KR20060002191A - 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치 - Google Patents

화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 기판의 연마 속도의 균일성을 향상시켜 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과적으로 확보할 수 있는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적 기계적 연마 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브, 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀 및 슬러리 홀이 형성되는 셀에 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 본 발명의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 포함한다.
화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP), 연마 패드, 슬러리

Description

화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적 기계적 연마 장치{Polishing pad for chemical mechanical polishing and apparatus using the same}
도 1은 종래의 반도체 기판의 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드가 적용되는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치의 개략적 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예의 변형 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ’ 선에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
main: 메인 그루브
S_H1 내지 S_H9: 슬러리 홀
Major61: 제 1 메이저 그루브
Major62: 제 2 메이저 그루브
Cell_1 내지 Cell_9: 셀
Minor61, Minor62: 마이너 그루브
link61, link62: 연결 그루브
본 발명은 반도체 기판의 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판의 연마 속도(removal rate)의 균일성(uniformity)을 향상시켜 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과적으로 확보할 수 있는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)용 연마 패드 및 이를 이용하는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
최근에 정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체가 널리 보급됨에 따라 반도체 소자(예를 들면, Dynamic Random Access Memory; DRAM)는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 보유하도록 요구되어 반도체 소자의 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 소자의 제조 기술이 발전되고 있다.
이에 따라 반도체 소자의 고집적화, 미세화 및 배선 구조의 다층화로 인하여 반도체 소자가 형성되는 반도체 기판의 표면에 단차가 증가하게 되었다. 이러한 반도체 기판의 표면 단차를 평탄화하기 위해서 SOG(Spin On Glass), 에치백(etch back), 리플로우 등의 평탄화 방법이 개발되어 반도체 소자의 제조 공정에 이용되어 왔지만, 반도체 기판의 표면의 글로벌 평탄화(global planarization)를 수행하기 위해서 화학적 기계적 연마 방법이 개발되었다.
도 1을 참조하여 종래의 화학적 기계적 연마용 연마 패드에 대해서 설명한다. 도 1에 도시된 것처럼, 종래의 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 상면에는 그루브(1)와 슬러리 홀(3)이 형성되어 있으며, 슬러리 홀(3)을 통해서 피연마체(예를 들면 반도체 기판)를 연마하는 슬러리가 제공되면 그루브(1)를 통해서 슬러리가 유동된다. 그리고 화학적 기계적 연마 공정 중에 연마 패드가 회전함에 따라 원심력에 의해 연마 패드의 바깥쪽으로 빠져나가는 현상이 발생한다. 따라서 연마 패드의 위치에 따라 슬러리가 불균일하게 분포한다. 이러한 슬러리의 불균일한 분포로 인해서 반도체 기판의 연마 속도는 그 위치에 따라 달라지게 된다. 예컨대, 반도체 기판의 중심과 반도체 기판의 가장자리부에서의 연마 속도의 차이가 매우 크게 난다. 이러한 연마 속도의 불균일은 결국 반도체 기판의 평탄도에 영향을 끼치게 되어, 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 확보하는 것이 어렵다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 기판의 연마 속도(removal rate)의 균일성(uniformity)을 향상시켜 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과 적으로 확보할 수 있는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)용 연마 패드를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 연마 패드를 이용하는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 폐곡선의 형상으로 형성되는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브, 상기 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀 및 상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 폐곡선의 형상으로 형성되는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브, 상기 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀, 상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브 및 상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되고, 폐곡선 형상으로 형성되며, 상기 제 1 메이저 그루브에 연결되어 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 마이너 그루브를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 본 발명의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드가 적용되는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치를 설명한다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드가 적용되는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치의 개략적 구성도이다.
본 발명의 실시예들에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드가 적용되는 반 도체 기판의 화학적 기계적 연마 장치는 도 2에 도시된 것처럼, 플래튼(110), 연마 패드(130), 패드 컨디셔너(140), 연마 헤드(120) 및 슬러리 공급부(150)를 포함한다. 여기에서 플래튼(110)에는 연마 패드(130)가 부착되며, 슬러리 공급부(150)는 슬러리 공급 유로(170)를 통해서 슬러리를 제공하고, 이렇게 제공되는 슬러리는 연마 패드(130)에 형성되어 있는 슬러리 홀(180)로 슬러리가 전달되어 반도체 기판(10)을 연마한다. 그리고 연마 헤드(120)는 화학적 기계적 연마 공정(Chemical Mechanical Polishing; CMP)이 수행되는 동안 반도체 기판(10)의 연마면(10a)이 연마 패드(130)와 마주보도록 반도체 기판(10)을 파지하고 반도체 기판(10)의 연마면(10a)과 연마 패드(130)를 접촉시킨다. 그리고 패드 컨디셔너(140)는 연마 패드(130)의 마모와 오염을 줄이고, 안정적인 화학적 기계적 연마 공정을 수행하도록 물리적 힘을 가해 연마 패드(130)의 상태를 복원시킨다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 상면에는 도 3에 도시된 것처럼, 다수의 셀들(Cell_1 내지 Cell_9), 메인 그루브(main), 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9) 및 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)가 형성되어 있다. 여기에서 다수의 셀들(Cell_1 내지 Cell_9)은 사각형의 형상으로 형성되어 있으며, 메인 그루브(main)는 이러한 다수의 셀들(Cell_1 내지 Cell_9)의 외주에 형성되어 있고, 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)은 이러한 다수의 셀들(Cell_1 내지 Cell_9) 중에 적어도 하나의 셀(Cell_1 내지 Cell_9)에 형성되어, 피연마체(예를 들면, 반도체 기판)를 연마하는 슬러리가 제공된다. 그리고 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)는 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)이 형성되어 있는 셀(Cell_1 내지 Cell_9)에 메인 그루브(main)와 연결되지 않도록 형성되어 있으며, 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)을 통해서 제공되는 슬러리가 전달된다. 그럼으로써 연마 패드가 회전함에 따라 이러한 슬러리가 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)의 외부로 유동된다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)를 포함함으로써 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)을 통하여 슬러리가 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)에 전달된 후에 연마 패드가 회전하더라도 원심력에 의해서 연마 패드의 바깥쪽으로 배출되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)는 메인 그루브(main)와 연결되지 않도록 형성되어 있기 때문에 연마 패드의 바깥쪽으로 갈수록 원심력이 커지더라도 셀(Cell_1 내지 Cell_9)의 위치에 관계없이 슬러리가 셀(Cell_1 내지 Cell_9)의 외부로 유동되는 슬러리의 양을 균일하게 조절할 수 있다. 따라서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 연마 패드의 위치에 관계없이 슬러리의 분포가 균일하게 되므로, 연마 속도의 균일성이 향상되어 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과적으로 확보할 수 있다.
제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)는 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)에 대해서 대칭적으로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 슬러리의 분포의 균일성 을 효과적으로 확보할 수 있다.
슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)이 다수의 셀(Cell_1 내지 Cell_9) 중 2 개 이상의 셀(Cell_1 내지 Cell_9)들에 각각 형성되는 경우에는 다수의 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)들이 형성되는 각 셀(Cell_1 내지 Cell_9)들에 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)가 형성된다. 이 때 다수의 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)들은 반드시 동일한 길이(L1)로 형성될 필요는 없으며, 수행되는 공정의 종류(예를 들면, Damascene 공정 또는 Shallow Trench Isolation 공정)나 공정의 규격(specification)에 따라서 달리 형성될 수 있다. 이러한 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)는 그 길이(L1)를 증가시킴으로써 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)에 의해서 유동시킬 수 있는 슬러리의 양을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)이 형성되는 셀(Cell_1 내지 Cell_9)에 메인 그루브(main)와 연결되지 않도록 형성되고 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)와 겹치지 않도록 형성되며, 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)를 더 포함할 수 있다. 그럼으로써 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)을 통하여 슬러리가 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91) 및 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)에 전달된 후에 연마 패드가 회전하더라도 원심력에 의해서 연마 패드의 바깥쪽으로 배출되는 것을 보다 더 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)도 메인 그 루브(main)와 연결되지 않도록 형성되어 있기 때문에 연마 패드의 바깥쪽으로 갈수록 원심력이 커지더라도 셀(Cell_1 내지 Cell_9)의 위치에 관계없이 슬러리가 셀(Cell_1 내지 Cell_9)의 외부로 유동되는 슬러리의 양을 보다 더 균일하게 조절할 수 있다.
제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)도 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)에 대해서 대칭적으로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 상술한 것처럼, 슬러리의 분포의 균일성을 효과적으로 확보할 수 있다.
그리고 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)는 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)와 수직으로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 슬러리의 분포의 균일성을 더욱 더 효과적으로 확보할 수 있다.
슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)이 다수의 셀(Cell_1 내지 Cell_9) 중 2 개 이상의 셀(Cell_1 내지 Cell_9)들에 각각 형성되는 경우에는 다수의 슬러리 홀(S_H1 내지 S_H9)들이 형성되는 각 셀(Cell_1 내지 Cell_9)들에 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)가 형성된다. 이 때 다수의 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)들도 다수의 제 1 메이저 그루브(Major11 내지 Major91)처럼, 반드시 동일한 길이(L2)로 형성될 필요는 없으며, 수행되는 공정의 종류(예를 들면, Damascene 공정 또는 Shallow Trench Isolation 공정)나 공정의 규격(specification)에 따라서 달리 형성될 수 있다. 이러한 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)도 그 길이(L2)를 증가시킴으로써 제 2 메이저 그루브(Major12 내지 Major92)에 의해서 유동시킬 수 있는 슬러리의 양을 증가시킬 수 있다.
도 4를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예의 변형 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시예의 변형 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 다수의 셀(Cell_10 내지 Cell_50)들의 형상은 반드시 사각형의 형상일 필요는 없으며, 도 4에 도시된처럼, 동심원을 형성하는 형상으로도 구성될 수 있고, 그외의 마름모 형상이나 오각형 형상 등의 폐곡선 형상으로 구성될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다. 도 6은 도 5의 Ⅵ-Ⅵ’ 선에 따른 단면도이다. 도 5 및 도 6에서는 제 6 셀(Cell_6)만을 예시적으로 도시하였으며, 제 6 셀(Cell_6)과 동일한 구조가 나머지 셀들(Cell_1 내지 Cell_5, Cell_7 내지 Cell_9)에도 구현될 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 상면에는 도 5에 도시된 것처럼, 셀(Cell_6), 메인 그루브(main), 슬러리 홀(S_H6), 제 1 메이저 그루브(Major61) 및 마이너 그루브(Minor61, Minor62)가 형성되어 있다. 여기에서 셀(Cell_6)은 상술한 것처럼, 사각형의 형상으로 형성되어 있으며, 메인 그루브(main)는 이러한 셀(Cell_6)의 외주에 형성되어 있다. 슬러리 홀(S_H6)은 셀(Cell_6)에 형성되어, 피연마체(예를 들면, 반도체 기판)를 연마하는 슬러리가 제공된다. 그리고 제 1 메이저 그루브(Major61)는 슬러리 홀(S_H6)이 형성되어 있는 셀(Cell_6)에 메인 그루브(main)와 연결되지 않도록 형성되어 있으며, 슬러리 홀(S_H6)을 통해서 제공되는 슬러리가 전달된다. 그리고 마이너 그루브(Minor61, Minor62)는 슬러리 홀(S_H6)이 형성되는 셀(Cell_6)에 메인 그루브(main)와 연결되지 않도록 형성되고, 폐곡선 형상으로 형성된다. 이러한 마이너 그루브(Minor61, Minor62)는 반드시 사각형의 형상으로 형성될 필요는 없으며, 마름모 형상이나 원 형상 등의 폐곡선 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에는 제 1 메이저 그루브(Major61)에 연결되어 슬러리 홀(S_H6)을 통해서 제공되는 슬러리가 전달된다. 그럼으로써 연마 패드가 회전함에 따라 이러한 슬러리가 제 1 메이저 그루브(Major61)와 마이너 그루브(Minor61, Minor62)의 외부로 유동된다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드 중 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드와 동일한 점에 대해서 설명을 생략하고, 상이한 점에 대해서 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 마이너 그루브(Minor61, Minor62)를 더 포함함으로써 슬러리 홀(S_H6)을 통하여 슬러리가 제 1 메이저 그루브(Major61) 및 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에 전달된 후에 연마 패드가 회전하더라도 원심력에 의해서 연마 패드의 바깥쪽으로 배출되는 것을 보다 더 효과적으로 억제할 수 있다.
슬러리 홀(S_H6)은 마이너 그루브(Minor61, Minor62)의 내부에 형성되는 것 이 바람직하다. 그럼으로써 슬러리의 분포의 균일성을 효과적으로 확보할 수 있다.
마이너 그루브(Minor61, Minor62)는 제 1 메이저 그루브(Major61)에 대해서 대칭적으로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 또한 슬러리의 분포의 균일성을 보다 더 효과적으로 확보할 수 있다. 그리고 마이너 그루브(Minor61, Minor62)는 다수로 형성되며, 겹치지 않도록 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 슬러리 홀(S_H6)을 통하여 슬러리가 제 1 메이저 그루브(Major61) 및 다수의 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에 전달된 후에 연마 패드가 회전하더라도 원심력에 의해서 연마 패드의 바깥쪽으로 배출되는 것을 더욱 더 효과적으로 억제할 수 있다.
마이너 그루브(Minor61, Minor62)의 폭(w1, w2)은 제 1 메이저 그루브(Major61)의 폭(W1)보다 작게 형성되며, 마이너 그루브(Minor61, Minor62)의 폭(w1, w2)과 제 1 메이저 그루브(Major61)의 폭(W1)의 비(w1/W1, w2/W1)는 0.1 ∼ 1 정도로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에 의해서 유동시킬 수 있는 슬러리의 양을 미세하게 조절할 수 있다.
마이너 그루브(Minor61, Minor62)의 깊이(d1, d2)는 제 1 메이저 그루브(Major61)의 깊이(D1)보다 작게 형성되며, 마이너 그루브(Minor61, Minor62)의 깊이(d1, d2)와 제 1 메이저 그루브(Major61)의 깊이(D1)의 비(d1/D1, d2/D1)는 0.1 ∼ 1 정도로 형성되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 상술한 것처럼, 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에 의해서 유동시킬 수 있는 슬러리의 양을 미세하게 조절할 수 있다.
도 7을 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 설명한다. 도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드의 평면도이다. 도 7에서는 제 6 셀(Cell_6)만을 예시적으로 도시하였으며, 제 6 셀(Cell_6)과 동일한 구조가 나머지 셀들(Cell_1 내지 Cell_5, Cell_7 내지 Cell_9)에도 구현될 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 슬러리 홀(S_H6)이 형성되는 셀(Cell_6)에 메인 그루브(main)와 마이너 그루브(Minor61, Minor62)가 연결되도록 형성되는 연결 그루브(link61, link62)를 적어도 하나 더 포함한다. 그럼으로써 연결 그루브(link61, link62)를 통해서 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에 전달되는 슬러리를 효율적으로 유동시킬 수 있으므로, 화학적 기계적 연마 공정을 완료한 후에 제 1 메이저 그루브(Major61), 제 2 메이저 그루브(Major62) 또는 마이너 그루브(Minor61, Minor62)에 잔류되는 슬러리의 양을 효과적으로 억제할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 반도체 기판의 연마 속도(removal rate)의 균일성(uniformity)을 향상시켜 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과적으로 확보할 수 있다.

Claims (27)

  1. 폐곡선의 형상으로 형성되는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브;
    상기 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀; 및
    상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 메이저 그루브는 상기 슬러리 홀에 대해서 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 1 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 1 메이저 그루브들이 동일한 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 1 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 1 메이저 그루브들이 다른 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되고 상기 제 1 메이저 그루브와 겹치지 않도록 형성되며, 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 2 메이저 그루브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제 2 메이저 그루브는 상기 슬러리 홀에 대해서 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제 2 메이저 그루브는 상기 제 1 메이저 그루브와 수직으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 2 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 2 메이저 그루브들이 동일한 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 2 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 2 메이저 그루브들이 다른 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  10. 폐곡선의 형상으로 형성되는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브;
    상기 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀;
    상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브; 및
    상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되고, 폐곡선 형상으로 형성되며, 상기 제 1 메이저 그루브에 연결되어 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 마이너 그루브를 포함하는 것을 특징 으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 슬러리 홀은 상기 마이너 그루브의 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제 1 메이저 그루브는 상기 슬러리 홀에 대해서 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 1 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 1 메이저 그루브들이 동일한 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 1 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 1 메이저 그루브들이 다른 길이로 형성되는 것을 특징으 로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되고 상기 제 1 메이저 그루브와 겹치지 않도록 형성되며, 상기 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 2 메이저 그루브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제 2 메이저 그루브는 상기 슬러리 홀에 대해서 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제 2 메이저 그루브는 상기 제 1 메이저 그루브와 수직으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 2 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 2 메이저 그루브들이 동일한 길이로 형성되는 것을 특징 으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 상기 다수의 셀 중 2 개 이상의 셀들에 각각 형성되는 경우에 상기 다수의 슬러리 홀들이 형성되는 각 셀들에 상기 제 2 메이저 그루브가 형성되며, 상기 다수의 제 2 메이저 그루브들이 다른 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  20. 제10항에 있어서,
    상기 마이너 그루브는 상기 제 1 메이저 그루브에 대해서 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  21. 제10항에 있어서,
    상기 마이너 그루브는 다수로 형성되며, 겹치지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  22. 제10항에 있어서,
    상기 마이너 그루브의 폭은 상기 제 1 메이저 그루브의 폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 마이너 그루브의 폭과 상기 제 1 메이저 그루브의 폭의 비는 0.1 ∼ 1인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  24. 제10항에 있어서,
    상기 마이너 그루브의 깊이는 상기 제 1 메이저 그루브의 깊이보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 마이너 그루브의 깊이와 상기 제 1 메이저 그루브의 깊이의 비는 0.1 ∼ 1인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  26. 제10항에 있어서,
    상기 슬러리 홀이 형성되는 셀에 상기 메인 그루브와 상기 마이너 그루브가 연결되도록 형성되는 연결 그루브를 적어도 하나 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 연마 패드.
  27. 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013162950A1 (en) * 2012-04-28 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-chemical mechanical planarization of buffing module
WO2017139236A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-17 Applied Materials, Inc Systems, apparatus, and methods for chemical polishing

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2409956B (en) * 2004-09-01 2005-12-07 Ace Records Ltd Audio watermarking
US20080135892A1 (en) * 2006-07-25 2008-06-12 Paul Finnie Carbon nanotube field effect transistor and method of making thereof
JP5009101B2 (ja) * 2006-10-06 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
DE102008062097A1 (de) * 2008-12-16 2010-06-17 Schneider Gmbh & Co. Kg Polierkopf zum zonalen Bearbeiten von optischen Brillenflächen
US20110039485A1 (en) * 2009-06-19 2011-02-17 Benner Stephen J Apertured Abrasive Disk Assembly With Improved Flow Dynamics
TWI535527B (zh) * 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
KR101232787B1 (ko) 2010-08-18 2013-02-13 주식회사 엘지화학 연마 시스템용 연마 패드
TWI492818B (zh) * 2011-07-12 2015-07-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊、研磨方法以及研磨系統
GB201307480D0 (en) * 2013-04-25 2013-06-12 Element Six Ltd Post-synthesis processing of diamond and related super-hard materials
TWM475334U (en) * 2013-06-07 2014-04-01 Iv Technologies Co Ltd Polishing pad
GB201321899D0 (en) * 2013-12-11 2014-01-22 Element Six Ltd Post-synthesis processing of diamond and related super-hard materials
US10857648B2 (en) * 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Trapezoidal CMP groove pattern
US10586708B2 (en) 2017-06-14 2020-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Uniform CMP polishing method
US10777418B2 (en) * 2017-06-14 2020-09-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I Biased pulse CMP groove pattern
US10861702B2 (en) * 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Controlled residence CMP polishing method
US10857647B2 (en) * 2017-06-14 2020-12-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings High-rate CMP polishing method
US11717936B2 (en) * 2018-09-14 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Methods for a web-based CMP system
KR102656242B1 (ko) * 2019-04-16 2024-04-09 주식회사 엘지화학 화학기계연마용 연마패드

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037367A (en) * 1975-12-22 1977-07-26 Kruse James A Grinding tool
JP3042593B2 (ja) * 1995-10-25 2000-05-15 日本電気株式会社 研磨パッド
JPH1015823A (ja) 1996-07-04 1998-01-20 Canon Inc 化学機械研磨装置における研磨スラリー供給方法および装置
JPH10277921A (ja) 1997-04-07 1998-10-20 Chiyoda Kk 研磨布
JP2000033553A (ja) 1998-05-11 2000-02-02 Sony Corp 研磨パッドおよび研磨方法
JP2000000755A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Sony Corp 研磨パッド及び研磨方法
US6346032B1 (en) * 1999-09-30 2002-02-12 Vlsi Technology, Inc. Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad
JP2002246343A (ja) 2001-02-13 2002-08-30 Nikon Corp 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス
JP4087581B2 (ja) * 2001-06-06 2008-05-21 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR100646702B1 (ko) 2001-08-16 2006-11-17 에스케이씨 주식회사 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드
JP3878016B2 (ja) * 2001-12-28 2007-02-07 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
US7040957B2 (en) * 2002-08-14 2006-05-09 Novellus Systems Inc. Platen and manifold for polishing workpieces
JP2004140178A (ja) 2002-10-17 2004-05-13 Renesas Technology Corp 化学的機械研磨装置
US20040242121A1 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Kazuto Hirokawa Substrate polishing apparatus
US6918824B2 (en) * 2003-09-25 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform fluid distribution and exhaust system for a chemical-mechanical planarization device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013162950A1 (en) * 2012-04-28 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-chemical mechanical planarization of buffing module
US8968055B2 (en) 2012-04-28 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-chemical mechanical planarization buffing module
WO2017139236A1 (en) * 2016-02-08 2017-08-17 Applied Materials, Inc Systems, apparatus, and methods for chemical polishing
US10399205B2 (en) 2016-02-08 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for chemical polishing

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