KR20010096566A - Semiconductor wafer cleaning apparatus and method thereof using the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for cleaning a semiconductor wafer and a cleaning method using the same are provided to prevent the generation of watermark when a cleaning process is performed by using a marangoni dryer. CONSTITUTION: A loading portion(7) is formed at an upper portion of a body(1). The loading portion(7) is used for loading an empty cassette(5) or a cassette(5) filled with a plurality of semiconductor wafer(3). The first mobile portion(9a,9b) includes a pad(9a) to extract the semiconductor wafers(3). The first mobile portion(9a,9b) includes a rotary body(9b) to rotate the semiconductor wafers(3). The second mobile portion(11a-11c) includes a clutch(11a) for catching the semiconductor wafers(3) and the first rail(11b) and the second rail(11c) for shifting the semiconductor wafers(3) to a loader(13). An unloader(15) is used for the cleaned semiconductor wafers(3). The first and the second pushers(17,19) are installed at lower sides of the loader(13) and the unloader(15). An inner bath(19) performs a cleaning process by using pure water. A knife(21) and a supply line(28) are connected with at a lower portion of the inner bath(19). An outer bath(20) is installed by both sides of the inner bath(19). A recess portion(22) is formed at an upper portion of both sidewalls of the inner bath(19). A drain line(24) is connected with a bottom portion of the outer bath(20). An exhaust line(26) is connected with both back walls of the outer bath(20). A marangoni dryer(23) is used for drying the semiconductor wafers(3).

Description

반도체 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 세정방법{Semiconductor wafer cleaning apparatus and method thereof using the same}Semiconductor wafer cleaning apparatus and method for cleaning semiconductor wafer using same

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마란고니 건조기(marangoni dryer)를 채용한 반도체 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus and a semiconductor wafer cleaning method using the same, and more particularly, to a semiconductor wafer cleaning apparatus employing a marangoni dryer and a semiconductor wafer cleaning method using the same.

반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정 공정이 필요하다. 특히, 고집적화된 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정 공정은 매우 중요하다.When fabricating a semiconductor wafer into an integrated circuit, a cleaning process for cleaning the semiconductor wafer is required to remove residual chemicals, small particles, contaminants, and the like, which occur during various manufacturing processes. In particular, when manufacturing highly integrated integrated circuits, a cleaning process for removing fine contaminants adhering to the surface of a semiconductor wafer is very important.

반도체 웨이퍼의 세정 공정은 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 수세 공정, 그리고 건조 공정으로 나눌 수 있다. 상기 화학 용액 처리 공정은 반도체 웨이퍼를 화학 용액으로 처리하는 공정이며, 수세 공정은 화학 용액 처리된 반도체 웨이퍼를 순수로 세척하는 공정이며, 상기 건조 공정은 수세 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 공정이다. 이중에서, 건조 공정의 불량에 의하여 발생되는 결함은 비교적 크기가 크고 패턴 상에서 반복적으로 발생되기 때문에 집적 회로의 오동작을 일으키거나 집적 회로로서의 역할을 못하는 심각한 문제가 발생한다.The cleaning process of a semiconductor wafer can be divided into a chemical solution processing process (chemical liquid processing process), a water washing process, and a drying process. The chemical solution treating step is a step of treating the semiconductor wafer with a chemical solution, and the washing step is a step of washing the semiconductor wafer treated with the chemical solution with pure water, and the drying step is a step of drying the washed semiconductor wafer. In particular, since defects caused by a failure of the drying process are relatively large and are repeatedly generated on a pattern, a serious problem occurs that causes malfunction of an integrated circuit or does not function as an integrated circuit.

집적 회로가 복잡해짐에 따라 건조 공정에서 종래의 원심력을 이용한 스핀 건조기(spin dryer)는 따라 성능의 한계에 도달하여 이소 프로필 알코올(Isopropyl alcol; "IPA")을 사용하는 IPA 증기 건조기가 제안되었다. 그러나, IPA 증기 건조기도 건조 후에 반도체 웨이퍼 상에 물반점(water mark) 등이 발생하는 문제점이 있다.As integrated circuits become more complex, conventional centrifugal spin dryers in the drying process have reached the limit of performance, and IPA steam dryers using isopropyl alcohol ("IPA") have been proposed. However, the IPA steam dryer also has a problem that water marks or the like occur on the semiconductor wafer after drying.

이를 개선하기 위하여 하드웨어적으로 약액 공정 및 수세 공정후 대기에 노출시키지 않고 건조를 진행하는 마란고니 건조기(marangoni dryer)가 제안되었다. 상기 마란고니 건조기는 순수(de-ionized water)가 채워진 배스내의 위치하는 반도체 웨이퍼를 들어올리거나 배스 내의 순수를 천천히 드레인 하면서 반도체 웨이퍼 표면상에 IPA를 뿌려줌으로써 IPA와 순수의 표면 장력차를 이용하여 순수를 건조시킨다. 상기 마란고니 건조기는 상기 IPA 증기 건조기와 비교하여 IPA 사용량이 1/10 정도로 매우 소량으로도 건조 능력이 좋다. 그러나, 상기 마란고니 건조기는 반도체 웨이퍼 세정 장치의 라미나 플로우(laminar flow)나 외부로의 배기에 의하여 쉽게 영향을 받아 반도체 웨이퍼 내에서 건조가 균일하게 되지 않고 물반점이 생기는 문제점이 있다. 특히, 지름이 12인치인 대구경의 반도체 웨이퍼를 사용할 경우 물반점이 생기는 양상이 불균일하게 나타난다.In order to improve this, a marangoni dryer has been proposed in which the drying proceeds without being exposed to the atmosphere after the chemical liquid process and the water washing process. The marangoni dryer uses pure surface tension difference between IPA and pure water by lifting the semiconductor wafer located in the bath filled with de-ionized water or spraying IPA on the surface of the semiconductor wafer while slowly draining the pure water in the bath. To dry. Compared with the IPA steam dryer, the Marangoni dryer has a very small drying capacity of about 1/10 of the IPA usage. However, the Marangoni dryer has a problem in that it is easily affected by lamina flow of the semiconductor wafer cleaning apparatus or exhaust to the outside, resulting in water spots without uniform drying in the semiconductor wafer. In particular, when using a large diameter semiconductor wafer of 12 inches in diameter, the appearance of water spots is uneven.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 마란고니 건조기를 이용할 때 주변 분위기에 영향을 받지 않아 물반점의 발생을 억제할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer cleaning apparatus capable of suppressing the generation of water spots without being affected by the ambient atmosphere when using a marangoni dryer.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 반도체 웨이퍼 세정 장치를 적합하게 이용하여 물반점의 발생을 억제할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정 방법을 제공하는 데 있다.In addition, another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor wafer cleaning method that can suppress the generation of water spots by using the semiconductor wafer cleaning apparatus suitably.

도 1은 본 발명에 따라 마란고니 건조기를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고1 is a perspective view schematically showing a semiconductor wafer cleaning apparatus including a marangoni dryer according to the present invention;

도 2는 도 1의 내부 배스 및 외부 배스의 확대도이고,FIG. 2 is an enlarged view of the inner and outer baths of FIG. 1;

도 3은 도 1의 마란고니 건조기의 분해 사시도이고,3 is an exploded perspective view of the Marangoni dryer of Figure 1,

도 4 내지 도 10은 도 1의 반도체 웨이퍼 세정장치를 이용하여 반도체 웨이퍼가 세정되는 과정을 개략적으로 도시한 단면도들이고,4 to 10 are cross-sectional views schematically illustrating a process of cleaning a semiconductor wafer using the semiconductor wafer cleaning apparatus of FIG. 1.

도 11은 도 10의 반도체 웨이퍼 세정시의 평면도이고,FIG. 11 is a plan view at the time of cleaning the semiconductor wafer of FIG. 10;

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 마란고니 건조기를 포함하는 세정 장치로 반도체 웨이퍼를 세정했을 경우와 그렇지 않은 경우의 반도체 웨이퍼의 표면 전자현미경 사진이다.12A and 12B are surface electron micrographs of the semiconductor wafer when and when the semiconductor wafer is cleaned with the cleaning apparatus including the marangoni dryer of the present invention.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 하나의 내부 배스만을 구비하여 화학 용액 세정 및 순수 세정을 하나의 내부 배스에서 진행하고, 마란고니 건조기가 포함되어 있어 반도체 웨이퍼의 세정 및 건조를 일체로 진행할 수 있다. 그 구성을 살표보면, 복수 매의 반도체 웨이퍼가 탑재된 카세트를 로딩할 수 있는 로딩부와, 상기 로딩부의 카세트에 탑재된 반도체 웨이퍼를 추출하고 추출된 반도체 웨이퍼를 상기 로딩부와 이격된 로더로 이동시킬 수 있는 이동 수단과, 상기 로더와 이격되어 있고 복수의 반도체 웨이퍼들을 화학용액 또는 순수로 세정할 수 있는 내부 배스를 포함한다. 상기 내부 배스의 양측벽에는 리세스부를 구비할 수 있고, 상기 리세스부를 커버하도록 상기 내부 배스의 양측에 외부 배스를 더 구비할 수 있다. 상기 외부 배스의 양뒷벽에는 배기를 균일하게 할 수 있는 배기구를 더 설치할 수 있다.In order to achieve the above technical problem, the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention includes only one internal bath to perform chemical solution cleaning and pure water cleaning in one internal bath, and includes a marangoni dryer to clean the semiconductor wafer. Drying can be performed integrally. As shown in the configuration, a loading unit capable of loading a cassette on which a plurality of semiconductor wafers are loaded, a semiconductor wafer mounted on the cassette of the loading unit is extracted, and the extracted semiconductor wafer is moved to a loader spaced apart from the loading unit. And an internal bath spaced apart from the loader and capable of cleaning the plurality of semiconductor wafers with a chemical solution or pure water. Recess portions may be provided at both side walls of the inner bath, and outer baths may be further provided at both sides of the inner bath to cover the recess. Both rear walls of the outer bath may further be provided with an exhaust port for uniform exhaust.

특히, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 상기 로더로 이동된 반도체 웨이퍼를 내부 배스 상으로 이동시킬 수 있는 후드를 포함하고 내부 배스를 기준으로 X, Y 및 Z 축으로 이동할 수 있어 내부 배스와 밀착할 수 있는 마란고니 건조기와, 상기 내부 배스 하부에 내부 배스에 로딩된 반도체 웨이퍼를 지지하고 상하로 일정속도로 이동시킬 수 있는 나이프(knife)를 포함한다. 구체적으로, 상기 마란고니 건조기는 상기 로더에 탑재된 반도체 웨이퍼를 탑재할 수 있는 슬롯과 로킹부가 포함되고 웨이퍼를 건조할 수 있는 후드(hood)와, 상기 후드 상에 IPA가 상기 반도체 웨이퍼에 균일하게 퍼지도록 하는 다수의 홀을 구비하는 IPA 공급판(supply plate)과, 상기 IPA 공급판 상에 위치하는 IPA 공급 노즐(supply nozzle)로 이루어진다. 따라서, X, Y 및 Z축으로 이동 가능한 마란고니 건조기와 내부 배스를 밀착시킨 다음, 세정 공정이 끝난 반도체 웨이퍼를 건조시키면 반도체 웨이퍼 세정 장치의 라미나 플로우(laminar flow)나 배기(exhaust)에 의한 영향을 억제할 수 있어 반도체 웨이퍼 표면 상에 물반점의 발생을 억제할 수 있다. 더하여, 상기 반도체 웨이퍼 건조시 상기 내부 배스의 양측에 위치하는 외부 배스에 배기구를 구비할 경우 배기를 균일하게 할 수 있어 반도체 웨이퍼 표면 상에 발생하는 물반점의 발생을 더욱더 줄일 수 있다.In particular, the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention includes a hood that can move the semiconductor wafer moved to the loader onto the inner bath and can move in the X, Y and Z axes with respect to the inner bath so that the semiconductor wafer cleaning apparatus can be in close contact with the inner bath. And a knife capable of supporting and moving the semiconductor wafer loaded in the inner bath under the inner bath and moving up and down at a constant speed. Specifically, the Marangoni dryer includes a hood for drying the wafer and a slot for mounting the semiconductor wafer mounted on the loader, and a hood for drying the wafer, and the IPA on the hood uniformly to the semiconductor wafer. It consists of an IPA supply plate having a plurality of holes to spread, and an IPA supply nozzle located on the IPA supply plate. Therefore, when the marangoni dryer and the internal bath which move in the X, Y and Z axes are brought into close contact with each other, and the semiconductor wafer after the cleaning process is dried, the lamina flow or exhaust of the semiconductor wafer cleaning apparatus is removed. The influence can be suppressed and the generation of water spots on the semiconductor wafer surface can be suppressed. In addition, when the semiconductor wafer is dried, when the exhaust port is provided in the external bath located at both sides of the inner bath, the exhaust air can be made uniform, further reducing the occurrence of water spots on the surface of the semiconductor wafer.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 세정 방법은 복수 매의 반도체 웨이퍼가 탑재된 카세트를 로딩부에 로딩한 후 상기 로딩부의 카세트에 탑재된 반도체 웨이퍼를 추출하여 상기 로딩부와 이격된 로더로 이동시킨다. 이어서, 상기 로더로 이동된 반도체 웨이퍼들을 마란고니 건조기 내로 탑재시킨 후 상기 반도체 웨이퍼가 탑재된 마란고니 건조기를 상기 로더와 이격된 내부 배스 상으로 이동시킨다. 다음에, 상기 마란고니 건조기에서 내부 배스 내로 상기 반도체 웨이퍼들을 이동시켜 화학용액 및 순수로 세정한다. 계속하여, 상기 마란고니 건조기를 아래 방향으로 이동시켜 상기 내부 배스와 마란고니 건조기를 밀착시킨 후 상기 마란고니 건조기의 상부에서 질소와 IPA 흄(hume)을 분사되고 있는 동안에 상기 순수가 포함된 내부 배스에서 반도체 웨이퍼를 일정 속도로 상승시키거나 상기 순수를 천천히 드레인시켜 IPA와 순수의 표면장력차를 이용하여 순수를 건조한다. 이렇게 마란고니 건조기와 내부 배스를 밀착시킨 상태에서 순수 세정된 반도체 웨이퍼를 건조시키면 반도체 웨이퍼 세정 장치의 라미나 플로우나 배기에 의한 영향을 방지하여 반도체 웨이퍼 상의 물반점의 발생을 억제할 수 있다. 상기 순수를 건조시 상기 내부 배스의 양측에 위치하는 외부 배스에 설치된 배기구를통하여 배기를 균일하게 하면 더욱더 물반점의 발생을 억제할 수 있다.In order to achieve the above another technical problem, the cleaning method of the semiconductor wafer of the present invention loads a cassette on which a plurality of semiconductor wafers are loaded in a loading unit, and then extracts the semiconductor wafer mounted in the cassette of the loading unit and the loading unit; Move to the spaced loader. Subsequently, the semiconductor wafers moved by the loader are loaded into a marangoni dryer, and then the marangoni dryer on which the semiconductor wafer is mounted is moved onto an internal bath spaced apart from the loader. Next, the semiconductor wafers are moved into an internal bath in the Marangoni dryer to be cleaned with chemical solution and pure water. Subsequently, the marangoni dryer is moved downward to bring the internal bath and the marangoni dryer into close contact with each other, and the internal bath containing the pure water is injected while nitrogen and IPA fume are injected from the upper part of the marangoni dryer. The semiconductor wafer is raised at a constant speed or the pure water is slowly drained to dry the pure water using the surface tension difference between the IPA and the pure water. Drying the purely cleaned semiconductor wafer while the marangoni dryer and the internal bath are in close contact with each other prevents the influence of lamina flow or exhaust of the semiconductor wafer cleaning apparatus and thus suppresses the occurrence of water spots on the semiconductor wafer. When the pure water is dried, if the exhaust gas is made uniform through the exhaust ports provided in the outer baths located at both sides of the inner bath, it is possible to further suppress the generation of water spots.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따라 마란고니 건조기를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 내부 배스 및 외부 배스의 확대도이고, 도 3은 도 1의 마란고니 건조기의 분해 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor wafer cleaning apparatus including a marangoni dryer according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of an inner bath and an outer bath of FIG. 1, and FIG. 3 is a marangoni dryer of FIG. 1. Is an exploded perspective view of the.

구체적으로, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 하나의 내부 배스(inner bath)만을 포함하여 화학 용액 세정 및 순수세정을 하나의 내부 배스에서 진행할 수 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼의 세정은 카세트를 이용하지 않고 반도체 웨이퍼는 대기 중에 노출되지 않는다. 또한, 마란고니 건조기가 포함되어 있어 반도체 웨이퍼의 세정 및 건조를 일체로 할 수 있다.Specifically, the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention may include only one inner bath to perform chemical solution cleaning and pure water cleaning in one inner bath. The cleaning of the semiconductor wafer does not use a cassette, and the semiconductor wafer is not exposed to the atmosphere. In addition, a marangoni dryer is included, so that the semiconductor wafer can be cleaned and dried.

좀더 자세하게 살표보면, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 바디(body, 1)의 일측 상부에 복수 매의 반도체 웨이퍼(3), 예컨대 지름이 12인치인 13매의 반도체 웨이퍼(3)가 탑재된 상태의 카세트(5)를 로딩하거나 빈 카세트를 로딩할 수 있는 로딩부(7)가 포함되어 있다. 또, Y축 방향(앞 뒤 방향)으로 움직여 상기 카세트(5)에 탑재된 복수 매의 반도체 웨이퍼(3)를 추출하고 이를 Z축 방향(상측 방향)으로 회전시킬 수 있는 제1 이동 수단(9a, 9b)을 구비한다. 즉, 상기 제1 이동 수단은 카세트(5)에서 복수 매의 반도체 웨이퍼(3)를 추출할 수 있는 패드(9a)와, 상기 패드 상에 장착된 복수 매의 반도체 웨이퍼(3)를 Z축 방향(상측 방향)으로 회전시킬 수 있는 회전체(9b)를 포함한다.In more detail, in the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention, a plurality of semiconductor wafers 3, for example, 13 semiconductor wafers 3 having a diameter of 12 inches are mounted on one side of a body 1. A loading unit 7 for loading a cassette 5 or an empty cassette is included. Moreover, the 1st moving means 9a which can move to a Y-axis direction (front-back direction), extracts the several sheets of semiconductor wafer 3 mounted in the said cassette 5, and can rotate it to a Z-axis direction (upper direction). 9b). In other words, the first moving means moves the pad 9a through which the plurality of semiconductor wafers 3 can be extracted from the cassette 5, and the plurality of semiconductor wafers 3 mounted on the pads in the Z-axis direction. It includes the rotating body 9b which can be rotated (upward direction).

