KR20060050214A - 전하 펌프 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 게이트에 접속된 한쪽 단자를 입력 단자로 이용하고, 다른 쪽 단자를 출력 단자로 이용하는 제1 n 채널 MOS 트랜지스터; 및 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 출력 단자에 한쪽 단자가 접속된 캐패시터로 각각 구성되는 복수의 승압 단위 회로를 포함하며,인접하는 두 개의 상기 승압 단위 회로의 캐패시터의 다른 쪽 단자 각각에 반대 위상을 갖는 클록 신호들이 입력되고,상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰에서의 포텐셜이 소스-웰 기생 다이오드 및 드레인-웰 기생 다이오드에 의해 주어지는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제1항에 있어서,마지막 단의 상기 승압 단위 회로는 상기 캐패시터의 다른 쪽 단자가 GND에 접속되어 있는 승압 출력 회로인, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제2항에 있어서,상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 GND 사이에 제2 n 채널 MOS 트랜지스터가 설치되어 있고,상기 제2 n 채널 MOS 트랜지스터의 게이트와 상기 캐패시터의 다른 쪽 단자에 동상 클록 신호가 입력되어서 전압을 승압시키는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제2항에 있어서,적어도 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 입력 단자 사이, 또는 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 출력 단자 사이에 저항이 설치된, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제1항에 있어서,적어도 하나의 상기 승압 단위 회로의 제1 n 채널 MOS 트랜지스터는 적어도 하나의 제1 쇼트키 배리어 다이오드 및 제2 쇼트키 배리어 다이오드를 구비하고 있으며, 상기 제1 쇼트키 배리어 다이오드는 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰에 접속된 애노드와 상기 출력 단자에 접속된 캐소드를 가지고, 상기 제2 쇼트키 배리어 다이오드는 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰에 접속된 애노드와 상기 입력 단자에 접속된 캐소드를 가지는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제5항에 있어서,마지막 단의 상기 승압 단위 회로는 상기 캐패시터의 다른 쪽 단자가 GND에 접속되어 있는 승압 출력 회로인, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제6항에 있어서,상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터와 상기 GND 사이에 제2 n 채널 MOS 트랜지 스터가 설치되어 있고,상기 제2 n 채널 MOS 트랜지스터의 게이트와 상기 캐패시터의 다른 쪽 단자에 동상 클록 신호가 입력되어서 전압을 승압시키는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제6항에 있어서,적어도 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 입력 단자 사이, 또는 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 출력 단자 사이에 저항이 설치된, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제1항에 있어서,적어도 상기 승압 단위 회로 각각의 일부, 또는 적어도 상기 승압 출력 회로의 일부는 SOI 기판 상에 형성되는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제1항에 있어서,전원 전압이 1V 이하인, 승압형 전하 펌프 회로.
- 승압 회로;상기 승압 회로의 출력과 그라운드(GND) 사이에 접속된 캐패시터;상기 승압 회로의 출력 전압을 검출하는 전압 검출 회로; 및상기 승압 회로의 출력과 부하 사이의 접속을 제공하는 스위치 소자를 포함 하며,상기 승압 회로는 제1항에 따른 승압형 전하 펌프 회로이며, 상기 전압 검출 회로가 상기 승압 회로의 출력 전압이 임의의 값을 초과하는 것을 검출하면, 상기 스위치 소자를 온 시키는, 전하 펌프 회로.
- 게이트에 접속된 한쪽 단자를 출력단자로 이용하고, 다른 쪽 단자를 입력 단자로 이용하는 제1 p 채널 MOS 트랜지스터; 및 상기 제1 p 채널 MOS 트랜지스터의 출력 단자에 한쪽 단자가 접속된 캐패시터로 각각 구성되는 복수의 승압 단위 회로를 포함하며,인접하는 두 개의 상기 승압 단위 회로의 캐패시터의 다른 쪽 단자 각각에 반대 위상을 갖는 클록 신호들이 입력되고,상기 제1 p 채널 MOS 트랜지스터의 웰에서의 포텐셜이 소스-웰 기생 다이오드 및 드레인-웰 기생 다이오드에 의해 주어지는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제12항에 있어서,마지막 단의 상기 승압 단위 회로는 상기 캐패시터의 다른 쪽 단자가 그라운드(GND)에 접속되어 있는 승압 출력 회로인, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제13항에 있어서,적어도 상기 제1 p 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 입력 단자 사이, 또는 상기 제1 p 채널 MOS 트랜지스터의 웰과 상기 출력 단자 사이에 저항이 설치된, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제12항에 있어서,적어도 하나의 상기 승압 단위 회로의 제1 p 채널 MOS 트랜지스터는 적어도 하나의 제1 쇼트키 배리어 다이오드 및 제2 쇼트키 배리어 다이오드를 구비하고 있으며, 상기 제1 쇼트키 배리어 다이오드는 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰에 접속된 애노드와 상기 출력 단자에 접속된 캐소드를 가지고, 상기 제2 쇼트키 배리어 다이오드는 상기 제1 n 채널 MOS 트랜지스터의 웰에 접속된 애노드와 상기 입력 단자에 접속된 캐소드를 가지는, 승압형 전하 펌프 회로.
- 제15항에 있어서,마지막 단의 상기 승압 단위 회로는 상기 캐패시터의 다른 쪽 단자가 GND에 접속되어 있는 승압 출력 회로인, 승압형 전하 펌프 회로.
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- 승압 회로;상기 승압 회로의 출력과 그라운드(GND) 사이에 접속된 캐패시터;상기 승압 회로의 출력 전압을 검출하는 전압 검출 회로; 및상기 승압 회로의 출력과 부하 사이의 접속을 제공하는 스위치 소자를 포함하며,상기 승압 회로는 제12항에 따른 승압형 전하 펌프 회로이며, 상기 전압 검출 회로가 상기 승압 회로의 출력 전압이 임의의 값을 초과하는 것을 검출하면, 상기 스위치 소자를 온 시키는, 전하 펌프 회로.
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