KR20050114458A - Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof - Google Patents

Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20050114458A
KR20050114458A KR1020040039680A KR20040039680A KR20050114458A KR 20050114458 A KR20050114458 A KR 20050114458A KR 1020040039680 A KR1020040039680 A KR 1020040039680A KR 20040039680 A KR20040039680 A KR 20040039680A KR 20050114458 A KR20050114458 A KR 20050114458A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cavity
substrate
silicon film
mems structure
circuit unit
Prior art date
Application number
KR1020040039680A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100622372B1 (en
Inventor
박태식
이문철
문창렬
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040039680A priority Critical patent/KR100622372B1/en
Priority to EP05253351A priority patent/EP1602896A3/en
Priority to US11/141,054 priority patent/US7263883B2/en
Priority to JP2005161353A priority patent/JP2005345473A/en
Publication of KR20050114458A publication Critical patent/KR20050114458A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100622372B1 publication Critical patent/KR100622372B1/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/07—Interconnects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서가 개시된다. 본 자이로센서는, 기판, 일표면 상의 소정 영역에 공동부가 형성되며, 상기 기판 상부에 결합하여 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물, 및 상기 공동부 내에 위치하며, 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 포함한다. 이에 따라, 회로유닛의 크기만큼 전체 크기가 감소하게 되므로, 소형의 자이로센서를 구현할 수 있게 된다.Disclosed is a gyro sensor including a plurality of configuration units. The gyro sensor includes a substrate, a cavity is formed in a predetermined area on one surface, and coupled to an upper portion of the substrate to output a vibration signal proportional to an external rotational force, and located in the cavity, wherein the vibration signal is rotated. And a circuit unit for converting and outputting a predetermined electrical signal proportional to the angular velocity. Accordingly, the overall size is reduced by the size of the circuit unit, it is possible to implement a small gyro sensor.

Description

복수개의 구성유닛을 포함하는 자이로센서 및 그 제조방법 { Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof }Gyro sensor comprising a plurality of component units and a manufacturing method thereof Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method

본 발명은 복수개의 소자를 포함하는 단일칩 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 복수개의 소자 중 하나에 대해서 일정한 공동부를 제작한 후, 다른 소자가 공동부내에 위치하도록 함으로써 단일 기판 상에 초소형으로 제작할 수 있는 단일칩 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a single chip including a plurality of devices and a method for manufacturing the same. More particularly, after a predetermined cavity is manufactured for one of the plurality of devices, the other device is located in the cavity to be placed on the single substrate. The present invention relates to a single chip that can be manufactured in a very small size and a method of manufacturing the same.

전자기술이 발전함에 따라 최근의 전자기기들은 다양하고 우수한 기능을 구비하면서도 동시에 점점 소형화, 경량화되는 추세이다. 특히, 최근에는 MEMS(Micro Electro Mechanical System)기술에 대한 연구가 진행되어 이러한 소형화, 경량화 추세를 더욱더 가속화하고 있다. MEMS 기술이란, 전기와 기계 부품을 초소형으로 일체화하여 만드는 기술로 마이크로 스케일(Micro Scale)의 기계적, 전기적 구조체를 결합하여 새로운 기능을 하는 시스템을 제작하는 기술을 의미한다.As electronic technology develops, recent electronic devices have various and excellent functions, and at the same time, they are becoming smaller and lighter. In particular, recently, research on MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology has been conducted to further accelerate the trend of miniaturization and light weight. MEMS technology is a technology that integrates electrical and mechanical parts into a microminiature, and refers to a technology of manufacturing a system having a new function by combining a mechanical and electrical structure of a micro scale.

이러한 MEMS 기술을 이용하여 제작된 구조물 및 회로유닛을 복수개 이상 연결하여 다양한 단일칩을 개발할 수 있다. Various single chips can be developed by connecting a plurality of structures and circuit units manufactured using such MEMS technology.

도 1에서는 이러한 단일칩의 일예로써, 복수개의 구조물 및 회로유닛이 평면적으로 배치된 자이로센서의 구성을 도시하고 있다. 도 1의 (a)는 자이로센서의 평면도, 도 1의 (b)는 단면도를 나타낸다. In FIG. 1, as an example of such a single chip, a configuration of a gyro sensor in which a plurality of structures and circuit units are arranged in a plane is illustrated. FIG. 1A is a plan view of the gyro sensor, and FIG. 1B is a sectional view.

자이로 센서는 제 1축 방향으로 일정하게 진동하는 질량체(mass)에 대해 수직한 제 2축 방향으로 일정 각속도의 회전력을 받으면 제 1축 및 제 2축에 대해 직교하는 제 3축 방향으로 코리올리의 힘(Coriolis force)이 발생하는 원리를 이용하여 회전각속도를 검출하는 기기이다. 즉, 코리올리 힘에 의해 질량체가 제 3축 방향으로 회전이동되면 회전이동된 변위를 정전용량(Capacitance)의 변화로 변경하여 회전 각속도를 검출한다. 따라서, 자이로 센서는 코리올리 힘을 발생시키고 또한 이를 감지하기 위해, 그 내부에 소정방향으로 진동가능한 질량체 및 감지전극을 필요로 한다. 이러한 질량체 및 감지전극은 MEMS 기술을 이용하여 제조할 수 있다.The gyro sensor receives the force of the Coriolis in a third axis direction perpendicular to the first axis and the second axis when the gyro sensor receives a rotational force at a constant angular velocity in the second axis direction perpendicular to the mass oscillating constantly in the first axis direction. (Coriolis force) is a device that detects the rotational angular velocity by using the principle that occurs. That is, when the mass is rotated in the third axis direction by the Coriolis force, the rotational displacement is changed into a change in capacitance to detect the rotational angular velocity. Accordingly, the gyro sensor requires a mass and a sensing electrode vibrating in a predetermined direction therein for generating and detecting Coriolis force. Such masses and sensing electrodes can be manufactured using MEMS technology.

도 1의 (a)에 따르면, 자이로센서는 기판(10)상에 MEMS 구조물(11), 아날로그 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)(12), 및 디지털 ASIC(13)이 일정형태로 배치되어 구현된다. MEMS 구조물(11)은 질량체 및 감지전극 등을 포함하는 부분이다. 한편, 아날로그 ASIC(12)는 MEMS 구조물(11)로부터 커패시턴스의 변화를 검출하여 회전각속도에 비례하는 전압 신호로 변환하게 된다. 이에 따라, 디지털 ASIC(13)는 아날로그 ASIC(12)로부터 나오는 아날로그 전압 신호를 디지털 신호로 변환하여 외부로 출력하게 된다.According to FIG. 1A, a gyro sensor is implemented by disposing a MEMS structure 11, an analog application specific integrated circuit (ASIC) 12, and a digital ASIC 13 on a substrate 10 in a predetermined form. . The MEMS structure 11 is a part including a mass, a sensing electrode, and the like. Meanwhile, the analog ASIC 12 detects a change in capacitance from the MEMS structure 11 and converts it into a voltage signal proportional to the rotational angular velocity. Accordingly, the digital ASIC 13 converts the analog voltage signal from the analog ASIC 12 into a digital signal and outputs it to the outside.

도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 자이로 센서에 대한 단면도이다. 도 1의 (b)에 따르면, MEMS 구조물(11) 및 아날로그 ASIC(12)는 도전물질(14)을 통해 전기적으로 연결되게 된다.FIG. 1B is a cross-sectional view of the gyro sensor of FIG. 1A. According to FIG. 1B, the MEMS structure 11 and the analog ASIC 12 are electrically connected through the conductive material 14.

한편, 도 1에 도시된 자이로 센서는 각종 구조물 및 회로유닛이 평면적으로 배치되므로, 전체 단일칩의 면적이 커지게 된다는 문제점이 있다. 따라서, 최근의 소형화 추세에 맞지 않다는 문제점이 있다.On the other hand, the gyro sensor shown in FIG. 1 has a problem in that various structures and circuit units are arranged in a plane, thereby increasing the area of the entire single chip. Therefore, there is a problem that does not fit the recent miniaturization trend.

도 2는 MEMS 구조물(21), 아날로그 ASIC(22), 디지털 ASIC(23) 등이 적층된 구조로 형성된 종래의 자이로센서의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 2의 (a)에 따르면, 기판(21)상에 MEMS 구조물(21)이 형성되고, MEMS 구조물(21)상부에 각종 ASIC(22, 23)등의 회로유닛이 형성된 후, 와이어(24)를 통해 전기적으로 연결되게 된다. 도 2의 (b)는 도 2의 (a)에 도시된 자이로 센서에 대한 단면도이다. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional gyro sensor formed in a structure in which the MEMS structure 21, the analog ASIC 22, the digital ASIC 23, and the like are stacked. According to FIG. 2A, after the MEMS structure 21 is formed on the substrate 21, and circuit units such as various ASICs 22 and 23 are formed on the MEMS structure 21, the wire 24 is formed. It is electrically connected through. FIG. 2B is a cross-sectional view of the gyro sensor shown in FIG. 2A.

도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 따르면, 평면적으로 배치된 경우보다 전체 면적은 줄어 들수 있으나, 복수개의 소자가 적층된 후 와이어 본딩까지 이루어지므로 체적은 마찬가지로 증가한다는 문제점이 있다. 이에 따라, 최근의 소형, 경량의 전자기기에 사용되기에 어려움이 있다. 또한, 와이어 본딩이 발생하면 와이어 부분에서 손실이 발생할 수 있다는 문제점도 있다.According to (a) and (b) of FIG. 2, the total area can be reduced, compared to the case of the planar arrangement, but the volume increases as the plurality of devices are stacked and wire-bonded. Accordingly, it is difficult to be used in recent small, lightweight electronic devices. In addition, there is a problem that a loss may occur in the wire portion when the wire bonding occurs.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 복수개의 소자를 단일 기판상에 초소형으로 연결하여 패키징함으로써 전체 체적을 줄일 수 있는 단일칩 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a single chip and a method of manufacturing the same by reducing the total volume by packaging a plurality of devices on a single substrate in a very small form. Is in.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서는, 기판, 일표면 상의 소정 영역에 공동부가 형성되며, 상기 기판 상부에 결합하여 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물, 및 상기 공동부 내에 위치하며, 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 포함한다. Gyro sensor according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the cavity is formed in a predetermined region on the substrate, one surface, coupled to the top of the MEMS for outputting a vibration signal proportional to the external rotational force And a circuit unit located in the cavity and converting the vibration signal into a predetermined electrical signal proportional to the rotational angular velocity.

이 경우, 상기 회로유닛은 상기 진동신호를 소정의 아날로그 신호로 변환하는 아날로그 ASIC 및 상기 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 디지털 ASIC을 포함할 수 있다.In this case, the circuit unit may include an analog ASIC for converting the vibration signal into a predetermined analog signal and a digital ASIC for converting the analog signal into a digital signal.

바람직하게는, 상기 멤스 구조물은, 상기 공동부가 형성된 표면이 상기 기판 방향을 향하도록 상기 기판 상부에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 각각 상기 기판과 전기적으로 연결하는 연결부를 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 연결부는 범핑방식으로 제조된 도전성 범프가 될 수 있다.Preferably, the MEMS structure may be coupled to an upper portion of the substrate such that the surface on which the cavity is formed faces toward the substrate. In this case, it is preferable that the MEMS structure and the circuit unit further comprises a connection portion for electrically connecting with the substrate, respectively. The connection part may be a conductive bump manufactured by a bumping method.

또한 바람직하게는, 상기 멤스 구조물은, 상기 공동부가 형성된 표면이 상기 기판 반대 방향을 향하도록 상기 기판 상부표면에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 공동부 내에서 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 전기적으로 연결시키는 연결부를 더 포함할 수 있다. 마찬가지로 연결부는 도전성 범프를 사용할 수 있다.Also preferably, the MEMS structure may be coupled to the upper surface of the substrate such that the surface on which the cavity is formed faces away from the substrate. In this case, the cavity may further include a connecting portion for electrically connecting the MEMS structure and the circuit unit. Likewise, the connection portion may use a conductive bump.

보다 바람직하게는, 본 실시예에 따른 자이로센서를 구성하는 멤스 구조물은, 일표면 상의 소정영역에 상기 공동부가 형성된 하위 유리기판, 상기 하위 유리기판 상에서 상기 공동부가 형성된 표면의 반대 방향의 표면에 결합하며, 소정의 진동구조체 형태로 패터닝된 실리콘막, 상기 하위 유리기판 상에 형성되어 상기 실리콘막과 연결되는 도전체막, 및 상기 하위 유리기판과 결합된 반대 방향으로 상기 실리콘막에 결합한 상위 유리기판을 포함할 수 있다.More preferably, the MEMS structure constituting the gyro sensor according to the present embodiment is coupled to a lower glass substrate having the cavity formed in a predetermined region on one surface, and a surface opposite to the surface on which the cavity is formed on the lower glass substrate. And a silicon film patterned into a predetermined vibration structure, a conductor film formed on the lower glass substrate and connected to the silicon film, and an upper glass substrate bonded to the silicon film in a direction opposite to the lower glass substrate. It may include.

한편, 본 발명의 내용은 자이로센서 뿐만 아니라 단일칩으로 이루어지는 다른 전자부품에도 적용될 수 있다. 이 경우, 단일칩은, 일표면 상의 소정영역에 공동부가 형성된 제1소자, 상기 제1소자의 공동부 내에 위치하는 제2소자, 및 상기 제1소자 및 상기 제2소자와 각각 도전성 물질을 통해 연결되어 각 소자를 지지하는 기판을 포함할 수 있다.Meanwhile, the contents of the present invention can be applied not only to a gyro sensor but also to other electronic components made of a single chip. In this case, the single chip includes a first element having a cavity formed in a predetermined area on one surface, a second element located in the cavity of the first element, and a conductive material with the first element and the second element, respectively. It may include a substrate connected to support each device.

한편, 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서의 제조방법은, (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계, (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계, (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 기판 상부 표면에 결합하는 단계, 및 (d) 상기 공동부 내에 상기 회로유닛이 위치하도록 상기 멤스 구조물을 상기 기판 상부표면에 결합하는 단계를 포함한다.On the other hand, the manufacturing method of the gyro sensor according to an embodiment of the present invention, (a) manufacturing a MEMS structure for outputting a vibration signal proportional to the external rotational force, (b) a predetermined region on one surface of the MEMS structure Etching to fabricate a cavity, (c) coupling a circuit unit converting the vibration signal into a predetermined electrical signal proportional to the rotational angular velocity and outputting the substrate, and (d) the circuit in the cavity. Coupling the MEMS structure to the upper surface of the substrate so that the unit is located.

한편, 본 발명의 또다른 실시예에 따른 자이로센서의 제조방법은, (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계, (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계, (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 상기 공동부 내에 접합하는 단계, 및 (d) 상기 멤스 구조물을 기판 상부표면에 결합하는 단계를 포함한다. On the other hand, the manufacturing method of the gyro sensor according to another embodiment of the present invention, (a) manufacturing a MEMS structure for outputting a vibration signal in proportion to the external rotational force, (b) a predetermined region on one surface of the MEMS structure Manufacturing a cavity by etching the step (c) joining the circuit unit for converting and outputting the vibration signal into a predetermined electrical signal proportional to the rotational angular velocity in the cavity, and (d) attaching the MEMS structure to the substrate Coupling to an upper surface.

이상과 같은 제조방법에 있어서 멤스 구조물을 제작하는 단계는, 표면상의 소정영역이 식각된 제1 유리기판 상에 실리콘막을 접합하는 단계, 상기 실리콘막의 소정 영역을 식각하여 소정의 진동구조체 형태로 패터닝하는 단계, 상기 진동구조체가 진동할 수 있는 공간이 확보된 제2 유리기판을 상기 실리콘막에 접합하는 단계, 및 상기 실리콘막과 외부단자를 전기적으로 연결시키기 위한 도전체막을 적층하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method as described above, the step of fabricating a MEMS structure comprises the steps of: bonding a silicon film on a first glass substrate on which a predetermined area on the surface is etched, etching a predetermined area of the silicon film, and patterning a predetermined vibration structure. And bonding the second glass substrate having a space for vibrating the vibrating structure to the silicon film, and stacking a conductor film for electrically connecting the silicon film and an external terminal. desirable.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 자세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 단일칩의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3에 따르면, 본 단일칩은 기판(110), 제1소자(130), 제2소자(120), 및, 연결부(140)를 포함한다.3 is a cross-sectional view showing the configuration of a single chip according to the present invention. According to FIG. 3, the single chip includes a substrate 110, a first device 130, a second device 120, and a connection unit 140.

기판(110)은 일반적인 PCB(Printed Curcuit Board) 기판을 의미한다. 제1소자(130)는 일정영역이 식각되어 공동부(cavity)를 형성하게 된다. 한편, 공동부 내에는 제2소자(120)가 위치한다. 제1소자(130) 및 제2소자(120)는 각각 연결부(140)를 통해 기판(110)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1소자(130) 및 제2소자(120)는 기판(110) 내부에 형성된 전기적 배선(미도시)에 의해 상호 연결되게 된다.Substrate 110 refers to a general PCB (Printed Curcuit Board) substrate. The first device 130 is etched to form a cavity by etching a predetermined region. On the other hand, the second element 120 is located in the cavity. The first device 130 and the second device 120 are electrically connected to the substrate 110 through the connection unit 140, respectively. Therefore, the first device 130 and the second device 120 are interconnected by electrical wiring (not shown) formed in the substrate 110.

연결부(140)는 기판(110)상에 형성된 패드(미도시)상에 금(gold), 솔더(solder), 혹은 기타 금속 등의 소재로 수십 μm 크기에서 수백 μm 크기의 돌기 형태의 외부접속단자, 즉, 도전성 범프(Bump : 150a, 150b)를 형성함으로써 제조할 수 있다. 이러한 범핑 방식으로 연결부(140)를 제조하게 되면, 전기선로의 경로가 단축됨으로써 전기저항 및 전기적 잡음을 감소시켜 전기적 성능이 향상되는 효과가 있다. The connection part 140 is a gold, solder, or other metal material on a pad (not shown) formed on the substrate 110, and has an external connection terminal having a protrusion shape of several tens of μm to several hundred μm. That is, it can manufacture by forming conductive bumps 150a and 150b. When the connection unit 140 is manufactured in such a bumping manner, the path of the electric line is shortened, thereby reducing electrical resistance and electrical noise, thereby improving electrical performance.

