KR20070002249A - Method of detecting a defect of wafer - Google Patents

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삼성전자주식회사
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Abstract

A wafer defect detecting method is provided to detect exactly real defects alone by using the image of a reference wafer as a reference image in case of the generation of an abnormal color difference between an obtained image and a reference image. An image is obtained from an object wafer(S100). Defects are detected by comparing the obtained image with a reference image. When a color difference between the obtained image and the reference image is in an aiming range, the obtained image is set as a new reference image(S150). Defects are detected from another object wafer by using the new reference image.

Description

웨이퍼 결함 검출 방법{Method of detecting a defect of wafer}Method of detecting a defect of wafer

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 결함 검출 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a wafer defect detection apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 결함 검출 장치를 이용하여 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.FIG. 2 is a schematic flowchart illustrating a method for detecting defects in a wafer using the wafer defect detection apparatus shown in FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 이미지 촬상부 110 : 검출부100: image pickup unit 110: detection unit

본 발명은 웨이퍼 결함 검출 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 웨이퍼에 대하여 매크로 검사(macro inspection)로 웨이퍼 상의 결함을 거시적으로 검출하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer defect detection method. More specifically, it relates to a method for macroscopically detecting defects on a wafer by macro inspection on the wafer.

반도체 장치를 형성하기 위한 공정은, 반도체 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 및 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The process for forming a semiconductor device includes a deposition process for forming a film on a semiconductor wafer, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photo An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics using a resist pattern, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor wafer, a cleaning process for removing impurities on the semiconductor wafer, And an inspection process for detecting defects of the semiconductor wafer on which the film and pattern are formed.

상기 반도체 웨이퍼 상에 잔류하는 파티클과 같은 반도체 웨이퍼의 결함은 반도체 장치의 고집적화에 따라 반도체 장치의 신뢰도 및 생산성을 저하시키는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 상기 파티클을 검출하기 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.Defects of semiconductor wafers, such as particles remaining on the semiconductor wafer, are recognized as an important factor that lowers the reliability and productivity of semiconductor devices due to high integration of semiconductor devices, and the importance of the inspection process for detecting the particles is more important. It is becoming.

상기와 같이 반도체 웨이퍼 상에 결함을 검출하는 방법으로는 거대한 결함(수 마이크로 이상의 결함)을 검출하기 위한 매크로 검사(macro inspection)와, 미세한 결함을 검출하기 위한 마이크로 검사(micro inspection)를 포함한다.As described above, methods for detecting defects on semiconductor wafers include macro inspection for detecting huge defects (defects of several micro or more), and micro inspection for detecting minute defects.

상기 매크로 검사 설비는 일반적으로 CCD(Coupled-Charge Device)를 사용하며, 기준 웨이퍼의 이미지와 피 검사웨이퍼의 이미지를 캡쳐하고(capture) 상기 기준 이미지와 피 검사이미지를 비교하여 결함의 위치를 검출한다.The macro inspection apparatus generally uses a CCD (Coupled-Charge Device), and captures the image of the reference wafer and the image of the wafer to be inspected, and compares the reference image with the image to be inspected to detect the position of a defect. .

그러나 이러한 매크로 검사는 비교 방식을 사용하기 때문에 칩(chip)과 칩의 색차 또는 웨이퍼와 웨이퍼의 색차와 같은 정상적인 범주에 속하는 공정 상의 변형까지 모두 결함으로 검출하는 문제가 있다.However, since the macro inspection uses a comparison method, there is a problem of detecting defects even in process deformations belonging to a normal category such as color difference between chips and chips or color differences between wafers and wafers.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 상기와 같은 색차를 갖는 경우, 피 검사웨이퍼의 이미지를 새로운 기준 웨이퍼로 적용하여 이후에 검사되는 웨이퍼들의 결함을 검출한다.In order to solve the above problems, when the color difference is as described above, an image of the inspected wafer is applied as a new reference wafer to detect defects of the wafers to be inspected later.

상기와 같은 방법을 사용하면, 정상적인 범주에 속하는 공정 상의 변형에 따 른 색 편차를 극복하고 실제적인 결함만을 검출할 수 있으나, 상기와 같은 방법을 사용하면 웨이퍼 또는 칩 사이에 전체적으로 결함이 발생하여 기준 이미지와 색차를 갖는 경우에도 이를 정상 이미지로 판단할 수 있다.By using the above method, it is possible to overcome the color deviation caused by the deformation in the normal category and to detect only the actual defect. Even when the image has a color difference, it may be determined as a normal image.

이로 인하여 상기 전체적인 결함을 가진 웨이퍼가 기준 웨이퍼로 설정되고 이를 이용하여 다른 웨이퍼들에 대하여 결함을 검출하면, 결함을 가지고 있지 않은 웨이퍼가 불량 웨이퍼로 판단될 수 있다.For this reason, when the wafer having the overall defect is set as the reference wafer and the defect is detected with respect to other wafers by using the wafer, the wafer having no defect may be determined as the defective wafer.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 결함의 유무를 보다 신뢰성 있게 검출할 수 있는 웨이퍼 검출 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer detection method that can more reliably detect the presence or absence of a defect.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼 결함 검출 방법에 있어서, 피 검사웨이퍼의 이미지를 획득하고, 상기 획득된 이미지와 설정된 기준 이미지를 비교하여 결함을 검출하며, 상기 획득된 이미지와 기준 이미지의 전체적인 색차가 기 설정된 범위 내에 있는 경우, 상기 획득된 이미지를 새로운 기준 이미지로 재 설정하고, 상기 재 설정된 기준 이미지를 이용하여 다른 피 검사웨이퍼의 결함을 검출한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, in the wafer defect detection method, the image of the inspected wafer is acquired, the defect is detected by comparing the obtained image and the set reference image, the obtained image And when the overall color difference of the reference image is within a preset range, the acquired image is reset to a new reference image, and the defect of another inspected wafer is detected using the reset reference image.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기준 이미지를 재 설정하는 것은 상기 획득된 이미지와 기준 이미지를 각각 크로스 섹션 신호들(cross section signals)로 변환시키고, 상기 획득된 이미지의 크로스 섹션 신호와 상기 기준 크로스 섹션 신호를 비교하여 상기 획득된 이미지를 기준 이미지로 사용할지를 판단할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, resetting the reference image converts the obtained image and the reference image into cross section signals, respectively, and the cross section signal and the reference of the acquired image. Cross section signals may be compared to determine whether to use the obtained image as a reference image.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 피 검사웨이퍼 또는 칩과 기준 웨이퍼 또는 칩 사이에 밝기의 차이가 발생하는 경우, 상기 밝기의 차이가 기 설정된 범위를 벗어나는 경우, 상기 기준 웨이퍼의 이미지를 기준 이미지로 그대로 사용하여 실제적인 결함만을 검출할 수 있다.According to the present invention as described above, when the difference in brightness between the inspection wafer or the chip and the reference wafer or chip, if the brightness difference is out of a predetermined range, the image of the reference wafer as it is as a reference image Can only detect actual defects.

또한, 상기 밝기 차이가 기 설정된 범위 내에 있는 경우에 피 검사웨이퍼 및 기준웨이퍼의 이미지의 크로스 섹션 신호를 이용하여 상기 피 검사웨이퍼의 결함 유무를 보다 정확하게 판단할 수 있다.In addition, when the brightness difference is within a predetermined range, it is possible to more accurately determine the presence or absence of a defect in the inspected wafer using the cross section signals of the images of the inspected wafer and the reference wafer.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 결함 검출 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a wafer defect detection method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

우선, 반도체 웨이퍼의 결함을 측정하기 위한 방법을 간단히 살펴보면, 반도체 웨이퍼 결함 측정 방법에는 레이저 산란 방식, 광학 이미지 비교 방식, 레이저 신호 강도 비교 방식 및 전자 빔(E-beam) 이용 방식 등이 있다.First, a method for measuring defects of semiconductor wafers will be briefly described. Examples of methods for measuring semiconductor wafer defects include a laser scattering method, an optical image comparison method, a laser signal intensity comparison method, and an electron beam (E-beam) method.

