KR20060057360A - Front end module - Google Patents

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KR20060057360A
KR20060057360A KR1020040096504A KR20040096504A KR20060057360A KR 20060057360 A KR20060057360 A KR 20060057360A KR 1020040096504 A KR1020040096504 A KR 1020040096504A KR 20040096504 A KR20040096504 A KR 20040096504A KR 20060057360 A KR20060057360 A KR 20060057360A
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module
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bpf
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남형기
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 프런트 엔드 모듈을 구성하는 BPF, 전력증폭모듈, 듀플렉서가 각각 칩으로 구현되어 웰(well)구조를 통해 배치 및 실장됨으로써 제품의 소형화를 꾀하고 외부에 실장되는 소자로 인해 유발되는 기생성분을 감소시키도록 하는 프런트 엔드 모듈에 관한 것으로서, 상기 BPF, 전력증폭모듈, 듀플렉서가 각각 하나의 칩으로 구현되며, 상기 프런트 엔드 모듈에 형성되는 웰(well)에 상기의 칩이 각각 배치 및 실장되어, 상기 프런트 엔드모듈의 크기를 크게 줄일 수 있으며, 또한 칩으로만 구성되어 외부에 실장되는 패시브 소자에 의한 기생성분을 최소화할 수 있으며, 상기 증폭모듈 및 듀플렉서간에 출력임피던스를 정합하는 튜닝패드를 형성함으로써 전송하고자 하는 주파수 외의 불필요한 고조파 또는 저조파에 의한 스퓨리어스 현상을 크게 감소시킬 수 있어 통화품질을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, a BPF, a power amplification module, and a duplexer constituting the front end module are implemented as chips, respectively, and are disposed and mounted through a well structure, thereby miniaturizing a product and causing parasitic components caused by an externally mounted device. The front end module to reduce the power, the BPF, the power amplification module, the duplexer are each implemented as a single chip, each chip is disposed and mounted in a well (well) formed in the front end module In addition, the size of the front end module can be significantly reduced, and also, only a chip can minimize parasitic components caused by an externally mounted passive element, and forms a tuning pad matching the output impedance between the amplification module and the duplexer. This greatly reduces the spurious phenomena caused by unnecessary harmonics or low harmonics other than the frequency to be transmitted. It can have effects that can greatly improve the call quality.

BPF, 전력증폭모듈, DPX, 프런트 엔드 모듈, 웰구조BPF, Power Amplifier Module, DPX, Front End Module, Well Structure

Description

프런트 엔드 모듈{Front End Module}  Front End Module             

도 1 은 일반적인 듀얼밴드 트라이모드 이동통신 단말기의 내부 구조를 도시한 도,1 is a diagram illustrating an internal structure of a general dual band tri-mode mobile communication terminal.

도 2 는 종래 기술에 따른 듀얼밴드 트라이모드 단말기의 송신단의 프런트 엔드 모듈을 간략하게 도시한 구성도,2 is a block diagram schematically illustrating a front end module of a transmitting end of a dual band trimode terminal according to the prior art;

도 3 은 본 발명에 따른 이동통신 단말기의 송신단의 프런트 엔드 모듈의 외관이 도시된 단면도,3 is a cross-sectional view showing the appearance of a front end module of a transmitting end of a mobile communication terminal according to the present invention;

도 4 는 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈의 내부 구성이 도시된 구성도,Figure 4 is a block diagram showing the internal configuration of the front end module according to the present invention,

도 5 는 본 발명에 따른 튜닝패드가 형성된 프런트 엔드 모듈이 도시된 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a front end module having a tuning pad according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

10, 100: FEM 110: BPF 칩10, 100: FEM 110: BPF chip

120: 전력증폭모듈 130: 듀플렉서 칩120: power amplifier module 130: duplexer chip

140: 튜닝패드
140: tuning pad

본 발명은 프런트 엔드 모듈에 관한 것으로써, 특히 상기 프런트 엔드 모듈을 구성하는 BPF, 전력증폭모듈, 듀플렉서가 각각 칩으로 구현되어 웰(well)구조를 통해 배치 및 실장됨으로써 제품의 소형화를 꾀하고 외부에 실장되는 소자로 인해 유발되는 기생성분을 감소시키도록 하는 프런트 엔드 모듈에 관한 것이다.
The present invention relates to a front end module, and in particular, the BPF, power amplification module, and duplexer constituting the front end module are implemented as chips, respectively, and are arranged and mounted through a well structure to reduce the size of the product and externally. The present invention relates to a front end module for reducing parasitic components caused by a device mounted on the device.

PDA, 휴대폰 등 이동통신 망을 통해 데이터를 송수신할 수 있도록 하는 단말기가 하나의 기기로 통합(All-in-One Terminal)되면서 상기 단말기를 구성하는 부품들도 점차 복합화, 고집적화되는 추세이다.As a terminal for transmitting and receiving data through a mobile communication network, such as a PDA and a mobile phone, is integrated into one device (All-in-One Terminal), components constituting the terminal are also increasingly complex and highly integrated.

즉, 휴대폰 등 단말기의 기능이 다양화되고 크기가 소형화 될수록 증가하는 부품의 수는 최대한 줄여야 하며, 상기 부품이 실장되는 면적 또한 감소하여야 하기 때문이며, 이에 따라 프런트 엔드 모듈(Front End Module)의 개발이 활발해지고 있다.That is, as the functions of terminals such as mobile phones are diversified and the size is reduced, the number of parts to be increased should be reduced as much as possible, and the area in which the parts are mounted should also be reduced. Accordingly, the development of the front end module is required. It is getting active.

상기 프런트 엔드 모듈은 SAW(표면탄성파) 필터, 듀플렉서(duplxer) 등 여러 부품을 하나로 만들어 50% 이상의 사용공간을 감소시킬 수 있는 부품으로서 상기 단말기의 송수신 신호가 간섭하지 않도록 분리시키며 여러 주파수 신호 중 사용하고자 하는 특정 주파수 신호만을 통과시키는 필터의 역할을 담당하게 된다.The front end module is a component that can reduce the space used by more than 50% by combining several components such as SAW (surface acoustic wave) filter and duplexer, and separates the transmitted / receive signal of the terminal so as not to interfere and uses among several frequency signals. It plays the role of a filter that passes only a specific frequency signal to be passed.

도 1은 일반적인 듀얼밴드 트라이모드 이동통신 단말기의 내부 구조를 도시한 도이다. 1 is a diagram illustrating an internal structure of a general dual band tri-mode mobile communication terminal.                         

일반적인 듀얼밴드 트라이모드 이동통신 단말기는 여러 주파수의 신호를 송수신하는 안테나와, 상기 안테나로부터 PCS 대역의 주파수 신호를 송수신하는 PCS부와, 위성으로부터 GPS 신호를 수신하는 GPS 수신부와, Cellular 대역의 주파수 신호를 송수신하는 Cellular부를 포함하여 구성된다.A typical dual band tri-mode mobile communication terminal includes an antenna for transmitting and receiving signals of various frequencies, a PCS unit for transmitting and receiving a frequency signal of a PCS band from the antenna, a GPS receiver for receiving GPS signals from satellites, and a frequency signal of a cellular band. It is configured to include a cellular unit for transmitting and receiving.

또한, 입출력하고자 하는 신호를 베이스밴드 신호로 변환하는 베이스밴드 아날로그와(Baseband Analog)와, 입출력 신호의 동작을 제어하기 위한 송수신 칩셋(T/R chipset)을 포함하여 구성된다.A baseband analog converts a signal to be input / output into a baseband signal and a transmit / receive chipset for controlling the operation of the input / output signal.

이때, 상기 PCS부 및 Cellular부는 각각 해당하는 주파수 대역의 신호가 송수신될 수 있도록 증폭 및 필터 동작을 수행할 수 있도록 하는 프런트 엔드 모듈(10)을 포함하여 구성된다.In this case, the PCS unit and the cellular unit are each configured to include a front end module 10 to perform the amplification and filter operation so that the signal of the corresponding frequency band can be transmitted and received.

도 2는 종래 기술에 따른 듀얼밴드 트라이모드 단말기의 송신단의 프런트 엔드 모듈을 간략하게 도시한 구성도이다.2 is a block diagram schematically illustrating a front end module of a transmitting end of a dual band trimode terminal according to the related art.

