KR20030084958A - 고반복율 엑시머 레이저 시스템 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 UV 파장 193㎚ 출력을 발생시키기 위한 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템에 관한 것이다. 상기 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템은 ≥4kHz의 펄스 반복율로 193㎚ 방전을 발생시키기 위한 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버를 포함한다. 상기 ≥4kHz의 펄스 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버는 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 193㎚ 출력으로서 상기 193㎚ 방전을 출력하기 위한 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는다.
Description
발명의 요약
본 발명은 레이저에 의해 제조된 UV λ광자의 투과 및 조절을 위한 마그네슘 플루오라이드 레이저 광학을 갖는 고반복율(반복율 ≥4kHz) 플루오라이드 엑시머 레이저를 포함한다. 상기 마그네슘 플루오라이드 고반복율 UV 엑시머 레이저 광학은 ≥4kHz의 고반복율 레이저 시스템의 작동에 있어서 개선된 신뢰도를 제공한다. 상기 마그네슘 플루오라이드 함유 고반복율 레이저는 장시간의 레이저 시스템 작동시간(> 5억 펄스, 바람직하게 ≥9억 펄스)동안 고반복율(≥4kHz)에서 고레이저 파워(≥10mJ) 출력을 발생시키기 위해 제공되며, 상기 레이저는 레이저 광학의 심각한 손상 및 관련된 레이저 시스템의 심각한 저하를 방지하는 마그네슘 플루오라이드 레이저 광학의 신뢰도를 갖는다. 바람직한 실시예에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 레이저 광학은 4kHz 반복율과 10mJ의 출력 파워를 갖는 UV λ<200nm ArF 엑시머 레이저에서 이용된다.
반도체 칩의 제조는 광원으로서 엑시머 레이저를 사용할 수 있게 한다. 제1 엑시머 레이저로서 ∼248nm 파장을 갖는 크립톤 플루오라이드 레이저가 사용된다. 상기 반도체 칩 기술이 발달함에 따라, 더 높은 에너지 및 반복율이 요구되어진다. 그러한 엑시머 레이저 중 하나는 ∼193nm에서 방출하는 아르곤 플루오라이드가 알려져 있다. 다양한 적용을 위해 4kHz의 반복율을 갖는 이러한 레이저를 갖는 것이 바람직하다. 크립톤 플루오라이드 및 아르곤 플루오라이드 레이저 모두에 있어서, 윈도우, 빔분할기(beamsplitter), 출력 연결기 및 선이 좁은 프리즘을 위한 바람직한 광학 물질은 칼슘 플루오라이드이었다. 4kHz와 같은 고반복율에서 칼슘 플루오라이드 챔버 윈도우는 비교적 단시간 규모(4kHz에 대해 5억펄스 미만, 10mJ의 출력 파워를 갖는 193nm ArF 레이저)에서 크게 손상된다. 윈도우에서의 손상은 심각한 결함이 될 수 있지만, 도파관의 뒤틀림과 증가된 복굴절은 최소화시킨다.
윈도우의 교체는 레이저 작동 비용의 증가 및 이로 인한 상기 칩 제조 소유권에 대한 비용 증가를 초래한다.
칼슘 플루오라이드는 스펙트럼의 VUV, UV, 자외선 및 적외선 부분에서 우수한 투과를 갖는 광학적으로 등방성의 입방 물질이다. 칼슘 플루오라이드가 193nm 레이저 광으로 조명될 때, 상기 물질은 근접 UV에서 광자를 방출한다. 변화에서 관찰된 형광은 에너지가 흡수됨을 의미한다. 칼슘 플루오라이드의 대역 격차는 다중-광자 흡수 처리가 있는 것으로 추측되는 상기 레이저 광자의 에너지 보다 훨씬 더 크다. 다중-광자 흡수에 의해 생성된 센터는 광자를 더욱 흡수할 수 있고, 이는 가열 및 그로 인한 물질 분해를 유도할 수 있다. 만약 흡수 센터의 수명이 4kHz에서 보다 충분히 길다면, 가열은 낮은 반복율에서 발생하여 관찰되지 않을 수 있다.
마그네슘 플루오라이드는 정방 물질이며 따라서 광학 이방성이다. 이는 제조공정 내에서 편광이 중요하기 때문에 리소그래픽 레이저용 물질로서 바람직하지 않다. 마그네슘 플루오라이드는 더 광범위한 대역 격차 및 자가 트랩 여기자 방출을 위한 낮은 소멸 온도를 갖는다.
본 발명은 UV 파장 193㎚을 출력하기 위한 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템을 포함한다. 상기 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템은 ≥4kHz의 펄스 반복율로 193㎚ 방전을 발생시키기 위한 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버를 포함한다. 상기 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버는 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 193㎚ 출력으로서 상기 193㎚ 방전을 출력하기 위한 적어도 하나의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 갖고, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는다.
본 발명은 UV 파장 λ<200㎚ 출력을 발생시키기 위한 ≥4kHz의 반복율 엑시머 레이저 시스템을 포함한다. 상기 ≥4kHz의 반복율 엑시머 레이저 시스템은 ≥4kHz의 펄스 반복율로 UV 파장 λ<200㎚ 방전을 발생시키기 위한 엑시머 레이저 챔버를 포함한다. 상기 엑시머 레이저 챔버는 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 λ<200㎚ 출력으로서 상기 λ<200㎚ 방전을 발생시키기 위한 적어도 하나의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 갖고, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율 및 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는다.
본 발명은 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 UV 파장 λ<200㎚ 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 결정 광학을 포함한다. 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 결정은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 갖으며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는다.
본 발명은 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 UV 파장 λ<200㎚ 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드결정 광학 윈도우를 포함한다. 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학 윈도우는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율 및 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함한다.
본 발명은 UV 파장 193㎚ 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 ≥4kHz 반복율 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학을 포함하며, 상기 레이저 결정 광학은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 갖고 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 갖는다.
본 발명은 UV 파장 λ<200㎚를 투과시키기 위한 λ<200㎚ 광학 플루오라이드 결정을 포함하며, 상기 λ<200㎚ 광학 플루오라이드 결정은 마그테슘 플루오라이드를 포함하고, 상기 마그네슘 플루오라이드는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖고, 0.17중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량, 0.08중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량, 0.04중량ppm 구리 미만의 구리 오염량, 0.04중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량, 0.9중량ppm Al 미만의 Al 오염량, 0.04중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량, 0.04중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량 및 0.04중량ppm 납 미만의 납 오염량을 가지며, < 0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는다. 바람직하게 상기 Fe 오염량은 0.15중량ppm Fe 미만이고, 상기 크롬 오염량은 0.06중량ppm 크롬 미만이며, 상기 구리 오염량은 0.02중량ppm 구리 미만이고, 상기 코발트 오염량은 0.02중량ppm 코발트 미만이며, 상기 Al 오염량은 0.7중량ppm Al 미만이고, 상기 니켈 오염량은 0.02중량ppm 니켈 미만이며, 상기 바나듐 오염량은 0.02중량ppm 바나듐 미만이고, 상기 납 오염량은 0.02중량ppm 납 미만이다.
본 발명은 UV 파장 193㎚ 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 ≥4kHz 반복율 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정을 포함하며, 상기 레이저 결정은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 갖고, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 가지며, 0.17중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량, 0.08중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량, 0.04중량ppm 구리 미만의 구리 오염량, 0.04중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량, 0.9중량ppm Al 미만의 Al 오염량, 0.04중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량, 0.04중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량 및 0.04중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 Fe 오염량은 0.15중량ppm Fe 미만이고, 상기 크롬 오염량은 0.06중량ppm 크롬 미만이며, 상기 구리 오염량은 0.02중량ppm 구리 미만이고, 상기 코발트 오염량은 0.02중량ppm 코발트 미만이며, 상기 Al 오염량은 0.7중량ppm Al 미만이고, 상기 니켈 오염량은 0.02중량ppm 니켈 미만이며, 상기 바나듐 오염량은 0.02중량ppm 바나듐 미만이고, 상기 납 오염량은 0.02중량ppm 납 미만이다.
본 발명은 4kHz 리소그래픽에서의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학, ∼193nm(센터가 약 193nm임) 엑시머 레이저를 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 마그네슘 플루오라이드의 고유의 복굴절의 영향을 최소화시키기 위해 적절히 배치된다. 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 과학 4kHz 리소그래픽 193nm 엑시머 레이저는 좀 더 긴 수명과 레이저의 소유권 비용을 감소시키기 위한 개선된 광학 성능을 제공한다. 도 1은 본 발명에 따른 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20) 및 마그네슘 플루오라이드, 결정 선 감소 모듈 빔 확장 프리즘(30)을 갖는 리소그라피 엑시머 레이저 시스템을 나타낸다. 도 2는 본 발명에 따른 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)를 갖는 엑시머 레이저 챔버를 나타낸다.
본 발명의 부가적인 특징 및 이점은 하기 상세한 설명에서 기술될 것이며, 부분적으로는 당업자에게 이러한 설명으로부터 용이하게 명백해지거나 또는 첨부된 도면 뿐 아니라 상세한 설명 및 다음의 청구항에서 기술된 바와 같이 본 발명을 실시함으로써 용이하게 인식될 것이다.
전술한 일반적 설명 및 하기 상세한 설명은 모두 단지 본 발명을 예시적으로 설명하기 위함이며, 청구된 본 발명의 특징 및 성격을 이해하기 위한 개관 내지 틀을 제공하기 위함이라는 점이 주지되어야 한다.
첨부된 도면은 본 발명의 더 나은 이해를 제공하기 위함이며, 본 명세서의 일부분을 구성하여 포함된다. 상기 도면은 본 발명의 원리 및 작동을 설명하기 위한 설명과 함께 본 발명의 다양한 실시예를 설명한다.
본 출원은 엠. 펠(M. Pell), 씨. 엠. 스미스(C. M. Smith), 알. 더블유. 스페로우(R. W. Sparrow) 및 피. 엠. 덴(P. M. Then)에 의해 고반복율 엑시머 레이저 시스템의 명칭으로 2002년 2월 13일자에 출원된 대리인 관리번호 SP02-030P의 미국 가출원을 우선권 주장하며, 이를 참조문헌으로 포함한다.
또한, 알. 더블유. 스페로우에 의해 고반복율 UV 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 광학의 명칭으로 2001년 3월 2일자에 출원된 미국 가출원 제60/272,814호를 우선권 주장하며, 이를 참조문헌으로 포함한다.
또한, 에스. 엘. 그레이(S. L. Gray), 엠. 펠, 씨. 엠. 스미스,알. 더블유. 스페로우 및 피. 엠. 덴에 의해 고반복율 엑시머 레이저 결정 광학 및 <200nm의 투과 광학 플루오라이드 결정의 제조방법의 명칭으로 출원된, 대리인 관리번호 SP01-033B호인 공동-PCT출원을 우선권 주장하며, 이를 참조문헌으로 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예를 나타낸 도면이다.
도 3는 본 발명의 실시예를 나타낸 도면이다.
도 4∼8은 본 발명에 따른 마그네슘 플루오라이드 결정의 VUV/UV 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
본 발명은 UV 파장 193nm 출력 발생용 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템을 포함한다. 상기 고 반복율 아르곤 플루오라이드(ArF) 레이저 시스템은 적어도 4킬로헤르츠의 반복율에서 발생된 193nm 광자 펄스를 투과하고 조절하기 위해 적어도 하나의 고품질 마그네슘 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학을 사용한다. 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 아르곤 플루오라이드 레이저 시스템은 5억만 펄스 이상의 장기 레이저 시스템 작동 시간동안 고 반복율(≥4kHz)에서 고 레이저 파워(≥10mJ) 출력을 발생하기 위해서 고 반복율 193nm 펄스에 의한 손상에 저항력이 있는 마그네슘 플루오라이드 결정 광학을 제공한다. 상기 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템은 ≥4kHz 인 펄스 반복율에서 193nm 방전 발생을 위한 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버를 포함한다. 상기 엑시머 레이저 챔버는 200Hz의 반복율에서 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 비노출 42mm 결정 120nm 측정 투과율을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 가지는 ≥4kHz 반복율 엑시머 레이저 193nm 출력으로서 193nm 방전을 출력하기 위한 적어도 하나의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 포함한다. 상기 적어도 30%의 비노출 42mm 결정 120nm 측정 투과율은 193nm 엑시머 레이저 광 펄스에 노출되기 전 마그네슘 플루오라이드 결정의 120nm 측정 투과율이다. 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 120nm 측정 투과율을 가지며 제1 광학 표면상에 충돌하고 42mm 길이의 결정을 통해 전도된 적어도 30%의 120nm 광은 제2 역 광학 표면을 통해 투과된다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학의 42mm 결정 120nm 측정 투과율은 적어도 35%, 보다 바람직하게 적어도 40% 및 가장 바람직하게는 적어도 45%이다. ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템의 일 실시예를 도 1∼2에 나타내었다.
