KR20010095095A - 발진기 - Google Patents

발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR20010095095A
KR20010095095A KR1020010016485A KR20010016485A KR20010095095A KR 20010095095 A KR20010095095 A KR 20010095095A KR 1020010016485 A KR1020010016485 A KR 1020010016485A KR 20010016485 A KR20010016485 A KR 20010016485A KR 20010095095 A KR20010095095 A KR 20010095095A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
oscillation
switch diode
signal
amplifying
Prior art date
Application number
KR1020010016485A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100383487B1 (ko
Inventor
노우미히로키
Original Assignee
가타오카 마사타카
알프스 덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가타오카 마사타카, 알프스 덴키 가부시키가이샤 filed Critical 가타오카 마사타카
Publication of KR20010095095A publication Critical patent/KR20010095095A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100383487B1 publication Critical patent/KR100383487B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/06—Modifications of generator to ensure starting of oscillations

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

본 발명은 발진회로를 하나의 주파수대에서 안정되게 발진시킴과 동시에, 주파수비가 2배가 되는 2개의 주파수대의 발진신호를 충분한 레벨로 얻는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여 본 발명에서는 소정의 주파수대에서 발진하는 발진회로(1)와, 신호 감쇠수단(12)과, 발진회로(1)로부터 출력되는 발진신호를 증폭하여 발진신호의 기본파 또는 2차 고조파를 출력하는 증폭회로(10)를 구비하여 증폭회로(1)의 입력단에 신호 감쇠수단(12)을 설치하고, 증폭회로(10)로부터 2차 고조파를 출력할때는 신호 감쇠수단(12)에 의해 기본파를 감쇠하였다.

