KR19990040491A - Voltage controlled oscillator circuit - Google Patents

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KR19990040491A
KR19990040491A KR1019970060891A KR19970060891A KR19990040491A KR 19990040491 A KR19990040491 A KR 19990040491A KR 1019970060891 A KR1019970060891 A KR 1019970060891A KR 19970060891 A KR19970060891 A KR 19970060891A KR 19990040491 A KR19990040491 A KR 19990040491A
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Inventor
박정우
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윤종용
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 위상 동기 루프의 전압 제어 발진 회로에 관한 것으로, 외부로부터 제어 전압을 인가하여 커런트 미러를 형성하여 안정된 전류를 출력하는 전압-전류 컨버터와, 일정한 출력 전압을 유지하기 위한 기준 전압을 출력하는 기준 전압 발생 회로와, 입력된 기준 전압과 제어 전압을 비교하여 바이어스하는 바이어스 회로 및 이전 단의 출력 전압을 받아들여서 안정된 전류와 기준 전압의 제어를 받아 일정한 출력 전압을 발생하는 차동 인버터를 구비한다. 따라서 전압-전류 컨버터는 외부로부터 제어 전압을 입력받아 커런트 미러를 형성하여 안정된 전류를 출력하고, 기준 전압 발생 회로로부터 개시되는 소정의 기준 전압을 출력한다. 이어서 안정된 전류와 기준 전압을 받아들여서 이를 바이어스하여 출력하며, 차동 인버터는 출력 전압을 받아들여서 안정적인 전압을 유지하여 적정의 주파수를 출력한다. 따라서 위상 동기 루프를 이용하여 클럭 드라이버를 낮추므로서 마이콤에서의 노이즈를 감소시켜서 EMI 문제 등을 해결한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage controlled oscillation circuit of a phase locked loop, comprising: a voltage-current converter for outputting a stable current by forming a current mirror by applying a control voltage from the outside; and outputting a reference voltage for maintaining a constant output voltage. A reference voltage generator circuit, a bias circuit for comparing and biasing an input reference voltage and a control voltage, and a differential inverter for receiving an output voltage of a previous stage and generating a constant output voltage under control of a stable current and a reference voltage. Therefore, the voltage-current converter receives a control voltage from an external source, forms a current mirror, outputs a stable current, and outputs a predetermined reference voltage which is started from the reference voltage generator circuit. Then, it takes a stable current and a reference voltage, biases it and outputs it, and the differential inverter receives an output voltage and maintains a stable voltage to output a proper frequency. Therefore, by using a phase locked loop, the clock driver is lowered to reduce noise in the microcomputer, thereby solving EMI problems.

Description

전압 제어 발진 회로(Voltage Controlled Oscillator For Phase Lock Loop)Voltage Controlled Oscillator For Phase Lock Loop

본 발명은 전압 제어 발진 회로에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 마이콤에서의 노이즈를 제거하기 위한 위상 동기 루프 회로의 전압 제어 발진 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a voltage controlled oscillator circuit, and more particularly, to a voltage controlled oscillator circuit of a phase locked loop circuit for removing noise in a microcomputer.

위상 동기 루프(PLL : Phase-Locked Loop)는 두 신호의 위상을 비교하여 피드백 제어하는 회로이다. 이 원리를 이용하여 한 쪽에 전압 제어 발진 회로(VCO)를, 다른 한 쪽에 수정 발진 회로를 구비하면, VCO 회로의 주파수 안정도를 입력 주파수를 발생시키는 수정 발진기와 동등한 안정도로 할 수 있다.A phase-locked loop (PLL) is a circuit for controlling feedback by comparing phases of two signals. By using this principle, if the voltage-controlled oscillation circuit (VCO) is provided on one side and the crystal oscillation circuit on the other side, the frequency stability of the VCO circuit can be set to the same stability as the crystal oscillator generating the input frequency.

일반적으로 외부에서 가해진 제어 전압에 의해 발진 주파수를 변화시키는 발진 회로를 전압 제어 발진 회로(Voltage Controlled Oscillator : VCO)라 한다. 최근에는 제어 직류 입력 전압에 정비례하는 주파수를 발진한다. 따라서 제어 전압을 주파수로 변환하는 즉, V-F 변환 회로로서의 VCO가 디지털 회로와의 인터페이스로서 중요한 역할을 수행하고 있다.In general, an oscillation circuit that changes an oscillation frequency by an externally applied control voltage is called a voltage controlled oscillator circuit (VCO). Recently, oscillation frequency is directly proportional to the control DC input voltage. Therefore, the VCO, which converts the control voltage into frequency, that is, the V-F conversion circuit, plays an important role as an interface with the digital circuit.

일부 CTV용 마이콤에서는 전자파 방해 잡음(EMI)이 큰 문제로 대두되고 있다. 최근 메탈 3 등을 이용하여 그리드 라인을 입힘으로서 UHF 대역의 전자파 방해 잡음이 많이 제거되었지만, VHF 대역의 전자파 방해 잡음은 여전히 남아서 화면의 노이즈를 발생시킨다.In some microcomputers for CTV, electromagnetic interference noise (EMI) is a big problem. Recently, a large amount of electromagnetic interference noise in the UHF band has been removed by applying a grid line using metal 3, etc., but electromagnetic interference noise in the VHF band still remains to generate noise on the screen.

이러한 현상의 가장 큰 원인으로 수정 발진기에 의한 클럭 패드에서의 노이즈인데, 이것은 수 MHz의 클럭을 구동하기 위해서는 큰 클럭 드라이버가 필요하기 때문이다.The main cause of this phenomenon is noise from the clock pads by the crystal oscillator, because a large clock driver is required to drive a clock of several MHz.

상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 전자파 방해 잡음(EMI)을 줄이기 위한 CTV용 마이콤의 위상 동기 루프 회로에 적합한 전압 제어 발진 회로를 제공하는데 있다.In order to solve the above problems, the present invention is to provide a voltage controlled oscillation circuit suitable for a phase locked loop circuit of a microcomputer for CTV to reduce electromagnetic interference noise (EMI).

도 1은 본 발명에 따른 전압 제어 발진 회로를 구비한 PLL의 구성을 나타내는 블럭도:1 is a block diagram showing the configuration of a PLL having a voltage controlled oscillator circuit according to the present invention:

도 2는 도 1에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 전압 제어 발진 회로의 구성을 나타내는 회로도.FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a voltage controlled oscillation circuit according to the embodiment of the present invention shown in FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 위상 비교기 20 : 로 패스 필터10: phase comparator 20: low pass filter

30 : 전압 제어 발진 회로 32 : 전압-전류 컨버터30: voltage controlled oscillation circuit 32: voltage-to-current converter

34 : 기준 전압 발생 회로 36 : 바이어스 회로34: reference voltage generating circuit 36: bias circuit

38 : 차동 인버터 40 : 분주기38: differential inverter 40: divider

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 마이콤용 위상 동기 루프에 적합한 전압 제어 발진 회로에 있어서: 외부로부터 제어 전압을 입력받아 커런트 미러를 형성하여 안정된 전류를 출력하는 전압-전류 컨버터와; 부트스트랩 회로에 의해 개시되는 기준 전압을 출력하는 기준 전압 발생 회로와; 상기 전류와 상기 기준 전압을 받아들여서 이를 바이어스하여 출력하는 바이어스 회로 및; 입력 전압에 대응하여 안정적인 출력 전압을 유지하여 출력 주파수를 결정하는 차동 인버터를 포함한다.According to one aspect of the present invention for solving the above problems, a voltage controlled oscillation circuit suitable for a microcomputer phase locked loop: a voltage-current converter for outputting a stable current by forming a current mirror by receiving a control voltage from the outside; Wow; A reference voltage generator circuit for outputting a reference voltage initiated by the bootstrap circuit; A bias circuit which receives the current and the reference voltage and biases them to output them; It includes a differential inverter that determines the output frequency by maintaining a stable output voltage in response to the input voltage.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 전압-전류 컨버터는: 외부에서 입력되는 제어 전압과 피드백 전압을 입력으로 하는 제 1 OP 앰프와; 드레인 단자에 전원 전압이 연결되는 제 1 P채널 MOS 트랜지스터와; 상기 제 1 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 드레인 단자가 연결되고, 소스 단자와 상기 제 1 P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되며, 게이트 단자가 접지되는 제 2 P채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 2 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 1 콤퍼레이터의 케소드 단자에 연결되고, 게이트 단자에 상기 제 1 OP 앰프의 출력단에 연결되는 제 3 N채널 MOS 트랜지스터 및; 일단이 상기 제 1 OP 앰프의 캐소드 단자에 연결되고 타단이 접지되는 제 1 저항(R1)을 포함하여; 상기 제어 전압에 대응하여 상기 안정된 전류를 출력한다.In a preferred embodiment of this aspect, the voltage-current converter comprises: a first OP amplifier having an externally input control voltage and a feedback voltage; A first P-channel MOS transistor having a power supply voltage connected to the drain terminal; A second P-channel MOS transistor connected to a source terminal of the first P-channel MOS transistor, a source terminal and a gate terminal of the first P-channel MOS transistor, and having a gate terminal grounded; A third N-channel MOS having a drain terminal connected to a source terminal of the second P-channel MOS transistor, a source terminal connected to a cathode terminal of the first comparator, and a gate terminal connected to an output terminal of the first OP amplifier A transistor; A first resistor (R1) having one end connected to the cathode terminal of the first OP amplifier and the other end grounded; The stable current is output in response to the control voltage.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 기준 전압 발생 회로는: 일단이 전원 전압에 연결되는 제 2 저항과; 드레인 단자에 상기 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자에 상기 제 2 저항의 타단에 연결되는 제 4 N채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 4 N채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 연결하고, 소스 단자가 접지되며, 게이트 단자가 상기 드레인 단자에 연결되는 제 5 N채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자에 상기 전원 전압에 연결되고, 상기 제 4 N채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 소스 단자가 연결되는 제 6 P채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 6 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 7 N채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자에 상기 전원전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 6 P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되며, 소스 단자가 상기 게이트 단자에 연결되는 제 8 P채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 8 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 7 N채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되며, 게이트 단자가 상기 제 7 N채널 MOS 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되는 제 9 N채널 MOS 트랜지스터 및; 일단이 상기 제 9 N채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 타단이 접지되는 제 3 저항을 포함하여; 상기 제 9 N채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자로부터 소정의 기준 전압을 출력한다.In a preferred embodiment of this aspect, the reference voltage generator circuit comprises: a second resistor, one end of which is connected to a power supply voltage; A fourth N-channel MOS transistor connected to the power supply voltage at a drain terminal thereof and connected to the other end of the second resistor at a gate terminal thereof; A fifth N-channel MOS transistor having a drain terminal connected to the gate terminal of the fourth N-channel MOS transistor, a source terminal grounded, and a gate terminal connected to the drain terminal; A sixth P-channel MOS transistor connected to a drain terminal to the power supply voltage, and a source terminal connected to a source terminal of the fourth N-channel MOS transistor; A seventh N-channel MOS transistor having a drain terminal connected to the source terminal of the sixth P-channel MOS transistor and having a source terminal grounded; An eighth P-channel MOS transistor connected to a drain terminal to the power supply voltage, a gate terminal to a gate terminal of the sixth P-channel MOS transistor, and a source terminal to the gate terminal; A drain terminal is connected to the source terminal of the eighth P-channel MOS transistor, a source terminal is connected to the gate terminal of the seventh N-channel MOS transistor, and a gate terminal is connected to the drain terminal of the seventh N-channel MOS transistor A ninth N-channel MOS transistor; A third resistor having one end connected to the source terminal of the ninth N-channel MOS transistor and the other end grounded; A predetermined reference voltage is output from the source terminal of the ninth N-channel MOS transistor.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 바이어스 회로는: 드레인 단자가 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 전압-전류 컨버터의 출력 단자에 연결되는 제 10 P채널 MOS 트랜지스터와; 상기 제 10 P채널 MOS 트랜지스터와 직렬로 연결하고, 게이트 단자가 접지되는 제 11 P채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 11 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 게이트 단자가 접지되는 제 12 P채널 MOS 트랜지스터와; 게이트 단자가 상기 기준 전압의 출력 단자에 연결되어, 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터와 병렬로 연결하는 제 13 P채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 14 N채널 MOS 트랜지스터와; 드레인 단자가 상기 제 13 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 15 N채널 MOS 트랜지스터 및; 애노드 단자가 상기 기준 전압의 출력 단자에 연결되고, 캐소드 단자가 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터의 소스 단자에 연결되어 상기 제 14 및 제 15 N채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 출력하는 제 2 OP 앰프를 포함한다.In a preferred embodiment of this aspect, the bias circuit comprises: a tenth P-channel MOS transistor having a drain terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal connected to an output terminal of the voltage-current converter; An eleventh P-channel MOS transistor connected in series with the tenth P-channel MOS transistor and whose gate terminal is grounded; A twelfth P-channel MOS transistor having a drain terminal connected to a source terminal of the eleventh P-channel MOS transistor, and a gate terminal of which is grounded; A thirteenth P-channel MOS transistor having a gate terminal connected to the output terminal of the reference voltage and connected in parallel with the twelfth P-channel MOS transistor; A fourteenth N-channel MOS transistor having a drain terminal connected to the source terminal of the twelfth P-channel MOS transistor and whose source terminal is grounded; A fifteenth N-channel MOS transistor having a drain terminal connected to a source terminal of the thirteenth P-channel MOS transistor and whose source terminal is grounded; A second OP amplifier having an anode terminal connected to an output terminal of the reference voltage and a cathode terminal connected to a source terminal of the twelfth P-channel MOS transistor and outputting to a gate terminal of the fourteenth and fifteenth N-channel MOS transistors; Include.

이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 차동 인버터는: 드레인 단자가 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 전류의 출력단에 연결되는 제 16 P채널 MOS 트랜지스터와; 상기 제 16 P채널 MOS 트랜지스터와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 접지되는 제 17 P채널 MOS 트랜지스터와; 상기 제 17 P채널 MOS 트랜지스터와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 입력 단자에 연결하는 제 18 P채널 MOS 트랜지스터와; 게이트 단자가 입력 단자에 연결하여 상기 제 18 P채널 MOS 트랜지스터와 병렬로 연결되는 제 19 P채널 MOS 트랜지스터와; 상기 제 18 P채널 MOS 트랜지스터와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 2 OP 앰프의 출력 단자에 연결되며, 드레인 단자가 상기 출력 단자에 연결하고, 소스 단자가 접지되는 제 20 N채널 MOS 트랜지스터 및; 상기 제 19 P채널 MOS 트랜지스터와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 2 OP 앰프의 출력 단자에 연결되며, 드레인 단자가 출력단자에 연결하고, 소스 단자가 접지되는 제 21 N채널 MOS 트랜지스터를 포함한다.In a preferred embodiment of this aspect, the differential inverter comprises: a sixteenth P-channel MOS transistor having a drain terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal connected to an output terminal of the current; A seventeenth P-channel MOS transistor connected in series with the sixteenth P-channel MOS transistor and whose gate terminal is grounded; An eighteenth P-channel MOS transistor connected in series with the seventeenth P-channel MOS transistor and having a gate terminal connected to an input terminal; A nineteenth P-channel MOS transistor having a gate terminal connected to the input terminal and connected in parallel with the eighteenth P-channel MOS transistor; A twentieth N-channel MOS transistor connected in series with the eighteenth P-channel MOS transistor, a gate terminal connected to an output terminal of the second OP amplifier, a drain terminal connected to the output terminal, and a source terminal grounded; ; A twenty-first N-channel MOS transistor connected in series with the nineteenth P-channel MOS transistor, a gate terminal connected to an output terminal of the second OP amplifier, a drain terminal connected to an output terminal, and a source terminal grounded do.

따라서 본 발명은 전압-전류 컨버터의 외부로부터 제어 전압을 인가하여 제 1 저항에 흐르는 전류로 인하여 제 1 및 제 2 트랜지스터에 커런트 미러가 형성된다. 그리고 기준 전압 발생 회로에서 소정의 기준 전압을 발생하고 이를 바이어스 회로에 공급된다. 이어서 바이어스 회로에서는 차동 인버터의 안정적인 출력 전압을 유지하여 준다. 그러므로 위상 동기 루프를 이용하여 낮은 주파수의 클럭 신호를 본래의 마이콤에 적합한 주파수로 출력한다.Therefore, in the present invention, current mirrors are formed in the first and second transistors by applying a control voltage from the outside of the voltage-current converter and flowing the first resistor. The reference voltage generating circuit generates a predetermined reference voltage and supplies it to the bias circuit. The bias circuit then maintains a stable output voltage of the differential inverter. Therefore, a phase locked loop is used to output a low frequency clock signal at a frequency suitable for the original microcomputer.

이하 본 발명의 실시예를 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 CTV(Cable TV)용 마이콤에 적합한 PLL의 구성을 나타내고 있다. 상기 PLL은 출력 주파수(Fout)를 입력 주파수(Fxtal)에 동기시키는 회로로서, 본 발명의 신규한 전압 제어 발진 회로(VCO : 30)를 포함하고 있다. 그리고 위상 비교기(10)와, 로 패스 필터(20) 및 분주기(40)를 포함하고 있다.Fig. 1 shows the configuration of a PLL suitable for a microcomputer for CTV (Cable TV). The PLL is a circuit for synchronizing the output frequency Fout to the input frequency Fxtal and includes the novel voltage controlled oscillation circuit (VCO) 30 of the present invention. And a phase comparator 10, a low pass filter 20, and a divider 40.

도면을 참조하면, 상기 PLL은 피드백 루프에 출력 주파수(Fout)를 분주하고, 이를 낮은 입력 주파수에 대응하여 원하는 주파수를 출력한다.Referring to the figure, the PLL divides an output frequency Fout into a feedback loop and outputs a desired frequency corresponding to the low input frequency.

예컨데 CTV용 마이콤에 있어서, 상기 입력 주파수는 32.768KHz를 사용하여 10MHz의 마이콤 클럭을 출력하도록 한다. 그런데 마이콤의 클럭 듀티비가 50%이어야 하므로 상기 VCO의 출력을 2 분주해서 사용한다.For example, in a microcomputer for CTV, the input frequency is used to output a microcomputer clock of 10 MHz using 32.768 KHz. However, since the clock duty ratio of the microcomputer must be 50%, the output of the VCO is divided by two and used.

그러므로 VCO의 출력 주파수는 상기 마이콤의 클럭 주파수의 2배인 20MHz가 되어야 하며, 이러한 출력 주파수를 발생하기 위해서는 상기 분주기는 610 분주를 수행한다.Therefore, the output frequency of the VCO should be 20 MHz, which is twice the clock frequency of the microcomputer. In order to generate this output frequency, the divider performs 610 division.

그리고 상기 VCO는 입력 전압의 레벨에 의해서 출력 주파수를 발생하므로 상기 VCO의 입력 전압은 0~5V 사이의 전압을 사용하여 20MHz의 주파수를 발생한다.And since the VCO generates an output frequency by the level of the input voltage, the input voltage of the VCO generates a frequency of 20 MHz using a voltage between 0 and 5V.

또한 PLL은 입력 주파수에 의해 출력 주파수를 발생시키므로 VCO는 어떠한 입력 전압에서도 주파수가 0 MHz가 되어서는 안된다. 즉 선형적인 특성을 갖는다.Also, because the PLL generates the output frequency by the input frequency, the VCO must not have a frequency of 0 MHz at any input voltage. That is, it has a linear characteristic.

구체적으로 도 2를 참조하면, 상기 VCO(30)는 크게 전압-전류 컨버터(32)와 기준 전압 발생 회로(34)와 바이어스 회로(36) 및 차동 인버터(38)를 구비하고 있다.Specifically, referring to FIG. 2, the VCO 30 includes a voltage-current converter 32, a reference voltage generator circuit 34, a bias circuit 36, and a differential inverter 38.

상기 전압-전류 컨버터(32)는 외부에서 입력되는 제어 전압(Vcontrol)과 피드백되는 전압을 입력하는 제 1 OP 앰프(OP1)와, 드레인 단자에 전원 전압이 연결되는 제 1 P채널 MOS 트랜지스터(MP1)와, 드레인 단자가 상기 제 1 P채널 MOS 트랜지스터(MP1)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자와 상기 제 1 P채널 MOS 트랜지스터(MP1)의 게이트 단자에 연결되며, 게이트 단자가 접지되는 제 2 P채널 MOS 트랜지스터(MP2)를 포함한다.The voltage-current converter 32 includes a first OP amplifier OP1 for inputting a control voltage Vcontrol input from the outside and a voltage fed back, and a first P-channel MOS transistor MP1 having a power supply voltage connected to a drain terminal. And a drain terminal connected to a source terminal of the first P-channel MOS transistor MP1, a source terminal and a gate terminal of the first P-channel MOS transistor MP1, and a second gate terminal of which is grounded. P-channel MOS transistor MP2 is included.

그리고 드레인 단자가 상기 제 2 P채널 MOS 트랜지스터(MP2)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 1 OP앰프(OP1)의 케소드 단자에 연결되고, 게이트 단자에 상기 제 1 OP앰프(OP1)의 출력 단자에 연결되는 제 3 N채널 MOS 트랜지스터(MN3) 및 일단이 상기 제 1 OP 앰프(OP1)의 캐소드 단자에 연결되고 타단이 접지되는 제 1 저항(R1)을 포함한다. 그리고 제 1 저항(R1)에 흐르는 전류는 Vcontrol/R1이 된다. 이 때 제 1 및 제 2 P채널 MOS 트랜지스터(MP1, MP2)에 의해서 와이드 스윙(wide-swing) 커런트 미러가 형성된다.The drain terminal is connected to the source terminal of the second P-channel MOS transistor MP2, the source terminal is connected to the cathode terminal of the first OP amplifier OP1, and the first OP amplifier OP1 is connected to a gate terminal. And a third N-channel MOS transistor MN3 connected to the output terminal of the C1 and a first resistor R1 of which one end is connected to the cathode terminal of the first OP amplifier OP1 and the other end is grounded. The current flowing through the first resistor R1 becomes Vcontrol / R1. At this time, a wide swing current mirror is formed by the first and second P-channel MOS transistors MP1 and MP2.

따라서 상기 제어 전압(Vcontrol)에 대응하여 상기 제 1 P 채널 MOS 트랜지스터(MP1)의 게이트 단자로 안정된 전류(Ib)를 출력한다.Accordingly, the stable current Ib is output to the gate terminal of the first P-channel MOS transistor MP1 in response to the control voltage Vcontrol.

그리고 상기 기준 전압 발생 회로(34)는 일단이 전원 전압을 인가하는 제 2 저항(R2)과, 드레인 단자에 상기 전원 전압을 인가하고, 게이트 단자가 상기 제 2 저항(R2)의 타단에 연결되는 제 4 N채널 MOS 트랜지스터(MN4)와, 드레인 단자가 상기 제 4 N채널 MOS 트랜지스터(MN4)의 게이트 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되며, 게이트 단자가 상기 드레인 단자에 연결되는 제 5 N채널 MOS 트랜지스터(MN5)를 포함한다.The reference voltage generator 34 has a second resistor R2 having one end applied to the power supply voltage, a power supply voltage applied to the drain terminal, and a gate terminal connected to the other end of the second resistor R2. A fourth N-channel MOS transistor MN4 and a fifth N-channel having a drain terminal connected to a gate terminal of the fourth N-channel MOS transistor MN4, a source terminal grounded, and a gate terminal connected to the drain terminal MOS transistor MN5.

그리고 드레인 단자가 상기 전원 전압을 받아들이고, 소스 단자가 상기 제 4 N채널 MOS 트랜지스터(MN4)의 소스 단자에 연결되는 제 6 P채널 MOS 트랜지스터(MP6)와, 드레인 단자가 상기 제 6 P채널 MOS 트랜지스터(MP6)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 7 N채널 MOS 트랜지스터(MN7)를 포함한다.And a sixth P-channel MOS transistor MP6 having a drain terminal accepting the power supply voltage, a source terminal connected to a source terminal of the fourth N-channel MOS transistor MN4, and a drain terminal having the sixth P-channel MOS transistor. A seventh N-channel MOS transistor MN7 is connected to the source terminal of (MP6) and the source terminal is grounded.

그리고 드레인 단자에 상기 전원전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 6 P채널 MOS 트랜지스터(MP6)의 게이트 단자에 연결되며, 소스 단자가 상기 게이트 단자에 연결되는 제 8 P채널 MOS 트랜지스터(MP8)와, 드레인 단자가 상기 제 8 P채널 MOS 트랜지스터(MP8)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 7 N채널 MOS 트랜지스터(MN7)의 게이트 단자에 연결되며, 게이트 단자가 상기 제 7 N채널 MOS 트랜지스터(MN7)의 드레인 단자에 연결되는 제 9 N채널 MOS 트랜지스터(MN9) 및 일단이 상기 제 9 N채널 MOS 트랜지스터(MN9)의 소스 단자에 연결되고, 타단이 접지되는 제 3 저항(R3)을 포함한다.An eighth P-channel MOS transistor MP8 connected to a drain terminal thereof to the power supply voltage, a gate terminal connected to a gate terminal of the sixth P-channel MOS transistor MP6, and a source terminal connected to the gate terminal thereof; And a drain terminal is connected to a source terminal of the eighth P-channel MOS transistor MP8, a source terminal is connected to a gate terminal of the seventh N-channel MOS transistor MN7, and a gate terminal is connected to the seventh N-channel MOS. A ninth N-channel MOS transistor MN9 connected to the drain terminal of the transistor MN7 and a third resistor R3 having one end connected to the source terminal of the ninth N-channel MOS transistor MN9 and having the other end grounded thereto. Include.

따라서 상기 제 2 저항(R2)과 상기 제 4 및 제 5 N채널 MOS 트랜지스터(MN4, MN5)에 의해서 개시(start-up)되는 부트스트랩(bootstrap) 기준 전압을 발생한다. 즉, 상기 제 9 N채널 MOS 트랜지스터(MN9)의 소스 단자로부터 소정의 기준 전압(0.8 V)을 출력한다.Thus, a bootstrap reference voltage is started which is started up by the second resistor R2 and the fourth and fifth N-channel MOS transistors MN4 and MN5. That is, a predetermined reference voltage (0.8V) is output from the source terminal of the ninth N-channel MOS transistor MN9.

이어서 상기 바이어스 회로(36)는 드레인 단자가 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 전압-전류 컨버터(32)의 출력 단자에 연결하는 제 10 P채널 MOS 트랜지스터(MP10)와, 상기 제 10 P채널 MOS 트랜지스터(MP10)와 직렬로 연결하고, 게이트 단자가 접지되는 제 11 P채널 MOS 트랜지스터(MP11)를 포함한다.Subsequently, the bias circuit 36 includes a tenth P-channel MOS transistor MP10 having a drain terminal connected to a power supply voltage, a gate terminal connected to an output terminal of the voltage-current converter 32, and the tenth P channel. An eleventh P-channel MOS transistor MP11 connected in series with the MOS transistor MP10 and having a gate terminal grounded is included.

그리고 드레인 단자가 상기 제 11 P채널 MOS 트랜지스터(MP11)의 소스 단자에 연결되고, 게이트 단자가 접지되는 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)와, 게이트 단자가 상기 기준 전압(Vref)의 출력 단자에 연결되어, 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)와 병렬로 연결하는 제 13 P채널 MOS 트랜지스터(MP13)를 포함한다.The drain terminal is connected to the source terminal of the eleventh P-channel MOS transistor MP11, the gate terminal is grounded to the twelfth P-channel MOS transistor MP12, and the gate terminal is connected to the output terminal of the reference voltage Vref. And a thirteenth P-channel MOS transistor MP13 connected in parallel with the twelfth P-channel MOS transistor MP12.

그리고 드레인 단자가 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 14 N채널 MOS 트랜지스터(MN14)와, 드레인 단자가 상기 제 13 P채널 MOS 트랜지스터(MP13)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 15 N채널 MOS 트랜지스터(MN15) 및 애노드 단자가 상기 기준 전압(Vref)의 출력 단자에 연결되고, 캐소드 단자가 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)의 소스 단자에 연결되어 상기 제 14 및 제 15 N채널 MOS 트랜지스터(MN14, MN15)의 게이트 단자에 출력하는 제 2 OP 앰프(OP2)를 포함한다.A drain terminal is connected to the source terminal of the twelfth P-channel MOS transistor MP12, and the source terminal is grounded. The fourteenth N-channel MOS transistor MN14 and the drain terminal are the thirteenth P-channel MOS transistor MP13. A 15 th N-channel MOS transistor MN15 and an anode terminal connected to a source terminal of the source terminal and grounded to the output terminal of the reference voltage Vref, and a cathode terminal of the twelfth P-channel MOS transistor MP12. And a second OP amplifier OP2 connected to the source terminals of the N-th transistors and output to the gate terminals of the fourteenth and fifteenth N-channel MOS transistors MN14 and MN15.

상기 차동 인버터(38)는 드레인 단자가 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 안정된 전류(Ib)의 출력 단자에 연결되는 제 16 P채널 MOS 트랜지스터(MP16)와 상기 제 16 P채널 MOS 트랜지스터(MP16)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 접지되는 제 17 P채널 MOS 트랜지스터(MP17)와 상기 제 17 P채널 MOS 트랜지스터(MP17)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 입력 단자(Vin)로 연결하는 제 18 P채널 MOS 트랜지스터(MP18)를 포함한다.The differential inverter 38 has a sixteenth P-channel MOS transistor MP16 and a sixteenth P-channel MOS transistor MP16 having a drain terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal connected to an output terminal of the stable current Ib. And a seventeenth P-channel MOS transistor MP17 connected in series with the gate terminal and a seventeenth P-channel MOS transistor MP17 connected in series with the gate terminal connected to the input terminal Vin. 18 P-channel MOS transistor MP18 is included.

그리고 게이트 단자를 입력 단자(Vin)로 하여 상기 제 18 P채널 MOS 트랜지스터(MP18)와 병렬로 연결되는 제 19 P채널 MOS 트랜지스터(MP19)와 상기 제 18 P채널 MOS 트랜지스터(MP18)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 2 OP 앰프(OP2)의 출력 단자에 연결되며, 드레인 단자가 출력 단자(Vout)에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 20 N채널 MOS 트랜지스터(MN20) 및 상기 제 19 P채널 MOS 트랜지스터(MP19)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 2 OP 앰프(OP2)의 출력 단자에 연결되며, 드레인 단자가 상기 출력 단자(Vout)에 연결하고, 소스 단자가 접지되는 제 21 N채널 MOS 트랜지스터(MN21)를 포함한다.The 19th P-channel MOS transistor MP19 connected in parallel with the 18th P-channel MOS transistor MP18 and the 18th P-channel MOS transistor MP18 are connected in series with a gate terminal as an input terminal Vin. And a twentieth N-channel MOS transistor MN20 and a gate terminal connected to an output terminal of the second OP amplifier OP2, a drain terminal connected to an output terminal Vout, and a source terminal grounded. A first terminal connected in series with a P-channel MOS transistor MP19, a gate terminal connected to an output terminal of the second OP amplifier OP2, a drain terminal connected to the output terminal Vout, and a source terminal grounded; 21 N-channel MOS transistor MN21 is included.

그리고 상기 전압-전류 컨버터에 의해서 변환된 안정적인 전류(Ib)가 상기 제 16 P채널 MOS 트래지스터(MP16)을 통해서 내부로 공급되고, 이를 통해 VCO 회로(30)의 출력 주파수(Fout)를 결정한다. 이어서 상기 전류(Ib)와 차동 인버터(38)로 공급되는 입력 전압(Vin)에 의해서 출력 전압(Vout)이 반전되기까지 시간 지연이 발생된다. 그리고 이 지연은 부하 캐패시턴스의 출력 전압에 비례하고 안정된 전류(Ib)에 반비례한다.The stable current Ib converted by the voltage-current converter is supplied to the inside through the sixteenth P-channel MOS transistor MP16, thereby determining the output frequency Fout of the VCO circuit 30. . Subsequently, a time delay occurs until the output voltage Vout is inverted by the current Ib and the input voltage Vin supplied to the differential inverter 38. This delay is proportional to the output voltage of the load capacitance and inversely proportional to the stable current Ib.

또한 상기 제 20 및 제 21 N채널 MOS 트랜지스터(MN20, MN21)는 액티브 저항으로서 트라이오드 리젼(triode region)에서 동작되도록 설계되어 있다.In addition, the twentieth and twenty-first N-channel MOS transistors MN20 and MN21 are designed to operate in a triode region as an active resistor.

그리고 상기 트라이오드 리젼을 유지해주는 것이 중요하며, 이를 위해서 상기 제 20 및 제 21 N채널 MOS 트랜지스터(MN20, MN21)의 드레인 단자와 소스 단자 사이에 걸리는 전압(Vds)가 0.8 V가 넘지 않도록 유지해준다. 그리고 상기 바이오스 회로(36)에서는 0.8 V의 기준 전압(Vref)과 제 2 OP 앰프(OP2)를 이용하여 상기 차동 인버터(38)의 액티브 저항이 트라이오드 리젼을 유지하게 한다.In addition, it is important to maintain the triode region. For this purpose, the voltage Vds between the drain terminal and the source terminal of the 20th and 21st N-channel MOS transistors MN20 and MN21 is maintained not to exceed 0.8V. . In the BIOS circuit 36, the active resistor of the differential inverter 38 maintains the triode region by using the reference voltage Vref of 0.8 V and the second OP amplifier OP2.

따라서 상기 전압 제어 발진 회로(30)에 의하면, 상기 전압-전류 컨버터에서 외부로부터 제어 전압(Vcon)을 입력받아 커런트 미러를 형성하여 안정된 전류(Ib)를 출력한다. 이어서 상기 기준 전압 발생 회로는 스타트-엎되는 소정의 기준 전압(Vref)을 출력한다. 이어서 상기 바이어스 회로는 상기 전류(Ib)와 상기 기준 전압(Vref)을 받아들여서 이를 바이어스하여 출력하며, 상기 차동 인버터는 상기 전류(Ib)와 상기 기준 전압(Vref)을 받아들여서 입력되는 전압(Vin)에 의한 적정의 주파수(Fout)를 갖는 전압(Vout)을 출력한다.Therefore, according to the voltage controlled oscillation circuit 30, the voltage-current converter receives a control voltage Vcon from the outside to form a current mirror to output a stable current Ib. The reference voltage generator circuit then outputs a predetermined reference voltage Vref to be started-up. Subsequently, the bias circuit receives the current Ib and the reference voltage Vref, biases them, and outputs them, and the differential inverter receives the current Ib and the reference voltage Vref and inputs a voltage Vin. Outputs a voltage Vout having an appropriate frequency Fout.

상술한 본 발명에 의하면, 마이콤에 있어서 낮은 주파수의 수정 발진기를 사용하여 입력되는 클럭 주파수를 낮추고, PLL 회로에 의해 노이즈를 줄이므로서 전자파 방해 잡음 문제를 효과적으로 대처할 수 있다.According to the present invention described above, it is possible to effectively cope with the electromagnetic interference noise problem by lowering the clock frequency input by using a low frequency crystal oscillator and reducing the noise by the PLL circuit.

Claims (5)

마이콤에 적합한 위상 동기 루프의 전압 제어 발진 회로에 있어서:In a voltage controlled oscillator circuit of a phase locked loop suitable for a microcomputer: 외부로부터 제어 전압(Vcnt)을 입력받아 커런트 미러 회로를 통하여 안정된 전류(Ib)를 출력하는 전압-전류 컨버터(32)와;A voltage-current converter 32 which receives a control voltage Vcnt from the outside and outputs a stable current Ib through a current mirror circuit; 소정의 기준 전압(Vref)을 출력하는 기준 전압 발생 회로(34)와;A reference voltage generator circuit 34 for outputting a predetermined reference voltage Vref; 상기 전류(Ib)와 상기 기준 전압(Vref)을 받아들여서 이를 바이어스하여 출력하는 바이어스 회로(36) 및;A bias circuit 36 which receives the current Ib and the reference voltage Vref and biases them to output them; 입력 전압(Vin)에 대응하여 안정된 주파수를 갖는 전압(Vout)을 출력하는 차동 인버터(38)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.And a differential inverter (38) for outputting a voltage (Vout) having a stable frequency in response to the input voltage (Vin). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전압-전류 컨버터(32)는:The voltage-current converter 32 is: 외부에서 입력되는 제어 전압(Vcnt)을 입력으로 하는 제 1 OP 앰프(OP1)와;A first OP amplifier OP1 having an externally input control voltage Vcnt; 드레인 단자가 전원 전압(Vdd)에 연결되는 제 1 P채널 MOS 트랜지스터(MP1)와;A first P-channel MOS transistor MP1 having a drain terminal connected to a power supply voltage Vdd; 드레인 단자가 상기 제 1 P채널 MOS 트랜지스터(MP1)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 1 P채널 MOS 트랜지스터(MP1)의 게이트 단자에 연결되며, 게이트 단자가 접지되는 제 2 P채널 MOS 트랜지스터(MP2)와;A second P-channel MOS having a drain terminal connected to the source terminal of the first P-channel MOS transistor MP1, a source terminal connected to the gate terminal of the first P-channel MOS transistor MP1, and whose gate terminal is grounded. A transistor MP2; 드레인 단자가 상기 제 2 P채널 MOS 트랜지스터(MP2)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 1 OP 앰프(OP1)의 케소드 단자에 연결되고, 게이트 단자에 상기 제 1 OP 앰프(OP1)의 출력 단자에 연결되는 제 3 N채널 MOS 트랜지스터(MN3) 및;A drain terminal is connected to the source terminal of the second P-channel MOS transistor MP2, the source terminal is connected to the cathode terminal of the first OP amplifier OP1, and the first OP amplifier OP1 is connected to a gate terminal. A third N-channel MOS transistor MN3 connected to an output terminal of the third N-channel MOS transistor MN3; 일단이 상기 제 1 OP 앰프(OP1)의 캐소드 단자에 연결되고 타단에 접지되는 제 1 저항(R1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.And a first resistor (R1) having one end connected to the cathode terminal of the first OP amplifier (OP1) and grounded at the other end. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기준 전압 발생 회로(34)는:The reference voltage generator circuit 34 is: 일단이 전원 전압(Vdd)에 연결되는 제 2 저항(R2)과;A second resistor R2 having one end connected to a power supply voltage Vdd; 드레인 단자에 상기 전원 전압(Vdd)에 연결되고, 게이트 단자에 상기 제 2 저항(R2)의 타단에 연결되는 제 4 N채널 MOS 트랜지스터(MN4)와;A fourth N-channel MOS transistor (MN4) connected to a drain terminal thereof to the power supply voltage (Vdd) and to a gate terminal thereof to the other end of the second resistor (R2); 드레인 단자가 상기 제 4 N채널 MOS 트랜지스터(MN4)의 게이트 단자에 연결하고, 소스 단자가 접지되며, 게이트 단자가 상기 드레인 단자에 연결되는 제 5 N채널 MOS 트랜지스터(MN5)와;A fifth N-channel MOS transistor MN5 having a drain terminal connected to the gate terminal of the fourth N-channel MOS transistor MN4, a source terminal being grounded, and a gate terminal connected to the drain terminal; 드레인 단자에 상기 전원 전압에 연결되고, 상기 제 4 N채널 MOS 트랜지스터(MN4)의 소스 단자에 소스 단자가 연결되는 제 6 P채널 MOS 트랜지스터(MP6)와;A sixth P-channel MOS transistor (MP6) connected to a drain terminal to the power supply voltage and having a source terminal connected to a source terminal of the fourth N-channel MOS transistor (MN4); 드레인 단자가 상기 제 6 P채널 MOS 트랜지스터(MP6)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 7 N채널 MOS 트랜지스터(MN7)와;A seventh N-channel MOS transistor MN7 having a drain terminal connected to the source terminal of the sixth P-channel MOS transistor MP6 and whose source terminal is grounded; 드레인 단자가 상기 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 6 P채널 MOS 트랜지스터(MP6)의 게이트 단자에 연결되며, 소스 단자가 상기 게이트 단자에 연결되는 제 8 P채널 MOS 트랜지스터(MP8)와;An eighth P-channel MOS transistor (MP8) having a drain terminal connected to the power supply voltage, a gate terminal connected to a gate terminal of the sixth P-channel MOS transistor (MP6), and a source terminal connected to the gate terminal; 드레인 단자가 상기 제 8 P채널 MOS 트랜지스터(MP8)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 상기 제 7 N채널 MOS 트랜지스터(MN7)의 게이트 단자에 연결되며, 게이트 단자가 상기 제 7 N채널 MOS 트랜지스터(MN7)의 드레인 단자에 연결되는 제 9 N채널 MOS 트랜지스터(MN9) 및;A drain terminal is connected to the source terminal of the eighth P-channel MOS transistor MP8, a source terminal is connected to the gate terminal of the seventh N-channel MOS transistor MN7, and a gate terminal is connected to the seventh N-channel MOS transistor. A ninth N-channel MOS transistor MN9 connected to the drain terminal of MN7; 일단이 상기 제 9 N채널 MOS 트랜지스터(MN9)의 소스 단자에 연결되고, 타단이 접지되는 제 3 저항(R3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.And a third resistor (R3) whose one end is connected to the source terminal of the ninth N-channel MOS transistor (MN9) and whose other end is grounded. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 바이어스 회로(36)는:The bias circuit 36 is: 드레인 단자가 전원 전압에 연결되고, 게이트 단자가 상기 전압-전류 컨버터(32)의 안정된 전류(Ib)를 출력하는 단자에 연결하는 제 10 P채널 MOS 트랜지스터(MP10)와;A tenth P-channel MOS transistor MP10 having a drain terminal connected to a power supply voltage and a gate terminal connected to a terminal for outputting a stable current Ib of the voltage-current converter 32; 상기 제 10 P채널 MOS 트랜지스터(MP10)와 직렬로 연결하고, 게이트 단자가 접지되는 제 11 P채널 MOS 트랜지스터(MP11)와;An eleventh P-channel MOS transistor (MP11) connected in series with the tenth P-channel MOS transistor (MP10) and whose gate terminal is grounded; 드레인 단자가 상기 제 11 P채널 MOS 트랜지스터(MP11)의 소스 단자에 연결되고, 게이트 단자가 접지되는 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)와;A twelfth P-channel MOS transistor (MP12) having a drain terminal connected to the source terminal of the eleventh P-channel MOS transistor (MP11) and whose gate terminal is grounded; 게이트 단자가 상기 기준 전압(Vref)의 출력 단자에 연결되어, 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)와 병렬로 연결하는 제 13 P채널 MOS 트랜지스터(MP13)와;A thirteenth P-channel MOS transistor MP13 connected to an output terminal of the reference voltage Vref and connected in parallel with the twelfth P-channel MOS transistor MP12; 드레인 단자가 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 14 N채널 MOS 트랜지스터(MN14)와;A fourteenth N-channel MOS transistor MN14 having a drain terminal connected to a source terminal of the twelfth P-channel MOS transistor MP12 and whose source terminal is grounded; 드레인 단자가 상기 제 13 P채널 MOS 트랜지스터(MP13)의 소스 단자에 연결되고, 소스 단자가 접지되는 제 15 N채널 MOS 트랜지스터(MN15) 및;A fifteenth N-channel MOS transistor MN15 having a drain terminal connected to a source terminal of the thirteenth P-channel MOS transistor MP13 and whose source terminal is grounded; 애노드 단자가 상기 기준 전압(Vref)의 출력 단자에 연결되고, 캐소드 단자가 상기 제 12 P채널 MOS 트랜지스터(MP12)의 소스 단자에 연결되어 상기 제 14 및 제 15 N채널 MOS 트랜지스터(MN14, MN15)의 게이트 단자에 출력하는 제 2 OP 앰프(OP2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.An anode terminal is connected to the output terminal of the reference voltage Vref, and a cathode terminal is connected to the source terminal of the twelfth P-channel MOS transistor MP12 so that the fourteenth and fifteenth N-channel MOS transistors MN14 and MN15 are connected. And a second OP amplifier (OP2) output to the gate terminal of the voltage controlled oscillation circuit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차동 인버터(38)는:The differential inverter 38 is: 드레인 단자가 전원 전압(Vdd)에 연결되고, 게이트 단자가 상기 안정된 전류(Ib)의 출력 단자에 연결되는 제 16 P채널 MOS 트랜지스터(MP16)와;A sixteenth P-channel MOS transistor MP16 having a drain terminal connected to a power supply voltage Vdd and a gate terminal connected to an output terminal of the stable current Ib; 상기 제 16 P채널 MOS 트랜지스터(MP16)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 접지되는 제 17 P채널 MOS 트랜지스터(MP17)와;A seventeenth P-channel MOS transistor (MP17) connected in series with the sixteenth P-channel MOS transistor (MP16) and whose gate terminal is grounded; 상기 제 17 P채널 MOS 트랜지스터(MP17)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 입력 단자(Vin)로 연결하는 제 18 P채널 MOS 트랜지스터(MP18)와;An eighteenth P-channel MOS transistor MP18 connected in series with the seventeenth P-channel MOS transistor MP17 and having a gate terminal connected to an input terminal Vin; 게이트 단자를 상기 입력 단자(Vin)에 연결하여 상기 제 18 P채널 MOS 트랜지스터(MP18)와 병렬로 연결되는 제 19 P채널 MOS 트랜지스터(MP19)와;A nineteenth P-channel MOS transistor (MP19) connected in parallel with the eighteenth P-channel MOS transistor (MP18) by connecting a gate terminal to the input terminal (Vin); 상기 제 18 P채널 MOS 트랜지스터(MP18)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 2 OP 앰프(OP2)의 출력 단자에 연결되며, 드레인 단자가 출력 단자(Vout)에 연결하고, 소스 단자가 접지되는 제 20 N채널 MOS 트랜지스터(MN20) 및;The eighth P-channel MOS transistor MP18 is connected in series, a gate terminal is connected to an output terminal of the second OP amplifier OP2, a drain terminal is connected to an output terminal Vout, and a source terminal is grounded. A twentieth N-channel MOS transistor MN20; 상기 제 19 P채널 MOS 트랜지스터(MP19)와 직렬로 연결되고, 게이트 단자가 상기 제 2 OP 앰프(OP2)의 출력 단자에 연결되며, 드레인 단자가 상기 출력 단자(Vout)에 연결하고, 소스 단자가 접지되는 제 21 N채널 MOS 트랜지스터(MN21)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.The 19th P-channel MOS transistor MP19 is connected in series, a gate terminal is connected to the output terminal of the second OP amplifier OP2, a drain terminal is connected to the output terminal Vout, and a source terminal is And a twenty-first N-channel MOS transistor (MN21) grounded.
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