KR20040058840A - An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same - Google Patents

An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR20040058840A
KR20040058840A KR1020020085353A KR20020085353A KR20040058840A KR 20040058840 A KR20040058840 A KR 20040058840A KR 1020020085353 A KR1020020085353 A KR 1020020085353A KR 20020085353 A KR20020085353 A KR 20020085353A KR 20040058840 A KR20040058840 A KR 20040058840A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
panel
liquid crystal
substrate
metal layer
mark
Prior art date
Application number
KR1020020085353A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임주수
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020020085353A priority Critical patent/KR20040058840A/en
Publication of KR20040058840A publication Critical patent/KR20040058840A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133374Constructional arrangements; Manufacturing methods for displaying permanent signs or marks
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Abstract

PURPOSE: An array substrate for an LCD(Liquid Crystal Display) and a manufacturing method thereof are provided to form a metal layer between a driving chip attached to a pad portion of a small LCD panel and a substrate and inscribe the metal layer with an inverse panel ID mark, thereby managing production's record and analyzing badness in field easily. CONSTITUTION: A TFT(Thin Film Transistor), as a switching device, is positioned at a lower substrate. A gate wire and a data wire crossing the TFT are formed. The TFT is comprised of a gate electrode, source and drain electrodes and a semiconductor layer formed on an upper portion of the gate electrode. A pixel region is defined by crossing the gate wire and data wire. A storage capacitor is constructed at a partly upper portion of the gate wire and connected in parallel to a transparent pixel electrode constructed to the pixel region. A panel ID mark(160) capable of tracing the production's record is formed on a metal layer below a driving chip(140) formed on a pad(118) of the LCD panel(130).

Description

액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same}An array substrate for liquid crystal display and a method for manufacturing the same {An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same}

본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 포함하는 소형 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an image display device, and more particularly, to an array substrate for a liquid crystal display (LCD) including a thin film transistor (TFT) and a manufacturing method thereof.

특히 본 발명은 소형 COG 방식 액정패널의 패드위에 패널 ID 마크를 포함한 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.In particular, the present invention relates to an array substrate for a liquid crystal display device including a panel ID mark on a pad of a small COG type liquid crystal panel, and a manufacturing method thereof.

일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Accordingly, if the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to express image information.

현재에는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목 받고 있다.Currently, the active matrix liquid crystal display (AM-LCD) in which the above-described thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner is attracting the most attention due to its excellent resolution and ability to implement video.

도 1 은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically illustrating a general liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 컬러 액정패널(30)은 서브 컬러필터(22)와 상기 각 컬러필터(22)사이에 구성된 블랙매트릭스(24)와 상기 컬러필터와 블랙매트릭스 상부에 증착된 공통전극(26)이 형성된 상부기판(20)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소전극(16)과 스위칭소자(T)와 어레이배선이 형성된 하부기판(10)으로 구성되며, 상기 상부기판(20)과 하부기판(10) 사이에는 액정(25)이 충진되어 있다.As shown in the drawing, the general color liquid crystal panel 30 includes a black matrix 24 formed between the sub color filter 22 and each of the color filters 22 and a common electrode 26 deposited on the color filter and the black matrix. ) Is formed of an upper substrate 20 on which the upper substrate 20 is formed, a pixel electrode P formed on the pixel region P and a lower substrate 10 on which the switching element T and the array wiring are formed. The liquid crystal 25 is filled between the 20 and the lower substrate 10.

상기 하부기판(10)은 어레이기판(array substrate)이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(TFT)를 교차하여 지나가는 게이트배선(12)과 데이터배선(14)이 형성된다.The lower substrate 10 may also be referred to as an array substrate, and the thin film transistor T, which is a switching element, may be positioned in a matrix type, and the gate wiring 12 may cross the plurality of thin film transistors TFT. ) And data wiring 14 are formed.

이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(12)과 데이터배선(14)이 교차하여 정의되는 영역이며, 상기 화소영역(P)상에는 전술한 바와 같이, 투명한 화소전극(16)이 형성된다.In this case, the pixel area P is an area defined by the gate wiring 12 and the data wiring 14 intersecting. A transparent pixel electrode 16 is formed on the pixel area P as described above. .

상기 화소전극(16)과 공통전극(26)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성금속을 사용한다.The pixel electrode 16 and the common electrode 26 use a transparent conductive metal having relatively high light transmittance, such as indium-tin-oxide (ITO).

전술한 바와 같은 구성을 가지는 액정패널의 구동은 액정의 전기광학적 효과에 기인한 것이다.The driving of the liquid crystal panel having the configuration as described above is due to the electro-optical effect of the liquid crystal.

이하 첨부한 도면을 참조하여 소형 COG 방식 액정패널의 구조에 관하여 설명한다.Hereinafter, a structure of a small COG type liquid crystal panel will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 종래의 일반적인 소형 COG 방식의 액정패널을 나타낸 평면도이다.2 is a plan view showing a liquid crystal panel of a conventional general small COG method.

이하에서는 도 2에서와 같이 하나의 패드만을 가진 액정패널을 기준으로 하여 기술하겠다.Hereinafter, a description will be given with reference to the liquid crystal panel having only one pad as shown in FIG. 2.

상기 종래의 소형 COG 방식의 액정패널(30)은 상부기판(20) 과 하부기판(10) 그리고 그 사이에 게재된 액정층(미도시)으로 구성된다. 상기 하부기판(10)의 액티브 영역(AR1)에는 제 1 방향으로 다수의 게이트 배선(12a)이 형성되고, 제 2 방향으로는 다수의 데이터 배선(14a)이 형성된다. 도면에서 점선으로 표시된 사각형(A1)은 상부기판에 가려져서 보이지 않는 하부기판상의 상기 배선들을 나타낸 것이다. 상기 액티브 영역 내의 게이트 배선(12a) 및 데이터 배선(14a)은 서로 교차하여 화소영역(도 1의 P)을 정의하며 형성되고, 상기 두 배선의 교차지점에는 게이트 전극(미도시)과 액티브층(미도시)과 소스전극(미도시)과 드레인전극(미도시)을 포함하는 박막트랜지스터(도 1의 T)가 구성된다.The conventional small COG type liquid crystal panel 30 includes an upper substrate 20 and a lower substrate 10 and a liquid crystal layer (not shown) interposed therebetween. In the active region AR1 of the lower substrate 10, a plurality of gate lines 12a are formed in a first direction, and a plurality of data lines 14a are formed in a second direction. Square A1 indicated by a dotted line in the drawing shows the wirings on the lower substrate, which are hidden by the upper substrate. The gate line 12a and the data line 14a in the active region cross each other to define a pixel region (P in FIG. 1), and a gate electrode (not shown) and an active layer ( A thin film transistor (T in FIG. 1) including a source electrode (not shown) and a drain electrode (not shown) is configured.

또한 상기 하부기판(10)의 패드(18)상에는 반도체 집적회로로 이루어지는 LCD 콘트롤러인 구동 칩(40)이 형성되어 있는데 상기 액티브 영역(AR1)내의 상기 게이트 배선(12a)에서 연장된 게이트배선(12b)과 액티브 영역(AR1)내의 데이터 배선(14a)에서 연장된 데이터 배선(14b)이 각각 도시한 바와 같이 상기 구동 칩(40)에 연결되어 있다. 상기 구동 칩(40)은 프린트 배선(50)을 통하여 중앙처리장치(CPU) 등이 탑재되는 외부의 프린트 회로기판(PCB, 미도시)과 접속된다.In addition, a driving chip 40, which is an LCD controller formed of a semiconductor integrated circuit, is formed on the pad 18 of the lower substrate 10. The gate wiring 12b extending from the gate wiring 12a in the active area AR1 is formed. ) And the data line 14b extending from the data line 14a in the active area AR1 are connected to the driving chip 40 as shown in the figure. The driving chip 40 is connected to an external printed circuit board (PCB) (not shown) on which a CPU or the like is mounted through the printed wiring 50.

전술한 바와 같은 종래의 소형 액정패널(30)은 하나의 패드(18)를 가지며 그 위에 구동 칩(40)을 부착한 COG 방식의 구조를 가지고 있는데, 상기 구동 칩(40)은 하나 또는 둘 이상으로 구성될 수 있다. 그런데, 전술한 구조를 가진 액정패널에서는 액정패널의 이력 등을 관리하기 위한 패널 ID(panel ID)를 기입할 여유 공간이 없다.The conventional small liquid crystal panel 30 as described above has a structure of a COG method having one pad 18 and a driving chip 40 attached thereon, wherein the driving chip 40 has one or more than two. It may be configured as. However, in the liquid crystal panel having the above-described structure, there is no free space for writing a panel ID for managing the history and the like of the liquid crystal panel.

따라서, 액정패널의 생산 이력관리가 어렵고, 특히 모듈(module) 조립후 필드(field)에서 불량이 발생한 경우 상기 문제된 액정패널이 언제 제작된 패널인지를 구분할 수가 없어서 불량분석이 용이하지 않다는 문제점이 있다.Therefore, it is difficult to manage the production history of the liquid crystal panel, and in particular, when a defect occurs in the field after module assembly, it is not easy to distinguish when the problem liquid crystal panel is manufactured, and thus the problem of failure analysis is not easy. have.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 소형 액정패널의 패드부에 부착되는 구동 칩과 기판 사이에 금속층을 형성하여 그 위에 역상의 패널 ID 마크를 새김으로써, 패널의 생산이력 관리와 필드에서의 불량분석이 용이하게 하고자 하는 것이다.The present invention has been proposed to solve the above-described problem, by forming a metal layer between the drive chip and the substrate attached to the pad portion of the small liquid crystal panel and inscribed the reverse ID panel ID thereon, the production history management of the panel and This is to facilitate the failure analysis in the field.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도.1 is an exploded perspective view schematically illustrating a general liquid crystal display device.

도 2는 종래의 일반적인 소형 COG 방식의 액정패널을 나타낸 평면도.Figure 2 is a plan view showing a liquid crystal panel of a conventional general small COG method.

도 3은 본 발명에 따른 소형 COG 방식의 액정패널을 나타낸 평면도.3 is a plan view showing a liquid crystal panel of a small COG method according to the present invention.

도 4는 도 3의 A2 부분을 확대하여 도시한 평면도.4 is an enlarged plan view of a portion A2 of FIG. 3.

도 5는 도 3의 B 부분을 확대하여 도시한 평면도.5 is an enlarged plan view of a portion B of FIG. 3;

도 6a 내지 도 6g는 도 4의 절단선 V-V 와, 도 5의 절단선 VI-VI를 각각 절단한 것으로서 본 발명에 따른 소형 COG 방식 액정패널의 어레이기판의 제조과정을 도시한 단면도.6A to 6G are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an array substrate of a small COG type liquid crystal panel according to the present invention, as cut lines V-V of FIG. 4 and cut lines VI-VI of FIG.

도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따라 액정패널의 ID 를 기입하는 방법을 도시한 도면.7A to 7B illustrate a method of writing an ID of a liquid crystal panel according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 소형 COG 방식의 액정패널이 휴대전화속에 실장되는 을 구조를 나타내는 도면.8 is a view showing a structure in which a small COG type liquid crystal panel according to the present invention is mounted in a mobile telephone.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판 112a, 112b : 게이트 배선100: substrate 112a, 112b: gate wiring

114a, 114b : 데이터 배선 118 : 패드114a, 114b: Data wiring 118: Pad

130 : 액정패널 140 : 구동 칩130: liquid crystal panel 140: driving chip

160 : 패널 ID 마크 170 : 포토 레지스트160: panel ID mark 170: photoresist

190 : 레이져 장비190: Laser Equipment

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은, 패드를 포함하는 기판과; 상기 기판의 제 1 방향으로 형성된 다수의 게이트 배선과 제 2 방향으로 형성된 다수의 데이터 배선과; 상기 다수의 게이트 배선 및 상기 다수의 데이터 배선과 전기적으로 연결되는 구동 칩과; 상기 패드와 상기 구동 칩 사이의 금속층위에 형성한 ID 마크를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an array substrate for a liquid crystal display device comprising: a substrate including a pad; A plurality of gate lines formed in a first direction of the substrate and a plurality of data lines formed in a second direction; A driving chip electrically connected to the plurality of gate lines and the plurality of data lines; And an ID mark formed on the metal layer between the pad and the driving chip.

상기 패드의 수는 하나인 것을 특징으로 한다.The number of pads is one.

상기 금속층은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 상기 게이트 배선과 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다.The metal layer may be formed of the same material as the gate line and the gate line at the same time.

상기 금속층은 상기 데이터 배선과 동일한 물질로 상기 데이터 배선과 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다.The metal layer is formed of the same material as the data line and formed simultaneously with the data line.

본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법은, 액정패널의 구동을 위한 구동 칩과 액정패널의 식별을 위한 패널 ID 마크를 포함한 액정표시장치에 있어서,A method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device comprising a driving chip for driving a liquid crystal panel and a panel ID mark for identification of the liquid crystal panel.

패드를 가진 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판상에 도전성 금속물질을 사용하여 금속층을 형성하는 단계와; 상기 금속층위에 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층을 투과부와 차단부를 가진 마스크를 사용하여 노광하고 현상하는 단계와; 상기 현상된 포토레지스트에 의하여 노출된 금속층을 제거하는 단계와; 상기 현상된 포토레지스트를 제거하여 상기 기판상에 게이트 전극 및 다수의 게이트 배선을 형성함과 동시에 상기 패드위에 상기 패널 ID 마크를 위한 패널 ID 금속층을 형성하는 단계와; 상기 패널 ID 금속층상에 상기 패널 ID 마크를 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극, 게이트 배선과 패널 ID 마크가 형성된 기판위에 제 1 절연층, 반도체층, 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선, 제 2 절연층, 그리고 화소전극을 차례로 형성하는 단계를 포함한다.Preparing a substrate having a pad; Forming a metal layer using a conductive metal material on the substrate; Forming a photoresist layer on the metal layer; Exposing and developing the photoresist layer using a mask having a transmissive portion and a blocking portion; Removing the metal layer exposed by the developed photoresist; Removing the developed photoresist to form a gate electrode and a plurality of gate wirings on the substrate and simultaneously forming a panel ID metal layer for the panel ID mark on the pad; Forming the panel ID mark on the panel ID metal layer; And sequentially forming a first insulating layer, a semiconductor layer, a source and a drain electrode, a data wiring, a second insulating layer, and a pixel electrode on the substrate on which the gate electrode, the gate wiring, and the panel ID mark are formed.

본 발명의 다른 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법은, 액정패널의 구동을 위한 구동 칩과 액정패널의 식별을 위한 패널 ID 마크를 포함한 액정표시장치에 있어서,According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, the method including: a driving chip for driving the liquid crystal panel and a panel ID mark for identifying the liquid crystal panel;

패드를 가진 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판상에 도전성 금속물질을 사용하여 게이트 전극 및 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 및 게이트 배선이 형성된 기판상에 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부에 반도체 층을 형성하는 단계와; 상기 반도체층과 제 1 절연층위에 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층을 투과부와 차단부를 가진 마스크를 사용하여 노광하고 현상하는 단계와; 상기 현상된 포토레지스트에 의하여 노출된 금속층을 제거하는 단계와; 상기 현상된 포토레지스트를 제거하여 상기 기판상에 소스 및 드레인 전극과 다수의 데이터 배선을 형성함과 동시에 상기 패드위에 상기 패널 ID 마크를 위한 패널 ID 금속층을 형성하는 단계와; 상기 패널 ID 금속층상에 상기 패널 ID 마크를 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극, 데이터 배선과 패널 ID 마크가 형성된 기판위에 제 2 절연층, 그리고 화소전극을 차례로 형성하는 단계를 포함한다.Preparing a substrate having a pad; Forming a gate electrode and a plurality of gate wirings using a conductive metal material on the substrate; Forming a first insulating layer on the substrate on which the gate electrode and the gate wiring are formed; Forming a semiconductor layer on the gate electrode; Forming a photoresist layer on the semiconductor layer and the first insulating layer; Exposing and developing the photoresist layer using a mask having a transmissive portion and a blocking portion; Removing the metal layer exposed by the developed photoresist; Removing the developed photoresist to form a plurality of data lines with source and drain electrodes on the substrate, and simultaneously forming a panel ID metal layer for the panel ID mark on the pad; Forming the panel ID mark on the panel ID metal layer; And sequentially forming a second insulating layer and a pixel electrode on the source and drain electrodes, the data line and the substrate on which the panel ID mark is formed.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 소형 COG 방식의 액정패널을 나타낸 평면도이다.3 is a plan view showing a liquid crystal panel of a small COG type according to the present invention.

본 발명에 따른 액정패널(130)은 상부기판(200), 하부기판(100) 그리고 상기 상,하부기판(200, 100) 사이에 위치한 액정층(미도시)을 포함한다. 도면에서 표시한 점선의 사각형(A2)은 상기 상부기판(200)에 의하여 가려져 보이지 않는 하부기판(100)상의 배선들을 나타낸 것이다. 도시한 바와 같이 제 1 방향으로 형성된 다수의 게이트 배선(112a)이 제 2 방향으로 형성된 다수의 데이터 배선(114a)과 액티브 영역(AR2)내에서 수직으로 교차하여 화소영역을 정의 하고 있으며, 상기 게이트 배선(112a)과 데이터 배선(114a)간의 교차지점 근처에는 박막 트랜지스터(도 4의 T)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(미도시), 액티브 층(미도시), 소스 및 드레인 전극(미도시)을 포함하며 상기 게이트 전극은 상기 게이트 배선(112a)에 연결되어 있으며, 상기 소스전극은 상기 데이터 배선(114a)에 연결된다.The liquid crystal panel 130 according to the present invention includes an upper substrate 200, a lower substrate 100, and a liquid crystal layer (not shown) disposed between the upper and lower substrates 200 and 100. The dotted line A2 shown in the drawing shows wirings on the lower substrate 100 that are not covered by the upper substrate 200. As illustrated, a plurality of gate lines 112a formed in the first direction cross the plurality of data lines 114a formed in the second direction and vertically in the active region AR2 to define a pixel area. The thin film transistor (T in FIG. 4) is formed near the intersection point between the wiring 112a and the data wiring 114a. The thin film transistor includes a gate electrode (not shown), an active layer (not shown), a source and a drain electrode (not shown), the gate electrode is connected to the gate wiring 112a, and the source electrode is the data. It is connected to the wiring 114a.

상기 액정패널(130)은 하나의 패드(118)를 가지며, 상기 패드(118)상에는 구동 칩(140)이 형성되어 있다. 상기 액티브영역(AR2)내의 상기 게이트 및 데이터 배선(112a, 114a)에서 각각 연장된 게이트 배선(112b)과 데이터 배선(114b)이 상기 구동 칩(140)과 각각 연결되고, 상기 구동 칩(140)은 프린트 배선(150)을 통하여 중앙처리 장치(CPU) 등이 탑재되는 외부의 프린트 회로기판(PCB, 미도시)과 접속된다.The liquid crystal panel 130 has one pad 118, and a driving chip 140 is formed on the pad 118. Gate lines 112b and data lines 114b extending from the gate and data lines 112a and 114a in the active area AR2 are connected to the driving chip 140, respectively, and the driving chip 140 Is connected to an external printed circuit board (PCB, not shown) on which a CPU or the like is mounted.

본 발명에 따른 액정표시장치(130)은 종래의 소형 COG 방식 액정패널과는 달리 상기 구동 칩(140) 아래에 금속층으로 이루어진 패널 ID 마크(160)를 포함한다.Unlike the conventional small COG type liquid crystal panel, the liquid crystal display device 130 according to the present invention includes a panel ID mark 160 formed of a metal layer under the driving chip 140.

도 4는 도 3의 A2 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.4 is an enlarged plan view of a portion A2 of FIG. 3.

도시한 바와 같이, 하부기판(100)에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 위치하고, 이러한 박막트랜지스터(T)를 교차하는 게이트배선(112a)과 데이터배선(114a)이 형성된다.As shown, the thin film transistor T, which is a switching element, is positioned on the lower substrate 100, and the gate wiring 112a and the data wiring 114a intersecting the thin film transistor T are formed.

상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(123)과 소스 전극(141)및 드레인 전극(143)과 상기 게이트 전극 상부에 구성된 반도체층(136)으로 구성된다.The thin film transistor T includes a gate electrode 123, a source electrode 141, a drain electrode 143, and a semiconductor layer 136 formed on the gate electrode.

상기 게이트배선(112a)과 데이터배선(114a)이 교차하여 정의되는 영역을 화소영역(P)이라 정의한다.An area defined by the intersection of the gate line 112a and the data line 114a is defined as a pixel area P. FIG.

상기 게이트배선(112a)의 일부 상부에 스토리지 캐패시터(C)가 구성되고, 상기 화소 영역에 구성된 투명한 화소전극(161)과 회로적으로 병렬로 연결된다.A storage capacitor C is formed on a portion of the gate line 112a and is connected in parallel with the transparent pixel electrode 161 formed in the pixel area.

도 5는 도 3의 B 부분을 확대하여 도시한 평면도이다. 전술한 바와 같이 본 발명에서는 액정패널의 생산이력을 추적할 수 있는 패널 ID 마크(160)가 상기 액정패널(130)의 패드(118) 위에 형성된 상기 구동 칩(140) 아래의 금속층 상에 형성되어 있다. 이하에서는 이러한 패널 ID 마크를 가진 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법을 첨부한 도면을 참고하여 기술한다.FIG. 5 is an enlarged plan view of a portion B of FIG. 3. As described above, in the present invention, a panel ID mark 160 capable of tracking the production history of the liquid crystal panel is formed on the metal layer under the driving chip 140 formed on the pad 118 of the liquid crystal panel 130. have. Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display according to the present invention having such a panel ID mark will be described with reference to the accompanying drawings.

도 6a 내지 도 6g는 도 4의 절단선 V-V 와, 도 5의 절단선 VI-VI를 각각 절단한 것으로서 본 발명에 따른 소형 COG 방식 액정패널의 어레이기판의 제조과정을 도시한 단면도이다.6A to 6G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an array substrate of a small COG type liquid crystal panel according to the present invention, as cut lines V-V of FIG. 4 and cut lines VI-VI of FIG.

먼저 도 6a에 도시한 바와 같이, 먼저, 기판(100)상에 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등의 도전성 금속을 증착한다.First, as shown in FIG. 6A, first, a conductive metal such as aluminum (Al), chromium (Cr), and molybdenum (Mo) is deposited on the substrate 100.

이어서, 도 6b 에 도시한 바와 같이, 상기 증착된 금속층(123a)의 상부에 포토레지스트(photo-resist : 이하 "PR" 이라 칭함)를 도포하여 PR층(170)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a photoresist (hereinafter referred to as “PR”) is coated on the deposited metal layer 123a to form a PR layer 170.

다음으로 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 PR층(170)이 형성된 기판(100)의상부에 차단부(M1)와 투과부(M2)로 구성된 마스크(180)를 위치시키고, 마스크의 상부로 빛을 조사하여 PR층(170)을 노광한다. 상기 차단부(M1)는 이후 공정에서 형성되는 게이트 전극이 위치하는 영역에 대응하도록 하고, 상기 반투과부는 그 외의 영역에 대응하도록 한다.Next, as shown in FIG. 6C, the mask 180 including the blocking portion M1 and the transmitting portion M2 is positioned on the substrate 100 on which the PR layer 170 is formed, and then the light is placed above the mask. Is irradiated to expose the PR layer 170. The blocking unit M1 may correspond to a region where a gate electrode formed in a later process is located, and the transflective unit corresponds to another region.

상기 부분적으로 노광된 PR층(170)을 현상하게 되면 도 6d에 도시한 바와 같이, PR층(170)은 완전이 제거되는 부분(N2)이 있고 모두 남아 있는 부분(N1)으로 남게 된다.When the partially exposed PR layer 170 is developed, as shown in FIG. 6D, the PR layer 170 has a portion N2 from which the entire portion is removed, and the remaining portion N1 remains.

전술한 바와 같은 형상으로 현상된 PR층의 사이로 노출된 금속층(123a)을 제거하는 공정을 진행한다.The process of removing the exposed metal layer 123a between the PR layers developed in the shape described above is performed.

도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 패턴된 PR 층(170a, 170b) 사이로 노출된 금속층(123a)은 습식식각 또는 건식식각 등을 통해 제거하게 된다.As illustrated in FIG. 6E, the metal layer 123a exposed between the patterned PR layers 170a and 170b may be removed by wet etching or dry etching.

연속한 공정으로 도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 PR층(170a, 170b)을 에싱(ashing), 즉 건식식각하는 공정을 진행하여 금속층(123, 160)을 노출하는 공정을 진행한다.As shown in FIG. 6E, a process of ashing, that is, dry etching, the PR layers 170a and 170b is performed in a continuous process to expose the metal layers 123 and 160.

전술한 공정을 거치면 6f에 도시한 바와 같이 게이트 전극(123)과 패널 ID 마크용 금속층(160)이 형성된다.Through the above-described process, as shown in 6f, the gate electrode 123 and the panel ID mark metal layer 160 are formed.

다음으로, 도 6g에 도시한 바와 같이, 상기 패널 ID 마크용 금속층(160)에 레이져(190)를 이용하여 액정패널의 ID 를 새기면 된다.Next, as illustrated in FIG. 6G, the ID of the liquid crystal panel may be engraved using the laser 190 on the panel ID mark metal layer 160.

전술한 공정에서는 게이트 전극(123)금속 패널 ID 마크용 금속층(160)의 형성에 관하여만 기술하였으나, 전술한 다수의 게이트 배선(도 3의 112a, 112b)도 상기 게이트 전극(123)과 동시에 형성된다.In the above-described process, only the formation of the metal layer 160 for the gate electrode 123 metal panel ID mark is described. However, the plurality of gate wires 112a and 112b of FIG. 3 are also formed at the same time as the gate electrode 123. do.

다음으로 본 발명에 따른 액정패널(130)의 어레이기판을 완성하기 위하여, 도 6h에 도시한 바와 같이, 상기 게이트전극(123)과 상기 패널 ID 마크(160)가 형성된 기판(100) 상에 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx)등의 무기절연막을 증착하여 제 1 절연층(125)을 형성한다.Next, in order to complete the array substrate of the liquid crystal panel 130 according to the present invention, as illustrated in FIG. 6H, the gate electrode 123 and the panel ID mark 160 are oxidized on the substrate 100. An inorganic insulating film such as silicon (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) is deposited to form a first insulating layer 125.

다음으로, 상기 제 1 절연층상에 순수 비정질 실리콘층과 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층을 형성하고 패터닝하여, 상기 게이트전극 상부에 반도체층(136)을 형성한다.Next, a pure amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities thereon are formed on the first insulating layer and patterned to form a semiconductor layer 136 on the gate electrode.

다음으로, 상기 반도체층(136) 상부에 전술한 도전성 금속을 증착하고 패터닝하여, 상기 제 1 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(도 3의 112a, 112b)과 수직하게 교차하는 다수의 데이터배선(도 3의 114a, 114b)을 구성하고, 상기 게이트전극(123)에 근접한 부분의 데이터배선(114a)에서 소정면적으로 돌출 연장되어, 상기 액티브층과 일부 겹쳐지는 소스전극(141)및 이와 소정간격 이격된 드레인전극(143)을 형성한다.Next, by depositing and patterning the above-described conductive metal on the semiconductor layer 136, a plurality of data wirings perpendicularly intersecting with the plurality of gate wirings 112a and 112b of FIG. 3. The source electrode 141 which is composed of three portions 114a and 114b and protrudes from the data line 114a in a portion adjacent to the gate electrode 123 to partially overlap with the active layer, and is spaced apart from the predetermined distance. The drain electrode 143 is formed.

다음으로, 상기 드레인전극 상부에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등의 투명한 유기절연막을 증착하고 패터닝하여, 상기 드레인전극 상부에 드레인 콘택홀이 형성된 보호층(146)을 형성하고, 상기 보호층 상부에 화소전극(148)을 형성한다.Next, a protective layer 146 having a drain contact hole formed on the drain electrode by depositing and patterning a transparent organic insulating film such as benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (resin) on the drain electrode. And a pixel electrode 148 on the passivation layer.

이와 같이 구성된 하부기판(100)은 하부기판(100)의 가장자리를 따라 형성된 실패턴(미도시)에 의해 상부기판(미도시)과 합착된다.The lower substrate 100 configured as described above is bonded to the upper substrate (not shown) by a failure turn (not shown) formed along the edge of the lower substrate 100.

도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따라 액정패널의 ID 를 기입하는 방법을 도시한 도면이다. 상기 도 6g의 공정중 상기 패널 ID 를 상기 레이져(190)로 가공하는 경우 상기 패널의 ID 를 도 7a에 도시한 바와 같이 역상으로 새기게 된다. 왜냐하면 상기 패널 ID 마크용 금속층(160) 상에 상기 패널 ID 를 기입한 후에는 상기 구동 칩(140)이 상기 패널 ID 마크 위의 기판에 부착되게 되므로, 액정패널의 정면방향에서는 상기 구동 칩(140)에 가려서 상기 패널 ID를 식별할 수 없기 때문이다. 따라서, 상기 패널 ID 용 숫자나 문자들을 역상으로 새기고, 상기 구동 칩(140)의 부착후에 상기 액정패널의 뒷면에서 투명한 유리기판을 통하여 보면 도 7b에 도시한 대로 정상적으로 패널 ID를 확인할 수 있다.7A to 7B illustrate a method of writing an ID of a liquid crystal panel according to the present invention. In the process of FIG. 6G, when the panel ID is processed by the laser 190, the ID of the panel is engraved in reverse phase as shown in FIG. 7A. Because the driving chip 140 is attached to the substrate on the panel ID mark after the panel ID is written on the panel ID mark metal layer 160, the driving chip 140 is disposed in the front direction of the liquid crystal panel. This is because the panel ID cannot be identified. Therefore, the panel ID numbers or letters are inscribed in reverse, and when the driving chip 140 is attached, the panel ID can be normally confirmed as shown in FIG. 7B by looking through the transparent glass substrate on the back of the liquid crystal panel.

전술한 실시례에서는 상기 패널 ID 마크용 금속층(160)을 게이트 전극 및 게이트 배선과 동일한 물질로 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 것과 동시에 형성하였으나, 상기 패널 ID 마크는 데이터 배선 물질을 이용하여 상기 데이터 배선 형성시에 동시에 형성될 수 도 있다. 다만, 이 경우에는 상기 패널 ID 마크용 금속층(160) 아래의 게이트 금속물질은 식각되어야 한다.In the above-described embodiment, the panel ID mark metal layer 160 is formed at the same time as the gate electrode and the gate wiring are formed of the same material as the gate electrode and the gate wiring, but the panel ID mark is formed using the data wiring material. It may be formed at the same time when the wiring is formed. In this case, however, the gate metal material under the panel ID mark metal layer 160 should be etched.

도 8은 본 발명에 따른 소형 COG 방식의 액정패널이 휴대전화속에 실장되는 을 구조를 나타내는 도면이다. 도시한 바와 같이, 상기 액정패널(130)의 구동 칩(140)은 상기 프린트 배선(150)을 통하여 중앙처리장치가 탑재되는 프린트 회로기판(195)와 연결된다. 마지막으로 상기 액정패널 및 프린트 회로기판(195)은 휴대전화 케이스(미도시)속에 실장되게 된다.8 is a view showing a structure in which a small COG type liquid crystal panel according to the present invention is mounted in a mobile phone. As illustrated, the driving chip 140 of the liquid crystal panel 130 is connected to the printed circuit board 195 on which the central processing unit is mounted through the printed wiring 150. Finally, the liquid crystal panel and the printed circuit board 195 are mounted in a mobile phone case (not shown).

전술한 패널 ID 마크를 가진 본 발명에 따른 액정패널을 적용하게 되면, 소형 COG 방식의 액정표시장치에서도 액정패널의 생산중 또는 생산 후의 단계에서 언제나 패널의 ID를 확인할 수 있기 때문에 액정패널의 생산이력 관리가 용이하며, 필드(field)에서의 불량분석이 용이하다는 효과가 있다.When the liquid crystal panel according to the present invention having the aforementioned panel ID mark is applied, even in a small COG type liquid crystal display device, the panel ID can be checked at any time during or after the production of the liquid crystal panel. It is easy to manage and has an effect of easy defect analysis in the field.

Claims (8)

패드를 포함하는 기판과;A substrate comprising a pad; 상기 기판의 제 1 방향으로 형성된 다수의 게이트 배선과 제 2 방향으로 형성된 다수의 데이터 배선과;A plurality of gate lines formed in a first direction of the substrate and a plurality of data lines formed in a second direction; 상기 다수의 게이트 배선 및 상기 다수의 데이터 배선과 전기적으로 연결되는 구동 칩과;A driving chip electrically connected to the plurality of gate lines and the plurality of data lines; 상기 패드와 상기 구동 칩 사이에 형성되며 ID 마크가 형성되어 있는 금속층A metal layer formed between the pad and the driving chip and having an ID mark formed thereon 을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.Array substrate for a liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패드의 수는 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.And the number of said pads is one. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속층은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 상기 게이트 배선과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.And the metal layer is formed of the same material as the gate line and simultaneously with the gate line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속층은 상기 데이터 배선과 동일한 물질로 상기 데이터 배선과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.And the metal layer is formed of the same material as the data line at the same time as the data line. 액정패널의 구동을 위한 구동 칩과 액정패널의 식별을 위한 패널 ID 마크를 포함한 액정표시장치에 있어서,A liquid crystal display device comprising a driving chip for driving a liquid crystal panel and a panel ID mark for identifying the liquid crystal panel. 패드를 가진 기판을 준비하는 단계와;Preparing a substrate having a pad; 상기 기판상에 도전성 금속물질을 사용하여 금속층을 형성하는 단계와;Forming a metal layer using a conductive metal material on the substrate; 상기 금속층위에 포토레지스트층을 형성하는 단계와;Forming a photoresist layer on the metal layer; 상기 포토레지스트층을 투과부와 차단부를 가진 마스크를 사용하여 노광하고 현상하는 단계와;Exposing and developing the photoresist layer using a mask having a transmissive portion and a blocking portion; 상기 현상된 포토레지스트에 의하여 노출된 금속층을 제거하는 단계와;Removing the metal layer exposed by the developed photoresist; 상기 현상된 포토레지스트를 제거하여 상기 기판상에 게이트 전극 및 다수의 게이트 배선을 형성함과 동시에 상기 패드위에 상기 패널 ID 마크를 위한 패널 ID 금속층을 형성하는 단계와;Removing the developed photoresist to form a gate electrode and a plurality of gate wirings on the substrate and simultaneously forming a panel ID metal layer for the panel ID mark on the pad; 상기 패널 ID 금속층상에 상기 패널 ID 마크를 형성하는 단계와;Forming the panel ID mark on the panel ID metal layer; 상기 게이트 전극, 게이트 배선과 패널 ID 마크가 형성된 기판위에 제 1 절연층, 반도체층, 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선, 제 2 절연층, 그리고 화소전극을 차례로 형성하는 단계Sequentially forming a first insulating layer, a semiconductor layer, a source and a drain electrode, a data wiring, a second insulating layer, and a pixel electrode on the substrate on which the gate electrode, the gate wiring, and the panel ID mark are formed. 를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.Method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 패드의 수는 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.And the number of said pads is one. 액정패널의 구동을 위한 구동 칩과 액정패널의 식별을 위한 패널 ID 마크를 포함한 액정표시장치에 있어서,A liquid crystal display device comprising a driving chip for driving a liquid crystal panel and a panel ID mark for identifying the liquid crystal panel. 패드를 가진 기판을 준비하는 단계와;Preparing a substrate having a pad; 상기 기판상에 도전성 금속물질을 사용하여 게이트 전극 및 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와;Forming a gate electrode and a plurality of gate wirings using a conductive metal material on the substrate; 상기 게이트 전극 및 게이트 배선이 형성된 기판상에 제 1 절연층을 형성하는 단계와;Forming a first insulating layer on the substrate on which the gate electrode and the gate wiring are formed; 상기 게이트 전극에 대응하는 상기 제 1 절연층 상부에 반도체층을 형성하는 단계와;Forming a semiconductor layer on the first insulating layer corresponding to the gate electrode; 상기 반도체층과 상기 제 1 절연막 상에 도전성 금속물질을 사용하여 금속층을 형성하는 단계와Forming a metal layer using a conductive metal material on the semiconductor layer and the first insulating layer; 상기 반도체층과 제 1 절연층위에 포토레지스트층을 형성하는 단계와;Forming a photoresist layer on the semiconductor layer and the first insulating layer; 상기 포토레지스트층을 투과부와 차단부를 가진 마스크를 사용하여 노광하고현상하는 단계와;Exposing and developing the photoresist layer using a mask having a transmissive portion and a blocking portion; 상기 현상된 포토레지스트에 의하여 노출된 금속층을 제거하는 단계와;Removing the metal layer exposed by the developed photoresist; 상기 현상된 포토레지스트를 제거하여 상기 기판상에 소스 및 드레인 전극과 다수의 데이터 배선을 형성함과 동시에 상기 패드위에 상기 패널 ID 마크를 위한 패널 ID 금속층을 형성하는 단계와;Removing the developed photoresist to form a plurality of data lines with source and drain electrodes on the substrate, and simultaneously forming a panel ID metal layer for the panel ID mark on the pad; 상기 패널 ID 금속층상에 상기 패널 ID 마크를 형성하는 단계와;Forming the panel ID mark on the panel ID metal layer; 상기 소스 및 드레인 전극, 데이터 배선과 패널 ID 마크가 형성된 기판위에 제 2 절연층, 그리고 화소전극을 차례로 형성하는 단계Sequentially forming a second insulating layer and a pixel electrode on the source and drain electrodes, the data line and the substrate on which the panel ID mark is formed. 를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.Method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 패드의 수는 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.And the number of said pads is one.
KR1020020085353A 2002-12-27 2002-12-27 An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same KR20040058840A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020085353A KR20040058840A (en) 2002-12-27 2002-12-27 An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020085353A KR20040058840A (en) 2002-12-27 2002-12-27 An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040058840A true KR20040058840A (en) 2004-07-05

Family

ID=37350907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020085353A KR20040058840A (en) 2002-12-27 2002-12-27 An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040058840A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100671679B1 (en) * 2004-08-25 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 Light emitting display
US7919918B2 (en) 2005-11-09 2011-04-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR20170039033A (en) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus
US9716111B2 (en) 2014-03-07 2017-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110993586A (en) * 2018-10-02 2020-04-10 三星电子株式会社 Semiconductor package
CN111324096A (en) * 2020-03-03 2020-06-23 郑州旭飞光电科技有限公司 Traceability system and traceability method for processing and packaging information of substrate glass
CN113848658A (en) * 2021-09-16 2021-12-28 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 Automatic production scheduling system and method for linkage of gate and source-drain equipment
US11758794B2 (en) 2019-12-20 2023-09-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including camera disposition and panel identification areas

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100671679B1 (en) * 2004-08-25 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 Light emitting display
US7919918B2 (en) 2005-11-09 2011-04-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
EP1786039A3 (en) * 2005-11-09 2012-11-28 Samsung Display Co., Ltd. Flat Panel Display Device
US9716111B2 (en) 2014-03-07 2017-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20170039033A (en) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus
CN110993586A (en) * 2018-10-02 2020-04-10 三星电子株式会社 Semiconductor package
US11758794B2 (en) 2019-12-20 2023-09-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including camera disposition and panel identification areas
CN111324096A (en) * 2020-03-03 2020-06-23 郑州旭飞光电科技有限公司 Traceability system and traceability method for processing and packaging information of substrate glass
CN113848658A (en) * 2021-09-16 2021-12-28 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 Automatic production scheduling system and method for linkage of gate and source-drain equipment
CN113848658B (en) * 2021-09-16 2023-11-14 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 Automatic grid and source drain equipment linkage scheduling system and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100682358B1 (en) Liquid Crystal Dispaly Panel And Method For Fabricating The Same
US7796225B2 (en) Method of fabricating array substrate for IPS-mode LCD device has a shorter processing time and low error rate without an increase in fabrication and production costs
US7760309B2 (en) Transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof
US8497507B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
US8803147B2 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR20040062013A (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method of the same
KR101085137B1 (en) Liquid Crystal Display Panel And Fabricating Method Thereof
US6791651B2 (en) Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and fabricating method for the same
KR20060001165A (en) Thin film transistor substrate of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof
KR20040058840A (en) An array substrate for Liquid crystal display and method for fabricating the same
US8294862B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4558752B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
KR101273630B1 (en) In-Plane Switching mode Liquid Crystal Display device and method for fabricating the same
KR101011150B1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method of the same
KR20110072433A (en) Method for fabricating liquid crystal display device
KR20110053034A (en) Liquid crystal display device for cot type and method for manufacturing the same
KR101490774B1 (en) Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device
KR100930921B1 (en) Array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100558717B1 (en) Liquid crystal display panel of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof
KR100558713B1 (en) Liquid crystal display panel apparatus of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof
KR20040061195A (en) Liquid Crystal Display Panel and Method of Fabricating the same
KR100619624B1 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method of the same
KR100637061B1 (en) Liquid crystal display panel of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof
KR101369189B1 (en) An array substrate of Reflective Liquid Crystal Display Device and the method for fabricating thereof
KR100682362B1 (en) Liquid Crystal Dispaly Panel And Method For Fabricating The Same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination