KR19990070673A - 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트 - Google Patents

반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트 Download PDF

Info

Publication number
KR19990070673A
KR19990070673A KR1019980005645A KR19980005645A KR19990070673A KR 19990070673 A KR19990070673 A KR 19990070673A KR 1019980005645 A KR1019980005645 A KR 1019980005645A KR 19980005645 A KR19980005645 A KR 19980005645A KR 19990070673 A KR19990070673 A KR 19990070673A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spin
coating
chamber
semiconductor device
nozzle
Prior art date
Application number
KR1019980005645A
Other languages
English (en)
Inventor
이윤근
김성일
박성현
이동원
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980005645A priority Critical patent/KR19990070673A/ko
Publication of KR19990070673A publication Critical patent/KR19990070673A/ko

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 사진공정시 포토레지스트의 도포공정과 현상공정을 모두 수행할 수 있는 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트(Spin Unit)에 관한 것이다.
본 발명은 공정이 이루어지는 챔버; 상기 챔버에 내재하는 스핀컵; 상기 스핀컵 내에 위치하며 공정을 수행할 웨이퍼가 고정되는 스핀척; 상기 챔버 내에 형성되며 상기 웨이퍼 상에 소정의 막을 코팅하는 코팅수단 및 상기 챔버 내에 형성되며 노광이 끝난 상기 웨이퍼를 현상하는 현상수단을 포함하여 이루어진다.
따라서, 트랙장비에서 코팅챔버와 현상챔버를 스핀유니트로 단일화 시킴으로써 상기 트랙장비의 점유공간을 줄여 팹(Fab)의 여유공간을 확보할 수 있으며, 장비 제조단가를 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트
본 발명은 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 사진공정시 포토레지스트의 도포공정과 현상공정을 모두 수행할 수 있는 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 증착공정, 사진공정, 식각공정 및 이온주입공정 등의 공정들을 수행하여 이루어진다.
즉, 반도체소자는 반도체 기판 위에 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 여러 층의 박막을 증착하여 사진공정 및 식각공정 통해 패턴을 형성시켜 완성한다.
상기 사진공정은 포토레지스트(Photoresist)가 도포된 반도체 위이퍼 상에 포토마스트를 사용하여 원하는 반도체 집적회로의 패턴을 상기 반도체 기판 상에 형성시키는 반도체소자 제조의 핵심기술이다.
상기 사진공정의 포토레지스트(Photoresist)는 빛에 의해 화학반응이 일어나 일반적으로 용해도 따위가 변화되는 감광성 고분자이다. 즉, 미세회로가 그려진 포토마스크를 통하여 빛이 조사된 부분에서 화학반응이 일어나 빛이 조사되지 않은 부분에 비하여 더욱 가용성이 되거나 또는 불가용성이 되어 이를 적당한 현상액으로 현상하면 각각 포지티브 또는 네가티브형 미세패턴이 형성된다.
상기 미세패턴은 상기 사진공정 이후의 공정 즉, 식각 및 이온주입공정의마스크 역할을 한다.
상기 포토레지스트는 노광파장에 따라 g-line(436 nm), i-line(365 nm), DUV(Deep Ultra-Violet : 248 nm) 용 포토레지스트로 구분되며, 단파장인 상기 DUV 포토레지스트가 상기 i-line(365 nm) 포토레지스트 보다 높은 해상력을 갖는다.
상기 포토레지스트의 도포공정 및 현상공정을 수행하는 장비가 트랙(Track)장비이다.
도1은 종래의 방법에 의한 반도체소자 제조용 트랙장비를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도1에서 보는 바와 같이 웨이퍼가 내재되어 있는 웨이퍼카세트를 장착하는 로더(2), 코팅 또는 현상된 상기 웨이퍼를 베이크하는 베이크챔버(8), 상기 포토레지스트의 코팅챔버(4) 및 상기 상기 포토레지스트의 현상챔버(6)를 포함하여 구성된다.
상기 트랙장비는 상기 도포공정 및 현상공정의 수행이 독립된 곳에서 수행되고 있다.
그러므로 상기 코팅챔버(4) 및 현상챔버(6)가 분리되어 있기 때문에 상기 장비의 점유면적이 넓고, 장비가격도 증가하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 코팅챔버와 현상챔버를 단일화시키므로써 트랙장비의 점유면적과 장비가격을 낮출 수 있는 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 방법에 의한 반도체소자 제조용 트랙장비를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도2는 본 발명에 의한 반도체소자 제조용 트랙장비를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도3은 본 발명에 의한 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트를 나타내는 평면도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 ; 로더 4 ; 코팅챔버
6 ; 현상챔버 8 ; 베이크챔버
12 ; 스핀유니트 22 ; 챔버
24 ; 스핀컵 26 ; 스핀척
28 ; 이송암 30 ; 코팅액 노즐
32 ; 현상액 노즐 34 ; 세정액 노즐
36 ; 세정액 노즐암 38 ; 사이드린스액 노즐
40 ; 사이드린스액 노즐암 42 ; 사이드린스액 노즐패드
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트는 공정이 이루어지는 챔버, 상기 챔버에 내재하는 스핀컵, 상기 스핀컵 내에 위치하며 공정을 수행할 웨이퍼가 고정되는 스핀척, 상기 챔버 내에 형성되며 상기 웨이퍼 상에 소정의 막을 코팅하는 코팅수단 및 상기 챔버 내에 형성되며 노광이 끝난 상기 웨이퍼를 현상하는 현상수단을 포함하여 이루어진다.
상기 코팅수단은 코팅액 노즐과 사이드린스액 노즐을 포함하며, 상기 코팅액은 포토레지스트, 티에이알시(TARC : Top Anti Reflecting Coating), 에이알시(ARC : Anti Reflecting Coating)일 수 있으며, 상기 사이드린스액은 신너일 수 있다.
상기 현상수단은 현상액 노즐과 세정액 노즐을 포함할 수 있다.
상기 코팅액 노즐 및 상기 현상액 노즐을 동일 모듈로 묶고, 상기 사이드린스액 노즐 및 상기 세정액 노즐을 동일 모듈로 묶을 수 있다.
상기 코팅액 노즐 및 상기 현상액 노즐은 이송암(Transfer Arm)에 의해 이동될 수 있고, 상기 사이드린스액 노즐 및 상기 세정액 노즐은 각각의 암(Arm)에 형성될 수 있다.
상기 사이드린스액 노즐의 일측에는 사이드린스시 사이드린스액이 옆으로 튀는 것을 방지하는 사이드린스패드(Side Rinse Pad)가 부착될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 의한 반도체소자 제조용 트랙장비를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도2에서 보는 바와 같이 웨이퍼가 내재되어 있는 웨이퍼카세트를 장착하는 로더(2), 코팅 및 현상된 상기 웨이퍼를 베이크하는 베이크챔버(8) 및 상기 코팅 및 현상공정을 동일챔버에서 수행할 수 있는 스핀유니트(12)를 포함하여 구성된다.
도3은 본 발명에 의한 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트를 나타내는 평면도이다.
도3에서 보는 바와 같이 스핀유니트는 공정이 이루어지는 챔버(22), 상기 웨이퍼가 고정되는 스핀척(26), 상기 스핀척(26)이 내재되며 폐기되는 포토레지스트, 현상액 및 탈이온수를 모아 드레인시키는 스핀컵(24), 상기 웨이퍼 상에 상기 포토레지스트를 코팅하는 코팅액 노즐(30), 상기 코팅된 웨이퍼의 사이드를 세정하는 사이드린스액 노즐(38), 노광된 상기 웨이퍼를 현상하는 현상액 노즐(32), 상기 현상공정 수행 후 세정을 위한 세정액 노즐(34)을 포함하여 이루어진다. 상기 사이드린스액 노즐(38)은 사이드린스액 노즐암(40)에 형성되며, 상기 세정액 노즐(34)은 세정액 노즐암(36)에 형성된다. 상기 사이드린스액는 신너액을 사용할 수 있으며, 세정액은 탈이온수를 사용한다.
따라서, 본 발명에 의하면 상술한 바와 같이 트랙장비에서 트랙장비에서 코팅챔버와 현상챔버를 스핀유니트로 단일화 시킴으로써 상기 트랙장비의 점유공간을 줄여 팹(Fab)의 여유공간을 확보할 수 있으며, 장비 제조단가를 줄일 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (10)

  1. 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트에 있어서,
    공정이 이루어지는 챔버;
    상기 챔버에 내재하는 스핀컵;
    상기 스핀컵 내에 위치하며 공정을 수행할 웨이퍼를 고정하는 스핀척;
    상기 챔버 내에 형성되며 상기 웨이퍼 상에 소정의 막을 코팅하는 코팅수단; 및
    상기 챔버 내에 형성되며 노광공정이 끝난 상기 웨이퍼를 현상하는 현상수단;
    을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅수단은 코팅액 노즐과 사이드린스액 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 코팅액은 포토레지스트(Photoresist), 티에이알시(TARC : Top Anti Reflecting Coating), 에이알시(ARC : Anti Reflecting Coating)인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 사이드린스액은 신너인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 현상수단은 현상액 노즐과 세정액 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  6. 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 코팅액 노즐 및 상기 현상액 노즐을 동일 모듈로 묶는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 코팅액 노즐 또는 상기 현상액 노즐은 이송암(Transfer Arm)에 의해 이동되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  8. 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 사이드린스액 노즐 및 상기 세정액 노즐을 동일 모듈로 묶는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 사이드린스액 노즐 및 상기 세정액 노즐은 각각의 암(Arm)에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 사이드린스액 노즐의 일측에는 사이드린스시 린스액이 옆으로 튀는 것을 방지하는 사이드린스패드(Side Rinse Pad)가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트.
KR1019980005645A 1998-02-23 1998-02-23 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트 KR19990070673A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980005645A KR19990070673A (ko) 1998-02-23 1998-02-23 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980005645A KR19990070673A (ko) 1998-02-23 1998-02-23 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990070673A true KR19990070673A (ko) 1999-09-15

Family

ID=65893595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980005645A KR19990070673A (ko) 1998-02-23 1998-02-23 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19990070673A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8053368B2 (en) Method for removing residues from a patterned substrate
US6242344B1 (en) Tri-layer resist method for dual damascene process
US20060194155A1 (en) Resist pattern forming method and semiconductor device manufacturing method
US6617265B2 (en) Photomask and method for manufacturing the same
KR20060074857A (ko) 액침 노광 방법, 액침형 노광 장치, 및 반도체 장치의 제조방법
JP2002134379A (ja) パターン形成方法
US6153361A (en) Method of removing photoresist at the edge of wafers
US6764946B1 (en) Method of controlling line edge roughness in resist films
US20170205712A1 (en) Development apparatus and method for developing photoresist layer on wafer using the same
US7384726B2 (en) Resist collapse prevention using immersed hardening
US5885756A (en) Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby
CN115951566A (zh) 倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法
KR100526527B1 (ko) 포토마스크와 그를 이용한 마스크 패턴 형성 방법
KR19990070673A (ko) 반도체소자 제조용 트랙장비의 스핀유니트
US20040010769A1 (en) Method for reducing a pitch of a procedure
KR100552559B1 (ko) 레티클과, 반도체 노광장치 및 방법과, 반도체 디바이스제조방법
JP3861851B2 (ja) レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
US6281130B1 (en) Method for developing ultra-thin resist films
US11769662B2 (en) Method for reducing charging of semiconductor wafers
KR20000018615A (ko) 반도체소자의 제조장비
JPH09232220A (ja) レジストパタ−ン形成方法
US6380077B1 (en) Method of forming contact opening
KR100209366B1 (ko) 반도체 소자의 미세패턴 제조방법
TW202311862A (zh) 用於製造半導體裝置的方法
CN118244584A (zh) 改善洗边工艺中光刻胶残留的方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination