KR20060112970A

KR20060112970A - 반도체 발광소자

Info

Publication number: KR20060112970A
Application number: KR20050035736A
Authority: KR
Inventors: 김창태; 유태경
Original assignee: 에피밸리 주식회사
Priority date: 2005-04-28
Filing date: 2005-04-28
Publication date: 2006-11-02

Abstract

본 발명은 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 생성하는 활성층을 포함하는 반도체 발광소자에 있어서, 반도체 발광소자는 그 상면에 p측 본딩 패드를 구비하고, 식각된 면 상에 n측 본딩 패드를 구비하며, p측 본딩 패드 및 n측 본딩 패드 중의 적어도 하나는 x축, y축 방향으로 구분될 수 있는 다각형으로 구성되는 것을 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 이에 의해 본딩 패드의 인식율을 획기적으로 개선한 반도체 발광소자가 제공된다.

반도체, 발광소자, 본딩 패드, 정렬 키, 식별 패턴

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

도 1은 일반적인 반도체 발광소자의 평면도,

도 2는 고출력 발광소자(200)의 예를 나타내는 도면,

도 3은 본 발명에 의한 반도체 발광소자를 나타내는 도면,

도 4는 본 발명에 따른 본딩 패드의 다른 예를 나타내는 도면,

도 5는 본 발명에 따른 본딩 패드의 다른 예를 나타내는 도면,

도 6은 본 발명에 따른 본딩 패드의 또 다른 예를 나타내는 도면.

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 와이어 본딩 패드에 일정 구조의 패턴을 가지게 하여 와이어 본딩 작업을 할 때 본딩 패드의 위치를 정확하게 하는 구조에 관한 것이다.

여기서 반도체 발광소자라 함은 발광 다이오드, 레이저 다이오드와 같은 소자를 말하는 것으로, 활성층에서 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 소자를 말한다. 이러한 반도체 발광소자의 대표적인 예로 3족 질화물 반도체 발광소자를 들 수 있다.

도 1은 일반적인 반도체 발광소자의 평면도로서, 발광소자(100)의 상면에 투광성 전극(101), 투광성 전극(101) 위에 p측 본딩 패드(102)가 구비되어 있으며, 발광소자(100)의 식각된 면(103) 위에 n측 본딩 패드(104)가 구비되어 있다.

투광성 전극(101) 아래에 놓이는 p형 반도체층(도시 생략)의 경우 면저항이 크므로 투광성 전극(101)을 p형 반도체층의 거의 전면에 형성하고 p측 본딩 패드(102)를 투광성 전극(101) 상에 형성하는 것이 일반적이다. 이 경우 p측 본딩 패드(102)는 원형이 대표적이다.

반도체 발광소자(100)의 발광효율을 개선하기 위해서 p형 반도체층에 요철을 형성하는 기술이 사용된다. 이 경우 p형 반도체층 상에 형성되는 p측 본딩 패드(102)도 역시 요철 형태를 가지게 된다. 표면에 요철이 형성될 경우 p형 반도체층 상에 형성된 p측 본딩 패드(102)는 외부 광원에 의해 비추어지면 빛의 산란 효과에 의해서 반사율이 아주 낮게 된다. 따라서 와이어 본딩 등의 작업을 수행함에 있어서 정렬 키(align key)를 구별하는데 어려움이 있다. 그리고 p측 본딩 패드(102)가 원형일 경우 그 경계면의 구별이 더욱 어렵게 된다.

또한 원형 패드의 경우 경계면의 길이가 짧고 구조적으로 x축, y축으로의 정확한 위치를 잡기가 상당히 어려운 점이 있다. 그 결과 와이어 본딩 작업을 할 경우 p측 본딩 패드(102)의 위치를 정확하게 읽기가 어렵고 와이어 본딩 불량이 발생하거나 p측 본딩 패드(102)의 위치와 다른 부분에 본딩이 일어날 수 있다.

도 2는 고출력 발광소자(200)의 예를 나타내는 도면으로서, 도 1과 달리 p측 본딩 패드(202) 및 n측 본딩 패드(204)가 원활한 전류의 공급을 위해서 각각 복수 개의 암(205; arms) 및 암(206; arms)을 구비하고 있다. 이 경우에도 본딩 패드(202,204)가 원형으로 형성되어 와이어 본딩시에 불량이 발생하는 등의 문제가 발생할 수 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 감안하여, 본딩 패드에서 가장자리의 길이를 최대한 길게 하고, 본딩 패드 가장자리의 x축, y축이 분명하게 드러나게 하여 본딩 패드의 인식율을 획기적으로 개선한 반도체 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 의한 반도체 발광소자를 나타내는 도면으로서, 본딩 패드(301,302)가 와이어 본딩 패드 기능을 유지하면서 모양을 십자형을 가지도록 하여 x축, y축에 대한 구별능력을 최대화하였다. 기본적으로 본 반도체 발광소자(300)는 상면에 투광성 전극(301), 투광성 전극(301) 위에 p측 본딩 패드(302)가 구비되어 있으며, 발광소자(300)의 식각된 면(303) 위에 n측 본딩 패드(304)가 구비되어 있다.

본딩 패드(302,304)의 경우 기존 원형 모양과는 달리 x축, y축 방향으로 수직인 변이 일직선이 되도록 하여 x축, y축에 대한 변별력을 높인 것이다. 이러한 변별력의 증가는 특히 p형 반도체층, 특히 본딩 패드의 표면에 요철이 형성된 경우 본딩 패드를 식별하는데 아주 효과적이다.

기본적으로 x축, y축으로의 본딩 패드 변별력을 키우기 위해서는 원형보다는 다각형이 아주 유효하다.

도 4는 본 발명에 따른 본딩 패드의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 육각형, 오각형, 사다리꼴, 평행 사변형, 마름모꼴, 팔각형의 예를 보였다. 이러한 다각형은 x축, y축으로의 변별력을 키우는데 효과적이다. 다만, 정사각형과 같이 x축, y축으로 구분되지 않는 형태는 본딩 패드로 사용될 수 있으나 본 발명으로부터는 제외된다.

본딩 패드의 외곽이 원형일 경우 본딩 패드의 내부에 식별 패턴을 형성하는 방법이 또 다른 실시 예가 될 수 있다. 도 5는 본 발명에 따른 본딩 패드의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 원형 본딩 패드의 내부에 십자형 또는 Y형의 빈 공간을 만들어서 x축, y축으로의 변별력을 높일 수 있다.

도 6은 본 발명에 따른 본딩 패드의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 5의 식별 패턴의 오각형의 본딩 패드 내부에 형성한 것과 원형의 본딩 패드 상에 x축, y축 방향으로 돌기 형태의 식별 패턴을 형성한 예를 도시하고 있다.

본 발명은 반도체 발광소자에 있어서 본딩 패드의 구조를 다각형으로 구성하여 본딩 패드 인식율을 획기적으로 개선한 것이다.

Claims

전자와 정공의 재결합에 의해 광을 생성하는 활성층을 포함하는 반도체 발광소자에 있어서,

반도체 발광소자는 그 상면에 p측 본딩 패드를 구비하고, 식각된 면 상에 n측 본딩 패드를 구비하며,

p측 본딩 패드 및 n측 본딩 패드 중의 적어도 하나는 x축, y축 방향으로 구분될 수 있는 다각형으로 구성되는 것을 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제 1 항에 있어서, 상기 다각형은 십자형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제 1 항에 있어서, 상기 다각형은 육각형, 오각형, 사다리꼴, 평행 사변형, 마름모꼴, 팔각형으로 된 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
전자와 정공의 재결합에 의해 광을 생성하는 활성층을 포함하는 반도체 발광소자에 있어서,

반도체 발광소자는 그 상면에 p측 본딩 패드를 구비하고, 식각된 면 상에 n 측 본딩 패드를 구비하며,

p측 본딩 패드 및 n측 본딩 패드 중의 적어도 하나는 식별 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제 4 항에 있어서, 상기 식별 패턴은 십자형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제 4 항에 있어서, 상기 식별 패턴은 Y자형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제 4 항에 있어서, p측 본딩 패드 및 n측 본딩 패드 중의 적어도 하나는 원형이며, 이 원형에 돌기 형태의 식별 패턴이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.