KR20070025558A - 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터 - Google Patents

플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터 Download PDF

Info

Publication number
KR20070025558A
KR20070025558A KR1020050081849A KR20050081849A KR20070025558A KR 20070025558 A KR20070025558 A KR 20070025558A KR 1020050081849 A KR1020050081849 A KR 1020050081849A KR 20050081849 A KR20050081849 A KR 20050081849A KR 20070025558 A KR20070025558 A KR 20070025558A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
gas
cleaning
applicator
plasma applicator
Prior art date
Application number
KR1020050081849A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100712529B1 (ko
Inventor
황완구
허노현
김일경
서정수
윤기영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050081849A priority Critical patent/KR100712529B1/ko
Priority to US11/510,757 priority patent/US20070051387A1/en
Publication of KR20070025558A publication Critical patent/KR20070025558A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100712529B1 publication Critical patent/KR100712529B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

플라즈마 어플리케이터를 인시츄 세정하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터를 제공한다. 그 세정 방법은 웨이퍼 세정을 위한 플라즈마 어플리케이터가 반응 가스를 공급하는 제1 라인들이 연결된 플라즈마 발생실 및 상기 플라즈마 발생실에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가기를 포함하고, 플라즈마 발생실에 발생한 부산물을 제거하기 위하여, 상기 플라즈마 발생실에 부산물 세정 가스를 공급하여 플라즈마 어플리케이터를 인시츄 세정한다.

Description

플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정 방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터{Method of in-situ cleaning plasma applicator and plasma applicator adapting the same cleaning method}
도 1은 종래 원격 플라즈마 세정 장치의 플라즈마 어플리케이터 및 공정 챔버를 보여주고 있는 단면도이다.
도 2는 종래의 플라즈마 어플리케이터 사용에 의한 웨이퍼 불량 모습을 보여주고 있는 사진들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 부산물 반응 가스 라인을 채용한 플라즈마 어플리케이터를 보여주고 있는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 부산물 반응 가스 라인을 채용한 플라즈마 어플리케이터를 보여주고 있는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법을 보여주고 있는 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 플라즈마 어플리케이터를 이용한 후의 웨이퍼의 불량 감소를 보여주고 있는 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
100:플라즈마 어플리케이터......120:플라즈마 발생실
140:마이크로파 인가기..........160:마이크로파 발진기
310,320:반응 가스 라인들(제1 라인들)
400:부산물 세정 가스 라인(제2 라인)
400a:제1 라인들을 이용한 제2 라인
본 발명은 반도체 제조 설비 및 그 개선 방안에 대한 것으로, 특히 PNC(Plasma Native-oxide Cleaning) 설비의 플라즈마 어플리케이터 및 그 어플리케이터의 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정 중에 실리콘 웨이퍼 상에 형성되는 자연 산화막(native-oxide layer)은 화학 용액(chemical solution), 예컨대 희석 불산(diluted HF) 용액을 이용한 습식 세정(wet cleaning) 방법으로 제거한다. 그러나 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 상기 습식 세정 방법은 한계가 있어 건식 세정(dry cleaning) 방법이 필요하다. 그러한 건식 세정 방법의 일 예로 원격 플라즈마 세정 장치가 제안되었다.
원격 플라즈마 세정 장치는, 공정 챔버로부터 원격 배치된 플라즈마 어플리케이터에서 발생된 반응성 라디칼을 공정 챔버 내로 확산시키고, 희석 가스를 혼합함으로써 공정 챔버 내의 웨이퍼 등을 세정하게 된다. 이와 같은 세정 방법은 가스-라디칼 혼합물을 생성하여 공정 챔버를 통과하는 가스의 유동을 증가시키는 동 시에, 챔버 내에 위치된 재료가 가스-라디칼 혼합물 내의 반응성 라디칼에 의해 에칭되는 비율을 감소시킨다.
도 1은 원격 플라즈마 세정 방법을 설명하기 위해서 종래의 원격 플라즈마 세정 장치를 개략적으로 보여주고 있다. 도 1을 참조하면, 종래 원격 플라즈마 세정 장치는 공정 챔버(20), 플라즈마 어플리케이터(10) 및 반응 가스 라인들(31,32)을 포함한다. 공정 챔버(20)는 세정 공정이 실시되는 메인 챔버(22), 로드락 챔버(26) 및 웨이퍼 반출구(24)를 포함한다. 로드락 챔버(26)는 웨이퍼 차지 보트(27, wafer charge boat)를 포함하고 메인 챔버(22)로 웨이퍼를 공급한다. 웨이퍼 반출구(24)로는 세정 공정이 끝난 웨이퍼가 반출된다. 플라즈마 어플리케이터(10)는 플라즈마 발생실(12), 마이크로파 인가기(14) 및 마이크로파 발진기(16)를 포함한다. 플라즈마 어플리케이터(10)에는 반응 가스 공급을 위한 반응 가스 라인들(31,32)이 연결된다. 예컨대, 자연 산화막 제거를 위한 반응 가스로 N2/H2 가 반응 가스 라인(31)을 통해 공급된다. 한편, 플라즈마를 안정시키지 위해 아르곤(Ar) 가스가 반응 가스 라인(32)으로 주입될 수 있다.
세정 작용을 간단히 설명하자면, 반응 가스 라인(31)으로 주입된 N2 가스 및 H2 가스의 혼합가스는 어플리케이터(10)에서 플라즈마화되어 라디칼/이온 등의 활성 가스로 된다. 이러한 활성 가스는 메인 챔버(22)로 바로 주입되는 NF3를 활성화시키고, 웨이퍼 표면의 자연 산화막과 반응하여 반응막을 형성한다. 반응막은 그 후 어닐링 공정을 통해 승화되어 제거된다.
한편, N를 포함하는 반응 가스들은 활성 가스 형성 중에 부산물(A)을 형성하여 플라즈마 발생실에 달라붙게 되다. 즉, 일반적으로 플라즈마 발생실(12) 내부 벽은 석영으로 이루어져 있는데, N2 또는 NH3 등에서 형성된 활성 가스와 반응하여 Si3N4 막을 형성하게 된다. 한편, SiO2 손상층(damaged layer)이 플라즈마 발생실(12) 내부에 발생하기도 한다. Si3N4 막은 계속적인 세정 공정 중에 활성 가스와 함께 파티클 형태로 플라즈마 발생실(12)에서 떨어져 나와 웨이퍼 표면을 오염시키는 원인이 된다.
도 2는 Si3N4의 파티클들에 의해 오염된 웨이퍼들을 보여주는 사진들이다. 도 2를 참조하면, 웨이퍼 표면이 은행잎 모양의 파티클들에 의해 오염된 모습을 보여주고 있다. 이러한 파티클들은 전술한 대로 Si3N4 의 파티클이 주요 성분이다. 은행잎 모양이 형성되는 이유는 활성 가스 및 Si3N4 의 파티클이 일방향으로 고정되어 메인 챔버로 공급되는 반면, 웨이퍼들은 세정 공정 중에 회전하고 있기 때문이다. 따라서, 플라즈마 발생실로부터 떨어져 나온 Si3N4의 파티클이 웨이퍼 상에 은행잎 모양을 형성하며 달라붙게 된다.
이러한 Si3N4의 파티클에 의한 웨이퍼의 오염을 방지 및 플라즈마 발생실에 발생한 손상층을 제거하기 위하여, 플라즈마 어플리케이터를 일정 주기로 교체해 주어야 한다. 플라즈마 어플리케이터의 교체는 세정 공정의 시간적인 면에서나 비용적인 면에서 많은 손실을 초래한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 어플리케이터에 발생한 Si3N4를 인시츄(in-situ)로 제거할 수 있는 세정 방법 및 그 세정 방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 세정을 위한 플라즈마 어플리케이터는 반응 가스를 공급하는 제1 라인들이 연결된 플라즈마 발생실 및 상기 플라즈마 발생실에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가기를 포함하고, 상기 플라즈마 발생실에 발생한 부산물을 제거하기 위하여, 상기 플라즈마 발생실에 부산물 세정 가스를 공급하여 플라즈마 어플리케이터를 인시츄 세정하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 부산물 세정 가스는 제1 라인들 중 어느 하나를 이용하여 공급될 수 있다. 부산물은 N을 포함한 가스가 활성화하여 석영과 반응하여 생성된 Si3N4 막 또는 SiO2 손상층이고, 부산물 세정 가스는 일반적으로 NF3가 적당하다.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 반응 가스를 공급하는 제1 라인들이 연결된 플라즈마 발생실 및 마이크로파 인가기를 포함하는 플라즈마 어플리케이터의 상기 플라즈마 발생실 내부의 부산물을 제거하기 위하여, 상기 플라즈마 발생실로 연결되고 부산물 세정 가스가 주입되는 제2 라인을 턴온하는 단 계, 상기 마이크로파 인가기를 통해 상기 플라즈마 발생실에 플라즈마를 발생시키는 단계, 상기 플라즈마 발생실을 세정하는 단계 및 상기 플라즈마 발생의 중지 및 상기 제2 라인을 턴오프하는 단계를 포함하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 부산물 세정 가스는 NF3 이고, 공정 조건은 압력 3.7 torr, 마이크로 파워 1200 W 및 NF3 유량 500 sccm 정도이며, 공정 시간은 20초 정도이다. 한편, 제2 라인을 턴온하는 단계 전후에 제1 라인들 중 어느 하나를 통해 플라즈마를 안정화시키기 위해 아르곤 가스가 공급될 수 있다.
한편, 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 반응 가스가 공급되는 제1 라인들 및 공정 챔버 사이에 연결되고 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생실 및 상기 플라즈마 발생실에 플라즈마 발생을 위한 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가기를 포함하고, 상기 플라즈마 발생실 내부의 부산물을 인시츄 제거하기 위한 부산물 세정 가스를 공급하는 제2 라인이 상기 플라즈마 발생실에 연결된 플라즈마 어플리케이터를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 플라즈마 발생실에 연결되는 부산물 세정 가스를 공급하는 제2 라인은 반응 가스를 공급하는 제1 라인들 중 어느 하나가 이용될 수 있다. 부산물 세정 가스는 일반적으로 공정 챔버 내부 등을 세정하는데 이용하는 NF3 가스 등이 이용된다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설 명한다. 이하의 도면에서 구성요소들의 일부분은 설명의 편의 및 명확성을 위하여 개략적 또는 과장되어 표현되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
<제1 실시예>
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 부산물 세정 가스 라인을 채용한 플라즈마 어플리케이터 및 플라즈마 어플리케이터에 연결된 반응 가스 라인들(이하 '제1 라인들'라 한다.)을 보여준다.
도 3을 참조하면, 플라즈마 어플리케이터(100)는 플라즈마 발생실(120), 마이크로파 인가기(140) 및 마이크로파 발진기(160)를 포함한다. 플라즈마 발생실(120)은 제1 라인들(310,320) 및 공정 챔버(미도시) 사이에 연결된다. 본 발명의 실시예에서는 종래와 달리 플라즈마 어플리케이터를 세정하기 위한 부산물 세정 가스 라인(400, 이하 '제2 라인'이라 한다.)인 제2 라인이 더 포함된다. 여기서 제1 라인들로 공급되는 반응 가스는 N를 포함한 가스 예컨대, N2 , N2/H2 , NH3, 또는 NH3/N2 등이 될 수 있다. 플라즈마 발생실(120)은 석영으로 이루어져 있으며, 반응 가스 즉 N을 포함한 가스가 활성화되고 석영과 반응하여 Si3N4막 또는 SiO2 손상층 등의 부산물이 플라즈마 발생실(120)에 형성됨은 전술한 바와 같다.
따라서, 그러한 부산물을 제거하기 위한 부산물 세정 가스가 필요하고, 부산물 세정 가스를 플라즈마 발생실(120)로 공급하기 위한 제2 라인(400)이 설치된다. 부산물 세정 가스는 Si3N4의 세정에 효과적인 NF3 가스를 사용하나, F2와 같이 F를 포함하고 Si3N4와 반응이 활발한 다른 종류의 가스의 사용도 가능하다. 한편, 플라즈마 안정화를 위한 제1 라인들 중 어느 한 라인(320)을 통해 아르곤 가스가 공급될 수 있다.
플라즈마 발생실로 유입된 NF3은 플라즈마 발생실에서 마이크로파 인가에 의해 플라즈마화하여 플루오르 라디칼 등이 된다. 플루오르 라디칼은 플라즈마 발생실 내벽에 붙어있는 부산물을 분해하여, 부산물을 가스 상태로 제거하게 된다. 이때 공정 조건은 압력 3.7 torr, 마이크로 파워 1200 W 및 NF3 유량 500 sccm 정도이고, 공정 시간은 20초 정도로 진행한다.
<제2 실시예>
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 부산물 세정 가스 라인을 채용한 플라즈마 어플리케이터 및 플라즈마 어플리케이터에 연결된 제1 라인들을 보여주고 있다.
도 4를 참조하면, 플라즈마 어플리케이터(100)는 종래와 동일하다. 그러나 부산물 세정 가스를 제공하기 위한 제2 라인은 제1 라인들(310,400a) 중 어느 한 라인(400a)을 공통으로 이용한다. 예컨대, 제1 실시예의 아르곤 가스 라인을 제2 라인(400a)으로 이용한다. 아르곤 가스 라인 이외에 플라즈마 발생실(120)을 통과하는 제1 라인들 중 어떤 한 라인을 제2 라인(400a)으로 이용할 수 있음은 물론이다. 한편, 부산물 세정 가스 및 공정 조건은 제1 실시예에 설명한 것과 동일하다. 또한, 플라즈마 안정화를 위해 제2 라인(400a)에 원래의 아르곤 가스를 함께 공급 하는 것도 가능하다.
이와 같이 기존의 제1 라인들을 이용하여 부산물 세정 가스를 주입함으로써, 새로운 가스 라인을 설치하는 비용 및 시간 등의 낭비를 줄일 수 있다.
<제3 실시예>
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 어플리케이터의 세정 방법의 과정을 보여주고 있다. 설명의 편의를 위해 제1 실시예의 도면을 이용한다. 도 5를 참조하면, 부산물 세정 가스 라인인 제 2라인(400)을 턴온하여 플라즈마 발생실(120)으로 부산물 세정 가스를 공급한다(S100). 부산물 세정 가스는 NF3가 바람직하다. 다음으로, 마이크로파 발진기(160)에 전력을 공급하여, 마이크로파 인가기(140)를 통해 플라즈마 발생실(120)에 플라즈마를 발생시킨다(S200). NF3 가스는 활성화되고 부산물과 반응을 하여 플라즈마 발생실(120)에 형성되어 있는 부산물을 세정한다(S300). 세정이 끝나면, 플라즈마 발생을 중지하고 제2 라인을 턴오프하여 부산물 세정 가스 공급을 중단한다. 제2 라인의 턴온 단계 전후에 플라즈마 안정화를 위해 아르곤 가스가 공급될 수 있다. 한편, 제2 실시예와 같이 제2 라인은 기존의 제1 라인들인 플라즈마 발생실에 연결된 반응 가스 라인들을 이용할 수 있음은 물론이다.
도 6은 부산물 세정 가스(NF3)를 이용하여 플라즈마 발생실을 세정한 후의 웨이퍼 불량의 감소를 보여주고 있다. 도 6을 참조하면, 기존 설비에서 웨이퍼 표면에 300 개 이상의 파티클이 발견되었는데, NF3 세정 공정 후 50 개 이내의 파티클 로 감소 되었음을 보여준다. 여기서, x 축의 세정 횟수를 y축은 파티클의 갯수를 나타낸다. 한편, T, C 및 B는 메인 챔버 내의 적재된 웨이퍼들의 위치에 대한 구별을 나타낸다. 즉 T는 상부(top zone)에 적재된 웨이퍼, C는 중앙(center zone)에 적재된 웨이퍼, 그리고 B는 하부(bottom zone)에 적재된 웨이퍼를 지적한다.
따라서, 세정 전의 경우 특히, T 및 C 부분의 웨이퍼에 Si3N4 파티클에 의한 웨이퍼의 오염이 심했다는 것을 알 수 있다. 또한, NF3 세정 후에는 거의 모든 부분의 웨이퍼가 50 개 이하의 파티클이 발견됨을 볼 수 있다. 여기서, CLN은 세정 횟수를 나타내고, 전측정은 세정 전을 의미하며, Pre-CLN은 전측정과 CLN 사이에 세정 조건을 강화하여 세정한 것을 의미한다. 세정 조건의 강화는 NF3의 세정 시간을 일반적 세정 공정 시간인 20초보다 길게 적용함을 의미한다. 여기에서는 5분의 세정 공정 시간을 적용하였다. 세정 조건 강화의 이유는 처음의 세정의 경우는 다소 많은 부산물이 플라즈마 발생실 내부에 존재할 수 있기 때문에 어느 정도의 강력한 세정이 필요하기 때문이다. 물론, NF3 세정이 한번 실시된 후, 공정 챔버 내의 웨이퍼가 세정되고, 다시 NF3 세정이 실시된 후 웨이퍼가 세정 되는 식으로 공정이 진행된다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
지금까지 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은, PNC 설비의 플라즈마 어플리케이터에 발생되는 부산물들 인시츄 세정하기 위해 플라즈마 어플리케이터의 플라즈마 발생실에 부산물 세정 가스 라인을 연결하고 NF3와 같은 부산물 세정 가스를 주입하여 부산물을 플라즈마 세정함으로써, 기존에 부산물 제거를 위해 플라즈마 어플리케이터를 분리 교체해야 하는 문제를 해결할 수 있다.
또한, 부산물 세정 가스를 공급하기 위한 가스 라인을 기존의 반응 가스 라인을 그대로 이용하여 사용함으로써, 새로운 가스 라인 설치 등의 문제를 해결할 수 있다.

Claims (25)

  1. 웨이퍼 세정을 위한 플라즈마 어플리케이터는 반응 가스를 공급하는 제1 라인들이 연결된 플라즈마 발생실 및 상기 플라즈마 발생실에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가기를 포함하고,
    상기 플라즈마 발생실에 발생한 부산물을 제거하기 위하여, 상기 플라즈마 발생실에 부산물 세정 가스를 공급하여 플라즈마 어플리케이터를 인시츄 세정하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생실은 석영을 포함한 재질로 형성되어 있고,
    상기 제1 라인들으로 공급되는 반응 가스는 N2 , N2/H2 , NH3, 또는 NH3/N2 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 부산물은 Si3N4 막 또는 SiO2 손상층(damaged layer)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 부산물 세정 가스는 플루오르(F)를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 플루오르를 포함하는 가스는 NF3 또는 F2 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 부산물 세정 가스를 상기 제1 라인들 중 어느 하나를 이용하여 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 인시츄 세정 방법의 공정 조건은 압력 3.77 torr, 마이크로파의 파워 1200 W, 부산물 세정 가스 유량 500 sccm 및 공정시간 20 초인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 인시츄 세정 방법은 웨이퍼 세정 공정 전에 실시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 인시츄 세정 방법이 최초의 세정인 경우는 공정 시간을 1분 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  10. 반응 가스를 공급하는 제1 라인들이 연결된 플라즈마 발생실 및 마이크로파 인가기를 포함하는 플라즈마 어플리케이터의 상기 플라즈마 발생실 내부의 부산물을 제거하기 위하여,
    상기 플라즈마 발생실로 연결되고 부산물 세정 가스가 주입되는 제2 라인을 턴온하는 단계;
    상기 마이크로파 인가기를 통해 상기 플라즈마 발생실에 플라즈마를 발생시키는 단계;
    상기 플라즈마 발생실을 세정하는 단계; 및
    상기 플라즈마 발생의 중지 및 상기 제2 라인을 턴오프하는 단계를 포함하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생실은 석영을 포함한 재질로 형성되어 있고,
    상기 제1 라인들로 공급되는 반응 가스는 N2 , N2/H2 , NH3, 또는 NH3/N2 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 부산물은 Si3N4 막 또는 SiO2 손상층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 부산물 세정 가스는 플루오르(F)를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 플루오르를 포함하는 가스는 NF3 또는 F2 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 라인은 상기 제1 라인들 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 라인을 턴온하는 단계 전후에 상기 제1 라인들 중 하나를 턴온하여 아르곤(Ar) 가스를 주입하는 단계를 포함하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 라인과 아르곤 가스를 주입하는 라인은 동일 가스 라인을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  18. 제10 항에 있어서,
    상기 인시츄 세정 방법의 공정 조건은 압력 3.77 torr, 마이크로파의 파워 1200 W, 부산물 세정 가스 유량 500 sccm 및 공정시간 20 초인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법.
  19. 반응 가스가 공급되는 제1 라인들 및 공정 챔버 사이에 연결되고 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생실; 및
    상기 플라즈마 발생실에 플라즈마 발생을 위한 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가기를 포함하고,
    상기 플라즈마 발생실 내부의 부산물을 인시츄 제거하기 위한 부산물 세정 가스를 공급하는 제2 라인이 상기 플라즈마 발생실에 연결된 플라즈마 어플리케이터.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생실은 석영을 포함한 재질로 형성되어 있고,
    상기 제1 라인들로 공급되는 반응 가스는 N2 , N2/H2 , NH3, 또는 NH3/N2 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  21. 제19 항에 있어서,
    상기 제2 라인으로 공급되는 부산물 세정 가스는 플루오르(F)를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 플루오르를 포함하는 가스는 NF3, 또는 F2 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  23. 제19 항에 있어서,
    상기 부산물은 Si3N4 막 또는 SiO2 손상층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  24. 제19 항에 있어서,
    상기 제2 라인으로 상기 제1 라인들 중 어느 하나가 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  25. 제19 항에 있어서,
    상기 플라즈마 어플리케이터는 피엔시(Plasma Native-oxide Cleaning:PNC) 설비에 사용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
KR1020050081849A 2005-09-02 2005-09-02 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터 KR100712529B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050081849A KR100712529B1 (ko) 2005-09-02 2005-09-02 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터
US11/510,757 US20070051387A1 (en) 2005-09-02 2006-08-28 Method of cleaning plasma applicator in situ and plasma applicator employing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050081849A KR100712529B1 (ko) 2005-09-02 2005-09-02 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070025558A true KR20070025558A (ko) 2007-03-08
KR100712529B1 KR100712529B1 (ko) 2007-04-30

Family

ID=37828934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050081849A KR100712529B1 (ko) 2005-09-02 2005-09-02 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070051387A1 (ko)
KR (1) KR100712529B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8052799B2 (en) * 2006-10-12 2011-11-08 International Business Machines Corporation By-product collecting processes for cleaning processes
US8782278B2 (en) * 2008-03-21 2014-07-15 Qualcomm Incorporated Address redirection for nodes with multiple internet protocol addresses in a wireless network
WO2012027118A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Linde Aktiengesellschaft Reactor box chamber cleaning using molecular fluorine
KR101757816B1 (ko) * 2015-09-30 2017-07-14 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR102474847B1 (ko) 2018-04-25 2022-12-06 삼성전자주식회사 가스 인젝터 및 웨이퍼 처리 장치
JP7433154B2 (ja) * 2020-07-16 2024-02-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057106A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 処理装置のクリーニング方法及び処理装置
KR100375102B1 (ko) * 2000-10-18 2003-03-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조에서 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
JP2002280376A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth Ｃｖｄ装置のクリーニング方法およびそのためのクリーニング装置
KR100442167B1 (ko) * 2001-12-26 2004-07-30 주성엔지니어링(주) 자연산화막 제거방법
JP2003197605A (ja) 2001-12-28 2003-07-11 Shibaura Mechatronics Corp ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法
KR100580584B1 (ko) * 2004-05-21 2006-05-16 삼성전자주식회사 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20070051387A1 (en) 2007-03-08
KR100712529B1 (ko) 2007-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7402523B2 (en) Etching method
JP6373150B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
KR100712529B1 (ko) 플라즈마 어플리케이터의 인시츄 세정 방법 및 그 세정방법을 채용한 플라즈마 어플리케이터
TWI254363B (en) Chamber cleaning method
JP2006148095A (ja) 六フッ化硫黄リモートプラズマ源洗浄
US7404863B2 (en) Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
KR20040007533A (ko) 챔버 내 잔여물의 2단계 플라즈마 세정
JP6995997B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法
US20050215063A1 (en) System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
TWI759516B (zh) 變壓器耦合的電漿蝕刻室中的整合式原子層鈍化及原位原子層鈍化蝕刻方法
KR100869865B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7513775B2 (ja) 基板処理システム
US20130025624A1 (en) Method of cleaning a semiconductor device manufacturing apparatus
US7201807B2 (en) Method for cleaning a deposition chamber and deposition apparatus for performing in situ cleaning
US6360754B2 (en) Method of protecting quartz hardware from etching during plasma-enhanced cleaning of a semiconductor processing chamber
US11557486B2 (en) Etching method, damage layer removal method, and storage medium
JP2013179126A (ja) エッチング装置およびエッチング方法およびクリーニング装置
KR102179717B1 (ko) 플라즈마와 증기를 이용한 건식 세정 장치
KR20080062112A (ko) 박막 증착 장비의 세정 방법
US20060134923A1 (en) Semiconductor substrate cleaning apparatus and method
KR101738524B1 (ko) 원격플라즈마 세정 장치 및 이를 이용한 세정방법
KR100602334B1 (ko) 플라즈마 세정 방법
KR20060134668A (ko) 반도체 소자의 제조에 사용되는 식각 장비의 세정 방법
US20090209108A1 (en) Substrate processing method
JP2002289589A (ja) エッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment
FPAY Annual fee payment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee