KR20020084834A - 집적 회로 내에서의 열 기계적인 평탄화 - Google Patents
집적 회로 내에서의 열 기계적인 평탄화 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 208000029523 Interstitial Lung disease Diseases 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
반도체 웨이퍼(14) 상의 ILD 층들을 평탄화하는 방법 및 장치(10, 50)가 개시된다. 본 발명의 방법은 웨이퍼 홀더(26)를 갖는 오븐(12)을 제공하는 단계와, 웨이퍼 홀더(26) 상에 반도체 웨이퍼(14)를 배치하는 단계와, 그리고 기계 장치(15, 56)를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 ILD 층에 기계적인 압력과 열을 동시에 가하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 일반적으로 반도체 집적 회로 디바이스들의 제조에 관한 것으로서, 특히 낮은 유전율을 갖는 층을 스핀온하여 형성된 층간 절연층을 평탄화하는 장치 및 방법에 관한 것이다
집적 회로들(ICs)은, 트랜지스터들, 캐패시터들 및 저항들과 같은 수 백만 개의 능동 및 수동 디바이스들로 구성된다. 이러한 디바이스들은 초기에 서로 분리되지만, 이후 상호 연결 구조를 통해 기능 회로들을 형성하기 위하여 함께 연결된다. 상호 연결 구조의 품질은 제조된 ICs의 성능 및 신뢰성에 직접적인 영향을 미친다.
종래의 상호 연결 구조들은 하나 또는 그 이상의 금속층들을 이용한다. 각 금속층은 전형적으로 알루미늄, 티타늄, 탄탈, 텅스텐 또는 이들의 합금으로 이루어진다. 층간 절연층(ILD)이 능동 소자들과 개별적인 상호 연결 와이어들을 전기적으로 분리하는 데에 이용된다. 개별적인 상호 연결 레벨들 간의 전기적인 연결은 ILD 층들 내에 형성되는 비아들을 통하여 이루어진다.
ILD 층들은 일반적으로 IC 상호 연결 내의 절연물들로서 낮은 유전율(낮은-k)을 갖는 물질들을 이용하는데, 이는 이러한 낮은-k 물질들이 상호 연결 캐패시턴스를 감소시켜, 상호 연결 내에서의 전력 소모 및 혼선 잡음을 감소시키면서 신호 전파 속도를 증가시키기 때문이다.
오늘날의 집적 회로들의 복잡성은, 실리콘 웨이퍼 기판 상의 디바이스들이 서브-미크론 치수로 작아지고 회로 밀도가 다이당 수 백만개의 트랜지스터들로 증가될 것을 요구한다. 이러한 요건들을 달성하기 위해서는, 특징부들의 폭 및 간격이 점점 더 작아져야 한다. 또한, ICs 내의 배선 밀도가 증가함에 따라, 디바이스들을 서로 연결하기 위해서는 다수의 배선 레벨이 요구되며, 그리고 ILDs의 평탄화는 제조 공정에서 중요한 단계가 되었다. 상호 연결 금속 라인들의 우수한 금속 스텝 커버리지를 달성하기 위해서는, 평탄화된 절연층들이 집적 회로의 금속층들 사이에 형성되어야 한다. 또한, 마스킹 및 식각 공정들을 용이하게 하기 위해서는 평탄화가 필요하다. 평탄화된 표면은 리소그래피층들 내에서 패턴들을 노광하는 표면을 가로질러 일정한 초점 깊이를 제공한다.
그러나, 상호 연결을 형성할 때 낮은-k 물질을 형성하기 위해서는, ILD층으로서 이용되는 낮은-k 물질들의 평탄화가 요구된다. CMP(화학 기계적인 연마) 및 플라즈마 에치백과 같은 공정들이 이용되어 왔지만, 이러한 공정들은 높은 비용, 낮은 제품 처리량, 및 높은 공정 복잡성의 문제점들로부터 어려움을 겪는다.
이러한 문제점들 없이 ILD 층들을 평탄화하는 방법을 오랫 동안 찾으려고 했었지만, 당업자들에게 오랫 동안 발견되지 않았다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 상의 ILD 층들을 평탄화하는 방법을 제공하다. 이 방법은 웨이퍼 홀더를 갖는 오븐을 제공하는 단계와, 웨이퍼 홀더 상에 반도체 웨이퍼를 배치하는 단계와, 그리고 기계 장치를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼 상의 ILD 층에 기계적인 압력과 열을 동시에 가하는 단계를 포함한다. 비싸지 않고 높은 제품 처리량을 갖는 단순한 공정이 달성된다.
본 발명은 또한 반도체 웨이퍼 상의 ILD 층들을 평탄화하는 장치를 제공한다. 이 장치는 오븐과, 이 오븐 상의 웨이퍼 홀더와, 그리고 반도체 웨이퍼 상의 ILD 층에 기계적인 압력과 열을 동시에 가하기 위한 기계 장치를 포함한다. ILD 평탄화를 위한 비싸지 않고 높은 처리량을 갖는 단순한 공정 장치가 달성된다
본 발명의 상기 및 기타 장점들은 첨부 도면들을 함께 설명되는 하기의 상세한 설명을 통하여 당업자들에게 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 시스템의 일 실시예의 평면도.
도 2는 도 1의 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 시스템의 다른 실시예의 평면도.
도 4는 도 3의 측면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
12, 52: 오븐 14, 54: 반도체 웨이퍼
18, 58: 적외선 산란 검출기 및 회로 16, 56: 기계 장치
도 1은 본 발명에 따른 열-기계적인 평탄화 시스템(10)의 평면도를 도시한다. 시스템(10) 내에는, 열 제어된 컨택 표면을 갖는 상부판(16) 아래에 배열된 반도체 웨이퍼(14)를 포함하는 오븐(12)이 도시된다.
상부판(16)이 화살표(20)로 표시된 방향으로 회전할 때, 상부판(16)의 온도가 적외선 산란 검출기 및 회로(18)에 의해 검사된다. 화살표(22)는 반도체 웨이퍼(14)의 회전 방향을 나타내는데, 이는 상부판(16)의 회전 방향과 동일하지만, 상부판(16)의 회전에 대해 특정한 상대적인 이동 각도를 갖는다. 상부판(16)의 측면 이동을 가능하게 하기 위하여, 상부판(16)과 반도체 웨이퍼(14)의 사이에는 속도 차이가 있는데, 이에 대해서는 하기에서 설명한다.
적외선 산란 검출기 및 회로(18)는 상부판(16)을 모니터하기 위하여 상부판(16)으로부터 화살표(24)로 나타낸 적외선 방사를 검출하며, 그리고 바람직한 경우, 상부판(16)에 결합된 가열 소자(미도시)를 통하여 온도를 제어한다.
도 2는 본 발명에 따른 시스템(10)의 측면도를 도시한다. 반도체 웨이퍼(14)는 회전 웨이퍼 홀더(26) 상에 장착되며, 이 회전 웨이퍼 홀더(26)는 화살표(22)로 나타낸 방향으로 회전한다. 열적으로 도통되는 비고착(non-stick) 표면(28)이 반도체 웨이퍼(14)와 컨택하면서 상부판(16)의 아래에 도시된다. 상부판(16)이 화살표(20)로 나타낸 방향으로 회전하기 때문에, 상부판(16)은 화살표들(30)의 쌍으로 나타낸 바와 같이 수평 평면을 따라 반도체 웨이퍼(14)를 가로지른다.
열적으로 도통되는 비고착 표면(28)은 마찰을 줄이고 ILD 층의 표면 특성을개선하기 위하여, 낮은 유전율(낮은-k)을 갖는 ILD 층을 평탄화하는 동안 소모되도록 제조된다.
평탄화 공정 동안, 상부판(16)이 반도체 웨이퍼(14)에 대하여 회전하고 반도체 웨이퍼(14)를 가로지를 때, 상부판(16)에는 수직 압력이 가해진다. 동시에, 반도체 웨이퍼(14)는 스핀온된 낮은 유전율 물질의 하드-베이크 온도 이하의 온도(물질의 화학적인 특성들에 따라, 100℃ 내지 400℃)로 가열되는데, 이 온도는 물질이 다양한 휘발성 가스들을 방출시키게 하며, 방출되는 휘발성 가스들은 배출구(32)를 통하여 오븐(12)으로부터 배출된다.
도 3은 본 발명에 따른 열-기계적인 평탄화 시스템(50)의 평면도를 도시한다. 시스템(50) 내에는, 열 제어된 컨택 표면을 가지며 축(57) 주위로 회전하는 롤러(56)의 아래에 배열된 반도체 웨이퍼(54)를 포함하는 오븐(52)이 도시된다.
롤러(56)가 화살표(60)로 표시된 방향으로 회전할 때, 적외선 산란 검출기 및 회로(58)에 의해 롤러(56)의 온도가 모니터된다. 화살표(62)는 반도체 웨이퍼(54)의 회전 방향을 나타내는데, 이는 롤러(56)가 축(57) 주위로 회전하는 방향과 동일한 방향이다. 축(57) 주위를 회전하는 롤러(56)와 반도체 웨이퍼(54) 간에 존재하는 속도 차에 의해 롤러(56)의 상대적인 측면 이동이 가능해지는데, 이에 대해서는 하기에서 설명한다.
적외선 산란 검출기 및 회로(18)는 롤러(56)를 모니터링하기 위하여, 롤러(56)가 축(57) 주위로 회전할 때 롤러(56)에 의해 방출되는 적외선 방사(64)를검출하고, 바람직한 경우 롤러(56)에 결합된 가열 소자(미도시)를 통하여 온도를 제어한다.
도 4는 본 발명에 따른 시스템(50)의 측면도를 도시한다. 웨이퍼(54)는 회전 웨이퍼 홀더(66) 상에 장착되며, 웨이퍼 홀더(66)는 화살표(62)로 나타낸 방향으로 회전한다. 롤러(56)는 반도체 웨이퍼(54)와 컨택하며 회전하는 열적으로 도통되는 비고착 표면(68)을 갖는다. 축(57) 주위를 회전하는 롤러(56)가 화살표(60)로 표시된 방향으로 회전할 때, 롤러(57)는 화살표(70)로 표시된 방향으로 수평 평면을 따라 가로지른다.
열적으로 도통된 비고착 표면(68)은 낮은 유전율(낮은-k)을 갖는 ILD 층을 평탄화하는 동안 소모되도록 제조된다.
평탄화 공정 동안, 롤러(56)가 축(57) 주위로 회전하고 반도체 웨이퍼(54)를 가로지를 때, 롤러(56)에는 수직 압력이 가해진다. 동시에, 반도체 웨이퍼(54)는 스핀온된 낮은 유전율을 갖는 물질의 하드-베이크 온도 이하의 온도(물질의 화학적인 특성들에 따라 100℃ 내지 400℃)로 가열되는데, 이 온도는 물질이 다양한 휘발성 가스들을 방출하게 하며, 이 가스들은 배출구(72)를 통하여 오븐(52)으로부터 배출된다.
본 발명에서, 반도체 웨이퍼(14 또는 54)는 각 웨이퍼 홀더(26 또는 66) 상에 배치되며, 진공에 의해 제자리에 유지된다. 이후, 웨이퍼 홀더(26 또는 66)는 비교적 높은 속도로 회전되며, 낮은-k 물질이 반도체 웨이퍼(14 또는 54)의 중앙에 증착된다. 원심력은 낮은-k 물질을 비교적 균일하지만 평탄하지 않은두께로 퍼지게한다.
스핀온된 후, 낮은-k 물질은 (물질의 화학적인 특성들에 따라 100℃ 이하의 온도로) 소프트 베이크된다.
소프트 베이크된 후, 반도체 웨이퍼(14 또는 54) 상의 낮은-k 물질은 낮은-k 물질의 하드 베이크 온도 이하(물질의 화학적인 특성들에 따라, 100℃ 내지 400℃)로 가열된다. 이후, 열 기계적인 평탄화 공정이 수행되어 낮은-k 물질은 리플로우된다. 이러한 열 기계적인 평탄화는 열 에너지 및 기계적인 압력 에너지를 가함으로써 이루어진다. 일 실시예에서, 반도체 웨이퍼는, 가열되며 반도체 웨이퍼(14)에 대하여 이동하는 상부판(16)에 의해 가해지는 열 에너지에 의해 지배된다. 상부판(16)은 도 1에서 화살표(20)로 나타낸 바와 같이 회전하며, 도 2에서 화살표(30)로 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(14)를 가로지른다.
다른 실시예에서, 반도체 웨이퍼(54)는 롤러(56)의 기계적인 압력을 받으며, 롤러(56)는 가열되어 열 에너지를 제공한다. 롤러(56)는 도 3에서 화살표(60)로 나타낸 방향으로 회전하며, 도 4에서 화살표(70)로 나타낸 방향으로 수평면을 따라 가로지른다.
열 기계적인 평탄화가 이루어지는 동안, 낮은-k 물질로부터의 휘발성 물질들은 각 배출구(32 및 72)를 통하여 각 오븐(12 또는 52)의 내부로부터 배출된다. 상부판(16) 및 롤러(56)는 열적으로 도통되는 비고착 표면들(26 및 68)에 의해 덮여지며, 이 표면들은 마찰을 줄이기 위하여 소모되도록 설계될 수 있다는 것을 유념하자.
각 적외선 검출기 및 회로(18 및 58)는 (낮은-k 물질의 화학적인 조성에 따라 100℃ 내지 400℃의 범위인) 상부판(16) 및 롤러(56)의 온도를 모니터한다. 열적으로 도통되는 비고착 표면들(28 및 68)은, 가령 카본-융합 테플론tm(carbon-grafted Teflontm) 또는 유사한 물질들과 같은 물질로부터 제조된다. 적외선 검출기들 및 회로(18 및 58)는 다양한 가열가능한 소자들의 온도를 제어하기 위하여 위상 동기 루프 피드백을 위해 연결될 수 있다.
처리량을 증가시키기 위해서는 명백해지는 바와 같이, 하나 이상의 웨이퍼 홀더 및 보조적인 열-기계적인 평탄화 유닛들이 이용된다.
본 발명은 특정한 최상 모드에 관련하여 설명되었지만, 당업자라면 상기 설명에 비추어 많은 대안들, 변형들 및 수정들이 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구 범위의 정신 및 원리 내에 포함되는 모든 대안들, 변형들 및 수정들을 포함한다. 첨부 도면들을 참조하여 지금까지 본원에서 설명된 모든 것들은 예시적이며 비한정적인 의미로 해석되어야 한다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명은 비싸지 않고 높은 제품 처리량을 가지며 ILD 층을 평탄화할 수 있는 효과를 갖는다.
Claims (12)
- 반도체 웨이퍼(14) 상의 ILD 층들을 평탄화하는 방법으로서,웨이퍼 홀더(26)를 갖는 오븐(12)을 제공하는 단계와;상기 웨이퍼 홀더(26) 상에 상기 반도체 웨이퍼(14)를 배치하는 단계와;기계 장치(16, 56)를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 ILD 층에 기계적인 압력을 가하는 단계와; 그리고상기 기계적인 압력을 가하는 단계와 동시에, 상기 기계 장치(16, 56)를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 ILD 층에 열을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기계적인 압력을 가하는 단계는 평탄화를 돕기 위하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 상기 ILD 층과 상기 기계 장치(16, 56) 사이에 상대적인 이동을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기계적인 압력을 가하는 단계는 평탄화를 돕기 위하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 상기 ILD 층과 상기 기계 장치(16, 56) 간에 비고착 작동(motion)을 제공하고 열을 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 열을 가하는 단계는 상기 기계 장치(16, 56)의 온도를 감지 및 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기계적인 압력을 가하는 단계는 상기 기계 장치(16)의 일부로서 상부판을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기계적인 압력을 가하는 단계는 상기 기계 장치(56)의 일부로서 롤러를 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 웨이퍼(14) 상의 ILD 층들을 평탄화하는 장치로서,오븐(12)과;상기 오븐(12) 상의 웨이퍼 홀더(26)와; 그리고상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 상기 ILD 층에 기계적인 압력과 열을 동시에 가하는 기계 장치(16, 56)를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 기계 장치(16, 56)는 평탄화를 돕기 위하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 상기 ILD 층과 상기 기계 장치(16, 56) 간에 상대적인 이동을 제공하는 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 기계 장치(16, 56)는 평탄화를 돕기 위하여 상기 반도체 웨이퍼(14) 상의 상기 ILD 층과 상기 기계 장치(16, 56) 간에 비고착 작동을 제공하고 열을 전달하는 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 기계 장치(16, 56)는 상기 기계 장치(16, 56)의 온도를 감지 및 제어하는 회로(18, 58)를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 기계 장치(16)는 기계적인 압력을 가하기 위한 상부판을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 기계적인 장치(56)는 기계적인 압력을 가하기 위한 롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/848,997 | 2001-05-04 | ||
| US09/848,997 US20020164875A1 (en) | 2001-05-04 | 2001-05-04 | Thermal mechanical planarization in integrated circuits |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020084834A true KR20020084834A (ko) | 2002-11-11 |
Family
ID=25304819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020024509A KR20020084834A (ko) | 2001-05-04 | 2002-05-03 | 집적 회로 내에서의 열 기계적인 평탄화 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020164875A1 (ko) |
| EP (1) | EP1254742A3 (ko) |
| JP (1) | JP2002373938A (ko) |
| KR (1) | KR20020084834A (ko) |
| SG (1) | SG104309A1 (ko) |
| TW (1) | TW513736B (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060211237A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for planarizing gap-filling material |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9321900D0 (en) * | 1993-10-23 | 1993-12-15 | Dobson Christopher D | Method and apparatus for the treatment of semiconductor substrates |
| US5434107A (en) * | 1994-01-28 | 1995-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for planarization |
| US5679610A (en) * | 1994-12-15 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of planarizing a semiconductor workpiece surface |
| US5478435A (en) * | 1994-12-16 | 1995-12-26 | National Semiconductor Corp. | Point of use slurry dispensing system |
| US5967030A (en) * | 1995-11-17 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Global planarization method and apparatus |
| JPH10247647A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Sony Corp | 基板面の平坦化方法及び平坦化装置 |
| US6331488B1 (en) * | 1997-05-23 | 2001-12-18 | Micron Technology, Inc. | Planarization process for semiconductor substrates |
| US6589872B1 (en) * | 1999-05-03 | 2003-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Use of low-high slurry flow to eliminate copper line damages |
| US6410459B2 (en) * | 1999-09-02 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Wafer planarization using a uniform layer of material and method and apparatus for forming uniform layer of material used in semiconductor processing |
| CN1387676A (zh) * | 1999-09-09 | 2002-12-25 | 联合讯号公司 | 用于集成电路平面化的改进装置和方法 |
-
2001
- 2001-05-04 TW TW090110712A patent/TW513736B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-05-04 US US09/848,997 patent/US20020164875A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-03-11 EP EP02005540A patent/EP1254742A3/en not_active Withdrawn
- 2002-04-09 SG SG200202078A patent/SG104309A1/en unknown
- 2002-04-19 JP JP2002116928A patent/JP2002373938A/ja not_active Withdrawn
- 2002-05-03 KR KR1020020024509A patent/KR20020084834A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW513736B (en) | 2002-12-11 |
| JP2002373938A (ja) | 2002-12-26 |
| EP1254742A3 (en) | 2003-11-12 |
| SG104309A1 (en) | 2004-06-21 |
| US20020164875A1 (en) | 2002-11-07 |
| EP1254742A2 (en) | 2002-11-06 |
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