KR20060084346A - Light emitting diode device and manufacturing method thereof - Google Patents

Light emitting diode device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20060084346A
KR20060084346A KR20050084050A KR20050084050A KR20060084346A KR 20060084346 A KR20060084346 A KR 20060084346A KR 20050084050 A KR20050084050 A KR 20050084050A KR 20050084050 A KR20050084050 A KR 20050084050A KR 20060084346 A KR20060084346 A KR 20060084346A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
europium
light emitting
emitting diode
activated
characterized
Prior art date
Application number
KR20050084050A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100698711B1 (en
Inventor
견신 증
세웅 첨
Original Assignee
어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to TW94101516A priority Critical patent/TWI303111B/en
Priority to TW094101516 priority
Application filed by 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 filed Critical 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드
Publication of KR20060084346A publication Critical patent/KR20060084346A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100698711B1 publication Critical patent/KR100698711B1/en

Links

Images

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩과 형광재료를 포함한다. The present invention relates to a light emitting diode and a manufacturing method the light emitting diode includes a light emitting diode chip and the fluorescent material. 형광재료는 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 한가지 화합물로 구성되며 초기 광선 일부를 흡수하는 동시에 상기 초기 광선과 다른 파장의 형광광선을 발생한다. Fluorescent material is an alkaline earth oxide, activated by europium-activated silicate, composed of at least one compound of the activated peroxide phosphate as the O-silicate, and europium activated by europium and at the same time to absorb the initial beam a part of the initial light and other wavelengths of europium the fluorescent light is generated. 형광광선은 초기 광선과 혼합하여 상기 발광 다이오드가 다 파장광원이 되도록 한다. Fluorescent light is such that the light source is a light emitting diode in combination with the initial beam.
발광 다이오드 A light emitting diode

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법 {LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF} A light emitting diode and a method of manufacturing {LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1(a) 내지1(b)는 파장이 455nm인 청색 발광 다이오드칩이 유로퓸으로 활성화된 아규산 스트론튬 바륨을 여기 시킨 발광 스펙트럼 밴드다. Figure 1 (a) to 1 (b) is an emission spectrum band of the blue light emitting diode chip having a wavelength of 455nm that here the O barium silicate, strontium silicate activated with europium.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제 1 실시예를 나타낸 도면이다. 2 is a view showing a first embodiment of a LED according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제 2 실시예를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a second embodiment of the LED according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제 3 실시예를 나타낸 도면이다. 4 is a view showing a third embodiment of the LED according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제 4 실시예를 나타낸 도면이다. 5 is a view showing a fourth embodiment of a LED according to the present invention.

[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명] [Description of the Related Art]

20:발광 다이오드 21:형광재료 20: LED 21: phosphor

22:칩 23:리드 프레임 22: chip 23: lead frame

23a:음극 23b:양극 23a: negative electrode 23b: positive

24:성형부 25:금속 리드선 24: molding part 25: a metal lead wire

30:발광 다이오드 31:형광재료 30: LED 31: phosphor

34:성형부 40:발광 다이오드 34: molding part 40: light-emitting diode

42:칩 43:기판 42: chip 43: substrate

43a: P형 전도성 동박 43b: N형 전도성 동박 43a: P-type conductivity copper foil 43b: N-type conductivity copper foil

43c:절연층 44:성형부 43c: insulating layer 44: forming portion

45:금속 리드선 411, 412:형광재층 45: Metal lead wires 411, 412: fluorescent material layer

50:발광 다이오드 51:음극 50: LED 51: negative

52:양극 53:성형부 52: positive electrode 53: the forming section

54:사방형 게이트 54: rhombus gate

본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염, 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 형광재료로 구성된 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention is a light emitting diode, and relates to a method of manufacturing the same, a light emitting diode, especially consisting of an alkaline earth oxide activated by europium activated silicate with europium, activated with europium Oh silicate, activated with europium peroxide phosphate phosphor and its production It relates to a method.

발광 다이오드(light emitting diode; The LED (light emitting diode; LED)는 체적이 작고 광효율이 높은데다가 수명이 길어 차세대 환경조명 광원으로 주목받고 있다. LED) has a longer foresight a small light-efficiency-high volume life attracts attention as a next-generation lighting source environment. 또한 LCD와 칼라 디스플레이의 발전과 더불어 백색광(白光)계 발광 다이오드는 표시등 및 전광판 등 용도 외에도 휴대폰, PDA와 같은 소비형 전자제품에까지 응용범위를 넓혀가고 있다. Further development and white light (白光) light-emitting diode with a LCD and a color display has been expanding the range of applications far consuming electronic products such as mobile phones, PDA, etc. In addition to use light and the electronic board.

현재 발광 다이오드는 사용하는 반도체 재료에 따라GaAs, GaAs 1-xPx, GaP계열 등으로 분류되고 있다. Current light-emitting diodes in accordance with the semiconductor material to be used is classified as GaAs, GaAs 1-xPx, GaP-based and the like. 그 외 GaAs 1-xPx, GaP계 반도체 재료에 질소 원자를 혼 합하면 여러가지 다른 파장의 색깔의 광을 발광한다. Other horn combined with nitrogen atoms in 1-xPx GaAs, GaP-based semiconductor material emits light the color of many different wavelengths. 일반적으로 발광 다이오드에서 방출하는 광선은 단색 파장인 바 그 파장의 길이는 발광 전자 이동 중의 에너지 변화에 의해 결정된다. Light emitted from the light emitting diode which typically is a length of the wavelength of a solid bar wavelength is determined by the energy change in the light emission electromigration. 현재 사용하고 있는 파장은 적외광 적색, 녹색, 황색, 청색 등이다. Wavelength that is currently being used is infrared light, red, green, yellow, blue and the like. 적색、녹색、청색 3색으로 여러 가지 시각상 다른 파장의 색깔을 나타낼 수 있다. The red, green, and blue three colors may indicate a number of time the color of another wavelength. 그러므로 적색、녹색、청색 3색을 광의 [3원색]이라 칭한다. Therefore, red, green, and blue three colors referred to as light [3 primary colors.

만약 적색、녹색、청색의 다른 파장의 발광 다이오드 광원을 인접하여 배치하면 광의 혼합으로 백색광(white color) 및 기타 중간색(neutral color)광을 얻을 수 있다. 미국 특허 제5,995,070호에 의하면 다른 파장의 광원을 인접시켜 디스플레이장치를 구성하되 그 중 매개 픽셀은 1개의 적색광원、1개의 청색광원 및 2개의 녹색광원 다이오드로 구성되는 방안이 개시되어 있다. If red, green, and when placed adjacent to the LED light sources of different wavelengths of the blue white light by the light mixing (white color) and other neutral (neutral color) to obtain a light. USA, according to Patent No. 5.99507 million arc light source of different wavelengths but by the configuration of the display device adjacent to the pixel of the parameters is a plan consisting of one red light source, and one blue light source and green light source two diodes is disclosed.

상기 다른 파장의 발광 다이오드 광선이 혼합하여 형성된 백색광은 전도도가 다른 발광 다이오드를 조합하여 구성하기에 별도의 제어용 구동회로가 필요하므로 시스템 설계가 복잡해지는 결함이 있다. White light formed by the light emitting diode beams of the different wavelengths are mixed, so that conductivity is required as a separate control drive circuits to constitute a combination of different light emitting diode has a defect that the system design becomes complicated.

또한, 미국특허 제6,614,179호에서 제시한 바와 같이 발광 다이오드는 청색광을 생성하며,이 청색광은 형광체(phosphor)를 여기하여 황색광을 생성한다. The light emitting diode as set forth in U.S. Patent No. 6,614,179 generates a blue light, the blue light excites the fluorescent material (phosphor) generates yellow light. 두 가지 보색(complementary color)광원을 혼합하여 백색광을 형성하며,그 중 청색광 파장은 420nm - 490nm,황색 형광체는 [(Y,Gd)Sm](AlGa)O:Ce}으로 구성된다. Two kinds of complementary color (complementary color) to form a white light by mixing the light source, the blue light of the wavelength is 420nm - 490nm, the yellow phosphor [(Y, Gd) Sm] (AlGa) O: consists of Ce}. 이러한 방식으로 형성된 백색광은 실제 색깔의 표현력이 다른 바 색온도 (color temperature)가 높음으로 인해 연색 평가지수(color rendering index )가 낮아진다. White light formed in this way is due to the high expression of the actual color bar color temperature different (color temperature) lowers the color rendering index (color rendering index).

그 외 일본 스미토모 電工이 개발한 세렌화아연(ZnSe) 백색 발광 다이오드 역시 두 가지 보색 광선을 이용하여 백색광을 형성한다. More Japan Sumitomo 電工 developed by Serendipity Chemistry zinc (ZnSe) white LED must also form a white light by using the two complementary color light. 이 발광 다이오드는 세렌화아연 기판 위에 에피택셜층을 성장시키며 그 주요 발광구조는 주기표 상의 II-VI족 원소,예를 들면:정방향 전류를 인가한 후 청색광을 발광하는 세렌화아연카드뮴/ 세렌화아연(ZnCdSe/ZnSe) 양자 우물 (quantum well)을 포함하며,보색광은 도핑된 세렌화아연 기판을 형광재료로 하여 생성된다. The light emitting diodes Serendipity Chemistry sikimyeo growing an epitaxial layer on a zinc substrate that the main light-emitting structure is periodic table on the II-VI group elements, for example: after applying a forward current Serendipity for emitting blue light screen zinc cadmium / Serendipity Chemistry zinc (ZnCdSe / ZnSe) including a quantum well (quantum well), and the complementary color light is generated by a doped zinc Serendipity screen substrate with a fluorescent material. 미국특허 제6,337,536호에 의하면 불순물은 요오드(I), 염소(Cl), 브롬(Br), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐 (In) 등 중에서 선택하되, 자체 활성화(Self-activated ; SA)발광 메카니즘을 이용하여,기판에 단 파장 광선을 조사한 후 550nm 내지 650nm 의 넓은 중심파장 대역의 형광을 발한다. 칩에 전류가 인가된 후,양자 우물의 에피택셜층은 청색광을 발하는데 일부 청색광은 도핑된 세렌화아연 기판에 흡수되어 등황색광을 생성한다. 두 광은 혼합된 후,칩 자체가 백색광을 띠게 한다. 이 방안 역시 두 색깔의 보색방식을 이용하여 백색광을 형성하는 방안으로서 색온도가 낮은 백색광 형성에 적합하다. 미국 특허 제6,614,179호와 제6,337,536호를 비교하면,전자는 적색 구간의 파장의 광이 부족한데 비해 후자는 녹색구간 파장의 광이 부족하는 등 연색 According to U.S. Patent No. 6337536 No. impurities is iodine (I), chlorine (Cl), but selected from such as bromine (Br), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), itself activated (Self-activated; SA) by using the light emission mechanism was irradiated by short wavelength light on the substrate emits a fluorescence of a large center wavelength band of 550nm to 650nm. after the current applied to the chip, an epitaxial layer of a quantum well is part of the blue light in to the blue light is absorbed in Serendipity Chemistry zinc substrate doped to produce a deunghwangsaek light two light is takes on after the mixing, the chip itself white light. this approach is also a color temperature as a way to form a white light by a complementary color scheme in the two color is suitable for low to form white light. United States Patent No. 6,614,179 by comparing the number with the number 6337536, the former is such that of the red light wavelength region bujokhande latter out of the green light wavelength region than color rendering index 평가지수상 문제가 존재한다. There is a rating scale problems.

그러므로 높은 연색 평가지수를 구비한 백색광을 개발하려면 광원에서 방사되는 광 중 각 색 광의 비중을 조절하여 자연광의 구성비율에 접근하도록 해야만 색상이 보다 뚜렷해진다. Therefore, to develop a white light having a high color rendering index by controlling the respective color of light portion of the light emitted from the light source becomes more pronounced color to have access to the configuration ratio of natural light. 또한 현재 형광재료로서 이트륨알루미늄 가넷(화학식: X3(A3B2)012)조성성분, 예를 들면 YAG형광체 구조 중 Y 3 (A1 3 A1 2 )O 12 ,(Y 3 _ X Ce X )A1 5 O 12 , (Y 2.9 Tb 0.05 )A1 5 O 12 및(Y 2.95-a Ce 0.05 Gd a )(A1 5_b Ga b )O 12 등을 중점으로 연구가 진행되고 있다. Also present yttrium-aluminum garnet as a phosphor: Y 3 (A1 3 A1 2 ) O 12, (Y 3 _ X Ce X) A1 5 O 12 of the (formula X3 (A3B2) 012) the composition components, for example, YAG fluorescent material structure , (Y 2.9 Tb 0.05) A1 5 O 12 and (Y 2.95 Ce 0.05-a Gd a) (A1 5_b Ga b) O 12, etc. there is research ongoing into focus. 두 가지 이상의 형광체의 혼합을 통해 높은 연색 평가지수를 구비한 백색 발광 다이오드를 꾀하고 있다。 그 외에도 다른 평균 분말 크기 (d 50 )를 가진 형광체마다 발광파장 및 발광강도가 달라진다. And seeking a white light emitting device having a high color rendering index with a mixture of two or more phosphors as well as other different average powder size (d 50) the emission wavelength and the emission strength for each phosphor having the. 세륨으로 활성화된 이트륨 알루미늄 가넷 결정체 외에도,독일 Tridonic Optoelectronics GMBH 등 회사가 PCT국제신청한 건 WO 02/054502 중에는 화학식이:(2-xy)SrO x(Ba,Ca)O (1-abcd)SiO 2 aP 2 O 5 bA1 2 O 3 cB 2 O 3 dGeO 2 :yEu 2 + 인 형광재료가 제시되어 있다. In addition to the yttrium aluminum garnet crystals activated with cerium, Germany Tridonic Optoelectronics GMBH Company such as the formula Among the PCT international application a gun WO 02/054502: (2-xy) SrO x (Ba, Ca) O (1-abcd) SiO 2 aP 2 O 5 bA1 2 O 3 cB 2 O 3 dGeO 2: yEu 2+ is a fluorescent material is provided. 즉 형광재료의 성분 조절을 통해 색온도를 조절하거나,혹은 적색 형광재료 Y(V,P,Si)O4:Eu등을 첨가하여 색도 좌표를 조절한다. That is to adjust the color temperature by adjusting the composition of the fluorescent material, or a red phosphor Y (V, P, Si) O4: Eu or the like is added to adjust the chromaticity coordinate.

상기한 바와 같이, 자연광의 조성비에 접근한 높은 광효율 및 휘도를 구비한 발광부품을 시장은 필요로 하고 있다. As described above, a light emitting component having a high light efficiency and brightness approaching the composition ratio of the natural market is needed.

본 발명은 반도체 형광재료를 이용하여 발광 다이오드 칩에서 형성된 광선을 흡수함으로서, 발광 다이오드 칩에서 생성된 광선과 다른 파장을 구비한 형광광선을 발생한 후, 발광 다이오드 칩에서 발생한 광선과 형광광선을 혼합하여 다 파장 발광 다이오드를 형성하는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention by absorbing a light beam formed on the light emitting diode chip by using a semiconductor phosphor, and then generated a fluorescent light beam having a beam with different wavelengths generated by the LED chip, a mixture of light and fluorescent light generated from the LED chip It is to provide a wavelength that forms a light-emitting diode light-emitting diode and a method of manufacturing it is an object.

본 발명의 다른 목적은 반도체 형광재료 조성비를 변경함으로써 핑크색(pink)혹은 자줏빛을 띤 핑크색(purplish pink)등 백색계 중간색 광원을 생성하는데 있다. Another object of the present invention is to produce a white light-source, such as neutral-toned Pink (pink) or purple color by changing the semiconductor composition ratio of the phosphor material pink (purplish pink).

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명이 제시한 발광 다이오드 및 그 제조방법에 있어서,상기 발광 다이오드는 초기 광선을 발생하는 발광 다이오드 칩과 형광재료를 포함한다. In the proposed light emitting diode and a manufacturing method of the present invention in order to attain the object, the light-emitting diode comprises a light emitting diode chip and a fluorescent material capable of generating an initial beam. 상기 형광재료는 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 한가지 화합물로 구성되며 초기 광선을 일부 흡수하는 동시에 상기 초기 광선과 다른 파장의 형광광선을 발생한다. The fluorescent material is composed of at least one compound of the activated peroxide phosphate with the alkaline earth oxide activated by europium activated silicate with europium, the O-silicate, and europium activated with europium, and some absorption at the same time, the initial light beam and the other of the initial light beam and it generates a fluorescent light beam having a wavelength. 상기 초기 광선과,상기 다른 파장 대역을 가진 형광광선은 혼합 후 백색계 광선을 형성하고 발광 다이오드에서 방출되어 백색광원이 되도록 한다. Fluorescent light with the initial light, and the other wavelength band is made of a white light-rays and then mixed and emitted from the light emitting diode so that the white light source.

또한, 형광재료 중 각 화합물의 조성비를 변경함으로써 기타 백색계 중간색광선을 생성할 수도 있다. It is also possible to generate other intermediate color white light-beam by changing the composition ratio of the compounds of the phosphor material.

상기 발광 다이오드 칩은 질화물계(InGaAIN)반도체 발광 다이오드 혹은 세렌화아연(ZnSe)계 발광 다이오드 중에서 선택할 수 있는바,그 중에서도 질화물계 반도체 발광 다이오드가 바람직하다. The LED chip is selected from among the bar with a nitride-based (InGaAIN), or light emitting diode screen Serendipity zinc (ZnSe) light-emitting diode, and the nitride-based semiconductor light-emitting diode is preferable.

상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물은 산화마그네슘(MgO), 산화칼슘 (CaO), 산화스트론튬(Sr0)및 산화바륨(BaO)중 적어도 한 종류를 주성분으로 하되 활성제 (activator)는 2가 유로퓸Eu2+이 바람직하다. Alkaline earth oxide activated by the europium is, but as a main component at least one kind of the magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (Sr0) and barium oxide (BaO) Surfactant (activator) is a divalent europium Eu2 + desirable.

상기 유로퓸으로 활성화된 규산염의 주성분화학식은 A 2 Si0 4 이며, 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘(Mg), 아연(Zn)및 카드뮴(Cd) 중 적어도 하나를 선택하는 것이 바람직하다. Main component formula of the activated silicate in the europium is A 2 Si0 4, of which A is preferably selected at least one of strontium, calcium, barium, magnesium (Mg), zinc (Zn) and cadmium (Cd).

상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 주성분화학식은 ASiO 3 이며, 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 하나를 선택하는 것이 바람직하다. The chemical formula of the main component an activated O-silicate with the europium is ASiO 3, of which A is preferably selected at least one of strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and cadmium.

상기 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염의 주성분화학식은 (A 1-x- y B x C y ) 2 P 2 O 7 이며, 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 하나; B는 유로퓸, 망간(Mn), 몰리브덴(Mo)및 세륨(Ce)중 적어도 하나; The chemical formula of the main component an activated peroxide phosphate as the europium is (A 1-x- y B x C y) and 2 P 2 O 7, of which A is strontium, calcium, barium, magnesium, at least one of zinc and cadmium; B at least one of europium, manganese (Mn), molybdenum (Mo), and cerium (Ce); C는 유로퓸, 망간, 몰리브덴, 세륨 중 적어도 하나를 선택하는 것이 바람직하다. C it is desirable to select at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium.

상기 발광 다이오드의 제조방법은 먼저 초기광선을 발생하는 초기광원을 제공하되 그 중 상기 초기광원은 발광 다이오드칩을 지지 캐리어에 고정 및 전기적으로 연결시킨다. Manufacturing method of the LED causes the first light source of which the initial, but providing an initial light source for generating an initial beam is connected to the light emitting diode chip to a support fixed to the carrier and electrically. 상기 지지 캐리어는 리드 프레임 혹은 기판으로 형성된다. The support carrier is formed of a lead frame or substrate. 그 다음 성형부를 상기 초기광원 위에 덮고 형광재료를 상기 초기 광선이 조사되는 곳에 도포한다. Then covering over said initial light source unit forming is applied where a phosphor material in which the initial light irradiation. 상기 형광재료는 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 일종의 화합물로 구성된다. The fluorescent material is composed of at least a compound of the activated peroxide phosphate with the alkaline earth oxide activated by europium, a europium-activated silicate, a silicate, Oh and europium activated by europium. 상기 형광재료를 통해 일부 초기광선을 흡수하면 파장이 상이한 형광을 생성하는데 이 초기광선과 형광을 혼합하면 해당 발광 다이오드는 다 파장광원이 된다. If the absorbing part of the initial light through the phosphor material are mixed with the initial beam and to produce a fluorescence emission wavelength that is different from the light emitting diode is a multi-wavelength light source.

이하 실시예를 통하여 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. It will be described in detail the light emitting diode and a method of manufacturing the same according to the present invention to the following embodiments.

산화물, 규산염, 아규산염 및 과산화인산염 등 재료영역에서는 많은 재료가 본체 성분 변경 및 활성제의 활성화를 거쳐 그 흡수광 스펙트럼 및 형광 스펙트럼을 변경할 수 있다. Through the oxide, silicate, Oh silicates and phosphates, such as hydrogen peroxide in the material regions much material is body composition change and activation of the active agent can change the optical absorption spectrum and fluorescence spectrum. 도 1(a) 및 도 1(b)는 455nm파장의 청색 발광 다이오드 칩이 유로퓸으로 활성화된 아규산스트론튬바륨을 여기할 때의 발광 스펙트럼 도면이다. Figure 1 (a) and 1 (b) is an emission spectrum diagram at the time where the Ah silicate, strontium silicate, barium is a blue light emitting diode chip of the 455nm wavelength europium activated. 도 1(a)에서와 같이 유로퓸으로 활성화된 산화스트론튬바륨의 발광 광선의 파장은540nm 정도이다. 유로퓸, 스트론튬 및 바륨의 조성비를 변경하여 발광광선의 파장을 조절할 수 있는바,도 1(b)와 같이 유로퓸 성분을 증가시키고 바륨 성분을 감소시켰을 때 발광광선의 파장은 565nm정도이다. Figure 1 wavelength of (a) light beams emitted in the active oxide, strontium barium in the europium as in is on the order of 540nm. Europium, changing the composition ratio of strontium and barium to the bar, which can adjust the wavelength of the emission light beams Fig. 1 (b) and the wavelength of the emission light beams when sikyeoteul reduce the barium component increase and europium components, as is on the order of 565nm.

본 발명에 따른 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩 및 형광재료를 포함하며,그 중 형광재료는 도 1(a), 도 1(b)중의 유로퓸으로 활성화된 산화스트론튬바륨 분말을 선택할 수 있다. Light emitting diode according to the present invention is a light emitting diode chip and a fluorescent material, of a fluorescent material may be selected for the strontium oxide powder, barium activated by europium in Fig. 1 (a), Figure 1 (b). 발광 다이오드 칩이 청색 혹은 자외선 등 초기광선을 발광할때,유로퓸으로 활성화된 아규산스트론튬바륨 형광재료는 그 중 일부 광선을 흡수하는 동시에 상이한 파장 혹은 긴 파장의 형광광선을 발광한다. When the light emitting diode chip to emit light the initial light such as blue or UV light, the Oh strontium silicate activated with europium, barium phosphor emits a different wavelength or a longer wavelength of the fluorescent light at the same time to absorb some of the light rays. 발광 다이오드는 상기 두 광선을 혼합하여 다파장 광원으로 된다. Light emitting diodes and the two mixed beams is a multi-wavelength light source. 상기 형광재료는 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 규산염, 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 아규산염 및 과산화인산염으로 구성되며 발광 다이오드 칩에서 발광하는 일부 광선을 흡수하여 일종 이상의 다른 파장을 구비한 광선을 발생한다. The fluorescent material is configured as an alkaline earth oxide activated by europium, the alkaline earth metal silicate activated with europium, the alkaline earth ah silicate and peroxide phosphate activated by europium and absorb some light emitted from the LED chip to a different wavelength than one kinds It generates a light beam having. 다른 스펙트럼의 광선을 혼합하면 백색계 광선이 형성된다. When mixing different spectrum ray of the white light-beam it is formed.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도다. 2 is a cross-sectional view of the LED according to the present invention. 발광 다이오드(20)는 리드 프레임(lead frame)(23)의 컵모양 구조부분에 고정되어 있는 발광부품인 칩(chip)(22)으로 구성되며, 상기 칩(22)은 금속 리드선(25)을 통해 리드 프레임(23)의 음극(23a) 및 양극(23b)과 전기적으로 연결된다. A light emitting diode 20 is composed of a lead frame (lead frame), a chip light emitting part which is fixed to the cup-shaped structure portion of (23) (chip) 22, the chip 22 has a metal lead wire (25) electrically connected to the anode (23a) and a cathode (23b) of the lead frame 23 is over. 상기 칩(22)은 질화물계 반도체로된 발광 다이오드이다. The chip 22 is a light emitting diode as a nitride-based semiconductor. 상기 컵모양 구조부분에는 다른 스펙트럼 광선을 발광하는 형광재료(21)가 충진되어 있기 때문에 칩(22)은 외부로부터 전원공급시 초기광선을 발광한다. Since the cup-shaped structure portion has been filled with the fluorescent material 21 which emits light of a different spectrum light chip 22 emits light when power is initially supplied from the outside. 그 주위를 덮은 형광재료(21)는 초기광선에 의해 여기되어,스펙트럼 밴드상 상기 초기광선과 다른 형광광선을 발광한다. Fluorescent material covering the periphery (21) is excited by the initial light, and emits the initial light beam and the spectral band different fluorescent light. 상기 초기광선과 상기 형광광선이 혼합되어 백색광계 광선을 형성하는데 이 백색광계 광선은 성형부(24)를 투과하여 발광한다. The initial light and the fluorescent light are mixed to form a white-light light-based white light-based light emission is transmitted through the forming section 24.

형광재료(21)의 주성분(host)은 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 한가지 화합물로 구성된다. The main component of the phosphor material (21) (host) is composed of at least one compound of the activated peroxide phosphate with the alkaline earth oxide activated by europium, a europium-activated silicate, a silicate, Oh and europium activated by europium.

유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물은 산화 마그네슘(MgO), 산화 칼슘(CaO), 산화 스트론튬(Sr0), 산화 바륨(BaO), 산화 마그네슘 칼슘 스트론튬 바륨((Mg,Ca,Sr,Ba)O), 산화 마그네슘 스트론튬 바륨((Mg,Sr,Ba)O), 산화 칼슘 스트론튬 바륨((Ca,Sr,Ba)O) 및 산화스트론튬 바륨((Sr,Ba)O) 중 적어도 하나를 선택한다. An alkaline earth oxide activated by europium is a magnesium oxide (MgO), calcium (CaO), strontium oxide (Sr0), barium (BaO), magnesium, calcium, strontium, barium oxide ((Mg, Ca, Sr, Ba) O) oxidation, and selecting at least one of magnesium oxide, strontium barium ((Mg, Sr, Ba) O), calcium, strontium, barium oxide ((Ca, Sr, Ba) O) and strontium oxide, barium ((Sr, Ba) O). 또한 2가 유러퓸Eu2+ 를 활성제로 하기에,상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 형광재료는 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 마그네슘 칼슘 스트론튬 바륨((Mg r ,Ca X ,Sr y ,Ba Z )O:sEu 2 + ), 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 마그네슘 스트론튬 바륨((Mg a , Sr b ,Ba c ,))O:sEu 2 + ), 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 스트론튬 바륨((Ba i ,Sr j )O: sEu 2 + )이 바람직하며,그 중 0≤(a,b,c,i,j,r,s,x,y,z)≤1이고,또 조건 (r+x+y+z+s)=1, (a+b+c+s)=1 및 (i+j+s)=1을 꼭 만족시켜야 한다. Also bivalent europium Eu2 + a for a surfactant, an alkaline earth oxide fluorescent material activated by the europium is divalent magnesium, calcium, strontium, barium oxide activated by europium ((Mg r, Ca X, Sr y, Ba Z) O: sEu 2 +), 2 the magnesium the activated oxide to europium strontium barium ((Mg a, Sr b, Ba c,)) O: sEu 2 +), 2 the activated strontium oxide to europium barium ((Ba i, Sr j) O: sEu 2 +) are preferred, of which 0≤ (a, b, c, i, j, r, s, x, y, z) ≤1, and the addition conditions (r + x + y + a z + s) = 1, (a + b + c + s) = 1 and (i + j + s) = 1 should be satisfied.

유로퓸으로 활성화된 규산염의 주성분화학식은 A2S1O4으로 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 일종을 선택한다. The chemical formula of the main component with europium activated silicates are those of the A A2S1O4 selects the at least one kinds of strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and cadmium. 그 외,상기 유로퓸으로 활성화된 규산염의 형광재료는 불순물을 포함할 수 있는바,이 불순물은 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(1), 인(p), 유황(S) 및 질소 중 적어도 하나를 선택한다. In addition, the fluorescent material of the activated silicate in the europium is bar which may include an impurity, the impurity is fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), iodine (1), (p), sulfur (S), and selects at least one of the nitrogen. 만약 주성분이 화학식이 (Sr 2 -x- y Ba x Ca y )SiO 4 인 규산 칼슘 스트론튬 바륨으로 구성되면 그 중 x 및 y는 이하 관계식을 만족해야 한다. If the main component is a general formula (Sr 2 -x- y Ba x Ca y) SiO 4 is composed of calcium silicate, barium strontium of which x and y must satisfy the following relational expression. 0≤x≤0.8,0≤y≤ 0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤ 0.5. 0≤x≤0.8,0≤y≤ 0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤ 0.5.

유로퓸으로 활성화된 아규산염의 주성분화학식은 ASiO 3 으로 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 하나를 선택한다. The chemical formula of the main component with europium activated Ah silicate is that of A by ASiO 3 selects a strontium, calcium, barium, magnesium, at least one of zinc and cadmium. 상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 형광재료는 불순물을 포함할 수 있는바 ,그 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 적어도 하나를 선택한다. The phosphor material of the O-silicate activated with europium is the bar which may include an impurity, the impurity is selected fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one of sulfur and nitrogen. 만약 주성분이 화학식이 (Sr 2 -x- y Ba x Ca y )SiO 3 인 아규산 칼슘 스트론튬 바륨으로 구성되면 그 중 x 및 y는 이하 관계식을 만족해야 한다. If the main component is a general formula (Sr 2 -x- y Ba x Ca y) SiO 3 is O consists of a strontium barium calcium silicate that of x and y must satisfy the following relational expression. 0≤x≤0.8, 0≤y≤0.8; 0≤x≤0.8, 0≤y≤0.8; 0≤x≤0.5, 0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5. 0≤x≤0.5, 0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5.

유로퓸으로 활성화된 과산화 인산염의 주성분 화학식은 (A 1-x- y B x C y ) 2 P 2 O 7 이며, 그 중 A는 스트론튬, 칼슘 ,바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 하나를 선택; The chemical formula of the main component with europium activated peroxide phosphate is (A 1-x- y B x C y) 2 P 2 O 7 , and that of A is selected to strontium, calcium, barium, magnesium, at least one of zinc and cadmium; B는 유로퓸, 망간, 몰리브덴 및 세륨 중 적어도 하나를 선택; B is selected at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium; C는 유로퓸, 망간, 몰리브덴 및 세륨 중 적어도 하나를 선택한다. C selects at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium. 상기 유로퓸으로 활성화된 과산화 인산염의 형광재료는 불순물을 함유할 수 있는바 그 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 적어도 하나를 선택한다. The phosphor material of the activated peroxide phosphate as the bar is europium that impurities, which may contain impurities are selected to fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one of sulfur and nitrogen. 만약 주성분이 과산화인산 스트론튬 유로퓸 망간으로 구성되면 ,그 화학식은 (Sr 1 -x- y Eu x Mn y ) 2 P 2 + Z O 7 으로,그 중 x, y 및 z는 이하 관계식을 만족해야 한다. If the main component is composed of peroxide when manganese phosphate, strontium and europium, and the formula is a (Sr 1 -x- y Eu x Mn y) P 2 + Z 2 O 7, of which the x, y, and z must satisfy the following relational expression . 0.03≤x≤0.08, 0.06≤y≤0.16,0≤z≤0.05. 0.03≤x≤0.08, 0.06≤y≤0.16,0≤z≤0.05.

물론 상기 형광재료(21)도 상기재료를 다른 비로 구성한 화합물 혹은 혼합물 중 적어도 1종의 형식으로 존재할 수 있다. Of course, the fluorescent material 21 may also present the material in a different form a ratio of at least one of the compounds or a mixture of two configured. 상기 형광재료(21)는 다른 스펙트럼 밴드에 속하는 1종 이상의 형광광선을 여기할 수 있다. The fluorescent material 21 may excite the fluorescent light at least one belongs to a different spectral band.

도 2에서와 같이 분말상태의 형광재료(21)와 액체콜로이드를 혼합한 뒤, 인캡슐레이션, 도포, 인쇄 혹은 주입 등 방법으로 혼합 후의 형광재료(21)액을 리드 프레임(23)의 컵모양 구조부분에 채운다. FIG fluorescent material 21 in powder form, as in the second and then mixing the liquid colloid, encapsulation, coating, cup-shaped printing or injection and how the lead frame 23, the phosphor 21 is liquid after mixing fill in the structural part.

도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 일 실시예의 단면도로서, 그 중 유로퓸으로 활성화된 형광재(31)는 성형부(34) 내부에 분포되어 있다. 3 is a cross-sectional view of one embodiment of the LED according to the present invention, the fluorescent material 31 is activated with europium of which are distributed inside the forming section 34.

성형(molding)공정시 형광재료(31)와 에폭시 수지로 된 성형재료( molding compound)를 금형 내부에 주입하여 도 3의 발광장치를 형성한다. A forming (molding) process when the fluorescent material 31 and the molding compound (molding compound) with an epoxy resin to form a light-emitting device of FIG was poured into the mold interior 3.

도 4는 본 발명중 백색광계 발광 다이오드의 개략도이다. Figure 4 is a schematic view of a white light-emitting diode of the present invention. 상기 각 도면 중의 핀(pin)형식의 패키징 외관을 비교하면,도 4는 표면실장(SMD)식 발광 다이오드(40)이다. Comparing the appearance of the package pin (pin) type in each of the drawings, Figure 4 is a surface-mount (SMD) type light-emitting diode (40). 칩(42)은 절연층(43c) 표면에 고정되어 금속 리드선(45)을 통하여 P형 전도성 동박(43a) 및 N형 전도성 동박(43b)과 전기적으로 연결된다. Chip 42 is electrically connected to the insulating layer (43c) is fixed to the surface through the metal lead wire (45) P-type conductivity copper foil (43a) and an N-type conductive foil (43b). 그 중 P형 전도성 동박(43a) , N형 전도성 동박(43b) 및 절연층(43c)은 회로기판(43)를 구성한다. That of the P-type conductivity copper foil (43a), N-type conductive foil (43b) and an insulating layer (43c) constitute a circuit board (43). 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 아규산염、유로퓸으로 활성화된 규산염、유로퓸으로 활성화된 아규산염 혹은 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 1종, 예를 들면 유로퓸으로 활성화된 아규산스트론튬 바륨을 포함하는 형광재료층(411)을 먼저 칩(42) 표면에 증착시킨 후,다른 형광재료, 예를 들면 유로퓸으로 활성화된 아규산칼슘 스트론튬 바륨을 구비한 형광재료층(412)을 형광재료층(411) 및 칩(42) 표면에 도포한다. Active alkali by europium earth ah silicate, activated silicate with europium, among the Oh silicate or activated by europium activated peroxide phosphate at least one type of europium, for example, fluorescent material containing an O silicate, strontium silicate, barium activated by europium layer 411, a first chip (42) was deposited on the surface, the other fluorescent material, for example a O a fluorescent material layer 412 includes a silicate, calcium, strontium, barium activated by europium phosphor layer 411 and the chip ( 42) applied to the surface. 나중에 투명한 성형부(44)를 기판(43) 위에 형성시킨다. To form a transparent molding part 44 later on the substrate 43. 물론 형광재료층들(411, 412) 내의 형광재료를 성형부(44)의 원료에 직접 혼합하여 성형공정시 금형 내부에 주입하는 방식도 가능하다. Of course, by mixing a fluorescent material in the fluorescent material layers 411 and 412 directly to the material of the forming unit 44 is also possible manner of injecting a mold inside the molding process. 즉 형광재료층들(411, 412)의 형광분과 성형부(44)의 콜로이드를 혼합하여 실리콘 고무를 형성한다. I.e. a mixture of colloid of the fluorescent minutes and the forming section 44 of the phosphor layer (411, 412) to form a silicone rubber. 성형(molding)시 실리콘 고무는 가열되어 액화상태로 금형 내부에 주입되며 나중에 경화되어 성형부(44)를 형성한다. Forming (molding) when the silicone rubber is heated and injected into the mold in liquid state and cured later to form a molded part (44). 그 외에 분말상태의 유로퓸으로 활성화된 형광재료와 액체콜로이드를 먼저 혼합하여 박막을 형성한 뒤 박막을 칩(42)표면 위에 안장한다. That the addition of powdered europium phosphor thin film and after the mixture of first liquid colloidal form a thin film is activated by the saddle on the chip 42 surface. 그 후 박막에 열을 가해 융해시켜 칩(42) 표면에 부착시킨다. After melting by applying heat to the thin film is adhered to the chip (42) surface.

본 발명은 상기 실시예 외에도 측면발광 패키징 형식에도 응용할 수 있는바 ,도 5의 발광 다이오드(50) 사시도에서와 같이 발광 다이오드(50) 양측의 음극(51) 및 양극(52)은 L형으로 굴곡되어 그 중간에 있는 성형부(53)가 칩 및 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 아규산염, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 흑은 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중의 적어도 1종으로 구성된 형광재료 (도시되지 않음)를 클래딩하여 혼합 후의 백색광은 사방형 게이트(54)를 통해 측면으로부터 방사된다. The present invention cathode 51 and the anode 52 on both sides of the LED 50, as shown in the perspective view of the embodiment In addition to the side-emission type packaging in bar, light emitting diode 50 of Figure 5 that can be applied form is bent in an L-shaped is the intermediate fluorescent material, at least consisting of one kind of the forming section 53 is an O-silicate black of the Ah activated alkaline earth a chip and europium silicates, activated with europium silicates, activated with europium is activated with europium peroxide phosphate in and a cladding (not shown) after the mixed white light is radiated from the side surface through the rhombus gate 54.

본 발명의 기술 내용 및 기술 특징은 상기와 같은바 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. Technical information and technical features of the present invention by those skilled in the art from the content described above, such as the bar will be appreciated that various changes and modifications are possible within the range which does not depart from the spirit of the invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be construed as being limited to the contents described in example defined by the claims.

본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조방법으로 다 파장 발광 다이오드를 제작할 수 있으며 반도체 형광재료 조성비를 변경함으로써 핑크색(pink)혹은 자줏빛을 띤 핑크색(purplish pink)등 백색계 중간색 광원을 생성할 수 있다. To create a multi-wavelength light-emitting diode as a light emitting diode and a method of manufacturing the same according to the present invention, and may generate a white light-gray level light sources, such as pink (purplish pink) tinged with pink (pink) or purple color by changing the semiconductor phosphor composition ratio.

Claims (45)

  1. 초기 광선을 발생하는 발광 다이오드 칩; The LED chip for generating the initial ray; And
    유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 한가지 유로퓸으로 활성화된 화합물로 구성되며 일부 상기 초기 광선을 흡수하여 파장이 다른 형광광선을 발생하는 형광재료를 포함하는 발광 다이오드에 있어서, The activated with europium alkaline earth oxide, activated silicate with europium, activated with europium Oh silicate and at least one of the activated peroxide phosphate with europium is composed of the active compound in one europium absorbs some of the initial light beam is different fluorescence wavelengths in the light emitting diode that includes a fluorescent material capable of generating an,
    상기 초기 광선 및 형광광선을 혼합하여 상기 발광 다이오드가 다 파장광원으로 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Light emitting diodes, characterized in that the said initial beam, and the multi-wavelength light source of the LED by mixing the fluorescent light.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물의 주성분은 산화마그네슘(Mg0), 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(Sr0), 산화바륨(BaO), 산화마그네슘 칼슘 스트론튬 바륨 ((Mg,Ca,Sr,Ba)O), 산화마그네슘 스트론튬 바륨((Mg,Sr,Ba)O), 산화칼슘 스트론튬 바륨((Ca,Sr,Ba)O) 및 산화스트론튬 바륨((Sr,Ba)O)등 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 중 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Composed mainly of activated alkaline-earth oxide to the europium is magnesium (Mg0), calcium (CaO), strontium oxide (Sr0), barium (BaO), magnesium oxide, calcium, strontium, barium ((Mg, Ca, Sr, Ba) oxide oxidation O), magnesium oxide, strontium barium ((Mg, Sr, Ba) O), calcium oxide, strontium barium ((Ca, Sr, Ba) O) and strontium oxide, barium ((Sr, Ba) O), such as activated alkaline with europium the light emitting diode characterized in that at least one configuration of the rare earth oxide.
  3. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산 염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염으로 형성된 형광재는 2가유로퓸(Eu2+)을 활성제로 하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Light emitting diodes, characterized in that the active silicic acid salt with an alkaline earth oxide, europium-activated by the europium, the fluorescent material 2 formed of the peroxide phosphate activated with an O-silicate, and europium activated with europium europium (Eu2 +) as active agent.
  4. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 형광재료는 상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 중에서 선택하며 다른 비로 구성된 화합물 혹은 혼합물 중 적어도 1종의 형식으로 존재하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The fluorescent material is a light emitting diode, characterized in that for selecting from among the alkaline earth oxide activated with europium is present in the ratio of at least another type of the one kind of compound or a mixture composed.
  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 형광재료는 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 마그네슘 칼슘 스트론튬 바륨((Mg r ,Ca X ,Sr y ,Ba Z )O:sEu 2 + ), 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 마그네슘 스트론튬 바륨((Mg a , Sr b , Ba c ,))O:sEu 2 + ), 2가유로퓸으로 활성화된 산화 스트론튬 바륨((Ba i ,Sr j )O: sEu 2 + )이 바람직하며,그 중a, b, c, i, j, r, s, x, y 및 z는 0≤(a,b,c,i,j,r,s,x,y,z)≤1, (r+x+y+z+s)=1,(a+b+c+s)=1 및 (i+j+s)=1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Alkaline earth oxide fluorescent material activated by the europium is divalent magnesium activated oxide to europium, calcium, strontium, barium ((Mg r, Ca X, Sr y, Ba Z) O: sEu 2 +) oxidation, the second is activated by europium magnesium, strontium, barium ((Mg a, Sr b, Ba c,)) O: sEu 2 +), strontium oxide, barium 2 is activated by europium ((Ba i, Sr j) O: sEu 2 +) is, and preferably, those of a, b, c, i, j, r, s, x, y and z are 0≤ (a, b, c, i, j, r, s, x, y, z) ≤1, (r + x + y + z + s) = 1, a light emitting diode, comprising a step of satisfying the (a + b + c + s) = 1 and (i + j + s) = 1.
  6. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    유로퓸으로 활성화된 규산염의 주성분화학식은 A 2 SiO 4 으로 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The chemical formula of the main component with europium activated silicates are those of A as A 2 SiO 4 is the LED, characterized in that at least a selected one of strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and cadmium.
  7. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 규산염의 형광재료는 불순물을 포함하되,상기 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Phosphor of the europium activated silicate to include, but the impurity, the impurity is a light emitting diode, characterized in that a fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one selected from sulfur and nitrogen.
  8. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 유로퓸으로 활성화된 규산염의 주성분은 화학식이 (Sr 2 -x- y Ba x Ca y )SiO 4 인 규산 칼슘 스트론튬 바륨으로 구성되며, 그 중 x와 y는 관계식 0≤x≤0.8,0≤ y≤ 0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Composed mainly of activated silicate to the europium is composed of the general formula (Sr 2 -x- y Ba x Ca y) SiO 4 silicate of calcium, strontium, barium, x and y of which the relation y 0≤x≤0.8,0≤ ≤ 0.8; light emitting diode characterized in that it satisfies the 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3.
  9. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 주성분화학식은 ASiO 3 으로 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The chemical formula of the main component an activated O-silicate with the europium is that of A by ASiO 3 is a light emitting diode, characterized in that at least a selected one of strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and cadmium.
  10. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 형광재료는 불순물을 포함하되, 상기 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The phosphor material of the O-silicate activated with europium include, but the impurities, the impurities were light emitting diodes, characterized in that a fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one selected from sulfur and nitrogen.
  11. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 주성분은 화학식이 (Sr 2 -x- y Ba x Ca y )SiO 3 인 아규산 칼슘 스트론튬 바륨으로 구성되며 그 중 x 및 y는 관계식 0≤x≤0.8, 0≤y≤0.8; The principal component of the O-silicate activated with europium is the formula is (Sr 2 -x- y Ba x Ca y) SiO 3 of O is composed of calcium silicate, barium strontium of which x and y are relational expression 0≤x≤0.8, 0≤ y≤0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The light emitting diode characterized in that it satisfies the 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3.
  12. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염의 주성분은 화학식이 (A 1-xy B x C y ) 2 P 2 O 7 인 과산화인산 스트론튬 유로퓸 망간으로 구성되며, 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 하나를 선택하고; Major component of the activated peroxide phosphate as the europium is the formula (A 1-xy B x C y) 2 P 2 O 7 the peroxide consists of a phosphate of strontium europium manganese, of which A is strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and selecting at least one of cadmium and; B는 유로퓸, 망간, 몰리브덴 및 세륨 중 적어도 하나를 선택하고; B is selected and at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium; C는 유로퓸, 망간, 몰리브덴 및 세륨 중 적어도 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. C is a light emitting diode, characterized in that selecting at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium.
  13. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로퓸으로 활성화된 과산화 인산염의 형광재료는 불순물을 함유하되, 그 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The phosphor material of the active peroxide in the europium phosphate is but containing impurities, the impurities were light emitting diodes, characterized in that a fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one selected from sulfur and nitrogen.
  14. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염의 주성분은 그 화학식이 (Sr 1 -xy Eu x Mn y ) 2 P 2+ ZO 7 인 과산화인산 스트론튬 유로퓸 망간으로 구성되며,그 중 x, y 및 z는 관계식 0.03 ≤x≤0. Major component of the activated peroxide phosphate as the europium is that the formula (Sr 1 -xy Eu x Mn y ) 2 P 2+ ZO 7 which consists of a peroxide, strontium europium manganese phosphate, of which the x, y and z is a relational expression 0.03 ≤ x≤0. 08,0.06≤y ≤0.16, 0≤z≤0.05를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. 08,0.06≤y ≤0.16, light emitting diodes, characterized by satisfying the 0≤z≤0.05.
  15. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    발광 다이오드칩을 고정하는 리드 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Light emitting diode according to claim 1, further comprising a lead frame for fixing the LED chip.
  16. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 리드 프레임은 발광 다이오드를 측면발광용 부품으로 형성가능한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The lead frame is a light emitting diode, characterized in that the component capable of forming the light emitting side of the LED.
  17. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 발광 다이오드 칩을 고정가능한 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Light emitting diode according to claim 1, further including a board fixed to the LED chip.
  18. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    광혼합 후의 다파장 광선은 백색광 및 백색광계 중간색 중 일종 광선인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. After the optical mixing light wavelength is a light emitting diode, characterized in that, a type of white light, and white light-based neutral beam.
  19. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 형광재료는 상기 발광 다이오드 칩 표면에 직접 클래딩되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The fluorescent material is a light emitting diode characterized in that the cladding directly on the LED chip surface.
  20. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 발광 다이오드 칩을 클래딩하는 성형부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. Light emitting diode according to claim 1, further comprising: a cladding formed of the light emitting diode chip.
  21. 제 20 항에 있어서, 21. The method of claim 20,
    상기 형광재료는 상기 성형부 내에 분포되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. The fluorescent material is a light emitting diode characterized in that the distribution in the forming section.
  22. 발광 다이오드칩을 지지 캐리어에 고정 및 전기적으로 연결하는 단계; Fixing the light emitting diode chip to the support carrier and the step of electrically connecting; And
    형광재료는 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염 중 적어도 일종의 화합물로 구성되며 상기 형광재료를 상기 초기 광선이 조사되는 곳에 안착하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법에 있어서, Fluorescent material is composed of at least a compound of the Peroxide phosphate activated with an alkaline earth oxide activated by europium activated silicate with europium, the O-silicate, and europium activated with europium and a seating place on which the initial beam irradiated to the fluorescent material in the method of manufacturing a light emitting diode comprising the step,
    상기 발광 다이오드칩을 통해 초기광선을 방사하여 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 형광재료를 여기시켜 형광광선을 발광하고,상기 초기광선과 형광광선을 혼합함으로써 해당 발광 다이오드가 다 파장광원으로 되게 하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Characterized in that presented by emitting an initial beam through the light emitting diode chip excites the alkaline earth oxide fluorescent material activated with europium to emit fluorescent light, and the initial light beam and fluorescent light of a mixture by the multi-light emitting diode light source a light emitting diode manufacturing method according to.
  23. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물의 주성분은 산화마그네슘(Mg0), 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(Sr0), 산화바륨(BaO), 산화마그네슘 칼슘 스트론튬 바륨((Mg,Ca,Sr,Ba)O), 산화마그네슘 스트론튬 바륨((Mg,Sr,Ba)O), 산화칼슘 스트론튬 바륨((Ca,Sr,Ba)O)및 산화스트론튬 바륨((Sr,Ba)O)등 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 중 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Composed mainly of activated alkaline-earth oxide to the europium is magnesium (Mg0), calcium (CaO), strontium oxide (Sr0), barium (BaO), magnesium oxide, calcium, strontium, barium ((Mg, Ca, Sr, Ba) oxide oxidation O), magnesium oxide, strontium barium ((Mg, Sr, Ba) O), calcium oxide, strontium barium ((Ca, Sr, Ba) O) and strontium oxide, barium ((Sr, Ba) O), such as activated alkaline with europium a light emitting diode manufacturing method characterized in that the at least one configuration of the rare earth oxide.
  24. 제 23 항에 있어서 24. The method of claim 23 wherein
    상기 형광재료는 상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물에서 선택하 며,다른 조성비로 형성된 화합물 혹은 혼합물 중 적어도 1종의 형식으로 존재하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent material is a light emitting diode manufacturing method characterized in that it selected from the alkaline earth oxide activated with europium and the said, at least present in the form of one kind of compound or mixture formed to a different compositional ratio.
  25. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물 형광재료는 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 마그네슘 칼슘 스트론튬 바륨((Mg r ,Ca X ,Sr y ,Ba Z )O:sEu 2 + ), 2가 유로퓸으로 활성화된 산화 마그네슘 스트론튬 바륨((Mg a , Sr b , Ba c ,))O:sEu 2 + ), 2가유로퓸으로 활성화된 산화 스트론튬 바륨((Ba i ,Sr j )O: sEu 2 + )이 바람직하며,그 중 a, b, c, i, j, r, s, x, y 및 z는 0≤(a,b,c,i,j,r,s,x,y,z)≤1, (r+x+y+z+s)=1,(a+b+c+s)=1 및 (i+j+s)=1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Alkaline earth oxide fluorescent material activated by the europium is divalent magnesium activated oxide to europium, calcium, strontium, barium ((Mg r, Ca X, Sr y, Ba Z) O: sEu 2 +) oxidation, the second is activated by europium magnesium, strontium, barium ((Mg a, Sr b, Ba c,)) O: sEu 2 +), strontium oxide, barium 2 is activated by europium ((Ba i, Sr j) O: sEu 2 +) is, and preferably, those of a, b, c, i, j, r, s, x, y and z are 0≤ (a, b, c, i, j, r, s, x, y, z) ≤1, (r + x + y + z + s) = 1, (a + b + c + s) = 1 and (i + j + s) = light emitting diode manufacturing method, comprising a step of satisfying the first.
  26. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 알칼리 토류 산화물, 유로퓸으로 활성화된 규산염, 유로퓸으로 활성화된 아규산염 및 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염으로 형성된 형광재는 2가유로퓸(Eu 2 + )을 활성제로 하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The light emitting diode of the fluorescent material is a divalent europium (Eu 2 +) formed in the activated peroxide phosphate with the activated silicate with an alkaline earth oxide activated by the europium, europium, the O-silicate, and europium activated with europium characterized in that as active agent method.
  27. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    유로퓸으로 활성화된 규산염의 주성분화학식은 A 2 SiO 4 로 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The chemical formula of the main component with europium activated silicate of which is a SiO 2 A 4 A method of manufacturing a light emitting diode, characterized in that at least a selected one of strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and cadmium.
  28. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 규산염의 형광재료는 불순물을 포함하되,상기 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Phosphor of the europium activated silicate to include, but the impurity, the impurity is a light emitting diode manufacturing method, characterized in that a fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one selected from sulfur and nitrogen.
  29. 제 26 항에 있어서, 27. The method of claim 26,
    상기 유로퓸으로 활성화된 규산염의 주성분은 화학식이 (Sr 2 -x- y Ba x Ca y )SiO 4 인 규산 칼슘 스트론튬 바륨으로 구성되며, 그 중 x 와 y는 관계식 0≤x≤0.8,0≤y≤0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Composed mainly of activated silicate to the europium is the formula (Sr 2 -x- y Ba x Ca y) SiO 4 which is composed of calcium silicate, strontium, barium, of which the x and y relationships 0≤x≤0.8,0≤y ≤0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; light emitting diode manufacturing method, characterized by satisfying the 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5.
  30. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 주성분화학식은 ASiO 3 으로 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. A light emitting diode manufacturing method of the principal component formulas of the active O-silicate with the europium is characterized in that that of A is at least one selected from strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and cadmium with ASiO 3.
  31. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 형광재료는 불순물을 포함하되, 상기 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Phosphor of the europium-activated silicate Oh include, but the impurity, the impurity is a light emitting diode manufacturing method, characterized in that a fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one selected from sulfur and nitrogen.
  32. 제 30 항에 있어서, 31. The method of claim 30,
    상기 유로퓸으로 활성화된 아규산염의 주성분은 화학식이 (Sr 2 -x- y Ba x Ca y )SiO 3 인 아규산 칼슘 스트론튬 바륨으로 구성되며 그 중 x 및 y는 관계식 0≤x≤0.8, 0≤y≤0.8; The principal component of the O-silicate activated with europium is the formula is (Sr 2 -x- y Ba x Ca y) SiO 3 of O is composed of calcium silicate, barium strontium of which x and y are relational expression 0≤x≤0.8, 0≤ y≤0.8; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0≤x≤0.5,0≤y≤0.3; 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. A light emitting diode manufacturing method, characterized by satisfying the 0.5≤x≤0.7,0.2≤y≤0.5.
  33. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염의 주성분은 화학식이 (A 1-xy B x C y ) 2 P 2 O 7 인 과산화인산 스트론튬 유로퓸 망간으로 구성되며, 그 중 A는 스트론튬, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 아연 및 카드뮴 중 적어도 하나를 선택하고; Major component of the activated peroxide phosphate as the europium is the formula (A 1-xy B x C y) 2 P 2 O 7 the peroxide consists of a phosphate of strontium europium manganese, of which A is strontium, calcium, barium, magnesium, zinc and selecting at least one of cadmium and; B는 유로퓸, 망간, 몰리브덴 및 세륨 중 적어도 하나를 선택하고; B is selected and at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium; C는 유로퓸, 망간, 몰리브덴 및 세륨 중 적어도 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. C is a light emitting diode manufacturing method characterized by selecting at least one of europium, manganese, molybdenum and cerium.
  34. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 유로퓸으로 활성화된 과산화 인산염의 형광재료는 불순물을 함유하되, 그 불순물은 불소, 염소, 브롬, 요오드, 인, 유황 및 질소 중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The phosphor material of the active peroxide in the europium phosphate is but containing impurities, the impurities is a light emitting diode manufacturing method, characterized in that a fluorine, chlorine, bromine, iodine, phosphorus, at least one selected from sulfur and nitrogen.
  35. 제 33 항에 있어서, 35. The method of claim 33,
    상기 유로퓸으로 활성화된 과산화인산염의 주성분은 그 화학식이 (Sr 1 -xy Eu x Mn y ) 2 P 2+Z O 7 인 과산화인산 스트론튬 유로퓸으로 구성되며,그 중 x, y 및 z는 관계식 0.03≤x≤0.08,0.06≤y≤0.16, 0≤z≤0.05를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Major component of the activated peroxide phosphate as the europium is that the formula (Sr 1 -xy Eu x Mn y) P 2 + Z 2 O 7 which consists of a peroxide, strontium phosphate and europium, of which the x, y and z is a relationship 0.03≤ x≤0.08,0.06≤y≤0.16, a light emitting diode manufacturing method, characterized by satisfying the 0≤z≤0.05.
  36. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 지지 캐리어는 리드 프레임인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The support carrier is a light emitting diode manufacturing method, characterized in that the lead frame.
  37. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 지지 캐리어는 기판인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The support carrier is characterized in that the light emitting diode substrate manufacturing method.
  38. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    광혼합 후의 다파장 광선은 백색광 및 백색광계 중간색 중의 일종 광선인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The wavelength after the optical mixing light emitting diode manufacturing method, characterized in that a kind of beam-based white light, and white light gray level.
  39. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 형광재료는 상기 발광 다이오드 칩 표면에 직접 클래딩되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent material is a light emitting diode manufacturing method characterized in that the cladding directly on the LED chip surface.
  40. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    성형부를 상기 발광 다이오드 칩 및 지지캐리어에 클래딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. Forming parts of a light emitting diode manufacturing method according to claim 1, further comprising the step of cladding on the LED chip and the support carrier.
  41. 제 40 항에 있어서, 41. The method of claim 40,
    상기 형광재료는 상기 성형부 내에 분포되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent material is a light emitting diode manufacturing method characterized in that the distribution in the forming section.
  42. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 형광재료는 분말상태로 액체콜로이드와 혼합한 후, 인캡슐레이션, 도포, 인쇄 혹은 주입 중 일종 방법으로 혼합 후의 형광재료를 상기 발광 다이오드 칩 표면에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent material is then mixed with a liquid colloid in a powder state, encapsulation, a light emitting diode manufacturing method of a coating, printing, or to form the light emitting diode chip to a surface of the phosphor after the mixing method as a kind of injection.
  43. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 형광재료는 형광분을 포함하며 콜로이드와 함께 실리콘 고무를 형성하고, 상기 실리콘 고무는 가열융화된 후 성형을 거쳐 성형부를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent material includes a fluorescent minutes, and the silicon, to form a silicone rubber rubber with the colloid process for producing a light emitting diode which comprises forming a molding through the heated blend after shaping.
  44. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22,
    상기 형광재료는 분말상태로서 액체콜로이드와 먼저 혼합하여 박막을 형성하되 상기 박막은 일정한 열량을 흡수한 후 상기 발광 다이오드 칩 표면에 융해부착되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. The fluorescent material is a powder state after having absorbed a certain amount of heat, but the thin film to form a thin film mixed with a liquid colloidal first manufacturing a light emitting diode characterized in that the fusion attached to the LED chip surface.
  45. 제 36 항에 있어서, 38. The method of claim 36,
    상기 리드프레임은 상기 발광 다이오드로 하여금 측면 발광 부품을 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법. A light emitting diode manufacturing method, characterized in that the lead frame by causing the light-emitting diodes to form light emitting part side.
KR20050084050A 2005-01-19 2005-09-09 Light emitting diode device and manufacturing method thereof KR100698711B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW94101516A TWI303111B (en) 2005-01-19 2005-01-19 Light emitting diode device and manufacturing method thereof
TW094101516 2005-01-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060084346A true KR20060084346A (en) 2006-07-24
KR100698711B1 KR100698711B1 (en) 2007-03-23

Family

ID=37174442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20050084050A KR100698711B1 (en) 2005-01-19 2005-09-09 Light emitting diode device and manufacturing method thereof

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100698711B1 (en)
TW (1) TWI303111B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846482B1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 삼성전기주식회사 A red phosphor and a light emitting device comprising the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7998526B2 (en) 2009-12-01 2011-08-16 Bridgelux, Inc. Method and system for dynamic in-situ phosphor mixing and jetting
TWI467812B (en) * 2012-08-16 2015-01-01 Univ Nat Formosa White light emitting diode device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410266B (en) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Light source with a light-emitting element
EP2017901A1 (en) * 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846482B1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 삼성전기주식회사 A red phosphor and a light emitting device comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW200627662A (en) 2006-08-01
TWI303111B (en) 2008-11-11
KR100698711B1 (en) 2007-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3866092B2 (en) Method for producing wavelength conversion casting material
JP4334497B2 (en) Semiconductor light emitting device
US7026663B2 (en) Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
ES2569615T3 (en) light emitting device and display device
CN101220273B (en) Luminescent body and optical device including the same
US7002291B2 (en) LED-based white-emitting illumination unit
US7679101B2 (en) Light emitting device
AU2004322660B2 (en) Novel phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US7847303B2 (en) Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same
EP0907970B1 (en) White light-emitting diode
CN100543984C (en) Light emitting apparatus
EP1627179B1 (en) Method and apparatus for led panel lamp systems
CN100502066C (en) Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
CN100442553C (en) Light emitting device
US6255670B1 (en) Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
KR101131285B1 (en) Luminous substance and light source comprising such a luminous substance
CN1248320C (en) White luminous element
KR100891810B1 (en) White light emitting device
JP6387041B2 (en) Red line emitting phosphors for use in light emitting diode applications
KR100743331B1 (en) Phosphor and Optical Device Using Same
US7432642B2 (en) Semiconductor light emitting device provided with a light conversion element using a haloborate phosphor composition
US6685852B2 (en) Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US7094362B2 (en) Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
JP2005093985A (en) Method of generating white light by secondary excitation system and its white light emitting device
CN1197175C (en) White light emitting phosphor blend for LCD devices

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130207

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140306

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee