KR20060092554A - Wet cleaning equipment for liquid crystal display - Google Patents

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KR20060092554A
KR20060092554A KR1020050013536A KR20050013536A KR20060092554A KR 20060092554 A KR20060092554 A KR 20060092554A KR 1020050013536 A KR1020050013536 A KR 1020050013536A KR 20050013536 A KR20050013536 A KR 20050013536A KR 20060092554 A KR20060092554 A KR 20060092554A
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김선경
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 세정장치는 다수의 액정 표시 장치용 기판이 소정 간격으로 이격되어 로딩되는 세정조, 제 1 세정액 공급관, 제 2 세정액 공급관, 상기 제 1 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 다수의 분사 팁을 포함하는 제 1 노즐, 상기 제 2 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 제 2 노즐 및 상기 세정조 하부에 설치되어 상기 세정조 내의 상기 세정액을 배수할 수 있는 배수관을 포함한다. The cleaning apparatus for a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention is connected to a cleaning tank, a first cleaning liquid supply pipe, a second cleaning liquid supply pipe, and the first cleaning liquid supply pipe in which a plurality of liquid crystal display substrates are loaded at predetermined intervals. A first nozzle including a plurality of injection tips for injecting the cleaning liquid into the cleaning tank and positioned in an upper portion of the cleaning tank, and connected to the second cleaning liquid supply pipe; And a second nozzle for spraying into the tank and a drain pipe installed under the cleaning tank to drain the cleaning liquid in the cleaning tank.
액정 표시 장치(LCD), 감광물질 박리(Photo Resist Strip), 세정장치, 퀵 덤프트 린스(Quick Dumped Rinse, QDR) Liquid Crystal Display (LCD), Photo Resist Strip, Cleaner, Quick Dumped Rinse (QDR)

Description

액정 표시 장치용 세정장치{Wet cleaning equipment for liquid crystal display}Wet cleaning equipment for liquid crystal display
도 1은 액정 표시 장치의 공정 중 다양한 물질층의 패터닝 공정을 도시한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a patterning process of various material layers in a process of a liquid crystal display.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세정장치가 적용된 감광물질 박리 시스템의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a photosensitive material peeling system to which a cleaning device according to an embodiment of the present invention is applied.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 초순수 세정장치의 사시도이다. 3 is a perspective view of an ultrapure water cleaning device according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10 : 감광물질 박리 시스템 10: photosensitive material peeling system
100 : 액정 표시 장치용 유리 기판100: glass substrate for liquid crystal display device
700 : 초순수 세정장치700: ultrapure water cleaning device
310 : 주공급관310: main supply pipe
320 : 제 1 세정액 공급관320: first cleaning liquid supply pipe
330 : 제 2 세정액 공급관330: second cleaning liquid supply pipe
325, 335 : 세정액 공급 조절부325, 335: cleaning liquid supply control unit
340 : 제 1 노즐340: first nozzle
350 : 제 2 노즐350: second nozzle
360, 370 : 분사 팁360, 370: Injection Tip
본 발명은 평면 표시 패널 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 평면 표시 패널 제조에 사용되는 세정장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat display panel manufacturing apparatus, and more particularly, to a cleaning apparatus used for manufacturing a flat display panel.
일반적으로 평면 표시 패널 제조 라인의 청정도는 수율을 크게 좌우하기 때문에 세정 공정은 평면 표시 패널 제조 공정에서 유리 기판의 오염을 제거하는 매우 중요한 공정이다. In general, since the cleanliness of the flat panel manufacturing line greatly influences the yield, the cleaning process is a very important process for removing contamination of the glass substrate in the flat panel manufacturing process.
평면 표시 패널 제조 공정에서 오염 물질의 형태는 유기성 오염, 이온성 오염과 공정 중에 발생하는 금속이나 반도체 막의 잔류 및 기판의 설비 간 반송이나 작업자의 취급과 공정 설비에 기안하는 입자성 오염 등이 있다. The form of contaminants in a flat display panel manufacturing process includes organic contamination, ionic contamination, residues of metals or semiconductor films generated during the process, conveyance of substrates between facilities, and particulate contamination intended for handling of workers and process equipment.
유리 기판은 실리콘 웨이퍼와 다르게 부도체이기 때문에 정전기가 쉽게 유도될 수 있어 먼지와 금속성 입자 등의 오염 물질은 쉽게 유리 기판에 부착될 수 있고 이들은 유리 기판에서 쉽게 분리되지 않는다. 따라서 초기 유리 기판 투입뿐만 아니라 각 단위 공정과 단위 공정 사이마다 세정 공정을 도입하여 기판 표면의 오염 물질을 제거하여 후속 공정에서 불량이 발생하지 않도록 한다. Since glass substrates are insulators unlike silicon wafers, static electricity can be easily induced so that contaminants such as dust and metallic particles can easily adhere to the glass substrates and they are not easily separated from the glass substrates. Therefore, a cleaning process is introduced between each unit process and each unit process as well as the initial glass substrate input to remove contaminants on the surface of the substrate so that defects do not occur in subsequent processes.