그리고, 상기 제1 이동 수단(9a, 9b)에 의하여 상측 방향으로 회전된 반도체웨이퍼(3)를 로더(13) 또는 언로더(15)로 이동시킬 수 있는 제2 이동 수단(11a∼11c)을 구비한다. 상기 제2 이동 수단(11a∼11c)은 X축, Y축, Z축 방향으로 움직여 상기 제1 이동 수단(9a, 9b)에 의하여 상측으로 회전된 반도체 웨이퍼(3)를 잡을 수 있는 클러치(11a)와, X축, Y축, Z축 방향으로 움직여 상기 클러치(11a)에 의하여 잡혀진 반도체 웨이퍼(3)를 로더(13, loader)로 이동시킬 수 있는 제1 레일(11b) 및 제2 레일(11c)을 포함한다. 도 1에서, 제1 레일(11b)의 Y축 방향의 이동은 편의상 도시하지 않았다.Then, the second moving means 11a to 11c capable of moving the semiconductor wafer 3 rotated upward by the first moving means 9a and 9b to the loader 13 or the unloader 15 are provided. Equipped. The second moving means 11a to 11c move in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions to hold the semiconductor wafer 3 rotated upward by the first moving means 9a, 9b. ), The first rail 11b and the second rail capable of moving in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions to move the semiconductor wafer 3 held by the clutch 11a to the loader 13. (11c). In FIG. 1, the movement of the first rail 11b in the Y-axis direction is not illustrated for convenience.

상기 로더(13)는 각각 반도체 웨이퍼가 세정하기 전에 대기하는 곳이며, 참조번호 15는 언로더(unloader)로 반도체 웨이퍼(3)가 세정 후에 대기하는 곳이다. 따라서, 상술한 바와는 반대로 상기 제2 이동 수단 및 제1 이동 수단에 의하여 언로더(15)에 위치한 반도체 웨이퍼(3)를 로딩부(7)의 빈 카세트에 이동시킬 수 있다. 상기 로더(13) 및 언로더(15) 아래에는 탑재된 반도체 웨이퍼(3)를 상하(Z축)로 이동시켜 마란고니 건조기(23)가 반도체 웨이퍼(3)를 잘 잡을 수 있도록 하는 제1 풋셔(17, pusher) 및 제2 풋셔(19)를 포함한다.The loader 13 is a place where each semiconductor wafer waits before cleaning, and reference numeral 15 is an unloader where the semiconductor wafer 3 waits after cleaning. Therefore, the semiconductor wafer 3 located in the unloader 15 can be moved to the empty cassette of the loading section 7 by the second moving means and the first moving means, as opposed to the above. Under the loader 13 and the unloader 15, a first footer for moving the mounted semiconductor wafer 3 up and down (Z-axis) to allow the marangoni dryer 23 to hold the semiconductor wafer 3 well. (17, pusher) and the second footer (19).

그리고, 상기 로더(13)와는 이격되어 있고 화학용액 또는 순수를 이용하여 세정할 수 있는 내부 배스(19)가 있고, 상기 내부 배스(19) 하부에는 내부 배스(19)에 로딩된 반도체 웨이퍼(3)를 지지하고 상하로 일정 속도로 이동시킬 수 있는 나이프(knife: 21)와 상기 내부 배스(19)에 순수나 화학용액을 공급할 수 있는 공급 라인(28)이 연결된다.In addition, there is an internal bath 19 spaced apart from the loader 13 and capable of cleaning with a chemical solution or pure water, and a semiconductor wafer 3 loaded in the internal bath 19 under the internal bath 19. ) Is connected to a knife 21 capable of supporting and moving up and down at a constant speed, and a supply line 28 for supplying pure water or chemical solution to the inner bath 19.

상기 내부 배스(19)의 양측에는 도 2에 도시한 바와 같이 외부 배스(20,outer bath)가 부착되어 있으며, 상기 내부 배스(19)의 양측벽의 상부에는 리세스부(22)가 형성되어 있어 상기 내부 배스(19) 내의 순수나 화학용액이 오버플로우(overflow)되게 되어 있다. 즉, 상기 내부 배스(19)의 리세스부(22)를 커버하도록 외부 배스(20)가 형성되어 있다. 상기 외부 배스(20)의 바닥부분에는 순수나 화학용액을 드레인할 수 있는 드레인 라인(24, drain line)이 연결되어 있다. 상기 내부 배스(19)에서 오버플로우된 순수나 화학용액은 드레인 라인(24)을 통하여 저장 탱크(도시 안함)로 보내진다. 그리고, 상기 외부 내스(20)의 양뒷벽에는 화학용액의 흄이나 IPA흄 등을 반도체 제조 공장의 외부로 배기할 수 있는 배기 라인(26, exhaust line)이 연결되어 있다. 상기 배기 라인(26)은 건조시에 IPA흄 등을 균일하게 배기할 수 있도록 상기 외부 배스(20)의 뒷벽에 형성한다.As shown in FIG. 2, an outer bath 20 is attached to both sides of the inner bath 19, and recess portions 22 are formed on upper portions of both side walls of the inner bath 19. Therefore, the pure water and the chemical solution in the inner bath 19 are overflowed. In other words, the outer bath 20 is formed to cover the recess 22 of the inner bath 19. A drain line 24 for draining pure water or a chemical solution is connected to the bottom portion of the external bath 20. Pure water or chemical solution overflowed from the internal bath 19 is sent to a storage tank (not shown) through the drain line 24. In addition, exhaust lines 26 are connected to both rear walls of the external Nas 20 to exhaust the chemical solution fumes and the IPA fumes to the outside of the semiconductor manufacturing plant. The exhaust line 26 is formed on the rear wall of the external bath 20 to uniformly exhaust the IPA fume or the like during drying.

또한, 상기 로더(13)에 이동된 반도체 웨이퍼(3)를 잡고 내부 배스(19) 상으로 이동시킬 수 있고 세정된 반도체 웨이퍼(3)를 건조시킬 수 있는 마란고니 건조기(23)를 포함한다. 상기 마란고니 건조기(23)는 도 3에 도시한 바와 같이 상기 로더(13)에 탑재된 반도체 웨이퍼(3)를 탑재할 수 있는 슬롯(도 1의 해칭 내부)과 로킹부(도 4 내지 10의 참조번호 27, locking unit)가 포함되고 반도체 웨이퍼(3)를 건조할 수 있는 후드(23a, hood)와, 상기 후드(23a) 상에 IPA가 반도체 웨이퍼에 균일하게 퍼지도록 하는 다수의 홀을 구비하는 IPA 공급판(23b, supply plate)과, 상기 IPA 공급판(23b) 상에 위치하는 IPA 공급 노즐(23c, supply nozzle)로 구성된다.In addition, it includes a marangoni dryer 23 capable of holding the semiconductor wafer 3 moved to the loader 13 and moving it onto the inner bath 19 and drying the cleaned semiconductor wafer 3. As shown in FIG. 3, the marangoni dryer 23 includes a slot (inside the hatching in FIG. 1) and a locking portion (as shown in FIGS. 4 to 10) on which the semiconductor wafer 3 mounted on the loader 13 can be mounted. A reference numeral 27, which includes a locking unit and includes a hood 23a for drying the semiconductor wafer 3, and a plurality of holes on the hood 23a for uniformly spreading the IPA over the semiconductor wafer. It consists of an IPA supply plate 23b and a supply nozzle 23c located on the IPA supply plate 23b.

특히, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치의 마란고니 건조기(23)는 IPA 노즐(23c)이 중앙 및 좌우측에 위치하여 후드(23a) 전체에 골고루 IPA 흄이 퍼지기 때문에 반도체 웨이퍼(3) 내의 건조 균일도를 향상시킬 수 있다. 그리고, 상기 마란고니 건조기(23)는 X, Y, Z 축으로 이동시킬 수 있는 제3 이동 수단(25a, 25b)이 포함되어 있다. 즉, 제3 이동 수단(25a, 25b)은 마란고니 건조기를 Z축으로 이동시킬 수 있는 제3 레일(25a)과 X축으로 이동시킬 수 있는 제4 레일(25b)을 포함한다. 도 1에서, 마란고니 건조기의 Y축 방향의 이동은 편의상 도시하지 않았다.In particular, in the marangoni dryer 23 of the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention, since the IPA nozzles 23c are positioned at the center and left and right sides, and the IPA fume is evenly spread throughout the hood 23a, the drying uniformity in the semiconductor wafer 3 is improved. Can be improved. In addition, the marangoni dryer 23 includes third moving means 25a and 25b that can move in the X, Y, and Z axes. That is, the third moving means 25a and 25b include a third rail 25a capable of moving the marangoni dryer in the Z axis and a fourth rail 25b capable of moving in the X axis. 1, the movement of the marangoni dryer in the Y-axis direction is not shown for convenience.

더욱이, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치의 마란고니 건조기(23)는 Z축(상하방향)으로도 이동할 수 있다. 이렇게 마란고니 건조기(23)를 Z축으로 이동할 수 있으면 반도체 웨이퍼의 건조시 상기 내부 배스(19)와 마란고니 건조기(23)를 밀착시켜 반도체 웨이퍼 세정 장치의 라미나 플로우(laminar flow)나 배기로 인하여 마란고니 건조기 내에 공급되는 IPA 기체의 와류 및 유실에 따른 영향을 억제시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(3) 내에서 건조 균일성을 향상시켜 물반점의 생성을 억제할 수 있다. 더하여, 상기 반도체 웨이퍼의 건조시 외부 배스에 설치된 배기구를 통하여 배기를 더욱 균일하게 할 수 있어 반도체 웨이퍼 표면 상에 발생하는 물반점의 발생을 더욱더 줄일 수 있다.Moreover, the marangoni dryer 23 of the semiconductor wafer cleaning apparatus of this invention can also move to Z-axis (up-down direction). If the marangoni dryer 23 can be moved along the Z-axis, the inner bath 19 and the marangoni dryer 23 are brought into close contact with each other during the drying of the semiconductor wafer. Due to this, it is possible to suppress the effect of the vortex and loss of the IPA gas supplied into the Marangoni dryer. Thereby, drying uniformity can be improved in the semiconductor wafer 3, and generation | occurrence | production of a water spot can be suppressed. In addition, when the semiconductor wafer is dried, it is possible to make the exhaust gas more uniform through the exhaust port provided in the external bath, thereby further reducing the occurrence of water spots on the semiconductor wafer surface.

도 1 및 도 2에서 후드(23a)로 공급되는 IPA는 버블링 방식으로 공급되나 편의상 도시하지 않았다. 그리고, 도 1 및 도 2에서는 편의상 내부 배스(19)를 하나만 도시하였으나, 내부 배스(19)를 복수개 구비할 수 있으며 이때도 상술한 바와 같이 세정 및 건조를 하나의 내부 배스에서 진행할 수 있다.1 and 2, the IPA supplied to the hood 23a is supplied in a bubbling manner, but is not shown for convenience. 1 and 2, only one inner bath 19 is illustrated for convenience, but a plurality of inner baths 19 may be provided, and the washing and drying may be performed in one inner bath as described above.

도 4 내지 도 10은 도 1의 반도체 웨이퍼 세정장치를 이용하여 반도체 웨이퍼가 세정되는 과정을 개략적으로 도시한 단면도들이고, 도 11은 도 10의 반도체 웨이퍼 세정시의 평면도이다. 도 4 내지 도 11에서, 도 1 내지 도 3과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.4 to 10 are cross-sectional views schematically illustrating a process of cleaning a semiconductor wafer using the semiconductor wafer cleaning apparatus of FIG. 1, and FIG. 11 is a plan view of the semiconductor wafer cleaning process of FIG. 10. In Figs. 4 to 11, the same reference numerals as Figs. 1 to 3 denote the same members.

먼저, 도 4에 도시한 바와 같이 로딩부(7)의 카세트에서 반도체 웨이퍼(3)를 추출한 후, 이동하여 로더(13) 상에 반도체 웨이퍼(3)가 놓여진다. 이어서, 로더(13)에 놓여진 반도체 웨이퍼(3)는 제1 풋셔(17)를 이용하여 로더(13) 상부에 위치하는 마란고니 건조기(23)의 후드쪽(23a)으로 상승시킨다. 이때, 상기 후드(23a)의 로킹부(27)는 풀어(상하로 하여) 반도체 웨이퍼(3)가 후드(23a) 안쪽으로 이동될 수 있도록 한다.First, as shown in FIG. 4, after extracting the semiconductor wafer 3 from the cassette of the loading part 7, it moves and places the semiconductor wafer 3 on the loader 13. As shown in FIG. Subsequently, the semiconductor wafer 3 placed on the loader 13 is lifted up to the hood side 23a of the marangoni dryer 23 located above the loader 13 by using the first pusher 17. At this time, the locking portion 27 of the hood 23a is released (up and down) to allow the semiconductor wafer 3 to be moved into the hood 23a.

다음에, 도 5에 도시한 바와 같이 상기 후드(23a) 안쪽으로 반도체 웨이퍼(3)가 로딩되면 로킹부(27)를 잠궈(수평방향으로 하여) 반도체 웨이퍼(3)가 아래로 이동하지 못하도록 한다. 이후에 반도체 웨이퍼(3)가 로딩된 마란고니 건조기(23)를 제4 레일(25b)을 이용하여 순수(29a)가 채워져 있는 내부 배스(19) 상부로 이동시킨다.Next, as shown in FIG. 5, when the semiconductor wafer 3 is loaded into the hood 23a, the locking part 27 is locked (horizontally) to prevent the semiconductor wafer 3 from moving downward. . Thereafter, the marangoni dryer 23 loaded with the semiconductor wafer 3 is moved to the upper portion of the inner bath 19 filled with the pure water 29a using the fourth rail 25b.

계속하여, 도 6에 도시한 바와 같이 상기 내부 배스(19)로 이동된 마란고니 건조기(23)는 후드(23a) 내의 로킹부(27)를 풀어 반도체 웨이퍼(3)를 순수(29a)가 채워진 내부 배스(19)로 하강시켜 순수(29a)로 세정한다. 이때, 마란고니 건조기(23)의 상부에서는 질소 가스가 분사된다.Subsequently, the marangoni dryer 23 moved to the inner bath 19 as shown in FIG. 6 releases the locking portion 27 in the hood 23a to fill the semiconductor wafer 3 with pure water 29a. It descends to the internal bath 19 and wash | cleans with pure water 29a. At this time, nitrogen gas is injected from the upper part of the marangoni dryer 23.

다음에, 도 7에 도시한 바와 같이 순수(29a)를 드레인시킨 후 상기 내부 배스(19) 내에 화학용액(31)을 충진시켜 반도체 웨이퍼(3)를 화학 용액(31)으로 처리한다. 즉, 반도체 웨이퍼(3)를 화학용액(31)으로 세정한다.Next, as shown in FIG. 7, the pure water 29a is drained, and the chemical solution 31 is filled in the internal bath 19 to treat the semiconductor wafer 3 with the chemical solution 31. That is, the semiconductor wafer 3 is cleaned with the chemical solution 31.

계속하여, 도 8에 도시한 바와 같이 상기 화학 용액(31)을 드레인한 후 상기 화학 용액(31)으로 세정된 반도체 웨이퍼(3)가 로딩된 내부 배스(19)에 순수(29b)를 다시 충진시킨다. 이어서, 상기 순수(29b)가 충진된 내부 배스(19)에 메카소닉 장치를 이용하여 화학용액(31)으로 세정된 반도체 웨이퍼(3) 표면의 화학 물질들을 제거한다. 도 8에서, 참조번호 33은 메카소닉장치를 이용할 때 발생하는 물방울을 나타낸다.Subsequently, after the chemical solution 31 is drained, as shown in FIG. 8, the pure water 29b is refilled into the internal bath 19 loaded with the semiconductor wafer 3 cleaned with the chemical solution 31. Let's do it. Subsequently, chemicals on the surface of the semiconductor wafer 3 cleaned with the chemical solution 31 are removed by using a mechanonic apparatus in the internal bath 19 filled with the pure water 29b. In Fig. 8, reference numeral 33 denotes water droplets generated when using the mechanic apparatus.

다음에, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 세정된 반도체 웨이퍼(3)가 로딩된 내부 배스(19)에서 순수(29b)를 빠르게 드레인시켜 반도체 웨이퍼(3) 표면이나 내부 배스(19) 내의 화학 물질들을 빠르게 제거한다.Next, as shown in FIG. 9, the pure water 29b is quickly drained from the internal bath 19 loaded with the cleaned semiconductor wafer 3, and the chemicals in the surface of the semiconductor wafer 3 or in the internal bath 19 are removed. Remove them quickly.

다음에, 상기 순수(29b)가 드레인된 내부 배스(19) 내에 다시 순수(29c)를 충진한다. 이어서, 상기 마란고니 건조기(23)를 Z축 방향(아래 방향)으로 이동시켜 상기 내부 배스(19)와 마란고니 건조기(23)를 밀착시킨다. 다시 말해, 도 2에 도시한 바와 같은 마란고니 건조기(23)와 내부 배스(19)을 밀착시킨다. 이렇게 내부 배스(19)와 마란고니 건조기(23)를 밀착시키면 후술하는 바와 같이 건조시 반도체 웨이퍼 세정 장치의 라미나 플로우(laminar flow)나 배기에 의한 영향을 줄일 수 있다.Next, the pure water 29c is filled again into the internal bath 19 in which the pure water 29b is drained. Next, the marangoni dryer 23 is moved in the Z-axis direction (downward direction) to bring the internal bath 19 and the marangoni dryer 23 into close contact with each other. In other words, the marangoni dryer 23 and the inner bath 19 as shown in FIG. 2 are brought into close contact with each other. When the inner bath 19 and the marangoni dryer 23 are brought into close contact with each other, the influence of lamina flow or exhaust of the semiconductor wafer cleaning apparatus during drying can be reduced as described below.

계속하여, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 상기 마란고니 건조기(23)의 상측에서 질소와 IPA 흄을 소량 분사되고 있는 동안에 마란고니 건조기의 로킹부(27)를 풀고 상기 반도체 웨이퍼(3)를 나이프(21)로 내부 배스(19)에서 마란고니 건조기(23) 쪽으로 서서히 이동시키면서 IPA와 순수의 표면장력차를 이용하여 순수를 건조시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 10 and FIG. 11, while the small amount of nitrogen and IPA fume are being injected from the upper side of the marangoni dryer 23, the locking part 27 of the marangoni dryer is released and the semiconductor wafer 3 is removed. The pure water is dried by using the surface tension difference between the IPA and the pure water while slowly moving from the inner bath 19 to the marangoni dryer 23 with the knife 21.

이때, 본 발명은 내부 배스(19)와 마란고니 건조기(23)가 밀착되어 있어 반도체 웨이퍼 세정 장치의 라미나 플로우(laminar flow)나 배기로 인하여 마란고니 건조기 내에 공급되는 IPA 기체의 와류 및 유실에 따른 영향을 배제할 수 있어 반도체 웨이퍼(3) 상의 물반점의 생성을 억제할 수 있다. 더하여, 본 발명은 상술한 바와 같이 배기가 내부 배스의 양측으로 균일하게 되기 때문에 라미나 플로우나 배기로 인한 영향을 배제하여 반도체 웨이퍼(3) 상의 물반점의 발생을 더욱더 줄일 수 있다. 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼(3)를 내부 배스(19)에서 마란고니 건조기(23)쪽으로 서서히 이동시켜 건조를 하였으나, 순수(29c)를 서서히 드레인시키면서 건조시킬 수도 있다.At this time, the present invention is in close contact with the internal bath (19) and the marangoni dryer 23, the vortex and the loss of the IPA gas supplied into the marangoni dryer due to the lamina flow (laminar flow) or exhaust of the semiconductor wafer cleaning apparatus It is possible to eliminate the effect, so that generation of water spots on the semiconductor wafer 3 can be suppressed. In addition, the present invention can further reduce the occurrence of water spots on the semiconductor wafer 3 by eliminating the effects of lamina flow or exhaust since the exhaust becomes uniform on both sides of the internal bath as described above. In the present embodiment, the semiconductor wafer 3 is gradually moved from the internal bath 19 to the marangoni dryer 23, and dried. However, the pure water 29c may be dried while gradually draining.

이렇게 건조된 반도체 웨이퍼(3)가 포함된 마란고니 건조기(23)는 상측으로 이동하고 제4 레일을 이용하여 언로더(15)에 언로딩된다. 언로딩된 반도체 웨이퍼(3)는 제2 이동 수단(11a∼11c) 및 제1 이동수단(9a, 9b)을 이용하여 빈 카세트에 로딩되어 세정 및 건조를 완료하게 된다.The marangoni dryer 23 including the semiconductor wafer 3 thus dried is moved upward and unloaded to the unloader 15 using a fourth rail. The unloaded semiconductor wafer 3 is loaded into the empty cassette using the second moving means 11a to 11c and the first moving means 9a and 9b to complete cleaning and drying.

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 마란고니 건조기를 포함하는 세정 장치로 반도체 웨이퍼를 세정했을 경우와 그렇지 않은 경우의 반도체 웨이퍼의 표면 전자현미경 사진이다.12A and 12B are surface electron micrographs of the semiconductor wafer when and when the semiconductor wafer is cleaned with the cleaning apparatus including the marangoni dryer of the present invention.

구체적으로, 도 12a는 순수 세정 후에 마란고니 건조기와 내부 배스를 밀착시킨 상태에서 건조를 수행한 경우이고, 도 12b는 순수 세정 후에 마란고니 건조기와 내부 배스를 밀착시키지 않고 건조를 수행한 경우이다. 도 12a에 보듯이 마란고니 건조기와 내부 배스를 밀착시키면 물반점이 발생하지 않는다. 그러나, 도 12b에 보듯이 마란고니 건조기와 내부 배스를 밀착시키지 않는 경우는 반도체 웨이퍼 표면에 물반점이 발생함을 알 수 있다.Specifically, FIG. 12A illustrates a case where drying is performed in a state in which the marangoni dryer and the internal bath are in close contact after pure water cleaning, and FIG. 12B illustrates a case where drying is performed without closely contacting the marangoni dryer and the internal bath after pure water cleaning. As shown in FIG. 12A, when the marangoni dryer comes into close contact with the inner bath, water spots do not occur. However, as shown in FIG. 12B, when the marangoni dryer is not brought into close contact with the internal bath, it is understood that water spots occur on the surface of the semiconductor wafer.

이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated concretely through the Example, this invention is not limited to this, A deformation | transformation and improvement are possible with the conventional knowledge in the art within the technical idea of this invention.

본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 마란고니 건조기가 내부 배스 상부에서 X,Y 및 Z축으로 이동할 수 있어 내부 배스와 마란고니 건조를 밀착시킨 상태에서 건조를 수행할 수 있고, 건조시 배기를 내부 배스의 양측에 위치한 외부 배스의 배기구로 균일하게 배기할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치는 자체 배기나 라미나 플로우에 영향을 받지 않고 배기를 균일하게 하면서 건조를 수행할 수 있어 건조 후에 반도체 웨이퍼 상에 물반점의 생성을 방지할 수 있다. 그리고, 본 발명의 반도체 세정 장치의 마라고니 건조기는 상부에 IPA 증기를 균일하게 분사할 수 있어 건조 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention, the marangoni dryer may move on the X, Y and Z axes from the upper part of the inner bath to perform drying in a state in which the inner bath and the marangoni dry are in close contact with each other, and the exhaust gas is dried during drying The exhaust port of the external bath located on both sides of the gas can be exhausted uniformly. Accordingly, the semiconductor wafer cleaning apparatus of the present invention can perform drying while making the exhaust gas uniform without being affected by self exhaust or lamina flow, thereby preventing generation of water spots on the semiconductor wafer after drying. In addition, the Maragoni dryer of the semiconductor cleaning device of the present invention can uniformly inject the IPA vapor to the top, it is possible to improve the drying uniformity.

Claims (11)

복수 매의 반도체 웨이퍼가 탑재된 카세트를 로딩할 수 있는 로딩부;A loading unit capable of loading a cassette on which a plurality of semiconductor wafers are mounted; 상기 로딩부의 카세트에 탑재된 반도체 웨이퍼를 추출하고 추출된 반도체 웨이퍼를 상기 로딩부와 이격된 로더로 이동시킬 수 있는 이동 수단;Moving means for extracting the semiconductor wafer mounted on the cassette of the loading unit and moving the extracted semiconductor wafer to the loader spaced apart from the loading unit; 상기 로더와 이격되어 있고 복수의 반도체 웨이퍼들을 화학용액 또는 순수로 세정할 수 있는 내부 배스;An internal bath spaced apart from the loader and capable of cleaning a plurality of semiconductor wafers with a chemical solution or pure water; 상기 로더로 이동된 반도체 웨이퍼를 내부 배스 상으로 이동시킬 수 있는 후드를 포함하고 내부 배스를 기준으로 X, Y, Z 축으로 이동할 수 있어 상기 내부 배스와 밀착할 수 있는 마란고니 건조기; 및A marangoni dryer including a hood for moving the semiconductor wafer moved to the loader onto an inner bath and moving in the X, Y, and Z axes based on the inner bath to be in close contact with the inner bath; And 상기 내부 배스 하부에 내부 배스에 로딩된 반도체 웨이퍼를 지지하고 상하로 일정속도로 이동시킬 수 있는 나이프(knife)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.And a knife capable of supporting the semiconductor wafer loaded in the inner bath under the inner bath and moving the upper and lower portions at a constant speed. 제1항에 있어서, 상기 이동수단은 상기 카세트에서 상기 반도체 웨이퍼를 추출할 수 있는 패드와, 상기 패드 상에 추출된 상기 반도체 웨이퍼를 상측으로 회전시킬 수 있는 회전체를 포함하는 제1 이동 수단과, 상기 제1 이동 수단에 의하여 상측으로 회전된 상기 반도체 웨이퍼를 로더로 이동시킬 수 있는 제2 이동 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The method of claim 1, wherein the moving means comprises: a first moving means including a pad capable of extracting the semiconductor wafer from the cassette, and a rotating body capable of rotating the semiconductor wafer extracted on the pad upwardly; And second moving means capable of moving the semiconductor wafer rotated upward by the first moving means to a loader. 제2항에 있어서, 상기 제2 이동 수단은 X축, Y축, Z축 방향으로 움직여 상기 제1 이동 수단에 의하여 상측으로 회전된 반도체 웨이퍼를 잡을 수 있는 클러치와, X축, Y축, Z축 방향으로 움직여 상기 클러치에 의하여 잡혀진 반도체 웨이퍼를 로더로 이동시킬 수 있는 레일을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.3. The method of claim 2, wherein the second moving means comprises: a clutch capable of moving in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions to hold the semiconductor wafer rotated upward by the first moving means; And a rail for moving the semiconductor wafer held by the clutch to the loader by moving in the axial direction. 제1항에 있어서, 상기 로더는 탑재된 반도체 웨이퍼를 상하(Z축)로 이동시켜 마란고니 건조기가 반도체 웨이퍼를 잘 잡을 수 있도록 하는 풋셔를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the loader includes a pusher for moving the mounted semiconductor wafer up and down (Z-axis) so that the marangoni dryer can hold the semiconductor wafer well. 제1항에 있어서, 상기 마란고니 건조기는 상기 로더에 탑재된 반도체 웨이퍼를 탑재할 수 있는 슬롯과 로킹부가 포함되고 웨이퍼를 건조할 수 있는 후드와, 상기 후드 상에 IPA가 상기 반도체 웨이퍼에 균일하게 퍼지도록 하는 다수의 홀을 구비하는 IPA 공급판과, 상기 IPA 공급판 상에 위치하는 IPA 공급 노즐로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The semiconductor device of claim 1, wherein the marangoni dryer includes a hood and a locking part for mounting the semiconductor wafer mounted on the loader, the hood for drying the wafer, and the IPA on the hood uniformly to the semiconductor wafer. A semiconductor wafer cleaning apparatus comprising: an IPA supply plate having a plurality of holes to be spread, and an IPA supply nozzle located on the IPA supply plate. 제1항에 있어서, 상기 내부 배스의 양측벽은 리세스부를 구비하고, 상기 리세스부를 커버하도록 상기 내부 배스의 양측에 외부 배스를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.The semiconductor wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein both side walls of the inner bath have recesses and further include outer baths on both sides of the inner bath to cover the recesses. 제6항에 있어서, 상기 외부 배스의 양뒷벽에는 배기를 균일하게 할 수 있는 배기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.7. The semiconductor wafer cleaning apparatus according to claim 6, wherein exhaust ports for uniform exhausting are provided on both rear walls of the external bath. 복수 매의 반도체 웨이퍼가 탑재된 카세트를 로딩부에 로딩하는 단계;Loading a cassette loaded with a plurality of semiconductor wafers into a loading unit; 상기 로딩부의 카세트에 탑재된 반도체 웨이퍼를 추출하여 상기 로딩부와 이격된 로더로 이동시키는 단계;Extracting the semiconductor wafer mounted on the cassette of the loading unit and moving the semiconductor wafer to the loader spaced apart from the loading unit; 상기 로더로 이동된 반도체 웨이퍼들을 마란고니 건조기 내로 탑재시키는 단계;Mounting the semiconductor wafers transferred to the loader into a marangoni dryer; 상기 반도체 웨이퍼가 탑재된 마란고니 건조기를 상기 로더와 이격된 내부 배스 상으로 이동시키는 단계;Moving the marangoni dryer on which the semiconductor wafer is mounted onto an internal bath spaced apart from the loader; 상기 마란고니 건조기에서 내부 배스 내로 상기 반도체 웨이퍼들을 이동시켜 화학용액 및 순수로 세정하는 단계;Moving the semiconductor wafers into an internal bath in the marangoni dryer to clean them with chemical solution and pure water; 상기 마란고니 건조기를 아래 방향으로 이동시켜 상기 내부 배스와 마란고니 건조기를 밀착시키는 단계; 및Moving the marangoni drier downward to closely contact the inner bath and the marangoni drier; And 상기 마란고니 건조기의 상부에서 질소와 IPA 흄을 분사하고 있는 동안에 상기 순수가 포함된 내부 배스에서 상기 반도체 웨이퍼를 일정 속도로 상승시키거나 상기 순수를 천천히 드레인시켜 IPA와 순수의 표면장력차를 이용하여 상기 순수를 건조하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 방법.While injecting nitrogen and IPA fume from the upper part of the Marangoni dryer, the semiconductor wafer is raised at a constant speed in the internal bath containing pure water, or the pure water is slowly drained to use the surface tension difference between IPA and pure water. Method of cleaning a semiconductor wafer comprising the step of drying the pure water. 제8항에 있어서, 상기 로더로 이동된 반도체 웨이퍼들을 마란고니 건조기 내로 탑재시킬 때 상기 로더 하부에 위치하는 풋셔를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 방법.The semiconductor wafer cleaning method according to claim 8, wherein the semiconductor wafers moved to the loader are carried out using a pusher located under the loader when the semiconductor wafers are loaded into the marangoni dryer. 제8항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼들을 마란고니 건조기 내로 상승시켜 건조시킬 때 상기 내부 배스 하부에 위치하는 나이프를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 방법.The method of claim 8, wherein the semiconductor wafers are lifted into a marangoni dryer and dried by using a knife located under the inner bath. 제8항에 있어서, 상기 순수를 건조하는 단계에서 상기 내부 배스의 양측에 위치하는 외부 배스에 설치된 배기구를 통하여 배기를 균일하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정 방법.The semiconductor wafer cleaning method according to claim 8, wherein in the drying of the pure water, exhaust is uniformly provided through exhaust ports provided in external baths located at both sides of the inner bath.
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