KR20050081139A - 인듐갈륨나이트라이드 양자 웰을 가지는 나노막대 어레이구조의 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000002073 nanorod Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 26
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000549556 Nanos Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
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- E02B7/00—Barrages or weirs; Layout, construction, methods of, or devices for, making same
- E02B7/20—Movable barrages; Lock or dry-dock gates
- E02B7/26—Vertical-lift gates
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- E02B7/00—Barrages or weirs; Layout, construction, methods of, or devices for, making same
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- E05Y2201/00—Constructional elements; Accessories therefor
- E05Y2201/60—Suspension or transmission members; Accessories therefor
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- E05Y2201/00—Constructional elements; Accessories therefor
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Abstract
Description
n형 GaN버퍼층(20) | n형 GaN나노막대(31) | InGaN층(33a) | GaN 배리어(33b) | p형 GaN나노막대(35) | |
기판 온도 | 550℃ | 460℃ | 460℃ | 460℃ | 460℃ |
압력 | 약 1 atm | 약 1 atm | 약 1 atm | 약 1 atm | 약 1 atm |
성장시간 | 50분 | 20분 | 10초 | 25초 | 20분 |
전구체 또는도펀트 가스 유량(sccm) | Ga : 50 N : 2000 | Ga : 50 N : 2000 Si : 5 | Ga : 50 N : 2000 In : 10 | Ga : 50 N : 2000 | Ga : 50 N : 2000 Mg : 10 |
두께(높이) | 1.5㎛ | 0.5㎛ | 4.8㎚ | 12㎚ | 0.5㎛ |
Claims (20)
- 기판;상기 기판에 수직한 방향으로 형성된 제1도전형의 GaN 나노막대(nanorod), 이 제1도전형의 GaN 나노막대 위에 형성된 InGaN 양자 웰(quantum well), 및 이 InGaN 양자 웰 위에 형성된 제2도전형의 GaN 나노막대를 각각 구비하는 다수의 나노막대들로 이루어진 나노막대 어레이(nanorod array);상기 나노막대 어레이의 제1도전형의 GaN 나노막대에 공통적으로 연결되어 전압을 인가하는 전극 패드; 및상기 나노막대 어레이의 제2도전형의 GaN 나노막대 위에 공통적으로 연결되어 전압을 인가하는 투명전극을 구비하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 나노막대들 사이에 투명 절연물이 채워져 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 투명 절연물은 SOG(Spin-On-Glass), SiO2 또는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 투명 절연물에는 상기 발광 다이오드의 방출광이 전체로서 백색광이 되도록 형광물질이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 투명 절연물은 상기 나노막대들의 선단부가 약간 돌출되도록 나노막대들의 높이보다 낮은 높이로 나노막대들 사이에 채워져 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 양자 웰은, 복수의 InGaN층과 복수의 GaN 배리어(barrier)층이 교대로 적층되어 형성된 다층 양자 웰(multi quantum well)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제6항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 방출광이 전체로서 백색광이 되도록 상기 다층 양자 웰의 복수의 InGaN층의 각 In 함량이 다르게 조절되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(sapphire) 기판이고, 이 사파이어 기판과 상기 나노막대들 사이에는 제1도전형의 GaN 버퍼층(buffer layer)이 개재되어 있으며, 상기 전극 패드는 상기 GaN 버퍼층 상의 일부 영역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 전극 패드는 상기 실리콘 기판의 상기 나노막대들이 형성되는 면과 대향하는 면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 기판에 수직한 방향으로 다수의 제1도전형의 GaN 나노막대들을 어레이 상으로 형성하는 단계;상기 다수의 제1도전형의 GaN 나노막대들 위에 각각 InGaN 양자 웰을 형성하는 단계;상기 InGaN 양자 웰 위에 제2도전형의 GaN 나노막대를 각각 형성하는 단계;상기 제1도전형의 GaN 나노막대들에 전압을 인가하기 위한 전극 패드를 형성하는 단계; 및상기 제2도전형의 GaN 나노막대들 위에 공통적으로 연결되어 전압을 인가하기 위한 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제2도전형의 GaN 나노막대를 형성하는 단계에 이어, 제1도전형의 GaN 나노막대, InGaN 양자 웰 및 제2도전형의 GaN 나노막대로 이루어지는 나노막대들 사이에 투명 절연물을 채우는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 투명 절연물은 SOG(Spin-On-Glass), SiO2 또는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 투명 절연물에는 상기 발광 다이오드의 방출광이 전체로서 백색광이 되도록 형광물질이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 양자 웰을 형성하는 단계는, InGaN층을 형성하는 단계와, GaN 배리어(barrier)층을 형성하는 단계를 교대로 반복함으로써 다층 양자 웰을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제1도전형의 GaN 나노막대, InGaN 양자 웰 및 제2도전형의 GaN 나노막대는 MO-HVPE(metalorganic-hydride vapor phase epitaxy)법에 의해 인-시튜(in-situ)로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 제1도전형의 GaN 나노막대들을 형성하는 단계 이전에, 상기 사파이어 기판 위에 제1도전형의 GaN 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 전극 패드는 상기 GaN 버퍼층 위의 일부 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 전극 패드는 상기 실리콘 기판의 상기 나노막대들이 형성되는 면과 대향하는 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제1도전형의 GaN 나노막대, InGaN 양자 웰 및 제2도전형의 GaN 나노막대가 이 순서대로 길이방향으로 연속하여 이루어진 GaN 나노막대.
- 제18항에 있어서, 상기 양자 웰은, 복수의 InGaN층과 복수의 GaN 배리어(barrier)층이 교대로 형성된 다층 양자 웰(multi quantum well)인 것을 특징으로 하는 GaN 나노막대.
- 제18항 또는 제19항에 기재된 GaN 나노막대와, 이 GaN 나노막대의 양단에 전압을 인가하기 위한 전극을 구비하는 GaN 발광 다이오드.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2004-00036604 | 2004-02-13 | ||
JP2004036604A JP4160000B2 (ja) | 2004-02-13 | 2004-02-13 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050081139A true KR20050081139A (ko) | 2005-08-18 |
KR100663745B1 KR100663745B1 (ko) | 2007-01-02 |
Family
ID=35003402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040030014A KR100663745B1 (ko) | 2004-02-13 | 2004-04-29 | 인듐갈륨나이트라이드 양자 웰을 가지는 나노막대 어레이구조의 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4160000B2 (ko) |
KR (1) | KR100663745B1 (ko) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100621918B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-09-14 | 학교법인 포항공과대학교 | 투명 전도성 나노막대를 전극으로 포함하는 발광소자 |
KR100643473B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2006-11-10 | 엘지전자 주식회사 | 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
KR100661960B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-12-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2007021069A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode employing an array of nanorods and method of fabricating the same |
KR100810146B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-03-06 | 전북대학교산학협력단 | 질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드및 그 제조 방법 |
KR20110057988A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 삼성전자주식회사 | 전류 제한층을 구비한 발광 소자 |
US8183576B2 (en) | 2008-09-04 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diodes including perpendicular-extending nano-rods |
US8247790B2 (en) | 2009-04-16 | 2012-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
KR101316415B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2013-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR101352958B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2014-01-21 | 전북대학교산학협력단 | 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 나노와이어를 포함하는 다이오드 |
US9035324B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2410582B1 (en) * | 2005-05-24 | 2019-09-04 | LG Electronics Inc. | Nano rod type light emitting diode and method for fabricating a nano rod type light emitting diode |
KR100654533B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 광 추출용 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조방법 |
US8022432B2 (en) * | 2005-08-19 | 2011-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Light-emitting device comprising conductive nanorods as transparent electrodes |
JP4552828B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2010-09-29 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
KR100668351B1 (ko) * | 2006-01-05 | 2007-01-12 | 삼성코닝 주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2008034482A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
JP2008108757A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
JP4965293B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法 |
JP2008258297A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
WO2008129861A1 (ja) * | 2007-04-18 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | 発光素子 |
JP5042715B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
KR20090012493A (ko) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 삼성전기주식회사 | 광자결정 발광소자 |
FR2922685B1 (fr) * | 2007-10-22 | 2011-02-25 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique a base de nanofils et procedes correspondants |
US8304979B2 (en) | 2007-12-06 | 2012-11-06 | Panasonic Corporation | Light emitting device having inorganic luminescent particles in inorganic hole transport material |
EP2254164B1 (en) * | 2008-03-14 | 2012-05-16 | Panasonic Corporation | Compound semiconductor light-emitting element and illumination device using the same, and method for manufacturing compound semiconductor light-emitting element |
JP5145120B2 (ja) | 2008-05-26 | 2013-02-13 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法 |
KR101148444B1 (ko) | 2009-06-19 | 2012-05-21 | 순천대학교 산학협력단 | 백색 나노 발광다이오드 및 이의 제조 방법 |
WO2011160051A2 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Glo Ab | Nanowire led structure and method for manufacturing the same |
US8242523B2 (en) * | 2010-07-29 | 2012-08-14 | National Tsing Hua University | III-Nitride light-emitting diode and method of producing the same |
WO2012029381A1 (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | シャープ株式会社 | 発光素子およびその製造方法、発光装置の製造方法、照明装置、バックライト、表示装置、並びにダイオード |
CN103190004B (zh) * | 2010-09-01 | 2016-06-15 | 夏普株式会社 | 发光元件及其制造方法、发光装置的制造方法、照明装置、背光灯、显示装置以及二极管 |
JP4927223B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | 発光素子およびその製造方法、発光装置の製造方法、照明装置、バックライト並びに表示装置 |
EP2618388B1 (en) | 2012-01-20 | 2019-10-02 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Light-emitting diode chip |
DE102013100291B4 (de) | 2013-01-11 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
FR3004000B1 (fr) * | 2013-03-28 | 2016-07-15 | Aledia | Dispositif electroluminescent avec capteur integre et procede de controle de l'emission du dispositif |
FR3015772B1 (fr) * | 2013-12-19 | 2017-10-13 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes a extraction de lumiere amelioree |
JP6330486B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2018-05-30 | 富士通株式会社 | 半導体ナノワイヤ光装置及びその製造方法 |
CN104360425B (zh) | 2014-11-24 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光学膜层、发光器件及显示装置 |
KR101783104B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-09-28 | 연세대학교 산학협력단 | 나노와이어 번들 어레이, 광대역의 초고성능 옵티컬 필름 및 그 제조 방법 |
KR20210010463A (ko) * | 2018-06-13 | 2021-01-27 | 로렌스 리버모어 내쇼날 시큐리티, 엘엘시 | 광전자 장치의 변형 제어 |
JP6795123B1 (ja) * | 2019-10-23 | 2020-12-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハおよびその製造方法 |
CN116014043B (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、led |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100411573B1 (ko) * | 2000-03-04 | 2003-12-18 | 주식회사 엔엠씨텍 | 콴텀홀을 이용한 반도체 발광소자의 제조방법 |
KR100462468B1 (ko) * | 2002-03-02 | 2004-12-17 | 학교법인 포항공과대학교 | 나노선과 이를 이용한 나노소자 |
KR100644166B1 (ko) * | 2004-02-12 | 2006-11-10 | 학교법인 포항공과대학교 | 질화물 반도체의 이종접합 구조체, 이를 포함하는나노소자 또는 이의 어레이 |
-
2004
- 2004-02-13 JP JP2004036604A patent/JP4160000B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-29 KR KR1020040030014A patent/KR100663745B1/ko active IP Right Grant
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100621918B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-09-14 | 학교법인 포항공과대학교 | 투명 전도성 나노막대를 전극으로 포함하는 발광소자 |
US7816700B2 (en) | 2005-08-19 | 2010-10-19 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode employing an array of nanorods and method of fabricating the same |
WO2007021069A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode employing an array of nanorods and method of fabricating the same |
KR100643473B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2006-11-10 | 엘지전자 주식회사 | 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
KR100661960B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-12-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
KR101316415B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2013-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
US8866164B2 (en) | 2005-10-17 | 2014-10-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
KR100810146B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-03-06 | 전북대학교산학협력단 | 질화물계 반도체 나노와이어들을 포함하는 발광 다이오드및 그 제조 방법 |
US8183576B2 (en) | 2008-09-04 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diodes including perpendicular-extending nano-rods |
US8247790B2 (en) | 2009-04-16 | 2012-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
US9035324B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device |
KR20110057988A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 삼성전자주식회사 | 전류 제한층을 구비한 발광 소자 |
KR101352958B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2014-01-21 | 전북대학교산학협력단 | 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 나노와이어를 포함하는 다이오드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005228936A (ja) | 2005-08-25 |
KR100663745B1 (ko) | 2007-01-02 |
JP4160000B2 (ja) | 2008-10-01 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131216 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141223 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161202 Year of fee payment: 11 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181203 Year of fee payment: 13 |