세정 공정에 사용되는 세정장치는 각각의 유리 기판을 하나씩 처리하는 인라인(in-line) 방식을 사용하는 것과, 다수의 유리 기판을 한꺼번에 처리하는 배치(batch) 방식을 사용하는 것이 있다. The cleaning apparatus used in the cleaning process includes an in-line method for treating each glass substrate one by one, and a batch method for treating a plurality of glass substrates at once.
그런데 배치(batch) 방식의 세정장치는 얼룩에 취약하다는 단점이 있다. 왜냐하면, 장치의 특성상 여러 장의 유리 기판이 세워진 채 세정 과정이 진행되는데, 스트리퍼(Stripper)가 기판을 타고 흘러내리므로, 기판의 하부막은 상부막에 비해 상대적으로 손상을 받게 된다. 이 손상은 결국 얼룩으로 발현되는데, 이렇듯 스트리퍼에 의한 얼룩 발현은 전체 얼룩 발생률의 주된 요인이 된다. However, a batch cleaning device has a disadvantage of being vulnerable to staining. Because, due to the characteristics of the device, the cleaning process proceeds with several glass substrates erected, and since the stripper flows down the substrate, the lower layer of the substrate is relatively damaged compared to the upper layer. This damage eventually results in staining, which is why staining by strippers is a major factor in overall staining incidence.
다시 말해 스트리퍼 세정시, 화학 물질에 대한 세정력이 부족하거나 불균일 할 경우, 화학 물질에 대한 유리 기판의 손상은 심화되어 얼룩이 발생하게 되며, 이는 곧 액정 표시 장치의 수율 저하 및 품질 저하의 원인이 될 수 있다. In other words, when the stripper is cleaned, if the cleaning ability for chemicals is insufficient or non-uniform, damage to the glass substrate against chemicals may intensify and cause stains, which may cause a decrease in yield and quality of the liquid crystal display. have.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 감광물질 박리시, 스트리퍼를 보다 신속하게 제거할 수 있는 세정장치를 제공하고자 하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a cleaning device that can more quickly remove the stripper when the photosensitive material is peeled off.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 세정장치는 다수의 액정 표시 장치용 기판이 소정 간격으로 이격되어 로딩되는 세정조, 제 1 세정액 공급관, 제 2 세정액 공급관, 상기 제 1 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 다수의 분사 팁을 포함하는 제 1 노즐, 상기 제 2 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 제 2 노즐 및 상기 세정조 하부에 설치되어 상기 세정조 내의 상기 세정액을 배수할 수 있는 배수관을 포함한다. The cleaning apparatus for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem is a cleaning tank, a first cleaning liquid supply pipe, a second cleaning liquid supply pipe, a plurality of liquid crystal display substrate substrates are loaded at predetermined intervals, the A first nozzle connected to a first cleaning liquid supply pipe, the first nozzle including a plurality of spray tips for injecting the cleaning liquid into the cleaning tank, and connected to the second cleaning liquid supply pipe, And a second nozzle for discharging the cleaning liquid into the cleaning tank, and a drain pipe installed under the cleaning tank to drain the cleaning liquid in the cleaning tank.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.
액정 표시 장치의 제조 공정은 크게 박막트랜지스터 제조 공정, 칼라 필터 제조 공정, 셀(Cell) 공정, 모듈(Mocule) 공정으로 나뉜다.The manufacturing process of the liquid crystal display is largely divided into a thin film transistor manufacturing process, a color filter manufacturing process, a cell process, and a module process.
박막 트랜지스터(Thine Film Transistor) 제조 공정은 유리 기판 위에 박막 트랜지스터를 제작하는 공정으로, 게이트 전극 생성 단계, 절연막 및 반도체막 생성 단계, 데이터 전극 생성 단계, 보호막 생성 단계, 화소 전극 생성 단계로 이루어진다. 각 단계에서는 증착 공정(Deposition), 사진식각 공정(Photolithography) 및 식각 공정(Etching)을 포함하는 패턴 공정을 1회 이상 거치게 된다. The thin film transistor manufacturing process is a process of manufacturing a thin film transistor on a glass substrate, and includes a gate electrode generation step, an insulating film and semiconductor film generation step, a data electrode generation step, a protective film generation step, and a pixel electrode generation step. In each step, a pattern process including a deposition process, a photolithography process, and an etching process is performed one or more times.
칼라 필터 제조 공정은 기판 위에 블랙 매트릭스 패턴을 형성하는 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM) 공정, 감광 물질을 도포하여 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue)의 세 가지 셀을 생성하기 위한 화소별 공정, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO)로 된 화소 전극을 생성하는 ITO 공정으로 이루어진다. The color filter manufacturing process is a black matrix (BM) process that forms a black matrix pattern on a substrate, and a photosensitive material is applied to generate three cells of red, green, and blue. A pixel-by-pixel process and an ITO process for generating a pixel electrode made of indium tin oxide (ITO).
셀 공정은 컬러 필터(Color Filter, CF)가 형성된 기판 즉, 상부 기판에 대한 공정과 TFT 기판 즉, 하부 기판에 대한 공정이 분리되어 진행된다. 셀 공정은 크게 상부 기판과 하부 기판을 세정하는 단계, 세정된 상부 기판 및 하부 기판에 배향막을 형성하는 단계, 배향막에 액정이 잘 정렬할 수 있도록 배향하는 단계, TFT 하부 기판에 실(Seal)을 인쇄하고, 상부 기판에 스페이서(spacer)를 산포하여 하부 기판과 상부 기판을 합착하는 단계, 모세관 현상 및 압력차를 이용하여 상부 기판과 하부 기판의 내부에 액정을 주입하는 단계 및 액정 주입구를 봉지하는 단계로 이루어진다. The cell process is performed by separating a process for a substrate on which a color filter (CF) is formed, that is, an upper substrate, and a process for a TFT substrate, that is, a lower substrate. The cell process includes the steps of: cleaning an upper substrate and a lower substrate, forming an alignment layer on the cleaned upper substrate and the lower substrate, orienting the liquid crystal to align the alignment layer, and sealing the TFT lower substrate. Printing and dispersing spacers on the upper substrate to bond the lower substrate and the upper substrate, injecting liquid crystal into the upper substrate and the lower substrate using capillary action and pressure difference, and encapsulating the liquid crystal injection hole. Consists of steps.
전술한 바와 같은 액정 표시 장치의 제조 공정은 일정한 패턴 공정을 반복함으로써 완성된다. 이러한 패턴 공정을 도 1을 참조하여 설명하기로 한다. The manufacturing process of the liquid crystal display device as described above is completed by repeating a constant pattern process. This pattern process will be described with reference to FIG. 1.
도 1을 참조하면, 패턴 공정은 금속물, 반도체, 절연체 등의 최종 산물을 기판에 도포하여 증착막을 형성하는 단계(S100), 증착된 기판의 이물질을 제거하는 세정(Cleaning) 단계(S110), 세정이 완료된 기판에 자외선에 민감한 감광물질(Photo Resist, PR)을 코팅하는 단계(S120), 감광물질이 코팅된 기판에 마스크 패턴을 띄워 자외선을 조사하는 노광(Exposure) 단계(S130), 마스크 패턴에 의해 자외선에 노출된 부분을 제거하는 현상(Develop) 단계(S140), 습식 식각(Wet Etch) 또는 건식 식각(Dry Etch)의 방법을 사용하여 감광물질에 의해 가려진 부분을 제외한 증착막을 제거하는 식각(Eching) 단계(S150), 용제를 이용하여 감광물질을 제거하는 감광물질 박리(PR strip) 단계(S160) 및 완성된 기판을 검사하는 단계(S170)로 이루어진다.Referring to FIG. 1, the pattern process may include forming a deposition film by applying a final product such as a metal material, a semiconductor, an insulator to a substrate (S100), a cleaning step (S110) of removing foreign substances from the deposited substrate, Coating a photosensitive material (PR) sensitive to ultraviolet rays on the cleaned substrate (S120), displaying a mask pattern on the photosensitive material coated substrate to expose ultraviolet rays (S130), and a mask pattern Etching to remove the deposited film except for the portion covered by the photosensitive material by using a method of developing (Seve) step (S140), wet etching, or dry etching, which removes portions exposed to ultraviolet rays by (Eching) step (S150), the photosensitive material stripping (PR strip) step (S160) for removing the photosensitive material by using a solvent and the step of inspecting the completed substrate (S170).
여기서, 감광물질 박리 단계는 여러 단계의 약액 처리 단계 및 세정 단계를 거침으로써 이루어진다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 식각 과정이 완료된 기판은 제 1 약액 처리, 제 2 약액 처리 및 제 3 약액 처리 과정을 거친 후, 세정 및 건조 과정을 거치게 된다. Here, the photosensitive material peeling step is performed by going through several chemical liquid treatment steps and washing steps. In more detail, after the etching process is completed, the substrate is subjected to the first chemical treatment, the second chemical treatment, and the third chemical treatment, followed by cleaning and drying.