종래 기술에 따른 이동통신 단말기의 송신단을 구성하는 프런트 엔드 모듈(10)은 상기 송수신 칩셋으로부터 전달되는 송신하고자 하는 데이터 신호 중 PCS 또는 Cellular 대역 중 해당하는 주파수 대역의 신호만을 통과시키는 BPF(BandPass Filter, 11)와, 상기 BPF(11)에서 통과된 신호가 소정의 증폭률로 증폭되는 전력증폭모듈(12)와, 상기 전력증폭모듈(12)을 통해 증폭된 신호가 안테나를 통해 수신되는 신호에 간섭받지 않고 외부로 송출될 수 있도록 신호를 분리하는 듀플렉서(duplexer, 13)를 포함하여 구성된다.The front end module 10 constituting the transmitting end of the mobile communication terminal according to the prior art is a BPF (BandPass Filter, which passes only the signal of the frequency band of the PCS or cellular band of the data signal to be transmitted from the transmission and reception chipset, 11), the power amplification module 12 through which the signal passed by the BPF 11 is amplified at a predetermined amplification rate, and the signal amplified by the power amplification module 12 does not interfere with the signal received through the antenna. It comprises a duplexer (13) for separating the signal so that it can be sent to the outside without.

그러나, 상기와 같은 프런트 엔드 모듈(10)은 상기 전력증폭모듈(12)을 제외 하고 대부분 단품 상태의 모듈로 구현되어 있으며, 상기 프런트 엔드 모듈(10)을 구성하는 각 요소간에 임피던스 정합을 해야만 상기 프런트 엔드 모듈(10), 나아가 상기 이동통신 단말기가 정상적인 동작을 수행할 수 있게 되어 임피던스 정합을 위한 별도의 회로구현을 위한 다수의 소자를 추가로 실장하여야 하므로 상기 단말기의 크기 및 비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.However, the front end module 10 as described above is mostly implemented as a single module except the power amplification module 12, and the impedance matching between the elements constituting the front end module 10 requires the Since the front end module 10 and the mobile communication terminal can perform a normal operation, a plurality of devices for implementing a separate circuit for impedance matching must be additionally installed, thereby increasing the size and cost of the terminal. There is a problem.

또한, 별도로 구현된 상기 정합회로를 구성하는 인덕턴스, 커패시터 등의 집중소자들은 공진 Q(quality factor)를 갖게 되는데, 상기 집중소자는 주파수가 증가할수록 상기 Q값이 감소하게 되어 상기 모듈의 실제 성능의 저하를 가져오게 되는 문제점이 있다.
In addition, the lumped elements constituting the matching circuit, which are implemented separately, have a resonance quality factor (Q). The lumped elements decrease the Q value as the frequency increases, thereby reducing the actual performance of the module. There is a problem that results in degradation.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 프런트 엔드 모듈을 구성하는 BPF, 전력증폭모듈, 듀플렉서가 각각 칩으로 구현되어 기판의 웰(well)구조를 사용하여 실장됨으로써 제품의 소형화를 꾀할 수 있도록 하는 프런트 엔드 모듈을 제공하는 데 그 목적이 있다.
The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, the BPF, the power amplification module, the duplexer constituting the front end module is implemented by each chip is mounted using a well (well) structure of the substrate to the product The aim is to provide a front end module that can be miniaturized.

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈은 BPF(BandPass Filter), 전력증폭모듈, 듀플렉서(duplexer)를 구비하여 전송하고자 하는 데이터가 변환된 다수 주파수 대역의 신호 중 소정의 주파수 대역을 안테나를 통해 외부로 송출하도록 하는 프런트 엔드 모듈(FEM, Front End Module)에 있어서, 상기 BPF, 전력증폭모듈, 듀플렉서가 각각 하나의 칩으로 구현되며, 상기 프런트 엔드 모듈에 형성되는 각 웰(well)에 상기의 칩이 각각 배치 및 실장되는 것을 특징으로 한다.
The front end module according to the present invention for solving the above problems is provided with a bandpass filter (BPF), a power amplifier module, a duplexer (duplexer) to a predetermined frequency band of the signal of a plurality of frequency bands to which the data to be transmitted is converted In the front end module (FEM) for transmitting to the outside through an antenna, the BPF, the power amplification module, the duplexer are each implemented as a single chip, each well formed in the front end module (well) Each chip is characterized in that the arrangement and mounting.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다. 도 3은 본 발명에 따른 이동통신 단말기의 송신단의 프런트 엔드 모듈의 외관이 도시된 정면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈의 내부 구성이 도시된 구성도이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Figure 3 is a front view showing the appearance of the front end module of the transmitting end of the mobile communication terminal according to the present invention, Figure 4 is a block diagram showing the internal configuration of the front end module according to the present invention.

