KR20050015260A - 기판 처리 장치 및 그 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판의 세정 및 건조를 위한 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판들이 수용되는 처리조, 상기 처리조의 하부에서 세정액을 공급하기 위한 하부 공급부, 상기 처리조의 상부에서 세정액을 공급하기 위한 상부 공급부 그리고 기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 가스 공급부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 그 방법{METHOD AND APPARATUS FOR WAFER TRANSACTION}

본 발명은 기판의 세정공정에서 사용되는 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 구체적으로는 기판의 세정 및 건조를 위한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체소자의 고집적화에 따라 반도체 제조공정에서 기판의 세정기술은 더욱 다양화되고, 그리고 그의 중요성은 증대되어가고 있다. 특히 미세구조를 갖는 반도체소자의 제조공정에 있어서는 기판의 세정공정후 기판에 부착된 파티클(particles)뿐만 아니라, 정전기, 워터마크(water mark), 라인성 파티클 등은 후속공정에 커다란 영향을 미치게 되기 때문에, 기판의 세정 및 건조 공정의 필요성이 더욱 증대된다.

기판의 세정 및 건조에 사용되는 기판의 처리 장치는 여러 방향으로 발전하였다. 그 중에서 베스에서 기판들을 세정하고, 이소프로필 알코올(isopropyle alcohol : IPA) 등의 건조가스를 이용하여 기판을 건조하는 처리 장치(IPA 건조 장치라고도 함)가 널리 사용되고 있다.

이러한 처리 장치의 공정을 간략히 살펴보면, 우선 베스 하부에 설치된 공급부를 통해 세정액을 공급하여 기판을 수세하는 린스(세정) 단계, 세정액을 베스 하부의 배출구를 통하여 일정한 속도로 배수하는 동시에, 베스 상부에서 건조가스를 공급하는 건조 단계를 갖는다. 상기 베스로 공급된 건조가스는 배수에 따라 노출되는 기판과 세정액의 경계면에서 건조작용을 한다. 이 건조 단계는 배수가 진행되어 기판이 세정액에서 완전히 노출될 때까지 계속된다.

하지만, 기존 건조 장치는 기판 표면을 지나는 세정액의 유속이 작아 세정효과가 매우 낮다는 단점이 있다. 그렇게 때문에, 기존 건조 장치에서는 기판 세정 공정을 위한 처리 시간이 길어질 수 밖에 없고, 따라서 소모되는 세정액의 양이 많아지는 단점이 있다.

또한, 린스 단계(상기 베스 하부에서 공급된 세정액이 베스 상부로 오버플로우 되는 과정)에서 건조 단계(베스 하부의 배출구로 세정액을 배수하는 과정)로 전환될 때, 세정액 수면위에 부유중인 파티클들이 다시 기판 표면에 달라붙게 되는 역오염 가능성이 매우 높은 단점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판 세정 효율을 높여 세정 처리 시간을 단축시킬 수 있는 새로운 형태의 건조 장치를 제공하는 데 있다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 기판 세정에 사용되는 세정액의 양을 줄일 수 있는 건조 장치를 제공하는 데 있다. 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 처리조의 내벽을 세정할 수 있는 건조 장치를 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명의 기판 처리 장치는 기판들이 수용되는 처리조; 상기 처리조의 하부에서 세정액을 공급하기 위한 하부 공급부; 상기 처리조의 상부에서 세정액을 공급하기 위한 상부 공급부; 기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 가스 공급부를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 상부 공급부는 상기 처리조 상부에 설치되는 분배관; 상기 분배관에 설치되는 그리고 기판들에 세정액을 분사하기 위한 노즐들을 포함하한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 상기 기판의 표면과 평행하게 세정액이 분사되거나 또는 기판의 표면과 경사지게 세정액이 분사될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 상부 공급부는 상기 노즐의 분사 범위가 넓어지도록 상기 분배관을 일정각도 범위내에서 회전시키는 구동부를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리조는 상부를 향하여 개구된 형태를 갖으며, 상기 처리조의 개구를 개폐하는 커버를 더 포함하고, 상기 상부 공급부는 상기 커버에 설치된다.

상기 기술적 과제들을 이루기 위한 본 발명의 기판 처리 방법은 기판들을 처리조 내부에 수용하는 단계; 상기 처리조 내부로 세정액을 공급하여 기판들을 세정하는 단계; 상기 기판들이 상기 세정액의 수면위로 서서히 노출되도록 상기 처리조 내의 세정액을 배수하면서 건조 가스를 분사하는 단계를 포함하되; 상기 기판 세정 단계는 세정액이 상기 처리조에 오버플로우되도록 공급하여 기판을 세정하는 1차 세정 단계; 상기 처리조에 채워진 세정액을 배수하면서, 세정액의 수면위로 노출되는 기판들 표면에 세정액을 분사하는 2차 세정 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 2차 세정 단계에서 상기 세정액은 처리조 상부에서 기판들 표면을 향해 분사된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 2차 세정 단계에서 세정액이 상기 처리조에서 모두 배수되면, 상기 처리조 하부에서 세정액을 재공급함과 동시에, 상기 처리조 상부에서 기판들 표면으로 세정액을 분사하는 3차 세정 단계를 더 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 3차 세정 단계는 상기 세정액의 수면이 기판의 상부에 위치될 때까지 세정액이 공급된다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 측면도 및 평면도를 보여주는 도면이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 액체 유동 시스템 그리고 기체 분배기(130)를 포함한다.

상기 챔버(110)는 처리조(111)와 커버(116)를 갖는다. 상기 처리조(111)는 기판(W)를 침지시켜 세정하기 위한 내조(112)와 상기 내조를 둘러싸는 외조(114)로 구성된다. 상기 처리조(111)의 내조(112)는 바닥(112a) 및 측벽(112b)들을 갖으며, 이들에 의해 둘러싸여진 공간을 제공한다. 상기 처리조(111)는 상기 내조의 바닥으로부터 연장된 배출 포트(exhaust port;113)를 갖는다. 상기 처리조(111)는 상부를 향하여 개구된 형태를 갖으며, 상기 처리조(111)의 개구는 상기 커버(116)에 의해 개폐된다. 상기 커버(116)와 상기 처리조(111)의 접촉부에는 밀봉을 위한 오-링이 설치된다.

상기 처리조(111) 내의 기판(w)들은 기판 가이드(120)에 의해 지지된다. 상기 기판 가이드(120)는 상기 기판들(w)을 가로지르는 방향과 평행하게 배치된 적어도 3개의 바들(bars; 122a 및 122b)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 가이드(120)는 하나의 중심 바(122a) 및 상기 중심 바(122a)의 양 옆에 위치하는 두개의 측 바들(122b)로 구성된다. 도시하지는 않았지만, 상기 기판 가이드(120)는 상기 기판들(W)을 상승시키거나 하강시키는 리프트(lift;도시하지 않음)와 접속될 수 있다.

상기 기체 분배기(130)는 상기 커버(116)에 설치된다. 이 기체 분배기(130)는 기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 복수의 노즐(132)들을 포함한다. 상기 기체 분배기(130)는, IPA와, 상온 또는 가열된 질소가스 등의 불활성 가스를 상기 처리조(111)의 상부로부터 상기 처리조(111)의 내부로 균일하게 공급한다.

상기 액체 유동 시스템은 액체를 상기 처리조(111) 내로 지속적으로 공급하는 수단과, 상기 액체를 상기 처리조(111)로부터 지속적으로 배출하는 수단을 갖는다. 이들 수단들에 의해 상기 처리조(111) 내의 액체의 수위 및 배출이 조절된다.

상기 공급 수단은 상기 처리조(111) 하단에 상기 기판 가이드(120)의 길이 방향으로 설치되는 그리고 다수의 분사공들(144)이 형성된 공급관(142)을 갖는 하부 공급부(140)를 갖는다. 그리고, 상기 커버(116)에 상기 기판 가이드(120)의 길이 방향으로 설치되는 상부 공급부(150)를 갖는다. 이 상부 공급부(150)는 다수의 분사노즐(154)이 설치된 제1 및 제2분배관(152a,152b)을 포함한다. 상기 하부 공급부(140)와 상부 공급부(150)는 배관(156)을 통해 외부의 세정액 공급원(미도시됨)으로부터 세정액을 공급받는다. 상기 배관(156)에는 차단밸브(158)가 설치된다. 도 2를 참조하면, 상기 노즐(154)들은 상기 제1분배관(152a)과 제2분배관(152b)에 일정한 간격으로 서로 대응되게 배치되다. 도 2에서처럼, 상기 노즐(154)들은 상기 기판의 표면과 평행하게 세정액을 분사할 수 있다.

상기 노즐(154)들로부터 분사되는 세정액은 도 2에서처럼 기판의 표면과 평행하거나 또는 도 4에서처럼 기판의 표면과 경사지게 분사될 수 있다. 도면에서 세정액의 분사방향은 점선으로 표시되어 있음. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 노즐(154)들은 제1분배관(152a)과 제2분배관(152b)에 서로 엇갈리게 배치될 수 있다.

한편, 상기 상부 공급부(150)는 상기 제1분배관(152a)과 제2분배관(152b)에 각각 설치되는 구동부(159)를 더 포함한다. 도 1을 참조하면, 이 구동부(159)는 상기 제1,2분배관(152a,152b)을 그 길이방향을 축(z)으로 하여 일정각도 범위(x)내에서 회전시킨다. 상기 상부 공급부(150)는 상기 분배관들이 일정범위 내에서 회전됨으로써 세정액의 분사 범위를 넓힐 수 있으며 또한 분사 각도를 조절할 수 있다. 도 1에서는 상기 구동부(159)에 의해 상기 제1,2분배관(152a,152b)이 회전되고, 따라서 상기 분사노즐(154)들의 분사 범위가 넓어지는 상태를 보여주고 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 배관(156)은 상기 분배관들(152a,152b)과 연결되는 부분이 상기 분배관들의 회전에 영향을 받지 않도록 벨로우즈 타입으로 이루어질 수 있다.

상기 배출 수단은 상기 처리조(111)의 배출포트(113)에 연결된 제 1 및 제 2 배수관(drain pipe;172a,172b)과, 이들 각각의 배수관들에 설치되는 조절밸브(174)를 포함한다. 예컨대, 상기 제 2 배수관(172b)은 원하는 속도(1-2mm/s)로 배수하기 위한 밸브(유량조절밸브) 또는 정량 펌프등을 포함한다. 상기 처리조(111) 내의 액체 수위 조절은 상기 조절밸브(174)의 조절에 의해 이루어진다.

여기서, 상기 세정액은 기판들을 세정하는 공정에 사용된다. 이 세정 공정에는 기판들(w)을 세정하는 공정과 기판들(w)을 린스시키는 공정이 포함된다. 따라서, 상기 세정 공정에서 사용되는 세정액은 상기 기판들(w) 상에 잔존하는 파티클들 또는 자연산화막과 같은 오염물질을 제거하는 데 적합한 화학용액일 수 있다. 또한, 상기 린스 공정에서 사용되는 세정액은, 상기 기판들(w) 상에 남아있는 화학용액을 제거하는 데 적합한 탈이온수일 수 있다.

예컨대, 오버플로우 방식으로만으로 세정을 하는 종래의 기술에 따르면, 기판들의 하부로부터 세정액가 공급되어 기판들의 하부 표면으로부터 이탈된 파티클들은 세정액의 수면에 부유된다. 이에 따라, 기판들이 세정액의 밖으로 벗어날지라도 상기 기판들의 표면에 파티클들이 다시 흡착될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 세정액이 처리조의 상부(기판 상부)로부터 기판에 분사됨으로써 기판들의 표면으로부터 이탈된 파티클들이 표면에 다시 흡착되기가 어렵다. 이에 따라, 파티클 제거효과 또한 극대화시킬 수 있다.

다음은, 도 12에는 본 발명에 따른 건조 방법에 대한 플로우 챠트가 도시되어 있다. 도5 내지 도 12를 참조하여 본 발명에 따른 건조 방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 처리조(111)의 내조(112)로 상기 기판들(w)을 로딩시킨다(도 5)(s110).

상기 처리조(111)의 내조(112)에 세정액을 공급하여 기판들을 세정한다(s120). 이 세정 단계는 3단계로 이루어진다. 1차 세정단계는 세정액이 상기 처리조의 내조(112)에서 오버플로우되도록 공급하여 기판을 세정하는 단계이다(도 6참조). 상기 1차 세정단계는 하부 공급부(140)를 통해 세정액이 분당 50L로 공급된다. 통상적으로, 상기 내조(112)를 세정액으로 채우는 데에는 1분정도 소요되며, 세정액은 내조(112)에서 오버플로우되도록 일정 시간동안 공급된다.

2차 세정단계는 상기 내조(112)에 채워진 세정액을 배출 포트(113)를 통해 배출하면서 세정액의 수면위로 노출되는 기판(w)들 표면에 세정액을 분사하는 단계이다(도 7참조). 이 2차 세정단계에서는 상기 상부 공급부(150)에서 세정액 수면위로 노출되는 기판들 표면으로 세정액을 직접 분사함으로써, 기판 표면에 묻어 있는 화학용액 또는 파티클 등의 제거 효율이 매우 높다. 그리고, 이렇게 기판들 표면으로부터 씻겨져 나간 이물질들(화학용액, 파티클)은 세정액과 함께 배출 포트(113)를 통해 모두 배출되게 된다. 상기 2차 세정단계는 세정액을 서서히 배출하는 것이 아니라 신속하게(빠르게) 배출시킨다. 세정액을 배출하는데 소요되는 시간은 대략 10-20초 정도 소요된다.

그리고, 3차 세정단계는 세정액이 내조(112)에서 모두 배출되고 나면, 내조(112)에 세정액이 가득 채워질 때 까지(기판이 세정액에 잠길 때까지) 하부 공급부(140)에서 세정액을 재공급함과 동시에, 상부 공급부(150)의 노즐(154)들로부터 세정액을 기판 표면으로 분사하는 단계이다(도 8참조). 이 3차 세정단계는 하부 공급부(140)를 통해 세정액이 분당 50L로 공급됨과 동시에 상부 공급부(150)에서 세정액이 분사됨으로써, 처리조의 내조를 세정액으로 채우는 데에는 1분보다 적게 소요된다.

이처럼, 상기 세정 단계는 기존의 오버플로우를 통해 기판을 세정하는 것보다 세정 효율이 월등히 높다. 따라서, 세정 처리에 걸리는 시간을 단축시킬 수 있다. 예컨대, 1차 세정단계(1분 20초), 2차 세정단계(20초) 그리고 3차세정단계(1분)를 처리하는데 3분 미만이 소요된다. 하지만, 기존의 오버플로우 방식만을 진행하는 세정 단계에서는 7분 동안 지속적으로 세정액을 분당 50L로 공급하기 때문에 세정액 소비가 당연히 많을 수밖에 없었다. 예컨대, 상기 세정 단계는 선택적으로 1차 세정단계와 2차 세정단계만을 반복하여 실시할 수 있다.

상기 기판들(w)의 세정 공정을 마치면 건조 공정을 실시한다(s130). 이 건조공정에서는 상기 내조(112) 내로 IPA와 질소가스를 공급함과 동시에 상기 내조(112)내의 세정액를 상기 제 2 배수관(172b)을 통해 서서히 배출시킨다.(도 9참고) 이에 따라, 상기 기판들(w)의 표면에 잔존하는 세정액(탈이온수)를 제거하는 건조공정이 진행된다. 좀 더 구체적으로 설명하면, 상기 IPA의 일부는 상기 내조(112) 내의 세정액 표면 내에 스며들어 상기 세정액의 표면에서의 표면장력을 감소시킨다. 특히, 상기 건조공정동안 상기 기판들(w)이 상승하거나 상기 세정액의 수위가 낮아지면, 상기 기판들(w)의 표면들과 상기 세정액가 접촉되는 부분에서 미니스커스(meniscus) 형태의 액체 표면이 형성된다. 이러한 상태 하에서, 상기 IPA가 상기 세정액 표면에 스며들면, 상기 미니스커스 부분의 표면장력은 다른 어느 부분에서의 표면장력보다 낮다. 이에 따라, 상기 기판들(w)의 표면에 잔존하는 액체, 즉 세정액는 표면장력이 높은 부분으로 이동하게 된다. 결과적으로, 마란고니 원리를 이용하면, 기판들(w)의 표면으로부터 세정액를 제거시키는 효과를 극대화시킬 수 있다. 한편, 상기 세정액의 수면이 상기 기판들 하단 이하로 내려오면, 상기 제 2 배수관(172b)을 닫고, 상기 제 1 배수관(172a)을 열어 상기 내조(112)에 남아 있는 상기 세정액를 신속하게 배출시킨다. 상기 제 1 배수관(172a)은 중력에 의한 용액 배출을 수행한다. 상기 내조(112) 내의 세정액 배출이 완료되면, 다음 공정으로 최종 기판 건조 공정이 이루어진다(s140). 도 10 참고하면, 이 최종 기판 건조 공정은 기판 표면에 미세한 입자 형태로 남아있는 세정액를 가열된 질소가스를 이용하여 제거한다.

이렇게 최종 건조 공정을 마친 기판들은 처리조 밖으로 옮겨지게 된다(s150). 그리고 다음 기판들이 처리조에 수용되기 전, 처리조 내벽을 세정하기 위해 상기 상부 공급부의 노즐들을 통해 세정액을 분사한다(도 11 참조)(s160).

여기서, 상기 기판은 포토레티클(reticlo: 회로 원판)용 기판, 액정 디스플레이 패널용 기판이나 플라즈마 디스플레이 패널용 기판 등의 표시 패널 기판, 하드 디스크용 기판, 반도체 장치 등의 전자 디바이스용 웨이퍼 등을 뜻한다.

한편, 본 발명은 상기의 구성으로 이루어진 기판 처리 장치는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 그 방법의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 2차 세정단계에서 세정액 수면위로 노출되는 기판들 표면으로 세정액을 직접 분사함으로써, 기판 표면에 묻어 있는 화학용액 또는 파티클 등의 제거 효율이 매우 높다. 따라서 처리 시간을 단축시킬 수 있다. 특히, 기판들을 린스하는 세정액의 유속이 높고 정체 되지 않은 깨끗한 세정액으로 기판들을 세정함으로 파티클 제 오염 가능성이 적다. 따라서, 세정에 사용되는 세정액의 양을 줄일 수 있다. 또한, 상부 공급부에서 세정액을 분사함으로써 처리조 내벽의 세정이 가능하다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측면도;

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면도;

도 3은 노즐들이 제1분배관과 제2분배관에 서로 엇갈리게 설치된 예를 보여주는 도면;

도 4는 노즐들이 기판의 표면과 경사진 분사 각도를 갖는 예를 보여주는 도면;

도 5 내지 도 11은 본 발명에 따른 기판 세정 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.

도 12는 본 발명에 따른 기판 세정 과정에 대한 플로우 챠트이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

110 : 챔버

111 : 처리조

112 : 내조

116 : 커버

120 : 기판 가이드

130 : 기체 분배기

140 : 하부 공급부

142 : 공급관

150 : 상부 공급부

152a : 제1분배관

152b : 제2분배관

154 : 노즐

Claims (17)

1. 기판들을 세정하고 건조하는 기판 처리 장치에 있어서:

   기판들이 수용되는 처리조;

   상기 처리조의 하부에서 세정액을 공급하기 위한 하부 공급부;

   상기 처리조의 상부에서 세정액을 공급하기 위한 상부 공급부;

   기판에 잔존하는 물기 제거를 위해 상기 처리조에 건조 가스를 분사하기 위한 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 상부 공급부는 기판들에 세정액을 분사하기 위한 복수의 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 상부 공급부는

   상기 처리조 상부에 설치되는 분배관;

   상기 분배관에 설치되는 그리고 기판들에 세정액을 분사하기 위한 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
4. 제3항에 있어서,

   상기 노즐들은 상기 분배관에 일정한 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. 제3항에 있어서,

   상기 노즐은 상기 기판의 표면과 평행하게 세정액이 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. 제3항에 있어서,

   상기 노즐은 기판의 표면과 경사지게 세정액이 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
7. 제1항에 있어서,

   상기 상부 공급부는

   상기 처리조 상부의 일측에 설치되는 제1분배관과;

   상기 제1분배관과 대응되도록 상기 처리조 상부의 타측에 설치되는 제2분배관과;

   상기 제1 분배관과 제2분배관에 각각 설치되는 그리고 기판들에 세정액을 분사하기 위한 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 제1분배관에 설치된 노즐들과 상기 제2분배관에 설치된 노즐들은 서로 엇갈리게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. 제3항에 있어서,

   상기 상부 공급부는

   상기 노즐의 분사 범위가 넓어지도록 상기 분배관을 일정각도 범위내에서 회전시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. 제1항에 있어서,

    상기 처리조는 저면에 상기 세정액 배출을 위한 배출 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
11. 제1항에 있어서,

    상기 처리조는 상부를 향하여 개구된 형태를 갖으며,

    상기 처리조의 개구를 개폐하는 커버를 더 포함하고,

    상기 상부 공급부는 상기 커버에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. 기판들을 세정 및 건조하기 위한 처리 방법에 있어서:

    기판들을 처리조 내부에 수용하는 단계;

    상기 처리조 내부로 세정액을 공급하여 기판들을 세정하는 단계;

    상기 기판들이 상기 세정액의 수면위로 서서히 노출되도록 상기 처리조 내의 세정액을 배수하면서 건조 가스를 분사하는 단계를 포함하되;

    상기 기판 세정 단계는

    세정액이 상기 처리조에 오버플로우되도록 공급하여 기판을 세정하는 1차 세정 단계;

    상기 처리조에 채워진 세정액을 배수하면서, 세정액의 수면위로 노출되는 기판들 표면에 세정액을 분사하는 2차 세정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
13. 제12항에 있어서,

    상기 2차 세정 단계에서 상기 세정액은 처리조 상부에서 기판들 표면을 향해 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
14. 제12항에 있어서,

    상기 기판 세정 단계는

    상기 2차 세정 단계에서 세정액이 상기 처리조에서 모두 배수되면, 상기 처리조 하부에서 세정액을 재공급함과 동시에, 상기 처리조 상부에서 기판들 표면으로 세정액을 분사하는 3차 세정 단계를 더 포함하는 특징으로 하는 기판 처리 방법.
15. 제14항에 있어서,

    상기 3차 세정 단계는

    상기 세정액의 수면이 기판의 상부에 위치될 때까지 세정액이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
16. 제12항에 있어서,

    상기 기판 세정 단계는

    상기 1차 세정 단계와 상기 2차 세정 단계를 반복하여 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
17. 제12항에 있어서,

    상기 건조 공정을 마친 기판들이 처리조로부터 빠져나간 후, 처리조 상부에서 세정액을 분사하여 처리조 내벽을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.