KR20010036268A - Method for forming a metallic oxide layer by an atomic layer deposition - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 금속 산화막 형성방법에 관한 것으로, 특히 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 형성되는 금속 산화막 형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a metal oxide film, and more particularly, to a method for forming a metal oxide film formed using atomic layer deposition.
일반적으로, 반도체 기판 상에 금속 산화막을 형성하고자 하는 경우에 흔히 이용되는 공정으로서 화학기상증착법(CVD : Chemical Vapor Deposition)이 있다. 이 화학기상증착법은 기체상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 상에 박막이나 에피층을 증착하는 방법이다. 금속 산화막 형성시에는, 금속의 소스가스와 H2O, H2O2, O2, O3 등과 같은 산화제를 고온으로 열분해하여 반응시켜 반도체 기판 상에 금속산화물을 증착시키게 된다.In general, chemical vapor deposition (CVD) is a commonly used process for forming a metal oxide film on a semiconductor substrate. This chemical vapor deposition method is a method of depositing a thin film or epitaxial layer on a semiconductor substrate by chemical reaction after decomposing a gaseous compound. In forming the metal oxide film, a metal source gas is thermally decomposed to react with an oxidizing agent such as H 2 O, H 2 O 2, O 2, O 3, and the like to deposit a metal oxide on a semiconductor substrate.
이러한 CVD에 의한 금속산화물 형성방법은 주로 고온 공정을 이용하여야 하므로 반도체 기판 상에 형성되어 있는 열에 약한 일부 소자들에 열적손상을 가하기 쉬운 문제점이 있다. 또한, 금속 소스가스 및 산화제를 동시에 공정 챔버 내로 주입하고 열분해하여 금속 산화막을 증착 형성하므로, 상기 금속산화물의 조성이 복잡한 경우 조성의 조절이 어려루 뿐만 아니라 조성의 재현성이 떨어지는 문제점이 있다. 또한 CVD법은 반응이 매우 빠른 속도로 진행되므로 미세박막 형성시 막두께의 조절이 어려운 문제점이 있다.Since the metal oxide formation method by CVD mainly uses a high temperature process, there is a problem in that thermal damage is easily applied to some devices that are weak in heat formed on a semiconductor substrate. In addition, since the metal source film and the oxidant are simultaneously injected into the process chamber and thermally decomposed to form a metal oxide film, when the composition of the metal oxide is complex, it is difficult to control the composition and the reproducibility of the composition is inferior. In addition, the CVD method has a problem that it is difficult to control the film thickness when forming the micro thin film because the reaction proceeds at a very high speed.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 화학적 원자층 증착법을 이용하여 막두께의 조절 및 조성의 조절이 용이하고 저온에서 증착이 가능한 금속 산화막을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a metal oxide film that can be easily deposited and controlled at low temperature using a chemical atomic layer deposition method.
도 1은 금속 산화막을 형성하기 위한 원자층 증착장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing an atomic layer deposition apparatus for forming a metal oxide film.
도 2는 본 발명에 따른 금속 산화막 형성방법의 일 예이다.2 is an example of a metal oxide film forming method according to the present invention.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 금속 산화막 형성방법의 변형예이다.3 and 4 are modifications of the metal oxide film forming method according to the present invention.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은,In order to achieve the above technical problem, the present invention,
(a) 챔버 내에 반도체 기판을 로딩하는 단계;(a) loading a semiconductor substrate into the chamber;
(b) 원자층 증착법으로 상기 챔버 내로 금속 소스가스를 펄스 형태로 공급함으로써 상기 반도체 기판 상에 상기 금속 소스가스를 화학적으로 흡착시켜 금속 원자층을 형성하는 단계;(b) chemically adsorbing the metal source gas on the semiconductor substrate by supplying the metal source gas into the chamber by an atomic layer deposition method to form a metal atomic layer;
(c) 원자층 증착법으로 상기 챔버 내로 상기 금속가스의 공급 펄스와 교번하도록 산화제를 펄스형태로 공급하여 상기 금속 원자층 상에 산화제를 화학적으로 흡착시켜 금속 산화물층을 형성하는 단계; 및(c) chemically adsorbing an oxidant on the metal atomic layer to form a metal oxide layer by supplying an oxidant in a pulse form to alternate with a supply pulse of the metal gas into the chamber by atomic layer deposition; And
(d) 원자층 증착법으로 상기 챔버 내로 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스를 공급하여 금속 산화물층 형성시 발생하는 수산화기를 제거하는 단계를 포함하며,(d) supplying a plasma gas for removing a hydroxyl group into the chamber by atomic layer deposition, thereby removing the hydroxyl group generated when the metal oxide layer is formed;
여기서 상기 (d) 단계는 상기 (c) 단계의 전, 후, 또는 동시에 실행되는 금속 산화막 형성방법을 제공한다.Wherein step (d) provides a method of forming a metal oxide film before, after, or simultaneously with step (c).
상기 (b), (c), 및 (d) 단계를 반복적으로 수행하여 소정의 두께를 가지는 금속 산화막을 완성하는 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법을 제공한다.It provides a metal oxide film forming method comprising the step of performing the steps (b), (c), and (d) repeatedly to complete a metal oxide film having a predetermined thickness.
상기 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스는 NH3, N2, N2O, O2를 포함한다.The plasma gas for removing the hydroxyl group includes NH 3 , N 2 , N 2 O, O 2 .
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성방법에 의하면, 금속 소스가스 및 산화제를 교번하여 공정챔버 내로 주입하여 반응시켜 금속 산화막을 증착 형성하므로 미세박막 형성시 막두께의 조절이 용이하고, 또한 상기 금속산화물의 조성이 복잡한 경우에도 조성의 조절이 용이하며 조성의 재현성이 우수하고, 뿐만 아니라 CVD법에 비하여 저온 공정을 이용하므로 반도체 소자의 열적손상을 방지할 수 있다.As described above, according to the method of forming the metal oxide film using the atomic layer deposition method according to the present invention, the metal oxide film is deposited by alternately injecting the metal source gas and the oxidant into the process chamber to form a metal oxide film, thereby controlling the film thickness when forming the micro thin film. In addition, even when the composition of the metal oxide is complicated, the composition can be easily controlled, the composition is excellent in reproducibility, and a low temperature process is used as compared with the CVD method, thereby preventing thermal damage to the semiconductor device.
또한, 상기 금속 산화막 형성방법에 의하면, 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스 처리를 거치게 되므로 막내의 수산화기가 제거되어 막특성이 향상될 뿐만 아니라, 금속 산화막 표면의 보호막 효과도 얻을 수 있게 된다.In addition, according to the metal oxide film forming method, since the plasma gas treatment to remove the hydroxyl group is removed, not only the hydroxyl group in the film is removed, but also the film property is improved, and the protective film effect on the surface of the metal oxide film can be obtained.
이하, 첨부된 도면을 참조로하여 본 발명의 원자층 증착법에 의한 금속 산화막 형성방법에 관하여 설명하겠다.Hereinafter, a method of forming a metal oxide film by the atomic layer deposition method of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
반도체 소자 제조시 원자층 증착법 (Atomic Layer Deposition)은 반응물질을 챔버 내로 순차적으로 주입하고 제거하는 방식으로 반도체 기판 상에 복수의 원자층을 순차적으로 증착하는 방법이다.Atomic layer deposition is a method of sequentially depositing a plurality of atomic layers on a semiconductor substrate by sequentially injecting and removing reactants into a chamber.
이러한 원자층 증착법은 화학기상증착법(CVD)처럼 화학반응을 이용하는 증착법이지만 각각의 가스가 챔버 내에서 혼합되지 않고 한개씩 펄스로 흘려진다는 점에서 CVD 방법과 구별된다. 예컨데, A와 B 가스를 사용하는 경우, 먼저 A가스 만을 주입한다. 이 때 A 가스 분자가 화학흡착(Chemisorption)된다. 챔버에 잔류한 A가스는 아르곤이나 질소와 같은 불활성가스로 퍼지한다. 이후 B가스 만을 주입하면, A와 B 사이의 반응은 화학흡착된 A가스가 있는 표면에서만 일어나 원자층(atomic layer)의 박막이 증착된다. 이때문에 어떠한 몰포로지를 가진 표면이라 해도 100%의 스텝커버리지를 획득할 수 있다. A 및 B의 반응 후 챔버에 잔존하는 B가스 및 반응부산물을 퍼지시킨다. 상기의 A 또는 B 가스를 유입시켜 원자층 증착을 반복함으로써 박막의 두께를 원자층 단위로 조절할 수 있게 된다.The atomic layer deposition method is a deposition method using a chemical reaction like chemical vapor deposition (CVD), but is distinguished from the CVD method in that each gas flows in pulses one by one without being mixed in the chamber. For example, when using A and B gas, only A gas is injected first. At this time, A gas molecules are chemisorbed. A gas remaining in the chamber is purged with an inert gas such as argon or nitrogen. Then, when only B gas is injected, the reaction between A and B occurs only at the surface of the chemisorbed A gas, and a thin film of an atomic layer is deposited. For this reason, 100% step coverage can be obtained on any surface having any morphology. After the reaction of A and B, the B gas and the reaction byproduct remaining in the chamber are purged. The thickness of the thin film can be adjusted in atomic layer units by repeating atomic layer deposition by introducing the A or B gas.
상기한 바와 같은 원자층 증착법을 본 발명의 금속 산화막 형성방법에 적용하기 위하여 사용되는 원자층 증착 챔버에 관하여 도 1을 참조로하여 설명하겠다.The atomic layer deposition chamber used for applying the above-described atomic layer deposition method to the metal oxide film forming method of the present invention will be described with reference to FIG.
도 1은 본 발명에 따른 원자층 증착법을 형성하기 위하여 사용되는 원자층 증착장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing an atomic layer deposition apparatus used to form an atomic layer deposition method according to the present invention.
상기한 바와 같은 원자층 증착법을 실행하기 위한 원자층 증착챔버(100)에는, 소스가스들을 공급하기 위한 보유하고 있는 가스공급관(120, 130, 140)이 연결된다. 예를 들면, 가스공급관(120, 130, 140)을 통하여, 금속 원자층을 형성하기 위한 소스가스로서 TMA (TriMethyl Aluminum), TEA (TriEthyl Aluminum), TiCl4, TDMAT (Tetrakis DeMethyl Amino Titanium), TDEAT (Tetrakis DeEthyl Amino Titanium), 산화제로서 H2O, H2O2, O2, O3, 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스로서 NH3, N2, O2, N2O 등과 같은 가스가 각각 챔버(100) 내로 공급될 수 있다.Retaining gas supply pipes 120, 130, 140 for supplying source gases are connected to the atomic layer deposition chamber 100 for performing the atomic layer deposition method as described above. For example, through gas supply pipes 120, 130, and 140, TMA (TriMethyl Aluminum), TEA (TriEthyl Aluminum), TiCl 4 , TDMAT (Tetrakis DeMethyl Amino Titanium), TDEAT as a source gas for forming a metal atomic layer (Tetrakis DeEthyl Amino Titanium), gas such as H 2 O, H 2 O 2 , O 2 , O 3 as oxidizing agent, and NH 3 , N 2 , O 2 , N 2 O, etc. 100).
상기 가스 공급관(120, 130, 140)을 통하여 증착 챔버(100)내로 각 소스가스들이 펄스형태로 서로 교번하면서 주입된다. 가스공급관들의 수는 증착챔버(100) 내로 유입되는 반응가스들의 수에 따라 변경될 수 있으며, 도 1에서는 본 발명의 실시예에 사용되는 3개의 가스공급관 만을 도시하였다.Source gases are injected into the deposition chamber 100 through the gas supply pipes 120, 130, and 140 alternately with each other in a pulse form. The number of gas supply pipes may be changed according to the number of reaction gases introduced into the deposition chamber 100. In FIG. 1, only three gas supply pipes used in the embodiment of the present invention are shown.
마주보고 있는 두 개의 반도체 기판 지지대 (102a, 102b) 위에 각각 반도체기판(104)이 놓여진다. 그리고 반도체 기판 지지대(102A, 102B)가 설치된 증착챔버(100)의 바깥쪽 표면에 히팅블록이 형성되어 있으며, 히팅블록(106) 내에 복수개의 히터들이 있어서 반도체기판(104)의 온도를 일정하게 유지한다.The semiconductor substrate 104 is placed on the two semiconductor substrate supports 102a and 102b facing each other. In addition, a heating block is formed on an outer surface of the deposition chamber 100 in which the semiconductor substrate supports 102A and 102B are installed, and a plurality of heaters are provided in the heating block 106 to maintain a constant temperature of the semiconductor substrate 104. do.
또한, 반응 후의 잔류가스를 배기시키기 위한 퍼지가스를 증착챔버(100) 내로 공급하기 위하여 퍼지 가스 공급관(113)들이 증착챔버(100)에 연결되어 있다.In addition, purge gas supply pipes 113 are connected to the deposition chamber 100 to supply the purge gas for evacuating the residual gas after the reaction into the deposition chamber 100.
각 가스 공급관들(120, 130, 140)에는 밸브(116)들이 설치되어 밸브(116)들의 온/오프에 따라 증착챔프(100)내로 퍼지가스나 반응가스들을 유입하거나 또는 차단할 수 있다. 밸브들(116)은 뉴매틱밸브(pneumatic valve)로서 미리 일정한 주기로 밸브의 온/오프를 제어할 수 있도록 프로그램된 제어부에 의해 조정되는 것이 바람직하다.Valves 116 may be installed in the gas supply pipes 120, 130, and 140 to introduce or block purge gas or reactant gases into the deposition chamber 100 according to on / off of the valves 116. The valves 116 are preferably pneumatic valves that are adjusted by a controller programmed to control on / off of the valve at a predetermined interval in advance.
상기한 바와 같은 원자층 증착 챔버(100) 내에서 본 발명의 금속 산화막을 형성하는 방법에 관하여 도 2를 참조하여 이하에 상세히 설명한다.A method of forming the metal oxide film of the present invention in the atomic layer deposition chamber 100 as described above will be described in detail below with reference to FIG.
먼저, 단계 200에서, 챔버(100) 내에 반도체 기판(104)을 로딩한다.First, in step 200, the semiconductor substrate 104 is loaded into the chamber 100.
단계 210에서, 원자층 증착법으로 상기 챔버(100) 내로 금속 소스가스를 펄스 형태로 공급한다. 상기 금속 소스가스는 상기 반도체 기판 상에 상기 금속 소스가스가 화학적으로 흡착되어 금속 원자층(121)을 형성한다. 상기 금속 소스가스로는 TMA (TriMethyl Aluminum), TEA (TriEthyl Aluminum), TiCl4, TDMAT (Tetrakis DeMethyl Amino Titanium), TDEAT (Tetrakis DeEthyl Amino Titanium) 등과 같이 금속산화물을 형성할 수 있는 금속을 포함하는 물질들이면 가능하다.In step 210, a metal source gas is supplied into the chamber 100 in a pulse form by atomic layer deposition. The metal source gas is chemically adsorbed on the semiconductor substrate to form a metal atomic layer 121. The metal source gas may be a material containing a metal that can form a metal oxide such as TMA (TriMethyl Aluminum), TEA (TriEthyl Aluminum), TiCl 4 , TDMAT (Tetrakis DeMethyl Amino Titanium), TDEAT (Tetrakis DeEthyl Amino Titanium) It is possible.
예를 들면, 금속 소스가스로서 TMA(TriMethyl Aluminum : Al(CH3)3)가 공급되는 경우 Al 원자층이 형성된다.For example, when TMA (TriMethyl Aluminum: Al (CH 3 ) 3 ) is supplied as a metal source gas, an Al atomic layer is formed.
단계 220에서, 원자층 증착법으로 상기 챔버(100) 내로 상기 금속가스의 공급 펄스와 교번하도록 산화제를 펄스형태로 공급한다. 상기 산화제는 상기 금속 원자층(121) 상에 화학적으로 흡착되어 금속 산화물층(121')을 형성한다. 상기 산화제로는 H2O, H2O2, O2, O3등이 사용된다.In step 220, an oxidant is supplied in a pulse form to alternate with a supply pulse of the metal gas into the chamber 100 by atomic layer deposition. The oxidant is chemically adsorbed on the metal atomic layer 121 to form a metal oxide layer 121 ′. As the oxidant, H 2 O, H 2 O 2 , O 2 , O 3, and the like are used.
예를 들면, 산화제로서 H2O가 사용된 경우, 상기 Al층과 화학 반응하여 Al2O3의 금속산화물층을 형성한다.For example, when H 2 O is used as the oxidizing agent, it chemically reacts with the Al layer to form a metal oxide layer of Al 2 O 3 .
단계 230에서, 원자층 증착법으로 상기 산화제의 공급 펄스 후에 상기 챔버(100) 내로 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스를 공급한다. 이 플라즈마 가스는 금속 산화물층 형성시 발생하는 수산화기를 제거한다. 수산화기 제거를 위하여 공급되는 플라즈마 가스로서 NH3, N2, O2, N2O, NO 등을 포함하는 플라즈마 가스가 사용된다.In step 230, a plasma gas for removing a hydroxyl group is supplied into the chamber 100 after the supply pulse of the oxidant by atomic layer deposition. This plasma gas removes the hydroxyl groups generated when the metal oxide layer is formed. Plasma gas containing NH 3 , N 2 , O 2 , N 2 O, NO, or the like is used as the plasma gas supplied for hydroxyl group removal.
즉, 금속 산화막의 원자층 증착법에 의한 증착시 산화제로서 H2O, H2O2, O2, O3등을 사용하게 되는 경우 막내에 수산화기가 포함된 산화물이 생성되게 된다. 이러한 수산화기는 금속 산화막의 결함으로 작용하게 되므로 이를 제거하는 단계를 거치는 것이다.That is, when H 2 O, H 2 O 2 , O 2 , O 3, or the like is used as the oxidizing agent in the deposition by the atomic layer deposition method of the metal oxide film, an oxide containing a hydroxyl group is formed in the film. Since the hydroxyl groups act as defects of the metal oxide layer, the hydroxyl groups undergo a step of removing them.
예를 들면, 원자층 증착법에 의한 Al2O3막의 성장시, 금속 소스가스로서 TMA가, 산화제로서 H2O가 사용된 경우, 다음과 같이 Al2O3막 뿐 아니라 수산화기를 포함한 산화물을 형성시키는 두가지 반응이 일어날 수 있다.For example, in the growth of an Al 2 O 3 film by atomic layer deposition, when TMA is used as the metal source gas and H 2 O is used as the oxidant, not only the Al 2 O 3 film but also oxides including hydroxyl groups are formed as follows. Two reactions can occur.
TMA + H2O ⇒TMA + H 2 O ⇒
(1) 2Al(CH3)3+ 3H2O -→ Al2O3+ 6CH4 (1) 2Al (CH 3 ) 3 + 3H 2 O-→ Al 2 O 3 + 6CH 4
(2) Al(CH3)3+ 3H2O -→ Al(OH)3+ 3CH4 (2) Al (CH 3 ) 3 + 3H 2 O-→ Al (OH) 3 + 3CH 4
산화제로서 H2O 대신 O3를 사용하는 경우에도 역시 OH기가 생성된다. ,OH groups are also produced when O 3 is used instead of H 2 O as the oxidizing agent. ,
TMA + O3⇒TMA + O 3 ⇒
(1) 2Al(CH3)3+ O3-→ Al2O3+ 3C2H6 (1) 2Al (CH 3 ) 3 + O 3- → Al 2 O 3 + 3C 2 H 6
(2) Al(CH3)3+ O3-→ Al(OH)3+ C2H6 (2) Al (CH 3 ) 3 + O 3- → Al (OH) 3 + C 2 H 6
이와 같이, H2O, H2O2, O2, O3등을 산화제로 원자층 증착법에 의하여 Al2O3막를 성장시키게 되면, 막내에 불필요한 Al(OH)3도 생성됨으로 인하여 금속 산화막의 막질을 저하시키는 원인이 된다.As such, when an Al 2 O 3 film is grown by atomic layer deposition using H 2 O, H 2 O 2 , O 2 , O 3, or the like as an oxidizing agent, unnecessary Al (OH) 3 is also generated in the film. It causes a decrease in membrane quality.
따라서 이 막내에 형성된 OH기를 제거하기 위하여, NH3, N2, O2, N2O, NO 를 포함하는 플라즈마 가스를 주입한다. 예를 들어 NH3로 플라즈마 처리하게 되면 Al-OH 본드(bond)가 Al-N 본드로 쉽게 치환하게 되어 막내의 OH기를 제거할 수 있게 된다. 이 경우 새롭게 형성된 Al-N 본드는 절연특성이 Al2O3에 비하여 다소 떨어지나 누설전류특성은 더욱 우수하다. 따라서 이러한 Al2O3와 AlN의 고용액(solid solution) 형태의 유전막은 유전율을 향상시킴과 동시에, 금속 산화막 표면의 보호막 (passivation) 효과도 얻을 수 있게 된다.Therefore, in order to remove OH groups formed on the membrane is injected into the plasma gas including NH 3, N 2, O 2 , N 2 O, NO. For example, when plasma is treated with NH 3 , the Al-OH bond is easily replaced with an Al-N bond to remove OH groups in the film. In this case, the newly formed Al-N bond is slightly inferior to Al 2 O 3 , but has better leakage current characteristics. Therefore, such a dielectric film in the form of a solid solution of Al 2 O 3 and AlN improves the dielectric constant and at the same time obtains a passivation effect on the surface of the metal oxide film.
한편, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 단계 230은 단계 220의 후에 실행되는 경우 외에도, 단계 220의 전에, 또는 단계 220과 동시에 실행될 수도 있다. 즉, 상기 챔버(100) 내로 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스를 공급하는 단계 230은, 상기 산화제를 공급하여 금속산화물층을 형성하는 단계 220의 전에 실행되어 후속하여 주입되는 산화제와 반응하여도 마찬가지의 화학반응 결과를 얻는다. 또한 플라즈마 가스를 공급하는 단계 230이 상기 산화제를 공급하는 단계 220과 동시에 실행되어도 마찬가지의 화학반응 금속 산화막 형성방법을 제공한다.Meanwhile, referring to FIGS. 3 and 4, in addition to the case where step 230 is performed after step 220, the step 230 may be executed before step 220 or simultaneously with step 220. That is, the step 230 of supplying the plasma gas for removing the hydroxyl group into the chamber 100 is performed even before the step 220 of supplying the oxidant to form the metal oxide layer and reacting with the subsequently injected oxidant. Obtain the reaction result. In addition, even if the step 230 of supplying the plasma gas is performed simultaneously with the step 220 of supplying the oxidant, the same method of forming a chemically reactive metal oxide film is provided.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성방법에 의하면, 금속 소스가스 및 산화제를 교번하여 공정챔버 내로 주입하여 반응시켜 금속 산화막을 증착 형성하므로 미세박막 형성시 막두께의 조절이 용이하고, 또한 상기 금속산화물의 조성이 복잡한 경우에도 조성의 조절이 용이하며 조성의 재현성이 우수하고, 뿐만 아니라 CVD법에 비하여 저온 공정을 이용하므로 반도체 소자의 열적손상을 방지할 수 있다.As described above, according to the method of forming the metal oxide film using the atomic layer deposition method according to the present invention, the metal oxide film is deposited by alternately injecting the metal source gas and the oxidant into the process chamber to form a metal oxide film, thereby controlling the film thickness when forming the micro thin film. In addition, even when the composition of the metal oxide is complicated, the composition can be easily controlled, the composition is excellent in reproducibility, and a low temperature process is used as compared with the CVD method, thereby preventing thermal damage to the semiconductor device.
또한, 상기 금속 산화막 형성방법에 의하면, 수산화기 제거를 위한 플라즈마 가스 처리를 거치게 되므로 막내의 수산화기가 제거되어 막특성이 향상될 뿐만 아니라, 금속 산화막 표면의 보호막 효과도 얻을 수 있게 된다.In addition, according to the metal oxide film forming method, since the plasma gas treatment to remove the hydroxyl group is removed, not only the hydroxyl group in the film is removed, but also the film property is improved, and the protective film effect on the surface of the metal oxide film can be obtained.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990043208A KR20010036268A (en) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | Method for forming a metallic oxide layer by an atomic layer deposition |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990043208A KR20010036268A (en) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | Method for forming a metallic oxide layer by an atomic layer deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010036268A true KR20010036268A (en) | 2001-05-07 |
Family
ID=19614319
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990043208A KR20010036268A (en) | 1999-10-07 | 1999-10-07 | Method for forming a metallic oxide layer by an atomic layer deposition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20010036268A (en) |
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1999
- 1999-10-07 KR KR1019990043208A patent/KR20010036268A/en not_active Application Discontinuation
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