KR20000064466A - 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치 - Google Patents

액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000064466A
KR20000064466A KR1019980704637A KR19980704637A KR20000064466A KR 20000064466 A KR20000064466 A KR 20000064466A KR 1019980704637 A KR1019980704637 A KR 1019980704637A KR 19980704637 A KR19980704637 A KR 19980704637A KR 20000064466 A KR20000064466 A KR 20000064466A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
siloxane
liquid
silica
crude oil
oil
Prior art date
Application number
KR1019980704637A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100473827B1 (ko
Inventor
다니엘 더블유. 하토프
데니 엘. 헨더슨
그레그 이. 스미스
에릭 에이치. 어러티
Original Assignee
알프레드 엘. 미첼슨
코닝 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=21734283&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20000064466(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 알프레드 엘. 미첼슨, 코닝 인코포레이티드 filed Critical 알프레드 엘. 미첼슨
Publication of KR20000064466A publication Critical patent/KR20000064466A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100473827B1 publication Critical patent/KR100473827B1/ko

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/26Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/28Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with integral means for shielding the discharged liquid or other fluent material, e.g. to limit area of spray; with integral means for catching drips or collecting surplus liquid or other fluent material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • C01B33/183Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • C03B19/1423Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • C03B37/0142Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/06Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00157Controlling the temperature by means of a burner
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051Controlling the temperature
    • B01J2219/00159Controlling the temperature controlling multiple zones along the direction of flow, e.g. pre-heating and after-cooling
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/04Multi-nested ports
    • C03B2207/06Concentric circular ports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/04Multi-nested ports
    • C03B2207/14Tapered or flared nozzles or ports angled to central burner axis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/20Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • C03B2207/32Non-halide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • C03B2207/34Liquid, e.g. mist or aerosol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/42Assembly details; Material or dimensions of burner; Manifolds or supports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00Glass compositions
    • C03C2201/06Doped silica-based glasses
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2203/00Production processes
    • C03C2203/40Gas-phase processes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 액체의, 바람직하게는 무-할라이드의 실리콘-함유 화합물(32)을 버너(24)의 불꽃(23)으로 직접 유입시켜서, 비결정성 수트를 제조하는 용융 실리카 유리의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 수트는 표면(26)상에 증착되어, 용융 실리카 유리의 바디에 고화된다. 또한, 본 발명은 불꽃(23)에 화합물(32)을 공급하기 위한 주입기(31)를 포함하여, 화합물을 수트로 전환시키고 상기 수트를 표면에 증착시키는 장치에 관한 것이다.

Description

액체 반응물의 연소에 의해 용융 실리카를 제조하는 방법 및 장치
발명의 분야
본 발명은 용융 실리카의 제조법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 액체 실리콘-함유 화합물로부터 용융 실리카를 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
발명의 배경
기체 반응물로부터 금속 산화물을 생산하는 관련분야에서 다양한 공정들이 공지되어 있다. 상기 공정들은 원료유 용액, 상기 원료유 용액의 증기(이하, 증기성 반응물) 및 산화제를 발생시키고, 전환 반응 부위로 전달하는 수단, 및 미세하게 분할된 구형 응집물, 즉, 수트(soot)를 제조하기 위해 산화 및 연소를 동시에 촉매하는 수단을 필요로 한다. 상기 수트는 수집 챔버(collection chamber)에서 회전 맨드릴(rotating mandrel)까지의 다양한 통로에서 어떤 증착 수용체(deposition receptor)상에 수집될 수 있다. 이는 동시에 또는 연속적으로 가열처리되어서 비-다공성이며 투명한 고순도의 유리 제품을 형성할 수 있다. 상기 공정은 노즐(nozzle) 및 버너(burner)의 독특한 배치를 갖는 특정화된 장치를 이용하여 통상적으로 수행된다.
상기 공정들의 발전을 이끈 대부분의 초기 연구는 벌크(bulk)한 용융 실리카의 제조에 초점을 맞추었다. 적절한 원료유의 선택은 이러한 연구의 중요한 부분이었다. 따라서, 100℃이하의 온도에서 200∼300밀리미터 수은(mm Hg)의 증기압을 발생시킬 수 있는 물질이 상기 벌크한 용융 실리카를 제조하기에 유용하다는 것이 이 시점에서 결정되었다. 높은 증기압의 실리콘 테트라클로라이드(silicon tetrachloride, SiCl4)는 수트 생성을 위한 간단한 증기 원료로써 그 유용성을 제안하였고, 유사 클로라이드-기초 원료유들의 발견과 사용을 개시하였다. 무엇보다도, 상기 인자는 SiCl4, GeCl4, POCl3, 및 BCl3이 어떤 화학적으로 바람직하지 않은 성질을 가질지라도, 증기 원료로서 최근 수용가능한 이들의 사용을 가능하게 한다.
실리콘, 게르마늄, 지르코늄, 및 티타늄은 금속 산화물 유리를 제조하는데 있어서, 증기성 반응물로서 할라이드(halide) 형태로 종종 사용되는 금속이다. 그러나, SiCl4는 고순도의 실리카 유리의 제조를 위해 몇 년에 걸쳐 산업용 표준물질이었다. 미국특허 제 3,698,936호에서 개시된 바와 같이, SiCl4의 산화를 통해 고순도의 용융 실리카를 제조하는데 몇몇 반응 중 하나가 사용될 수 있다. 즉;
(1) SiCl4+O2→SiO2+2Cl2,
(2) SiCl4+2/3O3→SiO2+2Cl2, 또는
(3) SiCl4+2H2O→SiO2+4HCl
여기서, 반응 공간에 반응성 기체 및 증기들을 공급하는데 버너 또는 제트 어셈블리(jet assembly)들이 이용된다. 상기 반응(2)가 드물게 일어나거나 사용됨을 알아야 한다. 상기 반응들중 각각에서는 본질적으로 경제적인 단점이 있다. 또한, 열분해 및 가수분해를 통하여 SiCl4를 산화시키는 상기 반응들은 클로린 (chlorine) 또는 매우 강한 산의 부산물을 만드는 단점이 있다.
처음의 두 개의 반응들이 이론적으로 일어날 때, 열분해 온도에 도달하기 위해서는 통상적으로 보조 연료가 필요하다. SiCl4의 가수분해로 많은 증착 물질 및 반응장치에 유해할 뿐만 아니라 환경에도 유해한 부산물인 염산(HCl)을 형성한다. 배기 감소 시스템들은 HCl의 부식에 의해 발생하는 장치의 비가동시간, 손실 및 보수로 인해 매우 비싼 것으로 판명되었다.
상기 HCl 부산물의 조절 및 처리상의 문제에도 불구하고, 상기 세 번째 반응인 SiCl4의 가수분해가 경제적인 이유 때문에 용융 실리카를 제조하는 바람직한 상업적 방법으로 간주되어 왔다.
비록 SiCl4의 가수분해가 몇 년에 걸쳐 고순도의 용융 실리카를 제조하기 위한 산업용 본보기일 지라도, 환경적 보호에 대한 강화된 세계적인 관심은 원료배기점 (point source emission)의 더 엄격한 정부적 규제를 이끌었으며, 환경적으로 덜 유독한 원료유에 대한 연구를 촉진시켰다. 원료배기점 규제는 많은 특정 공해물질 뿐만 아니라, SiCl4의 가수분해시의 부산물인 HCl이 대기로 방출되기 전에 배기 가스로부터 정화되어야 함을 요구한다. 이러한 규제를 충족시키는 경제적인 중요성은 산업에 덜 매력적인 할라이드-기초 원료유로부터 용융 실리카를 제조하는 상업적 제조법을 만들었다.
선택적으로, 고순도의 용융 석영 또는 실리카는 실란(silane)의 열분해 및 산화에 의해 또한 제조되어 왔다. 그러나, 이는 밀폐용기의 실란에 공기를 주입시켜 발생하는 격렬한 반응 때문에 조작하는데 있어서 안전한 측정을 수행할 필요가 있다. 실란은 이산화탄소, 산화 질소, 산소 또는 물과 반응하여 무엇보다도 반도체 장치를 제조하는데 잠재적으로 유용한 고순도 물질을 제조한다. 그러나, 실란은 최대한의 고순도를 필요로 하는 소형 장치를 가능한한 제외하고 산업적 용도로 고려되기에는 너무 비싸고, 너무 반응성이 큰 것으로 판명되었다.
많은 특허들이 클로라이드-기초 원료유로부터 고순도의 금속 산화물, 특히 용융 실리카의 제조법을 개시하고 있다. 상기 특허들은 불꽃 가수분해 또는 열분해를 통한 염화금속을 산화시키기 위해 많은 버너 배치 및 원료유 운반 시스템을 장착한 장치를 기술하고 있다. 이들의 예로, Lesk 등의 미국특허 제 4,491,604호가 있는데, 여기서, 트리클로로실란, 디클로로실란 및 실리콘 테트라클로라이드는 불꽃 가수분해되어서 수트를 형성하고, Bayer의 미국특허 제 3,666,414호에서는 트리클로로실란 또는 클로로포름과 같은 실리콘 할라이드들이 불꽃 가수분해된다고 기재되어 있다. 유사한 공정으로, Zirngibl의 미국특허 제 3,486,913호("Zirngibl") 및 McLachlan의 미국특허 제 2,269,059호("McLachlan")에서는 할라이드의 산화를 개시하고 있다. 공기, 스팀(steam), 또는 산소로 산화되는 TiCl4, CrCl3, CrO2Cl2, SiCl4, AlCl3, ZrCl4, FeCl2, FeCl3, ZnCl2, 또는 SnCl4와 같은 휘발성 무기 할라이드 성분들이 Zirngibl에서 사용되고 있는 반면, 실리콘 할라이드, 에틸 실리케이트(ethyl silicate), 메틸 보레이트(methyl borate), TiCl4, AlCl3및 ZrCl4는 McLachlan에서 사용되고 있다.
Best 등의 미국특허 제 3,416,890호는 카본 디설파이드(carbon disulfide), 카본 셀레나이드 설파이드(carbon selenide sulfide), 티오포스젠(thiophosgene), 또는 탄소에 직접 결합된 황을 함유하는 다른 무-수소 화합물과 같은 기체 및 보조 연료를 산화시키는 연소에 의해 만들어진 불꽃내에서 금속 또는 메탈로이드 퍼할라이드(metalloid perhalide)의 분해에 의해 미세-분해된 금속 또는 메탈로이드 산화물을 제조하는 공정을 개시하고 있다.
Dalton의 미국특허 제 2,239,551호는 가연성 기체의 불꽃내에서 유리-형성 화합물의 기체 혼합물을 분해함으로써 유리를 제조하는 방법을 기술하고 있다. 상기 혼합물은 실리콘, 알루미늄 및 붕소의 무수 산화물의 제조에 사용된다. 에틸 또는 메틸 실리케이트, 트리클로로실란 및 실리콘 테트라플루오라이드와 같은 분해성 화합물들이 실리콘 테트라클로라이드로 대치될 수 있고; 메틸 보레이트 또는 보론 하이드라이드(boron hydride)가 보론 플루오라이드로 대치될 수 있다.
Nordberg의 미국특허 제 2,326,059호는 Si 및 Ti의 테트라클로라이드를 산소-기체 버너의 기체 스트림으로 증기화시키고, 예형을 만들기 위해 반응성 혼합물을 증착시키고, 오팔(opal)유리를 제조하기 위해 1500℃에서 예형을 유리화시키고, 고온에서 상기 오팔 예형을 소성시켜서 투명하게 함으로써 실리카-함유 극저 팽창 유리를 제조하는 기술을 개시하고 있다.
Hyde의 미국특허 제 2,272,342호는 실리콘 클로라이드, 트리클로로실란, 메틸 실리케이트, 에틸 실리케이트, 실리콘 플루오라이드 또는 이들의 혼합물과 같은 실리콘의 가수분해성 화합물을 워터 베쓰(water bath)를 이용하여 증기화시킴으로써 유리 실리카를 함유하는 유리 제품을 제조하는 방법을 개시하고 있다. 실리콘 화합물 증기는 버너의 불꽃에서 수증기에 의해 가수분해되고, 최종적인 비결정성 산화물이 수집되고, 계속적으로 투명한 유리가 될 때까지 소결된다.
Miller 등의 미국특허 제 4,501,602호는 주기율표의 IA, IB, IIA, IIB, IIIA, IIIB, IVA, IVB 군 및 희토류 시리즈들로부터 금속인 β-디케토네이트(diketonate) 화합물의 증기상 증착을 통하여 특정 금속 산화물 수트를 제조하는 방법을 기술하고 있다.
또한, 고순도의 용융 실리카를 제조하는데 실란 화합물이 이용되는 몇몇 특허가 이 분야에 인용되고 있다.
Okamoto 등의 일본 특허출원 제 90838-1985호는 일반식 R1 nSi(OR2)4-n으로 표시되는 에스테르 실란 및 일반식 Ge(OR3)3, B(OR3)3및 PH3로 표시되는 하나 또는 그 이상의 도핑제를 이용함으로써 석영 유리를 도핑하는 방법을 개시하고 있는데, 여기서, R1은 수소원자, 메틸기 또는 에틸기이고, R2는 메틸기 또는 에틸기이며, R3는 일가의 탄화수소기이고, n은 0 내지 4 범위의 정수이다. 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane), 디메틸디메톡시실란(dimethyldimethoxysilane), 트리메틸메톡시실란(trimethylmethoxysilane), 테트라메톡시실란(tetramethoxysilane), 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane) 및 테트라에톡시실란(tetraethoxy- silane)을 포함한 대단히 많은 유기금속성 화합물이 개시되어 있다.
Sterling의 미국특허 제 3,117,838호는 실란의 결합된 열분해 및 산화에 의해 매우 고순도의 용융 석영 또는 실리카를 제조하는 방법을 개시하였는데, 여기서, 이산화탄소, 산화질소 또는 수증기중 하나와 실란은 버너 또는 토치 제트(torch jet)로 주입되고, 실리카가 증착되는 탄소 기판상에 불꽃이 닿도록 한다.
Freeman의 미국특허 제 4,810,673호는 할로겐화된 실란 성분 및 산소 원료, 즉 디클로로실란 및 산화질소를 포함하는 원료 기체 혼합물의 화학적 증기 증착에 의해 고품질의 실리콘 산화물을 합성하는 방법을 개시하고 있다.
Hasegawa 등의 미국특허 제 4,242,487호는 250℃내지 450℃의 불활성 대기하에서 오가노보로실록산(organoborosiloxan) 화합물을 지방족 폴리하이드릭 알코올(aliphatic polyhydric alcohol), 방향족 알코올, 페놀 및 방향족 카르복실산 군의 적어도 하나와 반응시킴으로써 다양한 내열 물질용 물질로서 유용한 내열성, 반-무기(semi-inorganic) 화합물을 제조하는 방법을 개시하고 있다.
전술한 바와 같이, 고순도의 실리카 유리를 제조하는데 통상적으로 사용되는 실리콘 할라이드 원료유를 대체하기 위해 무-할라이드 실리콘 화합물을 발견하는 것은 경제적이고 환경적인 이유에서 매우 바람직하다. 상기 무-할라이드 출발물질은 유리 제조 공정의 부산물로서 독성 및 부식성 HCl보다는 이산화탄소 및 물을 생성시킬 것이다.
본원에 참고로 포함시킨 명세서인 Dobbins 등의 미국특허 제 5,043,002호는 용융 실리카 유리를 제조하는 방법에 폴리메틸실록산, 특히 헥사메틸사이클로트리실록산(hexamethylcyclotrisiloxane), 옥타(octa)메틸사이클로테트라실록산(OMCTS) 및 데카(deca)메틸사이클로펜타실록산과 같은 폴리메틸사이클로실록산의 사용을 기술하고 있다. 상기 방법은 다양한 산화 도핑제로 도핑된 실리카 유리의 비-다공성 바디(body)의 제조 및 광도파관 섬유의 제조에 적용될 수 있다. Dobbins 등의 미국특허 제 5,043,002호는 또한 헥사메틸디실록산의 사용을 기술하고 있으며, 일본 특허출원 제 1-138145호에서도 헥사메틸디실록산에 대해 언급하고 있다.
본원에 참고로 포함시킨 Blackwell 등의 미국특허 제 5,152,819호는 부식성, 공해성인 부산물의 부수적인 생성 없이 고순도의 용융 실리카를 제조하는데 사용될 수 있는 부가적인 무-할라이드 실리콘 화합물, 특히, 염기성 Si-N-Si 구조를 갖는 오가노실리콘-질소 화합물, 염기성 Si-N-Si-O-Si 구조를 갖는 실록사실라존(siloxasilazone), 및 이들의 혼합물을 개시하고 있다.
미국특허 제 5,043,002호 및 제 5,152,819호에서 기술된 바와 같이, 비록 용융 실리카 유리 제조용 원료유로서 무-할라이드 실리콘 화합물의 사용이 HCl의 형성을 피할 수 있을 지라도, 특히 상기 유리가 광도파관 섬유의 제조용으로 의도될 때 많은 문제가 남아있다. 출원인들은 증기화된 폴리알킬실록산 원료유가 버너로 운반되는 과정에서 고분자량 종들이 증기성 반응물을 버너로 운송하는 라인(line) 또는 버너 자체내에서 겔(gel)로 증착될 수 있음을 발견하였다. 이것은 광도파관 섬유가 인발되는 블랭크(blank)로 결국 고화되는 상기 수트 예형의 증착 속도의 감소를 가져온다. 또한 상기 블랭크의 영향받는 부위로부터 결함있거나 쓸모없는 광도파관 섬유를 제조할 상기 블랭크 내에서의 결함을 가져온다.
발명의 요약
본 발명은 용융 실리카 유리를 제조하는 방법에 관한 것이다. 액체, 바람직하게는 열적 산화 분해에 의해 SiO2로 전환될 수 있는 무-할라이드의 실리콘-함유 화합물이 연소 버너의 불꽃에 직접 주입되어 미세하게 분할된 비결정성 수트를 형성한다. 상기 비결정성 수트는 수용체 표면상에 증착되는데, 실질적으로 증착과 동시에 또는 증착에 이어서 상기 수트는 용융 실리카 유리의 바디로 고화될 수 있다. 그리고나서, 용융 실리카 유리의 바디는 상기 용융 바디로부터 직접 제품을 제조하는데 사용되거나, 상기 용융 바디가 예를 들면, 광도파관 섬유를 제조하기 위해 인발시키는 그 이상의 처리를 할 수 있고, 이러한 최종사용에 대해서는 예를 들어, 본원에 참고로 포함된 "Method for Purifying Polyalkylsiloxanes and Resulting Products"의 제목으로 출원된 미국 특허출원 제 08/574,961호를 더욱 참조할 수 있다.
본 발명은 다음을 포함하는 액체, 바람직하게는 무-할라이드의 실리콘-함유 반응물로부터 용융 실리카를 제조하는 장치를 더욱 포함한다: 작동시, 전환 부위 불꽃을 생성하는 연소 버너; 열적 산화성 분해에 의해 상기 화합물을 미세하게 분할된 비결정성 수트로 전환시키기 위해 불꽃에 액체 실리콘-함유 화합물을 공급하기 위한 주입기; 및 상기 수용체 표면상에 수트의 증착을 가능하게 하기 위한 상기 연소 버너에 대해 배치된 수용체 표면.
휘발성 실리콘-함유 화합물을 포함하는 원료유로부터 비결정성 용융 SiO2수트 입자를 제조하는 것은 연소 버너에 이것을 주입하기 전에 통상적으로 상기 화합물의 증기화를 수반한다. 전술된 Dobbins 등의 미국특허 제 5,043,002호에서는 예를 들어, 질소와 같은 담체 기체가 실리콘-함유 반응성 화합물, 바람직하게는 옥타메틸사이클로테트라실록산과 같은 무-할라이드 화합물을 통해 거품화된다. 상기 반응성 화합물 증기 및 질소의 혼합물은 반응 부위에서 상기 버너로 운반되어 반응물은 기체화 연료/산소 혼합물과 결합되고 연소된다.
미국특허 제 5,043,002호 및 제 5,152,819호에서 기술된 바와 같이, 비록 용융 실리카 유리 제조용 원료유로서 무-할라이드 실리콘 화합물의 사용이 HCl의 형성을 막는다하더라도, 특히 상기 유리를 광도파관 섬유와 같은 고품질의 광학 제품의 제조에 사용하고자 할 때, 몇가지 문제가 남아있다. 출원인들은 "Method for Purifying Polyalkylsiloxanes and the Resulting Products"의 제목의 미국특허 출원 제 08/574,961호에 기술된 바와 같이, 예를 들면 폴리알킬실록산 원료유에서의 높은 끓는점 불순물의 존재가 상기 증기화 반응물을 상기 버너로 운반하는 증기화 및 운반 시스템에서 또는 상기 버너 자체내에서 겔 증착의 형성을 초래할 수 있음을 발견하였다. 상기 실록산 원료유의 중합화 및 겔화는 상기 실리카 제조 공정의 조절성 및 견고성을 저해한다. 산소와 같은 산화 담체 기체가 상기 반응물 증기 스트림에 포함될 때, 산화제가 상기 실록산 원료유의 중합반응을 촉진시키므로 상기 문제가 악화된다. 이는 광도파관 섬유가 인발되는 블랭크로 결국 고화되는 수트 예형의 증착 속도의 감소를 초래한다. 또한, 고분자량, 높은 끓는점 불순도의 입자들은 상기 광도파관 섬유 블랭크상에 증착되어 계속적으로 인발된 광도파관 섬유의 품질에 악영향을 주고, 전체 블랭크의 스크랩화(scrapping)를 필요로 할 수 있는 "결함" 또는 "덩어리화된 결함(clustered defect)"을 초래할 수 있다.
결함들은 유리 바디내의 작은(즉, 직경 0.1 내지 4.0 mm) 기포들이다. 이들은 비연소된 겔화된 폴리알킬실록산과 같은 불순물에 의해 용융 실리카내에서 형성될 수 있다. 실록산 겔의 매우 작은 입자는 결함에 대한 초기 부위일 수 있다. 상기 실록산은 상기 유리 바디상에 증착된 후 고온에서 분해하여, 상기 결함을 형성하는 기체를 발산한다.
써모포레시스(thermophoresis)는 수트가 그 예형에 대해 영향을 받는 공정이다. 사실상, 이는 상기 입자들을 냉각 예형으로 이동시키는 원동력을 형성한다. 상기 버너로부터 나온 뜨거운 기체들은 레이다운(laydown)하는 동안 상기 예형 주위를 통과한다; 상기 수트 입자들은 상기 예형을 치기 위해 연소만으로는 충분한 운동량을 갖지 않는다. 써모포레시스는 뜨거운 영역에서 냉각 영역까지 한 온도구배(temperature gradient)내에서 입자들을 이동시킨다. 버너로부터 태워진 기체들은 상기 예형보다 더 뜨겁다. 상기 기체들이 예형 주위를 통과하기 때문에, 온도구배가 형성된다. 뜨거운 기체 분자들은 차가운 기체 분자들보다 더 높은 속도를 갖는다. 뜨거운 기체 분자들이 입자를 공격할 때, 이들은 차가운 기체 분자가 하는 것보다 상기 입자들로 더 큰 운동량을 전달한다. 따라서, 입자들은 상기 더 차거운 기체 분자들 및 상기 예형을 향하여 번갈아가며 끌린다.
덩어리화된 결함들은 광도파관 섬유 예형에서 발견된 더 큰 유리 결함이다. 이들은 라인 또는 깔대기- 또는 꽃-모양의 덩어리 형태로 일련의 결함을 이룬다. 큰 입자의 겔은 덩어리화된 결함의 초기 부위일 수 있다. 상기 겔 입자가 다공성 예형을 친 후, 이는 부푼 면적으로 인해 상기 예형 표면으로부터 두드러진다. 상기 덩어리화된 결함은 부푼 부위이기 때문에, 상기 부위로 더 많은 열 전달이 일어난다. 이렇게 증가된 열 전달 때문에, 상기 부위에서 더 많은 써모포레시스가 발생하여 불완전함이 증대되고, 일련의 결함을 초래한다. 상기 덩어리화된 결함의 결과로서, 광도파관 섬유 예형의 영향받는 부분은 정상적으로 고화될 수 없고, 상기 블랭크에 연속적인 불규칙성이 결함있는 광도파관 섬유를 만들어낸다. 70밀리미터(mm)의 직경과 0.8미터(m)의 길이를 갖는 통상적인 100킬로미터 고화된 블랭크의 경우에, 상기 블랭크의 표면상에 하나의 덩어리화된 결함의 존재는 인발시 통상적으로 5킬로미터의 광도파관 섬유의 손실을 초래한다. 더 크게 고화된 블랭크의 경우에, 단일 덩어리화된 결함의 부정적 영향은 비례적으로 더 커진다. 90mm 직경 및 1.8m 길이를 갖는 250킬로미터의 고화 블랭크에 있어서, 상기 블랭크 표면상의 하나의 덩어리화된 결함은 인발시 통상적으로 8킬로미터 광도파관 섬유의 손실을 초래한다.
본 출원인들은 상술된 문제가 실리카 제조 공정 동안 실록산 원료유를 액체 형태로 전환 부위까지 운반함으로써 억제됨을 발견하였다. 상기 실록산 원료유를 증기 대신 액체로서 운반함으로써, 증발기와 증기 운반 시스템의 높은 온도 환경에 실록산 원료유의 노출을 피할 수 있어 실록산 원료유의 겔화를 막는다. 이는 제조된 용융 실리카의 수율 및 품질로 입증되며, 또한, 상기 제조 시스템의 보수 요구를 감소시킨다.
도 1은 본 발명에 따른 반응물 운반 시스템의 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따라 실린지(syringe)로부터 버너의 불꽃에 제공되는 액체 반응물의 대표적인 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따라 변환기로부터 버너의 불꽃에 제공되는 액체 반응 입자의 대표적인 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따라 버너 구조내로 삽입된 분무기의 개략도이다.
본 발명은 고순도의 용융 실리카 유리를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 실록산 원료유를 액체 형태로 전환 부위까지 운반함으로써 실리카 제조 공정에서 실록산 원료유의 겔화를 억제하는 방법을 제공한다. 심각한 겔의 형성을 촉진시키는 증발기 및 증기 운반 시스템의 고온 환경을 피하므로, 상기 실리카 제조 공정은 향상된다. 실록산 원료유는 액체로서 전환 부위로 운반되며, 비결정성 실리카 수트로 전환됨과 동시에 또는 그 이전까지 증기화되지 않는다. 그 후, 비결정성 실리카 수트는 수용체 표면상에 증착된다. 상기 증착과 실질적으로 동시에 또는 이에 연속적으로 수트가 용융 실리카 유리의 바디로 고화될 수 있으며, 이로부터 예를 들면 광도파관 섬유가 인발에 의해 제조될 수 있다.
본 발명은 실록산 액체 원료유를 함유하기 위한 실록산 액체 원료유 탱크 및 연소 버너 불꽃내에서 분해되어 수용체 표면상에 증착되는 미세하게 분할된 비결정성 실리카 수트를 형성시키는 전환 부위로 상기 액체 원료유를 주입시키는 주입기로 실록산 액체 원료유를 운반하기 위한 실록산 액체 원료유 운송 도관을 포함하는 실리카 제조 장치를 더욱 포함한다.
용융 실리카 유리 바디는 산화 도핑제로 도핑될 수 있으며, 여기서, 액체 실록산 원료유 뿐만 아니라, 산화 또는 불꽃 가수분해에 의해 주기율표의 IA, IB, IIA, IIB, IIIA, IIIB, IVA, VA 군 및 희토류 시리즈로부터 선택된 금속 성분을 갖는 금속 산화물 및 P2O5로 이루어진 군의 한 원소로 전환될 수 있는 도핑제 화합물이 상기 버너의 불꽃내로 유입된다. 이렇게 얻어진 산화-도핑된 용융 실리카 유리는 예를 들면 광도파관 섬유로 인발될 수 있다.
도 1은 액체 실록산 원료유 및 선택적으로 도핑제-제공 화합물을 버너(10)로 운반하기 위한 시스템을 개략적으로 도시한다. 폴리메틸사이클로실록산과 같은 액체 실록산 원료유는 원료유 탱크(11)내에 저장된다. 원료유 탱크(11)는 반응물 유입 부위에서, 원한다면 미터링 펌프(metering pump)(12), 선택적 필터(filter)(13) 및 예열기(preheater)(14)를 포함할 수 있는 액체 원료유 운송 도관을 통해 반응물 주입부위에서 액체 원료유 주입기(15)에 연결된다. 상기 액체 원료유 운송 도관은 제 1 말단(51) 및 제 2 말단(52)을 갖는다. 탱크(11)로부터 상기 실록산 원료유 액체가 펌프(12)에 의해 필터(13)를 통과하여 선택적 예열기(14)로 액체 원료유 운송 도관을 통하여 운반된다. 필터(13)를 통하여 운반된 액체는 버너(10)로의 유입 이전에 상기 액체 반응물을 따뜻하게 하고, 일반적으로 겔 형성을 촉진시키는 고온의 증발기를 피하게 위해, 선택적으로 사용되는 예열기(14)에서 증기화를 실질적으로 방지하거나 억제하기에 충분한 압력하에 있게 된다. 바람직하게, 상기 버너는 예를 들면 본원에 참고로 포함된 D.R. Powers의 미국특허 4,1654,223호에서 기술된 바와 같이, 통상적으로 내부 차단 기체(inner shield gas), 외부 차단 기체, 및 불꽃을 위한 메탄 및 산소의 혼합물과 함께 제공된다.
상기 액체 반응물은 선택적 필터(13) 또는 선택적 예열기(14)로부터 제 2 말단(52)을 통하여 상기 액체를 버너(10)로 운반하는 액체 주입기(15)로 운반된다. 주입기(15)는 액체 스트림 또는 분무화된 액체 입자들로서 상기 액체반응물을 버너(10)의 불꽃에 직접 운반하기 위한 장치를 포함한다. 본 명세서에서는 일반적으로 반응물을 "액체" 형태로 간주한다. 이러한 표현이 의미하는 바는 상기 반응물이 실질적으로 액체 상태라는 것이다. 반응물의 작은 부분 특히, 예열기(14)가 사용되거나, 액체에 걸쳐 질소 블랭킷(blanket)이 사용된 부분은 증기 형태일 수 있다. 반응물의 작은 부분은 본 발명의 작업에 악영향을 주지 않고 연소 부위로 운반되는 것 같은 기체 형태일 수 있다.
액체 주입기(15)는 예를 들면, 미세한 바늘이 부착된 실린지를 포함할 수 있고, 이것에 의해 액체 스트림이 버너 불꽃내로 높은 속도로 주입될 수 있다. 비록 실린지는 소규모인 경우 사용될 수 있지만, 상업적으로는 예를 들어 분무기와 같은 상당히 큰 양을 필요로 할 것이다.
액체의 매우 작은 입자들을 형성할 수 있는 분무화 수단의 몇몇 형태는 Hemisphere Publishing Co.의 Arthur H. Lefebure(1989)에 의해 쓰여졌으며, 본원에 참고로 포함된 Atomization and Sprays에 기술된 바와 같이, 분무화 기술분야에서는 공지이다. 분무기는 액체, 기체, 기계적, 전기적 및 진동적인 다양한 에너지원에 의해 작동될 수 있으며, 예를 들면, 제트, 소용돌이(swirl), 제트-소용돌이, 함기성, 회전성, 음파성, 초음파성 및 정전기성으로 분류될 수 있다. 바람직하게는, 제트 분무기가 사용된다; 더 바람직하게는 제트 분무기는 소용돌이-제트 분무기이며, 이는 액체를 소용돌이시킨 후, 일반적으로 분무기가 행하는 것처럼, 작은 구멍에서 높은 속도로 액체를 분출한다. 다양한 타입의 분무기가 L. Bayvel 및 Z. Orzechowski, Taylor & Francis(1993)에 의해 쓰여지고, 본원에 참고로 포함된 Liquid Atomization에 기술되어 있다.
또다른 바람직한 타입은 질소 또는 공기 압력에 의해 작동되는 함기성 분무기이다. 특히 바람직한 실시예에서, 상기 분무기는 연소 버너의 구조내에 삽입될 수 있다.
실록산 반응 화합물의 분무화된 입자들은 바람직하게는 메탄 및 산소의 결합에 의해 연료화된 버너내에서 연소된다. 상기 분무화된 반응 입자들은 바람직하게 분무화된 기체인 질소와 같은 운반 기체에 의해 상기 분무기로부터 버너 불꽃으로 전달될 수 있다.
도 2는 실린지(21)가 버너(24)에 의해 생성되는 전환 부위 불꽃(23)으로 액체 반응물 스트림(22)을 주입하는 본 발명에 따른 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 반응물의 열적 산화 분해는 회전가능한 맨드릴(26)상에 증착되는 미세하게 분할된 비결정성 수트(25)를 제조한다.
도 3은 분무기(31)가 작은 액체 반응 입자들(32)을 버너(24)에 의해 생성되는 불꽃(23)에 주입시키는 본 발명의 장치의 또다른 실시예를 나타내는 개략도이다. 상기 반응물의 연소는 회전가능한 맨드릴(26)상에 증착되는 수트(25)를 만든다.
도 4는 본 발명의 장치의 한 바람직한 실시예의 단면도이다. 여기서, 버너(40)는 매우 미세하게 분무화된 액체 반응 입자들을 불꽃(23)으로 주입시키는 분무기(41)를 그 버너구조의 내부에 포함한다. 전술된 실시예에서와 같이, 상기 액체 반응물의 연소에 의해 제조되는 비결정성 수트(25)는 회전가능한 맨드릴(26)상에 수집된다.
도 4에서 나타난 바와 같이, 버너(40)는 분무기(41)를 둘러싼 일련의 동심원의 채널(concentric channel)을 포함한다. 질소 스트림은 채널(44) 및(45)를 통하여 불꽃(23)에 전달될 수 있는 산소와 함께, 반응 입자들(42)의 미성숙 접촉을 방해하기 위해 가장 안쪽의 채널(43)을 통하여 전달될 수 있다. 산소와 메탄과 같은 연료의 전 혼합물(premix)은 가장 바깥쪽의 채널(46)을 통하여 불꽃에 전달된다. 도 4에서 예시된 실시예와 같은 분무화 주입기가 장착된 버너는 연속적으로 제조된 광도파관 섬유의 코어(core) 및 클래딩(cladding) 영역의 향상된 집중성을 달성하는 광범위한 수트 스트림을 제조한다.
도 4에서 나타난 바와 같은 본 발명의 가장 바람직한 분무기 유니트(53)는 에어블라스트 분무기(airblast atomizer)로 이루어진다. 상기 에어블라스트 분무기와 함께, 상기 액체 실록산 원료유는 가장 안쪽 채널(43)로부터 상기와 같이 흐르는 기체 스트림의 운동 에너지에 의해 분무된다. 상기 원료유를 분무시키는데는 고속 기체가 사용된다. 이는 0.5 내지 50.0 m/초의 범위의 속도로 분무화된 액체 발사물(42)을 만든다. 상기 에어블라스트 분무기에 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 본 발명에서는 N2기체가 바람직하나, O2와 같은 비-불활성 기체도 그것이 상기 액체 원료유의 완전한 증기화 이전에 원료유의 연소를 방해하는 것을 돕지 않지만 사용될 수 있다. 에어블라스트 기체로서 N2기체의 사용은 불꽃에서 산소로부터 원료유를 차단하도록 하며, 버너 형성을 방해한다. 본 발명에서는 에어블라스트 분무기를 사용하여, 버너에서와 불꽃내에서 실록산의 분무화의 유리한 수준을 달성시키기 위한 효과적인 방법으로 고속의 블라스트 기체가 전개된다.
본 발명의 실시예에서, 비록 버너 유니트(burner unit)의 필수 부품으로서 분무기 유니트(53)를 갖는 것이 바람직할지라도, 도 2 및 도 3에서의 분무기(21) 및(31)을 이용한 것과 같이 버너로부터 공간적으로 떨어진 에어블라스트 분무기를 사용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 장치는 도 1에서 도시한 바와 같이 산화 또는 불꽃 가수분해반응에 의해 주기율표의 IA, IB, IIA, IIB, IIIA, IIIB, IVA, IVB, VA군 및 희토류 시리즈로부터 선택된 금속 성분을 갖는 금속 산화물 또는 P2O5로 전환될 수 있는 화합물을 함유하는 도핑제 공급 탱크(16)와 함께 제공될 수 있다. 상기 금속 도핑제들은 버너내에서 생성된 실리카와 함께 결합하여, 계속적으로 광도파관 섬유로 제조될 수 있는 도핑된 실리카 유리를 제공한다.
상기 실리카 유리 도핑제를 제공하는 화합물은 도 1의 도핑제 공급기(16)로부터 탱크(11)로 제공될 수 있다. 또한, 상기 도핑제는 실리콘-함유 화합물용으로 사용되는 운반 시스템과 유사한 선택적인 필터(도시되지 않음) 및 별도의 미터링 펌프(metering pump)를 경유하여 공급기(16)로부터 액체 주입기(15)로 운반될 수 있다.
본 발명에 따라, 바람직한 무-할라이드, 실리콘-함유 반응 화합물은 바람직하게, 폴리알킬실록산, 예를 들면, 헥사메틸디실록산을 포함한다. 더 바람직하게는, 상기 폴리알킬실록산은 폴리메틸사이클로실록산을 포함한다. 가장 바람직하게는, 상기 폴리메틸사이클로실록산은 헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산, 데카메틸사이클로펜타실록산, 도데카메틸사이클로헥사실록산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
현재 출원중인 미국 특허출원 제 08/574,961호에서 기술된 바와 같이, 상기 실록산 원료유로서 옥타메틸사이클로테트라실록산의 사용은 상기 실록산 원료유가 원료유 증발기 및 증기화된 원료유 운반 시스템을 막고 방해하는 겔을 중합하고 형성하는 것으로 판명된다.
하기 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명한다.
실시예 1-실린지를 이용하여 불꽃내로 액체 반응물을 주입하여 수트를 생성
액체 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS)의 스트림은 0.01-인치 직경의 바늘이 달린 실린지를 이용하여 유리 막대로 고정된 선반의 버너 불꽃내로 주입되었다. 결과적으로 생긴 SiO2를 함유하는 다공성 수트 입자들은 상기 회전하는 1-인치 직경 유리 막대상에 수집되었다. 이러한 절차는 액체 형태로 실록산 원료유 화합물의 연소에 의해 SiO2를 얻을 수 있는 가능성을 나타낸 것이다.
실시예 2-주입기로서 초음파 변환기 분무기를 이용한 수트의 생성
액체 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS)은 버너의 중심선 아래로 삽입된 Vibra-CellR20-khz 초음파 변환기 분무기(Sonics & Materials, Inc., Danbury, CT)를 통해 연소 버너로 운반되었다. 상기 분무기는 프리믹스(premix)된 CH4/O2의 외곽 링 및 산소 공급의 두 개의 내부 링에 의해 둘러싸여 있다. 하기 유속이 사용되었다: 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS), 11 g/분; 산소, 10 표준 ℓ/분(SLPM); 전혼합물, 10 SLPM CH4및 8.4 SLPM O2.
연소는 약 10분간 계속되었다. SiO2수트의 우수한 증착물이 상기 맨드릴상에 수집되었으며, 이는 버너 불꽃내로 작은 액체 입자들로서 유입된 실록산 원료유로부터 SiO2를 제조할 수 있음을 더욱 설명하는 것이다.
실시예 3-분무화 연소 버너에 의한 수트의 생성
분무화 버너는 도 4에서 도시된 바와 같이 구성되었다. 다양한 차원의 분무기(41) 및 둘러싼 채널들이 다음과 같이 테스트되었다:
분무기(41)의 내부지름: 0.007 내지 0.015 인치
채널(43)의 내부지름: 0.036 내지 0.050 인치
채널(43)의 외부지름: 0.048 내지 0.063 인치
0.015-인치 내부 지름을 갖는 분무기(41)를 이용하여, 수트 입자들이 65분 동안 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS)으로부터 생성되었다. 유속은 다음과 같았다:
채널(46)을 통한 전혼합물: 10 SLPM CH4및 8 SLPM O2.
채널(44) 및(45)을 통한 O2: 26 SLPM.
채널(43)을 통한 N2: 5.6 SLPM.
분무기(41)를 통한 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS): 최초 5분동안 6 ml/분 후, 다음 60분간 10 ml/분.
표적인 1-인치 직경의 유리 막대는 약 15 m/분으로 전후로 이동하면서, 1 내지 5 회전/초로 회전하도록 설정되었다. 버너에서 표적 수용체 표면까지의 거리는 약 6.5 인치이었다.
반응물 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTS)의 완전한 연소가 달성되었으며, 목적물의 무게는 65-분 증착 기간(3.8g/분)에 걸쳐 247g까지 증가되었다. 수트는 퍼네이스(furnace)내에서 계속적으로 고화되었으며, 가시적인 결함이 없고 깨끗한 유리를 제조하였다.
이러한 결과는 액체 실록산 원료유를 연소시키고, 양호한 속도로 수용체 표면상에 수트를 증착시키는 본 발명의 분무기 버너의 성공적인 사용을 나타내고 있다.
본 발명은 본 발명의 목적을 위해 상세히 설명되지만, 상기 상세한 설명은 상기 목적에 한정되지 않으며, 하기 청구범위에 정의된 본 발명의 목적에 벗어나지 않는 범위내에서 당업자는 이를 다양하게 변형할 수 있다.

Claims (23)

  1. a) 액체 실록산 원료유를 얻는 단계;
    b) 상기 액체 실록산 원료유를 액체 형태로 전환 부위에 운반하는 단계;
    c) 상기 전환 부위에서 상기 액체 실록산 원료유를 분무하는 단계;
    d) 상기 전환 부위에서 상기 분무화된 실록산 원료유를 실리카로 전환시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 실리카를 제조하는동안 실록산 원료유의 겔화를 억제하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전환 부위에서 상기 액체 실록산 원료유를 분무시키는 단계가 상기 액체 실록산 원료유의 에어블라스트 분무화 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 액체 실록산 원료유를 에어블라스트 분무화시키는 단계가 흐르는 기체 스트림의 운동 에너지로 액체 실록산 원료유를 분무화시키는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 액체 실록산 원료유를 에어블라스트 분무화시키는 단계가 불활성 기체로 상기 액체 실록산 원료유를 에어블라스트 분무화시키는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 불활성 기체로 상기 액체 실록산 원료유를 에어블라스트시키는 단계가 질소 기체로 상기 액체 실록산 원료유를 에어블라스트시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 전환 부위에서 상기 액체 실록산 원료유를 분무화시키는 단계가 분무화된 실록산 원료유에 0.5m/초 이상의 속도를 부여하는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 전환 부위에서 상기 분무화된 실록산 원료유를 실리카로 전환시키는 단계가 불꽃내에서 상기 분무화된 실록산 원료유를 분해시키는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  8. a) 전환 부위에서 떨어진 위치에 액체 실록산을 담는 단계;
    b) 상기 액체 실록산을 상기 전환 부위까지 액체 형태로 운반하는 단계;
    c) 상기 운반된 액체 실록산을 상기 전환 부위에서 증기화시키는 단계;
    d) 상기 증기화된 운반된 실록산을 상기 전환 부위에서 실리카 수트로 전환시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 실록산이 실리카 수트로 전환되는 전환 부위에서 액체 실록산을 이용하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 액체 실록산을 액체 형태로 전환 부위까지 운반하는 단계가 액체 실록산의 증기화를 억제시키는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 운반된 액체 실록산을 증기화시키는 단계가 불활성 기체를 갖는 상기 액체 실록산을 블라스트시키는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 방법이 주기율표 IA, IB, IIA, IIB, IIIA, IIIB, IVA, IVB, VA군 및 희토류 시리즈로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 성분을 갖는 금속 산화물 및 P2O5로 이루어진 군중 적어도 하나의 성분으로 상기 실리카 수트를 도핑시키는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 방법.
  12. 실록산 액체 원료유를 함유하는 실록산 액체 원료유 탱크;
    제 1 말단 및 제 2 말단을 가지며, 상기 제 1 말단이 상기 실록산 액체 원료유 탱크에 연결된 실록산 액체 원료유 운반 도관;
    상기 실록산 액체 원료유 운반 도관의 제 2 말단에 연결된 실록산 액체 원료유 주입기;
    상기 주입기로부터 주입된 실록산이 실리카로 전환되는 상기 주입기 부근의 실록산에서 실리카로의 전환 부위를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 실록산 액체 원료유 주입기가 분무화시키는 수단으로 구성됨을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 분무화 수단이 에어블라스트 분무기로 구성됨을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 에어블라스트 분무기가 버너에 인접함을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  16. 제 12항에 있어서, 상기 실록산에서 실리카로의 전환 부위가 불꽃으로 구성됨을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 분무화 수단이 정전기적 분무기로 이루어짐을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  18. 제 13항에 있어서, 상기 분무화 수단이 함기성 분무기로 이루어짐을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  19. 제 13항에 있어서, 상기 분무화 수단이 제트 분무기로 이루어짐을 특징으로 하는 실리카 제조 장치.
  20. 실리카를 제조하는 원료유를 실리카로 전환시키기 위한 전환 부위를 제공하는 단계;
    상기 전환 부위 근처에 에어블라스트 분무기를 배치하는 단계;
    상기 에어블라스트 분무기에 실리카를 제조하는 원료유를 액체 형태로 운반하는 단계;
    상기 실리카를 제조하는 원료유를 기체로 에어블라스트 분무화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 수트를 제조하는 방법.
  21. 실리카를 제조하는 원료유를 실리카로 전환시키기 위한 전환 부위를 제공하는 단계;
    상기 전환 부위 근처에 정전기적 분무기를 배치시키는 단계;
    상기 정전기적 분무기에 실리카를 제조하는 원료유를 액체 형태로 운반하는 단계;
    전기적 전하로 상기 실리카를 제조하는 원료유를 정전기적으로 분무화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 수트를 제조하는 방법.
  22. 실리카를 제조하는 원료유를 실리카로 전환시키기 위한 전환 부위를 제공하는 단계;
    상기 전환 부위 근처에 함기성 분무기를 배치시키는 단계;
    상기 함기성 분무기에 실리카를 제조하는 원료유를 액체 형태로 운반하는 단계;
    상기 실리카를 제조하는 원료유를 함기적으로 분무화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 수트를 제조하는 방법.
  23. 실리카를 제조하는 원료유를 실리카로 전환시키기 위한 전환 부위를 제공하는 단계;
    상기 전환 부위 근처에 제트 분무기를 배치시키는 단계;
    상기 제트 분무기에 실리카를 제조하는 원료유를 액체 형태로 운반하는 단계;
    상기 실리카를 제조하는 원료유를 제트 분무화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 수트를 제조하는 방법.
KR10-1998-0704637A 1995-12-19 1996-12-12 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치 KR100473827B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US888995P 1995-12-19 1995-12-19
US60/008,889 1995-12-19
PCT/US1996/020756 WO1997022553A1 (en) 1995-12-19 1996-12-12 Method and apparatus for forming fused silica by combustion of liquid reactants

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000064466A true KR20000064466A (ko) 2000-11-06
KR100473827B1 KR100473827B1 (ko) 2005-07-18

Family

ID=21734283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0704637A KR100473827B1 (ko) 1995-12-19 1996-12-12 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6565823B1 (ko)
EP (1) EP0868401B1 (ko)
JP (1) JP4089922B2 (ko)
KR (1) KR100473827B1 (ko)
CN (1) CN1128111C (ko)
AT (1) ATE272573T1 (ko)
AU (1) AU718737B2 (ko)
BR (1) BR9611969A (ko)
CA (1) CA2233021A1 (ko)
DE (1) DE69633066D1 (ko)
TW (1) TW343959B (ko)
UA (1) UA46068C2 (ko)
WO (1) WO1997022553A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975746B1 (ko) * 2004-08-11 2010-08-12 현대중공업 주식회사 프로펠러 및 금속 주조를 위한 통합 압탕가열장치

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6312656B1 (en) * 1995-12-19 2001-11-06 Corning Incorporated Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen
CN1232436A (zh) * 1996-10-08 1999-10-20 康宁股份有限公司 抑制硅氧烷原料胶凝的方法和抑制胶凝的原料
JP2001509469A (ja) * 1997-07-08 2001-07-24 コーニング インコーポレイテッド シリカガラスを形成するための塩化ゲルマニウムとシロキサンとからなる原料ならびにシリカガラス形成方法
US5979185A (en) * 1997-07-16 1999-11-09 Corning Incorporated Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater
KR20010022069A (ko) * 1997-07-21 2001-03-15 알프레드 엘. 미첼슨 저유량 공급원료 증기 제조장치 및 그 방법
US6094940A (en) 1997-10-09 2000-08-01 Nikon Corporation Manufacturing method of synthetic silica glass
JPH11116247A (ja) * 1997-10-09 1999-04-27 Nikon Corp 合成石英ガラス製造方法
JP4038866B2 (ja) * 1998-03-11 2008-01-30 株式会社ニコン 合成石英ガラス製造方法
AU751971B2 (en) * 1997-12-19 2002-09-05 Corning Incorporated Method for producing metal oxide soot
EP0978487A3 (en) * 1998-08-07 2001-02-21 Corning Incorporated Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition
US6260385B1 (en) 1998-08-07 2001-07-17 Corning Incorporated Method and burner for forming silica-containing soot
ZA994173B (en) * 1998-08-07 2000-03-06 Corning Inc System and method for plug free delivery of liquid reactants through a burner assembly to form soot for the manufacture of glass.
ID28395A (id) * 1998-10-30 2001-05-17 Corning Inc Metode pembuatan jelaga untuk bentuk-awal serat dan bentuk-awal yang dibuat dengan metode tersebut
US6705127B1 (en) 1998-10-30 2004-03-16 Corning Incorporated Methods of manufacturing soot for optical fiber preforms and preforms made by the methods
US6736633B1 (en) 1998-12-17 2004-05-18 Corning Incorporated Burner manifold apparatus for use in a chemical vapor deposition process
US6336347B1 (en) 1998-12-28 2002-01-08 Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. Process for producing silica by decomposition of an organosilane
GB2346683A (en) * 1999-02-05 2000-08-16 Univ Glasgow Flame hydrolysis deposition burner
EP1087177B1 (en) * 1999-04-06 2011-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Burner and combustion furnace for combustion and flame hydrolysis and combustion method
US6418756B1 (en) 2000-01-28 2002-07-16 Corning Incorporated Method of making planar waveguides using low flow rates of feedstock vapors from a gas and liquid mixture
US20030070452A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-17 Alcatel Process for online spheroidization of quartz and silica particles
JP4723252B2 (ja) * 2002-11-26 2011-07-13 キャボット コーポレイション ヒュームド金属酸化物粒子及びその製造方法
DE10302914B4 (de) * 2003-01-24 2005-12-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas
FI116619B (fi) 2004-07-02 2006-01-13 Liekki Oy Menetelmä ja laite optisen materiaalin tuottamiseksi sekä optinen aaltojohde
JP4412485B2 (ja) * 2004-12-10 2010-02-10 信越化学工業株式会社 シリコーンゴムと基材との一体成形複合体及びその製造方法
US20070165308A1 (en) * 2005-12-15 2007-07-19 Jian Wang Optical retarders and methods of making the same
US20090079187A1 (en) * 2007-09-25 2009-03-26 Itt Automotive, Inc. Fluidic coupling with deformable quick connector
MY155215A (en) * 2008-05-16 2015-09-30 Denki Kagaku Kogyo Kk Amorphous silica powder, process for its production and its use
US8038971B2 (en) * 2008-09-05 2011-10-18 Cabot Corporation Fumed silica of controlled aggregate size and processes for manufacturing the same
US8729158B2 (en) * 2008-09-05 2014-05-20 Cabot Corporation Fumed silica of controlled aggregate size and processes for manufacturing the same
GB2478307A (en) 2010-03-02 2011-09-07 Heraeus Quartz Uk Ltd Manufacture of silica glass
US8840858B2 (en) 2011-07-06 2014-09-23 Corning Incorporated Apparatus for mixing vaporized precursor and gas and method therefor
JP6236866B2 (ja) * 2013-05-15 2017-11-29 住友電気工業株式会社 ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス微粒子堆積体製造用バーナー
JP6086168B2 (ja) * 2016-04-01 2017-03-01 住友電気工業株式会社 ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法
CN106277750A (zh) * 2016-08-19 2017-01-04 中国建筑材料科学研究总院 石英玻璃的制备方法
KR101880728B1 (ko) 2017-01-06 2018-07-23 배명인 각도 및 길이조절이 가능한 조명장치

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2272342A (en) 1934-08-27 1942-02-10 Corning Glass Works Method of making a transparent article of silica
US2188121A (en) 1936-12-11 1940-01-23 Corning Glass Works Making articles of fused silica
US2269059A (en) 1938-05-14 1942-01-06 Corning Glass Works Method of preparing finely comminuted oxides
US2239551A (en) 1939-04-22 1941-04-22 Corning Glass Works Method of making sealing glasses and seals for quartz lamps
BE438752A (ko) 1939-04-22
US3117838A (en) 1957-08-02 1964-01-14 Int Standard Electric Corp Manufacture of silica
US3416890A (en) 1965-12-16 1968-12-17 Owens Illinois Inc Process of producing oxides of metals and metalloids
US3489579A (en) 1966-05-25 1970-01-13 Us Army Ablative heat shielding and injection cooling by addition of surface active agents
DE1667044C3 (de) 1967-04-13 1981-01-29 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur Herstellung feinteiliger Oxide aus Halogeniden
US3698936A (en) 1969-12-19 1972-10-17 Texas Instruments Inc Production of very high purity metal oxide articles
US3666414A (en) 1971-03-15 1972-05-30 Heraeus Schott Quarzschmelze Method of producing transparent or opaque fused silica or glass with a high silicon content
US3883336A (en) 1974-01-11 1975-05-13 Corning Glass Works Method of producing glass in a flame
US4529427A (en) 1977-05-19 1985-07-16 At&T Bell Laboratories Method for making low-loss optical waveguides on an industrial scale
US4165223A (en) 1978-03-06 1979-08-21 Corning Glass Works Method of making dry optical waveguides
US4173305A (en) * 1978-03-10 1979-11-06 Corning Glass Works System for delivering materials to deposition site on optical waveguide blank
JPS54142317A (en) * 1978-04-24 1979-11-06 Hitachi Ltd Production of optical fibers
JPS54145642A (en) 1978-05-09 1979-11-14 Tokushiyu Muki Zairiyou Kenkiy Method of manufacturing heat resisting semiiinorganic compound
JPS5523067A (en) * 1978-08-07 1980-02-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method for oxide powder layer for optical fiber
JPS5614438A (en) * 1979-07-18 1981-02-12 Hitachi Ltd Manufacture of optical fiber base material
IT1119362B (it) 1979-09-10 1986-03-10 Cselt Centro Studi Lab Telecom Procedimento ed apparecchiatura per la produzione di preforme per fibre ottiche
CA1166527A (en) 1979-09-26 1984-05-01 Shiro Takahashi Method and apparatus for producing multi-component glass fiber preform
US4366335A (en) * 1981-01-05 1982-12-28 Exxon Research And Engineering Co. Indium oxide/n-silicon heterojunction solar cells
US4436765A (en) * 1981-04-30 1984-03-13 Exxon Research And Engineering Co. Method for forming indium oxide/n-silicon heterojunction solar cells
JPS58213639A (ja) 1982-06-04 1983-12-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学系ガラスス−トの生成方法
US4501602A (en) 1982-09-15 1985-02-26 Corning Glass Works Process for making sintered glasses and ceramics
US4491604A (en) 1982-12-27 1985-01-01 Lesk Israel A Silicon deposition process
JPS6090838A (ja) 1983-10-25 1985-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 光伝送用石英ガラス母材の製造方法
JPS6096591A (ja) * 1983-10-28 1985-05-30 株式会社金門製作所 セラミツク超微粉末の無機材料へのコ−テイング法
JPS60108338A (ja) * 1983-11-15 1985-06-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光フアイバ母材の製造方法
US4810673A (en) 1986-09-18 1989-03-07 Texas Instruments Incorporated Oxide deposition method
JPH01138145A (ja) 1987-08-20 1989-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス部材の製造方法
GB8905966D0 (en) * 1989-03-15 1989-04-26 Tsl Group Plc Improved vitreous silica products
US5108665A (en) 1990-02-16 1992-04-28 Corning Incorporated Enstatite body and method
US5110335A (en) * 1990-06-25 1992-05-05 At&T Bell Laboratories Method of glass soot deposition using ultrasonic nozzle
US5043002A (en) * 1990-08-16 1991-08-27 Corning Incorporated Method of making fused silica by decomposing siloxanes
US5152819A (en) 1990-08-16 1992-10-06 Corning Incorporated Method of making fused silica
DE4106563C2 (de) * 1991-03-01 1999-06-02 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur elektrostatischen Zerstäubung von Flüssigkeiten
US5170727A (en) * 1991-03-29 1992-12-15 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Supercritical fluids as diluents in combustion of liquid fuels and waste materials
JP3079395B2 (ja) * 1991-06-26 2000-08-21 三好化成株式会社 有機ケイ素化合物処理顔料、その製法および化粧料
US5458681A (en) * 1991-06-26 1995-10-17 Miyoshi Kasei Co., Ltd. Organosilicon-treated pigment, process for production thereof, and cosmetic made therewith
US5268337A (en) 1991-11-18 1993-12-07 The Johns Hopkins University Ceramic oxide powders and the formation thereof
US5622750A (en) 1994-10-31 1997-04-22 Lucent Technologies Inc. Aerosol process for the manufacture of planar waveguides
US5703191A (en) 1995-09-01 1997-12-30 Corning Incorporated Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products
DE19725955C1 (de) 1997-06-19 1999-01-21 Heraeus Quarzglas Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasrohlings und dafür geeignete Vorrichtung
US5979185A (en) * 1997-07-16 1999-11-09 Corning Incorporated Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975746B1 (ko) * 2004-08-11 2010-08-12 현대중공업 주식회사 프로펠러 및 금속 주조를 위한 통합 압탕가열장치

Also Published As

Publication number Publication date
BR9611969A (pt) 1999-02-17
TW343959B (en) 1998-11-01
UA46068C2 (uk) 2002-05-15
JP2000502040A (ja) 2000-02-22
EP0868401A1 (en) 1998-10-07
DE69633066D1 (de) 2004-09-09
EP0868401B1 (en) 2004-08-04
ATE272573T1 (de) 2004-08-15
AU718737B2 (en) 2000-04-20
AU1520697A (en) 1997-07-14
US6565823B1 (en) 2003-05-20
CA2233021A1 (en) 1997-06-26
EP0868401A4 (en) 1999-03-17
CN1204299A (zh) 1999-01-06
CN1128111C (zh) 2003-11-19
KR100473827B1 (ko) 2005-07-18
JP4089922B2 (ja) 2008-05-28
WO1997022553A1 (en) 1997-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100473827B1 (ko) 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치
US6312656B1 (en) Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen
US5979185A (en) Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater
USRE39535E1 (en) Method of making fused silica by decomposing siloxanes
JP3233298B2 (ja) 高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法
US5703191A (en) Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products
US5879649A (en) Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products
US6260385B1 (en) Method and burner for forming silica-containing soot
MXPA98004935A (en) Method and apparatus for forming fused silice through the combustion of liqui reagents
MXPA00000586A (en) Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater
MXPA00001101A (en) Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee