KR20000028721A - 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 액정표시장치와박막성막장치 - Google Patents
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Description
Claims (9)
- 기판상에 2층의 절연막으로 이루어진 게이트절연막을 개재하여 게이트전극과 반도체능동막이 형성됨과 아울러 상기 게이트절연막이 상기 게이트전극측에 설치되어 게이트전극과 반도체능동막과의 사이의 내압을 향상시키는 제1게이트절연막과, 상기 반도체능동막측에 설치되어 반도체능동막과의 사이의 계면특성을 향상시키는 제2게이트절연막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 제1게이트절연막 및 상기 제2게이트절연막이 모두 질화규소막이고, 상기 제1게이트절연막의 광학적 밴드갭의 값이 3.0 내지 4.5eV의 범위에 있음과 동시에 상기 제2게이트절연막의 광학적 밴드갭의 값이 5.0 내지 5.3eV의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
- 성막챔버 내에 설치한 고주파전극과 이것과 대치시킨 서어셉터전극과를 구비한 플라즈마CVD장치를 이용하여 실란가스와 암모니아가스의 혼합가스를 상기 고주파전극과 상기 서어셉터전극과의 사이에 형성되는 소망의 고주파전계에 의하여 플라즈마화하여 상기 제1게이트절연막을 기판상의 게이트전극상에 형성하고, 상기 혼합가스와 동일 조성의 혼합가스를 상기 고주파전계보다 큰 고주파전계에 의하여 플라즈마화 하여 상기 제2게이트절연막을 상기 제1게이트절연막상에 형성하고, 이어서 그 제2게이트절연막상에 반도체능동막을 형성하는 것을 특징으로 하는 제1항기재의 박막트랜지스터의 제조방법.
- 성막챔버 내에 설치한 고주파전극과 이것과 대치시킨 서어셉터전극과를 구비한 플라즈마CVD장치를 이용하여 실란가스와 암모니아가스의 혼합가스를 상기 고주파전극과 상기 서어셉터전극과의 사이에 형성되는 소망의 고주파전계에 의하여 플라즈마화하여 상기 제1게이트절연막을 기판상의 게이트전극상에 형성하고, 상기 혼합가스와 비교하여 실란가스에 대한 암모니아가스의 혼합비율이 큰 혼합가스를 상기 고주파전계와 동일의 고주파전계에 의하여 플라즈마화 하여 상기 제2게이트절연막을 상기 제1게이트절연막상에 형성하고, 이어서 그 제2게이트절연막상에 반도체능동막을 형성하는 것을 특징으로 하는 제1항기재의 박막트랜지스터의 제조방법.
- 대향배치된 한쌍의 기판사이에 액정이 협지되고, 상기 한쌍의 기판의 일방이 제1항기재의 박막트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 성막챔버 내에 설치한 고주파전극에 대치하여 설치되어 기판을 재치하는 서어셉터전극과, 상기 성막챔버 내부가 소망의 압력이 되도록 배기하면서 상기 성막챔버 내에 반응가스를 공급함과 아울러 그 반응가스를 상기 고주파전극과 상기 서어셉터전극과의 사이에 형성되는 제1고주파전계에 의하여 플라즈마화하여 상기 기판상에 제1피막을 형성하는 공정과, 상기 고주파전극과 상기 서어셉터전극과의 사이의 플라즈마를 유지하면서 상기 반응가스를 상기 제1고주파전계보다 큰 제2고주파전계에 의하여 플라즈마화하여 상기 제1피막의 표면에 제2피막을 형성하는 공정을 순차행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 박막성막장치.
- 제6항에 있어서,상기 고주파전극에 소망의 플라즈마 여기전력을 인가함과 아울러 상기 제1피막을 형성할 때에 상기 서어셉터전극에 인가하는 제1기판 바이어스전력보다 상기 제2피막을 형성할 때 상기 서어셉터전극에 인가하는 제2기판 바이어스전력 쪽을 크게함으로써, 상기 제1고주파전계보다 상기 제2고주파전계를 크게하는 것을 특징으로 하는 박막성막장치.
- 제6항에 있어서,상기 제1피막을 형성할 때 상기 고주파전극에 인가하는 제1플라즈마 여기전력보다 상기 제2피막을 형성할 때 상기 고주파전극에 인가하는 제2플라즈마 여기전력 쪽을 크게함으로써,상기 제1고주파전계보다 상기 제2고주파전계를 크게하는 것을 특징으로 하는 박막성막장치.
- 성막챔버 내에 설치한 고주파전극에 대치하여 설치되어 기판을 재치하는 서어셉터전극과, 상기 성막챔버 내부가 소망의 압력이 되도록 배기하면서 상기 성막챔버 내에 실란가스와 암모니아가스가 제1혼합비율로 혼합된 제1혼합가스를 공급하는 공정과, 그 제1혼합가스를 상기 고주파전극과 상기 서어셉터전극과의 사이에 형성되는 고주파전계에 의하여 플라즈마화하여 상기 기판상에 제1질화규소피막을 형성하는 공정과, 상기 고주파전극과 상기 서어셉터전극과의 사이의 플라즈마를 유지하면서 상기 제1혼합비율보다 암모니아가스의 비율이 큰 제2혼합비율로 실란가스와 암모니아가스가 혼합된 제2혼합가스를 상기 성막챔버 내에 공급함과 아울러 상기 제2혼합가스를 플라즈마화하여 상기 제1질화규소피막의 표면에 제2질화규소피막을 형성하는 공정을 순차행하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 박막성막장치.
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