KR20040006416A - Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell - Google Patents

Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A method for trimming a reference voltage of a flash memory cell and a trimming apparatus thereof are provided to generate a desired voltage level with a chip itself without a program of an additional equipment by determining a trim bit according to a reference voltage level in the flash memory cell. CONSTITUTION: According to the method, the first voltage(VCCREF) is generated. The first voltage is compared with the second voltage(VREF), and then an analog signal(VOUT) as much as the difference of voltage is output. States of trim bits are determined according to the above analog signal. And the third voltage in the same level as the first voltage level is generated by programming trim bit or a flash cell according to the state of the determined trim bits.

Description

플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치{Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell}Method of trimming reference voltage of a flash memory cell and apparatus of trimming reference voltage of a flash memory cell}
본 발명은 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치에 관한것으로, 특히 아날로그 바이어스(Analog Bias)의 레벨(Level)을 보정하기 위한 트리밍 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for trimming a reference voltage of a flash memory cell and a trimming device, and more particularly to a trimming method for correcting a level of analog bias.
일반적인 플래시 메모리의 소거나 프로그래밍 시에 사용되는 내부전압은 기준전압을 사용하여 그 값을 조정하게 된다. 기준전압은 온도, 외부 전원변동 및 공정 변동에 따라 변화되기 때문에 이를 조정하기 위하여 퓨즈(Fuse)를 이용한 트리밍 방법, 또는 비 휘발성 메모리를 이용한 트리밍 방법을 사용하여 변화된 기준전압을 트리밍 한다.The internal voltage used during programming or programming of a typical flash memory is adjusted using a reference voltage. Since the reference voltage changes according to temperature, external power variation, and process variation, the changed reference voltage is trimmed using a trimming method using a fuse or a trimming method using a nonvolatile memory.
도 1은 종래의 기술에 따른 트리밍 방법을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a trimming method according to the related art.
도 1을 참조하면, 트림비트 결정부(10)는 아날로그 바이어스인 기준전압(VREF)을 입력받는다. 입력 받은 아날로그 바이어스인 기준전압(VREF)의 레벨을 특정한 다음 측정한 전압 레벨에 따라 트림 비트들(trim<0>, trim<1>, trim<2>)을 조절하여 트리밍한다. 또한, 기준전압(VREF) 레벨이 프로그램(Program) 되어져야 하는 정보이면, 해당 플래시 셀을 프로그램 한 다음, 기준전압 레벨을 다시 측정한다. 재 측정한 기준전압 레벨이 목표로 하는 전압레벨이 아니면 모든 플래시 셀을 소거한 다음 다시 프로그램 하는 방식을 여러 번 반복 실시하여 기준전압 레벨이 목표로 하는 전압 레벨이 되도록 한다. 하지만, 상술한 트리밍 방법은 트리밍 하기 위한 프로그램이 복잡하고 많은 시간이 필요로 하는 단점이 있다.Referring to FIG. 1, the trim bit determiner 10 receives a reference voltage VREF, which is an analog bias. Trim the trim bits trim <0>, trim <1>, and trim <2> according to the next measured voltage level by specifying the level of the input analog bias reference voltage VREF. Also, if the reference voltage VREF level is information to be programmed, the corresponding flash cell is programmed, and the reference voltage level is measured again. If the re-measured reference voltage level is not the target voltage level, repeat the method of erasing and reprogramming all flash cells repeatedly so that the reference voltage level becomes the target voltage level. However, the trimming method described above has a disadvantage in that a program for trimming is complicated and takes a lot of time.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 플래시 메모리 셀 내의 기준전압 레벨에 따른 트림 비트를 결정하여 별도 장비의 프로그램 없이 칩 자체로 원하는 전압레벨을 생성할 수 있는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, in order to solve the above problem, the present invention determines a trim bit according to a reference voltage level in a flash memory cell to generate a desired voltage level using a chip itself without programming a separate device. And a trimming device.
도 1은 종래의 기술에 따른 트리밍 방법을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a trimming method according to the related art.
도 2는 본 발명에 따른 플래시 메모리 셀의 트리밍 방법을 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a trimming method of a flash memory cell according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 트림 비트 결정부110 : 기준전압 생성수단10: trim bit determiner 110: reference voltage generating means
120 : 기준전압 비교수단130 : AD 컨버팅 수단120: reference voltage comparison means 130: AD converting means
140 : 트림비트 프로그램수단140: trim bit program means
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 기준전압 생성수단에서 제 1 전압을 생성하는 단계와, 기준전압 비교수단에서 상기 제 1 전압과 제 2 전압을 비교하여 그 차만큼의 아날로그 신호를 출력하는 단계와, AD 컨버팅 수단에서 상기 아날로그 신호에 따라 트림 비트들의 상태를 결정하는 단계 및 상기 트림비트 프로그램 수단에서 상기 결정된 트림비트들의 상태에 따라 트림비트 또는 플래시 셀을 프로그램 하여 상기 제 1 전압 레벨과 동일한 레벨의 제 3 전압을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above technical problem is the step of generating a first voltage in the reference voltage generating means, and comparing the first voltage and the second voltage in the reference voltage comparing means and outputs the analog signal by the difference Determining a state of the trim bits in accordance with the analog signal in the AD converting means, and programming a trim bit or a flash cell in accordance with the state of the determined trim bits in the trim bit programming means to equal the first voltage level. A method and trimming apparatus for a reference voltage trimming of a flash memory cell, the method comprising generating a third voltage of a level.
또한, 비교 기준전압을 생성하는 기준전압 생성 수단과, 상기 비교 기준전압과 제 1 기준전압을 비교하여 그 차만큼의 아날로그 신호를 출력하는 기준전압 비교수단과, 상기 아날로그 신호에 따라 트림 비트들의 상태를 결정하는 AD 컨버팅 수단 및 상기 결정된 트림비트들의 상태에 따라 트림비트 또는 플래시 셀을 프로그램 하여 상기 비교 기준전압과 동일한 레벨의 제 2 기준전압을 생성하는 트림비트 프로그램 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 장치를 제공한다.In addition, reference voltage generation means for generating a comparison reference voltage, reference voltage comparison means for comparing the comparison reference voltage and the first reference voltage and output the analog signal by the difference, and the state of the trim bits in accordance with the analog signal AD converting means for determining a; and trim bit program means for programming a trim bit or a flash cell according to the determined state of the trim bits to generate a second reference voltage at the same level as the comparison reference voltage. A reference voltage trimming device of a memory cell is provided.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 2는 본 발명에 따른 플래시 메모리 셀의 트리밍 방법을 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a trimming method of a flash memory cell according to the present invention.
도 2를 참조하면, 플래시 메모리 셀의 트리밍 방법을 수행하기 위한 구성은 다음과 같다. 목표 기준전압 생성수단(110), 기준전압 비교수단(120), AD 컨버팅 수단(130) 및 트림 비트 프로그램수단(140)을 포함하여 이루어진다.Referring to FIG. 2, a configuration for performing a trimming method of a flash memory cell is as follows. It comprises a target reference voltage generating means 110, reference voltage comparing means 120, AD converting means 130 and trim bit programming means 140.
기준전압 생성수단(110)은 칩(Chip) 내부(플래시 메모리 소자)에서 사용하는 전원전압(VCC)을 전압 분배 방법을 이용하여 목표로 하는 비교 기준전압(VCCREF)을 생성하여 이를 기준전압 비교 수단(120)의 일입력으로 전송한다. 구체적으로, 기준전압 생성수단(110)은 반도체 소자의 스펙(Spec)에서 제시하는 표준 전원전압을 사용하고, 이 전원전압(VCC)을 저항 분배 방식을 이용하여 비교 기준전압(VCCREF)을 생성한다. 이때 기준전압 생성수단(110)을 구성하는 회로들은 공정 및 소자의 매개변수에 둔감하게 설계하여 비교 기준전압(VCCREF)의 변동이 거의 없게 한다.The reference voltage generating means 110 generates a reference voltage VCCREF that targets the power supply voltage VCC used in the chip (flash memory device) using a voltage distribution method, and generates the reference voltage comparison means. Transmit to one input of 120. Specifically, the reference voltage generating unit 110 uses the standard power supply voltage presented in the specification of the semiconductor device, and generates the comparison reference voltage VCCREF using the resistance distribution method. . At this time, the circuits constituting the reference voltage generating means 110 are designed to be insensitive to the process and device parameters so that the variation of the reference voltage VCCREF is almost unchanged.
기준전압 비교수단(120)는 비교 기준전압(VCCREF)과 플래시 메모리 셀 내에서 사용되는 기준전압(VREF)의 레벨을 비교하여 그 결과를 AD 컨버팅 수단(130)에 전송한다. 즉, 칩 내부에서 사용되는 기준전압(VREF)과 비교하기 위해 내부 전원전압(VCC)을 이용하여 비교 기준전압(VCCREF)을 생성 이를 칩 내부의 기준전압(VREF)과 비교한다. 기준전압(VREF)이 비교 기준전압(VCCREF)에 비하여 높은 전압레벨이거나, 낮은 전압레벨이면 이를 비교 기준전압(VCCREF)과 동일한 전압으로 상승하거나 하강하기 위한 신호(VOUT)를 전송한다. 기준전압 비교수단(120)에서 출력되는 신호는 비교 기준전압(VCCREF)과 기준전압(VREF)의 차만큼의 전압인 아날로그 신호(Analog Signal; VOUT)이다.The reference voltage comparing means 120 compares the reference voltage VCCREF with the level of the reference voltage VREF used in the flash memory cell and transmits the result to the AD converting means 130. That is, to compare with the reference voltage VREF used inside the chip, the comparison reference voltage VCCREF is generated using the internal power supply voltage VCC and compared with the reference voltage VREF inside the chip. If the reference voltage VREF is higher or lower than the comparison reference voltage VCCREF, the signal VOUT is transmitted to raise or lower the voltage to the same voltage as the comparison reference voltage VCCREF. The signal output from the reference voltage comparing means 120 is an analog signal VOUT which is a voltage equal to the difference between the reference voltage VCCREF and the reference voltage VREF.
AD 컨버팅 수단(130)은 기준전압 비교수단(120)의 출력인 아날로그 신호(VOUT)의 레벨에 따라 트림의 상태를 결정하게 된다. 즉, 비교 기준전압(VCCREF)과 기준전압(VREF)의 차만큼의 전압에 따라 다수의 트림 비트(trim<0>, trim<1>,‥‥,trim<n-1>, trim<n>)의 상태가 결정(디지털화)되게 된다. 즉, 종래의 트림비트의 상태가 외부에서 입력된 것에 비하여, 별도의 장비를 통한 프로그램이 없어도 칩 자체적으로 기준전압을 조절하기 위한 트림비트를 생성한다.The AD converting means 130 determines the state of the trim according to the level of the analog signal VOUT, which is the output of the reference voltage comparing means 120. That is, the plurality of trim bits trim <0>, trim <1>, ..., trim <n-1>, and trim <n> according to a voltage equal to the difference between the reference voltage VCCREF and the reference voltage VREF. ) State is determined (digitized). That is, compared to the state of the conventional trim bit input from the outside, it generates the trim bit for adjusting the reference voltage by the chip itself even without a program through a separate equipment.
트림 비트 프로그램수단(140)은 AD 컨버팅 수단(130)에 의해 결정된 트림의 상태에 의해서 기준전압(VREF)을 조정하여 목표로 하는 기준전압(VREF)을 결정한다. 구체적으로, 기준전압 비교수단(120)의 출력(VOUT)에 의해 비교된 신호가 일치하지 않으면, AD 컨버팅 수단(130)에 의해 결정된 트림 비트 셀의 상태에 따라 트림 비트를 프로그램 하여, 기준전압 레벨이 원하는 레벨이 되도록 결정한다. 또는데이터를 래치하거나, 플래시 메모리 셀을 프로그램하여 기준전압 레벨을 생성한다.The trim bit program unit 140 adjusts the reference voltage VREF according to the state of the trim determined by the AD converting means 130 to determine the target reference voltage VREF. Specifically, if the signal compared by the output (VOUT) of the reference voltage comparison means 120 does not match, by programming the trim bit according to the state of the trim bit cell determined by the AD converting means 130, the reference voltage level Determine this to be the desired level. Or latch data or program a flash memory cell to generate a reference voltage level.
이를 순차적으로 설명하면, 기준전압 생성수단(110)에서 내부전원전압을 이용하여 비교 기준전압(VCCREF)을 생성한다. 기준전압 비교수단(120)에서 비교 기준전압(VCCREF)과 초기 소자 바이어스 기준전압(VREF)을 비교한다. AD 컨버팅 수단(130)에서 비교된 결과에 따라 트림 비트 프로그램 정보를 생성한다. 트림비트 프로그램 수단(140)에서 트림 비트 프로그램 정보를 바탕으로 트림비트 또는 플래시 메모리 셀을 프로그램하여 비교기준전압(VCCREF)과 소자 바이어스 기준전압(VREF)을 동일한 레벨로 설정한다.In order to explain this sequentially, the reference voltage generating unit 110 generates the comparison reference voltage VCCREF using the internal power supply voltage. The reference voltage comparing means 120 compares the comparison reference voltage VCCREF with the initial device bias reference voltage VREF. The trim bit program information is generated according to the result of comparison in the AD converting means 130. The trim bit program unit 140 sets the comparison reference voltage VCCREF and the device bias reference voltage VREF to the same level by programming the trim bit or the flash memory cell based on the trim bit program information.
상술한 바와 같이, 본 발명은 아날로그 전압을 트림하기 위한 테스트 장비의 프로그램이 간단해 지고, 테스트 시간을 줄임으로써, 생산 단가를 줄일 수 있다.As described above, the present invention simplifies the programming of test equipment for trimming the analog voltage, and reduces the production time by reducing the test time.
또한, 별도의 프로그램 장비 없이 칩 자체적으로 원하는 레벨의 기준전압을 생성할 수 있다.In addition, the chip itself can generate a desired level of reference voltage without any additional programming equipment.

Claims (4)

  1. 제 1 전압을 생성하는 단계;Generating a first voltage;
    상기 제 1 전압과 제 2 전압을 비교하여 그 차만큼의 아날로그 신호를 출력하는 단계;Comparing the first voltage with a second voltage and outputting an analog signal corresponding to the difference;
    상기 아날로그 신호에 따라 트림 비트들의 상태를 결정하는 단계; 및Determining a state of trim bits according to the analog signal; And
    상기 결정된 트림비트들의 상태에 따라 트림비트 또는 플래시 셀을 프로그램 하여 상기 제 1 전압 레벨과 동일한 레벨의 제 3 전압을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치.And generating a third voltage having the same level as the first voltage level by programming a trim bit or a flash cell according to the determined states of the trim bits. .
  2. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 제 1 전압은 플래시 소자 내부의 전원전압을 저항 분배 방식을 이용하여 생성된 목표로 하는 기준전압인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치.The first voltage is a reference voltage trimming method and a trimming device of a flash memory cell, characterized in that the target voltage generated by the power supply voltage inside the flash element using a resistance distribution scheme.
  3. 비교 기준전압을 생성하는 기준전압 생성 수단;Reference voltage generating means for generating a comparison reference voltage;
    상기 비교 기준전압과 제 1 기준전압을 비교하여 그 차만큼의 아날로그 신호를 출력하는 기준전압 비교수단;Reference voltage comparing means for comparing the comparison reference voltage with a first reference voltage and outputting an analog signal corresponding to the difference;
    상기 아날로그 신호에 따라 트림 비트들의 상태를 결정하는 AD 컨버팅 수단; 및AD converting means for determining a state of trim bits according to the analog signal; And
    상기 결정된 트림비트들의 상태에 따라 트림비트 또는 플래시 셀을 프로그램 하여 상기 비교 기준전압과 동일한 레벨의 제 2 기준전압을 생성하는 트림비트 프로그램 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 장치.And trim bit program means for programming a trim bit or a flash cell according to the determined states of the trim bits to generate a second reference voltage having the same level as the comparison reference voltage. .
  4. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein
    상기 비교 기준전압은 플래시 소자 내부의 전원전압을 저항 분배 방식을 이용하여 생성된 목표로 하는 기준전압인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 셀의 기준전압 트리밍 방법 및 트리밍 장치.The reference voltage is a reference voltage trimming method and a trimming apparatus of a flash memory cell, characterized in that the target voltage generated by the power supply voltage inside the flash element using a resistance distribution scheme.
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