KR20000046517A - Infrared absorption bolometer with improved absorption efficiency - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 적외선 흡수 볼로메터에 관한 것으로서, 특히, 흡수레벨을 투과한 적외선을 반사하여 흡수레벨에서 재흡수가 일어날 수 있도록 하기 위하여 흡수레벨 하부에 적외선 반사막을 형성함으로서 전체적인 흡수효율을 높여 볼로메터의 성능을 향상시킬 수 있는 적외선 흡수 볼로메터에 관한 것이다.The present invention relates to an infrared absorption bolometer, in particular, to reflect the infrared rays transmitted through the absorption level to form the infrared reflecting film below the absorption level in order to be able to reabsorb at the absorption level to increase the overall absorption efficiency of the bolometer The present invention relates to an infrared absorption bolometer that can improve performance.
볼로메터는 방사열의 변화에 따라 저항값이 변하는 재료(소위 볼로메터 요소)의 특성에 바탕을 둔 에너지 검출기중의 하나이다. 상기 볼로메터 요소는 금속과 반도체 재료를 이용하여 만들어진다. 금속에서, 온도가 올라갈수록 저항값이 높아지는 전형적인 저항값의 변화는 근본적으로 전자의 유동성의 변화에 기인하는 것이다. 반도체 재료 볼로메터 요소는 온도변화에 따라 민감하게 저항이 변화하는 특성을 가지고 있으나, 박막형 제조가 어려운 것이 큰 것이 문제점으로 남아있다.Volometers are one of the energy detectors based on the properties of materials (so-called bolometer elements) whose resistance changes with changes in radiant heat. The bolometer element is made using metal and semiconductor materials. In metals, the typical change in resistance, the higher the temperature, is due to the change in electron flow. The semiconductor material bolometer element has a characteristic that the resistance changes sensitively with temperature changes, but it remains a problem that it is difficult to manufacture a thin film type.
도 1과 도 2에서 나타나는 발명적인 볼로메터(100)의 구성은 구동기판레벨(110), 지지레벨(120), 적어도 한쌍 이상의 포스트(170), 흡수레벨(130)으로 구성된다.The configuration of the inventive ballometer 100 shown in FIGS. 1 and 2 includes a driving substrate level 110, a support level 120, at least one pair of posts 170, and an absorption level 130.
상기 구동기판레벨(110)은 집적회로(도시되지 않음)가 형성되어 있는 기판(112)과 한쌍의 접속단자(114), 그리고 보호층(116)을 포함한다. 금속으로 만들어진 상기 각각의 접속단자(114)는 기판(112)의 상부에 형성되어 있고 기판의 집적회로에 전기적으로 접속되어 있다. 상기 보호층(116)은 잔류응력이 보상되고 절연성이 우수한 재료 즉, 실리콘 질화막으로 만들어져 있으면서 기판(112)을 덮고 있도록 형성되어 공정중에 기판(112)에 손상이 가지 않도록 한다.The driving substrate level 110 includes a substrate 112 on which an integrated circuit (not shown) is formed, a pair of connection terminals 114, and a protective layer 116. Each of the connection terminals 114 made of metal is formed on the substrate 112 and is electrically connected to the integrated circuit of the substrate. The protective layer 116 is formed to cover the substrate 112 while being made of a material having excellent residual stress and excellent insulation, that is, a silicon nitride film, so that the substrate 112 is not damaged during the process.
상기 지지레벨(120)은 실리콘 질화막으로 만들어진 한쌍의 지지교각(140)을 포함하는데, 상기 지지교각(140)의 상부에는 티탄늄(Ti) 같은 금속으로 만들어진 전도선(165)이 형성되어 있다. 상기 각각의 지지교각(140)은 앵커부분(142), 다리부분(144), 부상된 부분(146)으로 나누어지고 앵커부분에서는 비어홀(155)이 형성되어 있어서 전도선(165)의 한끝이 접속단자(114)에 전기적으로 연결되어 있고, 다리부분(144)은 부상된 부분(146)을 지지하는 역활을 한다.The support level 120 includes a pair of support bridges 140 made of a silicon nitride film, and a conductive line 165 made of metal such as titanium (Ti) is formed on the support bridges 140. Each of the support piers 140 is divided into an anchor part 142, a leg part 144, and an injured part 146, and a via hole 155 is formed in the anchor part so that one end of the conductive line 165 is connected. It is electrically connected to the terminal 114, and the leg portion 144 serves to support the injured portion 146.
상기 흡수레벨(130)은 잔류응력이 보상되고 절연성이 우수한 재료 즉, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화 산화물로 만들어진 흡수대(195)와 상기 흡수대(195)에 의해 둘러쌓여진 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터요소(185), 상기 흡수대(195)의 상부에 형성된 적외선 흡수코팅 (197)등을 포함한다. 상기 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터요소(185)는 티타늄(Ti) 같은 온도 변화에 따른 저항변화가 크고 잡음지수가 적은 재료로서 만들어진다.The absorption level 130 is a bolometer formed of a continuous 'L' shape surrounded by the absorption band 195 and the absorption band 195 made of a material having excellent insulation properties, that is, an excellent insulating property, that is, silicon oxide or silicon nitride oxide. Element 185, an infrared absorption coating 197 formed on top of the absorption zone 195, and the like. The bolometer element 185 formed in the continuous 'd' shape is made of a material having a large resistance change according to temperature change such as titanium (Ti) and a low noise figure.
상기 각각의 포스트(170)은 흡수레벨(130)과 지지레벨(120)의 사이에 위치한다. 상기 각각의 포스트(170)는 실리콘 질화막 같은 절연물질(174)에 의해서 둘러쌓여져 있고 티탄늄(Ti) 같은 금속으로 만들어진 전관(172)를 포함하는데, 상기 전관(172)의 상부끝은 상기 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소(185)의 한쪽 끝에 전기적으로 연결되어 있고, 하부끝은 상기 지지교각(140)의 전도선(165)에 전기적으로 연결되어 있음으로서 상기 흡수레벨(130)의 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소(185)의 양끝은 전관(172), 전도선(165), 접속단자(114)를 통하여 상기 구동기판레벨(110)의 집적회로에 전기적으로 연결되어 있다. 상기 볼로메터(100)에 적외선이 입사되었을 때, 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소(185)의 저항값이 바뀌고, 바뀐 저항값에 의하여 전압, 또는 전류가 변화한다. 변화된 전류나 전압은 집적회로에 입력시켜 증폭되어 출력되고, 증폭된 전류나 전압은 검출회로(도시되지 않음)에 의해 읽혀져 적외선의 크기가 감지된다.Each post 170 is located between an absorption level 130 and a support level 120. Each post 170 is surrounded by an insulating material 174, such as a silicon nitride film, and includes an electric conduit 172 made of a metal such as titanium (Ti), the upper end of the electric conduit 172 being the continuous One end of the ballot element 185 formed in a 'd' shape is electrically connected to the lower end, and the lower end is electrically connected to the conductive line 165 of the support piers 140. Both ends of the bolometer element 185 formed in a continuous 'd' shape are electrically connected to the integrated circuit of the driving substrate level 110 through the front tube 172, the conducting line 165, and the connecting terminal 114. have. When the infrared ray is incident on the bolometer 100, the resistance value of the bolometer element 185 formed in a continuous 'L' shape is changed, and the voltage or current is changed by the changed resistance value. The changed current or voltage is input to the integrated circuit and amplified and output. The amplified current or voltage is read by a detection circuit (not shown) to sense the size of the infrared rays.
상기의 볼로메터(100)에 있어서 결정적인 하나의 결점은 적외선 흡수효율이다. 상기 볼로메터(100)에 적외선이 입사되었을 때, 상기 흡수레벨(130)에서 80％의 적외선이 흡수되고 나머지 20％의 적외선은 흡수레벨(130)의 상부에서 반사되거나, 흡수레벨(130)을 투과하게 된다. 따라서, 볼로메터(100)의 흡수효율을 향상시키기 위해서는 반사되거나 투과되는 적외선을 흡수레벨(130)에서 재흡수 할 수 있는 방법이 요구된다.One decisive drawback of the bolometer 100 is infrared absorption efficiency. When infrared rays are incident on the bolometer 100, 80% of the infrared rays are absorbed at the absorption level 130 and the remaining 20% of the infrared rays are reflected at the upper portion of the absorption level 130 or the absorption level 130 is adjusted. Permeate. Therefore, in order to improve the absorption efficiency of the bolometer 100, a method capable of reabsorbing the reflected or transmitted infrared rays at the absorption level 130 is required.
본 발명의 목적은 적외선 흡수 볼로메터를 제공하는 것으로서, 상기 적외선 흡수 볼로메터는 흡수레벨을 투과한 적외선을 반사하여 흡수레벨에서 재흡수가 일어날 수 있도록 하기 위하여 흡수레벨 하부에 적외선 반사막을 형성함으로서 전체적인 흡수효율을 높여 볼로메터의 성능을 향상시킬 수 있는 적외선 흡수 볼로메터를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an infrared absorption bolometer, wherein the infrared absorption bolometer reflects the infrared rays transmitted through the absorption level to form an infrared reflection film under the absorption level so that reabsorption can occur at the absorption level. It is to provide an infrared absorption bolometer that can improve the efficiency of the bolometer by increasing the absorption efficiency.
본 발명의 목적에 일치하여 형성된 적외선 흡수 볼로메터의 구성은 기판과 기판 위에 형성된 적어도 한쌍 이상의 접속단자, 기판을 덮는 보호층등을 갖는 구동기판레벨과, 한쪽 끝이 대응하는 하나의 접속단자에 전기적으로 연결되어 있는 전도선이 상부에 형성되어 있는 지지대가 적어도 한쌍 이상이 형성되어 있는 지지레벨과, 흡수대에 의해 둘러쌓인 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터요소를 갖는 흡수레벨과, 절연물질에 의해 둘러쌓여 있으면서 상부끝이 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소에 전기적으로 연결되어 있고 하부끝이 지지교각의 전도선에 전기적으로 연결되어 있는 전관이 형성되어 있고 지지교각과 흡수레벨 사이에 위치하는 적어도 한쌍 이상의 포스트, 흡수레벨을 투과한 적외선이 흡수레벨로 반사되어 흡수레벨에서 재흡수가 일어날 수 있도록 하는 적외선 반사막으로 구성된다.The structure of the infrared absorption bolometer formed in accordance with the object of the present invention is a drive substrate level having at least one pair of connection terminals formed on the substrate and the substrate, a protective layer covering the substrate, and one end of the electrical The absorbing level having a support level having at least one pair of support lines formed on top of the conductive wire connected to the upper surface, a bolometer element formed in a continuous 'r' shape surrounded by the absorption band, and an insulating material. Enclosed by a conduit with an upper end electrically connected to a continuous bolmer element formed in a continuous 'L' shape, and a lower end electrically connected to the conducting line of the support piers, between the support piers and the absorption level. At least one or more posts positioned and infrared rays transmitted through the absorption level are reflected at the absorption level to It consists of an infrared reflecting film that allows reabsorption to occur.
도 1은 종래의 적외선 흡수 볼로메터를 설명하는 사시도,1 is a perspective view illustrating a conventional infrared absorption bolometer,
도 2는 도 1에 나타난 적외선 흡수 볼로메터의 A-A선을 따라 자른 단면도,2 is a cross-sectional view taken along line A-A of the infrared absorption bolometer shown in FIG.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 두 가지 실시예에 따른 적외선 흡수 볼로메터를 설명하는 단면도.3A and 3B are cross-sectional views illustrating infrared absorption bolometers in accordance with two embodiments of the present invention.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
210 : 구동기판레벨 220 : 지지레벨 230 : 흡수레벨210: driving substrate level 220: support level 230: absorption level
212 : 기판 214 : 접속단자 216 : 보호층212 substrate 214 connection terminal 216 protective layer
240 : 지지교각 252 : 비아홀 255 : 전도선240: support pier 252: via hole 255: conduction line
260 : 포스트 262 : 전관 264 : 전관절연부260: post 262: tube 264: tube insulation
270 : 적외선 반사막 285 : 연속적인 'ㄹ'자형의 볼로메터 요소270 Infrared Reflective Film 285: Continuous 'L' shaped bolometer element
295 : 흡수대 297 : 적외선 흡수코팅295 absorption band 297 infrared absorption coating
도 3a와 도 3b는 본 발명의 두가지 실시예에 따른 적외선 흡수 볼로메터(200)를 설명하는 단면도를 공급한다. 도 3a와 도 3b에 나타난 동일한 참조번호는 동일한 부분을 나타낸다.3A and 3B provide a cross-sectional view illustrating an infrared absorbing bolometer 200 in accordance with two embodiments of the present invention. Like reference numerals shown in FIGS. 3A and 3B denote like parts.
도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 첫 번째 실시예에 따른 볼로메터(200)의 구성은 구동기판레벨(210), 지지레벨(220), 적어도 한쌍 이상의 포스트(260), 흡수레벨(230), 적외선 반사막(270)으로 구성된다.As shown in FIG. 3A, the configuration of the bolometer 200 according to the first embodiment of the present invention includes a driving substrate level 210, a support level 220, at least one pair of posts 260, and an absorption level 230. ) And an infrared reflecting film 270.
상기 구동기판레벨(210)은 집적회로(도시되지 않음)가 형성되어 있는 기판(212)과 한쌍의 접속단자(214), 그리고 보호층(216)을 포함한다. 금속으로 만들어진 상기 각각의 접속단자(214)는 기판(212)의 상부에 형성되어 있고 기판의 집적회로에 전기적으로 접속되어 적외선 방사에너지 흡수작용에 의한 적외선 흡수 볼로메터(200)에 발생하는 저항변화를 집적회로에 전달한다. 상기 보호층(216)은 잔류응력이 보상되고 절연성이 우수한 재료 즉, 실리콘 질화막으로 만들어져 있으면서 기판(212)을 덮고 있도록 형성되어 공정중에 기판(212)에 손상이 가지않도록 한다.The driving substrate level 210 includes a substrate 212 on which an integrated circuit (not shown) is formed, a pair of connection terminals 214, and a protective layer 216. Each of the connection terminals 214 made of metal is formed on the substrate 212 and is electrically connected to the integrated circuit of the substrate to change the resistance generated in the infrared absorption bolometer 200 by infrared radiation energy absorption. To the integrated circuit. The protective layer 216 is formed to cover the substrate 212 while being made of a material having excellent residual stress and excellent insulation, that is, a silicon nitride film, so that the substrate 212 is not damaged during the process.
상기 지지레벨(220)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화 산화막으로 만들어진 한쌍의 지지교각(240)을 포함하는데, 상기 지지교각(240)의 상부에는 티탄늄(Ti) 같은 금속으로 만들어진 전도선(255)이 형성되어 있다. 상기 각각의 지지교각(240)은 앵커부분(242), 다리부분(244), 부상된 부분(246)으로 나누어지고 앵커부분에서는 비어홀(252)이 형성되어 있어서 전도선(255)의 한끝이 접속단자(214)에 전기적으로 연결되어 있고, 다리부분(244)은 부상된 부분(246)을 지지하는 역활을 한다.The support level 220 includes a pair of support bridges 240 made of silicon oxide or silicon nitride oxide, and a conductive line 255 made of metal such as titanium (Ti) is formed on the support bridges 240. Formed. Each of the supporting piers 240 is divided into an anchor part 242, a leg part 244, and an injured part 246, and a via hole 252 is formed in the anchor part so that one end of the conductive line 255 is connected. It is electrically connected to the terminal 214, and the leg portion 244 serves to support the injured portion 246.
상기 흡수레벨(230)은 잔류응력이 보상되고 절연성이 우수한 재료 즉, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화 산화물로 만들어진 흡수대(295)와 상기 흡수대(295)에 의해 둘러쌓여진 볼로메터요소(285)를 포함한다. 상기 흡수대(295)의 상부에는 일반적인 적외선 흡수코팅(297)이 형성되어 있다. 상기 볼로메터 요소(285)는 온도변화에 따른 저항의 변화가 크고 잡음지수가 적인 티탄늄 같은 금속으로 만들어져 있고 저항을 크게 하기 위하여 연속적인 'ㄹ'자형의 형상을 하고 있다.The absorption level 230 includes an absorption band 295 made of a material having excellent insulation and excellent insulation, that is, silicon oxide or silicon nitride oxide, and a bolometer element 285 surrounded by the absorption band 295. A general infrared absorption coating 297 is formed on the absorption band 295. The bolometer element 285 is made of a titanium-like metal having a large resistance change and a noise figure due to temperature change, and has a continuous '-' shape in order to increase resistance.
상기 각각의 포스트(260)은 흡수레벨(230)과 지지레벨(220)의 사이에 위치한다. 상기 각각의 포스트(260)는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화 산화물 같은 절연물질(264)에 의해서 둘러쌓여져 있고 티탄늄(Ti) 같은 금속으로 만들어진 전관(262)를 포함하는데, 상기 전관(262)의 상부끝은 상기 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소(285)의 한쪽 끝에 전기적으로 연결되어 있고, 하부끝은 상기 지지교각(240)의 전도선(255)에 전기적으로 연결되어 있음으로서, 상기 흡수레벨(230)의 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소(285)의 양끝은 전관(262), 전도선(255), 접속단자(214)를 통하여 상기 구동기판레벨(210)의 집적회로에 전기적으로 연결되어 있다.Each post 260 is located between an absorption level 230 and a support level 220. Each of the posts 260 is surrounded by an insulating material 264 such as silicon oxide or silicon nitride oxide and includes an electric tube 262 made of a metal such as titanium (Ti), the upper end of the electric tube 262. Is electrically connected to one end of the continuous bolmer element 285 and the lower end is electrically connected to the conducting line 255 of the support piers 240. Both ends of the bolometer element 285 formed in the continuous 'L' shape of the level 230 are integrated circuits of the driving substrate level 210 through the front tube 262, the conducting line 255, and the connecting terminal 214. Is electrically connected to
상기 적외선 반사막 (270)은 알루미늄(Al) 같은 금속으로 만들어져 있고, 상기 흡수레벨과 특정한 간격을 갖도록 상기 구동기판레벨(210)의 보호층(216) 상부표면에 형성되어 있다. 상기 적외선 반사막(270)은 제조공정중 상기 구동기판레벨(210)의 상부에 알루미늄을 스퍼터링 공정에 의해 증착하고 이후의 식각공정에 의해 패턴됨으로서 형성된다. 여기에서, 상기 적외선 반사막(270)과 흡수레벨(230)간의 간격은 센싱하고자 하는 적외선 영역의 파장에 따라 달라지는데, 즉, 흡수된 적외선과 반사된 적외선과의 위상차이에 따른 간섭을 방지하기 위하여 흡수하고자 하는 적외선의 (2N-1)/4λ-N은 자연수-만큼의 간격이 형성되도록 한다.The infrared reflecting film 270 is made of a metal such as aluminum (Al), and is formed on the upper surface of the protective layer 216 of the driving substrate level 210 to have a specific distance from the absorption level. The infrared reflecting film 270 is formed by depositing aluminum on the driving substrate level 210 by a sputtering process during the manufacturing process and patterning by an etching process thereafter. Here, the distance between the infrared reflecting film 270 and the absorption level 230 depends on the wavelength of the infrared region to be sensed, that is, absorbed to prevent interference due to the phase difference between the absorbed infrared light and the reflected infrared light. (2N-1) / 4λ-N of the intended infrared rays is such that a spacing of natural number- is formed.
도 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 두 번째 실시예에 따른 적외선 흡수 볼로메터(200)는 첫 번째 실시예와 적외선 반사막(270)이 상기 흡수레벨(230)의 흡수대 하부표면에 형성되는 것을 제외하고는 모두 동일하게 형성된다. 상기 적외선 반사막(270)이 흡수레벨(230)의 흡수대 하부표면에 형성되는 경우 흡수레벨(230)과 구동기판레벨(210)사이에 간격을 맞출 필요가 없으므로 구조변경이 용이하고 제조가 쉬워질 수 있다.As shown in FIG. 3B, the infrared absorption bolometer 200 according to the second embodiment of the present invention has the first embodiment and that the infrared reflecting film 270 is formed on the lower surface of the absorption band of the absorption level 230. Except for all, they are formed identically. When the infrared reflecting film 270 is formed on the lower surface of the absorption band of the absorption level 230, there is no need to match the gap between the absorption level 230 and the driving substrate level 210, so that the structure can be easily changed and the manufacturing can be easily performed. have.
상기 각 실시예에 따른 적외선 흡수 볼로메터(200)에서, 흡수레벨(230)에 적외선 에너지가 흡수되었을 때, 연속적인 'ㄹ'자형으로 형성된 볼로메터 요소(285)의 저항값이 바뀌고, 바뀐 저항값에 의하여 전압, 또는 전류가 변화한다. 변화된 전류나 전압은 집적회로에 입력시켜 증폭되어 출력되고, 증폭된 전류나 전압은 검출회로(도시되지 않음)에 의해 읽혀져 적외선 센싱이 된다.In the infrared absorption bolometer 200 according to the above embodiments, when infrared energy is absorbed at the absorption level 230, the resistance value of the bolometer element 285 formed in a continuous 'L' shape is changed and the changed resistance is changed. The voltage or current changes depending on the value. The changed current or voltage is input to the integrated circuit, amplified and output, and the amplified current or voltage is read by a detection circuit (not shown) to be infrared sensing.
본 발명의 적외선 흡수 볼로메터(200)은 상기 흡수레벨(230)의 하부에 적외선 반사막(270)이 형성되어 있어서, 상기 흡수레벨(230)을 투과한 적외선이 발생할지라도 적외선 반사막(270)에 의해 반사되어 흡수레벨(230)에서 재흡수가 일어날 수 있도록 함으로서 상기 적외선 흡수 볼로메터(200)의 흡수효율을 증가시킬 수 있다.Infrared absorption bolometer 200 of the present invention is formed by the infrared reflecting film 270 under the absorption level 230, even if the infrared ray transmitted through the absorption level 230 is generated by the infrared reflecting film 270 The absorption efficiency of the infrared absorption bolometer 200 may be increased by reflecting the reabsorption at the absorption level 230.
상술한 바와 같이 본 발명은 바람직한 예를 중심으로 설명 및 도시되었으나, 본 기술 분야의 숙련자라면 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않고 다양하게 변형 실시 할 수 있음을 알 수 있을 것이다.As described above, the present invention has been described and illustrated with reference to a preferred example, but it will be understood by those skilled in the art that various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980063204A KR20000046517A (en) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | Infrared absorption bolometer with improved absorption efficiency |
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| KR1019980063204A KR20000046517A (en) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | Infrared absorption bolometer with improved absorption efficiency |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000046517A true KR20000046517A (en) | 2000-07-25 |
Family
ID=19569809
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980063204A KR20000046517A (en) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | Infrared absorption bolometer with improved absorption efficiency |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000046517A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105819B2 (en) | 2003-06-19 | 2006-09-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Infrared ray sensor using silicon oxide film as infrared ray absorption layer and method of fabricating the same |
| KR20180061890A (en) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 한국과학기술원 | 3d structure of uncooled type infrared sensor pixel and thermography equipment with the infrared sensor pixel array |
| KR20210128552A (en) | 2020-04-16 | 2021-10-27 | 한국생산기술연구원 | Microbolometer sensor with dual resonant structure |
-
1998
- 1998-12-31 KR KR1019980063204A patent/KR20000046517A/en not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| US7105819B2 (en) | 2003-06-19 | 2006-09-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Infrared ray sensor using silicon oxide film as infrared ray absorption layer and method of fabricating the same |
| KR20180061890A (en) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 한국과학기술원 | 3d structure of uncooled type infrared sensor pixel and thermography equipment with the infrared sensor pixel array |
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