상기 레이저 산란 방식은 넌 패턴 웨이퍼(Non-Patterned Wafer)의 검사에서 주로 사용되며, 일정한 각도로 조사되는 레이저 광선이 결함에 의해 산란되는 것을 디텍터(Detector)에 의해 검출하는 방법이다.The laser scattering method is mainly used in the inspection of non-patterned wafers, and is a method of detecting by a detector that laser beams irradiated at a predetermined angle are scattered by defects.

상기 광학 이미지 비교 방식은 마이크로 스코프를 통해 입사된 웨이퍼의 광학적 이미지를 CCD 카메라 센서 등을 통해 입력하고 이를 디지털 변환하여 처리한 후 이미 기억되어 있는 기준(Reference) 이미지와 비교하여 결함의 유무를 판별하는 방법이다.In the optical image comparison method, an optical image of a wafer incident through a microscope is input through a CCD camera sensor or the like, digitally converted, processed, and then compared with a reference image already stored to determine whether there is a defect. Way.

상기 레이저 신호 강도 비교 방식은 상기 레이저 산란 방식과 유사하나, 주 로 매크로(macro)한 결함을 찾는데 활용된다. The laser signal intensity comparison method is similar to the laser scattering method, but is mainly used to find macro defects.

상기 전자빔을 이용하는 방식은 상기 광학 이미지 비교 방식과 동일하나 광학 대신 전자 빔(Electron Beam)에 의한 SEM(Scanning Electron Microscope)의 기술을 이용하여 검사하는 방법이라는 점에서 구별된다. 즉 전자빔 주사에 의해 웨이퍼 표면의 형상을 이미지화하여 결함을 검출한다.The method using the electron beam is the same as the optical image comparison method, but is distinguished in that it is a method of inspecting using a technique of a scanning electron microscope (SEM) using an electron beam instead of an optical. That is, defects are detected by imaging the shape of the wafer surface by electron beam scanning.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 결함 검출 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for describing a wafer defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 웨이퍼 결함 검출 장치는 반도체 웨이퍼의 이미지를 촬상하기 위한 이미지 촬상부(100)와, 상기 이미지 촬상부(100)에서 촬상된 이미지를 기준 이미지와 비교하고 결함 유무를 판단하기 위한 검출부(110)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an apparatus for detecting a defect in a wafer may include an image capturing unit 100 for capturing an image of a semiconductor wafer and an image captured by the image capturing unit 100 with a reference image to determine whether there is a defect. The detector 110 is included.

이미지 촬상부(100)는 반도체 웨이퍼를 지지할 수 있는 스테이지 상부에 구비되어, 상기 반도체 웨이퍼의 이미지를 촬상한다. 상기 반도체 웨이퍼의 결함 검사가 칩 단위로 이루어지는 경우, 상기 이미지 촬상부(100)는 칩 단위로 이미지를 촬상하고, 웨이퍼 단위로 이루어지는 경우, 웨이퍼 이미지를 전체적으로 촬상한다. 도시되어 있지는 않지만, 이미지 촬상부(100)는 반도체 웨이퍼에 강한 LED(light emitting diode) 등과 같은 조명을 조사하여 상기 칩의 이미지를 촬상한다.The image capturing unit 100 is provided on the stage capable of supporting the semiconductor wafer, and captures an image of the semiconductor wafer. When the defect inspection of the semiconductor wafer is performed in units of chips, the image capturing unit 100 images an image in units of chips, and in the case of units of wafers, images of the entire wafer image. Although not shown, the image capturing unit 100 captures an image of the chip by illuminating a semiconductor wafer with illumination such as a strong light emitting diode (LED).

여기에서 기준 이미지 및 피 검사이미지를 설명하기로 한다. 기준 이미지는 결합이 없는 정상적인 상태의 웨이퍼 또는 칩을 CCD 카메라를 이용하여 촬상한 이미지이다. 상기 기준 이미지는 기 설정된다.Here, the reference image and the inspection image will be described. The reference image is an image obtained by using a CCD camera of a wafer or chip in a normal state without coupling. The reference image is preset.

피 검사이미지는 CCD 카메라를 이용하여 피 검사웨이퍼 또는 피 검사웨이퍼 의 칩을 촬상한 이미지이며, 상기 기준 이미지와 비교하여 동일한 경우, 상기 피 검사이미지에 이상이 없는 것을 판단한다. 한편, 상기 기준 이미지와 피 검사이미지가 서로 다른 경우, 피 검사이미지에 결함이 있는 것으로 판단하고, 상기 서로 다른 부분이 결함이 된다.The to-be-tested image is an image obtained by photographing the wafer to be inspected or the chip of the wafer to be inspected using a CCD camera. On the other hand, when the reference image and the inspected image are different from each other, it is determined that the inspected image is defective, and the different portions become defects.

검출부(110)는 CCD 카메라에서 촬상된 웨이퍼 전체 이미지(즉, 피 검사웨이퍼 전체 이미지)와 기 설정된 웨이퍼 이미지, 또는 피 검사웨이퍼의 칩의 이미지와 기 설정된 칩 이미지를 비교하여 웨이퍼의 결함을 검출한다.The detection unit 110 detects a defect in the wafer by comparing the entire wafer image (ie, the entire wafer to be inspected) captured by the CCD camera with a preset wafer image, or an image of a chip of the wafer to be inspected and a predetermined chip image. .

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 결함 검출 장치를 이용하여 웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 방법을 설명하기 위한 순서도이다.FIG. 2 is a flowchart for describing a method for detecting a defect of a wafer using the wafer defect detection apparatus shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 우선, 피 검사웨이퍼를 스테이지 상으로 로딩한다. LED를 이용하여 상기 스테이지 상에 지지된 피 검사웨이퍼로 조명을 조사한다. 이어서, CCD 카메라를 이용하여 상기 피 검사웨이퍼의 광학적 이미지를 획득한다.(S100) 상기 광학적 이미지는 웨이퍼의 전체의 이미지 또는 칩 단위의 이미지는 CCD카메라에 의해 촬상된 것이다.Referring to FIG. 2, first, an inspection wafer is loaded onto a stage. The LED is used to illuminate the inspection wafer supported on the stage. Subsequently, an optical image of the inspection target wafer is obtained by using a CCD camera. (S100) The optical image is an image of an entire wafer or an image of a chip unit photographed by a CCD camera.

상기 CCD 카메라에 의해 촬상된 이미지는 검출부에서 기준 이미지와 비교된다. 상기 피 검사이미지는 기준 이미지와 색차 즉, 그레인 레벨, 밝기 또는 명암의 차이를 이용하여 피 검사이미지의 결함 유무를 확인한다. 전술한 바와 같이 상기 피 검사이미지가 기준 이미지와 동일한 경우 상기 피 검사이미지에는 이상이 없으며, 다른 경우 상기 피 검사이미지에 결함이 있는 것으로 판단되며 상기 서로 다른 부분이 결함이 된다. 결함이 있는 경우, 상기 피 검사이미지에 대하여 마이크로 결 함 검출을 수행한다(S115)The image picked up by the CCD camera is compared with the reference image in the detector. The inspected image is checked for defects in the inspected image by using a color difference, that is, a difference in grain level, brightness or contrast. As described above, when the inspected image is the same as the reference image, there is no abnormality in the inspected image. In other cases, the inspected image is determined to be defective and the different portions become a defect. If there is a defect, micro defect detection is performed on the inspection image (S115).

이때, 기준 이미지와 상기 피 검사이미지의 색차가 전체적으로 다른 경우, 상기 검출부는 상기 색차를 기 설정된 색차와 비교하여 상기 피 검사이미지의 결함 유무를 판단하다.(S120)In this case, when the color difference between the reference image and the inspected image is entirely different, the detection unit compares the color difference with a preset color difference to determine whether there is a defect in the inspected image.

보다 상세하게 설명하면, 상기 색차가 기 설정된 범위를 벗어나는 경우, 상기 피 검사이미지에 전체적으로 결함이 있는 것으로 판단하고 상기 피 검사이미지의 미세한 결함을 검출하기 위하여 마이크로 검사를 수행한다. 또한, 이 경우, 상기 기준 이미지로 기존의 기준 이미지를 지속적으로 사용한다. 즉, 상기 기존의 기준 이미지를 이용하여 이후의 피 검사웨이퍼들에 대하여 결함 검출 공정을 수행한다.(S125)In more detail, when the color difference is out of a predetermined range, it is determined that the inspection image is totally defective and micro inspection is performed to detect minute defects of the inspection image. In this case, the existing reference image is continuously used as the reference image. That is, a defect detection process is performed on subsequent inspection target wafers by using the existing reference image.

한편, 상기 색차가 기 설정된 범위 내에 있는 경우, 상기 피 검사이미지에 전체적으로 결함이 있는 것이 아니라, 상기 피 검사이미지를 갖는 피 검사웨이퍼가 기준 웨이퍼와 정상적인 범주에서 공정 상 변형으로 서로 다른 색차를 갖는 것을 판단하여 상기 피 검사이미지를 새로운 기준 이미지로 재 설정한다. 상기 재 설정된 기준 이미지를 이용하여 이후의 피 검사웨이퍼들에 대하여 결함 검출 공정을 수행한다.On the other hand, when the color difference is within a predetermined range, it is not that the inspection image is entirely defective, but that the inspection wafer having the inspection image has a different color difference due to process deformation in a normal range with the reference wafer. By judging, the inspection image is reset to a new reference image. The defect detection process is performed on the subsequent inspection target wafers by using the reset reference image.

이때, 상기 색차가 기 설정된 범위에 있는 피 검사이미지에 대하여 신뢰성을 향상시키기 위하여 상기 피 검사이미지를 크로스 섹션 신호로 변환시킨다.(S130)At this time, the color difference is converted into a cross section signal to improve the reliability of the inspection image in the preset range (S130).

상기 피 검사이미지의 크로스 섹션 신호와 기준 크로스 섹션 신호 사이의 게인 마진(gain margin)이 기 설정된 범위 내에 있는 경우, 상기 전술한 바와 같이 상기 피 검사이미지가 기준 이미지와 공정 상 변형으로 서로 다른 색차를 갖는 것을 판단하여 상기 피 검사이미지를 새로운 기준 이미지로 재 설정한다. 상기 재 설정된 기준 이미지를 이용하여 이후의 피 검사웨이퍼에 대하여 결함 검출 공정을 수행한다.(S150)When the gain margin between the cross section signal and the reference cross section signal of the inspected image is within a preset range, as described above, the inspected image may be different from each other in the process of transforming the reference image with the reference image. It is determined to have a reset to the inspection image to a new reference image. Using the reset reference image, a defect detection process is performed on a subsequent inspection target wafer (S150).

이와는 다르게, 상기 피 검사이미지 크로스 섹션 신호와 기준 크로스 섹션 신호 사이의 게인 마진이 기 설정된 범위를 벗어나는 경우, 상기 피 검사이미지가 미세한 결함을 가진 것으로 판단하여 상기 피 검사이미지의 피 검사웨이퍼에 대하여 마이크로 검사를 수행하며, 이때, 상기 피 검사이미지를 새로운 기준 이미지로 사용하지 않는다.(S145)On the contrary, when the gain margin between the cross-sectional signal to be inspected crosses the reference cross section signal is out of a predetermined range, it is determined that the inspected image has a fine defect, and the In this case, the inspection image is not used as a new reference image (S145).

이때, 피 검사이미지 크로스 섹션 신호와 기준 크로스 섹션 신호 사이의 차이를 비교하여 상기 피 검사이미지의 결함 정보를 얻을 수 있다.In this case, defect information of the inspected image may be obtained by comparing a difference between the inspected image cross section signal and the reference cross section signal.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 피 검사웨이퍼 또는 칩과 기준 웨이퍼 또는 칩 사이에 색차가 발생하는 경우, 상기 색차가 기 설정된 범위를 벗어나는 경우, 상기 기준 웨이퍼의 이미지를 기준 이미지로 그대로 사용하여 실제적인 결함만을 검출할 수 있다.As described above, according to a preferred embodiment of the present invention, when a color difference occurs between the wafer to be inspected or the chip and the reference wafer or chip, when the color difference is out of a preset range, the image of the reference wafer is referred to as a reference image. It can be used as is to detect only actual defects.

또한, 상기 색차가 기 설정된 범위 내에 있는 경우에 피 검사웨이퍼 및 기준웨이퍼의 이미지의 크로스 섹션 신호를 이용하여 상기 피 검사웨이퍼의 결함 유무를 보다 정확하게 판단할 수 있다.In addition, when the color difference is within a predetermined range, it is possible to more accurately determine whether the inspected wafer is defective by using a cross section signal of the image of the inspected wafer and the reference wafer.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (4)

피 검사웨이퍼의 이미지를 획득하는 단계;Acquiring an image of the inspection wafer; 상기 획득된 이미지와 설정된 기준 이미지를 비교하여 결함을 검출하는 단계;Detecting a defect by comparing the acquired image with a set reference image; 상기 획득된 이미지와 기준 이미지의 전체적인 색차가 기 설정된 범위 내에 있는 경우, 상기 획득된 이미지를 새로운 기준 이미지로 재 설정하는 단계; 및Resetting the acquired image to a new reference image when the overall color difference between the acquired image and the reference image is within a preset range; And 상기 재 설정된 기준 이미지를 이용하여 다른 피 검사웨이퍼의 결함을 검출하는 단계를 포함하는 웨이퍼 결함 검출 방법.And detecting a defect of another inspected wafer using the reset reference image. 제1항에 있어서, 상기 기준 이미지를 재 설정하는 단계는,The method of claim 1, wherein resetting the reference image comprises: 상기 획득된 이미지와 기준 이미지를 각각 크로스 섹션 신호들(cross section signals)로 변환시키는 단계; 및Converting the obtained image and the reference image into cross section signals, respectively; And 상기 획득된 이미지의 크로스 섹션 신호와 상기 기준 크로스 섹션 신호를 비교하여 상기 획득된 이미지를 기준 이미지로 사용할지를 판단하는 단계를 포함하는 웨이퍼 결함 검출 방법.And comparing the cross section signal of the acquired image with the reference cross section signal to determine whether to use the acquired image as a reference image. 제2항에 있어서, 상기 획득된 이미지 및 기준 이미지의 크로스 섹션 신호들 사이의 게인 마진(gain margin)이 기 설정된 범위 이내에 있는 경우, 상기 획득된 이미지를 기준 이미지로 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 검출 방법.The wafer defect of claim 2, wherein when the gain margin between the cross section signals of the acquired image and the reference image is within a preset range, the acquired image is used as a reference image. Detection method. 제2항에 있어서, 상기 획득된 이미지 및 기준 이미지의 크로스 섹션 신호의 차이를 이용하여 상기 결함의 정보를 얻는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 결함 검출 방법.The method of claim 2, wherein the defect information is obtained by using a difference between the cross section signals of the obtained image and the reference image.
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