KR20060035073A - Semiconductor test equipment having extending rf generator and method for testing thereof - Google Patents

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KR20060035073A
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Abstract

확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 내부에 반도체 소자를 전기적으로 검사하는데 사용되는 파형을 발생시킬 수 있는 제1 RF 제너레이터를 포함하는 반도체 소자의 검사장치(ATE)와, 상기 검사장치의 외부에 설치되어 상기 검사장치로 연결되고 상기 검사장치의 제1 제너레이터보다 더 높은 주파수의 파형을 발생시킬 수 있는 제2 RF 제너레이터 및 상기 검사장치와 상기 제2 RF 제너레이터를 연결하는 기능을 하는 GPIB 보오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치를 제공한다. 따라서 검사공정의 원가 경쟁력을 높일 수 있다. An apparatus for inspecting a semiconductor device capable of producing an extended frequency waveform is disclosed. To this end, the present invention, the inspection device (ATE) of the semiconductor device including a first RF generator capable of generating a waveform used to electrically inspect the semiconductor device therein, and installed outside of the inspection device for the inspection And a second RF generator connected to the device and capable of generating a waveform of higher frequency than the first generator of the inspection device and a GPIB board functioning to connect the inspection device and the second RF generator. The present invention provides a device for inspecting a semiconductor device capable of producing an extended frequency waveform. Therefore, the cost competitiveness of the inspection process can be enhanced.

아날로그 소자, 검사방법, RF 발생기, 원가 경쟁력.Analog device, test method, RF generator, cost competitiveness.

Description

확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치 및 이를 이용한 검사방법{Semiconductor test equipment having extending RF generator and method for testing thereof}Semiconductor test equipment having an extended frequency waveform and a test method using the same {Semiconductor test equipment having extending RF generator and method for testing etc}

도 1은 종래 기술에 의한 아날로그 반도체 소자 검사용 검사장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an inspection apparatus for inspecting an analog semiconductor device according to the prior art.

도 2는 본 발명에 의한 아날로그 반도체 소자용 검사장치를 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram for explaining an analog semiconductor device inspection apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 의한 아날로그 반도체 소자용 검사장치를 이용한 검사방법을 설명하기 위해 도시한 플로차트(flowchart)이다.FIG. 3 is a flowchart for explaining an inspection method using the inspection apparatus for an analog semiconductor element according to the present invention.

도 4는 본 발명에 의한 아날로그 반도체 소자용 검사장치에 사용되는 검사 프로그램의 일 예를 설명하기 위한 명령어 구문(text)이다.4 is a command text for explaining an example of a test program used in the test apparatus for an analog semiconductor device according to the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 검사장치 및 이를 이용한 검사방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 아날로그 반도체 소자용 검사장치 및 이를 이용한 검사방법에 관한 것이다. The present invention relates to an inspection device for a semiconductor device and an inspection method using the same, and more particularly, to an inspection device for an analog semiconductor device and an inspection method using the same.                         

반도체 소자는 반도체 칩 상태에서 반도체 패키지 상태로 조립되고 사용자에게 최종 전달되기 앞서 반도체 소자의 고유 기능을 자동검사장치(ATE: Automative Test Equipment)를 통해 검증받게 된다. The semiconductor device is assembled from a semiconductor chip state into a semiconductor package state and the unique function of the semiconductor device is verified through an automatic test equipment (ATE) prior to final delivery to a user.

이때 사용되는 반도체 소자의 검사장치는 매우 고가(high cost)이며, 아날로그 소자용 검사장치, 디지털 소자용 검사장치 및 믹스드 신호(Mixed signal) 소자용 검사장치로 크게 구분된다. 상기 디지털 소자용 검사장치는 다시 메모리 소자용 검사 장치와, 로직(LOGIC) 소자용 검사장치로 구분되기도 한다.At this time, the inspection apparatus for semiconductor devices used is very high cost, and is largely classified into an inspection apparatus for analog devices, an inspection device for digital devices, and an inspection device for mixed signal devices. The digital device inspection device may be further classified into a memory device inspection device and a logic device inspection device.

상기 아날로그 소자용 검사장치는 검사장치의 사양(configuration), 예를 들면 내부를 제어하는 CPU의 동작속도, 내부 채널수, RF 제너레이터의 주파수 파형의 능력 등에 따라 좀더 진보된 아날로그 소자(Advanced analog device)를 검사할 수 있는가 혹은 없는가가 결정된다.The analog device inspection device is more advanced according to the configuration of the inspection device, for example, the operating speed of the CPU to control the internal, the number of internal channels, the ability of the frequency waveform of the RF generator, etc. It is determined whether or not the test can be performed.

도 1은 종래 기술에 의한 아날로그 반도체 소자 검사용 검사장치의 블록도(block diagram)이다.1 is a block diagram of an inspection apparatus for inspecting an analog semiconductor device according to the prior art.

도 1을 참조하면, 테라다인(Teradyne)사의 모델명이 A360인 아날로그 테스터(50)의 블록도이다. 내부에는 검사장치를 제어할 수 있는 CPU(10)가 있고, 또한 M601과 같은 DC 측정에 사용되는 장치와, M603, M606, M623과 같은 아날로그 소자의 고유기능들을 검사할 수 있는 세부장치들이 존재한다.Referring to FIG. 1, a block diagram of an analog tester 50 having a model name A360 by Teradyne is shown. There is a CPU 10 that can control the inspection device inside, and there are also devices used for DC measurement such as M601 and detailed devices that can inspect the unique functions of analog devices such as M603, M606, M623. .

따라서 아날로그 검사장치(50)는 인터페이스 보오드를 통해 피검사소자(DUT: Device Under Tester, 30)를 탑재하여 피검사 소자(30)의 고유기능을 전기적으로 검사하게 된다. Accordingly, the analog test apparatus 50 is equipped with a device under tester (DUT) 30 through an interface board to electrically test the inherent function of the device under test 30.                         

그러나 아날로그 반도체 소자 중에서 PLL(Phase Lock Loop) 기능을 수행하는 SIM882/ SIM822/ SIM831/ SIM833/ SIM837/ SIM838과 같은 반도체 소자들은 전기적 검사에서 사용 주파수 파형이 ㎓급 수준의 고주파수 파형을 요구하고 있다. 그러나 A360과 같은 비교적 오래되고 사양이 떨어지는 아날로그 소자용 검사장치의 경우는 M623 RF 제너레이터에서 발생할 수 있는 고주파수 파형이 127㎒밖에 되지 않기 때문에, 다른 것에는 전혀 문제가 없음에도 불구하고, RF 제너레이터의 사양(configuration) 미달로 SIM882/ SIM822/ SIM831/ SIM833/ SIM837/ SIM838과 같은 PLL 기능을 수행하는 반도체 소자를 검사할 수 없다. However, semiconductor devices such as SIM882 / SIM822 / SIM831 / SIM833 / SIM837 / SIM838, which perform a phase lock loop (PLL) function, require high-frequency waveforms having a high level of use in electrical inspection. However, in the case of a relatively old and inferior analog device inspection device such as the A360, since the high frequency waveform that can be generated by the M623 RF generator is only 127 MHz, the specification of the RF generator has no problem at all. Under configuration, semiconductor devices that perform PLL functions such as SIM882 / SIM822 / SIM831 / SIM833 / SIM837 / SIM838 cannot be inspected.

따라서, A360보다 더 뛰어난 성능을 지닌 최신 모델의 아날로그 소자용 검사장치를 새로 구입하여 SIM882/ SIM822/ SIM831/ SIM833/ SIM837/ SIM838과 같은 반도체 소자를 검사해야만 하는 실정이다. 그러나 새로운 검사장비의 구입은 천문학적인 비용이 소요되고, 이로 인한 반도체 소자의 제조원가 상승을 초래하는 문제점이 있다.Therefore, it is necessary to purchase a new inspection device for analog devices of the latest model having better performance than the A360 and inspect semiconductor devices such as SIM882 / SIM822 / SIM831 / SIM833 / SIM837 / SIM838. However, the purchase of new inspection equipment takes astronomical costs, resulting in an increase in the manufacturing cost of the semiconductor device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점들을 해결할 수 있는 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an apparatus for inspecting semiconductor devices capable of producing an extended frequency waveform capable of solving the above-described problems.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치를 이용한 검사방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide an inspection method using a semiconductor device inspection apparatus capable of producing the extended frequency waveform.

상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명에 의한 확장된 주파수 파형을 만 들 수 있는 반도체 소자의 검사장치는, 내부에 반도체 소자를 검사하는데 사용되는 파형을 발생시킬 수 있는 제1 RF 제너레이터(generator)를 포함하는 반도체 소자의 검사장치(ATE)와, 상기 검사장치의 외부에 설치되어 상기 검사장치로 연결되고 상기 검사장치의 제1 제너레이터보다 더 높은 주파수의 파형을 발생시킬 수 있는 제2 RF 제너레이터와, 상기 검사장치와 상기 제2 RF 제너레이터를 연결하는 기능을 하는 GPIB(General Purpose Interface Bus) 보오드를 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above technical problem, an apparatus for inspecting a semiconductor device capable of creating an extended frequency waveform according to the present invention includes a first RF generator capable of generating a waveform used to inspect a semiconductor device therein. An inspection device (ATE) of a semiconductor device, and a second RF generator installed outside the inspection device and connected to the inspection device and capable of generating a waveform having a higher frequency than the first generator of the inspection device; And a general purpose interface bus (GPIB) board that functions to connect the inspection device and the second RF generator.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 검사장치는 PLL 기능을 수행하는 아날로그 반도체 소자인 것이 적합하고, 상기 제2 RF 제너레이터는 ㎓ 이상의 파형을 발생시킬 수 있는 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the present invention, it is preferable that the inspection apparatus is an analog semiconductor element that performs a PLL function, and that the second RF generator is capable of generating waveforms of ㎓ or more.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 소자의 전기적 검사방법은, ㎓ 이하의 파형을 발생시킬 수 있는 제1 RF 제너레이터가 설치된 반도체 소자의 검사장치에 상기 제1 RF 제너레이터보다 높은 주파수의 파형을 발생시킬 수 있는 제2 RF 제너레이터를 GPIB 보오드를 통해 연결하는 단계와, 상기 제2 RF 제너레이터가 추가로 연결된 검사장치에서 반도체 소자의 전기적 검사를 시작하는 단계와, 상기 검사장치에서 제2 RF 제너레이터가 필요한 때에 검사장치의 CPU가 GPIB 보오드를 통해 제2 RF 제너레이터를 제어하여 더 높은 주파수의 파형을 반도체 소자로 인가하는 단계와, 상기 제2 RF 제너레이터가 추가로 연결된 검사장치에서 반도체 소자의 전기적 검사를 끝내는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for electrically inspecting a semiconductor device, the method for inspecting a semiconductor device having a first RF generator capable of generating a waveform of ㎓ or less, having a higher frequency than that of the first RF generator. Connecting a second RF generator capable of generating a waveform through a GPIB board, starting an electrical test of a semiconductor device in a test device to which the second RF generator is further connected, and a second RF generator in the test device When the generator is needed, the CPU of the inspection apparatus controls the second RF generator through the GPIB board to apply a higher frequency waveform to the semiconductor element, and the electrical device of the semiconductor element in the inspection apparatus to which the second RF generator is further connected. And ending the inspection.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 검사장치의 CPU가 GPIB 보오드를 통해 제2 RF 제너레이터를 제어하는 방법은, 상기 CPU에서 실행하는 검사 프로그 램에서 상기 제2 RF 제너레이터를 온(on) 시키는 단계와, 상기 검사 프로그램에서 외부 서브루틴 프로그램을 불러오는 단계와, 상기 외부 서브루틴 프로그램에서 제2 RF 제너레이터를 제어하여 ㎓ 이상의 주파수를 갖는 파형을 상기 반도체 소자로 인가하면서 전기적 검사를 수행하는 단계와, 상기 검사 프로그램에서 상기 제2 RF 제너레이터를 오프(off)시키는 단계를 구비하는 것이 적합하다. According to a preferred embodiment of the present invention, a method in which the CPU of the inspection apparatus controls the second RF generator through a GPIB board includes: turning on the second RF generator in an inspection program executed by the CPU. And invoking an external subroutine program from the test program, controlling a second RF generator in the external subroutine program, and performing an electrical test while applying a waveform having a frequency greater than or equal to the semiconductor device; It is suitable to have the step of turning off the second RF generator in an inspection program.

본 발명에 따르면, 기존의 사양이 미달되는 아날로그 반도체 소자용 검사장치의 사양을 변경시켜 진보된 아날로그 반도체 소자를 전기적으로 검사할 수 있기 때문에 반도체 패키지 검사공정에서 비용을 절감할 수 있고, 제품 원가를 낮출 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the cost in the semiconductor package inspection process because it is possible to electrically inspect the advanced analog semiconductor device by changing the specification of the inspection device for the analog semiconductor device that is less than the existing specification, and reduce the product cost Can be lowered.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 아래의 상세한 설명에서 개시되는 실시예는 본 발명을 한정하려는 의미가 아니라, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게, 본 발명의 개시가 실시 가능한 형태로 완전해지도록 발명의 범주를 알려주기 위해 제공되는 것이다. 일 예로 아래의 바람직한 실시예에서는 아날로그 소자용 검사장치를 예로 설명하였지만, 이것은 믹스드 신호용 검사장치에도 적용될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments disclosed in the following detailed description are not meant to limit the present invention, but to those skilled in the art to which the present invention pertains, the disclosure of the present invention may be completed in a form that can be implemented. It is provided to inform the category. As an example, in the following preferred embodiment, the inspection device for analog devices has been described as an example, but this may be applied to the inspection device for mixed signals.

도 2는 본 발명에 의한 아날로그 반도체 소자용 검사장치를 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram for explaining an analog semiconductor device inspection apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치(100)는, 내부에 반도체 소자를 검사하는데 사용되는 파형을 발생시킬 수 있는 제1 RF 제너레이터(generator, 120)를 포함하는 반도체 소자의 검 사장치(100)와, 상기 검사장치의 외부에 설치되어 상기 검사장치로 연결되고 상기 검사장치의 제1 제너레이터보다 더 높은 주파수의 파형을 발생시킬 수 있는 제2 RF 제너레이터(150)와, 상기 검사장치와 상기 제2 RF 제너레이터를 연결하는 기능을 하는 GPIB(General Purpose Interface Bus) 보오드(160)를 구비한다.Referring to FIG. 2, an apparatus 100 for inspecting a semiconductor device capable of generating an extended frequency waveform according to the present invention includes a first RF generator capable of generating a waveform used to inspect a semiconductor device therein. A test device 100 of a semiconductor device including a 120, and a second device installed outside the test device and connected to the test device and capable of generating a waveform having a higher frequency than the first generator of the test device. An RF generator 150 is provided, and a general purpose interface bus (GPIB) board 160 having a function of connecting the test apparatus and the second RF generator.

도면에서 참조부호 130은 피검사 소자(DUT)를 가리키고, 140은 피검사소자와 검사장치(100)를 연결하는 인터페이스 보오드를 각각 가리킨다.In the drawing, reference numeral 130 denotes a device under test (DUT), and 140 denotes an interface board connecting the device under test and the test device 100.

상기 제2 RF 제너레이터(150)는 원래의 검사장치 내부(120)에 있는 제1 제너레이터(M623)보다 더 높은 고주파수, 예를 들면 1㎓ 이상인 20㎓까지의 고주파수 파형을 발생시킬 수 있는 고주파수 발생기로서 GPIB 보오드(160)를 통해 연결되어 원래의 검사장치 내부에 장착된 CPU에 의해 제어된다. The second RF generator 150 is a high frequency generator capable of generating a higher frequency waveform, for example, a high frequency waveform up to 20 Hz, which is 1 Hz or more, than the first generator M623 in the original inspection apparatus 120. It is connected via the GPIB board 160 and controlled by a CPU mounted inside the original inspection device.

이렇게 새로운 제2 RF 제너레이터(150) 및 GPIB 보오드(160)의 구입 비용은 새로운 아날로그 검사장치를 구입하는 비용과는 비교가 되지 않을 정도로 작은 비용이다. 따라서 기존의 A360 테스터에 약간의 장비, 예컨대 제2 RF 제너레이터(150)를 추가로 장착함으로써 기존의 A360 검사장치에서 검사가 불가능했던 SIM882/ SIM822/ SIM831/ SIM833/ SIM837/ SIM838과 같은 PLL 기능을 수행하는 아날로그 반도체 소자를 검사할 수 있는 검사장치로 변경이 가능하다.The purchase cost of the new second RF generator 150 and the GPIB board 160 is small compared to the cost of purchasing a new analog test apparatus. Thus, by adding some additional equipment, such as a second RF generator 150, to the existing A360 tester, it performs PLL functions such as SIM882 / SIM822 / SIM831 / SIM833 / SIM837 / SIM838, which were impossible to inspect in the existing A360 inspection apparatus. It is possible to change the inspection device to inspect the analog semiconductor device.

도 3은 본 발명에 의한 아날로그 반도체 소자용 검사장치를 이용한 검사방법을 설명하기 위해 도시한 플로차트(flowchart)이다.FIG. 3 is a flowchart for explaining an inspection method using the inspection apparatus for an analog semiconductor element according to the present invention.

도 3을 참조하면, 먼저 도2에서 설명된 것과 같이 원래의 A360 검사장치에 제2 RF 제너레이터를 GPIB 보오드를 통해 장착한다(S100). 이어서, 상기 검사장치 에서 검사 프로그램을 사용하여 아날로그 반도체 소자인 PLL 기능의 제품인 SIM882/ SIM822/ SIM831/ SIM833/ SIM837/ SIM838과 같은 제품의 전기적 검사를 시작한다.(S200), 그 후, 상기 검사 프로그램에서 서브루틴(subroutine) 프로그램을 사용하여 제2 RF 제너레이터를 제어하여 제1 RF 제너레이터보다 높은 고주파수 파형을 피검사소자(도2의 130)에 인가(S300)하여 PLL 기능의 아날로그 반도체 소자에 대한 전기적 검사를 종료(S400)한다.Referring to FIG. 3, as shown in FIG. 2, a second RF generator is mounted on an original A360 inspection apparatus through a GPIB board (S100). Subsequently, the inspection apparatus starts an electrical inspection of a product such as SIM882 / SIM822 / SIM831 / SIM833 / SIM837 / SIM838, which is a product of the PLL function, which is an analog semiconductor element, by using the inspection program (S200). The second RF generator is controlled using a subroutine program to apply a high frequency waveform higher than that of the first RF generator to the device under test (130 of FIG. The inspection ends (S400).

도 4는 본 발명에 의한 아날로그 반도체 소자용 검사장치에 사용되는 검사 프로그램의 일 예를 설명하기 위한 명령어 구문(text)이다.4 is a command text for explaining an example of a test program used in the test apparatus for an analog semiconductor device according to the present invention.

도 4를 참조하면, 도면에서 왼쪽은 PLL 기능을 수행하는 아날로그 반도체 소자에 대한 검사 프로그램의 명령어 구문(Command text)이며, 오른쪽에 이에 대한 해설(comments)을 가리킨다. 상기 명령어 구문은 파스칼(pascal) 언어 혹은 C++ 언어를 사용해서 작성될 수 있다. Referring to FIG. 4, the left side of the diagram is a command text of a test program for an analog semiconductor device performing a PLL function, and a comment on the right side thereof. The command syntax may be written using the Pascal language or the C ++ language.

이에 따라, 검사장치의 CPU(도2의 110)가 검사 프로그램을 실행시켜 제2 RF 제너레이터를 제어하는 방법을 설명하면, 먼저 ① 검사 프로그램에서 피검사소자에 대한 입력 조건을 설정한다. 이어서 ② 피검사 소자에 대한 패형 패턴을 입력한다. 그리고, ③ 외부의 서브루틴 프로그램(on.exe)을 불러와서 제2 RF 제너레이터를 on시킨다. ④ 그 후 외부 서브루틴 프로그램(2000m0dbm.exe)으로 파형 패턴을 피검사소자로 입력한다. 이때 입력되는 파형의 주파수는 약 2㎓대의 파형이다. 이러한 파형은 원래 A360 테스터 내부에 있는 M623 제1 RF 제너레이터로는 사양 미달로 발생시킬 수 없는 확장된 형태의 고주파수 파형이다. ⑤ 마지막으로 제2 RF 제너레이 터를 off 시킨다.Accordingly, the CPU (110 of FIG. 2) of the inspection apparatus executes the inspection program to control the second RF generator. First, the input condition for the device under test is set in the inspection program. Subsequently, ② enters the pattern of the device under test. Then, ③ call the external subroutine program (on.exe) to turn on the second RF generator. ④ After that, input the waveform pattern to the device under test with the external subroutine program (2000m0dbm.exe). At this time, the frequency of the input waveform is about 2 kHz waveform. These waveforms are extended high frequency waveforms that cannot be generated by the M623 first RF generator inside the A360 tester. ⑤ Finally, turn off the second RF generator.

이렇게 A360 검사장치와 같은 비교적 오래된 모델의 검사장치를 개조하여 추가로 제2 RF 제너레이터를 장착하여 믹스드 시그널 소자 혹은 아날로그 반도체 소자를 검사함으로 말미암아, RF 검사에 대한 기술력을 향상시킬 수 있다.By modifying a relatively old model inspection device such as the A360 inspection device, an additional second RF generator may be used to inspect mixed signal devices or analog semiconductor devices, thereby improving the technology of RF inspection.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical spirit to which the present invention belongs.

따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 기존의 사양이 미달되는 아날로그 반도체 소자용 검사장치의 사양을 변경시켜 진보된 아날로그 반도체 소자를 전기적으로 검사할 수 있기 때문에 반도체 패키지 검사공정에서 비용을 절감할 수 있고, 제품 원가를 낮출 수 있다.Therefore, according to the present invention described above, it is possible to reduce the cost in the semiconductor package inspection process because it is possible to electrically inspect the advanced analog semiconductor device by changing the specification of the inspection device for an analog semiconductor device that is less than the existing specification. This can lower the cost of the product.

Claims (8)

내부에 반도체 소자를 검사하는데 사용되는 파형을 발생시킬 수 있는 제1 RF 제너레이터를 포함하는 반도체 소자의 검사장치(ATE);An inspection device (ATE) for a semiconductor device including a first RF generator capable of generating a waveform used to inspect the semiconductor device therein; 상기 검사장치의 외부에 설치되어 상기 검사장치로 연결되고 상기 검사장치의 제1 제너레이터보다 더 높은 주파수의 파형을 발생시킬 수 있는 제2 RF 제너레이터; 및A second RF generator installed outside the inspection apparatus and connected to the inspection apparatus and capable of generating a waveform having a higher frequency than the first generator of the inspection apparatus; And 상기 검사장치와 상기 제2 RF 제너레이터를 연결하는 기능을 하는 GPIB 보오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소 자의 검사장치.And a GPIB board functioning to connect the inspection device and the second RF generator. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 검사장치는 아날로그 반도체 소자를 검사하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치.And said inspection device is used to inspect an analog semiconductor device. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 아날로그 반도체 소자는 PLL(Phase Lock Loop) 기능을 수행하는 아날로그 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치.The analog semiconductor device is an inspection device for a semiconductor device capable of producing an extended frequency waveform, characterized in that the analog semiconductor device performing a phase lock loop (PLL) function. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 RF 제너레이터는 ㎓ 이상의 파형을 발생시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 확장된 주파수 파형을 만들 수 있는 반도체 소자의 검사장치.And the second RF generator is capable of generating a waveform of more than a frequency. ㎓ 이하의 파형을 발생시킬 수 있는 제1 RF 제너레이터가 설치된 반도체 소자의 검사장치에 상기 제1 RF 제너레이터보다 높은 주파수의 파형을 발생시킬 수 있는 제2 RF 제너레이터를 GPIB 보오드를 통해 연결하는 단계;Connecting a second RF generator capable of generating a waveform having a higher frequency than the first RF generator through a GPIB board to an inspection device of a semiconductor device having a first RF generator capable of generating a waveform less than or equal to; 상기 제2 RF 제너레이터가 추가로 연결된 검사장치에서 반도체 소자의 전기적 검사를 시작하는 단계;Starting electrical inspection of a semiconductor device in a test device to which the second RF generator is further connected; 상기 검사장치에서 제2 RF 제너레이터가 필요한 때에 검사장치의 CPU가 GPIB 보오드를 통해 제2 RF 제너레이터를 제어하여 더 높은 주파수의 파형을 반도체 소자로 인가하는 단계;When the inspection apparatus requires a second RF generator, controlling the second RF generator through a GPIB board by the CPU of the inspection apparatus to apply a higher frequency waveform to the semiconductor device; 상기 제2 RF 제너레이터가 추가로 연결된 검사장치에서 반도체 소자의 전기적 검사를 끝내는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 검사방법.And ending the electrical inspection of the semiconductor device in the inspection device to which the second RF generator is further connected. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 반도체 소자는 아날로그 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 검사방법.The semiconductor device is an electrical inspection method of a semiconductor device, characterized in that the analog semiconductor device. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 아날로그 소자는 PLL 기능을 수행하는 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 검사방법.And the analog device is a semiconductor device performing a PLL function. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 검사장치의 CPU가 GPIB 보오드를 통해 제2 RF 제너레이터를 제어하는 방법은, The method of the CPU of the inspection apparatus to control the second RF generator through a GPIB board, 상기 CPU에서 실행하는 검사 프로그램에서 상기 제2 RF 제너레이터를 온(on) 시키는 단계;Turning on the second RF generator in a test program running in the CPU; 상기 검사 프로그램에서 외부 서브루틴 프로그램을 불러오는 단계;Loading an external subroutine program in the test program; 상기 외부 서브루틴 프로그램에서 제2 RF 제너레이터를 제어하여 ㎓ 이상의 주파수를 갖는 파형을 상기 반도체 소자로 인가하면서 전기적 검사를 수행하는 단계; 및Controlling the second RF generator in the external subroutine program to perform an electrical inspection while applying a waveform having a frequency higher than or equal to the semiconductor device; And 상기 검사 프로그램에서 상기 제2 RF 제너레이터를 오프(off)시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전기적 검사방법.Turning off the second RF generator in the inspection program.
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