자이로 센서를 구현하고자 하는 경우, 제1소자(130)는 회전각속도에 따라서 진동하는 질량체 및 감지전극 등을 포함하는 구조물이 될 수 있고, 제2소자(120)는 제1소자(130)의 동작으로부터 회전각속도를 검출하는 아날로그 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 또는 디지털 ASIC 등이 될 수 있다. When implementing the gyro sensor, the first device 130 may be a structure including a mass body and a sensing electrode that vibrate according to the rotational angular velocity, and the second device 120 operates in the first device 130. It may be an analog application specific integrated circuit (ASIC) or a digital ASIC for detecting the rotation angular velocity from the.

또한, 한편으로는 제1소자(130)가 아날로그 ASIC 또는 디지털 ASIC이 되고, 제2소자(120)가 질량체 및 감지전극 등을 포함하는 구조물이 될 수도 있다. 이러한 구조는 제작자의 의도에 따라 임의로 결정될 수 있다. 도 3에 따르면, 제2소자(120)가 제1소자(130) 내부의 공동부에 위치하게 되므로, 전체 단일칩의 크기가 제2소자(120)의 크기만큼 감소하게 됨을 알 수 있다.On the other hand, the first device 130 may be an analog ASIC or a digital ASIC, and the second device 120 may be a structure including a mass and a sensing electrode. This structure can be arbitrarily determined according to the intention of the manufacturer. According to FIG. 3, since the second device 120 is located in the cavity inside the first device 130, it can be seen that the size of the entire single chip is reduced by the size of the second device 120.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 4에 따르면, 기판(210) 상에 소정의 회로유닛(230)이 연결부(220)를 통해 연결되어 있으며, 회로유닛(230) 상부에는 자이로센서에 필요한 MEMS 구조물(240)이 위치한다. MEMS 구조물(240)은 외부로부터 인가되는 회전력에 따라 코리올리 힘이 발생하면 이에 따라 진동하는 질량체(245)와, 그 진동을 감지하는 감지전극(미도시) 등을 포함하는 부분이다.4 is a cross-sectional view showing the configuration of a gyro sensor according to an embodiment of the present invention. According to FIG. 4, a predetermined circuit unit 230 is connected to the substrate 210 through the connection unit 220, and the MEMS structure 240 required for the gyro sensor is positioned on the circuit unit 230. The MEMS structure 240 is a part including a mass body 245 vibrating according to the Coriolis force generated according to the rotation force applied from the outside, and a sensing electrode (not shown) for detecting the vibration.

MEMS 구조물(240)은 상하부 유리기판(244, 242)과, 그 사이에 형성되는 실리콘막(243), 실리콘막(243)과 연결부(220)를 연결하는 전기적 통로인 도전막(241)등을 포함한다. 실리콘막(243)은 외부 회전력에 의해 진동하는 질량체(245), 질량체를 구동하는 구동전극 및 진동을 감지하는 감지전극 등을 형성하기 위해 일정 형태로 패터닝되어 있다. 또한, 상하부 유리기판(244, 242)은 질량체(245)가 진동할 수 있는 일정 공간을 확보하기 위하여 질량체(245)가 형성된 부분이 일정영역 식각되어 있다. The MEMS structure 240 includes upper and lower glass substrates 244 and 242 and a conductive film 241, which is an electrical path connecting the silicon film 243, the silicon film 243, and the connection portion 220 formed therebetween. Include. The silicon film 243 is patterned in a predetermined form to form a mass body 245 vibrating by an external rotational force, a driving electrode for driving the mass body, a sensing electrode sensing vibration, and the like. In addition, in the upper and lower glass substrates 244 and 242, portions in which the mass body 245 is formed are etched in a predetermined region in order to secure a predetermined space in which the mass body 245 may vibrate.

한편, 하부 유리기판(242)은 일정 영역이 식각되어 공동부를 형성함으로써, 회로유닛(230)이 공동부내에 위치할 수 있도록 한다. 이에 따라, 회로유닛(230)의 체적만큼 전체 단일칩의 체적을 감소시킬 수 있게 된다.On the other hand, the lower glass substrate 242 is a predetermined area is etched to form a cavity, so that the circuit unit 230 can be located in the cavity. Accordingly, the volume of the entire single chip can be reduced by the volume of the circuit unit 230.

이 경우, 회로유닛(230) 하부를 식각하여 일정영역을 확보한 후, 그 영역 내에 MEMS 구조물(240)이 위치하도록 구현할 수도 있다.In this case, the lower portion of the circuit unit 230 may be etched to secure a predetermined area, and then the MEMS structure 240 may be positioned in the area.

한편, 도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 자이로 센서의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 5에 따르면, 자이로 센서는 기판(310), MEMS 구조물(340), 및 회로유닛(330)을 포함한다. 도 4에 도시된 실시예와 달리, 도 5의 실시예에 따르면, MEMS 구조물(340)의 상부 유리기판(344)이 에폭시(epoxy)등의 접합물질(350)을 통해 기판(310)상에 접합된다. 그리고, MEMS 구조물(340)의 하부 유리기판(342) 부분에 형성된 공동부 내에 회로유닛(330)이 연결부(320)를 통해 연결된다. MEMS 구조물(340)은 상술한 바와 같이 질량체(345) 및 감지전극 등으로 패터닝된 실리콘막(343)을 포함한다. 실리콘막(343)은 도전막(341)과 전기적으로 연결되며, 도전막(341)은 다시 연결부(320)에 연결됨으로써 MEMS 구조물(340)의 커패시턴스 변화를 회로유닛(330)으로 전달할 수 있도록 한다.On the other hand, Figure 5 is a cross-sectional view showing the configuration of a gyro sensor according to another embodiment of the present invention. According to FIG. 5, the gyro sensor includes a substrate 310, a MEMS structure 340, and a circuit unit 330. Unlike the embodiment shown in FIG. 4, according to the embodiment of FIG. 5, the upper glass substrate 344 of the MEMS structure 340 is formed on the substrate 310 through a bonding material 350 such as epoxy. Are bonded. In addition, the circuit unit 330 is connected to the cavity 320 formed in the lower glass substrate 342 of the MEMS structure 340 through the connection part 320. The MEMS structure 340 includes a silicon film 343 patterned with a mass 345 and a sensing electrode as described above. The silicon film 343 is electrically connected to the conductive film 341, and the conductive film 341 is connected to the connection part 320 again so that the capacitance change of the MEMS structure 340 can be transmitted to the circuit unit 330. .

도 6A 내지 도 6C는 도 4에 도시된 자이로센서의 제조방법의 일실시예를 설명하기 위한 공정도이다. 도 6A에 따르면, 먼저, 자이로센서의 질량체 및 구동전극, 감지전극 등을 포함하는 MEMS 구조물(240)을 제작한다. MEMS 구조물(240)의 제작방법을 세부적으로 살펴보면, 상부유리기판(244)의 일표면 상에서 일정 영역을 식각한다. 다음으로 일정 영역이 식각된 표면 상에 실리콘막(243)을 에폭시 등의 접합물질을 이용하여 접합한다. 그리고 나서, 포토레지스트막을 일정패턴으로 적층한 후, 실리콘막(243)을 에칭함으로써 질량체(245) 등의 패턴을 형성하게 된다. 6A through 6C are process diagrams for describing an embodiment of the manufacturing method of the gyro sensor shown in FIG. 4. According to FIG. 6A, first, a MEMS structure 240 including a mass of a gyro sensor, a driving electrode, a sensing electrode, and the like is manufactured. Looking at the manufacturing method of the MEMS structure 240 in detail, a certain region is etched on one surface of the upper glass substrate 244. Next, the silicon film 243 is bonded to the surface on which the predetermined region is etched using a bonding material such as epoxy. Then, after the photoresist film is laminated in a predetermined pattern, the silicon film 243 is etched to form a pattern such as the mass body 245.

한편, 별도로 하부 유리기판(242)의 일표면을 식각하여 복수개의 영역에서 공동부(246, 247)를 제작한다. 공동부 중 회로유닛(230)이 위치할 제1공동부(246)는 회로유닛(230)의 크기를 고려하여 적당한 깊이 및 면적으로 제작한다. 그외의 공동부(247)는 실리콘막(243)이 노출될 수 있을 정도의 깊이로 제작한다. 다음으로, 도전막(241)을 적층하여 실리콘막(243)에 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.Meanwhile, by separately etching one surface of the lower glass substrate 242, the cavity parts 246 and 247 are manufactured in the plurality of areas. The first cavity 246 in which the circuit unit 230 is to be located among the cavities is manufactured in a suitable depth and area in consideration of the size of the circuit unit 230. The other cavity 247 is manufactured to a depth such that the silicon film 243 can be exposed. Next, the conductive film 241 is stacked to be electrically connected to the silicon film 243.

다음으로 도 6B에 도시된 바와 같이, 기판(210) 상에 회로유닛(230)을 전기적으로 연결시킨다. 이 경우, 범핑 방법에 의해 도전체 범프로 이루어진 연결부(220)를 제작하여, 회로유닛(230)을 연결할 수 있다. Next, as shown in FIG. 6B, the circuit unit 230 is electrically connected to the substrate 210. In this case, the circuit unit 230 may be connected by manufacturing the connection part 220 made of the conductor bump by the bumping method.

최종적으로, 도 6C에 도시된 바와 같이, MEMS 구조물(240)을 기판(210)에 연결하여 자이로 센서를 완성하게 된다. 이 경우, 기판(210) 상에 형성된 회로유닛(230)이 MEMS 구조물(240)의 하부 유리기판(242)에 형성된 공동부(246)내에 위치하도록 연결한다. 이에 따라, 전체 단일칩의 체적을 줄일 수 있게 된다.Finally, as shown in FIG. 6C, the MEMS structure 240 is connected to the substrate 210 to complete the gyro sensor. In this case, the circuit unit 230 formed on the substrate 210 is connected to be located in the cavity 246 formed in the lower glass substrate 242 of the MEMS structure 240. Accordingly, the volume of the entire single chip can be reduced.

한편, 도 7A 내지 도 7C는 도 4의 자이로센서의 제조 방법의 또다른 실시예를 설명하기 위한 공정도이다. 먼저, 도 7A에서는 상술한 방법으로 MEMS 구조물(240)을 제작한다.Meanwhile, FIGS. 7A to 7C are process diagrams for describing another embodiment of the manufacturing method of the gyro sensor of FIG. 4. First, in FIG. 7A, the MEMS structure 240 is manufactured by the above-described method.

다음으로, 도 7B에서는 MEMS 구조물(240)의 하부 유리기판(242)에 형성된 공동부(246)내에 접합물질을 이용하여 회로유닛(230)을 접합하게 된다. Next, in FIG. 7B, the circuit unit 230 is bonded using the bonding material in the cavity 246 formed in the lower glass substrate 242 of the MEMS structure 240.

다음으로, 도 7C에서와 같이 회로유닛(230)이 접합된 MEMS 구조물(240)을 기판(210) 상에 전기적으로 연결시킨다. 도 7A 내지 도 7C에 도시된 공정을 이용하면, 도 6C에서와 같이 MEMS 구조물(240)을 연결함에 있어, 회로유닛(230)의 위치 및 공동부(246)의 위치를 고려하여야 하는 번거로움이 없어지게 된다.Next, as shown in FIG. 7C, the MEMS structure 240 to which the circuit unit 230 is bonded is electrically connected to the substrate 210. Using the process illustrated in FIGS. 7A-7C, when connecting the MEMS structure 240 as in FIG. 6C, the hassle of having to consider the position of the circuit unit 230 and the position of the cavity 246. It will disappear.

이상과 같은 방법으로, 회로유닛(230) 및 MEMS 구조물(240)을 포함하는 자이로센서를 제작할 수 있다. 이 경우, 회로유닛(230)은 상술한 바와 같은 아날로그 ASIC 또는 디지털 ASIC 등이 될 수 있다. As described above, a gyro sensor including the circuit unit 230 and the MEMS structure 240 may be manufactured. In this case, the circuit unit 230 may be an analog ASIC or a digital ASIC as described above.

한편, 회로유닛(230) 자체도 실리콘 기판 상에 제조된 것이므로, 그 기판 하부에 일정크기의 공동부를 제작한 후, 그 공동부 내에 MEMS 구조물(240)이 위치하도록 제조할 수 있다. 이 경우에는 MEMS 구조물(240)의 크기만큼 전체 크기가 감소될 수 있다.On the other hand, since the circuit unit 230 itself is also manufactured on a silicon substrate, after manufacturing a cavity having a predetermined size under the substrate, it can be manufactured so that the MEMS structure 240 is located in the cavity. In this case, the overall size may be reduced by the size of the MEMS structure 240.

한편, 도 4 및 도 5에 도시된 실시예는, 하나의 MEMS 구조물(240, 340) 및 하나의 회로유닛(230, 330)만을 도시하고 있으나, 복수개의 MEMS 구조물 및 회로유닛을 실장하여 하나의 단일칩을 구현할 수도 있다.4 and 5 illustrate only one MEMS structure 240 and 340 and one circuit unit 230 and 330, but a plurality of MEMS structures and circuit units are mounted to provide one embodiment. You can also implement a single chip.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 복수개의 회로소자를 입체적으로 배치함으로써 초소형으로 패키징할 수 있게 된다. 이에 따라, 전체 단일칩의 체적을 감소시킬 수 있다. 또한, 각 소자를 범핑 방식을 이용하여 전기적으로 연결함으로써 전기적 손실을 줄일 수도 있다.As described above, according to the present invention, by packaging a plurality of circuit elements in three dimensions, it is possible to package in a very small. Accordingly, the volume of the whole single chip can be reduced. In addition, electrical losses may be reduced by electrically connecting each device using a bumping method.

또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.In addition, although the preferred embodiment of the present invention has been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, but the technical field to which the invention belongs without departing from the spirit of the invention claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

도 1은 복수개의 구조물이 평면으로 배치된 종래의 단일칩의 구성을 나타내는 모식도,1 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional single chip in which a plurality of structures are arranged in a plane;

도 2는 복수개의 구조물이 적층되어 형성된 종래의 단일칩의 구성을 나타내는 모식도,Figure 2 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional single chip formed by stacking a plurality of structures,

도 3은 본 발명에 따른 단일칩의 구성을 나타내는 단면도,3 is a cross-sectional view showing the configuration of a single chip according to the present invention;

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 자이로센서의 구성을 나타내는 단면도,4 is a cross-sectional view showing the configuration of a gyro sensor according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 자이로센서의 구성을 나타내는 단면도,5 is a cross-sectional view showing the configuration of a gyro sensor according to another embodiment of the present invention;

도 6A 내지 도 6C는 도 4의 자이로센서를 제조하는 방법에 대한 일실시예를 나타내는 공정도, 그리고,6A to 6C are process diagrams showing an embodiment of a method of manufacturing the gyro sensor of FIG. 4, and

도 7A 내지 도 7C는 도 4의 자이로센서를 제조하는 방법에 대한 또다른 실시예를 나타내는 공정도이다.7A to 7C are flowcharts illustrating still another embodiment of the method of manufacturing the gyro sensor of FIG. 4.

* 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawing

210, 310 : 기판 220, 320 : 연결부210, 310: substrate 220, 320: connection

230, 330 : 회로유닛 240, 340 : MEMS 구조물230, 330: circuit unit 240, 340: MEMS structure

Claims (12)

기판;Board; 일표면 상의 소정 영역에 공동부가 형성되며, 상기 기판 상부에 결합하여 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물; 및A cavity structure formed in a predetermined region on one surface and coupled to an upper portion of the substrate to output a vibration signal proportional to an external rotational force; And 상기 공동부 내에 위치하며, 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서. And a circuit unit which is located in the cavity and converts the vibration signal into a predetermined electrical signal proportional to the rotational angular velocity. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 멤스 구조물은, The MEMS structure, 상기 공동부가 형성된 표면이 상기 기판 방향을 향하도록 상기 기판 상부에 결합되는 것을 특징으로 하는 자이로센서.Gyro sensor, characterized in that coupled to the upper surface of the cavity is formed so that the surface facing the substrate direction. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 각각 상기 기판과 전기적으로 연결하는 연결부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.And a connecting portion electrically connecting the MEMS structure and the circuit unit to the substrate, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 멤스 구조물은,The MEMS structure, 상기 공동부가 형성된 표면이 상기 기판 반대 방향을 향하도록 상기 기판 상부표면에 결합된 것을 특징으로 하는 자이로센서.A gyro sensor coupled to the upper surface of the substrate such that the surface on which the cavity is formed faces in the direction opposite to the substrate. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 공동부 내에서 상기 멤스 구조물 및 상기 회로유닛을 전기적으로 연결시키는 연결부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.The gyro sensor further comprises; a connecting portion for electrically connecting the MEMS structure and the circuit unit in the cavity. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 회로유닛은,The circuit unit, 상기 진동신호를 회전각속도에 비례하는 소정의 아날로그 신호로 변환하는 아날로그 ASIC; 및 An analog ASIC for converting the vibration signal into a predetermined analog signal proportional to the rotational angular velocity; And 상기 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 디지털 ASIC;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.Gyroscope sensor comprising a; digital ASIC for converting the analog signal into a digital signal. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 멤스 구조물은,The MEMS structure, 일표면 상의 소정영역에 상기 공동부가 형성된 하위 유리기판;A lower glass substrate having the cavity formed in a predetermined region on one surface thereof; 상기 하위 유리기판 상에서 상기 공동부가 형성된 표면의 반대 방향의 표면에 결합하며, 소정의 진동구조체 형태로 패터닝된 실리콘막;A silicon film bonded to the surface in a direction opposite to the surface where the cavity is formed on the lower glass substrate and patterned into a predetermined vibration structure; 상기 하위 유리기판 상에 형성되어 상기 실리콘막과 연결되는 도전체막; 및A conductor film formed on the lower glass substrate and connected to the silicon film; And 상기 하위 유리기판과 결합된 반대 방향으로 상기 실리콘막에 결합한 상위 유리기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서.And an upper glass substrate bonded to the silicon film in an opposite direction to the lower glass substrate. 복수개의 소자로 구성된 단일칩에 있어서,In a single chip composed of a plurality of elements, 일표면 상의 소정영역에 공동부가 형성된 제1소자;A first element having a cavity formed in a predetermined region on one surface; 상기 제1소자의 공동부 내에 위치하는 제2소자; 및 A second element located within the cavity of the first element; And 상기 제1소자 및 상기 제2소자와 각각 도전성 물질을 통해 연결되어 각 소자를 지지하는 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일칩.And a substrate connected to the first device and the second device through a conductive material to support each device. (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계;(A) manufacturing a MEMS structure for outputting a vibration signal in proportion to the external rotational force; (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계;(b) manufacturing a cavity by etching a predetermined region on one surface of the MEMS structure; (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 기판 상부 표면에 결합하는 단계; 및(c) coupling a circuit unit for converting the vibration signal into a predetermined electrical signal proportional to the rotational angular velocity and outputting the circuit unit to an upper surface of a substrate; And (d) 상기 공동부 내에 상기 회로유닛이 위치하도록 상기 멤스 구조물을 상기 기판 상부표면에 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서의 제조방법.(d) coupling the MEMS structure to the upper surface of the substrate such that the circuit unit is located in the cavity. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 (a)단계는,In step (a), 표면상의 소정영역이 식각된 제1 유리기판 상에 실리콘막을 접합하는 단계;Bonding a silicon film on a first glass substrate on which a predetermined area on the surface is etched; 상기 실리콘막의 소정 영역을 식각하여 소정의 진동구조체 형태로 패터닝하는 단계; Etching a predetermined region of the silicon film and patterning the same to a predetermined vibration structure; 상기 진동구조체가 진동할 수 있는 공간이 확보된 제2 유리기판을 상기 실리콘막에 접합하는 단계; 및Bonding a second glass substrate having a space for vibrating the vibrating structure to the silicon film; And 상기 실리콘막과 외부단자를 전기적으로 연결시키기 위한 도전체막을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서의 제조방법.Stacking a conductor film for electrically connecting the silicon film and an external terminal to the silicon film; (a) 외부 회전력에 비례하는 진동신호를 출력하는 멤스 구조물을 제작하는 단계;(A) manufacturing a MEMS structure for outputting a vibration signal in proportion to the external rotational force; (b) 상기 멤스 구조물의 일표면 상의 소정영역을 식각하여 공동부를 제작하는 단계;(b) manufacturing a cavity by etching a predetermined region on one surface of the MEMS structure; (c) 상기 진동신호를 회전 각속도에 비례하는 소정의 전기적신호로 변환하여 출력하는 회로유닛을 상기 공동부 내에 접합하는 단계; 및(c) bonding a circuit unit into the cavity to convert the vibration signal into a predetermined electrical signal proportional to the rotational angular velocity and output the same; And (d) 상기 멤스 구조물을 기판 상부표면에 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서의 제조방법.(d) coupling the MEMS structure to the upper surface of the substrate. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 (a)단계는,In step (a), 표면상의 소정영역이 식각된 제1 유리기판 상에 실리콘막을 접합하는 단계;Bonding a silicon film on a first glass substrate on which a predetermined area on the surface is etched; 상기 실리콘막의 소정 영역을 식각하여 소정의 진동구조체 형태로 패터닝하는 단계; Etching a predetermined region of the silicon film and patterning the same to a predetermined vibration structure; 상기 진동구조체가 진동할 수 있는 공간이 확보된 제2 유리기판을 상기 실리콘막에 접합하는 단계; 및Bonding a second glass substrate having a space for vibrating the vibrating structure to the silicon film; And 상기 실리콘막과 외부단자를 전기적으로 연결시키기 위한 도전체막을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자이로센서의 제조방법.Stacking a conductor film for electrically connecting the silicon film and an external terminal to the silicon film;
KR1020040039680A 2004-06-01 2004-06-01 Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof KR100622372B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040039680A KR100622372B1 (en) 2004-06-01 2004-06-01 Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof
EP05253351A EP1602896A3 (en) 2004-06-01 2005-06-01 Gyro-sensor comprising a plurality of component units, and fabricating method thereof
US11/141,054 US7263883B2 (en) 2004-06-01 2005-06-01 Gyro-sensor comprising a plurality of component units, and fabricating method thereof
JP2005161353A JP2005345473A (en) 2004-06-01 2005-06-01 Gyro-sensor comprising a plurality of component units and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040039680A KR100622372B1 (en) 2004-06-01 2004-06-01 Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050114458A true KR20050114458A (en) 2005-12-06
KR100622372B1 KR100622372B1 (en) 2006-09-19

Family

ID=34941525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040039680A KR100622372B1 (en) 2004-06-01 2004-06-01 Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7263883B2 (en)
EP (1) EP1602896A3 (en)
JP (1) JP2005345473A (en)
KR (1) KR100622372B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101056612B1 (en) * 2006-03-14 2011-08-11 로베르트 보쉬 게엠베하 Micromechanical Bond-Components and Corresponding Manufacturing Methods

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070004079A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Geefay Frank S Method for making contact through via contact to an offset contactor inside a cap for the wafer level packaging of FBAR chips
FI119728B (en) * 2005-11-23 2009-02-27 Vti Technologies Oy Process for manufacturing microelectromechanical component and microelectromechanical component
JP2008073818A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Murata Mfg Co Ltd Electronic component and composite electronic component
US8250921B2 (en) * 2007-07-06 2012-08-28 Invensense, Inc. Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics
US7934423B2 (en) 2007-12-10 2011-05-03 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS angular accelerometer with integrated electronics
US8462109B2 (en) 2007-01-05 2013-06-11 Invensense, Inc. Controlling and accessing content using motion processing on mobile devices
US8952832B2 (en) 2008-01-18 2015-02-10 Invensense, Inc. Interfacing application programs and motion sensors of a device
US8141424B2 (en) 2008-09-12 2012-03-27 Invensense, Inc. Low inertia frame for detecting coriolis acceleration
US20090282917A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Cenk Acar Integrated multi-axis micromachined inertial sensing unit and method of fabrication
JP2010181313A (en) * 2009-02-06 2010-08-19 Panasonic Corp Angular velocity sensor
DE102009002376A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Robert Bosch Gmbh Multichip sensor module and method of making same
US8724832B2 (en) 2011-08-30 2014-05-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8824706B2 (en) 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
US8811636B2 (en) 2011-11-29 2014-08-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microspeaker with piezoelectric, metal and dielectric membrane
ITTO20120623A1 (en) 2012-07-13 2014-01-14 St Microelectronics Srl STACKED ASSEMBLY OF AN INTEGRATED MEMS DEVICE WITH A REDUCED THICKNESS
US9726689B1 (en) * 2013-03-15 2017-08-08 Hanking Electronics Ltd. Wafer level micro-electro-mechanical systems package with accelerometer and gyroscope
JP2014183151A (en) * 2013-03-19 2014-09-29 Seiko Epson Corp Module, manufacturing method of module, electronic apparatus, and movable body
JP6508044B2 (en) * 2013-05-01 2019-05-08 ソニー株式会社 Sensor device and electronic device
CN106430075B (en) * 2016-11-23 2017-11-07 山东鸿荣电子有限公司 A kind of manufacture method of sensor
CN106409855B (en) * 2016-11-23 2019-04-09 山东华芯电子有限公司 A kind of dual-side image sensor
CN106409856B (en) * 2016-11-24 2019-09-20 江苏天楹之光光电科技有限公司 A method of manufacturing the sensor with reference capacitance
CN106373974B (en) * 2016-11-24 2019-10-18 江苏骏龙光电科技股份有限公司 A kind of senser element with reference capacitance
CN106373973B (en) * 2016-11-24 2019-11-05 江苏骏龙光电科技股份有限公司 A kind of anti-interference imaging sensor
CN106505074A (en) * 2016-11-24 2017-03-15 南通沃特光电科技有限公司 A kind of manufacture method of imageing sensor
CN107607098B (en) * 2017-10-17 2020-09-22 西北工业大学 Preparation method of chip-level MEMS (micro-electromechanical systems) rotation modulation gyroscope
DE102020211741A1 (en) * 2020-09-21 2022-03-24 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Micromechanical sensor

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
US5831162A (en) * 1997-01-21 1998-11-03 Delco Electronics Corporation Silicon micromachined motion sensor and method of making
KR100276429B1 (en) * 1998-09-07 2000-12-15 정선종 Fabricatuon method of micro vacuum structure
JP2000186931A (en) * 1998-12-21 2000-07-04 Murata Mfg Co Ltd Small-sized electronic component and its manufacture, and via hole forming method for the small-sized electronic component
KR100343211B1 (en) * 1999-11-04 2002-07-10 윤종용 Fablication method of Micro Electromechanical System structure which can be packaged in the state of wafer level
JP3771100B2 (en) 2000-01-19 2006-04-26 アルプス電気株式会社 Capacitance detection type sensor, gyroscope and input device
JP2001227902A (en) * 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US6441481B1 (en) * 2000-04-10 2002-08-27 Analog Devices, Inc. Hermetically sealed microstructure package
US6335224B1 (en) * 2000-05-16 2002-01-01 Sandia Corporation Protection of microelectronic devices during packaging
US6787916B2 (en) * 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
US6808955B2 (en) * 2001-11-02 2004-10-26 Intel Corporation Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity
JP2003270264A (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Denso Corp Semiconductor dynamic quantity sensor
US6768196B2 (en) 2002-09-04 2004-07-27 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with isolation
US6888233B2 (en) * 2003-03-10 2005-05-03 Honeywell International Inc. Systems for buried electrical feedthroughs in a glass-silicon MEMS process
JP4238724B2 (en) * 2003-03-27 2009-03-18 株式会社デンソー Semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101056612B1 (en) * 2006-03-14 2011-08-11 로베르트 보쉬 게엠베하 Micromechanical Bond-Components and Corresponding Manufacturing Methods

Also Published As

Publication number Publication date
EP1602896A3 (en) 2007-04-11
KR100622372B1 (en) 2006-09-19
US7263883B2 (en) 2007-09-04
US20050262941A1 (en) 2005-12-01
EP1602896A2 (en) 2005-12-07
JP2005345473A (en) 2005-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100622372B1 (en) Gyro-sensor comprising plural component unit, and fabricating method thereof
US7468552B2 (en) Physical quantity sensor
JP5769964B2 (en) MEMS device
US7238999B2 (en) High performance MEMS packaging architecture
JP2009505389A (en) Chip scale package for micro parts
TW201409586A (en) Hybridly integrated component and method for the production thereof
JP2007101531A (en) Dynamic amount sensor
JP4613958B2 (en) Electronic component manufacturing method and electronic component
JP2007043017A (en) Semiconductor sensor equipment
JP6512006B2 (en) Sensor device
US20150355220A1 (en) Inertial sensor module having hermetic seal formed of metal and multi-axis sensor employing the same
JP5598515B2 (en) Physical quantity sensor and manufacturing method thereof
JP5120176B2 (en) Physical quantity sensor and manufacturing method thereof
JP2001349732A (en) Micro-machine device, angular acceleration sensor, and acceleration sensor
KR20040097952A (en) Capacitance type dynamic quantity sensor
JP2007227596A (en) Semiconductor module and its manufacturing method
JP5151085B2 (en) Sensor unit and manufacturing method thereof
JP2018112466A (en) Sensor device and electronic equipment
KR101118624B1 (en) Mems microphone package and manufacturing method the same
CN109476475B (en) Sensor assembly and device and method for producing a sensor assembly
JP2008185369A (en) Angular velocity sensor, its manufacturing method, electronic apparatus, and circuit board
JP5298332B2 (en) Capacitance type sensor and manufacturing method thereof
JP5167848B2 (en) Support substrate and method of manufacturing capacitive mechanical quantity detection sensor using the same
JP2016170100A (en) Glass substrate with embedded silicon wiring and sensor using the same
CN118412323A (en) Semiconductor device and vibration device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J501 Disposition of invalidation of trial
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120814

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130822

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140822

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee