KR20060005369A - 프릿으로 기밀 밀봉된 유리 패키지 및 이의 제조방법 - Google Patents
프릿으로 기밀 밀봉된 유리 패키지 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Abstract
Description
혼합제 # | 혼합제 구성(wt.%) | 조성(mole%) | ||
유리 프릿 | 충전재 | 유리 프릿 | 충전재 | |
5801 | (80%) (평균 입자 크기 = 15 - 20 ㎛) | (80%) (평균 입자 크기 = 15-20 ㎛) | TiO2 20 P2O5 30 V2O5 50 | LiO2 25 Al2O3 25 SiO2 50 |
5817 | (80%) (평균 입자 크기 = 15 - 20 ㎛) | (80%) (평균 입자 크기 = 15-20 ㎛) | FeO3 12.5 P2O5 35 V2O5 52.5 | Li2O 25 Al2O3 25 SiO2 50 |
5913 | (80%) (평균 입자 크기 = 15 - 20 ㎛) | (80%) (평균 입자 크기 = 15-20 ㎛) | ZnO 20 P2O5 30 V2O5 50 | LiO2 25 AlO3 25 SiO2 50 |
SZP | RZP | V-phos | PB | RZP+V, PbO | |
기술 | Sn-Zn-인산염 | 혼합된 알카리-Zn- 인산염 | 바나듐 인삼염 | Pb-보레이트 | 혼합된 알카리-Zn-인삼염+V, 및 Pb |
일반적인 조성 (mole.%) | 60% SnO 32% P2O5 6% ZnO 2% B2O3 | 45% ZnO 33% P2O5 20% R2O 2% Al2O3 | 50% V2O5 30% P2O5 20% ZnO | 62% PbO 34% B2O3 3% SiO2 1% Al2O3 | 30% P2O5 23% ZnO 20% R2O 15% PbO 10% V2O5 2% Al2O3 |
일반적인 Tg (℃) | 300° | 325° | 300° | 350° | 310° |
37 CTE 유리용 로 밀봉 온도 (℃) | 475-500° | 500-550° | 425-450° | 500-550° | 500-550° |
일반적인 CTE (10-7/℃) | 110 | 130 | 70 | 130 | 140 |
긍정적인 특성 | 낮은 Tg, 우수한 내구성 | 우수한 접착력 | 낮은 Tg, 낮은 CTE, 우수한 접착력 | 우수한 접착력 | 우수한 접착력 |
부정적인 특성 | 전환 충전재 + IR 흡광기를 필요로 함, 접착력 약함. | 전환 충전재 + IR 흡광기 ; 높은 로 밀봉 온도를 필요로 함. | 부가 충전재 필요로함. | 전환 충전재 + IR 흡광기 ; 높은 로 밀봉 온도를 필요로 함. | 전환 충전재 + IR 흡광기 ; 높은 로 밀봉 온도를 필요로 함. |
바나듐 프릿(106) | |
K2O | 0-10 |
Fe2O3 | 0-20 |
Sb2O3 | 0-20 |
ZnO | 0-20 |
P2O5 | 20-40 |
V2O5 | 30-60 |
TiO2 | 0-20 |
Al2O3 | 0-5 |
B2O3 | 0-5 |
WO3 | 0-5 |
Bi2O3 | 0-5 |
바람직한 바나듐 프릿(106) | |
Sb2O3 | 7.4 |
ZnO | 17.6 |
P2O5 | 26.5 |
V2O5 | 46.6 |
TiO2 | 1.0 |
Al2O3 | 1.0 |
더욱 바람직한 바나듐 프릿(106) | |
K2O | 0-10 |
Fe2O3 | 0-20 |
Sb2O3 | 0-40 |
P2O5 | 20-40 |
V2O5 | 30-60 |
TiO2 | 0-20 |
Al2O3 | 0-5 |
B2O3 | 0-5 |
WO3 | 0-5 |
Bi2O3 | 0-5 |
Claims (15)
- 첫번째 기판 플레이트;적어도 하나의 유기 발광 다이오드(diode);두번째 기판 플레이트; 및적어도 하나의 전이 금속 및 열팽창계수(CTE)를 낮추는 충전재(filler)로 도핑된 유리로 제조된 프릿을 포함하고, 여기서 상기 프릿이 연화하여 상기 첫번째 기판 플레이트를 상기 두번째 기판 플레이트에 연결하고 또한 상기 첫번째 기판 플레이트와 상기 두번째 기판 플레이트 사이에 위치한 상기 적어도 하나의 유기 발광 다이오드를 보호하는 기밀(hermetin) 밀봉을 형성하도록 하는 방법으로 방사선 소스에 의해 상기 프릿이 가열됨을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디스플레이.
- 제1항에 있어서, 상기 충전재는 전환(inversion) 충전재인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 충전재는 부가 충전재인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 프릿은 철(iron), 구리(copper), 바나듐(vanadium), 및 네오디뮴(neodymium)을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 또는 그이상의 흡수 이온을 함유하는 저온 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 CTE 낮추는 충전재를 배제한 상기 프릿은 하기의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스:K2O (0-10 몰%)Fe2O3 (0-20 몰%)Sb2O3 (0-40 몰%)P2O5 (20-40 몰%)V2O5 (30-60 몰%)TiO2 (0-20 몰%)Al2O3 (0-5 몰%)B2O3 (0-5 몰%)WO3 (0-5 몰%)Bi2O3 (0-5 몰%).
- 첫번째 기판 플레이트를 제공하는 단계;두번째 기판 플레이트를 제공하는 단계;상기 기판 플레이트 상에 적어도 하나의 전이 금속 및 열팽창계수(CTE) 낮추는 충전재로 도핑된 유리로 제조된 프릿을 증착시키는 단계; 및상기 기판 플레이트의 하나 상에 적어도 하나의 유기 발광 다이오드를 증착시키는 단계; 및상기 프릿이 연화하여 상기 첫번째 기판 플레이트를 상기 두번째 기판 플레이트에 연결하고 또한 상기 적어도 하나의 유기 발광 다이오드를 보호하는 기밀 밀봉을 형성하도록 하는 방법으로 상기 프릿을 가열 및 냉각시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스를 제조하기 위한 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 프릿을 가열하는 레이저 빔을 방출하기 위해 레이저를 사용하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 프릿은 적외선 영역 안에서 강화된 흡수 특성을 가지며, 상기 레이저 빔은 상기 첫번째 및 두번째 기판 플레이트의 각각에 의해 흡수된 열에너지에 비해 상기 레이저 빔이 상기 프릿과 작용할 때 실질적으로 더 많은 열 에너지가 상기 레이저 빔으로부터 상기 프릿에 의해 흡수되도록 적외선 영역에서 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 프릿을 가열하는 광(light)을 방출하기 위해 적외선 램프를 사용하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 프릿은 적외선 영역 안에서 강화된 흡수 특성을 가지며, 상기 광은 상기 첫번째 및 두번째 기판 플레이트의 각각에 의해 흡수된 열에너지에 비해 상기 광이 상기 프릿과 작용할 때 실질적으로 더 많은 열 에너지가 상기 광으로부터 상기 프릿에 의해 흡수되도록 적외선 영역에서 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 충전재는 전환 충전재 또는 부가 충전재인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 프릿은 철, 구리, 바나듐, 및 네오디뮴을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 또는 그이상의 흡수 이온을 함유하는 저온 유리 프릿인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 CTE 낮추는 충전재를 배제한 상기 프릿은 하기의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 방법:K2O (0-10 몰%)Fe2O3 (0-20 몰%)Sb2O3 (0-40 몰%)P2O5 (20-40 몰%)V2O5 (30-60 몰%)TiO2 (0-20 몰%)Al2O3 (0-5 몰%)B2O3 (0-5 몰%)WO3 (0-5 몰%)Bi2O3 (0-5 몰%).
- 첫번째 유리 플레이트;두번째 유리 플레이트; 및적어도 하나의 전이 금속 및 열팽창계수(CTE)를 낮추는 충전재로 도핑된 유리로 제조된 프릿을 포함하며, 여기서 상기 프릿이 융해하여 상기 첫번째 유리 플레이트를 상기 두번째 유리 플레이트에 연결하는 기밀 밀봉을 형성하도록 하는 방법으로 방사선 소스에 의해 상기 프릿이 가열되고, 상기 CTE 낮추는 충전재를 배제 한 상기 프릿은 하기의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유리 패키지:K2O (0-10 몰%)Fe2O3 (0-20 몰%)Sb2O3 (0-40 몰%)P2O5 (20-40 몰%)V2O5 (30-60 몰%)TiO2 (0-20 몰%)Al2O3 (0-5 몰%)B2O3 (0-5 몰%)WO3 (0-5 몰%)Bi2O3 (0-5 몰%).
- 제14항에 있어서, 상기 충전재는 전환 충전재 또는 부가 충전재인 것을 특징으로 하는 유리 패키지.
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