는 공정을 더 갖는 서멀 프린트 헤드의 제조 방법.
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