KR20040053203A - Method and apparatus for monitoring plasma processing operations - Google Patents

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KR20040053203A
KR20040053203A KR20047006151A KR20047006151A KR20040053203A KR 20040053203 A KR20040053203 A KR 20040053203A KR 20047006151 A KR20047006151 A KR 20047006151A KR 20047006151 A KR20047006151 A KR 20047006151A KR 20040053203 A KR20040053203 A KR 20040053203A
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plasma
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KR20047006151A
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스미스마이클레인쥬니어.
스티븐슨조엘오돈
와드파멜라드니스피어돈
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샌디아 코포레이션
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Abstract

본 발명은 일반적으로 플라스마 처리의 다양한 형태에 관한 것으로, 보다 상세히는 이러한 플라스마 처리의 감시에 관한 것이다. The present invention relates generally to various types of plasma processing, more specifically, to a monitor in such a plasma processing. 하나의 형태는 플라스마 감시 어셈블리의 보정 또는 초기화를 위한 적어도 일부의 방법에 관한 것이다. One aspect of the present invention relates to methods of at least some compensation for, or initialization of the plasma monitoring assembly. 보정의 타입은 플라스마 처리에서 획득된 광학적 이미션에 관련된 파장 변화, 세기 변화 또는 양쪽 모두를 지시하는데 이용될 수 있다. The type of compensation may be used to indicate a change in the wavelength, intensity variations, or both associated with the optical emission obtained from the plasma treatment. 보정광은, 만약 윈도우의 내부 표면, 또는 광학적 이미션 데이터 수집 장치의 동작이 획득되는 광학적 이미션 데이터에 영향을 주는 경우가 있다면, 그 영향을 판단하기 위해 획득되는 광학적 이미션 데이터를 통해 윈도우로 전달된다. Correction light, if the case, the internal surface of the window, or the optical emission gives an optical effect already in the design data is the operation of the data acquisition unit acquiring, as a window through the optical emission data are obtained to determine the effect It is transmitted. 다른 형태는 실시된 플라스마 처리에 수행된 적어도 약간의 방식의 다양한 형태의 평가에 관한 것이다. Another type is the least on the evaluation of different forms of some of the methods performed in the exemplary plasma processing. 플라스마 상태 평가 및 광학적 이미션 분석을 통한 처리 식별이 이 형태에 포함된다. This process identified by the plasma state evaluation and optical emission analysis are included in this type. 본 발명과 관련된 또 다른 형태는 플라스마 처리(예로, 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 동작)의 종료점 또는 그것의 분리된/식별 가능한 부분(여러 단계의 플라스마 레시피의 하나의 플라스마 단계)에 대한 적어도 약간의 방식에 관한 것이다. Another type related to the present invention, plasma treatment (e.g., a plasma recipe, plasma cleaning, control wafer action) end point or its separate / identifiable part (one of the plasma step the plasma recipe for the various steps) of at least some of the the invention relates to methods. 본 발명과 관련된 다른 형태는, 웨이퍼 생산 시스템에 대한 웨이퍼의 분배와 같이, 위에 표시된 하나 또는 그 이상의 형태를 반도체 제조 설비에서 어떻게 구현하는지에 관한 것이다. Other forms with respect to the present invention, the present invention relates to whether and how to implement one or more of the forms shown above, in the semiconductor production equipment such as distribution of the wafer for wafer production system. 본 발명의 마지막 형태는 원격 능력(즉, 클린룸 외부)을 포함하는 다수의 플라스마 감시 시스템 네트워크에 관한 것이다. The last aspect of the present invention is directed to a plurality of plasma monitoring system network comprising a remote capability (that is, outside a clean room).

Description

플라스마 처리 동작을 감시하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING PLASMA PROCESSING OPERATIONS} A method for monitoring a plasma process operation and the equipment {METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING PLASMA PROCESSING OPERATIONS}

본 발명은 일반적으로 플라스마 처리(plasma process) 분야에 관한 것으로, 특히 이러한 플라스마 처리를 감시(monitoring)/평가(evaluating)하는 것에 관한 것이다. The present invention relates to relates generally to plasma treatment (plasma process) field, particularly to monitoring (monitoring) / evaluated (evaluating) such plasma treatment.

플라스마는, 의료 장비 및 자동차 산업에서와 같은 여러 다른 산업뿐만 아니라, 반도체 및 인쇄 배선판(printed wiring board) 산업에서도, 여러 타입의 산업형(industrial-type) 처리에 사용된다. Plasma, as well as many other industries, such as in the medical equipment and the automotive industry, in semiconductor and printed circuit board (printed wiring board) industry, is used in industrial-type (industrial-type) of various types of processing. 통용되는 플라스마의 하나로 고립 또는 제어 환경에서 물질을 에칭(etching)시키기 위한 것이 있다. The material in a controlled environment, isolated or in one of the commonly used plasma may be for etching (etching). 다양한 타입의 물체들이, 유리, 실리콘 또는 다른 기판 물질과, 포토레지스트, 왁스, 플라스틱, 고무, 생물학적 매개물 및 식물질과 같은 유기물, 및 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 및 금과 같은 금속을 포함한 하나 또는 그 이상의 플라스마 합성물에 의해 에칭된다. Various types of objects are, one including glass, silicon or other substrate material, photoresist, wax, rubber, plastic, organic material, such as a biological medium, and so material, and aluminum, titanium, tungsten, and gold metals such or more It is etched by the plasma composition. 플라스마는 또한, 유기물 및 금속과 같은 물질을, 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)을 통한 것과 같은 다양한 기법에 의해, 적합한 표면위로 증착시키기 위해 사용된다. Plasma is also, by a variety of techniques, such as the materials such as organic materials and metals, as through a chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition), is used to deposit the top right surface. 또한, 스퍼터링 동작(sputtering operation)은, 물질이 소스(예를 들어, 금속, 유기물)로부터 튀어나가도록 하여 이 물질을 기판과 같은 목표물 위에 증착되는 이온을 생성하는데 플라스마를 사용한다. In addition, the sputtering operation (sputtering operation), the material uses a plasma to produce ions to be deposited on the target, such as the material and the substrate so as to protrude out from the source (e.g., metal, organic material). 표면 수정 동작(surface modification operation)은 표면 세정(surface cleaning), 표면 활성화(surface activation), 표면 패시베이션(passivation), 표면 러프닝(surface roughening) 표면 평탄화(surface smoothing), 초소형 기계화(micromachining), 경화(hardening) 및 패턴화(patterning)와 같은 동작을 포함하는 플라스마를 이용한다. Surface modifying action (surface modification operation) is surface cleaning (surface cleaning), surface activation (surface activation), the surface passivation (passivation), the surface rough turning (surface roughening) the surface flattening (surface smoothing), ultra mechanization (micromachining), curing It utilizes a plasma containing the same operation as in (hardening) and patterned (patterning).

플라스마 처리 동작은 회사의 수익 마진에 상당한 영향을 끼칠 수 있다. Plasma processing operations can have a significant impact on the profit margins of the company. 이것은 반도체 및 인쇄 배선판에서 특히 그러하다. This is especially true in the semiconductor and printed circuit board. 단일 반도체 제조 설비가 200-300개까지 처리 챔버를 구비하고, 상업용 생산에서 각 처리 챔버는 적어도 시간당 약 15-20개의 웨이퍼를 처리한다고 생각하자. Consider that a single semiconductor manufacturing facility is provided with a process chamber to 200-300, and each processing chamber in commercial production processes for at least about 15 to 20 wafers per hour. 또한, 어떤 경우 이러한 챔버 중의 하나에서 처리된 8인치 웨이퍼가 각각 적어도125달러의 가치가 있는 반도체 칩을 1500개까지 생산하도록 사용되고, 이러한 각 반도체 칩들이 사실상 "이미 팔려진(pre-sold)" 것이라고 가정하자. In addition, in some cases, this chamber being used to produce a semiconductor chip with a 8-inch wafer the value of at least 125 dollars each processed from one to 1500 of, each of these semiconductor chips are in effect that "true already selling (pre-sold)" Suppose. 그러면, 하나의 웨이퍼가 비정상적인 플라스마 처리를겪었거나 폐기된다면 적어도187,500달러 정도의 손실 총액이 발생할 것이다. Then, if a single wafer suffered or dispose of the abnormal plasma treatment it will result in the total loss of at least US $ 187,500.

반도체 장치가 형성되는 것과 같이 웨이퍼 상에서 동작하는 특정한 플라스마 처리를 일반적으로 플라스마 레시피(plasma recipe)라고 부른다. , As the semiconductor device is formed is called a general plasma recipe (plasma recipe) a particular plasma processing operation on the wafer. 이 분야의 통상의 지식을 가진 자들은 플라스마 레시피를 각각 고정된 시간 주기동안 실행되는 하나 또는 그 이상의 플라스마 단계의 조합으로 여긴다. Those of ordinary skill in the art are considered as a combination of one or more plasma steps executed for a fixed period each time the plasma recipe. 그러나, 본 발명과 관련되어 사용된 "플라스마 레시피"는 서로 다르고 구별되는 하나 또는 그 이상의 플라스마 단계(예로, 일정 단계의 일정 조합)를 포함한 플라스마 처리 프로토콜을 의미한다. However, the use in connection with the present invention, "a plasma recipe" means a plasma treatment protocols, including one or more of the plasma stage (for example, a certain combination of a certain stage) is different and distinct from each other. "서로 다르고 구별되는"은 각 플라스마 단계는 처리될 제품에 미리 설정된 다른 결과를 생산하는 것을 의미한다. "Are different and distinct from each other" means that which produces a different result will be preset in the product of each step is a plasma process. 플라스마 단계간의 차이는, 플라스마 합성물을 제한없이, 처리 챔버안의 온도 및 압력, DC 바이어스, 펌핑 속도 및 파워 셋팅을 포함한 하나 또는 그 이상의 처리 조건을 변경함으로써 실현될 수 있다. The difference between the plasma step may be achieved by changing one or more process conditions, including without limitation, plasma composition, temperature and pressure in the process chamber, DC bias, the pumping speed and power setting. 각 플라스마 단계의 결과뿐만 아니라 플라스마 단계의 순서 역시 플라스마 레시피에 대한 요구된 종합 또는 누적의 종료 결과를 생산한다. As well as the results of each step sequences of plasma Plasma step also produces the end result of the desired synthesis or accumulation of the plasma recipe.

플라스마 처리는 다음의 방식으로 상업용 제조 장비에서 웨이퍼 상에서 실시된다. Plasma processing is performed on the wafer in a commercial production equipment in the following manner. 다수의 웨이퍼(24)를 저장하는 카세트(cassette) 또는 보트(boat)는, 하나 또는 그 이상의 처리 챔버에 연결된 웨이퍼 조종 시스템(wafer handling system)에 의해 접근될 수 있는 위치에 제공된다. A cassette for storing a plurality of wafers (24) (cassette) or boat (boat) is provided to one or location that can be accessed by the control system wafer (wafer handling system) connected to the further processing chamber. 어떤 챔버는 동시의 플라스마 처리에 대해 한번에 하나 이상의 웨이퍼를 수용할 수도 있지만, 이 챔버에서는 한번에 하나의 웨이퍼가 처리된다. Which chamber may accommodate more than one wafer at a time for the plasma treatment of the same time. However, the chamber in the one wafer is processed at a time. 하나 또는 그 이상의 검증 웨이퍼(qualification wafer)가 각 카세트안에 포함되고, 나머지는 보통 생산 웨이퍼(production wafer)라고 부른다.상기 검증 및 생산 웨이퍼는 챔버 안에서 동일한 플라스마 처리에서 노출된다. One or more verification wafer (wafer qualification) contained in each cassette, and the other is called the normal production wafer (wafer production). The validation and production wafer is exposed to the same plasma treatment in the chamber. 그러나, 반도체 장치는 생산 웨이퍼에서 만들어지는 것에 반하여, 검증 웨이퍼는 단지 플라스마 처리를 테스트/평가하기 위해 처리 및 사용되기 때문에, 검증 웨이퍼에서는 반도체 장치가 만들어지지 않는다. However, the semiconductor devices are opposed are made on the production wafer, the wafer is verified because only treatment for testing / assessing the plasma processing and use, the verification wafer does not create a semiconductor device. 이러한 생산 웨이퍼에서 반도체 장치가 실제로 만들어지기 전에, 현재 플라스마 처리된 생산 웨이퍼의 다른 처리 동작이 요구된다. Before the semiconductor device is actually created in such a production wafer, the other wafer processing operations in manufacturing the present plasma processing is required.

감시(monitoring)는 많은 플라스마 처리에서 하나 또는 그 이상의 관점으로 처리를 평가하기 위해 사용된다. Surveillance (monitoring) is used to evaluate the treatment of one or more point of view in many plasma processing. 웨이퍼 상에서 실시되는 플라스마 레시피에 관련된 일반적인 감시 기법 중 하나는 종료점 검출이다. A common surveillance techniques related to the plasma recipe is performed on the wafer is endpoint detection. 현재 종료점 검출 시스템은 임의의 플라스마 레시피 중의 단일 플라스마 단계가 완료된 시점, 보다 상세하게는, 플라스마 단계와 관련된 설정된 결과가 제품 위에서 생산된 시점으로 식별된다. The current end point detection system is the time that a single plasma phase of any plasma recipe is completed, more specifically, a result set associated with the plasma step is identified as the point of time on the product produced. "설정된" 결과라는 표현은, 여러 층의 웨이퍼 중 한 층이 마스크 등에 의해 정해진 방식으로 완전히 제거되었을 때이다. The expression "set" result is a time one layer of the multiple layer wafer has been completely removed in a fixed manner by a mask. 종래 시스템은 플라스마 레시피의 여러 단계 중 하나의 단계의 종료점을 식별하도록 하지만, 플라스마 레시피의 여러 단계 중 각 단계의 종료점을 식별하거나, 또는 심지어 여러 단계 중 어느 두 단계의 종료점을 식별할 수 있는 시스템은 알려져 있지 않다. Conventional systems are systems that can identify an end point of any two steps of identifying an end point of each stage, or even a number of steps of, but the various stages of plasma recipes to identify the end points of the steps in one of the various stages of plasma recipes it is not known.

종료점 또는 도달될 종료점 이후에서 주어진 플라스마 단계를 종료시키는 능력을 갖는 것은 많은 방법에서 비용을 감소시킬 수 있다. It has the ability to terminate a given step in the plasma end point or end point is reached since it is possible to reduce the cost in a number of ways. 명백하게, 플라스마를 발생하는데 사용되는 가스의 양은 요구된 결과가 달성되었을 때 임의의 플라스마 단계를 종료시킴으로써 줄일 수 있다. Obviously, it can be reduced by terminating the plasma any step when the detection amount of the requested result of the gas used to generate the plasma obtained. 더 중요하게, 도착된 종료점 또는 그 종료점에서 짧은 시간 후에 임의의 플라스마 단계를 종료시키는 것은 웨이퍼가 원치 않는 정도로 오버-에칭(over-etch)되는 것을 막는다. It is of further importance that, ends the step of any plasma after a short time from the end point or end point destination over the wafer so that unwanted - prevents the etching (over-etch). 에칭된 것을 바로 뒤따르는 층 부분을 에칭하는 것과 같이 웨이퍼를 오버-에칭하는 것은, 요구된 것 보다 많은 물질을 웨이퍼로부터 제거하고, 또한 웨이퍼의 다른 부분으로 물질이 튀어나오는 원치 않는 결과를 초래한다. Over the wafer such as by directly etching the conforming layer part after the etched - The etching, removing more material than the required one from a wafer, and also results in undesirable results out material out to other parts of the wafer. 이러한 웨이퍼로부터 만들어진 반도체 장치에 끼치는 영향은 반도체 장치의 품질을 저하시킬 수 있고, 반도체가 결함이 있거나 불완전하다면 이를 원치 않는 고객에게 상기 반도체 장치가 배달될 때까지 검출되지 않을 수도 있다. Influence on the semiconductor device made from such a wafer may degrade the quality of the semiconductor device, the semiconductor may not be detected until the semiconductor device delivered to the customer does not want them, if faulty or incomplete. 최종적으로, 약간의 웨이퍼 오버-에칭은 웨이퍼를 손상시키는 결과를 초래한다. Finally, some of the wafer over-etch results in damage to the wafer.

종료점 검출은 플라스마 처리에 대해 이론적으로 바람직하다. Endpoint detection is theoretically desirable for the plasma treatment. 이러한 결함은 상업용 제조 설비에서 종료점 검출 기법을 구현하고자 할 때 명백해 진다. These defects are apparent when trying to implement endpoint detection technique in a commercial manufacturing facility. 먼저, 알려진 모든 종료점 검출 기법은, 종료점을 표현할 때에 맞춰지는 파장을 식별하기 위해 해당 플라스마 동작을 화학적으로 먼저 분석함에 의해 개발되었다. First, as first it developed by analyzing the plasma chemically operation to identify the wavelength to be expressed in time for all endpoint detection technique, known as the end point. 통상적으로, 제조 설비는 다수의 플라스마 레시피를 실행한다. Typically, the production equipment executes a plurality of plasma recipe. 이러한 주지된 종료점 검출 기술은 숙달된 화학자들을 유지해야할 필요가 있기 때문에 비용이 증가한다. These well-known endpoint detection technique is the cost increase because of the need to maintain a skilled chemist. 게다가, 이러한 기법은 종종 고의적 결과를 만들지 않는다. In addition, these techniques often do not make a deliberate result. 즉, 화학자에 의해 선택된 파장은 단지 "이론"에 기초한 것이기 때문에, 사실상 플라스마 단계가 실제로 실행되었을 때의 종료점을 모두 표현할 수 없다. In other words, the wavelength selected by the Chemist's will only based on "theory", it can not express all of the end point of time in effect when the plasma step is actually running. 임의의 종료점 검출 기법은 또한, 그 기법을 구현한 처리 챔버에 대해 의존적일 수 있다. Any endpoint detection techniques may also be, dependent on the processing chamber implementing the method. 상기 종료점 검출 기법이 다른 처리 챔버에서 사용되었을 경우 정확한 결과가 실현되지 않는다. The correct result is not achieved if the end point detection technique is used in another process chamber. 따라서, 플라스마감시 시스템이 "사전 분석(pre-analysis)" 화학적 양에서 감소되도록 하고, 다수의 처리 챔버(즉, 관련된 종료점을 식별할 수 있는 일반적인 플라스마 감시 시스템) 상에서 허용 가능한 정도로 동작할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. Therefore, to allow the plasma monitoring system operable acceptable extent possible on the "pre-analysis (pre-analysis)," and to decrease the chemical amount (general plasma monitoring system capable of identifying the words, associated endpoint) a plurality of processing chambers it is desirable.

일반적으로 사용되는 종료점 검출 기법은 플라스마 처리가 실제로 어떻게 수행되었는지 또는 플라스마 처리의 "(건강)상태(health)" - 해당 플라스마 단계의 종료점이 도달했을 경우 - 에 대한 정보를 전혀 제공하지 않는다. Endpoint detection technique that is commonly used in plasma processing is actually carried out, or that do "(healthy) state (health)" of the plasma processing - does not at all provide information on - if the end point of the plasma stage is reached. 플라스마 처리에서 일반적으로 사용되는 다른 감시 기법은 이와 동일한 형태의 결점을 가진다. Other monitoring techniques that are typically used with plasma treatment has the disadvantage of this same type. 플라스마를 만드는데 사용된 압력, 온도 및 인가 가스(feed gas)의 유입률(flow rate)은 대개 감시된다. Making the pressure using a plasma, yuipryul (flow rate) of the temperature and the applied gas (feed gas) is typically monitored. 또한, 플라스마의 동작에 영향을 미칠 것이기 때문에, 사용되어질 파워 셋팅과 같은 플라스마와 결합된 다양한 형태의 관련된 전기적 시스템도 감시된다. Further, since it affect the operation of the plasma, it may be monitoring various types of electrical systems associated in combination with a plasma, such as the power setting to be used. 그러나, 이러한 형태의 감시 동작은 플라스마 처리가 실제로 어떻게 진행되었는지에 대한 지시를 반드시 제공하는 것은 아니다. However, monitoring the operation of this type do not necessarily provide an indication of how actually the plasma treatment process. "하드웨어"의 모든 셋팅이 바르게 되었지만, 플라스마는 여전히 여러 가지 이유(예로, "좋지 않은 상태의 (unhealthy)" 플라스마)로 인해 올바르게 수행되지 않을 수 있다. Although all settings of the "hardware" is correct, plasma is still can not be done for various reasons (for example, "the poor state of (unhealthy)" Plasma) correctly due to. 플라스마 프로세서에서의 에러는 통상적으로 파괴 시험(destructive testing) 기법과 같은 몇몇 타입의 후처리에 의해 검출되기 때문에, 다수의 웨이퍼는 통상적으로, 에러가 실제로 식별되거나 구제되기 전에, 결점이 있는 플라스마 처리에 노출된다. Since errors in the plasma processor is typically destructive testing (destructive testing) is detected by the post-treatment of some type, such as the techniques, a large number of wafers are typically, before an error is identified or relief practice, the plasma treatment of the defective It is exposed. 따라서, 현재의 플라스마 처리가 "실시간(real-time)"에 어떻게 진행되는지에 대한 보다 정확한 지시를 제공하여, 비정상적인 플라스마 처리에 노출되는 웨이퍼의 수를 감소시킬 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. Therefore, it is preferable to having a plasma monitoring system capable of the current plasma process to provide an accurate indication than about how progress in "real-time (real-time)", reducing the number of wafers to be exposed to abnormal plasma treatment Do. 또한, 적어도 다음의 웨이퍼가 "비정상적인(abnormal)" 플라스마 프로세서 등에 노출되기 전에, 플라스마 처리에서의 에러의 존재를 식별할 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. Further, it is desirable to provided a plasma monitoring system that at least the following of the wafer to identify the presence of "unusual (abnormal)" errors, in a plasma treatment before the exposure to the plasma processor.

반도체 제조 처리의 다른 영역은 상업용 제조 설비의 수익 마진에 반대의 영향을 끼칠 수 있다. Other areas of the semiconductor manufacturing process can affect the opposed to the profit margin of a commercial production facility. 종종 운영자가 잘못된 플라스마 레시피를 실행할 수 있고, 그 결과 웨이퍼가 폐기될 수 있다. Often an operator can execute an invalid plasma recipe, the resulting wafer can be discarded. 이러한 형태의 상황을 피하기 위해 주어진 챔버에서 실행될 플라스마 레시피를 빨리 식별할 수 있는 플라스마 감시 시스템이 바람직하다. The plasma monitor system that can quickly identify the plasma recipe is executed in a given chamber in order to avoid this type of situation is preferred. 또한, 임의의 플라스마 레시피의 각 단계의 길이는 통상적으로, 최악의 경우 상태(플라스마 단계의 "최저 속도"의 실행으로 이 시간 프레임에서 종료되는 것과 같이)를 고려한 임의 시간의 양에 대해 설정된다. Further, the length of each step of any plasma recipes are typically, are set for the amount of random time considering (as is the execution of the "minimum speed" of the plasma phase ends at this time frame), the worst case condition. 많은 경우에서, 단계는 종료점 검출의 토론에서 확인된 문제점을 초래하여, 이러한 최대 셋팅에 도달하기 전에 상당한 시간에 실제로 종료될 것이다. In many cases, the stage will be caused by the issues identified in the discussion of end point detection, in fact, it ended some time before reaching this maximum setting. 따라서, 처리 챔버 내에서 실행될 것이기 때문에, 플라스마 레시피의 단계를 식별하고, 플라스마 프로세서의 제어에 관련된 정보(예를 들어, 현재 단계를 종료하는 것, 다음의 플라스마 단계를 시작하는 것, 또는 양쪽 모두)를 이용할 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. Therefore, since it is executed in the processing chamber, identifying a step of a plasma recipe, and information related to the control of the plasma processor (to e. G., End the current phase, to begin the next plasma step, or both) be provided with a plasma monitoring system that can be used are preferred.

처리 챔버 안에서의 제품의 플라스마 처리(예, 웨이퍼)는, 그 챔버 내의 제품에서 수행되는 다음의 플라스마 레시피에 대해 역효과를 끼치게 될 처리 챔버의 내부에 쉽게 영향을 주게 된다. Plasma treatment of the product within the processing chamber (e.g., wafer) is to give the interior of the processing chamber to be easily affected by the kkichige an adverse effect on the following recipe for the plasma is carried out on the product within the chamber. 챔버 내에서 제품에 진행되는 플라스마 처리의 다소의 "부산물(byproducts)이 챔버의 하나 또는 그 이상의 내부 표면에 증착될 수있다. 이러한 증착은 처리 챔버 안에서 수행될 하나 또는 그 이상의 플라스마 레시피(예, 처리 챔버는 하나 이상의 플라스마 레시피의 형태로 수행되도록 사용됨)에 몇몇 타입의 역효과를 끼치게 된다. 처리 챔버의 내부 표면에서의 증착은 챔버의 성능에 다음에 예시된 것과 같은 영향을 미칠 수 있다. 즉, 플라스마 레시피의 하나 또는 그 이상의 플라스마 단계의 종료점에 도달하는데 보다 긴 시간 주기가 필요하고, 하나 또는 그 이상의 플라스마 단계의 종료점이 도달하지 못하거나, 현재 플라스마 단계에서 예상과는 다른 결과가 바람직하기 않게 실현된다(예, 예상치 못한/원치 않은 결과). 챔버가 실제로 세정을 위한 상태인 Is "by-product (byproducts) in some of the plasma treatment is conducted on the product in the chamber can be deposited on one or more interior surfaces of the chamber. The deposition comprises one or more of the plasma recipe is performed in the process chamber (e.g., process chamber is kkichige the adverse effect of some type to be used) to be performed in the form of one or more plasma recipe deposited on the inner surface of the processing chamber may have an influence, such as that illustrated in the following in chamber performance, that is, plasma a recipe or a longer time period required to reach the end point of more plasma step, and one or not, or the current plasma step to reach end point of more plasma phase estimated is realized no different results for preferred (e. g., unexpected / undesired result) status for the cleaning chamber is in fact 지에 상관없이, 이전에 챔버가 세정할 준비가 되었었더라도, 위에 표시된 상태를 지시하는 세정 동작에 기초한 주기적 스케쥴에 따라, 통상적으로 처리 챔버가 생산 라인으로부터 이동된다. 처리 챔버가 세정을 위해 언제 생산 라인으로부터 이동되어져야 하는지를 지시할 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. No matter how, even were ready to transfer the chamber cleaning to, in accordance with the periodic schedule based on washing indicating a status displayed on the operation, the conventional process chamber is moved from the production line to the processing chamber when the production for cleaning it is provided with a plasma monitoring system that can indicate whether the mobile should be from the line is preferred.

위에 표시된 증착을 지시하도록 사용되는 세정 동작은, 처리 챔버 내부의 플라스마 세정, 처리 챔버 내부의 습식 세정, 및 플라스마 처리에 의해 실제로 소비되어 일반적으로 "소모품(comsumables"이라 불려지는 처리 챔버의 어떤 성분의 교체를 포함한다. 플라스마 세정은, 통상적으로 어떠한 생산물이 없는(예, 생산 웨이퍼 없이), 따라서 챔버가 "빈(empty)" 상태에서, 처리 챔버 안의 적절한 플라스마를 실행함에 의해 위에 표시된 증착을 지시한다. 플라스마는 플라스마 세정에서 이러한 증착위에 활동하고, 화학적 활동, 기계적 활동 또는 양쪽 모두에 의한 두께를 감소시킨다. 결과적인 증기 및 미립자 물질은 플라스마 세정 중에 챔버로부터 배출된다. 처리 챔버 안에서 현재 수행되어지는 플라스마 세정의 건강 상태(health)와 종료점을 정확하기 지시할 수 Washing operation is used to direct the deposition shown above, is actually consumed by a plasma cleaning of the processing chamber, a wet clean of the processing chamber, and plasma processing typically "Supplies (comsumables" as referred is any component of the process chamber and a replacement. plasma cleaning, typically by as any product-free (e. g., production without wafers), and thus in the chamber is the "blank (empty)" state, running the appropriate plasma in the processing chamber indicated the deposition shown above . plasma is active on such a deposition on the plasma cleaning, and to reduce the chemical activity, mechanical activity, or a thickness of the both ends. the resulting vapors, and particulate matter is discharged from the chamber during the plasma cleaning. plasma which is currently carried out in the process chamber to correct the health condition (health) and the end point of the cleaning can be directed 는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. Preferably it includes a plasma monitoring system.

어느 경우에서는 플라스마 세정은 처리 챔버 내부의 상태만을 지시할 수 있다. In either case, the plasma cleaning can be directed only the status of the processing chamber. 단독으로 또는 플라스마 세정과 결합하여 적용될 수 있는 다른 세정 기법은 보통 "습식 세정"이라고 부른다. Other cleaning methods which can be applied in combination with either alone or plasma cleaning is usually referred to as "washing liquid". 여러 종류의 용매 등이 습식 세정에 사용되고, 사람에 의해 수동으로 적용된다. Various kinds of solvents are being used for wet cleaning, it is applied manually by a person. 이에 따라, 해당 처리 챔버는 감압(depressurize)되고, 적합한 액세스를 얻기 위해 챔버가 오픈되며, 챔버의 내부 표면은, 용매가 화학적 동작, 기계적 동작 또는 둘 다에 의해 증착된 부분의 적어도 어느 정도를 제거하는 것과 같이, 수동으로 닦여진다. In this way, the treatment chamber is under reduced pressure (depressurize), and a chamber open to acquire a valid access, the inner surface of the chamber, the solvent is the chemical action, remove at least some amount of the deposited parts by the mechanical action, or both, such as, the manually wiped with. 따라서, 습식 세정이 보다 적절한 시간에 시작되고 또는 완전히 제거되는 것과 같이, 처리 챔버 내부의 플라스마 세정의 추가 실행이 실제로 효력이 없어질 때는 정확히 지시할 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. Therefore, it is desirable to provided a plasma monitor system, which wet cleaning is the start at the right time or the processing additional execution of the plasma cleaning of the chamber, as completely removed can be accurately indicated when the quality really is not effective.

처리 챔버 내부 표면의 습식 세정 및 플라스마 세정은 일정한 수의 플라스마 처리가 챔버 안에서 수행된 후 지정된 침전물에서는 효력이 없어진다. Processing wet cleaning, and plasma cleaning of the chamber interior surface is given after the precipitate has been performed in the plasma processing chamber, a certain number of eliminating the effect. 처리 챔버 내부 표면의 현저한 열화(degradation)는 챔버의 일부 구성 성분이 교체되도록 한다. Significant deterioration (degradation) of the inner surface of the process chamber is to replace some of the components of the chamber. 통상적으로 소정 타입의 주기적인 기준으로 교체되는 처리 챔버의 구성 성분은 샤워헤드(showerhead), 웨이퍼 플랫폼(wafer platform), 웨이퍼 축대(pedestal), 석영 벨 단지(quartz bell jar) 및 석영 벨 지붕(quartz bell roof)이다. Typically the components of the processing chamber is replaced with a periodic basis of a predetermined type of the shower head (showerhead), a wafer platform (wafer platform), the wafer axle (pedestal), quartz bell only (quartz bell jar) and the quartz bell roof (quartz a bell roof).

통상적으로 챔버 내부 표면의 추가적인 처리는 습식 세정이 수행되고, 하나또는 그 이상의 처리 챔버 성분이 교체된 후, 챔버의 상업적 이용(예를 들어, 상업적 의도의 챔버 내의 웨이퍼 처리)을 재시작하기 전, 그리고 그 물질에 대한 새로운 챔버의 경우에 수행된다. Typically the additional treatment of the chamber interior surface is a wet cleaning is carried out, after one or more processing chamber component is replaced, commercial use of the chamber (e.g., a wafer processing chamber of a commercial intent) before restarting the, and performed when a new chamber is for that matter. 대개 플라스마 세정 동작이라고 역시 불려지는 이러한 동작에서 플라스마가 현재 닫혀진 처리 챔버로 삽입되기 때문에, 처리 챔버에는 어떤 제품도 존재하지 않는다. Usually called plasma cleaning operation is also called because it is inserted in this operation is currently closed to the plasma processing chamber, the processing chamber does not exist any product. 이 경우에 플라스마 세정 동작은 습식 세정으로부터 용매 잔여물을 지시하거나, 챔버 내 제품의 플라스마 처리를 위한 새로운 챔버 성분을 "준비(prep)"한다. In this case, the plasma cleaning operation or direct the solvent residues from the wet scrubbing, the new chamber components for plasma processing of the chamber product "preparation (prep)". 이런 경우에서의 플라스마 세정 동작의 상태 및 종료점 모두를 정확히 지시할 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. It is provided with a plasma monitor system capable of accurately indicating a state and an end point both of the plasma cleaning operation in such a case is preferred.

조절 웨이퍼(conditioning wafer)는, 어떤 형태의 처리 챔버 세정 후, 챔버의 어떤 성분이 교체된 후, 또는 수행된 플라스마 처리가 전혀 없는 새로운 챔버의 경우, 생산 웨이퍼가 처리 챔버를 통해 실행되기 전에, 처리 챔버를 통해 실행될 수 있다. Adjustment wafer (conditioning wafer), the post-treatment cleaning chamber of any shape, in the case of the new chamber will after a certain component in the chamber is replaced, or performing a plasma treatment is not at all, before the production of the wafer is run through the process chamber, the process It can be carried through the chamber. 전체 플라스마 처리는 통상적으로 조절 웨이퍼 동작에서 해당 처리 챔버에 배치된 하나 또는 그 이상의 조절 웨이퍼에 수행된다. Total plasma treatment is carried out in a conventional one or more control wafer placed in the processing chamber with the wafer in a controlled operation. 조절 웨이퍼는 간단히 "공백(blanks)"이거나, 또는 약간의 반도체 장치 소자를 그 위에 만들 수 있고, 전체 플라스마 처리의 실시는 에칭될 조절 웨이퍼 또는 조절 웨이퍼의 부분에 대해서는 동작하지 않는다. The wafer is simply adjusted or "space (blanks)", or can be made to some of the semiconductor device elements on it, the implementation of the entire plasma treatment does not work for the part of the control or control wafer wafer to be etched. 그럼에도 불구하고, 조절 웨이퍼로부터 어떤 반도체 장치도 만들어지지 않고, 플라스마 레시피를 수행하는 동안에 어떤 종류의 집적 회로도 조절 웨이퍼 위로 에칭되지 않는다. Nevertheless, it does not create any semiconductor device from the control wafers and are not etched over any type of integrated circuit control wafer while performing a plasma recipe. 대신에, 이런 타입의 조절 웨이퍼는 다시 만들어지고(refurbished)(예를 들어, 조절 웨이퍼 동작 동안에 에칭되는 영역에 물질이 재증착됨), 조절 웨이퍼로서 다시 재사용되거나 또는 폐기된다. Instead, the control wafer of this type is again created and (refurbished) (for example, the material is re-deposited on the area to be etched during the wafer controlled operation), or again as a re-adjusting the wafer or disposal. 이러한 조절 웨이퍼의 처리는 또한 챔버를 "준비(prep)" 또는 "단련(season)"시키고, 일정한 상태에서 생산하기 위해 챔버를 고의적으로 배치한다. Processing of this control chamber and the wafer is also a "ready (prep)" or "annealed (season)", it is intentionally arranged in the chamber to produce in the steady state. 조절 웨이퍼가 고의적인 의도로 달성되었을 때를 식별하도록 사용되는 장치는 없다. There is no device that is used to identify when the control wafer is achieved by a deliberate intention. 따라서, 조절 웨이퍼 동작의 상태뿐만 아니라 종료될 시점을 정확히 지시할 수 있는 플라스마 감시 시스템을 구비하는 것이 바람직하다. Therefore, it is desirable to provided a plasma monitoring system that can accurately indicate the point to be shut down, as well as the status of the control wafer action.

본 발명은 일반적으로 다양한 형태의 플라스마 처리에 관한 것이다. The present invention generally relates to various forms of plasma treatment. 이 형태들은 4개의 주요 카테고리로 분류할 수 있다. This form can be classified into four major categories. 제1 카테고리는 절차, 관련 성분 또는 양쪽 모두를 보정(calibration) 또는 초기화(initialization)하는 방식에 관련된다. The first category is directed to a method for correcting (calibration) or initialization (initialization) process, and related components, or both. 이하에 기재된 제1 형태 내지 제4 형태는 이 카테고리 안에 있다. The first aspect to the fourth aspect described below are in this category. 다른 카테고리는, 처리 챔버 내에서 실시된 플라스마 처리, 보다 대표적으로, 현재 실행 중인 플라스마 처리에 대한 다양한 형태의 평가 방식에 관련된다(예를 들어, 플라스마 상태 평가, 플라스마 처리/플라스마 처리 단계 식별, 플라스마 "온" 결정). Different categories, with the plasma treatment, and more typically performed in a processing chamber, is associated to the evaluation method of the various types of the plasma treatment that is currently running (e. G., Plasma state evaluation, the plasma treatment / plasma treatment step identifies, plasma "on" decision). 이하에 기재된 제5 형태 내지 제8 형태는 제2 카테고리 안에 있다. A fifth aspect to the eighth aspect described below is in the second category. 본 발명에 관련된 또 다른 카테고리는 플라스마 처리의 종료점(예를 들어, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 동작) 또는 분리된/식별할 수 있는 부분(예로, 여러 단계 플라스마 레시피의 플라스마 단계)에 대한 적어도 약간의 방식에 관련된다. Another category of the present invention, the end point of the plasma process (e.g., plasma cleaning, control wafer action) or the part to / identify separate at least some of the approach to (for example, the plasma stage of the multi-step plasma recipe) to be involved. 이하에 기재된 제9 내지 제13 형태는 제3 카테고리 안에 있다. Ninth to thirteenth aspect described below is in the third category. 마지막으로 본 발명에 관련된 제4 카테고리는 위에서 표시된 하나 또는 그 이상의 형태를 반도체 제조 설비 내에 어떻게 구현할 것인지에 관한 것이다. Finally, a fourth category of the present invention is one or more types indicated above regarding whether or how to implement in a semiconductor manufacturing facility. 이하에 기재된 제14 형태 내지 제17 형태가 제4 카테고리 안에 있다. The form of claim 14 to 17 described below is in the form of the fourth category.

본 발명의 제1 형태는 플라스마 처리 동작과 관련된 보정 능력을 가진 플라스마 처리 시스템에서 구현된다. A first aspect of the present invention is implemented in a plasma processing system having a correcting capability associated with the plasma processing operation. 플라스마 처리 시스템은, 챔버 내에서 수행된 플라스마 처리에 노출되는 내부 표면 및 이 처리로부터 격리된 외부 표면을 갖는 윈도우를 구비한 처리 챔버를 포함한다. Plasma processing system includes a processing chamber having a window having an outer surface, isolated from the interior surface and the treatment is exposed to the plasma process performed in the chamber. 플라스마 발생기는 플라스마 처리에 대해 플라스마를 제공하기 위해 플라스마 처리 시스템에 결합된다. Plasma generator is coupled to the plasma processing system to provide a plasma for plasma treatment. 챔버에서 플라스마를 형성하기 위한 어떠한 기술 및 대응 구조는 본 발명의 제1 형태에 적합하다. Any technique and the corresponding structure for forming a plasma in the chamber is adapted to a first aspect of the present invention. 제1 스펙트로미터 어셈블리(spectrometer assembly)(예로, 스캐닝 타입 스펙트로미터 및 고체 상태 스펙트로미터 등의 어떠한 타입의 하나 또는 그 이상의 스펙트로미터)는 챔버의 외부에 위치하고, 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리(fiber optic cable assembly)(예로, 하나 또는 그 이상의 섬유 광학 케이블)를 통해 윈도우에 유동적으로 상호 접속된다. A first spectrometer assembly (spectrometer assembly) (for example, a scanning type spectrometer, and a solid state spectrometer, such as any type of one or more of the spectrometer of a) is placed outside the chamber, a first fiber optic cable assembly (fiber optic cable assembly) (for example, the fluid interconnect to a window through one or more fiber optic cables). 보정광원(calibration light source) 역시 챔버의 외부에 위치하며, 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리(예로, 하나 또는 그 이상의 섬유 광학 케이블)를 통해 윈도우에 유동적으로 상호 접속된다. Correcting light source (calibration light source) is also fluidly interconnected to the window through and positioned outside of the chamber, the first optical fiber cable assemblies (e.g., one or more fiber optic cables). 제1 및 제2 섬유 광학 케이블은, 윈도우를 통해 전송된 데이터를 반드시 수신하는 효과적인 상호 접속을 달성하기 위해, 윈도우의 외부 표면상에 배치되지만, 적당한 간격을 두고 배치된다. First and second optical fiber cables, in order to achieve effective interconnection to be receiving data transmitted through the window, are disposed on the outer surface of the window, it is arranged at a suitable interval.

본 발명의 제1 형태의 일실시예에서, "보정(calibration)"은, 보정광원(예로, 대응하는 광학적 이미션(optical emissions)의 패턴, 세기 또는 양쪽 모두)에 의해 윈도우로 전송되는 보정광(calibration light)에 관련된 데이터와, 처리챔버(제1 부분의 패턴, 세기 또는 양쪽 모두) 상의 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 이와 동일한 보정광의 제1 부분에 관련된 데이터간의 비교를 포함한다. In the first type of one embodiment of this invention, the "correction (calibration)", the correcting light source to be transmitted to the window by the (for example, corresponding to the optical emission of (a pattern, intensity, or both of optical emissions)) compensation light a data and a processing chamber (pattern, intensity, or both of the first portion) comparison of the data relating to this first portion the same correction light which is reflected by the inner surface of the window on the associated (calibration light). 처리 챔버 윈도우의 내부 표면은 챔버 내에서 수행되는 플라스마 처리에 의해 통상적으로 영향을 받는 윈도우 부분이다. The inner surface of the processing chamber window is a window receiving portion typically affected by the plasma process performed in the chamber. 윈도우 내부 표면의 변화는, 만일 윈도우를 통한 광학적 이미션의 전송에 기초를 둔 평가라면, 챔버 내에서 수행되는 플라스마 처리의 평가에 영향을 주게 된다. Changes in the inside surface of the window is, if the evaluation based optical already based on the transmission of the illustration through an emergency window, and affect the rating of the plasma process performed in the chamber. 윈도우의 내부 표면에 대한 변화는 내부 표면에 의한 보정광의 반사에 영향을 주기 때문에, 이러한 변화는 현저한 보정광의 사용을 통해 식별될 수 있다. Changes to the internal surface of the window, as it can affect the correction of light reflection by the inner surface, these changes may be identified through the use of light striking correction. 이에 따라, 본 발명의 제1 형태의 이러한 실시예로부터 가용한 "보정"은 상술한 비교에 바탕을 둔 이러한 시스템에 관하여 적어도 하나의 조절장치를 만듦으로써, "광학적 이미션-기반의" 플라스마 감시 시스템을 보정하도록 사용될 수 있다. Accordingly, by a "correction" available from this embodiment of the first aspect of the present invention is making the at least one adjusting device with respect to such a system based on the above comparison, the "optical emission-based" Plasma Monitoring It may be used to calibrate the system. 제1 형태의 이 실시예에 의해 고찰된 "조절 장치"의 형태는 아래의 본 발명의 제3 형태에 대해서 지정된다. In the form of "control device" contemplated by this embodiment of the first aspect it is specified with respect to a third aspect of the present invention below.

본 발명의 제1 형태에 따른 보정에 관한 윈도우 상의 정보는 광학적 이미션이 획득된 것을 통해 처리 챔버 상의 윈도우의 내부 표면에 대해 한정된 정보를 포함하는 것이 바람직하다. Information on the window of the correction according to the first aspect of the present invention preferably comprises a limited set of information about the inside surface of the window on the process chamber through the obtained that the optical emission. 즉, 제1 형태에 따른 보정은 윈도우의 외부 표면이 아니라 윈도우의 내부 표면에 연과되는 것이 바람직하다. That is, the correction according to the first aspect is preferably open and the inner surface of the window as the external surface of the window. 윈도우의 내부 표면에 의해 반사된 보정광 부분은, 제1 형태의 다른 실시예에서의 윈도우에 전송되는 것과 같은 형식에서의 보정광과 비교하기 위해 쉽게 사용할 수 있다, 이것은 윈도우를 적합하게 구성함으로써 달성될 수 있다. Reflected by the inner surface of the window correction optical part, it can easily be used for the comparison and the correction light in the form that will be sent to the window in the first aspect of another embodiment, this achieved by suitably configuring the window It can be. 예를 들어, 윈도우에 영향을 주는 보정광의 영역을 포함하는 윈도우의 적어도 일부분은 일반적으로 V자 형태(wedge-shaped)로구성될 수 있다. For example, at least a portion of the window that includes the correction of light areas that affect the window can generally be of a V-shaped (wedge-shaped). 이 실시예에서의 윈도우 구성의 다른 특징은 윈도우의 적어도 일부분의 내부 및 외부 표면이 평행하지 않은 관계(non-parallel relation)로 배치될 수 있다는 것이다. Other features of the configuration of the window in this embodiment is that it can be placed in relationship (non-parallel relation) that at least the inner and outer surface of a portion of the window are not parallel. 이러한 형태의 구성은 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리의 해당 종료가 동축으로 배치되거나 또는 적어도 평행하지 않는 관계로 배치되는 경우에 특히 유용하다. This type of configuration is particularly useful when the first and second ends of the fiber optic cable assembly are arranged coaxially or arranged in at least not parallel relationship. 이에 따라, 이 섬유 광학 어셈블리로부터 확장된 기준 축은 직각 이외의 각도로 윈도우 외부 표면에 각각 닿지만, 적어도 실제적으로는 직각 형태로 윈도우의 내부 표면에 닿게 되는 것과 같이, 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리의 종료가 배치될 수 있다. Accordingly, the fibers just contact with each of the window, the exterior surface at an angle other than the reference axis is perpendicular extended from the optical assembly, such as at least that in practice, to touch the inside surface of the window to the right angle type, the first and second fiber optic cables the ends of the assembly may be placed. 그에 따라, 윈도우의 외부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분은 제1 섬유 광학 어셈블리의 종료로부터 멀리 향하게 되고, 이에 따라 "수집되지(collected)" 않게 된다. Thus, the compensation light component which is reflected by the external surface of the window is directed away from the end of the first fiber optic assembly, so that is not "not collected (collected)". 그러나, 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분의 적어도 일부는, 제1 스펙트로미터 어셈블리에 대해 가용하고, 이에 따라 상술한 비교를 위해 사용할 수 있는 것과 같이, 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리의 종료쪽으로 반대로 향하게 된다. However, at least a portion of the compensation light component which is reflected by the inner surface of the window, first, as in spectrometer and available for assembly, can be used for the above-described comparison and thus, the first towards the end of the fiber optic cable assembly Conversely it is directed.

윈도우의 외부 표면에 의해 반사되는 것 대신에 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 보정광의 부분을 수집하는 다른 방식은, 통상의 윈도우로 수행되거나, 또는 윈도우의 내부 및 외부를 최소한 실제적으로는 평행(예를 들어, 일정한 두께의 윈도우 구성)인 곳에서 수행될 수 있다. Another way to gather the calibration light portion which is reflected by the inner surface of the window instead of being reflected by the outer surface of the window, the be performed by a conventional window, or outside and inside of the window, at least practically parallel (for example, for example, it can be carried out at the window where the configuration of uniform thickness). 이러한 경우, 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리는 최소한 대체로 동일하지만 "반대측(opposite)" 예각(acute angle)(예로, 직각 이외의 각도에서 대체로 동일한 영역으로 방향으로 "포인팅(pointing)되지만, 대체로 "반대" 방향으로부터)에서의 윈도우 상의 동일한 영역에 대해 수평으로 배치되고 향해진다. 이런 특성화를 도시하기 위하여, 윈도우의 내부 및 외부를 통해 대체로 수직 방향으로 확장한 기준면을 고려한다. 종료점이 직각 이외의 각도로 윈도우의 외부 표면에 닿도록 빛을 발산하는 것과 같이, 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리는 이 기준면의 제1측에 배치되고, 그로부터 디스플레이 되며, 윈도우 쪽으로 최소한 대체로 기준면 방향으로 향해진다. 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 보정광의 적어도 일 부분이 제1 스펙트로미터 어셈블리에 공급 In this case, the first and second fiber optic cable assemblies are generally the same at least while, but the "opposite side (opposite)" acute angle (acute angle) (for example, "pointing (pointing at an angle different from a right angle to the general direction in the same area), usually "opposite" is directed and arranged horizontally on the same area on the window in from) direction. in order to illustrate this characterization, other than through the outside and inside of the window is generally considered a plane extended in the vertical direction. endpoint is perpendicular such as to emit light to reach the outer surface of the window to the angle of the second fiber optic cable assembly is arranged on a first side of the reference plane, and displayed therefrom, it is directed at least substantially plane direction towards the window of the window It is supplied to the first spectrometer assembly correcting at least a portion of light which is reflected by the inner surface 위해 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리에 의해 "수집"되는 것과 같이, 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리의 종료점은 상기 동일한 기준면의 제2측(제1측의 반대) 상에 배치되고, 이로부터 디스플레이 되며, 윈도우 및 대체로 최소한 기준면 방향으로 향해진다. 윈도우의 두께(thickness)는, 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분이 윈도우 외부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분으로부터의 오프셋인 것에 의해 적어도 다소의 양을 정의하여, 이에 따라 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리의 종료점 사이에 관계되는 위치 설정에 대한 "감도(sensitivity)"는 윈도우의 외부 표면 대해 내부 표면에 의해 반사되는 빛만을 수집한다. First, as "collected" by the first fiber optic cable assembly to the first fiber end point of the optical cable assembly is disposed on a second side (opposite the first side) of the same plane above, and displayed therefrom, Windows and generally is directed to at least the reference plane direction of the thickness (thickness) of the window, at least some amount of by compensation which is reflected by the internal surface of the optical part of the window is offset from the compensation light component which is reflected by the window, the outer surface defined, it should not only in accordance with the collected first and second fiber "sensitivity (sensitivity)" for positioning according to the end point between the optical cable assembly is light which is reflected by the inner surface against the outer surface of the window.

윈도우의 외부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분의 영향을 감소시키기 위해, 윈도우의 외부 표면에 비반사 코팅(anti-reflective coating)이 사용된다 - 즉, 윈도우로 전송되는 보정광과 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분 사이에 비교를 수행하는 것 등 -. In order to reduce the effects of compensation light component which is reflected by the external surface of the window, anti-reflective coatings (anti-reflective coating) is used on the outside surface of the window-that is, the inner surface of the correction light and the window that is sent to the window to perform a comparison between the correction light which is reflected by part such as - 각 종료점으로부터 발사되는 기준 축은 적어도 대체로 직각 형태로 내부 및 외부 표면에 입사되는 것과 같이, 내부 및 외부 표면이 평행인 윈도우가 제1 및 제2 섬유 광학 케이블의 종료점이 동축으로 배치되고방향지어지는 것과 같은 배열로 사용될 수 있다. As to be made incident on the reference axis is at least substantially the inner and outer surface with a right angle shape that is emitted from each end point, as the internal and external surfaces are parallel to the window, first and second being the end of the fiber optic cable points built disposed coaxially and direction It can be used in the same array.

윈도우 외부에 비반사 코팅을 사용하는 것은, 이러한 예에서 윈도우의 외부 표면으로부터 반사되고, 제1 스펙트로미터 어셈블리에 공급하기 위한 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리 측으로 뒤로 향해진 빛의 양을 감소 시킬 수 있다. The use of anti-reflective coating on the outer window, is reflected in this example from the outer surface of the window, it is possible to reduce the amount of binary light toward the back side of one of fiber optic cable assembly for supplying to the first spectrometer assembly. 그러나, 내부 표면으로부터 요구되는 반사에 따라 제1 스펙트로미터 어셈블리에 공급될 외부 표면으로부터의 약간의 반사는 여전히 존재한다. However, some of the reflection from the outer surface to be supplied to the first spectrometer assembly according to the required reflection from the inner surface is still present. 이에 따라, 이러한 비반사 코팅은 윈도우의 내부 및 외부로부터 반사된 보정광에 다소의 분리를 제공하는 상술한 기법을 결합하여 될 수 있다. Accordingly, this anti-reflective coating may be a combination of the above-described techniques to provide a slight separation of the corrected light reflected from inside and outside of the window.

본 발명의 제1 형태의 다른 실시예는 섬유 광학 케이블 고정물 어셈블리(fiber optic cable fixture assembly)에 관한 것이다. Another embodiment of the first aspect of the invention relates to a fiber optic cable fixture assembly (fiber optic cable assembly fixture). 이 고정물 어셈블리 적용예의 하나는 윈도우에 관련된 고정 위치 관계(fixed positional relationship)에서 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리의 관련된 종료점의 하나 또는 그 이상을 유지하는 것이다. The fixture assembly applies one example is to keep one or more of the end points related to the first and second fiber optical cable assembly in a fixed position relationship (fixed positional relationship) associated with the window. 이 고정물 어셈블리의 다른 적용예는 제1 섬유 광학 케이블 어셈블리, 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리 및 윈도우를 처리 챔버에(예로, 하나 또는 그 이상의 스레드 패스너(threaded fastener로) 하나 또는 그 이상을 분리할 수 있게, 보다 바람직하게는 각각 상호 접속시키는 것이다. 이러한 고정물 어셈블리의 일실시예는, 적어도 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리의 종료점이 동축이고, 윈도우의 외부 표면에 의해 반사된 보정광의 부분으로부터 윈도우의 내부 표면에 의해 반사된 고정 광 부분을 분리하도록 구성된 윈도우에서 특히 유용하다(예로, 대체로 V자 형태로 구성된 윈도우를 이용함). 이 경우에, 고정물어셈블리는 윈도우 외부 표면의 적어도 일부분과/쪽으로 인터페이스 하거나 투영하기 위한 리세스 영역을 포함한다. 이러한 리세스 영역을 정 Other applications of the fixture assembly is able to separate the first fiber optic cable assembly, and the second fiber optic cable assembly and a window in the process chamber (e.g., one or more threaded fasteners one or more (a threaded fastener) , is to each interconnection and more preferably in one embodiment of such a fixture assembly, and at least a first and a second fiber end of the optical cable assembly point coaxial, of the window from the corrected light portion reflected by the outer surface of the window is especially useful in window configured to separate a fixed light component is reflected by the inner surface (for example, generally utilizing a window consisting of a V-shape). in this case, the fixture assembly is at least in part and / towards the interface, or the window outer surface includes a recessed area for the projection. this defines the recessed region 한 고정물 어셈블리 표면의 적어도 일부는 윈도우의 외부 표면에 의해 반사된 보정광 부분을 밝히는 광 흡수 물질을 포함한다(즉, 고정물 어셈블리의 몸체에 부딪히는 경우 표면 외부에 의해 반사되는 빛을 흡수하기 위해). 제1 및 제2 섬유 광학 케이블 어셈블리로부터 투영된 기준 축이 각각 직각이 아닌 각도로 윈도우의 외부 표면을 교차되고, 또한 적어도 대체로 직각으로 윈도우의 내부 표면을 교차하는 것과 같이, 제1 포트는 고정물 어셈블리를 통해 연장되고, 리세스 영역 방향으로 교차된다. 이에 따라, 고정물 어셈블리의 이 실시예는, 제1 섬유 광학 케이블 어셈블 리가 윈도우의 외부 표면으로부터가 아니라, 윈도우의 내부 표면에 의해서 반사된 보정광 부분만을 수집하도록 하는 고정된 관련 위치 관계로 윈도우 및 제1 및 제2 섬유 광학 케이 A fixture and at least a portion of the assembly surface includes a light absorbing material to illuminate the corrected light portion reflected by the outer surface of the window (i.e., when striking the body of the fixture assembly to absorb the light which is reflected by the outer surface). first and second optical fiber and the reference axis intersects the outer surface of the window at an angle other than the respective right angle projecting from the cable assembly, and also such as to intersect the inner surface of the window, at least substantially at right angles, the first port fixture assembly to extend and, intersecting the recess regions direction through. in this way, the fixture in this embodiment, the first fiber optic cable assembly Riga, not from the exterior surface of the window, reflected by the inner surface of the window correction optical part of the assembly only windows in a fixed position related to the relationship, and to collect the first and second fiber optic K 어셈블리를 유지하도록 사용될 수 있다. It may be used to hold the assembly.

본 발명의 제1 형태의 다른 실시예는 보정광원에 의한 서로 다른 적어도 두 가지 형태의 빛을 사용하는 것에 관한 것이다. Another embodiment of the first aspect of the invention relates to the use of different, at least two types of light by the light source calibration. 이러한 보정광의 하나는 다수의 이산 세기 피크를 포함하는 반면, 그 외의 빛은 세기의 연속에 의해 또는 이산 피크가 없는 곳(예로, 일정한 세기, 계속 변화하는 세기, 또는 두 가지의 조합)에 의해 정의된다. One such correction of light, on the other hand comprising a plurality of discrete intensity peaks, and other light is defined by the absence or discrete peaks by a series of intensity (for example, a constant intensity, the intensity for constantly changing, or a combination of the two) do. 또한, 이 보정광 중 하나는 보정에 필요한 상태의 일 형태(예로, 윈도우를 통해 획득된 광학적 이미션 데이터에 연관된 파장 시프트)를 식별하는데 사용되는 반면, 나머지는 보정에 필요한 그 외의 다른 형태(예로, 윈도우를 통해 획득된 광학적 이미션 데이터에 연결된 세기 시프트, 윈도우를 통해 전송된 광학적 이미션의 일부분의 완전한 필터링)에 대해 사용될 수 있다. In addition, one of the correction light is required state in the form of a correction, while used to identify (for example, wavelength shift associated with the optical emission data obtained by means of the window), and the remainder other different forms necessary for correcting (e.g. , it may be used for the intensity associated with the optical emission data obtained through the window shift, the complete filtering of the optical portion of the design is already transmitting through the window). 이러한 형태의 광원이 어떻게 이런 형태의 상태를 식별하는데 사용되는 지는 이하의 제2 형태에서 지시된다. How this type of light source is indicated in the second mode of more than that which is used to identify the state of this type. 이에 따라, 아래의 제2 형태에서 토의되는 하나 또는 그 이상의 특징은 본 발명의 제1 형태의 본 실시예에서 지시된 바와 같은 다양한 특징들을 조합하여 사용될 수 있다. Accordingly, one or more features that are discussed in the second aspect the following may be used in the present embodiment of the first aspect of the invention a combination of the various features as indicated.

본 발명의 제2 형태는 플라스마 처리 시스템의 일부 형태의 보정 동안 식별되는 하나 또는 그 이상의 "상태(condition)"에 관한 것이다. A second aspect of the invention relates to one or more "state (condition)" is identified for correction of a part in the form of a plasma processing system. 이 제2 형태의 여러 실시예는, 처리 챔버, 처리 동안에 챔버에서 플라스마의 광학적 이미션 데이터를 통해 챔버 내에 수행된 플라스마-기반의 처리를 감시/평가하는 일종의 플라스마 감시 어셈블리, 및 이 플라스마 감시 어셈블리에 유동적으로 인터페이스되는 보정 어셈블리에서 각각 구현된다. Various embodiments of this second aspect, the processing chamber, the plasma carried out in the chamber through the optical emission data of a plasma in the chamber during treatment-monitoring-based processing of / evaluated kind of plasma monitoring assembly, and to a plasma monitoring assembly are each implemented in a calibration assembly which flexibly interface.

본 발명의 제2 형태에 관련된 보정 어셈블리의 일실시예는 플라스마 감시 어셈블리를 하나 또는 그 이상의 상태에 대해 보정한다. One embodiment of the compensation assembly according to the second aspect of the present invention corrects for the plasma monitoring assembly in the one or more states. 이러한 상태 중 하나는 해당 플라스마 처리에서 획득된 광학적 이미션 데이터에 대하여 겪게되는 파장 변화(wavelength shift)이다. One such condition is the wavelength change (wavelength shift) experienced with respect to the optical emission data obtained from the plasma treatment. 다른 상태는 해당 플라스마 처리 상에서 획득된 광학적 이미션 데이터에 대하여 겪게되는 세기 변화(intensity shift)이다. Another state is the intensity variation (intensity shift) experienced with respect to the optical emission data obtained on the plasma treatment. 또 다른 상태는 해당 플라스마 처리 상에서 가용한 임의의 광학적 이미션이 윈도우에 의해 최소한 거의 완전히 필터링된 경우이다. Another condition is when the at least almost completely filtered by any of the optical window emission available on the plasma treatment. 최종적으로, 이 상태 중 하나는 윈도우가 광학적 이미션의 다른 부분 상의 다른 영향을 주는 경우이다. Finally, one of the conditions is when the window is already giving a different optical effects on the other part of the illustration. 이것은 해당 플라스마 처리 상에서 획득되는 광학적 이미션 데이터 전체에 세기 변화 또는 다중 둔화 효과(multiple dampening effect) 영향이 다은 곳에 있는 경우이다. This optical intensity change already in the full design data or multi-slowing effect is obtained on the plasma treatment (multiple dampening effect) Effect of a case which there daeun. 위의 상태의 어떠한 결합은 본 발명의 제2 형태의 보정 어셈블리에 의해 식별 및 보정된다. Any combination of the above conditions is identified and corrected by the correction assembly of the second aspect of the present invention.

본 발명의 제1 형태에 관해 위에서 토의된 보정 어셈블리는 본 발명의 제2 형태에 관해 위에 나타난 형태의 상태에 대한 해당 플라스마 감시 어셈블리를 식별 및 보정한다. A corrected assembly discussed above with respect to the first aspect of the present invention to identify and correct for the plasma monitoring assembly for the condition of the type indicated above with respect to the second aspect of the present invention. 파장 변화는 다수의 이산 및 치환된(다른 파장으로) 세기 피크를 가진 보정광을 이용함으로써 식별될 수 있다. The wavelength change may be identified by using a plurality of discrete and substituted compensation light having an intensity peak (with different wavelengths). 윈도우의 내부 표면에 의해 반사된 보정광 부분(반사광)에 대해 윈도우로 전송된 보정광 부분(보정광)에서 나타난 피크의 파장에서의 변화는 지정되고, 보다 바람직하게는 보정에 의해 적어도 거의 경감되는 파장 변화로 표시될 수 있다. Changes in the peak wavelength shown in the corrected optical portion (reflected light), the corrected optical part (correction light) transmitted to the window for the reflection by the inner surface of the window is designated, and more preferably that is at least substantially mitigated by compensation It may be represented by the wavelength change. 또한, 세기 변화는 보정광과 반사광 사이에서 세기 피크가 어떻게 변하는지를 알림으로써 이러한 형태의 빛으로 식별된다. Further, the intensity change is identified with this type of light by informing how the peak intensity varies between the correction light and the reflected light. 반사광에서의 어떤 피크는, 다중 경감 효과의 존재를 알리는 그 외의 보정광에 대하여 경감될 수 있다. Some peaks in the reflected light, can be reduced with respect to the other correction optical indicating the existence of a multi-relieving effect. 보정광에서는 나타나지만 반사광에서는 나타나지 않는 피크는 피크가 존재하진 않는 곳의 파장에서 필터링 되었음을 나타낸다. Does not appear in the correct light reflection peak indicates that the filter in a wavelength area that is not a peak is present. 바람직하게는, 세기 변화, 완전 필터링 및 다른 경감 효과는, 이러한 의도로 사용되는 이산 세기 피크를 가진 보정광의 경우보다 더 완전한 그림을 제공하는 연속 세기를 가진 보정광 형태를 이용함으로써 식별된다. Preferably, it is identified by using the correction light form with a continuous intensity to provide a more complete picture than intensity change, complete filtering and other relief effect, the correction light having a discrete intensity peak used for this intention. 즉, 보정광에서의 세기 피크 사이에 위치하는 파장에 대한 윈도우의 "동작(behavior)"에서는 거의 또는 아무 정보도 제공되지 않고, 이에 따른 전제(assumption)가 만들어진다. That is, it is not provided "operation (behavior)" in little or no information in the window to the wavelength which is located between the light intensity peaks in the calibration, it is made the premise (assumption) accordingly. 상술한 의도에 대한 연속 세기를 갖는 보정광을 사용하는 경우에는 이러한 전제가 필요없다. When using the correction light having a continuous intensity for the above-described intention, there is no such assumption is required.

본 발명의 제3 형태는 플라스마 감시 어셈블리의 초기화를 통한 플라스마 처리 감시에 관한 것이다. A third aspect of the invention relates to a plasma treatment by monitoring the initialization of the plasma monitoring assembly. 플라스마 감시 어셈블리는, 처리 챔버 상에서 윈도우를 통한 광학적 이미션 데이터를 획득함으로써, 해당 플라스마 처리의 적어도 하나의 형태(예로, 처리 챔버 안에서 현재 수행되는 것)를 평가한다. Plasma monitoring assembly, by obtaining the optical emission data over the window on the process chamber, evaluates the at least one form (the example, is now performed inside the process chamber) of the plasma process. 해당 플라스마 처리 상에서 획득된 광학적 이미션은 적어도 제1 파장 범위를 정의한 약 250 nm 내지 약 1,000 nm와, 상기 제1 파장 범위 전체에서 매 1nm 마다의 파장을 포함한다. The optical emission obtained on the plasma treatment comprises at least a first and from about 250 nm to about 1,000 nm defined by the wavelength range, wherein the wavelength of every 1nm across the first wavelength range.

제3 형태의 제1 실시예에서 플라스마 감시 어셈블리의 초기화는 광학적 이미션 획득을 통해 윈도우 쪽으로의 보정광 지시, 윈도우로부터의 보정광의 제1 부분 반사, 및 전송된 원래의 보정광과 상기 제1 부분 비교를 포함한다. A third aspect of the first embodiment initializes the optical already obtained correction optical indication of the window up through design, calibration light the first partial reflection and the original transmission of the correction light and the first portion from the window of the plasma monitoring assembly in the example of and a comparison. 이어, 제1 및 제2 형태에 따른 보정에 관해 위에서 토의된 여러 특징들의 조합이 제3 형태에서도 구형될 수 있다. Next, the combination of the various features discussed above with respect to the correction according to the first and second aspects may be spherical in the third embodiment. 보정광과 반사광의 제1 부분의 비교는 제1 결과(예, 세기 변화, 파장 변화, 필터링, 또는 이것들의 조합)를 산출한 경우, 적어도 하나의 조절 장치(adjustments)가 플라스마 감시 어셈블리에 대해 만들어진다. Comparison of the first part of the correction light and the reflected light is a first result if the calculated (for example, intensity changes, wavelength changes, filtering, or a combination of these), the at least one control device (adjustments) is made for the plasma monitoring assembly .

제3 형태의 제1 실시예에서의 플라스마 감시 어셈블리에 대해 만들어질 수 있는 조절 장치는 플라스마 감시 어셈블리에 대한 물리적 조절을 포함한다. The adjustment can be made for the plasma monitoring assembly in the third form of the first embodiment includes a physical adjustment assembly for plasma monitoring. 예를 들어, 스펙트로미터 어셈블 리가 광학적 이미션 데이터를 획득하기 위해 사용된 경우나 적어도 하나의 스캐닝 타입 스펙트로미터를 포함한 경우에는, 격자(grating), 하나 또는 그 이상의 거울, 또는 양쪽 모두가 플라스마 감시 어셈블리를 보정하기 위해 이동(피봇)된다. For example, the spectrometer assembly Riga optical emission in the case when used to obtain the data and including at least one scanning type spectrometer, the grating (grating), one or more mirrors, or both plasma monitoring assembly It is moved (pivoted) to correct. 이 방식에서 스펙트로미터 어셈블리의 물리적 조절을 포함한 플라스마 감시 어셈블리의 어떠한 보정은, 통상적으로, 스펙트로미터 어셈블리의 "드리프팅(drifting)"으로 인한 파장을 지정하며, 이러한 형태의 물리적 조절은 다른 소스로부터의 파장 변화를 지정하는데 사용될 수 있다. Any correction of the spectrometer the plasma, including the physical control of the assembly surveillance assembly in this method, typically, specifies the wavelength due to the "drifting (drifting)" of the spectrometer assembly, and physical adjustment of this type from different sources It may be used to specify a change in the wavelength. 플라스마 감시 어셈블리에 관해 구성될 수 있는 다른 형태의 조절은 해당 플라스마 처리 상에서 수집 또는 획득된 광학적 이미션의 보정이거나, 보다 일반적으로 이러한 광학적 이미션을 나타내는 데이터이다. Other types of control that can be configured with respect to the plasma monitoring assembly or calibration of the optical emission is collected or obtained on the plasma process, the data indicating these optical emission more generally. 이에 따라, 상기 "조절(adjustment)"은 플라스마 감시 어셈블리에서의 단일 보정 팩터(single calibration factor) 또는 다중 보정 팩터(multiple calibration factor)의 구현을 포함할 수 있다. Accordingly, the "control (adjustment)" may include the implementation of a single correction factor (single calibration factor) or multi-factor correction (multiple calibration factor) in the plasma monitoring assembly. 단일 보정 팩터는 통상적으로 광학적 이미션에 교차된 "동일한(uniform)" 세기 변화가 평가(예로, "동일"하게 간주될 수 있는 ±"x" 세기 유닛)될 경우 사용되며, 반면에 다중 보정 팩터는 통상적으로 광학적 이미션에 교차되는 다른 경감 정도가 평가될 경우에 사용된다. A single correction factor is typically optically already crossed the illustration, "the same (uniform)" intensity change is evaluated and used if (for example, "same" as that can be regarded ± "x" intensity units), while the multiple correction factor is typically used in the optical case already be a different degree of cross-relief design evaluation. 보정 팩터는 스펙트로미터 어셈블리의 출력에서 요구되는 영향을 미치도록 구현될 수 있다. Correction factor may be implemented to effect required from the output of the spectrometer assembly. 이 방법에서의 보정을 위한 다른 경로는 보정광과 윈도우에 의해 반사된 보정광의 제1 부분과의 비교를 바탕으로 평가되는 광학적 이미션을 정규화하는 것이다. Another path for the correction of this approach is to normalize the optical emission is evaluated based on a comparison of the corrected first portion of light reflected by the correction light and the window.

제3 형태의 제2 실시예에서의 플라스마 감시 어셈블리의 초기화는 광학적 이미션을 획득한 것을 통해 처리 챔버 상의 윈도우를 감시하는 단계를 포함한다. Initialization of the plasma monitor of the third aspect of the second embodiment assembly includes the step of monitoring a window on the process chamber through the obtained optically the illustration image. 제2 실시예는, 윈도우가 약 250nm 내지 1,000nm 의 제1 파장 범위 내에 포함된 광학적 이미션을 필터링 할 것 인지의 여부를 결정하는 단계를 더 포함하는데, 여기서 플라스마 감시 어셈블리에 의한 평가를 위해 획득 및 사용될 광학적 이미션을 다시 정의한다. The second embodiment further includes the step of determining whether or not the window is to filter the optical emission is contained within a first wavelength range of about 250nm to 1,000nm, where obtained for evaluation by a plasma monitoring assembly and redefining the optical design already used. 마찬가지로, "필터링"에 관하여 본 발명의 제2 형태에 대해 위에서 논의한 여러 특성은 제3 형태의 제2 실시예에서도 역시 포함될 수 있다. Similarly, the various properties discussed above for the second aspect of the present invention with respect to "filter" may be included also in the second embodiment of the third aspect. 마지막으로,제3 형태의 제2 실시예는 제1 파장 범위 또는 필터링이 검출된 어떠한 영역 안에서의 모든 광학적 이미션을 무시하는 플라스마 감시 어셈블리를 수비하는 단계를 포함한다. Finally, the second embodiment of the third embodiment example of a step of defense to plasma monitoring assembly to ignore all optical emission within any region of the first wavelength range or a detection filter. 필터링 상태가 식별되었다는 통지가 제공된다. The notification states that the filtering identification is provided. 또한, 이러한 상황에서 윈도우를 교체하도록 하는 권고를 발생하게 된다. In addition, the recommendations that will occur to replace the windows in these situations.

제3 형태의 제2 실시예에서의 상기 감시 단계는 윈도우쪽으로 보정광을 전송하는 단계, 윈도우로부터 상기 보정광의 제1 부분을 반사하는 단계 및 상기 보정광과 제1 부분을 비교하는 단계를 포함한다. Claim to the monitoring step in the third aspect of the second embodiment comprises the steps of comparing the correction light and the first portion for reflecting the correction light first portion from step, the window for transmitting the correction light into the window . 또한, 본 발명의 제1 및 제2 형태에 관해서 위에서 논의된 하나 또는 그 이상의 특징들이 제3 형태의 제2 실시예에 의해서도 사용될 수 있다. Further, in relation to the first and second aspects of the invention have one or more features discussed above can be used by the second embodiment of the third aspect. 제2 실시예는 또한, 상술한 보정 절차에 의해 임의의 상태가 식별된 경우 플라스마 감시 어셈블리와 관련된 적어도 하나의 조절을 만드는 단계를 포함한다. The second embodiment also includes the steps of creating at least one control related to the case where any of the conditions identified plasma monitoring assembly by the above-described calibration procedure. 여기서, 제3 형태의 제1 실시예에 관해서 위에서 논의된 하나 또는 그 이상의 특징들이 제3 형태의 제2 실시예에 의해서도 사용될 수 있다. Here, there is one or more of that discussed above in relation to the first embodiment of the third aspect features may be used by the second embodiment of the third aspect.

상술한 본 발명의 제3 형태의 제3 실시예에서의 플라스마 감시 어셈블리의 초기화는 해당 플라스마 처리 상에서 광학적 이미션을 획득함에 따라 처리 챔버 상의 윈도우를 감시 하는 단계를 포함한다. The initialization of the plasma monitoring assembly in the third form of the third embodiment of the present invention described above includes the step of monitoring a window on the process chamber as the obtained optical emission on the plasma treatment. 제3 실시예는 또한, 윈도우가 250nm(나노미터) 내지 1000nm의 제1 파장 범위에 포함되는 제1 파장 범위에 제1 영향(예로, 경감(dampening))과, 상기 제1 파장 범위 내에서 제1 영향과 관련된 제1 파장 범위의 외부에 포함되는 제2 파장 범위 상의 제2 영향을 미치는지를 판단하는 단계를 포함한다. Claim in the third embodiment also, the window is 250nm (nanometer) to the first effect in a first wavelength range included in the first wavelength range from 1000nm (for example, reduction (dampening)) and said first wavelength range, the and a second step for determining how the first two effects on the second wavelength range includes the outside of the first wavelength range associated with the first impact. 다른 경감 효과를 식별하는 것에 대한 본 발명의 제2 형태에 관해서 위에서 논의된 여러 특징들은 제3 형태의 제3 실시예에도 역시 포함될 수 있다. As for the second aspect of the present invention about to identify the other relief effect the various features discussed above may be included also in the third embodiment of the third aspect. 마지막으로, 제3 형태의 제3 실시예는 상기 제1 및 제2 타입의 영향을 식별되는 경우의 플라스마 감시 어셈븝??리에 관해서 적어도 하나의 조절을 만드는 단계를 포함한다. Finally, a third embodiment of the third embodiment example includes the steps of creating a plasma monitoring control at least one control with respect Rie sembeup ?? cases identified the effects of the first and second type. 여기서, 제3 형태의 제1 실시예에 관해 위에서 논의된 하나 또는 그 이상의 특징들은 제3 형태의 제3 실시예에 의해서도 역시 사용될 수 있다. Here, the one or more discussed above with respect to the first embodiment of the third aspect features may also be used by the third embodiment of the third aspect.

제3 형태의 제3 실시예에서의 감시 단계는, 윈도우측으로 보정광을 전송하는 단계, 윈도우로부터의 보정광의 제1 부분을 반사하는 단계 및 상기 보정광과 제1 부분을 비교하는 단계를 포함한다. The monitoring step of the third aspect of the third embodiment, a step and a step of comparing the correction light and the first portion transmitting the calibration light toward the window, reflects the compensation light first portion from the window . 본 발명의 제1 및 제2 형태에 관해 위에서 논의된 하나 또는 그 이상의 특징들은 제3 형태의 제3 실시예에 의해서도 역시 사용될 수 있다. The one or more features discussed above with respect to first and second aspects of the invention may also be used by the third embodiment of the third aspect. 제3 실시예는 또한, 임의의 상태가 상술한 보정 절차에 의해 식별될 때, 플라스마 감시 어셈블리에 관해 적어도 하나의 조절을 만드는 단계를 포함한다. The third embodiment also, includes at least the steps to create a single control on when any of the conditions identified by the above calibration process, the plasma monitoring assembly. 마찬가지로, 제3 형태의 제1 실시예에 관해 위에서 논의된 하나 또는 그 이상의 특징들은 본 발명의 제3 형태의 제3 실시예에 의해서도 역시 사용될 수 있다. Similarly, the one or more features discussed above with respect to the first embodiment of the third aspect can also be used by the third embodiment of the third aspect of the present invention.

본 발명의 제4 형태는 플라스마 처리가 수행되는 처리 챔버 상의 윈도우 감시를 포함하는 플라스마 처리 감시 방법에 관한 것이다. A fourth aspect of the invention relates to a plasma processing method including monitoring a window on the monitor processing chamber in which plasma processing is performed. 이에 대해, 다량의 제품이 처리 챔버 안에 로드(load)되고(예로, 적어도 하나의 웨이퍼), 그 후 이 제품에 플라스마 처리가 수행되고(예로, 플라스마 레시피), 그리고 플라스마 처리상의 데이터(예로, 처리 중에 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션)는 처리 챔버 상의 윈도우를 통해 획득된다. On the other hand, a large amount of product is loaded (load) in the process chamber (for example, at least one wafer), and then the the plasma treatment is carried out on the product (for example, a plasma recipe), and data (for example on the plasma treatment, the process plasma optical emission of in the chamber) is obtained through a window on the process chamber. 상기 플라스마 처리는 처리 챔버 윈도우를 통해 획득된 데이터 및 윈도우의 감시를 통해 획득된 데이터를 바탕으로 평가된다. The plasma processing is evaluated on the basis of the data obtained through the monitoring of the data and the window obtained by means of the processing chamber window.

상술한 제4 형태의 제1 실시예에서, 보다 상세하게, 상기 윈도우의 감시는윈도우의 실제 상태를 감시 하는 단계를 포함한다. In a first embodiment of the above-described fourth aspect, and more specifically, the monitoring of the window comprises the step of monitoring the actual status of the window. 해당 제2 실시예의 경우에서 상기 윈도우의 상태는 플라스마 처리에서 획득된 데이터를 통한 것과는 다르게 감시된다. State of the window in the case of the second embodiment are monitored differently than with the data obtained from the plasma treatment. 즉, 처리 챔버 안에서 수행되는 플라스마 처리에서 획득된 데이터는, 본 발명의 제4 형태의 제1 실시예에서, 윈도우의 상태를 감시하는 단계에 의한 어떤 방식에서도 사용되지 않는다. That is, the data obtained from the plasma treatment is carried out in the processing chamber, in a fourth aspect of the first embodiment of the present invention, and is not used in any manner by the step of monitoring the state of the window.

상술한 본 발명의 제4 형태의 제1 실시예에 의해 여러 특징들이 사용될 수 있고, 이러한 특징들은 상술한 제1 실시예에서 단독으로 뿐만 아니라 어떤 조합으로도 사용될 수 있다. Described above can be used several features with the first embodiment of the fourth aspect of the invention, such features may also be used alone as well as in the first embodiment described above in any combination. 챔버 안에서 플라스마 처리가 수행되는 동안의 윈도우 상태의 감시는 해당 제1 실시예의 부가적 특징들로써 금지될 수 있다. Monitoring the state of the window during the plasma process performed in the chamber may be prohibited deulrosseo example additional feature the first embodiment. 즉, 윈도우 상태의 감시 및 플라스마 처리의 실시는 서로 다르고 겹쳐지지 않은(non-overlapping) 시간에서 수행된다. That is, embodiments of the window conditions as monitored and plasma processing is performed in the (non-overlapping) time non-overlapping different from each other. 통상적으로, 윈도우 상태의 감시는, 윈도우의 내부 표면이 상기 윈도우를 통해 획득되는 플라스마 처리 데이터에 끼치게될 영향을 판단하기 위해 플라스마 처리의 실시 전에 챔버 안에서 실행된다. Typically, the monitoring state of the window is carried out in the chamber before practice of the plasma treatment in order to determine the effect on the plasma processing be kkichige data inside surface of the window is obtained through the window. 여기서, "식별 가능한 상태"(예로, 파장 변화, 세기 변화, 필터링, "동일한" 경감 효과(세기), 다중 경감 효과(세기)) 및 이러한 상태를 식별하는 방법(예로, 윈도우쪽으로 보정광을 보내고, 상기 보정광과 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 보정광 부분을 비교함)에서의 본 발명의 제2 형태에 관해 위에서 논의된 하나 또는 그 이상의 특징들은 본 발명의 제4 형태의 제1 실시예에서도 역시 구현될 수 있다. Here, "identifiable state" (for example, wavelength variation, intensity variation, and filtering, "the same" relief effect (intensity), a multi-relieving effect (intensity)) having a method of identifying and this state (for example, the correction light into the window , the correction light and comparing the compensation light component which is reflected by the inner surface of the window), a discussed above with respect to the second aspect of the present invention or more features in their first embodiment of the fourth aspect of the present invention in can also be implemented. 적어도 하나의 조절은 하나 또는 그 이상의 이러한 "상태"가 식별될 때 플라스마 감시 어셈블리에 대해 만들어진다. At least one adjustment is made for the plasma monitoring assembly when one or more of these "state" to be identified. 본 발명의 제3 형태에 관해 위해서 지시된 다양한 형태의 "조절", 및하나 또는 그 이상의 이러한 특징들은 제4 형태의 제1 실시예에서도 역시 포함될 수 있다. For about a third aspect of the present invention, "control" of the various instruction types, and one or more of these features it may also be included in the first embodiment of the fourth aspect.

해당 제4 형태의 제2 실시예는 제1 실시예에 대해 상술한 것과는 다른 방식의 윈도우 감시에 관한 것이다. The second embodiment of the fourth aspect for example, to a monitoring window in a different way from that described above for the first embodiment. 이에 대하여, 제2 실시예의 감시 단계는, 윈도우쪽으로 보정광을 전송하는 단계, 상기 윈도우의 내부 표면으로부터 보정광의 제1 부분을 반사하는 단계 및 상기 윈도우로 전송된 보정광과 상기 윈도우 내부 표면에 의해 반사된 보정광의 부분을 비교하는 단계를 포함한다. On the other hand, the second embodiment monitor comprises: sending a correction light toward the window, by a step and the correction light and the window inner surface transferred to the window for reflecting a first portion correction of light from the interior surface of the window and a step of comparing the reflected beam part correction. 여기서, 본 발명의 제1 및 제2 형태에 관해 위에 나타낸 하나 또는 그 이상의 특징들은 제4 형태의 제2 실시예에서도 역시 포함될 수 있다. Here, the one or more indicated above with respect to the first and the second aspect aspect of the present invention can be included also in the second embodiment of the fourth aspect. 처리 챔버 윈도우의 감시를 통해 식별할 수 있는 상태의 형태는 본 발명의 제2 형태에 대해서 위에 나타내었고, 이러한 하나 또는 그 이상의 특징들은 제4 형태의 제2 실시예에서도 역시 포함될 수 있다. The form of a state that can be identified by the monitoring of the process chamber window showed above for the second aspect of the invention, these one or more features may be included also in the second embodiment of the fourth aspect.

본 발명의 제5 형태는 기계-기반(machine-based)의 광학 분석을 바탕으로 처리 챔버 안에 플라스마가 존재하거나 "온"인 시간을 판단하는 것에 관한 것이다. The fifth aspect of the present invention is machine-it relates to a plasma in the process chamber based on the optical analysis of the base (machine-based), or determining the presence of time "on". 보다 상세하게는, 제5 형태는 처리 챔버 안으로부터 광학적 이미션을 획득하고, 이 광학적 이미션을 평가하고, 처리 챔버 안에 플라스마를 생성하며, 처리 챔버 안으로부터의 광학적 이미션을 기계 기반으로 평가하여 처리 챔버 안에 플라스마가 존재하는 시간을 식별하는 것에 관한 것이다. More specifically, the fifth embodiment obtains the optical emission from within the process chamber, and to assess the optical emission from the optical and the existing list of illustration and generating a plasma in the process chamber, the process chamber in the machine-based relates to identifying a time at which the plasma present in the processing chamber.

여러 특징들이 상술한 본 발명의 제5 형태에 의해 사용될 수 있으며, 이러한 특징들은 단독으로 뿐만 아니라 어떠한 조합으로도 사용될 수 있다. May be used by the fifth aspect of the invention a number of features have been described above, these features may also be used in any combination as well as independently. 예를 들어, 광학 분석을 통해 챔버 안에 플라스마가 존재하는 시간을 식별하는 것은 여러 기법으로 구현할 수 있다. For example, to identify the amount of time that the plasma in the chamber exists by the optical analysis can be implemented by various techniques. 챔버 안에 플라스마가 들어온 시간은 처리 챔버 안으로부터의 광학적 이미션이 소정의 출력을 초과할 때(예로, 챔버 안의 광학적 이미션의 세기 또는 소정 부분의 세기가 소정 양을 초과할 때)를 판단함으로써 식별될 수 있다. Time the plasma in the chamber came is identified by determining the optical time already illustration is greater than a predetermined output (for example, when the intensity of the intensity or a predetermined portion of the optical emission in the chamber exceeds a predetermined amount) from the inside processing chamber It can be. 광학 분석을 통한 플라스마 존재 시간의 식별은 또한, 광학적 이미션이 어떻게 시간에 따라 변하는지를 평가하는데 사용될 수 있다. Identifying the presence of plasma through time, the optical analysis also can be used to do the optical emission evaluate whether that change over time. 예를 들어, 챔버 안에 플라스마가 존재하지 않을 때에는, 챔버로 방출되는 해당 광학적 이미션은 없을 것이다. For example, when it is not present in the plasma chamber, the optical emission that is released into the chamber will not. 이에 따라, 상기 식별 단계는 "어두운(dark)" 상태로부터 "밝은(light)" 상태로의 어떠한 변화를 표시하기 위해 간단히 사용될 수 있다. Accordingly, the identifying step may simply be used to display any changes to the "dark (dark)," status "light (light)" from the state. 광학 분석을 통해 챔버 안에 플라스마가 존재하는 때를 결정하는 또 다른 방법은 챔버내로부터의 광학적 이미션이 적어도 소정의 세기를 각각 갖는 이산 세기 피크의 최소한의 수를 포함할 때를 판단하는 것이다. Another method of determining the time that the plasma in the chamber exists by an optical analysis is to determine when to include the minimum number of discrete intensity peaks in optical emission from within the chamber having at least a predetermined intensity, respectively. 마지막으로, 챔버 안의 플라스마의 존재는, 챔버 안으로부터의 현재의 광학적 이미션을 챔버 안에 플라스마가 존재한다고 알려진 시간에 챔버로부터 이미 획득되어 컴퓨터-판독가능 매체에 기록된 적어도 하나의 출력과 매치(match)되는 때를 결정하는 것에 의해 식별될 수 있다. Finally, the presence of a plasma within the chamber, is already acquired from the chamber in known to the current optical emission of from the chamber into the plasma present in the chamber time computer - the at least one output matches (match recorded on readable media ) it may be identified by determining the time being.

해당 제5 형태에 포함될 수 있는 다른 특징은 챔버 내 플라스마가 존재한 후의 제품의 처리에 관한 것이다. Other features that may be included in the fifth aspect relates to the treatment of the product after the plasma within the chamber exists. 일실시예에서, 챔버 상의 윈도우는 상술한 본 발명의 제4 형태에 따라 감시될 수 있다. In one embodiment, the window on the chamber may be monitored in accordance with a fourth aspect of the present invention described above. 이 감시 동작은 제5 형태에 의해 제공된 광학 분석을 통해 챔버 안에 플라스마가 처음 식별된 시간에 자동적으로 종료된다. The monitoring operation is a plasma in the chamber through an optical analysis offered by the fifth aspect automatically terminate the first time identified. 다른 실시예에서, 챔버 안에서 수행되는 플라스마 처리는 플라스마 감시 어셈블리에 의해 감시될 수 있다. In another embodiment, the plasma treatment is carried out in the chamber may be monitored by the plasma monitoring assembly. 플라스마 감시 어셈블리의 보정은 상술한 본 발명의 제3 형태에 따라 이용 가능하다. Correction of the plasma monitoring assembly can be used in accordance with the third aspect of the present invention described above. 이 보정 동작은 제5 형태에 의해 제공된 광학 분석을 통해 챔버 안에 플라스마가 식별되었을 때 자동적으로 종료될 수 있다. The correction operation may be terminated automatically when in the chamber through an optical analysis is provided by a fifth aspect is the plasma is identified.

본 발명의 제6 형태는 처리 챔버 안에서 이미 수행된 플라스마 처리로부터의 최소한의 광학적 이미션 데이터를 포함하고, 이와 매우 동일한 처리 챔버에서 다음에 수행되는 플라스마 처리를 평가하는데 사용되는 플라스마 스펙트럼 디렉토리에 관한 것이다. A sixth aspect of the invention relates to a plasma spectrum directory used to evaluate the plasma treatment is carried out in the following in at least the optical already contains design data, this very same processing chamber from the plasma treatment has already been performed in the process chamber . 플라스마 스펙트럼 디렉토리는 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장되고, 설명의 편의를 위해 다수의 데이터 엔트리를 구비한 제1 데이터 구조를 포함한다. Plasma spectrum directory is a computer-readable storage medium and stored in, a first data structure having a plurality of data entries, for convenience of explanation. 이 데이터 엔트리 각각은 해당 플라스마 처리 동안의 적어도 한 시점으로부터의 광학적 이미션을 나타내는 데이터를 포함하고, 이 데이터는 제1 카테고리, 제2 카테고리 및 제3 카테고리 중 하나에 관련된다. The data entries, each containing data representing the optical emission from the at least one point in time during the plasma treatment, and the data is directed to one of a first category, the second category and the third category.

제1 카테고리에 관련된 데이터 엔트리는 챔버 안에서 실시되고, 다음의 플라스마 처리가 결정되기 전에, "표준(standard)"을 정의한 플라스마 처리이다. Data entry according to a first category is defined by the plasma treatment, the "standard (standard)," before it is performed and, following the determination of the plasma treatment in the chamber. 처리 챔버 내에서 실시되는 플라스마 처리는, 그것이 제1 카테고리에 연관된 적어도 하나의 데이터와 "상응(correspond)" 또는 "매치(match)"하는지를 판단하여 평가된다. Plasma treatment is carried out in the processing chamber, it is evaluated to determine whether at least one of data and the "equivalent (correspond)" or "match (match)" associated with the first category. 제1 카데코리에 연관된 플라스마 처리의 타입은 "정상적인(normal)" 실시로써 특징될 수 있다. Type of the first plasma processing associated kadeko Rie can be characterized as an exemplary "normal (normal)". 이 경우, 제1 카테고리에 연관된 플라스마 처리는 적어도 실질적인 에러 없이 진행되었다고 간주되며, 실제의 에러 또는 이상없이 진행되었다는 사실을 확인하기 위해 어떠한 방식으로 테스트될 수 있다. In this case, the plasma treatment is associated to the first category is considered to proceed without at least a substantial error, may be tested in any way to verify the fact that the progress of the actual or at least without error.

처리 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션은 통상적으로 주어진 플라스마 처리가 "정상적인" 형태로 진행되는지에 상관없이 반사된다. Optical emission of the plasma in the process chamber is reflected, regardless of whether the commonly given plasma processing proceeds to the "normal" form. 이에 대하여, 제1 카테고리의 데이터 엔트리에 관련된 광학적 이미션은 적어도250nm 내지 1000nm 사이의 파장에서 이 범위 전체에 대해 적어도 매 1nm 마다 그리고 해당 플라스마 처리로부터 적어도 매 1초마다의 파장을 포함한다. On the other hand, the optical emission associated with the data entry in the first category include the wavelength of each second sheet from the at least at least every 1nm, and the plasma treatment for the full range at a wavelength between at least 250nm to 1000nm. 해당 처리 챔버에서 이어서 수행되는 플라스마 처리의 평가에서는 이 데이터 모두를 사용하지 않더라도, 요구/필요시 이용될 수 있다. In the assessment of the plasma treatment it is then carried out in the process chamber without the use of all of the data, may be used when required / needed. 또한, 해당 플라스마 처리 전체에 대한 데이터, 또는 플라스마가 안정화된 후의 처리의 적어도 일부는 통상적으로 제1 카테고리에 연관된 데이터 엔트리에 포함된다. In addition, the plasma treatment data for the entire, or at least a portion of the processing after the plasma is stabilized is typically included in the data entry associated with the first category.

사실상 플라스마 처리의 어떠한 형태라도, 플라스마 처리가 소정의 형식으로 진행되었음을 지시하는 광학적 이미션 데이터를 제공하는 한, 제1 카테고리에 관련된 데이터 엔트리에 포함된다. In fact, any form of plasma treatment, the plasma treatment is included in the data entry relating to a first category that provides the optical emission data that indicates that the process proceeds to a predetermined format. 하나 또는 그 이상의 플라스마 레시피(생산 웨이퍼, 검증 웨이퍼, 또는 둘 다 모두에서 실시되는), 플라스마 세정(습식 세정 전 또는 후), 및 조절 웨이퍼 동작은 각각 플라스마 스펙트럼 디렉토리 안에 포함되고 제1 카테고리에 연관된다. Is one or more plasma recipe (production wafers, the verification wafer, or both are performed at all), plasma cleaning (wet cleaning before or after), and the control wafer action are respectively included in the plasma spectrum directory associated with the first category . 다양한 "종(species)"의 플라스마 처리 형태는 또한 제1 카테고리에 연관된 플라스마 스펙트럼 디렉토리(예, 다른 형태의 플라스마 레시피) 안에 포함된다. Plasma treatment in the form of various "species (species)" is also included in the plasma spectrum directory (for example, a plasma recipe of another type) is associated to the first category. 동일한 "종"의 다수의 데이터 엔트리는 또한 제1 카테고리에 연관된 플라스마 스펙트럼 디렉토리 안에 포함된다(예로, 동일한 플라스마 레시피의 다수의 엔트리는 동일한 형태의 제품에 실시됨). Number of data entries of the same "species" is also included in the plasma spectrum directory associated with the first category (e.g., multiple entries of the same plasma recipe silsidoem the same type of product).

제6 형태의 제2 카테고리에 연관된 데이터 엔트리는 처리 챔버 안에서 실시되고, 적어도 하나의 에러 또는 이상이 발생한 플라스마 처리(예로, 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 동작)이다. Data entry associated with the second category of the sixth aspect is a plasma treatment (for example, a plasma recipe, plasma cleaning, the wafer operation control) is performed, it received at least one error or more than in the process chamber. 상기 에러 또는 이상은 통상적으로 처리 챔버 안에서의 플라스마의 광학적 이미션의 변화에 의해 나타나고, 그 원인은 이러한 광학적 이미션의 확인에 의해 식별된다. The error or more than is typically appearing by plasma already optical change in design of the inside processing chamber, the cause is identified by this optical already confirmed in the illustration. 통상적으로, 이 확인은 해당 플라스마 처리의 종료 후이다. Typically, the check is after the end of the plasma treatment. 위에 표시된 파장 범위 안에서의 광학적 이미션 데이터의 획득은 에러 또는 이상을 나타내는 광학적 이미션 데이터가 제2 카테고리에 연관된 데이터 엔트리 안에 포함을 위해 실제로 이용 가능할 가능성을 증가시킨다. Acquisition of optical emission in the wavelength range of the data shown above, increases the possibility be actually used for the data included in the entry associated with the optical emission data and a second category representing the error or more.

에러 또는 이상의 식별 또는 원인은 제2 카테고리에 연관된 데이터 엔트리에 어떤 방식으로 포함된다. Or identify the cause error or more is included in any way in the data entry associated with the second category. 다양한 동작이 이 정보를 바탕으로 초기화된다. Various operation is initiated based on this information. 해당 처리 챔버에서의 플라스마 처리에 발생된 에러를 사람에게 알리기 위해 경보 등(오디오, 비디오, 또는 양쪽 모두)이 발생될 수 있다. Alarms to indicate the error occurs in the plasma processing in the processing chamber to the individual (audio, video, or both) may be generated. 에러에 대한 세부 정보는 또한 유용할 뿐만 아니라, 에러 또는 이상을 지시 또는 수정하기 위한 하나 또는 그 이상의 방법이 만들어질 수 있다. As well as details of the error are also useful, the one or more methods for instructing or modifying the error or at least can be made. 마지막으로, 수정 동작은 요구시 자동으로 수행될 수 있다. Finally, corrective actions can be performed automatically when required.

통상적으로, 에러가 발생된 경우 실시된 전체가 제2 카테고리에 연관된 데이터 엔트리에 포함되지는 않는다. Typically, the entire exemplary case where an error occurs is not included in the data entry associated with the second category. 대신에, 해당 에러 또는 이상의 존재를 반사한 광학적 이미션만이 통상적으로 이 데이터 엔트리에 포함된다. Instead, a reflection of the presence corresponding error or more optical already only illustration is typically included in the data entry. 이것은 해당 플라스마 처리 중의 단지 하나의 시점 또는 다수의 시점으로부터의 광학적 이미션 데이터를 포함한다. This includes the optical emission data from only a single time point or multiple point of the plasma process. 제2 카테고리에 연관된 어떠한 데이터 엔트리에 포함된 광학적 이미션은 또한 위에 표시된 파장 범위에 있다. 2 any the optical emission in the data entry associated with the category is also in the wavelength range indicated above. 그러나, 만일 에러 또는 이상이 해당 플라스마 처리에서 획득된 광학적 이미션의 소정 부분만이 반사된다면, 단지 이 부분만이 상기 제2 카테고리에 연관된 데이터 엔트리에 대한 플라스마 스펙트럼 디렉토리 안에 포함될 필요가 있다. However, if an error or a least for a predetermined portion of the optical emission obtained from the plasma treatment is reflected, it is only required to contain only the parts in the plasma spectrum directory for the data entry associated with the second category.

해당 제6 양태에 관해 제3 카테고리에 연관된 데이터 엔트리는 처리 챔버 안에서 실시되었고, 플라스마 스펙트럼 서브디렉토리에 "알려지지 않은(unknown)" 플라스마 처리이다. Data entry associated to the third category with respect to the sixth aspect is a "(unknown) Unknown" plasma treatment was carried out in the processing chamber, the plasma spectrum subdirectory. 즉, 해당 플라스마 처리로부터의 광학적 이미션은 제1 또는 제2 카테고리에 연관된 어떤 데이터 엔트리와도 대응되지 않는다. That is, the optical emission from the plasma process does also not correspond with any data entry associated with the first or second categories. 또한, 이것이 그 경우인 이유는 아직 판단되지 않았거나, 또는 보다 정확하게 그 원인이 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상의 데이터 엔트리에 연관되지 않은 경우이다. Also, why is it that the case has not yet been determined, or more accurately the cause computers - a case unrelated to the data entry on a readable storage medium. 통상적으로, 두 가지 상황이 플라스마 스펙트럼 디렉토리 안에 데이터 엔트리가 저장된 곳과 제3 카테고리에 연관된 각 경우를 포함할 수 있다. Typically, two situations may be containing in each case associated with the plasma spectrum directory entry stored in the data area and in the third category. 플라스마 스펙트럼 디렉토리 안에 아직 저장되지 않았고, 제1 카테고리에 연관된 플라스마 처리가 이러한 하나의 상황이다. Plasma spectrum not yet been stored in the directory, the plasma treatment is associated with a first category of such a situation. 이 경우, 해당 플라스마 처리 전체가 플라스마 스펙트럼 디렉토리에 저장되고, 제3 카테고리에 연관된다. In this case, the store is full the plasma treatment in a plasma spectrum directory, is associated to the third category. 이 데이터 엔트리가 실제적으로 어떤 에러나 이상 없이 진행되었거나 간주된 새로운 플라스마 처리인 것으로 식별된 경우, 이 데이터 엔트리는 제3 카테고리로부터 제1 카테고리로 "전달(transfer)"된다. If the data entry is actually identify any errors and to be considered a new plasma process or proceed without error, the data entry is "transmission (transfer)" from the third category to the first category. 플라스마 스펙트럼 디렉토리에 저장되지 않고, 제2 카테고리에 연관되지 않은 에러가 발생한 플라스마 처리는 역시 제3 카테고리 아래의 데이터 엔트리 안에 저장된다. Not stored in the directory plasma spectrum, plasma treatment is not associated with an error in the second category is generated is also stored in the data entry under the third category. 통상적으로, 이러한 상황에서, 에러 또는 이상의 초기 발생으로부터 플라스마 처리의 종료까지의 데이터만이 제3 카테고리에 연관된 제1 데이터 엔트리 안에 저장된다. Typically, only the data to the end of a plasma process from In this situation, error or early development than are stored in the first data entry associated to the third category. 이 플라스마 처리로부터의 광학적 이미션 데이터의 다음의 평가는 "신규(new)" 에러가 발생되었음을 나타낼 수 있다. Evaluation of the optical emission data from a plasma process may be that the "new (new)" error occurs. 만일 에러의 원인이 확인되었다면, 제3 카테고리에연관된 해당 데이터 엔트리로부터의 모든 또는 일부의 데이터는 제2 카테고리로 "전달"될 수 있다. If ten thousand and one that caused the error check, all or a portion of the data from the data entry associated to the third category may be "delivered" to the second category.

본 발명의 제7 형태는 적어도 약간의 방식으로 플라스마 처리를 평가하는데 사용될 수 있는 다양한 분석 기법에 관한 것이다. A seventh aspect of the invention relates to a variety of analytical techniques that may be used to evaluate the plasma treatment in at least some manner. 이 제7 형태의 제1 실시예에서, 컴퓨터-판독가능 저장 매체는 다수의 데이터 엔트리를 포함한다. In this first embodiment of the seventh aspect of claim 1, the computer-readable storage medium includes a plurality of data entries. 이러한 적어도 하나의 데이터 엔트리는 제6 형태에 관해 상술한 제1 카테고리 형태에 연관되는 반면, 이러한 적어도 하나의 데이터 엔트리는 또한 제6 형태에 대해 상술한 제2 카테고리에도 연관된다. The at least one data entry, on the other hand is associated to the above-described first category types with respect to a sixth aspect, this at least one data entry is also associated to the above-mentioned second category for the sixth aspect.

제7 형태의 제1 실시예에 의해 실시되는 평가 기법은 먼저 해당 플라스마 처리가 제1 카테고리에 연관된 어떠한 데이터 엔트리에 대응되는지를 판단한다. Evaluation Method is performed by the seventh aspect of the first embodiment is first determined whether the plasma process is no data corresponding to the entries associated with the first category. 이러한 어떤 대응관계라도 해당 플라스마 처리를 "정상적인" 등으로써 특성화하는데 사용될 수 있다. Any correspondence between any of these can be used to characterize the plasma process such as "normal". 만일, 해당 플라스마 처리가 어떤 시간에서도 제1 카테고리 아래의 적어도 하나의 데이터에 대응되지 않는다면, 제7 형태의 제1 실시예는 해당 플라스마 처리가 주지된 에러 또는 이상이 발생했는지를 확인하기 위해 제2 카테고리 아래의 데이터 엔트리를 "조사(search)"하게 된다. If, a second to determine that the plasma process does not correspond to at least one of the data under the first category at any time, that the seventh aspect of the first embodiment has an error or a least-known that the plasma treatment occurs category is "research (search)" data entry below. 이에 따라, 제2 카테고리 아래의 데이터 엔트리는 각 경우마다 검색되지는 않는다. Accordingly, the data entry of the following two categories, but is not detected in each case.

다양한 특징들이 위에 표시된 본 발명의 제7 형태의 제1 실시예에 의해 사용될 수 있으며, 이 특성들은 위에 표시된 제1 실시예에서 단독으로 뿐만 아니라 어떠한 조합으로도 사용될 수 있다. Be used by the embodiment of the seventh aspect of the present invention shown above, various examples and features, the features may also be used in any combinations, as well as the in the first embodiment shown above, alone. 처음에, 제6 형태에 관하여 상술한 여러 특징/개념들 각각은 해당 제7 형태의 제1 실시예에서도 동일하게 적용될 수 있으며, 포함될 수 있다. Initially, the various features / concepts described above with respect to each of the sixth type may be included and may equally be applied in the first embodiment of the seventh aspect. 또한, 해당 플라스마 처리의 광학적 이미션 데이터가 주어진 데이터 엔트리에 매치 또는 대응하는지를 판단하는 여러 방법이 있다. In addition, there are several ways to determine if the optical emission data for the plasma process that matches or corresponds to the given data entry. 매치 또는 대응 관계는 현재의 광학적 이미션 패턴이 데이터 엔트리로부터의 관련된 광학적 이미션 패턴과 "매치(match)" 하는지를 판단한 것을 바탕으로 한다. Or match the corresponding relationship is based on the current optical emission pattern is determined whether the optical emission pattern and a "match (match)," from the related data entries. 또한, 무엇이 "관련된(relevant)" 광학적 이미션인지는 많은 특성화(characterization)에 따른다. Also, what is "involved (relevant)" Optical emission depends on the number of characterization (characterization). 예를 들어, 현재 광학적 이미션에 관련된 시간은 이 방사가 주어진 데이터 엔트리에 대응하는지는 판단하는 기준으로 사용될 수 있다. For example, the time associated with the optical emission current can be used as criteria for determining that the radiation is given to a corresponding data entry. 즉, 해당 광학적 이미션이 획득된 시간은, 주어진 데이터 엔트리로부터의 어떤 광학적 이미션이 해당 비교(즉, 해당 광학적 이미션과 동일한 시간에 획득된 데이터 엔트리로부터의 광학적 이미션을 선택)를 위해 사용될지를 식별하기 위해 사용되어진다. That is, the optically emission acquisition time, any optical emission from a given data entry used for the comparison (i. E., Select the optical emission from a data entry obtaining the optical already at the same time as the illustration) It is used to identify the image. 대안적으로, 해당 플라스마 처리는 제1 카테고리에 연관된 적어도 하나의 데이터 엔트리와 동일한 형식으로 진행되는지를 판단하여 간단히 평가될 수 있으며, 그러나 이때 동일한 속도일 필요는 없다. Alternatively, the plasma treatment can be assessed by simply determining whether the progress in the same format as at least one data entry associated with the first category, but not necessarily the case at the same speed. 이 경우에는 시간이 제한적 기준이 아니다. In this case, time is not limited basis.

현재의 플라스마 처리가 제2 카테고리에 연관된 데이터 엔트리에 대응하는 경우, 다양한 동작이 수동적 또는 자동적으로 시작될 수 있다. When the current of the plasma processing for the data entry associated with the second category, there are a variety of operations it can be initiated manually or automatically. 예를 들어, 해당 플라스마 처리가 종료되고, 에러가 발생했음을 알리는 경보가 발생하고, 처리 제품에 대한 처리 챔버의 재사용이 연기되고, 상기 에러를 수정하기 위해 플라스마 처리의 조절이 수행되거나, 이들의 어떠한 조합이 수행될 수 있다. For example, if the plasma treatment is terminated and an alarm is generated indicating that an error has occurred, and the reuse of the processing chamber for processing products has been delayed, or the control of the plasma process performed in order to correct the error, those of any this combination can be performed.

해당 제7 형태의 제2 실시예는 제6 형태에 관하여 위에서 정의된 제1 카테고리 형태에 연관된 제1 데이터 엔트리를 포함하는 컴퓨터-판독가능 저장 매체를 사용한다. The second embodiment of the seventh aspect for example, the computer including a first data entry associated with the first category type defined above with respect to a sixth aspect - uses a readable storage medium. 이 데이터 엔트리는 처리 챔버 안에서 이전에 수행된 하나의 플라스마 처리 동안에 다수의 다른 시간으로부터의 다수의 제1 데이터 세그먼트(segment)를 포함한다. This is the data entry comprises a plurality of first data segment (segment) from the one of the plurality of different times during the plasma treatment performed before the inside processing chamber. 각 데이터 세그먼트는 제1 파장 범위로 정의되는 약 250nm 내지 약 1000nm의 파장에 대해, 그리고 적어도 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다, 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션을 포함한다. Each data segment comprises a plasma optical emission in the claim for from about 250nm to about 1000nm, which is defined as a first wavelength range of wavelengths, and each of at least 1nm wherein the sheets for the entire wavelength range, the chamber. 제2 실시예는 역시 제1 파장 범위에서 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다 동일한 처리 챔버 안에서 실시되는 다른 플라스마 프로세서로부터 획득되는 현재의 광학적 이미션을 수반한다. The second embodiment also involves a current optical emission of the plasma is obtained from the other processor which is performed in the same process chamber for every 1nm for the entire first range of wavelengths in a first wavelength range. 현재의 광학적 이미션와, 제1 파장 범위 및 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다의 제1 데이터 엔트리의 적어도 하나의 제1 데이터 세그먼트에 관련된 광학적 이미션에 대한 비교가 수행된다. The comparison of the optical emission associated with the at least one first data segment of the first data entry for every 1nm for full current already optically syeonwa, a first wavelength range and the first wavelength range is carried out. 이 제2 실시예에 관해 논의된 특징들은 해당 제7 형태의 제1 실시예에 대해 위에서 논의된 것에 포함될 수 있다. The second embodiment with the features discussed may be included as discussed above for the first embodiment of the seventh aspect.

해당 제7 형태의 제3 실시예는 또한 컴퓨터-판독가능 저장 매체를 사용한다. The third embodiment of the seventh aspect for example, is also a computer-readable storage medium uses. 처리 챔버에서 제1 플라스마 처리가 실시된다. A first plasma-treatment is performed in the process chamber. 이 챔버에서의 플라스마의 광학적 이미션는, 제1 파장 범위로 정의된 적어도250nm 내지 1000nm 의 파장에 대해, 그리고 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다 획득된다. For plasma optical already syeonneun, the wavelength of at least 250nm to 1000nm wavelength range is defined as 1 in the chamber, and for the whole of the first wavelength range is obtained for every 1nm. 이 데이터는 제1 플라스마 처리 중의 여러 시간에서 획득되고, 이것은 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상에 저장된다. This data may be obtained in several times of the first plasma treatment, which is a computer-stored on a readable storage medium. 제1 및 유사한 데이터의 종료가 획득된 후에 제2 플라스마 처리가 수행된다. After the first and the acquisition of data is similar to the second end is done by a plasma treatment. 어떤 경우, 제2 플라스마 처리로부터의 광학적 이미션과 제1 플라스마 처리로부터의 광학적 이미션를, 제1 파장 범위 전체 및 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다 비교하는 것이 요구될 수 있다. In some cases, the can may be required to compare the entire optical already syeonreul, a first wavelength range and the total of the first wavelength range from the optical emission from the first plasma treatment from the second plasma treatment per 1nm. 그러나, 어떤 경우에는 이것이 유용, 요구 또는 필요하지 않을 수 있다. However, in some cases it may not be useful, needed or required. 이에 대하여, 컴퓨터-판독 가능 저장 매체 상의 제1 데이터 엔트리 안에 저장된 제1 플라스마 처리에 대하여 제2 플라스마 처리의 진행은, 적어도50nm 대역폭 및 이보다 작은 대역폭 전체에 대해 매 1nm 마다의 평가를 바탕으로 할 수 있다. On the other hand, the computer-progression-readable storage medium on the first data entry first the second plasma treatment with respect to the plasma processing is stored in, can be based on the evaluation of every 1nm for the entire at least 50nm bandwidth and a smaller bandwidth, have.

보다 작은 파장 범위는, 다양한 방식으로 제1 플라스마 처리에 대한 제2 플라스마 처리를 평가하기 위해 선택될 수 있다. Smaller wavelength range, may be selected to evaluate the second plasma treatment of the first plasma process in a number of ways. 해당 평가에서 사용될 제1 파장 범위 부분을 선택하기 위해, 동일한 플라스마 처리를 실시하는 동안 이전에 에러가 발생된 특정 파장이 사용될 수 있다(예로, 에러 또는 이상이 나타난 각 파장의 ±25nm). To select a first wavelength range used in the evaluation part may be a previously specified wavelength error occurs to be used for performing the same plasma processing (for example, an error or more of the wavelength represented ± 25nm).

또한, 파장 범위는 어떤 것이 동일한 타입의 플라스마 처리에서 이전에 발생된 각 에러를 포함하는지가 선택될 수 있다. Further, the wavelength range may have what it includes each error occurred earlier in the plasma treatment of the same type may be selected. 영역의 "폭(width)"은 두 개의 극 파장(extreme wavelength)에 의해 정의될 수 있으나, 그것의 각 종단(예로, 각 종단에서 25nm 만큼 범위를 확장) 상에 일종의 "버퍼"를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. "W (width)" of the area may be defined by two pole wavelength (extreme wavelength), that on its respective end (e.g., expand the range by 25nm at each end) with a kind of "buffer" It may be preferred. 마지막으로, 해당 플라스마 처리의 종료점 또는 이산/식별가능 부분을 나타내는 특정 파장은 해당 평가에서 사용될 제1 파장 범위 부분을 선택하는데 사용될 수 있다(각 파장의 ±25nm). Finally, the particular wavelength at which the end point or discrete / identifiable part of the plasma treatment can be used to select a first wavelength range used in the evaluation section (± 25nm in each wavelength). 개별 종료점 지시 파장은 본 발명의 제9 형태에 관한 이하에서 보다 상세히 설명된다. Indicating individual end point wavelength is described in more detail below according to a ninth aspect of the present invention.

본 발명의 제8 형태는 처리 챔버 안에서 수행되는 플라스마 처리의 타입을 식별하는 것에 관한 것이다. A eighth aspect of the invention relates to identifying the type of plasma treatment performed in the processing chamber. 이 형태는 플라스마 처리가 소정 타입의 조절 웨이퍼 상에서 실시되는 소정 타입의 플라스마 레시피인지, 또는 챔버에서 수행되는 플라스마 세정인지를 식별하는데 사용될 수 있다. This form may be used to identify that the plasma treatment is that the plasma recipe for the predetermined type of control carried out on a wafer of a predetermined type, or a plasma cleaning is performed in the chamber. 제8 형태의 제1 실시예는 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 적어도 두 개의 플라스마 레시피를 바탕으로 처리 챔버에서의 제품(예, 생산 웨이퍼, 검증 웨이퍼) 상에 실시되는 플라스마 레시피의 특정 타입을 식별할 수 있다. The first embodiment of the eighth aspect for example, a computer-to identify the particular type of plasma recipe is carried out on the product of in-readable storage process chamber on the basis of at least two plasma recipes in media (e. G., The production wafer, the verification wafer) can. 이에 대하여, 컴퓨터-판독가능 저장 매체는 다수의 데이터 엔트리를 포함한다. On the other hand, a computer-readable storage medium includes a plurality of data entries. 이러한 제1 데이터 엔트리는 처리 챔버(바람직하게는 적어도 플라스마의 안정화 후에 제1 플라스마 레시피의 전체)에서 제품에 실시되는 제1 플라스마 레시피 동안의 다수의 시간에서의 관련된 데이터를 포함한다. The first data entry to the process chamber containing the data associated in a number of times during the first plasma recipe is carried out on the product from (preferably the whole of the first plasma recipe after stabilization of the at least plasma). 이러한 제2 데이터 엔트리는 동일한 처리 챔버(바람직하게는 적어도 플라스마가 안정화된 후에 제2 플라스마 레시피 전체)에서 제품에 실시된 제2 플라스마 레시피(제1 플라스마 레시피와는 다른) 동안의 다수의 시간에서의 관련된 데이터를 포함한다. This second data entry in a plurality of times during the same process chamber (preferably at least the plasma is stabilized after the second plasma recipe total) (different from the first plasma recipe) of the second plasma recipe carried out on the product in and a relevant data. 동일한 처리 챔버에서 제품에 실시되는 해당 플라스마 레시피에서 데이터가 획득된다. The data is obtained at the plasma recipe is carried out on the product in the same process chamber. 이 데이터는 현재의 플라스마 레시피가 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장된 제1 또는 제2 플라스마 레시피와 동일한 타입인지를 판단하는데 사용된다. This data is the current plasma recipe, the computer - is used to determine the first or the same type and that the two plasma recipes stored in a readable storage medium. 이 판단은 현재의 플라스마 레시피의 종료 전, 그리고 적어도 챔버 안에 다음의 제품이 로드되기 전에 완료되는 것이 바람직하다. This determination is preferably completed before the end of the former current plasma recipe, and then the product is loaded at least in the chamber. 제8 형태의 제1 실시예는, 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상의 이전 플라스마 처리로부터 관련된 데이터를 포함함으로써 수행되어지는 해당 플라스마 처리의 식별뿐만 아니라 제품의 타입(예로, 생산 웨이퍼인지 검증 웨이퍼인지)을 판단하는데 사용될 수 있다. The first embodiment of the eighth aspect for example, the computer-readable storage prior to identification of the corresponding plasma treatment to be carried out by including the data relating to from the plasma treatment as well as the type of the product in the medium (for example, that the production of wafers that the verification wafer) that has a It may be used to determine. 즉, 하나의 데이터 엔트리에서 생산 웨이퍼의 소정 타입에서 실시되는 플라스마 레시피 "A"와, 다른 데이터 엔트리에서 검증 웨이퍼의 소정 타입에서의 동일한 플라스마 레시피 "A"를 포함함으로써, 현재의플라스마 레시피가 생산 웨이퍼에 대해 검증 웨이퍼에서 실시되고 있는지를 판단할 수 있는 능력이 존재한다. That is, carried out in any type of production of the wafer in one data entry plasma recipe "A" and, by including the same plasma recipe "A" in a given type of the verification wafer in other data entry, the current plasma recipe production wafer is the ability to determine whether the verification is performed for the wafer are present.

다양한 특징들이 위에 표시된 제8 형태의 제1 실시예에 의해 사용될 수 있고, 이 특성들은 상기 표시된 제1 실시예에서 단독으로 뿐만 아니라 어떠한 조합으로도 사용될 수 있다. May be used by the operator to claim 1 of the eighth type shown above, a variety of features such as the properties may also be used in the first embodiment the example shown alone in any combination as well. 처음에, 현재 플라스마 처리에서 획득된 데이터는 처리 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션이다. Initially, the data obtained in the current process is a plasma optical emission of the plasma in the processing chamber. 이 광학적 이미션은 제1 파장 범위로 정의된 적어도 약 250nm 내지 1000nm의 파장을 포함하고, 광학적 이미션은 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다 획득된다. The optical design already includes a wavelength of at least about 250nm to about 1000nm defined in a first wavelength range, the optical design is already obtained every 1nm for the whole first wavelength range. 해당 플라스마 처리의 광학적 이미션은 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상에 저장된 제1 및 제2 플라스마 레시피의 하나 또는 둘 사이에 충분한 대응관계가 있는지를 확인하기 위하여 이를 비교한다. Optical emission of the plasma treatment is a computer-compares them to determine whether there is sufficient correspondence between one or both of the first and the second plasma recipe stored on a readable storage medium. 제7 형태에 관해 상술한 기법은 제8 형태의 제1 실시예에서도 역시 구현될 수 있다. A technique described above with respect to the seventh aspect may also be implemented in the first embodiment of the eighth aspect.

제8 형태의 제2 실시예는 챔버 안에서 실시될 플라스마 레시피를 입력하고, 제8 형태의 제1 실시예에 관해 상술한 원리를 이용하여, 해당 플라스마 레시피가 입력된 경우 에러가 생기지 않았음을 증명한다. A eighth aspect of the second embodiment using the principle type plasma recipe is performed in the chamber, and above about the first embodiment of the eighth aspect, in the case where the plasma recipe inputted proves that the error did not occur do. 즉, 해당 플라스마 처리의 식별은 제8 형태의 제1 실시예에 따라 판단된다. That is, the identification of the plasma treatment are determined in accordance with a first embodiment of the eighth aspect. 이에 따라, 제8 형태의 제1 실시예에 관해 상술한 다양한 특징들 각각은 제8 형태의 제2 실시예에서도 역시 포함될 수 있다. Accordingly, the various features of each of the above-described with respect to the first embodiment of the eighth aspect may be incorporated also in the second embodiment of the eighth aspect. 그리고 나서, 상술한 광학 분석을 통해 해당 플라스마 처리의 식별은 몇몇 방식으로 적합한 사람(예로, 디스플레이 상에)에게 전달된다. Then, the identification of the plasma treatment with the above-mentioned optical analysis is delivered to the right person (for example, on a display) in some manner. 만일 잘못된 플라스마 처리가 임의의 웨이퍼 또는 "많은" 웨이퍼에 입력된 경우, 해당 플라스마 처리를 식별하고 및 이 식별을 적합한 사람에게 전달하여 이 상황을 사람에게 알리게 된다. If incorrect plasma process is entered in any of a wafer or "many" wafer, to identify the plasma treatment and is delivered to the right person to be identified it is informed of the situation in humans.

해당 제8 형태의 제3 실시예는 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상에 저장되고, 동일한 처리 챔버에서 이전에 실시된 적어도 두 개의 플라스마 레시피를 바탕으로 하여 해당 플라스마 레시피를 식별하도록 지시된다. The first of the 8 form the third embodiment of the computer-stored on a readable storage medium, is indicated by, based on the combination of the at least two plasma recipes performed in the same process chamber so as to identify the plasma recipe. 해당 플라스마 레시피의 제1 실행이 초기화되고, 제1 또는 제2 플라스마 레시피에 연관된 타입이다. The first execution of the plasma recipe is initialized, the second type associated with the first or second plasma recipe. 이 플라스마의 적어도 하나의 특성은 각 해당 플라스마 레시피를 실행하는 동안 감시된다. At least one characteristic of the plasma is monitored during the execution of each of the plasma recipe. 제1 및 제2 플라스마 레시피 모두는 해당 플라스마 레시피의 제1 실행에 대한 비교를 위해 사용된다. Both the first and the second plasma recipe is used for comparison to the first run of the plasma recipe. 그러나, 플라스마 레시피의 제1 실행이 컴퓨터-판독가능 저장 매체로부터의 제1 또는 제2 플라스마 레시피인 것으로 식별된 후, 해당 플라스마 레시피의 다음 실행은, 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상에서 적어도 처음에 식별된 플라스마 레시피에 대해서만 평가된다. However, in this first run of the plasma recipe computer-then identified as the first or second plasma recipe from a readable storage medium, then executing the plasma recipe is a computer at least the identified for the first time on a readable storage medium It is evaluated only for the plasma recipe. 이 실시예는, 통상적으로 동일한 플라스마 레시피가 전체 카세트에서 실시되기 때문에, 상기한 것에 따라 카세트의 제1 웨이퍼 또는 웨이퍼의 보트가 평가되는 경우에 특히 적합하다. This embodiment, as typically the same as the plasma recipe is performed in the entire cassette, is particularly suitable for the case where the evaluation of the first wafer or the wafer boat of the cassette, as described above. 이에 따라, 제8 형태의 제3 실시예는 제1 웨이퍼에서 실행되는 플라스마 레시피의 식별이 결정되면, 카세트 안의 모든 연결된 웨이퍼는 적어도 처음에 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상의 하나의 플라스마 레시피에 대해서만 평가된다. Accordingly, the third embodiment of the eighth aspect is when determining the identification of the plasma recipe is executed in the first wafer, all attached wafer in the cassette is computer at least initially - is evaluated only for a plasma recipe on a readable storage medium . 이에 따라 높은 평가 속도가 실현될 수 있다. In a high speed evaluation it can be realized accordingly. 만일 해당 플라스마 레시피의 다음의 어떤 실행이 컴퓨터-판독가능 저장 매체에서 식별된 플라스마 레시피에서 벗어났다면, 제3 실시예의 하나의 변형은 컴퓨터-판독가능 저장 매체에서의 다른 플라스마 레시피를 현재의 플라스마 레시피의 평가를 위해 사용하도록 한다. If the corresponding any execution of the following plasma recipe is Computer screen was off in the plasma recipe identification in a readable storage medium, a third embodiment of a modified computer-another plasma recipe in readable storage media of the current plasma recipe It should be used for the evaluation. 다른 가능성은, 현재의 플라스마 레시피가 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장된 플라스마 레시피와 대응되지 않는 경우, 검증 웨이퍼에 대해 생산 웨이퍼에서 실시되는 동일한 플라스마 레시피의 어떠한 데이터 엔트리에 대해 확인하는 것이다(즉, 제1 웨이퍼는 생산 웨이퍼이고, 그의 플라스마 레시피가 식별된 것으로 간주). Another possibility is, in the current plasma recipe, the computer-to check for any data entry in the same plasma recipe is carried out in a production wafer for, verification wafer does not match the plasma recipe is stored in a readable storage media (i.e., the 1 wafer production wafer, and it considered that his plasma recipe identified). 이 경우, 로직은 전체 카세트에서 먼저 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장된 생산 웨이퍼에 대한 플라스마 레시피에 대해서 평가하고, 그리고 나서, 필요시 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장된 검증 웨이퍼에 대한 동일한 플라스마 레시피에 대하여 평가하게 된다. In this case, the logic throughout the cassette first computer-evaluated for plasma recipe for the production wafers stored in a readable storage medium, and then, if necessary a computer - for the same plasma recipe for verifying a wafer stored in a readable storage medium It is evaluated.

본 발명의 제9 형태는 플라스마 처리(예로, 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 동작) 또는 그의 일부분(예로, 플라스마 레시피의 플라스마 단계)이 제1 설정 결과(예로, 웨이퍼와 같은 다층 구조(multi-layer structure)로부터 소정 층의 에칭)가 달성되었을 때의 제1 종료점의 하나 또는 그 이상의 지시기(indicator)를 식별하기 위한 검색과 관련된 것이다. Ninth aspect of the present invention, plasma treatment (e.g., a plasma recipe, plasma cleaning, the operation control wafer) or a portion thereof (e.g., a plasma of the plasma recipe step) the first result set (e.g., a multi-layer structure, such as a wafer (multi- layer structure) is associated with from the search to identify one or more indicator (indicator) of the first endpoint is achieved at which the etching of a layer). 플라스마의 광학적 이미션은 제1 플라스마 처리 동안의 다수의 시간에서 획득된다. Optical emission of the plasma is obtained at a plurality of times during a first plasma process. 이러한 광학적 이미션은 제1 파장 범위로 정의된 적어도 약 250nm 내지 1000nm 의 파장을 포함한다. These optical emission comprises a wavelength of about 250nm to about 1000nm, at least defined by a first wavelength range. 광학적 이미션은 이 제1 파장 범위 전체에 대해 매 1nm 마다 획득되는 것이 바람직하다. The optical emission is preferably acquired every 1nm claim 1 for the entire wavelength range. 이러한 광학적 이미션은 평가 또는 분석되고, 적어도 하나의 종료점 지시기가 이 분석을 기초로 선택된다. The optical emission is evaluated or analyzed, at least one end point indicator is selected based on this analysis.

다양한 특징들이 본 발명의 제9 형태에 의해 이용될 수 있으며, 이 특징들은 제9 형태에서 단독으로 뿐만 아니라 어떠한 조합으로도 이용될 수 있다. May be used by the ninth aspect of the present invention it has a variety of features, and the features may also be used in any combinations, as well as alone in the ninth aspect. 예를 들어, 해당 분석은 제1 파장 범위에 있는 다수의 개별적인 파장들에 대한 세기 대 시간 플롯(plot)을 생성하는 것을 포함할 수 있다. For example, the analysis may include generating the intensity versus time plots (plot) for a plurality of discrete wavelengths in the range first wavelength. 플롯은 관련된 "수집(collecting)" 구조(예로, 스펙트로미터)의 데이터 수집 결과를 바탕으로 이용될 수 있는 각 파장에 대해 생성된다. The plot is generated for each wavelength, which can be used with related based on the data collected results in "Collection (collecting)" structure (for example, spectrometer). 이러한 플롯은 플라스마 처리의 실시의 결론 후, 제1 종료점이 언제 발생하는지(예로, 처리 상태 지식 및 에칭된 층의 두께를 바탕으로 계산됨)에 대한 정보의 관점에서 분석되는 것이 바람직하다. These plots are preferably analyzed in terms of information on the after conclusion of the plasma process is performed, that the first end point occurs when (for example, calculated based on the processing state of knowledge and the thickness of the layer being etched). 제1 종료점이 발생한 경우의 시간 근처에서의 세기의 뚜렷한 변화가 있는 플롯을 갖는 파장은 가능한 종료점 지시기 후보로서 식별될 수 있다. The wavelength having the plot which exhibits a distinct change in the intensity of the near time when the endpoint is one that occurred may be identified as a candidate end point indicator as possible.

해당 제9 형태의 다른 특징은 위에 표시된 플롯에 관한 것이다. Other features of the ninth aspect relates to the plot shown above. 처음에, 상술한 방법론의 사용은 해당 플라스마 처리에 포함되는 화학적 지식을 필요로 하지 않는다. Initially, the use of the above-described methods do not require knowledge of the chemical contained in the plasma treatment. 대신에, 데이터는 큰 파장 범위에서 적어도 하나의 제1 종료점 지시기(예로, 제1 종료점의 발생에 대응하여 변화를 겪는 적어도 하나의 특정 파장)를 포함하는 데이터 수집 결과에서 수행된다. Instead, the data is performed in the data acquisition result includes at least one of the first end point indicator (for example, at least one specific wavelength in response to the occurrence of the first endpoint undergo a change) in a large wavelength range. 제1 종료점의 종료점 지시기의 가능한 후보로 선택된 개별적인 파장의 플롯 패턴은 종료점 지시기로서 교대로 사용될 수 있다. Plot pattern of the respective wavelengths is selected as the candidate end point of the indicator of the first end point may be used in turn as the end point indicator. 또한, 해당 플롯은 제1 종료점이 발생한 시간까지의 수식 또는 함수(예로, 선형 함수, 제1 수서 다항식, 제2 순서 다항식)에 의해 정의될 수 있다. In addition, the plot may be defined by the formula or function to the first end point occurs time (for example, a linear function, the first handwriting polynomial, a second order polynomial). 현재의 플라스마 레시피가 더 이상 이 함수에 "적합(fit)"하지 않을 때, 종료점이 지정된다. When the current plasma recipe is no longer "fit (fit)" in the function, are designated the end point. 이 함수의 제1 및 제2 도함수(derivative)는 종료점을 보다 빠르게 결정할 수 있도록 제공되며, 역시 제9 형태에 의해 고찰된다. The first and second derivatives (derivative) of a function is provided to more quickly determine the end point, it is also investigated by the ninth aspect.

동일한 플라스마 처리의 여러 수행은 제1 종료점을 나타내는 것으로 선택된 종료점 지시기에 연관된 신뢰도(confidence level)를 증가시킬 필요가 있다. Multiple performed in the same plasma processing, it is necessary to increase the reliability (confidence level) associated with the selected end point indicator to indicate the first endpoint. 위에표시된 플롯이 사용된 경우, 둘 또는 그 이상의 실시 사이의 플롯의 비교는 동일하게 지속되지만 몇몇 형태의 변화를 겪는 패턴을 식별할 수 있다. If the plot shown above is used, two or more of comparison of the plots between the embodiment may be the same, but the duration identify patterns undergo some form of change. 이 변화는 일시적 시프트, 패턴에 관련된 세기에서의 시프트, 패턴의 일정한 확대, 패턴의 일정한 축소 또는 이들의 어떠한 조합일 수 있다. This change may be a transient shift, the shift of the intensity associated to the pattern, a certain expansion of the pattern, a certain reduction of the pattern, or any combination thereof. 이러한 형태의 변화를 겪는 패턴은 해당 파장이 사실상 제1 종료점을 지시하는 지시기이다. Pattern experienced by this type of change indicator is indicative of the corresponding wavelength in fact the first endpoint. 이러한 시프트를 포함하는 하나의 "제어된(controlled)" 방법은 다른 두께를 갖는 둘 또는 그 이상의 제품을 생산하는 것이다. A "controlled (controlled)" method including such a shift is to produce two or more products having different thickness. 이 경우에 특정 파장이 사실상 제1 종료점을 지사한다면, 일시적 시프트가 있을 것이다. If a certain wavelength in effect branch a first end point in this case, there will be a temporary shift. 즉, 해당 플롯이 두께의 변화에 따라 시프트되는 변화를 갖게 된다. That is, the corresponding plot will have a change in the shift according to the change in thickness.

제1 종료점의 적어도 하나의 지시기를 선택하는데 사용되는 분석은 또한 세기 피크의 존재를 식별하기 위한 광학적 이미션의 검사, 및 어떤 세기 피크가 제1 종료점이 발생했을 때의 시간 근처에서 최소한 실제적으로 사라졌는지에 대한 판단을 포함할 수 있다. Analysis to be used in selecting the at least one indicator of the first end point is also lost at least substantially near the time when the optical already inspection of illustration, and any intensity peaks for identifying the presence of intensity peaks have occurred point the first end It may include a judgment about whether. 이러한 타입의 세기 피크에 관련된 어떤 파장은 제1 종료점 지시기일 수 있다. Any wavelength associated with the intensity peak of this type may be an indication the first endpoint. 유사하게, 제1 종료점의 적어도 하나의 지시기를 선택하는데 사용되는 분석은 어떠한 세기 피크가 제1 종료점이 발생한 시간 근처에서 나타나는지를 판단하기 위한 광학적 이미션의 검사를 포함할 수 있다. Similarly, at least one analysis to be used in selecting an indicator of the first endpoint has any intensity peaks can contain already an optical inspection of the illustration to determine that they appear in the vicinity of one end point in time has occurred. 이러한 타입의 세기 피크에 관련된 파장은 또한 제1 종료점의 지시기일 수 있다. The wavelength associated with the intensity peak of this type can also be an indication of the first endpoint. 또한, 제1 종료점의 적어도 하나의 지시기를 선택하는데 사용되는 분석은 어떤 세기 피크가 제1 종료점이 발생한 시간 근처에서 안정된 상태에 도달했는지를 판단하기 위한 광학적 이미션의 검사를 포함할 수 있다. In addition, the analysis is used to select at least one indicator of the first end point may include optical inspection of already illustration for determining whether any peak intensity reaches the stable state in the vicinity of one end point in time has occurred. 이러한 타입의 세기 피크에 관련된 파장은 또한 제1 종료점 지시기일 수 있다. The wavelength associated with the intensity peak of this type also may be an indication the first endpoint. 마지막으로, 제1 종료점이 적어도 하나의 지시기를 선택하는데 사용되는 분석은 안정한 상태인 어떤 세기 피크가 제1 종료점이 발생한 시간 근처에서 변화를 겪는지를 판단하기 위한 과 방사의 검사를 포함할 수 있다. Finally, the first end point analysis is used to select at least one indicator is a stable state in which intensity peak may include a scan of the radiation to determine whether undergo changes near time caused point the first end. 이러한 종류의 세기 피크에 관련된 파장은 또한 제1 종료점 지시기일 수 있다. The wavelength associated with the intensity peak of this kind can also be an indication the first endpoint. 상술한 것의 어떠한 조합은 종료점 지시기를 선택하는데 사용될 수 있다. Any combination of the above may be used to select the end point indicator.

본 발명의 제10 형태는 플라스마 처리의 적어도 두 형태의 감시에 관한 것으로, 하나는 플라스마의 "상태(health)"이고, 다른 하나는 플라스마 처리에 관련된 적어도 하나의 종료점이다. A tenth aspect of the invention relates to the monitoring of at least two types of plasma processing, one is a "state (health)" of the plasma, and the other is at least one endpoint associated with the plasma treatment. 이러한 제10 형태는 처리 챔버에서 제품(예로, 생산 웨이퍼, 검증 웨이퍼)에 실시되는 플라스마 레시피, 플라스마 세정(예로, 습식 세정을 포함하거나 또는 그렇지 않은), 및 조절 웨이퍼 동작을 포함하는 어떠한 플라스마 처리에도 적용될 수 있다. The tenth aspect is also the product in the processing chamber plasma recipe, plasma cleaning (e.g., including a wet scrubbing or otherwise) to be carried on (e.g., the production wafer, the verification wafer) any plasma process, including, and control wafer action It can be applied.

다른 지시 방법에 의해, 실제적으로 플라스마 처리 전체는, 플라스마가 통상적으로 불안정한 플라스마 처리의 초기 부분을 제외한, 플라스마 처리의 "상태"에 대해 평가될 수 있다. By another instruction method, practically the entire plasma treatment can be a plasma is typically other than the initial portion of the unstable plasma processing, evaluation of the "state" of the plasma process. 반면, 종료점 식별에 대한 플라스마 처리의 평가는 해당 종료점이 도달한 시간에 근접할 때까지는 시작될 필요가 없다. On the other hand, the evaluation of plasma processing for end point identification need not be started until close to the time of its termination point is reached. 또한, 플라스마 상태가 평가되는 횟수(frequency)는 해당 종료점을 식별하는데 수행되는 평가에서의 횟수와 동일할 필요는 없다. In addition, the number of times the plasma condition evaluation (frequency) is not necessarily be equal to the number of times in the evaluation that is performed to identify the end point. 예를 들어, 플라스마 상태는 해당 종료점을 식별하는 것에 대한 평가의 횟수보다는 적게 평가될 수 있다. For example, the plasma state can be estimated less than the number of evaluation as to identify the end point.

위에 표시된 제10 형태의 제1 실시예에서, 플라스마 처리는 처리 챔버 안에서 수행되고, 적어도 하나의 종료점이 이 플라스마 처리에 연관된다. In a first embodiment of a tenth aspect the example shown above, the plasma treatment is carried out in the process chamber, at least one end point is associated to the plasma treatment. 이 플라스마처리는 제1 종료점의 발생을 식별하기 위해 감시된다. The plasma process is monitored to identify the occurrence of a first endpoint. 본 발명의 제11 내지 제13 형태에 관하여 이하에서 제시되는 것을 포함하는 어떠한 종료점 검출 기법이 제10 형태의 제1 실시예를 위해 사용될 수 있다. Any endpoint detection techniques, including those set forth below with respect to the eleventh to thirteenth aspects of the present invention may be used for the first embodiment of the tenth aspect. 또한 플라스마 처리 동안(플라스마가 통상적으로 불안정한 초기 부분은 제외될 수 있음), 보다 바람직하게는 플라스마 처리의 전체에 대한 플라스마의 "상태(condition)"가 평가될 수 있다. In addition, during the plasma treatment it may be evaluated (initial partial plasma is typically unstable that can be excluded), more preferably the plasma for plasma treatment of the entire "state (condition)". 제10 형태의 제1 실시예에 관련된 "상태"를 정의하는 하나의 방법은 처리 챔버 안의 플라스마에 영향을 줄 수 있는 모든 파라미터의 누적 결과와 동일하게 매치시키는 것이다. One way to define the "state" according to the first embodiment of the tenth aspect is to identically match the cumulative results of all the parameters that may affect the plasma in the processing chamber. 이것은, 제1 파장 범위로 정의된 적어도 약 250nm 내지 1000nm에서, 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 적어도 매 1nm 마다, 그리고 해당 플라스마 처리 중의 적어도 다수의 다른 시간에서의 파장을 포함하는 처리 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션을 평가함으로써 수행될 수 있다. This, in the first wavelength range of at least about 250nm to about 1000nm defined by, the plasma in the process chamber, including the first at least every 1nm over the entire wavelength range, and the wavelength in the plasma other time at least a number of of processing It can be accomplished by evaluating the optical design already. 현재의 플라스마 처리의 "상태" 감시를 나타내는 다른 방법은, 이것이 동일한 처리 챔버 안에서 이전에 수행된 적어도 하나의 플라스마 처리에 따라 진행되는지를 판단하는 것이다. Alternatively for "state" monitoring of the current in the plasma treatment is, this is to determine whether progress in accordance with the at least one plasma treatment performed previously in the same process chamber. 이에 따라, 본 발명의 제7 형태에 관해 위에서 논의된 특징들이 본 발명의 제10 형태에서도 또한 사용될 수 있다. Accordingly, the discussion above with respect to the seventh aspect of the invention features may also be used in the tenth aspect of the present invention.

제10 형태의 제2 실시예는 처리 챔버 안에서 플라스마를 생성하는 것과 챔버 안에서 제1 플라스마 단계를 실시하는 것을 포함한다. Second embodiment of the tenth aspect, it includes performing a first plasma stage in that the chamber for generating a plasma within the processing chamber. 제1 플라스마 단계와 관련된 것은 제1 플라스마 단계가 제1 설정 결과를 생성했을 때인 제1 종료점이다. Claim 1 is related to the plasma stage the first endpoint is when there is a first plasma stage generating a first result set. 챔버 안에서의 플라스마의 적어도 하나의 특성은 제1 시간 분해능(time resolution)을 사용하여 제1 플라스마 단계동안 평가된다. At least one characteristic of a plasma within the chamber is evaluated during a first plasma step using a first time resolution (time resolution). 통상적으로 동일한 증가량이 이 평가에서 사용될 수 있지만, 이것은 제10 형태의 제2 실시예에 의해 요구되지는 않는다.또한, 제1 종료점의 발생을 식별하기 위해서 제1 시간 분해능과는 다른 제2 시간 분해능을 이용한 평가가 수행된다. Although typically the same increment can be used in the evaluation, and this is not required by the second embodiment of the tenth aspect. Further, the first time resolution is different from the second time resolution in order to identify the occurrence of a first endpoint the evaluation is performed using. 위에 표시된 "적어도 하나의 특성"은 해당 플라스마 동안의 플라스마 상태이지만, 이 경우에는 필요하지 않다. "At least one characteristic" shown above, but the state of the plasma during the plasma, it is not necessary in this case.

본 발명의 제11 형태는 플라스마 처리에 관련된 제1 종료점의 발생을 식별하기 위해 플라스마 처리를 감시하는 것에 관한 것이다. The eleventh aspect of the invention relates to monitoring a plasma process in order to identify the occurrence of a first endpoint associated with the plasma treatment. 보다 상세하게는, 이 제11 형태에서 제1 종료점을 식별하기 위해 현재의 플라스마 처리를 평가하기 위해 적어도 두 개의 다른 기법이 사용될 수 있다. More specifically, to identify a first endpoint in the eleventh aspect has at least two different techniques can be used to assess the current plasma process. 이것 중 하나의 기법에서는 단지 제1 종료점의 발생을 식별하였을 때를 종료점으로 지정하거나, 또는 이러한 각 기법이 제1 종료점의 발생을 식별한 후를 종료점으로 지정할 수 있다. In one technique of this it can only be specified after designated as the end point when generating the identification of the first end point, or each of these techniques to identify the occurrence of the first end point to end point. 이러한 본 발명의 제11 형태는 적어도 하나의 관련된 종료점을 가진 어떠한 플라스마 처리(예로, 처리 챔버 안에서 제품에 실시되는 플라스마 레시피, 플라스마 세정 및 조절 웨이퍼 동작)에도 적용될 수 있다. The eleventh aspect of the present invention may be applied to at least any one of a plasma treatment with a relevant end point of (for example, a plasma recipe, plasma cleaning and adjusting operation which is performed on a product wafer in the process chamber).

해당 제11 형태에서 사용될 수 있는 기법 중 하나는 챔버 안의 플라스마의 현재의 광학적 이미션와, 동일한 처리에서의 이전 시간, 바람직하게는 광학적 이미션이 획득된 바로 직전의 시간에서의 챔버 내 플라스마의 광학적 이미션을 비교하는 것을 포함한다. One of the techniques that can be used in the eleventh aspect is the previous time, preferably, the optical emission is obtained directly optically within the plasma chamber is already at the previous time in the plasma of a current optical already syeonwa, the same processing in the chamber It comprises comparing the illustration. 일실시예에서, 이러한 광학적 이미션은 약 250nm 내지 1000nm에서 적어도 약 매 1nm 마다의 파장을 포함한다. In one embodiment, such an optical emission comprises a wavelength of from about 250nm to about 1000nm per sheet of at least about 1nm. 이러한 광학적 이미션이 실제적으로 "매치(match)"(예로, 현재 광학적 이미션의 패턴과 이전 시간의 광학적 이미션의 패턴의 차가 실질적으로 피크가 없는 경우, 특히 플라스마의 초기화 부분이 완료된 후, 종료점에 도달한 것으로 여겨진다. 다른 방법을 말하면, 광학적 이미션에서 실질적인 변화가 더 이상 없을 때, 종료점에 도달한 것으로 판단될 수 있다. In this optical emission is substantially "matched (match)" (for example, if the current optical already does not have a pattern substantially the peak difference between the previous time the optical already pattern of illustration of the design, in particular after the initialization portion of the plasma has been completed, an end point believed to have reached Stated another way, it can be determined that the optical time already no more substantial changes in the design, reaches the end point.

해당 제11 형태에서 사용될 수 있는 종료점을 식별하기 위한 다른 기법은 챔버 내 플라스마의 현재의 광학적 이미션과 표준(standard)을 비교하는 것을 포함한다. Other techniques for identifying the end point that may be used in the eleventh aspect may involve comparing the current optical emission and the standard (standard) of the plasma within the chamber. 이 "표준"은, 동일한 처리 챔버 안의 동일한 플라스마 처리의 이전의 실행으로부터 종료점에 도달한 것으로 판단될 때의 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션이다. The "standard" is an optical emission of the plasma in the chamber when it is determined to have reached the end point from the previous execution of the same plasma treatment in the same process chamber. 또한, 이 기준은 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장될 수 있다. In addition, this reference is a computer may be stored in a readable storage medium. 일실시예에서, 이러한 광학적 이미션은 적어도 약 250nm 내지 1000nm에서 적어도 약 매 1nm 마다의 파장을 포함한다. In one embodiment, such an optical emission comprises a wavelength of each of at least approximately every 1nm at least about 250nm to about 1000nm. 이러한 광학적 이미션이 실제적으로 "매치"(예로, 현재 광학적 이미션의 패턴과 이전 시간의 광학적 이미션의 패턴의 차는 실제적으로 피크가 없는 경우, 특히 플라스마의 초기화 부분이 완료된 후, 종료점에 도달한 것으로 여겨진다. The optical emission is practically "match" (e.g., the current optical difference between the emission of a pattern and the previous time the optical already pattern of illustration of the practice, when there is no peak, especially after the initialization portion of the plasma is completed, reaching the end point considered.

본 발명의 해당 제11 형태에서 사용될 수 있는 또 다른 기법은 처리 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션에서 반사되는 처리 챔버의 임피던스(impedance)에서 적어도 제1 변화가 있는지를 판단하는 것을 포함한다. Another technique that can be used in the eleventh aspect of the present invention includes determining whether at least a first change in impedance (impedance) of the processing chamber, which is reflected by the optical emission of the plasma in the processing chamber. 플라스마에서의 "형식(modal)"의 변화는 종료점을 차례로 나타내는 임피던스에서의 변화를 나타낼 수 있다. Changes in "type (modal)" in plasma may represent a change in the impedance that indicates the end point in turn. 이 "형식" 변화는 플라스마 처리 전체 또는 특정 파장의 세기에서의 보다 급작스럽고 현저한 증가 또는 감소일 수 있다. The "type" change may be more noticeable seureopgo sudden increase or decrease in the intensity of the whole or a specific wavelength of the plasma treatment.

제11 형태에 관하여 종료점 식별을 위해 사용될 수 있는 다른 기법은 해당 플라스마 처리의 플라스마를 형성하는 적어도 하나의 분리된 빛의 파장을 평가하는 것을 포함한다. The other techniques that can be used to identify an end point with respect to the form 11 involves evaluating at least one wavelength of the separated light to form a plasma in the plasma treatment. 이러한 하나의 빛의 파장은 세기대 시간의 플롯이 설정된 수식으로부터 설정된 양보다 많이 벗어난 시간(예로, 현재 데이터와 해당 수식 사이에 더 이상의 "대응성(fit)"이 없을 때)을 판단하여 평가될 수 있다. The wavelength of such a light intensity versus time plot is out more than the amount set from the set formula, the time (for example, more than one "responsiveness (fit)" when there is between the current data and the corresponding formula) which will be evaluated by determining the can. 이에 따라, 본 발명의 제9 형태에 관하여 위에서 논의된 특징들이 제11 형태의 이 부분에도 역시 해당될 수 있다. Accordingly, the discussion above with respect to the ninth aspect of the invention features may be also true for a portion of the eleventh aspect. 또한, 하나 또는 그 이상의 독립된 빛의 파장은 파장 시간 이상의 기울기에서의 변화가 설정된 양보다 많이 변할 때를 판단하여 평가될 수 있다. In addition, one or more wavelengths of light may be an independent evaluation to determine when the change amount is more than the change in slope over the wavelength set time. 2차 도함수(second order derivative)가 또한 사용될 수 있다. The second derivative (second order derivative) can also be used.

본 발명의 제12 형태는 플라스마 처리(예로, 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 동작) 또는 그것의 분리된/식별 가능한 부분(다수의 단계 레시피 또는 처리의 플라스마 단계)에 관련된 제1 종료점의 발생을 식별하는 기법에 관한 것이다. A twelfth aspect of the invention the generation of the first endpoint associated with the plasma treatment (for example, a plasma recipe, plasma cleaning, control wafer action) or (plasma stage of the multiple stage recipe or process) that of the separation / identifiable part It relates to the identification scheme. 처리로부터 챔버 안의 플라스마의 광학적 이미션이 획득된다. The optical emission of the plasma in the chamber from the process are obtained. 이러한 광학적 이미션은 제1 파장 범위로 정의된 적어도 양 250nm 내지 1000nm의 파장을 포함한다. These optical emission comprises a wavelength of 250nm to 1000nm at least an amount defined by the first wavelength range. 광학적 이미션을 수집하는데 사용되는 데이터 분석은 적어도 약 1nm 마다이다. Data analysis used to optically already collected the illustration is each at least about 1nm. 이것은 광학적 이미션이 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 적어도 약 1nm 마다 획득된다는 것을 의미한다. This means that each of at least about 1nm obtained for the entire wavelength range of the first optical emission.

제1 종료점의 식별은 챔버 안의 플라스마의 현재 광학적 이미션과 제1 출력의 비교를 포함한다. Identification of the first endpoint comprises a comparison of the current optical emission of the plasma in the chamber and the first output. 이 제1 출력은 동일한 플라스마 처리에서 이전 시간, 바람직하게는 현재 광학적 이미션에 대하여 광학적 이미션이 획득된 바로 직전 시간에서의 챔버 안의 광학적 이미션일 수 있다. The first output may be optically syeonil already in the chamber in the previous time, preferably optical current just prior to the time that has already been in optical emission with respect to the design obtained in the same plasma processing. 이 제1 출력은 또한 동일한 처리에서 이전에 수행된 동일한 타입의 플라스마 처리에서 종료점이 발생된 시간에서의 광학적 이미션일 수 있다. The first output may also be optically syeonil already at the time-out point is generated in the plasma treatment of the same type carried out previously in the same process. 이 경우, 제1 출력은 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장된다.특히 플라스마의 초기화 부분이 종료된 후, 위에 표시된 비교가 현재의 광학적 이미션과 제1 출력이 적어도 실질적으로 "매치"되는 것으로 나타나는 경우, 제1 종료점에 도달한 것으로 판단될 수 있다. In this case, the first output is a computer-appear to be stored in a readable storage medium, particularly after the initialization portion of the plasma is terminated, comparing the optical emission from the first output of the current shown above is at least substantially "matched". case, it may be determined to have reached the first end point.

위에 표시된 기법에 의한 제1 종료점의 지정에 대한 신뢰도는 제2 기법은 사용하여 양쪽 기법이 모두 제1 종료점을 "나타내었을(seen)"때까지 제1 종료점을 지정하지 않음으로써 향상될 수 있다. Confidence in the designation of the first endpoint according to the scheme shown above may be improved by the second method is not specified, the first end point to both sides technique first endpoint until "indicate eoteul (seen)" use. 본 발명의 제11 형태에 대하여 위에서 논의된 어떠한 기법은 이러한 목적으로 제12 형태에서도 사용될 수 있다. Any technique discussed above with respect to the eleventh aspect of the present invention can be used in the twelfth aspect for this purpose.

본 발명의 제13 형태는 단일 플라스마 처리에서의 다수의 종료점의 발생을 식별하는 것에 관한 것이다. A thirteenth aspect of the invention relates to identifying the occurrence of a plurality of end points in a single plasma processing. 많은 플라스마 레시피는 많은 다른 플라스마 단계를 포함할 수 있다. Many plasma recipe may include a number of other plasma step. 이들 플라스마 스텝 각각은 통상적으로 그에 관련된 식별 가능한 종료점을 갖는다. These plasma step, each typically has an identifiable end point associated with it. 이에 따라, 본 발명의 제11 형태는 적어도 둘 또는 그 이상의 종료점의 식별을 허가하고, 해당 플라스마 처리에 관련된 각 종료점을 포함한다. Accordingly, an eleventh aspect of the present invention permitted the identification of the end point, at least two or more, includes a respective end points related to the plasma treatment. 상술한 제11 형태에서 식별된 각 기법은 제13 형태에서 사용될 수 있다. Each technique identified in the above-described eleventh aspect can be used in the thirteenth aspect.

처리 챔버를 세정하는 경우는 본 발명의 제14 형태에 따른다. When cleaning a processing chamber in accordance with claim 14 of the present invention; 제품이 처리 챔버 안에 로드된다. Product is loaded into the process chamber. 처리 챔버가 닫혀지고, 그 후에 제1 플라스마 처리가 이 제품에 실시된다. The process chamber is closed, after the first plasma treatment is performed on this product. 이 플라스마 처리에 대한 데이터가 획득된다. The data for the plasma treatment is obtained. 이 데이터로부터 챔버의 상태에 대한 판단이 수행된다. The judgment of the state of the chamber is carried out from this data. 특히, 챔버의 내부가 챔버 안에서 이전에 실시된 플라스마 처리로부터 챔버를 세정할 만큼 충분히 "더러운(dirty)"지에 대한 판단을 수행한다. In particular, enough to perform a determination as to whether "dirty (dirty)" enough to the inside of the chamber clean the chamber from the plasma processing carried out previously in the chamber. 만약, 이러한 "더러운 챔버" 상태로 식별된 경우, 사람에게 통보되거나, 동작이 시작되거나, 또는 둘 다 수행될 수 있다. If, when identified as such "dirty chamber" condition, or notify the person and may be carried out or the operation is started, or both. 적합한 동작은 현재의 플라스마처리를 종료하거나, 경보를 발생하거나, 충분히 깨끗해질 때까지 다른 플라스마 처리의 수행을 보류하거나, 또는 이들의 어떠한 조합을 포함할 수 있다. Appropriate action may terminate the current process of plasma or an alarm, or pending the implementation of other plasma processing until clean enough, or any combination thereof.

다양한 특징들이 본 발명의 제14 형태에 의해 사용될 수 있으며, 이러한 특징들은 이 제14 형태에서 단독으로 뿐만 아니라 어떠한 조합으로도 사용될 수 있다. May be used by the fourteenth aspect of the present invention have different characteristics and these characteristics may be used for any combination alone as well as in the fourteenth aspect. 현재 플라스마 처리에서 획득된 데이터는 챔버 내 플라스마의 광학적 이미션일 수 있다. Present the data obtained from the plasma treatment may already optically syeonil of the plasma within the chamber. 획득된 파장은 제1 파장 범위로 정의된 적어도 약 250nm 내지 1000nm를 포함한다. The obtained wavelength includes at least about 250nm to 1000nm is defined as a first wavelength range. 데이터는 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 적어도 약 1nm마다 획득될 수 있다. Data may be obtained for each of at least about 1nm to the whole of the first wavelength range.

챔버 안의 플라스마에서 획득된 데이터를 이용하여 처리 챔버가 깨끗한지를 판단하기 위해 여러 기법들이 구현될 수 있다. To determine, using the data obtained from the plasma in the chamber if the chamber clean process may be various techniques to implement. 이 기법들의 상세한 설명은 광학적 이미션 데이터에 관한 것이다. Detailed description of this technique is related to the optical emission data. 현재의 광학적 이미션(처리에서 현재 시간으로부터의)는 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장된 기준과 비교될 수 있다. (From the current time in the process) are the optical emission of the computer it may be compared to a reference stored in a readable storage medium. 이 기준은, 챔버가 세정이 필요한 것으로 판단 또는 간주된 경우 챔버 안에서 이전에 실시된 플라스마 처리가 아닌, 동일한 챔버로부터의 플라스마의 광학적 이미션일 수 있다. This standard, the chamber is cleaned can, the plasma optical already syeonil of the same from the chamber than the chamber in the plasma processing carried out prior to when it is determined or deemed necessary. 현재의 광학적 이미션이 최소한 실제적으로 이 기준과 매치될 때, 그 챔버는 세정할 필요가 있는 것으로 여겨진다. When the optical emission current is matched with a reference to the minimum practical, and the chamber is believed that need to be cleaned. "매치"는 어떠한 인식 기법을 기초로 할 수 있다. "Match" can be based on any recognized technique. 현재의 광학적 이미션과 기준 사이의 차를 결정하는 것은 또한 이러한 목적으로 사용될 수 있다. Determining the difference between the current and optical emission standards it may also be used for this purpose.

플라스마에서 획득된 데이터를 이용하여 챔버를 세정할 때를 결정하는 다른 방법은 종료점 검출을 포함한다. Other methods of determining when to clean the chamber using the data obtained from plasma includes the end point detection. 본 발명의 제10 형태 내지 제13 형태에 관해 상술한 각각의 종료점 검출 기법은 종료점을 식별하기 위한 챔버 안의 플라스마와 관련된 데이터를 사용한다. A tenth aspect to each of the endpoint detection scheme described above with respect to the thirteenth aspect of the present invention uses the data related to the plasma in the chamber for identifying the end point. 여러 단계의 플라스마 처리의 어떠한 단계가 미리 설정된 최대 시간 한계치 보다 긴 경우, 그 챔버는 세정이 필요한 것으로 여겨진다. If any stage of the multi-step plasma treatment of pre-set longer than the maximum time limit, that the chamber is believed to require cleaning. 만약 전체의 플라스마 처리를 완료한 총 시간이 미리 설정된 최대 시간 한계치 보다 긴 경우, 그 챔버는 세정이 필요한 것으로 여겨진다. If the total amount of time completing the plasma processing of the pre-set longer than the maximum time limit, that the chamber is believed to require cleaning. 종료점 검출 기법은 이러한 경우 각각에 이용될 수 있다. Endpoint detection techniques may be used for each of these cases. 여러 단계의 플라스마 처리의 경우에, 처리에 쓰인 총 시간을 결정하기 위해, 여러 단계 처리의 각 단계에 대해 종료점을 식별하거나, 또는 간단히 해당 플라스마 처리의 마지막 단계의 종료점을 식별할 수 있다. In the case of plasma treatment of a number of steps, in order to determine the amount of time spent on processing, you can identify an end point for each stage of the multi-step process, or simply identifying the endpoint of the last step of the plasma treatment.

플라스마 세정 동작은 본 발명의 제15 형태에서 실시된다. Plasma cleaning operation is carried out in claim 15 of the present invention; 플라스마를 "빈(empty)" 챔버 안에 존재하도록 함으로써, 플라스마 세정은 처리 챔버의 내부로부터 물질을 제거한다. By ensuring the presence in the plasma "blank (empty)" chamber, plasma cleaning is to remove material from the interior of the processing chamber. 플라스마 세정 중에는 어떠한 제품(예로, 웨이퍼)도 챔버 안에 포함되지 않는다. Any product during the cleaning plasma (e.g., a wafer) is also not included in the chamber.

"빈" 챔버 내 플라스마의 광학적 이미션은 제15 형태의 제1 실시예에서의 처리 동안에 다수의 시간에서 획득된다. "Blank" optical emission of the plasma within the chamber is obtained at a plurality of times during the process in claim 15 in the form of the first embodiment. 광학적 이미션 패턴의 적어도 일 부분은 처리의 적어도 일부분 동안의 제1 기준 패턴(예로, 세기대 시간의 플롯)과 비교된다. At least a portion of the optical emission pattern is compared to a first reference pattern (for example, a plot of intensity versus time) for the at least a portion of the process. 이 제1 기준 패턴은 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장될 수 있다. The first reference pattern is a computer may be stored in a readable storage medium. 또한, 이 제1 표준 패턴은, 플라스마 세정이 종료점에 도달하였을 때, 동일한 처리 챔버 안에서 이전에 수행된 플라스마 처리에서의 플라스마 광학적 이미션로부터 일 수 있다. In addition, the first reference pattern may be, from the plasma optical emission in the plasma cleaning time to end point is reached, the plasma treatment performed before the process in the same chamber. 처리 중의 적어도 한 시점으로부터의 광학적 이미션 패턴 및 제1 기준 패턴이 서로의 설정된 양 내에 있다면, 그 플라스마 처리는 종료된다. If the optical emission pattern and the first reference pattern from at least one point in the processing amount in the set of one another, the plasma processing is terminated. "설정된 양"은 차를 구하고, 그 차가 실제의 어떠한 세기 피크가 없을 때를 통지할 뿐만 아니라 패턴 인식 기법을 이용하여 계획된다. "Set amount" is to obtain a difference, the difference is scheduled by using the pattern recognition technique as well as to report the absence of any intensity peaks in the actual.

다양한 특징들이 본 발명의 제15 형태의 제1 실시예에 의해 사용될 수 있으며, 이 특징들은 이 제15 형태에 대해 단독으로 또는 어떠한 조합으로도 사용될 수 있다. There are various features can be used by the first embodiment of the fifteenth aspect of the invention, the features may also be used alone or in any combination for this form of claim 15. 파장은 적어도 약 250nm 내지 1000nm에서(제1 파장 범위) 상기 제1 파장 범위 전체에 대해 적어도 약 매 1nm 마다 획득되어, 제1 기준 패턴과 비교하기 위해 사용된다. Wavelength is obtained at least about every 1nm for the whole of the first wavelength range at least from about 250nm to about 1000nm (first wavelength range), the second is used to compare the first reference pattern. 이러한 모든 광학적 이미션 또는 그의 단지 일부분이 이용될 수 있다. All these optical emission or its just a fraction can be used. 즉, 제15 형태의 제1 실시예는 플라스마의 광학적 이미션 안의 특정 파장이 패턴과 대응하는 파장을 포함하는 제1 기준 패턴을 비교하는 것을 포함한다. That is, the first embodiment of the fifteenth aspect, includes comparing a first reference pattern of a specific wavelength in the optical emission of the plasma includes a wavelength corresponding to the pattern. 또한, 제1 실시예는 현재의 플라스마 처리에서 획득된 광학적 이미션의 전체 패턴과 제1 기준 패턴을 비교하는 것을 포함할 수 있다. In addition, the first embodiment may include comparing an entire pattern and the first reference pattern of the optical emission obtained in the current plasma process.

제1 기준 패턴으로 특정 파장을 이용할 때 문제점이 발생할 수 있다. First, there is a problem can occur when using the specific wavelength as a first reference pattern. 이런 하나의 문제는, 예를 들어, 파장 변화에 의한 현재 플라스마 처리의 광학적 이미션에서 특정 파장을 찾는 것이다. Such a problem is, for example, to find a specific wavelength in the optical emission of the plasma current process by the wavelength change. 이러한 종류의 상황을 지정하기 위하여 부가적인 특징들이 제15 형태의 제1 실시예에서 사용될 수 있다. An additional feature to specify this type of situation may be used in the first embodiment of the fifteenth aspect. 이에 대해, 제1 기준 패턴은 다수의 파장을 포함하는 제2 기준 광학적 이미션 세그먼트의 일부일 수 있다. On the other hand, the first reference pattern may be a part of the second reference optical emission segment containing a plurality of wavelengths. 제1 기준 패턴의 해당 파장에 연관된 세기 피크는 그것의 세기(예로, 이것은 소정의 파장 주변에서 "가장 큰" 세기임), 하나 또는 그 이상의 다른 세기 피크(예로, 해당 파장은 소정의 파장 범위에서의 "중간(middle" 피크임) 또는 둘 모두에 대해 식별될 수 있다. 그리고 나서, 현재의 광학적 이미션 세그먼트에서의 해당 파장을식별하기 위해, 제1 기준 광학적 이미션 세그먼트에서의 제1 기준 패턴에 대한 파장의 이러한 특성의 통지가 사용될 수 있다. A first intensity peak associated with the wavelength of the reference pattern is that of the intensity (for example, this is near the predetermined wavelength "largest" intensity Im), one or more different intensity peaks (for example, the wavelength is given in the wavelength range in can be identified for both the "medium (middle" peak Lim), or both, and then, the first reference pattern in the first reference optical emission segment in order to identify the wavelength of the current optical emission segment of the notification of these characteristics of wavelengths may be used for.

또한, 해당 플라스마 처리가 현재의 패턴 전에 기 설정된 최대 시간 한계치에 도달하였고, 제1 기준 패턴이 서로의 설정된 양안에 있는 경우, 해당 제15 형태의 제1 실시예는 종료된다. In addition, the plasma treatment was to reach the maximum time limit before a predetermined current pattern, if the first reference pattern is set in the both eyes of each other, a first embodiment of the first form 15 is terminated. 통상적으로 이것은 현재의 플라스마 처리가 처리 챔버의 내부를 처리하는데 효과적이지 않다는 것을 의미할 것이다. Typically this will mean that they are not effective for the current plasma process to process the interior of the processing chamber. 이러한 형태의 경우, 챔버의 습식 세정이 시작될 수 있다. For this type, there is a wet cleaning of the chamber can be started. 그리고 나서, 습식 세정의 잔여물을 처리하기 위해 또 다른 플라스마 세정 동작이 시작될 수 있다. Then, there is another plasma cleaning operation may start to process the remainder of the wet cleaning.

챔버 내 플라스마의 광학적 이미션의 변화 시간율을 감시하는 것은 플라스마 세정에 관련된 제15 형태의 제2 실시예에 해당한다. Of the chamber for optically monitoring the plasma already time change rate of illustration corresponds to the second embodiment of the fifteenth aspect related to the plasma cleaning. 이에 대해, 처리에서 현재 시간에서의 광학적 이미션과 동일한 플라스마 처리에서 이전 시간으로부터의 광학적 이미션(바로 직전 시간이 바람직함) 사이의 차이값(differential)이 결정된다. On the other hand, the difference value (differential) between the optical emission (which is preferably just immediately prior time) from the previous time in the optical that the same plasma processing as that in the illustration of the current time in the process is determined. 이 차이값이 제1 양 이하라면, 현재의 플라스마 처리는 종료된다. If the difference value is less than the first amount, the present plasma process is ended. 이에 따라, 제2 실시예에서는 플라스마 세정을 종료할 시간은 요구된 속도로 현재의 플라스마 처리가 처리 챔버의 내부 상태를 더 이상 변화시키지 않는 상태로 본다. Accordingly, the second embodiment, the time to shut down the plasma cleaning is deemed not to the current plasma process is no longer change the internal state of the process chamber to the desired speed state. 제1 실시예에 대하여 상술한 이러한 "부가적인" 특징의 전부 또는 일부는 제2 실시예에서도 구현될 수 있다. Claim this "additional" All of the features described above or in part with respect to the first embodiment can be implemented in the second embodiment.

조절 웨이퍼 동작(conditioning wafer operation)은 본 발명의 제16 형태에서 나타난다. Control wafer action (conditioning operation wafer) is shown in the sixteenth aspect of the present invention. 적어도 하나의 조절 웨이퍼가 처리 챔버에 로드되고, 거기에 플라스마 처리가 실시된다. At least one control wafer is loaded into the process chamber, there is a plasma treatment is carried out on. 통상적으로 플라스마 처리는 반도체 장치와 관련되지 않은 집적회로 또는 패턴 이외의 어떤 것인 조절 웨이퍼에 패턴을 에칭한다. Typically the plasma treatment is to etch the pattern on the wafer which will be the control of the non-integrated semiconductor devices that are not related to the circuit or pattern. 조절 웨이퍼의 플라스마 처리는 챔버 내 플라스마의 광학적 이미션을 획득함으로써 감시된다. Plasma treatment of the adjustment wafer is monitored by obtaining the optical emission of the plasma in the chamber. 조절 웨이퍼에 수행된 플라스마 처리 중 하나의 감시 결과를 바탕으로 조절 웨이퍼 동작이 종료될 때까지 다수의 조절 웨이퍼가 이 방식으로 처리된다. A plurality of control wafers until a control on the basis of a monitoring result of the plasma processing operation is performed on the wafer controlled wafer end is treated in this manner. 그 후, 생산 웨이퍼 동작(production wafer operation)이 시작되어 적어도 하나의 생산 웨이퍼가 챔버에 로드되고, 거기에 플라스마 레시피(예로, 하나 또는 그 이상의 플라스마 단계)가 실시된다. After that, the wafer production operation (wafer production operation) is started and at least one production wafer loaded into the chamber, there is a plasma recipe (e.g., one or more plasma step) is carried out on. 이러한 생산 웨이퍼가 챔버로부터 제거되고, 적어도 하나의 반도체 장치가 그로부터 형성된다. The production wafer is removed from the chamber, the at least one semiconductor device is formed therefrom. 실제 반도체 장치가 사용되기 전에 생산 웨이퍼의 다른 처리가 요구될 수 있다. There is another process of manufacturing the wafer may be required before the actual semiconductor device used. 따라서, 반도체 장치가 생산 웨이퍼로부터 형성되지 않기 때문에, 이것은 조절 웨이퍼로부터 생산 웨이퍼를 구별한다. Thus, since the semiconductor device it is not formed from the production wafer, which distinguish the production wafer from the control wafer. 대신에, 통상적으로 조절 웨이퍼는 폐기되거나 또는 조절 웨이퍼로 다시 사용하기 위해 다시 만들어진다. Instead, typically control the wafer is made again for reuse as waste or control wafers.

다양한 특징들이 본 발명의 제16 형태에 의해 사용될 수 있으며, 이 특징들은 제16 실시예에서 단독으로 또는 어떠한 조합으로도 사용될 수 있다. It may be used by to the sixteenth aspect of the present invention, the various features, the features may also be used alone or in any combination in the sixteenth embodiment. 조절 웨이퍼 동작의 상태(health), 생산 웨이퍼 동작의 상태, 또는 양쪽 모두는 평가될 수 있다. State, or both of the state (health), the wafer production operation of the control wafer operation may be evaluated. 이에 따라, 본 발명의 제7 형태 및 제10 형태에 관하여 상술한 어떠한 기법은 제16 형태에서도 구현될 수 있다. Accordingly, any one technique described above with respect to the seventh aspect and the tenth aspect of the present invention can be implemented in a sixteenth aspect. 조절 웨이퍼 동작, 생산 웨이퍼 동작, 또는 양쪽 모두에서 획득된 광학적 이미션은 적어도 약 250nm 내지 1000nm의 파장을 포함하고, 이러한 광학적 이미션은 이 범위 전체에 대해 적어도 약 매 1nm 마다 획득될 수 있다. Control operation wafer, wafer production operation, or the optical emission obtained from both the illustration of at least about 250nm to include a wavelength of 1000nm, optical already this may be obtained at least about every 1nm over the entire range. 이 데이터 전체 또는 일부는 조절 웨이퍼 동작의 종료에 기초가 되는비교에서 사용될 수 있다. All or part of the data may be used in the comparison as a basis for the end of the control wafer action.

종료점 검출 기법은 조절 웨이퍼 동작을 종료하는데 사용될 수 있다. Endpoint detection techniques can be used to shut down the control wafer action. 이에 따라, 제9 형태 내지 제13 형태에 대해 상술한 어떠한 종료점 검출 기법은 제16 형태에서도 역시 구현될 수 있다. In this way, any end point detection scheme described above for the ninth aspect to the thirteenth aspect may also be implemented in a sixteenth aspect. 조절 웨이퍼 동작의 종료는 또한 조절 웨이퍼 상의 플라스마 처리의 연속되는 실시가 처리에서 획득된 데이터를 통해 결정된 것과 같은 서로의 소정의 양 내에 있을 때를 바탕으로 할 수 있다. End of the control wafer action may also be based on the time is within a predetermined amount of each other, such as the embodiment is a series of plasma processing on the wafer is determined by the control data obtained from the processing. 즉, 조절 웨이퍼 동작의 종료는 조절 웨이퍼 동작이 광학적 이미션 데이터의 평가에 따라 결정된 안정된 상태(예로, 하나의 조절 웨이퍼의 처리가 적어도 다음의 조절 웨이퍼의 처리와 실제로 동일하게 보임)에 도달한 것으로 여겨진다. That is, the control end of the wafer operation is to have reached the control wafer action is optically already in a stable state is determined depending on the evaluation of the design data (for example, visible to the processing of a control wafer is actually the same as the processing of at least the following control wafer) considered. 또한 조절 웨이퍼의 종료는 조절 웨이퍼 동작에서 획득된 데이터 상에 단독으로 기초가 될 수 있다. In addition, the end of the control wafer can be based solely on the data obtained from the control wafer action. 즉, 생산 웨이퍼 동작이 시작되기 전에 웨이퍼를 분석할 필요가 없다. That is, it is not necessary to analyze the wafer before the wafer production operations begin. 또한 조절 웨이퍼 동작의 시작 전에 하나 또는 그 이상의 플라스마 세정 동작, 습식 세정 동작, 또는 소모품의 대체가 시작될 수 있다. There are also one or more of the plasma cleaning operation, the replacement of wet cleaning operations, or supplies can be started before the beginning of the control wafer action.

적어도 두 개의 처리 챔버를 포함한 웨이퍼 생산 시스템에 대한 웨이퍼 분배의 관리는 본 발명의 제17 형태에서 나타난다. Administration of a wafer dispensing system for the manufacture of wafers containing at least two treatment chambers is shown in the 17th aspect of the present invention. 제1 실시예에서, 적어도 두 개의 챔버가 웨이퍼가 구성되는 플라스마 처리에 포함된다. In the first embodiment, the at least two chambers are included in the plasma treatment the wafer is configured. 이들 챔버 안에서 수행되는 각 플라스마 처리는 적어도 몇몇 사항에서 감시된다. Each plasma treatment is performed in these chambers is monitored in at least some locations. 이 챔버 중 하나의 웨이퍼 상의 현재 플라스마 처리의 감시가 하나 또는 그 이상의 상태의 존재를 검출하지 않는다면, 웨이퍼는 이 챔버 안에서 지속적으로 처리될 것이다. If this is one of the current monitoring of the plasma process on the wafer in the chamber to detect the presence of one or more states, the wafer will be continuously processed in the chamber. 이 상태는, 상술한 제6 형태 및 제14 형태에 대해 사용되었던 용어와 같이, "더러운 챔버"의 존재, 알려진에러 상태, 알려지지 않은 상태, 또는 이들의 조합을 포함한다. This state includes the above-described sixth, as the term was used for the form and the form 14, "dirty chamber" present, known error conditions, an unknown state, or a combination thereof. 특정 챔버에 대한 웨이퍼의 분배는 이러한 상태의 타입을 식별한 후에 즉시 정지되거나, 또는 소정 개수의 이러한 타입의 상태가 다수의 플라스마 처리에서 발생될 때까지 정지가 지연될 수 있다. Distribution of a wafer for a particular chamber or stopped soon after identifying the type of such a state, or a state of this type of the predetermined number may be suspended until a delay occurs in the plurality of plasma processing. 즉, 주어진 챔버는 이러한 동일한 상태(또는 다른 상태)가 다수의 실시에서 식별될 때까지 "라인 밖에서(off line)" 수행되지 않을 것이다. That is, a given chamber will not be performed "(off line) outside the line" until this same status (or other state) is identified in a number of embodiments.

임의의 챔버 에서의 웨이퍼 처리의 정지가 "더러운 챔버" 상태의 식별에 기초한 경우, 챔버는 어떠한 방식으로 세정될 수 있다. If the stop of the wafer process in any of the chambers is based on the "dirty chamber" condition identified, the chamber may be cleaned in any way. 플라스마 세정, 습식 세정, 소모품의 교체, 또는 이들의 조합은 제17 형태의 제1 실시예와 관련해서 적절한 "세정"으로서 결정된다. Plasma cleaning, wet cleaning, replacement of the consumables, or a combination of both is determined as an appropriate "washing" with respect to the first embodiment of the seventeenth aspect. 챔버가 세정된 경우, 거기에서의 플라스마 처리를 실시하기 위한 웨이퍼의 분배가 재시작된다. If the chamber is cleaned, the distribution of the wafer is restarted to carry out plasma treatment of there. 챔버 중의 하나에서 웨이퍼의 플라스마 처리 중의 알려진 에러의 발생은 이 에러를 나타내는 하나 또는 그 이상의 처리 제어 파라미터의 수정을 초래한다. Generation of the known error of the plasma treatment of the wafer in one of the chambers results in the modification of one or more process control parameters indicating the error. 마지막으로, 알려지지 않은 상태가 발생한 경우, 제1 실시예는, 이것의 종료 후, 해당 원인을 확인하기 위해 플라스마 처리의 분석을 고려한다. Finally, if the unknown condition has occurred, the first embodiment, after its termination, allows for analysis of the plasma treatment in order to determine its cause. 제17 형태의 제2 실시예는 적어도 세 개의 챔버 안에서의 제품에 대한 플라스마 처리의 실시에 관한 것이다. Of claim 17 form a second embodiment relates to an embodiment of the plasma treatment for the product in the at least three chambers. 웨이퍼는 제1 순서(sequence)를 이용하여 이들 챔버에 대해 분배된다. Wafer is distributed to the chamber thereof using a first order (sequence). 만약 챔버 중 하나의 플라스마 처리의 감시가 소정의 상태의 존재를 식별한 경우, 이 순서의 수정이 시작된다. If the monitoring of a plasma processing chamber of identifying the presence of a given state, is modified in this sequence it is started. 제1 실시예에 대해 위에서 식별된 것 중 어떤 것이라도 제2 실시예에서도 역시 적용될 수 있다. Any of the one identified above for the first embodiment also can be applied also in the second embodiment. 이에 대해, 제1 실시예로부터 대해 대응되는 특징들은 제2 실시예에서도 역시 구현될 수 있다. On the other hand, the features corresponding to from the first embodiment may be also implemented in the second embodiment.

마지막으로, 제17 형태의 제3 실시예는 플라스마 처리의 실시를 위한 적어도두 개의 처리 챔버에 대한 웨이퍼의 분배를 포함한다. Finally, a third embodiment of the seventeenth aspect examples include distribution of the wafer on at least two treatment chambers for the embodiment of the plasma treatment. 각 플라스마 처리를 완료하는데 필요한 시간이 감시된다. The time required to complete each of the plasma process is monitored. 사용되는 분배 순서는 이 감시 시간을 바탕으로 한다. Distribution in order to be used is based on the observation period. 예를 들어, 분배 순서는 "가장 빠른(fastest)" 처리 챔버의 사용을 최대로 하는 것을 포함할 수 있다. For example, the sequence distribution may involve the use of the "earliest (fastest)" processing chamber at the maximum.

본 발명의 제18 형태는 플라스마 처리 동작을 감시하는데 사용하는 가상의 광 필터(virtual optical filter)의 종류에 관한 것이다. Claim 18 of the present invention is directed to a type of virtual optical filter that is used to monitor the plasma processing operation (virtual optical filter). 제1 파장 범위(예로, 제1 파장부터 제2 파장까지 연장한 파장 범위, 대역폭으로 정의한 사이의 거리) 전체에 대한 광학적 이미션 데이터는 제1 처리 챔버 안의 제1 플라스마 처리에서 획득될 수 있다. The first wavelength range, the optical emission data for the entire (e. G., The first wavelength range extends from a wavelength to a second wavelength, the distance between the defined bandwidth) may be obtained in the first plasma treatment in the first treatment chamber. 제2 파장 범위는 제1 플라스마 처리의 적어도 하나의 관점을 감시 하기 위해 선택된다. The second wavelength range is chosen in order to monitor at least one aspect of the first plasma treatment. 제2 파장 범위는 제1 파장 범위의 부분집합이다(즉, 보다 작은 대역폭을 가짐). The second wavelength range is a subset of the first wavelength range (i.e., to have a smaller bandwidth). 즉, 제2 파장 범위는 제1 파장 범위 안에 완전히 포함되고, 보다 작다. That is, the second wavelength range is completely contained within a first wavelength range, smaller than the. 따라서, 임의의 플라스마 처리에서 획득되는 광학적 이미션의 단지 일부분이 해당 제18 형태에 따른 적어도 몇몇의 방식으로 이 처리를 평가하는데 사용된다. Thus, the optical already only part of the design is obtained in any of the plasma processing is used to evaluate the processes to at least some of the approach according to the 18th form.

플라스마 처리의 일부분의 감시는 하나의 파장 범위 안 또는 특정 파장 범위에서의 광학적 이미션 데이터를 필요로 하고, 반면 동일한 플라스마 처리의 다른 부분의 감시는 다른 파장 범위 안 또는 다른 파장에서의 광학적 이미션 데이터를 필요로 한다. Monitoring of a portion of the plasma processing optical emission data at the required optical emission data at one of the inner range of wavelengths or a specific wavelength range, while monitoring of the different parts of the same plasma process is not different wavelength ranges or different wavelengths the need. 유사하게, 플라스마 처리의 한 형태의 감시는 소정의 파장 범위 안 또는 소정의 파장에서의 광학적 이미션 데이터를 필요로 하고, 반면 플라스마 처리의 다른 형태의 감시는 다른 파장 범위 안 또는 다른 파장에서의 광학적 이미션 데이터를 필요로 한다. Similarly, a form of monitoring of the plasma process requires the optical emission data from the inside or the predetermined wavelength the predetermined wavelength range, while other types of monitoring of plasma treatment is the optical at the other wavelength range within or different wavelengths the already requires design data. 해당 제18 형태의 주요한 장점은, 임의의 플라스마 처리 또는그의 일부분을 감시하기 위해 요구되는 광학적 이미션이 수집되는 광학적 이미션 데이터의 제1 파장 범위 안에 있는 한, 이러한 시나리오를 조절하기 위해 어떠한 물리적 조절도 필요하지 않다는 것이다. The main advantage of the 18th form, which in a first wavelength range of the optical emission data that optical emission are required to monitor for any plasma process or a portion thereof collection, no physical adjustment to adjust this scenario also that it is not necessary. 간단히 말해서, 제18 형태는, 플라스마 처리의 한 형태를 감시하기 위해 하나의 밴드패스 필터가 필요하고, 다른 형태의 플라스마 처리를 감시하기 위해 또 다른 밴드패스 필터를 필요로 하는 상황을 회피한다. In short, the 18th form, and requires a single bandpass filter, and avoidance of the situation that to another band-pass filter is required to in order to monitor the plasma treatment of other types to monitor a type of plasma processing. 해당 제18 형태에 있어서, 소정의 플라스마 처리를 감시하는데 사용될 광학적 이미션 데이터를 변화시키거나, 또는 완전히 다른 플라스마 처리를 감시하는데 사용되는 광학적 이미션 데이터를 변화시키기 위해서, 광학적 이미션 데이터에 대한 하나의 정보가 감시를 변화시키기 위한 의도로 요구된다. In the 18th embodiment, as to the optical already changing the design data to be used for monitoring a predetermined plasma process, or in order to change the optical emission data for use in monitoring a completely different plasma process, optically already one of the design data, the information is required with the intention to change the guard. 예를 들어, 제1 파장 범위 위의 광학적 이미션 데이터는 데이터베이스, 또는 플라스마 감시(예로, 플라스마 상태 모듈, 종료점 검출 모듈)가 어떤 제1 파장 범위의 특정 부분집합(예로, 특정 파장 또는 파장 범위)이 플라스마 감시에 의해 사용되기 위해 요구되는지를 선택적으로 검색할 수 있도록 목록되어 컴퓨터-판독가능 기록 매체에 저장될 수 있다. For example, the optical emission data, database, or a plasma monitor above the first wavelength range (for example, a plasma state module, an endpoint detection module) which the set of certain portions of the first wavelength range (for example, a particular wavelength or range of wavelengths) the list to selectively retrieve that required for use by the plasma monitor computer may be stored in a readable medium. 즉, 이 파장에서 광학적 이미션 데이터를 검색하는데 필요한 전부가 필요한 플라스마 감시 모듈에 대응하는 식별자를 입력하는 것과 같이, 각 파장은 몇몇 타입의 식별자로 할당된다. That is, at this wavelength, such as entering an identifier corresponding to a plasma monitoring module need not all necessary for the optical design data already retrieved, and each wavelength is allocated to some type of identifier. 소정의 파장 범위 상의 광학적 이미션 데이터를 검색하기 위해서, 파장 범위의 양 끝단의 각각에 대응하는 식별자만이 필요한 플라스마 감시 모듈에 입력될 필요가 있다. To search for optical emission data in the predetermined wavelength range, it is necessary to be input to the plasma monitoring module that requires only an identifier corresponding to each of both ends of the wavelength range. 비교적 큰 파장 범위 이상의 광학적 이미션 데이터를 획득함으로써, 이 비교적 큰 파장 범위 안의 데이터의 무한개의 부분집합이 본 발명의 해당 제18 형태에 따른 플라스마 처리 또는 그의 일부에 적용될 수 있다. By obtaining a relatively large wavelength optical emission data over the range, there is a relatively large wavelength infinite number of a subset of the data in the area can be applied to plasma treatment, or a portion thereof according to the eighteenth aspect of the present invention.

해당 제18 형태를 통해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 한 관점은 처리 챔버 안에서 실시되는 플라스마 처리에 관련된 적어도 하나의 종료점의 발생을 식별하는 것이다. One aspect of the plasma treatment, which can be monitored through the 18th form is to identify the occurrence of at least one endpoint associated with the plasma treatment is carried out in the processing chamber. "종료점"은 플라스마 처리가 소정의 설정된 결과(예로, 소정층의 제거)를 실현 또는 동작시킬 때로써 정의된다. "Exit point" is the result of plasma treatment defined set predetermined times to write (e.g., removal of a layer) to achieve or operation. 종료점의 발생은, 제1 파장 범위 안에 각각 포함되는 하나 또는 그 이상의 개별적인 파장의 감시 또는 제1 파장 범위 안에 각각 포함되지만 동일한 대역폭을 갖지 않는 하나 또는 그 이상의 파장 범위의 감시, 또는 이들의 어떠한 조합에 의해 감시된다. Generation of the end point, the monitoring, or any combination thereof in each include one or more monitors of the respective wavelength or each containing in the first wavelength range, but one that does not have the same bandwidth or more of the wavelength range in the first wavelength range It is monitored by.

제18 형태를 통해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 다른 관점은 처리 챔버 안에서 현재 실시되는 플라스마 처리가 동일한 처리 챔버 안에서 이전에 수행된 적어도 하나의 플라스마 처리에 의해 진행되었는지를 판단하는 것이다. The other aspects of the plasma treatment, which can be monitored through the form 18 is to determine that the plasma treatment is now carried forward by the at least one plasma treatment of the previously performed within the same process chamber within the processing chamber. 이것이 제1 파장 범위 전체에 걸친 광학적 이미션 데이터를 비교함에 따라 수행될 수 있지만, 이것은 제18 형태를 통해, 감시 목적을 위해 보다 작은 파장 범위를 사용하여 수행된다. Although this can be performed as compared to the optical emission data over the whole first wavelength range, which is performed using the smaller wavelength range for surveillance purposes through the 18th form. 이에 대해, 제2 파장 범위는, 제1 파장 범위보다 크지 않은, 적어도50nm의 대역폭을 가질 수 있다. On the other hand, the second wavelength range, the wavelength range of not greater than 1, may have a bandwidth of at least 50nm. 통상적으로, 임의의 플라스마 처리 중의 플라스마의 다양한 광학적 이미션의 세기는 통상적으로 플라스마 처리 전체에 걸쳐 적어도 하나 이상의 많은 변화를 겪는다. Typically, a variety of optical intensity of the already illustration of plasma of any plasma treatment is typically subjected to a number of the at least one change over the plasma processing. 해당 제18 형태에 따른 플라스마 처리를 감시하는 한 방법은 제2 파장 범위대 시간에서의 광학적 이미션 영역의 플롯을 생성하는 것이다. A method for monitoring a plasma process in accordance with the 18th form is to generate a plot of optical already design area in the second wavelength range versus time. 이 관점에서의 "영역(area)"은 제2 파장 범위에서의 광학적 이미션의 세기를 반영하는 또는 관련된 것이다. "Region (area)" in this aspect is related to or reflecting the intensity of the optical emission at a second wavelength range. 이 플롯은 운영하는 사람이 확인하기 위해 컴퓨터 모니터 등에 디스플레이 된다. The plot is a display such as a computer monitor to the people who run OK. 이 플롯으로부터, 제2 파장 범위에서 시간에 걸친 광학적 이미션 영역의 변화에 대한 다른 플롯이 생성될 수 있다. From this plot, there is the other plot for the optical design of already changing region over the second time in the wavelength range can be produced. 이 플롯 역시 운영자가 확인할 수 있도록 컴퓨터 모니터 등에 디스플레이 된다. The plot is also a display like a computer monitor, so the operator can see. 제2 파장 범위에 대한 영역 대 시간의 플롯의 변화는 제2 파장 범위의 영역을 실제로 플롯팅(plotting)하는 대신에, 단지 이 영역 대 시간의 플롯을 정의한 데이터를 사용하여 생성될 수 있다. The change of a plot of area versus time for the second wavelength range may be, instead of actually plotted (plotting) the area of ​​the second wavelength range, only generated using the data defined by a plot of the area vs. time. 어떠한 경우라도, 종료점은 제2 파장 범위에서의 영역 대 시간의 변화 플롯에서 발생하였거나 또는 도시된 임의의 사건(event) 등과 동일시된다. In any case, the end point is identified as the second random event occurring in the hayeotgeona change versus time or a plot of the area shown in the wavelength range (event). 예를 들어, "사건"은 소정의 음의 기울기의 임계치가 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화 범위를 초과하였을 때, 음의 기울기의 비율의 정도에서 소정의 변화가 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화 안에 있을 때, 양의 기울기의 임계치가 시간에 대한 영역 플롯에서의 범위 안을 초과할 때, 또는 양의 기울기 정도에 있는 임의의 변화가 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화 안에 있을 때일 수 있다. For example, the "event" is a change in the domain plots for a given change in time in the degree at which the threshold value of the gradient of the predetermined sound hayeoteul exceed the range of change in the area plotted against time, the rate of a negative slope when the inside, may, when the threshold value of the amount of tilt exceeds the range of the inside in the region plotted with respect to time, or any amount of changes in the degree of inclination of the ttaeil be in the change in the region plotted with respect to time. 플라스마 처리 또는 그의 일부에서의 소정 주기의 시간이 만료(expiration)되기 전에 종료점의 지정을 허가하지 않는 것(예로, 플라스마 처리를 시작하는 처리 챔버 안에 플라스마가 채워지는 소정의 시간 안에서 종료점의 지정을 허가하지 않음; 플라스마에 대한 피드 가스(feed gas)에서의 변화를 만드는 것과 같이, 하나의 플라스마 레시피를 다른 플라스마 레시피로 변화시키기 위해 플라스마 처리 시스템에 대해 적어도 하나의 변화의 소정 시간 안에서 종료점 지정을 허가하지 않음), 시간에 대한 영역 플롯에서 변화에 관련된 평균 제곱 에러의 소정의 임계치와 만나거나 또는 초과되는 것을 요구하는 것, 및 플라스마 처리 또는 그의 일부에서 소정의 시간이 만료된 후에 종료점 지정을 허가하지 않는 것과 같은 다양한 다른 종류의 전제조건(prerequisite)이 Plasma treatment, or the time of the predetermined period at a portion thereof expires (expiration) will not permit the assignment of the end point before (for example, permit the assignment of the end point in the processing chamber to start the plasma process within the predetermined time is a plasma is filled not; as making the change in the feed gases (feed gas) to the plasma, not allow an endpoint specifies a plasma recipe in at least a predetermined time of one variation for the plasma processing system to change to a different plasma recipe N), does not allow the end point specified after a predetermined time has expired from those required to be met with a predetermined threshold value of the mean square error related to the change in the areas plotted with respect to time, or more than, and plasma treatment, or a portion thereof various other types of preconditions (prerequisite) as the 채택될 수 있다. It can be adopted.

해당 제18 형태에 따라 플라스마 처리를 감시하기 위해 다수의 파장 또는 파장 범위가 사용될 수 있고, 또한, 이러한 각각의 파장 또는 파장 범위가 현재 플라스마 처리에서 광학적 이미션 데이터가 수집되는 제1 파장 범위 안에 있는 한, 플라스마 감시 시스템에 대한 어떠한 물리적 변화를 필요로 하지 않는다. According to the 18th form, and a plurality of wavelength or wavelength range may be used to monitor the plasma treatment, and, in the first wavelength range from each of these wavelength or wavelength range the optical emission data are collected by the present plasma processing One does not require any physical changes to the plasma monitoring system. 이것은 플라스마 처리의 각 단계에 대해 수행될 수 있다. This may be performed for each step of the plasma treatment. 다른 가능성은, 현재 플라스마 처리에 대한 적어도 하나의 종료점을 감시하고, 동일한 시간에 적어도50nm의 대역폭을 갖는 파장 범위로부터의 광학적 이미션 데이터와 동일한 처리 챔버 안에서 이전에 수행된 플라스마 처리로부터의 동일한 파장의 광학적 이미션 데이터를 비교함으로써, 플라스마 처리의 상태를 감시하는 것이다. Another possibility is, of the same wavelength from the plasma treatment is performed on this prior monitoring the at least one endpoint of the plasma treatment, and in the optical that the same processing chamber and the design data from the wavelength range having at least 50nm bandwidth at the same time by comparing the optical already design data, to monitor the status of the plasma processing.

본 발명의 제19 형태는 플라스마 처리의 소정의 종료점의 발생에 대한 플라스마 처리를 감시하는데 적합한 파장 범위를 식별하는 것에 관한 것이다. A nineteenth aspect of the invention relates to identifying a suitable wavelength range to monitor the plasma processing for the occurrence of a predetermined end point of the plasma process. 종료점 감시를 위한 이러한 파장 범위는, 250-265nm로부터 확장한 파장 범위와 같이(250nm의 파장이 해당 파장 범위의 하나의 끝점이 되고, 265nm의 파장이 해당 파장 범위의 다른 하나의 끝점임), 배치된 두 개의 다른 파장에 의해 정의된 두 끝단을 갖는, 소정의 대역폭을 가진다. The wavelength range for the endpoint monitor is, as in the wavelength range extending from 250-265nm (of 250nm wavelength, and one end point of the corresponding wavelength range, a wavelength of 265nm and one of the end jeomim of the wavelength range), the arrangement the two having two ends defined by the different wavelengths, and has a predetermined bandwidth. 플라스마 처리의 각 종료점은 제19 형태에 따라 식별된 대응하는 종료점 지시 파장 범위를 가질 수 있다. Each end point of the plasma treatment may have an end point indicated wavelength range that corresponds to the identified according to a nineteenth aspect. "종료점"은 또, 소정층이 웨이퍼 상에서 에칭되었을 때와 같이, 플라스마 처리에 의해 소정의 설정된 결과가 달성되었을 때이다. "Exit point" is the time again, this is a layer, such as when the etching on the wafer, a predetermined set result by the plasma processing achieved. 제19 형태는 제1 대역폭을 갖고, 제1 플라스마 처리에 대한 제1 종료점을 식별하는데 사용될 제1 파장 범위를 선택하는 것에 관해 설명될 것이다. A nineteenth aspect will be described with respect to selecting a first wavelength range used to identify the first end point of the first bandwidth has a first plasma treatment. 제2 대역폭을 갖는 제2 파장 범위에 걸친 광학적 이미션 데이터가 제1 플라스마 처리에서 획득된다. Claim that the optical emission data over the second wavelength range having a second bandwidth is obtained in the first plasma treatment. 제2 파장 범위는 적어도 약 250nm 내지 1000nm 의 범위 안에서, 이 범위 전체에 대해 적어도 약 매 1nm마다의 파장을 포함하는 것이 바람직하다. The second wavelength range is preferred to include the wavelength of each of at least about 1nm-sheet for the whole, the range to the extent of at least about 250nm to about 1000nm. 또한 이러한 광학적 이미션는, 제1 플라스마 처리의 전체가 아닌 대부분의 동안에는 매 1초마다 플라스마 처리에서 획득된다. Additionally, these optical already syeonneun, the every 1 seconds during most, but not all, of the first plasma treatment is obtained in the plasma treatment.

제3 파장 대역폭은 제2 파장 범위의 제2 대역폭보다 작고, 또한 제1 플라스마 처리에서 수집되는 특정 광학적 이미션 데이터를 정의하는 것으로 선택된다. The third wavelength bandwidth is smaller than the second bandwidth of a second wavelength range, it is also selected by defining a first specific optical emission data collected from the plasma treatment. 제3 파장 대역폭을 갖고, 제2 파장 범위의 부분집합인 다수의 파장 범위에 대하여 제1 플라스마 처리에서 수집되는 광학적 이미션 데이터에 대한 플롯이 생성된다. 3 has a wavelength bandwidth, the optical already plot for the design data which is first collected by the plasma treatment for a number of wavelength ranges, which are subsets of the second wavelength range is produced. 각 플롯은 이들 파장 범위 부분 집합 중의 하나를 한정할 수 있고, 시간에 대한 해당 파장 범위의 영역에서의 변화를 도시할 것이다. Each plot is possible to limit the wavelength range of one of these subsets, we will be showing the change in the region of the wavelength range of the time. 해당 파장 범위의 영역은 특정 파장 범위에서의 광학적 이미션의 세기를 반영하는 또는 관련된 것이다. Region of the wavelength range is or reflecting optical already intensity of illustration in a specific wavelength range associated.

이러한 다수의 플롯으로부터, 최소한의 파장 범위가 제1 플라스마 처리 동안의 제1 종료점의 발생을 식별하기 위한 제1 파장 범위로 선택될 수 있다. From this, a number of plots, there is a minimum in the wavelength range can be selected as the first wavelength range for identifying the occurrence of a first endpoint during a first plasma process.

해당 제19 형태를 도시한 다음의 예를 고려하자. Consider a showing the 19th form of the following example. 광학적 이미션 데이터는 적어도 약 250nm 내지 1000nm의 파장을 포함하는 제2 파장에 대하여 제1 플라스마 처리에서 수집된다. Optical emission data are collected by the first plasma treatment with respect to the second wavelength having a wavelength of at least about 250nm to about 1000nm. 제3 대역폭은 5nm로 선택될 수 있다. Third bandwidth may be selected to 5nm. 5nm의 대역폭을 갖고, 적합한 종료점 지시 파장 범위를 식별하기 위해 플롯된 각 파장 범위는 종료점 평가 파장 범위로 나타낼 수 있다. Has a bandwidth of 5nm, the wavelength range of each plot to identify a suitable end point indicated wavelength range can be represented by the end point evaluation wavelength range. 동일한 제1 플라스마 처리의 다음의 수행에서 제1 종료점을 지정하기 위해 사용될 수 있는 제1 파장 범위를 식별하기 위해 제1 플라스마처리의 세부 사항에 대한 지식을 미리 가져야하는 필요를 경감시키기 위해, 다양한 종료점 평가 파장 범위 사이의 수와 관계가, 제1 플라스마 처리에서 수집되는 광학적 이미션 데이터에 대한 제2 파장 범위의 적어도 대부분, 보다 바람직하게는 전체를 포함하도록 선택될 수 있다. To alleviate the need to have knowledge of the details of the first plasma treatment previously to identify a first wavelength range in the next execution of the same first plasma treatment it may be used to specify a first endpoint, a variety of end points the relationship between the number of the evaluation wavelength range, the at least a majority of the second wavelength range for the optical emission data are collected in the first plasma treatment, it can be selected to more preferably comprises the whole. 이에 따라, 종료점 평가 파장 범위는 겹쳐진 관계로 배치되거나 또는 종단간(end-to-end) 형식으로 배치될 수 있다. Thus, the end point evaluation wavelength ranges may be arranged in place in overlapping relationship or end-to-end (end-to-end) type. 예를 들어, 제1 종료점 평가 파장 범위는 250-255nm일 수 있고, 제2 종료점 평가 파장 범위는 255-260nm일 수 있고, 제3 종료점 평가 파장 범위는 260-265nm일 수 있으며, 해당 예에서 995-1000의 종료점 평가 파장 범위까지 될 수 있다. For example, the first end point evaluation wavelength range may be in the 250-255nm, the second end point evaluation wavelength range may be in the 255-260nm, it may be a third end point evaluation wavelength range 260-265nm, in the Example 995 It can be an end point to evaluate the wavelength range of the -1000.

각각의 종료점 평가 파장 범위에 대한 플롯이 생성되면, 그것은 제1 파장 범위에 대해 제1 종료점으로 지정될 수 있는 후보가 될 수 있는 하나 또는 그 이상의 종료점 평가 파장 범위를 식별하기 위해 검토된다. When the plot for each end point evaluation wavelength range generated, it is examined to identify one or more end point evaluation wavelength range which can be a candidate to be designated as the first end point as to the scope of claim 1 wavelength. 임의의 종료점 평가 파장 범위를 제1 파장 범위의 가능한 후보로 선택하기 위한 기본적인 기준은, 해당 종료점 평가 파장 범위의 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화가 처리에서 제1 종료점이 발생하는 시간 근처에서 발생하는 식별 가능한 종류의 사건을 갖는다는 것이다. The basic criteria for selecting an arbitrary end point evaluation wavelength range as a possible candidate for the first wavelength range, the change in area plotted over time of the end point evaluation wavelength range generated in the vicinity of time point the first end occurs in the process It will have an identifiable kind of event. 예를 들어, "식별 가능한 사건"은 소정의 음의 기울기의 임계치가 임의의 종료점 파장 평가 범위에 대하여 시간에 대한 플롯에서의 변화 범위를 초과하였을 때, 음의 기울기의 비율의 정도에서 소정의 변화가 임의의 종료점 파장 평가 범위에 대하여 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화 안에 있을 때, 양의 기울기의 임계치가 임의의 종료점 파장 평가 범위에 대하여 시간에 대한 영역 플롯에서의 범위 안을 초과할 때, 또는 양의 기울기 정도에서의 변화가 임의의 종료점 파장 평가 범위에 대하여 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화 안에 있을 때일 수 있다. For example, "identifiable events" is when the threshold value of the gradient of the predetermined sound exceeds the variation range of the plot of the time for any of the end point wavelength evaluation range, any change in the level of the ratio of a negative slope any end point while in the change in the region plotted against time with respect to the wavelength evaluation range, when the threshold value of the amount of tilt exceeds the inside range of the area plot of the time for any of the end point wavelength evaluation range, or both there is a change in the degree of inclination may be in the ttaeil change in the region plotted against time for any of the end point evaluation wavelength range. 소정의 임계치가 해당 플롯의 평균 제곱 에러에 대해 만나거나 또는 초과하는 것과 같이, 다양한 "전제 조건" 또는 "선행 조건"이 제1 파장 범위에 대하여 시간에 대한 영역 플롯에서의 변화로부터 종료점을 지정하기 위해 부과될 수 있다. The predetermined threshold value to specify an end point from a change in the region plotted with respect to time for a variety of "Prerequisites" or "precondition" the first wavelength range, such as to meet or exceed for the mean square error of the plot to be charged.

필수적인 식별 가능한 또는 현저한 사건을 갖지 않은 종료점 평가 파장 범위는 제1 종료점을 지정하기 위한 제1 파장 영역으로서의 고려에서 제외된다. Essential identifiable or end point evaluation wavelength range which does not contain a significant event is considered as negative in the first wavelength region for specifying the first endpoint. 만일, 현저한 또는 식별 가능한 필수 사건을 가진 종료점 평가 파장 범위가 오직 하나가 있다면, 이 특정 종료점 평가 파장 범위가 제1 종료점을 지정하기 위한 제1 파장 범위로 선택될 수 있다. If, if there is only one endpoint evaluation wavelength range with significant or identifiable mandatory events, which have a particular end point evaluation wavelength range can be selected at a first wavelength range to specify the first endpoint. 많은 경우에, 시간에 대한 영역에서의 각각의 변화의 플롯이 제1 종료점이 발생하는 시간에서 식별 가능한 또는 뚜렷한 사건을 나타내는 다수의 종료점 평가 파장 범위가 있을 것이다. In many cases, there will be a plurality of end point evaluation wavelength range representing possible or significant events identified by the time of the plot of each of the changes in the area generating the first end point of the time. 만약, 많은 종료점 평가 파장 범위의 "충분히 가깝다면", 제1 종료점을 지정하기 위한 제1 파장 범위는 각각의 종료점 평가 파장 범위를 포함하도록 선택될 수 있다. If the first wavelength range for designating the number of the end point evaluation wavelength range of the "surface close enough", the first end point may be selected to include the respective endpoint evaluation wavelength range. 예를 들어, 275-280의 파장 범위의 플롯, 285-290의 파장 범위의 플롯, 및 300-305의 파장 범위의 플롯이 식별 가능하거나 또는 뚜렷한 필수의 사건을 갖는다면, 제1 파장 범위는 275-305nm의 파장 범위로 정의될 것이다. For example, if possible in the wavelength range of the wavelength range of 275-280 plot, a plot of the wavelength range of 285-290, and 300-305 plot identified or has a case of the clear necessary, the first wavelength range is 275 It will be defined as the wavelength range of -305nm. 만일, 두 개의 인접한 종료점 평가 파장 범위에서 떨어진 약 15nm 이상의 대역폭이라면, 두 개의 인접한 종료점 평가 파장 범위는 특정 제1 파장 범위를 정의하는데 포함되지 않는 것이 바람직하다. If, if two or more adjacent end points away about 15nm bandwidth in the evaluation wavelength range, the two adjacent end points evaluated wavelength range is preferably not included in defining a specific first wavelength range. 즉, 만일 275-280nm의 종료점 평가 파장 범위의 플롯이 식별 가능하거나 또는 뚜렷한 필수의 사건을 갖고, 280-285, 285-290, 290-295 및 295-300nm의 종료점 평가 파장 범위는 식별 가능하거나 현저한 필수 사건을 갖지 않고, 300-305nm의 종료점 평가 파장 범위는 식별 가능하거나 뚜렷한 필수 사건을 갖는다면, 275-305nm의 파장 범위를 제1 종료점을 지정하기 위한 제1 파장 범위로 정의하는 것은 바람직하지 않는다. In other words, the plot of endpoint assessment 275-280nm wavelength range of emergency identifiable, or have a case of obvious essential, endpoint evaluation wavelength range of 280-285, 285-290, 290-295 and 295-300nm is possible to identify significant or not have the required case, the end point evaluation wavelength range of 300-305nm is not desirable to, if possible, or having a distinct identification required event, defining a wavelength range of 275-305nm with a first wavelength range for designating the first endpoint . 왜냐하면, 275-280과 300-305nm 종료점 평가 파장 범위 사이에 25nm의 갭(gap)이 있기 때문이다. This is because there is a gap (gap) of 25nm between 275-280 and 300-305nm wavelength range end points evaluated. 이 경우, 275-280 및 300-305의 종료점 평가 파장 영역은 모두 제1 종료점을 지정하기 위한 제1 파장 범위에 대한 후보로 남게 된다. In this case, the end point evaluation wavelength range of 275-280 and 300-305 are all remain as a candidate for the first wavelength range for designating the first endpoint. 이러한 두 개의 종료점 평가 파장 범위 중 하나는 생산의 정확성을 위해 테스트 및/또는 상술한 방법으로 종료점을 지정하기 위해 구현된다. One of these two end points evaluated wavelength range, is implemented to specify the end point in test and / or the above-described methods for the accuracy of production.

본 발명의 제20 형태는 플라스마 처리상의 광학적 이미션 데이터가 저장되고, 그 후 플라스마 감시 시스템에서의 하나 또는 그 이상의 변화를 감시되는 "데이터 플레이어"의 종류 또는 플라스마 처리가 감시 또는 평가되는 방법이 특징지어질 수 있다. Claim 20 of the present invention is the optical emission data are stored on the plasma treatment, and then the monitored one or more changes in the plasma monitoring system is how the "data player" type or plasma treatment of the monitored or evaluated characteristic It can be built. 즉, 제20 형태는 플라스마 감시 시스템에서의 소정의 변화 또는 조합을 만드는 방법, 특정 플라스마 감시 기법, 또는 플라스마 처리의 감시에 의해 달성된 결과의 효과 또는 성능에 대한 다양한 종류의 실험을 수행하는데 사용될 수 있다. That is, a twentieth aspect is used to perform various kinds of experiments about the effectiveness or performance of the results achieved by the monitoring of how to make the desired change or combination of the plasma monitor system, a specific plasma monitoring techniques, or plasma treatment have. 해당 "감시"는 플라스마 상태, 종료점, 또는 양쪽 모두에 대한 것일 수 있다. The "watchdog" may be for both plasma state, an endpoint, or both. 제 20 형태는 적어도 몇몇의 방법으로 플라스마 감시 시스템에 연결되고, 플라스마 감시 시스템의 적어도 일부를 반복 또는 흉내낸 먼 거리의 시스템에서 구현되는 것이 바람직하며, 이에 따라 여러 종류의 실험이 제품에 영향을 주지 않는 "오프-라인"으로 수행될 수 있다. A twentieth aspect is connected to a plasma monitoring system, at least in some way, preferably implemented in the system of a distance at least to embellish some repeat or mimic the plasma monitoring system, and thereby affect a variety of experimental products that is - can be carried out in the "off-line". 이것은 이하에 나타난 본 발명의 제21 형태에 대해 논의된다. This is discussed in the 21st aspect of the present invention shown below. "데이터 플레이어"가 무엇인지 그리고 플라스마 처리 동작에 대한 그것의 값은 예에 의해 설명될 수 있다. Its value for what the "data player," and the plasma processing operation can be explained by an example. 290-295nm의 파장 범위가 제1 플라스마 처리에서의 제1 종료점을 지정하기 위해 감시되고,250-1000nm로부터 확장된 파장 범위에 대한 광학적 이미션이 획득/수집되고, 제1 플라스마 처리의 제1 수행 전체에 대해 저장된다고 가정하자. The wavelength range of 290-295nm is monitored to indicate the first endpoint in the first plasma treatment, and the optical emission received / collected for a range of wavelengths extending from 250-1000nm, first performing the first plasma treatment assume that the storage for the whole. 이 제1 플라스마 처리의 제1 실행이 완료된 후, "시험"의 종류가 250-1000nm의 파장 범위 안에서의 다른 파장 범위가 동일한 처리 챔버에서 동일한 플라스마 처리의 다음의 실행에서의 제1 종료점을 지정하는데 보다 적합한지를 평가할 수 있다. After the first execution of the first plasma treatment is complete, to the type of "test" specifies the first endpoint of the next run of the same plasma treatment in the same processing chamber, the other wavelength range within the wavelength range of 250-1000nm It can assess whether more appropriate. 이것은 제1 종료점을 지정하는데 사용되는 종료점 검출 모듈에 대한 제1 플라스마 처리의 제1 실시에서의 광학적 이미션 데이터를 "재실시(replaying)"하고, 제1 종료점을 지정하기 위한 다른 파장 범위를 감시하기 위한 이 종료점 모듈에 전송하는 것에 의해 수행될 수 있다. It monitors the other wavelength range for designating a first optical emission data in the first embodiment of the plasma processing "occupied when (replaying)", and the first end point to the end point detection module is used to specify the first endpoint It may be performed by sending to the endpoint module for. 예를 들어, 종료점 검출 모듈은 400-405nm의 파장 범위에 대하여, 생산 세팅에서 제1 종료점을 지정하는데 실제로 사용된 290-295nm의 파장 범위를 비교하기 위해 전송될 것이다. For example, the endpoint detection module will be transmitted to compare the wavelength range of 290-295nm actually used to specify the first endpoint in the production set with respect to the wavelength range of 400-405nm. 종료점 검출 모듈의 다른 파라미터는 이와 동일한 일반적인 방식으로 수정 및 테스트될 수 있다. Other parameters of the endpoint detection module may be modified and tested in the same general way. 다른 종료점 검출 기법이 또한 동일한 일반적인 방식으로 테스트될 수 있다. Other endpoint detection techniques may also be tested in the same general way. 플라스마 상태를 감시하기 위한 다른 파장 범위 및/또는 플라스마 상태를 감시하기 위한 다른 기법도 역시 이와 동일하게 일반적인 방식으로 테스트될 수 있다. Other techniques for monitoring a different wavelength range and / or a plasma state for monitoring a plasma state diagram can also be equal to the test in the normal way these.

본 발명의 제21 형태는 플라스마 감시 네트워크의 종류이다. Claim 21 of the present invention is a kind of plasma monitoring network. 이 제21 형태의 제1 실시예는 다수의 챔버 클러스터(cluster)를 포함하는 플라스마 처리 시스템이다. First embodiment of the twenty-first embodiment is a plasma processing apparatus including a plurality of chambers cluster (cluster). 각 챔버 클러스터는 하나의 플라스마 처리 챔버 및 특정 챔버 클러스터의 적어도 하나의 처리 챔버가 상호 연결된 적어도 하나의 플라스마 감시 시스템을 포함한다. Each chamber cluster comprises at least one plasma monitoring system is a plasma processing chamber and at least one treatment chamber of the particular cluster of interconnected chambers. 이것은 전체 챔버 클러스터에 대한 단일 플라스마 감시 시스템, 각각의 플라스마 감시 시스템을 갖는 각 챔버, 또는 임의의 챔버 집단 안의 다수의 처리 챔버를 제공하는 단일 플라스마 감시 시스템일 수 있다. This can be a single plasma monitoring system that provides a single plasma monitor system, each of the chambers, or any of a number of process chambers in a chamber group with plasma monitoring system for the entire cluster chamber.

제21 형태의 제1 실시예는 또한 클린룸 시스템(clean room system)을 포함한다. First embodiment of the twenty-first type also includes a clean room system (clean room system). 하나 또는 그 이상의 클린룸은 이러한 클린룸 시스템을 정의한다. One or more of the clean room is defined in these cleanroom systems. 각 챔버 클러스터는 클린룸 시스템 안에 포함된다. Each cluster chamber is contained within a clean room system. 통상적으로, 다수의 챔버 클러스터는 동일한 클린룸에 위치할 수 있다. Typically, a plurality of chambers cluster may be located on the same clean room. 그러나, 제21 형태의 제1 실시예는 하나 또는 그 이상의 챔버 클러스터가 다수의 다른 클린룸 안에 위치하는 경우도 포함한다. However, the first embodiment of the shape examples 21 even if located in one or more chambers cluster a number of other clean room.

주 원격 지국(master remote station)은 각 챔버 클러스터의 플라스마 감시 시스템에 유동적으로 연결된다. Note remote station (master remote station) is fluidically connected to a plasma monitoring system in each chamber cluster. 이 주 원격 지국은 클린룸 시스템의 외부에 배치되고, 디스플레이(예로, 컴퓨터 모니터) 및 데이터 입력 장치(예로, 키보드)를 포함한다. Two weeks remote station is disposed outside of the clean room system, a display (e.g., a computer monitor) and a data input device (e.g., keyboard). 또한, 다수의 챔버 클러스트 각각에 대해 분리된 챔버 클러스트 원격 지국(chamber cluster remote station)이 존재한다. In addition, there is a plurality of (cluster chamber remote station) separate chambers remote station cluster for each cluster chamber. 주 원격 지국과 같이, 각각의 챔버 클러스트 원격 지국은 클린룸 시스템(clean room system)의 외부에 배치되고, 디스플레이(예로, 컴퓨터 모니터) 및 데이터 입력 장치(예로, 키보드)를 포함한다. As the main remote station, each remote station cluster chamber is arranged on the outside of the clean room system (clean room system), a display (e.g., a computer monitor) and a data input device (e.g., keyboard). 그러나, 주 원격 지국과는 달리, 임의의 챔버 클러스트 원격 지국은 챔버 클러스트에 연관된 플라스마 감시 시스템에만 연결되어, 다른 챔버 클러스트의 플라스마 감시 시스템과는 연결되지 않는다. However, unlike the main remote station, a remote station is any cluster chamber is only connected to a plasma monitoring system associated with the chamber, a cluster, is not associated with plasma monitoring system of the cluster the other chamber.

본 발명의 제21 형태의 상술한 제1 실시예에서는 다양한 특징들이 구현될 수 있으며, 이러한 다양한 특징들은 단독으로 또는 어떠한 조합으로도 구현될 수 있다. In the above-described first embodiment of the twenty-first aspect of the present invention may be implemented in a variety of characteristics, these various features may be implemented alone or in any combination. 주 원격 지국은 임의의 챔버 클러스트의 임의의 플라스마 감시 시스템에 대해, 동일한 임의의 챔버 클러스트에 대한 챔버 클러스트 원격 지국보다 보다 많은 액세스를 가지게 된다. Note remote station is monitoring for any plasma system in any cluster of the chamber, and have a lot more accessible than the chamber remote station cluster for the same random cluster chamber. 예를 들어, 다수의 모듈이 플라스마 감시 시스템의 각각에 연관될 수 있다. For example, a number of modules can be associated to each of the plasma monitoring system. 주 원격 지국은 플라스마 감시 시스템에 대해, 대응하는 챔버 원격 지국(즉, 단일 챔버 클러스트의 플라스마 감시 시스템과 인터페이스하는 챔버 클러스트 원격 지국)보다 더 많은 수의 모듈에 접근할 수 있다. Note remote station may gain access to a greater number of modules than the corresponding chamber remote station (i.e., a single chamber plasma cluster monitoring system and a remote station to the cluster interface chamber), which for plasma monitoring system.

위에서 표시된 모듈의 예는 플레이어 모듈, 통계 분석 모듈, 제어 모듈 및 데이터 검토 모듈을 포함한다. Examples of the modules indicated above comprises a player module, a statistical analysis module, a control module and data module review. 데이터 플레이어 모듈은 본 발명의 제12 형태에 대해 상술한 특성을 가질 수 있다. Player data module may have the above characteristics to the twelfth aspect of the present invention. 통계 분석 모듈은 다양한 형태의 통계적 분석을 수행하도록 구성될 수 있다. Statistical analysis module may be configured to perform the statistical analysis of various types. 예를 들어, 단일 처리 챔버의 성능은 그것에 대하여 통계적으로 분석될 수 있다(예로, 시간에 따른 성능 변화). For example, the performance of a single process chamber may be statistically analyzed with respect to it (for example, the performance change with time). 또한, 하나의 처리 챔버의 성능은, 동일하거나 또는 다른 챔버 클러스트 안의 다른 처리 챔버의 성능과 관련하여 통계적으로 분석될 수 있다. In addition, the performance of a processing chamber, can be statistically analyzed by the same or related to the performance of other process chambers in a cluster other chamber. 유사한 비교를 챔버 클러스트에 대해 할 수 있다. It can be compared against a similar chamber in the cluster. 즉, 단일 챔버 클러스트의 성능을 그것에 대하여 통계학적으로 분석될 수 있다(예로, 시간에 대한 성능 변화). That is, it can be analyzed statistically against the performance of a single-chamber cluster on it (for example, performance changes with respect to time). 또한 임의의 챔버 클러스트의 성능을 하나 또는 그 이상의 다른 챔버 클러스트에 대하여 통계적으로 분석할 수 있다. It can also be a statistical analysis with respect to the one or more other clusters chamber for any performance of the chamber cluster.

제어 모듈은 관련된 플라스마 감시 시스템의 성능 또는 플라스마 감시 시스템과 관련된 하나 또는 다수의 가변 파라미터를 제어한다. Control module controls one or more variable parameters relating to the performance monitoring system, or plasma of a plasma monitoring system involved. 각 파라미터는 플라스마 처리에 관련된 임의의 종료점을 지정하기 위해 감시되는 파장 범위, 임의의 처리 챔버에서의 현재 플라스마 처리의 성능과 동일한 처리 챔버에서의 동일한 플라스마처리의 이전 수행과의 비교를 위해 감시되는 파장 범위, 타이밍 고려(예로, 플라스마 처리의 감시의 다양한 관점을 언제 시작할지, 종료할지, 또는 둘 다)를 포함한다. Wavelength of the respective parameters are to be monitored for the same comparison of the previous execution of the plasma process at a certain range of wavelengths to be monitored in order to specify the end point, the current performance of the plasma processing in any processing chamber of the same processing chamber relating to the plasma treatment range, timing considerations include (for example, when to start the various aspects of the plasma treatment surveillance, to shut down, or both). 통상적으로 단지 주 원격 지국만이 임의의 플라스마 감시 시스템에 대한 제어 모듈과의 접근을 할 수 있으며, 이에 따라, 동일한 플라스마 감시 시스템에 연결된 챔버 클러스트 원격 지국은 하나 또는 그 이상의 데이터 플레이어 모듈, 통계 분석 모듈, 또는 데이터 검토 모듈에 액세스를 제공할 뿐이다. Only main remote station in a conventional can access and control module for any plasma monitoring system and, thus, the same plasma monitor chamber cluster remote station connected to the system one or more data player module, a statistical analysis module, or simply to provide access to data review module.

마지막으로, 데이터 검토 모듈은 적어도 몇몇의 방식으로 임의의 처리 챔버에서 실시되는 현재의 플라스마 처리를 묘사적으로 도시한다. Finally, a review of the data module at least showing the current of the plasma treatment is carried out at any of the processing chamber in several ways to the descriptive. 데이터 검토 모듈은 다수의 챔버에서 실시되는 다수의 플라스마 처리를 동시에 디스플레이하기 위해 구성된다. Data are reviewed module configured for displaying a plurality of plasma processing to be carried out in a number of chambers at the same time. 데이터 검토 모듈을 통해 플라스마 처리가 확인하는 방법을 나타내는 예는 임의의 종료점을 지정하는데 사용될 수 있는 특정 파장 범위에 대하여 시간에 대한 영역에서의 변화 플롯을 디스플레이 하거나, 종료점을 지정하기 위한 측정 파장의 플롯을 디스플레이 하거나, 또는 동일한 플라스마 처리의 이전의 실행에 대해 현재의 플라스마 처리가 어떻게 진행되는지에 대한 하나 또는 그 이상의 플롯을 디스플레이 하는 것이다. Examples showing how the plasma treatment confirmed by data review module displays a change plotted in the region with respect to time for a particular wavelength range that may be used to specify any of the end point or the measuring wavelength for specifying the end point plot display, or to display the one or more plots of how the current plasma process proceeds to the previous execution of the same plasma treated with.

이제 다양한 관련 특징들의 설명을 돕기 위하여 첨부한 도면에 대하여 본 발명이 설명될 것이다. The present invention will now be described with respect to the accompanying drawings to aid in the description of various features associated. 본 발명의 하나의 적용예는 적어도 하나의 기능을 제공하거나 적어도 하나의 설정된 결과를 달성하기 위해 플라스마를 사용한 처리에 대한 것이고, 이하 이러한 관점에서 본 발명이 설명될 것이다. One application of the present invention will be at least one function or service is for the treatment with a plasma to achieve at least one result set, than the present invention in view of this description. 보다 상세하게는, 반도체 장치가 형성되는 웨이퍼 등과 같은 플라스마 처리의 실시(예로, "설정된 결과"가 하나 또는 그 이상의 층의 제거 부분을 에칭, 하나 또는 그 이상의 필름을 축적하도록 설정된 결과 부분을 화학적 증기 증착, 추가 또는 제거 물질이 설정된 결과에서 튀어나옴)에 대해 설명될 것이다. More specifically, the embodiments of plasma processing, such as wafer formed a semiconductor device (for example, "set the result" one or etched to remove part of the one layer, the chemical vapor the result is set to the accumulation of one or more film portion the description will be made as to the jump-out results from the evaporation, adding or removing material set).

도1은 웨이퍼 생산 시스템을 도시한 구조도. 1 is a structure showing a wafer production system.

도2는 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 포함된 웨이퍼 카세트의 일실시예를 도시한 투시도. Figure 2 is a perspective view illustrating one embodiment of a wafer cassette containing the wafers the system of Fig.

도3a 및 도3b는 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 포함된 웨이퍼 조종 어셈블리의 일실시예를 도시한 평면도 및 측면도. Figures 3a and 3b is a plan view and a side view showing one embodiment of a wafer assembly that contains one trillion kinds of wafer production system of FIG.

도4는 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 포함될 수 있는 플라스마 처리 챔버, 즉 건식 에칭 챔버의 일실시예를 도시한 단면도. Figure 4 is a cross-sectional view showing one embodiment of a plasma processing chamber, that is the dry etching chamber that may be included in the wafer production system of Fig.

도5는 도4의 처리 챔버를 위한 가스 인가 시스템의 일실시예를 도시한 구조도. 5 is a structural diagram showing an exemplary embodiment of the gas applied to the system for the process chamber of FIG.

도6은 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 포함될 수 있는 플라스마 감시 어셈블리의 일실시예를 도시한 구조도. 6 is a structural diagram showing an exemplary embodiment of the plasma monitoring assembly that can be included in wafer production system of Fig.

도7은 도6의 플라스마 감시 어셈블리에 의해 사용된 플라스마 감시 모듈의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 7 is a flow chart illustrating one embodiment of a plasma monitoring module used by the plasma monitoring assembly of Fig.

도8은 도1의 시스템에서 실시될 수 있는 플라스마 레시피의 일실시예를 도시한 스펙트럼 패턴도. Figure 8 is a spectral pattern illustrating one embodiment of a plasma recipe that can be performed in the system of Fig.

도9는 플라스마 감시 동작에서 사용될 수 있는 플라스마 스펙트럼 디렉토리 및 그것의 여러 서브디렉토리의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 9 is a flow chart illustrating one embodiment of a plasma spectrum directory and its subdirectories that may be used in various plasma monitoring operation.

도10은 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리의 여러 서브디렉토리에 대해 사용될 수 있는 일반적인 데이터 관리 구조의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 10 is a flow chart illustrating one embodiment of a general data management architecture which can be used for different subdirectories in the directory plasma spectrum of Fig.

도11은 도10의 일반적인 데이터 관리 구조 내에서의 데이터의 압축/통합 방법의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 11 is a flow chart illustrating one embodiment of a compression / integrated process of the data in the common data management structure of Figure 10;

도12a는 도9의 정상적인 스펙트럼 서브디렉토리에 대해 사용될 수 있는 데이터 관리 구조의 일실시예를 도시한 도면. Figure 12a is a view showing an embodiment of a data management structure which may be used for the normal spectrum subdirectory in Fig.

도12b는 도9의 비정상적인 스펙트럼 및 알려지지 않은 스펙트럼 서브 디렉토리에 대해 사용될 수 있는 데이터 관리 구조의 일실시예를 도시한 도면. Figure 12b is a view showing an embodiment of a data management structure which may be used for the abnormal spectrum and spectral directory unknown in Fig.

도13은 도1의 처리 챔버에서 실시되는 플라스마 처리의 평가에서, 도7 및 도32의 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 사용될 수 있는 패턴 인식 모듈의 일실시예를 도시한 순서도. 13 is a flow chart illustrating one embodiment of a pattern recognition module in the assessment of the plasma treatment, can be used by the present plasma processing module of FIGS. 7 and 32 is carried out in the process chamber of Figure 1;

도14는 도1의 처리 챔버에서 실시되는 플라스마 처리의 평가에서, 도7 및 도32의 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 사용될 수 있는 처리 경보 모듈의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 14 is a flow chart illustrating one embodiment of a process alarm modules that can be used by the present plasma processing module in the assessment of the plasma treatment is carried out in the process chamber of Figure 1, Figure 7 and Figure 32.

도15는 도1의 처리 챔버에서 실시되는 플라스마 처리의 평가에서, 도7 및 도32의 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 사용될 수 있는 개시 모듈의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 15 is a flow chart illustrating one embodiment of a start module that the evaluation of the plasma treatment is carried out in the process chamber of Figure 1, it can be used by the processing module 7 and a plasma current of 32.

도16은 도15의 개시 모듈에 의해 액세스될 수 있는 개시 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 16 is a flow chart illustrating one embodiment of a start of a subroutine that can be accessed by the initiation module of Figure 15.

도17a 내지 도17c는 도1의 처리 챔버에서 실시되고, 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 한 형태, 즉 3단계 플라스마 레시피의 스펙트럼 예를 도시한 도면. Figure 17a to Figure 17c is performed in the process chamber of Figure 1, are a form of plasma treatment can be monitored by a plasma treatment module, that is a diagram showing a spectrum example of a three-step plasma recipe.

도18a 내지 도18c는 도1의 처리 챔버에서 실시되고, 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 다른 형태, 즉 이러한 플라스마 세정 동작의 시작, 중간 시점, 및 종료점에서 챔버를 제1 습식 세정하지 않는 플라스마 세정 동작의 스펙트럼 예를 각각 도시한 도면. Being carried Figure 18a to Figure 18c is in the process chamber of Figure 1, are different form of plasma treatment can be monitored by a plasma treatment module, that this start of the plasma cleaning operation, the intermediate point, and the first liquid chamber at the end point the spectrum of the plasma cleaning operation is not washed for each of the illustrated drawings.

도19a 내지 도19c는 도1의 처리 챔버에서 실시되고, 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 또 다른 형태, 즉 이러한 플라스마 조절 동작의 시작, 중간 시점, 및 종료에서 챔버를 습식 세정한 후에 수행되는 플라스마 세정 동작의 스펙트럼 예를 각각 도시한 도면. Being carried Figure 19a to Figure 19c is in the process chamber of Figure 1, are a further aspect of the plasma treatment, which can be monitored by a plasma treatment module, that is, the beginning of such a plasma-control operation, the middle point, and an end wet cleaning the chamber in the respectively shown a diagram of the spectrum for example, plasma cleaning operation performed after.

도20a 내지 도20c는 도1의 처리 챔버에서 실시되고, 현재 플라스마 처리 모듈에 의해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 또 다른 형태, 즉 이러한 조절 웨이퍼 동작의 시작, 중간 시점, 및 종료에서의 조절 웨이퍼 동작의 스펙트럼 예를 각각 도시한 도면. Being carried FIG 20a to FIG. 20c are in the process chamber of Figure 1, are a further aspect of the plasma treatment, which can be monitored by a plasma treatment module, that is, the start of this control wafer action, an intermediate point, and control the wafer motion at the end the spectrum for each of the illustrated drawings.

도21은 도7 및 도32의 플라스마 상태 모듈에 의해 사용될 수 있는 플라스마 상태 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 21 is a flow chart illustrating one embodiment of a plasma state subroutine that can be used by the plasma conditions of the module 7 and 32.

도22는 도7 및 도32의 플라스마 상태 모듈에 의해 사용될 수 있는 플라스마상태 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 22 is a flow chart illustrating another embodiment of a plasma state subroutine that can be used by the plasma conditions of the module 7 and 32.

도23은 도7 및 도32의 플라스마 상태 모듈에 의해 사용될 수 있는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. Figure 23 is a flow chart illustrating one embodiment of a plasma state / recognition processing subroutine that can be used by the plasma conditions of the module 7 and 32.

도24는 도7 및 도32의 플라스마 상태 모듈에 의해 사용될 수 있는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 24 is a flow chart illustrating another embodiment of a plasma state / recognition processing subroutine that can be used by the plasma conditions of the module 7 and 32.

도25는 도7 및 도32의 플라스마 상태 모듈에 의해 사용될 수 있는 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 25 is a flow chart illustrating one embodiment of a plasma condition / processing step recognizes a subroutine that can be used by the plasma conditions of the module 7 and 32.

도26a 내지 도26c는 "깨끗한" 처리 챔버, "에이징" 처리 챔버 및 "더티" 처리 챔버 각각으로부터의 스펙트럼 예를 도시한 도면. Figure 26a to Figure 26c is a "clean" processing chamber "aging" process chamber, and a view showing an example of a spectrum from each of the "dirty" process chamber.

도27은 도7 및 도32의 챔버 컨디션 모듈에 포함될 수 있는 챔버 컨디션 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 27 is a flow chart illustrating one embodiment of a conditioning chamber subroutine that may be included in the conditioning chamber module of Figs. 7 and 32.

도28은 도7 및 도32의 챔버 컨디션 모듈에 포함될 수 있는 챔버 컨디션 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 28 is a flow chart illustrating another embodiment of a chamber conditioning subroutine that may be included in the conditioning chamber module of Figs. 7 and 32.

도29는 도7 및 도32의 챔버 컨디션 모듈에 포함될 수 있는 챔버 컨디션 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 29 is a flow chart illustrating another embodiment of a chamber conditioning subroutine that may be included in the conditioning chamber module of Figs. 7 and 32.

도30a 내지 도30d는 "더러운 챔버" 조건, 습식 세정의 종료, 플라스마 세정의 종료 및 조절 웨이퍼 동작의 종료에서의 처리 챔버로부터의 스펙트럼 예를 각각 도시한 도면. Figure 30a to Figure 30d are "dirty chamber" condition, the wet cleaning end, the spectrum for example, from the processing chamber at the end of the termination, and control operations of the wafer plasma cleaning respectively show a drawing.

도31은 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 포함될 수 있는 플라스마 감시 어셈블리의 다른 실시예를 도시한 구조도로써, 상기 도7에서의 현재 플라스마 처리 모듈을포함하고, 또한 보정 모듈을 포함함. Figure 31 includes a current including a plasma processing module, and also the correction module in FIG. 7, as a structural view showing another embodiment of the plasma monitoring assembly that can be included in wafer production system of Fig.

도32는 도37의 플라스마 감시 어셈블리뿐만 아니라 도31의 플라스마 감시 어셈블리에 의해 사용될 수 있는 플라스마 감시 모듈의 일실시예를 도시한 순서도. 32 is a flow chart illustrating one embodiment of a plasma monitoring module that may be used by the plasma monitoring assembly of Figure 31 as well as plasma monitoring assembly of FIG.

도33은 도31의 스펙트로미터 어셈블리의 일실시예를 도시한 구조도. 33 is a structural diagram showing an exemplary embodiment of a spectrometer assembly of Figure 31.

도34는 도31에서의 윈도우와 플라스마 감시 어셈블리를 유동적으로 인터페이스하는 섬유 광학 케이블 어셈블리의 일실시예를 도시한 도면. 34 is a view showing an embodiment of a fiber optic cable assembly of the fluid interface, the window and the plasma monitoring assembly in Figure 31.

도35는 도31의 윈도우의 내부 및 외부 표면에 의해 전송 및 반사되는 보정광의 축선을 도시한 구조도. 35 is a structural showing the transmission and reflection light axis correction is by the inner and outer surfaces of the window of Figure 31.

도36은 도34의 섬유 광학 케이블 어셈블리와 도31에 도시된 처리 챔버 상의 윈도우를 상호 접속하기 위한 고정물 어셈블리의 일실시예를 도시한 도면. 36 is a view illustrating one embodiment of a fixture assembly for interconnecting the window on the processing chamber shown in Figure 31 and the fiber optic cable assembly of Fig.

도37은 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 포함될 수 있는 플라스마 감시 어셈블리의 다른 실시예를 도시한 구조도로써, 도7에서의 현재 플라스마 처리 모듈을 포함하고, 또한 보정 모듈도 포함함. 37 is also including the current includes a plasma processing module, and the correction module in as a structural view showing another embodiment of the plasma monitoring assembly that can be included in wafer production system of FIG. 1, FIG.

도38은 도37의 윈도우의 내부 및 외부 표면에 의해 전송 및 반사되는 보정광의 축선을 도시한 구조도. 38 is a structural showing the transmission and reflection light axis correction is by the inner and outer surfaces of the window of FIG.

도39는 섬유 광학 케이블과 도37에 도시된 구성에서의 처리 챔버 상의 윈도우를 상호 접속하기 위한 고정물 어셈블리의 일실시예를 도시한 도면. 39 is a fiber optic cable and a configuration view showing one embodiment of a fixture assembly for interconnecting the window on the process chamber in the shown in Fig.

도40은 도32에서의 보정 모듈의 일실시예를 도시한 순서도. 40 is a flow chart illustrating one embodiment of a correction module in FIG. 32.

도41은 도40의 보정 모듈에 의해 사용될 수 있는 보정 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 41 is a flow chart illustrating one embodiment of a calibration subroutine which may be used by the correction module of Figure 40.

도42는 도40의 보정 모듈에 의해 사용될 수 있는 보정광의 스펙트럼의 일실시예를 도시한 도면. 42 is a view showing an embodiment of a calibration light spectra that can be used by the correction module of Figure 40.

도43은 도42의 보정광에서 적어도 형성된 부수적인 침전물이 없는 때, 처리 챔버 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 부분의 일실시예를 도시한 도면. 43 is a view showing one embodiment of a portion which is reflected by the inner surface of the processing chamber window when there is no additional precipitate is formed at least on the correction light in FIG. 42.

도44는 도31의 스펙트로미터 어셈블리에 의해 사용될 수 있고, 도40의 보정 모듈과 유동적으로 인터페이스 되는 스펙트로미터의 다른 실시예를 도시한 도면. 44 is a view showing another embodiment of a spectrometer which is fluidly interfaces with the spectrometer can be used by the assembly, the correction module of Figure 40 shown in FIG. 31;

도45는 도40의 보정 모듈에 의해 사용될 수 있는 보정 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 45 is a flow chart illustrating another embodiment of a calibration subroutine which may be used by the correction module of Figure 40.

도46a는 세기 변화 상태를 식별하기 위해 도40의 보정 모듈에서 사용될 수 있는 보정광의 스펙트럼의 일실시예를 도시한 도면. Figure 46a is a view showing an embodiment of a calibration light spectra that can be used in the correction module of Figure 40 to identify the intensity change state.

도46b는 세기 변화 상태를 식별하기 위해 도40의 보정 모듈에서 사용될 수 있는 보정광의 스펙트럼의 다른 실시예를 도시한 도면. Figure 46b is a view showing another embodiment of a calibration light spectra that can be used in the correction module of Figure 40 to identify the intensity change state.

도47a는 도46a의 보정광에서, 퇴화 또는 노화 상태에 있을 때, 처리 챔버 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 부분의 스펙트럼의 일실시예를 도시한 도면. Figure 47a is a correction in the light 46a, degeneration, or when the aging state, the view showing one embodiment of a portion of the spectrum which is reflected by the inner surface of the processing chamber window.

도47b는 도46b의 보정광에서, 퇴화 또는 노화 상태에 있을 때, 처리 챔버 윈도우의 내부 표면에 의해 반사되는 부분의 스펙트럼의 일실시예를 도시한 도면. Figure 47b is a correction in the light 46b, degeneration or when the aging state, the view showing one embodiment of a portion of the spectrum which is reflected by the inner surface of the processing chamber window.

도48은 도40의 보정 모듈에 의해 사용될 수 있는 보정 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 48 is a flow chart illustrating another embodiment of a calibration subroutine which may be used by the correction module of Figure 40.

도49는 도7 및 도32의 검색 모듈에 의해 사용될 수 있는 검색 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 49 is a flow chart illustrating one embodiment of a search subroutine that can be used by the search module shown in Fig. 7 and 32.

도50a 내지 도50c는 도1의 챔버 중 하나에서 제품에 실시되는 하나의 플라스마 레시피로부터, 도49의 검색 서브루틴에 의해 생성된 3 파장에 대한 세기 대 시간 그래프의 예를 도시한 도면. Figure 50a to Figure 50c is a view showing an example of the intensity versus time graph for a third wavelength generated by the search subroutine of Figure 49 from a plasma recipe is carried out on the product in one of the chamber of Figure 1;

도51a 내지 도51c는 동일한 챔버에서 제품에 다르게 실시되는 플라스마 레시피로부터, 도50a 내지 도50c에서 도시된 동일한 3파장에 대한 세기 대 시간 그래프의 예를 도시한 도면. Figure 51a to Figure 51c is from the plasma recipe is carried out differently to the product in the same chamber, Fig. 50a to Fig diagram showing an example of the intensity versus time graph for the same three wavelengths shown in 50c.

도52는 도7 및 도32의 종료점 검출 모듈에 의해 사용될 수 있는 종료점 검출 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 52 is a flow chart illustrating one embodiment of an endpoint detection subroutine that can be used by the endpoint detection module shown in Fig. 7 and 32.

도53은 도7 및 도32의 종료점 검출 모듈에 의해 사용될 수 있는 종료점 검출 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 53 is a flow chart showing another embodiment of an end point detection subroutine that can be used by the endpoint detection module shown in Fig. 7 and 32.

도54a는 플라스마 처리 단계의 시작에서의 처리 챔버로부터의 스펙트럼의 예를 도시한 도면. Figure 54a illustrates an example of a spectrum from the processing chamber in the plasma processing step begins.

도54b는 도53의 종료점 검출 서브루틴에 의한 기준으로 사용하기 위한 도54a에서의 플라스마 처리 단계의 종료점을 지시하도록 선택된 스펙트럼의 예를 도시한 도면. Figure 54b is a view showing an example of a spectrum selected so as to indicate the end point of the plasma processing step of Figure 54a for use as a reference by the endpoint detection subroutine in FIG. 53.

도54c는 도53의 종료점 검출 서브루틴에 따른 도54a 및 도54b의 스펙트럼간의 차를 도시한 도면. Figure 54c is a view showing the difference between the spectrum of Figure 54a and Figure 54b according to the endpoint detection subroutine in FIG. 53.

도55a는 도54a에 도시된 플라스마 처리 단계의 중간 시점에서의 처리 챔버에서의 스펙트럼의 예를 도시한 도면. Figure 55a illustrates an example of a spectrum in the process chamber at an intermediate time point of the plasma process steps shown in Figure 54a.

도55b는 도54b로부터의 동일한 스펙트럼을 도시한 도면. Figure 55b shows the same spectra from Figure 54b.

도55c는 도53의 종료점 검출 서브루틴에 따른 도55a 및 도55b의 스펙트럼간의 차를 도시한 도면. Figure 55c is a view showing the difference between the spectra of Fig. 55a and Fig. 55b in accordance with the endpoint detection subroutine in FIG. 53.

도56a는 도54a에 도시된 플라스마 처리 단계의 끝에서의 처리 챔버에서의 스펙트럼의 예를 도시한 도면. Figure 56a illustrates an example of a spectrum in the processing chamber at the end of the plasma-processing step shown in Figure 54a.

도56b는 도54b로부터의 동일한 스펙트럼을 도시한 도면. Figure 56b shows the same spectra from Figure 54b.

도56c는 도53의 종료점 검출 서브루틴에 따른 도56a 및 도56b의 스펙트럼간의 차를 도시한 도면. Figure 56c is a view showing the difference between the spectrum of Figure 56a and 56b according to the endpoint detection subroutine in FIG. 53.

도57은 도7 및 도32의 종료점 검출 모듈에 의해 사용될 수 있는 종료점 검출 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 57 is a flow chart showing another embodiment of an end point detection subroutine that can be used by the endpoint detection module shown in Fig. 7 and 32.

도58은 도57의 종료점 검출 서브루틴에 따라, 플라스마 처리 단계의 종료점을 나타내도록 하는 광학적 이미션 출력의 예를 도시한 도면. 58 is a view showing an example of the optical emission output to, indicate the end point of the plasma treatment step according to the endpoint detection subroutine of FIG. 57.

도59는 도7 및 도32의 웨이퍼 분배 모듈에 포함될 수 있는 웨이퍼 분배 서브루틴의 일실시예를 도시한 순서도. 59 is a flow chart illustrating one embodiment of a wafer distribution sub-routine that can be included in wafer distribution module of Fig. 7 and 32.

도60은 도7 및 도19의 웨이퍼 분배 모듈에 포함될 수 있는 웨이퍼 분배 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 순서도. 60 is a flow chart illustrating another embodiment of a wafer distribution sub-routine that can be included in wafer distribution module of Fig. 7 and Fig.

도61은 섬유 광학과 처리 챔버를 상호 접속시키기 위한 고정물의 다른 실시예를 도시한 도면. 61 is a view showing another embodiment of a fixture for interconnecting the optical fiber processing chamber.

도62는 종료점에 대한 지시기를 가진 파장 범위를 식별하기 위한 검색 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 도면. 62 is a view showing another embodiment of a retrieval subroutine for identifying the wavelength range with the indicator of the ending point.

도63a 내지 도63h는 여러 파장 범위에 대한 영역 대 시간에서의 변화 그래프를 도시한 도면. Figure 63a to Figure 63h is a diagram showing a graph of changes in an area versus time for different wavelength ranges.

도64는 종료점 검출 서브루틴의 다른 실시예를 도시한 도면. 64 is a view showing another embodiment of an end point detection subroutine.

도65는 플라스마 감시 네트워크의 일실시예를 도시한 도면. 65 is a view showing one embodiment of a plasma monitoring network.

도66은 도65의 플라스마 감시 네트워크에 액세스될 수 있는 여러 모듈을 도시한 도면. 66 is a view showing the number of modules that can be accessed in the plasma monitor of the network 65.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Description of the Related Art

500 : 플라스마 감시 어셈블리 506 : 스펙트로미터 어셈블리 500: Plasma Monitoring assembly 506: spectrometer assembly

548 : CCD 어레이 552 : 보정 어셈블리 548: CCD arrays 552: correction assembly

556 : 보정 광원 560 : 플라스마 감시 모듈 556: correcting light source 560: plasma monitoring module

웨이퍼 생산 시스템(2) - 도1 Wafer manufacturing system (2) - 1

웨이퍼 생산 시스템(2)은 도1에서 설명되는 바 일반적으로 웨이퍼(18) 상에서 하나 이상의 플라스마-기반 처리(단일 또는 다중 단계)를 실행하기 위한 것이다. Wafer production system 2 is one or more of the plasma on the bar generally the wafer 18 illustrated in Figure 1-based processing is to run (single or multiple phase). 반도체 장치들은 집적회로 칩을 포함하는, 시스템(2)에 의하여 처리된 웨이퍼(18)로부터 형성될 수 있다. The semiconductor device may be formed from the wafer 18 is processed by the system (2) comprising an integrated circuit chip. 시스템(2)은 일반적으로 복수의 웨이퍼(18)를 저장하는 웨이퍼 카세트(6)를 포함하고 이 웨이퍼(18)가 시스템(2)으로 그리고 시스템(2)으로부터 용이하게 전달되게 한다. (2) it should be generally comprises a wafer cassette (6) for storing a plurality of wafer 18 and is easily transmitted from the wafer 18 (2) and a system (2). 한 웨이퍼 카세트(6)는 웨이퍼 생산 시스템(2)의 두 개의 로드 로크 챔버들(28)의 각각에 배치된다. A wafer cassette 6 is disposed in each of two of the load lock chamber 28 of wafer production system (2). 웨이퍼 처리 어셈블리(44)는 각 로드 로크 챔버(28)로 보내어지며, 웨이퍼 카세트(6)로부터 웨이퍼(18)의 최소한 하나를 제거하고, 웨이퍼(들)(18)를 웨이퍼 생산 시스템(2)의 복수의 처리 챔버(36)(도시되는 네 개의 챔버(36a-d))중의 하나에 전송한다. A wafer processing assembly 44 becomes sent to each of the load lock chamber 28, a wafer cassette (6) removing the at least one wafer (18) from, and the wafer (s) for 18 wafers (2) It transmits to one of the plurality of the processing chamber 36 (shown four chambers (36a-d) that is). 다른 배치들이 본 발명의 목적을 위하여 활용될 수 있다. Other arrangements, may be utilized for the purposes of the present invention.

웨이퍼 생산 시스템(2)의 다양한 다른 구성 요소들뿐만 아니라 웨이퍼 처리 어셈블리의 제어는 주제어 유닛(58)(main control unit; 이하 MCU라 함)에 의하여 제공된다. Control of wafer production system (2) various other components of the wafer processing assembly, as well as of the main control unit 58; is provided by the (main control unit hereinafter referred to as MCU). 한 실시예에서, MCU(58)는 데스크탑 PC 또는 위성 터미널들을 가지는 메인-프레임과 같은, 최소한 하나의 컴퓨터-판독가능 저장 매체 및 최소한 하나의 프로세서를 가지는 컴퓨터이다. In one embodiment, MCU (58) comprises a main having a desktop PC or a satellite terminal, a computer having a readable storage medium and at least one processor, such as a frame, at least one computer. 웨이퍼 생산 시스템(2)의 하나 이상의 다른 구성요소들과 함께 MCU(58)를 적절하게 통합하는 것은 MCU(58)가 웨이퍼 생산 시스템(2)의 하나 이상의, 바람직하게는, 모든 챔버(36)를 위한 (예를 들어, 챔버들(36)의 각각에서 플라스마를 제어하는) 주 제어기가 되게 한다. One or more, preferably, all of the chamber 36 of it is to properly integrate the MCU (58) together with one or more other components in the wafer production system 2 MCU (58) the wafers (2) to be presented (e. g., to control the plasma in each of the chambers 36), the main controller. 통합은 MCU(58)을 이러한 다양한 구성요소들과 작동상 인터페이스하는 것을 포함하고 웨이퍼 처리 어셈블리(44)를 포함할 수 있다. Integration may include the the MCU (58) with these different components operator interface includes a wafer handling assembly 44. 작동 담당자가 웨이퍼 생산 시스템(2)에 의하여 사용되거나 웨이퍼 생산 시스템(2)과 관련하는 정보를 기입하도록 하기 위한 데이터 입력 장치(60)(예를 들어, 마우스, 라이트펜, 키보드)뿐만 아니라, 작동 담당자에게 시각-기반 정보를 제공하기 위한 디스플레이(59)(예를들어, CRT 또는 컴퓨터 모니터)와 같은 다른 하드웨어는 또한 MCU(58)와 동작상 상호 연결될 수 있다. Operating personnel are used by the wafer production system 2 or wafer production system 2, the data input device (60) for causing a write information associated with (e.g., a mouse, a light pen, a keyboard), as well as operating personnel a visual-display for providing information based on 59 different hardware, such as (e.g., CRT or computer monitors) may also be interconnected MCU (58) and operatively.

챔버(36)내의 플라스마는 동봉된 웨이퍼(18)를 어떤 방식으로 (예를 들어, 소정의 물질층을 제거하기 위하여 에칭하는 것) 처리한다. Plasma in the chamber 36 is the enclosed wafer 18 is processed in some way (for example, to etching to remove a predetermined material layer). 투명한 윈도우(38)는 광학적 이미션 데이터가 각 챔버(36)에서 웨이퍼(18)상에서 수행되는 플라스마 레시피 상에서 얻어지도록 하기 위하여 각 챔버(36)상에 제공된다. A transparent window 38 is provided on each chamber 36 to be obtained on the plasma recipe is performed on the optical emission data is the wafer 18 in each chamber 36. 일단 플라스마 처리가 완료되면, 웨이퍼 처리 어셈블리(44)는 각 처리 챔버(36)로부터 웨이퍼(18)를 제거하고 웨이퍼(18)를 관련된 로드 로크 챔버(28)에 있는 웨이퍼 카세트들(6)중의 하나로 돌려보낸다. Once one of when the plasma processing is complete, the wafer processing assembly 44 includes a wafer cassette (6) in the load lock chamber 28 is related to the removal of the wafer 18 from each of the processing chamber 36 and the wafer 18 returns. 카세트들(6)중의 하나 내의 모든 웨이퍼(18)이 플라스마 처리되면, 그 웨이퍼 카세트(6)는 로드 로크 챔버(28)로부터 제거되고 처리되어야 할 새로운 웨이퍼(18)을 가지는 다른 카세트(6)로 대체된다. If one or all the wafers 18 in the in the cassette (6) is plasma-treated and, as a wafer cassette (6) is different from the cassette (6) having a new wafer 18 to be removed from the load lock chamber 28 and processed It is replaced. 이것은 작동 담당자에 의하여 수동으로 로봇 또는 그와 유사한 것에 의하여 자동방식으로 수행될 수 있다. This can be done automatically by the way that is similar to the robot or manually by the operating personnel.

웨이퍼 카세트(6) - 도2 Wafer cassette (5) - 2

도1의 웨이퍼 생산 시스템(2)에 통합되는 웨이퍼 카세트(6)의 실시예에 관한 보다 상세한 사항은 도2에 제시된다. Details are set forth in Figure 2 than according to the embodiment of the wafer cassette (6) is integrated into the wafer production system 2 of Fig. 웨이퍼 카세트(6)는 한 쌍의 말단 패널(8)뿐만 아니라 후면 패널(26)에 의하여 상호 접속되는 한 쌍의 측면으로 간격지워진 측벽들(22)에 의하여 정의되는 프레임(10)을 포함한다. The wafer cassette (6) comprises a frame 10 defined by a pair of end panels (8) side walls, as well as erased interval of a pair of sides of which are mutually connected by a back panel (26) (22). 프레임(10)의 앞은 웨이퍼 처리 어셈블리(44)가 해당되는 웨이퍼 카세트(6)로부터 웨이퍼(18)를 제거하고 해당되는 웨이퍼 카세트(6)로 웨이퍼(18)을 제공하기 위하여 웨이퍼 카세트(6) 내로 전진시키고 그것으로부터 후퇴시킬 수 있도록 실질적으로 개방되어 있다. In front of a frame 10, a wafer cassette (6) to provide the wafer 18 to the wafer cassette (6) which removes the wafer 18 from the wafer cassette 6, which is a wafer handling assembly 44 corresponding to the so as to advance and retreat from it into and is substantially open. 세로방향으로 공간을 두고 측면으로 배치된 복수의 파티션들(16) (예를 들어, 각 파티션(16)은 카세트(6)의 세로축에 대하여 최소한 일반적으로 수직되게 배치됨)은 이웃하는 웨이퍼(18)의 분리를 유지할 목적으로 프레임 내에 제공된다. The spaced in the longitudinal direction a plurality of partitions arranged in a side surface 16 (e. G., Each partition 16 has at least generally to be disposed perpendicular to the longitudinal axis of the cassette (6)) is a wafer (18) neighboring It is provided within the frame in order to maintain separation. 각 쌍의 이웃하는 파티션들(16)은 단일 웨이퍼(18)가 위치되는 포켓(14)을 정의한다. The partition (16) for each pair of neighboring defines a pocket 14 in which a single wafer 18 is located. 플라스마가 처리될 예정인 웨이퍼 카세트(6) 내에의 웨이퍼(18)의 로딩은 적당한 지지 표면 상에 카세트(6)의 말단 패널들(8)의 하나를 배치하고 단지 하나의 웨이퍼(18)이 포켓들(14)의 임의의 것에 배치되도록 카세트(6) 내에 웨이퍼(8)을 수동적으로 로딩함으로써 완료될 수 있다. Loading the wafer (18) of the in going to the wafer cassette (6) to be plasma processing is the adequate support arrangement for one end panel (8) of the cassette (6) on the surface, and only one of the wafer 18. The pocket It can be done by passive loading into the wafer (8) in the cassette (6) to be disposed on any of the 14. 일단 웨이퍼 카세트(6)가 원하는 정도로 웨이퍼(18)과 함께 로딩되면, 카세트(6)는 적당한 로드 로크 챔버(28)로 전달될 수 있다. Once the wafer cassette 6 is loaded with the wafer 18 so desired, the cassette 6 may be delivered to an appropriate load lock chamber 28. 그러면 웨이퍼 카세트(6)는 그것의 실질적인 개방 앞면이 웨이퍼 처리 어셈블리(44)에 의하여 마주하고 접근될 수 있도록 어떤 위치에서 그것의 말단들(8)의 하나 상에 배치된다. Then, the wafer cassette 6 is disposed in the one of its ends (8) in any position to its substantially open front side may be opposite, and accessed by the wafer processing assembly 44. 웨이퍼 카세트(6)를 위한 다른 구성들은 웨이퍼 생산 시스템(2)에 의하여 활용될 수 있고, 자동화는 임의의 하나 이상의 카세트(6)로의 웨이퍼(18)의 로딩 및 웨이퍼 생산 시스템(2)의 로드 로크 챔버들(28)로 그리고 챔버들(28)로부터의 카세트(6)의 전달에서 실행될 수 있다. And the other configuration for a wafer cassette (6) can be utilized by a wafer production system 2, and automation is the load lock of the loading and wafer production (2) of the wafer (18) to any one or more of the cassette (6) can be performed in the transfer of the cassette (6) from the chamber and into the chamber (28) (28).

웨이퍼 처리 어셈블리(44) - 도3a-3b Wafer processing assembly 44 - Fig. 3a-3b

도1의 웨이퍼 생산 시스템(2)에 통합되어 있는 웨이퍼 처리 어셈블리(44)에 관한 추가적 상세사항들은 도3a-3b에 도시되어 있다. Fig additional details about the manufacture of wafers (2) a wafer processing assembly 44 that is integrated in a 1 are shown in Figure 3a-3b. 다른 타입들의 웨이퍼 처리 어셈블리는 "로보트의 자동로더 및 로크를 가지는 반도체 처리 시스템"이라는 제목으로 1994년 1월 25일에 발행된 메이단 등의 미국 특허 5,280,983 및 "두-축 자기적으로 연결된 로봇"라는 제목으로 1997년 8월 12에 발행된 로랜스의 미국특허 5,656,902(이 특허들은 그 전체가 여기에서 참조로서 병합됨)에 개시된 타입들과 같은 웨이퍼 생산 시스템(2)에 의하여 활용될 수 있다. Wafer handling assembly of different types, such as a mate just published under the title "The semiconductor processing system having an automatic loader and the lock of the robot" on January 25, 1994, US Patent 5,280,983, and "two-axis magnetically coupled robot" US Patent 5,656,902 of that title to Lance as published on August 12, 1997 can be utilized by the production of wafers (2), such as the type described in (this patent are those being entirely incorporated by reference herein). 도3a-3b의 웨이퍼 처리 어셈블리(44)는 일반적으로 웨이퍼 생산 시스템(2)의 중앙 챔버(70) 내에 배치된 로봇의 웨이퍼 핸들러(48)를 포함한다. The wafer processing assembly 44 of Fig. 3a-3b are generally wafer production system (2) includes a wafer handler 48 of a robot disposed in the central chamber 70 of the. 그래서 로드 로크 챔버들(28) 및 처리 챔버들(36)은 웨이퍼 처리 어셈블리(44)에 대하여 배치된다. So, the load lock chamber 28 and the processing chambers 36 are disposed with respect to the wafer processing assembly 44. 로봇의 웨이퍼 핸들러(48)의 움직임은 웨이퍼 핸들러(48)와 작동적으로 인터페이스되고 차례로 MCU(58)(도1)과 작동적으로 인터페이스되고 MCU(58)에 의하여 제어되는 웨이퍼 핸들러 제어 모터(62)를 통하여 실현된다. Movement of the wafer handler 48 of the robot wafer handler 48 and operatively interfaces is in turn MCU (58) (Fig. 1) and operatively interfaces and the wafer handler control motor (62 controlled by the MCU (58) ) it is realized through a. 웨이퍼 핸들러(48)는 피봇(50)을 포함하여웨이퍼 핸들러(48)가 로드 로크 챔버들(28) 또는 처리 챔버들(36)중의 하나와 작동적으로 인터페이스되도록 웨이퍼 처리 어셈블리(44)를 위치시키기 위하여 피봇(50)에 대하여 피봇되거나 회전될 수 있다. The wafer handler 48 to place the pivot 50, the wafer handler 48, the load lock chambers 28 or the process chambers 36, the wafer processing that of the interface to one and operatively assembly 44 including to be pivoted or rotated about the pivot 50. 웨이퍼(18)은 웨이퍼 카세트(6)의 포켓들(14)중의 하나에 배치될 때 웨이퍼(18)중의 하나와 인터페이스되는 웨이퍼 블레이드(66)에 의해 각 로드 로크 챔버(28) 또는 처리 챔버(36)로부터 제거되고 그 챔버에 제공된다. Wafer 18 has become one when the wafer 18 and one by the wafer blade 66 that the interface of each load lock chamber 28 or the process chamber (36 in place in the in the pocket (14) of the wafer cassette (6) ) it is removed from is provided on the chamber. 진공 처크 또는 그와 유사한 것은 블레이드(66) 상에 웨이퍼(18)를 보유하기 위하여 웨이퍼 블레이드(66) 상에 통합될 수 있다. The vacuum chuck or the like may be integrated on the wafer blade 66 to hold the wafer 18 on the blade 66. 웨이퍼 블레이드(66)는 적당한 위치로 웨이퍼 블레이드(66)를 축상으로 전진시키고 후퇴시키는 피봇과 같은 동작을 통하여 확장되고 후퇴되는 암 어셈블리(54)와 통합된다. The wafer blade 66 is integrated with the arm assembly 54 is extended and retracted by an operation such as a pivot for advancing and retreating axially the wafer blade 66 to an appropriate location.

처리 챔버(72) - 도4 및 도5 Processing chamber 72 - Figure 4 and 5

챔버들(36)중의 하나로서 도1의 웨이퍼 생산 시스템에 통합될 수 있는 처리 챔버의 한 실시예는 도4에 보다 상세하게 제시된다. One embodiment of a process chamber in a one of chambers 36 can be integrated in a wafer fabrication system of Figure 1 is presented in more detail in FIG. 처리 챔버들의 다른 타입들/구성들은 "고밀도 플라스마 CVD 및 에칭 반응기"라는 제목으로 1997년 3월 25일에 발행된 페어배언 등의 미국특허 5,614,055 및 "벽의 부식에 대하여 표면 보호 수단을 가지는 플라스마 에칭 반응기"라는 제목으로 1997년 6월 24일에 발행된 니테추 등의 미국 특허 5,641,375(이 특허들은 전체로서 여기에서 참조로서 병합됨)에 개시된 것들을 포함하는, 본 발명의 목적을 위한 웨이퍼 생산 시스템(2)에 의하여 활용될 수 있다. Other types / configurations of the processing chamber are "High Density Plasma CVD and Etching Reactor" title with a pair baeeon et al, US Patent 5,614,055 and "plasma etching with a surface protection against corrosion of the wall issued on March 25, 1997 of reactor "wafer production systems for the purposes of the present invention include those described in (merged search by reference in this patent are as a whole) subject to US Patent 5,641,375, such as the Needle techu issued on June 24, 1997 of ( 2) it can be utilized by. 도4의 처리 챔버(74)는 그것내에 배치될 때의 웨이퍼(들)(18) 상에서 플라스마 에칭 동작을 수행하기 위하여 (즉, 챔버(36)에 배치된 웨이퍼(들)(18)로부터 하나 이상의 층들을 제거하기 위하여) 특별히 적응된다. A processing chamber 74 of Figure 4 is to perform a plasma etch operation on the wafer (s) (18) when disposed within it (that is, one or more from the wafer (s) 18 disposed in the chamber 36 In order to remove the layer) it is particularly adapted. 처리 챔버(74)는 챔버(74)의 중앙, 세로축(76)에 대하여 배치되는 챔버 측벽들(78)을 포함한다. Processing chamber 74 includes a chamber sidewalls (78) disposed about the central, longitudinal axis 76 of chamber 74. 처리 챔버(74)에의 접근은 한 예로서, 챔버 커버(82)의 최소한 한 부분이 챔버 측벽들(78)로부터 제거될 수 있는 방식으로 챔버 측벽들(78)과 상호접속되는 챔버 커버(82)에 의하여 제공될 수 있다. Access to the process chamber 74 as an example, the chamber cover 82, at least the chamber cover is a part the chamber side walls (78) interconnected and in such a way that it can be removed from the chamber side walls 78 of 82 on may be provided by. 도시된 실시예에서, 챔버 커버(82)는 유지, 세정 또는 그 둘 모두를 위하여 처리 챔버(74)의 내부에 접근하기 위하여서만 제거된다. In the illustrated embodiment, the chamber cover 82 is removed exclusively to access the inside of the maintenance, cleaning, or the two process chambers (74) for both. 윈도우 부분(124)은 챔버 측벽(78)의 한 부분을 통하여 확장되고 투명 윈도우(112)와 정렬된다. The window portion 124 is extended and in alignment with a transparent window (112) through a portion of the chamber side walls 78. 윈도우(112)는 내부 표면(116) 및 외부 표면(120)을 포함하고, 처리 챔버(74)가 외부로 보여지게 하고 더 나아가 챔버(74) 내의 웨이퍼(들)(18) 상에서 수행되는 플라스마 처리상의 광학적 이미션 데이터를 얻기 위한 메카니즘을 제공하는 플라스마에 대한 경로를 제공한다. Plasma treatment is performed on the wafer (s) 18 in the window 112 is an inner surface 116 and includes an outer surface 120 and the process chamber 74 is made visible to the outside, and further the chamber 74 It provides a path for the plasma, which provides a mechanism for obtaining the data on the optical emission.

챔버(74) 내에서 수행되는 플라스마 처리들의 영향들로부터 챔버 측벽들(78) 및 챔버 커버(82)의 보호는 각각이 투명한 유전물질(예를 들어, 석영, 사파이어)로부터 형성되는 벨 단지(bell jar)(90) 및 벨 지붕(bell roof)(86)에 의하여 제공된다. Chamber (74) Protection of the chamber wall from the effect of plasma treatment (78) and the chamber cover (82) is performed within the bell only formed from a transparent dielectric material (e.g., quartz, sapphire), respectively (bell is provided by the jar) (90) and bell roof (bell roof) (86). 벨 단지(90)는 챔버 측벽들(78)의 내부 표면으로부터 방사상 내부방향으로 (예를 들어, 챔버(74)의 중앙, 세로축(76)의 방향으로) 떨어져 있다. Bell only 90 are spaced radially inward from the inner surface of the chamber side walls 78 (e. G., In the direction of the central, longitudinal axis 76 of the chamber 74). 벨 지붕(86)은 벨 단지(90) 상부에 배치되어 있고 엘리베이터(98)와 상호접속을 통하여 챔버(74)의 중앙, 세로축(76)과 최소한 실질적으로 평행인 방향으로 축상으로 움직일 수 있다. Bell roof 86 is bell can be moved in only 90, axial to the central, longitudinal axis (76) and at least substantially parallel to the direction of are arranged in the upper part and the elevator 98 and the chamber 74 through the interconnection. 엘리베이터(98)의 움직임은 하나 이상의 목적에 대하여 바람직할 수 있다. Movement of the elevator (98) may be desirable for one or more purposes. 예를 들어, 이 움직임은 한 실시예에서 챔버(74)를 위한 전극들 또는 "플라스마 발생기"인 샤워헤드(94) 및 웨이퍼 축받이(106)/웨이퍼 플랫폼(102) 사이의 공간을 변경시키기 위하여 사용될 수 있다. For example, the movement is used in order to change the space between the embodiment in which the shower head 94 and the wafer pedestal 106 / wafer platform 102, the electrodes for the chambers 74 or "plasma generator" can.

웨이퍼 축받이(106)는 그것과의 공간적 관계에서 벨 단지(90)에 방사상 내부방향으로 배치되고, 웨이퍼 플랫폼(104)은 웨이퍼 축받이(106)의 상면 상에 배치된다. A wafer pedestal 106 is disposed in a radially inward direction to the bell only 90 in spatial relationship to it, the wafer platform 104 is disposed on the upper surface of the wafer pedestal 106. 한 실시예에서, 웨이퍼 축받이(104) 및 웨이퍼 플랫폼(106) 둘 모두는 웨이퍼(18)가 통상적으로 실리콘-기반 물질들로부터 형성되기 때문에 실리콘-기반 물질들로 형성된다. In one embodiment, both the wafer pedestal 104 and wafer platform 106 to the silicon wafer 18 typically-based material is formed of silicon-based materials are formed from. 웨이퍼(18)는 챔버 측벽(78)을 통하여 확장되는 웨이퍼 액세스(80)를 통하여 처리 챔버(74)로 도입되고, 웨이퍼 플랫폼(104)의 상부 표면 상에 평평한 배열로 배치된다. Wafer 18 is introduced into the process chamber 74 through a wafer access (80) that extends through the chamber sidewall 78, it is arranged in a flat arrangement on the top surface of the wafer platform 104. 다양한 메카니즘들이 웨이퍼 플랫폼(104) 상에 형성되는 진공 포트(108)를 통하여 진공을 당김으로써 또는 정전기 전하들(도시하지 않음)을 사용함으로써와 같이, 챔버(74)에서 웨이퍼(18) 상에서 플라스마 처리의 실시 동안에 웨이퍼 플랫폼(104)의 웨이퍼(18)를 보유하기 위하여 사용될 수 있다. S by various mechanisms are pulling the vacuum through the vacuum port 108, which is formed on the wafer platform 104, and static charge, such as by using a (not shown), a plasma on the wafer 18 in the chamber 74. Processing while the embodiments may be used to hold the wafer 18 in the wafer platform 104. 처리 챔버(74)로의 웨이퍼(18)의 전달은 웨이퍼 처리 어셈블리 44의 웨이퍼 블레이드(66) (도1 및 도3a-b)에 의하여 다시 제공된다. Transfer of the wafer 18 into the processing chamber 74 is provided again by the wafer processing assembly 44 the wafer blade 66 (Fig. 1 and Fig. 3a-b) of the. 웨이퍼 블레이드(66)가 처리 챔버(74)로부터 후퇴된 후에, 진공이 플라스마 처리가 시작되기 전에 처리 챔버(74) 내에서 발생된다. After the wafer blade 66 is retracted from the process chamber 74, it is generated in the processing chamber 74 before the vacuum starts, the plasma treatment.

샤워헤드(94)는 축상으로 움직일 수 있도록 엘리베이터(98)와 상호접속되고, 또한 한 실시예에서 상기에 지적한 이유로 실리콘-기반 물질로부터 형성된다. A shower head 94 are mutually connected to the elevator (98) to move axially, and silicon two euros indicated above in one embodiment - is formed from the base material. 샤워헤드(94)는 플라스마를 위하여 원하는 가스 흐름 패턴을 정의하는 방식으로 진공 챔버(84) 내에서 인가된 가스들을 분산시키는 목적을 위하여 하나 이상의 구멍(도시하지 않음)을 포함한다. The shower head 94 includes one or more holes for the purpose of dispersing the applied gas in the vacuum chamber 84 in a manner to define a desired gas flow pattern to the plasma (not shown). 가스들은 석영 벨 지붕(86)에 형성된 가스 인입 포트(100)를 통하여 샤워헤드(94)에 제공된다. Gas are provided to the shower head 94 through the gas inlet port 100 formed in a quartz bell roof (86). 적절한 가스들이 처리 챔버(74) 내에 다른 적당한 조건들(예를 들어, 압력, 온도, 흐름속도)하에서 함유되면서, 적당한 전압이 웨이퍼 플라스마(104) 상부의 챔버(74) 내에서 플라스마를 발생시키기 위하여 하나 이상의 웨이퍼 축받이(106) 및 샤워헤드(94)에 적용될 수 있다. S are appropriate gases other appropriate conditions, into the process chamber 74 as contained under (e. G., Pressure, temperature, flow rate), to generate a plasma in the chamber 74 of the upper appropriate voltage wafer plasma 104 It may be applied to one or more of the wafer pedestal 106 and a showerhead (94). 그래서 샤워헤드(94)뿐만 아니라 웨이퍼 축받이(106) 및 웨이퍼 플랫폼(104)도 또한 언급한 바와 같이 도시된 실시예에서 전극들로서 동작한다. So the shower head 94 also, as well as the wafer pedestal 106 and the wafer platform 104 also functions as the electrode in the embodiment shown, as mentioned. 이 전극들에 의하여 발생되는 전기장은 또한 전극들 사이의 공간에 플라스마를 유동적으로 제한하도록 동작한다. The electric field generated by the electrodes is also operable to dynamically limit the plasma in the space between the electrodes.

도5는 소정의 플라스마 처리 동작을 위한 도4의 처리 챔버(74)에 가스들을 제공하기 위하여 사용될 수 있는 가스 전달 시스템(150)의 한 실시예를 도시한다. Figure 5 illustrates one embodiment of a gas delivery system 150 that can be used to provide gas to the process chamber 74 of FIG. 4 for a given plasma processing operation. 다른 시스템들이 역시 활용될 수 있다. Other systems may also be utilized. 가스 전달 시스템(150)은 복수의 저장 탱크(154)를 포함하는데, 각각은 직접적으로 또는 간접적으로 처리 챔버(74)와 유동적으로 상호 접속되어 있다. To the gas delivery system 150 includes a plurality of storage tanks 154, each of which is fluidly connected to each other directly or indirectly to the processing chamber (74). 저장 탱크(154a-d)는 진공 챔버(84) 내에서 플라스마의 가스 조성을 정의하는 하나 이상의 타입들의 인가 가스들을 포함시키기 위하여 활용될 수 있다. Storage tanks (154a-d) may be utilized in order to include the composition of the plasma gas is defined by one or more types of gases in the vacuum chamber (84). 각 저장 탱크(154b-d)는 가스 라인들(158b-d)에 의하여 믹서(166)와 유동적으로 상 호접속되어 있으며, 여기에서 인가 가스들은 가스라인(158e)을 거쳐 샤워헤드(94)를 통하여 처리 챔버(74)로 제공되기 전에 적당하게 혼합될 수 있다. And each storage tank (154b-d) is a call connection to the fluid and the mixer 166 by the gas lines (158b-d), is applied here gases through the gas line (158e), the showerhead (94) through it may be suitably mixed before being provided to the process chamber 74. 또한 인가 가스들의 혼합은 매니폴드(도시하지 않음)에서 발생할 수 있고, 인가 가스들의 각각은 개별적으로 매니폴드로 흐르며 매니폴드는처리 챔버(74) 내에 포함되거나 처리 챔버(74)의 일부분일 수 있다. Each of the addition, mixing of the applied gas may occur in a manifold (not shown), applying gas is independently flowed to the manifold the manifold may be a part of or contained within a process chamber 74, process chamber 74, . 그러면 매니폴드는 가스 인입 포트(100)와 인터페이스할 것이고, 이 타입의 매니폴드는 또한 믹서(166)와의 조합에 사용될 수 있다. The manifold will interface with the gas inlet port 100, the manifold of this type may also be used in combination with the mixer 166. 어떤 경우들에서 플라스마를 정의하기 위하여 처리 챔버(74)에 제공되는 인가 가스들의 조성은 연소시키기 어려울 수 있다. In order to define the plasma in certain cases the composition of the gas is provided to the process chamber 74 may be difficult to burn. 이 상황은 저장 탱크(154a)에 적당한 가스를 포함시킴으로써 개선된다. This situation is improved by including the appropriate gas in storage tanks (154a). 인가 가스들의 조성보다 보다 용이하게 연소될 수 있는 가스 조성이 저장 탱크(154a) 내에 포함된다. Applying gas composition that can be more easily than the combustion of the gas composition is contained within a reservoir (154a). 그러면 플라스마의 연소는 저장 탱크들(154b-d)로부터의 원하는 인가 가스들의 흐름에 따라, 저장 탱크(154a)로부터 처리 챔버(74)로 연소가스의 흐름을 정함에 의하여 그리고 플라스마를 발생시키기 위하여 인가 가스들을 연소시키는 연소 가스의 연소를 사용함에 의하여 영향을 받을 것이다. This is applied to the plasma combustion is to cause the storage tank to by tenderness the flow of combustion gas, the storage tank, the processing chamber 74 from (154a) with the passage of the desired applied gas from (154b-d) and plasma It will be affected by the use of the combustion of the combustion gas to the combustion gases.

플라스마 감시 어셈블리(174) - 도6 및 도7 Plasma monitoring assembly (174) - Figures 6 and 7

상기에서 설명된 구성요소들은 웨이퍼 생산 시스템의 전체적 기능에 대하여 분명하게 중요하다. The components described above are clearly important for the overall functionality of the wafer production system. 그러나, 본 발명은 플라스마 자체의 감시 또는 평가에 보다 특별히 관련된다. However, the invention is particularly relevant than the monitoring or evaluation of the plasma itself. 그래서, 다음의 구성요소들은 이전의 것을 포함하여, 임의의 타입의 플라스마-기반 시스템에 통합될 수 있다. So, the following components including the earlier, plasma of any type may be incorporated into the base system.

플라스마 처리들의 감시/평가를 위한 어셈블리의 한 실시예 및 그것이 도1의 웨이퍼 생산 시스템(2)에서 통합되는 것이 도6에 도시되어 있다. One embodiment of an assembly for monitoring / evaluation of the plasma treatment, and for example, it would also be integrated in a wafer production system 2 of the first is shown in FIG. 플라스마 감시 어셈블리(174)는 윈도우(38)를 통하여 처리 챔버(36) 밖으로 통과하는 플라스마의 광학적 이미션들을 수신함으로써 처리 챔버(36)의 윈도우와 작동적으로 인터페이스한다. Plasma Monitoring assembly 174 interfaces with the window and operatively in the treatment chamber 36 by receiving the optical emission of the plasma to pass out of the processing chamber 36 through the window 38. 이 광학적 이미션들은 윈도우(38)의 외부 표면(42)에 또는 가깝게 위치되어 있는 적당한 섬유 광케이블(178)에 의하여 "수집"된다. The optical emission are "collected" by a suitable fiber optical cable 178 that is located on or close to the outer surface 42 of the window 38. 고정된 위치상의 관계에 있는 섬유 광케이블 및 처리 챔버의 윈도우를 유지하는 방식을 도시한 설비들은 도36 및 39에 제시되어 있다. Illustrating the manner for holding the window of the fiber optical cable and a process chamber in a fixed position relationship equipment are shown in FIGS. 36 and 39. 웨이퍼의 처리 동안에 처리 챔버(36) 내에서의 플라스마의 광학적 이미션들은 섬유 광케이블(178)에 들어가고 스펙트로미터 어셈블리(182)로 향해진다. Plasma optical emission in the processing of the chamber 36 during processing of wafers is entered in the fiber optical cable 178 toward the spectrometer assembly (182). 스캐닝-타입 및 고체 상태 스펙트로미터 모두는 스펙트로미터 어셈블리(182)로서 사용될 수 있다. Scanning-type, and all of the solid-state spectrometer may be used as a spectrometer assembly 182. 어셈블리(182)는 또한 하나 이상의 적당하게 상호 접속된 스펙트로미터를 포함할 수 있는데, 각각은 서로 다른 영역으로부터 광학적 이미션 데이터를 얻는다. Assembly 182 can also include one or more suitably interconnecting spectrometer, each of which obtains the optical emission data from different areas. 스펙트로미터 어셈블리(182)는 이 광학적 이미션들을 복수의 개별 파장들로 분리하고 이 분리된 광 성분들을 해당하는 전기 신호로의 전환을 위하여 전하 결합 장치들(charge coupled devices)의 어레이(186)(이하에서는 CCD 어레이(186)이라 함)로 제공한다. Spectrometer assembly 182 is an array 186 of the optical already separate illustration of a plurality of separate wavelength and a separate charge coupled device in order to switch to an electric signal corresponding to the light component (charge coupled devices) ( hereinafter, the term provided by the CCD array 186).

컴퓨터-판독가능 신호는 CCD 어레이(186)에 의하여 플라스마 감시 어셈블리(174)의 주요한 제어 메커니즘인 플라스마 감시 제어 유닛(128)(이하에서는 "PMCU(128)"이라 함)로 제공된다. The computer-readable signal is a plasma monitor control unit 128, the main control mechanism of the plasma monitoring assembly 174 by the CCD array 186 (hereinafter referred to as "PMCU 128") is provided with. 한 실시예에서, PMCU(128)는 최소한 하나의 마더보드, 최소한 하나의 아날로그-대-디지털 전환 보드, 각 마더보드를 위한 최소한 하나의 중앙 처리 장치(CPU), 및 최소한 하나의 플로피 디스크 드라이브, 최소한 하나의 하드 디스크 드라이브 및 최소한 하나의 CD 롬 드라이브와 같은 하나 이상의 타입의 컴퓨터-판독가능 저장 매체들을 포함하도록 (그러나 이것에 한정되지는 않음) 구성될 수 있는 컴퓨터이다. In one embodiment, PMCU (128) is at least one mother board, at least one analog-to-digital conversion board, at least one central processor for each mother board unit (CPU), and at least one floppy disk drive, a computer, which may be (but is not limited to this, however) to cover readable storage medium configured - at least one hard disk drive and at least one of the one or more types of computers, such as a CD-ROM drive. 담당자가 플라스마 감시 어셈블리(174)에 의하여 사용되는 또는 관련한 정보를 기입하게 하기 위한 하나 이상의 데이터 기입 장치들(132)(예를 들어, 마우스, 라이트펜, 키보드)뿐만 아니라 작동 담당자에게 시각/청각-기반 정보를 제공하기 위한 디스플레이(130)과 같은 다른 하드웨어가 작동적으로 PMCU(128)에 상호 접속될 수 있다. One or more data writing apparatus for personnel to be written to or related to the information used by the plasma monitoring assembly 174, 132 (e.g., a mouse, a light pen, a keyboard), as well as visual / audible to the operator staff-based the different hardware, such as a display 130 for providing the information may be interconnected to operatively with PMCU (128). 하나의 PMCU(128)는 각 챔버(36)에 대하여 제공될 수 있거나, PMCU(128)는 다중 챔버들(36)을 서비스하도록 구성될 수 있다. One PMCU (128) is or can be provided for each chamber 36, PMCU (128) may be configured to service the multiple chamber 36. PMCU(128)는 또한 PMCU 및 MCU(58)이 서로 통신할 수 있도록 웨이퍼 생산 시스템(2)의 MCU(58)과 작동적으로 인터페이스되거나 상호접속된다. PMCU (128) is also PMCU and the MCU (58) the number of wafer production system (2) MCU (58) and operatively interface with the to communicate with one another or are interconnected.

PMCU(128)는 플라스마 감시 모듈(200)을 포함하고 그것의 서브-모듈들은 PMCU(128)와 연결된 컴퓨터-판독가능 저장 매체 상에(예를 들어, 이동성 컴퓨터 디스켓(들) 상에, 하드 드라이브 상에, CD(들) 상에) 저장될 수 있다. PMCU (128) comprises a plasma monitoring module 200 and its sub-modules and the connected PC PMCU (128) - in the on-readable storage medium (e.g., a mobile computer diskette (s), a hard drive, on, it may be stored on a CD (s)). 플라스마 감시 모듈(200) 및 이 서브-모듈들은 도7에 도시되어 있다. Plasma monitoring module 200 and the sub-modules are shown in FIG. 하나의 서브-모듈은 현재 플라스마 처리 모듈(250)을 통하여 다른 서브-모듈들을 접근하는 방식을 제공하는 시동 모듈(202)이다. A sub-module current through the plasma processing module 250 other sub-starting the module 202 to provide a way to access the module. 플라스마 감시 모듈(200)의 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 챔버(36)에서 플라스마의 광학적 이미션 데이터의 평가를 통하여 챔버(36) 내에서 수행될 수 있는 다양한 타입들의 플라스마 처리의 감시 또는 평가를 용이하게 한다. Current plasma monitoring module 200, plasma processing module 250 is a monitoring or evaluation of the plasma treatment of the various types that can be performed in the chamber 36 through the optically existing list of design data of a plasma in the chamber 36 It facilitates. 도6의 실시예의 경우에, 광학적 이미션 데이터는 섬유 광 케이블(178)에 의하여 수집되고 광을 그것의 개별 광 성분들로 분해하는 스펙트로미터 어셈블리(182)로 전달된다. The embodiment of Figure 6, the data is transmitted to the optical emission spectrometer assembly 182 to collect by the fiber optic cable (178) decomposes the light into its individual optical components. 그러면 이러한 광학적 이미션 성분들의 데이터 표본은 상기에서 설명된 바와 같이 CCD 어레이(186)를 통하여 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 활용될 수 있다. The data sample of such optical emission component may be utilized in the present plasma processing module 250 through the CCD array 186 as described above.

현재 플라스마 처리 모듈(250)을 통한 현재 플라스마 처리의 평가 또는 감시는 바람직하게 최소한 UV 범위에 속하는 파장들로부터 근적외선 범위에 속하는 것까지를 포함하도록 플라스마로부터 광학적 이미션들을 수집하고 그래서 가시광선 스펙트럼을 포함시킴으로써 용이하게 된다. Current evaluation or monitoring of the plasma treatment current through the plasma processing module 250 is preferably at least to contain as far as belonging to the near infrared range from a wavelength belonging to the UV range collect optical emission from the plasma, and so includes the visible spectrum thereby it is facilitated. 한 실시예에서, (예를 들어, 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의한, 수동적으로 적절한 담당자에 의한) 평가를 위하여 얻어지고 활용될 수 있는 처리 챔버(36)에서의 플라스마의 광학적 이미션들은 최소한 약 250 나노미터에서 약 1,000 나노미터까지의 파장들을 포함하고, 보다 바람직하게는 최소한 약 150 나노미터에서 약 1,200 나노미터까지의 파장들을 포함한다. In one embodiment, the plasma optical emission in the in the processing chamber 36, which may be obtained and utilized for the evaluation (e.g., the current plasma treatment module (, passively by the appropriate personnel by 250)) are at least It includes a wavelength from about 250 nanometers to about 1,000 nanometers, and more preferably includes at least a wavelength of from about 150 nanometers to about 1,200 nanometers. 이후에는 챔버(36)에서 플라스마로 얻어지고/수집되고, 상기 언급된 범위들 또는 대역폭들의 각각을 포함하는 광학적 이미션들의 상기 언급된 원하는 범위 또는 대역폭은 "바람직한 광 대역폭"으로 언급될 것이다. After that is collected is obtained by a plasma in the chamber 36 /, will be referred to the above-mentioned range, or the above-mentioned desired range of optical emission, including the bandwidth of each bandwidth or a "desired bandwidth".

바람직한 광 대역폭 내의 그리고 바람직한 광 대역폭에 걸친 광 또는 파장 분해능들은 바람직하게 약 1 나노미터를 넘지 않고, 보다 바람직하게는 약 0.5 나노미터를 넘지 않는다 (현재 0.4의 파장 분해능을 고려함). The preferred light and the light or wavelength resolution over the desired bandwidth in the bandwidth are preferably not more than about one nanometer, and more preferably no more than about 0.5 nanometers (taking into account the wavelength resolution of the current 0.4). 이 문헌에서의 용어 "파장 분해능"는 수집되는 광학적 이미션 데이터에서 이웃하는 파장들 사이에서 분리되는 정도를 의미한다. The term "wavelength resolution" in this document refers to the degree of separation between neighboring wavelengths in the optical emission data are collected. 그러므로, 챔버(36)에서 플라스마로부터 광학적 이미션 데이터를 수집하기 위해 사용되는 파장 분해능이 1 나노미터라면, 1 나노미터보다 작은 간격이 바람직한 광 대역폭 내의 그리고 바람직한 광 대역폭에 걸친 임의의 두 개의 데이터 포인트들 사이에 존재할 것이다. Therefore, the wavelength resolution is used to collect the optical emission data from the plasma in the chamber 36 is 1 nanometer, if, any two data points spanning and desired bandwidth within a desired bandwidth smaller distance than 1 nanometer It will be present between. 비록 동일한 간격들이 전형적으로 바람직한 광 대역폭 내에 그리고 바람직한 광 대역폭에 걸쳐 파장 분해능과 관련하여 활용될 것이라 하더라도, 이것은 "파장 분해능"이 동일한 간격들, 동일하지 않는 간격들, 및 그들의 조합을 포함하는 경우일 필요는 없다. Although the same intervals are over in the typically desired bandwidth and a desired bandwidth, even if shall be used in relation to the wavelength resolution, which is one if they include the "wavelength resolution" it is equal intervals, which do not have the same spacing, and combinations thereof it is not necessary. 이하에서, 상기 언급된 광 또는 파장 분해능에 대한 크기는 "바람직한 데이터 분해능"으로 언급될 것이다. In the following, the size of the above-mentioned light wavelength or resolution will be referred to as "desired data resolution."

챔버(36)에서의 플라스마의 광학적 이미션 데이터의 양과 관련하는 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 효과에 관련된 다른 요소는 이 데이터가 플라스마 처리 동안에 취해지는 시간들이다. Are other factors involved in the effects of plasma processing module 250 for an optical plasma in the chamber 36 is already related to the amount of design data are the time that the data has been taken during the plasma treatment. 챔버(36)에서의 플라스마의 광학적 이미션 데이터는 바람직하게 최소한 매 1초마다 얻어지고, 보다 바람직하게는 최소한 매1/3초마다 얻어진다. Plasma optical emission data of the chamber 36 is preferably obtained at least every 1 second, it is more preferably obtained every 1/3 second sheet at least. 비록 동일한 간격들이 전형적으로 광학적 이미션 데이터가 챔버(36)에서의 플라스마에 대하여 수집되는 시간들과 관련하여 활용될 것이라 하더라도, 이것은 동일한 시간 간격들, 동일하지 않는 간격들 및 이것들의 조합이 활용될 수 있는 경우일 필요는 없다. Although the same intervals are typically optically even emission data that would be utilized in connection with the time to be collected with respect to the plasma in chamber 36, which is to be utilized in the same time interval, it does not have the same spacing, and a combination of these If you do not need one. 이하에서, 상기 언급된 챔버(36)에서의 플라스마의 광학적 이미션 데이터를 얻기 위한 시간 크기들은 "바람직한 데이터 수집 시간 분해능"으로 언급될 것이다. In the following, will be referred to the above-mentioned amount of time for obtaining the plasma optical emission data of the chamber 36 are a "preferred data acquisition time resolution".

도6에 도시된 스펙트로미터 어셈블리(182)는 상기 언급된 기준을 충족할 수 있어야 하고, 많은 실행들이 활용될 수 있다. The spectrometer assembly 182 shown in Figure 6 may be to be able to meet the aforementioned criteria, to take advantage of many runs. 예를 들어, 스펙트로미터 어셈블리(182)는 스펙트로미터 어셈블리(182)가 바람직한 데이터 분해능을 사용하는 바람직한 광 대역폭을 포함하는 바람직한 데이터 수집 시간 분해능에서의 데이터를 얻는 스펙트럼을 스캔하기 위한 구조를 포함하는 스캐닝 타입을 가질 수 있다 (예를 들어, 250-550 나노미터 파장들의 첫 번째 광학적 이미션 세그먼트 또는 영역을 스캔하고, 500-750 나노미터 파장들의 두 번째 세그먼트를 스캔하고, 700-950 나노미터 파장들의 세 번째 세그먼트를 스캔하며, 이것의 각각은 데이터를 잃어버릴 확률을 감소시키고 더 나아가 스펙트럼 세그먼트들의 정렬을 용이하게 하도록 중첩된다). For example, the spectrometer assembly 182 is scanning, including the mechanism to scan the spectrum to obtain data in the preferred data acquisition time resolution containing the desired bandwidth that uses the spectrometer assembly 182. A preferred data resolution may have a type (e. g., 250-550 scanning a first optical emission segment or domain of nanometers wavelength and scan the second segment of the 500-750 nanometer wavelength, and a wavelength of 700-950 nanometers three scans a first segment, each of which is superimposed so as to reduce the probability of losing data and further facilitate alignment of the spectral segment). 스펙트로미터 어셈블리(182)는 또한 고체 상태 장치일 수 있다. Spectrometer assembly 182 may also be a solid state device. 다중 서브유닛들 또는 처리 카드들은 상기에서 언급된 스캐닝 타입과 유사하게 기능하는 병렬적 관계에서 접속될 수 있다. Multiple sub-units or processing card can be connected in parallel relationship to similarly function as a scanning type mentioned above. 즉, 그러면 고체 상태 장치의 각 서브유닛 또는 처리 카드는 바람직한 데이터 분해능을 사용하는 바람직한 광 대역폭 내에서 그리고 바람직한 데이터 수집 시간 분해능에서 특정 광학적 이미션 세그먼트 또는 영역에 대한 정보를 제공할 것이다. In other words, then each sub-unit or a processing card in a solid state device will provide information about a particular segment or region in the optical emission within a desired bandwidth that uses the desired data resolution and data acquisition time resolution desired.

예시적 플라스마 레시피 스펙트럼 - 도8 Exemplary plasma recipe spectrum-8

분석을 위한 도7의 현재 플라스마 처리 모듈(200)에 대하여 활용될 수 있는 컴퓨터-판독가능 형태의 대표적 또는 예시적 스펙트럼이 도8에 제시된다. A computer that can be used for the current plasma process module 200 of Figure 7 for the analysis are typical or example of the readable morphological spectrum is presented in Fig. 단지 바람직한 광 대역폭의 한 부분이 스펙트럼(246)에 의하여 제시된다. Only a part of the preferred bandwidth is provided by the spectrum (246). 그러나, 그것은 현재 플라스마 처리가 각 경우에서 전체 바람직한 광 대역폭을 가질 필요는 없기 때문에 본 발명과 관련된 어떤 원리들을 설명하기 위하여 공헌한다. However, it contributes to explain certain principles related to the present invention because it is the current plasma process needs to have a full bandwidth preferred in each case. 스펙트럼(246)은 400 나노미터에서 700 나노미터의 파장 범위 내의 그리고 플라스마 처리가 도1의 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 시간에서의 어떤 고정된 포인트에서의 (예를 들어 현재 시간 t n 에서의) 데이터를 포함한다. Spectrum 246 at 400 nanometers, 700 nanometers (e.g., at some fixed point in time is performed in the processing chamber 36 of the and the plasma treatment Figure 1 in a wavelength range containing the current time t n of a) it includes data. 도8의 스펙트럼(246)의 다양한 특성들은 도7의 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 취해지는 분석에서 사용될 수 있다. Various characteristics of the spectrum 246 of Fig. 8 can be used in the current analysis are taken by the plasma processing module 250 of FIG. 이 특성들은 스펙트럼(246)의 전체 패턴, 스펙트럼(246)에서 하나 이상의 세기 피크들(248)의 하나 이상의 위치 및 세기, 및 하나 이상의 세기 피크(248)의 하나 이상의 상대적 위치 및 상대적 세기를 포함한다. The characteristics include the entire pattern, at least one position and intensity of one or more intensity peak of 248 in the spectrum 246, and one or more relative position and the relative intensity of one or more intensity peak 248 of the spectrum 246 .

도7의 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 처리 챔버(36) 내에서 이전에 수행되는 하나 이상의 플라스마 처리들로부터 얻어진 스펙트럼의 수집과 작동적으로 인터페이스한다. Current plasma processing module 250 of Figure 7 is operatively interface with the acquisition and the spectrum obtained from one or more of the plasma treatment is carried out prior to in the processing chamber 36. 일반적으로, 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 플라스마 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 현재 플라스마 처리로부터 데이터를 접수하고, 한 경우 (조사 모듈(1300))를 제외한 모두에서, 현재 플라스마 처리를 평가하거나 감시하기 위하여 이 데이터 또는 그것의 최소한 한 부분을 바로 이것과 동일한 플라스마 처리 챔버(36) 내에서 이전에 수행된 하나 이상의 플라스마 처리들로부터의 데이터와 비교한다. In general, the present plasma processing module 250 in all but the received data at the current plasma process to be performed in the plasma processing chamber 36, and when the (illumination module 1300), evaluates the current plasma process, or to monitor and compared with the data from the data, or at least its part immediately to this and at least one plasma treatment performed before in the same plasma processing chamber 36. 이 비교는 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 어떤 서브-모듈(들)이 활용되는지에 의존하여 현재 플라스마 처리에 관한 어떤 정보를 제공한다. The comparison of the plasma current which sub-processing module (250) depending on whether the module (s) is utilized at present provide any information about the plasma treatment. 이러한 서브-모듈들의 각각은 관계있는 도면들과 관련하여 아래에서 보다 상세하게 논의될 것이다. These sub-modules of each will be discussed in more detail below in conjunction with the drawings in relationship. 그러나, 데이터가 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 액세스를 위하여 어떻게 조직화되는지에 대한 이해는 이러한 서브-모듈들의 보다 완전한 이해를 용이하게 할 수 있다. However, the understanding of how that data is organized for access by the present plasma processing module 250 includes the sub-can facilitate a more complete understanding of the modules.

플라스마 스펙트럼 디렉토리(284) - 도9-도12b Plasma spectrum directory 284 - Fig. 9 Fig. 12b

이전의 플라스마 처리들의 데이터 수집이 어떻게 현재 플라스마 처리모듈(250)에 의한 사용을 위하여 조직화될 수 있는지에 대한 한 실시예는 도9에 도시되어 있다. One example of how a data collection of a plasma treatment prior to the can be organized for use by the present plasma processing module 250 is shown in FIG. 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)는 많은 서브디렉토리들 또는 서브세트들의 분류적으로 유사한 데이터를 포함하고, 전형적으로 단일 처리 챔버(36)에 특정적이고 (디렉토리(284) 내의 데이터가 특정 챔버(36)에 대하여 어떤 방식으로 색인된다면 동일한 디렉토리(284)는 다중 챔버(36)를 위하여 사용될 수 있다 하더라도), 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 하나 이상의 서브모듈들에 의하여 접근되며, 바람직하게 PMCU의 또는 PMCU와 관련된 컴퓨터-판독가능 매체(예를 들어, 하나 이상의 컴퓨터 디스켓들, 하드 드라이브, 하나 이상의 CD들)에 저장된다. Plasma spectrum directory 284 of Figure 9 includes data similar to the classification enemy many sub directories or sub-set, typically data that particular chamber (36 in a specific, (the directory 284 in a single processing chamber 36 ) the same directory 284. If the index in any way with respect to the even can be used for a multi-chamber 36), the current is accessed by one or more sub-module of the plasma processing module 250, preferably PMCU or computer related PMCU - readable medium is stored in the (e. g., one or more computer diskettes, hard drives, one or more CD). 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 이 서브디렉토리들의 각각에서 각 데이터 엔트리에 포함되는 관련 데이터는 스펙트럼 (광학적 이미션 데이터)이고, 한 경우 (보정광 서브디렉토리(310))를 제외하고 모두에서, 관련 시간에 그리고 여기에서 다른 언급이 없다면 전형적으로 바람직한 광 대역폭 내에서 그리고 바람직한 데이터 분해능에서 처리 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼이다. In both plasma spectrum in each of the sub-directories in the directory 284, the relevant data contained in each data entry with the exception of the spectrum (optical emission data), and when the (corrected light subdirectories 310), the relevant time on and unless otherwise referred to herein in the typically desired bandwidth and a spectrum of the plasma in the processing chamber 36 at the desired data resolution.

처리 챔버(36)에서 현재 실시되는 플라스마 처리들을 평가/감시하기 위한 정렬들의 표준으로서 사용되거나 그러한 플라스마 처리들 동안에 플라스마의 상태 또는 조건을 평가하는 플라스마 처리들은 "정상 플라스마 처리들의 스펙트럼"으로 표제되고 참조부호 288로 규정되는 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 서브디렉토리 (이하에서는 "정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)"이라 함)에 저장된다. Using the present exemplary plasma processing in the process chamber (36) as the standard of the alignment for the assessment / monitoring or such a plasma treatment in during the plasma treatment to evaluate the condition or conditions of the plasma are titled with "spectrum of normal plasma treatment" refer to (hereinafter referred to as "normal spectrum subdirectory 288") subdirectory of the directory plasma spectrum 284 of Fig. 9 which is defined by reference numeral 288 is stored in. 처리 챔버(36)에서 수행되는 하나 이상의 플라스마 처리들로부터의 실제적 스펙트럼 데이터는 이 챔버(36)와 관련된 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된다. In practice the spectral data from one or more plasma processing performed in the processing chamber 36 is stored in the normal spectral directory 288 associated with the chamber 36. 상기에서 언급된 플라스마 처리들, (이전의 습식 세정(wet clean)을 수행하거나 수행하지 않는) 플라스마 세정 동작 또는 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 작동과 같은 플라스마 처리들의 다양한 카테고리들 또는 종류들은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장될 수 있고, 이 카테고리들의 각각 내에서 플라스마 처리들의 하나 이상의 실행들은 또한 서브디렉토리(288)에 저장될 수 있다. In the plasma treatment mentioned above, different categories or types are the normal spectrum subdirectory of plasma processing, such as (formerly known as wet cleaning (wet clean) to perform, or not that is performed) plasma cleaning operation or a plasma cleaning, adjustment wafer operation ( can be stored in 288), the at least one execution of the plasma process within each of the categories may also be stored in subdirectory 288. 플라스마 처리의 각 카테고리는 "폴더" 또는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)과 유사한 것 ("정상" 플라스마 처리들을 위한 폴더, 챔버(36)을 첫 번째 습식 세정함이 없이 수행되는 "정상" 플라스마 세정들을 위한 개별 폴더, 챔버(36)의 습식 세정후에 수행되는 "정상" 플라스마 세정들을 위한 개별 폴더, 및 "정상" 조절 웨이퍼 작동들을 위한 개별 폴더)에서 조직화될 수 있거나, 분류적으로 유사한 처리들을 함께 그룹화하기 위하여 플라스마 처리의 특정 카테고리/종류의 대표로서 그것을 확인하는 코드를 가질 수 있다. Each category of the plasma processing "folder" or normal spectrum subdirectory 288 is similar to ( "normal" folder for the plasma treatment, the chamber 36, the first wet-aged man, unstable for a "normal" plasma cleaning is carried out without to may be organized in a "normal" individual folders for plasma cleaning, and a "normal" individual folders for adjusting wafer operation) is performed after wet cleaning of individual folders, chamber 36, grouped with similar treatment as classification enemy to be represented as a specific category / type of the plasma treatment may have a code that identifies it.

스펙트럼 데이터는 바로 이 동일한 처리 챔버(36)에서 수행되는 후속의 플라스마 처리들이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 최소한 하나의 플라스마 처리들에 따라 처리되는지를 결정하기 위하여 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 사용된다. On this plasma processing module 250 to determine whether the plasma processing of the next to be processed in accordance with at least one plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 288, that is performed in the spectral data, the same process chamber 36 just by is used. 그래서 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 있는 엔트리들은 어떤 미래 시간에 바로 이 동일한 처리 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리들의 평가를 위한 "모델" 또는 "표준"으로서 사용된다. Thus entries in the normal spectrum subdirectory 288 are used as the "model" or "standard" for the evaluation of plasma processing to be performed directly in the same processing chamber 36 to some future time. 데이터가 어떻게 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 실제로 들어가는지는 시동 모듈(202) 및 도13-14와 관련하여 아래에서 상세하게 논의될 것이다. And how the data is associated with a normal spectrum which start module actually entering the subdirectory 288, 202, and 13-14 will be discussed in detail below. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에의 엔트리들은해당 챔버(36)에서 수행되는 실제적 플라스마 처리들로부터 온다라고 말하면 충분하다. Entry to the normal spectrum subdirectory 288 are sufficient, they say coming from a practical plasma process performed in the chamber 36. 이 플라스마 처리들은 원하는 또는 소정의 방식으로 또는 보다 특정적으로 어떠한 실질적/의미있는 에러들 또는 이상없이 수행하기 위하여 (예를 들어 후-플라스마 처리 테스트에 의하여) 확인되거나 추정된다 (그리고 전형적으로 나중에 확인된다). The plasma treatment are to carry out without any or error or more than a predetermined method, or more in any substantial / mean specifically-is (e.g., then, by plasma treatment test) check or estimation (and typically to check later do). 임의의 플라스마 처리의 사전-분석 또는 지식은 처리 챔버(36)에서 현재 수행되는 플라스마 처리를 평가하기 위하여 현재 플라스마 처리 모듈(250) 및 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)를 사용하는데 요구되지는 않는다. Dictionary of any plasma treatment-analysis or knowledge is not required to use the current plasma process module 250 and the normal spectral directory 288 in order to evaluate the plasma process to be currently performed in the processing chamber 36. 소정 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리 ABC로부터의 스펙트럼 데이터는 이 동일한 챔버(36)에서 이 동일한 플라스마 처리 ABC의 임의의 후속 수행이 단지 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 이미 저장된 플라스마 처리 ABC로부터의 스펙트럼 데이터에 따라 수행되는지를 결정하는 목적을 위하여 어떤 날에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장될 수 있다. From the plasma processing is spectral data are in the same chamber 36, any follow-up carried out in the same plasma processing ABC from the ABC only normal spectral plasma treatment ABC already stored in the directory 288, is performed in a predetermined chamber 36 for the purposes of determining are performed in accordance with the spectral data may be stored in a normal spectrum subdirectory 288 in one day. 처리 챔버(36)에서 플라스마 처리를 수행하는 동안에 이미 직면한 에러들 또는 이상들은 ""비정상" 플라스마 처리들의 스펙트럼"이라고 표제되고 참조부호 292로 규정되는 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 서브디렉토리 (이하에서는 "비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)라고 함) 내에 포함된다. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)과 관련하여 상기에서 언급된 임의의 플라스마 처리들에 관한 데이터는 또한 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 저장될 수 있고, 상기에서 언급된 조직화 기술들은 여기에서 역시 활용될 수 있다. 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에의 기입사항들은 처리 챔버(36)에서 수행되는 소정의 플라스마 처리가 원하는 또는 소정의 방식으로 진행될 때 (예를 들어, 처리가 정상 스펙트럼서브디렉토리(288)의 관련 플라스마 처리(들 Processing chamber 36 already faced errors or over while performing a plasma treatment in are the "for" abnormal "of the plasma spectrum directory 284 of FIG. 9 defined the spectrum of the plasma treatment," and the title is called by the reference numeral 292 subdirectory (hereinafter "referred to as abnormal spectrum subdirectory 292) are contained within. the normal spectral directory data relating to any of the plasma treatment mentioned above with respect to 288 is also abnormal spectrum subdirectory 292 may be stored, organized technique mentioned above can also be utilized here, a predetermined plasma processing is performed in an abnormal spectrum subdirectory 292 to the write locations are the processing chamber 36 to a desired or predetermined manner when conducted (for example, processing related plasma treatment of the normal spectrum subdirectory 288 (s )에 따라 진행되지 않을 때), 더 나아가 에러 또는 이상의 원인 또는 원인들이 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)로 확인될 때 만들어진다. 이것은 전형적으로 해당 플라스마 처리의 나머지로부터의 가능한 스펙트럼 데이터뿐만 아니라 해당 플라스마 처리에서의 에러 또는 이상이 처음으로 발생할 때로부터의 스펙트럼 데이터의 최소한 그 부분의 분석을 요구한다. 어떤 플라스마 처리에서의 에러들 또는 이상들은 전형적으로 처리 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼으로 증명될 것이다. 게다가, 바람직한 광 대역폭에서, 바람직한 데이터 분해능에서 그리고 바람직한 데이터 수집 시간 분해능에서 현재 플라스마 처리에 대한 데이터를 얻음으로써, 해당 에러 또는 이상을 가리키는 광학적 이미션 데이터를 얻는 기회들은 향상된다. )) When it is not conducted in accordance with, and is made when further error or more causes or cause to be identified as a plasma spectrum directory 284. This is typically not only spectral data from the rest of the plasma treatment in the plasma treatment error or more than the result for the first time requires an analysis of at least that portion of the spectrum data on the times from. error or abnormality in which the plasma treatment will typically be demonstrated in the plasma spectrum in the processing chamber 36 to the addition, in the preferred bandwidth, from the desired data resolution and by obtaining the data for the current plasma process in a preferred data acquisition time resolution, the optical opportunities already obtain the design data indicating the error or higher are improved.

처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리에 대한 스펙트럼 데이터가 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 결정에서 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 있는 해당하는 스펙트럼 데이터로부터 벗어날 때, 모듈(250)은 현재 플라스마 처리에 대한 이 "벗어나는(deviated) 스펙트럼 데이터"를 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 있는 스펙트럼 데이터와 비교할 수 있다. When spectrum data for the current plasma process performed in processing chamber 36 is too far from the spectral data in the determined normal spectral directory 288. In the present plasma processing module 250, module 250 is the current plasma this process can be compared with the spectral data in the abnormal spectrum subdirectory 292, the "out (deviated) spectral data" on. 현재 플라스마 처리 모듈(250)이 처리 챔버(36)에서 현재 수행되는 플라스마 처리로부터의 스펙트럼 데이터와 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 있는 스펙트럼 데이터 사이에 "매치"를 확인한다면 임의의 수의 동작들이 시작될 수 있다. Current plasma processing module 250 is, if determine the "match" between the spectral data in the spectral data with the abnormal spectral directory 292 from the plasma processing is now performed in the processing chamber 36 is started to any number of operations of the can. 이 동작들은 도14의 경보 모듈(428)을 처리하는 것과 관련하여 아래에서 상세하게 논의되는 것과 같이, 에러 조건의 적절한 경보(들)을 발행하는 것, 챔버(36)의 제어의 또는 제어와 관련된 하나 이상의 양상들을 처리하는 것, 또는 둘 모두를 포함할 수 있다. These operations, as specifically discussed below with respect to process the alarm module 428 of Figure 14, to issue the appropriate alert (s) of the error condition, associated with, or controlling the control chamber 36 to process the one or more aspects, or both, it may include both.

해당(subject) 처리 챔버(36)에서 현재 수행되고, 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 내에 저장된 임의의 플라스마 처리와 매치되지 않으며, 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 있는 해당하는 스펙트럼 데이터와 매치하지 않는 플라스마 처리로부터의 스펙트럼 데이터는 ""알려지지 않은" 플라스마 처리들의 스펙트럼"으로 표제되고 참조부호 296에 의하여 규정되는 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 서브디렉토리 (이하에서는 "알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)"이라 함)에 기록된다. Are currently being performed on that (subject), the processing chamber 36, a normal spectral any not match the plasma treatment is stored in a directory 288, the plasma abnormal spectrum subdirectories that do not match the spectral data and in 292, spectral data from the processing is referred to as a "," unknown "" in the sub-directory (or less of the plasma spectrum directory 284, which is the title to be defined by the reference numeral 296, "the spectrum of the plasma processing of unknown spectrum subdirectory 296" ) it is recorded in a. 처리 챔버(36)에서 현재 수행되는 플라스마 처리로부터의 데이터가 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 기록될 때 많은 상황들이 있다. As it is written to the spectral sub-directory 296, the data is not known from the plasma treatment is now carried out in the processing chamber 36 there are a number of situations. 현재 플라스마 처리 모듈(250)에게 "새로운" 임의의 에러 또는 이상 (즉, 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 이전에 기록되지 않은, 에러 또는 이상을 가리키는 스펙트럼 데이터)은 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 기록된 현재 플라스마 처리로부터의 관련 데이터를 야기할 것이다. Current plasma treatment module to the "new" any error or higher (that is, the abnormal spectral on that are not mentioned in the old directory 292, the spectral data indicating the error, or more) the spectrum subdirectory 296 Unknown 250 the current will cause the associated data from the plasma processing written to. 데이터가 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 들어갈 수 있을 때의 다른 상황은 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리가 현재 플라스마 처리 모듈(250)과 관련하여 실제적으로 새로운 플라스마 처리일 때이다. Other conditions of when the data can enter into the spectral sub-directory 296, the unknown is when the present plasma process performed in the processing chamber 36 practically new plasma processing are related to the plasma processing module 250. 즉, 해당 플라스마 처리는 원하는 또는 소정의 방식에 따라 매우 잘 수행될 수 있지만, 이 특정 플라스마 처리에 대한 데이터는 도9의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 이전에 기록되지 않는다. That is, the plasma treatment is not recorded or desired prior to the data is normal spectral directory 288 of FIG. 9 may be performed for a very good according to the predetermined method, the specific plasma process. 그와 같이, 현재 플라스마 처리의 스펙트럼 데이터는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서의 임의의 플라스마 처리와 매치되지 않을 것이고, 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 있는 임의의 해당하는 스펙트럼 데이터와 매치하지 않아야 한다. As such, the spectral data of the current plasma process normal spectrum subdirectory 288 will any plasma treatment and may not match in, should not be matched with any of the spectral data in the abnormal spectrum subdirectory 292 . "알려지지 않은" 조건이 동작들 동안에 직면하게 될 때, 적절한 경보가 발행될 수 있거나, 현재 처리의 제어는 처리될 수 있거나 또는 둘 모두이다. When the face during the "unknown" condition the operation, or a suitable alarm can be issued, the control of the present process is all can be processed, or both.

이전의 플라스마 처리들로부터 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 기록된 스펙트럼 데이터는 전형적으로 처리가 종료된 후의 어떤 시각에 담당자에 의하여 분석될 것이다. The unknown from previous plasma treatment of the spectrum recorded in the subdirectory 296 spectral data will typically be analyzed by the personnel in certain time after the processing is terminated. 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 기록된 플라스마 처리로부터의 스펙트럼 데이터가 새로운 플라스마 처리로서 확인된다면, 그리고 이 동일한 처리 챔버 상에서 이 동일한 플라스마 처리의 추가적 수행들을 평가하기 위한 표준으로서 이 스펙트럼 데이터를 사용하려는 결정이 이루어진다면, 이 스펙트럼 데이터는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로 전달될 수 있다. If the spectral data from the plasma processing written to the unknown spectrum subdirectory 292 is identified as a new plasma process, and as a standard for evaluating the further execution of the same plasma process on the same processing chamber to use this spectral data If the determination is made, the spectral data may be delivered to the normal spectral directory 292. 또한 엔트리들이 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)로부터 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로 만들어질 수 있다. In addition, from an entry to known spectral directory 296 it can be made of abnormal spectrum subdirectory 292. 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 기록된 특정 플라스마 처리로부터의 스펙트럼 데이터의 분석은 그 스펙트럼 데이터가 그것의 스펙트럼 데이터에 의하여 확인될 수 있는 하나 이상의 특정 에러/이상과 관련된다는 결론에 도달할 수 있다. Analysis of the spectral data of the from the specific plasma process recorded in the unknown spectrum subdirectory 296 may come to the conclusion that the spectral data is associated with one or more specific errors / or more that can be identified by its spectral data . 그러면 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)로부터의 관련 스펙트럼 데이터는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 전달될 수 있다. The relevant spectral data from the unknown spectrum subdirectory 296 may be delivered to the abnormal spectral directory 292.

또한 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)는 종료점이 단일 또는 다중-단계 플라스마 레시피 또는 다른 플라스마 처리와 같은 전체 플라스마 처리 또는 그것의 분간할 수 있는 부분에 도달했을 때를 가리키는 데이터를 포함한다. In addition, plasma spectrum directory 284 of FIG. 9 is a single or multiple end points - includes data indicating the time it reaches the section to the entire plasma treatment, or minutes of its steps, such as plasma or other plasma process recipe. 플라스마처리 또는 그것의 분간할 수 있는 부분의 상황에서의 "종료점"은 처리 챔버(36) 내의 플라스마가 어떤 소정의 결과를 달성했을 때 플라스마 처리에서의 그 시각이다. "End point" at the conditions of the plasma treatment, or part of it to the minute is the time in the plasma when the plasma processing in the processing chamber 36 have achieved a certain predetermined result. 플라스마 레시피에서의 각 플라스마 단계는 전형적으로 챔버(36)를 최초 습식 세정없이 시작되는 플라스마 세정의 끝, 챔버를 습식 세정한 후에 시작되는 플라스마 세정, 및 조절 웨이퍼 작동을 가리키는 바와 같은, 원하는 소정의 결과가 달성되었음을 가리키는 그것의 해당하는 스펙트럼에서의 하나 이상의 특성들을 가진다. Each plasma steps in the plasma recipe is typically a result any desired, such as the chamber 36 as indicated by plasma cleaning, and a control wafer working which starts the end, the chamber of the plasma cleaning is started without first wet cleaning after wet cleaning that has one or more characteristics in that it that the spectrum indicating that achieve. 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리의 스펙트럼 데이터는 플라스마 처리가 종료되어 해당 플라스마 처리 또는 플라스마 처리 단계의 종료점이 도달되었음을 가리키는 하나 이상의 스펙트럼 (또는 하나 이상의 개별 파장들과 같은 그것의 부분들)을 확인한 후에 분석될 수 있다. Spectral data of the plasma process performed in the chamber 36 is a plasma treatment is terminated the plasma process or the one indicating that end point is reached in the plasma processing step, make the above spectrum (or the one or more parts of it such as individual wavelengths) then it can be analyzed. 플라스마 처리들의 다양한 상기에서 언급된 카테고리들로부터의 종료점을 가리키는 스펙트럼 데이터는 "종료점 특성(들)의 스펙트럼"으로 표제되고 참조부호 316에 의해 규정되는 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 서브디렉토리 (이하에서 "종료점 서브디렉토리(316)"이라 함)에 저장될 수 있다. Spectral data indicating an end point from the mentioned variety of the of the plasma processing categories of the plasma spectrum directory 284 of FIG. 9 is defined and the title as "end point characteristic (s), the spectrum of the" by the reference numeral 316 subdirectories ( It may hereinafter be stored in the term "end point subdirectory 316"). 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 종료점 조건의 확인의 적절한 경보(들)을 발행하기 위하여, 챔버(36)의 제어의 또는 관련된 하나 이상의 양상들을 처리하기 위하여 또는 그 둘 모두를 위하여 종료점 서브디렉토리(316)에 포함된 정보를 이용할 수 있다. Current plasma processing module 250 to issue the appropriate alert (s) in the confirmation of the end point conditions, the end point subdirectory (316 to or for both of them to process, or one or more aspects related to the control of the chamber 36 ) you can use the information contained herein.

챔버(36) 내에서 플라스마 처리들의 다중 실시들은 플라스마 처리들의 성질에 기인하여 챔버(36)를 "노화"시킬 수 있고, 이 노화는 어떤 방식으로 챔버(36)의 성능에 좋지 않은 영향을 끼칠 수 있다. In the chamber 36 is a multi embodiment of the plasma treatment are able to "age" the chamber 36 due to the nature of the plasma treatment, the aging can have an adverse effect on the performance of the chamber 36 in any way, have. 챔버(36)가 어떤 타입의 세정을 필요로 한다는 지시들은 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼에 의하여 반영될 수 있다. Indicating that the chamber 36 is that it requires cleaning of the type which can be reflected by the spectrum of the plasma in the chamber 36. 스펙트럼 데이터는 처리 챔버(36)의 내부의 "세정"이 요구되는 조건에 해당되는 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)에 포함될 수 있다. Spectral data may be included in a plasma spectrum directory 284 of FIG. 9 that correspond to the conditions required for this "washing" the inside of the processing chamber 36. "더러운 챔버 조건" 스펙트럼 데이터는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 기록될 수 있고, 이 경우에 "더러운 챔버 조건"은 비정상 서브디렉토리(292)에 대한 상기 논의와 매치된 알려진 에러 또는 이상으로서 특징 지워질 것이다. "Dirty chamber terms" spectral data may be recorded in the abnormal spectrum subdirectory 292, "dirty chamber conditions" In this case, the characteristics as discussed above and match the known error or more than about abnormal subdirectory 292 is cleared will be. 대안적으로, 개별 서브디렉토리가 "더러운 챔버 조건 서브디렉토리의 스펙트럼"의 성질로 참조부호 300으로 규정되는 도9에서 설명된 바 (이하에서 "챔버 조건 서브디렉토리(300)이라 함)와 같이 채용될 수 있다. 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 처리 챔버(36)가 세정할 조건에 있고 더 나아가 그 후에 적절한 동작들이 취해져야 하는지를 확인하기 위하여 "더러운 챔버 조건"에 대하여 이 정보를 사용할 수 있다. 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 최종 서브디렉토리는 챔버(36)로부터의 플라스마의 스펙트럼을 포함하지 않는 보정광 스펙트럼 서브디렉토리(310)이다. 대신에, 하나 이상의 보정광의 하나 이상의 스펙트럼이 그 서브디렉토리(310)에 저장된다. 일반적으로, 그것의 스펙트럼이 보정광 서브디렉토리(310)에 있는 보정광은 처리 챔버(36)의 윈도 Alternatively, the individual sub-directory is to be employed, as described in Figure 9 which is defined by reference numeral 300 in the nature of "dirty chamber conditions spectrum of the sub-directory" bar (in the "chamber conditions subdirectory 300 quot;) can. you can use this information to a "dirty chamber conditions" to determine the current plasma processing module 250, and further the conditions for cleaning the processing chamber 36 if the later are appropriate action must be taken. Fig. the final sub-directory of the nine plasma spectrum directory 284 of is the correction optical spectral directory 310 does not contain a plasma spectrum of the chamber 36. Alternatively, one or more of the spectrum at least one compensation light that subdirectory is stored in the 310. in general, the window in its spectrum a correction optical subdirectory correction light processing chamber 36 in the 310 에 향해진다. 서브디렉토리(310)로부터의 보정광의 스펙트럼 패턴과 처리 챔버(36) 상에서 윈도우(38)의 내부 표면(40)에 의하여 반사되는 보정광의 그 부분의 스펙트럼 패턴사이에서 비교가 이루어진다. 비교의 결과들은 보정 모듈(562) 및 도40-48과 관련하여 아래에서 상세하게 논의되는 바와 같이 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 동작과 관련하여 실행되어야 하는 보정의 타입 및 양을 결정하는데 사용된다. A is directed. Is compared between the sub-directory 310, correction of light spectrum patterns and processing the correction light which is reflected by the inner surface 40 of the window 38 on the chamber 36, that portion of the spectrum pattern from Comparative the results are used to determine the type and amount of the correction which is to be executed in relation to the current operation of the plasma processing module 250 as will be specifically discussed below in relation to the calibration module 562 and 40-48.

플라스마 스펙트럼 디렉토리(284) 및 도9에서 제시된 그것의 다양한 서브디렉토리들의 상기 설명된 구조는 현재 플라스마 처리 모듈(250) 및 그것의 다양한 서브모듈들에 의한 사용을 위한 분류적으로 유사한 데이터를 조직화하는 일반적인 구조이다. Plasma spectrum directory 284 and the above-described structure of its various sub-directory shown in Figure 9 is common to organize the data similar to the classification ever for use by the present plasma processing module 250 and its various sub-module a structure. 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 사용되는 데이터가 실질적으로 저장되는 방식은 본 발명의 목적과 특별히 관련이 없다. Method presently being used by the plasma processing module 250 is substantially stored it does not specifically related to the object of the present invention. 그러나, 데이터는 현재 플라스마 처리 모듈(250)이 시기 적절한 방법으로 그것의 감시/평가 기능을 실행하게 하는 방식으로 저장되어야 한다는 것이 이해되어야 한다. However, the data should be understood that the present plasma processing module 250 to be stored in such a manner as to run its monitoring / evaluation function in the timely manner. 바람직하게, 이것은 최소한 실질적으로 "실시간"에 기반하고, 서브-초(sub-second) 포착, 분석 및 제어가 모듈(250)을 통하여 활용될 수 있다. Preferably, this is at least substantially based on "real-time", and sub-can be used throughout the second (sub-second) to capture, analyze and control module (250). 보다 특정적으로, 데이터의 취득, 이 동일한 데이터의 분석 및 이 분석에 기초한 프로토콜(들)의 시작은 모두 현재 플라스마 처리 모듈(250)을 통하여 일 초보다 적은 시간 내에 완료될 수 있다. Than it can be completed within a certain general, acquisition of data, the analysis of the same data and the beginning of the protocol (s) based on the analysis of both the less time than one seconds current through the plasma processing module 250.

도9와 관련하여 상기에서 논의된 디렉토리/서브디렉토리 구조와 관련하여 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 사용되는 스펙트럼 데이터의 저장에 대한 논의를 계속함에 있어서, 데이터가 어떻게 이 디렉토리/서브디렉토리 구조에 저장될 수 있는지에 대한 한 실시예가 도10에 도시되어 있다. In as even with regard to 9 relate to the directory / subdirectory structure discussed above continue to discuss the storage of spectral data used by the present plasma processing module 250, and how the data in the directory / subdirectory structure one embodiment for that can be stored is shown in FIG. 단지 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 및 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)만이 편의상 설명되고 단지 정상 서브디렉토리(288)에 저장되는 한 카테고리의 플라스마 처리에 대한 데이터만이 도시된다 하더라도(플라스마 처방들), 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)는 도9에 제시된 것과 동일한 서브디렉토리들을 가질 수 있다. Even if only a normal spectrum subdirectory 288 and abnormal spectral directory 292, only been described for convenience only, only data for the plasma treatment of a category that is stored in the normal subdirectory 288 is shown (in a plasma recipe), plasma spectrum directory 284 can have the same sub-directory as shown in Fig. 도10의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)의 검토는 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)와 관련된 처리 챔버(36)에서의 생산물에 대하여 이미 실행된 다중 플라스마 레시피들에 대한 스펙트럼은 그것들 자신의 메인 데이터 기재항목(350)에 각각 저장된다는 것을 가리킨다. Also reviewed the normal spectrum subdirectories 288 of 10 plasma spectrum directory 284 spectrum for multiple plasma recipe that has already been performed on the product in the processing chamber 36 associated with the their own main data base entries ( 350) indicating that each of the storage. 이것은 또한 정상 서브디렉토리(288)에 저장되는 다른 카테고리들의 플라스마 처리들의 경우일 것이다. This will also be the case of plasma treatment of the different categories that are stored in the normal subdirectory 288. 즉, 각 메인 데이터 엔트리(350)는 이 동일한 처리 챔버(36)에서 수행될 예정인 플라스마 처리들을 평가하는데 사용되는 정보를 저장하기 위하여 남겨둔다. That is, each main data entry unit 350 are left to store information used to evaluate the plasma treatment, to be carried out in the same processing chamber 36.

소정의 플라스마 처리를 위한 각 메인 데이터 엔트리(350)는 그것과 관련된 복수의 데이터 세그먼트들(354)을 가지고, 이 데이터 세그먼트들(354)의 각각은 어떤 시각에 그리고 바람직하게는 바람직한 데이터 분해능에서의 바람직한 광 대역폭 내에서 처리 챔버(36)에서의 플라스마의 최소한 하나의 스펙트럼(예를 들어, 도8)을 포함할 것이다. Each main data entry 350 for a predetermined plasma treatment have a plurality of data segments associated with it (354), in the data, each of segments 354 in a certain time, and preferably at the preferred data resolution at least one spectrum of a plasma in the processing chamber 36 within the desired bandwidth (e.g., 8) would include. 각 데이터 세그먼트(354)와 관련된 스펙트럼은 바람직한 광 대역폭을 포괄하는 단일 스펙트럼으로서 저장될 수 있거나, 바람직한 광 대역폭을 수집적으로 포괄하는 다중 스펙트럼으로서 저장될 수 있다. Each data segment associated with the spectrum 354 may be stored as a single spectrum that encompasses the desired optical bandwidth, may be stored as multi-spectral bandwidth encompassing a desired collecting ever. 데이터 세그먼트들(354)을 위한 스펙트럼은 바람직한 데이터 수집 시간 분해능을 사용하여 (예를 들어, 도6의 플라스마 감시 어셈블리(174) 또는 아래의 도31 및 37에서 도시된 임의의 실시예들에 의하여) 챔버(36) 상에서 윈도우(38)를 통하여 처리 챔버(36) 내에서 플라스마 처리의 수행에 걸쳐 주기적으로 취해진다. The spectrum for the data segment 354 using the preferred data acquisition time resolution (e. G., By the any of the embodiments shown in the plasma monitoring assembly 174 or Figs. 31 and 37 below in Fig. 6) in the processing chamber 36 through a window 38 on the chamber 36 is periodically taken over a period of execution of the plasma process. 이 방식으로 플라스마 처리의 전체가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 기록될 수 있다고 하더라도, 때때로 플라스마는 그것이 챔버(36)에 처음으로 들어올 때 보다 불안정하다. Although in this way the whole of the plasma processing can be recorded in the normal spectral directory 288, sometimes the plasma is unstable than when it first enters the chamber 36. 그래서, 이 불안정한 기간으로부터 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 광학적 이미션 데이터를 보유하지 않는 것이 바람직할지 모른다. So, I do not know whether it preferable from an unstable period that does not have an optical emission spectrum data in the normal sub-directory (288).

정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서의 플라스마 처리들의 엔트리들은 도10에 도시된 바와 같이 소정의 카테고리 또는 종류 내의 복수의 전체적으로 다른 타입들 또는 종류들의 플라스마 처리들로 구성될 수 있다. Of plasma treatment from the top entries of the spectral sub-directory 288 it may be composed of predetermined categories or a plurality of whole plasma treatment of other types or kind in the kind as shown in Fig. 플라스마 레시피 A는 메인 데이터 엔트리(350a)하에 저장되고, 이것은 메인 데이터 엔트리(350b)하에 저장되는 플라스마 레시피 B와 다르고, 플라스마 레시피 B는 메인 데이터 엔트리(350c)하에 저장되는 플라스마 레시피 "X"와 다르다. Plasma recipe A is stored under the main data entry (350a), which is different from the plasma recipe B is stored under the main data entry (350b), a plasma recipe B is different from the plasma recipe "X" that is stored under the main data entry (350c) . 동일한 플라스마 레시피 또는 처리의 다중 실행들은 또한 필요하다면 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장될 수 있다 (도시하지 않음). If the same multiple run of the recipe or plasma treatment are also required may be normal spectrum stored in the subdirectory 288 (not shown). 예를 들어, 관련된 처리 챔버(36)에서 동일한 타입의 제품에 대한 플라스마 레시피 A의 두 개의 개별 실행들로부터의 스펙트럼 데이터는 실제적으로 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 포함될 수 있다. For example, spectral data from two separate runs of the plasma recipe A on the same type of treatment in the associated chamber 36 the product is practically may be included in the normal spectrum subdirectory 288. 그러면 해당 처리 챔버(36)에서 제품에 대하여 수행되는 현재 플라스마 레시피의 평가는 이 메인 데이터 엔트리들(350)의 둘 모두와 관련하여 현재 처리에 대한 광학적 이미션 데이터의 비교를 잠재적으로 포함할 것이다. The evaluation of the current plasma recipe is performed on the product from the process chamber 36 is the main data entries will potentially contain the two with regard to both the comparison of the optical emission data for the current processing unit 350.

도10의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 내의 광학적 이미션 데이터는 잉여 데이터의 저장을 제거하기 위하여, 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)의 검색의 속도를 증가시키기 위하여 또는 둘 모두를 위하여 하나로 묶어지거나 간략화될 수 있다. Optical emission data in the 10 normal spectrum subdirectory 288 is to eliminate the storage of redundant data, in order to increase the search speed of the normal spectral directory 288 by the present plasma processing module 250, or one for both can be tied or simplified. 도11은 이것이 플라스마 레시피 AD가 디렉토리(288a)에 저장되는 한 예에 대하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288a)의 경우에 달성될 수 있는 한 방식을 도시한다. Figure 11 this can be achieved in the case of a normal spectrum subdirectory (288a) with respect to one example in which a plasma recipe AD is stored in the directory (288a) showing a scheme. 동일한 원리들이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장되는 임의의 타입의 플라스마 처리에 적용될 수 있을 것이다. , The same principle may be applied to plasma processing of any type that is stored in the normal spectrum subdirectory 288.

메인 데이터 엔트리(358a)하의 플라스마 레시피 A 및 메인 데이터 엔트리(358b)하의 플라스마 레시피 B는 각각 시각 t 1 (첫 번째 시각 데이터는 해당 플라스마 처리에 대한 서브디렉토리(288a)에 기록됨)로부터 시각 t n ("n번째" 시각 데이터는 해당 플라스마에 대한 서브디렉토리(288a)에 기록됨)까지의 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 목적을 위한 동일한 스펙트럼을 가진다. Plasma recipe B are each time t 1 under the main data entry (358a) under the plasma recipe A and the main data entry (358b) time t from the (first time data is recorded in the subdirectory (288a) for the plasma treatment) n ( "n-th" time data have the same spectrum for the current object of the plasma processing module 250 to be written to the sub-directory (288a) for the plasma). 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288a)에서 이 시간 범위에 걸쳐 두 번 그 스펙트럼을 저장하는 대신에 (한번은 플라스마 레시피 A를 위하여 메인 데이터 엔트리(358a) 하에 그리고 한번은 플라스마 레시피 B를 위하여 메인 데이터 엔트리(358b) 하에), 이 시간 범위로부터의 다중 스펙트럼이 공통 데이터 세그먼트들(362a-c)에 단지 한번 저장된다. Instead of storing twice the spectrum over this time span in the normal spectrum subdirectory (288a) (once under the main data entry (358a) to the plasma recipe A and once under the main data entry (358b) to the plasma recipe B ), multiple spectra from the time range are stored only once in the common data segment (362a-c). 3 공통 데이터 세그먼트들(362)보다 많은 것이 분명하게 사용될 수 있다. It is greater than the third common data segment 362 can be used obviously. 그럼에도 불구하고, 공통 데이터 세그먼트들(362a-c)은 메인 데이터 엔트리(358a)의 플라스마 레시피 A 및 메인 데이터 엔트리(358b)의 플라스마 레시피 B 둘 모두와 관련된다. Nevertheless, a common data segment (362a-c) are associated with both plasma recipes of the main data entry plasma recipe A and the main data entries (358a) (358b) B both. 그러나, 시각 t n+1 (즉, 첫 번째 시각 데이터는 시각 t n 후에 정상 스펙트럼 디렉토리(288a)에 기록됨)에 그리고 도11에 의하여 제시되는 예에서 플라스마 처리의 끝까지, 메인 데이터 엔트리(358a)하의 플라스마 레시피 A의 스펙트럼과 메인 데이터 엔트리(358b)하의 플라스마 레시피 B의 스펙트럼은 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 목적에 대하여 서로 다르다. However, at time t n + 1 (that is, the first time data is normal spectrum directory (written to 288a) after the time t n) on and until the end of the plasma treatment in the example presented by Fig. 11, the main data entry (358a) under the spectrum of a spectrum of plasma recipe a and the main data entry (358b) under the plasma recipe B are present differ from each other with respect to the object of the plasma processing module 250. 그것으로서, 메인 데이터 엔트리(358a)하의플라스마 레시피 A와 메인 데이터 엔트리(358b)하의 플라스마 레시피 B 각각은 t n+1 로부터 t n+x 까지의 ("x번째" 시각 데이터는 시각 t n 후 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288a)에 기록됨) 기간에 걸쳐, 그것들 자신의 개별 데이터 세그먼트들(366a-c 및 366d-f)을 포함한다. As such, the main data entry (358a) under the plasma recipe A and the main data entry (358b) under the plasma recipe B respectively ( "x-th" time data from the t n + 1 to t n + x is time t n after normal spectrum recorded in the subdirectory (288a)) over a time period, and includes their own individual data segments (366a-c and 366d-f). 비록 상업적 설정에서 이것이 그렇지 않다고 하더라도, 플라스마 레시피들 A 및 B의 각각은 도11의 예의 목적에 대하여 동일한 시간 (즉, 시각 t n+x )에 끝난다. Even if this is not so in a commercial setting, and ends at the same time (i.e., at time t n + x) with respect to the plasma recipe A and each of the examples of the object of Figure 11 B.

도11의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288b)도 또한 플라스마 레시피들 C 및 D를 위하여 메인 데이터 엔트리들(358c 및 358d)을 각각 가진다. Normal spectrum subdirectory (288b) of Figure 11 also has a respective entry in the main data (358c and 358d) for the plasma recipe C, and D. 플라스마 레시피들 A 및 B와 관련하여 사용된 동일한 데이터 저장 개념이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288a)에서 플라스마 레시피들 C 및 D에 대하여 유사하게 채용된다. Same data storage used in association with the plasma recipe A and B concept is employed in analogy with respect to the normal plasma recipe in C and D in the spectral sub-directory (288a). 메인 데이터 엔트리(358c)하의 플라스마 레시피 C 및 메인 데이터 엔트리(358d)하의 플라스마 레시피 D의 스펙트럼은 시각 t 1 로부터 시각 t n 까지 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 목적에 대하여 동일하다. Spectrum of the main data entry (358c) under the plasma recipe C, and main data entry (358d) under the plasma recipe D is the same with respect to the object from the time t 1 the current time plasma processing module 250 to t n. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288b)에서 이 시간 범위에 걸쳐 두 번 그 스펙트럼을 저장하는 대신에 (한번은 플라스마 레시피 C를 위하여 메인 데이터 엔트리(358c) 하에 그리고 한번은 플라스마 레시피 D를 위하여 메인 데이터 엔트리(358d) 하에), 이 시간 범위로부터의 다중 스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288a)에서 공통 데이터 세그먼트들(362d-h)에 단지 한번 저장된다. Instead of storing twice the spectrum over this time span in the normal spectrum subdirectory (288b) (once under the main data entry (358c) to the plasma recipe C, and once under the main data entry (358d) to the plasma recipe D ), and is only stored once in the common data segment (362d-h) multiple spectra from the time range is from the normal spectrum subdirectory (288a). 공통 데이터 세그먼트들(362d-h)은 메인 데이터 엔트리(358c)의 플라스마 레시피 C 및 메인 데이터 엔트리(358d)의 플라스마 레시피 D 둘 모두와 관련된다. A common data segment (362d-h) is associated with both the plasma recipe D of the main data entry plasma recipe C, and main data entry (358d) of (358c). 그러나, 시각 t n 에 그리고 도11에 의하여 제시되는 예에서 플라스마 레시피의 시각 t n+x 까지, 메인 데이터 엔트리(358c)하의 플라스마 레시피 C의 스펙트럼과 메인 데이터 엔트리(358d)하의 플라스마 레시피 D의 스펙트럼은 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 목적에 대하여 서로 다르다. However, in the example in which the time t n, and presented by the Figure 11 to the time t n + x of plasma recipes, the main data entry (358c) under the plasma recipe C in the spectrum with the main data entry (358d) under the plasma spectrum of Recipe D are present differ from each other with respect to the object of the plasma processing module 250. 그것으로서, 메인 데이터 엔트리(358c)하의 플라스마 레시피 C는 t n+1 로부터 t n+x 까지의 기간에 걸쳐, 그것 자신의 개별 데이터 세그먼트들(366g-k)을 가지고, 반면에 메인 데이터 엔트리(358d)하의 플라스마 레시피 D는 차례로 이 동일한 시기간에 걸쳐 그것 자신의 개별 데이터 세그먼트들(366l-p)을 가진다. As such, the main data entry (358c) under the plasma recipe C is from t n + 1 over the life of the t n + x, it has its own separate data segment (366g-k), while the main data entry ( 358d) has a respective data segments (366l-p) of its own over a number D under the plasma recipe is the same time in turn. 그러나, 시각 tn+x에 그리고 tn+y에서 도11에 의하여 제시되는 예에서 플라스마 레시피의 끝까지, 메인 데이터 엔트리(358c)하의 플라스마 레시피 C의 스펙트럼 및 메인 데이터 엔트리(358d)하의 플라스마 레시피 D의 스펙트럼은 다시 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 목적에 대하여 동일하다. However, the plasma recipe from the time tn + x and the example presented by Fig. 11 at tn + y end, the main data entry (358c) under the plasma recipe C of the spectrum and the main data entry (358d) under the plasma spectrum of Recipe D is again the same for the purposes of the present plasma processing module 250. 그것으로서, 메인 데이터 엔트리(358c)하의 플라스마 레시피 C 및 메인 데이터 엔트리(358d)하의 플라스마 레시피 D는 tn+x로부터 tn+y까지의 기간에 걸쳐 공통 데이터 세그먼트들(362i-z)을 가진다. As such, the plasma recipe D under the main data entry (358c) under the plasma recipe C, and main data entry (358d) has a common data segments (362i-z) over the life of the tn + y + x from tn. 비록 상업적 설정에서 이것이 그렇지 않다고 하더라도, 플라스마 레시피들 C 및 D의 각각은 도11의 예의 목적에 대하여 동일한 시간에 끝난다. Even if this is not so in a commercial setting, each of the plasma recipe C, and D and ends at the same time for the purpose of example in Fig.

도10의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 메인 데이터 엔트리(350)하에 저장된 각 플라스마 레시피의 각 데이터 세그먼트(354)는 현재 플라스마 처리 모듈(250)로 현재 플라스마 처리의 감시에 관련된 다수의 데이터 타입들을 포함할수 있다. 10 each data segment 354 of a plasma recipe from the top spectral directory 288 is stored under the main data entry 350 of is the current number of data types involved in the monitoring of the plasma treatment are as plasma processing module 250 It can be included. 대표적인 예가 도12a에 제시되는데, 여기에서 이 다양한 데이터 타입들의 데이터는 각 데이터 세그먼트(354)와 관련되는 데이터 필드들(322)에 제공된다. A typical example there is shown in Figure 12a, where the data for these different data types is provided in the data fields associated with each of the data segments 354, 322. 처리 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴들은 현재 플라스마 처리를 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)와 비교하기 위한 중요한 데이터 타입이고, 이 스펙트럼은 도12a의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 스펙트럼 필드(322d)에 저장된다. A spectral pattern of the plasma are present plasma treatment in processing chamber 36 to the plasma spectrum directory and relevant data type for comparison with the 284, and a spectrum is normal spectrum subdirectory 288 spectral field (322d) in Fig. 12a It is stored. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서의 각 데이터 세그먼트(354)는 또한 시간 필드(322a)를 포함하는데, 여기에서 스펙트럼 필드(322d)에서 스펙트럼과 관련된 시각은 기록된다(예를 들어, 스펙트럼이 취해질 때 플라스마 처리로의 시간). Each data segment 354 in a normal spectral directory 288 also includes a time field (322a), where the time relating to the spectrum in the spectrum field (322d) is recorded (e. G., When taken in the spectral time to plasma treatment). 시간 필드(322a)에서의 데이터는 아래에서 더욱 상세하게 논의되는 바와 같이 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 다양한 방식으로 사용될 수 있다. Data in the time field (322a) may be used in a variety of ways by the present plasma processing module 250, as will be discussed in more detail below.

추가적 정보는 최소한, 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 각 메인 데이터 엔트리(350)과 관련된다. Additional information is associated with each main data entry 350, at least, the top spectrum subdirectory 288. 이 문맥에서 "관련된다는 것"은 이 정보가 소정의 플라스마 처리 동안에 또는 특정 메인 데이터 엔트리(350)하의 데이터 세그먼트들(354)의 전체 수보다 적은 단지 약간의 시간 동안에 각 메인 데이터 엔트리(350)에 대하여 한번 제공될 수 있지만, 그러나 그것은 또한 이 정보가 과잉 때문에 바람직하지 않은 것인 해당 메인 데이터 엔트리(350)의 각 데이터 세그먼트(354)에 대하여 실제로 제공되는 상황을 포함한다는 것을 의미한다. "Will be that associated" in this context is less than the total number of only each main data entry 350 during a time of the information is in during a given plasma processing or particular main data entry (350), under the data segment 354 for once, but it can be provided, but it also means that it includes the situation is actually provided for each data segment (354) of the main data entry 350 that the information is not desirable because excess. 이 타입들의 정보를 위한 필드들은 (예를 들어, 메인 데이터 엔트리(350)가 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 또는 조절 웨이퍼 작동인지를 확인하기 위한) 플라스마 처리 "속(genus)" 필드(322h), (예를 들어, 플라스마 처리 수행을 가지는 것이고 트래킹목적들을 위하여 사용되는 웨이퍼(18) 상에 나타나는 번호 또는 코드와 같은 식별자에 해당하는 정보에 대한) 웨이퍼 식별자 필드(322b), 플라스마 처리 "종(species)" 필드(322c) (다른 타입들의 플라스마 레시피들 (예를 들어, 플라스마 레시피 A 및 플라스마 레시피 B)과 같은, 플라스마 처리 "속(genus)"의 서브세트), (처리의 다른 부분들과 다른 기능을 제공하거나 다른 결과를 달성하는 특정 플라스마 레시피 또는 임의의 다른 플라스마 처리의 단계를 확인하기 위한) 플라스마 처리 단계 필드(322e), 최대 총 플라스마 Field for the information of this type plasma treatment "genus (genus)" field (for example, main data entry 350, the plasma recipe, plasma cleaning, or control wafer operation whether to verify a) (322h), ( for example, it will have to perform a plasma process for the which corresponds to the identifier such as a number or code that appears on the wafer 18, which is used for the tracking object information) wafer identifier field (322b), plasma treatment "species (species) "field (322c) (the plasma recipe of different types (for example, a plasma treatment, such as plasma recipe a and the plasma recipe B)" genus (genus) "of the subset), (other function with the other parts of the processing providing plasma or a particular recipe or to confirm the phase of any other plasma treatment), a plasma processing step a field (322e), the maximum total plasma to achieve a different result, the 처리 단계 시간 필드(322f) (예를 들어, 다중-단계 플라스마 레시피의 소정 플라스마 단계 또는 다른 처리를 완료하는데 걸리는 시간의 최대량), 및 최대 총 플라스마 처리 시간 필드(322g) (예를 들어, 전체 플라스마 처리 (그것의 단계들의 각각)를 완료하는데 걸리는 시간의 최대량)를 포함한다. Processing step Time field (322f) (e.g., multi-the maximum amount of time it takes to complete a given plasma phase or other process in step plasma recipe), and the maximum total plasma processing time field (322g) (e. G., Total plasma and a maximum amount of processing time required to complete the (each of its stages)). 이 정보의 어떤 것은 플라스마 처리들의 어떤 속(genus) 및/또는 어떤 플라스마 처리 속(genus) 내의 플라스마 처리들의 어떤 종(species)에 적용할 수 없을 것이다. Some of this information, it would not be applicable to any species (species) by plasma treatment in the plasma treatment of any genus (genus), and / or plasma treatment in which (genus). 웨이퍼 식별자 필드(322b)에 대한 정보는 웨이퍼(18)로부터 자동적으로 읽혀질 수 있고 해당 메인 데이터 엔트리(354)로 입력될 수 있다고 하더라도(예를 들어, 스캐너), 상기에서 언급된 필드들에 제공되는 정보는 도6의 데이터 엔트리 장치(132) 내에 입력될 수 있다. Information about the wafer identifier field (322b) can be read automatically from the wafer 18, even if they can be input to the main data entry 354 (e.g., scanner), which is provided to the field referred to in the information may be input into the data entry device 6 of Figure 132.

도10의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)는 또한 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 엔트리들을 위한 데이터를 저장하는 한 방식을 도시한다. The plasma spectrum directory 284 of FIG. 10 also illustrates a method of storing a data entry for the abnormal spectral directory 292. 도10의 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 검토는 다중의 알려진 에러들 또는 이상들에 대한 스펙트럼 데이터가 이 에러들 또는 이상들이 발생하는 동일한 처리 챔버(36)에서 수행되는 미래의 플라스마 처리들을 평가하기 위하여 메인 데이터 엔트리(346)에 각각 저장된다. Review of the abnormal spectral directory 292 of FIG. 10 to evaluate the plasma treatment in the future that performs the spectral data for the multiple of the known error or more than the in the same processing chamber 36 that occurs to the error or more than for each stored data entry to the main (346). 상기에서 언급된 바와 같이, 메인 데이터 엔트리들(346)에서의 이 에러들은 바람직하게 확인되었고 (예를 들어, 에러의 원인(들)이 판단되었고), 그래서 처리 챔버(36)에서 플라스마 처리를 수행할 때 직면할 수 있는 "알려진" 조건이다. As mentioned above, the main data entry is error in the 346 are been preferably check (e. G., The cause of the error (s) have been determined), so performing the plasma treatment in the treatment chamber 36 It is capable of facing a "known" condition when. 그것 내에 하나의 특정 에러를 가지는 각 메인 데이터 엔트리(346)는 그것과 관련된 복수의 데이터 세그먼트들(354)을 가지는 것으로 도시되고, 이 데이터 세그먼트들(354)의 각각은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 해당하는 플라스마 처리의 관련 스펙트럼으로부터의 이탈(deviation)이어서 해당 에러 또는 이상을 가리키는 처리 챔버(36)로부터의 플라스마의 최소한 하나의 스펙트럼(예를 들어, 도8)을 포함할 것이다. Each of the main data entry (346) having one of a particular error within it is shown as having a plurality of data segments associated with it (354), the data segment 354 is a normal spectrum subdirectory 288 deviation (deviation) then at least one of a spectrum of plasma from the processing chamber 36 that points to the error or at least from the associated spectrum of a plasma process (e.g., FIG. 8) will comprise a corresponding at. 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 하에서 각 데이터 세그먼트(354)와 관련된 스펙트럼은 바람직한 데이터 분해능을 이용하는 바람직한 광 대역폭을 가질 수 있다. Under abnormal spectrum subdirectory 292 spectrum associated with each data segment 354 may have a desired wide bandwidth using the desired data resolution. 대안적으로, 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)하에서 데이터 세그먼트들(354)와 관련되는 스펙트럼은 문제되는 에러(즉, 바람직한 광 대역폭보다 작지만 그것에 포함되는 광학적 이미션 세그먼트)를 가리키는 특성(들)을 포함하는 스펙트럼의 그 부분을 단지 포함할 수 있다. Alternatively, the spectrum associated with the abnormal spectral directory 292, data segment 354 under includes points to the problem error (that is, smaller than the desired bandwidth optical emission segments contained in it) characteristic (s) which may contain only that portion of the spectrum.

비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 관련된 추가적 정보는 도10에 도시되어 있다. Additional information relating to the abnormal spectral directory 292 is shown in FIG. 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 각 메인 데이터 엔트리(346)하에서 데이터 세그먼트들(354)에 대한 스펙트럼 패턴들은 (예를 들어, 바람직한 데이터 수집 시간 분해능을 이용하여) 처리 챔버(36)내에서 전체 플라스마 처리의 수행동안에 주기적으로 기록되는 것으로 예시된다. Total in the under each main data entry 346 of an abnormal spectrum subdirectory 292 are the spectral pattern for the data segment 354 (e.g., the preferred data acquisition using time resolution), the processing chamber 36 plasma and the like to be recorded periodically during execution of the processing. 전체 플라스마 처리에 대한 데이터는비정상 서브디렉토리(292)에 보유될 수 있다. Data for the entire plasma treatment can be held in the abnormality subdirectory 292. 이 경우에 데이터 세그먼트들(354m, 354q 및 354u)에 참조되는 시각 t 1 은 해당 플라스마 처리에서 얻어지는 첫 번째 스펙트럼일 것이고, 반면에 시각 t n 은 그것의 종료 (처리에서 마지막 단계의 종료점 또는 한 단계보다 많지 않다면 플라스마 처리의 종료점)시에 해당 플라스마 처리에서 얻어지는 마지막 스펙트럼일 것이다. Time t 1 is referenced to in this case, the data segment (354m, 354q, and 354u) will be the first spectrum obtained from the plasma treatment, while the time t n is an end point or a step in the final step in its end (processing of If much more than would be the last spectrum obtained in the plasma processing at the time of the end point of the plasma treatment). 이 상황은 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서 불필요한 데이터의 저장을 야기할 수 있다. This situation can result in the storage of unwanted data from the abnormal spectral directory 292. 플라스마 처리가 처리 챔버(36) 내에서 제품에 대하여 수행되고 플라스마 레시피의 최초 90초 동안에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 따라 진행되는 상황을 고려하자. Consider the situation is carried out with the product in the plasma treatment process chamber (36) proceeds according to the normal spectral directory 288 during the first 90 seconds of plasma recipe. 단지 추가적인 약 10초가 플라스마 레시피를 완료(즉, 처리의 마지막 단계와 관련된 결과를 달성)하는데 요구된다고 가정하자. Let's assume that the only requirement for additional about 10 seconds to complete the plasma recipe (i.e., achieve the results related to the final step in the process). 또한 에러가 현재 플라스마 레시피에서 91초 마크에서 발생된다고 가정하자. Also assume that an error has occurred in the 91 seconds mark in the current plasma recipe. 플라스마 레시피의 최초 90초에 대한 데이터가 이 예의 현재 플라스마 레시피에서 91초 마크에서 다시 발생하는 다가오는 에러로서의 어떤 타입의 지시를 제공하지 않는다면, 이 데이터는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서 보유하는데 유용하지 않을 것이다. Data for the first 90 seconds of plasma recipe does not provide any type of indication of as coming error occurring again in this example are 91 seconds in a plasma recipe marks, the data is not useful for retention of a constant spectral directory 292 will not. 이 경우에 시각 t 91 에서의 스펙트럼은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서의 플라스마 레시피의 어떤 것과 "매치"하지 않는 첫 번째 스펙트럼이 될 것이다. Spectrum at time t 91 in this case will be the first spectrum is not anything "match" of the plasma recipe from the top spectrum subdirectory 288. 이 한 스펙트럼이 충분히 에러를 확인한다면 다른 스펙트럼은 메인 엔트리(346)하에 포함될 필요가 없다 (도시하지 않음). If the spectrum is sufficiently check the error different spectra need not be included under the main entries 346 (not shown). 그러나, 에러가 확인된 후 그리고 플라스마 처리가 시각 t n 에서 종료될 때까지 얻어지는 모든 스펙트럼 또는 다양한 시간 간격들에서 최소한 약간의 스펙트럼을 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 기록하는 것은 바람직할 수 있다. However, after an error is confirmed, and it is recorded that a plasma treatment for at least some of the spectra in all the spectra or the various time intervals is obtained until it is terminated at time t n to the abnormal spectral directory 292 it may be preferred. 에러들이 포함되는 메인 데이터 엔트리들(346)의 각각 하에 포함되는 데이터의 양은 독립적으로 선택될 수 있다는 점에서 유연성이 비정상 서브디렉토리(292)에 의하여 제공된다. This flexibility in that the amount of data included under each of the main data entries 346 that contain errors that may be independently selected is provided by abnormal subdirectory 292. 그래서, 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 각 메인 데이터 엔트리(346)하의 데이터 세그먼트들(354)은 에러가 발생하는 플라스마 처리의 완전한 히스토리(history)를 반드시 제공하지 않을지 모른다. Thus, the data segments (354), under each of the main data entry 346 of the abnormal spectral directory 292 may be provided or not to the complete history (history) of the plasma process that the error occurred.

다중 데이터 타입들은 도10의 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 각 메인 데이터 엔트리(346)에서 각 에러와 관련되는 각 데이터 세그먼트(354)에 포함될 수 있다. The multiple data types may be included in each of the data segments 354 associated with each error in the main data, each entry 346 of the abnormal spectral directory 292 of FIG. 대표적 예가 도12b에 제시되는데, 여기에서 이 다양한 데이터 타입들은 서브디렉토리(292)의 각 메인 데이터 엔트리(346)하에서 각 데이터 세그먼트(354)와 관련되는 데이터 필드들(338) 내에 포함된다. Typically there is an example shown in Figure 12b, where a variety of data types are included in the data field associated with each data segment (354) in the main data, each entry 346 of the sub directory 292 338. 처리 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼 패턴들은 현재 플라스마 처리를 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)와 비교하기 위한 중요한 데이터 타입이고, 이 스펙트럼은 각 데이터 세그먼트(354)의 도12b의 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 스펙트럼 필드(338b)에 저장된다. Plasma of the spectrum pattern in the process chamber 36 are an important data type for comparing the current plasma treatment and plasma spectrum directory 284, and a spectrum is abnormal spectrum of Figure 12b of the respective data segments 354, subdirectory (292 ) of the spectrum it is stored in the field (338b). 더군다나, 해당 플라스마 처리의 카테고리 또는 종류는 플라스마 처리 속 필드(338e) (예를 들어, 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼 작동)에서 확인될 수 있고, 소정의 카테고리 또는 종류의 플라스마 처리의 특정 타입 또는 종은 플라스마 처리 종 필드(338f) (예를 들어, 플라스마 레시피의 특정 타입)에서 확인될 수 있으며, 플라스마 단계의 타입은 플라스마 처리 단계 필드(338g)에서 확인될 수 있다. Furthermore, the category or type of the plasma treatment is a plasma treatment in the field (338e) may be found at (for example, a plasma recipe, plasma cleaning, adjustment wafer operation), a given category or type of a specific type or a plasma processing species can be identified in the species of the plasma processing field (338f) (e.g., a particular type of plasma recipes), the plasma stage type can be identified in the plasma processing step a field (338g).

상기에서 설명된 스펙트럼에 추가되는 데이터는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 내에서 알려진 에러/이상들에 대하여 각 메인 데이터 엔트리(346) 하의 데이터 세그먼트(354)의 각각과 관련될 수 있다. Data that is added to the spectrum described above may be associated with each of the main data entry (346) under the data segment (354) on the error / or more known abnormal spectrum in the subdirectory 292. 각 메인 데이터 엔트리(346)의 각 데이터 세그먼트(354)는 또한 해당 데이터 세그먼트(354)에서 스펙트럼과 관련되는 시간에 대한 정보를 포함하기 위하여 시간 필드(338a)를 포함할 수 있다. Each data segment 354 of each of the main data entry 346 may also include a time field (338a) in order to contain information about the time associated with the spectrum in the data segment 354. 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에서 알려진 에러/이상들에 대하여 각 메인 데이터 엔트리(346)하의 데이터 세그먼트들(354)과 관련되는 다른 정보는 에러를 확인하는 정보를 포함한다. Other information related to the abnormal spectrum subdirectory 292, each of the main data entry (346) under the data segment with respect to the error / or more known within 354 includes information to determine the error. 메인 데이터 엔트리(346)하에 저장된 에러의 어떤 글자 그대로의 확인 또는 설명은 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 에러 필드(338c)에 포함될 수 있다. Any of the make character as it is or explanation of the main data entry errors stored under 346 can be included in an error field (338c) of the abnormal spectrum subdirectory 292. 이 정보는 전형적으로 스펙트럼이 분석되고 에러(들)/이상(들)의 원인(들)이 확인된 후에 데이터 엔트리 장치(132)(예를 들어, 도6)를 사용하여 담당자에 의하여 수동으로 기입될 것이다. This information is typically in the spectrum is analyzed the error (s) / error (s) after the cause (s) the verification data entry device (132) manually filled in by the person using the (e. G., Figure 6) It will be.

현재 플라스마 처리 모듈(250)은 아래에서 보다 상세하게 논의되는 바와 같이 에러 확인 능력들을 포함한다. Current plasma processing module 250 includes error check capability, as will be discussed in more detail below. 일단 현재 플라스마 처리 모듈(250)이 현재 광학적 이미션 데이터와 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서 관련된 스펙트럼 또는 그것의 부분 사이에서의 일치성을 확인하면, 해당하는 에러/이상에 대한 정보는 에러 필드(338c)에서의 정보에 기초하여 발행될 수 있다. Once the current plasma processing module 250 to check the correspondence between the relevant spectrum or part of it in the current optical emission data and abnormal spectral directory 292, the error field information for the error / or more that ( It may be issued on the basis of the information in 338c). 게다가, 수정 동작들은 이 동일한 에러 필드(338c)의 내용들에 기초하여 취해질 수 있다. Moreover, corrective action may be taken based on the content of the same error field (338c). 이와 관련하여, 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에서 알려진 에러/이상들에 대하여 각 메인 데이터 엔트리(346)하의 각 데이터 세그먼트(354)는 또한 프로토콜 필드(338d)를 포함한다. In this connection, abnormal spectrum subdirectory 292 for each data segment (354), under each of the main data entry 346 with respect to the error / or more known in also comprises a protocol field (338d). 프로토콜 필드(338d) 내에 포함된 정보는 해당 에러 또는 이상이 어떻게처리될 수 있거나 되어야 하는지, 보다 특정적으로 어떤 동작 또는 동작들이 에러를 처리하기 위하여 취해질 수 있거나 취해져야 하는지에 다소 관련될 것이다. Contained in the protocol field (338d) information that should be or may be like the corresponding error or anomaly processing will be somewhat related to that than any operation or operations specifically must be taken can either have to be taken to process the error. 단일 또는 다중 프로토콜들은 어떤 한 프로토콜 필드(338d)에 저장될 수 있다 (예를 들어, 하나 이상의 프로토콜은 어떤 조건을 처리하는데 적절할 수 있다). Single or multiple protocols can be stored in any one protocol field (338d) (e.g., one or more protocols may be appropriate to treat some condition). 일단 현재 플라스마 처리 모듈(250)이 현재 스펙트럼 및 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서의 관련 스펙트럼 사이의 일치성을 확인하면, 해당하는 에러/이상이 어떻게 처리되는지는 해당 프로토콜 필드(338d)에 포함되는 정보에 기초할 수 있다. Once the current plasma processing module 250 is included in the current spectrum and abnormal spectral directory 292 is the protocol field (338d) that you make the correspondence between the relevant spectrum, and how the error / or more to the processing in the information may be based.

처리 챔버(36)과 관련되는 처리 제어 파라미터들 또는 조건들에 관한 데이터는 또한 특정 데이터 엔트리를 위한 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 상기에서 설명된 서브디렉토리들의 각각에, 특히 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 및 알려지지 않은 조건 서브디렉토리(296)에 포함될 수 있다. In each of the sub directory is described in the plasma spectrum directory 284, data about the process control parameters or conditions associated with the process chamber 36 is also to a certain data entry, especially abnormal spectrum subdirectory 292 and the unknown conditions can be included in a sub-directory (296). 이것들은 사용되는 인가 가스들의 타입들 또는 플라스마의 조성, 챔버(36)의 하나 이상의 영역들 내의 온도들, 처리 챔버(36)내의 압력, 전력 설정들 및 가스 흐름 속도들과 같은 플라스마 처리에서 전형적으로 감시되는 조건들을 포함할 것이다. These are typically in the plasma process, such as the types or composition of the plasma of the application that is used gas, the temperature in one or more regions of the chamber 36, the pressure, the power set in the processing chamber 36 and the gas flow rate It will include monitoring conditions.

패턴 인식 모듈(370) - 도13 The pattern recognition module 370 - 13

본 발명의 어떤 중요한 원리들은 하나의 스펙트럼 패턴이 다른 스펙트럼 패턴과 일치하는지 (예를 들어, 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼 패턴이 플라스마 스펙트럼 디렉토리(288)의 관련 서브디렉토리에서의 관련 스펙트럼의 패턴과 "매치"되는지)에 단순히 기반한다. Some important principle of the invention that one of the spectral pattern is matched with the other spectral pattern (e.g., pattern of the relevant spectrum in the relevant sub-directories of the plasma of the spectrum pattern in the chamber 36 plasma spectrum directory 288 and simply it based on whether the "match"). 많은 경우에 이 판단은 도13에 제시되는 패턴 인식 모듈(370)을 통하여 이루어질 수 있다. This determination may be made by the pattern recognition module 370 are shown in Figure 13, in many cases. 다양한 "패턴 인식 기술들"이 상기에서 언급된 기능을 제공하기 위하여 패턴 인식 모듈(370)에 의하여 채용될 수 있다. It may be employed by the pattern recognition module 370 to provide a variety of "pattern recognition technology to" the functions noted in the above. 하나의 그러한 패턴 인식 기술은 도13에 도시된 흐름도에 의하여 구현되고 일반적으로 포인트-바이-포인트(point-by-point) 패턴 인식 기술로서 특성화될 수 있다. Can be characterized point (point-by-point) as pattern recognition techniques - One such pattern recognition technique is implemented by the flow chart shown in Figure 13 is generally point-by. 도13의 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 구현되는 포인트-바이-포인트 패턴 인식 기술은 단계(378) 내에 포함된다. FIG point implemented by the pattern recognition subroutine 374 of the 13-by-point pattern recognition technology is included in the step 378. 현재 시각 t c (고정된 시각)에서 현재 스펙트럼의 첫 번째 파장에서의 세기는 목표 디렉토리로부터 관련 스펙트럼의 동일한 첫 번째 파장에서의 세기와 비교된다. Intensity at the first wavelength spectrum of the current at the current time t c (fixed time) is compared to the intensity of the same from the first wavelength of the associated spectrum from the target directory. 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 어떤 서브-모듈이 패턴 인식 모듈(370)을 호출하든지 간에 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 어떤 특정 서브디렉토리가 패턴들을 매치시키기 위하여 모듈(370)에 의하여 조사되어야 하는지(그래서 목표 디렉토리를 정의한다)를 지정할 것이다. Currently no sub plasma processing module (250) that the module pattern recognition a particular subdirectory of the plasma spectrum directory 284. Whether calling the module 370 is to be irradiated by the module 370 in order to match the pattern ( so it will specify and define the target directories). 패턴 인식 모듈(370)을 호출하는 서브-모듈은 또한 무엇이 "매칭" 패턴을 구성할 것인지를 설정할 수 있다. Calling pattern recognition module 370 sub-modules can also set what you want to configure the "matching" pattern. 즉, 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 한 서브-모듈에 관련한 "매치 스펙트럼"일 수 있는 것은 그것의 서브-모듈들의 다른 것에 관련한 "매치 스펙트럼"일 수 없다. That is, a sub-current of the plasma processing module 250 - It can be "matched spectrum" in relation to the module of its sub-can not be "matched spectrum" in relation to the other of the modules.

두 개의 해당 스펙트럼의 세기들이 해당 광학적 이미션들에서의 이 첫 번째 파장에서 다른 것의 "매치 한계(match limit)"내에 있다면, 두 개의 해당 스펙트럼들의 패턴들은 애초에 "매치"로 고려되고 분석은 두 번째 파장에서 반복되며, 두번째 파장은 첫 번째 파장과 다르게 위치하고 상기에서 언급된 포인트-바이-포인트 분석이 반복되는 두 번째 "포인트"를 정의한다. Is within two corresponding spectrum intensity to the others "match threshold (match limit)" in the first wavelength in the corresponding optical emission of the pattern of the two corresponding spectra are initially considered a "match" analysis is the second defines a second "point" is a point analysis repeated - is repeated in wavelength, the second wavelength is the first wavelength and a different point within the above mentioned-by. 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 사용되는 특정 "매치 한계"는 언급된 바와 같은 패턴 인식 서브루틴(374)을 호출하는 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 어떤 서브-모듈에 특정적일 수 있다. Pattern recognition sub-specific "match threshold" to be used by the routine 374 in which the sub-pattern recognition sub-current plasma process that calls the routine 374, the module 250, as mentioned - is proven to be specific to the module. 상기에서 설명된 포인트-바이-포인트 분석은 전형적으로 미리-선택된 파장 증분(예를 들어, 매 나노미터)에서 전체의 현재 스펙트럼을 따라 "전개"함으로써 반복된다. The point described above-by-point analysis is typically pre--selected wavelength increment is repeated by "expansion" as the current spectrum of the entire (e. G., Every nanometer). 전형적으로 고정된 파장 증분은 두 해당 스펙트럼 사이의 비교가 스펙트럼의 전체 "대역폭"의 전체에 걸쳐 매 "x" 나노미터마다 만들어지도록 단계(378)에 의하여 활용될 것이다. Typically the wavelength increment with fixed will be the comparison between both the spectra utilized by a step to be created every "x" nanometers throughout the entire "bandwidth" of the spectrum (378). 그러나, 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 검사되는 각 "포인트들" 사이에서 동일한 간격들이 있을 필요는 없다. However, pattern recognition sub not have to have the same distance between each of the "points" to be tested by routine 374.

상기에서 언급된 포인트-바이-포인트 비교와 조합되어 사용될 수 있는 다른 매치 기준은 얼마나 많은 검사된 포인트들이 두 해당 스펙트럼이 매치로 간주되기 위하여 "매치 한계" 내에 있어야 하는지에 관한 것이다. The points mentioned above relates to whether other match criteria that may be used in combination with a point compare how much the check points are the two spectrum be in the "match threshold" to be considered a match-by. 패턴 인식 서브루틴(374)을 호출하는 서브-모듈은 해당 포인트-바이-포인트 분석에서 검사되는 각 "포인트"가 두 스펙트럼이 매치로 간주되기 위하여 선택된 매치 한계 내에 있는 것을 요구할 수 있다. Pattern recognition sub calling a subroutine (374) modules are the point-may be required to match within a selected threshold to be considered for each "point" the two spectra are checked at point analysis to match-by. 대안적으로, 100%보다 적은 어떤 것이 또한 활용될 수 있다. Alternatively, it can also be utilized which is less than 100%. 예를 들어, 매치 한계 내에 있는 포인트들의 최소한 95%를 가지는 것은 매치로 간주되는 두 해당 스펙트럼과 동일시할 것이다. For example, having at least 95% of the points in the match threshold will be identified and both the spectrum that are considered to match. 더군다나, 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 검사되는 다수의 포인트들의 평균 변수가 계산되고 그것이 소정의 허용 오차 내에 있는지를 판단하기 위하여 목표 디렉토리로부터 관련된 스펙트럼과 관련되는 평균과 비교될 수 있다. Furthermore, it can be compared to the average associated with a spectrum associated directory from the target to the pattern recognition sub-average parameters of the plurality of points to be inspected by the routine 374 is calculated to determine whether it is within a predetermined tolerance. 상기의 임의의 조합은 무엇이 "매치"인지를 판단하기 위하여 실행될 수 있다. Any combination of the above may be performed in order to determine what is "match".

많은 요소들이 도13의 패턴 인식 서브루틴(374)에서 단계(378)의 실행에 의하여 달성되는 결과들에 공헌하는 정밀도(accuracy)에 영향을 끼칠 것이다. Many factors of the pattern 13 recognized sub will influence the accuracy (accuracy) that contribute to the result that is achieved by the execution of step 378 in routine 374. 하나의 그런 요소는 포인트-바이-포인트 비교 기술과 관련하여 논의될 것이지만, 상기에서 논의된 평균화에 동일하게 적용될 "매치 한계"이다. One such element is the point-by-point comparison will be discussed in relation to the technology, the "match threshold" is equally applicable to the averaged discussed above. 이 경우에, "매치 한계"는 시각 t c 에서의 어떤 포인트에서 현재 스펙트럼에서의 포인트와 관련된 세기가 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼의 세기로부터 벗어나게 될 것이고, 여전히 패턴 인식 서브루틴(374)의 목적에 대하여 "매치"로 간주되는 양이다. In this case, the "match threshold" is the purpose of the time from a point in t c will now be the intensity associated with the point in the spectrum deviates from the intensity of the associated spectrum from the target directory, still a pattern recognition subroutine 374 is an amount that is about considered a "match." 활용될 수 있는 "매치 한계"의 두 타입들은 가공되지 않은 차이 기반(raw difference basis) 및 퍼센트 차이 기반을 포함한다. That can be used two types of the "match threshold" include the difference based (raw difference basis), and percent difference based raw. "가공되지 않은 차이 기반"의 경우에, 고정된 수의 세기 유닛들이 설정되고 패턴 인식 서브루틴(374)에 입력되어 "매치"의 경계를 정의한다 (예를 들어, "가공되지 않은 차이 기반" 한계는, 여기에서 "x"는 패턴 인식 서브루틴(374)에 입력되는 값인데, 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 검사되는 현재 스펙트럼의 각 파장에서의 세기가 "매치"로 간주되기 위하여 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼의 해당하는 파장들의 각각에서 세기의 ±"x" 세기 유닛들 내에 있어야만 하도록, ±"x" 세기 유닛에서 설정될 수 있다). In the case of "raw difference-based", and the intensity units of a fixed number to set is input to a pattern recognition subroutine 374 defines the boundary of the "match" (e.g., a "difference-based raw" limit, here "x" is a pattern recognition sub-inde value input to the routine 374, pattern recognition sub-goals to be considered to be the intensity at each wavelength of the current spectrum "match" are checked by the routine 374, in each of the wavelengths of the associated spectrum from the directory to be within the ± "x" intensity units of intensity, can be set at ± "x" intensity units). "퍼센트 차이 기반"에 기초하는 "매치 한계"를 가지는 경우에, 고정된 퍼센트는 설정되고 패턴 인식 서브루틴(374)에 입력되어 현재 스펙트럼의 해당하는 세기들과 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼 사이에서 "매치"의 경계를 정의한다 (예를 들어, "가공되지 않은 차이 기반" 한계가 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 검사되는 현재 스펙트럼의 각 파장에서의 세기가 "매치"로 간주되기 위하여 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼의 해당하는 파장들의 각각에서 세기의 ±"x" 세기 유닛들 내에 있어야만 하도록, ±"x" 퍼센트에서 설정될 수 있다). In the case with the "match threshold" based on the "percent difference based", the fixed percentage is set is input to a pattern recognition subroutine 374 between the covered intensity and target associated spectrum from the directory of the spectrum " match "defines the boundaries (e.g.," raw difference-based "is a limit check by pattern recognition subroutine 374 the intensity at each wavelength of the current spectrum" to be considered to match "target directory from the intensity to be within ± "x" intensity units at each of the wavelengths of the spectrum of the associated, ± "x" may be set in percent). "가공되지 않은 차이" 및 "퍼센트 차이" 둘 모두는 역시 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 "매치 한계"로서 동시에 사용될 수 있다 (즉, 둘 모두의 기준은 스펙트럼들이 "매치"로 간주되기 위하여 만족되어야만 한다). "Raw difference" and "percent difference" both are also pattern recognition sub may be used at the same time as the "match threshold" by the routine 374 (that is, the criteria of both is to be the spectrum are considered to be "matched" It should be satisfied). "매치 한계"는 역시 상기에서 언급된 평균화 기술이 사용될 때에 동일하게 적용될 수 있다. "Match threshold" can also be equally applied when the averaging technique mentioned above is used. 어떤 타입의 "매치 한계"가 채용되는지에 관계없이, 그것은 패턴 인식 서브루틴(374)에 의한 사용을 위하여 들어간다. Of any type regardless of whether the "match threshold" is employed, it goes for use by a pattern recognition subroutine 374.

도13의 패턴 인식 서브루틴(374)의 결과에 공헌하는 정밀도에 영향을 끼치는 다른 요소는 상기에서 설명된 포인트-바이-포인트 분석에서 사용되는 분석적 파장 분해능이다. Other factors that affect the accuracy to contribute to the results of the pattern recognition subroutine 374 of Figure 13 is the point described above - the analytical wavelength resolution used in the analysis of point-by. 이 문맥에서 "분석적 파장 분해능"는 상기에서 설명된 포인트-바이-포인트 분석이 해당 스펙트럼에 걸쳐 수행되는 파장 증분이다. "Analytical wavelength resolution" in this context is the point described above - which is the wavelength increment point analysis is performed across the spectrum-by. 상기에서 언급된 포인트-바이-포인트 분석을 위한 복수의 파장들이 해당 스펙트럼의 대역폭에 걸쳐 임의적일 수 있다 하더라도, 바람직하게는 고정된 파장 증분과 같은 어떤 패턴이 사용된다. The point referred to in the above-by-point, even if a plurality of wavelengths for analysis are may be optionally over the bandwidth of the spectrum, preferably at a certain pattern, such as a fixed wavelength increments is used. 예를 들어, 분석적 파장 분해능이 1 나노미터에서 설정되고 패턴 인식 서브루틴(374)에 입력되면, 상기에서 언급된 포인트-바이-포인트 분석 단계(378)는 바람직한 광 대역폭의 전체에 거쳐 각 1 나노미터 증분에서 수행될 것이다. For example, if the analytical wavelength resolution is set at 1-nm input to a pattern recognition subroutine 374, a point mentioned in the above-by-point analysis step 378, each first nano through the whole of the desired bandwidth It will be performed in the meter increments. 바람직하게는 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 사용되는 분석적 파장 분해능은 약 2 나노미터보다 작고, 보다 바람직하게는 0.5 나노미터보다 작다. Preferably, the pattern recognition sub analytical wavelength resolution used by the routine 374 is less than about 2 nanometers, more preferably less than 0.5 nanometers. 이하에서, 이것은 "바람직한 분석적 파장 분해능"로서 언급될 것이다. In the following, this will be referred to as "preferred analytical wavelength resolution".

현재 스펙트럼이 200 나노미터로부터 900 나노미터로 확장되고 분석적 파장 분해능이 1 나노미터인 도13의 패턴 인식 서브루틴(374)의 요약(summarizing) 단계(378)의 경우에, (처리 챔버(36) 내에서 수행되는 현재 플라스마 처리로부터의) 현재 시각 t c 에서의 현재 스펙트럼으로부터의 그리고 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼으로부터의 200 나노미터 파장에서 세기들의 비교가 만들어진다. Current spectrum is expanded to 900-nm from 200 nanometers in the case of a summary (summarizing) step 378, the analytical wavelength resolution is 1, the pattern recognition of nanometers Figure 13 subroutine 374, (the processing chamber 36 to the current plasma process to be carried out in a) it is made a comparison of the intensity at 200 nanometers wavelength from the relevant spectrum to and from the target from the current directory in the spectrum at the current time t c. 이 두 세기들 사이의 차이가 가공되지 않은 차이 이론, 퍼센트 차이 이론, 또는 가공되지 않은 차이 이론 및 퍼센트 차이 이론의 조합이 사용되든지 간에 (예를 들어, 조합의 경우에 세기의 차이가 세기 유닛의 어떤 입력 수보다 많아야 하고, 또한 서로 다른 것의 어떤 입력 수 내에 있어야 함), 패턴 인식 서브루틴(374)으로의 "매치 한계" 입력 내에 있다면, 현재 스펙트럼 및 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼의 200 나노미터 파장 "포인트"는 현재 시각 t c 에서 "매치"로서 특성화될 것이다. Between the non-difference between the two intensity processed difference theory, the percent difference between theory, or the raw difference between theory and the percent difference between the combination of the theory doedeunji used (e. G., Of the intensity in the case of a combination of the intensity unit difference must be within at most than any input number, and can also be any type of different things;), a pattern recognition sub is within the input "match threshold" of the routines 374, 200-nm wavelength of the relevant spectrum to the current spectrum and the target directory "point" will be characterized as a "match" at the current time t c. 그러면 포인트-바이-포인트 분석은 상기에서 설명된 방식으로 201 나노미터 파장에서 계속될 것이고, 마지막 900 나노미터 파장에 도달할 때까지 매 1 나노미터 증분마다 반복될 것이다. This point-by-point analysis will result in 201-nm wavelength in the manner described above, it will be repeated for every one nanometer increments until it reaches the last 900-nm wavelength. 그런 다음에 현재 시각 t c 에서 현재 스펙트럼에 대한 단계 378의 포인트-바이-포인트 비교의 결과들은 패턴 인식 모듈(370)을 호출한 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 서브모듈에 의한 사용을 위하여 도13의 패턴 인식 서브루틴(374)의 단계(380)에 제공될 것이다. Points and then the step of the current spectrum at the current time t c 378 - 13 for use by a sub-module of the point comparison results are the pattern recognition module 370, a current plasma processing module 250 calls the-bicyclo for pattern recognition it will be given in step 380 of the subroutine 374. 그러면 플라스마 감시작동들(operations)의 제어는 패턴 인식 서브루틴(374)의 단계(382)에 의하여 패턴 인식 모듈(370)을 호출한 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 서브모듈에 복귀된다. This control of the plasma monitor work (operations) is returned to the sub-modules of the pattern recognition subroutine 374. Step 382 calls a pattern recognition module 370 are plasma processing module 250 by the.

어떤 플라스마 처리들은 매우 빠르게 변경되고 어떤 플라스마 처리들은 상대적으로 짧은 기간을 가진다 (예를 들어, 플라스마 처리의 어떤 플라스마 단계들은 약 5초보다 적다). Some plasma treatment are very fast change which plasma treatment have the relatively short period (for example, a plasma treatment step in the plasma are less than about 5 seconds). 그러므로, 스펙트럼 데이터는 최소한 매 1초마다 취해져야 하고 이 데이터의 분석은 가능한 한 빨리 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 완료되어야 한다. Thus, the spectral data be taken at least every second sheet, and analysis of this data should be completed as soon as possible by the pattern recognition subroutine 374. 플라스마 처리가 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 아래에서 상세하게 논의될 플라스마 레시피인 경우에, 현재 플라스마 레시피의 확인 및 처리 챔버(36)의 성능의 분석 (예를 들어, 플라스마 상태)은 최소한 다음 웨이퍼(18)이 챔버(36) 내에서 이 제품에 대한 플라스마 레시피의 다른 수행을 위하여 챔버(36)내로 로딩되기 전에 완료되어야 한다. If the plasma treatment of plasma recipes will be discussed in detail below in relation to the plasma state subroutine 253 of Figure 21, analysis of the performance of the verification and the processing chamber 36 of the present plasma recipe (e.g., plasma conditions ) has to be completed before loading into the chamber 36 to the other to perform the plasma recipe for this product in the minimum: a wafer (18) this chamber (36). 도13의 패턴 인식 서브루틴(374)는 처리 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼의 분석을 단순화하는 것을 통하여 그 요구들을 충족시킬 수 있다. Pattern recognition subroutine 374 of Figure 13 can meet those requirements through to simplify the analysis of the spectrum of a plasma in the processing chamber 36. 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 제공되는 분석의 합계 총합은 단순히 현재 스펙트럼의 패턴이 목표 디렉토리로부터의 관련 스펙트럼의 패턴과 "매치"되는지 여부이다. Pattern recognition sub total sum of the analysis provided by the routine 374 is simply whether the current pattern of the spectrum that the spectrum of the associated directory from the target pattern and the "match". 한계들의 각각에서 패턴 인식 서브루틴(374)에 의하여 사용되는 분석에서 처리 챔버(36)에서 현재 수행되는 처리로부터 플라스마의 스펙트럼에서의 피크들을 위치시키거나 정의하는 것이 필요하지 않다. It is not necessary that the sub-pattern recognition to locate the peak of the spectrum of a plasma from a process currently performed in the processing chamber 36 from the analysis that is used by the routine 374, or is defined in each of the limit. 스펙트럼 분석을 통하여 처리 챔버(36)에서 플라스마에 현재 존재하는 다양한 화학 종을 확인하기 위하여 패턴 인식 서브루틴(374)에 의한 어떠한 시도도 만들어지지 않는다. Any attempt by a pattern recognition subroutine 374 to confirm that the various chemical species are present in the plasma in the processing chamber 36 through the spectral analysis is also not made. 다시, 서브루틴(374)에 의하여 만들어지는 유일한 판단은 현재 스펙트럼 패턴이 목표 디렉토리에서의 관련 스펙트럼 패턴과 "매치"하는지 여부이다. Again, whether or not the sub-routine 374, determination is made only relevant spectral pattern in the target directory, the current spectrum and pattern "match" that is, by. 한 실시예에서 패턴 인식 서브루틴(374)은 약 1초 이하에서, 바람직하게는 약 0.5 초 이하에서 약 1 나노미터보다 적은 (즉, 최소한 매 1 나노미터 증분에서 포인트-바이-포인트 분석을 실행하는) 분석적 파장 분해능을 가지는 약 150 나노미터에서 약 1,200 나노미터의 범위 내에서 파장들에 의하여 정의되는 스펙트럼에 대하여 단계(378)을 실행할 수 있다. One exemplary pattern recognition subroutine 374 in the example is less than approximately 1 second, preferably less (i.e., a point at least every one nanometer increments of less than about 1 nanometer in less than about 0.5 seconds-running point analysis-by a) it can be carried out with step 378, with respect to the spectrum that is defined by the wavelength in the range from about 1,200 nanometers to about 150 nanometers with the analytical wavelength resolution.

처리 경보 모듈(428) - 도14 Alarm processing module (428) - 14

현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의하여 부닥칠 수 있는 다양한 조건들은 도14의 처리 경보 모듈(428)로의 제어의 전달 도는 처리 경보 모듈(428)과의 제어의 공유를 야기할 수 있다. Can cause a share of control of the current in the plasma treatment module swarming various conditions are passed to turn the alarm processing module 428 of the control handle to the alarm module 428 of Figure 14 by that section (250). 하나 이상의 서브루틴들은 처리 경보 모듈(428)하에 포함될 수 있다. One or more subroutines can be included under process alarm modules 428. 이 서브루틴들의 각각은 처리 경보 모듈(428)의 활성화를 야기한 관련 조건 또는 상황이 어떻게 처리되는지에 관련된 다양한 선택들을 제공할 수 있다. Each of these sub-routines may provide various selection related to how the relevant condition or conditions giving rise to the activation of the alarm processing module 428 processing. 도14의 처리 경보 서브루틴(432)의 경우에, 두 카테고리의 "동작들"은 하나 이상의 경보들을 발행하고 어떤 방식으로 해당 플라스마 처리의 제어를 처리하는데 활용될 수 있다. In the case of the process alarm sub-routine 432 of Figure 14, "the operation" of the two categories may be utilized for issuing one or more alerts and process control of a plasma treatment in any way.

하나 이상의 경보, 경계 또는 유사한 것은 도14의 처리 경보 서브루틴(432)의 경계 경보가 해당 조건 또는 상황과 관련하여 그것의 단계(454)에서 인에이블될 때 활성화될 수 있다. The one or more alarms, boundary or the like also alert the alarm process subroutine 432 of 14 can be in connection with the condition or conditions to be activated when enabled at its step 454. 최소한 하나의 시각 경보는 처리 경보 서브루틴(432)의 단계(458)에서 활성화될 수 있다. At least one visual alarm may be activated at step 458 of process alarm subroutine 432. 예시적 시각 경보들은 관련 조건의 존재의 일반적인 지시 (예를 들어, 플래쉬 라이트), 해당 조건의 보다 특정적인 지시 (예를 들어, 확인된 조건 또는 상황의 텍스트 설명을 제공함), 또는 둘 모두를 포함한다. General indication of the existence of an exemplary visual alarm are related conditions (e.g., flashlight), specific directions than in the condition including both (e. G., Provide a text description of the identified conditions or situation), or both do. 해당 조건에 관한 정보가 제공되는 적절한 위치들은 해당 조건이 직면되는 특정 처리 챔버(36)과 관련된 디스플레이(130), 웨이퍼 생산 시스템(2)을 위한 종류들의 마스터 제어 패널로서 특성화될 수 있는 웨이퍼 생산 시스템(2)과 관련된 디스플레이(59), 웨이퍼 생산 시스템(2)을 통합하는 전체 제조 설비를 위한 임의의 마스터 제어 패널, 웨이퍼 생산 시스템(2)이 포함되는 임의의 컴퓨터 네트워크 또는 상기의 것들의 임의의 조합을 포함한다. Suitable location provided information about the conditions wafer production system that may be the condition is encountered characterized as a master control panel of the kind for the display 130, the wafer production system (2) associated with a particular treatment chamber 36 which is 2 and the display 59, the manufacture of wafers with a random for the entire manufacturing facility that incorporates (2) a master control panel, the wafer production system (2) any of the arbitrary computer network or the ones that contain the relevant It includes a combination. 다른 시각 지시들은 단독으로 또는 상기의 임의의 것과의 조합으로 채용될 수 있다. Other visual indications may be employed alone or in combination of any of the like. 오디오 및 어떤 다른 타입들의 경보들이 또한 채용될 수 있다. Audio and alarms of any other type may also be employed.

도14의 처리 경보 서브루틴(432)하에서 활용될 수 있는 다른 선택은 최소한 어떤 방식에서 플라스마 처리의 제어에 관한 것이고, 그것은 처리 경보 서브루틴(432)의 단계(436)을 통하여 접근될 수 있다. Other options that can be used under the process alarm subroutine 432 of FIG. 14 relates to the control of the plasma treatment, at least in some way, it can be accessed through the step 436 of processing the alarm subroutine 432. 어떤 조건 또는 그 조건 자체의 식별과 관련되고, 처리 경보 서브루틴(432)의 활성화를 촉발할 어떤 스펙트럼은 서브루틴(432)의 단계(448) 내에 포함되거나 관련될 수 있다. It is associated with the identification of any condition or the condition itself, which spectrum can trigger the activation of the alarm process subroutine 432 may be associated or included in step 448 of the subroutine 432. 이 스펙트럼 또는 조건이 챔버(36)에서 직면하게 되는 동안에 설정된 하나 이상의 프로토콜들은 관련된 단계(450)에 포함될 수 있다. At least one protocol and a spectrum or condition is set while the face in the chamber 36 may be included in the steps relating to 450. The 다중 스펙트럼 또는 조건들은 어떤 한 단계(448)에 포함될 수 있다. Multispectral or conditions may be included in which a notch (448). 단계(448)에 포함되거나 관련되는 이 스펙트럼/조건들 사이의 공통성은 그것의 관련된 단계(450)에 포함되는 분류적으로 유사한 프로토콜이다. Commonality between the spectrum / conditions contained or associated in the step 448 is a protocol similar to the classification ever included in its step 450 related.

다섯 개 카테고리의 프로토콜들이 도14에 제시된다. Protocols of the five categories is presented in Figure 14. 단계(450a)는 하나 이상의 처리 제어 파라미터들의 변형인 프로토콜 카테고리를 제공한다. Step (450a) provides a variation of the protocol category of one or more process control parameters. 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로부터의 하나 이상의 스펙트럼, 하나 이상의 조건들 도는 이 둘 모두는 단계(450a)에 접근할 처리 경보 서브루틴(432)의 단계(448a)에 포함될 수 있다. It may be included in step (448a) of the abnormal spectrum subdirectory 292, one or more of the spectrum, to turn one or more for both the two processes to access the alarm sub-step (450a), the routine 432 from. 단계(450a)는 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리에서 해당 조건들을 "처리"(예를 들어, 수정/보정)하려는 시도가 이루어지는 프로토콜 카테고리로 방향지워진다. Step (450a) is cleared direction to chamber 36 "processing" of the condition in the current plasma process performed in the (e.g., edit / correction) protocol category attempt is made to. 처리 경보 서브루틴(432)의 단계(450a)와 관련되는 프로토콜은 해당 조건을 처리하는데 적합한 것으로 이미 판단된 방식으로 하나 이상의 처리 제어 파라미터들의 변형 또는 조정을 보다 특정적으로 마련한다. Treatment protocols relating to the step (450a) of alarm sub-routine 432 is provided in particular is less than a variation or adjustment of one or more process control parameters have already been determined to be suitable for treating the condition manner. 현재 플라스마 처리와 관련된 처리 제어 파라미터들의 조정은 처리 경보 서브루틴(432)를 적합한 처리 제어기(들)와 작동적으로 인터페이스시킴을 통하여 (예를 들어, 웨이퍼 생산 시스템(2)을 제어하는 도1의 PMCU(128)로부터 MCU(58)로 적절한 신호를 전송함으로써) 웨이퍼 생산 시스템(2)을 통합하는 설비에 의하여 요구된다면 자동적으로 취해질 수 있다. Currently adjustment of process control parameters associated with the plasma processing of Figure 1 for controlling (e.g., wafer production system 2 via the Sikkim suitable process controller (s) and operatively interfaces for processing alarm subroutine 432 If, by sending a suitable signal from PMCU (128) to the MCU (58)) required by the facility to incorporate the wafer production system 2 can be taken automatically. 하나 이상의 처리 제어 파라미터들의 수동적 조정은 또한 처리 경보 서브루틴(432)의 단계(450a)에 의하여 계획된다. Manual adjustment of one or more process control parameters are also planned by the step (450a) the handling alarm subroutine 432. 이 경우에서 단계(450a)의 실행은 필요하다면 담당자가 적절한 동작을 수동적으로 시작할 수 있도록, 적절한 담당자에게 해당 조건과 관련되는 프로토콜(들)을 알리는 것을 수반할 것이다. So that the execution of the step (450a) in this case can manually initiate the appropriate action if necessary, personnel, and will involve the appropriate personnel to inform the protocol (s) associated with the condition.

도14에서 단일의 "변형 처리 제어 파라미터들" 프로토콜의 제시에도 불구하고, 서로 다른 처리 제어 변형들은 단계(448a)와 관련되는 서로 다른 스펙트럼/조건들에 대하여 시작될 수 있다. Despite the present of a single of the "modified process control parameter" in the protocol 14, and the different controlled process variant it may be started with respect to the different spectral / conditions according to step (448a). 하나 이상의 스펙트럼은 한 방식에서 처리 제어 파라미터들의 변형을 요구하는 조건에 관련될 수 있고, 한편 다른 조건과 관련된 하나 이상의 스펙트럼은 다른 방식에서 처리 제어 파라미터들의 변형을 요구할 수 있다. One or more spectra can be related to conditions requiring modification of the process control parameters in a manner, while the at least one spectrum associated with other conditions may require a modification of the process control parameters in a different way. 게다가, 단계(448a)와 관련되는 어떤 하나 이상의 스펙트럼 또는 하나 이상의 조건들은 그것과 관련되는 하나 이상의 처리 제어 프로토콜들을 가질 수 있다. In addition, any one or more of the spectrum or one or more conditions relating to the step (448a), may have one or more process control protocol associated with it. 예를 들어, 단계(450a)가 관련 처리 제어기(들)과 직접적으로 통합되지 않는 경우에, 관련된 조건(들)을 처리하기 위하여 취해질 수 있는 가능한 수정 동작들의 목록이 적합한 담당자에 의한 고려를 위하여 제공될 수 있다. For example, step (450a) is provided to the associated process controller (s) and considered by the appropriate contact list of possible corrective actions that may be taken to process if they are not directly integrated into, the associated condition (s) It can be. 웨이퍼 생산 시스템(2)과 관련된 하나 이상의 제어기들을 가지는 통합 단계(450a)는 어떤 하나 이상의 스펙트럼/조건들에 대하여 다중 처리 제어 프로토콜들을 여전히 활용할 수 있다. Integration stage having one or more controllers associated with the wafer manufacturing system (2) (450a) may still take advantage of multiprocessing control protocol with respect to which one or more spectral / condition. 단계(448a)와 관련되는 해당 조건을 처리하기 위한 시도들은 처음으로 이 조건 및 단계(450a)와 관련되는 첫 번째 프로토콜을 통하여 추진될 수 있다. Attempts to treat the condition according to step (448a) can be pushed through the first protocol for the first time in connection with the conditions and step (450a). 이것이 해당 조건을 처리하는데 성공적이지 않다면, 해당 조건 및 단계(450a)와 관련되는 두 번째 프로토콜이 취해질 수 있고, 계속 유사하게 처리도리 수 있다. If this is not successful for treating the condition, there is a second protocol associated with the conditions and step (450a) may be taken, it can continue Dori similar treatment.

도14의 처리 경보 서브루틴(432)에 포함될 수 있는 다른 카테고리의 프로토콜은 현재 플라스마 처리를 종료하는 것에 관한 것이다. Protocols of different categories that may be included in the process alarm sub-routine 432 of Figure 14 is directed to terminate the current plasma process. 하나 이상의 조건들을 대표하는 하나 이상의 스펙트럼, 또는 그 조건(들) 자체의 식별은 단계(450b)를 접근하는 서브루틴(432)의 단계(448b)에 포함되거나 관련될 수 있다. At least one spectrum representing the one or more conditions, or condition (s) identified in itself may be included in or associated with the step (448b) of the sub-routine 432 to access a step (450b). 현재 플라스마 처리의 전형적인 종료가 챔버(36)로의 가스 흐름 및 플라스마의 생성을 초래하는 전기 부문을 종료하는 것을 단순히 수반할 것이라 하더라도, 단계(450b)는 해당 플라스마 처리를 종료하도록 방향지워진 하나 이상의 프로토콜들을 포함한다. Even would simply involve present exemplary end of the plasma processing is completed the electricity sector, which results in a gas flow and generation of the plasma to the chamber 36, a step (450b) is one or more protocol cleared direction to exit the plasma treatment It includes. 현재 플라스마 처리의 종료는 처리 경보 서브루틴(432)을 적합한 처리 제어기와 작동적으로 인터페이싱시킴을 통하여 (예를 들어, 적절한 신호를 MCU(58)로 전송하는 PMCU(128)에 의하여) 웨이퍼 생산 시스템(2)을 통합하는 설비에 의하여 요구된다면 자동적으로 취해질 수 있다. Wafer production systems present the end of the plasma processing (by PMCU (128) for transmitting, for example, an appropriate signal to the MCU (58)) through the Sikkim suitable process controller and interface operatively processing alarm subroutine 432 If required by the facility to incorporate (2) it can be taken automatically. 현재 플라스마 처리의 수동적 종료는 또한 단계(450b)에 의하여 계획된다. Current passive end of plasma processing is also planned by the step (450b). 이 경우에서 단계(450b)의 실행은 적합한 담당자에게 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리의 종료가 적절한 동작이 필요하다면 수동적으로 취해질 수 있도록 추천되는 조건이 식별되었음을 알리는 것을 단순히 수반할 수 있다. The execution of the step (450b) in this case may simply involve stating that these conditions are recommended so that a suitable representative processing chamber (36) the end of the current plasma processing is performed in can be taken manually if necessary the appropriate action identified .

세정 동작들은 또한 도14의 처리 경보 서브루틴(432)을 통하여 시작될 수 있다. Washing operations also may be started through the process alarm subroutine 432 of FIG. 비정상 스펙트럼 디렉토리(292) 또는 챔버 조건 서브디렉토리(300)로부터의 하나의 스펙트럼 또는 관련된 조건의 단순한 식별은 차례로 단계(450e)에 접근하는 서브루틴(432)의 단계(448e)에/와 관련하여 포함될 수 있다. Included by abnormal spectrum directory 292, or chamber conditions, the sub mere identification of a spectrum or a related condition from the directory 300 associated with the step (448e) of the sub-routine 432 / approaching step (450e), and then can. 단계(450e)는 처리 챔버(36)의 내부의 어떤 타입의 세정을 시작하도록 지시된다. Step (450e) is instructed to start any type of cleaning the inside of the processing chamber 36. 세정 작동들은 처리 경보 서브루틴(432)을 적절한 처리 콘크롤러(들)와 작동적으로 인터페이싱시킴을 통하여 (예를 들어, 적절한 신호를 MCU(58)로 전송하는 PMCU(128)에 의하여) 웨이퍼 생산 시스템(2)을 통합하는 설비에 의하여 요구된다면 자동적으로 취해질 수 있다. Cleaning operations are through Sikkim interfacing the processing alarm subroutine 432 to an appropriate processing cone crawler (s) and operatively (e. G., By PMCU (128) for transmitting the appropriate signal to the MCU (58)), the production of wafers If required by the facility to incorporate the system 2 can be taken automatically. 이 동작들의 수동적 실행은 또한 단계(450e)에 의하여 계획된다. Passive execution of this operation are also planned by the step (450e). 이와 관련하여, 도14의 처리 경보 서브루틴(432)에서 단계(450e)의 실행은 담당자에게 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리가 검출된 지저분한 챔버 조건에 기인하여 종료되고 계속하여 세정 동작이 수동적으로 시작되어야 한다는 것을 추천하는 통지를 단순히 수반할 수 있다. In this regard, the execution of step (450e) in a process alarm sub-routine 432 of Figure 14 is to be shut down due to the current plasma process is detected dirty chamber condition is performed to the personnel in the processing chamber 36 continues the cleaning operation It can be accompanied by a notice recommending that it should begin with a simple passive.

단계(448e)와 관련된 하나 이상의 스펙트럼/조건들은 단계(450e)에서 서로 다른 프로토콜들과 관련될 수 있다. One or more spectral / conditions related to step (448e) may be associated with different protocols in step (450e). 예를 들어, 단계(448e)와 관련되는 하나 이상의 스펙트럼/조건들에 해당하는 단계(450e)의 하나의 프로토콜은 상기에 따라 시작될 수 있다. For example, one protocol of step (450e) corresponding to one or more spectral / conditions according to step (448e) can be started according to the above. 단계(448e)와 관련되는 다른 스펙트럼 또는 조건들은 상기에 따라 시작될 수 있는 습식 세정에 관한 단계(450e)의 프로토콜을 접근할 수 있다. Spectrum or other terms relating to the step (448e) can access the protocol of step (450e) on the wet cleaning can be started according to the above.

웨이퍼 분배 순서(sequence)가 스펙트럼 또는 조건들의 존재에 의하여 어떤 방식으로 영향을 받아야 하는 성질을 가지는 챔버(36) 내의 스펙트럼 또는 조건들은 단계(448c)에 포함되거나 연관된다. Spectrum or condition in the chamber 36, a wafer distribution order (sequence) that has the properties that must be affected in any way by the presence of spectral, or conditions are associated with or included in the step (448c). 그래서 단계(450c)에서 설정된 프로토콜은 웨이퍼(18)가 도59-60과 관련하여 아래에서 상세하게 논의될 웨이퍼 분배 모듈(1384)을 통하여 웨이퍼 생산 시스템(2)의 다양한 처리 챔버(36)에 분배되는 방식을 처리한다. So protocol set in step (450c), the wafer 18 is also allocated to the different process chamber 36 of wafer production system (2) with respect to 59-60 through the wafer distribution module (1384) is specifically discussed below It handles that way. 웨이퍼 생산 시스템(2)의 처리 챔버(36)에 웨이퍼(18)의 분배의 시퀀스를 처리하는 것은 처리 경보 서브루틴(432)을 적절한 처리 제어기(들) (예를 들어, 웨이퍼 분배 모듈(1384), MCU(58))와 동작적으로 인터페이스 시킴으로써 웨이퍼 생산 시스템(2)을 통합하는 설비에 의하여 요구된다면 자동적으로 취해질 수 있다. Wafer manufacturing system (2) the processing chamber 36, the wafer 18 is the appropriate process controller for processing alarm subroutine 432 for distributing processing a sequence (s) in the (e. G., Wafer dispensing module (1384) , if the MCU (58)) and operatively interfaces by required by the facility to incorporate the wafer production system 2 it can be taken automatically. 수동적 기술들은 또한 처리 경보 서브루틴(432)의 단계(450c)의 실행은 담당자에게 시스템(2)의 챔버들(36)에의 분배 시퀀스가 해당 조건의 존재 때문에 자동적으로 처리되어야 한다는 추천의 통지를 단순히 수반할 수 있다는 것에서 단계(450c)에 의하여 계획된다. Passive techniques are also the preferred notification of that allocation sequence to the chambers 36 of the system 2 to execute is representative of the step (450c) of the process alarm subroutine 432 is to be processed automatically by the presence of that condition simply from that it can be accompanied by a program step (450c).

최종적으로, 플라스마 처리/플라스마 처리 단계 종료점은 도14의 처리 경보 서브루틴(432)을 통하여 처리될 수 있다. Finally, the plasma treatment / plasma processing step end point can be treated through the treatment alarm subroutine 432 of FIG. 이와 관련하여, 해당 플라스마 처리 또는그것의 개별 부분 (예를 들어, 플라스마 처리 단계)의 종료점을 가리키는 하나 이상의 스펙트럼, 또는 플라스마 처리/처리 단계 자체의 식별은 단계(448d)에 포함되거나 관련될 수 있다. In this regard, the identification of the plasma process or its separate parts (e.g., a plasma treatment step) at least one spectral points to the end points of, or plasma treatment / processing steps themselves may be included in or associated with the step (448d) . 단계(450d)에 설정된 프로토콜은 특별한 종료점의 발생의 식별이 어떻게 처리되어야 하는지를 처리한다. Protocol is set in step (450d) will be processed if how to identify the occurrence of a particular end point processing. 이것은 해당 플라스마 처리/처리 단계를 종료하는 것, (예를 들어, 해당 플라스마 단계가 소정의 플라스마 레시피 또는 다른 처리의 마지막 단계가 아니라면) 다음 플라스마 처리/단계를 시작하는 것, 또는 플라스마 처리의 성질에 기초한 상기의 둘 모두를 포함할 수 있다. This is to exit the plasma treatment / processing step, to (e. G., The plasma stage is not the predetermined plasma recipe or final step in another process), and then start the plasma process / phase, or on the nature of the plasma treatment based on the two or may include both. 자동화 및 수동적 기술들은 상기에서 언급된 경우들에서처럼 단계(450d)에 의하여 계획된다. Automated and manual techniques are plan by step (450d), as in the case mentioned above.

플라스마 감시 작동들의 제어는 (단지 경계 경보 기능이 단계(454)에서 인에이블된다면) 단계(440) 또는 (처리 제어 특성이 단계(436_에서 인에이블된다면) 단계(462)를 통하여 도14의 처리 경보 서브루틴(432)에 의하여 단념된다. 그 상황들에 의존하여, 제어는 처리 경보 모듈(370)을 호출한 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 특정 서브모듈로 복귀될 수 있다. 채용될 수 있는 다른 선택은 단계들(440 또는 462)의 실행을 통하여 특별한 경우에 또는 모든 경우에 플라스마 감시 작동들의 제어를 시동 모듈(202)로 넘기는 것이다. Control of plasma processing of the monitoring operation, if the 14 through the (only alert function is enabled, if at step 454) step 440 or (the processing control characteristics enable steps (436_) stage 462 alarm sub is given up by the routine 432. depending on the situation, the control may be returned to a specific sub-module of the present plasma processing module 250 calls the process alarm module 370. which may be employed another option is to pass in steps (440 or 462) in a special case or start-up control of the plasma monitor work in all cases the module 202 through the execution of.

시동 모듈(202) - 도15-16 Start-up module 202 - Figure 15-16

처리 챔버(36)에서 무엇이 일어나는지에 대한 정보 (예를 들어, 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼)는 일반적으로 상기에서 논의하였고 다음의 관련 도면들과 관련하여 아래에서 보다 상세하게 언급되는 바와 같이 현재 플라스마 처리 모듈의다양한 "서브모듈"을 통하여 현재 플라스마 처리 동작의 평가를 위하여 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 활용할 수 있게 된다. Information (e. G., Spectrum of plasma in chamber 36) to what happens in the processing chamber 36 is generally as was discussed above in connection with the following associated drawings of which refer in more detail below are through various "sub-module" of the plasma treatment module for the evaluation of the current plasma processing operations it is able to take advantage of the current plasma processing module 250. 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 다양한 "서브모듈"에의 접근은 도15의 시동 모듈(202)을 통하여 제어될 수 있다. Currently various approaches to the "sub-module" of the plasma processing module 250 may be controlled through the start-up module 202 of Figure 15. 그와 같이, 시동 모듈(202)은 현재 플라스마 처리 모듈(250)을 통하여 활용될 수 있는 다양한 선택들을 위한 종류들의 메인 메뉴로서 보여질 수 있다. As such, the start-up module 202 can be viewed as a kind of main menu for a variety of options that can be utilized by the present plasma processing module 250.

시동 모듈(202)에 의하여 사용될 수 있는 시동 루틴의 한 실시예는 도15에 도시되어 있고 상기에서 언급된 "메인 메뉴-유사" 기능을 제공한다. It is shown in the embodiment 15 of the start up routine which may be used by the start module 202 and mentioned above - provides a "main menu, similar to" function. 시동 루틴(203)은 기본적으로 담당자가 플라스마 감시 작동들의 제어가 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 적절한 서브모듈로 넘겨질 수 있도록 취하여지는 동작의 타입을 어떤 방식으로 "입력"하게 한다. Start-up routine 203 is basically the person in charge for the type of action to be taken so that the control of the plasma monitor operating current can be passed to the appropriate sub-module of the plasma treatment module 250 in any way, "enter". "엔트리"는 취해질 수 있는 모든 동작들의 PMCU(128)(예를 들어, 도6)와 관련된 디스플레이(130) 상에 목록을 제공하고 담당자가 어떤 선택이 데이터 엔트리 장치(132)로 추구되어야 하는지를 선택하게 함으로써 달성될 수 있다. "Entry" is PMCU (128) of any action that may be taken a list on a display (130) associated with (e. G., FIG. 6) and select whether the representative which selection is to be sought in the data entry device 132 it can be achieved by. 다른 선택은 담당자가 데이터 엔트리 장치(132)를 사용하여 시작되는 동작을 입력하게 하는 것일 것이다. Other choices would be to be able to enter the operations personnel starts using the data entry device (132). 또 다른 선택은 시동 루틴(203)이 다양한 선택들의 목록을 통하여 계속적으로 아래로 스크롤하는 것일 것이다. Another option would be to continue to scroll down through the list of the various start-up routine 203 is selected. 마지막으로 현재 플라스마 처리 모듈(250)이(예를 들어, 다양한 서브디렉토리들을 조사하기 위하여 적절한 명령을 사용하여) 현재 플라스마 처리를 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)에 비교하는 것을 즉각적으로 시작할 수 있을 때 입력이 제공될 필요는 없다. Finally, the input when the current plasma processing module 250 can immediately start to compare the plasma spectrum directory 284 is the current plasma process (e.g., by using an appropriate command to examine the various sub-directory) need not be provided.

세 개의 "카테고리의" 동작들은 시동 루틴(203)을 통하여 시작될 수 있다.처음에, 어떤 보정 동작들이 단계(140)의 실행을 통하여 보정 모듈(562)에 접근하는 시동 루틴(203)의 단계(136)를 통하여 취해질 수 있다. Three operations "category" may be started by the start-up routine 203. Initially, in the step of start-up routine 203 for accessing the compensation module 562 to which a correction operation to through the execution of step 140 ( 136) can be taken through. 보정 모듈(562)은 도40-48과 관련하여 아래에서 보다 상세하게 논의될 것이다. Correction module 562 will now be discussed with regard to 40-48 in more detail below. 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리에 관련되는 연구는 단계(144)를 통하여 시작될 수 있다. Research related to the current plasma process to be performed in chamber 36 can be started via step 144. 예를 들어, 연구는 특별한 플라스마 처리 또는 플라스마 처리 단계의 종료점을 가리키는 하나 이상의 특성들을 확인하기 위하여 취해질 수 있다. For example, studies can be taken to determine one or more characteristics indicating a particular plasma process or the end point of the plasma treatment step. 이것은 도49-51c와 관련하여 아래에서 보다 상세하게 논의될 연구 모듈(1300)을 호출하는 시동 루틴(203)의 단계(148)의 실행을 통하여 달성된다. This is also achieved through the execution of step 148 of the start-up routine 203 which in conjunction with the call 49-51c research module 1300 will be discussed in more detail below.

도15의 시동 루틴(203)을 통하여 활용될 수 있는 최종 선택은 현재 플라스마 처리들 (즉, 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)에 기록되지 않은 챔버(36)에서의 임의의 플라스마 처리 수행)에 관한 것이다. The final selection can be utilized through the 15 of the start up routine 203 is now on the plasma treatment (i.e., perform any of the plasma processing in a plasma spectrum directory (chamber (36 unwritten 284))). 플라스마 처리 품질/생산 웨이퍼(단계 230), 챔버(36)의 습식 세정(wet clean)을 초기에 함이 없는 플라스마 세정 동작(단계 234), 챔버(36)가 습식 세정된 후 수행되는 플라스마 세정 작동(단계 238) 및 조절 웨이퍼 동작(단계 242)과 같은 플라스마 처리들 각각은 시동 루틴(203)을 통하여 접근될 수 있다. Plasma processing quality / production wafer (step 230), a wet cleaning (wet clean) a plasma cleaning operation without also at the beginning of the chamber 36 (step 234), the chamber (36) to operate the plasma cleaning is carried out after the wet cleaning plasma treatment, respectively, such as (step 238) and the control wafer action (step 242) can be accessed via the start-up routine (203). 이 타입들의 플라스마 처리들, 그것들의 특정 부분, 또는 둘 모두의 종료점은 도52-58과 관련하여 아래에서 보다 상세하게 논의되고 시동 루틴(203)의 단계(240)에 의하여 호출되는 종료점 검출 모듈(1200)을 통하여 판단될 수 있다. The plasma treatment of this type, those of the specific portion, or both of the end point is also discussed in more detail below in conjunction with 52-58 endpoint detection module that is invoked by step 240 of the start-up routine 203 ( 1200) may be determined via. 이 타입들의 플라스마 처리의 "상태"는 또한 도21-25와 관련하여 아래에서 보다 상세하게 논의되고 시동 루틴(203)의 단계(236)의 실행을 통하여 호출되는 플라스마 상태 모듈(252)을 통하여 평가될 수 있다. The "state" of the plasma process of this type is also discussed in more detail below in conjunction with 21-25 evaluated by a plasma state module 252 that is invoked by the execution of step 236 of the start-up routine 203, It can be. 도15의 시동 루틴(203)의단계(236)는 플라스마 상태 평가에 관한 것이고 도16의 시동 서브루틴(204)을 호출한다. Figure 15 step 236, the start-up routine 203 is called the start-up subroutine 204 of Figure 16 relates to a plasma state evaluation. 두 개의 메인 선택들은 도16의 시동 서브루틴(204)을 통하여 "플라스마 상태"와 관련하여 추구될 수 있다. Two main selection may be driven in relation to the "plasma state" via a start-up subroutine 204 of FIG. 현재 플라스마 처리가 챔버(36)에서 계속적으로 수행되는 플라스마 처리들을 평가하기 위한 표준으로서 사용되도록 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 기록될 수 있거나, 또는 현재 플라스마 처리는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 대항하여 평가될 수 있다. May be recorded in the normal spectrum subdirectory 288 to be used as a standard for evaluating the plasma treatment, the current plasma process to be continuously carried out in chamber 36, or the current plasma process against the top spectrum subdirectory 288 and it can be evaluated. 이와 관련하여, 도16의 시동 서브루틴(204)의 단계(208)는 해당 처리 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리가 이 챔버(36)와 관련하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 기록되어야 하는지에 관하여 문의한다. In this connection, that also step 208 of the 16 starting subroutine 204 is a plasma process performed in the processing chamber 36 with respect to the chamber 36 to be recorded on the normal spectrum subdirectory 288 consult about. 단계(208)의 문의에 대한 "응답"이 "예"라면, 시동 서브루틴(204)은 단계(224)로 진행되는데, 여기에서 처리 챔버(36)에서 플라스마의 상태에 대하여 - 특정적으로는 플라스마가 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의한 광 분석을 통하여 "온(ON)"되는지에 대하여 판단이 이루어진다. If "answer" is "Yes" to the inquiry of step 208, the start-up subroutine 204 proceeds to step 224, where in the processing chamber 36 with respect to the plasma state-specific as is plasma is a determination is made with respect to whether the "on (oN)" through the light analysis by the present plasma processing module 250. 플라스마가 챔버에서 "온"인지를 판단하는 한 방법은 처리 챔버(36)로부터 획득된 스펙트럼이 도13의 패턴 인식 모듈(370)을 통하여와 같이, 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284) 또는 그것의 서브디렉토리들의 임의의 것에 저장되는 임의의 스펙트럼과 "매치"될 때를 판단하는 것이다. Of as a way to determine if the plasma is "turned on" from the chamber through the pattern recognition module 370 of Fig. 13 and a spectrum obtained from the process chamber 36, a plasma spectrum directory 284 or its subdirectories It is to determine the spectrum and any time the "match" is stored as the random. 이것이 수행되는 다른 방법은 처리 챔버(36)의 내부로부터의 어떤 스펙트럼이 최소한 어떤 세기의 최소한 어떤 수의 개별 피크들을 가질 때를 판단하는 것이다. Another way is to determine when it has at least the individual peaks of which the number of spectrum which is the minimum intensity of which from the interior of the processing chamber 36, this is done. 도15의 패턴 인식 모듈(370)과 관련하여 상기에서 논의되는 동일한 원리들을 이용하는 것은 또한 현재 플라스마 처리 모듈(250)을 통하여 이 타입의 스펙트럼을 확인할 수 있다. Figure 15 is with respect to the pattern recognition module 370 for using the same principles discussed above can also determine the spectrum of this type throughout the present plasma processing module 250. 최소한 챔버(36) 내로부터의 광학적 이미션들에서 어떤 변화가 있을때를 판단하는 것은 또한 플라스마가 "온"인 것을 지시할 수 있다 (예를 들어, "어두운" 조건에서 "밝은" 조건으로 변화함). It is any change in the optical emission from within the at least chamber 36 is determined when it can also indicate that the plasma is "turned on" (e.g., "dark" means change in the "light" conditions, the conditions ). 플라스마가 처리 챔버(36)에 존재하는지에 대하여 어떻게 판단이 이루어지는지에 관계없이, "플라스마 온" 지시는 하나 이상의 상기에서 언급된 방식들에서 동작 담당자 또는 다른 이들에게 적절하게 전달될 수 있다. The plasma may be determined what is transmitted, regardless of whether formed, indicating "plasma-on" is appropriate to the operating personnel or others in the manner as mentioned in one or more of the above with respect to that present in the processing chamber 36.

일단 플라스마가 처리 챔버(36)에 존재한다면, 시동 서브루틴(204)은 단계(228)로 진행하고, 여기에서 최소한 현재 플라스마 처리의 스펙트럼 데이터는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 기록된다. If one is present in the plasma processing chamber 36, a start-up subroutine 204 and proceeds to step 228, the spectral data of at least the current plasma treatment here is recorded in the normal spectrum subdirectory 288. 바람직하게, 이것은 바람직한 데이터 분해능에서 그리고 바람직한 데이터 수집 시간 분해능을 이용하여 바람직한 광 대역폭을 포함한다. Preferably, this is at a preferred data resolution and data acquisition time using the preferred resolution include a preferred bandwidth. 플라스마 처리가 종료된 후에, 서브루틴(204)은 단계(226)을 통하여 도15의 "메인 메뉴-유사" 시동 루틴(203)으로 리턴한다. After the plasma process is finished, the sub-routine 204 of Figure 15 via step 226 - the operation returns to the "main menu, similar to" start-up routine (203). 도16의 시동 서브루틴(204)을 통하여 활용되는 다른 대안은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 이미 기록된 스펙트럼 데이터에 대하여 해당 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리를 평가하는 것이다. Other alternatives are utilized throughout the start-up subroutine 204 of 16 is to evaluate the current plasma process performed in the processing chamber 36 with respect to the spectral data already recorded on the normal spectrum subdirectory 288. 도16에 제시된 예에서, 이것은 시동 서브루틴(204)를 단계(212)로 진행하도록 지시하는, "노(NO)" 로직 조건 하에서 시동 서브루틴(204)의 단계(208)를 탈출함으로써 달성된다. In the example shown in Figure 16, this is achieved by escape to step 208 of the start-up subroutine 204 under, "No (NO)" logic condition to issue instructions to proceed to the start-up subroutine 204 to step 212 . 단계(212)는 처리 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리에서 스펙트럼 데이터에 대하여 평가되어야 하는지에 대하여 문의한다. Step 212, contact with respect to that the plasma treatment is carried out in the processing chamber 36 to be evaluated with respect to the spectral data in the normal spectrum subdirectory. 시동 서브루틴(204)하에서 활용될 수 있는 두 개의 메인 선택들은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 이미 기록된 스펙트럼 데이터에 대하여 현재 플라스마 처리의 기록 데이터 또는 평가 스펙트럼 데이터이기 때문에, 그리고 또한 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 데이터를 기록하지 않는 "결정"이 서브루틴(204)의 단계(208)에서 이루어짐으로 해서 서브루틴(204)이 단계(212)에 도달하기 때문에, 단계(212)에서의 "아니오(no)"의 응답은 단지 시동 서브루틴(204)을 처음부터 다시 시작하도록 재지시한다. Since the start-up sub-two main options that can be used under routine 204 are normal spectrum subdirectory 288 with respect to the already-spectrum data write current recording data or evaluation spectral data of the plasma treatment on, and also abnormal spectrum subdirectory since 288 on to the yirueojim in step 208 of "determining" subroutine 204 does not write the data to reach a subroutine 204 to step 212, "NO at step 212 (no) "of the response will be redirected to when simply restart the start-up subroutine 204 from the beginning. 그러나, 단계(212)에서 "예"로 응답하는 것은 시동 서브루틴(204)이 단계(212)에서 단계(216)로 진행되도록 지시한다. However, the answer "Yes" in step 212 indicates that the start-up subroutine 204 proceeds to step 216 from step 212. 단계(216)는 플라스마가 처리 챔버(36)에서 온인지, 그래서 상기에서 논의된 단계(224)와 동일할 수 있는지에 대하여 문의한다. Step 216 inquires as to whether the whether the plasma from the processing chamber 36, so may be the same as the step 224, discussed above. 일단 플라스마가 처리 챔버(36) 내에 존재한다면, 시동 서브루틴(204)은 단계(220)로 진행하는데, 여기에서 플라스마 감시 동작들의 제어는 플라스마 처리의 상태가 처리될 수 있도록 플라스마 상태 모듈(252)로 전달된다. Once that the plasma is present in the processing chamber 36, a start-up subroutine 204 proceeds to step 220, control of plasma monitoring operation here is a plasma state module 252 so that the state of the plasma processing can be processed It is transmitted to the. "기록" 또는 "비교" 선택들은 시동 서브루틴(203)에 설정된 것과 다른 방식들에서 제공될 수 있다. "Record" or "comparison" selection may be provided in other manners as those set in the start-up subroutine 203.

플라스마 상태 평가 Plasma state assessment

도7의 플라스마 상태 모듈(252)은 또한 도32의 실시예에 포함되고 해당 챔버(36)에서 플라스마의 전체 상태 또는 "플라스마 상태"을 평가한다. Plasma state module 252 of Figure 7 is also included in the embodiment of Figure 32 and evaluating the full state, or "plasma state" of the plasma in the chamber 36. 여기에서 사용되는 "플라스마 상태"는 유용한 제품을 야기하는 전형적인 "정상" 플라스마 행동과 비교될 때 플라스마 성능에 관한 것으로서 플라스마 처리의 상태 또는 조건을 의미한다. "Plasma state" as used herein, means a state or condition of the plasma processing performance related to a plasma when compared to the typical "normal" plasma behavior leading to useful products. 플라스마의 "조건"은 처리 챔버에서 플라스마에 대한 영향을 가지는 모든 파라미터들의 누적 결과로서 특성화될 수 있다. "Conditions" of the plasma can be characterized as a cumulative result of all the parameters it has the effect on the plasma in the process chamber. 다른 방식으로 말하면, "플라스마 상태"는 현재 플라스마 처리가 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 하나 이상의 플라스마 처리들에 따라 진행되는 조건과 동일시될 수 있다. Stated another way, the "plasma state" is the current plasma process to be identified with the conditions under which proceeds in accordance with the abnormal spectral directory (288) at least one plasma treatment is stored in. 이와 관련하여, 플라스마 상태 모듈(252)은 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 관련 스펙트럼 또는 그것의 부분을 가지는 플라스마 처리 동안에 처리 챔버(36)로부터 광학적 이미션들의 최소한 한 부분의 비교를 통하여 "통상적으로" 진전되는지를 판단할 수 있다. In this connection, optically from the plasma state module 252, a process chamber 36 is now plasma treatment process chamber (36) during the plasma process with the relevant spectrum or part of it from the top spectrum subdirectory 288 is performed within it can be determined already that through the comparison of at least one part "normally" progress of illustration. 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴들은 플라스마 처리 진전들로서 변경될 것이다. Spectral pattern of the plasma in the chamber 36 will be changed as the plasma processing progress. 게다가, 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴들은 수행되는 플라스마 처리의 카테고리와 관련하여 다르다. In addition, the spectral pattern of the plasma in the chamber (36) differ in relation to the category of the plasma treatment is carried out. 이것은 플라스마 레시피, 챔버(36)의 습식 세정 후에 실행되는 플라스마 세정, 및 아래에서 제공되는 조절 웨이퍼 동작으로부터 예시적 스펙트럼의 검토에 의하여 증명된다. This is evidenced by the review of an exemplary spectrum from the plasma cleaning, and the control wafer action is provided below to be executed after wet cleaning of plasma recipes, chamber 36. 각 경우에, "세기"는 "y"축에 따라 그래프화되고 세기 레벨을 반영하는 "카운트들"로 표현되며, 한편 "파장"은 "x"축에 따라 나노미터로 그래프화된다. In each case, the "strength" is represented by "y" "The count" and a graph of the reflected intensity levels along the axis, while the "wave" is graphed in nanometers along the axis "x".

예시적 플라스마 레시피 스펙트럼 - 도17a-c Exemplary plasma recipe spectrum Figure 17a-c

챔버(36)에서 웨이퍼(18) 상에서 수행되는 다중 단계 플라스마 레시피의 예는 처리 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼이 현재 플라스마 단계에서의 변화에 따라 달라지는 도17a-c에 도시되어 있다. Examples of multi-step plasma recipe is performed on the wafer 18 in the chamber 36 is illustrated in Figure 17a-c vary in response to changes in the spectrum of the plasma current plasma steps in the process chamber (36). 도17a-c는 각각 예시적 플라스마 레시피 A의 예시적 첫 번째 플라스마 단계의 스펙트럼(744), 이 동일한 플라스마 레시피 A의 예시적 두 번째 플라스마 단계의 스펙트럼(752), 및 이 동일한 플라스마 레시피 A의 예시적 세 번째 플라스마 단계의 스펙트럼(760)을 제공한다. The example of Figure 17a-c are illustrative exemplary first spectrum of a second plasma stage of the plasma recipe A (744), the spectrum of an exemplary second plasma step of the same plasma recipe A (752), and the same plasma recipe A, respectively ever three to provide the spectrum (760) of the second plasma step. 이 스펙트럼(744,752, 및 760)의 각각은 다양한 파장들에서 다양한 세기들의 많은 피크들(748, 756, 764)에 의하여 특성화된다. Each of the spectrum (744 752, and 760) is characterized by a number of peaks of various intensity (748, 756, 764) at the various wavelengths. 스펙트럼(744, 752 및 760)의 비교는 그것들의 관련 패턴들이 제한되는 것은 아니지만 다음의 것들을 포함하여 서로 다르다는 것을 밝혀준다: 1) 약 425 나노미터 파장 영역에서, 도17a의 스펙트럼(744)의 피크(748a)는 약 3,300의 세기를 가지고, 도17b의 스펙트럼(752)의 피크(756a)는 약 3,000의 세기를 가지며, 도17c의 스펙트럼(760)의 피크(764a)는 약 2,100의 세기를 가진다; Comparison of the spectrum (744, 752 and 760) include, but are those of the relevant patterns are not limited to reveal that are different from each other and include the following: 1) of about 425 nanometers in the wavelength region of the spectrum (744 in Fig. 17a) peak (748a) has a strength of about 3,300, a peak (756a) of the spectrum 752 of Figure 17b has a strength of about 3,000, a peak (764a) of the spectrum 760 of Fig. 17c has an approximately 2,100 strength of .; 2) 약 475 나노미터 파장 영역에서, 도17a의 스펙트럼(744)의 피크(748b)는 약 3,200의 세기를 가지고, 도17b의 스펙트럼(752)의 피크(756b)는 약 3,900의 세기를 가지며, 도17c의 스펙트럼(760)에는 피크가 없지만, 해당하는 세기(노이즈)는 약 500이다; 2) peaks (756b) of about 475 nanometers in the wavelength region of the spectrum (752 of peaks (748b of the spectrum 744 of Fig. 17a), Fig. 17b has an intensity of about 3,200) has a strength of about 3,900, spectrum 760 of Figure 17c does not have a peak, the intensity (noise), which is about 500; 3) 약 525 나노미터 파장 영역에서, 도17a의 스펙트럼(744)의 피크(748c)는 4,000을 초과하는 세기를 가지고, 도17b의 스펙트럼(752)의 피크(756c)는 약 3,400의 세기를 가지며, 도17c의 스펙트럼(760)의 피크(764c)는 약 2,750의 세기를 가진다; 3) the peak (756c) of about 525 nanometers in the wavelength region of the spectrum (752 of the peak (748c of the spectrum of Figure 17a (744)), Figure 17b has an intensity exceeding 4000) having an intensity of about 3,400 , peak (764c) of the spectrum 760 of Fig. 17c has a strength of about 2,750; 4) 약 587 나노미터 파장 영역에서, 도17a의 스펙트럼(744)에는 피크가 없지만, 그 세기는 약 500 (노이즈)이고, 도17b의 스펙트럼(752)에는 피크가 없지만, 그 세기는 약 490 (노이즈)이고, 도17c의 스펙트럼(760)의 피크(764d)는 약 3,000의 세기를 가진다; 4), but has a peak of about 587 nanometer wavelength range, the spectrum 744 of Figure 17a, the strength, but has a peak around 500 (noise), and the spectrum 752 of Fig. 17b, the intensity is about 490 ( peak (764d) of the noise), and the spectrum of Figure 17c (760) has a strength of about 3,000; 스펙트럼(744, 752 및 760) 사이에서의 이 차이들은 플라스마 레시피 동안에 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴의 평가를 통하여, 플라스마 레시피의 진전을 평가할 뿐만 아니라, 플라스마 레시피의 다양한 단계들 간을 구별하는 것이 가능하다는 것을 보여준다. The difference between a spectrum (744, 752, and 760) are through the assessment of the plasma spectrum pattern in the chamber 36 during the plasma recipes, as well as to assess the progress of plasma recipes, to distinguish the different steps between the plasma recipe It shows that it is possible.

사전 습식 세정없는 예시적 플라스마 세정 동작 스펙트럼 - 도18a-c Exemplary plasma cleaning operation spectra without prior wet cleaning - Fig. 18a-c

대표적 스펙트럼이 처리 챔버(36) 내에서 플라스마의 광학적 이미션들이 챔버의 습식 세정을 초기에 함이 없이 수행되는 플라스마 세정 동안에 시간에 대하여 어떻게 변화하는지를 도시하는 도18a-c에 제공된다. A representation showing how the spectrum changes with respect to time during a plasma cleaning is performed without a wet cleaning of the optical emission of the plasma chamber are initially in the processing chamber 36 is provided in Figure 18a-c. 도18a는 처리 챔버가 지저분한 챔버 조건에 있는 한편 플라스마는 그것내에 어떤 제품이 없으면서 처리 챔버에 제공될 때의 예시적 플라스마의 스펙트럼(770)을 제공한다. Figure 18a provides a spectrum 770 of an exemplary plasma when the plasma while in the dirty chamber conditions treatment chamber is provided in which products eopeumyeonseo processing chamber within it. 도18b는 지저분한 챔버 조건이 플라스마 세정에 의하여 시작되어 처리되는 플라스마 세정의 중간 시간에서 이 동일한 예시적 플라스마의 스펙트럼(774)를 제공한다. Figure 18b provides a spectrum 774 of the same exemplary plasma at an intermediate time of the plasma cleaning chamber which is a messy condition initiated by a plasma cleaning process. 마지막으로, 도18c는 처리 챔버(36)의 내부가 상업적 생산으로 복귀하는 (예를 들어, 생산 웨이퍼(18) 상의 집적 회로 디자인들을 에칭하는) 조건에 있는 것으로 간주되는 시간에 플라스마 세정의 끝에서 이 동일한 예시적 플라스마의 스펙트럼(778)을 제공한다. Finally, Figure 18c is a return to the interior of the commercial production of the processing chamber 36 to the time that is considered to be in a (e. G., Etching the integrated circuit design on the production wafer 18) condition at the end of the plasma cleaning It provides a spectrum of the same exemplary plasma (778). 이 스펙트럼(778)은 생산의 회수를 위한 적합한 조건에 있는 챔버(36)를 가리키는 것으로서 웨이퍼 생산 시스템(2)을 실시하는 설비의 동작자에 의하여 선택될 수 있다. The spectra 778 may be selected by the operation of the facility who performed the wafer production system 2 as pointing to the chamber 36 in conditions suitable for the recovery of production. 그러나, 챔버(474)가 생산으로 복귀하는 조건에 있을 때에 대해서 "밝은(bright) 라인"이 필수적이지는 않다는 것이 이해되어야 한다. However, it should be understood that the chamber 474 is about when the conditions for return to the production of "bright (bright) line" is not necessarily not. 그러므로, "세정 챔버 조건"을 지시하는 것으로서 스펙트럼(778)의 선택은 다소 임의적일 수 있다. Therefore, as indicative of a "clean chamber condition" selection of the spectrum 778 may be somewhat arbitrary.

스펙트럼(770, 774, 및 778)의 각각은 다양한 파장들에서 다양한 세기들의 많은 피크들(772, 776, 및 780)에 의하여 특성화된다. Each of the spectrum (770, 774 and 778) is characterized by a number of peaks of various intensity in various wavelengths (772, 776, and 780). 스펙트럼(770, 774 및 778)의 비교는 그것들의 패턴들이 제한되는 것은 아니지만 다음의 것들을 포함하여 실제로 서로 다르다는 것을 밝혀준다: 1) 약 625 나노미터 파장 영역에서, 도18a의스펙트럼(770)의 피크(772e)는 약 500의 세기를 가지고, 도18b의 스펙트럼(774)의 피크(776e)는 약 300의 세기를 가지며, 도18c의 스펙트럼(778)에는 실질적인 피크가 없다; Comparison of the spectrum (770, 774, and 778) may not be those of the patterns are not limited to include the following in reveals that in fact different from one another: 1) of about 625 nanometers in the wavelength region of the spectrum (770 in Fig. 18a) peak (772e) has a strength of approximately 500, peak (776e) of the spectrum 774 of Figure 18b has a strength of about 300, there is no substantial peak spectrum 778 of Figure 18c; 2) 약 675 나노미터 파장 영역에서, 도18a의 스펙트럼(770)의 피크(772f)는 약 4,000의 세기를 가지고, 도18b의 스펙트럼(774)의 피크(776f)는 약 1,000의 세기를 가지며, 도18c의 스펙트럼(778)에는 피크가 없다; 2) peak (776f) of about 675 nanometers in the wavelength region, Figure 18a spectrum 770 peaks (772f) has an approximately 4,000 intensity of the spectrum (774 in FIG. 18b of the) has a 1,000 strength of, There is no peak spectrum 778 of Figure 18c; 3) 약 685 나노미터 파장 영역에서, 도18a의 스펙트럼(770)의 피크(772g)는 3,400을 초과하는 세기를 가지고, 도18b의 스펙트럼(774)의 피크(7776g)는 약 2,200의 세기를 가지며, 도18c의 스펙트럼(778)의 피크(780g)는 약 700의 세기를 가진다; 3) the peak (7776g) of about 685 nm in the meter wavelength range, Figure 18a spectrum 770 peaks (772g) has an intensity exceeding 3400 shape (774 in FIG. 18b of the) has a strength of about 2,200 , peak (780g) of the spectrum 778 of Fig. 18c has a strength of about 700; 스펙트럼(770, 774 및 778) 사이에서의 이 차이들은 플라스마 세정의 진전이 플라스마 세정 동안에 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴에서 증명된다는 것을 보여준다. The difference between the spectrum (770, 774, and 778) show that the demonstrated in plasma spectrum pattern in the chamber 36. The progress of the cleaning plasma during plasma cleaning.

플라스마 세정의 하나 이상의 엔트리는 다양한 요소들에 의존하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 요청될 수 있다. One or more entries of plasma cleaning may be requested from the normal spectrum subdirectory 288, depending on a number of factors. 예를 들어, 챔버(36)가 첫 번째 타입의 플라스마 레시피를 수행한 후에 수행되는 플라스마 세정의 스펙트럼 데이터는 챔버(36)가 첫 번째 타입의 플라스마 레시피와 다른 두 번째 타입의 플라스마 레시피를 수행한 후에 수행되는 플라스마 세정과 다르게 보일 수 있다. For example, after the chamber 36 to perform the first spectral data of the plasma cleaning is performed after performing a plasma recipe of the second type includes a chamber 36, a plasma recipe of the first type and the other two plasma recipes of the second type performed may look different from the plasma cleaning.

습식 세정후에 수행되는 예시적 플라스마 세정 동작 스펙트럼 - 도19a-c Exemplary plasma cleaning action spectrum is performed after wet cleaning - Fig. 19a-c

습식 세정된 후에 챔버(36)의 하나의 플라스마 세정 동작의 대표적 스펙트럼이 도19a-c에 도시되어 있다. After the wet cleaning is a representative spectrum of a plasma cleaning operation of the chamber 36 is illustrated in Figure 19a-c. 도19a는 챔버(36)의 그러한 플라스마 세정의 시작에서 처리 챔버에서 예시적 플라스마의 스펙트럼(1328)을 제공하는 한편 도19b는 챔버(36)의 그러한 플라스마 세정에서 중간 포인트에서 예시적 플라스마의 스펙트럼(1336)을 제공하며, 다른 한편 도19c는 챔버(36)의 그러한 플라스마 세정의 끝에서 예시적 플라스마의 스펙트럼(1344)를 제공한다. Figure 19a is a spectrum of an exemplary plasma at an intermediate point in such a plasma cleaning of the chamber 36, which also have the other 19b is a chamber 36 provides such plasma cleaning start exemplary plasma spectrum in the process chamber in the 1328's ( service 1336), and, on the other hand, Fig. 19c provides a spectrum 1344 of an exemplary plasma at the end of such plasma cleaning of the chamber 36. 스펙트럼(1328, 1336, 및 1344)의 각각은 다양한 파장들에서 다양한 세기들의 많은 피크들(1332, 1340, 및 1348)에 의하여 특성화된다. Each of the spectrum (1328, 1336, and 1344) is characterized by a number of peaks of various intensity in various wavelength (1332, 1340, and 1348). 스펙트럼(1328, 1336 및 1344)의 비교는 그것들의 각 패턴들이 제한되는 것은 아니지만 다음의 것들을 포함하여 서로 다르다는 것을 밝혀준다: 1) 약 625 나노미터 파장 영역에서, 도19a의 스펙트럼(1328)의 피크(1332e)는 약 600의 세기를 가지고, 도19b의 스펙트럼(1336)의 피크(1340e)는 약 500의 세기를 가지며, 도19c의 스펙트럼(1344)의 피크(1348e)는 약 450의 세기를 가진다; Comparison of the spectrum (1328, 1336 and 1344) include, but are each of the patterns thereof are not limited to reveal that are different from each other and include the following: 1) of about 625 nanometers in the wavelength region of the spectrum (1328 of Fig. 19a) peak (1332e) have a strength of about 600, the peak (1340e) of the spectrum 1336 of Figure 19b has a strength of about 500, the peak (1348e) of the spectrum 1344 of Figure 19c and has a strength of about 450 .; 2) 약 668 나노미터 파장 영역에서, 도19a의 스펙트럼(1328)의 피크(1332f)는 4,000을 초과하는 세기를 가지고, 도19b의 스펙트럼(1336)의 피크(1340f)는 약 1,000의 세기를 가지며, 도19c의 스펙트럼(1344)의 피크(1348f)는 약 400의 세기를 가진다; 2) peak (1340f) of about 668 nanometers in the wavelength region of the peak (1332f) of the spectrum (1328) of Figure 19a have a strength in excess of 4,000, the spectrum 1336 of Figure 19b has a 1,000 strength of , peak (1348f) of the spectrum 1344 of Figure 19c has a strength of about 400; 3) 약 685 나노미터 파장 영역에서, 도19a의 스펙트럼(1328)의 피크(1332g)는 3,400을 초과하는 세기를 가지고, 도19b의 스펙트럼(1336)의 피크(1340g)는 약 2,300의 세기를 가지며, 도19c의 스펙트럼(1344)의 피크(1348g)는 약 1,400의 세기를 가진다; 3) the peak (1340g) of about 685 nanometers in the wavelength region of the spectrum (1336 of the peak (1332g of a spectrum 1328 of FIG. 19a), Fig. 19b has an intensity exceeding 3400) having an intensity of about 2,300 , peak (1348g) of the spectrum 1344 of Figure 19c has a strength of about 1,400; 스펙트럼(1328, 1336 및 1344) 사이에서의 이 차이들은 플라스마 세정 동작의 진전이 플라스마 세정 동안에 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴에서 증명된다는 것을 보여준다. The difference between the spectrum (1328, 1336 and 1344) have shown that the spectrum pattern demonstrated in the plasma in the chamber 36. The progress of the plasma cleaning operation during the plasma cleaning.

플라스마 세정의 하나 이상의 엔트리는 다양한 요소들에 의존하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 요청될 수 있다. One or more entries of plasma cleaning may be requested from the normal spectrum subdirectory 288, depending on a number of factors. 예를 들어, 습식 세정후에 챔버(36)상에서 수행되는 플라스마 세정의 스펙트럼 데이터는 습식 세정되지 않은 새로운 챔버(36) 상에서 수행되는 플라스마 세정과 다르게 보일 수 있다. For example, spectral data of the plasma cleaning is performed on the chamber 36 after wet cleaning may look different from the plasma cleaning is performed on the new chamber 36 that is not wet-cleaning. 게다가, 챔버(36)가 첫 번째 타입의 플라스마 레시피를 수행한 후에 수행되는 플라스마 레시피의 스펙트럼 데이터는 챔버(36)가 첫 번째 타입의 플라스마 레시피와 다른 두 번째 타입의 플라스마 레시피를 수행한 후에 수행되는 플라스마 레시피와 다르게 보일 수 있다. In addition, the chamber 36 is that the first spectral data of the plasma recipe is performed after performing a plasma recipe of the second type is performed after the chamber 36 to perform the plasma recipe and the other two plasma recipes for the second type of the first type It may look different from the plasma recipe.

예시적 조절 웨이퍼 동작 스펙트럼 - 도20a-c Exemplary control wafer action spectrum - Figure 20a-c

조절 웨이퍼 동작의 대표적 스펙트럼은 도20a-c에 도시되어 있다. Representative spectra of the control wafer action is illustrated in Figure 20a-c. 도20a는 조절 웨이퍼 동작의 시작에서 처리 챔버(36)에서 예시적 플라스마의 스펙트럼(1288)을 제공하고, 도20b는 조절 웨이퍼 동작에서 중간 포인트에서 예시적 플라스마의 스펙트럼(1292)을 제공하며, 도20c는 조절 웨이퍼 동작의 끝에서 예시적 플라스마의 스펙트럼(1296)을 제공한다. And Figure 20a provides an exemplary spectrum of the plasma (1288) in the processing chamber 36 at the start of the control wafer action, and Figure 20b provides the spectrum (1292) of an exemplary plasma at the middle point in the control wafer action, Fig. 20c provides the spectrum (1296) of an exemplary plasma at the end of the control wafer action. 스펙트럼(1288, 1292, 및 1296)의 각각은 다양한 파장들에서 다양한 세기들의 많은 피크들(1290, 1294, 및 1298)에 의하여 특성화된다. Each of the spectrum (1288, 1292, and 1296) is characterized by a number of peaks of various intensity in various wavelength (1290, 1294, and 1298). 스펙트럼(1288, 1292 및 1296)의 비교는 그것들의 각 패턴들이 제한되는 것은 아니지만 다음의 것들을 포함하여 서로 다르다는 것을 밝혀준다: 1) 약 440 나노미터 파장 영역에서, 도20a의 스펙트럼(1288)의 피크(1290a)는 약 3,550의 세기를 가지고, 도20b의 스펙트럼(1292)의 피크(1294a)는 약 3,750의 세기를 가지며, 도20c의 스펙트럼(1296)의 피크(1298a)는 약 4,000의 세기를 가진다; Comparison of the spectrum (1288, 1292 and 1296) include, but are each of the patterns thereof are not limited to reveal that are different from each other and include the following: 1) of about 440 nanometers in the wavelength region of the spectrum (1288 of Fig. 20a) peak (1290a) has a strength of about 3,550, a peak (1294a) of the spectrum (1292) of Figure 20b has a strength of about 3,750, a peak (1298a) of the spectrum (1296) of Figure 20c has a 4,000 strength of .; 2) 약 525 나노미터 파장 영역에서, 도20a의 스펙트럼(1288)의 피크(1290b)는 약2,800의 세기를 가지고, 도20b의 스펙트럼(1292)의 피크(1294b)는 약 2,900의 세기를 가지며, 도20c의 스펙트럼(1296)의 피크(1298b)는 약 2,800의 세기를 가진다; 2) peak (1294b) of about 525 nanometers in the wavelength region of the spectrum (1292 of the peak (1290b of the spectrum (1288 of Fig. 20a)), Figure 20b has a strength of about 2,800) has a strength of about 2,900, peak (1298b) of the spectrum (1296) of Figure 20c has a strength of about 2,800; 3) 약 595 나노미터 파장 영역에서, 도20a의 스펙트럼(1288)의 피크(1290d)는 2,100을 초과하는 세기를 가지고, 도20b의 스펙트럼(1292)의 피크(1294d)는 약 2,150의 세기를 가지며, 도20c의 스펙트럼(1296)의 피크(1298d)는 약 2,125의 세기를 가진다; 3) the peak (1290d) at about 595 nanometer wavelength range, the spectral (1288 of Fig. 20a) has an intensity exceeding 2100, the peak (1294d) of the spectrum (1292) of Figure 20b has a strength of about 2150 , peak (1298d) of the spectrum (1296) of Figure 20c has a strength of about 2125; 4) 약 675 나노미터 파장 영역에서, 도20a의 스펙트럼(1288)의 피크(1290e)는 600을 초과하는 세기를 가지고, 도20b의 스펙트럼(1292)의 피크(1294e)는 약 250의 세기를 가지며, 도20c의 스펙트럼(1296)에는 피크가 없다; 4) peak (1290e) of about 675 nm in the meter wavelength range, the spectral (1288 of Fig. 20a) has a strength exceeding 600, the peak (1294e of the spectrum (1292) of FIG. 20b) having an intensity of about 250 , there is no peak spectrum (1296) of Figure 20c; 5) 약 685 나노미터 파장 영역에서, 도20a의 스펙트럼(1288)의 피크(1290f)는 1,450을 초과하는 세기를 가지고, 도20b의 스펙트럼(1292)의 피크(1294f)는 약 600의 세기를 가지며, 도20c의 스펙트럼(1296)에는 피크가 없다; 5) Peak (1294f) of about 685 nanometers in the wavelength region of the peak (1290f) of the spectrum (1288) of Figure 20a have a strength in excess of 1,450, the spectrum (1292) of Figure 20b has a strength of about 600 , there is no peak spectrum (1296) of Figure 20c; 스펙트럼(1288, 1292 및 1296) 사이에서의 이 차이들은 조절 웨이퍼 동작의 진전이 그 동작 동안에 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴에서 증명된다는 것을 보여준다. The difference between the spectrum (1288, 1292 and 1296) show that the demonstrated in the spectral pattern of the plasma in the chamber 36 during its operation progress of the control wafer action.

조절 웨이퍼 동작의 하나 이상의 엔트리는 다양한 요소들에 의존하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 요청될 수 있다. One or more entries on the control wafer action may be requested in the normal spectrum subdirectory 288, depending on a number of factors. 예를 들어, 챔버(36)가 단지 플라스마 세정된 후에 수행되는 조절 웨이퍼 동작의 스펙트럼 데이터는 플라스마 세적되고, 습식 세정되며, 그런 다음에 다시 플라스마 세정된 후 챔버(36)에서 수행되는 조절 웨이퍼 동작의 스펙트럼 데이터와 다르게 보일 수 있다. For example, the chamber 36 is only the spectral data of the control wafer action is performed after the plasma cleaning is plasma sejeok, the control wafer action is carried out in chamber 36 after and wet cleaning, re-plasma cleaning Then It may look different from the spectral data. 게다가, 챔버(36)가 첫 번째 타입의 플라스마 레시피를 수행한 후에 수행되는 조절 웨이퍼 동작의 스펙트럼 데이터는 챔버(36)가 첫 번째 타입의 플라스마 레시피와 다른 두번째 타입의 플라스마 레시피를 수행한 후에 수행되는 조절 웨이퍼 동작과 다르게 보일 수 있다. In addition, the chamber 36 is that the first spectral data of the control wafer action is performed after performing a plasma recipe of the second type is performed after the chamber 36 to perform a plasma recipe of a plasma recipe of the first type and the other a second type It may look different from the control wafer action.

플라스마 상태 모듈(252) - 도21-25 Plasma state module 252 - Figure 21-25

도7 및 32의 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 처음에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)(도9)에 저장된 스펙트럼 데이터의 최소한 한 부분과의 플라스마 처리의 스펙트럼 데이터의 최소한 한 부분의 비교를 통하여 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 임의의 플라스마 처리의 상태를 감시하는데 유용할 수 있다. Current plasma processing module 250 in Figs. 7 and 32 are processed through at least a comparison of at least a portion of the spectral data of the plasma treatment of the part of the spectrum data stored in the normal spectrum subdirectory 288 (Fig. 9) in the first It may be useful in monitoring the status of any of the plasma treatment is carried out in the chamber 36. 어떤 다른 플라스마 처리의 상태뿐만 아니라, 플라스마 세정들 (생산 웨이퍼(18) 상에서 수행되든 또는 품질 웨이퍼(18) 상에서 수행되든 간에), 플라스마 세정들 (습식 세정들을 가지거나 가지지 않거나 간에) 및 조절 웨이퍼 동작들은 각각 플라스마 상태 모듈(252)를 통하여 평가될 수 있다. As well as the status of any other plasma process, plasma cleaning with (whether anything done on the production wafer Whether carried out on 18 or quality wafer 18), the plasma cleaning (between the wet cleaning of, or no, or) and the control wafer action can each be evaluated via the plasma state module 252. 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리의 플라스마 상태 평가에서 역시 사용되는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 및 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 뿐만 아니라 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 서로 다른 카테고리들의 플라스마 처리들을 가지는 존재를 플라스마 상태 모듈(252)이 어떻게 처리하는지는 실제로 선호의 문제이다. Of the chamber 36 an abnormal spectrum subdirectory 292 and the unknown spectrum subdirectory 296 different categories, stored in the normal spectral directory 288 as well as to that which is also used in the plasma state evaluation of the current plasma process carried out at that the presence of plasma having a plasma processing conditions module 252 how the process is a matter of fact, preferred. 플라스마 처리들의 다중 카테고리들의 존재를 처리하는 어떤 방식들은 다른 것들보다 플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 평가의 속도에 영향을 미칠 수 있다. Some way to handle the existence of multiple categories of the plasma treatment can affect the rate of the evaluation by a plasma state module 252 than others. 예를 들어, 플라스마 상태 모듈(252)은 정상 스펙트럼 디렉토리(288) 및 비정상 스펙트럼 디렉토리(292)에 저장된 플라스마 처리들의 동일한 카테고리 또는 종류에 대하여현재 플라스마 처리의 비교를 제한할 수 있다. For example, the plasma state module 252 may limit the comparison of the current plasma process to the same category or type of plasma processing is stored in the top directory spectrum 288 and an abnormal spectrum directory 292. 적절한 "확인 정보"는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 각 플라스마 처리와 관련되는 플라스마 처리 속 필드(322h)(도12a) 및 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 저장되는 각 플라스마 처리 (또는 그것의 부분)과 관련되는 플라스마 처리 속 필드(333e)에 입력될 수 있다. Appropriate "OK information" are each plasma treatment is stored in the normal spectrum subdirectories 288. Each plasma treatment relating to the plasma treatment in the field (322h) (Fig. 12a) and abnormal spectral directory (292) stored in (or its part) may be input to the plasma treatment in the field (333e) to affect. 게다가, 챔버(26)에서 수행되는 현재 플라스마 처리는 어떤 방식에서 플라스마 상태 모듈(252)로 확인될 수 있다. In addition, the present plasma process carried out in chamber 26 may be identified as a plasma state module 252 in any manner. 이것은 도15의 시동 모듈(202)를 통하여 달성될 수 있다 (예를 들어, 서브루틴(203)의 단계(236)로 통과되고 다음으로 플라스마 상태 모듈(252(로 통과될 수 있는 시동 서브루틴(203)의 단계들(230, 234, 238 및 242)에서 적절한 처리 카테고리 또는 종류 확인 정보를 포함함을 통하여). 현재 플라스마 처리와 비교되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 및 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서의 엔트리들의 수를 줄이는 것은 플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 현재 플라스마 처리의 상태의 평가의 속도를 증가시킬 수 있고 전형적으로 증가시킬 것이다. 그러나, 현재 플라스마 처리와의 비교를 위하여 유용한 것인 데이터를 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 및/또는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로부터 선택할 때 플라스마 처리 카테고리 또는 종류 매치 기준을 This may be accomplished through the start-up module 202 of Figure 15 (e.g., the sub is passed to step 236 of the routine 203, then a start-up subroutine, which can be passed to a plasma state module (252 (( s 203) steps (via including a suitable processing categories or types of available information at 230, 234, 238 and 242)) are normal spectrum subdirectory 288 and abnormal spectral directory compared to the plasma treatment (292) reducing the number of entries of will increase, typically it is possible to increase the evaluation rate of the current state of the plasma processing by the plasma state module 252 is in. However, the data currently being useful for comparison with the plasma treatment a plasma treatment category or type match criteria to select from a normal spectrum subdirectory 288 and / or abnormal spectrum subdirectory 292 과하지 않는 것이 유익할 수 있다. 플라스마 상태는 또한 바람직하게 챔버(36)에서 현재 플라스마 처리로부터의 광학적 이미션들을 바람직한 데이터 분해능에 기초하여 바람직한 광 대역폭 내의 최소한 그 파장들에 걸쳐 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)와 비교하고, 바람직한 분석 파장 분해능을 이용함으로써 평가된다. 그러나, 어떤 경우들에서 챔버(36)에서 플라스마의 광학적 이미션 데이터의어떤 서브세트는 플라스마 상태를 감시하는데 사용될 수 있다. 하나의 그러한 상황은 처리 속도가 발행되거나 잠재적으로 발행될 때이다. 플라스마 처리의 상태를 감시하기 위하여 광학적 이미션 데이터의 양을 결정하는 많은 방법들이 있다. 도9의 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 내의 데이터는 플라스마 상태를 감시할 목적을 위하여 검토될 수 있는 데 Ap- proximately it may be beneficial. Plasma state is also preferably plasma spectrum directory across at least those wavelengths within the desired bandwidth based on the current optical emission from the plasma treatment in the chamber 36 to the desired data resolution 284 compared to, and evaluated by using the preferred analysis wavelength resolution. However, any subset of the optical emission data of a plasma in the chamber 36 in some cases may be used to monitor the plasma state. one such situation is is when the processing speed is issued or potential issue in. to monitor the status of the plasma processing optical already, there are many ways to determine the amount of design data. the data is the plasma state in the Fig abnormal spectrum subdirectory 292 to which can be used to review for monitoring purposes 터의 서브세트를 생성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 플라스마 상태 평가는 챔버(36) 내에서 이전에 수행되는 처리들에서 발생되는 에러들을 지시하는 그 파장들을 포함하는 광학적 이미션 세그먼트들에 걸쳐 수행될 수 있다. 하나의 대안은 이전의 플라스마 처리로부터 에러를 지시하는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서 스펙트럼의 각 파장의 각 측면에서 광 방축 세그먼트 ±25 나노미터를 정의하는 것이다. Can be used to generate a subset of the emitter, for example, a plasma state evaluation across an optical emission segment including the wavelength indicative of an error occurring in the processing carried out previously in the chamber 36 It can be carried out. one alternative is to define a light shrink-proof segment ± 25 nanometers on each side of each wavelength of the spectrum of a constant spectral directory (292) indicating an error from a previous plasma treatment. 예를 들어, 이전의 수행들로부터의 에러들이 325, 425 및 575 파장들에서 반영된다면, 플라스마 상태는 300-350, 400-450 및 550-600 나노미터 영역의 각각을 관찰함으로써 평가될 수 있다. For example, if the error from a previous run are reflected in the 325, 425 and 575 wavelengths, the plasma state can be evaluated by observing each of the 300-350, 400-450 and 550-600 nanometer region. 플라스마 상태를 감시하기 위한 보다 작은 광학적 이미션 세그먼트는 또한 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로부터 에러들을 지시하는 그 파장들의 각각을 포함하는 범위를 정의함으로써 선택될 수 있다. Small optical emission segments than for monitoring a plasma state may also be selected by defining a range including each of the wavelength indicative of the error from the abnormal spectral directory 292. 예를 들어, 이전의 수행들로부터의 에러들이 325, 425 및 575 파장들에서 반영된다면, 플라스마 상태는 약 325 나노미터에서 약 575 나노미터의 파장 영역을 관찰함으로써 평가될 수 있다. For example, if the error from a previous run are reflected in the 325, 425 and 575 wavelengths, the plasma state can be evaluated by observing the wavelength region of about 575 nanometers, about 325 nanometers. 역시 이 범위의 종료점들의 각각 상에 "버퍼"를 포함시키는 것이 바람직할 것이다 (예를 들어, 그 범위의 각 끝 상에서 약 25 나노미터 가량 확장하는 것). Also it would be desirable to include a "buffer" on each of the end points of the range (e.g., to extend about 25 nanometers on either end of the range). 상기의 것은 챔버(36)에서 수행되는 동일한 타입의 플라스마 처리 (예를 들어, 동일한 플라스마 레시피)로부터 단지 에러들을 포함하는 그 광학적 이미션 세그먼트들에 대하여 플라스마 상태 평가를 제한함으로써 제한될 수 있다. The It can be limited by limiting the plasma status evaluation with respect to its optical emission segment containing only the same type of error from the plasma treatment is carried out in the chamber 36 (e.g., the same plasma recipe). 마지막으로, 플라스마 처리 또는 그것의 개별 부분의 종료점에 대한 정보는 플라스마 상태와 관련하여 평가되는 파장들을 정의하는데 사용될 수 있다. Finally, information about the plasma process or the end point of its individual parts can be used to define the wavelength which is evaluated in relation to the plasma state. 종료점 검출 모듈(1200) 및 도52와 관련하여 아래에서 보다 상세하게 논의되는 바와 같이, 종료점은 하나 이상의 특정 파장들에서 변화에 기초하여 호출될 수 있다. As it will be discussed in more detail below in relation to the end point detection module 1200, and 52, the end point may be invoked based on the change in one or more specific wavelengths. 플라스마 상태는 종료점을 호출하는데 사용되는 각 파장 근처의 ±25 나노미터 영역을 관찰함으로써 평가될 수 있다. Plasma state can be evaluated by observing the ± 25-nm region near each wavelength that is used to call an end point. 상기의 것에도 불구하고, 플라스마 상태는 데이터가 바람직한 데이터 분해능에서 수집되고 다시 바람직하게 바람직한 광 대역폭을 사용하여 취해지는 최소한 50 나노미터 파장에 걸쳐서 평가되어야 한다. Despite what the above, the plasma condition is to be evaluated over a period of at least 50 nanometers wavelength, taken using a desired bandwidth that the data is collected, preferably again in the preferred data resolution.

플라스마 상태 서브루틴(253) - 도21 Plasma state subroutine 253 - 21

서브루틴의 한 실시예가 현재 플라스마 처리가 (예를 들어, "상태한" 플라스마를 가리키는) 도9의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장되는 최소한 하나의 플라스마 처리에 따라 진행되는지를 평가하기 위하여 플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 사용될 수 있는 도21에 도시되어 있다. In order to evaluate whether the one embodiment of the subroutine example, the current plasma process (e.g., "state" that points to the plasma) at least one proceeds according to the plasma processing is stored in the normal spectral directory 288 of FIG plasma that may be used by the status module 252 is shown in Fig. 요약하면, 스펙트럼 데이터는 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 현재 플라스마 처리의 실행의 전체 동안에 그리고 보다 바람직하게는 전체에 걸쳐서 취해진다. In summary, the spectral data is taken over the whole of it during the whole execution of the current plasma process performed in the processing chamber 36, and more preferably. 다소 불안정한 플라스마 처리의 첫 번째 부분이 고려되어야 한다. The first part of the somewhat unstable plasma treatment should be considered. 현재 플라스마 처리의 스펙트럼 데이터는 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 내에 저장된 어떤 플라스마 처리와 "매치"되는지를 판단하기 위하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 대하여 먼저 비교된다. Spectral data for the current plasma process is first compared against the normal spectral directory 288 to determine the current that the plasma treatment which plasma treatment and "match" is stored in the normal spectrum subdirectory 288. 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 최소한 하나의 플라스마 처리와 "매치"되는 한, 현재 플라스마 처리는 "정상" 또는 "상태"한 것으로 특성화되고 플라스마 상태 서브루틴(253)은 스펙트럼을 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 "매치"시키기 위하여 그것의 조사를 제한하는 것을 계속할 것이다. A current plasma process is characterized as a "normal" or "state" plasma state subroutine 253, the current is the plasma treatment of at least one of plasma treatment and "match" is stored in the normal spectrum subdirectory 288 is a spectrum It will continue to limit its investigation in order to "match" the normal spectrum subdirectory (288). 그러나, 종종 플라스마 처리의 원하는 엔드 결과에 대하여 어떤 타입의 악영향을 가질 수 있는 플라스마 처리 동안에 에러 또는 이상이 있고, 이것은 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼으로부터 확인되어야 한다. However, often there is an error, or at least during a plasma treatment, which may have the adverse effects of any type for the desired end result of the plasma process, and this should be identified from the spectrum of the plasma in the chamber 36.

현재 수행되는 플라스마 처리에서의 에러 또는 이상 동안에, 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼은 더 이상 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 어떤 플라스마 처리와 "매치"되지 않아야 한다. During an error or abnormality in the plasma treatment is now carried out, the spectrum of the plasma in the chamber 36 should no longer be a normal spectrum which plasma treatment and "match" is stored in subdirectory 288. 그러면 플라스마 상태 서브루틴(253)은 현재 플라스마 처리를 평가하기 위하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리의 조사를 중단하고 현재 플라스마 처리를 도9의 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)와 비교하는 것을 시작할 것이다. The plasma state subroutine 253 will begin to stop the irradiation of normal spectrum subdirectory and compared with the abnormal spectral directory 292 of FIG. 9 the current plasma process to evaluate the current plasma process. 이 동일한 챔버(36) 상에서 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의하여 이전에 직면하게 되고, 확인된 그것들의 해당하는 원인 또는 원인들을 가지는 플라스마 처리들에서의 에러들 또는 이상들은 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 기록된다. Is on the same chamber 36 is faced with the old, by the plasma state subroutine 253, an error or abnormality in the identified those having the cause or causes of the plasma treatment are abnormal spectrum subdirectory 292 It is recorded in. 현재 플라스마 처리의 스펙트럼 데이터가 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서의 최소한 하나의 스펙트럼과 "매치"된다면 시작될 수 있는 동작들은 도14의 처리 경보 서브루틴(432)과 관련하여 상기에서 논의된 바와 같이 적합한 경보를 발행하는 것으로부터 웨이퍼 생산 시스템(2)의 하나 이상의처리 제어 특징들을 처리하는 것에 걸쳐있다. Current spectral data of the plasma processing is suitable in connection with an abnormal spectrum subdirectory 292, at least one of the spectrum and the "match" if the operations are processed alarm sub-routine 432 of Figure 14 which can be started at as discussed above from having to issue a warning it spans for processing one or more process control feature of the wafer manufacturing system (2).

정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 및 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에서의 모든 데이터는 플라스마 상태 모듈(252)이 현재 수행되는 또는 이 동일한 챔버(36)에서 수행된 어떤 플라스마 처리를 평가하기 위하여 사용되는 처리 챔버(36)로부터 획득된다. All data in the normal spectrum subdirectory 288 and abnormal spectral directory 292 is treated to be used in order to assess which plasma treatment is performed in a plasma state module or the same chamber 36 is 252 to perform the current It is obtained from the chamber 36. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 및 비정상 서브디렉토리(292)에 대한 정보의 라이브러리를 만드는 것은 플라스마 상태 서브루틴(253)이 챔버(36) 및 그것내에서 수행되는 플라스마 처리들로부터 "배우게" 하는데 시간이 걸린다. Making a library of information on the normal spectrum subdirectory 288 and abnormal sub-directory 292, this time to "learn" from the plasma treatment is carried out in a plasma state subroutine 253, the chamber 36 and it it takes. 그러므로 현재 플라스마 처리로부터의 플라스마의 스펙트럼 데이터는 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 또는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(296)에서 찾아질 수 없는 상황들이 발생할 것이다. Therefore, spectral data of the plasma to the current plasma process will occur to the situation which can not be by the plasma state subroutine 253, found in the normal spectrum subdirectory 288, subdirectory, or abnormal spectrum 296. 이 타입의 정보는 도9의 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 서브루틴(253)을 위하여 저장된다. This type of information is stored to the sub-routine 253, the spectral sub-directory 296 is unknown in Fig. 그것은 스펙트럼 데이터가 적당히 분석될 수 있고 "원인"이 확인될 수 있을 때까지 "알려지지 않은 조건"으로 남을 것이고, 그 시간에 관련 스펙트럼 데이터는 처리 챔버(36) 및 그것의 관련 플라스마 처리들의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 지식을 갱신하기 위하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 또는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로 전달될 수 있다. It can be analyzed appropriately spectral data and the "cause" is until they can be sure will remain "unknown condition", the relevant spectral data at the time the processing chamber 36 and the plasma state sub of its associated plasma treatment It may be delivered to the normal spectrum subdirectory 288, subdirectory, or abnormal spectrum 292 in order to update their knowledge of the routine 253.

플라스마 상태 서브루틴(253)의 특성은 플라스마 처리가 챔버(36)에서 웨이퍼(18) 상에서 수행되는 플라스마 레시피일 경우에 처리될 것이다. Characteristics of the plasma state subroutine 253 will be processed in the case of plasma recipes that plasma processing is performed on the wafer 18 in the chamber 36. 웨이퍼(18) 상에서 플라스마 레시피를 수행하기 위한 예시적 일반 절차는 다음과 같다. An exemplary general procedure for performing a plasma recipe on the wafer 18 is as follows. 먼저, 가능하게는 하나 이상의 품질 웨이퍼뿐만 아니라 그것 내에 복수의 생산 웨이퍼(18)을 가지는 카세트(6)는 로드 로크 챔버들(28)(도1)의 하나에 전달된다. First, possibly quality as well as one or more wafer cassette (6) having a plurality of production of the wafer 18 within it is passed to one (28) (Fig. 1), the load lock chamber. 웨이퍼 처리 어셈블리(44)는 웨이퍼(18)의 하나를 카세트(6)로부터 검색하고 그것을 처리 챔버(36)으로 수송할 것이다. Wafer processing assembly 44 will retrieve the one wafer (18) from the cassette (6) and transport it to the processing chamber 36. 이 때, 챔버(36)에서의 플라스마는 오프(off)이다. At this time, the plasma in the chamber 36 is off (off). 챔버(36)는 밀봉되고 플라스마는 웨이퍼(18) 상에서 플라스마 처리를 수행하기 위하여 작열된다. Chamber 36 is sealed and the plasma is burning to perform the plasma processing on the wafer 18. 전형적인 실행은 전체 카세트(6) 상에서 동일한 플라스마 처리를 수행하는 것이다. A typical execution is to perform the same plasma processing over the entire cassette (6). 첫 번째 웨이퍼(18) 상에서 플라스마 처리의 완료 후에, 플라스마는 꺼지고, 챔버(36)는 개방되며, 웨이퍼 처리 어셈블리(44)는 웨이퍼(18)를 챔버(36)로부터 검색하고 그것을 카세트(6)에 있는 그것의 해당하는 슬롯으로 돌려보낸다. The first after completion of the plasma treatment on the first wafer 18, the plasma is turned off, the chamber 36 is opened and the wafer handling assembly 44 detects and the cassette (6) it from the wafer 18, chamber 36 its return in the corresponding slot. 일단 카세트(6)의 모든 웨이퍼(18)이 이 방식으로 처리되었다면 (통상적으로 1-3 품질 웨이퍼가 웨이퍼(18)을 가지는 카세트(6)를 위하여 사용되고 카세트(6) 내의 어떤 곳에 포함될 수 있다), 카세트(6)는 로드 로크 챔버(28)로부터 제거될 수 있고 웨이퍼(18)의 다른 카세트(6)로 대체될 수 있다. Once all the wafers 18 in the cassette (6) is processed in this manner (typically 1-3 quality wafer is used for the cassette (6) has a wafer 18 can be included somewhere in the cassette (6)) , the cassette 6 can be removed from the load lock chamber 28, and may be replaced with another cassette (6) of the wafer (18). 그러면 플라스마 처리된 카세트(6)으로부터의 품질 웨이퍼(18)은 테스트될 수 있고 (파괴적으로 또는 비-파괴적으로), 한편 반도체 장치들은 생산 웨이퍼(18)로부터 형성될 수 있다. The quality of the wafer 18 from the processing plasma cassette (6) can be tested (destructive or non-destructive), while the semiconductor device can be formed from the production wafer 18.

품질 또는 생산 웨이퍼 어느 것 상에서 수행되든지 간에, 처리 챔버(36)에서의 플라스마 처리들은 플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 평가된다. Between doedeunji performed on either the quality or wafer production to, a plasma process in the process chamber (36) are evaluated by a plasma state module 252. 통상적으로 1 분 이하의 시간 경과는 하나의 생산 웨이퍼(18)가 처리 챔버(36)로부터 제거되는 시간과 플라스마 처리가 챔버(36)로 로드되는 다음 생산 웨이퍼(18) 상에서 시작되는 시간 사이에 존재한다. Generally 1 time of minutes or less is present between the beginning on the next production of the wafer 18, the time and plasma treatment is removed from the process chamber 36, a production wafer 18 is loaded into chamber 36 hours do. 플라스마 상태 모듈(252)은 플라스마 상태 모듈(252)이효과적으로 순수한 패턴 인식 기술들에 의존하고 화학적 분석 또는 화학 종 확인 기술들에 의존하지 않기 때문에, 플라스마 레시피가 다음 생산 웨이퍼(18) 상에서 시작되기 전에 생산 웨이퍼(18) 상에서 수행된 플라스마 레시피의 평가를 완료할 수 있다. Since plasma state module 252 is not the plasma state module 252 depends on the effective net pattern recognition techniques rely on a chemical analysis or a chemical species resolution techniques, the plasma recipe before starting on the next production of the wafer 18 it is possible to complete the evaluation of the plasma recipe carried out on a production wafer (18). 게다가 그리고 아래에서 보다 상세하게 논의되는 바와 같이, 플라스마 상태 모듈(252)은 플라스마 처리의 확인을 판단할 수 있을 뿐만 아니라 플라스마 처리가 품질 웨이퍼(18) 대(versus) 생산 웨이퍼(18) 상에서 수행되는 것을 판단할 수 있다. In addition, and which, as will be discussed in more detail below, the plasma state module 252 is performed on a large (versus) production wafer 18 as well as to determine the identification of the plasma treatment the quality wafer 18 plasma treatment it can be determined that.

현재 시간 t c 에서 처리 챔버(36)에서 제품 상에서 수행되는 현재 플라스마 처리에 관한 데이터는 단계(254)의 실행을 통하여 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의한 평가를 위하여 얻어진다. Plasma state of Fig. 21 data relating to the current plasma process to be performed on the product at the current time t c treatment chamber 36 from the through execution of step 254, the sub is obtained for the evaluation by routine 253. 단계(254)가 상기에서 언급한 바와 같이, 단지 "스펙트럼" 또는 광학적 이미션 데이터와 관련하여 도21에서 참조된다 하더라도, 다른 타입들의 데이터는 역시 이 시간 (관련 스펙트럼이 챔버(36)로부터 얻어진 플라스마 레시피으로의 시간)에서/과 관련하여 취해질 수 있다. As step 254 mentioned above, only a "spectrum" or optically even already by reference in Figure 21 in connection with the design data, data of the other type plasma also obtained from a time (relevant spectrum chamber 36 may be taken with respect to the time of a recipe) /. 다음으로 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(258)에서 단계(254)에서 얻어진 현재 플라스마 처리의 스펙트럼 (현재 플라스마 처리)과 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 관련 스펙트럼 (저장된 플라스마 처리) 사이에서 비교가 이루어진다. Between: a plasma state subroutine 253, the current spectrum of the plasma treatment is obtained in step steps 258 254 (now a plasma treatment) and a normal spectral directory 288 associated spectrum (stored plasma treatment) from the comparison is made. 플라스마 처리의 상태가 처리 상태 모듈(252)에 의하여 어떻게 평가될 수 있는지에 대한 초기 이해를 용이하게 하기 위하여, 정상 스펙트럼 디렉토리(288)는 이하에서 그것에 저장된 단일 플라스마 처리 ("처리방법 a")만을 가지는 것으로 설명될 것이다.현재 플라스마 처리의 상태가 다중 플라스마 처리들이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 상황에서 플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 어떻게 처리될 수 있는지는 도22-24와 관련하여 아래에서 제시되는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴들(790, 852, 및 924)의 논의에서 처리된다. To the status of the plasma processing to facilitate an initial understanding of that subject how to evaluate by the processing state module 252, a normal spectral directory 288 is a single plasma processing stored on it from below ( "method a") only having will be described as currently the state of the plasma process by the plasma treatment are associated with multiple itneunjineun be how by plasma state module 252 is processed by the condition stored in the normal spectrum subdirectories 288. Figure 22-24 provided below which it is processed in the discussion of the plasma state / recognition processing subroutine (790, 852, and 924).

플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(258)는 현재 시간 t c 에서 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼과 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 레시피 A 의 관련 스펙트럼 사이에서 비교 분석을 취하기 위하여 도13의 패턴 인식 모듈(370)을 호출한다. Plasma state sub also to take on a comparison between the relevant spectrum of recipe A from the routine 253 is step 258 is the spectrum of normal spectrum subdirectory 288 in the plasma at the current time t c chamber 36 from the calls the pattern recognition module 370 of 13. 이것은 패턴 인식 모듈(370)에 의하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 사용되는 목표 디렉토리를 설정하는 서브루틴(253)의 단계(258)에 의하여 영향을 받는다. This is influenced by the step 258 of the subroutine 253 that sets the target directory used in the normal spectrum subdirectory 288 by the pattern recognition module 370. 그러면 단지 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)는 현재 시간 t c 에서의 현재 스펙트럼과 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 것과 같은 레시피 A 사이에서 "매치"가 있는지를 판단하기 위하여, 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(258)의 실행을 통하여, 이 시간에 패턴 인식 모듈(370)에 의하여 조사된다. The only normal spectral directory 288 to determine a "match" is that between recipe A, such as those stored in the current spectrum and the normal spectral directory 288 at the current time t c, the plasma conditions as a subroutine (253 ) through the execution of the step 258, it is irradiated by the pattern recognition module 370 at this time. 레시피 A 의 어떤 스펙트럼이 실제로 이 예에서 현재 스펙트럼과 비교되는 지는 서브루틴(253)의 루프(190)의 논의가 완료된 후에 아래에서 언급될 것이다. After a certain spectrum of recipe A is actually a discussion of a loop 190 of the subroutine 253, which is now compared to the spectra in this example, is completed will be discussed below.

도13의 패턴 인식 모듈(370)은 패턴 인식 모듈(370)이 해당 예에서 (플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(254)로부터의) 현재 시간 t c 에서의 스펙트럼과 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 레시피 A 의 관련 스펙트럼 사이에서 "매치"가 있는지를 판단한 후에 플라스마 감시 동작의 제어를 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)으로 다시 리턴한다. The pattern recognition module 370 of Fig. 13 is a pattern recognition module 370 is in the example spectrum of normal spectrum at the current time t c (from step 254 of the plasma state subroutine 253), the sub-directory (288 ) and returns again to the plasma state subroutine 253 controls the plasma monitoring operation between the associated spectrum of recipe a, after it is determined whether there is "match" in Fig. 21 from the. 패턴 인식 모듈(370)에 의한 분석의 결과 ("매치" 또는 "매치되지 않음")는 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(260)에 실제로 제공된다. The pattern recognition module 370, the result ( "not matched", "single match" or a) of the analysis by the service is actually in step 260, the plasma conditions as a subroutine 253 of Fig. 현재 시간 t c 에서의 현재 스펙트럼이 레시피 A 의 관련 스펙트럼과 "매치"된다면, 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의한 평가는 정상 서브디렉토리(288)과 관련하여 계속될 것이다. If the current time t c are spectra associated spectrum of recipe A, and "match" on, the sub-state plasma evaluated by routine 253 will be continued in relation to the normal sub-directory (288). 이와 관련하여, 플라스마 상태 서브루틴(253)은 단계(261)에서 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리가 종료되었는지, 보다 정확하게는 서브루틴(253)에 의하여 평가되기 위하여 챔버(36)에서 수행되는 해당 현재 플라스마 처리로부터 더 이상의 스펙트럼이 있는지에 대하여 문의한다. In this connection, in the plasma state subroutine 253 to step 261, if the current plasma process is ended, more precisely subroutine chamber 36 to be evaluated by the (253) performed in the processing chamber 36 from the that currently there are no more questions about the spectrum from that plasma processing is performed. 해당 현재 플라스마 처리에 대한 다른 정보는 (예를 들어, 챔버 조건 평가 기능을 액세스하기 위하여, 종료점 판단 기능을 액세스하기 위하여) 아래에서 보다 상세하게 논의되는 바와 같이 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 다른 서브모듈들을 호출하는 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(194)의 실행을 통하여 제공될 수 있다. Other information about the current plasma process (e.g., the chamber conditions to access the evaluation function, the end point is determined to access the functionality to) the other sub-current plasma processing module 250, as will be discussed in more detail below a plasma state called a sub module may be provided through execution of step 194 of the routine 253.

플라스마 상태 서브루틴(253)에 의한 평가를 위하여 현재 플라스마 처리 상에서의 추가적 광학적 이미션 데이터는 단계(278)의 실행을 통하여 활용될 수 있다. Plasma state sub additional optical emission data on the current plasma process to the evaluation by the routine 253 may be utilized by the execution of step 278. 단계(278)에서, 서브루틴(253)의 "클록"은 효과적으로 재설정된다. In step 278, "clock" in the sub-routine 253 is effectively reset. 서브루틴(253)의 단계(278)은 보다 특정적으로 수정의 증분 "n"에 의한 "클록"의 조정을 마련하여 "n"의 증분에 의하여 현재 시간 t c 를 증가시킨다. Step 278 of the subroutine 253 is thereby more increasing the specific modifications to increment "n", "clock" by providing an adjustment current time t c by increments of "n" of the by. "n"의 크기는 분석될 수집된 데이터의 그 부분을 정의한다. Size of the "n" defines the portion of the collected data to be analyzed. 모든 데이터 또는 단지 그것의 부분이 분석될 수 있다(예를 들어, 광학적 이미션 데이터의 모든 다른 "조각"이 실제로 분석될 수 있다). All data can or can just be part of its analysis (for example, the optical emission all the other "pieces" of the data can actually be analyzed). 이하에서, 이 개념은 분석적 시간 분해능로 언급될 것이다. In the following, the concept will be referred to the analytical time resolution. 한 실시예에서, 플라스마 상태에 관련하여 분석적 시간 분해능은 최소한 매 1초에서이고, 보다 바람직하게는 최소한 매 300 밀리초에서이다. In one embodiment, with respect to the plasma state analytical time resolution is at least every 1 second, and more preferably at least every 300 milliseconds. 다음으로 플라스마 상태 서브루틴은 현재 플라스마 처리의 실행으로부터 처리 챔버(36)에서의 플라스마의 다음 스펙트럼이 그것이 상기에 따라 평가될 수 있도록 새로운 현재 시간 t c 에서 서브루틴(253)을 위하여 얻어지는 단계(254)로 리턴한다. Next, the plasma state subroutine step (254 is obtained to the sub-routine 253, at a new current time t c so as to be evaluated in accordance with the plasma, the following spectrum it above in the processing chamber 36 are from execution of the plasma process ) returns to.

플라스마 상태 서브루틴(253)을 통하여 현재 시간 t c 에서 챔버(36)에서의 플라스마의 현재 스펙트럼과의 비교를 위하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 플라스마 처리의 "관련 스펙트럼"이 무엇인지를 정의하는 많은 방식들이 있다. Defined what the "relevant spectrum" of the plasma process are stored in the normal spectrum subdirectory 288 to the plasma are compared with the spectrum of the chamber 36 at the current time t c through a plasma state subroutine 253 there are many ways to. 관련성은 시간 의존성일 수 있고 이하에서 "시간 의존 요건(time dependency requirement)"로서 언급될 것이다. Relevance will be referred to as "time-dependent requirements (time dependency requirement)" below may be time-dependent. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 플라스마 처리가 레시피 A 인 해당 예에서, 현재 시간 t c 에서 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼과 비교되는 레시피 A 의 관련 스펙트럼은 시간 의존 요건이 사용된다면 이 동일한 현재 시간 t c 와 관련되는 레시피 A 를 위한 그 스펙트럼으로 제한될 것이다. In normal spectral directory 288 that the plasma process recipe A for example stored in the associated spectrum of the recipes A, compared with the plasma spectrum at the current time t c chamber 36 from the the time-dependent requirements, if used, the same current will be limited to the spectrum for recipe a is related to the time t c. 즉, 시간 t 1 에서의 현재 플라스마 처리 동안에 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼은 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(258)의 실행을 통하여 동일한 시간 t 1 과 관련되는 레시피 A 의 스펙트럼과 비교될 것이고, 시간 t 2 에서의 현재 플라스마 처리 동안에 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼은 서브루틴(253)의단계(258)의 실행을 통하여 동일한 시간 t 2 와 관련되는 레시피 A 의 스펙트럼과 비교될 것이며, 계속 이런 식이다. That is, the spectrum of the plasma at time t 1 the chamber 36 during the current plasma process in the comparison with the spectrum of the recipe A is associated with the same time t 1 through the execution of step 258 of the plasma state subroutine 253 will be the spectrum of a plasma in the chamber 36, the current during the plasma process at time t 2 is to be compared with the spectrum of the recipe a is related to the same time t 2 through the execution of step 258 of the subroutine 253 will is to continue this way. "관련 스펙트럼"이 무엇인지를 판단하기 위한 이 시간 의존 요건은 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 어떤 서브디렉토리가 패턴 인식 모듈(370)에 의하여 "조사"되는지에 관계없이 사용될 수 있다. "Related spectrum" is the time-dependent requirements to determine whether what can be used regardless of whether any subdirectories of the directory plasma spectrum (284) "investigations" by the pattern recognition module (370).

이론적으로, 시간 의존 요건은 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 어떤 하나 이상의 플라스마 처리들에 따라 진행되는지를 평가하기 위하여 하나의 인정되는(acceptable) 방식이다. In theory, the time-dependent requirement is (acceptable) how one recognition in order to evaluate whether the current plasma processing proceeds in accordance with any one or more of the plasma processing are stored in the normal spectrum subdirectory 288. 실제적 관점으로부터 이것은 필수적인 경우는 아니다. This is not the case in practice essential from the point of view. 동일한 플라스마 레시피가 전형적으로 수행되는 소정의 웨이퍼 카세트(6)에서 웨이퍼(18)에 걸친 변수들은 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 레시피의 하나 이상의 플라스마 단계들을 완료하기 위하여 요구되는 시간의 양에 영향을 끼칠 수 있다. Variable across the wafer 18 at a predetermined wafer cassette (6), the same plasma recipe is typically carried out will affect the amount of time required to complete one or more of the plasma phase of the current plasma recipe is performed in the chamber 36 a can have. 예를 들어, 플라스마 레시피의 어떤 단계에 의하여 에치 제거되는 어떤 층의 두께는 받아들일 수 있는 허용오차 내에서 웨이퍼(18)에 대하여 다양할 수 있다. For example, any layer thickness of the etch-removed by any stage of the plasma recipe is acceptable tolerance may vary with respect to the wafer 18 within. 챔버(36) 내의 조건들은 또한 그 문제에 대하여 소정의 플라스마 레시피 또는 어떤 다른 플라스마 처리의 하나 이상의 플라스마 단계들의 종료점에 도달하기 위하여 요구되는 시간의 양에 대한 영향을 가질 수 있다. Conditions in the chamber 36 may also have an effect on the amount of time required to reach the end point of the predetermined plasma recipe or one or more plasma phase of any other plasma processing on the subject. 예를 들어, 챔버(36)의 내부는 그 내부에 침적물들의 형성에 의하여, 그 내부로부터 물질들의 에칭 제거에 의하여 또는 그 둘 모두에 의하여 노화되기 때문에, 챔버(36)의 성능은 변화될 수 있다. For example, the interior because the aging by by the formation of deposits, by etching away of materials or both from the inside to both the internal, the performance of the chamber 36 of the chamber 36 can be varied . 챔버(36)의 성능의 변화는 소정의 플라스마 레시피의 하나 이상의 단계들의 종료점에 도달하기 위하여 요구되는 시간의 양을 변화시킬 수 있다. Changes in performance of the chamber 36 can change the amount of time required to reach the end point of the one or more steps of the predetermined plasma recipe. 이 타입들의 요소들에 대하여 설명하지 못하는 것은 플라스마 상태 서브루틴이 가짜 경보들, 또는 보다 특정적으로 현재 플라스마 처리가 그것이 그렇지 않은 경우에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 최소한 하나의 플라스마 처리에 매치하지 않는다는 지시를 발행하게 할 것이다. Does not describe the elements of this type is matched to the plasma state subroutine false alarm, or more plasma treatment of at least one stored in specific, if the current plasma process it otherwise normal spectrum subdirectory (288) to the instructions do not will be issued.

시간 의존 요건들에 대한 대안들은 현재 플라스마 처리로부터 현재 시간 tc에서 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼과의 비교를 위하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 소정의 플라스마 처리의 "관련 스펙트럼"이 무엇인지를 판단하기 위하여 존재한다. Alternative to time-dependent requirements are that the current what is "associated spectrum" of a predetermined plasma processing of the stored in the normal spectrum subdirectory 288 for comparison with the plasma spectrum in the chamber 36 at the current time tc from the plasma treatment exist in order to determine. 플라스마 상태 서브루틴(253)의 문맥에서 그리고 실제로 현재 플라스마 처리 모듈(250)의 각 서브모듈에 대한 "관련성"은 비록 동일한 속도에서 필수적이지 않고 그래서 시간 의존적이지 않다 하더라도, 단순히 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 최소한 하나의 플라스마 처리들과 매치하는 방식으로 진행되는지 여부일 수 있다. In the context of the plasma state subroutine 253, and even if the fact "relation" for each sub-module of the present plasma processing module 250 without being although essentially the same speed and so it is not time dependent, simply performed from the chamber 36 which may be present whether the plasma processing proceeds in such a manner as to match the at least one plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 288. 이하에서 이것은 "진행 의존 요건(progression depedency requirement)"로 언급될 것이고 다음에 예시될 것이다. Hereinafter this will be referred to as "proceeding dependent requirements (requirement depedency progression)" will be illustrated in the following. 현재 시간 t 1 에서 플라스마 상태 서브루틴(253)을 위하여 얻어지는 첫 번째 스펙트럼은 이 해당 예에서 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 레시피 A 의 하나 이상의 스펙트럼과 비교된다. The first spectrum is obtained for a plasma state subroutine 253 at the current time t 1 is compared to the spectrum of one or more recipe A in the normal spectrum subdirectory 288 in the corresponding example. 현재 시간 t 1 에서 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼과 매치되고, 그것과 관련되는 가장 이른 시간을 가지는 레시피 A 의 스펙트럼은 레시피 A 의 현재 상태 스펙트럼으로서 확인된다. At the current time t 1 is matched with the spectrum of the plasma in the chamber 36, the spectrum of Recipe A has the earliest time associated with it are identified as the current state of the recipes A spectrum. 이것은 비록 일어날 것 같지는 않지만, 소정의 플라스마 처리에서 시간 t 1 에서의 스펙트럼이 실제로 이 동일한 플라스마 처리에서 예를 들어, 시간 t 1000 에서의 스펙트럼과 동일한 가능성있는 상황에 대하여 서술한다. It does appear to occur even though, in some plasma processing a spectrum in the time t 1 in fact, for example, in the same plasma processing will be described with respect to the same potential situation in which the spectrum at the time t 1000. 플라스마 상태 서브루틴(253)을 위하여 얻어진 다음 스펙트럼, 또는 이 예에서 시간 t 2 에서의 스펙트럼은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 레시피 A 의 이 동일한 현재 상태 스펙트럼과 먼저 비교된다. Plasma state in the sub-spectrum obtained for routine 253, then the spectrum, or the time t 2 in this example is a comparison with the same spectral presence of recipe A in the normal spectrum subdirectory 288. 현재 시간 t 2 에서의 현재 스펙트럼이 여전히 레시피 A 의 이 현재 상태 스펙트럼과 매치된다면, 레시피 A 의 현재 상태 스펙트럼은 변화되지 않고 남아 있다. If the spectrum of the current at the current time t 2 is still in a recipe A matches the current state spectrum, presence spectrum of recipe A remains unchanged. 그러나, 현재 시간 t 2 에서 챔버(36)에서 제품 상에서 수행되는 현재 플라스마 레시피으로부터 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼이 레시피 A 의 현재 상태 스펙트럼과 매치되지 않는다면, 패턴 인식 모듈(370)은 이 현재 스펙트럼이 레시피 A 에서 현재 상태 스펙트럼을 (시간에서) 따르는 레시피 A 의 스펙트럼과 매치되는지를 알기 위하여 검사한다. However, the spectrum of the plasma in the chamber 36 from the current plasma recipe is performed on the product in the chamber 36 at the current time t 2 does not match the current state spectrum of the recipes A, the pattern recognition module 370, the current checks to see if the spectrum is the spectrum matches according to the recipe a in the presence spectrum recipe a (in hours). 현재 시간 t c 에서 처리 챔버(36)에서의 플라스마의 현재 스펙트럼과 현재 상태 스펙트럼을 따르는 레시피 A 의 스펙트럼 사이에서의 "매치"는 현재 플라스마 처리가 적절하게 진전되는 것을 의미하고, 레시피 A 에서 시간 "매칭 스펙트럼"에서의 이 후자는 이제 레시피 A 의 현재 상태 스펙트럼이다. "Match" between the plasma of the spectrum of the current spectrum and according to the current state spectrum recipe A in the present time the process chamber 36 at t c means that the current which the plasma treatment properly progress, and the time from recipe A " this latter in the matching spectrum "is now the current state spectrum of recipe a. 상기의 논리는 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)의 레시피 A 에 따라 진행하는 한 계속하여 반복될 것이다. Wherein the logic will continue repeatedly to present the plasma treatment conducted in accordance with recipe A normal spectrum subdirectory 288. 이 진행 의존 요건은 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 서브디렉토리가 패턴 인식 모듈(370)에 의하여 조사되는지에 관계없이 사용될 수 있다. The progress relies requirements may be used irrespective of whether the sub-directory of the plasma spectrum directory 284 is irradiated via the pattern recognition module 370. 게다가, 그 논리는 현재 스펙트럼이 현재 상태 스펙트럼을 (시간에서) 따르는 다음 스펙트럼에 대하여 먼저 검사되고, 다음으로 처리가 진행되는지를 판단하는 목적을 위하여 매치가 없는 조건에서만 현재 상태 스펙트럼에 대하여 다시 검사된다 (예를 들어, 동일한 속도에서 진행을 가정하고 필요한 경우에만 다시 관찰함). In addition, the logic of the current spectrum is first checked against the following spectral presence spectrum follow (in time), only on condition that a match is again checked against the current state spectrum for the purposes of determining whether the processing is proceeds to the next (e.g., assuming the progress at the same speed and observed again only if necessary).

플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(254, 258, 260, 261, 278)에 의해 정의된 루프(190)는 두 가지 사건중 하나가 발생할 때까지 계속하여 재실행되어질 것이다. The loop 190 is defined by a step (254, 258, 260, 261, 278) in a plasma state subroutine 253 will continue to be re-executed until the result in one of the two events. 현재 플라스마 처리의 모든 스펙트럼 데이터가 상술한 것에 따라 서브루틴(253)에 의해 평가될 때, 플라스마 상태 서브루틴(253)을 빠져나가게 하는 하나의 사건은 일어난다. When evaluated by the subroutine 253, as all the spectral data of the current plasma process described above, a case that escape the plasma state subroutine 253 takes place. 즉, 전체 현재 플라스마 처리는, 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 기록된 플라스마 처리 중 적어도 하나의 처리("적어도 하나"는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 포함될 수 있는 소정의 플라스마 처리 중 하나의 엔트리보다 많다는 사실을 의미한다)에 따라 처리되는 처리 챔버(36)내에서 또는 해당 처리 방법의 예(A)로 실행된다. That is, the total current plasma processing, at least one treatment of the plasma processing recorded in the normal spectrum subdirectory 288 ( "at least one" is an entry of the predetermined plasma processing, which may be included within the normal spectrum subdirectory 288 in the processing chamber 36 is processed according to the means-wise than true) or is carried out by for example (a) of the method. 이어 플라스마 감시 동작의 제어는 플라스마 상태 서브루틴(253)으로부터 다시 예를 들어 도15의 시동 모듈(202) 내지 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계 279의 수행으로 전가된다. Following control of the plasma monitor operation is performed by shifting the phase 279 of the plasma conditions as a subroutine in Fig. 15, for example again from the 253 start-up module 202 to the plasma state subroutine 253. "정상" 실행의 결과가 "정상 실행(normal run)" 로그 파일 내에 기록될 수 있다는 것이 주지되어야 한다. The run "normal" It should be noted that the result is "Normal Run (normal run)" may be recorded in a log file. 도12a에 제시된 것과 같은 데이터는 이러한 "정상 실행" 로그 파일 내에 포함될 수 있고 해당 플라스마 처리의 시간 체계적 기록(historical record)을 제공할 것이다. Data such as those shown in Figure 12a may be included in this "normal running" log files and will provide time systematic recording of the plasma treatment (historical record). 데이터 저장 공간이 문제시된다면, 이러한 데이터를 유지하는 것이 바람직할지라도 스펙트럼 데이터는 시간 체계적 기록으로부터 생략될 수 있다. If the data storage question, although it is desirable to keep this data, the spectral data may be omitted from the time recorded systematically. 게다가, 이러한 시간 체계적인 데이터는 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의한 액세스를 위해 저장될 필요는 없다. In addition, such a systematic time data is not currently need to be stored for access by the plasma processing module 250. 예를 들어, 시간 체계적인 데이터는 웨이퍼 생산 시스템과 관련된 네트워크 또는 다른 소정의 데이터 저장 영역 내에 저장될 수 있다. For example, the systematic time data may be stored in the network or another predetermined data storage area associated with wafer production systems.

이러한 현재 플라스마 스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리와 더 이상 "매칭"되지 않을 때, 플라스마 상태 서브루틴(253)은 또한 루프(190)(도9의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 관하여 현재 시간t c 에서의 현재 스펙트럼의 평가)를 빠져나갈 수 있다. This time the current is the plasma spectrum normal spectrum subdirectory 288. predetermined be plasma processed and is no longer "match" is stored in, the plasma state subroutine 253 is also a loop 190 (top spectrum of FIG subdirectory ( about 288) may exit the evaluation of the current spectrum of the current time t c). 이것은, 시간 상의 소정 시점에서 처리 챔버(36)내에서의 생산시 실행되는 현재 플라스마 레시피가 해당 처리 방법의 예 내의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)의 처리방법(A)와 "매칭"되지 않을 경우가 될 수 있다. This is because if the current plasma recipe is method (A) and not be "matched" normal spectrum subdirectory 288 in the example of the processing method executed in the production of in the processing chamber 36 at a given point in time in the time It can be. 이러한 경우에 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(260)로 다시 제공되는 도13의 패턴 인식 모듈(370)의 결과는 서브루틴(253)이 단계(260)에서 단계(266)로 진행하도록 한다. Results of Figure 13 the pattern recognition module 370 of the service again in this case with step 260 of the plasma state subroutine 253 to subroutine 253 proceeds to step 266. In step 260 .

플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(266)는 도13의 패턴 인식 모듈(370)이 Step 266 is a pattern recognition module 370 of Fig. 13 of the plasma state subroutine 253 is

현재 시간 t c 에서 챔버(36)내의 플라스마의 스펙트럼과 비정상적이 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 관련 스펙트럼 사이의 비교 분석을 수행하도록 한다. The plasma of the spectrum and abnormal in the current time t c chamber 36 from and to perform a comparison between the spectrum of the spectrum related subdirectory 292. 이것은 패턴 인식 모듈(370)에서 사용되는 목표 디렉토리(Taget Directory)를 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 설정하는 서브루틴(253)의 단계(266)에 의해 수행된다. This is performed by the step 266 of the subroutine 253 for setting the pattern recognition module 370, an abnormal spectrum subdirectory 292, a target directory (Taget Directory) used in the. 이어 현재 시간t c 에 챔버(36)내의 플라스마의 현재 스펙트럼과 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 관련 스펙트럼 사이의 "매칭"이 존재하는 지의 여부를결정하기 위하여 단계(266)의 수행을 통해 단지 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)가 패턴 인식 모듈(370)에 의해 검색된다. Following the current time t c only through execution of step 266 to determine whether a "match" between the saved relevant spectrum are currently in the spectrum of the plasma, and an abnormal spectrum subdirectory 292 in the chamber 36 the abnormal spectral directory 292 is retrieved by the pattern recognition module 370.

도9의 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 어떤 스펙트럼이 패턴 인식 모듈(370)에 의해 제공된 상술한 분석을 사용하는 현재 시간t c 에서 챔버(36)내의 플라스마의 현재 스펙트럼과 실제적으로 분석되는 지와 관련하여 많은 선택 사항이 존재한다. Not even abnormal spectrum which spectrum of the sub-directory 292 of 9 is the pattern recognition module 370 which is used by the above analysis the plasma current analysis spectrum and practice of in the current time t c chamber 36 in provided by the regard, there are many choices. 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 각각의 스펙트럼은 그와 관련된 시간을 가질 수 있고 바람직하게 시간을 가지며, 상기 시간은 챔버(36)내에서 스펙트럼이 얻어지는 플라스마 처리에 속하는 시간(즉 그것의 해당 시간 t c )이다. Each spectrum stored in the abnormal spectral directory 292 can have a time associated with it, and preferably has a time, the time the chamber 36 is the time belonging to the plasma treatment is obtained and a spectrum in (i. E. Its corresponding time a c t). 패턴 인식 모듈(370)에 의한 "매칭"을 위한 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 검색은 동일한 시간t c 에 또는 해당 현재 시간t c 의 각 사이드 상의 미리 결정된 양의 시간(즉 해당 시간t c 의 ±"x" 초)내에 기록된 스펙트럼에 한정될 수 있다. Pattern recognition search of the abnormal spectrum subdirectory 292 for "matching" of the module 370 in the same time t c in or the current time t c of time of a predetermined amount on each side of (i.e., the time t c ± "x" can be limited to the spectrum recorded in the second). 예를 들어, 현재 스펙트럼이 처리 챔버(36)내에서 실행되는 플라스마 처리에 20초를 얻는다면, 도13의 패턴 인식 서브루틴(374)의 단계 386에 의해 구현된 포인트 대 포인트 분석은, 동일한 20초의 시간 주기 또는 이러한 시간 주기의 ±10초 이내(또는 다른 소정의 바람직한 양)에 역시 기록되는 단지 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내의 스펙트럼만에 관련하여 수행될 수 있다. For example, if the current spectrum processing chamber 36 if the gain 20 seconds in the plasma processing executed in, Fig pattern recognition sub-cost point-to-point analysis implemented by the step 386 of the routine 374 of 13, the same 20 seconds may be carried out only with respect to the spectrum only in the abnormal spectral directory 292 is also written to the period or within ± 10 seconds of this time period (or other prescribed desired amount).

세밀한 검색 기준으로 사용될 수 있는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 다른 서브세트는 플라스마 처리의 범주/부류 또는 심지어 플라스마 처리 타입 또는 (예를 들어 플라스마 레시피의 특정 타입) 플라스마 처리의 여러 타입/종류를 가지는 플라스마 처리 범주/부류내의 종류가 된다. Another subset of the abnormal spectrum subdirectory 292, that may be used as the fine search based on a category of the plasma processing / class or even a plasma processing type or (e. G. A particular type of plasma recipe) having a multiple types / kinds of plasma treatment plasma treatment is a type within the category / categories. 즉, 처리 챔버(36)내에서의 생산에 현재 실행되는 것과 가능한 한 적어도 동일한 플라스마 처리와 관련된 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 단지 이러한 스펙트럼은, 플라스마 처리 기준을 사용하는 패턴 인식 모듈(370)에 의해 분석될 것이다. That is, only the pattern recognition module 370 to these spectra, using the plasma processing based on the processing chamber (36) associated with at least the same plasma treatment as possible to that the current running in the production in the abnormal spectrum subdirectory 292 by it will be analyzed. "가능성" 매칭 처리는, 현재 플라스마 처리에서의 에러가 발생하는 시간에 플라스마 상태 모듈(252)이 현재 플라스마 처리의 식별을 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 단일 플라스마 처리로 범위를 협소화하지 않기 때문에, 이러한 상황에서 사용된다. Since "possible" matching process is not plasma state module 252 at the time an error occurs in the current plasma process is narrowed to the range of a single plasma processing in the identification of the current plasma process normal spectrum subdirectory 288, It is used in these situations. 플라스마 상태 모듈(252)이 처리 챔버(36)내의 생산에 실행되는 현재 플라스마 처리를 식별하는 방법은 도22 내지 도24의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790, 852, 924)과 관련하여 아래에서 다루어진다. Plasma state module 252 from below and is related to how to identify the current plasma process is a plasma state / process recognizes the 22 to 24 sub-routines (790, 852, 924) running in the production in the processing chamber 36 It is handled.

플라스마 처리의 플라스마 단계는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)가 패턴 인식 모듈(370)에 의해 분석되기 위한 세밀한 검색 기준으로 사용될 수도 있다. Plasma in the plasma treatment step may be a degraded spectrum subdirectory 292 to be used as a granular items to be analyzed by the pattern recognition module 370. 즉, 처리 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 단계와 가능한 여전히 매칭되는 여러 단계의 플라스마 처리 중의 한 플라스마 처리와 관련되는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내의 단지 이러한 스펙트럼은 이러한 경우에 패턴 인식 모듈(370)에 의해 분석될 수 있다. That is, only the spectrum in the abnormal spectral directory 292 associated with the plasma treatment in the treating chambers 36, the current plasma steps executed within the available still plasma treatment of a number of steps that matches the pattern recognition module in this case ( by 370) it can be analyzed. "가능성"은, 현재 플라스마 처리시 에러가 발생하는 시간에 플라스마 상태 모듈(252)이 현재 플라스마 단계 및 처리를 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 단일 플라스마 처리의 단일 플라스마 단계로 범위를 협소화하지 않기 때문에, 이러한 상황에서 플라스마 처리들의 플라스마 단계들의 매칭과 관련하여 사용된다. Because of "possibility" is not to narrow the scope of a single plasma phase of the single plasma treatment in the current at the time an error occurs during plasma processing the plasma state module 252 at this time the plasma step and the process normal spectrum subdirectory 288 It is used in relation to the matching of the plasma step of the plasma treatment in such a situation. 플라스마 상태 모듈(252)이 처리 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리의 현재 플라스마 단계를 식별하는 방법은, 도25와 관련하여 아래에서 설명되는 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)을 통해서 이루어진다. A plasma state module 252, a process chamber (36) how to identify the current plasma phase of the current plasma process to be executed in the are, the plasma state / process steps recognition, described below with respect to Figure 25, the subroutine 972 It is through.

초기 검색 기준으로 사용될 수 있는 상술한 것들의 소정 조합은 처음에 비정상 스펙트럼 서브루틴(I292)의 검색을 세밀화한다. A predetermined combination of the ones described above which can be used as an initial search criteria are refined to look for the first abnormal spectrum subroutine (I292). 최종적으로, 어떠한 세밀한 검색 기준도 사용되는 것을 요구하지는 않는다. Finally, it does not require any detailed items to be used. 즉, "매칭"을 위한 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)의 검색은 현재 시간t c 의 현재 스펙트럼을 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내의 각 스펙트럼과 비교할 수 있으며, 이에 의해 필수 "초기 매칭" 기준으로서의 시간 요소 및 소정의 플라스마 처리 범주/플라스마 처리 단계 요소 내의 플라스마 처리 타입/플라스마 처리 범주 모두를 제거한다. That is, the search of the abnormal spectrum subdirectory 292 for "matching" can be compared with each spectrum in the current time, the current abnormal spectrum the spectrum of t c subdirectory 292, and thereby the required "initial matching" basis as time remove all of the elements and the desired plasma treatment category / plasma treatment step plasma treatment type / plasma treatment in the component category.

패턴 인식 모듈(370)이 (플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(254)로부터) 현재 시간t c 에서 챔버(36)내의 플라스마의 스펙트럼과 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로부터의 상대 스펙트럼 사이의 "매칭"이 존재하는 지의 여부를 결정한 이후에, 패턴 인식 모듈(370)은 플라스마 감시 동작의 제어를 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)으로 리턴시킨다. Between the pattern recognition module 370, the relative spectrum from the plasma spectrum and abnormal spectral directory 292 in the (plasma state sub from step 254 of the routine 253) the current time t c chamber 36 in " after determining whether a matching "exists, the pattern recognition module 370 has returned to the plasma state subroutine 253 of Fig. 21 for controlling the plasma monitoring operation. 패턴 인식 모듈(370)에 의한 분석의 결과("매칭" 또는 "비 매칭")는 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(276)로 제공된다. Results of the analysis by the pattern recognition module 370 ( "matched" or "non-matching") is available in step 276, the plasma conditions as a subroutine 253 of Fig. 현재 시간t c 에 처리 챔버 내의 플라스마의 현재 스펙트럼이 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내의 적어도 하나의 스펙트럼과 "매칭"된다면, 플라스마 상태 서브루틴(253)은 효율적으로 두 가지 동작을 처리하며, 이러한 동작은 동시적인 것을 포함한 소정의 순서의 따라 수행된다. At least, if one of the spectrum and the "matching", a plasma state subroutine 253 in abnormal, the current spectrum of a plasma in the processing chamber at the current time t c spectral directory 292, and efficiently process the two operations, such operations It is carried out according to the predetermined order, including the simultaneous. 이러한 동작 중 하나는, 플라스마 상태서브루틴(253)이 도14에 관련하여 상술된 처리 경보 모듈(428)을 호출하는 단계 274로 진행하는 것이다. One of these operations is, the plasma state to the sub-process proceeds to step 274 which calls a routine (253) is do the above-described processing with respect to the alarm module 14 (428). 일반적으로 경보는 웨이퍼 생산 시스템(2)의 제어가 다루어질 수 있는 비정상 조건의 식별과 관련하여 또는 처리 경보 모듈(428)을 통해서 발생될 수 있다. In general, the alarm may be generated through the in relation to the identification of abnormal conditions that can be treated or processed alarm module 428, control of wafer production system (2). 다른 동작은 시간 체계적인 목적으로 "비정상 실행" 로그 파일내의 플라스마 처리의 주의(reminder)에 대한 데이터를 기록하기 위한 경우에 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의해 처리된다. Other operations are processed by a plasma state subroutine 253 when to write the data to the note (reminder) of the plasma treatment in the "abnormal running" log file in the time systematic purpose.

최소로, 스펙트럼 데이터는 (서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 관련 플라스마 처리와 "매칭"되지 않지만 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내의 적어도 하나의 엔트리와 "매칭"되는 첫 번째 스펙트럼) 현재 시간t c 에 대하여 단계 264의 실행 동안 "비정상 실행" 로그 파일 내에 기록된다. Minimum, the spectral data (sub-directory (288, at least one entry and the "Matching" the first spectrum in a not predetermined associated plasma treatment and not "matching" abnormal spectral directory (292) stored in)), the current time t c during the step 264 executed on is recorded in the "abnormal running" log file. 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(264)로부터 단계(265)로의 진행에 있어서, 현재 플라스마 처리의 상태에 관한 결정이 이루어진다. Fig. Proceeds to step 265 from step 264 of the plasma state subroutine 253 of 21, a determination is made as to the current status of the plasma processing. 플라스마 처리의 임의의 종료 또는 처리의 주의에 대한 데이터의 보다 정확한 기록은 서브루틴(253)이 단계(267)로 진행하도록 하며, 상기 단계(267)에서는 플라스마 감시 동작의 제어가 예를 들어 도15의 시동 모듈(202)로 리턴되게 된다. More accurate recording of the data for any attention of the end or handle of the plasma treatment is an example of the said step (267) and to the sub-routine 253 proceeds to step 267 to control the plasma monitoring operation example 15 It is to be returned to the start-up module 202. 에러가 식별된 이후의 계속된 플라스마 처리는 서브루틴(253)이 단계(265)에서 단계(268)로 진행하도록 하며, 상기 단계(268)에서 현재 시간t c 은 인자"n"에 의해 증가되어 "비정상 실행"로그 파일에서의 기록을 위한 단계(272)를 통해 이러한 새로운 현재 시간t c 에서 서브루틴(253)에 대하여 챔버(36)내의 플라스마의 다른 스펙트럼이 얻어질 수 있다. The continued plasma processing after an error is identified, the subroutine 253, and so that the process proceeds to step 268. In step 265, the current time at step 268, t c is increased by a factor of "n" "abnormal running" are with respect to this new current time t c subroutine 253 in through the step for recording in the log file 272, the different spectra of the plasma in the chamber 36 can be obtained. "n"의 크기는 바람직한 분석 시간 분해능(Analytical Time Resolution)이 될 수 있다. The size of "n" can be a preferable time resolution analysis (Analytical Time Resolution). 단계(264, 265, 268, 272)는 서브루틴(253)이 상술한 바와 같이 단계(267)에서 빠져나올 때인 현재 플라스마 처리가 종료될 때까지 "비정상 실행"로그 파일에 데이터를 계속하여 저장하기 위하여 상술한 방식으로 계속 반복될 것이다. Step (264, 265, 268, 272) is sub-routine 253 is to continue to store data in "abnormal running" log file is when brought out of step 267 as described above until the current is shut down the plasma treatment in order to be repeated in the above-described manner.

현재 시간(t c )에 처리 챔버(36)내의 플라스마의 현재스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리와 "매칭"되지 않고 더욱이 이러한 현재 스펙트럼이 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 소정의 상대 스펙트럼과도 "매칭"되지 않는 경우의 상황이 일어날 수 있다. In the current time (t c), the current spectrum of a plasma in the processing chamber 36, the top spectrum subdirectory 288 is predetermined without plasma treatment and the "Matching" Furthermore, this current spectrum abnormal spectral directory 292 stored within the also with a predetermined relative spectrum stored it may cause a situation in the case that is not "match". 이것은 본 명세서에서 "알려지지 않은 조건(unknown condition)"으로 언급된다. This is referred to as "unknown condition (condition unknown)" herein. 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)은 단계(276)를 빠져나감으로써 이러한 상황을 처리하며, 상기 단계(276)에 서브루틴(253)은 효율적으로 두가지 동작을 처리하며, 이같은 동작은 동시적인 것을 포함하여 소정 순서로 수행될 수 있다. Plasma state subroutine 253 of Figure 21 is step 276, and the exit handle this situation as the exit, the subroutine 253 to step 276, and efficiently process the two kinds of operations, such operations are simultaneous and it may be performed in a predetermined sequence including the. 이같은 동작 중 하나는 플라스마 상태 서브루틴(253)이 도14와 관련하여 상술한 처리 경보 모듈(428)을 호출하는 단계(256)를 수행하는 것이다. One of these operations is to perform the step 256 of calling a plasma state subroutine (253) it is also be associated with the alarm module 14, the above-described processing (428). 일반적으로 경보는 웨이퍼 생산 시스템(2)의 제어가 다루어질 수 있는 알려지지 않은 조건이 존재하는 것에 관련하여 또는 처리 경보 모듈(428)을 통해서 발생될 수 있다. In general, the alarm may be generated through the in connection with an unknown condition that can be treated or present alarm processing module 428, control of wafer production system (2). 다른 동작은 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)내의 플라스마 처리의 주의에 대한 데이터를 기록하기 위한 경우에 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의해 처리된다. Other operations are processed by a plasma state subroutine 253 when to write the data to the attention of the plasma treatment in the unknown spectrum subdirectory 296.

최소로, 스펙트럼 데이터는 (정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된소정의 관련 플라스마 처리와 "매칭"되지 않지만 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내의 적어도 하나의 엔트리와 "매칭"되는 첫번째 스펙트럼) 현재 시간t c 에 대하여 단계(270)의 실행 동안 알려지지 않은 스펙트럼 서브루틴(296)내에 기록된다. Minimum, the spectral data (normal spectral least one entry and the "Matching" the first spectrum in a directory (not specified in the relevant plasma treatment and not "match" is stored in 288), abnormal spectrum subdirectory 292) the current time t unknown spectrum during the execution of step 270, with respect to c is recorded in the sub-routine 296. 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계(270)로부터 단계(283)로의 진행에 있어서, 현재 플라스마 처리가 종료되었는 지의 여부에 관한 결정(예를 들어 챔버(36)내에서의 플라스마 "오프"가 존재하는 지의 결정)이 이루어진다. In proceeding to the plasma state subroutine 253, Step 270, Step 283, from, the determination as to whether or not doeeotneun current plasma processing has been completed (for example, a plasma "off" in the chamber 36 there this made the determination of whether to). 플라스마 처리의 종료는 서브루틴(253)이 단계(281)로 진행하도록 하며, 상기 단계(281)에서는 플라스마 감시 동작의 제어가 예를 들어 도15의 시동 모듈(202)로 리턴되게 된다. End of the plasma processing is presented subroutine 253 and to the process proceeds to step 281, step 281, the control of the plasma return to the monitoring operation for example start-up module 202 of Figure 15. 알려지지 않은 조건 이후의 계속된 플라스마 처리는 서브루틴(253)이 단계(283)에서 단계(280)로 진행하도록 하며, 상기 단계(280)에서 현재 시간t c 은 인자"n"(예를 들어 바람직한 데이터 수집 시간 분해능(Data Collection Time Resolution))에 의해 증가되어 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)내의 기록을 위한 단계(282)를 통해 이러한 새로운 현재 시간t c 에서 서브루틴(253)에 대하여 챔버(36)내의 플라스마의 다른 스펙트럼이 얻어질 수 있다. The continued plasma process after the unknown condition subroutine 253 is, and to proceed to step 280. In step 283, the current time at step 280, t c is a factor "n" (for example, a preferred data collection time resolution chamber (36 with respect to the (data collection time resolution)) subroutine 253 in this new current time t c through step 282 for recording in the unknown is increased spectral directory 296 by the different spectra in plasma) can be obtained. 단계(270, 283, 280, 282)는 서브루틴(253)이 상술한 바와 같이 단계(281)에서 빠져나올 때인, 현재 플라스마 처리가 종료될 때까지 또는 처리의 주의에 대한 데이터가 서브디렉토리(296)내에 기록될 때까지 상술한 방식으로 계속 반복될 것이다. Step (270, 283, 280, 282) is sub-routine 253 is described above is when comes out of the step 281. As described, the data for the current note to or treatment when the plasma processing is completed, a subdirectory (296 until it is recorded in a) it will continue to repeat the above-described manner.

알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)내에 기록되는 플라스마 처리는 상술한 바와 같이 알려지지 않은 조건의 원인을 식별하기 위하여 일반적 연속적으로 분석 시도된다. Plasma processing is recorded in the unknown spectrum subdirectories 296 attempt is analyzed in general, continuously to identify the source of an unknown condition as described above. 알려지지 않은 조건이 실제적으로 새로운 플라스마 처리인 것으로 판명된다면, 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)내에 기록된 데이터는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로 전송된다. The unknown condition is practically if found to be a new plasma process, written into the unknown spectrum subdirectory 296, data is transferred to the normal spectral directory 288. 이러한 새로운 플라스마 처리로부터의 새로운 스펙트럼 패턴은 이러한 동일한 처리 챔버(36)상에서의 추가 실행의 플라스마 처리를 액세스하는 것을 가능케 한다. New spectral pattern from this new plasma process is it possible to access the plasma treatment of the additional run on this same processing chamber 36. 알려지지 않은 조건이 관련 원인을 가지는 에러인 것으로 판명된다면, 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)내에 기록된 해당 실행으로부터의 소정 또는 모든 데이터가 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로 전송된다. If it determined that the unknown condition of error associated with the cause, a certain or all of the data from the history within an unknown spectrum subdirectory 296 is transferred to an abnormal spectrum subdirectory 292. 새롭게 식별된 에러 조건을 나타내는 적어도 하나의 새로운 스펙트럼 패턴이 플라스마 상태 모듈(252)을 통해 이러한 동일한 처리 챔버(36)상에서의 추가의 실행의 플라스마 처리를 액세스하는 것을 가능케 한다. At least one new spectral patterns representative of the newly identified error conditions makes it possible to access the additional plasma processing of the execution on this same process chamber 36 through a plasma state module 252.

플라스마 상태/처리 분석 서브루틴(790)-도22 Plasma state / process analysis subroutine 790 - 22

플라스마 상태 모듈(252)에 의해 사용될 수 있는 다른 실시예의 서브루틴이 도22에 제시되었다. Other embodiments that can be used by the plasma state module 252 Example subroutine is presented in Fig. 플라스마의 상태 또는 조건이 도2의 서브루틴(790)에 의해 액세스될 뿐만 아니라, 챔버(36)내에서 실행되는 플라스마 처리도 역시 식별될수 있다. The state or condition of the plasma, as well as be accessed by the sub-routine 790 of Figure 2, the plasma process performed in the chamber 36 also can be also identified. 즉, 서브루틴(790)은 플라스마 처리의 식별(예를 들어, 상이한 타입의 플라스마 레시피를 구별하기 위하여, 생산 웨이퍼(18)와 품질 웨이퍼(18)에 대해 운영되는 동일한 플라스마 레시피를 구별하기 위한 것 등)을 결정 할 수 있다. That is, the subroutine 790 is the identification of the plasma process (e.g., to distinguish the plasma recipe of different types, one to distinguish the same plasma recipe operated for the production wafer 18 and the quality of the wafer 18 and the like) can be determined. 결과적으로 서브루틴(790)은 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)으로 특성지워진다. As a result, the sub-routine 790 is deleted property to plasma state / recognition processing subroutine 790. 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)은 또한 한가지 방법을 제시하는데 상기 방법으로 해당 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리가 도9의 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 다중 플라스마 처리에 반하여 평가된다. Plasma condition / processing recognition subroutine 790 is also a method for presenting one way as opposed to multiple plasma processing stored in the current plasma process normal spectrum of Fig subdirectory 288, that is executed within the chamber 36 It is evaluated. 이러한 매우 동일한 원리는 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)에서 구현될 수 있다. The very same principle can be implemented in a plasma state subroutine 253 of Fig.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)이 처리 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리의 분석을 실제적으로 초기화하기 이전에 많은 전제 조건이 다루어진다. The number of prerequisites prior to actually reset to the analysis of the current plasma process to be executed in the plasma state / recognition processing subroutine 790, the processing chamber 36 are addressed. 이러한 단계가 수행되는 순서는 본 발명에서는 중요하지 않다. The order in which these steps are performed is not critical to the invention. 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)의 초기화는 서브루틴(790)의 단계(796)에서 도13의 패턴 인식 모듈(370)과 관련된 목표 디렉토리를 도9의 정상 스펙트럼 디렉토리(288)로 설정하는 단계를 포함한다. Initialization of the plasma state / process recognition subroutine 790 is set to the normal spectrum directory 288 of FIG. 9 the target directory associated with the phase pattern recognition of Figure 13 in the 796 module 370 of the subroutine 790 and a step. 일반적으로, 패턴 인식 모듈(370)은 "실행 스펙트럼"(즉, 처리 챔버(36)내에서 실행되는 플라스마 처리 동안에 처리 챔버(36)로부터의 플라스마에 대한 스펙트럼)의 패턴을 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 플라스마 처리의 관련 스펙트럼과 비교하기 위하여 사용된다. Generally, the pattern recognition module 370 is a "running spectrum" normal spectral patterns (that is, a processing chamber 36, the spectrum of the plasma from the processing chamber (36 during the plasma process to be executed in)) sub-directory (288 ) is stored is used to compare the associated spectrum of a plasma in the processing.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에 의해 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리의 분석에 대한 전제조건은 또한 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 제 1 플라스마 처리를 "호출(call up) 또는 "플래그(flag)"하는 단계(816)의 실행을 요구하며, 사이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)는 서브루틴(790)에 의해 현재 플라스마 처리와 비교되어진다. 서브루틴(790)의 논리는 처리 챔버(36)내에 실행되는 현재 플라스마 처리를 한번에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 단지 하나의 플라스마 처리와 비교하는 것이다. 즉,서브루틴(790)는 우선 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 레시피 A 와 현재 플라스마 처리를 비교한다. 현재 플라스마 처리가 레시피 A 에서 벗어난다면, 서브루틴(790)은 전체 해당 현재 플라스마 처리를 정상 스펙트럼 서브디렉 Plasma condition / processing recognition sub first plasma treatment in the prerequisites for the analysis of the current plasma process performed in the chamber 36 by a routine 790 is also normal spectrum subdirectory 288, the "call (call up) or "flag (flag)", and requesting execution of step 816, between the normal spectrum subdirectory 288 which becomes the current compared to the plasma treatment by the subroutine 790. the logic of a subroutine 790 the current plasma process to be executed in the processing chamber 36 at a time, to compare the stored only one plasma treatment of within the normal spectrum subdirectory 288, that is, the recipe in the sub-routine 790 is first normal spectrum subdirectory 288 a and compares the current plasma process. currently, if plasma processing is out of the recipes a, the subroutine 790 is the total current plasma processing normal spectrum subdirectory 토리(288)내의 레시피 B 와 비교한다. 단지 현재 플라스마 처리가 레시피 B 에서 벗어난다면, 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 다른 플라스마 처리가 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에 의해 현재 플라스마 처리와 한번에 하나씩 비교된다. 도12을 참조하여 상술한 플라스마 상태 서브루틴(253)의 경우에서와 같이, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 모든 플라스마 처리가 현재 플라스마 처리와 비교할 수 있게 되도록 또는 상술한 세밀한 기준/기준들이 사용될 수 있도록 구성된다. Storage and compared with recipe B in 288. Just now, if plasma processing is out of the recipe B, the top spectrum subdirectory 288, another plasma process is a plasma state / process recognition sub-current plasma processed by the routine 790 stored in the and at a time is compared one by one with reference to FIG. 12, as in the case of the above-described plasma state subroutine 253, plasma conditions / processes recognition subroutine 790 is that all plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 292 fine-grained standard / criteria described above or to be able to compare the current and the plasma treatment are configured so they can be used.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에게 획득된 처리 챔버(36)내의 플라스마의 제 1 스펙트럼은 단계(794)의 수행 동안에 존재하며, 이것은 또한 서브루틴(790)의 초기화의 일부가 된다. A first spectrum of a plasma in the processing chamber 36 to a plasma state acquisition / recognition processing subroutine 790 is present during the performance of step 794, which is also a part of the initialization of the sub-routine 790. 이러한 스펙트럼은 시간(t 0 )에 관련되며, 분석이 완료될 때까지 서브루틴(790)에게 획득된 각 스펙트럼과 함께 저장된다. This spectrum is related to the time (t 0), it is stored together with each of the acquired spectrum to a subroutine (790) until the analysis is complete. 현재 플라스마 처리의 스펙트럼을 유지하는 데 있어서의 소정의 실패는 서브루틴(790)이 자신의 "한번에 하나의 처리" 비교의 논리를 사용하는 것을 허용하지 않는다. Predetermined failure in maintaining the spectrum of the current plasma process does not allow the sub-routine 790 uses a logical comparison of their "one at a time of processing".

챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리와 비교되어질 정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 제 1 플라스마 처리가 레시피 A 라고 가정하도록 한다. The chamber 36, a first plasma processing are stored in the comparison to be normal spectrum subdirectory 292 and the plasma process to be executed in the recipe is to assume that A. 서브루틴(790)에 의해 평가되는 각 플라스마 처리에 대하여 반복되어지는 서브루틴(790)의 제1 단계는 단계(798)이며, 상기 단계(798)에서 현재 시간 t c 변수가 유도되며, 추가로 이러한 현재 시간t c 은 시작 시간t 0 와 동일하게 설정된다. A first and step is step 798, additional and the current time t c parameters derived in step 798, the subroutine 790 to be repeated is, for each plasma processing is evaluated by the subroutine 790 the current time t c is set equal to the start time t 0. 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리를 단계(816)로부터의 데이터와 비교하는 것은 단계(800)에서 수행되며, 상기 단계(800)에서는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에게 도13의 패턴 인식 모듈(370)로 진행하도록 지시된다. Comparing the current plasma process to be executed in the processing chamber 36 and the data from Step 816, the is performed in step 800, step 800, FIG. 13 to a plasma state / process recognition subroutine 790 a is instructed to proceed to a pattern recognition module 370. 현재 시간 t c 에 처리 챔버(36)로부터의 플라스마에 대한 스펙트럼의 분석은 이러한 현재 플라스마가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)의 레시피 A 의 관련 스펙트럼과 "매칭"되는 지의 여부를 결정하기 위하여 단계(800)에서 수행된다. Analysis of the spectrum of the plasma from the current time t c treatment chamber 36 on the steps (800 to determine whether that this current plasma is "matching" related spectra and the recipe A normal spectrum subdirectory 288 ) it is carried out at a. 도13과 관련하여 상술한 바와 같이, "매칭 결정"은 현재 스펙트럼의 패턴이 그와 함께 "매칭"으로 간주되어질 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 레시피 A 에 대한 관련 스펙트럼의 패턴과 충분히 유사한지의 여부를 결정하기 위하여 두 개의 주지된 스펙트럼의 패턴을 효율적으로 비교하는 것이다. As also described above with respect to the 13, "matching decision" is sufficiently similar to fingers and the pattern of the relevant spectrum for recipe A from the normal spectrum subdirectories 288 currently to be a pattern of a spectral regarded as a "match" with him in order to determine whether to efficiently compare the patterns of the two known spectra. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 소정의 플라스마 처리에 대한 스펙트럼이 서브루틴(790)에 의해 현재 시간 t c 에서 챔버(36)내의 플라스마의 스펙트럼과 비교되는 점에서 "관련성(relevance)"은 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 상술된 시간 의존 요건 또는 진행 의존 요건에 따라 결정될 수 있다. In that a predetermined spectrum of the plasma treatment from the top spectrum subdirectory 288 to be compared with the plasma spectrum in the subroutine 790 the current time t c chamber 36 in by "relevant (relevance)" is a above in relation to the plasma state 21 the subroutine 253 of the time-dependent requirements, or it may be determined according to the progress-dependent requirements.

단계(800)로부터의 분석 결과는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)의단계(812)에서 평가된다. Results from step 800 is evaluated in step 812 of the plasma state / recognition processing subroutine 790. 현재 시간t c 에서 현재 플라스마 처리와 관련된 처리 챔버(36)내의 플라스마의 스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 레시피 A 의 관련 스펙트럼과 "매칭"된다면, 서브루틴(790)은 결과가 디스플레이되는 단계(802)로 진행한다. If the current time t c and a spectrum of the plasma within the current process chamber (36) associated with the plasma treatment the normal spectrum subdirectory 288, recipe A in the relevant spectrum, and "match" in the in the sub routine 790 is step in which results are displayed the process proceeds to 802. The 예를 들어, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)이 처리 챔버 내에서 실행되는 현재 플라스마 처리가 현재 시간t c 에 대하여 레시피 A 에 해당한다는 것을 결정하였다는 표시가 (도6의) 디스플레이(130)상의 조작 인원에게 또는 상술한 다른 소정의 방법에 의해 제공된다. For example, the plasma conditions / processes recognition subroutine (790) to the current plasma process to be executed in the processing chamber determines that corresponds to the recipe A with respect to the current time t c is shown a display (in Fig. 6) (130 ) it is provided by the different predetermined operation method to personnel on or above. 처리 챔버(36)내에서 현재 실행되고 있는 플라스마 처리가 최종적으로 레시피 A 가 된다는 것을 나타내는 것은 시간 상의 이러한 시점에서 부정확하고 이에 따라 부적당하게 될 수 있다. It is the plasma process that is currently being executed in the processing chamber 36 and finally to indicate that the recipe A can be inadequate depending inaccurate at this point in time, and to this. 특히, 현재 플라스마 처리를 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)와 이러한 시점까지 비교하는 것은 레시피 A 에 한정된다. In particular, compared to such a point and normal spectrum subdirectory 288, the current plasma process is limited to the recipe A. 현재 시간t c 까지의 챔버(36)내의 플라스마에 대한 스펙트럼은 또한 실제로 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 하나 이상의 다른 플라스마 처리의 관련 스펙트럼과 "매칭"된다. Spectra of the plasma in the current time t c chamber 36 is also to actually be "matched" normal spectrum associated spectrum of a sub-directory 288, one or more other plasma treatment and stored in the. 그러나 이것은, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에 의해 사용되는 논리가 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리를 한번에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 단지 단일의 플라스마 처리에 대하여 평가하는 것이기 때문에, 결정되지 않는다. However, this, in the plasma state / process recognition sub-normal spectrum the current plasma process at a time that is running on the processing chamber 36, the logic used by the routine 790, subdirectory 288 but will evaluate with respect to the single plasma treatment of Therefore, it not determined. 이에 따라, 이러한 시점에 상술한 모든 것들은 현재 플라스마 처리가 잠재적으로 레시피 A 가 된다는 것이 된다. In this way, all the above-described ones on this point is that the current plasma process that is potentially recipe A.

현재 플라스마 처리의 평가 상태는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)의 단계(806)에서 검사된다. Rating state of the plasma processing is checked in step 806 of the plasma state / recognition processing subroutine 790. 단계(806)의 실행은 현재 플라스마 처리로부터의 모든 데이터가 서브루틴(790)에 의해 평가되는 지의 여부(즉 플라스마가 소멸될 때가지 얻어진 모든 데이터가 평가되는 지의 여부)를 결정한다. Execution of step 806 determines (whether or not all data obtained until the plasma that is to be destroyed is evaluated) whether all of the data from the current plasma processing is evaluated by the subroutine 790. 소정의 계속된 현재 플라스마 처리 또는 모든 자신의 광학적 이미션 데이터를 조사(examine)하는 데에 실패는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)이 단계(804)로 진행하도록 하며, 상기 단계(804)는 현재 시간t c 가 "n"의 증가분만큼 조정되게 한다. On for a predetermined continued current plasma processing or irradiation all their optical emission data of (examine) fails, and to proceed to a plasma state / process recognition subroutine 790 is step 804, the step 804 shall be the current time t c is adjusted by the "n" increments. "n"의 크기는 분석 시간 분해능을 정의한다. The size of the "n" defines the time resolution analysis. 예를 들어, 시작 시간t 0 가 1초로 설정되고(여기에서 단계(794)에서 서브루틴(790)이 초기 스펙트럼 읽기를 획득한다) 변수 "n"이 2초로 설정된다면, 단계(804)를 빠져나올 때의 현재 시간t c 는 3초가 된다. For example, the start time t 0 is set to 1 second if (in step here 794 the subroutine 790 is to obtain the initial spectrum read) the variable "n" is set to 2 seconds, through the step 804 current time you come t c is 3 seconds. 이러한 새로운 현재 시간에 처리 챔버(36)로부터의 스펙트럼을 단계(808)에서 서브루틴(790)이 획득하고, 서브루틴(790)은 단계(800)으로 리턴하며, 상기 단계(800)에서는 새로운 스펙트럼의 패턴이 상술한 것에 따라 그들이 "매칭"하는 지의 여부를 결정하기 위하여 레시피 A의 관련 스펙트럼에 대한 패턴과 비교된다. In this new sub-routine 790, the spectrum in the step 808 from the processing chamber 36 at the present time is configured to obtain, a subroutine 790 is, and returns to step 800, the step 800 is a new spectrum as one of the patterns described above is compared to the pattern for the associated spectrum of a recipe a to them to determine whether a "match".

단계(800, 812, 802, 806, 804, 808)은, 두 개의 조건중 하나가 나타날 때까지 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 플라스마 처리 중의 하나 (해당 예의 레시피 A )와 처리 챔버 내에서 실행되는 현재 플라스마 처리를 비교하기 위하여 계속하여 수행되는 루프(818)를 한정한다. Step (800, 812, 802, 806, 804, 808) is one of a plasma treatment stored in the normal spectrum subdirectory 288 until one of two conditions executed within (for example recipe A) and the process chamber which defines a loop (818) is continuously carried out to compare the current plasma process. 이러한 조건들 중 하나는 현재 플라스마 처리가 종료되는 경우와 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 전체 플라스마 처리와 "매칭"되는 경우이다. One such condition is when the current is the plasma process is completed and the current plasma process, the entire plasma treatment and "matching" are stored in the normal spectrum subdirectory 288 if. 이러한경우에, 서브루틴은 단계(806)에서 단계(810)으로 빠져나온다. In this case, the subroutine exits to step 810. In step 806. 플라스마 감시 동작의 제어는 P를 들어 도15의 시동 모듈(202)로 단계(810)에 의해 리턴된다. Control of plasma monitoring operation is returned by step 810 to contain the startup module 202 of Figure 15 for P.

서브루틴(790)이 루프(818)를 빠져나오는 다른 조건은, 현재 시간t c 에 처리 챔버(36)내의 플라스마에 대한 스펙트럼이 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에 의해 현재 사용되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 플라스마 처리(해당 예의 레시피 A )에 대한 관련 스펙트럼과 "매칭"되지 않을 때이다. Other conditions subroutine 790 is exiting the loop 818, the top spectrum currently used by the spectrum of the plasma a plasma state / process recognition subroutine 790 in the current time t c the processing chamber 36 to the when the relevant spectrum, and not "matching" of the plasma process (for example recipe a) stored in the subdirectory 288. 이러한 경우에 있어서, 서브루틴(790)은 단계(812)로부터 단계(814)로 빠져나온다. In this case, the subroutine 790 exits to step 814 from step 812. 단계(814)는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각 플라스마 처리가 루프(818)를 통해 서브루틴(790)에 의해 현재 플라스마 처리와 비교되었는 지에 관하여 기본적으로 문의한다. Step 814 is basically in contact about whether doeeotneun compared with the current plasma processed by the subroutine 790 for each plasma processing is a loop (818) stored in the normal spectrum subdirectory 288. 서브루틴(790)이 루프(818)를 빠져나온 후에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 적어도 하나의 플라스마 처리가 현재 플라스마 처리에 대한 비교 기준으로 사용되지 않았다면, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)은 단계(814)에서 단계(822)로 진행하며, 상기 단계(822)에서는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 다음의 플라스마 처리에 대한 데이터가 서브루틴(790)에 의한 사용을 위하여 소정의 방식으로 재호출된다. Subroutine 790 is at least one plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 288. After exiting the loop 818 is not currently used as a basis for comparison for the plasma treatment, the plasma condition / processing recognition subroutine (790 ) is predetermined for use by the proceeds to step 822. in step 814, the step 822 the data for the following plasma treatment of the stored within the normal spectrum subdirectory 288, the subroutine 790 It is recalled in this manner. 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 플라스마 처리에 대한 이러한 데이터는 시간(t 0 )로부터 최종의 현재 시간t c 까지 계속(즉, 이러한 플라스마 처리의 시작에서부터 바로) 현재 플라스마 처리에 대하여 서브루틴(790)에 의해 평가되기 위해 재호출된다. The data for the plasma process is stored within the normal spectrum subdirectory 288 is the time (t 0) to continue from the final of the current time t c (that is, from the beginning of such a plasma treatment immediately) subroutine (790 with respect to the current plasma process ) it is estimated to be recalled by the. 즉, 서브루틴(790)은 단계(789)로부터 단계(822)로 리턴하며, 상기 단계(822)에서 현재시간t c 은 시작 시간t 0 로 리턴하고 서브루틴(790)의 루프(818)는 상술한 방식으로 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 다음의 플라스마 처리에 대하여 현재 플라스마 처리를 평가하기 위해 시작된다. That is, the subroutine 790 is, and returns to step 822 from step (789), the loop 818 at the current time t c is returned to the start time t 0 and the subroutine 790 in step 822 for the following plasma treatment of the spectrum stored in the normal subdirectory 288 in the manner described above it is initiated in order to evaluate the current plasma process.

챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리와 "매칭"되지 않는 경우가 존재할 수 있다. If the current plasma process performed in the chamber 36 is normal spectrum subdirectory 288, that a predetermined plasma treatment and not "match" is stored in the can be present. 이러한 경우에, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)은 단계(814)를 빠져나와 단계(820)로 진행한다. In this case, the plasma state / recognition processing sub-routine 790 proceeds to step 820, exits the step 814. 일반적으로 단계(820)의 프로토콜은 현재 플라스마 레시피가 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 공지된 에러/이상에 직면하는 지의 여부를 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(79)이 결정하게 한다. In general protocol for in step 820 is the current plasma recipe is determined abnormal spectral directory whether or not the face to the known error / or higher plasma state / recognition processing sub-routine 79 is stored in the 292. 이에 따라 플라스마 상태/처리 인식 서부루틴(790)은 상기 방식(즉 서브루틴(253)의 단계(266)에서 시작하여 그이후의 모든 것을 포함하는)에 대하여 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 및 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 부속하는 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 일부를 포함할 수 있다. Accordingly, the plasma condition / processing recognition western routine 790 is the way that abnormal spectrum subdirectory 292 and known with respect to (that is, starting at step 266 of the subroutine 253 that comprises any subsequent to) plasma state of FIG. 21 parts of the spectral sub-directory 296, the sub may include a portion of the routine 253.

도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 설명된 방식으로 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)와 비교되는 현재 플라스마 처리의 스펙트럼은, 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리에 매칭되는 최종 현재 시간t c 의 스펙트럼에 (시간 상에서) 뒤이은 스펙트럼이 된다. Spectrum of the plasma state the sub-current plasma treatment compared to the routine 253 in the manner as abnormal spectrum subdirectory 292 described with reference to the Figure 21, matched to a predetermined plasma process stored within the normal spectrum subdirectory 288 the final spectrum is the following the spectrum (time on) of the current time t c. t 0 가 1초 이고 "n"이 2초인 예와, 시간t 39 까지 레시피 A 와 "매칭되는" 현재 플라스마 처리, 시간t 61 까지 레시피 B 와 "매칭되는" 현재 플라스마 처리 및 단지 시간t 3 까지 처리방법C와 "매칭되는" 현재 플라스마 처리를 가정하도록 한다. t 0 is 1 seconds and "n" is 2 seconds, for example, the time t to to recipe A and "matching" are plasma treatment, the time t 61 "matched" to the recipe B to the current plasma process and the only time t 3 39 and to assume the processing method C and "matching" are plasma treatment.

소정의 이상이 인식되기 이전에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 임의의 플라스마 처리로 가장 긴시간 동안 진행되는 처리 챔버(26)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리로부터의 스펙트럼은 레시피 B 로부터의 시간t 61 에서의 스펙트럼이 된다. Spectrum of the current from the plasma process performed in the normal spectrum subdirectory processing chamber 26, which is going on for the longest time of any plasma process stored in the (288) before the predetermined or more recognition time t from the recipe B is a spectrum at 61. 이에 따라 시간t 63 에서의 스펙트럼은 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 상술한 방식으로 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)와 비교되는 스펙트럼이 된다. Accordingly spectra at time t 63 is the spectrum to be compared with the abnormal spectral directory 292 in the manner described above in relation to the plasma state subroutine 253 of Fig.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에 의해 식별된 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(2880)내에 저장된 플라스마 레시피인 경우, 플라스마 상태 평가의 속도를 증가시키는 서브루틴(790)의 이상이 구현될 것이다. Would be a plasma treatment identified by the plasma conditions / processes recognition subroutine 790 or more of the sub-routine 790 implemented to increase when the plasma recipe, the speed of the plasma state evaluation stored in the normal spectrum subdirectory (2880) . 서브루틴(790)이 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리가 플라스마 레시피(플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)에 의해 평가될 수 있는 플라스마 처리의 범주의 단지 하나)이 된다는 것을 인식하면, 서브루틴(790)의 논리는 서브루틴(790)이 적어도 챔버(36)내에서 그 이후에 실행되는 각각의 잇따른 플라스마 처리에 대한 자신의 분석을 서브루틴(790)에 의해 이전에 식별된 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 해당 플라스마 레시피에서부터 시작하도록 수정된다. When recognizing that the subroutine 790, the chamber 36, the current plasma process to be executed in that the plasma recipe (only the scope of the plasma state / process recognition sub-plasma treatment, which can be assessed by the routine 790 a) , the logic of a subroutine 790, subroutine 790, at least the chamber 36, the top identify their analysis for each successive plasma process to be executed thereafter in the prior by the subroutine 790 It is modified to start from the plasma recipe from the spectrum subdirectory 288. 정상 스펙트럼서브디렉토리(288)로부터의 플라스마 처리를 "매칭"시키는 것이 서브루틴(790)에 의해 현재 플라스마 처리에 대하여 평가되는 최종적인 것으로 발생된다면, 그것이 챔버(36)내에서 실행되는 다음의 플라스마 처리와 비교되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 제 1 플라스마 처리가 되게 함으로써, 상당한 플라스마 상태 평가 시간이 절약된다. If it is for "matching" to plasma treatment from the top spectrum subdirectory 288 occurs as the final to be evaluated for the current plasma processed by the subroutine 790, it is then plasma treated for running inside the chamber 36 a first plasma process from the normal spectrum subdirectory 288 to be compared with a substantial plasma condition evaluation time is saved, by having. 이것은, 동일한 플라스마 레시피가 주어진 카세트(6)로부터 각각의 생산 웨이퍼(18)에 대해 일반적으로 실행되기 때문에, 생산 웨이퍼(180)의 카세트(6)상에서 실행되는 플라스마 레시피를 평가하기 위하여 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)을 사용할 때 특히 유용하다. This is the same plasma since the recipe is generally performed for each production wafer 18 from a given cassette (6), plasma conditions / processes to evaluate the plasma recipe executed on a cassette (6) on the production wafer 180 when using the recognition subroutine 790 is particularly useful. 품질 웨이퍼(18)상에서 실행되는 동일한 플라스마 레시피와 생산 웨이퍼(18) 상에서의 플라스마 레시피의 차이를 구별하는 서브루틴(790)의 능력은 이러한 동일한 라인을 따라 추가의 변화를 제공한다. Power of the sub-routine 790 to distinguish the difference between a plasma recipe of the plasma on the same recipe and the production wafer (18) running on the quality wafer 18 provides for more changes in accordance with these same lines. 제 1 웨이퍼(18)가 실질적으로 생산 웨이퍼(18)이고 플라스마 레시피가 이러한 플라스마 레시피의 제 1 실행에서 생산 웨이퍼(18)를 위한 것으로 식별되었다고 가정하도록 한다. The first wafer (18) is substantially produced wafer 18 and the plasma is to assume that the recipe as identified for the production of the wafer 18 in the first execution of such a plasma recipe. 연속하여 처리되는 각각의 웨이퍼(18)는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 생산 웨이퍼(18)에 실행된 플라스마 레시피에 대하여 우선 검사되고 이어 정상 스펙트럼 서브디렉토리(2880)로부터의 품질 웨이퍼(18)에 실행된 플라스마 레시피에 대하여 검사된다. Continuous each wafer 18 quality wafer 18 from the normal spectrum subdirectory is first checked against the plasma recipe execution on production wafer 18 from the (288) followed by the top spectrum subdirectory (2880) that is processed by the plasma is examined with respect to the recipe executed.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)-도23 Plasma state / recognition processing subroutine 852 - 23

도22의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790)은 "일련의" 논리를 구현한 것으로 설명되었다. Plasma state / recognition processing sub-routine 790 of Figure 22 has been described as an implementation of the "set of" logic. 즉, 현재 시간 t c 에 처리 챔버(36)내의 플라스마에 대한 현재 스펙트럼의 비교는 한번에 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 단지 하나의 플라스마 처리와 관련하여 이루어진다. That is, the comparison of the current spectrum of the plasma in the current time t c treatment chamber 36 is achieved by the time associated with the stored only one plasma treatment within the normal spectrum subdirectory 288. 처리 상태 모듈(252)에 의해 사용되고 "병렬적" 논리로 진행하는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴이 도23에 제시된다. Being used by the processing module status 252, the plasma state / recognition processing subroutine proceeds to "parallel" logic is presented in Figure 23. 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)은 도13의 패턴 인식 모듈(370)에 대한 목표 디렉토리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로 설정되는 단계 854에서 시작(즉 스펙트럼을 "매칭"시키기 위한 검색은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 시작한다)한다. Plasma condition / processing recognition subroutine 852 of Figure 23 is to start (or "matching" the spectrum in a step 854 where the target directory for the pattern recognition module 370 of Fig. 13 is set to the normal spectrum subdirectory 288 for search is started in the normal spectrum subdirectory 288). 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)의 다른 예비 단계는 논리 연산자(Flag 2 )가 서브루틴(852)를 통해 평가되어질 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각각의 프라즈마 처리에 대하여 "T"로 설정되는 단계 856에 있다. A "T" for each plasma processing stored in the other preliminary step of plasma condition / processing recognition subroutine 852 is a logic operator (Flag 2) The subroutine evaluated to be normal spectrum subdirectory 288 through 852 It is set in the step 856. 단계 854 및 단계 856이 수행되는 순서는 본 발명과 관련하여서는 특별히 중요하지 않다. The order in which steps 854 and step 856 is performed is not important in particular with regard to the present invention.

단계 860에서 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)는 처리 챔버(36)내에서 생산시 실행되는 현재 플라스마 처리와 관련한 데이터를 얻는다. At step 860 a plasma state / recognition processing subroutine 852 obtains the data related to the current plasma process to be executed during the production in the processing chamber 36. 이러한 데이터에는, 바람직한 광 대역폭(Preferred Optical Bandwidth)에 걸쳐 그리고 바람직한 데이터 분해능(Preferred Data Resolution)으로 현재 시간 t c 에서 처리 챔버(36)내에서의 플라스마 처리를 수행하는 동안에 플라스마 챔버(36)내에서의 플라스마에 대한 최소의 스펙트럼이 포함된다. This data, the desired bandwidth over (Preferred Optical Bandwidth) and the desired data resolution in the (Preferred Data Resolution) to the plasma chamber 36 while performing a plasma process in the current time, the process chamber 36 at t c It is included in the minimum of the spectrum of the plasma. 기본적으로, 이후에 지금의 현재 시간t c 까지 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리를 매칭시키는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각 플라스마 처리에 대한 관련 스펙트럼과 현재 시간t c 에서의 이러한 현재 스펙트럼의 패턴과의 비교가 이루어지고, 이러한 비교는 나중의 현재 시간 t c 와 관련된 스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 이러한 플라스마 처리와 비교된 이후에 이루어진다. Basically, since the now current time t c a processing chamber 36 in the associated spectrum to the current time t c for each plasma processing stored in the normal spectral directory 288 to match the current plasma process to be executed in such up present a comparison of the pattern of the spectrum is made, this comparison is made after the spectrum related to the current time t c of the latter, compared to this plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 288. 다시 말하면, 현재 플라스마 처리는 시간 상의 현재 시점까지 처리 챔버(474)에서 실행되는 현재 플라스마 처리를 매칭시키는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각각의 플라스마 처리와 효율적으로 동시에 비교된다. In other words, the current is compared to a plasma treatment at the same time as each of the plasma treatment and efficiently stored in the normal spectral directory 288 to match the current plasma process to be executed in the process chamber 474 to the present point in time. 현재 시간t c 에서의 현재 스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리9288)내에 저장된 특정 플라스마 처리와 매칭되지 않는다면, 이러한 플라스마 처리는 가능한 플라스마 처리의 리스트에서 누락되고 시간 상에서 이후의 새로운 현재 시간(t c )에서 스펙트럼은 이러한 플라스마 처리와 더 이상 비교되지 않는다. Current if the current spectrum in the time t c is not matching the specific plasma process and stored in the normal spectrum subdirectory 9288), such a plasma treatment is missing from the list of the plasma treatment available spectrum in the new current time (t c) subsequent in time this is not comparable plasma processing and more. 정상 스펙트럼서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리가 현재 시간t c 에 챔버(36)내의 플라스마의 스펙트럼과 서브루틴(852)에 의해 비교되는 점에서 "관련성"은 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 상술된 시간 의존 요건 또는 진행 의존 요건에 따라 결정될 수 있다. Normal spectrum subdirectory 288 in that the predetermined plasma treatment to be compared by the plasma spectrum and a subroutine 852 within the chamber 36 at the current time t c "relevance" is plasma state subroutine of Figure 21 stored in the It can be determined according to the time-dependent requirements or progress dependent requirements described above with respect to 253. 게다가, 도21과 관련하여 상술한 플라스마 상태 서브루틴(253)의 경우에서와 같이, 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)내에 저장된 모든 플라스마 처리가 현재 플라스마 처리와의 비교를 가능케 하도록 구성되며, 서브루틴(852)은 단지 이러한 기준의 플라스마 처리만이 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)에 사용할 수 있도록 구성된다. In addition, as in the case of the plasma state subroutine 253 described above with respect to Figure 21, the plasma condition / processing recognition subroutine 852 of Figure 23 is that all plasma processing stored in the normal spectrum subdirectories 292 currently It configured to allow a comparison of the plasma treatment and is configured so that the subroutine 852 can only plasma treatment of this reference is used in a plasma state / recognition processing subroutine 852.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)의 단계 860으로부터 현재 시간 t c 에서의 스펙트럼은 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)의 메인 바디를 통해 쭉 처음부터 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 관련 플라스마 처리 각각과 효율적으로 동시에 비교된다. Plasma condition / processing recognition sub-spectrum at the current time t c from step 860 of routine 852 is stored in the relevant in the plasma state / process recognition sub since all the time the first time through the main body of the routine 852, the top spectrum subdirectory 288 It is compared with each of the plasma efficiently processed at the same time. 각각의 플라스마 처리와 관련된 논리 연산자 "Flag 2 "는 이전의 단계 856에서 "T"로 설정되어, 서브루틴(852)은 단계 864(레시피 A ), 단계 880(레시피 B ) 및 단계 892(처리방법X)를 통해 단계 868(레시피 A ), 단계 884(레시피 B ) 및 단계 892(처리방법X)로 진행하며, 단계 892에서 서브루틴(852)은 도13의 패턴 인식 모듈(370)로 진행하도록 설정된다. Logical operators associated with each plasma treatment "Flag 2" is set to "T" at the previous step 856, the subroutine 852 to step 864 (Recipe A), step 880 (Recipe B) and step 892 (processing method X) proceeds to step 868 (recipe a), step 884 (recipe B) and step 892 (processing method X) via the, in step 892 the subroutine 852 is to proceed to a pattern recognition module 370 of Fig. 13 It is set. 패턴 인식 모둘(370)은 현재 시간t c 에서의 현재 스펙트럼에 대한 패턴이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 해당 플라스마 처리(단계 868의 경우 레시피 A , 단계 884의 경우 레시피 B 및 단계 896의 경우 처리방법X)의 관련 스펙트럼과 "매칭"되는지의 여부를 결정한다. For pattern recognition modul 370 the pattern of the current spectrum of the current time t c stored in the normal spectrum subdirectory 288, a plasma process (step 868 if the recipes A, if in step 884 the recipe B and step 896 It determines whether or not the relevant spectrum, and "matching" of the treatment X). 현재 시간 t c 에서의 현재 스펙트럼이 해당 플라스마 처리의 관련 스펙트럼과 매칭되면, 서브루틴(852)은 단계(872)로 진행하며, 단계(872)에서 서브루틴(852)의 클럭은 인자 "n"만큼 현재 시간t c 를 증가시킴으로써 조정된다. If present, the current spectra at time t c matches the associated spectrum of the plasma treatment, the clock of the sub-routine 852 proceeds to step 872, the subroutine 852 in step 872 are parameters "n" as it is controlled by increasing the current time t c. "n"의 크기는 분석 시간 분해능을 정의한다. The size of the "n" defines the time resolution analysis. 서브루틴(852)은 이어 단계 872에서 단계 916으로 진행하며, 상기 단계 916에서는 처리 챔버(36)내에서 실행되는 현재 프라즈마 처리에 대하여 잠재적인 "매칭"이 되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 모든 플라스마 처리가 적절한 조작 인원에게(예를 들어 도6의 디스플레이(132 상에) 디스플레이된다. 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)은 단계 860에서 다시 이러한 새로운 현재 시간t c 에서 다른 스펙트럼을 획득하고, 전체 현재 프라즈마 처리에 대한 평가가 단계 918에서 주지된 바와 같이 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)에 의해 완료되지 않는 한 상술한 것들이 반복된다. 현재 플라스마 처리가 종료되고 모든 스펙트럼 데이터가 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)에 의해 평가될 때, 서브루틴(852)는 단계 918로부터 단계 920로 진행하며, Subroutine 852 is followed and the process proceeds to step 916. In step 872, the step 916 the from the normal spectrum subdirectory 288, that is a potential "matched" to the current plasma process to be executed in the processing chamber 36 all plasma treatment is displayed to the right operating personnel (e. on a display (132 in Fig. 6 g) received a different spectrum from the plasma state / process recognition subroutine 852 is such a new current time t c again at step 860 and the total is now repeated the above-described ones evaluated for the plasma process is not completed by the plasma conditions / processes recognition subroutine 852, as noted in step 918 is currently the plasma process is to be ended, and all spectral data plasma state / sub-recognition processing, when evaluated by a routine 852, subroutine 852 proceeds from step 918 to step 920, 상기 단계 920에서 플라스마 감시 동작의 제어는 예를 들어 도15의 시동 모듈(202)로 리턴한다. Control of the plasma monitor is operated in the step 920, for example, FIG. 15 returns to the start-up module 202.

곧바로 또는 이후에 서브루틴(852)에 의해 사용되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리는, 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리와의 "매칭"에서 실패한다. Predetermined plasma treatment immediately or stored in the normal spectrum subdirectory 288 to be used by the later in the subroutine 852, to fail in the "matching" of the current and the plasma process performed in processing chamber 36. 즉, 패턴 인식 모듈(370)은 현재 시간t c 에서의 스펙트럼의 패턴이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(2880)내에 저장된 해당 플라스마 처리에 대한 관련 스펙트럼과 매칭되지 않는다는 것을 결정한다. That is, it is determined that the pattern recognition module 370 patterns of the spectrum at the current time t c is the normal subdirectory spectrum does not match the spectrum related to the stored within the plasma processing (2880). 이어 하나 이상의 단계(828, 884, 896)가 (레시피 A 에 대하여 단계 868에서 , 레시피 B 에 대하여 단계 884에서 및 처리방법X에 대하여 단계 896에서) 그들 각각의 플라스마 처리에 대한 논리 연산자 "Flag 2 "를 "F"로 설정하는 방식으로 빠져나가게 된다. Followed by one or more steps (828, 884, 896) is (in step 868 with respect to the recipes A, in step 896 with respect to the method X and in step 884 about the recipe B) logical operators for their respective plasma treatment "Flag 2 "a" is set to escape in a way that F ". "F"로 설정된 자신의 논리 연산자 "Flag 2 "를 가지는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내의 임의의 플라스마 처리는 서브루틴(852)을 통해 쭉 패턴 인식 모듈(370)에 의해 처리 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리와 더 이상 비교되지 않는다.레시피 A 와 관련된 단계 868는 레시피 A 에 대한 논리 연산자"Flag 2 "가 "F"로 설정될 때 단계 864를 통해 바이패스되며, 레시피 B 와 관련된 단계 884는 레시피 B 대한 논리 연산자"Flag 2 "가 "F"로 설정될 때 단계 880를 통해 바이패스되며, 처리방법X와 관련된 단계 896는 레시피 A 에 대한 논리 연산자"Flag 2 "가 "F"로 설정될 때 단계 892를 통해 바이패스된다. Within the "F" own logical operator "Flag 2" a has any plasma treatment of the subroutine 852, all along the process chamber 36 by the pattern recognition module 370 through in the normal spectral directory 288 is set to is not present comparative plasma treatment and no longer running in step 868 concerning recipe a is a by-pass and through the step 864 when the logical operator for the recipe a "Flag 2" is set to "F", related to the recipe B step 884 is a recipe B for the logical operator "Flag 2" is "F", and by-pass through the step 880 when the set, step 896 associated with the processing method and X is the logical operator for the recipe a "Flag 2" "F" by is passed through the step 892, when set to.

정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 적어도 하나의 플라스마 처리가 단계 860으로부터 각각의 새로운 증가 시간t c 에서의 각 스펙트럼과 "매칭"되는 한, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)은 단계 904 및 단계 912를 통해 계속된다. At least one of which is a plasma treatment, each spectrum and a "Matching" at each new increment of time t c from step 860, the plasma conditions / processes recognition subroutine 852 to step 904 and stored in the normal spectrum subdirectory 288 It continues via step 912. 그러나, 이것이 상기의 경우에 해당하지 않으면, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)은 단계 904로부터 단계 908로 빠져나간다. However, this does not correspond to the above case, the plasma state / recognition processing subroutine 852 exits to step 908 from step 904. 단계 908의 프로토콜은 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리가 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 저장된 공지된 에러/이상에 처하는 지의 여부를 결정하도록 정하여 진다. Step 908 of the protocol it shall be appointed to determine whether captures a known error / or more stored in the current plasma process abnormal spectrum subdirectory 292, that runs on the processing chamber 36. 이에 따라, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)은 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 및 상기 방식으로 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 부속하는 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 일부(즉 도시되지는 않았지만 서브루틴(253)의 단계 266에서 시작하여 이후의 모든 것을 포함하여)를 포함할 수 있다. Accordingly, a portion of the plasma state / process recognition subroutine 852 is abnormal spectrum subdirectory 292 and the plasma state subroutine 253 in Figure 21 pertaining to the spectrum subdirectory 296 is unknown in this manner (i. E. Although not shown, may include the) it includes everything following the start at step 266 of the subroutine 253. 플라스마 상태 서브루틴(253)의 단계 266에서 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)와 비교된 스펙트럼은 플라스마 상태/처리 인식서브루틴(852)의 단계 860으로부터의 최종 현재 시간 t c 와 관련된 스펙트럼이 된다. Plasma state the sub-spectrum compared to the abnormal spectral directory 292, at step 266 of the routine 253 is the final spectrum are related to the time t c in step 860 from the state of the plasma / recognition processing subroutine 852.

정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 기록된 3가지의 플라스마 처리(예를 들어 처리방법"X"는 처리방법C이다)가 존재하고, 단계 872로부터 "n"은 1초이며 단계 860)은 시간t 1 에 대하여 우선 실행되고, 무엇이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 소정의 플라스마 처리로부터 관련 스펙트럼이 되는지를 정의하기 위하여 시간 의존 요건이 서브루틴(852)에 의해 사용되며, 처리 챔버(36)내에서 실행되는 현재 플라스마 처리가 현재 시간t 10 동안 각각의 레시피 A , 레시피 B 및 처리방법 C와 매칭된다(즉 단계 868(레시피 A ), 단계 884( 레시피 B ), 단계 896(처리방법C)가 10번 각각 수행된다)고 가정하도록 한다. Three kinds of plasma processing of the recorded within the normal spectrum subdirectory 288 (e. G. Method "X" is a treatment method C) is present, and from step 872 "n" is 1 second step 860), the time t is first performed on the first, in what is normal spectrum subdirectory 288 is a time-dependent requirements in order to define if the associated spectrum from a predetermined plasma process used by the subroutine 852, the processing chamber 36 is stored in the is the current plasma process is matching each recipe a, recipe B and method C and for the current time t 10 (i.e., step 868 (recipe a), step 884 (recipe B), step 896 (processing method executed in C) is is performed 10 times each) and shall be assumed. 서브루틴(852)의 "클록"은 단계 872에서 t 11 로 조정되며, 서브루틴(852)은 단계 860에서 이러한 새로운 시간 t 11 에 처리 챔버(36)내의 플라스마에 대한 스펙트럼을 획득하며, 서브루틴(852)은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각각의 플라스마와 관련된 논리 연산자 "Falg 2 "가 여전히 "T"이기 때문에 단계 868, 단계 884 및 단계 896(단계 868, 단계 884 및 단계 896는 각각 "예(yes)"의 조건으로서 빠져나간다)으로 진행한다. "Clock" of the subroutine 852 is adjusted to at step 872 t 11, the subroutine 852 at step 860 obtains the spectrum of the plasma in the processing chamber 36 in such a new time t 11, the subroutine 852 is a logic operator associated with each plasma phase since "Falg 2" is still "T" 868, step 884 and step 896 (step 868, step 884 and step 896 are stored within the normal spectrum subdirectory 288 are each proceeds to exit as a "yes (yes)" condition). 현재 플라스마 처리가 새로운 현재 시간t 11 에서 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터의 레시피 A 및 레시피 B 와 여전히 매칭되는 반면에 이러한 새로운 현재 시간t 11 에 서브디렉토리(288)의 처리방법C와는 더 이상 매칭되지 않는다고 가정하도록 한다. Treatment C than longer matches the normal spectrum subdirectory 288, recipe A and recipe B and remains a subdirectory 288 for this new current time t 11, while a matching from the current the plasma treatment a new current time t 11 and not to assume that. 이러한 경우에 있어서, 레시피 A 에 대한 단계 868및 레시피 B 에 대한 단계 884는 여전히 "예"를 출력하고 서브루틴(852)의 클록이 t 12 로 조정되는 단계 872로 진행한다. In this case, the step to a step 868 and Recipe B Recipe for A 884 is still proceeds to step 872 which outputs a "YES", and the clock in subroutine 852 is adjusted to t 12. 레시피 A 및 레시피 B 에 대한 논리 연산자 "Flag 2 "가 여전히 "T"인 반면에, 처리방법 C에 대한 단계 896는 처리방법C에 대한 논리 연산자 "Flag 2 "를 "F"로 설정하는 단계 900로 빠져나간다. The logical operator for the recipe A and recipe B "Flag 2" is still in the "T" On the other hand, step 896 of the method C is a step of setting the logical operator for the method C "Flag 2" to "F" 900 exit to. 이와 같이 단계 916은 현재 플라스마 처리가 단지 잠재적으로 레시피 A 및 레시피 B 가 된다는 것을 나타낸다. Thus step 916 indicates that the current plasma process only potentially being a recipe A and recipe B.

해당 예의 서브루틴(852)은 단계 860에서 새로운 시간에 대한 스펙트럼을 얻고, 서브루틴(852)은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각각의 플라스마 처리에 대한 논리 연산자 검사로 진행한다. The example subroutine 852 obtains a spectrum of the new time in step 860, subroutine 852 proceeds to check the logical operator for each plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 288. 서브루틴(852)은 레시피 A 에 대한 단계 864 및 단계 868과 레시피 B 에 대한 단계 880 및 단계 884를 통해 해당 예의 레시피 A 및 레시피 B 를 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리와 계속하여 비교한다. Subroutine 852 will now continue as compared to the plasma process to be executed in step 864 and step 868 and step 880 and the example recipe A and recipe B the process chamber 36 via step 884 to the recipe B for Recipe A do. 그러나, 처리방법C는 처리방법 C와 관련된 단계 892가 관련된 비교 단계 896를 바이패스하고 대신에 단계 904로 진행하기 때문에 현재 시간 t 12 에서 현재 플라스마 처리와 더 이상 비교되지 않는다. However, the method C is not at the current time t 12 compares the current plasma process and longer in progress, because the step 892 a comparison step 896 related to the associated method C in step 904, instead of the bypass. 서브루틴(852)은 단계 904에서, 각각의 레시피 A 및 레시피 B 에 대한 논리 연산자 "Flag 2 "가 단계 904로부터의 논리값에 기초하여 현재 시간t 12 에서 여전히 "T"이기 때문에, 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리와 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)를 계속하여 비교한다. Since the subroutine 852 will be still "T" in step 904, 12. Each recipe A and recipe B the current time t on the basis of the logical values from the logic operator, a step 904 "Flag 2" for the processing chamber ( 36) and the current continues to compare the plasma treatment and the normal spectrum subdirectory 288, that runs on.

현재 시간 t 12 에서 스펙트럼이 (단계 868를 통해) 이러한 동일한 시간t 12 에 레시피 A 에 대한 스펙트럼과 매칭되지만 (단계 884를 통해) 레시피 B 에 대하여는 매칭되지 않는다고 가정하도록 한다. The current spectrum in the time t 12 (via step 868) and to assume this same time t 12 matches the spectrum of the recipe A, but in (via step 884) does not match with respect to recipe B. 레시피 B 에 대한 논리 연산자 "Flag 2 "는 단계 888에서 "F로 설정된다. 게다가, 서브루틴(852)의 "클록"은 단계 872에서 t 13 으로 조정되고, 단계 916은 정상 스펙트럼 서브루틴(288)으로부터의 레시피 A 가 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리에 대하여 단지 잔존하는 가능성을 가진다는 것을 나타낸다. 해당 예의 서브루틴(852)은 단계 860에서 새로운 현재 시간t 13 에 대한 스펙트럼을 획득하고, 서브루틴(852)은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 각각의 플라스마 처리에 대한 논리 연산자 검사로 진행한다. 서브루틴(852)은 레시피 A 와 관련된 단계 864 및 단계 868를 통해 단지 레시피 A 와 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리를 계속하여 비교한다. 레시피 B 와 관련된 단계 880이 그것의 비교 단계 884를 바이패스하여 서브루틴(852)이 The logical operators for the recipe B 'Flag 2 "is" is set to the F. Further, the sub-routine 852 "in step 888 clock" is adjusted at step 872 to t 13, step 916 is the normal spectrum subroutine (288 ) indicating that the recipe a from have the potential to only the residual for the current plasma process to be executed in the process chamber 36. in the example subroutine 852 obtains a spectrum of the new current time t 13 at step 860 and the subroutine 852 proceeds to logic operator checks for each plasma processing stored in the normal spectrum subdirectory 288. subroutine 852 is only through the step 864 and step 868 related to the recipe a recipe a and compares continuously the current plasma process to be executed in the process chamber 36. in step 880 related to the recipe B is to by-pass its comparison step 884 the subroutine 852 계 904로 대신 진행하도록 하고 처리방법 C와 관련된 단계 892가 그것의 비교 단계 896를 바이패스하고 서브루틴(852)를 대신에 단계 904로 진행하도록 하기 때문에, 레시피 B 및 처리방법C는 현재 플라스마 처리와 더 이상 비교되지 않는다. 서브루틴(852)은 단계 904를 통해, 레시피 A 대한 논리 연산자 "Flag 2 "가 현재 시간t 13 에서 여전히 "T"이기 때문에, 처리 챔버(36)에서 실행되는 현재 플라스마 처리와 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)를 계속하여 비교한다. Since the system 904, step 892 related to the method and process to proceed C instead of to the to proceed to its comparison step 896 to step 904 in place of the by-pass and the sub-routine 852, the recipe B and the method C is the current plasma process and further are not compared. subroutine 852 will now be through the step 904, recipe a to the logical operator "Flag 2" is executed in the current time t, because it is still a "t" at 13, the processing chamber 36 plasma It compares to continue processing with normal spectral directory 288.

처리 챔버(36)에서 실행되는 한편 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)내에 저장된 적어도 하나의 플라스마 처리와 매칭되는 전체 플라스마 처리의 완료는 서브루틴(852)이 단계 918을 빠져나와 단계 920으로 진행하게 한다. Executed in the process chamber 36. The completion of the normal spectrum subdirectory entire plasma treatment is at least matched to one of a plasma treatment stored in the 288 is shown sub-routine 852 is out of step 918 and the process proceeds to step 920. 플라스마 감시 동작의 제어는 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)의 단계 920)에 의해 예를 들어 도13의 시동 모둘(202)로 리턴될 수 있다. Control of plasma monitoring operation may be returned to the starting example modul (202 in Fig. 13) for example by a step 920 of the plasma state / recognition processing subroutine 852).

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)- 도24 Plasma state / recognition processing subroutine 924 - 24

플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 사용될 수 있는 플라스마 상태 서브루틴의 또 다른 실시예는 도24에 도시되어 있다. Another embodiment of the plasma state module used in a plasma state by the subroutine that can 252 is shown in Figure 24. 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)은 서브디렉토리(288) 내의 조사를 서브디렉토리(288)의 단일 플라스마 처리로 최소한 처음에 제한함에 의하여 일반적으로 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리와 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288) 사이에서의 비교의 속도에서의 증가를 달성하는 것과 관련된다. Plasma condition / processing recognition subroutine 924 is the sub-directory 288, the current plasma process performed in the general processing chamber 36. By limiting at least the first time the irradiation by a single plasma treatment of the subdirectory 288 in the normal It is directed to achieve an increase in the speed of the comparison between the spectrum subdirectory 288. 이와 관련하여, 담당자는 어떤 플라스마 처리가 처리 챔버936)에서 수행되어야 하는지를 지시하도록 허용된다. In this connection, the person is allowed to indicate whether to be performed in the process chamber 936 which plasma treatment). 예를 들어, 주 제어 유닛(58) (도1)를 위한 데이터 입력 장치(60)는 디스플레이(130) 상에서 플라스마 레시피들의 목록으로부터 수행되는 한 플라스마 레시피를 선택하는데 사용될 수 있다. For example, the main control unit 58 data input for (1), device 60 may be used to select a plasma recipe from the list to be performed by the plasma recipe on the display 130. The 시동 모듈(202)은 담당자가 원한다면 도16의 시동 루틴(203)의 단계(230)의 실행을 통하여 그 처리방법을 입력하게 할 수 있다. Start-up module 202 may be representative wants to input the processing method through the execution of step 230 of the start-up routine 203 of FIG. 보다 전형적으로, 어떤 한 무더기의 웨이퍼(18) 상에서 수행되는 처리방법은 생산 설비에 있는 어딘가에 입력될 것이고, 챔버(36)가 이 웨이퍼(18)로부터 그 무더기를 "읽을" 때, 이 무더기와관련하여 입력되는 플라스마 레시피는 자동적으로 수행될 것이다. More typically, the process is performed on the wafer 18 of which batch will be somewhere in the input in the production plant, when the chamber 36 "reads" the pile from the wafer 18, in connection with a pile the plasma recipe inputted will be performed automatically.

일단 선택이 단계(928)에서 이루어졌다면, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)는 이 플라스마 처리가 실제로 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장되는 것을 확인하는 단계(932)로 진행된다. Once the choice was placed in step 928, a plasma state / recognition processing sub-routine 924 proceeds to step 932 to check that the plasma treatment is actually stored in the normal spectrum subdirectory 288. 도12A의 처리 속 필드(322h) (예를 들어, 플라스마 레시피, 플라스마 세정, 조절 웨이퍼) 및/또는 처리 종 타입 필드(322c) (예를 들어, 특정 플라스마 레시피)에서의 정보는 도24의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)의 단계(932)에 의하여 사용될 수 있다. Treatment in the field (322h) of FIG. 12A (e. G., Plasma recipe, plasma cleaning, conditioning the wafer) and / or the treatment species type field (322c) of the information, a plasma of Fig. 24 (e. G., A particular plasma recipe) state / sub-recognition processing may be used by the step 932 of routine 924.

현재 시간 tc에서 처리 챔버(36)에서의 플라스마의 스펙트럼은 단계(928)에서 선택되거나 입력된 처리가 단계(936)의 실행을 통하여 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 위치되었다면 단계(940)에서 서브루틴(924)를 위하여 얻어진다. Spectra of the plasma at the present time, the processing chamber 36 at tc is if the position at the top spectrum subdirectory 288 is a processing selected or entered in step 928 through the execution of step 936, the sub-step (940) It is obtained for routine 924. 이 현재 스펙트럼은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 선택된 플라스마 처리의 관련 스펙트럼과 비교된다. The current spectrum is compared with the associated spectrum of the plasma treatment is selected in the normal spectrum subdirectory 288. 처리방법 인식 서브루틴(924)의 단계(944)에서의 비교는 (처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리로부터) 현재 시간 tc에서의 현재 플라스마의 패턴이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 선택된 플라스마 처리의 관련 스펙트럼과 "매치"되는지를 판단한다. Comparison in step 944 of the method recognizes the subroutine 924 is stored in (the processing chamber 36 to the current plasma process to be performed on) the current plasma of the pattern at the present time tc normal spectrum subdirectory 288 determines the associated spectrum of the selected plasma treatment and that the "match". 단계(944)에 따른 "매치"은 도15의 패턴 인식 모듈(370)을 통하여 평가될 수 있다. "Match" of the step 944 can be evaluated by a pattern recognition module 370 of Fig. 정상 서브디렉토리(288)내의 선택된 플라스마 처리에 대한 스펙트럼이 패턴 인식 모듈(370)에 의해 현재 시간 t c 에서 챔버(36)내의 플라스마에 대한 스펙트럼과 비교된다는 점에서 "관련성"은 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 설명된 시간 의존 요건 및 진행 의존 요건 중 하나에 따라 결정될 수 있다. "Relevance" is the plasma state of Figure 21 in that it is compared with the spectrum of the plasma in the current time t c chamber 36 in by the pattern recognition module 370, the spectrum of the selected plasma treatment in the normal subdirectory 288 the time-dependent sub-routine described with respect to 253 requirements and may be determined according to one of the proceeding dependent requirements.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)의 단계 944에서 "매칭"이 존재하는 경우에 많은 동작이 수행되며, 이러한 단계의 수행 순서는 본 발명과 관련하여 그다지 중요치 않다. The number of operations in the case of the "matching" exists in step 944, the plasma state / recognition processing subroutine 924 is performed, the order of performing these steps is not important that in accordance with the present invention; 초기에, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)의 "클록"은 새로운 현재 시간t c 을 제공하기 위한 단계 948에서 (분석 시간 분해능을 한정하는) 인자 "n"에 의해 조정된다. Initially, the "clock" in the plasma state / recognition processing subroutine 924 is controlled by a new step in the current for providing a time t c 948 (to limit the analysis time resolution) factor "n". 게다가, 현재 동작에 대한 플라스마 처리의 식별은 단계 964의 수행을 통해 적절한 개인(예를 들어 도6의 디스플레이(130)에게 디스플레이된다. 최종적으로, 단계 958는 현재 플라스마 처리의 모든 데이터가 평가되었는지에 관하여 문의한다. In addition, in that the identification of the plasma processing for the current operation is displayed to the display 130 of Figure 6, for the appropriate individual (for example, through the performance of step 964. Finally, in step 958, all data in the current plasma processing is evaluated to inquire about.

플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)의 단계 940, 944, 948, 964, 958는 처리 챔버(36)내의 생산에서 사용되는 현재 플라스마 처리가 단계 928로부터 선택된 플라스마 처리와 매칭되는 한 그리고 현재 플라스마 처리에 대한 모든 데이터가 서브루틴(924)에 의해 평가될 때까지 반복되며, 모든 데이터가 평가되는 경우에 플라스마 감시 동작의 제어는 서브루틴(924)의 단계 962의 수행을 통해 예를 들어 도15의 시동 모듈(202)로 전가된다. Step the plasma state / process recognition subroutine 924, 940, 944, 948, 964, 958 is one, and the current plasma process to be the current plasma process used in the production in the processing chamber (36) matched with the plasma treatment is selected from step 928 all the data is repeated until the evaluation by the subroutine 924 for the control of plasma monitoring operation when all data has to be evaluated is of, for example 15 through execution of step 962 of the subroutine 924 It is passed to the start-up module 202. 단계 928로부터의 처리와 "매칭"에 대한 현재 플라스마 처리의 실패는 플라스마 상태/처리인식 서브루틴(924)을 단계 944로부터 선택 모듈(952)로 진행하게 한다. Current failure of the plasma processing for the processing and the "Matching" from step 928 is to proceed from the step 944 a plasma state / recognition processing subroutine 924, the selection module 952. 상기 선택 모듈은 단계 928에서 선택된 플라스마 처리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(299)내에 초기에 위치되지 않는 경우에도 액세스될 수 있다는 것이 주지되어야 한다. The selection module is to be noted that the same may be accessible even when the plasma processing is selected in step 928 are not located initially within the normal spectrum subdirectory (299). 이러한 타입의 환경에서 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)이 진행하는 방법은 웨이퍼 생산 시스템(2)을 구현하는 시설의 동작에 의해 유사하게 결정될 수 있다. To this type of environment, the plasma state / recognition processing subroutine 924 is in progress may be determined similarly by operation of the facility to implement a wafer manufacturing system (2). 현재 플라스마 처리와의 비교를 위하여 전체 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로의 액세스는 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253), 도22의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790) 또는 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)을 호출하는 프로토콜을 포함한 단계 960에 의해 구현될 수 있다. The current access is a plasma state subroutine 253 of Fig. 21 to the full normal spectrum subdirectory 288 for comparison with the plasma treatment, the plasma state in FIG. 22 / treatment recognition subroutine 790 or 23 plasma state / recognition processing can be implemented by sub-step 960, including a protocol for calling the routine 852. 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924)의 단계 928에서 선택된 처리로부터 현재 플라스마 처리의 벗어남(deviation)의 통지는 도14와 관련하여 상기에서 논의된 처리 경보 모듈(428)을 호출하고 처리 제어 특징이 처리 서브루틴(432)의 단계 436에서 인에이블된다면 이 조건과 관련하여 하나 이상의 프로토콜들을 제공할 수 있는 단계 956의 실행을 통하여 제공될 수 있다. The current deviation (deviation) of plasma processing the notification is called a processed alarm module 428 discussed above with respect to FIG. 14 and process control features from a process selected in the step 928 of the plasma state / process recognition subroutine 924 treatment may be provided if the enable sub-step 436 of the routine 432, through the execution of the steps to provide one or more protocol 956 with respect to the condition. (비록 그것이 올바른 플라스마 처리일 수 있다 하더라도) 현재 플라스마 처리가 종료되도록 하는 것과 같은 다른 선택들이 또한 제공될 수 있다 (도시하지 않음). (Even though it may be a proper plasma treatment) may be other choices are also available, such as that present plasma process is finished (not shown).

서브루틴(924)의 어떤 변수는 동일한 플라스마 레시피가 전형적으로 전체 카세트(6)에서 수행되고, 카세트(6)는 생산 웨이퍼(18)과 함께 하나 이상의 품질 웨이퍼(18)을 가질 수 있다는 사실에 관한 것이다. Some parameters of the subroutine 924 is related to the fact that the same plasma recipe is typically carried out in the entire cassette (6), the cassette (6) can have one or more quality of the wafer 18 with the produced wafer 18 will be. 동일한 플라스마 레시피가 이 웨이퍼(18) 상에서 수행된다 하더라도, 생산 웨이퍼(18)과 품질 웨이퍼(들)(18) 사이의 어떤 차이들은 그것들 각각의 스펙트럼 패턴들에서 차이를 생성할 수 있다. Even if the same plasma recipe is performed on the wafer 18, any difference between the production wafer 18 and the quality of the wafer (s) 18 may produce a difference in the respective spectral pattern thereof. 서브루틴(924)의 논리는 처음으로 현재 플라스마 처리를 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 생산 웨이퍼(18)과 관련되는 동일한 플라스마 레시피에 대하여 비교하고, 단지 현재 플라스마 레시피가 생산 웨이퍼(18)를 위한 플라스마 레시피처럼 "보이지" 않는다면 현재 플라스마 레시피를 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 품질 웨이퍼(18)과 관련되는 동일한 플라스마 레시피에 대하여 비교하는 것일 수 있다. The logic of a subroutine 924 for the first time, the current to plasma treatment from the top spectrum subdirectory 288 compared to the same plasma recipe associated with the production wafer (18), only now the plasma recipe production wafer 18 If the "look" like a plasma recipe may be compared for the same plasma recipe is now related to plasma recipe and the normal spectrum subdirectory 288 quality wafer 18 at. 게다가, 이 동일한 플라스마 레시피의 생산 및 품질 웨이퍼를 위한 엔트리들은 플라스마 레시피가 서브루틴(924)로 입력될 때 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)에 관련하여 상기에서 제시된 방법에서 동시적으로 평가될 수 있다. In addition, simultaneously in the same entry for the production and quality of the wafer in the plasma recipes are methods set forth above with respect to the plasma recipe is plasma state / process recognition of Figure 23 as it enters the subroutine 924. Subroutine 852 It can be evaluated.

플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972) - 도25 Plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972 - 25

플라스마 상태 모듈(252)에 의하여 사용될 수 있는 서브루틴의 다른 실시예가 도25에 제시된다. Another embodiment of the subroutine that can be used by the plasma state module 252 is shown in Fig. 도25의 플라스마 처리는 처리 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리로부터 플라스마의 상태를 감시하거나 평가할 수 있을 뿐만 아니라, 서브루틴(972)은 또한 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리의 현재 플라스마 단계를 확인할 수 있다. Plasma processing of Figure 25 is the current plasma current plasma process performed in the process chamber (36) monitoring a plasma state from the plasma treatment, or as well as be able to evaluate the sub-routine 972 may also process chamber 36 are carried out in You can check the step. 그와 같이, 서브루틴9972)는 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)로서 특성화된다. As such, the sub-routine 9972) is characterized as a plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972. 두 개의 요소들이 이 플라스마 단계 확인 기능을 제공하는데 중요하다. It is important to have two elements provide a plasma step verification. 하나는 해당 플라스마 처리의 단계들이 실제로 그것들이 상기에서 도17a-c에 예시된 다중-단계 처리방법의 경우인 것으로서 식별될 수 있도록 그것들의 해당 스펙트럼과 관련하여 충분히 다르다는 것이다. One step of the plasma treatment, they are actually a multi illustrated in Figure 17a-c in the above - is sufficiently different with respect to those of the spectrum to be identified as being for the step action. 다른 것은 플라스마 단계의 확인은 도12a와 관련하여 상기에서 논의된 플라스마 단계 필드(322e)에 정보를 입력함을 통하여와 같이, 그것의 해당하는 스펙트럼과 어떤 방식에서 관련된다는 것이다. The other thing is that, as also through the input information to determine the plasma step is a plasma step discussed above with respect to Figure 12a field (322e), associated to it of the spectrum and which way.

플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)은 "병렬적" 논리와 함께 진행되고 어떤 방식에서 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852)로서 진행된다. Plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972 proceeds as plasma state / recognition processing sub-routine 852 of Figure 23 in the procedure proceeds with the "parallel" logic in any way. 도25의 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)은 도13의 패턴 인식 모듈(370)을 위한 목표 디렉토리가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 시작할 (예를 들어, "매칭" 스펙트럼을 위한 조사는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 시작될 것이다) 단계 976에서 시작한다. Plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972 in Figure 25 is (for example, start from the pattern recognition module, the normal spectrum subdirectory 288 target directory for 370 in FIG. 13 example, the "matching" irradiated for the spectrum begins at step 976 may begin at the top spectrum subdirectory 288). 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)의 다른 예비적 단계는 논리(logic) 오퍼레이터 Flag 3 가 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장되는 플라스마 처리들의 각각에 대하여 "T"로 설정되는 단계 980에서이다. Another preliminary step of plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972 is a logic (logic) operator Flag 3 is in the step 980 is set to "T" for each of the plasma processes that are stored in the normal spectrum subdirectory 288 to be. 단계들 976 및 980이 실행되는 명령은 본 발명에 대하여 특별히 중요하지는 않다. Commands that steps 976 and 980 run is not particularly important for the invention.

처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리에 관련하는 데이터는 단계 984에서 서브루틴(972)를 위하여 얻어진다. Data relating to the current plasma process performed in processing chamber 36 is obtained for the sub-routine 972 in step 984. 이 데이터에 포함되는 것은 현재 시간 t c 에서 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 플라스마 처리의 실행동안에 처리 챔버(36) 내의 플라스마의 스펙트럼이다. It is the spectrum of the plasma in the current time t c treatment chamber 36 processing chamber 36 during execution of the plasma process to be performed within in the included in the data. 기본적으로, 현재 시간 t c 에서 이 현재 스펙트럼의 패턴을 금번(now) 현재 시간 t c 까지 현재 플라스마 처리를 매치시켰고 서브루틴(972)에 활용된 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장되는 각 플라스마 처리의 관련 스펙트럼의 패턴을 비교하는 것이 그 후에 이루어진다. Basically, the pattern of the current spectrum of the current time t c geumbeon (now) each plasma processing sikyeotgo match the current plasma process to the present time t c stored in the normal spectrum subdirectory 288 used in subroutine 972 it consists of then comparing the patterns of the relevant spectrum. 이 비교는 시간에 있어서 나중의 현재 시간 t c 와 관련되는 스펙트럼의 패턴이 정상 스펙트럼 서브디렉토로(288)에 저장된 이 동일한 처리들과 비교되기 전에 이루어진다. This comparison is made before the comparison with the spectrum of which is related to the current time t c of the pattern later normal spectral directory Toro 288, the same processing is stored in in time. 다른 방식으로 말하면, 현재 플라스마 처리는 효과적으로, 현재 시간까지 현재 플라스마 처리를 "매치"시키고 서브루틴(972)에 활용되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리에 저장되는 각 플라스마 처리와 동시적으로 비교된다. Stated another way, the present plasma process is effective, compared to the current plasma process to the present time the "match" and the subroutine 972 normal spectrum simultaneously with each plasma treatment is stored in the subdirectory in which to utilize. 임의의 시간에 현재 플라스마 처리로부터 현재 시간 tc에서의 스펙트럼이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서 특정 처리를 매치시키지 않는다면, 이 플라스마 처리는 가능한 플라스마 처리들의 리스트로부터 빠지고, 새로운 나중 시간, 현재 시간 tc에서의 스펙트럼은 이 특정 플라스마 처리와 더 이상 비교되지 않는다. If at any time the spectrum of the current time tc current from the plasma processing not match the specific processing in the normal spectrum subdirectory 288, a plasma treatment is dropped from the list of plasma processed, a new future time, the current time tc of the spectrum it does not compare the particular plasma process and longer. 선택된 플라스마 처리의 어떤 스펙트럼이 서브루틴(972)에 의하여 현재 시간 tc에서 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼과 비교되는지에 대한 측면에서의 "관련성"은 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)과 관련하여 상기에서 논의된 시간 의존 요건 또는 진행 의존 요건과 관련하여 판단될 수 있다. "Relevance" in terms of how in which spectrum the chamber 36 at the current time tc by the subroutine 972 of the selected plasma treatment compared to the plasma spectrum is related to the plasma state subroutine 253 of Figure 21 to be determined by the time-dependent requirements discussed above, or in connection with progress dependent on requirements. 게다가, 도21과 관련하여 상기에서 논의된 플라스마 상태 서브루틴(253)의 경우에 있어서와 같이, 도25의 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)는 현재 플라스마 처리와의 비교를 위하여 활용되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 저장된 모든 플라스마 처리들을 만들기 위하여 구성될 수 있고, 또는 서브루틴(972)는 그 어떤 이 플라스마 처리들이 상기에서 설명된 방식들의 어떤 것에서 서브루틴9972)에 단지 활용되도록 구성될 수 있다. In addition, as in the case of the plasma state subroutine 253, discussed above in conjunction with Figure 21, and the plasma conditions of 25 / processing step recognizes the subroutine 972 is the current which is utilized for comparison with the plasma treatment may be configured to make all of the plasma processing are stored in the normal spectrum subdirectory 292, or sub adapted to be only utilized in the routine 972 is that which the plasma treatment to which from the sub-routine of the method described in the 9972) It can be.

플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)의 단계 984로부터 현재 시간 tc에서의 스펙트럼은 효과적으로, 서브루틴(972)의 주 몸체(main body)를 통하여 첫 번째로 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장되는 각 플라스마 처리와 동시적으로 비교된다. Stored in the plasma state / process steps recognition subroutine 972 phase spectrum at the current time tc from 984 effectively, the sub-routine 972 the main body first normal spectrum subdirectory 288 in through the (main body) of the which it is compared with each plasma treatment and simultaneous. 각 플라스마 처리와 관련되는 논리 오퍼레이터 "Flag 3 "는 이전 단계 980에서 "T"로 설정되었고, 그래서 서브루틴(972)는 단계들 988 (처리 A), 996 (처리 B) 및 1004 (처리 "X"를 통하여 서브루틴(972)가 도13의 패턴 인식 모듈(370)으로 진행하도록 지시되는 단계들 992 (처리 A), 1000 (처리 B), 및 1008 (처리 "X")로 진행될 것이다. 패턴 인식 모듈(370)은 현재 시간 t c 에서 현재 스펙트럼의 패턴이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 해당 플라스마 처리 (단계 992의 경우에 처리 A, 단계(1000)의 경우에 처리 B, 단계(1008)의 경우에 처리 "X")의 관련 스펙트럼의 패턴과 "매치"인지를 판단한다. 현재 시간 t c 에서 현재 스펙트럼의 패턴이 서브디렉토리(288)로부터 해당 플라스마 처리의 관련 스펙트럼의 패턴을 "매치"시킨다면, 서브루틴(972)은 서브루틴9972)의 클록이 "n"의 인자 Logical operator "Flag 3" being associated with each plasma treatment was set to "T" in the previous step 980, so the sub-routine 972 has steps 988 (process A), 996 (treatment B) and 1004 (processing "X will proceed to "a the through subroutine 972 of steps 992 (process a), 1000 (processing B), and 1008 (the process is directed to proceed to a pattern recognition module 370 of Fig. 13," X "). pattern recognition module 370 are the plasma treatment the pattern of the current spectrum of the current time t c stored in the normal spectrum subdirectory 288 for (step 992 processing in the process a, for the step (1000) B, step (1008 ) and to determine whether the treatment "X") associated spectrum of a pattern and the "match" in the case of. the pattern of the related spectrum of the plasma treatment the pattern of the current spectrum of the current time t c from the subdirectory 288, "match "sikindamyeon, subroutine 972 may include a subroutine 9972), the clock of the" n "parameter 의하여 현재 시간 t c 를 증가시킴으로써 조정되는 단계(1012)로 진행한다. By by increasing the current time t c and proceeds to step 1012 is adjusted. "n"의 크기는 분석적 시간 분해능에 의하여 정의된다 (즉, 수집된 데이터의 어떤 부분이 실제로 분석된다). The size of "n" is defined by the Analytical time resolution (i.e., which part of the acquired data is really analysis). 다음으로 서브루틴(972) 단계(1012)로부터 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리를 위하여 여전히 잠재적 "매치"인 정상 스펙트럼 서브디렉토리9288)으로부터의 모든 플라스마 처리들이 (도6에서의 디스플레이(130) 상에서) 적절한 담당자에게 디스플레이되는 단계(1016)로 진행된다. Next, the subroutine 972 still to the current plasma process performed in the processing chamber 36 from step 1012, potential "match" the normal spectrum subdirectory 9288) displayed on all plasma treatment are (Fig. 6 from ( 130) on a) and it proceeds to step 1016 to be displayed to the appropriate personnel. 그러면 새로운 현재 시간 t c 에서 다른 스펙트럼은 단계(984)에서 다시 얻어지고 상기의 것은 현재 플라스마 처리의 전체의 평가가 단계(1044)에서 언급된 바와 같이 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)에 의하여 아직 완료되지 않는 한 반복된다. Then, a new current time t c different spectra are in turn obtained in step 984 is in the plasma state / processing step recognizes the subroutine 972, as are the full evaluation of the plasma processing referred to in step 1044 It is repeated by a not yet complete. 플라스마 처리가 종료되고 모든 스펙트럼 데이터가 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)에 의하여 평가된 때, 서브루틴(972)은 단계(1044)로부터 플라스마 감시 동작들의 제어가 예를 들어 도15의 시동 모듈(202)로 리턴될 수 있는 단계(1048)로 진행될 것이다. When the plasma processing is completed and evaluated by all the spectrum data are plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972, subroutine 972 is in the FIG., For the control of plasma monitoring operation example from step 1044 15 start It will proceed to the step module 1048 that can be returned to 202.

정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에서의 어떤 플라스마 처리들은 곧 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리를 "매칭"시키는데 실패할 것이다. Normal spectral any plasma processing at a directory (288) will soon be the current plasma process performed in processing chamber 36 it failed to "matching". 즉, 패턴 인식 모듈(370)은 현재 시간 t c 에서 스펙트럼의 패턴이 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 해당 플라스마 처리의 관련 스펙트럼의 패턴을 매치시키지 않는지를 판단할 것이다. In other words, the pattern recognition module 370 will determine does not match the pattern of the related spectrum of the plasma treatment the pattern of the spectrum at the current time t c stored in the normal spectrum subdirectory 288. 그러면 하나 이상의 단계(992, 1000 및 1008)는 그것들의 플라스마 처리의 논리 오퍼레이터 "Flag 3 "가 "F"로 설정되는 (처리 A에 대하여 단계(1020)에서, 처리 B에 대하여 단계(1024)에서, 처리 "X"에 대하여 단계(1028)) 그러한 방식에서 탈출할 것이다. Then, in one or more stages (992, 1000 and 1008) it is a step 1020 with respect to the (process A are those of the plasma processing logic operator "Flag 3" is set to "F", in step 1024 with respect to the process B step 1028) for processing "X" will exit in such a way. 그것의 논리 오퍼레이터 "Flag 3 "가 "F"로 설정되는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 임의의 플라스마 처리는 더 이상 패턴 인식 모듈(370)에 의하여 현재 플라스마 처리에 비교되지 않을 것이다. Any plasma treatment of the spectrum stored in the normal subdirectory 288 has its logical operator "Flag 3" is set to "F" it will no longer be compared to the current plasma processed by the pattern recognition module 370. 처리 A와 관련되는 단계(992)는 처리 A에 대한 논리 오퍼레이터 "Flag 3 "가 "F"로 설정될 때 단계 988을 통하여 바이패스될 것이고, 처리 B와 관련된 단계(1000)는 처리 B를 위한 논리 오퍼레이터 "Flag 3 "가 "F"로 설정될 때 단계(996)를 통하여 바이패스될 것이며, 처리 "X"와 관련된 단계 1008은 처리 "X"를 위한 논리 오퍼레이터 "Flag 3 "가 "F"로 설정될 때 단계 1004를 통하여 바이패스될 것이다. Step according to the process A (992) is a logic operator of the process A "Flag 3" are will be bypassed via step 988 when set to "F", step 1000 is associated with the process B is for treatment B logical operator "Flag 3" is the "F" will be bypassed via step 996 as it is set in the processing step 1008 related to the "X" is the logical operator for the treatment "X" "Flag 3" "F" by will pass through a step 1004. when it is set to.

정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)로부터 최소한 하나의 플라스마 처리가 단계(984)로부터 각 새로운 증분 시간 t c 에서 각 스펙트럼을 "매치"시킨 한, 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)은 단계(1032 및 1036)을 통하여 계속될 것이다. At least one of the plasma processing from step 984 for each new incremental time that "match" for each spectrum in the t c, the plasma condition / processing step recognizes the subroutine 972 from the normal spectrum sub-directory 288 includes the steps (1032 and it will continue through 1036). 그러나, 그렇지 않은 경우라면, 서브루틴(972)은 단계(1032)로부터 단계(1040)으로 진행될 것이다. However, if or if not, the subroutine 972 will proceed to step 1040 from step 1032. 단계(10400의 프로토콜은 처리 챔버(36)에서 수행되는 현재 플라스마 처리가 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 저장되는 알려진 에러/이상을 직면하였는지를 판단하도록 지시된다. 그러므로, 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(972)는 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(253) 및 알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(296)과 관계하는 (즉, 서브루틴(253)의 단계 266과 함께 시작하고 이후의 모든 것을 포함하는) 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)의 그 부분을 포함할 수 있다. 그러면 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)와 비교되는 스펙트럼은 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)의 단계 984로부터 마지막 현재 시간 t c 와 관련되는 스펙트럼일 것이다. Step (10400 protocol is directed to determining whether facing the known error / or higher to be stored in the current plasma process abnormal spectrum subdirectory 292, that is performed in the process chamber 36. Thus, the plasma condition / processing recognition subroutine ( 972) is abnormal spectrum subdirectory 253 and the unknown spectrum subdirectory 296 and the relationship (that is, the subroutine 253 begins with the step 266 of the FIG. 21, including any subsequent to) plasma state sub may include that part of the routine 253. the abnormal spectrum subdirectory 292 spectrum compared to the plasma state / processing step recognizes the sub-spectrum that is associated with the last current time t c from step 984 of the routine 972 would.

전형적인 "노화 챔버" 스펙트럼 - 도26a-c Typical "aging chamber" spectrum - Figure 26a-c

플라스마 상태 모듈(252)의 1차 목적은 챔버(36)내의 플라스마 처리 수행에 사용된 플라스마의 상태를 감시 하는 것이다. The primary purpose of the plasma state module 252 is to monitor the state of the plasma used for performing a plasma treatment in the chamber (36). 상기한 바와 같이, 챔버(36)내에서제품에 플라스마 처리를 진행하는 것은 언젠가는 역으로 그 성능에 영향을 주기 시작하게 된다. As described above, it is to proceed with the plasma treatment to the product in the chamber 36 will begin to affect the performance of the reverse one day. 이 "노화" 챔버 조건은 자주, 항상은 아니더라도, 플라스마 처리동안 챔버(36)내의 플라스마의 스펙트럼에 의하여 반사된다. This "aging" chamber conditions are often, if not always, is reflected by the spectrum of the plasma in the plasma processing chamber 36 during. 챔버가 "노화"됨에 따라 플라스마 스펙트럼의 패턴이 시간을 어떻게 변화시킬 수 있는지를 도26a-c에 나타내었다. A shown in Figure 26a-c that the chamber may be a pattern of a plasma spectrum do change the time as "aging".

도26a는 처리 챔버(36)가 깨끗한 조건에 있고, 제품에 해당 플라스마 레시피를 진행시키는 동안의 전형적인 플라스마의 스펙트럼(1052)을 나타낸다 (예를 들면, "헬씨" 플라스마). Figure 26a is in a clean condition the processing chamber 36, and shows the spectrum 1052 of an exemplary plasma during the progress of the plasma recipe to the product (for example, "Healthy" plasma). 도26b는 처리 챔버(36) 내에서 많은 스펙트럼 레시피가 수행된 이후와, 챔버(36)내에서 제품에 실제로 이와 동일한 플라스마의 레시피가 진행되는 경우의 스펙트럼(1060)을 나타낸다. Figure 26b shows the spectrum 1060 of the case where this is actually the same plasma recipe for the product in the processing chamber 36 and after performing a number of spectra in the recipe, the chamber 36 is in progress. 플라스마 레시피는 챔버(36)의 노화가 진행되기 시작한 도26a 와 도26b의 사이의 시간에 챔버(36)내에서 진행되지만, 챔버(36)의 내부는 깨끗할 것이 요구되기 때문에 플라스마 상태가 충분히 떨어지지는 않았다. Plasma recipe is sufficient plasma state to fall, since the interior of the chamber 36, the aging, but proceeds in the starting chamber 36 to the time between Figure 26a and Figure 26b is in progress, the chamber 36 of the can be clean is required It did. 결국, 도26c는 도26a 내지 도26b에서 나타낸 것과 같이 상기 챔버(36)에서 제품에 상기 플라스마 레시피를 적용하는 동안의 전형적인 플라스마의 스펙트럼(1068)을 보여주며, 처리 챔버(36)에 이전 플라스마 레시피를 적용하는 경우에는 처리챔버(36)의 내부 조건을 더 열화시켰다. In the end, Figure 26c is a previous plasma recipe for a typical shows the spectrum 1068 of the plasma, the process chamber 36 for applying the plasma recipe for the product in the chamber 36 as shown in Figure 26a to Figure 26b when applying, the mixture was allowed to deteriorate the internal condition of the process chamber 36. 이 스펙트럼(1068)은 세정을 위한 조건에 있는 챔버(36)의 지표로서 웨이퍼 생산 시스템의 장치 수행의 오퍼레이터에 의하여 선택될 수 있다(예를 들면, "더러운/헬씨하지않은 플라스마", "더러운 챔버" 조건). This spectrum (1068) can be selected by the operator of the apparatus performed in the wafer production system as an indicator of the chamber 36 in a condition for cleaning (e.g., "dirty / non Healthy plasma", "dirty chamber " Condition). 예를 들면, 챔버(36)내에서 생산된 제품이 어떤 점에서 불량이 있으며, 제품분석이 챔버(36)조건에서 그 원인을 ??아 거슬러 올라간다면, 이 불량품과 관련된 적용으로부터의 스펙트럼 데이터는 해당 조건의 지표로서 선택될 수 있을 것이다. For example, the chamber (36) the product produced in the poor and in some respects, product analysis, go way back ah ?? the cause of the chamber (36) conditions, spectral data from the application associated with the defective It will be selected as an indicator of the condition. 그러나, 챔버(36)에서 진행된 제품을 못쓰게 만들기 전에 더러운 챔버 조건을 식별한다는 것이 바람직하다고 생각된다. However, it is considered desirable that identifies the dirty chamber conditions before making the product unusable held in the chamber (36). 즉, 챔버(36)의 조건이 열화되고 이러한 경향이 더러운 챔버 조건과 연관되는 경향을 식별하여 제품이 더러운 챔버조건 때문에 버려지지 않도록 하는 것이 바람직할 것이다. That is, to identify the tendency to condition the chamber 36 is degraded, and this trend is associated with a dirty chamber condition is desirable to prevent the product is discarded due to the dirty chamber conditions. 이것은 더러운 챔버조건에서 만들어진 불량품이 있는 이전의 적용에 의한 스펙트럼 데이터와 연결되어 수행될 수 있다(그렇게 만들어진 제품이 아직 불량품이 아니더라도). This can be done in connection with the spectral data by the previous application with the defective condition was created in a dirty chamber (the product so made yet even if it is not defective).

각각의 스펙트럼(1052, 1060, 1068)은 각각 다양한 파장(x축을 나타내며 유닛은 nm)에서의 다양한 세기(y축을 나타내며, 세기의 유닛은 "회수")은 의 피크의 수(1056, 1064, 1072)에 의하여 구별된다. Each of the spectrum (1052, 1060, 1068) are each different wavelength (x-axis represents unit is nm) different intensity (y denotes an axis, a unit of the intensity is "number of times") will be (1056, 1064, 1072 of the peak of the ) it is distinguished by. 각 스펙트럼 (1052, 1060, 1069)의 비교는 그들의 결합 패턴이 실제로 하기와 같이 제한되지 않는 것을 포함하여 서로 다르다는 것을 보여준다. Comparison of the spectrum (1052, 1060, 1069) shows that the different from each other, including but not limited as to their binding pattern actually. 1) 약 440nm 파장영역에서는, 도26a의 스펙트럼(1052)에서 피크(1056a)는 약 3,300의 세기, 도26b의 스펙트럼(1060)에서 피크(1064a)는 약 3,300의 세기, 도26c의 스펙트럼(1068)에서 피크(1072a)는 약 2,700 의 세기를 갖는다. 1) is approximately 440nm wavelength range, the spectrum of FIG spectrum 1052 peak (1056a) in the 26a has strength of about 3,300, a peak (1064a in the spectrum 1060 of FIG. 26b) is a strength of about 3,300, even 26c (1068 ) peak (1072a) has at an intensity of about 2,700. 2) 약 525nm 파장영역에서는, 도26a의 스펙트럼(1052)에서 피크(1056b)는 약 2,800의 세기, 도26b의 스펙트럼(1060)에서 피크(1064b)는 약 2,900의 세기, 도26c의 스펙트럼(1068)에서 피크(1072b)는 약 2,100 의 세기를 갖는다. 2) from about 525nm wavelength range, the spectrum of FIG spectrum 1052 peak (1056b) from the 26a has strength of about 2,800, a peak (1064b in the spectrum 1060 of FIG. 26b) is a strength of about 2,900, even 26c (1068 ) peak (1072b) from the intensity of from about 2,100. 3) 약 560nm 파장영역에서는, 도26a의 스펙트럼(1052)에서 피크(1056d)는 약 400의 세기, 도26b의 스펙트럼(1060)에서 피크(1064d)는 약 700의 세기, 도26c의 스펙트럼(1068)에서 피크(1072d)는 약 1,200 의 세기를 갖는다. 3) from about 560nm wavelength range, the spectrum of FIG spectrum (peak (1056d) in 1052) of 26a has strength of approximately 400, peak (1064d in the spectrum 1060 of FIG. 26b) is approximately 700 intensity of Figure 26c (1068 ) peak (1072d) at has a strength of about 1,200. 4) 약 595nm 파장영역에서는, 도26a의 스펙트럼(1052)에서 피크(1056e)는 약 2,100의 세기, 도26b의 스펙트럼(1060)에서 피크(1064e)는 약 2,000의 세기, 도26c의 스펙트럼(1068)에서 피크(1072e)는 약 2,000 의 세기를 갖는다. 4) is approximately 595nm wavelength range, the spectrum of FIG spectrum 1052 peak (1056e) in 26a is intensity of about 2,100, a peak (1064e in the spectrum 1060 of FIG. 26b) is a strength of about 2000, Fig 26c (1068 ) peak (1072e) at has a strength of about 2,000. 5) 약 625nm 의 파장영역에서는, 도26a의 스펙트럼(1052)에서는 200정도(노이즈)세기를 갖기는 하지만 실질적인 피크는 보이지 않으며, 도26b의 스펙트럼(1060)에서 피크(1064f)는 약 900의 세기, 도26c의 스펙트럼(1068)에서 피크(1072f)는 약 1,500 의 세기를 갖는다. 5) in the wavelength region of about 625nm, also in the spectrum 1052 of 26a has a 200 degree (noise) intensity, but substantial peak is not seen, the intensity of peak (1064f) in the spectrum 1060 of FIG. 26b is about 900 , peak (1072f) in the spectrum 1068 of Figure 26c has a strength of about 1,500. 이들은 몇 개의 예이긴 하지만, 도26a의 스펙트럼(1052)에서 피크(1056), 도26b의 스펙트럼(1060)에서 피크(1064), 도26c의 스펙트럼(1068)에서 피크(1072)가 각각의 파장에서의 하나 또는 그 이상은 세기가 다르다는 것은 명백하기 때문에, 어떤 의미에서는 스펙트럼의 형태를 챔버(36)를 세정할 때를 결정하는 기준으로 사용할 수 있을 것이다. These are some examples, though the peak 1056 in a spectrum 1052 of Figure 26a, the spectrum 1060 of FIG. 26b peaks 1064, peak 1072 in the spectrum 1068 of Figure 26c are in each wavelength because of the apparent to one or more of the intensity is not different, in a sense, will be used as a criteria for determining when the type of spectrum cleaning the chamber (36). 즉, 스펙트럼(1052, 1060, 1068)사이의 패턴의 구별을, 세정 일정과 관련하여 처리 챔버(36)의 조건의 적절한 특성을 보여주는 것으로 이용할 수도 있다. That is, it may be used to show the appropriate spectral characteristics (1052, 1060, 1068) conditions in a distinct pattern, the process chamber 36 in conjunction with the cleaning schedule between.

적어도 세정이 요구되는 챔버(36)의 지표로 여겨지는 도9의 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)에서 스펙트럼을 실현하기 위해서는 적어도 두가지 옵션이 남아 있다. In order to realize the spectrum in the plasma spectrum directory 284 of FIG. 9 is considered as an index of the chamber 36 which at least require cleaning may remain at least two options. 더러운 챔버 조건에서의 플라스마 스펙트럼은 도9의 비정상적인 스펙트럼 서브디렉토리(292)를 포함할 수 있다. Plasma spectrum in the dirty chamber conditions may include the abnormal spectral directory 292 of FIG. 이 경우, 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)은, 도22의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790), 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852), 도24의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924), 및 도25의 플라스마 상태/처리 서브루틴(972) 각각은 상기 언급된방법으로 "챔버 조건 감시"의 능력을 포함할 것이다. In this case, the plasma state subroutine 253 of Fig. 21, Fig plasma conditions of 22 / treatment recognition subroutine 790, plasma conditions / processes recognized in Figure 23 subroutine 852, plasma state / process of Fig. 24 recognition subroutine 924, and plasma condition / processing subroutine 972 of Fig. 25 each of which will include the ability of the "monitoring chamber conditions" in the above-mentioned method. 더러운 챔버 조건의 지표가 되는 하나 또는 그 이상의 스펙트럼이 얻어지는 방법은 다음과 같다. The method of one or more of the spectrum is obtained which is an index of the dirty chamber conditions are as follows. 처리 챔버(36)내에서 제품에 적용되는 플라스마 레시피가 정상적인 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 저장된 어떤 플라스마 레시피와 맞지 않고, 또한 도12의 플라스마 상태(253)와 관련하여 상기 언급된 바 있는 비정상적인 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 저장된 알려진 오류/이상(aberration)과도 "매치"하지 않는 경우의 상황을 고려한다. Processing chamber 36 is a plasma recipe is applied to the product in the not match any plasma recipe stored in the normal spectrum subdirectory 288, and abnormal spectral in the above-mentioned bar in relation to the plasma state 253 of FIG. 12 consider the circumstances of the case directory (292) of known errors / abnormal (aberration) is not excessive "match" is stored in. 이러한 플라스마 레시피로부터의 플라스마 스펙트럼은 미지의 스펙트럼 서브디렉토리(296)에 저장된다. Plasma spectra from such plasma recipe is stored in the spectral sub-directory 296 of the unknown. 이러한 플라스마 레시피로부터의 스펙트럼이 자주 조사되고 더러운 챔버 조건과 연관된 것으로 결정되면, 정상적인 스펙트럼의 서브디렉토리(288)와 비정상적인 스팩트럼의 서브디렉토리(292) 중 어디에도 맞지 않는 이러한 플라스마 레시피로부터의 스펙트럼의 적어도 하나는 더러운 챔버 조건의 지표로 선택될 수 있다. If it is determined that such a plasma is associated with the spectrum is often irradiated, dirty chamber condition from the recipe, a normal of the spectrum of the sub-directory 288, and an abnormal spectrum subdirectory 292, at least one spectrum from this plasma recipe that of anywhere match is It can be selected as an indicator of the chamber dirty conditions. 이러한 스펙트럼은 비정상적인 스펙트럼 서브디렉토리(292)로 이전되어 알려진 오류 조건으로 인식될 것이다. This spectrum will be recognized in the spectrum previously abnormal subdirectory 292 known fault conditions. 동일한 챔버(36)에서 플라스마 처리의 실행시 이러한 동일 조건을 만나면 (자동적으로 또는 수동으로) 수행되는 프로토콜은, 언급한 바와 같이 도14의 처리 경고 서브루틴(432)을 검토할 것이다. Meet these same conditions, the time of execution of the plasma process in the same chamber (36) protocol to be performed (automatically or manually), the warning process in Fig. 14, as mentioned will review the subroutine 432. 하나 이상의 더러운 챔버 조건의 경고가 상기 논의와 관련되어 등록될 것이다. A warning condition of one or more of the dirty chamber to be registered in connection with the above discussion.

챔버 조건 모듈 1084 - 도27-29 Chamber Conditions Module 1084 - Fig. 27-29

더러운 챔버 조건의 스펙트럼 지표를 이용하는(implementing) 또 다른 방법은 챔버 조건의 서브디렉토리(300)에 있는 데이터를 포함하며, 플라스마 상태 모듈(252)과 분리되어 있는 챔버 조건 모듈(1084)을 이용한다. (Implementing) using a spectral index of dirty chamber conditions Another method includes the data on the condition of the chamber subdirectory 300, it utilizes a chamber condition which is separate from the plasma state module 252, module 1084. 챔버 조건 서브디렉토리(300)와의 비교분석을 통하여 챔버(36) 조건을 감시 하는데에 사용될 수 있는 서브루틴의 일 실시예는 도27에 도시된 바와 같다. One embodiment of the chamber conditions subroutine that can be used to monitor the chamber 36 through the condition compared with the subdirectory 300 is as shown in Fig. 도27의 챔버 조건 서브루틴(406)에서의 많은 방법들은 참버(36)에 적용되는 현재의 플라스마 처리를 감시 하는데에 이용될(implementing) 수도 있다. Number of ways in chamber conditions subroutine 406 of Figure 27 may (implementing) to be used for monitoring the current in the plasma treatment applied to the chambeo 36. 도16의 플라스마 상태 서브류틴의 루프(190)는 도27의 챔버 조건 서브루틴(406)을 호출하는 단계(194)에서 프로토콜을 포함할 수 있다. Loop 190 of the plasma state of the sub ryutin 16 may include a protocol in step 194 which calls the subroutine conditions the chamber 406 of Fig. 즉, 서브루틴(406)은 서브루틴(253)을 위한 현재시간 t c 에서 현재의 스펙트럼에서의 서브루틴(253)의 각 단계(254)의 수행을 위하여 플라스마 상태 서브루틴(253)에 의하여 호출될 수 있다. That is, called by the subroutine 406 may include a subroutine plasma state subroutine 253 for the performance of each stage 254 of the subroutine 253 in the current spectrum of the current time t c for 253 It can be. 동일한 스펙트럼이 서브루틴(406)의 각 단계(410)의 수행을 통하여 챔버조건 서브루틴(406)에 유용하게 될 수도 있다. Chamber conditions, the same spectrum by the execution of each stage 410 of the subroutine 406 may serve also be useful in routine 406. 이러한 스펙트럼의 패턴은 단계(412)에서 챔버 조건 서브루틴(300)에서의 스펙트럼 패턴과 비교될 수 있다(서브루틴(408)의 단계(408)는 도13의 패턴 인식 모듈(370)을 위한 타겟 디렉토리에 맞춘다). Pattern of the spectrum can be compared to the spectrum pattern in the chamber conditions subroutine 300 in step 412 (step 408 of the subroutine 408 is the target for the pattern recognition module 370 of Fig. 13 Match the directory). 더 상세하게는, 챔버 조건 서브루틴(406)의 단계(412)는 도13의 패턴 인식모듈(379)로 가기 위해 직접 서브루틴(406)에 연결된다. More specifically, in step 412, the subroutine conditions the chamber 406 is connected directly to a subroutine (406) to access the pattern recognition module 379 of Fig. 현재 시간 t c 에서의 처리챔버(36)에 있는 플라스마의 스펙트럼의 패턴이 챔버 조건 서브디렉토리에 있는 어떤 스펙트럼과도 맞지 않는다면, 챔버조건 서브루틴은 단계(414)에서 단계(416)로 갈 것이다. If any spectrum and not fit, the chamber condition subroutine in the pattern of the plasma spectrum chamber conditions subdirectory in the treatment chamber 36 at the current time t c will go to step 416 from step 414. 이 단계에서 "시계"의 "n"이 하나 증가하면서 도21의 플라스마 상태 서브루틴의 루프(190)로제어가 리턴된다. "N" of "clock" in this step is returned eoga loop 190 Rosetta plasma state subroutine of Figure 21, while one increases. 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)으로부터 루프(190)의 단계(194)가 다시 나타나는 시점인 새로운 현재 시간 t c 에서 또 다른 스펙트럼이 챔버조건 서브루틴(406)을 위하여 얻어지며, 상기 언급한 분석을 반복하기 위하여 도27의 챔버조건 서브루틴(406)을 호출한다. Step 194 of the loop 190 from the plasma state subroutine 253 of Figure 21 is becomes the other spectra in the new current time t c is the time appears again obtained to the chamber conditions subroutine 406, the above-mentioned it calls the subroutine conditions the chamber 406 of Figure 27 to repeat the analysis. 플라스마 상태 평가를 제공하기 위하여 서브루틴(790, 852, 924 및 972) 중 어느 하나가 이러한 형태(보이지 않는)의 특징을 포함할 수 있다. Has any one of the sub-routines (790, 852, 924 and 972) may include a feature of this type (not visible) in order to provide a plasma state evaluation.

도27의 챔버조건 서브루틴(406)은 상기 언급한 방법으로 두 조건 중 하나를 만날 때까지 계속된다. Chamber conditions subroutine 406 of Figure 27 is continued until it meets one of two conditions in above-mentioned method. 첫 번째 것은 플리즈마 감시 동작이 도21의 플라스마 상태 서브루틴(253)을 통하여 종료되는 것으로, 현재의 플라스마 처리의 모든 데이터가 계산되고, 플라스마 처리 동작은 종료되는 때이다. The first thing to be terminated through the plasma state subroutine 253 of Fig. 21 Forehead peulrijeu monitoring operation, all the data in the current plasma process is calculated, the plasma processing operation is terminated when.

상기 언급한 방법에서 챔버조건 서브루틴(406)이 종료되는 두 번째 조건은 패턴 인식 모듈(370)이 그 현재 시간 t c 에 처리챔버(36) 에서 플라스마 스펙트럼과 챔버조건 서브디렉토리(300)에서의 적어도 하나의 스펙트럼 사이에 맞는 것을 인식한 경우이다. The second condition that the chamber conditions mentioned above how the subroutine 406 is terminated, in the pattern recognition module 370 that plasma spectra and chamber conditions subdirectory 300 in the processing chamber 36 at the current time t c a case of recognizing that fit between the at least one spectrum. 이러한 경우 서브루틴(406)은 단계(414)에서 단계(418)로 진행되어, 도44의 챔버조건 서브루틴(406)이 더러운 챔버조건과 관련하여 상기 언급된 어떠한 행위가 시작되는 처리 경보 모듈(428)로 제어가 전환될 것이다. In such a case the subroutine 406 advances to step 418 from step 414, FIG. 44 of the chamber conditions, the subroutine 406 is processing the alarm module with respect to the dirty chamber condition that the above-mentioned any action starts ( as 428) it will control the switch.

챔버조건 서브루틴(406)은 각 시간마다 플라스마 상태모듈(252)과 동시에 동작되며, 매 시간 플라스마 상태모듈에 접근된다(예를들면, 개시 루틴(203)의 단계(236)를 가짐으로써 챔버조건 서브루틴(406)을 호출하기 위한 프로토콜을 또한포함한다.) 이러한 경우, 시계를 맞추는 부가적 단계가 포함될 수 있으며, 또한 여기에 나타나는 다른 서브루틴과 유사한 방법으로 단계(410, 412, 414)만큼 이 단계에 의하여 규정되는 루프가 포함될 수도 있다. Chamber conditions subroutine 406 for each time, and operation at the same time as the plasma state module 252, is accessed every time the plasma state module (e. G., Chamber conditions by having the steps 236 of the start routine 203 comprises also a protocol for calling the sub-routine 406) as long as such a case, it can include additional steps to match the clock, and also steps in a manner similar to the other subroutines shown here (410, 412, 414) It may be included in the loop which is defined by this step.

앞서 더러운 챔버조건과 관련된 스펙트럼의 패턴에 대하여 챔버(36)에서의 현재 플라스마 스펙트럼의 패턴을 비교하는 것 이외에 처리챔버(36)이 내부가 세정조건에 있는지를 결정하는 방법들이 있다. Before the processing chamber 36. In addition to comparing the pattern of the current spectrum of the plasma in the chamber 36 with respect to the pattern of the spectrum relating to the dirty chamber condition is internal, there are a method of determining whether the washing conditions. 한 방법은 도28에 나타나는 챔버조건 서브루틴(1088)에 의하여 실현된다. A method is realized by a chamber condition subroutine 1088 shown in Fig. 우선 챔버조건 서브루틴(1088)에 사용된 전제는 플라스마 단계를 위하여 이전에 정해진 제한 시간보다 다중단계 플라스마 처리의 어떤 플라스마 처리가 완료되는데에 더 많은 시간이 걸리는 경우가 세정 오퍼레이션이 수행되어야 하는 정도로 처리 챔버(36)의 내부가 열화된 것이라는 것이다. First chamber conditions sub-processes so that the cleaning operation to be performed if a longer time required for the premises before time than there is any plasma treatment of the multi-step plasma treatment complete set forth in order to plasma steps used in the routine (1088) to the interior of the chamber 36 that the deteriorated. 플라스마 단계를 완결하는데에 요구되는 시간은 처리챔버(36) 내부의 조건이 열화됨에 따라 증가될 것이다. The time required for the plasma to complete a step will increase as the deterioration of the processing chamber 36 condition. 예를 들면, 주어진 플라스마 조건이 "깨끗한" 처리챔버(36)에서 원하는/예정된 종료 결과를 얻는데에 30초가 걸린다면, "세정" 사이클의 중간 시간 정도라면 챔버(36)에서 50초 정도가 걸릴 것이고, 더러운 챔버 조건하에서는 70초가 넘게 걸릴 것이다. For example, if a given plasma conditions are 30 seconds, it took on the "clean" process chamber 36 to achieve a desired / intended end result, "cleaning", if the middle hours of the cycle will take approximately 50 seconds in the chamber 36 , under dirty conditions, the chamber will take more than 70 seconds. 어떠한 경우에는 처리챔버(36)가 실제로 플라스마 단계의 결과가 인식되지도 못한 곳에서 열화될 수도 있다. In some cases there is a treatment chamber 36 may actually be degraded, where the results of the plasma step could also be recognized. 따라서, 챔버조건 서브루틴(1088)은 주어진 플라스마단계가 연관된 제한시간보다 더 오래 걸릴 경우, 관련된 원인은 더러운 챔버조건의 존재라고 추정된다. Thus, the chamber condition is estimated that subroutine 1088 when to take longer than the time limit is associated with a given plasma step, related cause is the presence of a dirty chamber conditions.

챔버조건 서브루틴(1088)은 플라스마 처리와 그 분석을 실행하는 처리단계 둘 다의 식별을 "알" 필요가 있기 때문에, 챔버조건 서브루틴(1088)은 도22의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790), 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852), 또는 도24의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924) 중 하나 또는 그 이상의 동작과 관련된 방법으로 집적된다(예를들면, 그안에 병합됨으로서, 동시에 호출되는 것으로). Chamber conditions subroutine 1088 is plasma treated and the identification of both the processing steps of analyzing run "know" it is necessary, chamber conditions subroutine 1088 is plasma state / process recognition of Figure 22 a subroutine ( 790), is integrated in a plasma state / process recognition subroutine 852, or plasma condition / processing recognition subroutine 924 method related to one or more of the operations of FIG. 24 in Fig. 23 (e. g., in the by being merged, to be called simultaneously). 이러한 각각의 경우에, 플라스마 처리의 식별이 결정되면, 이러한 플라스마 단계에 포함되는 특별한 플라스마 단계의 각각을 알게된다. When in each of these cases, determining the identification of the plasma treatment, they are known to each particular plasma steps included in this plasma step. 더구나, 챔버조건 서브루틴(1088)은 챔버(36)에서 수행된 현재의 플라스마 단계를 식별하는 도26의 플라스마 상태/처리 단계 인식 서브루틴(972)과 같은 방법으로 집적될 것이다. Also, the chamber conditions subroutine 1088 would be integrated in the same way as the chamber 36 of the Figure 26 to identify the current step in the plasma state plasma / process steps recognition subroutine 972 performed on.

도28과 관련하여, 챔버(36)에 적용되는 플라스마 처리의 수행되는 각 플라스마 단계의 최대 제한시간이 있다면, 단계(1092)에서 챔버 조건 서브루틴(1088)에 의하여 얻어져야 한다. Also with respect to the 28, to be obtained by the chamber 36, the chamber condition subroutine 1088 in if the maximum time for each plasma step, step 1092 is carried out of the plasma process to be applied to. 사람이 수동으로 해당 플라스마 단계의 최대 제한시간을 챔버조건 서브루틴(1088)의 단계(1092)를 위한 목적으로 데이터 입력 장치(132)에 넣어야 할 것이다. From this manual it will have to put a maximum time limit of the plasma step the chamber conditions subroutine data input device 132 for the purpose of the step 1092 of 1088. 더 바람직한 접근은 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)(도12a)에 저장된 플라스마 처리의 주 데이터 입력(350)을 위하여 이러한 제한시간을 총 처리단계의 최대시간(322f)의 부분에 포함시키는 것이다. The preferred approach is to include a portion of the normal spectrum subdirectory 288, plasma processing main data input up to time (322f) of the total processing steps for this time for 350 stored in the (Fig. 12a). 최대 제한 시간은 경험적으로 결정되며, 이를 해당 총처리 단계의 최대 시간(322f)칸에 입력한다. The maximum time limit is empirically determined, and inputs it to the maximum time (322f) of the total space processing step. 또는 대신에, 단계(1092)에서 언급된 제한이 웨이퍼 제조시스템(2)를 사용하는 제조설비의 오퍼레이터가 원하는 생산 속도를 유지하기에 필요하다고 결정한 시간과 매치할 수도 있어, 이를 해당 총처리 단계의 최대 시간(322f)칸에 입력한다. Or instead, it may be a limit that is mentioned in step 1092 matches the time that the decision is required to maintain the speed of production the operator desired a production facility using a wafer fabrication system (2), which for the total processing steps the input to the maximum time space (322f).

챔버조건서브루틴(1088)의 단계(1092)를 위한 정보는 이후 챔버(36)에서 적용되는 현재 플라스마 처리단계에 관련된 도12a의 해당 총 처리단계의 최대시간의 칸(322f)으로부터 자동적으로 회수될 수 있다. Chamber condition information for step 1092 in subroutine 1088 will be automatically recovered from the subsequent chamber 36 space (322f) of the maximum amount of time for that of Figure 12a related to the current plasma process step total processing steps are applied at can. 처리챔버(36)에 적용되는 현 플라스마 처리의 각 플라스마 단계를 완성시키는데에 요구되는 시간의 양은 챔버조건 서브루틴(1088)의 단계(1096)에서 감시된다. The amount of time required to complete the current sikineunde each plasma phase of the plasma treatment is applied to the processing chamber 36 is monitored in step 1096 of chamber conditions subroutine 1088. 처리단계 시계(보이지 않음)는 해당 플라스마 단계가 초기화 되면서 시작되고, 이 플라스마 단계가 종료될 때까지 멈추지 않는다. Processing stage clock (not shown) is started as an initialization step that plasma does not stop until the plasma step is terminated. 단계(1096)는 도52-58 과 관련하여 아래 언급되는 종료점 감지 모듈(1200)을 사용하여 현 플라스마 단계의 종말점을 식별할 수 있다. Step 1096 may also be used for end point detection module 1200, it referred to below with respect to 52-58 identify the end point of the current plasma step. 챔버조건 서브루틴(1088)의 단계(1100)는, 단계(1096) 부터 현 플라스마 단계에서 사용된 시간과, 단계(1096)부터 최대 제한시간의 사이에서 비교된다. Step 1100 of chamber conditions subroutine 1088 is, from the time and, in step 1096 using a plasma at this step from step 1096 is compared between the maximum time limit. 이 제한시간이 지나지 않은 한, 챔버조건 서브루틴(1088)은 현 플라스마 처리가 종료되는지가 결정이 되는 곳인 단계(1108)까지 진행될 것이다. This is a time-stamped, the chamber condition subroutine 1088 will proceed to where step 1108 that determines whether the current plasma process is ended. 플라스마 처리의 연속은 챔버조건 서브루틴(1088)이 분석을 계속 하도록 허용할 것이며, 언급된 단계(1096) 및 (1100)의 수행을 통한 분석이 계속된다. A series of plasma processing is continued with the execution of the analysis chamber condition subroutine 1088 will be allowed to continue the analysis, the mentioned steps 1096 and 1100. 그러나 플라스마 처리가 종료될 때, 서브루틴(1088)은 단계(1108)에서 단계(1112)로 진행되어 플라스마 감시 동작이 제어되어 예를 들면 도15의 개시 모듈(202)로 돌아갈 것이다. But will return to the time the plasma process is completed, subroutine 1088 is step 1108, step 1112 advances to the operation control for the plasma monitor 15 start module 202 in the example.

챔버조건 서브루틴(1088)은 시간이 현 플라스마 처리단계에서 해당 최대 제한시간을 초과하지 한 상기 언급된 방법으로 수행이 계속될 것이다. Chamber conditions subroutine 1088 will continue to perform in the way the above-mentioned not exceed the maximum time in the current time step plasma treatment. 이러한 경우 챔버조건서브루틴(1088)은 단계(1100)에서 도14의 더러운 챔버조건(428)이라 불리는 처리 경보 모듈 단계(1104)로 넘어가고, 상기 표기된 동작의 형태들이 착수된다. In this case chambers conditions subroutine 1088 is turned over to the dirty chamber condition 428, alarm processing module step 1104 of Figure 14 is called at step 1100, to the form of the indicated operations are undertaken. 도14의 처리경보모듈(428)이 모듈(428)을 호출한 모듈을 제어하면, 챔버조건서브루틴(1088)은 플라스마 감시의 동작, 예를 들면, 도15의 개시모듈(202)의 제어복귀를 위하여, 단계(1104) 이후의 한 단계를 포함한다. When a control for processing the alarm module 428 of 14 is that called the module 428. Modules, the chamber condition subroutine 1088 operates the plasma monitoring, for example, a recovery control of the initiation module 202 of Fig. 15 for, it comprises a step after step 1104.

결정의 또다른 방법은 세정을 위한 처리챔버(36)의 내부가 도29에서 나타난 챔버조건 서브루틴(1120)이 의하여 구현되고 도28과 관련하여 상기 언급한 챔버조건 서브루틴(1088)과 동일한 방법으로 실현된다. Another method of determining the same manner as in the interior of the processing chamber 36 for the cleaning chamber condition shown in FIG. 29, the sub-routine 1120, the chamber condition subroutine 1088 mentioned above in connection with, and 28 are implemented by It is realized. 챔버조건서브루틴(1120)에 사용된 전제는, 플라스마 처리 전체(플라스마단계의 전체)가 완결될 때까지 요구되는 시간이 플라스마 처리의 완결을 위하여 이전에 설정한 제한 시간보다 오래 걸리는 때는 세정 오퍼레이션이 수행되어야 하는 점까지 처리 챔버(36)의 내부가 열화되었다는 것이다. The premise is, when the time required until the completion of the plasma processing total (total of the plasma step) takes longer than the time set prior to the completion of the plasma treatment washing operation using the chamber conditions subroutine 1120 to a point that must be done is that the interior of the processing chamber 36 deteriorates. 총 플라스마 처리를 완결하는데에 걸리는 시간은 처리 챔버(36)의 내부 조건이 열화됨에 따라, 그 내부 표면에 오염물이 형성되어 증가할 것이다. As the time required for the completion of the total plasma treatment is the internal condition of the process chamber 36 is degraded, it will increase the contamination is formed in its inner surface. 예를들면, 주어진 플라스마 처리가 원하는/예정된 결과를 달성하는데에 "깨끗한" 처리 챔버(36)에서 180초가 걸리면, "세정" 사이클의 도중에의 챔버(36)에서는 220초가 걸릴 것이고, 더러운 챔버조건에서는 300초가 걸릴 것이다. For example, in the jam to 180 seconds in the "clean" processing chamber 36 for a given plasma process to achieve the desired / intended result, the chamber 36 in the middle of the "washing" cycle will take 220 seconds, dirty chamber conditions it will take 300 seconds. 이러한 경우에 처리 챔버(36)은 실제로 열화되어 플라스마 처리의 원하는 종료결과를 얻을 수 없을 것이다. In such a case the processing chamber 36 will actually not deteriorated to achieve the desired end result of the plasma treatment. 따라서, 챔버조건 서브루틴(1120)은 주어진 플라스마 처리가 그에 관련된 제한 시간보다 더 오랜시간이 걸리면, 그 원인은 더러운 챔버 조건임이 추정된다. Thus, the chamber condition subroutine 1120 is given plasma process takes a longer time than the time limit associated with it, the reason is estimated to be a dirty chamber conditions.

챔버조건 서브루틴(1120)은 그 분석을 수행하기 위하여 플라스마 처리의 식별을 "알"것이 필요하기 때문에, 챔버조건 서브루틴(1120)는 도22의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(790), 도23의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(852),도24의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(924) 중 어느 하나 또는 그 이상(예를 들면, 그 안으로 병합되거나, 동시에 호출되는 것이 의하여)의 동작에 따른 방법으로 집적될 것이다. Chamber conditions subroutine 1120 is because it is "seen" requires the identification of the plasma treatment in order to perform the analysis, the chamber condition subroutine 1120 is plasma state / process recognition subroutine 790 of Fig. 22, Fig. 23, the plasma state of a / treatment recognition subroutine 852, any one of a plasma condition / processing recognition subroutine 924 of Fig. 24 or more operations (for example, the merged into or, by not being called at the same time) a method will be integrated in accordance with. 더구나, 챔버조건 서브루틴(1088)는 또한 개개의 처리단계 및 챔버(36)에서 수행되는 현재의 플라스마 처리를 식별하는 도25의 플라스마 상태/처리 인식 서브루틴(972)의 방법으로 집적될 수도 있다. Also, chamber conditions, subroutine 1088 can also be integrated by the method of Figure 25 to identify the current plasma process in the plasma state / process recognition subroutine 972 is performed in the individual processing steps and the chamber 36 .

도29와 관련하여, 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리를 위한 최대 제한 시간은 단계(1124)에서 챔버조건 서브루틴(1120)에 입력된다. Also in connection with 29, is input to the chamber 36 up to time-out chamber condition subroutine 1120. In step 1124, for the plasma process to be performed on. 사람이 수동적으로 챔버조건 서브루틴(1120)의 단계(1124)를 목적으로 데이터 입력 장치(132)와 해당 플라스마 처리를 위한 최대제한 시간을 입력한다. Person must manually enter the sub-chamber conditions the maximum time for data input device 132 and the plasma treatment for the purpose of the step 1124 of the routine 1120. 더 바람직한 접근은 정상 디렉토리 스펙트럼(288)에 저장된 해당 플라스마 처리의 주 데이터 입력(350)을 위하여 이 제한 시간을 전체처리의 최대 시간 칸 (322g)에 포함시키는 것이다. The preferred approach is to include the maximum number of column (322g) of the overall process this time to the main data input 350 of the plasma processing are stored in the top directory spectrum 288. 최대 시간 주기는 경험적으로 결정되어 해당 총 레시피 시간의 칸(322g)에 입력될 것이다. The maximum period of time will be determined empirically and entered into the compartment (322g) of the total recipe time. 또는 대신에, 단계(1124)에 관련된 제한은 웨이퍼 생산 시스템(2)을 사용하는 제조시설의 동작자가 원하는 생산속도를 유지하기 위해 필요하다고 결정한 시간과 동일하게 될 수 도 있으며, 그것이 해당 최대 총 레시피 시간의 칸(322g)에 입력될 것이다. Or instead of, limitations related to the step (1124) may also be the same as the time you decide that you need in order to keep the speed of production operations who want a manufacturing facility that uses wafer production system (2), it is applicable up to a total recipe It will be entered in the column (322g) of the time. 단계(1124)를 위한 정보는 이는 챔버(36)에서 적용되는 현재 플라스마 처리와 연관된 도12a의 해당 전체 처리의 최대 시간 칸인(322g)로부터 자동적으로 회수된다. Information for step 1124 which is collected automatically from the maximum time kanin (322g) of the chamber (36) are associated with the plasma treatment and the entire process in Figure 12a is applied on the.

처리챔버(36)에 적용되는 현 플라스마 처리를 완결시키는 데에 요구되는 시간의 양은 챔버조건 서브루틴(1120)의 단계(1128)에서 감시된다. The amount of time required to complete the current plasma process to be applied to the processing chamber 36 is monitored in step 1128 of chamber conditions subroutine 1120. 처리단계 시계(보이지 않음)는 해당 플라스마 단계가 초기화되면서 시작되고(예를들면, 플라스마가 챔버(36)에서 "on"이 될 때), 이 플라스마 처리가 종료될 때(예를 들면, 챔버(36)에서 플라스마가 "off"가 될 때)까지 멈추지 않는다. Processing steps clock (not shown) is started while the corresponding plasma step is initialized (e.g., when the plasma is to be "on" in the chamber 36), this (e.g. when the plasma processing is completed, the chamber ( 36) in the plasma when the "off") does not stop until. 단계(1128)는 도52-58 과 관련된 아래에 언급되는 종료점 감지 모듈(1200)을 사용할 수 있다. Step 1128 may be used for end point detection module 1200, it referred to below also related to 52-58. 챔버조건 서브루틴(1120)의 단계(1132)는, 단계(1128)부터 현 플라스마 단계에서 사용된 시간과 이와 연관된 단계(1124) 부터 최대 제한시간의 사이에서 비교가 이루어진다. Sub-chamber condition from step 1132, step 1128 from step 1124, the time and the associated current in the plasma step of the routine 1120 is compared between the maximum time limit. 이 제한시간이 지나지 않은 한, 챔버조건 서브루틴(1120)은 현 플라스마 처리가 종료되는지가 결정이 되는 곳인 단계(1140)까지 진행될 것이다. This is a time-stamped, the chamber condition subroutine 1120 will proceed to the step where 1140 which determines whether the current plasma process is ended. 플라스마 처리의 연속은 상기 언급된 방법으로 단계(1128 및 1132)의 수행을 통하여 챔버조건 서브루틴(1120)이 분석을 계속 하도록 허용할 것이다. A series of plasma treatment will allow the chamber conditions subroutines 1120 through the execution of the steps (1128 and 1132) by the above-mentioned method so as to continue the analysis. 그러나 플라스마 처리가 종료될 때, 서브루틴(1120)은 단계(1140)에서 단계(1144)로 진행되어 플라스마 감시 동작이 제어되어 예를 들면 도15의 개시 모듈(202)로 돌아갈 것이다. But will return to the time the plasma process is completed, subroutine 1120 is step 1140, step 1144 is a plasma monitoring operation control is conducted for 15 start module 202 in the example in the.

챔버조건 서브루틴(1120)은 현 플라스마 처리단계에서 사용된 시간이 해당 최대 제한시간을 초과하지 한 상기 언급된 방법으로 수행이 계속될 것이다. Chamber conditions subroutine 1120 will be performed in a manner to keep the time spent at this plasma treatment step the above mentioned does not exceed the maximum time limit. 이러한 경우 챔버조건서브루틴(1120)은 단계(1132)에서, 도14의 처리 경보 모듈(428)이 더러운 챔버조건에 기초하여 불리워지고 상기 언급된 동작들이 수행되는 곳인 단계(1136)로 진행된다. In this case the flow proceeds to chamber conditions subroutine 1120 where that in step 1132, the process alarm module 428 of Figure 14 is called is to perform the above mentioned operations on the basis of the dirty chamber condition step 1136. 도14의 처리경보모듈(428)이 모듈(428)을 호출한 모듈을 다시 제어하도록 설정되면, 챔버조건 서브루틴(1120)은 단계(1136)를 한단계씩 포함하여 플라스마 감시 동작, 예를 들면 도15의 개시모듈(202)의 제어까지 회복된다. FIG When setting process alarm module 428 of 14 is to re-control a call to module 428. Modules, the chamber condition subroutine 1120, including one step by the step 1136 also, for plasma monitoring operation, for example, It is restored to the control of initiation module 15 (202) of.

전형적인 세정과정의 스펙트럼 - 도30a-d Spectrum of a typical washing process, - Fig. 30a-d

"더러운 챔버 조건"이 상기 언급된 방법들 중 어느 하나에 의하여 식별된 후 때때로 챔버(36)은 어떤 형태의 세정 동작을 수행한다. "Dirty chamber condition" is the above-mentioned method of any of the times after the chamber (36) identified by one and performs any of the cleaning operation. 도30a-D는 다양한 단계에서의 챔버(36)에서 플라스마의 스펙트럼 패턴에서의 차이를 보여준다. Figure 30a-D shows the difference in the spectral pattern in the plasma chamber 36 at various stages. 어떻게 현재의 처리모듈(250)이 해당 플라스마 처리의 상태를 측정하는지를 보여줄 뿐만 아니라, 어떻게 스펙트럼 분석을 통하여 다른 플라스마 타입간의 차이를 보여줄 수 있는지를 나타낸다. What indicates whether the current processing module 250, as well as show whether measuring the condition of the plasma treatment, and how to show the differences between the different types of plasma through the spectral analysis. 도30a는 세정 동작이 필요하다고 결정된 처리챔버(36)에서의 수행되는 플라스마 레시피의 전형적인 플라스마 스펙트럼을 나타낸다. Figure 30a shows a typical plasma recipe spectra of the plasma is performed in the processing chamber 36 determined that the required cleaning operation. 동일한 처리챔버(36)에서의 동일 플라스마 레시피인 30a의 스펙트럼(1440)과 도30D의 스펙트럼(1450), 그러나 처리생산 웨이퍼(18)를 위한 챔버(36)의 준비가 완료된 조절 웨이퍼 동작이후와 깨끗한 조건에서를 비교한다. Of 30a identical plasma recipes in the same process chamber 36, the spectrum 1440 shown in Fig spectrum 1450 of 30D, but after the completion of control wafer action preparation in the chamber 36 for processing the production wafer 18 and the clean It compares the condition. 다양한 파장에서의 두 스펙트럼(1440, 1450)에서의 피크의 각각 다른 세기를 주목하라. Note that a different intensity of the peak of the two spectra (1440, 1450) at the various wavelengths. 도30a의 스펙트럼(1440)의 550nm 파장 주위에는 두 개의 센 피크가 있는 데에 비하여, 도30D의 스펙트럼(1450)은 동일한 파장영역에 하나의 센 피크만이 있다. Fig around a wavelength of 550nm of the spectrum (1440) of 30a is compared to the peak with the two sensors, the spectrum 1450 of Figure 30D has only one metallocene peak is in the same wavelength range. 또한 도30a의 스펙트럼(1440)에는 625nm 파장 영역에 센 피크가 하나 존재하는 반면, 도30D의 스펙트럼(1450)에는 센 피크가 없다. In addition, the spectrum 1440, the spectrum 1450 of Figure 30D, while the metallocene peak is present in a 625nm wavelength region of Fig 30a does not have a peak sensor. 이러한 차이점을 쉽게 식별되어 처리챔버(36)가 적어도 어떠한 방법에 의하여 세정되어야 할 때를 식별하게 한다. These differences are easy to identify to identify the time to be the processing chamber 36 cleaned by at least some way.

도30에 도시된 세정 프로토콜은 통풍구가 있으며 개방되어 있는 챔버(36)에서의 습식세정으로 출발하며, 챔버(36)의 내부표면은 하나 이상의 알맞은 용매로 닦여 있다. FIG washed protocol shown in 30 and is leaving for the wet cleaning of the chamber 36 is a vent opening, and, the inner surface of the chamber 36 is wiped by one or more suitable solvents. 플라스마 세정의 동작은 이전의 챔버(36)에 적용될 수 있으나, 원하는정도로 챔버(36)의 내부 조건을 적절히 처리 할 수 없을 지도 모른다. Operation of the plasma cleaning, but may not be applied to the previous chamber 36, to properly process the internal condition of the chamber 36 so want. 습식에칭 이후, 챔버(36)은 재밀폐되고, 플라스마가 생성물 없이 챔버(36) 내부로 도입된다. After wet etching, the chamber 36 is re-closed, is introduced into the chamber 36 without the plasma product. 도30b의 스펙트럼(1444)은 플라스마 세정 작업의 개시시 생성물이 없는 경우 처리챔버(360 내에서의 전형적인 플라스마에 의한 것이다. 동일한 처리챔버(36)에서의 동일한 플라스마로, 습식 세정으로부터의 잔류물은 플라스마 세정에 의하여 제거된 도30c의 스펙트럼(1448)과 도30b의 스펙트럼(1444)을 비교해 보라. 다양한 파장에서의 양 스펙트럼(1444, 1448)의 서로 다른 피크의 세기를 주목하면, 특히 650과 750nm 파장영역에서 도30b의 스펙트럼(1444)는 두 개의 실질적인 피크를 갖는 반면, 도30c의 스펙트럼(1448)에서는 동일한 피크가 현저히 감소되었다. Spectrum 1444 of Figure 30b is due to the typical plasma in the processing chamber (360 if there is the beginning of the plasma clean operation products. In the same plasma in the same processing chamber 36, from the wet scrubbing residue compare the spectrum 1448 and spectrum 1444 in FIG. 30b of Figure 30c removed by the plasma cleaning. If they pay attention to the intensity of other peaks in both spectra (1444, 1448) at the different wavelengths, in particular 650 to 750nm the spectrum (1448), while the spectrum 1444 of Figure 30b is in the wavelength region having two substantial peaks, Figure 30c was markedly reduced in the same peak.

결국, 조절 웨이퍼 오퍼레이션의 종말부에서의 스펙트럼(1450)과 플라스마 세정의 종말부에서의 스펙트럼(1448)을 비교하라. After all, compare the spectrum 1448 of the end portion of the spectrum (1450) and plasma cleaning of the wafer end portion of the adjusting operation. 도30c의 스펙트럼 (1448)은 습식에칭의 잔유물을 적절히 처리한 챔버(36)의 플라스마 세정의 종말부에서의, 처리챔버(36)내에서 전형적인 플라스마에 의한 것이다. Spectrum 1448 of Figure 30c is by the typical plasma within the processing chamber 36 at the end of the plasma cleaning of the appropriate chamber 36 processes the residue of the wet etching portion. 도30c로부터의 스펙트럼(1448)을, 동일한 처리챔버(36)에서 동일한 플라스마이나 챔버(36)에서 다수의 조절 웨이퍼의 처리가 진행된 이후인 도30D의 스펙트럼(1450)과 비교해보라. See also the subsequent processing is conducted in the same plasma and a plurality of control wafers in the chamber 36 the spectrum 1448 from 30c, in the same processing chamber 36 is also compared with the spectrum (1450) of 30D. 다양한 파장에서 양 스펙트럼(1448, 1450)의 피크의 세기의 차이를 비교해 보면, 특히 650 과 750nm 파장영역에서 도30c의 스펙트럼(1448)은 두 개의 피크를 갖는 반면, 도30D의 스펙트럼(1450)은 이 영역에서 피크를 갖지 않는다. A comparison of the differences in the peak intensity of the positive spectrum (1448, 1450) at different wavelengths, in particular, while the spectrum 1448 of Figure 30c at 650 and 750nm wavelength region having two peaks, the spectrum 1450 of Figure 30D will It does not have a peak in this region.

플라스마 감시 어셈블리 500 - 도31-36 Plasma monitoring assembly 500 - Figure 31-36

처리챔버(36)내에서의 플라스마 처리의 수행에 의한 내부의 열화는, 플라스마에 노출된 챔버(36)에서의 윈도우(38)의 내부표면(40)을 또한 열화시킨다 (플라스마로부터 격리된 외부표면(42)는 플라스마에 의하여 영향을 받지 않는다.). Degradation of the inner by the execution of plasma processing in the processing chamber 36, and also deterioration of the inner surface 40 of the window 38 in the chamber 36 is exposed to the plasma (the outer surface isolated from the plasma 42 is not affected by the plasma.). 챔버(38)에서의 플라스마의 광학적 이미션의 특징으로 현 플라스마 처리모듈(250)의 데이터는 윈도우 38을 통하여 얻어진다는 것을 기억하라. The optical characteristics of the already illustration of the plasma current data of the plasma processing module 250 in the chamber 38 will remember that obtained through the window 38. 따라서 윈도우 38이 열화됨에 따라 현 플라스마 처리모듈(250)의 결과에 대한 신뢰성도 열화된다. Thus, as the window 38 is deteriorated it is also degraded the reliability of the result of the current plasma processing module 250. 이러한 조건을 현재의 플라스마 처리 모듈(250)에 의해 제공되는 결과의 신뢰성에 악영향을 미칠 수 있는 다른 조건만큼 처리하는 구체예를 플라스마 감시 어셈블리(500)의 형태로 도31에 나타나 있다. This condition is shown in Figure 31 in the form of a plasma monitoring assembly 500 is a specific example of processing by the other condition that might adversely affect the reliability of the results provided by the present plasma processing module 250 in.

도31의 플라스마 감시 어셈블리(500)은 도6 의 플라스마 감시 어셈블리(174)와 관련하여 상기 언급한 모든 점을 포함한다. The plasma monitor assembly 500 of Figure 31 includes all of the points mentioned above in relation to the plasma monitoring assembly 174 of FIG. 이러한 경우, 플라스마 감시 어셈블리(500)은, 도7의 플라스마 감시 모듈(200)과 관련하여 상기 표기된 동일 모듈 모두를 포함하며 PMCU 128'의 일부인 플라스마 감시 모듈(560)(도31-32)을 포함한다 (예를 들면, 동일한 현재의 플라스마 처리 모듈(250) 및 그 서브모듈 전체). In this case, the plasma monitoring assembly 500, including both the same module indicated above with respect to plasma monitoring module 200 of Figure 7, and the plasma part monitoring module 560 of PMCU 128 'includes a (Fig. 31-32) (e. g., current of the same plasma processing module 250 and the entire sub-module). 또한, 스펙트로미터 어셈블리(506)와 CCD 어레이(548)도, 도6의 플라스마 감시 어셈블리(174)와 유사하게 식별되는 구성요소에 관하여 동일하다. Further, it is the same with respect to components that are similarly identified as the spectrometer assembly 506 and CCD array 548, the plasma monitoring assembly 174 of Fig., Fig. 현 플라스마 처리모듈(250)에 의한 플라스마 처리의 평가의 정확도의 증가는 보정능력 때문에 플라스마 감시 어셈블리(500)를 통한 모듈(250)을 위한 데이터를 얻는 데에 유용하다. Increased accuracy of the evaluation of the plasma treatment according to the current plasma process module 250 is useful for obtaining the data for the module 250 through the plasma monitoring assembly 500 because the correction capability. 구체적으로 플라스마 감시 어셈블리(500), 더 구체적으로 플라스마 감시 모듈(560)은, 도32에 보이는 바와 같이 플라스마 감시 모듈(560)의 일부인 보정 모듈 또는 윈도우 감시를 포함하는 보정 어셈블리(552) 또는 윈도우 감시를 포함한다. Specifically, the plasma monitoring assembly 500, and more particularly to a plasma monitoring module 560, the correction assembly 552 which, as shown in Figure 32 comprises a part correction module or window monitoring of plasma monitor module 560 or window monitoring It includes. 따라서 PMCU 128'은, 보정모듈(562)과 관련하여 부가적인 특징으로 포함하는 것을 제외하고는 도6의 플라스마 감시 어셈블리(174)와 관련하여 상기에 언급한 바와 같다. Thus PMCU 128 'is, except that it includes as an additional feature, with respect to the compensation module 562 as discussed above in relation to the plasma monitoring assembly 174 of FIG. 이로써 "프라임 부호"의 표시는 도31의 PMCU 128과 관련하여 유용하다. This display of the "prime sign" is useful in connection with PMCU 128 of Figure 31.

보정 어셈블리(552)는 도6의 플라스마 감시 어셈블리(174)보다 도31의 플라스마 감시 어셈블리(500)를 위한 어떤 이점을 제공한다. Calibration assembly 552 offers some advantages for plasma monitoring assembly 500 of Figure 31 than a plasma monitoring assembly 174 of FIG. 도31의 보정 어셈블리(552)는 두 가지 주요 기능을 제공한다. Correction assembly 552 of Figure 31 provides two main functions. 이들 기능 중 하나는 처리챔버(36)내에서의 플라스마 스펙트럼의 파장 이전에 대한 플라스마 처리모듈(250)(도7 및 32)을 보정하는 것이다. One of these functions is to compensate for the plasma processing module 250 (Fig. 7 and 32) prior to the wavelength of the spectrum of the plasma in the processing chamber 36. 파장이전은 스펙트로미터 어셈블리(552)에서 영향을 받은 것일 수도 있으나, 다른 원인으로 생길수도 있다. Wavelength former but may be affected in the spectrometer assembly 552, there is saenggilsu for some other reason. 도31의 보정 어셈블리(552)에 의하여 제공되는 또 다른 기능은 처리챔버(36)내에서의 플라스마 스펙트럼의 세기 변화에 대한 현재의 플라스마 처리모듈(250)을 보정하는 것이다. Also to be provided by the correct assembly (552) of the 31 other function is to compensate for the current in the plasma processing module 250 to the intensity variation of the spectrum of the plasma in the processing chamber 36. 세기변화는 광학적 이미션이 생김에 따라 챔버(36)에서의 윈도우(38)의 "노화"에 기인할 수도 있으나, 다른 조건에 기인할 수도 있다. Intensity changes, but also due to the "aging" of the window 38 in the chamber 36 according to causing the optical emission may be due to another condition. 도31의 윈도우(478)은 도6에서의 윈도우(38)과는 다른 형태를 가지기 때문에 윈도우만이 아니라 처리 챔버에도 다른 참고번호가 사용된다. Window 478 of Figure 31 is the other reference numerals are used in this window, not only the process chamber because it has a different shape as the window 38 in FIG. 따라서, 참고번호(471)로 식별되는 도31의 처리챔버는 도1에서의 챔버(36)의 하나 또는 그 이상의 위치에 사용될 수 있다. Therefore, reference numerals of Figure 31, identified by 471, the process chamber may be used in one or more positions of the chamber 36 in FIG.

도31의 보정 어셈블리(552)는 보정광원(556)을 포함하며, 동작시 섬유광케이블 어셈블리(504)에 의하여 처리챔버(474)의 윈도우(478)와 연결되어 있다. Correction assembly 552 of Figure 31 is connected with the window 478 of the calibration light source includes a 556, the operation during fiber optical cable assembly, the process chamber 474 by 504. 보정광원(556)은 실질적으로 1차 보정광원(556a)와 2차 보정광원(556b)를 갖는다. Correcting light source 556 has a substantially first compensation light source (556a) and the second compensation light source (556b). 1차 보정광원(556a)는 플라스마 감시 어셈블리(500)과 연관된 파장이전을 감지하기 위하여 1차형태의 광을 사용한다. First correcting light source (556a) uses a first type of light to detect the wavelengths associated with prior plasma monitoring assembly 500. 세기 변화는 2차 보정광원(556b)를 통하여 감지되며, 1차 형태의 광과는 다른 2차형태의 광을 사용한다. Intensity change is detected by the second compensation light source (556b), it uses the primary form of light which is different from the second type of light. 세기 변화와 파장이전을 각각 감지하기 위하여 두가지 다른 형태의 광을 사용하는 이점은 도40-48과 보정모듈(562)와 관련하여 처리 될 것이다. In order to detect intensity changes with each wavelength before the benefits of using the two different types of light it would be processed in relation to 40-48 and correction module 562. 바람직한 것은 아니지만, 동일한 형태의 광이 세기변화와 파장이전 모두를 감지하기 위하여 사용될 수도 있다 (예를들면, 복수의 분리된 세기피크를 갖는 광). Preferably, but not the same type of light may be used to detect both the intensity and the wavelength change before (for example, light having a plurality of separate intensity peaks).

섬유광케이블 어셈블리(504)는 역시 윈도우(478)을 스펙트로미터 어셈블리 (506)과 동작시 연결시키며, 윈도우 감시 어셈블리(552)는 직접 윈도우(478)의 조건을 감시할 수 있다. Fiber optical cable assembly 504 may also monitor the condition of the window 478 spectrometer assembly 506 and sikimyeo connection operation, the monitor window assembly 552 is directly window 478. 일반적으로, 특히 처리챔버(474)내에 플라스마가 없을 경우, 보정광은 섬유 광케이블(504)를 통하여 보정광원(556)으로부터 윈도우(478)로 직진한다. In general, particularly when the plasma is not in the process chamber 474, the correction light is straight from correcting light source 556 via a fiber optical cable 504 to the window 478. 그에 따라, 보정어셈블리(552)의 동작은 챔버 안의 플라스마의 어떠한 방식에도 의존하지 않으며, 플라스마와 관련된 어떠한 데이터와도 사실은 무관하다. Thus, the operation of the calibration assembly 552 does not depend in any way of the plasma in the chamber, it is also in fact is independent of any data associated with the plasma.

도31의 스펙트로미터 어셈블리(506)는 고체상 형태가 바람직하며, 한 실시예는 도33에 도시된 바와 같이 다른 파장영역을 분석하는 세 개의 개별 고체상 형태의 스펙트로미터(516a-c)를 포함한다. 31 spectrometer assembly 506 is and the solid form preferably, one embodiment comprises a three separate solid state form of a spectrometer (516a-c) to analyze the different wavelength ranges, as shown in Fig. 이러한 경우 스펙트로미터 (516a)는 246nm에서 570nm 영역을 분석하며, 스펙트로미터(516b)는 535nm에서 815nm 영역을 분석하며, 스펙트로미터(516c)는 785nm에서 1014nm 영역을 분석한다. In such spectrometer (516a) it is analyzed and the 570nm region at 246nm, spectrometer (516b) is analyzed and the 815nm region at 535nm, and analyzes the spectrometer (516c) is in the 785nm 1014nm region. 개별 스펙트로미터(516)간의 중복부분은 전이영역에서의 광학적 이미션데이터의 손실을 절감시키고 세 개의 스펙트럼 각각의 정렬을 용이하게 한다. Overlapping portions between the individual spectrometer 516 to reduce the optical loss of the design data already at the transition area and facilitate the alignment of the three spectra, respectively. 이들 스펙트럼(516) 각각은 도34에 더 자세히 나타난 것처럼 섬유광학케이블 어셈블리(5040에 의하여 효과적인 병렬관계에 있다. These spectra 516, each of which in an effective parallel relationship by more fiber optical cable assembly (5040, as shown in FIG.

도34의 섬유광학케이블 어셈블리(504)는 여섯 개의 외부케이블(512)로 둘러싸인 세 개의 내부 케이블(508)을 포함한다. Fiber optic cable assembly 504 of Figure 34 includes six external cable 512, three internal cable 508 enclosed by. 보정광원(556)으로부터의 광은 도40-48의 보정모듈과 관련하여 하기 언급된 보정의 실행동안 외부 케이블(512)를 통하여 윈도우(478)로 직진하는 반면, 윈도우(478)에 의하여 반사된 광은(보정어셈블리(552)가 활성화되거나 동작하지 않는 때에는 챔버 (474)내에서 플라스마 처리가 수행되는 동안 챔버(474) 내부에서부터의 광과 마찬가지로) 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 내부 케이블(5080을 통하여 스펙트로미터 어셈블리로 직진한다. 섬유광학케이블 어셈블리 중 하나의 내부케이블(508) 도33에서와 같이 스펙트로미터 어셈블리(506)의 스펙트로미터 각각(516)에 연결된다. 보정광원(566)으로부터의 스펙트로미터 어셈블리(506)를 통하여 받은 이 데이터는 윈도우(474)의 내부표면(482)로 직접 연결되고, 윈도우(478)의 내부표면조건을 직접감시함에 따라 보정 어셈블리(5 The light from a correcting light source 556, while the straight road in the window 478 during the below-mentioned correction in relation to the correction module of 40-48 run through the external cable 512, reflected by the window (478) the light inside the cable (calibration assembly 552 is the time that does not activate or operate during the plasma process performed in the chamber 474, the chamber (474) in the same manner as the light from the inside) of fiber optic cable assembly 504 (5080 be straight as spectrometer assembly is fiber optic cable, a single inner cable of the assembly 508 connected to a spectrometer, each 516 of the spectrometer assembly 506, as shown in Figure 33 through a. from a correcting light source (566) the data received through the spectrometer assembly 506 is directly connected to the interior surface 482 of the window 474, the correction assembly (5, as directly monitoring the conditions inside surface of the window (478) 52)를 특성화하기에 적합하게 된다. 52) is adapted to characterize.

보정 어셈블리(552)의 하나의 기능은 윈도우(478)의 내부표면(482)이 플라스마 처리동안 처리챔버(474)로부터 방출되는 광선상에서 갖는 영향이 있다면 이를 결정하는 것이며, 상기 광은 현재 플라스마 처리모듈(250)에 사용되기 때문이다.보정 어셈블리(552) 또한 윈도우(478)의 외부표면(486)의 위치(presence)를 처리한다. One function of the calibration assembly 552 if the impact has on light rays emitted from the inner surface of the process chamber 474, while 482 is a plasma treatment of the window 478 intended to determine this, the light current plasma processing module because they are used to 250. the calibration assembly (552) also processes the position (presence) of the outer surface 486 of the window 478. 도31 및 도35 에서 보이듯이, 윈도우(478)의 외부표면(486) 및 내부표면(482)는 평행하지 않게 배치되어 있다. 31 and 35. As shown in this, the outer surface of the window 478 (486) and an inner surface (482) is arranged non-parallel. 다른 방법에도 언급되어 있고, 도31 및 35 에서도 나타나 있듯이, 윈도우(478)의 내부표면(482)는 적어도 실질적으로는 윈도우(478)이 대하여 직접 연결되어 있기 때문에 보정광원(556)으로부터 광의 주축과 합치하는 기준축(490)에는 수직으로 놓여져있는 반면, 윈도우(478)의 외부 표면(486)은 기준축(490)에 대하여 비수직으로 놓여져 있다. And mentioned in another way, Fig. 31 and as shown at 35, the inner surface 482 of the window 478 is at least substantially in the window 478 and the light-spindle from a correcting light source 556, because it is a direct connection for while, the reference axis 490 which match placed vertically, the outer surface of the window 478 (486) is placed in a non-perpendicular to the reference axis 490. 일실시예에서의 기준축(490)과 윈도우(478)의 외부표면(486)과의 사이에 있는 각은 2°에서 45°의 범위에 있으며, 다른 실시예에서는 이 각이 임계각보다 작다. Each remaining between the outer surface 486 of the reference axis 490 and the window 478 according to the embodiment is in the range of from 2 ° 45 °, in other embodiments this angle is smaller than the critical angle. 윈도우(478)의 외부표면(486)과 내부표면(482)의 상대적인 위치는 스펙트로미터 어셈블리(506)으로 연결되는 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 내부케이블(508)로부터 떨어져 있는 축(490)으로부터 멀리 연결된 윈도우(478)의 외부표면(486)에 의하여 반사되는 보정광의 부분을 갖는 데에 영향을 미친다. The relative position of the outer surface 486 and inner surface 482 of window 478 is from the axis 490 remote from the inner cable 508 of the fiber optic cable assembly 504 is connected to the spectrometer assembly 506 influence to which the correction light portion which is reflected by the outer surface 486 of the window 478 away connected. 따라서, 보정광이 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 외부케이블(512)를 통하여 보정광원(556)으로부터 윈도우(478)로 보내질 때, 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 내부케이블(508)이 "보는" 광의 의미있는 부분은 윈도우(478)의 내부 표면(482)에 의하여 반사되는 광-윈도우(482)의 외부표면(486)으로부터가 아니라-이다. Thus, the correction light inside the cable 508 of the fiber optic cable assembly when sent from a correcting light source 556 through the external cable 512 of 504 to the window 478, the fiber optic cable assembly 504, a "look "means light portion is light reflected by the inner surface 482 of the window 478 in - but not from the exterior surface 486 of window 482 is that. 윈도우(478)의 내부표면(482)는 처리챔버(474)내에서의 플라스마 처리의 수행에 의하여 영향을 받으며, 윈도우(478)을 통하여 처리챔버(474)로부터 방출되는 광에 영향을 받는 광에 영향을 미친다. The inner surface 482 of the window 478 is the light affected by the light emitted from the processing chamber 474 is influenced by the performance of the plasma treatment, through the window 478 in the processing chamber 474 impacts. 따라서, 윈도우 감시 어셈블리(552)에 의한 보정실행 중 스펙트로미터 어셈블리(506)에 의하여 받은 광은 윈도우(486)의 내부표면(482)의 조건의 정확한 묘사를 보여준다. Therefore, correction of the execution by the monitoring window assembly 552, the light received by the spectrometer assembly 506 shows an accurate description of the condition of the inner surface 482 of the window 486. 또한 적어도 보정광이 외부표면(486)에 영향을 주는 영역에서, 윈도우(478)의 외부표면(486)상에 넓은 밴드 반사방지막을 결합시킴에 의하여(예를 들면, 다층구조 또는 적층구조의) 강화될 수도 있다. By addition to the at least Sikkim correction light is coupled to a wide-band anti-reflection film on the outer surface 486 in a region that affects the outer surface (486), the window 478 (e.g., a multi-layer structure or a lamination structure) It may be strengthened. 이러한 형태의 막은 외부표면(486)에 의하여 반사되는 보정광의 양을 감소시켜, 윈도우(478)의 외부표면(486)을 통과하여 내부표면(482)까지 가는 보정광의 양을 증가시킨다. By reducing the correction amount of light reflected by this type of film is an outer surface (486), through the external surface 486 of the window 478 causes the inner surface 482 increases the correction amount of light going through. 챔버(474) 상의 윈도우(478)과 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 사이에 적절한 상대적 위치를 유지하는 것은 보정 모듈(562)뿐만 아니라 현재의 플라스마 처리모듈(250)의 동작을 위해서도 중요하다. To maintain the proper relative position between the chamber 474, the window 478 and fiber optic cable assembly 504, as well as on the correction module (562) is important for the operation of the present plasma processing module 250. 섬유광학케이블 어셈블리(504)와 윈도우(478)을 결합시키는 방법 중 하나를 고정물 어셈블리(1538)의 형태로 도(36)에 나타내었다. Fibers are shown in the optical cable assembly 504 in FIG. 36, in the form of a fixture for the assembly (1538) of the method for bonding the window (478). 고정물 어셈블리(1534)는 윈도우 (478)을 안전하게 지지하는 윈도우 고정물(1538)을 포함하며, 처리챔버(474)과의 탈착이 가능하도록 (예를 들면, 하나 이상의 나사 조임장치를 통하여)결합시킨다. A fixture assembly (1534) includes a window fixture (1538) for supporting secure the window 478, to allow for detachment of the process chamber 474 is coupled (e.g., via one or more threaded fasteners). 윈도우(478)의 외부표면(486)과의 연결부와 윈도우 고정물(1538)의 내부 부분 내에 캐비티 또는 리세스(1542)가 존재한다. A cavity or recess 1542 within the inner portion of the outer surface 486 and the connection parts and window fixtures (1538) of the window (478) is present. 리세스 (1542)의 경계를 정하는 윈도우 고정물(1538)의 표면은 보정의 실행동안 윈도우(478)의 외부표면(486)에 의하여 반사되는 보정광원(506)으로부터 보정광의 어떠한 부분도 흡수 가능하도록 양극처리된 검은 색이다. Recessed surface of the window fixture (1538) to establish the boundaries of the 1542 is positive that can also absorb any partial correction of light from correcting light source 506 is reflected by the outer surface 486 of window 478 during the execution of the calibration is processed black. 흡광막은 이러한 기능을 제공하는데에 유용하게 사용될 수 있다. It can be effectively used to provide the light absorbing film of these features.

고정물 어셈블리(1534)는 역시 윈도우고정물(1538)과 적절히 연결되는(예를 들면 탈착이 가능하도록) 섬유 고정물(1546)을 포함한다(예를 들면, 하나 이상의나사 조임장치). A fixture assembly (1534) is also the window fixture (1538) as appropriate, a connecting fiber fixture (1546) (for example, to enable the desorption) and which (e.g., one or more threaded fastening device). 윈도우 고정물(1538)에서의 리세스(1542)는 윈도우(478)의 외부표면(486)과 섬유 고정물(1546)의 뒷면 부분을 통하여 정렬된 조건에서 밀폐된 공간이다. The recess 1542 of the fixture on the window (1538) is a closed space in the aligned condition through the back side portion of the outer surface (486) and the fiber fixture (1546) of the window (478). 리세스를 밀폐하고 있는 섬유 고정물(1546) 부분의 적절한 처리가 수행되어, 윈도우(478)의 외부표면(486)에 의해 반사된 보정광의 부분과 윈도우(478)의 내부표면(482)에 의해 반사된 보정광의 부분이 간섭할 가능성을 감소시킬 수 있고, 섬유광학케이블 어셈블리(504)를 통하여 스펙트로미터 어셈블리(506)에 제공될 수 있다. The closed recess and fiber fixture (1546), appropriate processing of the part, which is carried out, is reflected by the inner surface 482 of the corrected light portion and the window 478 is reflected by the outer surface 486 of the window 478 the correction light and the portion to reduce the likelihood of interference, can be provided to the spectrometer assembly 506 through a fiber optic cable assembly (504).

섬유광학케이블 어셈블리(504)는 제거될 수 있거나 탈착될 수 있도록 섬유 고정물(1546)상에서 섬유 고정물 결합(커플링)(1554)과 내부 케이블(508)과 외부케이블(512)를 수용하는 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 말단에서 케이블 결합(1558)에 의하여 섬유 고정물(1546)과 결합된다. Fiber optic cable assembly 504 is fiber fixture combination on fiber fixture (1546) so as to be removable or may be removable (coupling) 1554 and the internal cable 508 and fiber optic cable for receiving the outer cable 512, at the end of the assembly 504 is combined with the fiber fixture (1546) coupled by a cable (1558). 내부케이블(508)과 외부케이블(512)의 말단은 섬유 고정물(1546)을 통하여 확장되는 포트와 수직의 위치에서 윈도우(478)의 외부표면(486)에 대하여 투영되어 윈도우 고정물(1538)에서 리세스(1542)를 절단한다. Inside the cable 508, and the ends of the outer cable 512 is projected with respect to the fiber fixture outer surface of the window 478 at the location of the port and the vertical extending through the (1546) 486 window fixture (1538) Li the cutting process (1542). 따라서, 보정광원(556)으로부터의 보정광은 외부 케이블(512)를 통하여, 섬유 고정물(1546)에서의 포트(1550)을 통하여, 윈도우 고정물(1538)을 통하여 또한 윈도우의 외부표면으로 직진한다. Thus, compensation light from a compensation light source 556 through the port 1550 in through the external cable 512, the fiber fixture (1546), through the window fixture (1538) and also linearly in the outer surface of the window. 윈도우(478)의 내부표면(482)에 의하여 반사된 보정광은 윈도우 고정물(1538)에서 리세스(1542)를 통하여, 섬유고정물(1546)의 포트를 통하여, 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 내부표면(508)으로, 또한 스펙트로미터 어셈블리(506)으로 떠돌아다닌다. The interior of the reflected compensation light by an internal surface 482 of window 478, through the recess 1542 in the window fixture (1538), through a port of the fiber fixture (1546), fiber optic cable assembly 504 to the surface 508, stray also carries a spectrometer assembly 506. 보정수행이 상기 배열을 사용하여 진행되는 특별한 경우는 도40-48의 보정 모듈(562)에 관하여처리된다. Particular when the correction is performed conducted using the array are also processed with respect to the correction module (562) of 40-48.

플라스마 감시 어셈블리 700 - 도37-39 Plasma monitoring assembly 700 also 37-39

보정모듈(562)(도32)에 제공되고, 윈도우 내부표면에 의하여 반사된 보정광부분과 윈도우의 외부표면에 의해 반사된 보정광 부분이 간섭할 가능성을 역시 감소시킬 수 있는 플라스마 감시 어셈블리의 또다른 실시예가 도37에 나타나 있다. Providing a correction module 562 (FIG. 32) and, in the plasma in the likelihood of the reflected compensation optical section by the window inner surface and the reflected compensation optical section by the outer surface of the window, the interference can be also reduced surveillance assembly also other embodiments are shown in Fig. 도31에 표기된 배치가 더욱 바람직하기는 하지만, 도31의 플라스마 감시 어셈블리(500) 대신에 이 실시에가 사용될 수도 있다. Even more preferably to a place indicated at 31, but may have to this embodiment it is used in place of the plasma monitoring assembly 500 of Figure 31. 도37의 플라스마 감시 어셈블리(700)는 일반적으로 PMcU 128'의 일부인 보정어셈블리(726)와 플라스마 감시 모듈(560)(도32 및 도37)을 포함한다. The plasma monitor assembly 700 of Figure 37 generally includes a correction part assembly 726 and the plasma monitor module 560 (Figs. 32 and 37) of PMcU 128 '. 스펙트로미터 어셈블리(712), ccD 배열(716), ?? Spectrometer assembly (712), ccD array 716, a ?? 보정광원(728)은 도31의 유사하게 식별된 구성요소라는 점에서 동일한 실시예이다. Correcting light source 728 is the same embodiment in that it is a component similar to the identification of 31. 결국, 도37의 플라스마 감시 어셈블리(700)은 도31의 플라스마 감시 어셈블리(500)과는 보정구성성분의 광학적 배열의 점에서 근본적으로 다르다. As a result, the plasma monitoring assembly 700 of Figure 37 is a plasma monitor assembly 500 of Figure 31 and differs essentially in that the optical arrangement of the correction composition.

보정 어셈블리(726)의 한가지 기능은 윈도우(38)의 내부표면(40)이 처리챔버(36)으로부터 방출되는 광선에서 영향을 받는다면 이를 결정하는 것이다. One feature of the calibration assembly 726 if the light beam is affected in the interior surface 40 of window 38 is released from the process chamber 36 to determine this. 보정 어셈블리(726) 또한 윈도우(38)의 외부표면(42)의 위치(presence)를 처리한다. Correction assembly 726 also processes the position (presence) of the outer surface 42 of the window 38. 도37-38 에서 나타나듯이, 처리챔버(36)상의 윈도우(38)은 평행하지 않게 배치되어 있는(도1과 6에 도시된대로) 내부표면(40) 및 외부표면(42)를 포함한다. Also includes a window 38 that is disposed non-parallel (as illustrated in Fig. 1 and 6) the inner surface 40 and outer surface 42 on as shown, the processing chamber 36 at 37-38. 외부표면에 의하여 반사되는 광이 보정모듈(562) 상에 영향을 미치는 것을 감소하기 위하여, 보정어셈블리(726)은 섬유광학케이블(704)를 사용하여 동작시보정광원(728)과 윈도우(38)을, 또 다른 섬유 케이블(708)는 동작시 윈도우(38)과 스펙트로미터 어셈블리(712)를 연결한다. In order to reduce the light that is reflected by the outer surface affects the phase correction module 562, the calibration assembly 726 is a fiber optic cable 704, the operation time signal jeonggwangwon 728 and the window 38 using and another fiber cable 708 is connected to the operation when the window 38 and the spectrometer assembly (712). 섬유광학케이블(704)는 보정광원(728)으로부터 수직보다는 각도가 있는 경우의 윈도우(38)의 외부표면(42)에 영향을 주도록 배치되며 섬유 광학 케이블(708)은 윈도우(38)의 내부표면(40)에 의해 반사되는 보정광 부분 뿐만아니라 윈도우(38)의 외부표면(42)에 의하여 반사되는 어떠한 광도 받을 수 있도록 배치된다. Fiber optic cable 704 is the inner surface of the are arranged to affect the outer surface 42 of the window 38 in the case where an angle rather than vertically from correcting light source (728) of fiber optic cable 708 is Windows 38 only correction light which is reflected by the part 40 as well is arranged so that any light intensity can be reflected by the outer surface 42 of the window 38. 이는 도38에 도시되어 있듯이, 축(732)는 보정광(728)로부터의 광의 방향을 나타내며, 윈도우(38)에 충돌함에 따라, 축(736)는 윈도우(38)의 외부표면(42)에 의하여 반사되는 보정광의 부분에 해당하며, 축(740)은 윈도우(38)의 내부표면(40)에 의하여 반사되는 보정광의 부분에 해당한다 (굴절은 보이지 않음). This, as is illustrated in Figure 38, the shaft 732, the shaft 736 has an outer surface 42 of the window 38, as indicate the direction of light from correcting light 728, it impinges on the window (38) corresponds to the correction by the light portion which is reflected, the axis 740 corresponds to the calibration portion of light which is reflected by the inner surface 40 of the window 38 (refraction is not shown).

한 실시예에서, 축(732)와 윈도우(38)의 외부표면(42)사이의 각 α는 약 10°에서 약70°의 범위에 있고, 축(740)과 윈도우(38)의 내부표면(40)과의 사이의 각θ는 약 10°에서 약 70°의 범위에 있으며, 축(736, 740)은 약2mm부터 약20mm의 양에서 상쇄된다. The inner surface of the one embodiment, the shaft 732 and each of α between the outer surface 42 of the window 38, and at about 10 ° in the range of about 70 °, the axis 740, and the window 38 ( 40) each of θ is from about 10 ° in the range of about 70 °, the axis (736, 740 between the) is from about 2mm is offset in the amount of about 20mm.

윈도우(38)의 내부표면(400), 윈도우(38)의 외부표면(42) 및 섬유광학케이블(704)의 상기 언급한 바와 같은 상대적 위치는 윈도우(38)의 외부표면(42)에 의하여 반사된 보정광의 부분이 반사되는 경우 섬유광학케이블(708)을 입력하지 못하도록 만드는 효과를 갖는다. By an inner surface 400, an outer surface of the window 38, 42 and the outer surface of the fiber optic cable 704. The relative position is the window 38, as mentioned above in (42) of the window (38) reflection If the correction light portion which is reflected has the effect of making the input to prevent the fiber optic cable 708. 따라서, 보정광이 보정광원(728)로부터 섬유광학케이블(704)를 통하여 윈도우(38)로 보내질 경우, 섬유광학케이블(708)이 "보는" 광의 의미있는 부분은 윈도우(38)의 외부 표면(42)으로부터 반사되는 광이아니라 윈도우(38)의 내부표면(40)으로부터 반사되는 광이다. Thus, the correction when the light is sent to the window 38 via the fiber optic cable 704 from the compensation light source 728, the outer surface of the light means part of "viewing" of fiber optic cable 708 is Windows 38 ( 42) the light reflected from not the light reflected from the inner surface 40 of the window 38. 윈도우(38)의 내부표면(42)는 처리챔버(36)내에서 플라스마 처리를 수행함에 의하여 영향을 받으며, 윈도우(38)을 통하여 처리챔버(36)로부터 방출되는 광에 영향을 미친다. The inner surface of the window (38) (42) affects the light emitted from the treatment chamber 36 through, the window (38) is influenced by the performance of plasma processing in the processing chamber 36. 따라서, 윈도우 감시 어셈블리(700)에 의한 보정실행 중 스펙트로미터 어셈블리(712)에 의하여 받은 광은 윈도우(36)의 내부표면(40)의 조건의 정확한 묘사를 나태낸다. Therefore, correction of the execution by the monitoring window assembly 700, the light received by the spectrometer assembly 712 produces sloth an accurate description of the condition of the inner surface 40 of the window 36. 또한 적어도 보정광이 외부표면(42)에 영향을 주는 영역에서, 윈도우(38)의 외부표면(42)상에 넓은 밴드의 반사방지막(예를 들면, 다층구조 또는 적층구조의)을 결합시킴에 의하여 도37에 나타난 배치의 보강이 이루어질 수도 있다. In addition to at least Sikkim correction light is coupled to the area that affects the outer surface 42, a window 38, an outer surface (42) anti-reflection film of a wide band on a (e. G., A multi-layer structure or a lamination structure) of by reinforcement it may be made of the arrangement shown in Fig. 이러한 형태의 막은 외부표면(42)에 의하여 반사되는 보정광의 양을 감소시켜, 윈도우(38)의 외부표면(42)을 통하여 내부표면(40)까지 가는 보정광의 양을 증가시킨다. By reducing the correction amount of light that is reflected by the outer surface 42 membranes of this type, the inner surface 40 increases the correction amount of light going through to the external surface 42 of the window 38. 실제로, 도31에 나타난 실시예는 상기 언급된 막이 윈도우(38)에 포함된 실시예 도37에 나타난 형태의 윈도우와 함께 또한 내부표면(40)과 외부표면(42) 모두에 대하여 적어도 본질적으로는 수직인 각을 형성하기 위하여 윈도우(38)에 대하여 투영되는 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 말단과 함께 사용될 수 있다. In fact, FIG embodiment shown in 31, for example, is the above-mentioned film with the shape of the window shown in the embodiment 37 includes a window (38) also has at least essentially to both the inside surface 40 and outside surface 42 to form a vertical angle it may be used with the ends of the fiber optic cable assembly 504 to be projected with respect to the window (38). 이러한 배열은, 윈도우(38)의 외부표면(42)에서의 반사방지막의 존재에도 불구하고, 보정광의 일부분이 이러한 편차에서 (보이지 않음) 섬유광학케이블 어셈블리(504)의 내부케이블(508)에 대하여 여전히 역반사될 것이므로 바람직하지 않다. Such an arrangement, with respect to the inner cable 508 of the window in spite of the presence of the anti-reflection film on the outer surface 42 of 38 and the correction light a portion (not shown) in this variation of fiber optic cable assemblies 504 because it will be reflected stations still undesirable. 이에 따라 다시 내부케이블(508)쪽으로 윈도우(38)의 내부표면(40)에 의하여 반사되는 보정광의 부분이 약간 간섭을 일으킬 것이다. This is again an internal cable 508 toward the correction light which is reflected by the inner surface 40 of the window 38 will cause some interference according.

도37의 실시예와 더불어, 챔버(36)상의 윈도우(38), 섬유광학케이블(708),섬유광학케이블(704)의 사이에 적절한 상대적 위치를 유지하는 것은 보정 모듈(562)뿐만 아니라 현재의 플라스마 처리모듈(250)의 동작을 위해서도 중요하다. In addition to the embodiment of Figure 37, as well as the window 38, the fiber optic cable 708, maintaining the proper relative position between the fiber optics cable 704, calibration module 562 on the chamber 36 of the present it is important for the operation of the plasma processing module 250. 상기한 결합 중 한 방법을 고정물 어셈블리(1564)의 형태로 도39에 나타내었다. In the form of a method of the aforementioned fixture coupling assembly 1564 shown in Figure 39. 고정물 어셈블리(1564)는 윈도우(38)을 안전하게 유지시키는 윈도우 고정물(1568)을 포함하고, 이를 처리챔버(36)과 연결하도록 허용한다(예를 들면, 하나 이상의 나사 조임장치를 통하여). Fixture assembly 1564 is allowed to connect and window fixtures (1568) and the process chamber 36, it includes a safe to maintain the window 38 (for example, through at least one screw-down device). 윈도우(38)의 외부표면(42)과 연결부와 윈도우 고정물(1568)의 내부 부분내에 캐비티 또는 리세스(1572)가 존재한다. A cavity or recess 1572 within the inner portion of the outer surface 42 and the connection parts and window fixtures (1568) of the window (38) is present.

고정물 어셈블리(1564)는 또한 윈도우 고정물(1568)(예를 들면, 하나 또는 그 이상의 나사조임장치)과 적절히 연결되는 섬유 고정물(1576)을 포함한다. The fixture assembly (1564) is also the window fixture (1568) (e. G., One or more threaded fastening device) and the fiber fixture (1576) is properly connected. 윈도우고정물(1568)에서의 리세스(1572)는 섬유고정물(1576)의 후면부분과 윈도우의 외부표면(42)를 통하여 배열된 조건에서 밀폐된 공간이다. The recess 1572 of the fixture on the window 1568 is in a closed condition from the array through the fiber fixture (1576), the rear portion and the outer surface 42 of the window of the space. 섬유광학케이블(704, 708) 각각은 섬유고정물(1576)과 제거가능하도록 연결되어 있다. Fiber optic cable (704, 708) each of which is connected removably to the fiber fixture (1576). 섬유고정물(1576)에서의 섬유고정물 결합(1580b)는 보정광원(704)으로부터 섬유광학케이블(704)과의 적절한 연결을 만들기 위하여 알맞은 방향으로 놓여져 있는 반면, 섬유고정물(1576)상의 섬유고정물 결합(1580a) 스펙트로미터 어셈블리(712)로 이끄는 섬유광학케이블(708)과의 적절한 연결을 만들기 위하여 알맞은 방향으로 배치된다. Fiber fixture coupled on the other hand, in fiber fixture combination of the fiber fixture (1576) (1580b) is placed in the proper direction to make the appropriate connection to the fiber optic cable 704 from the compensation light source 704, the fiber fixture (1576) ( 1580a) are arranged in a proper direction to make the appropriate connection to the spectrometer that leads to the assembly 712 of fiber optic cable 708. 섬유광학케이블(704, 708)의 말단부는 각각 포트(1584a 및 1584b)와 수직의 배치에서, 적절한 각으로 윈도우(38)의 외부표면(42)에 대하여 투사한다. The distal end of the fiber optic cable (704, 708) are projected to the outside surface 42 of the window 38, the right angle at each port (1584a and 1584b) and arranged in a vertical. 포트(1584a 및 1584b) 각각은 섬유고정물(1576)을 통하여 확장되어 윈도우고정물(1568)에서의 리세스를 절단한다. Ports (1584a and 1584b), each of which extends through the fiber fixture (1576) to cut a recess in the window fixture (1568). 따라서, 보정광원(728)로부터의 보정광은 섬유광학케이블(704)를 통하여, 섬유고정물(1576)에서의 포트를 통하여, 윈도우고정물(1584b)에 있는 포트를 통하여, 윈도우(478)의 외부표면(42)으로 직진한다. Thus, the outer surface of the correcting light source 728, the correction light optical fiber cable through 704, the fiber fixture, through the port in 1576, the window fixtures, windows (478) through a port in the (1584b) from the straight to 42. the 윈도우(38)의 내부표면(40)