도 1에서, 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버(22)는 적어도 4kHz의 반복율에서 레이저 챔버(22)에서 발생된 193nm 방전을 출력하기 위한 두개의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)를 포함한다. 상기 엑시머 레이저 챔버(22)는 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)를 통해 출력된 ≥4kHz 반복율 엑시머 레이저 193nm 출력(24)을 발생한다. 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)는 ≥40mJ/㎠/펄스 플루엔스에서 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 때 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광을 갖는다. 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)는 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는다. 도 2에서, 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버(22)는 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율 및 적어도 40mJ/㎠/펄스 플루엔스에서 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 때 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광을 갖는 두개의 역 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)를 포함한다. 도 3에서, 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버(22)는 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율 및 적어도 40mJ/㎠/펄스 플루엔스에서 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 때 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광을 갖는 두개의 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)를 포함한다.
바람직하게, 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.15중량ppm 미만의 Fe 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.06중량ppm 미만의 크롬 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.02중량ppm 미만의 구리 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.02중량ppm 미만의 코발트 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.7중량ppm 미만의 Al 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.02중량ppm 미만의 니켈 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.02중량ppm 미만의 바나듐 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 낮은 오염량을 갖는 고 순도이며 c 축 방향 시드(seed) 결정상에 성장한 마그네슘 플루오라이드 결정인 c 축 성장 마그네슘 플루오라이드 결정학적 방향을 갖는다. 바람직하게 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 가지고 저 납 오염량을 가지며, 내부 투과 흡광 측정은 적어도 1㎝의 벌크(bulk) 결정, 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 벌크 결정을 통해 수행하였다. 보다 바람직하게 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.0017㎝-1미만의 203 내지 207nm 범위 흡광 계수, 가장 바람직하게는 0.0017㎝-1미만의 205nm 흡광 계수를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 레이저 시스템은 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘을 포함한다. 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 상기 프리즘을 통해 투과되는 ≥4kHz 반복율 레이저 193nm 출력을 갖는 엑시머 레이저 챔버의 외부에 있다. 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는다. 바람직하게 상기 42mm 결정 120nm 투과율은 적어도 35%, 보다 바람직하게는 적어도 40%, 및 가장 바람직하게는 적어도 45%이다. 도 1은 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)를 통해 레이저 챔버(22)로부터 출력된 193nm 광자를 투과하고 조절하는 세개의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)에 대한 실시예를 나타낸다. 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는 ≥4kHz 반복율 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 결정 라인 감소 모듈 빔 증폭 프리즘이다. 바람직하게마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수, 보다 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수, 및 가장 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다. 바람직하게 ≥4kHz 반복율 엑시머 레이저 193nm 출력을 마그네슘 플루오라이드 결정 c 축에 실질적으로 평행한 193nm 광선을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘의 c 축에 실질적으로 평행한 프리즘(30)을 통해 투과된다. 바랍직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)은 c 축 방향 시드 결정상에 성장한 마그네슘 플루오라이드 결정을 갖는 c 축 성장 마그네슘 플루오라이드 결정학적 방향을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)은 0.15중량ppm 미만의 Fe, 0.06중량ppm 미만의 크롬, 0.02중량ppm 미만의 구리, 0.02중량ppm 미만의 코발트, 0.7중량ppm 미만의 Al, 0.02중량ppm 미만의 니켈, 0.02중량ppm 미만의 바나듐, 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다.
바람직한 일 실시예에 있어서, 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)는 마그네슘 플루오라이드 결정의 c 축에 직각으로 배향된 균일한 평면 윈도우면을 갖는다. 도 1-2에 나타낸 바와 같이, 챔버 윈도우(20)의 균일한 평면 윈도우 면(26)는 마그네슘 플루오라이드 결정 c 축 결정학적 방향에 실질적으로 직각이며, 상기 결정 c 축에 실질적으로 평행한 출력 193nm 엑시머 레이저 광선을 갖는다. 다른 바람직한 일 실시예에 있어서, 마그네슘 플루오라이드 결정 레이저 챔버 윈도우(20)는 마그네슘 플루오라이드 결정의 c 축에 비직각(nonnormal)으로 방향된균일한 평면 윈도우 면을 갖는다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 챔버의 균일한 평면 윈도우 면(28)은 마그네슘 플루오라이드 결정 c 축 결정학적 방향에 비직각이고, 결정 c 축에 실질적으로 평행한 엑시머 레이저 챔버(22)로부터 출력된 출력 193nm 엑시머 레이저 광선을 갖는다. 좀 더 구체적으로 바람직한 일 실시예에 있어서, 상기 비직각으로 방향된 균일한 평면 윈도우 면(28)은 결정의 c 축에 대해 56°(56°±2°)의 각도를 형성한다.
본 발명은 UV 파장 λ< 200nm 출력 발생용 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템을 포함한다. 상기 UV 파장 λ< 200nm 출력 발생용 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템은 엑시머 레이저 챔버(22)를 포함한다. 상기 엑시머 레이저 챔버(22)는 ≥4kHz 펄스 반복율에서 UV 파장 λ< 200nm 방전(24)을 발생하고 ≥4kHz 반복율 엑시머 레이저 λ< 200nm 출력으로서 λ< 200nm 방전을 출력하기 위한 적어도 하나의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)를 포함한다. 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율 및 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는다. 바람직하게 상기 42mm 결정 120nm 투과율 결정은 적어도 35%, 및 보다 바람직하게는 적어도 40%이다. 바람직한 일 실시예에서 λ는 193nm 중심이다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 0.15중량ppm 미만의 Fe, 0.06중량ppm 미만의 크롬, 0.02중량ppm 미만의 구리, 0.02중량ppm 미만의 코발트, 0.7중량ppm 미만의 Al, 0.02중량ppm 미만의 니켈, 0.02중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수를 갖는다. 바람직하게 상기 203 내지 207nm 흡광 계수는 적어도 1㎝의 결정, 및 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 결정을 통해 측정된다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우(20)는 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다.
바람직하게 상기 UV 파장 λ< 200nm 출력 발생용 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템은 엑시머 레이저 챔버(22)로부터 외부에 마그네슘 결정 광학 프리즘(30)을 포함하며 상기 ≥4kHz 반복율 엑시머 레이저 λ< 200nm 출력은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는 프리즘(30)을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)을 통해 투과된다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)은 적어도 35% 및 보다 바람직하게 적어도 40%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는다. 바람직하게 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘(30)은 적어도 1㎝의 결정 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 결정을 통해 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는다. 바람직하게 상기 프리즘(30)은 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수 및 보다 바람직하게는 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다.
본 발명은 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 UV 파장 λ< 200nm 출력 투과용 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학을 포함한다. ≥4kHz 반복율 < 200 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함한다. 바람직하게 λ는 193nm 중심이다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 적어도 35%, 보다 바람직하게는 적어도 40% 및 가장 바람직하게는 적어도 45%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.15중량ppm 미만의 Fe 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.06중량ppm 미만의 크롬 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.02중량ppm 미만의 구리 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.02중량ppm 미만의 코발트 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.7중량ppm 미만의 Al 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.02중량ppm 미만의 니켈 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 0.02중량ppm 미만의 바나듐 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 결정 광학은 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다. 바람직하게 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학은 c 축 방향 시드 결정상에 성장한 마그네슘 플루오라이드 결정을 갖는 c 축 성장 마그네슘 플루오라이드 결정학적 방향을 갖는다. 일 실시예에 있어서, 상기 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 결정 광학은 결정 c 축에 실질적으로 평행한 출력 <200nm 광선을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정의 c 축에 직각으로 배향된 균일한 평면 윈도우 면을 갖는다. 다른 일 실시예에 있어서, ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 마그네슘 플루오라이드 결정 광학은 결정 c 축에 실질적으로 평행한 출력 < 200nm 광선을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정의 c 축에 비직각으로 배향된 균일한 평면을 갖는다. 바람직하게 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학 마그네슘 플루오라이드는 적어도 1㎝의 결정, 및 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 결정을 통해 측정된 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는다. 보다 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 ≥4kHz 반복율 레이저 광학은 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수, 및 보다 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다.
본 발명은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율 및 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 UV 파장 λ < 200nm 출력 투과용≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학 윈도우를 포함한다. 일 실시예에 있어서 λ는 193nm 중심이다. 일 실시예에 있어서, λ는 157nm 중심이다. 바람직하게 ≥4kHz 반복율 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 적어도 35%, 보다 바람직하게는 40%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는다. 바람직하게 ≥4kHz 반복율 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 적어도 1㎝의 결정, 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 결정을 통한 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는다. 보다 바람직하게 광학 윈도우는 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수, 가장 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.15중량ppm 미만의 Fe, 0.06중량ppm 미만의 크롬, 0.02중량ppm 미만의 구리, 0.02중량ppm 미만의 코발트, 0.7중량ppm 미만의 Al, 0.02중량ppm 미만의 니켈, 0.02중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다.
본 발명은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 레이저 결정 광학을 갖는 UV 파장 193nm 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 ≥4kHz 반복율 출력 투과용 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학을 포함한다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드는 적어도 1㎝의 결정, 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 결정을 통한 <0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는다. 보다 바람직하게 마그네슘 플루오라이드는 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수, 보다 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.15중량ppm 미만의 Fe, 0.06중량ppm 미만의 크롬, 0.02중량ppm 미만의 구리, 0.02중량ppm 미만의 코발트, 0.7중량ppm 미만의 Al, 0.02중량ppm 미만의 니켈, 0.02중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다.
본 발명은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율 및 0.17중량ppm 미만의 Fe, 0.08중량ppm 미만의 크롬, 0.04중량ppm 미만의 구리, 0.04중량ppm 미만의 코발트, 0.9중량ppm 미만의 Al, 0.04중량ppm 미만의 니켈, 0.04중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.04중량ppm 미만의 납 오염량 및 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 λ< 200nm 광학 플루오라이드 결정을 갖는 UV 파장 λ< 200nm 투과용 λ< 200nm 광학 플루오라이드 결정을 포함한다. 바람직하게 0.15중량ppm 미만의 Fe, 0.06중량ppm 미만의 크롬, 0.02중량ppm 미만의 구리, 0.02중량ppm 미만의 코발트, 0.7중량ppm 미만의 Al, 0.02중량ppm 미만의 니켈, 0.02중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다. 보다 바람직하게 상기 마그네슘 플루오라이드는 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수, 보다 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다.
본 발명은 ≥40mJ/㎠ 플루엔스로 5억만 펄스의 193nm 광에 노출될 시 0.08흡수/42mm 미만의 255nm 유도 흡광 및 적어도 30%의 42mm 결정 120nm 투과율 및 0.17중량ppm 미만의 Fe, 0.08중량ppm 미만의 크롬, 0.04중량ppm 미만의 구리, 0.04중량ppm 미만의 코발트, 0.9중량ppm 미만의 Al, 0.04중량ppm 미만의 니켈, 0.04중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.04중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 레이저 결정을 갖는 UV 파장 193nm 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 ≥4kHz 반복율 출력 투과용 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정을 포함한다. 바람직하게 0.15중량ppm 미만의 Fe, 0.06중량ppm 미만의 크롬, 0.02중량ppm 미만의 구리, 0.02중량ppm 미만의 코발트, 0.7중량ppm 미만의 Al, 0.02중량ppm 미만의 니켈, 0.02중량ppm 미만의 바나듐, 및 0.02중량ppm 미만의 납 오염량을 갖는다. 바람직하게 마그네슘 플루오라이드는 적어도 1㎝의 결정, 보다 바람직하게는 적어도 4㎝의 결정을 통해 측정한 < 0.0017㎝-1의 200 내지 210nm 흡광 계수를 갖는다. 보다 바람직하게 마그네슘 플루오라이드는 < 0.0017㎝-1의 203 내지 207nm 흡광 계수, 보다 바람직하게 < 0.0017㎝-1의 205nm 흡광 계수를 갖는다.
| 4 | |
| Ag | <0.02 |
| Al | 0.6448 |
| As | <0.1 |
| Au | <0.02 |
| Ba | 0.1811 |
| Be | <0.02 |
| Bi | <0.02 |
| Ca | <1 |
| Cd | <0.02 |
| Ce | <0.02 |
| Co | <0.02 |
| Cr | 0.0536 |
| Cs | <0.02 |
| Cu | <0.02 |
| Dy | <0.02 |
| Er | <0.02 |
| Eu | <0.02 |
| Fe | 0.1429 |
| Ga | <0.1 |
| Gd | <0.02 |
| Ge | <0.1 |
| Hf | <0.02 |
| Hg | <0.02 |
| Ho | <0.02 |
| In | <0.02 |
| Ir | <0.02 |
| K | <0.1 |
| La | <0.02 |
| Li | <0.02 |
| Lu | <0.02 |
| Mn | 0.0171 |
| Mo | <0.02 |
| Na | <0.1 |
| Nb | 0.0317 |
| Nd | <0.02 |
| Ni | <0.02 |
| Os | <0.02 |
| P | <0.1 |
| Pb | 0.0151 |
| Pd | <0.02 |
| Pr | <0.02 |
| Pt | <0.02 |
| Rb | <0.02 |
| Re | <0.02 |
| Rh | <0.02 |
| Ru | <0.02 |
| Sb | <0.02 |
| Sc | <0.02 |
| Se | <0.02 |
| Sm | <0.02 |
| Sn | <0.02 |
| Sr | 0.0193 |
| Ta | 0.4234 |
| Tb | <0.02 |
| Te | <0.02 |
| Th | <0.02 |
| Ti | <0.1 |
| Tl | <0.02 |
| Tm | <0.02 |
| U | <0.02 |
| V | <0.02 |
| W | <0.02 |
| Y | <0.02 |
| Yb | <0.02 |
| Zn | 0.0969 |
| Zr | <0.1 |
바람직하게 상기 납 오염량은 ≤0.015중량ppm이다. 바람직하게 상기 알루미늄 오염량은 ≤0.655중량ppm이다. 바람직하게 상기 철 오염량은 ≤0.143중량ppm이다.
본 발명의 범주를 벗어나지 않는 범위에서 본 발명을 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 당업계의 당업자들에게 자명하다. 따라서, 이하 청구항의 범주에 속하는 본 발명의 변형 및 이형은 본 발명에 포함된다.
Claims (50)
- ≥4kHz의 펄스 반복율로 193㎚ 방전을 발생시키기 위한 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 챔버를 포함하며, 여기서 상기 엑시머 레이저 챔버는 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 193㎚ 출력으로서 상기 193㎚ 방전을 출력하기 위한 적어도 하나의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 UV 파장 193㎚ 출력을 발생시키기 위한 ≥4kHz의 펄스 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 42㎜ 결정 120㎚ 투과율은 적어도 35%인 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 42㎜ 결정 120㎚ 투과율은 적어도 40%인 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.15중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.06중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 구리 미만의 구리 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.7중량ppm Al 미만의 Al 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 시스템은 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘을 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 상기 엑시머 레이저 챔버의 표면에 위치하며, 여기서, 상기 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 193㎚ 출력은 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘을 통해서 투과되고, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스에서 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제12항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- ≥4kHz의 펄스 반복율로 UV 파장 λ<200㎚ 방전을 발생시키기 위한 엑시머레이저 챔버를 포함하며, 여기서 상기 엑시머 레이저 챔버는 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 λ<200㎚ 출력으로서 상기 λ<200㎚ 방전을 발생시키기 위한 적어도 하나의 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우를 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율 및 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 UV 파장 λ<200㎚ 출력을 발생시키기 위한 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 λ는 약 193㎚의 중심파장을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 42㎜ 결정 120㎚ 투과율은 적어도 35%인 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 42㎜ 결정 120㎚ 투과율은 적어도 40%인 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는0.15중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.06중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 구리 미만의 구리 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.7중량ppm Al 미만의 Al 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 0.02중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 레이저 시스템은 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘을 포함하며, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 상기 엑시머 레이저 챔버의 표면에 위치하며, 여기서, 상기 ≥4kHz의 펄스 반복율 엑시머 레이저 λ<200㎚ 출력은 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘을 통해서 투과되고, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스에서 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며, 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제15항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 윈도우는 <0.0017㎝-1의 203 내지 207㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- 제27항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학 프리즘은 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.
- ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 UV 파장 λ<200㎚ 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, λ는 약 193㎚의 중심파장을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 42㎜ 결정 120㎚ 투과율은 적어도 35%인 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.15중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.06중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.02중량ppm 구리 미만의 구리 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.02중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.7중량ppm Al 미만의 Al 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.02중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.02중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.02중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학은 상기 마그네슘 플루오라이드 결정의 c축에 대해서 직각으로 배향된 편평한 평면을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정 광학은 상기 마그네슘 플루오라이드 결정의 c축에 대해서 비직각(nonnormal)으로 배향된 편평한 평면을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 마그네슘 플루오라이드 결정 배향으로 성장하는 c축을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 제30항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머레이저 결정 광학.
- ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율 및 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 UV 파장 λ<200㎚ 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학 윈도우.
- ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지며 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 갖는 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 파장 193㎚ 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 ≥4kHz 반복율 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정 광학.
- 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하며, 여기서 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지고 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 가지며, 0.17중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량, 0.08중량ppm 크롬 미만의 크롬오염량, 0.04중량ppm 구리 미만의 구리 오염량, 0.04중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량, 0.9중량ppm Al 미만의 Al 오염량, 0.04중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량, 0.04중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량, 0.04중량ppm 납 미만의 납 오염량 및 <0.0017㎝-1의 200 내지 210㎚ 흡광계수를 갖는 것을 특징으로 하는 UV 파장 λ<200㎚를 투과시키기 위한 λ<200㎚ 광학 플루오라이드 결정.
- 제47항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.15중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량, 0.06중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량, 0.02중량ppm 구리 미만의 구리 오염량, 0.02중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량, 0.7중량ppm Al 미만의 Al 오염량, 0.02중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량, 0.02중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량, 0.02중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 λ<200㎚ 광학 플루오라이드 결정.
- 마그네슘 플루오라이드 결정을 포함하며, 여기서 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 ≥40mJ/㎠/펄스의 플루엔스로 193㎚ 광의 5백만 펄스에 노출시 0.08흡수/42㎜ 미만의 255㎚ 유도 흡수를 가지고 적어도 30%의 42㎜ 결정 120㎚ 투과율을 가지며, 0.17중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량, 0.08중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량, 0.04중량ppm 구리 미만의 구리 오염량, 0.04중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량, 0.9중량ppm Al 미만의 Al 오염량, 0.04중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량,0.04중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량, 0.04중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 UV 파장 193㎚ 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 ≥4kHz 반복율 출력을 투과시키기 위한 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정.
- 제47항에 있어서, 상기 마그네슘 플루오라이드 결정은 0.15중량ppm Fe 미만의 Fe 오염량, 0.06중량ppm 크롬 미만의 크롬 오염량, 0.02중량ppm 구리 미만의 구리 오염량, 0.02중량ppm 코발트 미만의 코발트 오염량, 0.7중량ppm Al 미만의 Al 오염량, 0.02중량ppm 니켈 미만의 니켈 오염량, 0.02중량ppm 바나듐 미만의 바나듐 오염량, 0.02중량ppm 납 미만의 납 오염량을 갖는 것을 특징으로 하는 ≥4kHz 반복율 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저 결정.
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