감광물질 박리 단계를 보다 상세히 설명하기 위해 도 2를 참조하기로 한다. Reference will be made to FIG. 2 to describe the photosensitive material peeling step in more detail.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세정장치가 적용된 감광물질 박리 시스템의 개략도이다. 2 is a schematic diagram of a photosensitive material peeling system to which a cleaning device according to an embodiment of the present invention is applied.
도 2를 참조하면, 감광물질 박리 시스템(10)는, 실질적인 박리 공정이 일어나는 장치 내부로 기판(100)을 공급하기 위한 반전부(200), 반전부(200)로부터 기판(100)를 공급받아 제 1 약액 처리장치(400)로 공급하기 위한 로드 버퍼(300), 기판(100) 표면 상의 감광물질을 제 1 약액으로 처리하는 제 1 약액 처리장치(400), 제 1 약액 처리된 기판(100)을 제 2 약액 처리하기 위한 제 2 약액 처리장치(500), 제 2 약액 처리된 기판(100)을 제 3 약액 예를 들면, DMSO(DiMethyl Sulfer Oxide)으로 처리하는 제 3 약액 처리장치(600), 제 3 약액 처리된 기판(100)을 세정하기 위한 초순수 세정장치(700), 초순수 세정장치(700)에서 세정된 기판(100)의 표면을 건조하기 위한 건조장치(800), 건조된 기판(100)를 언로딩(unloading)하기 위한 언 로드 버퍼(900) 및 장치(10) 내에서 기판(100)을 이송하는 이송 장치(미도시)를 구비한다. Referring to FIG. 2, the photosensitive material peeling system 10 receives the substrate 100 from the inverting unit 200 and the inverting unit 200 for supplying the substrate 100 into the apparatus in which the substantial peeling process occurs. A load buffer 300 for supplying the first chemical processing apparatus 400, a first chemical processing apparatus 400 for treating a photosensitive material on the surface of the substrate 100 as a first chemical liquid, and a substrate 100 processed with the first chemical liquid. The second chemical liquid processing apparatus 500 for processing the second chemical liquid), the third chemical liquid processing apparatus 600 for treating the second chemical liquid processed substrate 100 with a third chemical liquid, for example, DMSO (DiMethyl Sulfer Oxide) ), An ultrapure water cleaning device 700 for cleaning the third chemical liquid treated substrate 100, a drying device 800 for drying the surface of the substrate 100 cleaned by the ultrapure water cleaning device 700, and a dried substrate An unload buffer 900 for unloading 100 and a transfer device for transferring the substrate 100 in the device 10 And a city).
이와 같이 구성된 감광물질 박리 시스템(10)에서 감광 물질이 박리되는 과정을 살펴보면 다음과 같다. Looking at the process of peeling the photosensitive material in the photosensitive material peeling system 10 configured as described above are as follows.
먼저, 외부에서 로딩되는 기판(100)이 반전부(200)에 안착되어 장치(10) 내부에 공급된다. 반전부(200)에 안착된 기판(100)은 반전부(200)에 세워진 상태로 로드 버퍼(300)에 공급된다. 기판(100)은 다시 로드 버퍼(300)에 의해 제 1 약액 처리장치(400)에 공급된다. 제 1 약액 처리장치(400)에 의해 처리된 기판(100)은 각각 제 2 약액 처리장치(500) 및 제 3 약액 처리장치(600)를 거치게 된다. 이 때, 제 1 약액 처리, 제 2 약액 처리 및 제 3 약액 처리에 사용되는 약액의 종류는 공정 과정에 따라 변경될 수 있다. 또한 각 약액 처리 단계는 액정 표시 장치용 기판 공정 과정에 따라 선택적으로 생략될 수 있다. First, the substrate 100 loaded from the outside is mounted on the inverting unit 200 and supplied to the inside of the apparatus 10. The substrate 100 mounted on the inversion unit 200 is supplied to the load buffer 300 in a state where the substrate 100 is mounted on the inversion unit 200. The substrate 100 is again supplied to the first chemical processing apparatus 400 by the load buffer 300. The substrate 100 processed by the first chemical processing apparatus 400 passes through the second chemical processing apparatus 500 and the third chemical processing apparatus 600, respectively. At this time, the kind of chemical liquid used for the first chemical liquid treatment, the second chemical liquid treatment and the third chemical liquid treatment may be changed depending on the process. In addition, each chemical liquid treatment step may be selectively omitted depending on the substrate processing process for the liquid crystal display device.
한편, 제 1 약액 처리장치(400), 제 2 약액 처리장치(500) 및 제 3 약액 처리장치(600)를 차례로 거친 기판(100)은 이송 장치(미도시)에 의해 초순수 세정장치(700)로 공급된다.Meanwhile, the substrate 100 that passes through the first chemical processing apparatus 400, the second chemical processing apparatus 500, and the third chemical processing apparatus 600 in turn is transferred to an ultrapure water cleaning apparatus 700 by a transfer device (not shown). Is supplied.
초순수 세정장치(700)는 이송 장치에 의해 공급된 기판(100)의 표면에 세정액, 가령 초순수를 분사시켜 세정하는데, 이에 대한 설명은 도 3을 참조하여 후술하기로 한다. The ultrapure water cleaning device 700 sprays a cleaning liquid, such as ultrapure water, onto the surface of the substrate 100 supplied by the transfer device, and the description thereof will be described later with reference to FIG. 3.
한편, 초순수 세정장치(700)에서 세정이 끝난 기판(100)은 이송 장치에 의해 건조장치(800)로 공급된다. 건조장치(800)에서는 초순수 세정장치(700)로부터 공급 받은 기판(100)을 IPA(IsoPropyl alcohol, 이소프로필)를 이용하여 건조시킨 후, 건조된 기판(100)을 언로드 버퍼(900)에 공급한다. 언로드 버퍼(900)는 건조장치(800)로부터 공급된 기판(100)을 언로딩한다.On the other hand, the substrate 100 that has been cleaned in the ultrapure water cleaning device 700 is supplied to the drying device 800 by a transfer device. In the drying apparatus 800, the substrate 100 supplied from the ultrapure water cleaning apparatus 700 is dried using IPA (IsoPropyl alcohol, isopropyl), and then the dried substrate 100 is supplied to the unload buffer 900. . The unload buffer 900 unloads the substrate 100 supplied from the drying apparatus 800.
이와 같이 감광물질 박리 시스템에서는 제 1 약액 처리 단계, 제 2 약액 처리 단계, 제 3 약액 처리 단계, 초순수 세정장치(700)에 의한 퀵 덤프트 린스(Quick Dumped Rinse, 이하 QDR) 단계 및 IPA(IsoPropyl alcohol) 건조 단계를 거쳐 감광물질이 제거된다. As described above, in the photosensitive material peeling system, the first chemical treatment step, the second chemical treatment step, the third chemical treatment step, the Quick Dumped Rinse (QDR) step by the ultrapure water cleaning device 700, and the IPA (IsoPropyl) alcohol) The photosensitive material is removed by drying.
여기서 QDR 단계는, 노즐(nozzle)을 이용하여 기판에 세정액을 분사함으로써, 기판이 세정액에 잠기도록 하는 샤워 과정과, 샤워 과정 후 세정액을 배수하는 과정으로 이루어진다. QDR 단계에서는 기판에 존재하는 이전 단계의 화학 물질 예를 들어, 제 1 약액, 제 2 약액 또는 DMSO 약액 등과 같은 스트리퍼를 신속히 제거하는 것이 중요하다. 다시 말해, 스트리퍼를 신속히 제거하기 위해서는 초순수 세정장치(700)의 세정력이 중요하다고 할 수 있다. The QDR step may include a showering process in which the substrate is immersed in the cleaning liquid by spraying the cleaning liquid onto the substrate using a nozzle, and a process of draining the cleaning liquid after the showering process. In the QDR step, it is important to quickly remove the stripper, such as the first chemical, the second chemical, or the DMSO chemical, which is present in the substrate. In other words, in order to quickly remove the stripper, the cleaning power of the ultrapure water cleaning device 700 may be important.
도 3은 감광물질 박리 시스템의 일부인 초순수 세정장치(700)의 사시도이다. 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 세정장치의 구성 및 그 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다. 3 is a perspective view of an ultrapure water cleaning device 700 that is part of the photosensitive material stripping system. The configuration and operation of the cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.
본 발명의 실시예에 따른 초순수 세정장치(700)는 세정액 저장부(미도시), 주공급관(310), 제 1 세정액 공급관(320), 제 2 세정액 공급관(330), 세정액 공급 조절부(325, 335), 제 1 노즐(340), 제 2 노즐(350), 다수의 분사 팁(360, 370) 및 세정조(390)를 포함한다. Ultrapure water cleaning device 700 according to an embodiment of the present invention is a cleaning liquid storage unit (not shown), the main supply pipe 310, the first cleaning liquid supply pipe 320, the second cleaning liquid supply pipe 330, the cleaning liquid supply control unit 325 , 335, a first nozzle 340, a second nozzle 350, a plurality of spray tips 360, 370, and a cleaning tank 390.
세정조(390)는 기판(100)을 세정한 세정액을 담고, 이를 배수하는 역할을 한다. 따라서 도시된 바는 없으나, 세정조(390) 하부의 일측에는 사용된 세정액을 배수하기 위한 배수관(미도시)이 설치된다. The cleaning tank 390 contains a cleaning liquid for cleaning the substrate 100 and serves to drain the cleaning liquid. Therefore, although not shown, a drain pipe (not shown) for draining the used cleaning liquid is installed at one side of the lower portion of the cleaning tank 390.
세정액 저장부는 기판(100)을 세정하기 위한 세정액, 예를 들면 초순수(De-Ionized Water)를 저장하는 곳이다. 세정액 저장부에 저장된 초순수는 주공급관(310) 및 노즐(340, 350)을 통해 기판(100) 상에 공급된다. 이 때, 초순수는 소정의 압력을 가지는 공기와 함께 혼합되어 기판(100) 상에 공급된다. 이와 같이 공기를 혼합하여 세정액을 공급하는 이유는 세정액이 기판(100)을 때리도록 함으로써 기판(100) 상의 화학 물질을 보다 효과적으로 제거하기 위함이다. 따라서, 도면에는 도시되지 않았지만, 세정액 저장부는 소정의 압력을 갖는 공기를 제공하기 위한 공기 공급부를 더 포함할 수 있다.The cleaning solution storage unit stores a cleaning solution for cleaning the substrate 100, for example, de-ionized water. The ultrapure water stored in the cleaning liquid storage unit is supplied onto the substrate 100 through the main supply pipe 310 and the nozzles 340 and 350. At this time, the ultrapure water is mixed with air having a predetermined pressure and supplied to the substrate 100. The reason for supplying the cleaning liquid by mixing air is to remove the chemical on the substrate 100 more effectively by causing the cleaning liquid to hit the substrate 100. Accordingly, although not shown in the drawings, the cleaning liquid storage unit may further include an air supply unit for providing air having a predetermined pressure.
주공급관(310)은 세정액 저장부에서 공급된 세정액을 노즐(340, 350)을 통해 기판(100) 상에 공급하는 역할을 한다. The main supply pipe 310 serves to supply the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid storage part to the substrate 100 through the nozzles 340 and 350.
주공급관(310)은 기판(100)을 보다 효과적으로 세정하기 위해 노즐(340, 350)과 연결되기 전, 제 1 세정액 공급관(320) 및 제 2 세정액 공급관(330)으로 분리된다. 이 때, 제 1 세정액 공급관(320) 및 제 2 세정액 공급관(330)은 서로 동일한 직경을 갖도록 함으로써, 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)을 통해 분사되는 세정액의 양과 세기가 동일하게 될 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 또한 제 1 세정액 공급관(320) 및 제 2 세정액 공급관(330)은 각각 세정액 공급 조절부(325, 335)를 포함할 수 있다. The main supply pipe 310 is separated into the first cleaning liquid supply pipe 320 and the second cleaning liquid supply pipe 330 before being connected to the nozzles 340 and 350 in order to more effectively clean the substrate 100. In this case, the first cleaning liquid supply pipe 320 and the second cleaning liquid supply pipe 330 have the same diameter, so that the amount and intensity of the cleaning liquid sprayed through the first nozzle 340 and the second nozzle 350 are the same. It is desirable to be able to. In addition, the first cleaning solution supply pipe 320 and the second cleaning solution supply pipe 330 may include a cleaning solution supply control unit 325, 335, respectively.
한편, 제 1 세정액 공급관(320) 및 제 2 세정액 공급관(330)은 각각 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)과 연결된다. 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)은 상/하로 평행하게 위치하며, 세정조(390)의 상부에 위치한다. 이 때, 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)은 각각 다수의 기판(100)이 소정의 간격으로 이격되어 로딩되는 방향과 평행하게 위치하는 것이 바람직하다. Meanwhile, the first cleaning solution supply pipe 320 and the second cleaning solution supply pipe 330 are connected to the first nozzle 340 and the second nozzle 350, respectively. The first nozzle 340 and the second nozzle 350 are positioned in parallel up and down, and are located above the cleaning tank 390. At this time, it is preferable that the first nozzle 340 and the second nozzle 350 are positioned in parallel with the direction in which the plurality of substrates 100 are spaced apart and loaded at predetermined intervals, respectively.
또한 각각의 노즐(340, 350)은 세정조(390) 내의 기판(100)에 세정액을 분사하기 위한 다수의 분사 팁(360, 370)을 포함한다. 이 때, 각 노즐(340, 350)에는 동일한 개수의 분사 팁이 구비된다. 각 노즐(340, 350)에 구비된 분사 팁(360, 370)은 지면에 수직한 면과 직각 이하의 각도를 이루도록 하여 세정액이 기판(100)을 향하여 분사될 수 있도록 한다. 또한 각 노즐에 구비된 분사 팁(360, 370)은 서로 보완적인 위치에 배열되는 것이 바람직하다. 즉, 제 1 노즐(340)의 첫 번째 분사 팁(360a)과 두 번째 분사 팁(360b) 사이의 중간 위치에 제 2 노즐(350)의 첫번째 분사 팁(370a)이 위치하도록 하고, 제 1 노즐(340)의 두 번째 분사 팁(360b)과 세 번째 분사 팁(360c) 사이에 제 2 노즐(350)의 두 분째 분사 팁(370b)이 위치하도록 한다. 이 때, 제 1 노즐(340)의 첫 번째 분사 팁(360a)과 제 2 노즐(350)의 첫 번째 분사 팁(370a)이 기판과 기판 사이에 위치하도록 할 수도 있다. Each nozzle 340, 350 also includes a plurality of spray tips 360, 370 for spraying the cleaning liquid onto the substrate 100 in the cleaning bath 390. At this time, each nozzle 340, 350 is provided with the same number of injection tips. The spray tips 360 and 370 provided in the nozzles 340 and 350 may form an angle of less than or equal to a plane perpendicular to the ground so that the cleaning liquid may be sprayed toward the substrate 100. In addition, the injection tips (360, 370) provided in each nozzle is preferably arranged in a position complementary to each other. That is, the first spray tip 370a of the second nozzle 350 is positioned at an intermediate position between the first spray tip 360a and the second spray tip 360b of the first nozzle 340, and the first nozzle The second injection tip 370b of the second nozzle 350 is positioned between the second injection tip 360b and the third injection tip 360c of 340. In this case, the first jetting tip 360a of the first nozzle 340 and the first jetting tip 370a of the second nozzle 350 may be positioned between the substrate and the substrate.
상기한 바와 같은 초순수 세정장치(700)에서의 세정 공정을 설명하면 다음과 같다. The cleaning process of the ultrapure water cleaning device 700 as described above is as follows.
우선, 감광물질 박리 시스템(10) 내부로 로딩된 기판(100)은 제 1, 제 2 및 제 3 약액 처리장치를 거친 후, 이송장치에 의해 초순수 세정장치(700)로 이송된 다. 이송 장치에 의해 이송된 기판(100)이 세정조(390) 내부에 위치하게 되면, 제 1 노즐(340)의 분사 팁(360) 및 제 2 노즐(350)의 분사 팁(370)을 통해 세정액 예를 들어, 초순수가 분사된다. 이 때, 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)로 공급되는 세정액은 각각 제 1 세정액 공급관(320) 및 제 2 세정액 공급관(330)을 통해 공급되므로 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)을 통해 분사되는 세정액의 양 및 세기는 서로 동일하다. 때문에 감광물질 박리시, 보다 신속하게 스트리퍼를 제거할 수 있다. First, the substrate 100 loaded into the photosensitive material peeling system 10 passes through the first, second and third chemical liquid processing apparatuses, and then is transferred to the ultrapure water cleaning apparatus 700 by the transfer apparatus. When the substrate 100 transferred by the transfer device is positioned inside the cleaning tank 390, the cleaning liquid is injected through the injection tip 360 of the first nozzle 340 and the injection tip 370 of the second nozzle 350. For example, ultrapure water is injected. At this time, since the cleaning liquid supplied to the first nozzle 340 and the second nozzle 350 is supplied through the first cleaning liquid supply pipe 320 and the second cleaning liquid supply pipe 330, respectively, the first nozzle 340 and the second nozzle 350. The amount and intensity of the cleaning liquid sprayed through the nozzle 350 are the same. Therefore, the stripper can be removed more quickly when the photosensitive material is peeled off.
한편, 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)을 통해 분사된 세정액이 세정조(390)에 가득 차게 되면 즉, 업플로우(Up Flow)되면, 세정액의 공급이 중단된다. 세정액 공급이 중단되는 시점은 세정조(390)에 세정액이 가득 차는 시간을 이용한다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 제 1 노즐(340) 및 제 2 노즐(350)을 통해 동일한 양의 세정액이 분사되는데, 이 때, 세정조(390)의 부피는 일정하므로 시간당 세정액 분사량과 세정조(390)의 부피를 이용하여, 세정조(390)에 세정액이 가득 차는 시간을 구할 수 있다. On the other hand, when the cleaning liquid injected through the first nozzle 340 and the second nozzle 350 is filled in the cleaning tank 390, that is, upflow, the supply of the cleaning liquid is stopped. The time point at which the cleaning liquid supply is stopped is used for the time when the cleaning liquid is filled in the cleaning tank 390. In more detail, the same amount of the cleaning liquid is injected through the first nozzle 340 and the second nozzle 350. At this time, since the volume of the cleaning tank 390 is constant, the amount of cleaning liquid injection per hour and the cleaning tank ( Using the volume of 390, the time for which the washing | cleaning liquid fills up the washing tank 390 can be calculated | required.
이렇게 세정조(390)가 세정액으로 업 플로우(Up Flow)되면 기판(100)은 세정조(390) 내에 소정의 시간 동안 잠겨있게 된다. 이 후, 미리 정해진 시간이 경과되면, 배수관을 통해 세정액이 빠르게 배수된다. When the cleaning tank 390 is upflowed with the cleaning liquid, the substrate 100 is locked in the cleaning tank 390 for a predetermined time. Thereafter, when a predetermined time elapses, the washing liquid is quickly drained through the drain pipe.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 세정장치를 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자에 의해 다양하게 변형 실시될 수 있다.Although the cleaning apparatus for a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments and variously modified by those skilled in the art without departing from the technical scope of the present invention. Modifications may be made.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 세정장치는 다음과 같은 효과가 하나 또는 그 이상 있다. As described above, the cleaning apparatus for a liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention has one or more of the following effects.
첫째, 초순수 세정장치에 제 2 노즐을 추가함으로써, 기판 상에 잔류하는 스트리퍼를 신속하게 씻어낼 수 있다는 장점이 있다. First, by adding a second nozzle to the ultrapure water cleaning device, there is an advantage that it is possible to quickly wash off the stripper remaining on the substrate.
둘째, 기판 상에 잔류하는 화학 용액을 신속하게 씻어내어 기판이 스트리퍼에 노출되는 시간을 줄임으로써, 수율 저하 및 품질 저하를 방지할 수 있다는 장점이 있다. Second, there is an advantage in that the chemical solution remaining on the substrate can be quickly washed to reduce the time for exposing the substrate to the stripper, thereby preventing a decrease in yield and quality deterioration.

Claims (5)

  1. 다수의 액정 표시 장치용 기판이 소정 간격으로 이격되어 로딩되는 세정조;A cleaning tank in which a plurality of liquid crystal display substrates are loaded at predetermined intervals;
    제 1 세정액 공급관;A first cleaning liquid supply pipe;
    제 2 세정액 공급관;A second cleaning liquid supply pipe;
    상기 제 1 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 다수의 분사 팁을 포함하는 제 1 노즐; A first nozzle connected to the first cleaning solution supply pipe, the first nozzle including a plurality of injection tips positioned above the cleaning bath to spray the cleaning solution into the cleaning bath;
    상기 제 2 세정액 공급관과 연결되며, 상기 세정조 상부에 위치하여 상기 세정액을 상기 세정조 내로 분사하기 위한 제 2 노즐; 및A second nozzle connected to the second cleaning solution supply pipe and positioned above the cleaning bath to spray the cleaning solution into the cleaning bath; And
    상기 세정조 하부에 설치되어 상기 세정조 내의 상기 세정액을 배수할 수 있는 배수관을 포함하는 액정 표시 장치용 세정장치.And a drain pipe disposed under the cleaning tank to drain the cleaning liquid in the cleaning tank.
  2. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 제 1 및 제 2 노즐은 각각 상기 기판이 소정 간격으로 이격되어 로딩되는 방향과 평행하게 위치하는 액정 표시 장치용 세정장치.And the first and second nozzles are positioned in parallel with a direction in which the substrates are loaded at predetermined intervals.
  3. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐은 상/하로 평행한 액정 표시 장치용 세정장치.The first nozzle and the second nozzle is a liquid crystal display device for cleaning up and down parallel.
  4. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 제 1 노즐과 상기 제 2 노즐은 동일한 개수의 분사 팁을 갖는 액정 표시 장치용 세정장치.And the first nozzle and the second nozzle have the same number of ejection tips.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 분사 팁의 배열 방식은 The method of claim 1, wherein the arrangement method of the injection tip
    상기 제 2 노즐의 각 분사 팁이 상기 제 1 노즐의 각 분사 팁 사이에 위치하는 배열 방식인 액정 표시 장치용 세정장치.The cleaning device for a liquid crystal display device of claim 2, wherein each jetting tip of the second nozzle is arranged between each jetting tip of the first nozzle.
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