Description

발진기{OSCILLATOR}
본 발명은 발진회로와 증폭회로를 구비하여 주파수비가 약 2배의 관계에 있는 2개의 주파수대의 발진신호를 증폭하여 출력하는 발진기에 관한 것이다.
종래의 발진기를 도 4를 참조하여 설명한다. 발진회로(31)는 내부에 공진회로(도시 생략)를 가지고, 그 공진회로의 공진주파수가 전환됨으로써 900 MHz대 또는 1800 MHz대의 2개의 주파수대의 어느 하나에서 발진한다. 발진신호는 발진회로 (31)를 구성하는 발진트랜지스터(도시 생략)의 에미터 또는 베이스 등으로부터 출력되어 증폭회로(32)에 입력된다. 증폭회로(32)는 900 MHz대 또는 1800 MHz대에 동조하는 동조 증폭회로로서 구성되어 있다.
그리고 발진회로(31)의 발진주파수대의 전환과 증폭회로(32)의 동조 증폭주파수대의 전환이 연동하여 각 발진주파수대의 발진신호가 증폭회로(32)로부터 출력된다.
그러나 종래의 발진기에서는 1개의 발진회로에 의해 주파수비가 2배 정도의 관계가 되는 2개의 주파수대에서 발진시키도록 하고 있기 때문에 2개의 주파수대에 있어서의 발진조건을 모두 충분히 확보할 수 없으며, 한쪽의 주파수대에서의 발진조건이 불충분해져 안정되게 발진시킬 수 없었다.
따라서 본 발명의 발진기는 발진회로를 하나의 주파수대에서 안정되게 발진시킴과 동시에, 주파수비가 2배가 되는 2개의 주파수대의 발진신호를 충분한 레벨로 얻는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 발진기의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 발진기의 등가회로도,
도 3은 본 발명의 발진기의 등가회로도,
도 4는 종래의 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 발진회로 2 : 발진트랜지스터
3, 4 : 귀환콘덴서 5 : 공진회로
6 : 초크인덕터 7 : 바이어스저항
8 : 인덕턴스소자 10 : 증폭회로
11 : 결합회로 11a : 직류차단콘덴서
11b : 제 1 스위치 다이오드 11c : 제 1 결합 콘덴서
11d : 제 2 스위치 다이오드 11e : 제 2 결합 콘덴서
11f : 인덕턴스소자 11g : 급전저항
11h : 제 1 전환단자 12 : 신호 감쇠수단
12a : 인덕턴스소자 12b : 콘덴서
12c : 제 3 스위치 다이오드 12d : 급전저항
12e : 제 2 변환단자
상기 과제를 해결하기 위하여 소정의 주파수대에서 발진하는 발진회로와, 신호감쇠수단과, 상기 발진회로로부터 출력되는 발진신호를 증폭하여 상기 발진신호의 기본파 또는 2차 고조파를 출력하는 증폭회로를 구비하고, 상기 증폭회로의 입력단에 상기 신호 감쇠수단을 설치하여 상기 증폭회로로부터 상기 2차 고조파를 출력할 때는 상기 신호 감쇠수단에 의해 상기 기본파를 감쇠하였다.
또 상기 발진회로는 발진트랜지스터를 가지고, 상기 증폭회로로부터 상기 기본파를 출력할 때는 상기 발진신호를 상기 발진트랜지스터의 에미터로부터 상기 증폭회로에 입력하고, 상기 증폭회로로부터 상기 2차 고조파를 출력할 때는 상기 발진신호를 상기 발진트랜지스터의 콜렉터로부터 상기 증폭회로에 입력하였다.
또 상기 발진트랜지스터의 콜렉터와 그라운드 사이에 제 1 스위치 다이오드를 접속하여 에미터와 상기 증폭회로의 입력단을 제 2 스위치 다이오드에 의해 결합하여 상기 제 1 스위치 다이오드 및 제 2 스위치 다이오드를 함께 온 또는 오프로 하였다.
또 상기 기본파의 주파수에 공진하는 직렬 공진회로와 상기 직렬 공진회로에 직렬 접속된 제 3 스위치 다이오드에 의해 상기 신호 감쇠수단을 구성함과 동시에, 상기 신호 감쇠수단을 상기 증폭회로의 입력단과 그라운드 사이에 접속하여 상기증폭기로부터 상기 2차 고조파를 출력할 때에만 상기 제 3 스위치 다이오드를 온으로 하였다.
본 발명의 발진기를 도 1 내지 도 3에 의해 설명한다. 먼저 도면은 본 발명의 발진기의 회로구성으로, 발진회로(1)는 발진트랜지스터(2), 귀환 콘덴서(3, 4), 공진회로(5) 등을 가지고, 공진회로(5)는 발진트랜지스터(2)의 베이스에 접속된다. 발진트랜지스터(2)의 콜렉터에는 초크인덕터(6)를 거쳐 전압(Vb)이 인가되고, 에미터는 바이어스저항(7)과 인덕턴스소자(8)에 의한 직렬회로에 의해 접지된다.
그리고 발진회로(1)는 하나의 주파수대(예를 들면 900 MHz대)에서 발진하고, 발진신호는 발진트랜지스터(2)의 콜렉터 및 에미터로부터 출력된다. 발진신호의 주파수는 공진회로(5)내에 설치된 버랙터 다이오드(도시 생략)에 인가하는 제어전압에 의해 바뀌어진다.
또 발진회로(1)와 증폭회로(10) 사이에는 발진신호를 증폭회로(10)에 입력하기 위한 결합회로(11)가 설치되고, 증폭회로(10)의 입력단에는 신호 감쇠수단(12)이 설치된다.
결합회로(11)에는 발진트랜지스터(2)의 콜렉터는 직류차단콘덴서(11a)와 제 1 스위치 다이오드(11b)에 의한 직렬회로에 의해 그라운드에 접속되고, 또 제 1 결합 콘덴서(11c)에 의해 증폭회로(10)에 접속된다. 제 1 스위치 다이오드(11b)의 캐소드는 접지된다. 직류차단콘덴서(11a)는 발진신호의 주파수에 있어서는 매우 낮은 임피던스를 가진다.
한편, 발진트랜지스터(2)의 에미터와 증폭회로(10)의 입력단과는 제 2 스위치 다이오드(11d)와 제 2 결합 콘덴서(11e)에 의한 직렬회로에 의해 서로 결합된다. 제 2 스위치 다이오드(11d)의 캐소드는 발진트랜지스터(2)의 에미터에 접속된다.
그리고 제 1 스위치 다이오드(11b)의 애노드와 제 2 스위치 다이오드(11d)의 애노드가 고주파 저지용 인덕턴스소자(11f)에 의해 서로 접속되어 급전저항 (11g)을 거쳐 제 1 전환단자(11h)에 접속된다.
신호 감쇠수단(12)은 인덕턴스소자(12a)와 콘덴서(12b)와 제 3 스위치 다이오드(12c)로 이루어지는 직렬회로로 구성되어 제 3 스위치 다이오드(12c)의 캐소드는 접지된다. 인덕턴스소자(12a)와 콘덴서(12b)에 의한 직렬 공진회로의 공진 주파수는 발진신호의 기본파의 주파수와 대략 동일하게 되어 있다. 그리고 제 3 스위치 다이오드(12c)의 애노드는 급전저항(12d)을 거쳐 제 2 변환단자(12e)에 접속된다.
이상의 구성에 있어서, 제 1 전환단자(11h)와 제 2 전환단자(12e)에는 고레벨의 전환전압 또는 저레벨의 전환전압이 인가되나, 제 1 전환단자(11h)에 고레벨의 전환전압이 인가될 때에는 제 2 변환단자에는 저레벨의 전환전압이 인가되고, 반대로 제 1 전환단자(11h)에 저레벨의 전환전압이 인가될 때에는 제 2 전환단자에는 고레벨의 전환전압이 인가된다.
또 발진트랜지스터(2)의 콜렉터 및 에미터로부터 발진신호가 출력되나, 발진신호의 기본파의 주파수는 900 MHz대이므로 콜렉터 및 에미터로부터는 그 고조파도출력된다.
그리고 제 1 전환단자(11h)에 고레벨의 전환전압이 인가되었을 때는 제 1 스위치 다이오드(11b)와 제 2 스위치 다이오드(11d)가 모두 온이 되고, 제 3 스위치 다이오드(12c)가 오프가 된다. 그 결과 도 2에 나타내는 등가회로가 되어 발진트랜지스터(2)의 콜렉터는 콘덴서(11a)에 의해 고주파적으로 접지되어 발진회로(1)는 콜렉터 접지형의 발진회로가 된다.
그리고 제 3 스위치 다이오드(12c)가 오프로 되어 있기 때문에 발진트랜지스터(2)의 에미터로부터 출력되는 발진신호의 기본파와 고조파(2차 고조파를 포함함)는 신호 감쇠수단(12)에 의해 감쇠하는 일 없이 제 3 스위치 다이오드(11d)와 제 2 결합 콘덴서(11e)를 거쳐 증폭회로(10)에 입력된다.
발진신호의 기본파의 레벨은 고조파의 레벨보다도 크기 때문에 증폭회로(10)로부터는 충분히 증폭된 기본파가 얻어진다.
한편 제 1 전환단자(11h)에 저레벨의 전환전압이 인가되었을 때는 제 1 스위치 다이오드(11b)와 제 2 스위치 다이오드(11d)가 모두 오프가 되고, 제 3 스위치 다이오드(12c)가 온이 된다. 그 결과 발진트랜지스터(2)의 에미터로부터 출력되는 발진신호의 기본파와 고조파(2차 고조파를 포함함)는 제 2 스위치 다이오드에 의해저지되어 증폭회로(10)에는 입력되지 않고, 도 3에 나타내는 바와 같이 콜렉터로부터 출력되는 발진신호의 기본파와 고조파(2차 고조파를 포함함)가 제 1 결합 콘덴서를 거쳐 증폭회로(10)에 입력된다.
이 때 제 3 스위치 다이오드(12c)가 온으로 되어 있기 때문에, 증폭회로(10)에는 고조파만이 입력되어 증폭된다. 그리고 증폭회로(10)에는 기본파가 입력되지않으므로 증폭회로(10)에서는 그 고조파가 발생하지 않는다. 따라서 증폭된 고조파의 레벨은 발진회로(1)로부터 증폭회로(10)에 입력되었을 경우의 기본파에 의해 증폭회로(10)에서 발생하는 고조파의 레벨보다도 크기 때문에 레벨이 높은 2차 고조파를 출력하는 것이 가능하게 된다. 또 발진트랜지스터(2)로부터 출력되는 발진신호의 레벨은 에미터로부터 출력되는 경우보다도 콜렉터로부터 출력되는 경우의 쪽이 일반적으로는 크기 때문에 증폭회로(10)로부터는 레벨이 큰 2차 고조파를 출력할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 발진기는 소정의 주파수대에서 발진하는 발진회로와, 신호 감쇠수단과, 발진신호의 기본파 또는 2차 고조파를 증폭하여 출력하는 증폭회로를 구비하고, 증폭회로의 입력단에 신호 감쇠수단을 설치하여 증폭회로로부터 2차 고조파를 출력할 때는 신호 감쇠수단에 의해 기본파를 감쇠하였기 때문에 발진회로를 하나의 주파수대에서 안정되게 발진시켜 주파수비가 2배가 되는 2개의 주파수대의 발진신호를 큰 레벨로 출력할 수 있다.
또 증폭회로로부터 기본파를 출력할 때는 발진신호를 발진트랜지스터의 에미터로부터 증폭회로에 입력하고, 증폭회로로부터 2차 고조파를 출력할 때는 발진신호를 발진트랜지스터의 콜렉터로부터 증폭회로에 입력하였기 때문에 증폭기로부터 출력하는 고조파의 레벨을 크게 할 수 있다.
또 발진트랜지스터의 콜렉터와 그라운드 사이에 제 1 스위치 다이오드를 접속하고, 에미터와 증폭회로의 입력단을 제 2 스위치다이오드에 의해 결합하여 제 1스위치 다이오드 및 제 2 스위치 다이오드를 함께 온 또는 오프로 하였기 때문에 콜렉터 또는 에미터의 어느 하나로부터 발진신호를 출력할 수 있다.
또 기본파의 주파수에 공진하는 직렬 공진회로와 제 3 스위치 다이오드에 의해 신호 감쇠수단을 구성함과 동시에, 신호 감쇠수단을 증폭회로의 입력단과 그라운드 사이에 접속하여 증폭기로부터 2차 고조파를 출력할 때에만 제 3 스위치 다이오드를 온으로 하였기 때문에 기본파의 감쇠가 용이하다.

Claims (4)

  1. 소정의 주파수대에서 발진하는 발진회로와, 신호 감쇠수단과, 상기 발진회로로부터 출력되는 발진신호를 증폭하여 상기 발진신호의 기본파 또는 2차 고조파를 출력하는 증폭회로를 구비하고, 상기 증폭회로의 입력단에 상기 신호 감쇠수단을 설치하여 상기 증폭회로로부터 상기 2차 고조파를 출력할 때는 상기 신호 감쇠수단에 의해 상기 기본파를 감쇠한 것을 특징으로 하는 발진기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발진회로는 발진트랜지스터를 가지고, 상기 증폭회로로부터 상기 기본파를 출력할 때는 상기 발진신호를 상기 발진트랜지스터의 에미터로부터 상기 증폭회로에 입력하고, 상기 증폭회로로부터 상기 2차 고조파를 출력할 때는 상기 발진신호를 상기 발진트랜지스터의 콜렉터로부터 상기 증폭회로에 입력한 것을 특징으로 하는 발진기.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 발진트랜지스터의 콜렉터와 그라운드 사이에 제 1 스위치 다이오드를 접속하고, 에미터와 상기 증폭회로의 입력단을 제 2 스위치 다이오드에 의해 결합하여 상기 제 1 스위치 다이오드 및 제 2 스위치 다이오드를 함께 온 또는 오프로 한 것을 특징으로 하는 발진기.
  4. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기본파의 주파수에 공진하는 직렬 공진회로와 상기 직렬 공진회로에 직렬 접속된 제 3 스위치 다이오드에 의해 상기 신호 감쇠수단을 구성함과 동시에 상기 신호 감쇠수단을 상기 증폭회로의 입력단과 그라운드 사이에 접속하여 상기 증폭기로부터 상기 2차 고조파를 출력할 때에만 상기 제 3 스위치 다이오드를 온으로 한 것을 특징으로 하는 발진기.
KR10-2001-0016485A 2000-03-30 2001-03-29 발진기 KR100383487B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-097888 2000-03-30
JP2000097888A JP2001284964A (ja) 2000-03-30 2000-03-30 発振器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010095095A true KR20010095095A (ko) 2001-11-03
KR100383487B1 KR100383487B1 (ko) 2003-05-12

Family

ID=18612451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0016485A KR100383487B1 (ko) 2000-03-30 2001-03-29 발진기

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1154559B1 (ko)
JP (1) JP2001284964A (ko)
KR (1) KR100383487B1 (ko)
CN (1) CN1156959C (ko)
DE (1) DE60101015T2 (ko)
TW (1) TW480807B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9392437B2 (en) 2008-10-17 2016-07-12 Alcatel Lucent Method and system for IP multimedia bearer path optimization through a succession of border gateways
CN102347729B (zh) * 2011-07-29 2014-10-08 西安空间无线电技术研究所 基片集成波导平衡式三倍频器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2753879A1 (de) * 1977-12-02 1979-06-07 Siemens Ag Einstufiger quarzoszillator
US4859969A (en) * 1983-06-13 1989-08-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Single transistor dual mode crystal oscillator(U)
US5263197A (en) * 1991-09-20 1993-11-16 Matsushita Communication Industrial Corporation Of America Dual port oscillator for two-stage direct conversion receiver
US5852384A (en) * 1996-04-25 1998-12-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dual band oscillator circuit using strip line resonators
JPH11168324A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器

Also Published As

Publication number Publication date
EP1154559A3 (en) 2002-06-12
JP2001284964A (ja) 2001-10-12
CN1317874A (zh) 2001-10-17
EP1154559A2 (en) 2001-11-14
TW480807B (en) 2002-03-21
DE60101015T2 (de) 2004-05-19
DE60101015D1 (de) 2003-11-27
KR100383487B1 (ko) 2003-05-12
EP1154559B1 (en) 2003-10-22
CN1156959C (zh) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0803972B1 (en) Dual band oscillator circuit
US5231361A (en) Voltage controlled push-push oscillator with parallel resonant tank circuits
US5440276A (en) Voltage controlled oscillating circuit for preventing a load pulling
US6163222A (en) Buffer amplifier with frequency selective mechanism
KR100383487B1 (ko) 발진기
US6292063B1 (en) Oscillating apparatus including two-band resonance circuit
EP1079512B1 (en) Two-band oscillating device
KR100990013B1 (ko) 고주파 발진기 및 전자기기
KR100372057B1 (ko) 2밴드 발진기
JPH11168324A (ja) 電圧制御発振器
KR100447743B1 (ko) 복수의 공진기를 포함하는 전압제어 발진 장치
KR100386175B1 (ko) 전압제어발진기
KR970011588B1 (ko) 통신기기의 전압제어 발진장치
KR19990085588A (ko) 전압 제어 발진 회로
KR0121389Y1 (ko) 튜너의 발진 출력 회로
KR100301946B1 (ko) 능동잡음제거회로를포함하고있는발진장치
JPH03204205A (ja) 集積回路装置
KR970007872B1 (ko) 초고주파수 발생회로
KR100386177B1 (ko) 발진장치
KR200218584Y1 (ko) 튜너의발진회로
KR100226284B1 (ko) 고주파 발진장치
KR19990085587A (ko) 전압 제어 발진 회로
JPH04332205A (ja) 電圧制御発振器
JPH09252218A (ja) 間欠動作型発振器
KR19990085586A (ko) 전압 제어 발진 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee