KR20060010459A - 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 액티브영역 및 상기 액티브영역의 중앙부위 및 에지부위에 각각 형성된 필드영역이 구비된 반도체기판과,상기 기판의 필드영역에 형성된 소자분리막 및 상기 액티브영역의 소정부위에 형성된 웰과,상기 기판 위에 크로스 형태로 형성되어, 4개의 독립적인 채널을 가진 게이트전극과,상기 게이트전극 양측 하부 기판에 각각의 형성된 소오스 및 드레인을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서, 상기 액티브영역은 8각형 형태를 가진 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서, 상기 게이트전극은 액티브영역의 에지부위까지 확장된 형태로 배열되되, 상기 액티브영역의 중앙부위에 해당되는 필드영역에도 배열된 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제 1항에 있어서, 상기 게이트전극, 소오스 및 드레인과 각각 연결된 배선이 추가된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 액티브영역 및 상기 액티브영역의 중앙부위 및 에지부위에 각각 형성된 필드영역이 구비된 반도체기판을 형성하는 단계와,상기 기판의 필드영역에 소자분리막을 형성하고 나서, 상기 액티브영역의 소정부위에 웰을 형성하는 단계와,상기 웰을 포함한 기판 위에 크로스로 배열되도록 게이트전극을 형성하여 4개의 독립적인 채널을 가지도록 하는 단계와,상기 게이트전극 양측 하부 기판에 각각의 소오스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 액티브영역은 8각형 형태로 제작하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 게이트전극은 액티브영역의 에지부위까지 확장된 형태로 형성하되, 상기 액티브영역의 중앙부위에 해당되는 필드영역에도 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인을 형성한 후, 상기 게이트전극, 소오스 및 드레인에 각각 연결되도록 배선을 형성하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
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