우선, 본 발명에 따른 이동통신 단말기의 내부 구성은 프런트 엔드 모듈을 제외하고는 상기한 종래 기술과 유사하므로 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.First, since the internal configuration of the mobile communication terminal according to the present invention is similar to the above-described conventional technology except for the front end module, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명에 따른 이동통신 단말기의 송신단의 프런트 엔드 모듈(100)은 전송하고자 하는 데이터가 여러 주파수 신호로 변환되어 입력되면, PCS 또는 Cellular 대역의 주파수 중 해당되는 주파수 대역의 신호만을 통과시키는 BPF(110)와, 상기 BPF(110)로부터 전달된 소정 대역의 주파수 신호를 외부로 송출하기 위하여 고출력의 신호로 증폭하는 전력증폭모듈(120)과, 상기 전력증폭모듈(120)로부터 출력되는 증폭신호가 안테나를 통해 외부로 송출될 때 상기 안테나를 통해 수신되는 주파수 신호에 의한 간섭현상을 방지하기 위하여 상기 안테나를 통해 송수신되는 신호를 서로 분리하는 듀플렉서(130)를 포함하여 구성된다. The front end module 100 of the transmitting end of the mobile communication terminal according to the present invention is a BPF (110) passing only the signal of the corresponding frequency band of the frequency of the PCS or cellular band when the data to be transmitted is converted into multiple frequency signals ), A power amplification module 120 for amplifying a frequency signal of a predetermined band transmitted from the BPF 110 to a signal of high output, and an amplified signal output from the power amplification module 120 is an antenna It is configured to include a duplexer 130 for separating the signals transmitted and received through the antenna to prevent interference caused by the frequency signal received through the antenna when transmitted to the outside through.                     

이때, 상기 BPF(110), 전력증폭모듈(120), 듀플렉서(130)는 각 기능이 수행되는 각각의 칩(chip)으로 구현되어, 상기 프런트 엔드 모듈(100)의 적당한 위치에 배치 및 실장된다.In this case, the BPF 110, the power amplification module 120, the duplexer 130 is implemented as each chip (chip) for performing each function, it is disposed and mounted in a suitable position of the front end module 100. .

상기 각 칩(110 내지 130)은 상기 프런트 엔드 모듈(100)에 형성되는 웰 구조(well structure)에 따라 형성된 소정의 공간에 각각 배치 및 실장되며, 와이어를 통해 상기 각 칩과 연결되어 신호가 전송되도록 한다.Each chip 110 to 130 is disposed and mounted in a predetermined space formed according to a well structure formed in the front end module 100, and is connected to each chip through a wire to transmit a signal. Be sure to

또한, 상기 프런트 엔드 모듈은 금속도전체(150)로 상기 프런트 엔드 모듈(100)의 최상단을 덮음으로써 상기 모듈(100)이 외부에 노출되는 것을 방지하여 손상으로부터 보호할 수 있다. In addition, the front end module may be protected from damage by preventing the module 100 from being exposed to the outside by covering the top end of the front end module 100 with a metal conductor 150.

상기와 같이 구현되기 위하여 상기 프런트 엔드 모듈(100)은 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic, 저온소성 세라믹) 또는 HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic, 고온소성 세라믹) 방식으로 상기 각 칩(110 내지 130)이 배치되는 것이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다.In order to implement as described above, the front end module 100 is a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or high temperature co-fired ceramic (HTCC) method for each chip 110 to 130. ) Is preferably arranged, but is not limited thereto.

한편, 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈(100)에 있어서, MMIC(microwave monolithic integrated circuit)로 구현된 전력증폭모듈(120)은 입력신호를 소정의 증폭률로 증폭시키는 기본증폭기(121)와, 상기 기본증폭기(121)로부터 증폭된 신호를 고출력 신호로 증폭시키는 전력증폭기(122)를 포함하여 구성된다.On the other hand, in the front end module 100 according to the present invention, the power amplifier module 120 implemented by a microwave monolithic integrated circuit (MMIC) is a basic amplifier 121 for amplifying an input signal at a predetermined amplification rate, and the basic And a power amplifier 122 that amplifies the signal amplified by the amplifier 121 into a high output signal.

또한, 상기 전력증폭모듈(120)은 상기 BPF 칩(110) 및 듀플렉서 칩(130)과의 신호 입출력이 정상적으로 수행될 수 있도록 상기 BPF 칩(110)으로부터 전달되는 신호가 상기 기본증폭기(121)를 통해 증폭될 수 있도록 입력임피던스를 정합하는 입력정합부(123)와, 상기 기본증폭기(121) 및 전력증폭기(122)간 임피던스를 정합하는 중간정합부(124)를 포함하여 구성되며, 상기 기본증폭기(121) 및 전력증폭기(122)가 동작될 수 있도록 바이어스 전류를 각각 인가하는 바이어스 회로(125)를 더 포함하여 구성된다.In addition, the power amplifier module 120 is a signal transmitted from the BPF chip 110 so that the signal input and output with the BPF chip 110 and the duplexer chip 130 is normally performed to the basic amplifier 121 It comprises an input matching unit 123 for matching the input impedance to be amplified through, and an intermediate matching unit 124 for matching the impedance between the basic amplifier 121 and the power amplifier 122, the basic amplifier And a bias circuit 125 for applying a bias current so that the 121 and the power amplifier 122 can be operated.

상기 입력정합부(123) 및 중간정합부(124)는 상기 전력증폭모듈 칩(120) 내에 실장되므로, 상기 증폭모듈(120)의 외부에서 임피던스를 정합하고자 할 때 상기 정합부(123, 124)를 구성하는 다수의 인덕터, 커패시터, 저항, 다이오드 등의 소자로 인해 발생하는 기생성분은 최소화될 수 있다.Since the input matching unit 123 and the intermediate matching unit 124 are mounted in the power amplification module chip 120, the matching unit 123 and 124 may be used to match impedance outside the amplification module 120. Parasitic components caused by a plurality of inductors, capacitors, resistors, diodes, and the like may be minimized.

이때, 상기 인덕터는 회로선로가 다수로 중첩되어 형성되는 스피럴(spirial) 형태로 형성될 수 있으며, 상기 커패시터는 MIM(metal-insulator-metal)형태로 형성될 수 있으며, 상기 저항은 NiCr TFR(Thin Film Resistor)로 구성될 수 있고, 상기 다이오드는 Base-Collector를 활용하여 용이하게 그 구현이 가능하다.In this case, the inductor may be formed in a spiral form formed by overlapping a plurality of circuit lines, the capacitor may be formed in a metal-insulator-metal (MIM) form, and the resistance may be NiCr TFR ( Thin Film Resistor), and the diode can be easily implemented by using a base collector.

한편, 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈(100)은 상기 전력증폭모듈(120) 및 듀플렉서 칩(130) 간에 배치되어 상기 전력증폭모듈(120)의 출력임피던스가 정합될 수 있도록 하는 튜닝패드(140)를 더 포함하여 형성될 수 있다.Meanwhile, the front end module 100 according to the present invention is disposed between the power amplifier module 120 and the duplexer chip 130 so that the output impedance of the power amplifier module 120 can be matched to the tuning pad 140. It may be formed to include more.

도 5는 본 발명에 따른 튜닝패드가 형성된 프런트 엔드 모듈이 도시된 도이다.5 is a diagram illustrating a front end module having a tuning pad according to the present invention.

즉, 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈(100)은 다수의 레이어가 중첩되며 상기 레이어상에 소정의 칩 또는 소자가 실장됨으로써 형성될 수 있다.That is, the front end module 100 according to the present invention may be formed by stacking a plurality of layers and mounting a predetermined chip or device on the layers.

따라서, 도 5a에 도시된 바와 같이 4개의 레이어가 중첩되는 기판상에 상기 프런트 엔드 모듈(100)이 형성되는 경우 상기 전력증폭모듈(120) 및 듀플렉서 칩(130)은 제 3레이어상에 실장될 수 있으며, 상기 칩이 실장된 제 2레이어를 사용하여 튜닝패드(140)를 형성하는 것이 가능하다.Therefore, when the front end module 100 is formed on a substrate on which four layers overlap as shown in FIG. 5A, the power amplifier module 120 and the duplexer chip 130 may be mounted on a third layer. It is possible to form the tuning pad 140 using the second layer on which the chip is mounted.

상기 튜닝패드(140)는 세라믹으로 형성된 상기 제 3레이어의 상면 및 제 4레이어의 하면에 서로 대향하도록 형성되며 상기 제 4레이어의 하면에 형성되는 부분은 접지와 연결되어 인덕터 또는 커패시터를 형성할 수 있으며, 상기 제 3레이어의 상면에 형성되어 접지와 연결된 상기 제 4레이어의 하면과 대향되는 부분의 길이를 조절함에 따라 형성된 커패시터의 값을 조정할 수 있다.The tuning pad 140 may be formed to face each other on an upper surface of the third layer and a lower surface of the fourth layer formed of ceramic, and portions formed on the lower surface of the fourth layer may be connected to ground to form an inductor or a capacitor. The value of the capacitor may be adjusted by adjusting the length of the portion formed on the upper surface of the third layer and opposed to the lower surface of the fourth layer connected to the ground.

또한, 상기 인덕터 또는 커패시터의 값을 조정함으로써 수신신호의 노이즈 또는 송신시 발생가능한 스퓨리어스(spurious) 특성을 최소화할 수 있다.In addition, by adjusting the value of the inductor or capacitor, it is possible to minimize noise of the received signal or spurious characteristics that may occur during transmission.

이때, 상기 튜닝패드(140)를 통해 형성가능한 커패시터는 약 20pF 정도이며, 각 레이어에 모두 사용가능한 인덕터는 수 nH 정도의 값을 갖도록 형성될 수 있어 상기 특성을 위해 충분히 그 조정이 가능하다.
At this time, the capacitor that can be formed through the tuning pad 140 is about 20pF, and the inductor usable in each layer can be formed to have a value of about nH, so that the characteristics can be sufficiently adjusted.

이상과 같이 본 발명에 의한 프런트 엔드 모듈(Front End Module, FEM)을 예시된 도면을 참조로 하여 설명하였으나 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명은 한정되지 않으며, FEM을 구성하는 각 필터, 증폭모듈, 듀플렉서를 각각의 칩으로 구현하고, 구현된 칩을 기판의 웰(well)구조를 사용하여 배치함으로써 상기 FEM의 소형화를 꾀할 수 있도록 하는 본원발명의 기술사상은 보호되는 범위 이내에서 당업자에 의해 용이하게 응용될 수 있다.
As described above, the Front End Module (FEM) according to the present invention has been described with reference to the illustrated drawings, but the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, and each filter constituting the FEM. The technical idea of the present invention, which enables the miniaturization of the FEM by implementing the amplification module and the duplexer into each chip and disposing the implemented chip using a well structure of a substrate, is within the scope of protection. It can be easily applied by.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈은 상기 프런트 엔드 모듈을 구성하는 각 필터, 증폭모듈, 듀플렉서를 각각의 칩으로 구현하고, 구현된 칩을 기판의 웰(well)구조를 사용하여 배치함으로써 상기 프런트 엔드모듈의 크기를 크게 줄일 수 있는 효과가 있다.The front end module according to the present invention configured as described above implements each filter, amplification module, and duplexer constituting the front end module as each chip, and places the implemented chip using a well structure of a substrate. By doing so, the size of the front end module can be greatly reduced.

또한, 칩으로만 구성되어 외부에 실장되는 패시브 소자에 의한 기생성분을 최소화할 수 있으며, 상기 증폭모듈 및 듀플렉서간에 출력임피던스를 정합하는 튜닝패드를 형성함으로써 전송하고자 하는 주파수 외의 불필요한 고조파 또는 저조파에 의한 스퓨리어스 현상을 크게 감소시킬 수 있어 통화품질을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, it is possible to minimize the parasitic components caused by the passive elements mounted only on the chip, and to form a tuning pad that matches the output impedance between the amplification module and the duplexer to unnecessary harmonics or harmonics other than the frequency to be transmitted. Since the spurious phenomenon can be greatly reduced, there is an effect that can greatly improve the call quality.

Claims (5)

BPF(BandPass Filter), 전력증폭모듈, 듀플렉서(duplexer)를 구비하여 전송하고자 하는 데이터가 변환된 다수 주파수 대역의 신호 중 소정의 주파수 대역을 안테나를 통해 외부로 송출하도록 하는 프런트 엔드 모듈(FEM, Front End Module)에 있어서,A front end module (FEM, Front) having a BPF (BandPass Filter), a power amplifier module, and a duplexer to transmit a predetermined frequency band out of a plurality of frequency band signals to which data to be transmitted is transmitted through an antenna. End Module), 상기 프런트 엔드 모듈은 상기 BPF, 전력증폭모듈, 듀플렉서가 각각 하나의 칩으로 구현되며, 상기 프런트 엔드 모듈에 형성되는 웰(well)에 상기의 칩이 각각 배치 및 실장되는 것을 특징으로 하는 프런트 엔드 모듈.The front end module is the front end module, characterized in that the BPF, the power amplification module, the duplexer are each implemented as a single chip, the chip is disposed and mounted in a well (well) formed in the front end module, respectively. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프런트 엔드 모듈은 상기 전력증폭모듈 및 듀플렉서 칩 간에 배치되고 상기 전력증폭모듈 및 듀플렉서 칩이 형성된 레이어를 사용하여 형성되어, 상기 전력증폭모듈의 출력임피던스가 정합될 수 있도록 조정가능한 튜닝패드(tuning pad)를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프런트 엔드 모듈.The front end module is formed using a layer disposed between the power amplification module and the duplexer chip and formed using a layer in which the power amplification module and the duplexer chip are formed, and an adjustable tuning pad to match the output impedance of the power amplification module. The front end module, characterized in that further comprises. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프런트 엔드 모듈은 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 또는 HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프런트 엔드 모듈.The front end module is a front end module, characterized in that formed by a Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) or High Temperature Co-fired Ceramic (HTCC) method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전력증폭모듈은 입력신호를 소정의 증폭률로 증폭시키는 기본증폭기와, 상기 기본증폭기로부터 증폭된 신호를 고출력 신호로 증폭시키는 전력증폭기와, 상기 BPF칩으로부터 전달되는 신호가 상기 기본증폭기를 통해 증폭될 수 있도록 입력임피던스를 정합하는 입력정합부와, 상기 기본증폭기 및 전력증폭기간 임피던스를 정합하는 중간정합부와, 상기 기본증폭기 및 전력증폭기에 바이어스 전류를 인가하기 위한 바이어스 회로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 프런트 엔드 모듈.The power amplifier module includes a basic amplifier for amplifying an input signal at a predetermined amplification rate, a power amplifier for amplifying a signal amplified from the basic amplifier into a high output signal, and a signal transmitted from the BPF chip to be amplified through the basic amplifier. And an input matching unit for matching an input impedance, an intermediate matching unit for matching the basic amplifier and the power amplifier period impedance, and a bias circuit for applying a bias current to the basic amplifier and the power amplifier. Front end module. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전력증폭모듈은 상기 입력정합부 및 중간정합부를 구성하는 다수의 소자가 MIM(metal-insulator-metal)형태, Spirial 형태, NiCr TFR(Thin Film Resistor) 등으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프런트 엔드 모듈.The power amplification module is a front end module, characterized in that a plurality of elements constituting the input matching portion and the intermediate matching portion is formed of a metal-insulator-metal (MIM) type, a spirial type, a NiCr thin film resistor (TFR), or the like. .
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