KR20060001434A

KR20060001434A - Electron emission device

Info

Publication number: KR20060001434A
Application number: KR1020040050558A
Authority: KR
Inventors: 류경선; 이창수
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-06-30
Filing date: 2004-06-30
Publication date: 2006-01-06

Abstract

본 발명은 전자를 방출하는 전자 방출부의 배열 구조를 개선하여 방출 전류량을 높이기 위한 전자 방출 소자에 관한 것으로서,The present invention relates to an electron emitting device for improving the arrangement structure of the electron emitting unit for emitting electrons to increase the amount of emission current,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과; 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극들 위에 형성되며, 캐소드 전극과 교차하는 방향을 따라 적어도 한 쌍이 대응되도록 서로가 임의의 간격을 두고 형성되는 전자 방출부들과; 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 및 전자 방출부들 위에 형성되며, 각각의 전자 방출부에 대응하여 이를 노출시키기 위한 개구부들을 갖는 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.A first substrate and a second substrate disposed to face each other; Cathode electrodes formed on the first substrate; Electron emission parts formed on the cathode electrodes, the electron emission parts being formed at random intervals from each other such that at least one pair corresponds to a direction crossing the cathode electrode; Provided is an electron emission device including gate electrodes formed over cathode electrodes and electron emission portions with an insulating layer interposed therebetween, and gate electrodes having openings for correspondingly exposing each electron emission portion.

전자방출, 전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 애노드전극, 형광층Electron emission, electron emission unit, cathode electrode, gate electrode, insulating layer, anode electrode, fluorescent layer

Description

Electron Emission Device {ELECTRON EMISSION DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자를 도시한 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view illustrating an electron emission device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 조립 상태를 나타낸 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view showing the assembled state of FIG.

도 3은 도 1에 도시한 전자 방출 유닛의 부분 평면도이다.3 is a partial plan view of the electron emission unit illustrated in FIG. 1.

도 4는 전자 방출부의 변형예를 설명하기 위해 도시한 전자 방출 유닛의 부분 평면도이다.4 is a partial plan view of the electron emission unit shown to explain a modification of the electron emission unit.

본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자를 방출하는 전자 방출부의 배열 구조를 개선하여 방출 전류량을 높이기 위한 전자 방출 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emitting device, and more particularly, to an electron emitting device for improving an amount of emission current by improving an arrangement structure of an electron emitting unit for emitting electrons.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 이 가운데 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형, MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형 및 BSE(Ballistic electron Surface Emitter)형 전자 방출 소자 등이 알려져 있다.In general, an electron emission device includes a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron source. Among them, the electron-emitting devices using the cold cathode include Field Emitter Array (FEA), Metal-Insulator-Metal (MIM), Metal-Insulator-Semiconductor (MIS), Surface Conduction Emitter (SCE), and BSE (Ballistic electron Surface Emitter) type electron emission devices and the like are known.

상기한 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로는 진공 용기를 구성하는 양 기판 중 일측 기판에 전자 방출 유닛을 마련하여 이로부터 전자를 방출하고, 타측 기판에 형광층을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.Although the detailed structure of the electron emitting devices is different depending on the type, basically, an electron emission unit is provided on one of the substrates constituting the vacuum container to emit electrons therefrom, and the fluorescent layer is provided on the other substrate. It provides a predetermined light emission or display action.

상기한 전자 방출 소자들 가운데 FEA형은 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들로 전자 방출부를 형성하고, 전자 방출부 주위에 구동 전극들, 예를 들어 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하며, 두 전극간 전압 차에 의해 전자 방출부 주위에 전계가 형성될 때 이로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.Among the above-mentioned electron emission devices, the FEA type forms an electron emission portion made of materials which emit electrons when an electric field is applied, and includes driving electrodes, for example, a cathode electrode and a gate electrode, around the electron emission portion. When the electric field is formed around the electron emission portion by the inter-voltage difference, the principle that electrons are emitted therefrom is used.

상기 FEA형 전자 방출 소자의 전형적인 일 구조는, 제1 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들을 순차적으로 형성하고, 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 게이트 전극과 절연층에 각각의 개구부를 형성하여 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시킨 후, 개구부 내로 캐소드 전극 위에 전자 방출부를 형성한 구조이다.One typical structure of the FEA type electron emission device is to sequentially form cathode electrodes, an insulating layer and a gate electrode on a first substrate, and each opening in the gate electrode and the insulating layer for each intersection region of the cathode and gate electrodes. Is formed to expose a part of the surface of the cathode electrode, and then the electron emission portion is formed on the cathode electrode into the opening.

상기 구조에서는 게이트 전극이 전자 방출부 위에서 전자 방출부를 둘러싸며 형성됨에 따라, 캐소드 전극과 게이트 전극간 전압 차에 의해 형성되는 전계가 게이트 전극과 가장 가까운 전자 방출부의 가장자리에 집중되는 경향을 보인다. 따라서 전자 방출부는 그 상부 표면보다는 가장자리에서 전자 방출이 가장 많이 이루어지며, 전자 방출부의 가장자리 길이를 늘일 때 방출 전류량이 증가하는 것을 충분 히 예상할 수 있다. 그러나 종래의 전자 방출 소자는 전자 방출부를 형성할 때 이에 대한 고려가 충분히 이루어지고 있지 않아 방출 전류량 증가에 일정한 한계를 갖고 있다.In the above structure, as the gate electrode is formed surrounding the electron emitter on the electron emitter, an electric field formed by the voltage difference between the cathode electrode and the gate electrode tends to be concentrated at the edge of the electron emitter closest to the gate electrode. Therefore, the electron emitting portion emits the most electrons at the edge rather than the upper surface thereof, and it can be expected to increase the amount of emission current when increasing the edge length of the electron emitting portion. However, the conventional electron emitting device has a certain limit in increasing the amount of emission current because the consideration is not made enough when forming the electron emitting portion.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전계가 집중되는 전자 방출부의 가장자리 길이를 최대화하여 방출 전류량을 증가시키고, 그 결과 화면 휘도를 높일 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron emission device capable of increasing the amount of emission current by maximizing the edge length of an electron emission portion in which an electric field is concentrated, and consequently increasing the screen brightness. have.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극들 위에 형성되며 캐소드 전극과 교차하는 방향을 따라 적어도 한 쌍이 대응되도록 서로가 임의의 간격을 두고 형성되는 전자 방출부들과, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 및 전자 방출부들 위에 형성되며 각각의 전자 방출부에 대응하여 이를 노출시키기 위한 개구부들을 갖는 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.The first and second substrates disposed opposite to each other, the cathode electrodes formed on the first substrate, and the cathodes formed on the cathode electrodes and disposed at random intervals so that at least one pair correspond to each other in a direction crossing the cathode electrodes. The present invention provides an electron emission device including electron emission portions formed and gate electrodes formed on cathode electrodes and electron emission portions with an insulating layer interposed therebetween, and openings corresponding to each electron emission portion to expose the electron emission portions.

상기 전자 방출부들은 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역마다 캐소드 전극 방향을 따라 복수개로 배열될 수 있다.The electron emission parts may be arranged in plural along the direction of the cathode electrode for each pixel area set on the first substrate.

상기 각각의 전자 방출부는 삼각형으로 형성되고, 삼각형의 어느 한 변을 서로 마주보면서 배치되는 전자 방출부들이 한 쌍을 이루며 형성될 수 있다. 특히 각각의 전자 방출부는 직각 삼각형으로 형성되고, 직각 삼각형의 빗변을 서로 마주보면서 배치되는 전자 방출부들이 한 쌍을 이루며 형성될 수 있다. Each of the electron emission parts may be formed in a triangle, and the electron emission parts may be formed in pairs to face one side of the triangle. In particular, each of the electron emission portions may be formed as a right triangle, and the electron emission portions disposed while facing the hypotenuse of the right triangle may be formed in a pair.

상기 전자 방출부들은 캐소드 전극 방향을 따라 한 쌍이 대응되도록 서로가 임의의 간격을 두고 형성될 수 있다. 이 경우, 각각의 전자 방출부는 삼각형으로 형성되고, 삼각형의 어느 한 꼭지점을 서로 마주보면서 배치되는 전자 방출부들이 한 쌍을 이루며 형성될 수 있다.The electron emission parts may be formed at random intervals so that a pair corresponds to the cathode electrode direction. In this case, each of the electron emission portions may be formed as a triangle, and the electron emission portions disposed while facing each vertex of the triangle may be formed in a pair.

상기 전자 방출부는 카본계 물질과 나노미터 사이즈 물질 가운데 적어도 하나를 포함한다.The electron emission unit includes at least one of a carbonaceous material and a nanometer size material.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 전자 방출 유닛의 부분 평면도이다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission device according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial cross-sectional view illustrating an assembled state of FIG. 1, and FIG. 3 is a partial plan view of the electron emission unit illustrated in FIG. 1.

도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 내부 공간부가 형성되도록 소정의 간격을 두고 평행하게 배치하고, 이들을 하나로 접합시킴으로써 전자 방출 소자의 외관인 진공 용기를 구성하고 있다. 상기 기판들(2, 4) 중 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛(100)이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광부(200)가 제공된다.Referring to the drawings, the electron-emitting device is a vacuum container that is the appearance of the electron-emitting device by arranging the first substrate 2 and the second substrate 4 in parallel at a predetermined interval so as to form an internal space, and bonding them together. Consists of. The first substrate 2 of the substrates 2 and 4 is provided with an electron emission unit 100 for emitting electrons, and the second substrate 4 is provided with a light emitting unit 200 for emitting visible light by electrons. Is provided.

보다 구체적으로, 제1 기판(2) 위에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하는 캐소드 전극들(6)이 서로간 임의의 간격을 두고 제1 기판(2)의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 게이트 전극들(10)이 서로간 임의 의 간격을 두고 캐소드 전극(6)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 복수로 형성된다.More specifically, on the first substrate 2, the cathode electrodes 6 having a predetermined pattern, for example, a stripe shape, have one direction (y-axis direction in the drawing) of the first substrate 2 at random intervals from each other. Accordingly, the insulating layer 8 is formed on the entirety of the first substrate 2 while covering the cathode electrodes 6. On the insulating layer 8, a plurality of gate electrodes 10 are formed along the direction (x-axis direction in the drawing) crossing the cathode electrode 6 at random intervals from each other.

본 실시예에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(6) 위로 각각의 화소 영역마다 복수의 전자 방출부들(12)이 형성되고, 게이트 전극(10)과 절연층(8)에는 각각의 전자 방출부(12)에 대응하여 이를 노출시키기 위한 복수의 개구부(10a, 8a)가 형성된다.In the present exemplary embodiment, when the intersection region of the cathode electrode 6 and the gate electrode 10 is defined as a pixel region, a plurality of electron emission parts 12 are formed in each pixel region over the cathode electrode 6, and the gate electrode A plurality of openings 10a and 8a are formed in the 10 and the insulating layer 8 to expose the electron emission portions 12 and to expose them.

상기 전자 방출부(12)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)로 사용 바람직한 카본계 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드상 카본, C₆₀ 및 이들의 조합 물질이 있으며, 나노미터 사이즈 물질로는 나노튜브, 나노와이어, 나노파이버 및 이들의 조합 물질이 있다.The electron emission unit 12 is formed of materials that emit electrons when an electric field is applied, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. Preferred carbon-based materials for use as the electron emitter 12 include carbon nanotubes, graphite, diamond-like carbon, C ₆₀ and combinations thereof. Nanometer-sized materials include nanotubes, nanowires, nanofibers, and the like. There is a combination material.

전술한 구조에 의해, 게이트 전극(10)은 전자 방출부들(12) 위에서 각각의 전자 방출부(12)를 둘러싸도록 형성되며, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극간 전압 차에 의해 전자 방출부(12) 주위, 특히 전자 방출부(12)의 가장자리 부위에 전계가 집중되어 이로부터 다량의 전자 방출이 이루어진다.By the above-described structure, the gate electrode 10 is formed to surround each of the electron emission portions 12 on the electron emission portions 12, and a predetermined driving voltage is applied to the cathode electrode 6 and the gate electrode 10. When applied, the electric field is concentrated around the electron emitting portion 12, particularly at the edge portion of the electron emitting portion 12, due to the voltage difference between the two electrodes, thereby producing a large amount of electron emission.

여기에서, 본 실시예의 전자 방출 소자는 전계가 집중되는 전자 방출부들(12)의 가장자리 길이를 늘이기 위한 방안으로 상기 전자 방출부들(12)을 다음과 같이 배치한다. Here, the electron emission device of the present embodiment arranges the electron emission portions 12 as follows in order to increase the edge length of the electron emission portions 12 where the electric field is concentrated.

본 실시예에서 전자 방출부들(12)은 게이트 전극 방향(도면의 x축 방향)을 따라 한 쌍이 대응되도록 서로간 임의의 간격을 두고 적어도 2개의 전자 방출부(12)로 분리 형성되며, 게이트 전극(10) 방향을 따라 분리된 한 쌍의 전자 방출부(12)는 캐소드 전극 방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수개로 배열된다. 특히 각각의 전자 방출부(12)는 삼각형으로 이루어지며, 한 쌍의 전자 방출부(12)는 삼각형의 어느 한 변을 서로 마주보면서 배치된다. 이 때, 각 전자 방출부(12)의 평면 형상은 직각 삼각형이 바람직하며, 한 쌍의 전자 방출부(12)는 직각 삼각형의 빗변을 서로 마주보면서 배치될 수 있다.In the present embodiment, the electron emitters 12 are separated into at least two electron emitters 12 at random intervals so that the pairs correspond to each other along the gate electrode direction (x-axis direction of the drawing), and the gate electrode The pair of electron emission portions 12 separated along the (10) direction are arranged in plural along the cathode electrode direction (y-axis direction in the drawing). In particular, each electron emitter 12 is formed in a triangle, and a pair of electron emitters 12 are disposed facing each other of the triangle. At this time, the planar shape of each of the electron emitting portions 12 is preferably a right triangle, the pair of electron emitting portions 12 may be arranged facing the hypotenuse of the right triangle.

이로써 본 실시예의 전자 방출 소자는 전자 방출부들(12)의 면적에는 큰 변화를 주지 않고도 전자 방출부(12)의 선 길이, 즉 외곽선의 길이를 늘일 수 있어 전계가 집중되는 전자 방출부들(12)의 가장자리 길이를 효과적으로 늘일 수 있다.As a result, the electron emission device of the present embodiment can extend the line length of the electron emission portion 12, that is, the length of the outline, without causing a large change in the area of the electron emission portions 12, and thus the electron emission portions 12 in which the electric field is concentrated. It can effectively extend the edge length of the.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(14), 예를 들어 적색과 녹색 및 청색의 형광층(14)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 형광층(14) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(16)이 형성될 수 있다. 형광층(14)과 흑색층(16) 위로는 증착에 의한 금속막(예를 들어 알루미늄막)으로 이루어지는 애노드 전극(18)이 형성된다. 애노드 전극(18)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 전압을 인가받으며, 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.Next, on one surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2, a fluorescent layer 14, for example, red, green, and blue fluorescent layers 14 are formed at random intervals, The black layer 16 may be formed between the fluorescent layers 14 to improve contrast of the screen. An anode electrode 18 made of a metal film (for example, an aluminum film) by vapor deposition is formed on the fluorescent layer 14 and the black layer 16. The anode 18 receives a voltage necessary for accelerating the electron beam from the outside and increases the brightness of the screen by a metal back effect.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 투명한 도전막, 예를 들어 ITO막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 제2 기판(4) 위로 투명한 도전막으로 이루어지는 애노드 전극(도시하지 않음)을 먼저 형성하고, 그 위에 형광층(14)과 흑색층(16)을 형성하며, 필요에 따라 형광층(14)과 흑색층(16) 위에 금속막을 형성하여 화면의 휘도를 높이는데 이용할 수 있다. 이러한 애노드 전극은 제2 기판(4) 전체에 형성되거나, 소정의 패턴으로 구분되어 형성될 수 있다.Meanwhile, the anode electrode may be made of a transparent conductive film, for example, an ITO film, rather than a metal film. In this case, an anode electrode (not shown) made of a transparent conductive film is first formed on the second substrate 4, and a fluorescent layer 14 and a black layer 16 are formed thereon, and a fluorescent layer 14 as necessary. ) And the black layer 16 can be used to increase the brightness of the screen. The anode electrode may be formed on the entire second substrate 4 or may be divided into a predetermined pattern.

참고로, 도 2에서 인용부호 20은 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 사이 간격을 유지시키는 스페이서를 나타낸다. 도 2에서는 편의상 하나의 스페이서(20)를 도시하였으나, 스페이서(20)는 양 기판(2, 4) 사이에 복수개로 구비된다.For reference, in FIG. 2, reference numeral 20 denotes a spacer for maintaining a gap between the first substrate 2 and the second substrate 4. In FIG. 2, one spacer 20 is illustrated for convenience, but a plurality of spacers 20 are provided between the substrates 2 and 4.

이와 같이 구성되는 전자 방출 소자는, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극간 전압 차에 의해 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(4)으로 향하면서 해당 화소의 형광층(14)에 충돌하여 이를 발광시킴으로써 소정의 발광 또는 표시 작용을 한다.In the electron emission device configured as described above, when a predetermined driving voltage is applied to the cathode electrode 6 and the gate electrode 10, an electric field is formed around the electron emission portion 12 due to the voltage difference between the two electrodes. Electrons are emitted, and the emitted electrons are attracted to the second substrate 4 by the high voltage applied to the anode electrode 18 and collide with the fluorescent layer 14 of the corresponding pixel to emit a predetermined light emission or display action. do.

이 때, 본 실시예의 전자 방출 소자는 전계가 집중되는 전자 방출부들(12)의 가장자리 길이를 늘임에 따라, 전자 방출부들(12)로부터 방출되는 전자량을 증가시킬 수 있으며, 그 결과 화면의 휘도를 높이고, 저전압 구동을 가능하게 하는 장점이 예상된다.At this time, the electron emission element of the present embodiment may increase the amount of electrons emitted from the electron emission portions 12 as the edge length of the electron emission portions 12 in which the electric field is concentrated increases, resulting in the brightness of the screen. It is anticipated that the advantages of increasing the power consumption and enabling the low voltage driving are possible.

한편, 상기에서는 전자 방출부들(12)이 게이트 전극 방향(도면의 x축 방향)을 따라 한 쌍이 대응 배치되는 경우를 설명하였으나, 도 4에 도시한 바와 같이 전자 방출부들(22)이 캐소드 전극 방향(도면의 y축 방향) 및 게이트 전극 방향(도면의 x축 방향)을 따라 각각 한 쌍이 대응 배치되는 구조도 가능하다. Meanwhile, in the above, the case where the pair of electron emission parts 12 are disposed along the gate electrode direction (x-axis direction in the drawing) is described. However, as shown in FIG. 4, the electron emission parts 22 are directed toward the cathode electrode. It is also possible to have a structure in which a pair is arranged correspondingly along the (y-axis direction in the drawing) and the gate electrode direction (x-axis direction in the drawing).

도 4를 참고하면, 각각의 전자 방출부(22)는 삼각형, 바람직하게 이등변 삼각형으로 이루어지고, 캐소드 전극 방향 및 게이트 전극 방향을 따라 마주보는 한 쌍의 전자 방출부(22)는 삼각형의 어느 한 꼭지점을 서로 마주보면서 배치된다. 이로써 상기 구조에서는 4개의 전자 방출부(22)가 하나의 군을 이루며 형성되고, 도시는 생략하였으나 상기 전자 방출부(22) 군이 캐소드 전극 방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수개로 배열된다.Referring to FIG. 4, each electron emitter 22 consists of a triangle, preferably an isosceles triangle, and the pair of electron emitters 22 facing along the cathode electrode direction and the gate electrode direction is one of the triangles. Place vertices facing each other. Thus, in the above structure, four electron emitters 22 are formed in one group, and although not illustrated, the electron emitters 22 are arranged in plural along the cathode electrode direction (y-axis direction in the drawing). .

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 전자 방출부들이 그 가장자리 길이를 늘이며 형성됨에 따라, 전자 방출부에서 방출되는 전자량을 증가시킬 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 화면의 휘도를 높이고, 구동 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.As described above, the electron emission device according to the present invention can increase the amount of electrons emitted from the electron emission portion as the electron emission portions are formed to extend the edge length thereof. Therefore, the electron emission device according to the present invention has the effect of increasing the brightness of the screen and lowering the driving voltage.

Claims

A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

Cathode electrodes formed on the first substrate;

Electron emission parts formed on the cathode electrodes, the electron emission parts being formed at random intervals so that at least one pair corresponds to each other in a direction crossing the cathode electrodes; And

Gate electrodes formed on the cathode electrodes and the electron emission parts with an insulating layer interposed therebetween and having openings for exposing the electron emission parts to correspond to the respective electron emission parts.

Electron emitting device comprising a.

The method of claim 1,

And a plurality of electron emission parts arranged along the direction of the cathode electrode for each pixel area set on the first substrate.

The method according to claim 1 or 2,

Each of the electron emission parts is formed in a triangle, and the electron emission elements are paired with the electron emission parts arranged to face each other of the sides of the triangle.

The method of claim 3,

Each of the electron emission parts is formed as a right triangle, and the electron emission elements are paired with the electron emission parts arranged to face each other with the hypotenuse of the right triangle.

The method according to claim 1 or 2,

And an electron emission element formed at random intervals so that the pair corresponds to each other along the cathode electrode direction.

The method of claim 5,

Each of the electron emission parts is formed in a triangle, and the electron emission elements are paired with the electron emission parts arranged to face each other vertex of the triangle.

The method of claim 1,

And the electron emission unit comprises at least one of a carbon-based material and a nanometer-sized material.

The method of claim 1,

And an anode electrode formed on the second substrate and a fluorescent layer formed on one surface of the anode electrode.