KR20000077434A - 알킬할로실란의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유효량의 촉매 및, 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 유효량의 구리-알루미늄 조촉매의 존재하에서 할로겐화 알킬과 분말 규소를 반응시킴을 포함하는 알킬할로실란의 제조 방법에 관한 것이다. 촉매는 전형적으로 구리, 아연 및 주석을 포함한다.
Description
본 발명은 알킬할로실란의 제조 방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로는, 본 발명은 촉매 및, 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매의 존재하에서 염화메틸과 분말 규소를 반응시킴을 포함하는 방법에 관한 것이다. 일반적으로 촉매는 구리, 아연 및 주석을 포함한다.
본 발명 이전에, 본원에서도 이후로 가끔 "메틸클로로실란"으로 간결하게 일컫는 메틸클로로실란은 본 발명과 동일한 양수인에게 양도된 워드(Ward) 등의 미국 특허 제 4,500,724호에 기재되어 있는 바와 같이 구리-아연-주석 촉매 존재하에서 분말 규소와 염화메틸을 반응시킴으로써 제조되었다. 규소는 전형적으로 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리(Cu), 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 아연(Zn) 및 약 10ppm(parts per million) 내지 약 100ppm 범위의 주석(Sn)과 혼합된다. 메틸클로로실란 반응에 사용되는 아연은 아연 분말(dust)의 형태로 또는 구리, 아연 및 주석을 함유하는 놋쇠의 형태로 첨가될 수 있다. 또한 아연 산화물도 사용될 수 있다. 주석은 분말의 형태로, 전술한 놋쇠로서, 주석 산화물 또는 SnCl4주입으로 첨가될 수 있다.
선행 기술에 의하여, 알킬할로실란, 특히 메틸클로로실란의 혼합물이 생성된다. 본원에서 이후에 사용한 "메틸클로로실란"이라는 용어는 바람직한 메틸클로로실란인 디메틸디클로로실란(Di) 외에도 테트라메틸실란, 트리메틸클로로실란 (Mono), 메틸트리클로로실란(Tri), 규소 테트라클로라이드, 트리클로로실란, 메틸디클로로실란(MH) 및 디메틸클로로실란(M2H)과 같은 다양한 다른 실란을 포함한다.
또한 상기 메틸클로로실란에 덧붙여, 조질 메틸클로로실란의 생성시 잔류물도 형성된다. 본원에 사용된 "조질"이라는 용어는 메틸클로로실란의 정제되지 않은 혼합 생성물을 지칭한다. 본원에 사용된 "잔류물"은 대기압에서 70℃를 초과하는 비점을 갖는 조질 메틸클로로실란 중의 생성물을 지칭한다. 잔류물은 예를 들어 대칭성(symmetrical) 1,1,2,2,-테트라클로로디메틸디실란, 1,1,2-트리클로로트리메틸디실란, 디실록산, 디실메틸렌 등의 디실란, 및 그 밖의 더 높은 비점을 가지는 화합물들(예컨대 트리실란, 트리실록산 및 트리실메틸렌)로 구성된다.
일반적으로, 메틸클로로실란 반응에서 높은 생성 속도를 수득할 뿐 아니라 다른 생성물에 대하여 디메틸디클로로실란을 선택적으로 생성하는 것이 바람직하다. 메틸클로로실란 반응의 선택성을 향상시킬 뿐 아니라 메틸클로로실란 생성물의 수율을 증가시키기 위한 새로운 기술이 끊임없이 연구되고 있다.
본 발명은 알킬할로실란의 제조 방법을 제공한다. 그 방법은 유효량의 촉매 및, 구리 및 알루미늄을 포함하는 유효량의 조촉매의 존재하에 할로겐화 알킬과 분말 규소를 반응시키는 것을 수반한다. 촉매는 일반적으로 구리, 아연 및 주석을 포함한다.
본 발명은 촉매 및, 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매의 존재하에서 염화메틸과 분말 규소를 반응시킴을 포함하는 방법에 관한 것이다. 본원에 사용된 "조촉매"는 메틸클로로실란 반응에 첨가된 보조적인 구리 및 알루미늄의 화합물을 지칭한다. 본원에 사용된 "촉매"는 전형적으로 구리-아연-주석 촉매를 지칭한다. 한 실시태양에서는, 조촉매가 인을 가지지 않고, 다른 실시태양에서는 조촉매가 인을 포함한다. 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매의 유효량이 메틸클로로실란 반응에 첨가될 때, 조촉매는 디메틸디클로로실란의 생성 속도를 증진시킬 뿐 아니라 디메틸디클로로실란에 대한 메틸트리클로로실란의 중량비를 감소시킨다. 또한 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매를 첨가하면 구리-아연-주석 촉매에 대한 메틸클로로실란 잔류물의 중량 백분율이 유지 또는 감소된다.
다른 지시가 없다면, 본원에 사용된 "유효량"이라는 용어는 메틸클로로실란 생성물의 수율을 증가시키거나 디메틸디클로로실란의 선택성을 증가시킬 수 있는 물질의 양을 포함한다. 주어진 반응물의 최적량은 반응 조건에 따라 변할 수 있고, 다른 구성 요소의 종류는 당해 분야의 숙련가에 의해 쉽게 결정될 수 있다.
메틸클로로실란 반응은 전형적으로 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매와 함께 촉매를 함유하는 규소를 사용하여 진행된다. 알루미늄을 함유하는 조촉매는 전체 반응기 층에 약 100ppm 내지 약 1000ppm, 다르게는 300ppm 내지 약 700ppm을 제공하는 양으로 첨가된다. 조촉매의 구리는 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위이다. 인이 조촉매의 성분일 때, 그것은 전형적으로 전체 반응기 층에 대하여 약 100ppm 내지 약 1000ppm 범위로 존재한다. 또한 규소는 보통 전체 반응기 층에 대하여 약 10ppm 내지 약 100ppm 범위인 주석과 혼합되고, 전체 반응기 층에 대하여 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위인 아연과도 혼합된다.
사용되는 구리 화합물은 전형적으로 몇가지 상이한 공급원으로부터 나온다. 이러한 공급원은 구리 금속(예: 분말, 플레이크), 할로겐화제일구리 또는 할로겐화제이구리(예: 염화제이구리, 브롬화제이구리, 염화제일구리, 브롬화제일구리 및 이들의 혼합물), (산화제일구리, 산화제이구리 및 이들의 혼합물을 포함하는) 구리 산화물 또는 예비 제조된 접촉 매스(contact mass)를 포함한다. 접촉 매스는 사염화규소(SiCl4)가 더이상 방출되지 않을 때까지 용해로 내의 약 280℃ 내지 약 400℃ 범위의 온도에서 규소와 염화제일구리를 반응시킴으로써 제조된다. 생성되는 고체는 규소 및 구리를 함유하고 접촉 매스라고 불린다. 이 접촉 매스는 전형적으로 염화메틸과 접촉하기 전에 제조되어 메틸클로로실란의 생성을 용이하게 한다.
인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매에 사용되는 알루미늄은 다양한 공급원으로부터 공급된다. 본원에 사용된 "공급원"은 조촉매 및 촉매에 필요한 요소(들)를 제공하는 화합물을 지칭한다. 예를 들어, 알루미늄의 공급원은 전형적으로 알루미늄 분말, 구리-알루미늄 합금, 은-알루미늄 합금, 규소-알루미늄 합금, 마그네슘-알루미늄 합금 및 이들의 혼합물을 포함하지만 이들에 한정되지는 않는 다양한 합금을 포함한다.
인이 구리-알루미늄 조촉매에 첨가될 때, 인은 다양한 공급원으로부터 제공된다. 예를 들어, 인의 공급원은 전형적으로 구리 인화물, 아연 인화물, 삼염화인, 알킬포스핀(예컨대 트리에틸포스핀 또는 트리메틸포스핀) 또는 이들의 조합이다.
염화메틸이 바람직하게 본 발명의 실시에 사용되지만, 염화에틸, 염화프로필 등과 같은 다른 염화 C(1-4) 알킬도 또한 사용된다.
전형적인 메틸클로로실란 반응에 사용되는 규소는 규소의 총량을 기준으로 약 0.1 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 철(Fe), 규소의 총량을 기준으로 약 0.01 중량% 내지 약 0.2 중량% 범위의 칼슘(Ca) 및 규소의 총량을 기준으로 약 0.02 중량% 내지 0.5 중량% 범위의 알루미늄(Al) 함량을 가진다.
전형적으로 반응기 층에 존재하는 규소는 평균 크기가 약 20 마이크론 내지 약 300 마이크론인 약 700 마이크론 미만의 입자 크기를 가진다. 규소 입자의 평균 직경은 바람직하게는 약 100 마이크론 내지 약 150 마이크론 범위이다.
본 발명은 일반적으로 고정층 반응기에서 실시된다. 그러나, 본 발명의 방법은 다른 형태의 반응기(예를 들어 유동층 및 교반층)에서도 사용될 수 있다. 좀더 구체적으로는, 고정층 반응기는 염화메틸 기체가 통과하는 규소 입자를 함유하는 컬럼이다. 교반층은 층이 일정하게 움직이도록 유지하기 위한 몇몇 종류의 기계적인 교반이 이루어지는 고정층과 유사하다. 한편, 유동화층 반응기는 유동화된 규소 입자, 촉매 입자 및 조촉매 입자의 층이다. 즉, 규소 입자는 반응기를 통과하는 기체, 전형적으로 염화메틸에 현탁된다. 전형적으로 반응은 약 250℃ 내지 약 350℃, 바람직하게는 약 280℃ 내지 약 320℃ 범위의 온도에서 반-연속식(semi-continuous) 조건 또는 회분식 조건하에서 일어난다.
촉매 및, 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매의 존재하에서 분말 규소와 염화메틸을 반응시키는데 있어서의 "반-연속식 조건"이라는 표현은 반응이 반-연속적인 조건하의 유동층 반응기에서 수행된다는 의미이다. 반-연속식 반응에서는, 예를 들어 규소 약 50%가 사용될 때까지 고체가 첨가되고 반응기가 작동된다. 약 50%의 규소가 사용된 후에 추가적인 규소 고체, 촉매, 조촉매 및 촉진제(promoter)가 첨가된다. 반-연속식 반응은 회분식 반응과 대조된다. 회분식 반응에서는 예를 들어 대부분의 고체가 소비될 때까지 모든 고체 성분이 임의의 액체 생성물 또는 기체 생성물과 혼합되어 반응한다. 반응을 진행시키기 위해서는 반응을 멈추고 추가의 고체를 첨가해야 한다. 고정층 및 교반층 모두 회분식 조건에서 작동된다.
당해 분야의 숙련가는 조질 메틸클로로실란의 T/D 중량비에 관심을 가진다. T/D 비는 조질 메틸클로로실란 반응 생성물 중에서 디메틸디클로로실란(D 또는 Di)에 대한 메틸트리클로로실란(T 또는 Tri)의 비이다. 따라서, T/D 비의 증가는 바람직한 디메틸디클로로실란의 생성이 감소한다는 것을 나타낸다. T/D 비는 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 촉매의 첨가에 따라 증가한다.
T/D 비에 덧붙여, 메틸클로로실란 반응의 수행의 다른 척도는 조질 메틸클로로실란의 생성 속도이다. 당해 분야 숙련가는 메틸클로로실란 생성 반응 속도 상수를 보통 "Kp"라는 용어로 정의한다. Kp는 메틸클로로실란의 생성 속도이고 시간 당 규소의 그램 당 조질 실란의 그램으로서 측정된다. 본 발명에서의 조촉매는 메틸클로로실란 생성 속도를 증가시킨다.
결국, 인이 첨가되거나 첨가되지 아니한 구리-알루미늄 조촉매를 첨가함에 따라 메틸디클로로실란의 백분율(%MH)은 감소한다. 생성된 메틸디클로로실란의 백분율 또한 메틸클로로실란 반응 수행의 척도이다. 메틸디클로로실란 내의 수소화물은 메틸클로로실란 반응의 불량한 수행을 나타내는 염화메틸의 분해로부터 유도되기 쉽다. 따라서, 메틸디클로로실란의 백분율이 높으면 메틸클로로실란 반응 수행이 불량하다.
당해 분야의 숙련가가 본 발명을 더 잘 실시할 수 있도록 하기 위해서, 제한이 아닌 예시의 수단으로 하기 실시예를 제시한다.
실시예 1
층을 지지하기 위하여 말단으로부터 6cm에 위치한 유리 프릿(frit)을 가진 길이 20cm, 외경(OD) 1.3cm의 유리관으로 구성되는 고정층 반응기를 설정한다. 규소는 교반되지 않고 메틸클로로실란 반응은 고도의 발열반응이므로, 층의 직경은 열 전달을 고려하여 제한되었다. 규소의 열 전도성은 모래와 동일하게 즉, 0.2 BTU/ft-hr-F인 것으로 가정하였다. 가장 높게 예상된 반응 속도는 조질 실란 1그램/규소 그램-시간이었다. 이 속도에서, 반응기의 중심선을 따라 약 10℃의 온도 상승이 계산되었다. 이 온도 범위에 걸쳐, 조질 조성물에서 어떠한 변화도 관찰되지 않았다. 반응기 디자인에서 다른 고려사항은 압력 강하였다. 실질적이고 안전하게 하기 위해서, 평방 인치 당 대략 5 파운드(psi) 이하의 압력 강하가 만족할 만한 것으로 생각되었고, 이로 인해 층 크기가 6 그램으로 제한되었다.
NichromeTM리본으로 싸여지거나 주석 산화물으로 코팅된 5cm 유리관내에 중심이 오도록 수직으로 반응기를 놓았다. 두 쌍의 전극을 주석 산화물 또는 Nichrome에 장착시켜서 두개의 가열부를 만들었다. 한 부분은 계의 입구로 사용될 것이고, 염화메틸 공급물을 예열하는데 사용되었다. 다른 부분은 반응기 자체를 위한 것이었다. 반응기의 단열 및 안전을 위해 5cm의 가열 유리관을 사용된 6.4cm 유리관 내의 중심에 놓았다.
반응기를 규소 및 금속 촉진제로 충진시키고 아르곤의 흐름하에 세정하였다. 그런 다음 염화메틸 흐름하에 반응기를 310℃까지 가열하였다. 조질 생성물인 조질 메틸클로로실란을 손으로 모아서 무게를 측정하여 반응속도를 결정한 후 기체 크로마토그래피로 분석하였다. 규소 사용량이 20%인 경우에 반응 속도, % 디메틸디클로로실란(총 조질 생성물의 백분율로서), % 메틸디클로로실란 및 T/D 비를 비교하였다.
실시예 2
두가지 상이한 규소가 전형적으로 이 반응에 사용된다. 두가지 형태의 규소의 성분을 하기와 같은 중량으로 공급한다. 규소 Ⅰ은 규소의 총량을 기준으로 알루미늄 0.059 중량%, 규소의 총량을 기준으로 칼슘 0.11 중량%, 규소의 총량을 기준으로 철 0.36 중량%을 가지는 반면, 규소 Ⅱ는 규소의 총량을 기준으로 알루미늄 0.16 중량%, 규소의 총량을 기준으로 칼슘 0.02 중량%, 규소의 총량을 기준으로 철 0.47 중량%를 가졌다.
이 실시예는 규소 Ⅰ과 규소 Ⅱ의 상대적인 수행도를 보기 위해 고안된 것이다. 규소 Ⅰ(45g), 구리 플레이크(1.42g), 및 놋쇠(1g; 80% 구리, 19.5% 아연, 0.5% 주석)로 구성된 예비혼합물을 제조하였다. 규소 Ⅱ를 이용하여 동일한 예비혼합물을 제조하였다. 실시예 1의 반응기를 규소 Ⅱ의 예비혼합물로 충진시켜(6g) 조질 실란 0.7 그램/규소 그램-시간(g/g silicon-h)의 속도를 얻은 반면, 규소 Ⅰ의 예비혼합물은 조질 실란 0.07 그램/규소 그램-시간의 속도를 얻었다.
실시예 3
이 실시예는 규소 Ⅱ에 첨가된 구리-알루미늄의 효능을 보여준다. 실시예 2에 기술된 규소 Ⅱ의 예비혼합물을 구리-알루미늄 합금 Cu-Al(60% 구리; 6 밀리그램)과 혼합하고 실시예 2에서와 같이 메틸클로로실란 반응을 진행하였다. 구리-알루미늄이 첨가되거나 첨가되지 않은 예비 혼합물 Ⅱ의 수행을 비교하였다. 규소 Ⅱ에 구리-알루미늄을 첨가함으로써 선택성에 아무런 손실 없이 속도가 향상되었다. 결과가 표 1에 기재되어 있다.
| 구리-알루미늄 | 속도(g/g silicon-h) | %디메틸디클로로실란 | %메틸디클로로실란 | T/D |
| 0 | 0.35 | 83.5 | 0.6 | 0.07 |
| 6mg* | 0.5 내지 0.7 | 83.5 내지 84.2 | 0.6 내지 0.7 | 0.06 내지 0.075 |
| * 2회 수행 |
실시예 4
이 실시예는 구리-알루미늄(Cu-Al) 및 규소 Ⅰ을 사용하여 얻는 효능을 보여준다. 규소 Ⅰ(19g), 구리(0.8g) 및 놋쇠(0.2g)를 사용하여 예비혼합물을 제조하였다. 실시예 3에 기술된 바와 같이 구리-알루미늄이 첨가되지 않거나 구리-알루미늄을 첨가된 반응기에 예비혼합물을 사용하였다. 결과를 하기 표 2에서 볼 수 있다.
| 구리-알루미늄 | 속도(g/g silicon-h) | %디메틸디클로로실란 | %메틸디클로로실란 | T/D |
| 0 | 0.07 | 70 | 13 | 0.17 |
| 6mg* | 0.2 내지 0.25 | 82 내지 84 | 3 내지 5 | 0.07 내지 0.09 |
| * 2회 수행 |
실시예 5
이 실시예는 구리 인화물(Cu3P) 형태의 인 및 구리-알루미늄을 함께 사용할 때의 상승(synergitic) 효능을 나타낸다. 실시예 4의 예비혼합물을 실시예 3에서와 같이 첨가제 없이 또는 구리 인화물 21mg과 함께 메틸클로로실란 반응에 사용하였다. 결과를 하기 표 3에서 볼 수 있다.
| 구리-알루미늄 | 구리 인화물 | 속도(g/g silicon h) | %디메틸디클로로실란 | %메틸디클로로실란 | T/D |
| 0 | 0 | 0.07 | 70 | 13 | 0.17 |
| 6mg | 0 | 0.25 | 83 | 4 | 0.07 |
| 0 | 21mg | 0.13 | 83 | 2 | 0.08 |
| 6mg* | 21mg | 0.3 | 90 | 2 | 0.05 |
| * 2회 수행 |
실시예 6
알루미늄을 기준으로 하여 볼 때 구리-알루미늄 합금이 더 효과적인 촉진제라는 것을 보여주는 이 실시예는 첨가된 알루미늄과 첨가된 구리-알루미늄의 효과를 비교한다. 몇가지 경우에, 구리-알루미늄 합금 대신 알루미늄 분말 3mg을 첨가한다는 점을 제외하고는 실시예 5에 기술된 실험을 반복하였다(Cu-Al은 60 중량%이므로 구리-알루미늄 6 밀리그램을 첨가하는 것은 알루미늄 분말 3mg을 첨가하는 것과 첨가된 알루미늄의 양이 동일하다). 결과를 표 4에서 볼 수 있다.
| 구리-알루미늄 또는 알루미늄 | 구리인화물 | 속도(g/g silicon h) | %디메틸디클로로실란 | %메틸디클로로실란 | T/D |
| 3mg 알루미늄 | 0 | 규소 10%만 사용 | 10% 사용시 60 | 10% 사용시 8 | 10% 사용시 0.25 |
| 3mg 알루미늄 | 21mg | 0.19 | 85 | 3 | 0.06 |
| 6mg 구리-알루미늄 | 0 | 0.19 | 82 | 5.5 | 0.08 |
| 6mg | 21mg | 0.31 | 89 | 2 | 0.05 |
기체 크로마토그래피에 의해 전형적으로 분석을 수행하였으나 적외선 분광법과 같은 다른 기술이 사용될 수 있다.
메틸클로로실란 반응기에 사용된 규소 Ⅰ은 규소 Ⅱ와 비교하였을 때 열등한 속도 및 선택성을 주었다. 규소 Ⅰ에 구리-알루미늄 합금의 형태로 전체 반응기 층에 대하여 500ppm의 알루미늄을 첨가하면 이 규소의 속도 및 선택성이 크게 향상된다는 것을 발견하였다. 구리-알루미늄 조촉매의 첨가가 메틸클로로실란 반응에 대한 속도 및 선택성의 관점에서 극적인 효과를 가진다는 것은 표 1 내지 4에 기재된 결과로부터 명백하다. 구리-알루미늄 조촉매의 첨가로 반응 속도는 감소하고(시간 당 규소 그램 당 그램으로 주어짐), % 디메틸디클로로실란의 선택성은 증가하고 디메틸디클로로실란에 대한 메틸트리클로로실란(T/D)의 비율은 감소한다. 더욱이, 인 및 알루미늄을 둘다 첨가하면 알루미늄 또는 인을 단독으로 첨가하는 경우보다 메틸클로로실란 반응에 사용된 규소 Ⅰ의 속도와 선택성을 향상시킨다.
또한, 아연은 메틸클로로실란 반응에서 공지된 촉진제이다. 알루미늄의 함량이 낮으면 최종 생산물에 바람직하지 못한 오염물인 아연이 보유되는 것으로 밝혀졌다. 그러나, 본 발명은 아연 보유 문제를 해결하는 조촉매로서의 알루미늄의 특정한 양을 한정한다.
바람직한 실시태양이 예시의 목적으로 기재되었으나, 앞의 기재 내용이 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다. 따라서, 당해 분야의 숙련가들에 의해 본 발명의 정신 및 범주로부터 벗어나지 아니하고서 다양한 개질, 응용 및 대체 방법이 실시될 수 있다.
본 발명에서와 같이, 유효량의 촉매의 존재하에서 염화메틸과 분말 규소를 반응시킬 때 유효량의 구리-알루미늄 조촉매를 함께 사용하면, 바람직한 메틸클로로실란인 디메틸디클로로실란의 생성 속도가 향상될 뿐 아니라 디메틸디클로로실란이 다른 메틸클로로실란에 비해 많이 생성되고 잔류물의 생성율이 조촉매를 사용하지 않은 경우와 동일하거나 더 낮아진다.
Claims (24)
- 유효량의 촉매 및, 구리 및 알루미늄을 포함하는 유효량의 조촉매의 존재하에서 할로겐화 알킬과 분말 규소를 반응시키는 것을 포함하는 알킬할로실란의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,촉매가 구리, 아연 및 주석을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,할로겐화 알킬이 염화메틸인 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,고정층 반응기, 유동층 반응기 및 연속 교반층 반응기로 구성되는 그룹으로부터 선택된 반응기를 포함하는 반응기 층에서 반응이 일어나는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,반응이 회분식으로 진행되는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,약 250℃ 내지 약 350℃ 범위의 온도에서 반응이 수행되는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리 및 전체 반응기 층에 대하여 약 100ppm 내지 약 1000ppm 범위의 알루미늄을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리 및 전체 반응기 층에 대하여 약 300ppm 내지 약 700ppm 범위의 알루미늄을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,조촉매로 사용될 구리의 공급원이 구리 금속을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매로 사용될 구리의 공급원이 염화제이구리, 브롬화제이구리, 염화제일구리, 브롬화제일구리 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 구리 할로겐화물을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매로 사용될 구리의 공급원이 산화제일구리, 산화제이구리 및 구리, 산화제일구리, 산화제이구리의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 구리산화물을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매로 사용될 알루미늄의 공급원이 알루미늄 분말, 구리-알루미늄 합금, 은-알루미늄 합금, 규소-알루미늄 합금, 마그네슘-알루미늄 합금 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 알루미늄 공급원을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,구리의 공급원이 염화제이구리 및 분말 규소의 접촉 매스(contact mass)를 포함하는 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,구리-아연-주석 촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리, 전체 반응기 층에 대하여 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 아연 및 전체 반응기 층에 대하여 약 10ppm 내지 약 100ppm 범위의 주석을 포함하는 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,반응이 유효량의 인을 추가로 포함하는 제조 방법.
- 제 15항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리, 전체 반응기 층에 대하여 약 100ppm 내지 약 1000ppm 범위의 알루미늄을 포함하고, 전체 반응기 층에 대하여 약 100ppm 내지 약 1000ppm 범위의 인을 추가로 포함하는 제조 방법.
- 제 15항에 있어서,구리-알루미늄 조촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리, 전체 반응기 층에 대하여 약 300ppm 내지 약 700ppm 범위의 알루미늄을 포함하고, 전체 반응기 층에 대하여 약 100ppm 내지 약 1000ppm 범위의 인을 추가로 포함하는 제조 방법.
- 제 15항에 있어서,인의 공급원이 구리 인화물, 아연 인화물, 삼염화인, 트리에틸포스핀, 트리메틸포스핀 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 인 공급원을 포함하는 제조 방법.
- 규소에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리 및 약 300ppm 내지 약 700ppm 범위의 알루미늄을 포함하는 유효량의 구리-알루미늄 조촉매, 및 유효량의 촉매의 존재하에서 염화메틸과 분말 규소를 반응시키는 단계를 포함하는 메틸클로로실란의 제조 방법.
- 제 19항에 있어서,촉매가 구리, 아연 및 주석을 포함하는 제조 방법.
- 제 20항에 있어서,구리-아연-주석 촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리, 전체 반응기 층에 대하여 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 아연 및 전체 반응기 층에 대하여 약 10ppm 내지 약 100ppm 범위의 주석을 포함하는 제조 방법.
- 규소에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리, 약 300ppm 내지 약 700ppm 범위의 알루미늄 및 약 100ppm 내지 약 1000ppm 범위의 인을 포함하는 유효량의 구리-알루미늄 조촉매 및 인, 및 유효량의 촉매의 존재하에서 염화메틸과 분말 규소를 반응시키는 단계를 포함하는 메틸클로로실란의 제조 방법.
- 제 22항에 있어서,촉매가 구리, 아연 및 주석을 포함하는 제조 방법.
- 제 23항에 있어서,구리-아연-주석 촉매가 전체 반응기 층에 대하여 약 0.5 중량% 내지 약 10 중량% 범위의 구리, 전체 반응기 층에 대하여 약 0.01 중량% 내지 약 1 중량% 범위의 아연 및 전체 반응기 층에 대하여 약 10ppm 내지 약 100ppm 범위의 주석을 포함하는 제조 방법.
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