KR20070026043A - 가스 분산판 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대해 고부식성 저항을 갖고, 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 값싼 가스 분산판을 제공하고, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하게 된다. 상기 가스 분산판은, 96% 이상의 상대밀도를 갖는 Y₂O₃ 세라믹 물질로 형성된 기초물질 내에 한개 또는 복수개의 가스구멍을 포함하고 있으며, 가스구멍의 가장자리 부분은 0.2 mm 이상의 곡률반경을 갖는 둥근 모양으로 모래 분사 처리에 의해 형성된다.

Description

가스 분산판 및 그 제조방법{Gas dispersion plate and manufacturing method therefor}

도 1은, 본 발명의 가스 분산판의 실시형태에 의한 투시도이다.

도 2는, 본 발명의 가스 분산판의 실시형태에 의한 세로의 횡단면도이다.

도 3은, 본 발명의 가스 분산판을 활용하는 부식장치의 개략도이다.

본 발명은 가스 분산판 및 그 제조방법에 관한 것이며, 특히 모래 분사 처리에 의해 둥근 형태로 가스구멍의 가장자리 부분이 형성된 가스 분산판에 관한, 하나의 작업지그(working jig) 및 그 제조방법에 초음파 진동을 응용하여 형성된 가스구멍 내 가스 분산판에 관한 것이다.

부식장치와 같은 반도체 제조장치에 있어서, 반응가스를 골고루 분산시키기 위하여 샤워판이 제공되고 있다.

이러한 샤워판은 일반적으로 가공 알루미늄으로 준비되지만, 샤워판으로부터의 알루미늄 오염과 가공 필름의 껍질이 벗겨짐으로써 미립자(먼지) 발생과 같은 여러 가지 문제점들이 눈에 띄게 되어, 밀도가 증가하는 플라스마로 준비된다.

이러한 결점을 피하기 위하여, 열 분사에 의해, 예를 들면 알루미나 또는 Y₂O₃과 같은 부식 저항 물질로 샤워판의 표면을 입히려고 시도해 왔다.(일본 미심사 공개특허문헌 JP-A-2000-315680 참조) 그렇지만, 샤워 구멍 주위의 열적으로 분사된 필름의 불충분한 부착력이나 또는 사용중 열팽창에 있어서의 차이 때문에 열적으로 분사된 필름의 껍질이 벗겨지는 문제는 빈번하게 부딪쳐 왔다. 또한 반복되는 세척에 의해 필름의 부착력에 있어서의 열화도 문제로 되어왔다.

그래서, 알루미나 또는 Y₂O₃의 소결(燒結) 부재가 최근에는 샤워판의 표면상에서 인접하거나 또는 나사로 고정시켜 접합되고 있다.

그렇지만, 그러한 샤워판에서 아무리 높은 부식 저항 물질이 인접되거나 또는 접합된다 하더라도 샤워판에서 미립자들이 완전히 제거될 수는 없다. 샤워판 상에서 인접 또는 접합된 세라믹 물질(알루미나 또는 Y₂O₃)을 떨어뜨리거나 또는 샤워판 상에 침전된, 그 밑에 위치한 웨이퍼 상에서 반응산물의 껍질이 벗겨짐으로써 그러한 미립자들이 발생된다.

또한, 소결 Y₂O₃ 부재는 그것의 높은 플라스마 저항 때문에 최근에는 사용되고 있다.(일본 미심사 공개특허문헌 JP-A-2003-234300 참조)

그렇지만, 알루미늄 또는 알루미나는 낮은 플라스마 저항과, 플라스마에 노출될 경우 미립자를 생성하는 경향이 있다. Y₂O₃의 열분사는 열적으로 분사된 부분에서 어느 정도까지 미립자 발생을 억제하도록 한다. 그렇지만, 직경이 약 1 mm인 가스구멍의 내부(내부 표면)에서 Y₂O₃을 분사 수행한다는 것은 기술적으로 어렵다. 또한 열 분사에 있어서 플라스마 저항을 보다 좋게 가진다 하더라도 대량의 Y₂O₃ 물질은 구멍 형성에서 만들어진 상처 및 분쇄층 때문에 미립자를 발생시킨다.

본 발명에 의해 맡겨진 철저한 조사의 결과로서, 샤워판에 인접 또는 접합된 세라믹 물질로부터 생성된 미립자들은 거의 가스구멍(샤워 구멍)의 가장자리 부분에서 비롯된다는 것과, 반응산물의 부착력은 반응산물이 침전된 부분의 표면 거칠음과 모양에 의해 영향을 받는다는 것을 알았으며, 이렇게 해서 본 발명이 이루어졌다.

보다 상세하게는, 알루미나 또는 Y₂O₃과 같은 세라믹은 부서지기 쉬운 물질이며, 소결 부재의 가공면은 분쇄층을 포함한다. 가스구멍의 가장자리 부분은 막 떨어지려고 하는 많은 미립자들을 가지고 있으며, 그 미립자들은 사용 과정에서 웨이퍼 상에서 세탁 방울로 제거될 수 없다. 모서리를 둥글려 가장자리 부분을 제거하려고 또한 시도되지만, 샤워판 당 있는 수백내지 수천개의 구멍마다 세공을 수행한다는 것은 비용도 많이 들고 시간 낭비로 비현실적이다.

반응산물의 필름의 부착력에 관해서는, 기초물질의 침전된 부분에서 보다 거친 표면은 기초물질에 보다 큰 고정 효과를 제공함으로써 껍질 벗겨짐을 보다 적게 나타내준다. 또한 가스구멍의 가장자리 부분 상에 침전된 반응산물의 필름의 부 착력은 "모서리 따지 않기 < 모서리 따기 < 모서리 둥글려 따기"의 순서로 증가하고, 이렇게 해서 모서리 부분이나 이랑 부분 없이 둥근 모양이 효과적이라는 것을 알았다.

모서리나 이랑 부위에 침전된 필름은 부착력이 없으며 쉽게 껍질이 벗겨진다. 모서리 따기를 하지 않은 표면의 경우, 막 떨어지려고 하는 많은 미립자들의 출현은 또한 미립자 발생에 관한 요인이다.

본 발명은 적은 비용으로 이러한 문제를 해결하는 것이다. 보다 구체적으로는, 모래 분사가 가스구멍의 근처에 거친 표면을 형성하는데 그리고 동시에 가스구멍의 가장자리 부분 상에 모서리 둥글려 따기를 실행하는데 이용된다. 획득된 샤워판의 가장자리 부분은 모서리나 또는 이랑 없이 둥근 모양을 보여주고, 분사에 의해 형성된 거친 표면으로 인한 강한 부착을 보여준다. 정전기 전하가 축적되기 쉬운 모서리나 또는 날카로운 부분의 부재(不在)는 또한 전기아크에 의해 가끔 유발되는 세라믹의 파손을 피하도록 해준다. 선행기술에서 체험하여 알게 된 이러한 샤워판은 가스구멍으로부터의 미립자 발생을 막아주며, 반도체 소자의 생산율 향상에 기여한다.

본 발명은 상기 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 그것의 목적은 할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대해 고부식성 저항을 갖고, 가스구멍으로부터 먼지 발생을 방지할 수 있는 값싼 가스 분산판을 제공하여, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하고자 하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대해 고부식성 저항을 갖고, 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 가스 분산판에 관한 제조방법을 제공하여, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하고자 하는 것이다.

상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 관점들 중 하나에 의하면, 96% 이상의 상대밀도를 갖는 Y₂O₃ 세라믹 물질로 형성된 기초물질 내에 한개 또는 복수개의 가스구멍을 포함하고 있는 가스 분산판이 제공되어 있으며,

여기에서 상기 가스구멍의 가장자리 부분은 0.2 mm 이상의 곡률반경을 갖는 둥근 모양으로 모래 분사 처리로 형성되어 있다.

본 발명의 관점들 중 하나에 의하면,

슬러리(slurry)를 얻기 위하여 원료 Y₂O₃에 물과 바인더(binder)를 더하는 단계,

분무건조기로 슬러리를 과립(granule)으로 형성하는 단계,

주물 부재를 얻기 위하여 얻어진 과립을 프레스몰딩하는 단계,

바인더를 증발시키기 위하여 주물 부재를 하소(calcining)하는 단계,

96% 이상의 상대밀도를 가진 소결 Y₂O₃ 세라믹 부재를 얻기 위하여 주물 부재를 소결하는 단계,

소결 부재 상에서 한개 또는 복수개의 가스구멍을 형성하는 단계와,

둥근 모양을 형성하기 위하여 가스구멍의 가장자리 부분 상에서 모래 분사 처리를 수행하는 단계로 이루어져 있는 가스 분산판에 관한 제조방법이 제공되어 있다.

본 발명의 관점들 중 하나에 의하면,

순도가 99% 이상인 Y₂O₃ 세라믹으로 이루어져 있는 기초물질과,

기초물질 내에 한개 또는 복수개의 가스구멍으로 이루어져 있는 가스 분산판이 제공되어 있고,

여기에서 상기 기초물질은 수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 소결되고,

상기 가스구멍은 작업지그(working jig)에 초음파 진동을 응용하면서 형성된다.

본 발명의 관점들 중 하나에 의하면,

슬러리를 얻기 위하여 순도 99% 이상의 원료 Y₂O₃에 물과 바인더를 더하는 단계,

분무건조기로 슬러리를 과립으로 형성하는 단계,

주물 부재를 얻기 위하여 얻어진 과립을 프레스몰딩하는 단계,

바인더를 증발시키기 위하여 주물 부재를 소결하는 단계,

소결 Y₂O₃ 세라믹 부재를 얻기 위하여 수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 주물 부재를 소결하는 단계와,

작업지그에 초음파 진동의 응용 하에서 소결 부재 내 한개 또는 복수개의 가 스구멍을 형성하는 단계로 이루어져 있는 가스 분산판에 관한 제조방법이 제공되어 있다.

이하에 본 발명의 가스 분산판의 실시형태가 첨부도면을 참조하여 설명된다.

도 1은 본 발명의 가스 분산판의 투시도이고, 도 2는 그것의 세로 단면도이다.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 샤워판을 구성하는 가스 분산판(1)은 96% 이상의 상대밀도를 가지는 세라믹 물질 Y₂O₃으로 형성된 기초물질(2) 내에 한개 또는 복수개의 가스구멍(3)을 가지고 있으며, 가스구멍(3)의 가장자리 부분(4)은 0.2 mm 이상의 곡률반경을 갖는 둥근 모양으로 모래 분사 처리에 의해 형성되어 있다.

보다 낮은 밀도는 기공의 증가분으로 인해 모래분사처리에 의해 중대한 손상으로 되어, 미립자 발생을 오히려 촉진하는 결과로 되기 때문에, Y₂O₃의 96% 이상의 상대밀도가 선택된다. 또한 0.2 mm 이하의 곡률반경을 갖는 둥근 모양은 필름의 부착력을 위하여 효과적이지 않다.

상대밀도 96% 이상의 Y₂O₃ 물질로 구성된 기초물질 그 자체는 기초물질의 부식을 방지하도록 허용하기 때문에, 가스구멍 내부에 정전기 방전에 의해 기초물질의 부식을 또한 방지하도록 하고, 가스구멍의 표면의 부식성 저항을 개선하도록 하며, 가스구멍의 가장자리 부분이 0.2 mm 이상의 곡률반경을 가진 둥근 모양으로 모 래분사처리에 의해 형성되기 때문에, CCl₄, BC1₃, HBr, CF₄, C₄F₈, NF₃ 또는 SF₆, 고부식성 자기청소 CIF₃ 가스 또는 반도체 웨이퍼 상에 표면 필름 처리의 과정 중에, N₂ 혹은 O₂를 활용하는 강력한 스퍼터링(sputtering) 플라스마와 같은 할로겐 화합물의 플라스마 가스에 가스 확산판이 노출될 때에도, 본 실시형태는 가스구멍의 가장자리 부분을 줄어들지 않게 하고 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 값싼 가스 확산판을 실현하고, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하게 된다. 또한 그러한 둥근 모양은 미립자 발생을 피할 수 있도록 하며, 저비용으로 가장자리 부분을 강하하도록 하게 한다.

본 실시형태의 가스 확산판은 이하의 방법으로 생산될 수 있다.

슬러리를 얻기 위하여 원료 Y₂O₃에 물과 바인더(binder)를 더하고, 분무건조기로 슬러리를 과립(granule)으로 형성하고, 주물 부재를 얻기 위하여 얻어진 과립을 프레스몰딩하고, 바인더를 증발시키기 위하여 주물 부재를 하소(calcining)하고, 96% 이상의 상대밀도를 가진 소결 Y₂O₃ 세라믹 부재를 얻기 위하여 주물 부재를 소결하고, 소결 부재 상에서 한개 또는 복수개의 구멍을 형성하고, 가스구멍의 가장자리 부분을 둥근 모양으로 형성하기 위하여 모래 분사 처리를 실행함으로써 준비가 되어 있다.

본 실시형태의 제조방법은 할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대해 고부식성 저항을 갖고, 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 가스 분산판을 얻을 수 있게 하고, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하게 된다.

[실시예]

슬러리를 얻기 위하여 99.9%의 순도를 갖는 원료 Y₂O₃에 이온-교환된 물과 바인더가 더해지고, 슬러리는 분무건조기에 의해 과립으로 형성된다. 얻어진 과립은 기초물질을 얻기 위하여 1500 kgf/cm²의 압력하에 주조된다. 바인더가 하소에 의해 제거된 후, 96% 이상의 상대밀도와 320 mm(직경) x 3 mm(두께)의 크기를 가지는 소결 부재를 얻기 위하여 수소 기체 내에서 1800^ｏC의 온도에서 소결된다. 소결 부재에서, 0.5 mm 직경의 300개의 샤워구멍이 형성된다.(예 1-1 내지 1-5, 비교 예 1-1 내지 1-4) 95%의 상대밀도를 갖는 소결 부재도 또한 몰딩 압력과 소결 온도를 변경시켜서 얻어지며, 마찬가지로 처리된다.(비교 예 1-5, 1-6)

이들 예 1-1 내지 1-5와 비교 예 1-1 내지 1-6 상에서, 표 1에 나타내는 바와 같은 작업방법으로 가장자리 모양이 형성된다.

0.3 MPa의 방사압력 하에, 분사가 GC #240으로 전도되었다. 얻어진 각 샘플은 아주 인접되어 있어서 가스구멍들은 도 3에 나타내는 바와 같이 300 mm 웨이퍼를 위한 부식장치의 실내에 샤워판으로서 설치된 위치에 잘 맞고, 미립자에 관한 평가를 받았다. 소결 Y₂O₃ 부재의 밀도는 아르키메데스 방법에 의해 측정되었다. 미립자 계수는 레이저 미립자 계산기로, 300 mm 웨이퍼 상에서 미립자(0.2 μm 이 상)를 측정하여 얻어졌다.

얻어진 결과가 표 1에 나타나 있다.

[표 1]

샘플	상대밀도 (%)	작업방법	가장자리 부분 모양	미립자 계수 (/300mm 웨이퍼)
비교 예 1-1	98	분쇄	날카로움	22
비교 예 1-2	98	분쇄	C0.5	15
비교 예 1-3	98	분쇄	R0.5	10
예 1-1	98	분사	R0.5	3
예 1-2	98	분사	R0.8	5
예 1-3	98	분사	R1.0	5
예 1-4	98	분사	R0.2	6
비교 예 1-4	98	분사	R0.1	11
예 1-5	96	분사	R0.5	5
비교 예 1-5	95	분사	R0.3	25
비교 예 1-6	95	분사	R0.5	20

표 1에서 나타내는 바와 같이, 본 발명의 조건을 충족시키고(상대밀도 96% 이상, 분사 모래 및 0.2 mm 이상의 곡률반경을 가진 둥근 모양) R0.5 mm의 모양을 가지는(R XX mm는 둥근 모양에서의 곡률이 xx mm 임을 뜻한다.) 예 1-1이 가장 작은 미립자 계수 3을 나타냈다. 역시 본 발명의 조건을 충족시키고 각각 R0.8, R1.0, R0.2 mm의 모양을 가지는 예 1-2, 1-3, 1-4가 예 1-1의 다음으로 가장 작은 미립자 계수 6 이하를 나타냈다. 역시 본 발명의 조건을 충족시키고 96 %의 상대밀도를 가지는 예 1-5는 5와 같이 작은 미립자 계수를 나타냈다.

다른 한편으로, 분쇄방법을 활용하고 날카로운 가장자리 부분을 가지기 때문에 본 발명의 조건을 충족시키지 못하는 비교 예 1-1은 22와 같은 참으로 높은 미립자 계수를 나타냈으며, 이는 예 1-1의 그것의 7배 이상이었다. 분쇄방법을 활용하고 C0.5 mm의 가장자리 부분을 가지기 때문에 역시 본 발명의 조건을 충족시키지 못하는 비교 예 1-2는 미립자 계수 15를 나타냈고, 이는 예 1-1의 그것의 5배 만큼 높았다. 분쇄방법을 활용하고 본 발명의 조건을 충족시키지 못하는 비교 예 1-3은 미립자 계수 10을 나타냈고, 이는 예 1-1의 그것의 3배 이상이었다. 본 발명의 조건을 충족시키지 못하는 R0.1 mm의 가장자리 부분 모양을 가지는 비교 예 1-4는 미립자 계수 11을 나타냈고, 이는 예 1-1의 그것의 3배 이상이었다. 본 발명의 조건과는 다른 상대밀도를 가지지만 본 발명의 조건 이내의 R0.3 mm를 가지는 비교 예 1-5는 25와 같이 참으로 높은 미립자 계수를 나타냈고, 이는 예 1-1의 그것의 8배 이상이었다. 본 발명의 조건과는 다른 상대밀도를 가지지만 본 발명의 조건 이내의 R0.5 mm를 가지는 비교 예 1-6은 20과 같이 참으로 높은 미립자 계수를 나타냈고, 이는 예 1-1의 그것의 6배 이상이었다.

이하에, 본 발명의 가스 분산판의 또 다른 실시형태가 첨부한 동일한 도면을 참조하여 설명된다.

도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 샤워판을 구성하는 가스 분산판(1)은 수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 소결하여 99 % 이상의 순도를 가진 Y₂O₃ 원료로부터 형성된 Y₂O₃ 세라믹 기초물질(2) 내에 한개 또는 복수개의 가스구멍(3)을 가지고 있으며, 여기에서 가스구멍(3)은 구멍정보에 따라 작업지그(working jig)에 초음파 진동을 가하여 형성된다.

수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 소결하여 99 % 이상의 순도를 가진 Y₂O₃ 원료로부터 형성된, 기초물질 그 자체는 할로겐 근간의 부식 가스나 또는 그것의 플라스마에 대하여 높은 부식저항을 가지고 있기 때문에 그리고 작업시 가스구멍과 분쇄층에서 상처의 형성이 억제되기 때문에, CCl₄, BC1₃, HBr, CF₄, C₄F₈, NF₃ 또는 SF₆, 고부식성 자기청소 CIF₃ 가스 또는 도 3에 나타내는 바와 같이 부식장치 내의 반도체 웨이퍼 상에 표면 필름 처리의 과정 중에, N₂ 혹은 O₂를 활용하는 강력한 스퍼터링(sputtering) 플라스마와 같은 할로겐 화합물의 플라스마 가스에 가스 확산판이 노출될 때에도, 본 실시형태의 가스 확산판은 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있고, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하게 된다.

본 실시형태의 가스 확산판은 이하의 방법으로 생산될 수 있다.

슬러리를 얻기 위하여 순도 99 % 이상의 원료 Y₂O₃에 물과 바인더(binder)를 더하고, 분무건조기로 슬러리를 과립(granule)으로 형성하고, 주물 부재를 얻기 위하여 얻어진 과립을 프레스몰딩하고, 바인더를 증발시키기 위하여 주물 부재를 하소하고, 소결 Y₂O₃ 세라믹 부재를 얻기 위하여 수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 주물 부재를 소결하고, 그리고 작업지그에 초음파 진동의 응용하에 소결 부재 내에서 한개 또는 복수개의 구멍을 형성함으로써 준비가 되어 있다.

순도 99 % 미만의 원료는 플라스마 저항을 떨어뜨린다. 또한 수소가 없는 기체 내, 예를 들면 공기 중에서 실행된 소결은 소결 부재의 순도를 떨어뜨리고, 그것에 의해 플라스마 저항을 떨어뜨린다. 구멍 형성을 위해 사용되는 작업지 그(공구와 같은)에 가해지는 초음파 진동도 또한 작업 시에 형성되는 상처와 분쇄층을 억제하게 한다.

본 실시형태의 제조방법은 할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대하여 높은 부식저항을 갖고, 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 가스 분산판을 얻도록 허용하며, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하고자 하는 것이다.

[실시예]

표 2에 나타낸 조건하에서 생산된 샤워판은, 도 3에 나타내는 바와 같이 부식장치에 실장되었고, 레이저 미립자 계수기로, 웨이퍼 상에 놓여진 미립자를 계수함으로써, 반도체 웨이퍼의 부식에 있어서, 미립자에 관한 평가를 받았다.

얻어진 결과가 표 2에 나타나 있다.

[표 2]

샘플	원료 순도(%)	소결 기체	소결 온도(ｏC)	초음파 진동	미립자 (계수)
예 2-1	99.5	수소	1800	사용	8
비교 예 2-1	98	수소	1800	사용	50
비교 예 2-2	99.5	수소	1750	사용	25
비교 예 2-3	99.5	공기	1700	사용	70
비교 예 2-4	99.5	수소	1800	사용안함	45

표 2에서 나타내는 바와 같이, 본 발명의 조건을 충족시키는(원료 순도 99% 이상의 Y₂O₃, 수소 기체 내 1780^ｏC 내지 1820^ｏC에서 소결과 작업지그에 초음파 진동) 예 2-1이 8과 같이 작은 미립자 계수를 나타냈다.

다른 한편으로, 98 %의 원료 순도를 갖고 원료 순도에 관한 조건을 충족시키 지 못하는 비교 예 2-1은, 50과 같이 참으로 높은 미립자 계수를 나타냈고, 이는 예 2-1의 그것의 6배 이상이었다. 1750^ｏC의 소결 온도를 활용하여 역시 온도 조건을 충족시키지 못하는 비교 예 2-2는, 미립자 계수 25를 나타냈고, 이는 예 2-1의 그것의 3배 이상이었다. 공기 중에 소결을 활용하여 소결 기체에 관한 조건을 충족시키지 못하는 비교 예 2-3은, 70과 같이 참으로 높은 미립자 계수를 나타냈고, 이는 예 2-1의 그것의 8배 이상이었다. 초음파 진동을 활용하지 않고 진동에 관한 조건을 충족시키지 못하는 비교 예 2-4는, 45와 같이 참으로 높은 미립자 계수를 나타냈고, 이는 예 2-1의 그것의 5배 이상이었다.

지금까지 본 발명의 양호한 실시형태와 관련하여 설명되었지만, 본 발명에서 벗어나지 않고 그 속에서 여러 가지의 변경과 수정이 이루어질 수 있으며, 따라서 본 발명의 진실한 정신과 범위 이내에서 분류되는 바와 같은 그런 모든 변경과 수정을 첨부된 청구항에서 보충하는 것이 목표로 된다는 것을 당업자들에게 명백히 하여야 할 것이다.

본 발명은 할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대해 고부식성 저항을 갖고, 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 값싼 가스 분산판을 제공할 수 있게 하고, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하게 된다.

본 발명은 할로겐 근간의 부식성 가스와 그것의 플라스마에 대해 고부식성 저항을 갖고, 가스구멍으로부터 미립자 발생을 방지할 수 있는 가스 분산판에 관한 제조방법을 또한 제공할 수 있게 하고, 그것에 의해 반도체 소자의 생산율 향상에 기여하게 된다.

Claims (4)

1. 가스 분산판에 있어서,

   상대밀도가 96% 이상인 Y₂O₃ 세라믹으로 이루어져 있는 기초물질과,

   상기 기초물질 내에 한개 또는 복수개의 가스구멍으로 이루어져 있고,

   여기에서 상기 가스구멍의 가장자리 부분은 0.2 mm 이상의 곡률반경을 갖는 둥근 모양으로 모래 분사 처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 분산판.
2. 가스 분산판의 제조방법에 있어서,

   슬러리(slurry)를 얻기 위하여 원료 Y₂O₃에 물과 바인더(binder)를 더하는 단계와,

   분무건조기로 상기 슬러리를 과립(granule)으로 형성하는 단계와,

   주물 부재를 얻기 위하여 얻어진 상기 과립을 프레스몰딩하는 단계와,

   상기 바인더를 증발시키기 위하여 상기 주물 부재를 하소하는(calcining) 단계와,

   96% 이상의 상대밀도를 가진 소결(燒結) Y₂O₃ 세라믹 부재를 얻기 위하여 상기 주물 부재를 소결하는 단계와,

   상기 소결 부재 상에서 한개 또는 복수개의 가스구멍을 형성하는 단계와,

   둥근 모양을 형성하기 위하여 상기 가스구멍의 가장자리 부분 상에서 모래 분사 처리를 수행하는 단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 가스 분산판의 제조방법.
3. 가스 분산판에 있어서,

   순도가 99% 이상인 Y₂O₃ 세라믹으로 이루어져 있는 기초물질과,

   상기 기초물질 내에 형성된 한개 또는 복수개의 가스구멍으로 이루어져 있고,

   여기에서 상기 기초물질은 수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 소결되고,

   상기 가스구멍은 작업지그(working jig)에 초음파 진동을 가하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 분산판.
4. 가스 분산판의 제조방법에 있어서,

   슬러리를 얻기 위하여 순도 99% 이상의 원료 Y₂O₃에 물과 바인더를 더하는 단계와,

   분무건조기로 상기 슬러리를 과립으로 형성하는 단계와,

   주물 부재를 얻기 위하여 얻어진 상기 과립을 프레스몰딩하는 단계와,

   상기 바인더를 증발시키기 위하여 상기 주물 부재를 소결하는 단계와,

   소결 Y₂O₃ 세라믹 부재를 얻기 위하여 수소 기체 내에서 1780^ｏC 내지 1820^ｏC의 온도에서 상기 주물 부재를 소결하는 단계와,

   작업지그에 초음파 진동의 응용 하에서 상기 소결 부재 내 한개 또는 복수개의 가스구멍을 형성하는 단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 가스 분산판의 제조방법.

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